ЗАО «ЭЛЕКТРОМЕХИЗМЕРЕНИЕ ПЛЮС» — Пенза
Организация ЗАО «ЭЛЕКТРОМЕХИЗМЕРЕНИЕ ПЛЮС», г. Пенза, зарегистрирована 4 сентября 2002 года, ей были присвоены ОГРН 1025801202679, ИНН 5835041983 и КПП 583501001, регистратор — Инспекция Федеральной налоговой службы по Октябрьскому району г. Пензы. Полное наименование — ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО «ЭЛЕКТРОМЕХИЗМЕРЕНИЕ ПЛЮС». Юридический адрес организации — 440039, Пензенская область, г. Пенза, ул. Заводская, д. 7. Основным видом деятельности являлся «Научные исследования и разработки в области естественных и технических наук». Организация «ЭЛЕКТРОМЕХИЗМЕРЕНИЕ ПЛЮС» была также зарегистрирована в таких категориях ОКВЭД (всего 7) как «Исследование конъюнктуры рынка», «Рекламная деятельность», «Разработка программного обеспечения и консультирование в этой области», «Оптовая торговля автомобильными деталями, узлами и принадлежностями», «Производство прочих приборов и инструментов для измерения, контроля и испытаний». Директор — Качкаев Сергей Николаевич.
Смотрите также
| СНТ «ЛАЙНЕР» САДОВОДЧЕСКОЕ НЕКОММЕРЧЕСКОЕ ТОВАРИЩЕСТВО «ЛАЙНЕР» 410533, Саратовская область, Саратовский район, п. Вольновка Управление эксплуатацией нежилого фонда за вознаграждение или на договорной основе |
| ТД «МИДАС» ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ ТОРГОВЫЙ ДОМ «МИДАС» 360003, республика Кабардино-Балкарская, г. Нальчик, ул. Тарчокова, д. 50 |
| РАРИТЕТ ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ «РАРИТЕТ» 160000, Вологодская область, г. Вологда, Окружное шоссе, д. 11Б, офис 1 Строительство жилых и нежилых зданий |
| РАМИНА ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ «РАМИНА» 127055, г. Москва, 1-й Тихвинский тупик, д. 5-7, пом. I комната 5 офис 40 Предоставление услуг по перевозкам |
| АЛИОТ ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ «АЛИОТ» 630108, Новосибирская область, г.  Новосибирск, ул. Станционная, д. 32, корп. 141Ковка, прессование, штамповка и профилирование; изготовление изделий методом порошковой металлургии |
| ЦЕНТР ЮВЕНТА ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ «ЦЕНТР ЮВЕНТА» 119285, г. Москва, ул. Мосфильмовская, д. 30 Торговля оптовая неспециализированная |
| АО «КРП МТО «АГРОСНАБ» АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО «КРЫМСКОЕ РЕСПУБЛИКАНСКОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ МАТЕРИАЛЬНО-ТЕХНИЧЕСКОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ «АГРОСНАБ» 295493, республика Крым, г. Симферополь, Московского Шоссе 11 километр Аренда и управление собственным или арендованным недвижимым имуществом |
Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс
Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс
Иркутская область, 666910, г Бодайбо, р-н Бодайбинский, д.
1, Иркутская ул
График работы: Вахтовый метод
Дата публикации: 2021-04-10
Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс
Иркутская область, 666910, г Бодайбо, р-н Бодайбинский, д. 1, Иркутская ул
График работы: Вахтовый метод
Дата публикации: 2021-04-10
Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс
Иркутская область, 666910, г Бодайбо, р-н Бодайбинский, д. 1, Иркутская ул
График работы: Вахтовый метод
Дата публикации: 2021-04-10
Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс
Иркутская область, 666910, г Бодайбо, р-н Бодайбинский, д.
1, Иркутская ул
График работы: Полный рабочий день
Дата публикации: 2021-04-10
Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс
Иркутская область, 666910, г Бодайбо, р-н Бодайбинский, д. 1, Иркутская ул
График работы: Сменный график
Дата публикации: 2021-04-10
Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс
Магаданская область, 685918, г Магадан, пгт Уптар, ул Красноярская, д. 33
График работы: Вахтовый метод
Дата публикации: 2021-04-07
Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс
Иркутская область, 666910, г Бодайбо, р-н Бодайбинский, д.
1, Иркутская ул
График работы: Вахтовый метод
Дата публикации: 2021-03-11
Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс
Иркутская область, 666910, г Бодайбо, р-н Бодайбинский, д. 1, Иркутская ул
График работы: Вахтовый метод
Дата публикации: 2021-03-11
Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс
Иркутская область, 666910, г Бодайбо, р-н Бодайбинский, д. 1, Иркутская ул
График работы: Вахтовый метод
Дата публикации: 2021-03-11
Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс
Иркутская область, 666910, г Бодайбо, р-н Бодайбинский, д.
1, Иркутская ул
График работы: Вахтовый метод
Дата публикации: 2021-03-11
Информационный справочник: Работа в России
ООО ПЕНЗЕНСКИЙ ЗАВОД «ЭЛЕКТРОМЕХИЗМЕРЕНИЕ» — Пенза — ИНН 5835078285
440039, Пензенская область, г. Пенза, ул. Лазо, д. 1
Производство прочих приборов, аппаратуры и инструментов для измерения, контроля и испытаний
Производство прочих приборов, аппаратуры и инструментов для измерения, контроля и испытаний
440039, Пензенская область, г. Пенза, ул. Лазо, д. 1
Производство прочих приборов, датчиков, аппаратуры и инструментов для измерения, контроля и испытаний
440039, Пензенская область, г. Пенза, ул. Лазо, д. 3
Производство прочих приборов, аппаратуры и инструментов для измерения, контроля и испытаний
440039, Пензенская область, г. Пенза, ул. Заводская, д.
7
Научные исследования и разработки в области естественных и технических наук
440039, Пензенская область, г. Пенза, ул. Лазо, д. 3
Производство прочих приборов, датчиков, аппаратуры и инструментов для измерения, контроля и испытаний
440039, Пензенская область, г. Пенза, ул. Лазо, д. 3
Производство прочих приборов, аппаратуры и инструментов для измерения, контроля и испытаний
440039, Пензенская область, г. Пенза, ул. Лазо, д. 1
Производство прочих приборов, аппаратуры и инструментов для измерения, контроля и испытаний
440039, Пензенская область, г. Пенза, ул. Лазо, д. 3
Производство прочих приборов, аппаратуры и инструментов для измерения, контроля и испытаний
440039, Пензенская область, г. Пенза, ул. Лазо, д. 1
Производство прочих приборов, датчиков, аппаратуры и инструментов для измерения, контроля и испытаний
440039, Пензенская область, г. Пенза, ул. Заводская, д. 7
Научные исследования и разработки в области естественных и технических наук
440039, Пензенская область, г.
