Как проверить транзистор на работоспособность: Как проверить работоспособность транзистора мультиметром

Как проверить работоспособность транзистора мультиметром

Давайте займемся теорией, повремените убегать. Портал ВашТехник наряду с заумными сентенциями, рассчитанными быть понятыми профи, предоставит методику пяти пальцев. Не слышали? Просто, как пять пальцев. Сначала обсудим типы транзисторов, потом расскажем, что можно сделать при помощи мультиметра. Рассмотрим штатные гнезда hFE (объясним, что это такое), методику замещения схемы через соединение нескольких диодов. Расскажем, с чего начать. Поймете, как проверить транзистор мультиметром, или… Давайте, пожалуй, без «или». Приступим, чтобы твердо отличать МОП-транзистор от мопса, растолчем теорию.

Типы, классификация транзисторов

Избегаем исследовать дебри. Знайте простое правило: в биполярных транзисторах носители обоих знаков участвуют в создании выходного тока, в полевых – одного. Определение умников. Теперь работаем пальцами:

Устройство транзисторов

1. Транзисторы полевого типа выступают началом. Когда Битлз выходили на сцену, на замену вакуумным триодам стали приходить полупроводники. Если говорить кратко, p-n-p транзистор – два богатых положительными носителями слоя кристалла (кремний, германий, примесной проводимости). Проводя уроки физики, учитель часто рассказывал, как V-валентный мышьяк легировал решетку кремния, образуя новый материала. Добавим, что положительные p-области, отгорожены узкой отрицательной (n-negative). Как ком в горле. Узкий перешеек, называемый базой, отказывается пускать электроны (в нашем случае скорее дырки) течь в нужном направлении. Небольшой отрицательный заряд появляется на управляющем электроде, дырки коллектора (верхняя p-область на традиционных электрических схемах) больше не могут сдерживаться, буквально рвутся в сторону приложенного напряжения. Поскольку база тонкая, используя набранную скорость носители пролетают перешеек, уносятся дальше — достигая эмиттера (нижняя p-область), здесь увлекаются разностью потенциалов, создаваемой напряжением питания. Типичное школьное объяснение. Относительно небольшое напряжение управляющего электрода способно регулировать скорость сильного потока дырок (положительных носителей), увлекаемого полем напряжения питания. На этом построена техника. Навстречу дыркам движутся электроны, транзисторы называют биполярными.
2. Полевые транзисторы снабжены каналом любого типа проводимости, разделяющим области истока и стока (см. рисунок выше). Управляющий электрод называют затвором. Причем основной материал подложки, затвора противоположен каналу, истоку и стоку. Поэтому положительное напряжение (см. рисунок) запрет ход зарядам через транзистор. Плюс оттянет (в p-область) доступные электроны. Полевые транзисторы в электронике применяются намного чаще. На рисунке затвор электрически соединен с кристаллом, структура называется управляющим p-n переходом. Бывает, область изолирована от кристалла диэлектриком, в качестве которого часто выступает оксид. Чистой воды MOSFET транзистор, по-русски – МОП.

Схема проверки транзистора

При помощи мультиметра, в штатном режиме проверяются биполярные транзисторы. Если тестер поддерживает такую опцию, часто именуемую hFE, на лицевой панели смонтирован круглый разъем, поделенный вертикальной чертой на две части, где надписаны по 4 гнезда следующим образом:

1. B – база (англ. Base).
2. С – коллектор (англ. Collector).
3. E – эмиттер (англ. Emitter).

Гнезд для эмиттера два, чтобы учесть раскладку выводов корпуса. База может быть с края, посередине. Для удобства сделано. Нет разницы, в какое гнездо вставить ножку эмиттера биполярного транзистора. Пара слов, как пользоваться.

Проверка элементов омметром

Опубликовал Александр Дудкин

8 августа, 2008

Почти каждый радиолюбитель располагает в качестве измерительного прибора авометром — цифрового или стрелочного типа, в состав которого входит омметр. Однако не все начинающие радиолюбители знают, что омметром можно проверять почти все радиоэлементы: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, трансформаторы, диоды, тиристоры, транзисторы, некоторые микросхемы.

Проверка резисторов

Проверка постоянных резисторов производится омметром путем измерения их сопротивления и сравнения с номинальным значением, которое указано на самом резисторе и на принципиальной схеме аппарата. При измерении сопротивления резистора полярность подключения к нему омметра не имеет значения. Необходимо помнить, что действительное сопротивление резистора может отличаться по сравнению с номинальным на величину допуска.

При проверке переменных резисторов измеряется сопротивление между крайними выводами, которое должно соответствовать номинальному значению с учетом допуска и погрешности измерения, а также необходимо измерять сопротивление между каждым из крайних выводов и средним выводом. Эти сопротивления при вращении оси из одного крайнего положения в другое должны плавно, без скачков изменяться от нуля до номинального значения. При проверке переменного резистора, впаянного в схему, два из его трех выводов необходимо выпаивать

Проверка конденсаторов

В принципе конденсаторы могут иметь следующие дефекты: обрыв, пробой и повышенная утечка. Пробой конденсатора характеризуется наличием между его выводами короткого замыкания, то есть нулевого сопротивления. Поэтому пробитый конденсатор любого типа легко обнаруживается омметром путем проверки сопротивления между его выводами. Конденсатор не пропускает постоянного тока, его сопротивление постоянному току, которое измеряется омметром, должно быть бесконечно велико.

Однако имеется большая группа конденсаторов, сопротивление утечки которых сравнительно невелико. К ней относятся все полярные конденсаторы, которые рассчитаны на определенную полярность приложенного к ним напряжения, и эта полярность указывается на их корпусах. При измерении сопротивления утечки этой группы конденсаторов необходимо соблюдать полярность подключения омметра (плюсовой вывод омметра должен присоединяться к плюсовому выводу конденсатора), в противном случае результат измерения будет неверным.

К этой группе конденсаторов в первую очередь относятся все электролитические конденсаторы КЭ, КЭГ, ЭГЦ, ЭМ, ЭМИ, К50, ЭТ, ЭТО, К51, К52 и оксидно-полупроводниковые конденсаторы К53. Сопротивление утечки исправных конденсаторов этой группы должно быть не менее 100 кОм, а конденсаторов ЭТ, ЭТО, К51, К.52 и К53— не менее 1 МОм. При проверке конденсаторов большой емкости нужно учесть, что при подключении омметра к конденсатору, если он не был заряжен, начинается его зарядка, и стрелка омметра делает бросок в сторону нулевого значения шкалы. По мере зарядки стрелка движется в сторону увеличения сопротивлений.

Чем больше емкость конденсатора, тем медленнее движется стрелка. Отсчет сопротивления утечки следует производить только после того, как она практически остановится. При проверке конденсаторов емкостью порядка 1000 • мкФ на это может потребоваться несколько минут. Внутренний обрыв или частичная потеря емкости конденсатором не могут быть обнаружены омметром, для этого необходим прибор, позволяющий измерять емкость конденсатора. Однако обрыв конденсатора емкостью более 0,2 мкФ может быть обнаружен омметром по отсутствию начального скачка стрелки во время зарядки.

Следует заметить, что повторная проверка конденсатора на обрыв по отсутствию начального скачка стрелки может производиться только после снятия заряда, для чего выводы конденсатора нужно замкнуть на короткое время. Конденсаторы переменной емкости проверяются омметром на отсутствие замыканий. Для этого омметр подключается к каждой секции агрегата и медленно поворачивается ось из одного крайнего положения в другое. Омметр должен показывать бесконечно большое сопротивление в любом положении оси,

Проверка катушек индуктивности

При проверке катушек индуктивности омметром контролируется только отсутствие в них обрыва. Сопротивление однослойных катушек должно быть равно нулю, сопротивление многослойных катушек близко к нулю. Иногда в паспортных данных аппарата указывается сопротивление многослойных катушек постоянному току и на его величину можно ориентироваться при их проверке. При обрыве катушки омметр показывает бесконечно большое сопротивление. Если катушка имеет отвод, нужно проверить обе секции катушки, подключая омметр сначала к одному из крайних выводов катушки и к ее отводу, а затем — ко второму крайнему выводу и отводу.

Проверка низкочастотных дросселей и трансформаторов. Как правило, в паспортных данных аппаратуры или в инструкциях по ее ремонту указываются значения сопротивлений обмоток постоянному току, которые можно использовать при проверке трансформаторов и дросселей. Обрыв обмотки фиксируется по бесконечно большому сопротивлению между ее выводами. Если же сопротивление значительно меньше номинального, это может указывать на наличие короткозамкнутых витков.

Однако чаще всего короткозамкнутые витки возникают в небольшом количестве, когда происходит замыкание между соседними витками, и сопротивление обмотки изменяется незначительно. Для проверки отсутствия короткозамкнутых витков можно поступить следующим образом. У трансформатора выбирается обмотка с наибольшим количеством витков, к одному из выводов которой подключается омметр с помощью зажима “крокодил”. Ко второму выводу этой обмотки прикасаются слегка влажным пальцем левой руки.

Держа металлический наконечник второго щупа омметра правой рукой, подключают его ко второму выводу обмотки, не отрывая от него пальца левой руки. Стрелка омметра отклоняется от своего начального положения, показывая сопротивление обмотки. Когда стрелка остановится, отводят правую руку с щупом от второго вывода обмотки. В момент разрыва цепи при исправном трансформаторе чувствуется легкий удар электрическим током за счет ЭДС самоиндукции, возникающей при разрыве цепи.

