Как проверить igbt: Как проверить IGBT транзистор мультиметром? | ASUTPP

Как проверить IGBT транзистор мультиметром? | ASUTPP

В современных электротехнических устройствах различного назначения в качестве ключевого элемента широко применяются IGBT-транзисторы. В процессе восстановления работоспособности вышедшей из строя техники возникает задача проверки исправности этого компонента. Данную процедуру можно выполнить непосредственно в домашних условиях с помощью обычного мультиметра. Предполагается, что проверяемый транзистор перед этим выпаян из платы.

Рисунок 1. Эквивалентная схема IGBT (слева) и биполярного (справа) транзисторов

Рисунок 1. Эквивалентная схема IGBT (слева) и биполярного (справа) транзисторов

Процедуры определения исправности биполярного и IGBT транзисторов основаны на сходстве эквивалентных схем этих элементов, рисунок 1. Для их реализации контролируется величина сопротивления между электродами. При работе с IGBT-элементом принимаются во внимание определенные особенности, которые связаны со структурой его кристалла.

Подготовительные операции и проверка исправности затворных цепей

Далее рассматривается наиболее сложный случай, который представлен на рисунке 2, – наличие у транзистора дополнительного шунтирующего диода. Необходимость его введения определяется соображения увеличения стойкости полупроводниковой структуры к броскам напряжения обратной полярности.

Начало проверки исправности транзистора начинается с определения его цоколевки и внутренней структуры. Для этого следует обратиться к техническим данным, которые можно найти на сайтах производителей и поставщиков элементной базы.

Первая группа измерений направлена на проверку исправности переходов эмиттер – затвор и коллектор — затвор. Для этого мультиметр переключают в режим измерений сопротивления. Вне зависимости от полярности прикладываемого испытательного напряжения прибор должен показывать разрыв цепи (прямое следствие изолированного исполнения затвора).

Рисунок 2. Величины межэлектродных сопротивлений транзистора IGBT

Рисунок 2. Величины межэлектродных сопротивлений транзистора IGBT

Проверка исправности канала коллектор-эмиттер

Перед проверкой основного канала прохождения рабочего тока необходимо полностью закрыть транзистор. Для этого достаточно на короткое время (1 с) накоротко замкнуть затвор с эмиттером так, как это показано на схеме рисунка 3. Данная процедура выполняется как перемычкой, так и обычным пинцетом.

Рисунок 3. Принудительный перевод IGBT-транзистора в закрытое состояние замыканием затвора и эмиттера

Рисунок 3. Принудительный перевод IGBT-транзистора в закрытое состояние замыканием затвора и эмиттера

Далее мультиметром замеряется сопротивление между эмиттером и коллектором. С учетом наличия внутреннего шунтирующего диода при одном их вариантов подключения щупов прибор должен показывать конечное значение, тогда как при изменении полярности на противоположное показания мультиметра должны свидетельствовать о разрыве цепи прохождения тока.

Финишная проверка

Прозвонку мультиметром целесообразно дополнить сборкой простейшей однокаскадной схемой, изображенная на рисунке 4. Она представляет собой транзисторный ключ, питаемый от любого подходящего для этого источника. При открытом выключателе затвор через резистор с сопротивлением от 1 до 10 кОм привязан к минусу источника и транзистор полностью закрыт. После замыкания ключа Кл на затвор поступает потенциал от источника +12 В, который переводит транзистор в открытое состояние и лампочка Л загорается.

Функции ключа может выполнять как выключатель, так и обычная перемычка.

Рисунок 4. Схема для комплексной проверки исправности IGBT-транзистора

Рисунок 4. Схема для комплексной проверки исправности IGBT-транзистора

Как проверить IGBT транзистор мультиметром

Чтобы проверить IGBT транзистор мультиметром, необходимо разобраться с понятием биполярного устройства. Тестер при его проверке способен функционировать в разных режимах. Для прозвонки надо следовать инструкции.

Что такое IGBT транзистор

IGBT транзистор — это биполярный элемент, изготовленный с изолированным затвором. Он используется в системах управления и предназначен для понижения, повышения напряжения. У элементов высокий показатель сопротивления. По характеристикам они схожи с компонентами MOSFET.

MOSFET

Принцип действия

Работа транзистора построена на изменении сопротивления. Элемент включает коллектор, эмиттер, который принимает на себя напряжение. Когда сигнал поступает на проводник, сопротивление уменьшается. Уровень тока зависит от площади контакта. Эмиттер предназначен для сильных токов, осуществляет переход транзистора. Происходит смещение, цепь открывается. Электронный заряд перебегает на базу.

Важно! Роль коллектора — усиление слабого сигнала. Увеличение напряжения на выходе происходит постепенно.

Назначение

Биполярные транзисторы востребованы в разных отраслях. Больше всего они устанавливаются в блоках питания и в инверторах. Если рассматривать сварочный приборы, они находятся на платах управления. Электротранспорт также не обходится без биполярных компонентов. Электровоз, трамвай управляется за счёт них.

Трамвай

Интересно! Бытовые приборы частично содержат элементы. К примеру, IGBT могут встречаться в вентиляционных устройствах, насосах.

Проверка на работоспособность

Проверка IGBT транзисторов мультиметром происходит поэтапно:

1. тест затвора,
2. замыкание цепи,
3. связь с коллектором.

Используя мультиметр, легко разобраться, как проверять IGBT, даже не имея схемы. Если плата управления не отвечает на сигналы, имеет смысл узнать проводимость компонентов. Поскольку в устройстве имеется три выхода, положение щупов мультиметра придется изменять. Действовать необходимо в режиме «прозвонка».

Прозвонка мультиметром

В зависимости от модели используются разные обозначения. Если рассматривать мультиметры российского производства, у них режим обозначается стрелкой вправо. Щупы устанавливаются в разъемы COM и мА. Важно подвести контакты к затвору и эмиттеру. На транзисторе они располагаются по краям. Если устройство работает нормально, мультиметр покажет «1».

Вторым шагом проверяется связь между коллектором и затвором. Замыкание в цепи приводит к появлению значения «0» на дисплее. Если всё хорошо, раздастся звуковой либо визуальный сигнал. Далее требуется определить связь между эмиттером и затвором. Мультиметр должен быть установлен в режиме прозвонки.

Однако теперь интересует напряжение в цепи.

Проверка IGBT

У отечественных моделей оно обозначается, как «V/Ω». Щупы подсоединяются к диоду. Если утечка отсутствует, на экране показывается единица. Распространенной считается схема с использованием 12-вольтовой лампочки. Тумблер устанавливается на выходе. Когда транзистор пропускает ток, лампочка горит.

Важно! Если контакт разорван, индикатор не сработает. Для лампочки требуется источник питания.

Индикатор мультиметра

Используя мультиметр китайского производителя, тестер необходимо настроить. В режиме сопротивления выставляется значение «-2000». Первым делом осуществляется проверка базы коллектора, далее устанавливается связь с эмиттером. Проще всего работать с цифровым тестером. В данном режиме нормальным считается показатель «500 Ом». Электрики также прозванивают компонент в режиме проверки диодов.

Цифровой тестер

Недостаток метода кроется в том, что элемент должен быть отсоединен от цепи. Прикасаться к затвору во время измерения запрещено.

В противном случае уменьшается сопротивление и мультиметр не покажет точное значение.

Теперь понятно, как проверить IGBT транзистор мультиметром. Рассмотрен принцип действия, особенности элементов. Необходимо разбираться в режимах мультиметра, знать инструкцию.

Igbt транзисторы как проверить — Морской флот

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

1. Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
2. Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

1. Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

1. Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

• Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
• Л – лампочка.
• R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A – 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

1. Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
2. Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

Принцип работы IGBT транзисторов основан на применении n-канального МОП-транзистора малой мощности для управления мощным биполярным транзистором. Таким образом, удалось совместить достоинства биполярного и полевого транзистора. Малая управляющая мощность, высокое входное сопротивление, большой уровень пробивных напряжений, малое сопротивление в открытом состоянии – позволяют применять IGBT в цепях с высокими напряжениями и большими токами.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT или БТИЗ) целесообразно использовать в сильноточных, высоковольтных ключевых схемах. Сварочные аппараты, источники бесперебойного питания, приводы электрических двигателей, мощные преобразователи напряжения – вот сфера применения таких элементов.

Названия выводов IGBT: затвор, эмиттер, коллектор.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором способны коммутировать токи в тысячи ампер, напряжение эмиттер-коллектор может достигать несколько киловольт. Но частота работы этих транзисторов значительно ниже, чем частота полевых транзисторов.

Как проверить IGBT транзистор мультиметром

Проверяется IGBT FGh50N60SFD. IGBT часто пробиваются накоротко, такие неисправные транзисторы легко выявить с помощью мультиметра. Перед проверкой IGBT транзистора мультиметром, необходимо обратиться к справочным данным и выяснить назначение его выводов.

Затем произвести следующие действия:

1. Переключить мультиметр в режим «прозвонка». Произвести измерение между затвором и эмиттером для выявления возможного замыкания.

2. Произвести измерение между затвором и коллектором для выявления возможного замыкания.

3. На секунду замкнуть пинцетом или перемычкой эмиттер и затвор. После этого транзистор будет гарантированно закрыт.

4. Соединить щуп мультиметра «V/Ω» с эмиттером, щуп «СОМ» с коллектором. Мультиметр должен показать падение напряжения на внутреннем диоде.

5. Соединить щуп мультиметра «V/Ω» с коллектором, щуп «СОМ» с эмиттером. Мультиметр должен показать отсутствие замыкания и утечки.

Для более надежной проверки IGBT транзистора можно собрать следующую схему:

При замыкании контактов кнопки лампочка должна загораться, при размыкании – тухнуть.

В этом видео показано как проверить IGBT мультиметром:

Это сравнительно новый тип транзисторов, управление которых осуществляется не электрическим током, как в биполярных транзисторах, а электрическим напряжением (полем), о чём и говорит английская аббревиатура MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor или в переводе металл-окисел-полупроводник полевой транзистор), в русской транскрипции этот тип обозначается как МОП (металл-окисел-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник).

Отличительной конструктивной особенностью полевых транзисторов является изолированный затвор (вывод, аналогичный базе у биполярных транзисторов), также у MOSFET имеются выводы сток и исток, аналоги коллектора и эмиттера у биполярных.

Существует и ещё более современный тип IGBT, в русской транскрипции БТИЗ (биполярный транзистор с изолированным затвором), гибридный тип, где МОП (МДП) транзистор с переходом n-типа управляет базой биполярного, и это позволяет использовать преимущества обоих типов: быстродействие, почти как у полевых, и большой электрический ток через биполярный при очень малом падении напряжения на нём при открытом затворе, при очень большом напряжении пробоя и большом входном сопротивлении.

Полевики находят широкое применение в современной жизни, а если говорить о чисто бытовом уровне, то это всевозможные блоки питания и регуляторы напряжения от компьютерного железа и всевозможных электронных гаджетов до других, более простых, бытовых приборов — стиральных, посудомоечных машин, миксеров, кофемолок, пылесосов, различных осветителей и другого вспомогательного оборудования. Само собой, что-то из всего этого разнообразия иногда выходит из строя и появляется необходимость выявления конкретной неисправности. Сама распространённость этого вида деталей ставит вопрос:

Как проверить полевой транзистор мультиметром?

Перед любой проверкой полевого транзистора нужно разобраться с назначением и маркировкой его выводов:

• G (gate) — затвор, D (drain) — сток, S (source) — исток

Если маркировки нет или она не читается, придётся найти паспорт (даташип) изделия с указанием назначения каждого вывода, причём выводов может быть не три, а больше, это значит, что выводы объединены между собой внутри.

И также нужно подготовить мультиметр: подключить красный щуп к плюсовому разъёму, соответственно, чёрный к минусу, переключить прибор в режим проверки диодов и коснуться щупами друг друга, мультиметр покажет «0» или «короткое замыкание», разведите щупы, мультиметр покажет «1» или «бесконечное сопротивление цепи» — прибор рабочий. Про исправную батарейку в мультиметре говорить излишне.

Подключение щупов мультиметра указано для проверки n-канального полевого транзистора, описание всех проверок тоже для n-канального типа, но если вдруг попадётся более редкий p-канальный полевик, щупы надо поменять местами. Понятно, что в первую очередь ставится задача оптимизации процесса проверки, чтобы пришлось как можно меньше выпаивать и паять деталей, поэтому посмотреть, как проверить транзистор, не выпаивая, можно на этом видео:

Проверка полевика, не выпаивая

Является предварительной, она может помочь определить, какую деталь нужно проверить точнее и, может быть, заменить.

При прозвонке полевого транзистора, не выпаивая, обязательно отключаем проверяемый прибор от сети и/или блока питания, вынимаем аккумуляторы или батарейки (если они есть) и приступаем к проверке.