Пенза, ул. Лазо, д. 1
Производство прочих приборов, аппаратуры и инструментов для измерения, контроля и испытаний
440039, Пензенская область, г. Пенза, ул. Лазо, д. 3
Производство прочих приборов, аппаратуры и инструментов для измерения, контроля и испытаний
440039, Пензенская область, г. Пенза, ул. Лазо, д. 3
Производство прочих приборов, датчиков, аппаратуры и инструментов для измерения, контроля и испытаний
Аренда и управление собственным или арендованным нежилым недвижимым имуществом
Производство прочих приборов, аппаратуры и инструментов для измерения, контроля и испытаний
Аренда и управление собственным или арендованным нежилым недвижимым имуществом
Аренда и управление собственным или арендованным недвижимым имуществом
Аренда и управление собственным или арендованным недвижимым имуществом
Производство прочих приборов, аппаратуры и инструментов для измерения, контроля и испытаний
Производство прочих приборов, аппаратуры и инструментов для измерения, контроля и испытаний
Выключатель света заднего хода 1352.
3768-03 (аналог ВК418Д) Электромехизмерение 1352.3768-031352.3768-03
Отгружаем с нашего склада Выключатель света заднего хода 1352.3768-03 (аналог ВК418Д) Электромехизмерение 1352.3768-03 логистическими компаниями УТК-центр, Желдор-Альянс, Евротек, Траско, Ритейл Логистика, АРПЭК, Грузовые силы МГ-Транс, ПЭК, Протон, Главдоставка, Перевозки, в любой город России: Первоуральск Павлово Псков Бийск Ярцево Куйбышев Реж Татарск Ангарск Гуково Златоуст Кизел Новый Уренгой Нижневартовск. Аркадак. Нерюнгри Кисловодск Томари Талдом Майкоп. Дзержинск Барыш. Ершов Вольск Шиханы Владимир Томмот Певек Зарайск Шахты Обь Берёзовский. Лабытнанги Сорск Беслан Дегтярск Кунгур Новочеркасск. Ливны Миасс Кимовск Чулым Сургут Кола Кашин Скопин Ишим Зеленогорск Гай Опочка Уссурийск Печора. Абакан Нефтегорск Саранск Дальнегорск Барнаул Касли Орск Углегорск Обнинск Новошахтинск Светлоград Алапаевск Бердск Арсеньев. Нальчик. Кузнецк Екатеринбург Аргун Сочи Рыбинск Печоры Заозёрск Армавир Карабаш Мышкин Балахна.
Нягань Камышин Чудово Нижний Тагил Великий Новгород Арск Тула и т.д.
1703255. Кронштейн верхний производство ПАО «КАМАЗ» 6560-1109390 Панель крыла наружная левая 5550 «МАЗ» 5550-8403021-010 Сальник 120х150-1, 2 задней ступицы (черный) «МАЗ» 5336-3104038-001 Уплотнитель опускного стекла нового образца (L-515 мм) «МАЗ» 6430-6103261-020.Вы можете оформив заказ в ТЕХГРУЗ отправив заявку почте, можете отправить заказ на адрес или в офисе компании.
Обновлено Страницы обновили в четверг свежий прайс обновляется.
Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс вакансии
Возможность получать уведомления подписавшись на вакансии Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс. Каталог вакансий на сегодня 12 августа 2021 г
вакансииработа кадры
Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс официальный сайт вакансии
Список свежих вакансий, условия работы — вся полезная информация от работодателя с официального сайта ЦЗН обновляется ежедневно; Возможность подписаться на получение сведений о свежих вакансиях Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс.
Контакты | вакансии отдела кадровОбщество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс телефон отдела кадров
+7(8412)941340Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс
Адрес: Телефон: +7(8412)941340 Официальный_сайт Факс: Вакансии: |
График работы:
Расположение: Пензенская область
Получайте сообщения на Ваш электронный адрес о всех свежих вакансиях в Общество с ограниченной ответственностью Производственное объединение Пензенский завод Электромехизмерение Плюс
Напиcать резюме
Послать резюме по факсу +7(8412)941340 или на электронный адрес emi@emi-penza.