В связи с тем, что энергия разряда мизерна, никакой опасности такая проверка не представляет. При наличии короткозамкнутых витков в проверяемой обмотке или в других обмотках трансформатора ЭДС самоиндукции резко падает и электрического удара не ощущается. Омметр при этом нужно использовать на самом меньшем пределе измерения, который соответствует наибольшему току измерения.

Проверка диодов

Полупроводниковые диоды характеризуются резко нелинейной вольтамперной характеристикой. Поэтому их прямой и обратный токи при одинаковом приложенном напряжении различны. На этом основана проверка диодов омметром. Прямое сопротивление измеряется при подключении плюсового вывода омметра к аноду, а минусового вывода — к катоду диода. У пробитого диода прямое и обратное сопротивления равны нулю. Если диод оборван, оба сопротивления бесконечно велики.

Указать заранее значения прямого и обратного сопротивлений или их соотношение нельзя, так как они зависят от приложенного напряжения, а это напряжение у разных авометров и на разных пределах измерения различно. Тем не менее у исправного диода обратное сопротивление должно быть больше прямого. Отношение обратного сопротивления к прямому у диодов, рассчитанных на низкие обратные напряжения, велико (может быть более 100). У диодов, рассчитанных на большие обратные напряжения, это отношение оказывается незначительным, так как обратное напряжение, приложенное к диоду омметром, мало по сравнению с тем обратным напряжением, на которое диод рассчитан.

Методика проверки стабилитронов и варикапов не отличается от изложенной. Как известно, если к диоду приложено напряжение, равное нулю, ток диода также будет равен нулю. Для получения прямого тока необходимо приложить к диоду какое-то пороговое небольшое напряжение. Любой омметр обеспечивает приложение такого напряжения. Однако если соединено последовательно и согласно (в одну сторону) несколько диодов, пороговое напряжение, необходимое для отпирания всех диодов, увеличивается и может оказаться больше, чем напряжение на клеммах омметра. По этой причине измерить прямые напряжения диодных столбов или селеновых столбиков при помощи омметра оказывается невозможно.

Проверка тиристоров

Неуправляемые тиристоры (динисторы) могут быть проверены таким же образом, как диоды, если напряжение отпирания динистора меньше напряжения на клеммах омметра. Если же оно больше, диннстор при подключении омметра не отпирается и омметр в обоих направлениях показывает очень большое сопротивление. Тем не менее, если диннстор пробит, омметр это регистрирует нулевыми показаниями прямого и обратного сопротивлений.

Для проверки управляемых тиристоров (тринисторов) плюсовой вывод омметра подключается к аноду тринистора, а минусовой вывод — к катоду. Омметр при этом должен показывать очень большое сопротивление, почти равное бесконечному. Затем замыкают выводы анода и управляющего электрода тринистора, что должно приводить к резкому уменьшению сопротивления, так как тринистор отпирается. Если после этого отключить управляющий электрод от анода, не разрывая цепи, соединяющей анод тринистора с омметром, для многих типов тринисторов омметр будет продолжать показывать низкое сопротивление открытого тринистора.

Это происходит в тех случаях, когда анодный ток тринистора оказывается больше так называемого тока удержания. Тринистор остается открытым обязательно, если анодный ток больше гарантированного тока удержания. Это требование является достаточным, но не необходимым. Отдельные экземпляры тринисторов одного и того же типа могут иметь значения тока удержания значительно меньше гарантированного. В этом случае тринистор при отключении управляющего электрода от анода остается открытым. Но если при этом тринистор запирается и омметр показывает большое сопротивление, нельзя считать, что тринистор неисправен.

Проверка транзисторов

Эквивалентная схема биполярного транзистора представляет собой два диода, включенных навстречу один другому. Для p-n-р транзисторов эти эквивалентные диоды соединены катодами, а для n-p-n транзисторов — анодами. Таким образом, проверка транзистора омметром сводится к проверке обоих р-n переходов транзистора: коллектор — база и эмиттер — база. Для проверки прямого сопротивления переходов p-n-р транзистора минусовой вывод омметра подключается к базе, а плюсовой вывод омметра — поочередно к коллектору и эмиттеру. Для проверки обратного сопротивления переходов к базе подключается плюсовой вывод омметра.

При проверке n-р-n транзисторов подключение производится наоборот: прямое сопротивление измеряется при соединении с базой плюсового вывода омметра, а обратное сопротивление — при соединении с базой минусового вывода. При пробое перехода его прямое и обратное сопротивления оказываются равными нулю. При обрыве перехода его прямое сопротивление бесконечно велико. У исправных маломощных транзисторов обратные сопротивления переходов во много раз больше их прямых сопротивлений. У мощных транзисторов это отношение не столь велико, тем не менее, омметр позволяет их различить.

Из эквивалентной схемы биполярного транзистора вытекает, что с помощью омметра можно определить тип проводимости транзистора и назначение его выводов (цоколевку). Сначала определяют тип проводимости и находят вывод базы транзистора. Для этого один вывод омметра подключают к одному выводу транзистора, а другим выводом омметра касаются поочередно двух других выводов транзистора. Затем первый вывод омметра подключают к другому выводу транзистора, а другим выводом омметра касаются свободных выводов транзистора. Затем первый вывод омметра подключают к третьему выводу транзистора, а другим выводом касаются остальных.

После этого меняют местами выводы омметра и повторяют указанные измерения. Нужно найти такое подключение омметра, при котором подключение второго вывода омметра к каждому из двух выводов транзистора, не подключенных к первому выводу омметра, соответствует небольшому сопротивлению (оба перехода открыты).

Тогда вывод транзистора, к которому подключен первый вывод омметра, является выводом базы. Если первый вывод омметра является плюсовым, значит, транзистор относится к n-p-n проводимости, если — минусовым, значит, p-n-р проводимости. Теперь нужно определить, какой из двух оставшихся выводов транзистора является выводом коллектора.

Для этого омметр подключается к этим двум выводам, база соединяется с плюсовым выводом омметра при n-р-n транзисторе или с минусовым выводом омметра при р-n-р транзисторе и замечается сопротивление, которое измеряется омметром. Затем выводы омметра меняются местами, (база остается подключенной к тому же выводу омметра, что и ранее) и вновь замечается сопротивление по омметру. В том случае, когда сопротивление оказывается меньше, база была соединена с коллектором транзистора. Полевые транзисторы проверять не рекомендуется.

Проверка микросхем

При помощи омметра можно производить проверку тех микросхем, которые представляют собой набор диодов или биполярных транзисторов. Таковы, например, диодные сборки и матрицы КДС111, КД906 и микросхемы К159НТ, К198НТ и другие.

Проверка диода, транзистора производится по уже описанной методике. Если неизвестно назначение выводов сборки или микросхемы, оно также может быть определено, хотя из-за наличия нескольких транзисторов в одном корпусе приходится проводить более громоздкие измерения. При этом нужно установить систему подключения омметра к выводам, чтобы выполнить все возможные комбинации.

Поделиться в соц. сетях

Нравится

(Посещений: 1 108, из них сегодня: 1)

Ремонт, Электроникадиоды, катушки, конденсаторы, микросхемы, мультиметр, проверка, резисторы, ремонт, тестер, тиристоры, транзисторы

Понравилась публикация? Почему нет? Оставь коммент ниже или подпишись на feed и получай список новых статей автоматически через feeder.

Проверка биполярного транзистора мультиметром в штатном режиме

Чтобы гнездо проверки биполярных транзисторов начало работать (вести измерения), переведем тестер в режим hFE. Откуда взялись буквы? h – касается категории параметров, описывающих четырехполюсник любого типа. Не важно знать, что подразумевает понятие – просто уясним: существует целая группа h-параметров, среди которых имеется один важный занимающимся электроникой. Называется коэффициентом усиления по току с общим эмиттером. Обозначается, h31 (либо строчной греческой буквой бета).

Цифровая мнемоника плохо воспринимается человеческим глазом, поэтому было решено (за рубежом, понятное дело), что F будет обозначать прямое усиление по току (forward current amplification), тогда как E говорит, что измерение велось в схеме с общим эмиттером (которая применяется учебниками физики для иллюстрации принципов работы транзисторов биполярного типа). Схем включения много, каждая обладает достоинствами, параметры можно охарактеризовать через h31 (некоторые другие, упомянутые справочниками). Считается, если коэффициент усиления в норме, радиоэлемент 100% работоспособен. Теперь читатели знают, как проверяется p-n-p транзистор или n-p-n транзистор.

h31 зависит от некоторых параметров, указываемых инструкцией мультиметра. Напряжение питания 2,8 В, ток базы 10 мА. Дальше берутся графики технической документации (data sheet) транзистора, профессионал знает, как найти остальное. При включении режима hFE, подсоединении ножек биполярного транзистора в нужные гнезда на дисплее появляется значение коэффициента усиления прибора по току. Потрудитесь сопоставить справочным данным, сделав поправку на режим измерения (если понадобится). Только звучит сложно, достаточно пару раз сделать самостоятельно, добьетесь результатов.

Зачем нужно проверять транзистор

Транзистором в современной трактовке называется полупроводниковый радиоэлемент, главная задача которого — изменять параметры тока и управлять им. Все без исключения транзисторы имеют три ножки (они еще называются выводами), каждый из которых называется по-своему: база, эмиттер и коллектор. Физические их размеры удивляют своим многообразием: начиная от тех малюток, которые используются в микросхемах с размером всего в несколько нанометром, и заканчивая мощнейшими для применения в энергетических устройствах размерами, в диаметре достигающие нескольких сантиметров.