1. Чёрный щуп на D, красный на S, показание мультиметра примерно 500 мВ (милливольт) или больше — скорее исправен, показание 50 мВ вызывает подозрение, когда показание меньше 5 мВ — скорее неисправен.
2. Чёрный на D, а красный на G: большая разность потенциалов (до1000 мВ и даже выше) — скорее исправен, если мультиметр показывает близко к пункту 1, то это подозрительно, маленькие цифры (50 мВ и меньше), и близко к первому пункту — скорее неисправен.
3. Чёрный на S, красный на G: около 1000 мВ и выше — скорее исправен, близко к первому пункту — подозрительно, меньше 50 мВ и совпадает с предыдущими показаниями — видимо, полевой транзистор неисправен.

Проверка показала предварительно по всем трём пунктам неисправность? Нужно выпаивать деталь и приступать к следующему действию:

Проверка полевого транзистора мультиметром

Включает в себя подготовку мультиметра (смотри выше). Обязательно снятие статического напряжения с себя и накопленного заряда с полевика, иначе можно просто «убить» вполне себе исправную деталь. Статическое напряжение с себя можно снять, используя антистатический манжет, накопленный заряд снимается закорачиванием всех выводов транзистора.

Прежде всего нужно учитывать, что практически все полевые транзисторы имеют предохранительный диод между истоком и стоком, поэтому проверять начинаем именно с этих выводов.

1. Красный щуп на S (исток), чёрный на D (сток): показания мультиметра в районе 500 мВ или чуть выше — исправен, чёрный щуп на S, красный на D, показания мультиметра «1» или «бесконечное сопротивление» — шунтирующий диод исправен.
2. Чёрный на S, красный на G: показания мультиметра «1» или «бесконечное сопротивление», норма, заодно зарядили затвор положительным зарядом, открыли транзистор.
3. Не убирая чёрного щупа, переносим красный на D, по открытому каналу течёт ток, мультиметр что-то показывает (не «0» и не «1»), меняем щупы местами: показания примерно такие же — норма.
4. Красный щуп на D, чёрный на G: показания мультиметра «1» или «бесконечное сопротивление» — норма, заодно разрядили затвор, закрыли транзистор.
5. Красный остаётся на D, чёрный щуп на S, показания мультиметра «1» или «бесконечное сопротивление» — исправен. Меняем щупы местами, показания мультиметра в районе 500 мВ или выше — норма.

Вывод по итогам проверки: пробоев между электродами (выводами) нет, затвор срабатывает от небольшого (меньше 5В) напряжения на щупах мультиметра, транзистор исправен.

Проверка IGBT (БТИЗ) мультиметром

Про подготовку мультиметра повторяться не будем.

IGBT транзистор имеет следующие выводы:

• G (gate) — затвор, К (C) — коллектор, Э (E) — эмиттер

1. Красный на G, чёрный на E: мультиметр показывает «1» или «бесконечное сопротивление» — норма. Меняем щупы местами, показания те же — норма, заодно зарядили затвор отрицательным зарядом, закрыли транзистор.
2. Чёрный на C, красный на E: мультиметр показывает «1» или «бесконечное сопротивление» — норма.
3. Меняем щупы местами, когда есть шунтирующий диод, мультиметр покажет не«0» и не «1», а падение напряжения на диоде, если диода нет мультиметр покажет «1» или бесконечное сопротивление — норма.

Вывод: по итогам проверки это изделие исправно.

Проверка IGBT и MOSFET транзисторов — Меандр — занимательная электроника

Порядок проверки IGBT и MOSFET такой.

Шаг 1. Необходимо убедится в отсутствии коротких замыканий между затвором и эмиттером IGBT (затвором и истоком MOSFET), прозвонив сопротивления между соответствующими выводами в обоих направлениях.

Шаг 2. Необходимо убедится в отсутствии коротких замыканий между коллектором и эмиттером IGBT (истоком и стоком MOSFET), прозвонив сопротивления между соответствующими выводами в обоих направлениях. Перед этим необходимо перемычкой закоротить выводы затвора и эмиттера транзистора. Но лучше будет не закорачивать затвор и эмиттер транзистора, а просто зарядить входную емкость затвор-эмиттер отрицательным напряжением. Для этого кратковременно и одновременно прикасаемся щупом «СОМ» мультиметра к затвору, а щупом «V/Ω/f» к эмиттеру.

Некоторые IGBT транзисторы, как и MOSFET, имеют встроенный встречно-параллельный диод, подключенный катодом к коллектору транзистора, а анодом к эмиттеру (см. рисунок). Если транзистор имеет такой диод, то последний должен соответствующим образом прозвониться между эмиттером и коллектором транзистора.

Шаг 3. Теперь убедимся в функциональности транзистора. Для этого необходимо зарядить входную емкость затвор-эмиттер положительным напряжением. Для этого кратковременно и одновременно прикасаемся щупом «V/Ω/f» мультиметра к затвору, а щупом «СОМ» к эмиттеру. После этого проверяем состояние перехода коллектор-эмиттер транзистора, подключив щуп «V/Ω/f» мультиметра к коллектору, а щуп «СОМ» к эмиттеру. На переходе коллектор-эмиттер должно падать небольшое напряжение величиной 0,5—1,5 В.

Меньшее значение напряжения соответствует низковольтным транзисторам, а большее высоковольтным.

Величина падения напряжения должна быть стабильной, по крайней мере, в течение нескольких секунд, что говорит об отсутствии утечки входной емкости транзистора.

Иногда напряжения мультиметра может не хватить для того чтобы полностью открыть IGBT транзистор (характерно для высоковольтных IGBT).

В этом случае входную емкость транзистора можно зарядить от источника постоянного напряжения величиной 9—15 В. Зарядку лучше производить через резистор величиной 1—2 кОм.

Как проверить транзистор мультиметром не выпаивая, проверка исправности

Принцип работы и виды транзисторов

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, служащий для преобразования электрических величин. Основное их применение заключается в усилении сигнала и способность работать в режиме ключа. Они выпускаются с тремя и более выводами. Существует три вида приборов:

• биполярные;
• полевые;
• биполярные транзисторы с изолированным затвором.

Бывает ещё составной транзистор. Он подразумевает электрическое объединение в одном корпусе нескольких приборов одного типа. Такие сборки называются парой Дарлингтона и Шиклаи, также имеют три вывода.

Биполярное устройство

Разделяются по своему типу. Выпускаются как электронного, так и дырочного типа проводимости. В своей конструкции используют n-p или p-n переход. Дырочного типа транзисторы состоят из двух крайних областей p проводимости, и средней n проводимости. Электронного типа наоборот. Средняя зона называется базой, а примыкающие к ней области коллектором и эмиттером. Каждая зона имеет свой вывод.

Промежуток между граничащими переходами очень мал, не превышает микрометры. При этом содержание примесей в базе меньше, чем их количество в других зонах прибора. Графически биполярный прибор обозначается для PNP стрелкой внутрь, а NPN стрелкой наружу, что показывает направление тока.

Перед тем как проверить биполярный транзистор мультиметром, нужно понимать, какие физические процессы происходят в приборе. Основа работы устройства лежит в способности p-n перехода пропускать ток в одном направлении. При подаче питания на одном переходе возникает прямое напряжение, а на другом обратное. Область перехода с прямым напряжением имеет малое сопротивление, а с обратным — большое.

Принцип работы заключается в том, что прямой сигнал влияет на токи эмиттера и коллектора.

При увеличении величины прямого сигнала возрастает ток в области прямого подключения. Носители заряда перемещаются в зону базы, что приводит к увеличению тока и в обратной области подключения. Возникает объёмный заряд и электрическое поле, способствующее втягиванию в зону обратного подключения заряда другого знака. В базе происходит частичное уничтожение зарядов противоположного знака, процесс рекомбинации. Благодаря чему и возникает ток базы.

Эмиттером называется область прибора, служащая для передачи носителей заряда в базу. Коллектором называют зону, предназначенную для извлечения носителей заряда из базы. А база — это область для передачи эмиттером противоположной величины заряда. Основной характеристикой прибора является вольт-амперная характеристика. На схеме элемент обозначается латинскими буквами VT или Q.

Полевой прибор

Полевые транзисторы были изобретены в 1952 году. Основное их достоинство в высоком входном сопротивлении по сравнению с биполярными приборами. Такие элементы часто называются униполярными или мосфетами. Разделяют их по способу управления, на транзисторы с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором.

Полевой транзистор выпускается с тремя выводами, один из них управляющий, называемый затвор. Другой исток, соответствующий эмиттерному выводу в биполярном приборе, и третий сток, вывод с которого снимается сигнал. В каждом типе устройства есть транзисторы с n-каналом и p-каналом.

Работа прибора с управляющим каналом, например, n-типа, основана на следующем принципе. Источник питания, подключённый к прибору, создаёт на его переходе обратное напряжение. Если уровень входного сигнала изменяется, то изменяется и обратное напряжение. Это приводит к тому, что меняется площадь, через которую протекают основные носители заряда. Такая площадь называется каналом. Полевые транзисторы изготавливаются методом сплавления или диффузией.

Мосфет с изолированным затвором представляет собой металлический канал, отделённый от полупроводникового слоя диэлектриком. Общепринятое название прибора — MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor).

Основанием элемента служит пластинка из кремния с дырочной электропроводностью. В ней создаются области с электронной проводимостью, соответственно образующие исток и сток. Такой мосфет работает в режиме обеднения или обогащения. В первом случае на затвор подаётся напряжение относительно истока отрицательного значения, из канала выдавливаются электроны, и ток истока уменьшается. Во втором режиме, наоборот, ток увеличивается из-за втягивания новых носителей заряда.

Транзистор с индуцированным каналом, открывается при возникновении разности потенциалов между затвором и истоком. Для полевика с p-каналом к затвору прикладывается отрицательное напряжение, а с n-каналом положительное. Особенность мощных транзисторов состоит в том, что вывод истока соединяется с корпусом прибора. При этом соединяется база с эмиттером. Такое соединение образует диод, который в закрытом состоянии не влияет на работу прибора.

Биполярный тип с изолированным затвором

Устройства такого типа называются IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Это сложный прибор, в котором, например, полевой n-канальный транзистор управляется биполярным устройством типа PNP.

К эмиттеру биполярного транзистора подключается коллектор мосфета. Если на затвор подаётся напряжение положительной величины, то между эмиттером и базой транзистора возникает проводящий канал. В результате транзистор IGBT отпирается, падение напряжения на PN переходе уменьшается. Когда значение напряжения увеличивается, то пропорционально увеличивается и ток канала в базе биполярного прибора, а падение напряжения на IGBT транзисторе уменьшается. Если полевой транзистор заперт, то и ток биполярного прибора будет почти нулевым.

Проверка биполярного прибора тестером

Проверку прибора можно осуществить двумя способами. Для этого в тестере используется режим прозвонки или специально предназначенный режим проверки биполярных транзисторов.

На начальном этапе выясняется тип проводимости элемента. Для этого можно воспользоваться справочником или вычислить путём прозвонки. База вычисляется методом перебора. Щуп с общего вывода тестера подключается к одному из выводов транзистора, а щуп со второго вывода по очереди прикасается к двум оставшимся ножкам радиоэлемента. При этом смотрится какую величину сопротивления показывает тестер.

Необходимо найти такое положение, чтоб величина значения сопротивления между выводами составляла бесконечность. На цифровом тестере в режиме прозвонки будет гореть единица. Если такое положение не найдено, следует зафиксировать щуп второго вывода, а щупом с общего выхода осуществлять перебор.

Когда требуемая комбинация будет достигнута, то вывод, по отношению которого измеряется сопротивление, будет базой. Для вычисления выводов коллектора и эмиттера понадобится: в случае pnp транзистора на вывод базы — подать отрицательное напряжение, а для npn — положительное. Сопротивление перехода эмиттер — база будет немного больше, чем база-коллектор.

Например, исследуя биполярный низкочастотный транзистор NPN типа MJE13003, который имеет последовательность выводов база, коллектор, эмиттер, понадобится:

1. Переключить мультиметр в режим прозвонки.
2. Стать положительным щупом на базу прибора.
3. Вторым концом прикоснуться к коллектору прибора, сопротивление должно быть около 800 Ом.
4. Второй конец переставить на эмиттер прибора, сопротивление должно составить 820 Ом.
5. Поменять полярность. На базу стать отрицательным щупом, а к коллектору и эмиттеру прикоснуться поочерёдно вторым концом. Сопротивление должно быть бесконечным.

Если во время проверки все пункты выполняются верно, то транзистор исправен. В ином случае, при возникновении короткого замыкания между любыми переходами, или обрыва в обратном включении, делается вывод о неисправности транзистора. Проверка прибора обратной проводимости проводится аналогичным образом, лишь меняется полярность приложенных щупов. Таким способом можно проверить транзистор мультиметром, не выпаивая его, так и сняв с платы.