ruВакансии отдела кадров | контакты
ИНН: 5835105394 ОГРН: 1145835000332 Тел.: +7(8412)941340Тип теста | Биомомент
Афганистан
Аландские острова
Албания
Алжир
Американское Самоа
Андорра
Ангола
Ангилья
Антарктика
Антигуа и Барбуда
Австрия
Австрия
Австралия
Австралия
Австралия Азербайджан
Багамы (те)
Бахрейн
Бангладеш
Барбадос
Беларусь
Бельгия
Белиз
Бенин
Бермуды
Бутан
Бермуды
Бутан
Болинт
Босния и Герцеговина
Ботсвана
Остров Буве
Бразилия
Британская территория в Индийском океане
Бруней Даруссалам
Болгария
Буркина-Фасо
Бурунди
Буркина-Фасо
Бурунди 03
Канада
Каймановы острова
Центральноафриканская Республика
Чад
Чили
Китай
Остров Рождества
Кокосовые острова (Килинг)
Колумбия
Коморские Острова
Конго (Демократическая Республика)
Конго
Острова Кука
Коста-Рика
Кот-д’Ивуар
Хорватия
Куба
Кюрасао
Кипр
Дания
Джибути
Доминика
Доминиканская Республика
Эквадор
Египет
Сальвадор
Экваториальная Гвинея
Эритрея
Эстония
Мальвинские острова
Эстония
Мальтийские острова Эфиопия Острова
Фиджи
Финляндия
Франция
Французская Гвиана
Французская Полинезия
Французские Южные территории (the)
Габон
Гамбия (the)
Грузия
Германия
Гана
Гибралтар
Греция
Гренландия
Гренада
ГваделупеГвинея
Гвинея-Бисау
Гайана
Гаити
Остров Херд и острова Макдональд
Святой Престол
Гондурас
Гонконг
Венгрия
9000 9000 9000 9000 Индия Исландия Исламская Республика)Ирак
Ирландия
Остров Мэн
Израиль
Италия
Ямайка
Япония
Джерси
Иордания
Казахстан
Кения
Народная Республика Корея Кирибати
о)Корея (Республика)
9 0002 КувейтКыргызстан
Лаосская Народно-Демократическая Республика (Лаосская Народно-Демократическая Республика)
Латвия
Ливан
Лесото
Либерия
Ливия
Лихтенштейн
Литва
000 Республика Македония
ЛитваЛюксембург
)Мадагаскар
Малави
Малайзия
Мальдивы
Мали
Мальта
Маршалловы Острова
Мартиника
Мавритания
МаврикийМаврикий
Маврикий
Мексика
Маврикий
Молдова (Республика)
Монако
Монголия
Черногория
Монтсеррат
Марокко
Мозамбик
Мьянма
Намибия
Науру
Новая Зеландия
Новая ЗеландияЗеландия 9000 3
Никарагуа
Нигер
Нигерия
Ниуэ
Остров Норфолк
Северные Марианские острова
Норвегия
Оман
Пакистан
Палау
Палау
Палестина
Папуа-Новая Гвинея
Парагвай
Перу
Филиппины
Питкэрн
Польша
Португалия
Пуэрто-Рико
Катар
Реюньон
Россия
Россия Бартелеми
Остров Святой Елены, Вознесения и Тристан-да-Кунья
Сент-Китс и Невис
Сент-Люсия
Сен-Мартен (французская часть)
Сен-Пьер и Микелон
Сент-Винсент и Гренадины
СамуиСан-Томе и Принсипи
Саудовская Аравия
Сенегал
Сербия
Сейшельские острова
Сьерра-Леоне
Сингапур
Синт-Мартен (голландская часть)
Словакия
Словения
Сандвичевы острова
Сомали
Южная Африка Грузия
Южная АфрикаЮжная Африка Грузия
Южная Африка Южная АфрикаСудан
Южная АфрикаИспания
Шри-Ланка
Судан
Суринам
Шпицберген и Ян-Майен
Свазиленд
Швеция
Швейцария
Сирийская Арабская Республика
Тайвань
Таджикистан
Таджикистан
, Объединенная Республика
Таиланд
Тимор-Лешти
Того
Токелау
Тонга
Тринидад и Тобаго
Тунис
Турция
Туркменистан
Острова Тёркс и Каиканда
Украина
Объединенные Арабские Эми курсы (the)
Соединенное Королевство Великобритании и Северной Ирландии (the)
Внешние малые острова США (the)
Соединенные Штаты Америки (the)
Уругвай
Узбекистан
Вануату
Венесуэла (Боливарианец) Республика)
Вьетнам
Виргинские острова (Британские)
Виргинские острова (U.
S.)
Уоллис и Футуна
Западная Сахара *
Йемен
Замбия
Зимбабве
Новая цифровая электромеханическая система для измерения насыпной плотности почвы
Основные особенности
- •
- Цифровая электромеханическая система (DES ) представляет собой законченную систему для измерения объемной плотности грунта.
- •
DES автоматически берет пробы почвы на различной глубине.
- •
Сухой и влажный ρ b почвы разной текстуры увеличиваются с увеличением глубины почвы.
- •
DES имеет высокую точность измерения сухой ρ b почвы в различных полевых условиях.
Реферат
Это исследование описывает автоматизацию широко используемого метода объемного цилиндра (VC) для измерения насыпной плотности. Техника VC страдает несколькими серьезными недостатками. В частности, его сложно и долго использовать.
Кроме того, возникают ошибки при отборе проб почвы на разной глубине в различных полевых условиях.Это исследование знакомит с разработкой, реализацией и испытанием цифровой электромеханической системы (DES) для измерения и регистрации сухой ( ρ b ) и влажной ( ρ n ) насыпной плотности почвы на трех участках почвы. глубины, удаленно. Дизайн DES — это новаторский и собственный дизайн. Результаты полевых испытаний показали, что DES может измерять объемную плотность почвы на разных глубинах за значительно меньшее время и за меньшие трудозатраты, показывая лучшую точность, чем существующие методы VC для конкретных текстур почвы.Точность расчета на основе DES позволяет оценить объемную плотность почвы, на которую влияет различный состав почвы и ее глубина. Первый важный вывод заключается в том, что для глубины почвы 10 см методы DES и VC дали более низкие значения ρ b и ρ n по сравнению с другими глубинами почвы при различных почвенных условиях.
Второй важный вывод заключается в том, что существует положительная корреляция между методами DES и VC для измерения ρ b и ρ n почвы с коэффициентом детерминации (R 2 ). из 0.87 и 0,73 соответственно. Коэффициент вариации (CV) сухой ρ b и влажной ρ n почвы с помощью метода DES составил 6% и 6,3% соответственно, в то время как для метода VC CV составил 6,3% для ρ b и 6,1% для ρ n . Кроме того, существует линейная зависимость между методами DES и VC при различных условиях влажности. Мы пришли к выводу, что насыпная плотность грунта обычно наиболее точно и точно определяется с помощью технологии DES.
Ключевые слова
Насыпная плотность в сухом состоянии
Насыпная плотность во влажном состоянии
Цифровая электромеханическая система
Метод объемного цилиндра
Рекомендуемые статьиЦитирующие статьи (0)
Полный текст © 2018 Elsevier B.
V. Все права защищены.
Рекомендуемые статьи
Цитирующие статьи
Точная электромеханическая характеристика мягких молекулярных монослоев с помощью пьезосиловой микроскопии
Мы сообщаем о новой методологии электромеханической характеристики органических монослоев, основанной на реализации пьезо-силовой микроскопии с двойным резонансным отслеживанием переменного тока (DART-PFM) в сочетании с разверткой приложенного поля постоянного тока в фиксированном поле переменного тока.Эта экспериментальная схема позволяет калибровать электростатический компонент отклика наконечника и позволяет использовать при измерениях рычаги жесткости с малой пружиной. Более того, показано, что этот метод позволяет определять как положительный, так и отрицательный пьезоотклик. Успешное разделение электростатического компонента и механического отклика позволит получить более количественные электромеханические характеристики молекулярных и биоматериалов и должно привести к появлению новых принципов проектирования мягких биосовместимых пьезоактивных материалов.