Сама конструкция представляет собой корпус, внутри которого находятся полупроводниковые прослойки. Для их изготовления применяются такие материалы, как кремний, германий и другие. Ученые в результате исследований на тему введения новых материалов для этой роли, пришли к выводу, что вполне могут использоваться полимеры, не все, а лишь некоторые их виды.

Транзисторы по технологии из производства подразделяют на два вида:

• Биполярные – они в свою очередь тоже подразделяются на: npn транзистор и pnp. Работают они абсолютно одинаково, единственное, что отличает их -это лишь полярность напряжений, которые подаются на n-p-n и p-n-p переходы. Часто этот вид транзисторов называют обычными, поскольку их используют намного чаще.

• Полевые – созданы как противоположность биполярных. У них большое входное сопротивление, они дешевле и технологичнее первых. Из-за большого входного сопротивления они почти что не потребляют ток управления. Они могут быть с каналом n-типа и p-типа.

Практически каждый из нас сталкивался с тем, когда из-за поломки какой-нибудь детали перестает работать всё устройство. Для этого надо провести проверку, исключить целые детали, выявить сломанную и заменить ее.

Любая электрическая схема, несомненно, требует правильной и тщательной сборки, и все элементы, входящие в эту схему, должны быть исправны – только тогда все будет работать. Транзисторы невероятно распространены в радиотехнической сфере, поэтому нужно обязательно знать и уметь проверить его и определить стоит его использовать дальше или выбросить и установить новый. Для того, чтобы проводить проверку нужно знать его модель и тип. В зависимости от этого выбирается способ проверки, так как он не один и работоспособность транзистора осуществляется разными методами и зависит от его типа.

Как показывает практика, транзисторы — это те детали, которые сгорают чаще всех. Самые частые причины можем перечислить:

• Повреждены выводы транзистора
• Потеря мощности
• Пробои перехода
• Пробои на участке эмиттера или коллектора
• Обрыв одного из переходов

Провести их проверку совсем не сложно. Первым делом нужно хорошо осмотреть транзистор, сделать его визуальную оценку, при этом не отделяя его от схемы. Он должен выглядеть так, каким он был при установке. Если на нем появились темные пятна, либо полностью поменялся цвет, каким-то образом изменилась его форма – все это прямой показатель того, что транзистор не работает, он сломан и нуждается в замене.

Повреждение может произойти по нескольким причинам: это может быть из-за перегрева при производстве паяльных работ, из-за неправильной эксплуатации устройства.

Проверка транзисторов мультиметром: нештатный режим

Допустим, вызывает сомнение исправность транзистора полевого типа. Известный русский вопрос в электронике присутствует. Начинают думать… м-да.

• Полевой транзистор отпирается или запирается определенным знаком напряжения. Обсуждали выше. Если помните, говорили, при прозвонке на щупах тестера небольшое постоянное напряжение. Будем использовать в наших тестах. Пока транзистор на плате, сложно сделать измерения, стоит изъять из привычного окружения, как можно применить нестандартные методики. Оказывается, если приложить на электрод отпирающее напряжение, за счет некоторой собственной емкости транзистора область зарядится, сохраняя приобретенные свойства. Допускается прозвонить электроды между истоком и стоком. Сопротивление порядка 0,5 кОм покажет: полевой транзистор работоспособен. Стоит закоротить базу с другими отводами, проводимость исчезнет. Полевой транзистор закрылся и годен.
• Биполярные транзисторы, полевые с управляющим p-n переходом проверяют гораздо проще. В первом случае применяется схема замещения элемента двумя диодами, включенными навстречу (или наоборот спинками). Подадим отпирающее напряжение (p – плюс, n – минус), получив на измерителе сопротивления номинал 500 – 700 Ом. Можно также звонить, пользуясь слухом. Недаром на шкале часто нарисован диод. Прозвонка используется для проверки работоспособности. Напряжения хватает открыть p-n-переход.

Подготовка к проверке транзистора

Временами схватишь руками составной транзистор. Внутри корпуса находиться несколько ключей. Используется для экономии места при одновременном увеличении коэффициента усиления (причем в десятки, тысячи раз, если речь шла о каскадной схеме). Устроен так транзистор Дарлингтона. В корпус зашит защитный стабилитрон, предохраняющий переход эмиттер-база от перегрузки по напряжению. Тестирование идет одним путем:

• Нужно найти подробные технические характеристика транзистора (составного элемента). При нынешнем масштабе компьютеризации не составит проблемы. Даже если изделие импортное. Обозначения на схемах понятные, термины не сложные. Параметр hFE расписали.
• Затем ведется изучение, выполняется анализ. Разбиение схемы на более простые составляющие. Если между переходами коллектора и эмиттера включен стабилитрон, логично начать проверку с него. В начальный момент транзистор заперт, ток мультиметра пойдет, минуя защитный каскад. В одном направлении стабилитрон даст сопротивление 500-700 Ом, в другом (если не пробьется) будет обрыв. Аналогично разобьем на части транзистор Дарлингтона, если имеете представление (обсуждали выше).

Режим прозвонки покажет цифры. Говорят, падение напряжения, по некоторым сведениям, номинал сопротивления. Потрудимся привести опыты, решая вопрос. Вызвонить известный по значению сопротивления, заведомо исправный резистор. Если на экране появится номинал в омах, думать нечего. В противном случае можно оценить заодно ток (разделив потенциал дисплея на номинал). Знать тоже нужно, пригодится в процессе тестирования. До начала работ рекомендуется хорошенько изучить мультиметр. Достаньте инструкцию из мусорной корзины, прочитайте.

Народ интересуется вопросом, можно ли проверить транзистор мультиметром, не выпаивая. Очевидно, многое определено схемой. Тестер просто прикладывает напряжения, оценивает возникающие токи. На основе показаний вычисляется коэффициент усиления, служа критерием годности/негодности. Попробуйте проверить полевой транзистор мультиметром из входящих в состав процессора! Отбрось надежду всяк сюда входящий. Не всегда можно прозвонить полевой транзистор мультиметром.

Как проверить транзистор мультиметром

Универсальный прибор, которому по плечу проверка любого транзистора, вне зависимости от его разновидности – это мультиметр. При этом он тоже может быть любым — как современным с жидкокристаллическим дисплеем, так и аналоговым.

При выборе аналогового прибора нужно выбирать его нижний предел, но для этого сначала нужно вспомнить каким образом проверяются обычные диоды. При получении результатов замеров в случае использования именно аналогового вида они отслеживаются по стрелке, на приборе имеются показатели силы тока, сопротивления и напряжения. Некоторые мультиметры оснащены не очень удобной шкалой, что по большому счету ни на что не влияет, кроме как на то, что новички могут быть недовольны пользованием, так как такие измерения доставляют небольшие сложности при считывании результатов. Эти приборы достаточно распространены, они более доступны из-за их невысокой стоимости, однако их главный недостаток – это большая погрешность при замерах. Конечно, в них имеется возможность подобраться к более точным результатам, используя специальный резистор, однако, все равно, для мастера получение более точных результатов должно стоять на первом месте.

Цифровые мультиметры обладают высокой точностью и результаты их работы выводятся на дисплей, они просты в применении, не нужно вглядываться в шкалу и высчитывать доли показаний.

Обязательно перед началом измерений, как уже упоминалось ранее, нужно выяснить марку и тип проверяемого транзистора. Это делается с использованием справочных материалов, каких сейчас огромное множество в свободном доступе. Метод прозвонки тоже может помочь это определить.

Для того, чтобы приступить необходима распиновка, то есть определение местоположения всех трех выводов, поскольку у разных транзисторов они на разных местах.

Всегда начинают с определения нахождения базы, это делается путем перебора, измерительный прибор переходит в режим для прозвонки. Плюсовой щуп подцепляется к левому выводу, а второй присоединяем сначала к центральному, а затем к правому. Допустим, что тестер выдает единицу при первом положении, а во втором положении щупов появляются какие-нибудь показания, например, 500 мВ. Это ни о чем не говорит, поэтому делать какие-то выводы очень рано. После этого крепим положительный щуп к на середину, и оставшийся присоединяем сначала к левому, а затем и к правому выводам. Теперь тестер показывает единицу при первом соединении, а во втором — выдает значение, к примеру, 495 мВ. Полученные данные также не позволяют дать получить ответ. Поэтому переходим к следующему этапу: плюсовой щуп цепляем к правому выводу, а оставшийся второй как в предыдущих случаях, крепим к выводам, которые свободны: сначала к тому, что посередине, затем к левому. Если прибор в первом сочетании отражает единицу, во второй сочетании тоже единицу, то вывод из этого следует всего один: база транзистора расположена справа.

Треть дела сделана, поэтому сейчас нам нужно определить какие оставшиеся выводы где находятся. Переключаем наше измерительное устройство на измерение сопротивления 200кОм. Используем не только оставшиеся выводы, база нам тоже пригодится. Прикрепляем минусовой щуп на нее, а плюсовой присоединяем поочередно к тем выводам, наименование которых нам пока неизвестно. При этом смотрим на индикатор. Получаем два значения, например, на одном — 119 кОм, а на втором – 114,2 кОм. Заучив главное правило: где меньше сопротивление, там коллекторный вывод, мы легко получаем искомые данные,

Чтобы проверить работоспособность полевого транзистора нужно подсоединить красный щуп на его базу, а оставшийся подсоединить к коллектору и зафиксировать замер. После этого, черным щупом подсоединяемся к эмиттеру и опять снимаем замеры. Если переходы транзистора не пробиты, по падение напряжения на переходе «коллектор-эмиттер» должно быть в пределах от 300 до 750 мВ.