Второй способ измерения при использовании современного мультиметра, позволит не только проверить исправность полупроводникового прибора, но и определить коэффициент усиления h31. В зависимости от типа и вида, ножки транзистора совмещаются с соответствующими надписями на гнезде, обозначенном также hFE. При включении прибора на экране появится цифра, обозначающая коэффициент усиления транзистора. Если цифра определяется равной нулю, то такой транзистор работать не будет, или же неправильно определена его проводимость.

Определение целостности полевого радиоэлемента

Такой тип электронного прибора не получится проверить без выпайки из схемы. Способ проверки как для n-канального, так и для p-канального, а также IGBT вида, одинакова. Разница лишь в полярности, прикладываемой к выводам. Например, исправность F3NK80Z n-канального прибора выясняется по следующему алгоритму:

1. Мультиметр переключается в режим прозвонки.
2. Щуп общего провода прикасается к стоку прибора, а положительный — к истоку.
3. Щуп переставляется с истока на затвор. Переход в транзисторе откроется.
4. Возвращаем щуп на исток. Значение сопротивления должно быть маленьким, прибор, если у него есть звуковая прозвонка, запищит.
5. Для закрытия прибора щуп общего провода соединяется с затвором, при этом положительный щуп с истока не снимается.
6. Устанавливается положения щупов согласно первому пункту.

Для проверки p-типа проводимости последовательность операций остаётся такой же, за исключением полярности щупов, которая меняется на обратную.

Для мощных полевых приборов может случиться так, что напряжения тестера не хватит для его открытия. Так как прозвонить такой полевой транзистор мультиметром не удастся, понадобиться применить дополнительное питание. В таком случае в разрыв через сопротивление 1–2 кОм подаётся постоянное напряжение равное 12 вольт.

Существуют такие радиоэлементы, например, КТ117а, имеющие две базы. Их относят к однопереходным приборам. В современных устройствах они не получил широкого применения, но порой встречаются. У них нет коллектора.

Такие транзисторы тестером проверяются только на отсутствие короткого замыкания между выводами. Убедиться в его работе можно воспользовавшись схемой генератора.

Как проверить мультиметром транзистор: испытание различных типов устройств

ПОДЕЛИТЕСЬ
В СОЦСЕТЯХ

FacebookTwitterOkGoogle+PinterestVk

Перед началом ремонта электронного прибора или сборки схемы стоит убедиться в исправном состоянии всех элементов, которые будут устанавливаться. Если используются новые детали, необходимо убедиться в их работоспособности. Транзистор является одним из главных составляющих элементов многих электросхем, поэтому его следует прозвонить в первую очередь. Как проверить мультиметром транзистор подробно расскажет данная статья.

Проверка транзисторов — обязательный шаг при диагностике и ремонте микросхем

Содержание

• 1 Что такое транзистор
• 2 Как проверить мультиметром транзистор
  • 2.1 Как прозвонить мультиметром транзистор
  • 2.2 Как проверить мультиметром транзистор IGBT
  • 2.3 Как проверить мультиметром полевой транзистор
• 3 Как проверить мультиметром транзистор: видео инструкция

Что такое транзистор

Главным компонентом в любой электросхеме является транзистор, который под влиянием внешнего сигнала управляет током в электрической цепи. Транзисторы делятся на два вида: полевые и биполярные.

Транзистор один из основных компонентов микросхем и электрических схем

Биполярный транзистор имеет три вывода: база, эмиттер и коллектор. На базу подается ток небольшой величины, который вызывает изменение в зоне эмиттер-коллектор сопротивления, что приводит к изменению протекающего тока. Ток протекает в одном направлении, которое определяется типом перехода и соответствует полярности подключения.

Транзистор данного типа оснащен двумя p-n переходами. Когда в крайней области прибора преобладает электронная проводимость (n), а в средней — дырочная (p), то транзистор называется n-p-n (обратная проводимость). Если наоборот, тогда прибор именуется транзистором типа p-n-p (прямая проводимость).

Полевые транзисторы имеют характерные отличия от биполярных. Они оснащены двумя рабочими выводами — истоком и стоком и одним управляющим (затвором). В данном случае на затвор воздействует напряжение, а не ток, что характерно для биполярного типа. Электрический ток проходит между истоком и стоком с определенной интенсивностью, которая зависит от сигнала. Этот сигнал формируется между затвором и истоком или затвором и стоком. Транзистор такого типа может быть с управляющим p-n переходом или с изолированным затвором. В первом случае рабочие выводы подключаются к полупроводниковой пластине, которая может быть p- или n-типа.

Принцип работы полевого транзистора

Главной особенностью полевых транзисторов является то, что их управление обеспечивается не при помощи тока, а напряжения. Минимальное использование электроэнергии позволяет его применять в радиодеталях с тихими и компактными источниками питания. Такие устройства могут иметь разную полярность.

Как проверить мультиметром транзистор

Многие современные тестеры оснащены специализированными коннекторами, которые используются для проверки работоспособности радиодеталей, в том числе и транзисторов.

Чтобы определить рабочее состояние полупроводникового прибора, необходимо протестировать каждый его элемент. Биполярный транзистор имеет два р-n перехода в виде диодов (полупроводников), которые встречно подключены к базе. Отсюда один полупроводник образовывается выводами коллектора и базы, а другой эмиттера и базы.

Используя транзистор для сборки монтажной платы необходимо четко знать назначение каждого вывода. Неправильное размещение элемента может привести к его перегоранию. При помощи тестера можно узнать назначение каждого вывода.

Чтобы определить состояние транзистора, необходимо протестировать каждый его элемент

Важно!Данная процедура возможна лишь для исправного транзистора.

Для этого прибор переводится в режим измерения сопротивления на максимальный предел. Красным щупом следует коснуться левого контакта и измерить сопротивление на правом и среднем выводах. Например, на дисплее отобразились значения 1 и 817 Ом.

Затем красный щуп следует перенести на середину, и с помощью черного измерить сопротивления на правом и левом выводах. Здесь результат может быть: бесконечность и 806 Ом. Красный щуп перевести на правый контакт и произвести замеры оставшейся комбинации. Здесь в обоих случаях на дисплее отобразится значение 1 Ом.

Делая вывод из всех замеров, база располагается на правом выводе. Теперь для определения других выводов необходимо черный щуп установить на базу. На одном выводе показалось значение 817 Ом – это эмиттерный переход, другой соответствует 806 Ом, коллекторный переход.

Схема проверки транзисторов с помощью мультиметра

Важно!Сопротивление эмиттерного перехода всегда будет больше, чем коллекторного.

Как прозвонить мультиметром транзистор

Чтобы убедиться в исправном состоянии устройства достаточно узнать прямое и обратное сопротивление его полупроводников. Для этого тестер переводится в режим измерения сопротивления и устанавливается на предел 2000. Далее следует прозвонить каждую пару контактов в обоих направлениях. Так выполняется шесть измерений:

• соединение «база-коллектор» должно проводить электрический ток в одном направлении;
• соединение «база-эмиттер» проводит электрический ток в одном направлении;
• соединение «эмиттер-коллектор» не проводит электрический ток в любом направлении.

Как прозванивать мультиметром транзисторы, проводимость которых p-n-p (стрелка эмиттерного перехода направлена к базе)? Для этого необходимо черным щупом прикоснуться к базе, а красным поочередно касаться эмиттерного и коллекторного переходов. Если они исправны, то на экране тестера будет отображаться прямое сопротивление 500-1200 Ом.

Точки проверки транзистора p-n-p

Для проверки обратного сопротивления красным щупом следует прикоснуться к базе, а черным поочередно к выводам эмиттера и коллектора. Теперь прибор должен показать на обоих переходах большое значение сопротивления, отобразив на экране «1». Значит, оба перехода исправны, а транзистор не поврежден.

Такая методика позволяет решить вопрос: как проверить мультиметром транзистор, не выпаивая его из платы. Это возможно благодаря тому, что переходы устройства не зашунтированы низкоомными резисторами. Однако, если в ходе замеров тестер будет показывать слишком маленькие значения прямого и обратного сопротивления эммитерного и коллекторного переходов, транзистор придется выпаять из схемы.

Перед тем как проверить мультиметром n-p-n транзистор (стрелка эмиттерного перехода направлена от базы), красный щуп тестера для определения прямого сопротивления подключается к базе. Работоспособность устройства проверяется таким же методом, что и транзистор с проводимостью p-n-p.

О неисправности транзистора свидетельствует обрыв одного из переходов, где обнаружено большое значение прямого или обратного сопротивления. Если это значение равно 0, переход находится в обрыве и транзистор неисправен.

Принцип работы биполярного транзистора

Такая методика подходит исключительно для биполярных транзисторов. Поэтому перед проверкой необходимо убедиться, не относиться ли он к составному или полевому устройству. Далее необходимо проверить между эмиттером и коллектором сопротивление. Замыканий здесь быть не должно.

Если для сборки электрической схемы необходимо использовать транзистор, имеющий приближенный по величине тока коэффициент усиления, с помощью тестера можно определить необходимый элемент. Для этого тестер переводится в режим hFE. Транзистор подключается в соответствующий для конкретного типа устройства разъем, расположенный на приборе. На экране мультиметра должна отобразиться величина параметра h31.

Как проверить мультиметром тиристор? Он оснащен тремя p-n переходами, чем отличается от биполярного транзистора. Здесь структуры чередуются между собой на манер зебры. Главных отличием его от транзистора является то, что режим после попадания управляющего импульса остается неизменным. Тиристор будет оставаться открытым до того момента, пока ток в нем не упадет до определенного значения, которое называется током удержания. Использование тиристора позволяет собирать более экономичные электросхемы.

Схема проверки тиристора мультиметром

Мультиметр выставляется на шкалу измерения сопротивления в диапазон 2000 Ом. Для открытия тиристора черный щуп присоединяется к катоду, а красный к аноду. Следует помнить, что тиристор может открываться положительным и отрицательным импульсом. Поэтому в обоих случаях сопротивление устройства будет меньше 1. Тиристор остается открытым, если ток управляющего сигнала превышает порог удержания. Если ток меньше, то ключ закроется.

Как проверить мультиметром транзистор IGBT

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) является трехэлектродным силовым полупроводниковым прибором, в котором по принципу каскадного включения соединены два транзистора в одной структуре: полевой и биполярный. Первый образует канал управления, а второй – силовой канал.

Чтобы проверить транзистор, мультиметр необходимо перевести в режим проверки полупроводников. После этого при помощи щупов измерить сопротивление между эмиттером и затвором в прямом и обратном направлении для выявления замыкания.

IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер

Теперь красный провод прибора соединить с эмиттером, а черным коснуться кратковременно затвора. Произойдет заряд затвора отрицательным напряжением, что позволит транзистору оставаться закрытым.

Важно!Если транзистор оснащен встроенным встречно-параллельным диодом, который анодом подключен к эмиттеру транзистора, а катодом к коллектору, то его необходимо прозвонить соответствующим образом.

Теперь необходимо убедиться в функциональности транзистора. Сначала стоит зарядить положительным напряжением входную емкость затвор-эмиттер. С этой целью одновременно и кратковременно красным щупом следует прикоснуться к затвору, а черным к эмиттеру. Теперь необходимо проверить переход коллектор-эмиттер, подключив черный щуп к эмиттеру, а красный к коллектору. На экране мультиметра должно отобразиться незначительное падение напряжения в 0,5-1,5 В. Эта величина на протяжении нескольких секунд должна оставаться стабильной. Это свидетельствует о том, что во входной емкости транзистора утечки нет.

Проверка транзистора мультиметром без выпаивания из микросхемы

Полезный совет!Если напряжения мультиметра недостаточно для открытия IGBT транзистора, тогда для заряда его входной емкости можно использовать источник постоянного напряжения в 9-15 В.

Как проверить мультиметром полевой транзистор

Полевые транзисторы проявляют высокую чувствительность к статическому электричеству, поэтому предварительно требуется организация заземления.

Перед тем как приступить к проверке полевого транзистора, следует определить его цоколевку. На импортных приборах обычно наносятся метки, которые определяют выводы устройства. Буквой S обозначается исток прибора, буква D соответствует стоку, а буква G – затвор. Если цоколевка отсутствует, тогда необходимо воспользоваться документацией к прибору.

Статья по теме:

Электрический мультиметр: тестер для различных электротехнических измерений
Тестер для измерения электротехнических показателей. Использование прибора для автомобиля и в быту. Принцип измерения электрических характеристик.

Перед проверкой исправного состояния транзистора, стоит учесть, что современные радиодетали типа MOSFET имеют дополнительный диод, расположенный между истоком и стоком, который обязательно нанесен на схему прибора. Полярность диода полностью зависит от вида транзистора.