Чтобы подчеркнуть применимость, наша новая методология была использована для успешной характеристики пьезоэлектрического коэффициента ( d 33 ) различных пьезоактивных материалов, включая самоорганизующиеся монослои из небольших молекул (додекантиол, меркаптоундекановая кислота) или макромолекулы (пептиды, пептоиды), а также различные неорганические материалы, включая титанат цирконата свинца [PZT], кварц и периодически поляризованный ниобат лития [PPLN]. Из-за высокой дифференциальной емкости мягкие органические монослои продемонстрировали чрезвычайно большой электромеханический отклик (до 250 пм В −1 ), но меньшие пьезоэффекты d 33 .Наконец, мы обнаружили, что емкостный электростатический отклик исследованных органических монослоев значительно больше, чем у обычных неорганических пьезоэлектрических материалов (, например, , PZT, PPLN, кварц), что позволяет предположить, что приложения для органических электромеханических материалов могут успешно использовать как пьезо, так и электростатические отклики.
Эта статья в открытом доступе
Подождите, пока мы загрузим ваш контент… Что-то пошло не так. Попробуй еще раз?электромеханическое мобильное измерение — Eutecnet
Мобильные измерительные приборы для повседневного использования представляют собой революцию в электромеханических системах, поскольку благодаря своей легкости определять изменения определенных параметров, таких как давление или масло, без остановки производства.
Eutecnet продает различные мобильные измерительные приборы для электромеханики, среди которых, мы уверены, вы найдете тот, который ищете.
Какие модели мобильных измерений предлагает EUTECNET?
Parker Serviceman Plus
Это простая и очень надежная мобильная измерительная технология, способная работать в суровых условиях. Используя датчик автоматического распознавания, вы просто подключаете и измеряете разницу в производительности, которую видите на экране.
В нашем каталоге Parker Serviceman Plus вы найдете исчерпывающее описание этого продукта, который Eutecnet предоставляет для мобильных измерений в электромеханике.
Intellinder
Это мобильная измерительная техника со встроенным гидроцилиндром с устройством контроля абсолютного положения. Intellinder использует датчик, установленный на головке цилиндров, для считывания рисунка на штоке поршня.
Для мобильных измерений для электромеханики обратитесь к нашему каталогу Intellinder, где вы найдете подробное описание этого продукта, который предлагает Eutecnet._[in_carton_box].jpg)
Серии Oildyne 108 и 165
Серии Oildyne 108 и 165 представляют собой миниатюрные поршневые насосы, способные работать с давлением до 241 бар и расходом до 5,4 л / мин. Из-за их размера вы можете брать их с собой куда угодно.
Для мобильных измерений для электромеханики, см. Наши каталоги для Oildyne 108 и Oildyne 165, где вы найдете все функции этого продукта, доступные Eutecnet.
Серия Oildyne 550
Серия Oildyne 550 — это миниатюрные поршневые насосы, способные выдерживать давление до 207 бар и скорость потока до 11.4 л / мин. Из-за их размера вы можете брать их с собой куда угодно.
Для мобильных измерений для электромеханики, см. Наши каталоги для Oildyne 550 и Oildyne 165, где вы найдете все функции этого продукта, доступные Eutecnet.
Неразрушающее и вибрационное измерение электромеханического импеданса
Гарантия качества Неразрушающее и вибрационное измерение электромеханического импеданса на основе вибрации
Редактор: Николь Карета
Ученые из Института Фраунгофера структурной долговечности и надежности системы LBF разработали инновационную измерительную головку, которая может проверять состояние конструкции на основе ее электромеханического импеданса в условиях вибрации и без разрушения.
Связанная компания
Инновационная измерительная головка Fraunhofer LBF измеряет электромеханический импеданс.(Источник: Fraunhofer LBF)
Во всех отраслях промышленности производители конструктивных элементов сталкиваются с проблемой: они должны обеспечивать желаемое качество и стабильность работы своей продукции на протяжении всего срока службы. Новая измерительная головка может проверять состояние конструкции на основе ее электромеханического импеданса без разрушения на основе вибрации.Он прижимается к испытательной структуре без дополнительной связующей среды, которая поэтому не изменяется. Измерительная головка способна одновременно возбуждать испытательную структуру и измерять электромеханический импеданс.
Посмотрите, как работает измерение электромеханического импеданса:
Перспективный метод неразрушающего контроля структурных компонентов основан на измерении электромеханического импеданса.Для этого к испытательной конструкции обычно прикрепляют пьезоэлектрический преобразователь для установления электромеханической связи. Однако датчик можно снять только после измерения с большим усилием. Следовательно, есть риск повредить конструкцию. До сих пор это ограничивало применимость метода, поскольку точка измерения не могла гибко изменяться, и сенсорная система должна была оставаться в компоненте постоянно. Таким образом, передача технологий в промышленность до сих пор имела место только для стационарных приложений.
Инновационная измерительная головка не требует дополнительной соединительной среды
Основным элементом инновационной измерительной головки, разработанной в Fraunhofer LBF, является пьезоэлектрический преобразователь размером 10×10 миллиметров. Уникальной особенностью измерительной головки является то, что она только прижимается к испытательной конструкции без какой-либо дополнительной соединительной среды и, таким образом, может быть снята и перемещена к следующей точке измерения. Таким образом, структура теста не изменяется, и на ее поверхности не остается остатков клея.Измерительная головка способна одновременно возбуждать испытательную структуру и измерять электромеханический импеданс.
Высокая чувствительность
При менее чем 500 милливатт энергопотребление новой измерительной головки значительно ниже, чем у традиционных методов измерения, где оно на порядок выше. «Кроме того, что касается регулируемой высокой чувствительности, измерительная головка превосходит традиционные методы и может создать значительную добавленную стоимость для клиентов из сектора испытательных и измерительных технологий для конечных пользователей в автомобильной и авиационной промышленности при выявлении структурных изменений, «- объясняет ученый Е Чжи Пак, отвечающий за проект в Fraunhofer LBF.
Измерительная головка, недавно разработанная Fraunhofer LBF, выявляет структурные изменения, обнаруживая отклонения качества или дефекты материала в поточном или автономном производстве. Он также может обнаруживать структурные дефекты на ранней стадии, чтобы предотвратить неожиданный выход материала из строя.