Затем приступаем к обратному измерению коллекторного и эмиттерного перехода. В процессе замеров на дисплее появится единица, что будет означать, что в данном режиме измерения, который мы выбрали, нет падения напряжения.

Данный алгоритм вполне подойдет для элементов, которые находятся на плате. Бывают такие случае, когда можно обеспечить полноценную проверку и не отсоединять его. Но нужно учитывать, что существуют дополнительные факторы, которые могут отражаться на значениях, выдаваемых измерительными приборами. Чтобы это вовремя пресечь нужно следить за показаниями эмиттерного и коллекторного перехода, эти значения не должны быть очень маленькими. Если вдруг это случилось, и вы видите низкие данные, то лучше отсоединить транзистор и переделать замеры.

Переходим к тому, как при помощи все того же мультиметра определить нерабочее состояние транзистора. Здесь все очень просто. Если на дисплее нет падения напряжения или же прибор показывает бесконечность при замере сопротивления прямого и обратного переходов, т.е. при прозвонке прибор выдает единицу – это свидетельствует о неисправности. Второй вариант заключается в том, что выявляется слишком большое падение напряжения на полупроводнике или величина сопротивления прямого и обратного перехода близка к нулю. Это доказательство того, что само строение внутри элемента нарушено и работать он уже не будет.

Для проверки транзисторов подойдет такой прибор как авометр. Он очень похож на мультиметр, но отличается тем, что в нем отсутствует режим прозвонки полупроводников. При использовании авометра нужно помнить, что полярность при установке режима омметра обратная, если сравнивать ее с режимом замера постоянного напряжения. Чтобы запомнить этот момент нужно при измерении красный щуп включать в гнездо «-».

Разбить биполярный транзистор на диоды

Рисунок, представленный среди текста, демонстрирует схему замещения транзистора двумя диодами. Позволит рассматривать усилительный элемент, представив суммой двух независимых более простых. Не обладающих усилением, проявляющих нелинейные свойства (неодинаковость прямого/обратного включения).

Мощные транзисторы силовых цепей бессилен открыть скудными силами мультиметр. Поэтому для тестирования устройств применяются специальные схемы. Нельзя проверить биполярный транзистор мультиметром напрямую.

Проверка диода

Проверка условных диодов, замещающих транзистор

Методик несколько. Можно попробовать измерить сопротивление стандартной шкалой Ω. Красный щуп нужно прикладывать к p-области. Тогда дисплей мультиметра покажет цифру, меньшую бесконечности. В противоположном направлении результат будет нулевым. Мультиметр покажет обрыв. Нормальные результаты прозвонки диода.

Если пользоваться специальным режимом, экран показывает размер сопротивления в прямом направлении, обрыв (стандартно единичка в левом углу ЖК-экрана) в другом. Обратите внимание – рисунок содержит поясняющие надписи, куда прислонять щуп, получая открытый p-n переход. В обратном направлении прибор показывает обрыв.

Как проверить биполярный транзистор, не выпаивая из схемы

Отсоединение транзистора от устройства, не только транзистора, но и любой другой детали — очень тонкое и почти ювелирное дело. Если это сделать неаккуратно, допустить хоть малейшую ошибку, то возможно прибор уже не удастся реанимировать, и он поедет на помойку. Чтобы выполнить проверку непосредственно на схеме можно действовать таким путем. Сначала, конечно же, транзистор должен быть визуально осмотрен, смысла в проверке не будет, если он выглядит плохо, имеет какие-либо повреждения.

Можно воспользоваться методом, который называется «прозвонка транзистора». Это методе заключается в проведении некоторого алгоритма отлаженных действий. Переводим прибор в режим измерения сопротивления.

Поскольку транзисторы трехвыводные, то будем считать, что это сродни двум диодам. Для прозвонки использоваться будет шесть вариантов – каждые два контакта будут проверяться в двух направлениях.

• Комбинация номер один — «база – эмиттер» — ток должен проводиться лишь в одну сторону, а само соединение должно быть похоже на диод.
• Вторая комбинация «база – коллектор» — ток проводится также лишь в одну сторону.
• Третье сочетание «эмиттер – коллектор» — ток не должен проводиться ни в одну из сторон.

Этот алгоритм действий был приведен на основе рассмотрения npn транзистора. В случае проведения такого же набора действий на pnp транзисторе картина принципиально отличаться не будет — она будет подобна, но с перевернутыми диодами. Чтобы это сделать щуп черного цвета соединяем с базой, а другим осторожно последовательно нужно дотронуться сначала эмиттера, а затем коллектора. При этом нужно отслеживать данные, которые будет показывать экран: если транзистор пригоден к использованию, то тестер покажет значение прямого сопротивления с приблизительным значением от 400 до 900 Ом.

Как провести проверку обратного сопротивления? Итак, красный щуп необходимо приложить к базовому выводу, второй щуп последовательно выполняет касания к оставшимся выводам. Смотри на прибор, он выдаст нам на двух переходах большой показатель сопротивления, в виде отражения единицы на экране, то есть оба перехода в работоспособном режиме, впрочем, как и транзистор, который мы тестируем.

Эта методика как раз рассказывает, как же выполнить проверку транзистора, оставляя его на схеме и не вырезая его со схемы. Все получится по той причине, что переходы мультиметра не зашунтированы резисторами. Если случится и прибор начнет отображать очень малые величины прямого сопротивления и обратного переходов сочетания «эмиттер-коллектор», то тогда нужно этот вопрос пересмотреть, и скорее всего необходимо будет произвести отсоединение транзистора.

Прежде чем мультиметром проверить транзистор типа npn, нужно щуп красного цвета соединить с базой, каким образом определив прямое сопротивление. Исправность устройства определяется таким же методом, как и транзистор pnp. Признаком неисправности может служить обрыв одного из переходов, где выявлена очень большая величина прямого или обратного сопротивления. Транзистор можно отправить в мусорное ведро, если на экране появляется нулевое значение.

Нужно запомнить, что этот способ ни в коем случае нельзя применять для полевого транзистора, он не подойдет, а применим лишь для биполярного. Поэтому прежде чем ринуться к транзистору и мультиметру, нужно обязательно проверить к какому типу транзисторов относится тот, который вы собрались проверить. После этого надо проверить сопротивление между коллектором и эмиттером. Делается это для исключения замыканий, ни в коем случае они не должны появиться.

Второй способ подразумевает использование омметра: будет замеряться только сопротивление, поскольку данный прибор не обладает никакими другими способностями, между выводами эмиттера и коллектора, соединив при этом выводы базовый и коллекторный, а затем базовый и эмиттерный. Первым делом, подключаем измерительный прибор последовательно сначала к первой паре выводов, потом ко второй паре выводов, потом к третьей. Нужно учесть, что полярность должна быть перенастроена. Поскольку переходы транзистора и есть полупроводниковые диоды, то тестирование проводится в точности также. Подключение омметра производят к соответствующим выводам транзистора.

Если транзистор может работать, то прямые сопротивления переходов равны примерно от 30 до 50 Ом, а обратные сопротивления от 0,5 до 2 Мом. Если показатели, полученные при проведении замеров, будут очень сильно разниться с указанными значениями, то этот транзистор неисправен. Проверка ВЧ транзисторов напряжение батареи измерительного прибора не должно быть больше полутора Вольт.

Резюме о проверке транзистора мультиметром

Некоторые радиолюбители скажут, что это никак не сделать, если у мультиметра нет функции измерения коэффициента усиления.

Но здесь надо обратить внимание на 3 момента:

• надо различать измерение усилительных свойств и простую проверку работоспособности;
• для проверки исправности достаточно знаний из школьного курса физики — как работает pn переход;
• если прочитав первые два пункта, вы, обрадовавшись, что не все так плохо и решите купить цифровой мультиметр, достаточно самого дешевого, безбрендового, где даже нет функции проверки диодов, а достаточно режима измерения сопротивления.

Методика

Проверку надо производить, предварительно выпаяв радиодеталь из печатной платы паяльником, иначе ток, который должен идти через транзистор будет «путешествовать» произвольным образом по печатным дорожкам платы, не позволяя установить истину, а если транзистор новый, то тогда вообще без вопросов — паять ничего не надо.

Если выводы жесткие, что обычно встречается в мощных силовых транзисторах, импульсных, или низкочастотных, то достаточно положить деталь на стол, чтобы прикоснуться измерительными щупами.

1. Включаем мультиметр, вставляем в разъемы щупы.
2. Переключаем в режим теста диодов (если он есть) или измерения сопротивления (если его нет) и вспоминаем, что транзисторы схематически и электрически состоят из двух полупроводниковых диодов, один из выводов каждого соединен с другим. Это и есть база, которую нужно для начала найти.
3. Далее, начинаем касаться кончиками наконечников контактов. Поставьте красный щуп на центральный контакт, а черным прикасайтесь к крайним контактам. Если мультиметр показывает падение напряжения на крайних контактах, значит, у вас NPN биполярный транзистор. Для проверки PNP транзисторов нужно касаться красным щупом крайних выводов, а на центральном выводе оставить черный щуп.
4. Если падение напряжения у NPN транзистора приблизительно одинаково и собственно вообще присутствует, значит транзистор исправен. При прикосновении красного щупа к крайним выводам транзистора падение будет наблюдаться на центральном — PNP транзистор исправен.
5. Если у мультиметра нет функции тестирования диодов, необходимо переключаться в режим измерения сопротивления, которой обладают все мультитестеры. Этот метод универсальный. В любом случае, если деталь исправна, от базы к коллектору или эмиттеру будет проходить ток, а вот в обратном направлении не будет. Если же ток будет проходить в обоих направлениях — транзистор неисправен.