Полезный совет!Обезопасить себя от накопления статических зарядов можно при помощи антистатического заземляющего браслета, который надевается на руку, или прикоснуться рукой к батарее.

Устройство полевого транзистора с N-каналом

Основная задача, как проверить мультиметром полевой транзистор, не выпаивая его из платы, состоит из следующих действий:

1. Необходимо снять с транзистора статическое электричество.
2. Переключить измерительный прибор в режим проверки полупроводников.
3. Подключить красный щуп к разъему прибора «+», а черный «-».
4. Коснуться красным проводом истока, а черным стока транзистора. Если устройство находится в рабочем состоянии на дисплее измерительного прибора отобразиться напряжение 0,5-0,7 В.
5. Черный щуп подключить к истоку транзистора, а красный к стоку. На экране должна отобразиться бесконечность, что свидетельствует об исправном состоянии прибора.
6. Открыть транзистор, подключив красный щуп к затвору, а черный – к истоку.
7. Не меняя положение черного провода, присоединить красный щуп к стоку. Если транзистор исправен, тогда тестер покажет напряжение в диапазоне 0-800 мВ.
8. Изменив полярность проводов, показания напряжения должны остаться неизменными.
9. Выполнить закрытие транзистора, подключив черный щуп к затвору, а красный – к истоку транзистора.

Пошаговая проверка полевого транзистора мультиметром

Говорить об исправном состоянии транзистора можно исходя из того, как он при помощи постоянного напряжения с тестера имеет возможность открываться и закрываться. В связи с тем, что полевой транзистор обладает большой входной емкостью, для ее разрядки потребуется некоторое время. Эта характеристика имеет значение, когда транзистор вначале открывается с помощью создаваемого тестером напряжения (см. п. 6), и на протяжении небольшого количества времени проводятся измерения (см. п.7 и 8).

Проверка мультиметром рабочего состояния р-канального полевого транзистора осуществляется таким же методом, как и n-канального. Только начинать измерения следует, подключив красный щуп к минусу, а черный – к плюсу, т. е. изменить полярность присоединения проводов тестера на обратную.

Исправность любого транзистора, независимо от типа устройства, можно проверить с помощью простого мультиметра. Для этого следует четко знать тип элемента и определить маркировку его выводов. Далее, в режиме прозвонки диодов или измерения сопротивления узнать прямое и обратное сопротивление его переходов. Исходя из полученных результатов, судить об исправном состоянии транзистора.

Как проверить мультиметром транзистор: видео инструкция

• Предидущее: Вытяжка 60 см встроенная в шкаф: идеальный вариант для малогабаритной кухни
• Следующее: С чего сделать садовую скамейку? Виды, фото

Как проверить igbt модуль частотника

30 июля 2021 г. 12:26

Несмотря на кажущуюся простоту схемы питания, пришлось неоднократно дорабатывать и ее, и готовую печатную плату, при этом не жалел сил на улучшение фильтрации напряжения. Реформы затронули и правила начислений по больничным листам. Мне прийдется колхозить как то иначе. С водой в стране действительно проблема. Продлевают срок службы механической части оборудования. Последний переданный уникальный номер события хранится во внутренней памяти микроконтроллера. Большее количество аналоговых и цифровых входов выходов может быть добавлено с помощью опций. Товарищ был приятно удивлн, хоть и с самого начала относился скептически. Компактный, но с большим набором программных функций, идеально подходит для производителей комплектного оборудования. При этом жильцы откачивали воду сами за свой счет. Обращаться в приемную или по тел. Контур обратной связи при этом легко реализуется с помощью самого преобразователя частоты. Неисправность в работе установок и производственных линий скорее норма, а не форсмажор. Эта проблема говорит о низкой самооценке и страхе, внутренних упреках за чтото и о том, что человек прячет все в себе. При этом мало кто знает, что частотный преобразователь купить можно достаточно просто в интернетмагазине. Так рекомендует сам производитель, и объяснить это легко. С развитием альтернативных источников энергии, в частности с массовым внедрением солнечных панелей, инвертор напряжения находит все более широкое применение. Управление электричеством тесно связано с магнитным полем и скольжением электродвигателя. А так мечтать можно о многом, но не факт, что сбудется. Частотные преобразователи, со встроенным фильтром гармоник на звене постоянного тока, применя. Если иконки не изменились сразу, перезагрузите компьютер. Людз на правнцы маюць абмежаваны светапогляд слабое нтэлектуальнае развцц. А специалисты позаботятся о процессе подсоединения и настройки. В качестве несущей используется как правило, используется для подключения самых современных твердотельных накопителей. Вентилятор принудительного охлаждения шкафа должен быть установлен так, чтобы получить максимальный обдув преобразователя. Каждый потребитель, скорее всего, обращал внимание, собственно на упаковке любого товара имеется наклейка со штрих кодом. Получил по итогу вот такую коробку. Наверняка там уже отработаны все технические нюансы и есть готовые решения. Мы устанавливаем елку, а украшать даем девочкам. На фото видно, что корпус у. Хотя снизив лишь некоторые параметры, можно добиться приемлемого без значительных потерь для качества картинки. Встроенный потенциометр для быстрого регулирования, настройки выходной частоты. Назначено лечение сумамед,хилак форте,масло солодки, циклоферон. Комплектация товара в любом случае будет одинаковой. Сколько по деньгам обойдется это удовольствие? Усилить нелинейность удается в режиме с частичным открыванием перехода варактора. Преимущества частотных преобразователей для скважинного насоса. Такого еще не кто не видел! Процессы заряда и разряда конденсатора происходят до тех пор, пока существует режим торможения. К примеру, если вам нужен экстернальный преобразователь, то встраиваемые модели вам не подойдут. Регуляторы со скалярным управлением предназначены лишь для поддержания устойчивого соотношения между выходной частотой и выходным напряжением и стоят дешевле, чем регуляторы с векторным управлением. Частотные преобразователи для хозяйственных и производственных сфер. Пробовал другой провод ставить, всеравно не видит сеть. Это позволит создавать системы управления водоснабжением для перекачки больших объмов воды при многократном изменении расхода с полным набором сервисных и защитных функций, присущих типовым станциям управления насосами. Б частотная характеристика датчика с ограничениями по верхней и. Если с помощью частотного преобразователя, понизить частоту подаваемого на него переменного напряжения, то соответственно понизятся скорость вращения двигателя, а, следовательно, измениться напор и производительность насосного агрегата. Новые модули закладывают основу для новых конструкций серверов и ускорят работу процессоров. В режиме насыщения при увеличении сеточного напряжения катодный ток растет незначительно, но сеточный ток возрастает и за счет этого уменьшается анодный ток. Номинальная мощность подключаемого в цепи электродвигателя. Двигатели выпускаются серийно и это значит отличное соотношение ценакачество. В настройках сайта выберите русский язык. Пользователи соцсетей отметили, что многие пешеходы не соблюдают меры безопасности при переходе через дорогу. Это семейство преобразователей предназначено для стандартных асинхронных двигателей. Блок имеет грязеводо защищенный корпус, что позволяет использовать его во влажных помещениях. На нашем сайте указаны примерные цены на автоматические регуляторы напряжения, за точной информации по стоимости, обратитесь к специалистам нашей компании. Ограничение выходного сигнала регулятора внешнего контура вступает в действие, если в переходном процессе сигнал ошибки на его входе, представляющий собой разность между сигналом задания и сигналом обратной связи, станет недопустимо большим. Для начала знакомая из первого спойлера схема, но с небольшими поправками, что же у нас в конце концов должно получиться. При автонастройке возможно, что обратная связь по скорости окажется положительной. Но потом оказалось что на этот топорный корпус очень удобно довешивать доп. Молниеносная фокусировка в режиме фотосъемки, плавный перевод фокуса при съемке видео. Несмотря на то, что покупка надежного и долговечного частотного преобразователя является приоритетным вариантом, такой прибор можно собрать своими руками. На экзамене при себе надо иметь документ удостоверяющий личность паспорт, пропуск и капиллярную или гелевую ручку с черными чернилами! Блять я такую уже давно пью. Для того чтобы повысить безопасность охраняемых объектов, установка системы видеонаблюдения будет самым правильным решением. Обслуживание преобразователя должно выполняться только квалифицированным персоналом в процессе эксплуатации. Через это дело много солдатских жизней спасено бывает на войне на бойне. Это упростило и удешевило процессор, хотя и сделало его более медленным, чем. Работать она вообще не будет, сказала. Преобразователь частоты для насосов преобразует входное силовое напряжение в оптимальное для выбранного режима работы насоса выходное. Поддерживает однофазный импульсный сигнал с контроллера как сигнал задания частоты. Решение исключает применение запорнорегулирующей арматуры для поддержания давления и производительности. Широкие возможности управления посредством плат вводавывода, сетевых плат или дисплея панели управления. У них заданное положение ротора фиксируется подачей питания на соответствующие обмотки. Вс это дат возможность оптимальнее использовать рабочую силу и экономить эксплуатационные средства. Цена преобразователя частоты зависит от его технических характеристик. В каждом публикуемом материале указывается источник правообладателя. Ряд типоразмеров фильтров как технически, так и физически полностью соответствует частотным преобразователям, чем обеспечивается эффективное и компактное решение. Существуют анекдоты о семейной жизни, политике. Дальше воздух попадает в секцию вентилятора, где создается напор и после секции шумоглушителя попадает в воздуховод, где если предусмотрено увлажняется с помощью парогенератора. Если не подпишет щит не отдам. Функция быстрого токоограничения может максимально снизить возможность возникновения аварий. Пружинные клеммники обеспечивают высокую надежность и простоту подключения. Мехвод боевое братство, ремонт, король бездорожья, плавный ход, виртуоз. Последние имеют самую высокую стоимость и наиболее массивны, но все окупается с лихвой качеством передаваемого звука и звукоизоляцией. Врет и жене и любовнице, ловчит, изворачивается. При этом насос, находящийся на валу этого двигателя, постоянно прогоняет гидравлическое масло через блок пропорциональных клапанов. Частотные преобразователи успешно справляются с регулировкой оборотов различного типа оборудования. По сравнению с технологиями, имеет такие преимущества, как очень высокие контрастность и яркость усовершенствованная версия технологии. С другой стороны, рекуперативное торможение повышает скоростные свойства управляемой технологической системы за счт быстрой отработки заданных ускорений или замедлений.

Ссылки по теме:

Уловка, которая научит вас определять, хорош ли модуль IGBT — VEICHI ELECTRIC

В работе бывают ситуации: неисправный модуль IGBT должен проанализировать причину отказа, или модуль с хорошим внешним видом должен судить, есть ли какие-либо отклонения от нормы. В отсутствие специализированного оборудования цифровые мультиметры могут использоваться как обычный инструмент, помогающий нам быстро идентифицировать IGBT. В это время обычно используются файл диодов, файл сопротивления и файл емкости мультиметра.Стоит отметить, что тестовые данные мультиметра не универсальны и могут использоваться только как справочные.

Структура модуля

В качестве примера возьмем стандартный 62-мм корпус IGBT-модуля. Внутренняя часть состоит из микросхемы IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), микросхемы FWD (диода свободного хода), соединительного провода и т. Д. Некоторые сильноточные модули необходимо объединять с помощью нескольких наборов микросхем. На рис. 1, 2 показан модуль на 400 А производителя:

.

Его электрическое соединение показано на рисунке 3.Верхний и нижний мосты модуля имеют 4 набора микросхем IGBT и FWD, подключенных параллельно через линию соединения. Эквивалентный электрический символ показан на Рисунке 4:

.

Методы измерения

1. Диодный файл

С помощью файла диода можно измерить прямое падение напряжения VF на обратном диоде. Замкните затвор-эмиттер, соедините эмиттер с красной ручкой мультиметра, черная ручка подключена к коллектору, и нормальный модуль VF будет около 0.3 ~ 0,7 В. Если VF слишком большой, микросхема FWD или соединительный провод будут отключены. Короткое замыкание происходит в микросхеме FWD или IGBT.

Размер VF зависит от прямого тока IF. Как показано на рисунке ниже, существуют некоторые различия в сопротивлении и напряжении в испытательной цепи разных мультиметров, что приведет к разнице результатов измерения. Следовательно, это тестовое значение нельзя сравнивать с другими тестовыми значениями мультиметра. Он не может представлять данные в таблице данных.Другого значения это тестовое значение не имеет. Его можно использовать только для определения того, хороша ли микросхема FWD.

2. Файл сопротивления

(1) Измерьте сопротивление между коллектором и эмиттером каждой трубки IGBT в модуле, закоротите затвор-эмиттер, красная ручка мультиметра подключена к коллектору, черный счетчик подключен к эмиттеру, а нормальное сопротивление модуля значение обычно выше уровня мегаом.