В процессе измерения на основе вибрации измерительная головка показывает более высокую чувствительность к структурным изменениям по сравнению с акустическими или оптическими системами. Для эталонных измерений измерительная головка увеличивает статистическую надежность и безопасность принятия решений.Это также позволяет отслеживать структурные изменения в течение срока службы устройства.
Оптимизация процесса и максимальное качество продукции
В рамках авиационного исследовательского проекта Clean Sky 2, финансируемого Европейской комиссией, измерительная головка была интегрирована в автоматизированную измерительную систему и в инфраструктуру производственного предприятия. В настоящее время таким способом можно исследовать конструкции длиной около восьми метров. В среднесрочной перспективе планируется использовать сигналы измерительной головки напрямую для оптимизации процесса.Таким образом, технология помогает не только контролировать, но и повышать качество продукции.
(ID: 46655335)
Электромеханические колебания в двухслойном графене
Изготовление и описание устройства
Наши образцы состоят из полевых транзисторов на основе подвесных ГНЛ (рис. 1а). Устройства были изготовлены с использованием комбинации стандартных процессов литографии электронно-лучевой литографии с травлением кислородной плазмой для определения геометрии наноленты с последующим влажным травлением плавиковой кислотой и сушкой до критической точки.Первоначальные электрические характеристики выполняются с источниками напряжения, подключенными в конфигурации, показанной на рис. 1b. Мы прикладываем смещение В s к электродам истока и напряжение заднего затвора В g к вырожденно легированной кремниевой подложке. Ток стока измеряется с помощью преобразователя тока в напряжение, подключенного к синхронизирующему усилителю. Передаточные и выходные характеристики устройства с однослойной и двухслойной подвеской представлены на дополнительном рис.1. Все наши устройства имеют линейную I s — V s характеристику типичную для омических контактов. Стробирующая зависимость I s — V g демонстрирует амбиполярную зависимость с точкой зарядовой нейтральности V CN , лежащей в минимуме проводимости и соответствующей точке Дирака.
Рисунок 1: Устройство и экспериментальная установка.( a ) Изображение устройства, полученное с помощью сканирующего электронного микроскопа (SEM).Графеновая нанолента шириной 60 нм подвешена над подложкой и контактирует с электродами. Масштабная линейка длиной 500 нм. ( b ) Схематическое изображение экспериментальной установки и геометрии. Подвешенная графеновая лента деформируется в центре с помощью зонда АСМ, прикрепленного к пьезосканеру. Вертикальное смещение сканера Z пьезо приводит к отклонению кантилевера D кантилевера и отклонению наноленты D GNR .Устройство смещено переменным током. напряжение со среднеквадратичной амплитудой 4 мВ. Результирующий ток стока I d контролируется с помощью синхронизирующего усилителя.
Электромеханическая измерительная установка
После определения электрических характеристик мы помещаем образец под АСМ для визуализации и наноиндентирования. На дополнительном рисунке 2 показаны типичные АСМ изображения наших устройств. Условия визуализации обсуждаются в дополнительном примечании 1. Перед экспериментом по наноиндентированию была откалибрована чувствительность фотодетектора и постоянная пружины кантилевера АСМ (дополнительный рис.3), в то время как определение геометрии AFM (дополнительный рисунок 4) и его резонансной частоты (дополнительный рисунок 5) завершает калибровку (дополнительное примечание 2). После того, как подвешенный ГНР обнаружен и установка откалибрована, наконечник АСМ помещается наверху ГНР для вдавливания. При перемещении столика вверх к консоли и вниз далеко от нее, GNR деформируется, а затем расслабляется. Этот цикл разгибания-втягивания ступени представлен на рис. 2а. Во время каждого цикла деформации мы одновременно измеряем ток (верхний график) и отклонение кантилевера, D кантилевер , (нижний график) в зависимости от положения столика, Z пьезо .Мы извлекаем деформацию ленты GNR в точке приложения нагрузки наконечником AFM ( D GNR ) из выражения Z piezo = D консоль + D GNR (Ссылка 19). Детальное моделирование методом конечных элементов (МКЭ) показало, что прогибом нерастянутых участков контакта (рис. 1b) можно пренебречь (дополнительные рисунки 6 и 7; дополнительное примечание 3). Во время эксперимента переменный ток. Напряжение смещения со среднеквадратичной амплитудой 4 мВ и частотой 8 кГц подается на GNR, а ток, протекающий через него, контролируется с помощью синхронизирующего усилителя.Мы поддерживаем напряжение заднего затвора, подключенного к земле, В g = 0 В, чтобы исключить паразитные эффекты из-за изменений емкостной связи между GNR и затвором при деформации GNR.
Рисунок 2: Электромеханический отклик монослоя графена.( a ) Электромеханический эксперимент показывает одновременные измерения тока (верхняя кривая) и отклонения кантилевера (нижняя часть) в зависимости от удлинения пьезосканера.Электромеханический отклик воспроизводится как для кривых выдвижения (красный), так и для кривых втягивания (черный). Измерение выполняется для переменного тока. напряжение со среднеквадратичной амплитудой 4 мВ и с заземленным затвором. Дальнейший анализ (см. Уравнения в основном тексте) позволяет выделить b , относительное изменение сопротивления как функцию отклонения наноленты. Все устройства с однослойным графеном показывают отклик с различными наклонами в зависимости от ширины ГНР. В большинстве случаев сопротивление увеличивается при деформации, однако мы наблюдали один случай уменьшения сопротивления при деформации (синяя кривая, устройство № 5).
Электромеханический отклик однослойного графена
На рисунке 2а показан электромеханический отклик однослойного графена. Электрические и механические характеристики воспроизводимы как для циклов выдвижения, так и для втягивания. С механической точки зрения это доказывает, что мы деформируем GNR в упругом режиме, что структурные дефекты в GNR не вносятся и что GNR плотно прикреплены к металлическим площадкам (без проскальзывания). Более того, электрические прокладки представляют собой стабильную механическую платформу, учитывая их ширину (~ 2 мкм) по сравнению с прикрепленными к ним GNR (~ 100 нм).С электрической точки зрения воспроизводимость измерений доказывает, что граница раздела между GNR и металлическими контактами не ухудшается. Одновременность измерений показывает, что электрический отклик тесно связан с механической деформацией. Во время цикла подвода и до механического контакта с GNR ток постоянен. Ток претерпевает изменения только после того, как ГНР деформируется, что гарантирует, что наблюдаемые изменения тока имеют электромеханическое происхождение.