Поделиться в соцсетях

Вопрос: Как проверить транзистор? — Дом и сад

В этом видео я покажу Как Проверить Транзистор Мультиметром и вы научитесь сами проверять mosfet транзисторы..
IRFZ44N http://ali.pub/3l198m.
МОЙ САЙТ https://spajalnikom.ru.
Instagram https://clck.ru/GuaKt.
Кэшбэк EPN http://ali.pub/32zfyh.
Расширение для браузера: http://ali.pub/2x31sw.
Мобильное расширение: http://ali.pub/2xca4v.
Webmoney:.
Z802785253946.
R219769680871.
В этом видео я покажу как проверить транзистор мультиметром и транзистор тестером.Как проверить mosfet транзистор мультиметром без транзистор тестера и дополнительных блоков питания..
хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления (h31э) пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультиметра..

Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода, причем каждый переход можно представить в виде диода (полупроводника). Поэтому можно утверждать, что транзистор — это два диода включенных встречно, а точка их соединения будет являться «базой»..
Отсюда получается, что один диод образован выводами, например, базы и коллектора, а другой диод выводами базы и эмиттера. Тогда нам будет достаточно проверить прямое и обратное сопротивление этих диодов, и если они исправны, значит, и транзистор работоспособен. Все очень просто..
Начнем с транзисторов структуры (проводимость) p-n-p. На принципиальных схемах структура транзисторов обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Если стрелка направлена к базе, значит это структура p-n-p, а если от базы, значит это транзистор структуры n-p-n..
Так вот, чтобы открыть p-n-p транзистор, на вывод базы подается отрицательное напряжение (минус). Мультиметр переводим в режим измерения сопротивлений на предел «2000», можно в режиме «прозвонка» — не критично..
Минусовым щупом (черного цвета) садимся на вывод базы, а плюсовым (красного цвета) поочередно касаемся выводов коллектора и эмиттера — так называемые коллекторный и эмиттерный переходы. Если переходы целы, то их прямое сопротивление будет находиться в пределах 500 – 1200 Ом..
Теперь проверяем обратное сопротивление коллекторного и эмиттерного переходов..
Плюсовым щупом садимся на вывод базы, а минусовым касаемся выводов коллектора и эмиттера. На этот раз мультиметр должен показать большое сопротивление на обоих p-n переходах..
В данном случае на индикаторе высветилась «1», означающая, что для предела измерения «2000» величина сопротивления велика, и составляет более 2000 Ом. А это говорит о том, что коллекторный и эмиттерный переходы целы, а значит, наш транзистор исправен..
Таким способом можно проверять исправность транзистора и на печатной плате, не выпаивая его из схемы..
В первую очередь, нужно определить вывод базы..
Плюсовым щупом мультиметра садимся, например, на левый вывод транзистора, а минусовым касаемся среднего и правого выводов. При этом смотрим, какую величину сопротивления показывает мультиметр..
Дорогие друзья, не забывайте делиться видео в своих соц. сетях, если вам понравилось видео – это поможет развитию моего канала, ваш Сергей Ткаченко..
Всем привет, меня зовут Сергей Ткаченко и я автор канала #Спаяльником. Вся моя жизнь связана с электроникой это мое хобби. В своем блоге я делюсь знаниями о электронике и ее ремонте, делаю интересные проекты, а также делюсь с Вами своими знаниями. Подписывайтесь не пожалеете! И не забудьте про колокольчик.
По рекламе и сотрудничеству: [email protected]
┈┈┈┈┈┈┈┈Мои Инструменты ┈┈┈┈┈┈┈┈.
Мультиметр UNI-T UT890C + http://ali.pub/2wv7xt.
MASTECH SMD тестер http://ali.pub/2wv8b1.
Щупы для мультиметра http://ali.pub/2wv8fi.
Паяльник ts100 http://ali.pub/2st24r.
Паяльная станция как у меня http://ali.pub/2st291.
Паяльный фен http://ali.pub/2st2bd.
Мой лабораторный блок питания https://goo.gl/HafVXw.
Мой осциллограф http://ali.pub/2vw02p.
esr meter http://ali.pub/2st1to.
Припой Kaina http://ali.pub/2st1vm.
Третья рука http://ali.pub/2st1z4.
Флюс Kingbo RMA-218 http://ali.pub/2wv8qz.
Флюс mechanic http://ali.pub/2wv8yk.
┈┈┈┈┈┈┈ ЭКОНОМЬ ПРИ ПОКУПКЕ ┈┈┈┈┈┈.
⇒ АКТИВАЦИЯ СКИДКИ на все товары Алиэкспресс:.
⇒ http://ali.pub/32zfyh.
⇒ Заработай на Алиэкспресс: http://ali.pub/32zfyh.
⇒ Расширение для браузера: http://ali.pub/2x31sw.
⇒ Мобильное расширение: http://ali.pub/2xca4v.
┈┈┈┈┈┈┈┈ Помощь каналу ┈┈┈┈┈┈┈┈.
Донаты: https://goo.gl/Uug3W3 или https://goo.gl/ou7gKD.
┈┈┈┈┈┈┈┈ СОЦСЕТИ ┈┈┈┈┈┈┈┈.
Группа канала ВК: https://vk.com/s_pajalnikom.
Группа канала ОК: https://www.ok.ru/group/54271903465693.
Мой канал Телеграмм https://t.me/Aliexpress_rulit2.
Мой канал Instagram https://clck.ru/GuaKt.
#транзистор #какпроверить #мультиметр #транзистортестер #mosfet #как #спаяльником

Как проверить транзистор? Воспользуйтесь мультиметром

Проверяем работоспособность транзистора мультиметром

При работах с печатными платами, разработке и создании микросхем, для того, чтобы оборудование в последующем было работоспособным необходимо очень внимательно относиться не только к сборке схемы, но и к подбору составляющих элементов. В этом случае одной из обязательных операций является их предварительное тестирование. При диагностике неисправности приборов приходится тестировать каждый элемент по отдельности, не нарушая схемы. Поэтому вопрос о том, как проверить транзистор мультиметром является для электронщиков, радиотехников весьма актуальным.

Транзисторы и их виды

Радиоэлемент с тремя контактами, триод, предназначен для управления током электроцепи при воздействии на него внешнего сигнала. Он используется при создании генераторов, усилителей, других подобных систем. Триоды лампового типа были очень громоздки, потребляли большое количество энергии, сильно нагревались. Сделать их более компактными, пригодными для миниатюризации оборудования позволило создание полупроводников. Полупроводниковый триод – транзистор, выполняет те же функции, но не требует предварительного разогрева, тратит минимальное количество энергии на «собственные нужды», очень компактен.

Современный рынок радиотехники предлагает несколько видов транзисторов:

• биполярные, имеют три вывода и два р-п перехода, действие их основано на движении свободных электронов, имеющих отрицательный заряд, и «дырок» (кристаллических структур в которых не хватает одного электрона), заряженных положительно, они находят широкое применение в электронике, радиотехнике;
• полевые, управляются входящим напряжением цепи, используются в видео-, аудиоаппаратуре, при изготовлении мониторов, блоков питания и так далее;
• составные (транзисторы Дарлингтона), это схема в которой участвуют два (или больше) биполярных транзистора, благодаря чему увеличивается их коэффициент по току, эти элементы востребованы в оборудовании, работающем с большими токами: стабилизаторы, усилители мощности и так далее;
• цифровой транзистор – обязательный элемент микроконтроллерной техники, видео-, аудиоаппаратуры, представляет собой биполярный транзистор и цепочку (1-2) резисторов, резистора и стабилитрона, их использование способствует сокращению площади печатной платы, уменьшает затраты на монтаж оборудования.

В случае возникновения неисправности оборудования, первым делом мастер сервиса, мастерской по ремонту аппаратуры проверяет мультиметром не выпаивая из схемы именно транзисторы.

Необходимость проверки транзисторов

Современный радиорынок предлагает широкий выбор транзисторов, производимых отечественными и зарубежными компаниями. Многие потребители отмечают, что случаи того, что новые элементы оказываются негодными, не являются редкостью. При чем, это может быть как отдельный экземпляр, так и партия, состоящая из 50-100 штук. Чаще всего этому подвержены мощные транзисторы. Поэтому каждый мастер, радиолюбитель знает, что даже новый, еще ни разу не паяный экземпляр перед монтажом необходимо проверить на работоспособность.

Работая над сборкой нового прибора, потребитель встречается с указанием в инструкции, описании к создаваемой конструкции, определенных требований к используемым транзисторам. Для определения параметров элементов существуют специальные приборы (испытатели транзисторов), которые позволяют измерять практически все характеристики. Но все же наиболее часто приходится выполнять тестирование по принципу «исправен/неисправен», для чего достаточно обычного мультиметра.