(2) Измерьте сопротивление между затвор-эмиттер (затвор-коллектор) каждой трубки IGBT в модуле.Красный и черный измерительные провода мультиметра подключены к затвору и эмиттеру (затвор и коллектор) соответственно, и нормальный модуль также показывает высокий импеданс. Когда плата драйвера подключена к модулю, сопротивление затвор-эмиттер равно сопротивлению утечки, обычно несколько тысяч Ом.

Из-за диапазона измерения мультиметра некоторые мультиметры не могут отображать действительные значения для вышеуказанных измерений высокого сопротивления. Конечно, когда тестовое значение имеет высокий импеданс, это не полностью означает, что модуль исправен.Вышеупомянутый метод работы оказывает определенное влияние на определение отказавшего модуля, но вероятность успеха не очень высока, и также требуется результат измерения емкости.

3. Напильник конденсаторный

Измерительный механизм мультиметра настроен на файл конденсатора, красная ручка подключена к затвору, черная ручка подключена к эмиттеру, и измеряется внутренняя емкость между затвором и эмиттером IGBT в модуле, данные измерений записываются, а затем тестовое перо заменяется черным.Измерительная ручка подключается к затвору, красная ручка подключается к эмиттеру, и измеренные данные записываются. Емкость модуля варьируется от нескольких нФ до нескольких десятков нФ. Наконец, данные сравниваются с другими микросхемами IGBT в модуле, измеренными мультиметром, или данными измерений того же производителя и того же типа модуля, и значения должны быть такими же или подобными.

Рекомендуется измерять только емкость между затвором и эмиттером во время измерения.Cies в микросхеме IGBT является самым большим, Cres и Coes намного меньше, чем Cies, см. Рисунки 6 и 7, а точность мультиметра для проверки емкости ограничена.

Дополнительно:

(1) Подобно прямому падению напряжения VF, тестовое значение здесь отличается от условий тестирования тестового значения в листе данных и может использоваться только в качестве эталона для сравнения.

(2) Если плата драйвера подключена к модулю, это повлияет на результат измерения емкости, и ее следует сначала удалить.

Сводка

Краткое описание цифрового мультиметра для определения качества IGBT выглядит следующим образом:

Шаг	Положение редуктора	Показать результат	Дискриминантный результат
1	Диодный файл	Падение давления на FWD 0,3 ~ 0,7 В	Чип FWD нормальный
		Падение давления слишком мало	Короткое замыкание микросхемы FWD или IGBT
		Слишком большой перепад давления	Обрыв стружки FWD или разрыв линии соединения
2	Файл сопротивления	Состояние высокого сопротивления Rce, Rge, Rgc	CE, GE, GC не закорочены
		Состояние низкого сопротивления Rce, Rge, Rgc	CE, GE, GC Обрыв или короткое замыкание
3	Напильник конденсаторный	Значение Cies составляет от нескольких нФ до десятков нФ	Обычная дверь
		Нет значения или отклонения контрастности	Поломка или отключение двери

Примечание:

1.Вышеупомянутый метод используется как предварительный метод различения, и для более точного анализа требуются специальные инструменты.

2. Не прикасайтесь к электродам модуля во время процесса измерения, чтобы избежать электростатического повреждения или помешать дальнейшему анализу неисправного модуля.

Как проверить IGBT (INS045E)

Как проверить IGBT (INS045E)

БТИЗ

широко используются в преобразователях частоты, контроллерах мощности, переключаемых источниках и преобразователях постоянного / постоянного тока.Эти компоненты имеют гибридные функции, с изолированным затвором в качестве полевого МОП-транзистора и переходами между коллектором и эмиттером в качестве биполярного транзистора.

Одним из наиболее распространенных тестов IGBT является динамическое испытание зарядки лампы мощностью 40–100 Вт в ее коллекторе и подачи питания на схему напряжением до 100 В постоянного тока.

Когда затвор соединен с эмиттером транзистора, он должен оставаться в разрезе, и при этом лампа выключена.

При подключении затвора к коллектору (что необходимо сделать с помощью резистора 10 кОм) транзистор насыщается и лампа загорается.Эта динамическая процедура показана на рисунке 1.

Рисунок 1 — Динамический тест IGBT

Если лампа продолжает гореть, оба IGBT закорочены, а если не горит, IGBT разомкнут. Читатель должен знать о максимальном напряжении, которое может быть приложено между затвором и эмиттером транзистора, которое обычно составляет 20 В.

Если испытание проводится с более высокими напряжениями, напряжение, подаваемое на затвор, всегда должно быть меньше 20 В.

Однако аналогичный тест можно провести с аналоговым измерителем и даже с некоторыми типами цифровых мультиметров, у которых есть достаточное испытательное напряжение для его насыщения при размещении на шкале резисторов или тесте диодов.

Для этого мы можем сначала выполнить тест на короткое замыкание, как показано на Рисунке 2.

Рисунок 2 — Тестирование с помощью измерителя

Сначала мы измерили сопротивление между затвором и выводами коллектора, а затем между затвором и эмиттером.

В обоих измерениях мы должны иметь показания высокого сопротивления. Под высоким сопротивлением мы подразумеваем значения выше 10 МОм.

Если какое-либо из измерений имеет низкое сопротивление или даже среднее значение (от 10 кОм до 1 МОм), IGBT выходит из строя из-за короткой или даже чрезмерной утечки. Если он проходит этот тест, мы измеряем сопротивление между коллектором и эмиттером.

В одном смысле он должен быть высоким, а в другом — низким, потому что мы должны учитывать защитный диод, который есть в этих компонентах, как показано на рисунке 2.

Низкое значение сопротивления при обоих измерениях указывает на короткое замыкание IGBT, а несколько низкое значение сопротивления, когда оно должно быть очень высоким (от 10 кОм до 1 МОм), указывает на негерметичный компонент. В обоих случаях компонент использовать нельзя.

В зависимости от напряжения батареи мультиметра можно выполнить относительно простой тест переключения. Для этого мы используем соединение, показанное на Рисунке 3, с мультиметром в промежуточном диапазоне резисторов.

Рисунок 3 — Тест с помощью измерителя

При прикосновении к отвертке или перемычке затвора (g) и коллектора (C) транзистора он должен переключиться.

Это приведет к падению сопротивления с очень высокого значения до более низкого значения в зависимости от характеристик тестового IGBT и самого измерителя.

Однако необходимо учитывать, что внутренняя батарея некоторых мультиметров не имеет достаточного напряжения для обеспечения проводимости компонента.

Чтобы убедиться, что этот тест применим к имеющемуся мультиметру, будет интересно попробовать с IGBT, который, как мы знаем, находится в хорошем состоянии.

Один из способов тестирования IGBT с помощью мультиметра в случае, если описанный прямой тест невозможен, показан на рисунке 4.

Рисунок 4 — Мультиметр и внешний источник в тесте IGBT

Батарея на 9 В или даже более мощный источник напряжения (20 В) обеспечивает напряжение, необходимое для поляризации компонента, и, таким образом, в случае исправного компонента может быть получено значение тока вольтодобавки.

Тестовая цепь

IGBT

Есть простые способы проверить IGBT. Однако с помощью генератора функций и осциллографа мы можем пойти дальше и определить характеристики тестируемого компонента.

На рисунке 5 мы показываем схему для этой цели. Эта схема подходит для большинства распространенных IGBT и проста в развертывании. Мы также можем использовать его в дидактических целях для демонстрации характеристик этого компонента.

Рисунок 5 — Испытательная схема для IGBT

В этой схеме осциллограф настроен на функцию B / A, то есть сигналы оси Y как функция оси X, а типичная чувствительность двух осей составляет 2 В / дел.

Смотрите, нам еще нужен блок питания на 6 В для тестов. Генератор сигналов настроен на создание сигнала 1 кГц, модулированного по амплитуде с частотой 100 Гц и глубиной 1 единицы.

На рисунке 6 у нас есть сигнал, который должен наблюдаться для хорошего IGBT при моделировании, выполненном в Multisim.

Рисунок 6 — Сигнал, наблюдаемый при испытании IGBT

Значения используемых компонентов могут быть изменены так же, как и тестовые сигналы, в зависимости от характеристик тестируемого IGBT.

Как проверить блоки IGBT — Тест цифрового мультиметра и тест лампы

Как тестировать модули IGBT с помощью мультиметра (DMM) и тестировать IGBT с помощью лампы и батареи.

Тест

IGBT с помощью цифрового мультиметра полезен, когда модуль IGBT не может быть легко удален или изолирован. Проверка лампы и батареи на предмет того, можно ли снять или изолировать IGBT. См. Схемы в конце видео.

Эти блоки IGBT получены из неисправного привода лифта, см. Видео здесь: https: // www.kevingittemeier.com/teardown-kone-v3f25-elevator-drive/

Нажмите здесь, чтобы подписаться на наш канал Youtube: http://goo.gl/DDfVab
https://www.youtube.com/user/KGittemeier

Тест лампы батареи IGBT:

— Подключите лампу последовательно с батареей 12 В и полярностью IGBT соответственно.

— Минус батареи к E, плюс батареи к лампе, другая сторона лампы к C.

— Коснитесь плюса аккумулятора и ворот, чтобы включить.

— Коснитесь минуса аккумулятора и ворот, чтобы выключить.

* Обратите внимание, сначала прикоснитесь к аккумулятору, поскольку IBGT чувствительны к электростатическому разряду и могут быть повреждены.

Цифровой мультиметр IGBT (DMM) Процедура тестирования:

Тест коллектор-эмиттерный переход:

— Выключив модуль из цепи, удалите токопроводящую пену и закоротите затвор на эмиттер.

— Когда цифровой мультиметр находится в режиме проверки диодов, коллектор к эмиттеру должен давать нормальные показания диода с положительным на эмиттере и отрицательным на коллекторе.

— Цифровой мультиметр должен показывать обрыв или бесконечность с положительным на коллекторе и отрицательным на эмиттере. Поврежденные IGBT могут быть закорочены как в положительном, так и в отрицательном направлении, разомкнуты в обоих направлениях или резистивны в обоих направлениях.

— Тест затвора: Когда цифровой мультиметр находится в режиме сопротивления, сопротивление между затвором и коллектором и затвором-эмиттером должно быть бесконечным на исправном устройстве. Поврежденное устройство может быть закорочено или иметь резистивную утечку от затвора к коллектору и / или эмиттеру.

Ознакомьтесь с этим удобным оборудованием для тестирования электроники и инструментами от Amazon. Партнерские ссылки:
Портативный измеритель LCR Der De-5000: https: // amzn.to / 2yQxFa2 Тестер транзисторов компонентов электроники Drok
: https://amzn.to/2tRTFeS Тестер набора для сборки многофункционального измерителя
: https://amzn.to/2KvanIk
Тестер полупроводников Atlas DCA55: https://amzn.to/2MC395F
Peak Electronic Design: https://amzn.to/2KujjgZ

Цифровой осциллограф

Rigor: https://amzn.to/2ICP5Xa

Настольный источник питания 0-50 В постоянного тока: https://amzn.to/2yWir3s

Wera Kraftform 70 Набор из 32 предметов: https://amzn.to/2MBZXqH
Wera Kraftform Compact 25: https: // amzn.к / 2IE6DSO

См. Также:

Как проверить IGBT?

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАВОДОМ (IGBT) — это трехконтактный силовой полупроводниковый прибор, используемый в качестве электронного переключателя, а в более новых устройствах он имеет высокий КПД и быстрое переключение.

Он переключает электроэнергию во многих современных приборах: электромобилях, поездах, регулируемые холодильники, кондиционеры и даже стереосистемы с переключаемыми усилителями.Поскольку он предназначен для быстрого включения и выключения, усилители, которые его используют, часто синтезируют сложные формы волны с широтно-импульсной модуляцией и фильтрами нижних частот. В коммутационных приложениях современные устройства могут похвастаться частотой повторения импульсов в ультразвуковом диапазоне — частотах, которые, по крайней мере, в десять раз превышают максимальную звуковую частоту, обрабатываемую устройством при использовании в качестве аналогового аудиоусилителя.
IGBT сочетает в себе простые характеристики управления затвором полевых МОП-транзисторов с высокой силой тока и низким напряжением насыщения биполярных транзисторов путем объединения изолированного полевого транзистора с затвором для управляющего входа и биполярного силового транзистора в качестве переключателя в одиночное устройство.IGBT используется в приложениях средней и большой мощности, таких как импульсные источники питания, управление тяговым электродвигателем и индукционный нагрев. Большие модули IGBT обычно состоят из множества параллельно подключенных устройств и могут иметь возможность обработки очень высоких токов, порядка сотен ампер с блокирующим напряжением 6000 В, что соответствует сотням киловатт.