В случае однослойного графена мы выполнили электромеханические измерения на пяти устройствах с шириной от 60 до 300 нм (дополнительный рисунок 2; дополнительная таблица 1), сопротивлением от 10 до 100 кОм при подвижности устройства ~ 1500 см 2 В −1 с −1 . Мы наблюдаем уменьшение тока при деформации как для естественного (устройство №1), так и для химического осаждения из паровой фазы (CVD) графена 20 (устройство №2 — устройство №5). Мы не наблюдаем раскрытия запрещенной зоны в этом режиме деформации.
Чтобы сравнить электромеханический отклик различных GNR, мы представляем относительное изменение сопротивления Δ R / R 0 как функцию отклонения наноленты D GNR (рис. 2b). Почти во всех устройствах (устройства 1–4) мы наблюдаем увеличение электрического сопротивления в результате деформации с положительным пьезорезистивным калибровочным коэффициентом (GF), определяемым как GF = (Δ R / R 0 ) / ɛ .Это наблюдаемое увеличение сопротивления, вызванное деформацией, согласуется с предыдущими сообщениями об однослойном графене 21 и связано с уменьшением скорости Ферми и уменьшенной подвижностью 14,21,22,23 . Интересно, что одно из наших устройств (устройство № 5) показывает уменьшение сопротивления в зависимости от деформации, что соответствует отрицательному калибровочному коэффициенту. Это редкое поведение указывает на то, что дополнительные эффекты, возможно, зависящие от ориентации решетки, могут модулировать электрическое поведение графена при деформации, и требует дальнейшего теоретического моделирования.
Поскольку острый наконечник АСМ с радиусом около 30 нм (дополнительный рисунок 4; дополнительное примечание 2) вносит локальную деформацию в центр наноленты, что приводит к неравномерной деформации в наноленте (дополнительный рисунок 8; дополнительное примечание 4 ), мы используем МКЭ для определения распределения деформации в ленте, вызванной вдавливанием наконечника АСМ. Результаты показывают, что, хотя в непосредственной близости от наконечника АСМ преобладающий вклад в деформацию вносит локальная деформация под острым концом, в остальной части ленты деформация почти однородна и из-за общего вертикального отклонения ленты ( Дополнительный рис.9; Дополнительное примечание 4). Это позволяет нам оценить верхний предел калибровочного фактора, принимая во внимание однородную деформацию, вызванную вертикальным отклонением, и пренебрегая вкладом, локализованным вокруг наконечника АСМ. Для устройств 1–4, показывающих положительный калибровочный коэффициент, мы находим верхний предел для GF, равный 8,8, что хорошо согласуется с ранее опубликованными результатами 14,21 и по крайней мере в 20 раз ниже, чем в полупроводниковых атомарно тонких слоях MoS 2. (ссылка 23; более подробное обсуждение доступно в дополнительном примечании 4).Те же результаты моделирования показывают, что самые высокие достигнутые деформации в наших GNR составляют ~ 5% (дополнительный рис. 10; дополнительное примечание 5).
Осцилляции проводимости в двухслойном графене
Теперь перейдем к устройствам с двухслойным графеном. Мы провели электромеханические измерения на нанолентах, изготовленных из двухслойного графена, шириной 200 и 300 нм и сопротивлением ∼50 и ∼40 кОм соответственно. Отклик этих двух устройств представлен на рис. 3. Подобно образцам монослойного графена, механический отклик двухслойных устройств обратим, отражая упругий режим деформации и механическую стабильность подвешенных двухслойных ГНЛ.Из измерений тока устройства I d в зависимости от удлинения пьезосканера (рис. 3а) видно, что электромеханический отклик двухслойных ГНЛ проявляет две основные особенности. Подобно однослойным ГНЛ, мы видим общее увеличение сопротивления в зависимости от отклонения наноленты D GNR , рис. 3b. Кроме того, мы наблюдаем ярко выраженные колебания, наложенные на фоне возрастающего сопротивления. Эти колебания электрического отклика демонстрируют одинаковое качественное поведение в циклах разгибания и втягивания (рис.3а). Однако колебания обоих циклов немного сдвинуты по фазе, а амплитуды имеют одинаковый порядок величины. Сила тока до и после деформации остается неизменной. Это подтверждает, что устройство не вышло из строя при деформации, и доказывает электромеханическое происхождение наблюдаемых колебаний. Чтобы сравнить наши измерения, мы рассматриваем только отклик от циклов расширения. Выполняя последовательную деформацию, мы видим, что колебания относительного изменения сопротивления имеют высокую повторяемость и качественно схожи для обоих устройств (рис.3б, в; Дополнительное примечание 6) с амплитудой от пика до пика ∼4% и частотой, которая увеличивается по мере отклонения наноленты.
Рисунок 3: Электромеханический отклик двухслойного графена.( a ) Одновременные измерения тока (верхняя кривая) и отклонения кантилевера (нижняя часть) в зависимости от удлинения пьезосканера показывают колебания в электрическом отклике двухслойных ГНЛ. Колебания воспроизводимы и немного сдвинуты по фазе как для циклов выдвижения, так и втягивания.Измерение выполняется для переменного тока. напряжение со среднеквадратичной амплитудой 4 мВ и с заземленным задним затвором. ( b ) Относительное сопротивление двухслойной графеновой наноленты в зависимости от отклонения наноленты для нескольких последовательных циклов механической деформации. Кривые деформаций №2, №3 и №4 смещены для ясности. Колебания сопротивления с амплитудой ∼2% накладываются на медленно растущий фон. ( c ) Электромеханический отклик дополнительного двухслойного устройства GNR.Кривые деформаций №2, №3 и №4 смещены для ясности.
Общее фоновое увеличение сопротивления в двухслойных устройствах можно объяснить с помощью пьезорезистивного отклика, как и в случае однослойных устройств. Однако калибровочный фактор двухслойных устройств ниже, чем у однослойных. Расчеты Wong et al . 24 показывают, что деформация растяжения может увеличивать межслойные взаимодействия в двухслойном графене, что может частично компенсировать уменьшение межслойных взаимодействий, что приводит к меньшему калибровочному коэффициенту для двухслойного графена.