Радиолюбители, люди увлеченные самостоятельной сборкой, разработкой, созданием различного радио-, электро-, электронного оборудования довольно часто используют уже бывшие в использовании элементы, которые были получены в ходе демонтажа отслуживших свой срок плат, вышедших из строя, потерявших свою актуальность приборов. В этом случае необходимо проверять все используемые элементы, не только транзисторы, но и другие радиодетали. Ведь гораздо проще отбраковать еще не установленные экземпляры, чем потом, после завершения сборки конструкции убедиться в ее неработоспособности и искать неисправное, «слабое» звено.

Прибор для проверки транзисторов

Для определения характеристик транзисторов, проверки их исправности имеются специальные приборы, но гораздо проще и экономически оправдано воспользоваться мультиметром, прибором, который имеется под рукой у любого радиотехника, электронщика.

Мультиметр – универсальный, многофункциональный измеритель. Самые простые модели измеряют напряжение, сопротивление и силу тока. Однако производители не останавливаются на этом минимальном перечне. Новые, более современные модели способны измерять емкость конденсаторов, частоту электрического тока, имеют встроенный низкочастотный генератор, термометр, измеритель влажности, звуковой пробник и так далее. Среди их функций предусмотрена и возможность прозвона диодов, транзисторов: оценка падения напряжения на р-п переходе, измерение некоторых других характеристик, тестирование работоспособности.

Мультиметры, представленные на современном рынке подразделяются на две обширные категории: аналоговые и цифровые. Основное их отличие состоит в способе отображения результатов проведенных замеров. Аналоговые модели имеют циферблат, с нанесенными на нам шкалами и стрелку, по отклонению которой пользователь может судить о полученных данных. На точность информации оказывают влияние не только характеристики прибора и необходимость правильно выбрать диапазон предполагаемых значений, но и тот момент, что стрелка не «замирает» на одном месте, а постоянно совершает, пусть и не значительные колебания около некоторого значения.

Цифровые модели лишены этих недостатков, поскольку полученные с их помощью данные отображаются на дисплее, экране в цифровом виде. Разумеется, такие приборы имеет более высокую стоимость, но они точнее, удобнее в использовании, поэтому уверенно «отвоевывают» все новые «вершины».

Процесс проверки

Мультиметр небольшой, довольно плоский прибор прямоугольной формы. На лицевой его панели расположены: циферблат (дисплей), переключатель, другие кнопки управления, гнезда и выходы для подсоединения щупов. Область вокруг переключателя разделена на сегменты, измерительные диапазоны. Перед началом проведения тестирования пользователь, вращая рукоятку, выбирает нужный ему сегмент. Один из диапазонов сопротивления используется для «прозвона» транзисторов. Определить его можно по маркирующему знаку, представляющему собой символьное обозначение диода и звучащего динамика.

Прежде чем начинать проверку полупроводника, следует убедиться в исправности самого измерителя. Она состоит из простых, несложных операций:

• убедитесь, что батарея прибора заряжена, об этом будет свидетельствовать индикатор заряда;
• включите тестер и выберите режим «прозвона» транзистора, на дисплее должна отобразиться единица в старшем разряде;
• подключите к прибору щупы и соедините их вместе, должен прозвучать звуковой сигнал, а на экране индикатора высветиться нули, это свидетельствует об исправности мультиметра, данная процедура отнюдь не является лишней, поскольку обрыв проводов у щупов довольно распространенная неисправность.

После того как вы убедились в работоспособности тестера, можно приступать к проведению тестирования «прозвона» полупроводников, при этом необходимо внимательно отнестись к соблюдению полярности щупов: в гнездо «COM» вставляется черный, а в гнездо«VΩmA» красный.

Выводы р-п переходов называются эмиттер и коллектор, средний контакт – база. Красный щуп подключают к аноду, а черный к катоду, это прямое направление, на экране должно отобразиться значение напряжения. Если щупы поменять местами (обратное направление), то ток проходить не будет, на дисплее появится единица, обозначающая бесконечно большое значение напряжения. Если полупроводник неисправен, то в обоих случаях тестер издаст звуковой сигнал, а на дисплее по-прежнему будет высвечиваться единица.

Проводя процедуру проверки транзистора рекомендуется  выполнить шесть замеров, по одному в прямом и обратном направлениях:

• база-эмиттер;
• база-коллектор;
• эмиттер-коллектор.

Об исправности полупроводника свидетельствует:

• низкое сопротивление при прямом подключении постоянного тока;
• бесконечно большое при обратном.

О неработоспособности транзистора свидетельствуют:

• ноль или бесконечно большое сопротивление в обоих случаях;
• нестабильность показаний;
• любая значащая цифра при обратном подключении.

Основные способы проверки транзистора. Как проверить мультиметром транзистор: испытание различных типов устройств

Современные электронные мультиметры имеют специализированные коннекторы для проверки различных радиодеталей, включая транзисторы.

Это удобно, однако, проверка не совсем корректная. Радиолюбители со стажем помнят, как проверить транзистор тестером со стрелочной индикацией. Техника проверки на цифровых приборах не изменилась. Для точного определения состояния полупроводникового прибора, каждые его элемент тестируется отдельно.

Классика вопроса: как проверить биполярный транзистор мультиметром

Этот популярный проводник выполняет две задачи:

• Режим усиления сигнала. Получая команду на управляющие выводы, прибор дублирует форму сигнала на рабочих контактах, только с большей амплитудой;
• режим ключа. Подобно водопроводному крану, полупроводник открывает или закрывает путь электрическому току по команде управляющего сигнала.

Полупроводниковые кристаллы соединены в корпусе, образуя p-n переходы . Такая же технология применяется в диодах. По сути – биполярный транзистор состоит из двух диодов, соединенных в одной точке одноименными выводами.
Чтобы понять, как проверить транзистор мультиметром, рассмотрим отличие pnp и npn структуры.

Так называемый «прямой» (см. фото)

С обратным переходом, как изображено на фото

Разумеется, если вы спаяете диоды так, как показано на условной схеме – транзистор не получится. Но с точки зрения проверки исправности – можно представить, что у вас обычные диоды в одном корпусе.

То есть, положив перед собой схему полупроводниковых переходов, вы легко определите не только исправность детали в целом, но и локализуете конкретный неисправный p-n переход. Это поможет понять причину поломки, ведь полупроводник работает не автономно, а в составе электросхемы.

Как проверить биполярный транзистор мультиметром – видео.

Возникает резонный вопрос: Как определить маркировку выводов транзистора, не имея каталога? Такая практика пригодится не только для проверки радиодеталей. При сборке монтажной платы, незнание конструкции транзистора приведет к его перегоранию.

Перед началом ремонта электронного прибора или сборки схемы стоит убедиться в исправном состоянии всех элементов, которые будут устанавливаться. Если используются новые детали, необходимо убедиться в их работоспособности. Транзистор является одним из главных составляющих элементов многих электросхем, поэтому его следует прозвонить в первую очередь. Как проверить мультиметром транзистор подробно расскажет данная статья.

Главным компонентом в любой электросхеме является транзистор, который под влиянием внешнего сигнала управляет током в электрической цепи. Транзисторы делятся на два вида: полевые и биполярные.

Биполярный транзистор имеет три вывода: база, эмиттер и коллектор. На базу подается ток небольшой величины, который вызывает изменение в зоне эмиттер-коллектор сопротивления, что приводит к изменению протекающего тока. Ток протекает в одном направлении, которое определяется типом перехода и соответствует полярности подключения.

Транзистор данного типа оснащен двумя p-n переходами. Когда в крайней области прибора преобладает электронная проводимость (n), а в средней — дырочная (p), то транзистор называется n-p-n (обратная проводимость). Если наоборот, тогда прибор именуется транзистором типа p-n-p (прямая проводимость).

Полевые транзисторы имеют характерные отличия от биполярных. Они оснащены двумя рабочими выводами — истоком и стоком и одним управляющим (затвором). В данном случае на затвор воздействует напряжение, а не ток, что характерно для биполярного типа. Электрический ток проходит между истоком и стоком с определенной интенсивностью, которая зависит от сигнала. Этот сигнал формируется между затвором и истоком или затвором и стоком. Транзистор такого типа может быть с управляющим p-n переходом или с изолированным затвором. В первом случае рабочие выводы подключаются к полупроводниковой пластине, которая может быть p- или n-типа.

Главной особенностью полевых транзисторов является то, что их управление обеспечивается не при помощи тока, а напряжения. Минимальное использование электроэнергии позволяет его применять в радиодеталях с тихими и компактными источниками питания. Такие устройства могут иметь разную полярность.

Как проверить мультиметром транзистор

Многие современные тестеры оснащены специализированными коннекторами, которые используются для проверки работоспособности радиодеталей, в том числе и транзисторов.

Чтобы определить рабочее состояние полупроводникового прибора, необходимо протестировать каждый его элемент. Биполярный транзистор имеет два р-n перехода в виде диодов (полупроводников), которые встречно подключены к базе. Отсюда один полупроводник образовывается выводами коллектора и базы, а другой эмиттера и базы.

Используя транзистор для сборки монтажной платы необходимо четко знать назначение каждого вывода. Неправильное размещение элемента может привести к его перегоранию. При помощи тестера можно узнать назначение каждого вывода.

Важно! Данная процедура возможна лишь для исправного транзистора.

Для этого прибор переводится в режим измерения сопротивления на максимальный предел. Красным щупом следует коснуться левого контакта и измерить сопротивление на правом и среднем выводах. Например, на дисплее отобразились значения 1 и 817 Ом.