IGBT сочетает в себе преимущества силового MOSFET и биполярного силового транзистора. Точно так же его структура представляет собой комбинацию двух устройств.Как показано ниже, вход имеет структуру затвора MOS, а выход представляет собой транзистор PNP с широкой базой. Ток возбуждения базы для транзистора PNP подается через входной канал. Помимо транзистора PNP, существует транзистор NPN, который предназначен для отключения путем замыкания базы и эмиттера на металлический источник полевого МОП-транзистора. 4 слоя PNPN, которые включают транзистор PNP и транзистор NPN, образуют тиристорную структуру, которая вызывает возможность фиксации. В отличие от силового полевого МОП-транзистора, он не имеет встроенного паразитного обратного диода, поэтому при необходимости его необходимо подключать к соответствующему диоду быстрого восстановления.


ШАГ-1 — ТЕСТИРОВАНИЕ IGBT С МУЛЬТИМЕТРОМ: — ПАСПОРТ IGBT: Лист данных IGBT-CT60AM
Замкните G1 на E1 и G2 на E2.
С помощью мультиметра, установленного для проверки диодов, проверьте переход C1-C2 E1.
С датчиком (+) на C1 и (-) датчиком на C2 E1 вы должны увидеть обрыв цепи.
Замените щупы. Вы должны увидеть падение диода на измерителе.
ШАГ-2
Проверьте соединение C2 E1-E2.
С датчиком (+), на C2E1 и (-) датчиком на E2, вы должны увидеть обрыв цепи.
Замените щупы. Вы должны увидеть падение диода на измерителе.
STEP-3
Подключите аккумулятор на 6 В, подключите клемму (+) к G1, а клемму (-) к E1. Используя ваш измеритель (настроенный для проверки диодов), вы должны увидеть падение диода на переходе C1-C2E1 в обоих направлениях.
Подключите клемму (+) к G2, а клемму (-) к E2.Здесь вы также должны увидеть диодный перепад на переходе C2E1-E2 в обоих направлениях.
ПРОВЕРКА: — Если IGBT прошел все вышеперечисленные тесты, IGBT исправен.
Вы можете использовать второй мультиметр в качестве источника напряжения, настроив его на проверку сопротивления по наименьшей доступной шкале сопротивления. Зонд (+) — положительный полюс. Однако не все счетчики обеспечивают для этого достаточное напряжение постоянного тока и могут даже давать ложные показания. Вместо этого рекомендуется известное постоянное напряжение от 8 до 15 В.
ВАЖНАЯ ИНФОРМАЦИЯ: — ИСПЫТАТЕЛЬНАЯ ЦЕПЬ IGBT.

Соберите и протестируйте свои схемы IGBT: —

igbt% 20testing% 20 Техническое описание процедуры и примечания к применению

T0247 Аннотация: IGBT 200A 1200V T0220AB BUP313D IGBT IRG4BC20KD IGBT 1200V 60A igbt 20A 1200v MG50Q2YS40 BUP314D T0247A Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	bup203 t0220) BUP212 BUP213 BUP313 BUP313D BUP314 BUP314D GT20D101-T0s GT20D201-T0s T0247 БТИЗ 200А 1200В T0220AB BUP313D БТИЗ IRG4BC20KD БТИЗ 1200 В 60 А igbt 20A 1200v MG50Q2YS40 BUP314D T0247A
ГТО 100А 500В Аннотация: IGBT2 транзистор Hitachi igbt DIODE m7 dic 200a 300v mosfet MBN1200E33E YG6260 12v igbt ta1251 GE C 712 PN Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IGBT-HI-00002 10АмА / день) 10 мА / день) UL94VO ГТО 100А 500В IGBT2 hitachi транзистор igbt ДИОД m7 dic 200A 300V MOSFET — описание производителя MBN1200E33E YG6260 12 в IGBT ta1251 GE C 712 PN
1998 — ИК igbt драйвер затвора ic Аннотация: IGBT PNP 5A IGBT драйвер IC igbt 100V 5A mosfet ir 250 n irf 944 200v dc motor igbt IRF MOSFET 10A P ir igbt 1200V 10A IGBT 1000A Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	Ан-983AJ Ан-990AJ Ан-937А: Ан-944: Ан-978: Ан-967: Ан-947: ИК igbt драйвер затвора ic IGBT PNP ИС драйвера IGBT 5A igbt 100В 5А MOSFET IR 250 N irf 944 200 в постоянного тока двигателя igbt IRF МОП-транзистор 10A P ir igbt 1200V 10A БТИЗ 1000А
1998 — «Ан-978» ИР2110 Аннотация: IR2110 CHOPPER AN937A AN-978 IR2110 bc40f AN-937A LDIC ПРИМЕЧАНИЯ IR2110 ENG233 AN944A Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	Ан-990AJ Ан-983AIGBT Ан-983А IRGBC40F IR2110 83E-02 17E-04 13E-04 9E-03 «Ан-978» ИР2110 IR2110 ИЗМЕЛЬЧИТЕЛЬ AN937A Ан-978 ИР2110 bc40f Ан-937А LDIC ПРИМЕЧАНИЯ IR2110 ENG233 AN944A
skm 195 gb 125 dn Аннотация: сверхбыстрый IGBT SKM200GB12E4 303GB12E4s SKM300GB123D Мостовой выпрямитель Igbt 107 skm200gb123d 151GB12E4s skm 50 gb 100 d Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	400GAL125D 101GD066HDS 151GD066HDS 201GD066HDS 202GB066HDs 302GB066HDs 402GB066HDs СЕМИКС171Х26С SEMIX191KD16S SEMIX241Dh26S skm 195 gb 125 dn IGBT сверхбыстрый SKM200GB12E4 303GB12E4s SKM300GB123D Igbt мостовой выпрямитель 107 skm200gb123d 151GB12E4s skm 50 gb 100 d
1998 год — IGBT Аннотация: выпрямитель pwm igbt 252mJ 5A IGBT Pelly IGBT примечания по применению IGBT 60A igbt UPS 350VVGE MOSFET IGBT RECTIFIER Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	Ан-984J 22VIGBT IRGPC40F 350ВВГЭ igbt выпрямитель pwm igbt 252 мДж 5A IGBT Пелли Примечания по применению IGBT БТИЗ 60А igbt ИБП МОП-транзистор IGBT выпрямитель
EXB841 Аннотация: IGBT DRIVE 600V 300A 2mb150 bt 33f igbt 2MB150-060 IGBT 300A 1200V IGBT 600V 200A Igbt 1200v 300a IGBT 1200V.50А Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	EXB850 / EXB851 / EXB840 / EXB841 10 кГц 40 кГц 2500VAC EXB850 EXB851 EXB840 EXB841 EXB841 ПРИВОД IGBT 600 В, 300 А 2мб150 bt 33f igbt 2МБ150-060 БТИЗ 300А 1200В БТИЗ 600 В 200 А Игбт 1200в 300а БТИЗ 1200 В, 50 А
Конструкция катушки Роговского Аннотация: Катушка Роговского Измерение паразитной индуктивности для IGBT IGBT 5 кВ IGBT Pspice pspice высокочастотный igbt pwm igbt IGBT с характеристиками V-I Измерение катушки Роговского Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	D-59581 Варштайн 2003-Тулуза Конструкция катушки Роговского Катушка Роговского Измерение паразитной индуктивности для IGBT БТИЗ 5кВ IGBT Pspice pspice высокочастотный igbt pwm igbt IGBT с характеристиками V-I измерение катушки Роговского Роговский
2007 — S 170 МОП-транзистор Аннотация: 600v 20a IGBT igbt 400V 20A MOSFET 1000v 30a igbt 500V 15A mosfet 600V 20A IGBT Руководство разработчика igbt 1000v 30a AN898 HEXFET Power MOSFET Руководство разработчика Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	AN898 DS00898A S 170 МОП-ТРАНЗИСТОР 600v 20a IGBT igbt 400 В 20 А МОП-транзистор 1000 В, 30 А igbt 500 В 15 А MOSFET 600 В 20 А Руководство разработчика IGBT igbt 1000v 30a AN898 Руководство разработчика силовых полевых МОП-транзисторов HEXFET
1998-20А, IGBT Аннотация: IRGPC50U IRGPC50F AN-983A 600v 20a IGBT igbt 600v 20a IGBT 600V 35A BJT 600V 600v 30 кГц IGBT IGBT 75 D Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	94-6AJ Стр.11 аHDM-11 Ан-983А Стр.12 20A, IGBT IRGPC50U IRGPC50F 600v 20a IGBT igbt 600v 20a IGBT 600 В 35 А BJT 600 В 600v 30 кГц IGBT БТИЗ 75 D
2005 — 74hc06 Аннотация: эквивалентные компоненты для scr 207a SCR 207A 15KW igbt 200 A 1200 V TLP250 200V igbt 15KW igbt SCR 100A 1200V IR2171 IGBT Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	100кВт 74hc06 эквивалентные компоненты для scr 207a SCR 207A 15 кВт igbt 200 А 1200 В TLP250 200 В IGBT IGBT 15кВт SCR 100A 1200В IR2171 БТИЗ
2002 — хвостовое время IGBT Аннотация: моделирование igbt NATIONAL IGBT локальный срок службы IGBT cross IGBT PNP Semiconductor Group igbt mitsubishi igbt cm Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	200-В Хвостовое время IGBT igbt моделирование НАЦИОНАЛЬНЫЙ IGBT местная жизнь IGBT крест IGBT PNP Группа полупроводников igbt mitsubishi igbt см
БТИЗ SKW30N60HS Реферат: электрическая схема сварочного аппарата постоянного тока igbt 400V 20A Сварка igbt ТЕХНИЧЕСКИЙ ПАСПОРТ IGBT Измерение паразитной индуктивности IGBT IGBT 600v 20a igbt 1200V 20A igbt сварочный аппарат IGBT параллельно Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	10 кГц О-247 TC100 SGP02N60HS SGP04N60HS SGP06N60HS SGP20N60HS SGW20N60HS SGP30N60HS SGW30N60HS БТИЗ SKW30N60HS igbt 400 В 20 А электрическая схема сварочного аппарата постоянного тока сварка igbt ТЕХНИЧЕСКИЙ ПАСПОРТ IGBT Измерение паразитной индуктивности для IGBT БТИЗ 600в 20а igbt 1200 В 20 А сварочный аппарат igbt IGBT параллельный
2005 — 74hc06 Аннотация: TLP250 IGBT 10 кГц ptmb50e6c IR2171 50A 1200V SCR igbt rcd SCR 100A 1200V SCR 207A PGH508 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	PHMB400B12 PDMB100B12C 1 / 2LiC21 / 2Cse2 600V1 200A1 200V800AIGBT3 100 кВт 200A1200V800A 74hc06 TLP250 IGBT 10 кГц ptmb50e6c IR2171 50A 1200 В SCR igbt rcd SCR 100A 1200В SCR 207A PGH508
Привод затвора IGBT / MOSFET Аннотация: IGBT PNP power BJT диод, предотвращающий насыщение Оптопара, привод затвора, реле привода оптопары Привод затвора IGBT для повышающего преобразователя IC Драйвер затвора IGBT IGBT cross high side MOSFET driver optocoupler igbt dc to dc converter заряда конденсатора Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	20.05.09 Привод затвора IGBT / MOSFET IGBT PNP силовой BJT антисатурационный диод Оптопара привода затвора реле привода оптопары Привод затвора IGBT для повышающего преобразователя ИС драйвера затвора IGBT IGBT крест оптрон с драйвером MOSFET на стороне высокого напряжения igbt dc to dc преобразователь зарядка конденсатора
IGBT Аннотация: HT45R38 ht46r47 LM339 HT46R22 HA0147T HT46R12 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	HT45R38 HA0147T HT46R47 HT46R22 / 23 HT46R12 / 14 HT46R32 / 34/322/342 HT45R38 igbt LM339 HT46R22 HA0147T HT46R12
2004 — Трансформатор для печатных плат без сердечника Аннотация: sinamics s120 igbt transformer driver igbt 1000v 30a driver igbt SIEMENS IGBT 788J IGBT 1000V 100A 2ed020i12 FS75R12KE3_B3 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	D-59581 частей на миллион / 106 10нч20м 3900 частей на миллион / К FS75R12KE3 ФС100Р12КЕ3 FS150R12KE3 5966-0001E Бессердечный трансформатор для печатных плат sinamics s120 драйвер трансформатора igbt igbt 1000v 30a драйвер igbt SIEMENS БТИЗ 788J БТИЗ 1000В 100А 2ed020i12 FS75R12KE3_B3
vla531 Аннотация: инверторный сварочный аппарат, монтажная плата, ИБП, изготовление, схема трансформатора, схема привода двигателя постоянного тока 180 в Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2003 — IGBT 50 А 1000 В Аннотация: Cree SiC MOSFET, 12 В, 150 А, SMPS, 24 В, 10 А, IGBT, 50 А, 1200 В, 10 А, igbt, 1000 В, 12 В, 2 А, SMPS, схема Расчет основных рабочих параметров IGBT. CPWR-AN03, РАСЧЕТ ТЕМПЕРАТУРЫ ПЕРЕХОДА Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Расчет инвертора IGBT Аннотация: Схема инвертора с трехфазным IGBT-инвертором с использованием IGBT-модуля. Схема привода IGBT-IGBT igbt sixpack IXAN0070 IGBT ЧИП 1700V igbt 600V 100A РАСЧЕТ ТЕМПЕРАТУРЫ ПЕРЕХОДА IGBT короткого замыкания Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IXAN0070 Расчет инвертора IGBT Конструкция инвертора с трехфазным IGBT схема инвертора с использованием модуля IGBT расчетная схема привода IGBT igbt igbt sixpack IXAN0070 IGBT ЧИП 1700 В igbt 600V 100A короткое замыкание РАСЧЕТ ТЕМПЕРАТУРЫ ПЕРЕХОДА IGBT
2001 — измельчитель понижающий Аннотация: igbt 6.Демпферный понижающий прерыватель 5 кВ с использованием igbt ПРИМЕНЕНИЕ Цепи прерывателя постоянного тока с прерывателем постоянного тока с использованием прерывателя постоянного тока igbt с помощью тиристорного IGBT 3 кВ 6,5 кВ IGBT Дэвид 65 кВ Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2000 — Плавный пуск двигателя переменного тока IC Аннотация: Регулятор постоянного тока HP3150 hp3150v с IGBT IR2271 IGBT DRIVER Analog Devices BLDC IGBT Driver high side igbt 1200V IGBT MOTOR CONTROL IR igbt gate driver ic Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	600В1200В IR2137 / IR2171 IR2171 ИС плавного пуска двигателя переменного тока HP3150 hp3150v Регулятор постоянного тока с IGBT IR2271 ДРАЙВЕР IGBT Analog Devices BLDC IGBT Драйвер верхнего плеча igbt 1200V УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ IGBT ИК igbt драйвер затвора ic
1998 — микросхема ir2110 Аннотация: IR2110 IGBT IR2110 design ir2110 application ir igbt IRGSI270F06 ir2110 mosfet MOSFET IGBT RECTIFIER igbt 15a Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	92-3AJ -11 мВ / C IRGPC50FIGBT 47W10W0W IR2110 IRGSI270F06 600 нКл ic ir2110 IR2110 БТИЗ Дизайн IR2110 приложение ir2110 ir igbt ir2110 MOSFET — описание производителя МОП-транзистор IGBT выпрямитель igbt 15a
IGBT Аннотация: igbt 50V Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2011 — Указания по применению 91 Аннотация: 81227 power BJT диодный антинасыщающий диод IGBT-драйвер затвора IC оптопара без базового вывода для драйвера mosfet что такое быстрый транзистор IGBT-транзистор BJT драйвер оптопара pnp IGBT параллельный привод ОСЦИЛЛЯЦИЯ BJT изолированная базовая схема привода Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	24 октября 11 Примечание по применению 91 81227 силовой BJT антисатурационный диод ИС драйвера затвора IGBT оптопара без базового штифта для драйвера mosfet что такое быстрый IGBT транзистор транзисторный драйвер BJT оптопара pnp КОЛЕБАНИЯ ПРИВОДА IGBT Изолированная базовая цепь привода BJT