Теоретическое моделирование переноса носителей заряда
Ясно, что межслоевые взаимодействия лежат в основе поразительного наблюдения электромеханических колебаний. Мы предлагаем простую теоретическую модель, способную количественно воспроизвести наблюдаемое поведение. Модель предполагает, что действие острия АСМ вызывает конечное боковое смещение (скольжение) отдельных слоев графена относительно друг друга. Это боковое смещение ожидается из-за слабой силы Ван-дер-Ваальса между двумя слоями графена 25,26 .В литературе имеется обширное свидетельство того, что боковое смещение слоев графена относительно друг друга происходит в различных типах сканирующих зондовых микроскопов 27,28,29,30,31,32,33,34,35,36 . Относительное смещение одного слоя графена на другой слой графена даже более вероятно, когда оно сопровождается деформацией слоев 37 . В нашем эксперименте острие АСМ деформирует двухслойные ЗНЛ, что приводит к увеличению упругой энергии системы.Следовательно, необходимость понижения энергии системы приводит к относительному смещению слоев. Боковое смещение, однако, нарушает укладку двух слоев AB, которая является энергетически предпочтительной конфигурацией двухслойного графена 38 . Затем система снижает межслойную энергию связи за счет образования переходной области, подобной «доменной стенке», разделяющей два AB-пакетированных домена, как описано в модели Френкеля-Конторовой 39 (рис. 4a).Переходная область по существу обеспечивает переход в несоразмерную фазу и, в свою очередь, позволяет укладывать AB в двух областях GNR на каждой стороне «доменной стенки», которая может выглядеть как локализованная выпуклость или морщинка по причинам, обсуждаемым ниже 38,39 . Ширина этих переходных областей, обычно несколько нанометров согласно экспериментальным наблюдениям 29 и нашим численным оценкам (дополнительное примечание 7), определяется балансом между полной энергией деформации и межслойной энергией связи 39,40 .Такие границы, возникающие между областями AB- и BA-стэка, недавно наблюдались в разориентированных многослойных графенах многочисленными группами 26,29,33,35,36,38 . Смещение границ домена стэкинга, манипуляции и создание морщин в сканирующей туннельной микроскопии было продемонстрировано 27,32,34,36 . Смещение и удаление морщин с помощью наконечника АСМ также было продемонстрировано экспериментально 28,30,31 , и детали этого процесса были исследованы с помощью реалистичного моделирования 41 .
Рисунок 4: Теоретическое моделирование переноса носителей заряда.( a ) Схематическое изображение бокового сдвига отдельных слоев графена относительно друг друга, подвергнутых действию наконечника АСМ. Двухслойные графеновые домены с AB-стопкой разделены областью несвязанных монослоев разной эффективной ширины. ( b ) Расчетная вероятность передачи носителей заряда через область разделенных монослоев графена как функция от E и k || для различных разностей хода носителей заряда Δ W , выраженное в единицах постоянной решетки графена a .Пунктирными линиями показаны контуры массивной фермионной зоны Дирака двухслойного графена и безмассового конуса Дирака однослойного графена соответственно. ( c ) Относительное электрическое сопротивление Δ R / R 0 моделируемого наноэлектромеханического устройства на основе двухслойного ГНР шириной 50 нм под V s = 4 мВ с контактом сопротивление R c = 41 кОм как функция разности хода носителей заряда Δ W , выраженная в единицах постоянной решетки графена a. Линия — это проводник для глаз.
Отметим, однако, что эффективная ширина переходной области в двух отдельных слоях графена, измеренная на решетке графена, W 1 и W 2 , различается (см. Определение на рис. 4a). ). Кроме того, эта разность эффективной ширины Δ W = W 1 — W 2 будет изменяться, поскольку два слоя графена скользят друг относительно друга из-за действия наконечника АСМ.Если в образце изначально не было переходной области, Δ W соответствует боковому смещению одного слоя графена относительно другого при вдавливании. В переходной области слои разделены электроникой либо из-за их несоразмерной укладки 42 для малых значений Δ W , либо из-за увеличенного межслоевого расстояния для больших Δ W , что приводит к появлению складок (локализованной выпуклости) в один из слоев двухслойного графена, как показано на рис.4а. Мы предполагаем, что наблюдаемые электромеханические колебания можно объяснить с точки зрения квантовых интерференционных явлений из-за разности хода Δ W носителей заряда в разделенных слоях графена. Увеличение деформации приводит к большему количеству локальных гофров и изменению Δ W , что может вызвать конструктивную или разрушительную помеху.
Чтобы проверить эту гипотезу, мы проводим численное моделирование электронного транспорта в модельном устройстве с двухслойным графеном (дополнительный рис.11). Моделирование выполняется в баллистическом режиме из-за ширины переходной области в несколько нанометров. Методология основана на формализме гамильтониана и неравновесной функции Грина с сильной связью (подробности см. В дополнительном примечании 8). Без ограничения общности предполагается, что отдельные слои графена полностью развязаны (нулевые интегралы перескока между слоями) в переходной области. Наше модельное устройство представляет собой двухслойный графен с зигзагообразным направлением, совпадающим с направлением транспортировки, и периодическим в перпендикулярном (кресло) направлении.Мы исследовали кресло-направление доменных границ, поскольку было обнаружено, что эта ориентация является доминирующей для случая тесно связанных между собой границ стэкинг-доменов AB-BA, широко исследованных с помощью просвечивающей электронной микроскопии 38 . Мы предполагаем, что образец достаточно большой, чтобы краевые эффекты не влияли существенно на транспортные свойства. Кроме того, учитывая изотропную упругость графена в плоскости, кристаллографическая ориентация транспортного канала не влияет на электромеханическое поведение.На рисунке 4b показаны рассчитанные вероятности прохождения носителей заряда как функция энергии E и импульса, параллельного переходной области, k || , для различных разностей хода носителей, a = 0,246 нм — постоянная решетки графена). Тривиальный случай Δ W = 0 (отсутствие переходной области, т.е. чистый двухслойный графен) показывает массивный характер фермионов Дирака в двухслойном графене. Конечная разность хода Δ W приводит к значительному обратному рассеянию, формирующему четкую последовательность подполос, возникающую в результате квантового ограничения безмассовых дираковских фермионов в переходной области (обозначено пунктирной линией на последней панели рис.4б). Что наиболее важно, конфигурации, характеризующиеся улучшенным пропусканием из-за конструктивной интерференции, так как волновое число фермионов Дирака в графене k = 4 π / (3 a ). Таким образом, один период колебаний соответствует боковому смещению, вызванному деформацией, равным 3a = 0,74 нм.