Затем красный щуп следует перенести на середину, и с помощью черного измерить сопротивления на правом и левом выводах. Здесь результат может быть: бесконечность и 806 Ом. Красный щуп перевести на правый контакт и произвести замеры оставшейся комбинации. Здесь в обоих случаях на дисплее отобразится значение 1 Ом.

Делая вывод из всех замеров, база располагается на правом выводе. Теперь для определения других выводов необходимо черный щуп установить на базу. На одном выводе показалось значение 817 Ом – это эмиттерный переход, другой соответствует 806 Ом, коллекторный переход.

Важно! Сопротивление эмиттерного перехода всегда будет больше, чем коллекторного.

Как прозвонить мультиметром транзистор

Чтобы убедиться в исправном состоянии устройства достаточно узнать прямое и обратное сопротивление его полупроводников. Для этого тестер переводится в режим измерения сопротивления и устанавливается на предел 2000. Далее следует прозвонить каждую пару контактов в обоих направлениях. Так выполняется шесть измерений:

• соединение «база-коллектор» должно проводить электрический ток в одном направлении;
• соединение «база-эмиттер» проводит электрический ток в одном направлении;
• соединение «эмиттер-коллектор» не проводит электрический ток в любом направлении.

Как прозванивать мультиметром транзисторы, проводимость которых p-n-p (стрелка эмиттерного перехода направлена к базе)? Для этого необходимо черным щупом прикоснуться к базе, а красным поочередно касаться эмиттерного и коллекторного переходов. Если они исправны, то на экране тестера будет отображаться прямое сопротивление 500-1200 Ом.

Для проверки обратного сопротивления красным щупом следует прикоснуться к базе, а черным поочередно к выводам эмиттера и коллектора. Теперь прибор должен показать на обоих переходах большое значение сопротивления, отобразив на экране «1». Значит, оба перехода исправны, а транзистор не поврежден.

Такая методика позволяет решить вопрос: как проверить мультиметром транзистор, не выпаивая его из платы. Это возможно благодаря тому, что переходы устройства не зашунтированы низкоомными резисторами. Однако, если в ходе замеров тестер будет показывать слишком маленькие значения прямого и обратного сопротивления эммитерного и коллекторного переходов, транзистор придется выпаять из схемы.

Перед тем как проверить мультиметром n-p-n транзистор (стрелка эмиттерного перехода направлена от базы), красный щуп тестера для определения прямого сопротивления подключается к базе. Работоспособность устройства проверяется таким же методом, что и транзистор с проводимостью p-n-p.

О неисправности транзистора свидетельствует обрыв одного из переходов, где обнаружено большое значение прямого или обратного сопротивления. Если это значение равно 0, переход находится в обрыве и транзистор неисправен.

Такая методика подходит исключительно для биполярных транзисторов. Поэтому перед проверкой необходимо убедиться, не относиться ли он к составному или полевому устройству. Далее необходимо проверить между эмиттером и коллектором сопротивление. Замыканий здесь быть не должно.

Если для сборки электрической схемы необходимо использовать транзистор, имеющий приближенный по величине тока коэффициент усиления, с помощью тестера можно определить необходимый элемент. Для этого тестер переводится в режим hFE. Транзистор подключается в соответствующий для конкретного типа устройства разъем, расположенный на приборе. На экране мультиметра должна отобразиться величина параметра h31.

Как проверить мультиметром тиристор? Он оснащен тремя p-n переходами, чем отличается от биполярного транзистора. Здесь структуры чередуются между собой на манер зебры. Главных отличием его от транзистора является то, что режим после попадания управляющего импульса остается неизменным. Тиристор будет оставаться открытым до того момента, пока ток в нем не упадет до определенного значения, которое называется током удержания. Использование тиристора позволяет собирать более экономичные электросхемы.

Мультиметр выставляется на шкалу измерения сопротивления в диапазон 2000 Ом. Для открытия тиристора черный щуп присоединяется к катоду, а красный к аноду. Следует помнить, что тиристор может открываться положительным и отрицательным импульсом. Поэтому в обоих случаях сопротивление устройства будет меньше 1. Тиристор остается открытым, если ток управляющего сигнала превышает порог удержания. Если ток меньше, то ключ закроется.

Как проверить мультиметром транзистор IGBT

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) является трехэлектродным силовым полупроводниковым прибором, в котором по принципу каскадного включения соединены два транзистора в одной структуре: полевой и биполярный. Первый образует канал управления, а второй – силовой канал.

Чтобы проверить транзистор, мультиметр необходимо перевести в режим проверки полупроводников. После этого при помощи щупов измерить сопротивление между эмиттером и затвором в прямом и обратном направлении для выявления замыкания.

Теперь красный провод прибора соединить с эмиттером, а черным коснуться кратковременно затвора. Произойдет заряд затвора отрицательным напряжением, что позволит транзистору оставаться закрытым.

Важно! Если транзистор оснащен встроенным встречно-параллельным диодом, который анодом подключен к эмиттеру транзистора, а катодом к коллектору, то его необходимо прозвонить соответствующим образом.

Теперь необходимо убедиться в функциональности транзистора. Сначала стоит зарядить положительным напряжением входную емкость затвор-эмиттер. С этой целью одновременно и кратковременно красным щупом следует прикоснуться к затвору, а черным к эмиттеру. Теперь необходимо проверить переход коллектор-эмиттер, подключив черный щуп к эмиттеру, а красный к коллектору. На экране мультиметра должно отобразиться незначительное падение напряжения в 0,5-1,5 В. Эта величина на протяжении нескольких секунд должна оставаться стабильной. Это свидетельствует о том, что во входной емкости транзистора утечки нет.

Полезный совет! Если напряжения мультиметра недостаточно для открытия IGBT транзистора, тогда для заряда его входной емкости можно использовать источник постоянного напряжения в 9-15 В.

Как проверить мультиметром полевой транзистор

Полевые транзисторы проявляют высокую чувствительность к статическому электричеству, поэтому предварительно требуется организация заземления.

Перед тем как приступить к проверке полевого транзистора, следует определить его цоколевку. На импортных приборах обычно наносятся метки, которые определяют выводы устройства. Буквой S обозначается исток прибора, буква D соответствует стоку, а буква G – затвор. Если цоколевка отсутствует, тогда необходимо воспользоваться документацией к прибору.

Содержание:

В электронике и радиотехнике большое значение имеет не только правильная сборка схемы, но и последующая проверка ее работоспособности. Проверяться может все устройство или его отдельные элементы. В связи в этим довольно часто возникает вопрос, как проверить транзистор мультиметром, не нарушая схемы. Существуют различные способы, которые применяются индивидуально к каждому виду элементов. Прежде чем начинать подобную проверку и тестирование, рекомендуется изучить общее устройство и .

Основные типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов — биполярные и полевые. В первом случае выходной ток создается при участии носителей обоих знаков (дырок и электронов), а во втором случае — только одного. Определить неисправность каждого из них поможет прозвонка транзистора мультиметром.

Биполярные транзисторы по своей сути являются полупроводниковыми приборами. Они оборудованы тремя выводами и двумя р-п-переходами. Принцип действия этих устройств предполагает использование положительных и отрицательных зарядов — дырок и электронов. Управление протекающими токами выполняется с помощью специально выделенного управляющего тока. Данные устройства широко применяются в электронных и радиотехнических схемах.

Биполярные транзисторы состоят из трехслойных полупроводников двух типов — «р-п-р» и «п-р-п». Кроме того в конструкции имеется два р-п-перехода. Соединение полупроводниковых слоев с внешними выводами осуществляется через невыпрямляющие полупроводниковые контакты. Средний слой считается базой, которая подключается к соответствующему выводу. Два слоя, расположенные по краям, также подключены к выводам — эмиттеру и коллектору. На электрических схемах для обозначения эмиттера используется стрелка, показывающая направление тока, протекающего через транзистор.

В разных типах транзисторов у дырок и электронов — носителей электричества могут быть собственные функции. Более всего распространен тип п-р-п из-за лучших параметров и технических характеристик. Ведущую роль в таких устройствах играют электроны, выполняющие основные задачи по обеспечению всех электрических процессов. Они примерно в 2-3 раза более подвижные, чем дырки, поэтому и обладают повышенной активностью. Качественные улучшения приборов происходят также за счет площади перехода коллектора, которая значительно больше площади перехода эмиттера.

В каждом биполярном транзисторе имеется два р-п-перехода. Когда выполняется проверка транзистора мультиметром, это позволяет проверять работоспособность устройств, контролируя значения сопротивлений переходов при подключении к ним прямого и обратного напряжения. Для нормальной работы п-р-п-устройства на коллектор подается положительное напряжение, под действием которого открывается базовый переход. После возникновения базового тока, появляется коллекторный ток. При возникновение в базе отрицательного напряжения, транзистор закрывается и течение тока прекращается.

Базовый переход в р-п-р-устройствах открывается под действием отрицательного напряжения на коллекторе. Положительное напряжение дает толчок для закрытия транзистора. Все необходимые коллекторные характеристики на выходе можно получить, плавно изменяя значения тока и напряжения. Это позволяет эффективно проверить биполярный транзистор тестером.

Существуют электронные устройства, все процессы в которых управляются действием электрического поля, направленного перпендикулярно току. Эти приборы называются полевыми или униполярными транзисторами. Основными элементами являются три контакта — исток, сток и затвор. Конструкция полевого транзистора дополняется проводящим слоем, исполняющим роль канала, по которому течет электрический ток.