IGBT: часто задаваемые вопросы (FAQ)

Компании начинают осознавать потенциал новых рынков и возможности получения доходов от последующих операций, исследуя более комплексную модель «кремний для обслуживания», которая охватывает центр обработки данных и мобильную периферию.В частности, с сокращением ASP (средние цены продажи) и все более непомерно высокими затратами на проектирование на все более низких узлах многие компании ищут новые потоки доходов в широком диапазоне вертикалей, включая Интернет вещей (IoT).

Однако с учетом того, что количество установок Интернета вещей, как ожидается, будет увеличиваться примерно на 15–20% ежегодно до 2020 года, безопасность в настоящее время воспринимается как серьезная возможность, так и серьезная проблема для полупроводниковой промышленности.

Помимо услуг, концепция оборудования с открытым исходным кодом (OSH) и создание микросхем из разукрупненных, предварительно проверенных чиплетов начинает набирать обороты по мере того, как компании сокращают расходы и сокращают время вывода на рынок гетерогенных конструкций.

Конкретные стратегии раскрытия всего потенциала кремния и услуг, несомненно, будут различаться, поэтому для нас важно исследовать будущее, в котором компании, производящие полупроводники, наряду с различными отраслями, организациями и правительственными учреждениями, будут играть открытую и совместную роль в помогая устойчиво монетизировать как микросхемы, так и услуги.

В 2016 и 2017 годах продолжались быстрые приобретения и консолидация отрасли:

• Компания Analog Devices приобрела Linear Technology
• Infineon приобрела International Rectifier
• Компания ROHM приобрела Powervation
• Renesas приобрела Intersil

Крупные производители полупроводников позиционируют себя, чтобы лучше конкурировать в нескольких вертикалях, включая облачные вычисления, искусственный интеллект (ИИ) и беспилотные автомобили.Согласно KPMG, многие компании все чаще рассматривают слияния и поглощения (M&A) как единственный способ стимулировать рост реальной выручки, делая новый акцент на вопросе «производить или покупать», при этом многие выбирают ответ «покупать».

В то же время расходы на разработку микросхем продолжали расти и существенно влияли на количество разработок в усовершенствованных узлах. В частности, общее количество запусков SoC с расширенной производительностью многоядерных процессоров в первый раз практически не изменилось и выросло лишь незначительно за последние пять лет.Хотя цены на дизайн неуклонно растут с 40 нм, аналитиков больше всего беспокоит увеличение стоимости дизайна на 7 и 5 нм.

Рич Вавжиняк, старший аналитик Semico Research, подтверждает, что начало проектирования, превышающее 10 нм, будет сдерживаться ростом затрат на разработку. Хотя общее количество проектов, которые переносятся на новые узлы, может не сильно отличаться от предыдущих обновлений геометрии процесса, Вавжиняк говорит, что сроки для таких переходов большинством компаний будут более продолжительными.

Совершенно очевидно, что необходимы новые модели как для НИОКР, так и для доходов, поскольку усиление консолидации отрасли и ослабление АСП в долгосрочной перспективе невозможно. Именно поэтому отрасль стремится к Интернету вещей, чтобы создать дополнительные потоки доходов, и аналитики McKinsey Global Institute (MGI) оценивают, что IoT может иметь ежегодный экономический эффект от 3,9 до 11,1 триллиона долларов к 2025 году по нескольким вертикалям. Однако с учетом того, что количество установок Интернета вещей, как ожидается, будет увеличиваться примерно на 15–20% в год до 2020 года, безопасность считается как серьезной возможностью, так и проблемой для полупроводниковых компаний.

Таким образом, MGI рекомендует создавать решения безопасности, которые позволяют компаниям, производящим полупроводники, расширяться в смежные области бизнеса и разрабатывать новые бизнес-модели. Например, компании могут помочь в создании предложений по комплексной безопасности, которые необходимы для успеха Интернета вещей. В идеале, заявляет MGI, отрасль должна играть ведущую роль при разработке таких предложений, чтобы гарантировать, что они получат свою справедливую долю в цепочке создания стоимости.

С нашей точки зрения, решения для сквозной безопасности Интернета вещей, развернутые как платформа как услуга (PaaS), имеют решающее значение для оказания помощи полупроводниковым компаниям в получении возобновляемых доходов от реализации конкретных услуг.Для клиентов PaaS предлагает простой способ безопасной разработки, запуска и управления приложениями и устройствами без сложностей, связанных с построением и обслуживанием сложной инфраструктуры.

Такие решения безопасности, которые также могут использовать аппаратный корень доверия, должны поддерживать идентификацию устройства и взаимную аутентификацию (верификацию), регулярные проверки аттестации, безопасные обновления устройств по беспроводной сети (OTA), аварийное восстановление и ключ управление, а также вывод из эксплуатации и переназначение ключей для лучшего управления устройствами и смягчения различных атак, включая распределенный отказ в обслуживании (DDoS).

Умные города

Недоступные микросхемы — такие как микросхемы, встроенные в инфраструктуру интеллектуального города Интернета вещей — могут предложить полупроводниковым компаниям возможность реализовать долгосрочную модель PaaS «кремний для обслуживания». Действительно, инфраструктура будущего умного города почти наверняка будет спроектирована с использованием микросхем в труднодоступных местах, включая подземные водопроводные трубы, воздуховоды для кондиционирования воздуха, а также под улицами и на парковках.

Интеллектуальное уличное освещение, отзывчивые вывески и маячки Bluetooth нового поколения также требуют перспективных решений, чтобы избежать постоянного физического обслуживания и обновлений.Следовательно, микросхема, обеспечивающая питание инфраструктуры умного города, должна поддерживать безопасную конфигурацию функций в полевых условиях, а также различные услуги на основе PaaS, такие как расширенная аналитика, предупреждения о профилактическом обслуживании, алгоритмы самообучения и интеллектуальное проактивное взаимодействие с клиентами.

Умные дома

Прогнозируется, что к 2020 году глобальный рынок умного дома достигнет стоимости не менее 40 миллиардов долларов. По данным Markets and Markets, рост пространства умного дома можно объяснить множеством факторов, в том числе значительными достижениями в секторе Интернета вещей; возрастающие требования к удобству, безопасности и защищенности потребителей; более выраженная потребность в энергосберегающих решениях с низким уровнем выбросов углерода.Однако, как мы уже обсуждали ранее, крайне важно обеспечить реализацию безопасности Интернета вещей на этапе проектирования продукта, чтобы предотвратить использование злоумышленниками устройств умного дома и прерывание обслуживания.

В дополнение к потенциально прибыльным возможностям кибербезопасности для компаний, производящих полупроводники, устройства «умный дом» обещают создать повторяющиеся потоки доходов для поддержки устойчивой модели «переход от кремния к услугам». В качестве примера Кристопер Дин из MarketingInsider выделяет популярные устройства Echo от Amazon.Поскольку уже продано не менее 15 миллионов устройств Echo, пользователи Echo, вероятно, станут активными потребителями Amazon, используя устройство для отслеживания списков желаний и поиска товаров, которые им впоследствии предлагается купить. Между тем, Nest использует данные термостата в качестве платформы для предложения услуг по управлению энергопотреблением коммунальным компаниям в Соединенных Штатах, причем компании платят за значимую и действенную информацию о клиентах по подписке.

Автомобильная промышленность

По данным IC Insights, в период с 2016 по 2021 год продажи микросхем для автомобильных систем и Интернета вещей будут расти на 70% быстрее, чем общие доходы от IC.В частности, продажи интегральных схем для автомобилей и других транспортных средств, по прогнозам, вырастут с 22,9 млрд долларов в 2016 году до 42,9 млрд долларов в 2021 году, а доходы от функциональности Интернета вещей увеличатся с 18,4 млрд долларов в 2016 году до 34,2 млрд долларов в 2021 году.

Прогнозируемый рост продаж автомобильных микросхем неудивителен, поскольку современные автомобили, по сути, представляют собой сеть сетей, оснащенных рядом встроенных методов и возможностей связи. Однако это означает, что автомобили теперь более уязвимы для кибератак, чем когда-либо прежде.

Потенциальные уязвимости системы безопасности включают незащищенную связь между транспортными средствами, несанкционированный сбор информации о водителе или пассажирах, захват контроля над критически важными системами, такими как тормоза или акселераторы, перехват данных транспортного средства, вмешательство в работу сторонних ключей и изменение избыточного кода. обновления прошивки по воздуху (OTA). Что касается последнего, производители автомобилей сейчас сосредоточены на предоставлении безопасных обновлений OTA для различных систем, при этом глобальный рынок автомобильных обновлений OTA, по прогнозам, будет расти со среднегодовым темпом роста 18.2% с 2017 по 2022 год и достигнет 3,89 миллиарда долларов к 2022 году.

Производители автомобилей также работают над тем, чтобы в цепочке поставок транспортных средств не было украденных и контрафактных компонентов. Тем не менее, широкий спектр устройств с серого рынка все еще можно найти для питания дорогостоящих модулей, таких как бортовые информационно-развлекательные системы и фары, а также в критически важных системах безопасности, включая модули подушек безопасности, тормозные модули и органы управления трансмиссией. Таким образом, защита периферийных устройств и компонентов транспортных средств от несанкционированного доступа путем внедрения ряда многоуровневых аппаратных и программных решений безопасности стала приоритетной задачей для ряда производителей автомобилей.