Чтобы получить более подробное представление, мы сравниваем рассчитанное сопротивление с фактическими экспериментальными данными. Количественное сравнение требует учета роли контактов, а также диффузионного транспорта в остальной части устройства.Оба фактора, собранные ниже в едином значении R C , действуют как «узкое место» в реалистичном устройстве и, таким образом, ответственны за большую часть его общего сопротивления. Мы получили R C = 41 кОм путем подгонки как среднего значения расчетного сопротивления, так и величины колебаний к экспериментальным данным, представленным на рис. 3b для устройства № 7. На рис. 4с отчетливо видны колебания сопротивления с постоянным периодом, пропорциональным 3 a .Прямое сравнение рисунков 3b и 4c показывает количественное согласие с экспериментами, за исключением того факта, что в моделировании Δ W = 0 соответствует минимуму сопротивления (без обратного рассеяния), в то время как в экспериментах сопротивление колеблется, достигая как более высоких, так и более низких значений по сравнению с с точкой нулевого смещения. Это означает, что граница области наложения уже существовала до вдавливания. Другими словами, начало экспериментальных кривых сопротивления соответствует конечному значению Δ W на рис.4c.
Таким образом, мы исследовали электромеханический отклик однослойных и двухслойных GNR. Устройства с однослойным графеном демонстрируют увеличение сопротивления при деформации, что связано с изменением скорости Ферми при деформации. В наших экспериментальных условиях при комнатной температуре мы не наблюдаем ни спектральной, ни транспортной ширины запрещенной зоны более 4 мэВ для деформации менее 5%, что согласуется с теоретическими предсказаниями Pereira и др. . 43 . Кроме того, мы сообщаем об электромеханическом отклике двухслойного графена, который показывает суперпозицию увеличивающегося фона с колебаниями сопротивления.Наблюдаемые колебания воспроизводятся в рамках простой теоретической модели, и мы показываем, что они могут быть объяснены как явление интерференции, имеющее место между двумя слоями графена. Интересно отметить, что этот интерференционный эффект наблюдается при комнатной температуре, что довольно редко в более широком контексте явлений электронной интерференции. Успешная интеграция двухслойного графена в устройства НЭМС показывает, что двухслойный графен скрывает неожиданно богатую физику и что НЭМС на основе двухслойного графена может стать новой интересной системой для изучения нарушения симметрии в графене и изучения явлений электронной интерференции при комнатной температуре.
Выявление скрытых квантовых корреляций в электромеханических измерениях
Abstract
При сильном квантовом измерении движение осциллятора нарушается обратным действием измерения, как того требует принцип неопределенности Гейзенберга. Когда механический осциллятор непрерывно контролируется через электромагнитный резонатор, как в случае оптико-механического измерения резонатора, обратное действие проявляется дробовым шумом входящих фотонов, который запечатлевается в движении осциллятора.После того, как фотоны покидают резонатор, корреляции проявляются как сжатие квантового шума в излучаемом поле. Здесь мы наблюдаем такое «пондеромоторное» сжатие в микроволновой области с помощью электромеханического устройства, сделанного из сверхпроводящего резонатора и механического генератора барабанной перепонки. При сильном измерении излучаемое поле развивает комплексные квантовые корреляции, которые, как правило, не полностью доступны с помощью стандартных гомодинных измерений. Мы восстанавливаем эти скрытые корреляции, используя фазочувствительную схему измерения, в которой используются два гетеродина.Использование скрытых корреляций представляет собой шаг вперед в обнаружении слабых сил, поскольку позволяет нам полностью использовать квантовое уменьшение шума в условиях сильной чувствительности к силе.
Ссылки
23 октября 1998 г. · Наука · A FurusawaE S Polzik
1 февраля 1994 г. · Physical Review. a · C FabreS Reynaud
1 мая 1994 г. · Physical Review. a · S Mancini, P Tombesi
25 ноября 1985 г. · Письма с физическим обзором · RE SlusherJ F Valley
17 ноября 1986 г. · Письма с физическим обзором · LA WuH Wu
11 августа 1986 г. · Письма с физическим обзором · RM ShelbyD F Стены
30 ноября 1987 г. · Письма с физическим обзором · A HeidmannG Camy
29 февраля 1988 г. · Письма с физическим обзором · B YurkeR W Simon
17 сентября 1990 г. 1992 · Письма с физическим обзором · ES PolzikH J Kimble
28 июня 2011 г. · Письма с физическим обзором · F MalletK W. Lehnert
27 октября 2011 г. · Письма с физическим обзором · C EichlerA Wallraff
17 августа 2012 г. · Nature · Daniel WC BrooksDan M Stamper-Kurn
12 декабря 2012 г. · Письма с физической проверкой · E FlurinB Huard
5 июля 2013 г. · Природа · KW MurchI Siddiqi
9 августа 2013 г. · Природа · Amir H Safavi-NaeiniOskar Painter
3 декабря , 2013 · Письма с физическими проверками · FAS BarbosaA S Villar
17 мая 2014 г. · Sc ience · J SuhK C Schwab
16 сентября 2015 · Письма с физической проверкой · Николя Дидье Аашиш Клерк
27 декабря 2015 · Письма с физической проверкой · JM PirkkalainenM A Sillanpää
23 января 2016 · Письма с физической проверкой · JD TeufelR W Simmonds
26 июля, 2016 · Письма с физической проверкой · Кирилл Г. ФедоровR Gross
30 июля, 2016 · Письма с физической проверкой · LF BuchmannD M Stamper-Kurn
16 октября 2016 · Письма с физической проверкой · CF Ockeloen-KorppiM A Sillanpää
30 ноября, 2016 · Nature Communications · Клеменс ШефермайерУльрик Л. Андерсен
22 декабря 2016 · Труды Национальной академии наук Соединенных Штатов Америки · Уильям Хвидтфельт Падкер Нильсен Альберт Шлиссер
13 января 2017 · Природа · Джереми B ClarkJohn D Teufel
25 марта 2017 г. · Письма с физическими проверками · CF Ockeloen-KorppiM A Sillanpää
24 июня 2017 · Наука · TP PurdyJ M Taylor
30 января 2018 · Письма с физическими проверками · A PontinT S Monteiro
27 апреля 2018 · Природа · C F Ockeloen-KorppiM A Sillanpää
.