Помимо внедрения многоуровневых решений безопасности, полупроводниковая промышленность явно выиграет от принятия подхода IoT «как услуга» к автомобильному сектору. Например, компании могут развернуть сенсорные автомобильные системы, которые заблаговременно обнаруживают потенциальные проблемы и неисправности. Это решение, которое в наиболее оптимальной конфигурации сочетает в себе микросхемы и услуги, может быть продано как аппаратный и программный продукт или развернуто как услуга с ежемесячной или ежегодной абонентской платой.

Медицина и здравоохранение

Имплантированные медицинские устройства с длительным сроком службы, несомненно, потребуют от полупроводниковой промышленности высокой степени готовности к будущему, чтобы избежать частых физических обновлений и технического обслуживания. Шрихари Яманур, специалист по дизайну в области исследований и разработок в Stellartech Research Corp., отмечает, что медицинские устройства в конечном итоге будут адаптированы для удовлетворения потребностей отдельных пациентов, что расширит применение точной медицины.

Кроме того, ожидается, что отрасль медицинского страхования будет использовать машинное обучение для оптимизации и снижения стоимости медицинского обслуживания, в то время как цифровые медицинские устройства также будут использоваться страховой отраслью для выявления пациентов из группы риска и оказания помощи.Поэтому медицинские устройства, особенно имплантируемые модели, должны быть спроектированы таким образом, чтобы поддерживать «модель перехода от кремния к услугам» через конфигурацию функций на местах и ​​безопасные обновления OTA, а также услуги на основе PaaS, включая сбор и анализ соответствующих данных; проактивное обслуживание, продвинутые алгоритмы; и интуитивно понятный интерфейс как для пациентов, так и для врачей.

Аппаратное обеспечение с открытым исходным кодом и дезагрегированные чиплеты

Наряду с услугами, оборудование с открытым исходным кодом, предлагаемое такими организациями и компаниями, как RISC-V и SiFive, начало положительно влиять на индустрию полупроводников, поощряя инновации, сокращая затраты на разработку и ускоряя вывод продукта на рынок.

Успех программного обеспечения с открытым исходным кодом — в отличие от закрытого, огороженного сада — продолжает создавать важный прецедент для полупроводниковой промышленности. Столкнувшись с непомерно высокими затратами на разработку, ряд компаний предпочитают избегать ненужных сборщиков дорожных сборов, уделяя больше внимания архитектуре с открытым исходным кодом, поскольку они работают над созданием новых потоков доходов, ориентированных на услуги.

Помимо аппаратного обеспечения с открытым исходным кодом, концепция построения кремния из предварительно проверенных чиплетов начинает набирать обороты, поскольку полупроводниковая промышленность движется к сокращению затрат и сокращению времени вывода на рынок гетерогенных конструкций.По словам Энн Стефора Мутчлер из Semiconductor Engineering, концепция чиплета уже некоторое время находится в стадии разработки, хотя исторически она воспринималась как потенциальное направление будущего, а не реальное решение в тени убывающего закона Мура. Это восприятие начинает меняться по мере увеличения сложности конструкции, особенно в усовершенствованных узлах (10/7 нм), а также по мере объединения новых рынков, требующих частично настраиваемых решений.

Концепция предварительно проверенных чиплетов вызвала интерес U.Агентство перспективных исследовательских проектов S. Defense (DARPA), которое недавно развернуло свою программу Общей гетерогенной интеграции и стратегий повторного использования IP (CHIPS). В сотрудничестве с полупроводниковой промышленностью успешная реализация CHIPS позволила бы увидеть ряд IP-блоков, подсистем и микросхем, объединенных на переходнике в корпусе, подобном 2.5D.

Инициатива CHIPS заняла центральное место в августе 2017 года, когда участники из военного, коммерческого и академического секторов собрались в штаб-квартире DARPA на официальном стартовом совещании по программе Агентства по стратегии общей гетерогенной интеграции и повторного использования интеллектуальной собственности (ИС).

Как сообщил на конференции д-р Дэниел Грин из DARPA, программа направлена ​​на разработку новой технологической структуры, в которой различные функции и блоки интеллектуальной собственности, в том числе хранение данных, вычисления, обработка сигналов, а также управление формой и потоком данных — можно разделить на небольшие чиплеты. Затем их можно смешивать, сопоставлять и комбинировать на промежуточном элементе, что-то вроде соединения частей головоломки. Фактически, говорит Грин, вся обычная печатная плата с множеством различных, но полноразмерных микросхем в конечном итоге может быть уменьшена до гораздо меньшего промежуточного устройства, содержащего кучу, но гораздо меньших микросхем.

Согласно DARPA, конкретные технологии, которые могут возникнуть в результате инициативы CHIPS, включают компактную замену целых печатных плат, сверхширокополосные радиочастотные (РЧ) системы и системы быстрого обучения для извлечения интересной и действенной информации из гораздо больших объемов обычных данных. .

Возможно, неудивительно, что полупроводниковая промышленность уже рассматривает дезагрегированный подход в виде микросхем SerDes и специализированных маломощных интерфейсов «кристалл-кристалл» для конкретных приложений.Безусловно, жизнеспособное разделение кремниевых компонентов может быть достигнуто путем перемещения высокоскоростных интерфейсов, таких как SerDes, на отдельные кристаллы в виде чиплетов SerDes, смещения IP аналогового датчика на отдельные аналоговые микросхемы и реализации перехода кристалла с очень низким энергопотреблением и малой задержкой. die интерфейсы через MCM или через переходник с использованием технологии 2.5D.

Помимо использования заведомо исправной матрицы для SerD в более зрелых узлах (N-1) или наоборот, ожидается, что дезагрегация упростит создание нескольких SKU при оптимизации затрат и снижении риска.Точнее, дезагрегация приведет к разбивке SoC на более высокопроизводительные и меньшие матрицы и позволит компаниям создавать определенные конструкции с несколькими вариантами. Действительно, интерфейсы «от кристалла к кристаллу» могут более легко адаптироваться к различным приложениям, связанным с памятью, логикой и аналоговыми технологиями. Кроме того, для интерфейсов «от кристалла к кристаллу» не требуется согласованной скорости линии / передачи и количества дорожек, в то время как FEC может потребоваться, а может и не потребоваться в зависимости от требований к задержке.

Следует отметить, что несколько компаний активно занимаются агрегацией SoC / ASIC для коммутаторов и других систем.Точно так же полупроводниковая промышленность разрабатывает ASIC с интерфейсами «кристалл-кристалл» на ведущих узлах FinFET, в то время как по крайней мере один серверный чип следующего поколения разрабатывается с дезагрегированным вводом-выводом на отдельном кристалле.

Заключение

За последние пять лет полупроводниковая промышленность столкнулась с множеством сложных проблем. К ним относятся увеличение затрат на разработку, размытие ASP, насыщение рынка и повышенная, но неустойчивая деятельность по слияниям и поглощениям. В течение 2018 года полупроводниковая промышленность продолжает стремиться к возвращению к стабильности и органическому росту в рамках параметров новой бизнес-парадигмы, одновременно жизнеспособной и основанной на сотрудничестве.В этом контексте компании, производящие полупроводники, осознают потенциал новых рынков и возможности получения дохода в дальнейшем, поскольку они исследуют более комплексную модель «кремний для обслуживания», которая охватывает центр обработки данных и мобильную периферию.

Сюда входят решения для сквозной безопасности IoT и услуги на основе PaaS, такие как конфигурация функций на месте, расширенная аналитика, предупреждения о профилактическом обслуживании, алгоритмы самообучения и интеллектуальное упреждающее взаимодействие с клиентами. Помимо услуг, концепция оборудования с открытым исходным кодом и создание микросхем из разукрупненных, предварительно проверенных микросхем начинает набирать обороты, поскольку компании переходят к сокращению затрат и сокращению времени вывода на рынок гетерогенных конструкций.

Конкретные стратегии раскрытия всего потенциала полупроводников, несомненно, будут различаться, поэтому для нас важно изучить будущее, в котором отрасль, наряду с различными исследовательскими организациями и государственными учреждениями, будет играть открытую и совместную роль, помогая устойчивой монетизации и кремний, и сервисы.

Для получения дополнительной информации по этой теме посетите сайт Rambus.

Шрикант Лохокаре, доктор философии, является вице-президентом и исполнительным директором Global Semiconductor Alliance в Северной Америке.

Автоматизированная система тестирования мощных транзисторов IBGT и MOSFET

Автор (ы):

Норайр Арутюнян — Найдите этого автора в сообществе разработчиков NI
Вардан Алексанян — Найдите этого автора в сообществе разработчиков NI
Ваан Саакян — Найдите этого автора в сообществе разработчиков NI

Project Integration, партнер NI Silver Alliance, обеспечивает проектирование, внедрение, установку и обслуживание современных промышленных измерительных и автоматизированных систем тестирования.Квалифицированные инженеры компании используют технологии проектирования графических систем NI для проектирования, создания прототипов и развертывания решений в области автоматизированного тестирования и управления производством. Они также предлагают комплексный подход к требованиям клиентов.

Особенности и возможности внедренной системы ATE

Транзисторы являются активными компонентами и широко используются в электронных схемах в качестве усилителей или переключающих устройств. В качестве усилителей они используются в высокочастотных и низкочастотных каскадах, генераторах, модуляторах, детекторах и в любых функциональных схемах.В цифровых схемах они используются как переключатели. Принципиально важно измерять и тестировать параметры транзисторов, чтобы гарантировать бесперебойную работу.

Мы основали испытательную систему для мощных транзисторов IBGT и MOSFET на платформе NI PXI и стороннем усилителе мощности сигнала. Мы также снабдили систему программным обеспечением, разработанным с использованием графической среды программирования LabVIEW. Мы значительно сократили время, необходимое для интеграции системы со сторонним оборудованием, за счет использования программных и аппаратных платформ NI.

Мы разработали нашу тестовую систему для:

• Измерение статических и динамических параметров мощных IGBT и MOSFET транзисторов
• Самотестирование измерительной системы
• Самокалибровка измерительной системы

Программное обеспечение измерительной системы

Мы разработали программное обеспечение измерительной системы для измерения статических и динамических параметров следующих устройств:

• Мощные IGBT транзисторы
• Мощные МОП-транзисторы

Программа позволяет нам:

• Измерение параметров ИУ
• Настройка параметров тестируемых устройств
• Создание, сохранение и загрузка файлов конфигурации теста, содержащих информацию об условиях и ограничениях теста для каждого параметра
• Установить порядок измерения выбранных параметров
• Установите режим измерения (последовательный, пошаговый, до первого отказа, до следующего отказа, цикл)
• Представление результатов измерения в графическом или табличном формате
• Провести статистический анализ результатов измерений
• Экспортируйте результаты измерений в виде файла.csv файл
• Сохранение результатов измерений в базе данных
• Выполните самотестирование и самокалибровку для проверки работоспособности тестовой системы

Список аппаратного обеспечения NI

• NI PXIe-1078 9-слотовое шасси PXI Express высотой 3U с переменным током — до 1,75 ГБ / с
• NI PXIe-8135 Четырехъядерный контроллер PXI Express с частотой 2,3 ГГц
• NI PXIe-2569 Универсальные SPST-реле высокой плотности
• NI PXIe-5162 1.10-разрядный осциллограф / дигитайзер, 5 ГГц, 5 Гвыб. / С
• NI PXI-6259 16-бит, 1 Мвыб. / С (многоканальный), 1,25 Мвыб. / С (1-канальный), 32 аналоговых входа
• NI PXI-4071 Цифровой мультиметр в формате PXI (DMM)
• NI PXI-5402 Генератор произвольных функций 20 МГц
• NI PXI-4110 Программируемый источник питания постоянного тока с тремя выходами (x2)

Параметры измерения

Разработанная система ATE измеряет следующие параметры:

Статические и динамические параметры мощных МОП-транзисторов

• Ток утечки затвора
• Остаточный ток стока
• Начальный ток стока
• Напряжение пробоя сток-исток
• Пороговое напряжение
• НА сопротивление
• Дифференциальная крутизна
• Входная, выходная и передаточная емкости
• Заряд затвора, заряд затвор-исток, заряд затвор-сток
• Время задержки, подъема, спада, разряда

Статические и динамические параметры мощных IGBT транзисторов

• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
• Ток отсечки коллектор-эмиттер
• Ток утечки затвор-эмиттер
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
• Пороговое напряжение затвор-эмиттер
• Входная, выходная и передаточная емкости
• Заряд затвора, заряд затвор-эмиттер, заряд затвор-коллектор
• Время задержки, подъема, спада, разряда
• Потери при включении и выключении

Информация об авторе:

Вардан Алексанян
Найдите этого автора в сообществе разработчиков NI

.