Данные устройства представлены модификациями «р» или «п»-канального типа. Каналы могут располагаться вертикально или горизонтально, а их конфигурация бывает объемной или приповерхностной. Последний вариант также разделяется на инверсионные слои, содержащие обогащенные и обедненные. Формирование всех каналов происходит под воздействием внешнего электрического поля. Устройства с приповерхностными каналами имеют структуру, в состав которой входит металл-диэлектрик-полупроводник, поэтому они называются МДП-транзисторами.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Проверку работоспособности биполярного транзистора можно выполнить с помощью цифрового мультиметра. Этим прибором проводятся измерения постоянных и переменных токов, а также напряжение и сопротивление. Перед началом измерений прибор нужно правильно настроить. Это позволит более эффективно решить проблему, как проверить биполярный транзистор мультиметром не выпаивая.

Современные мультиметры могут работать в специальном режиме измерения, поэтому на корпусе изображается значок диода. Когда решается вопрос, как проверить биполярный транзистор тестером, устройство переключается в режим проверки полупроводников, а на дисплее должна отображаться единица. Выводы устройства подключаются так же, как и в режиме измерения сопротивления. Провод черного цвета соединяется с портом СОМ, а провод красного цвета — с выходом, измеряющим сопротивление, напряжение и частоту.

В мультиметрах старой конструкции функция проверки диодов и транзисторов может отсутствовать. В таких случаях все действия проводятся в режиме измерения сопротивления, установленном на максимум. До начала работы батарея мультиметра должна быть заряжена. Кроме того, нужно проверить исправность щупов. Для этого их кончики соединяются между собой. Писк устройства и нули, отображенные на дисплее, свидетельствуют об исправности щупов.

Проверка биполярного транзистора мультиметром выполняется в следующем порядке:

• Прежде всего, нужно правильно соединить выводы мультиметра и транзистора. Для этого необходимо точно определить, где находятся база, коллектор и эмиттер. Чтобы определить базу, щуп черного цвета подключается к первому электроду, который предположительно считается базовым. Другой щуп красного цвета поочередно подключается вначале ко второму, а затем к третьему электроду. Щупы меняются местами до тех пор, пока прибор не определит падение напряжения. После этого окончательно проводится проверка биполярного транзистора мультиметром и определяются пары: «база-эмиттер» или «база-коллектор». Электроды эмиттера и коллектора определяются с помощью цифрового мультиметра. В большинстве случаев падение напряжения и сопротивление у эмиттерного перехода выше, чем у коллектора.
• Определение р-п-перехода «база-коллектор»: щуп красного цвета подключен к базе, а черный — к коллектору. Такое соединение работает в режиме диода и пропускает ток лишь в одном направлении.
• Определение р-п-перехода «база-эмиттер»: красный щуп остается подключенным к базе, а щуп черного цвета нужно подключить к эмиттеру. Так же, как и в предыдущем случае, при таком соединении ток проходит только при прямом включении. Это подтверждает проверка npn транзистора мультиметром
• Определение р-п-перехода «эмиттер-коллектор»: в случае исправности данного перехода сопротивление на этом участке будет стремиться к бесконечности. На это указывает единица, отображенная на дисплее.
• Подключение мультиметра осуществляется к каждой паре контактов в двух направлениях. То есть транзисторы р-п-р типа проверяются путем обратного подключения к щупам. В этом случае к базе подключается черный щуп. После измерений полученные результаты сравниваются между собой.
• После того как проведена проверка pnp транзистора мультиметром, работоспособность биполярного транзистора подтверждается, когда при измерении одной полярности мультиметр показывает конечное сопротивление, а при замерах обратной полярности получается единица. Данная проверка не требует выпаивания детали из общей платы.

Очень многие пытаются решить вопрос, как проверить транзистор без мультиметра с помощью лампочек и других устройств. Этого делать не рекомендуется, поскольку элемент с высокой вероятностью может выйти из строя.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Полевые транзисторы нашли широкое применение в аудио и видеоаппаратуре, мониторах и блоках питания. От их работоспособности зависит функционирование большинства электронных схем. Поэтому в случае каких-либо неисправностей выполняется проверка этих элементов различными способами, в том числе и проверка транзисторов без выпайки из схемы мультиметром.

Типовая схема полевого транзистора представлена на рисунке. Основные выводы — затвор, сток и исток могут быть расположены по-разному, в зависимости от марки транзистора. При отсутствии маркировки, необходимо уточнить справочные данные, касающиеся той или иной модели.

Основной проблемой, возникающей при ремонте электронной аппаратуры с полевыми транзисторами, является проверка транзистора мультиметром не выпаивая. Как правило неисправности касаются полевых транзисторов с высокой мощностью, которые используются в блоках питания. Кроме того, эти устройства очень чутко реагируют на статические разряды. Поэтому перед решением вопроса, как прозвонить транзистор мультиметром на плате, следует надеть специальный антистатический браслет и ознакомиться с правилами техники безопасности при выполнении этой процедуры.

Проверка с использованием мультиметра предполагает такие же действия, как и в отношении биполярных транзисторов. Исправный полевой транзистор обладает бесконечно большим сопротивлением между выводами, независимо от тестового напряжения, приложенного к нему.

Тем не менее, решение вопроса, как прозвонить транзистор мультиметром имеет свои особенности. Если положительный щуп мультиметра приложен к затвору, а отрицательный — к истоку, то в этом случае произойдет зарядка затворной емкости и наступит открытие перехода. При замерах между стоком и истоком, прибор показывает наличие небольшого сопротивления. Иногда электротехники при отсутствии практического опыта, могут посчитать это за неисправность, что не всегда соответствует действительности. Это может быть важно при проверки строчного транзистора мультиметром. Перед началом проверки канала сток-исток рекомендуется выполнить короткое замыкание всех выводов полевого транзистора, чтобы разрядить емкости переходов. После этого их сопротивления вновь увеличатся, после чего можно повторно прозванивать транзисторы мультиметром. Если данная процедура не дала положительного результата, значит данный элемент находится в нерабочем состоянии.

В полевых транзисторах, используемых для мощных импульсных блоков питания, очень часто на переходе сток-исток устанавливаются внутренние диоды. Поэтому данный канал во время проверки проявляет свойства обычного полупроводникового диода. Поэтому чтобы исключить ошибку, перед тем как проверить исправность транзистора мультиметром, следует убедиться в присутствии внутреннего диода. После первой проверки щупы мультиметра нужно поменять местами. После этого на экране появится единица, указывающая на бесконечное сопротивление. Если подобного не случится, велика вероятность неисправности полевого транзистора. С помощью прибора можно не только проверить, но и измерить транзистор мультиметром.

Как проверить составной транзистор мультиметром

Составной транзистор или транзистор Дарлингтона представляет собой схему, объединяющую в своем составе два и более биполярных транзистора. Это позволяет значительно увеличить коэффициент усиления по току. Такие транзисторы применяются в схемах, предназначенных для работы с большими токами, например, в стабилизаторах напряжения или выходных каскадах усилителей мощности. Они необходимы, когда требуется обеспечение большого входного импеданса, то есть полного комплексного сопротивления.

Общие выводы у составного транзистора такие же, как и у биполярной модели. Точно так же и происходит проверка npn транзистора мультиметром. В этом случае применяется методика, аналогичная проверке обычного биполярного транзистора.

Транзистор – полупроводниковый прибор, основное назначение которого – использование в схемах для усиления или генерирования сигналов, а также для электронных ключей.

В отличие от диода, транзистор имеет два p-n-перехода, соединенных последовательно. Между переходами располагаются зоны, имеющие разную проводимость (типа «n» или типа «р»), к которым подключаются выводы для подключения. Вывод от средней зоны называется «базой», а от крайних – «коллектор» и «эмиттер».

Разница между зонами «n» и «p» состоит в том, что у первой есть свободные электроны, а у второй – так называемые «дырки». Физически «дырка» означает нехватку электрона в кристалле. Электроны под действием поля, создаваемого источником напряжения, двигаются от минуса к плюсу, а «дырки» — наоборот. При соединении между собой областей с разной проводимостью электроны и «дырки» диффузируют и на границе соединения образуется область, называемая p-n-переходом. За счет диффузии область «n» оказывается заряженной положительно, а «р» — отрицательно, а между областями с различной проводимостью возникает собственное электрическое поле, сосредоточенное в области p-n-перехода.

При подключении плюсового вывода источника к области «р», а минуса – к «n» его электрическое поле компенсирует собственное поле p-n-перехода, и через него проходит электрический ток. При обратном подключении поле от источника питания складывается с собственным, увеличивая его. Переход запирается, и ток через него не проходит.

В составе транзистора есть два перехода: коллекторный и эмиттерный. Если подключить источник питания только между коллектором и эмиттером, то ток через него не пойдет. Один из переходов оказывается запертым. Чтобы его открыть, на базу подается потенциал. В результате на участке коллектор-эмиттер возникает ток, который в сотни раз больше тока базы. Если при этом ток базы изменяется во времени, то ток эмиттера в точности повторяет его, но с большей амплитудой. Этим и обусловлены усилительные свойства.

В зависимости от комбинации чередования зон проводимости различают транзисторы p-n-p или n-p-n. Транзисторы p-n-p открываются при положительном потенциале на базе, а n-p-n – при отрицательном.

Рассмотрим несколько способов, как проверить транзистор мультиметром.

Проверка транзистора омметром

Поскольку в составе транзистора имеется два p-n-перехода, то их исправность можно проверить по методике, используемой для тестирования полупроводниковых диодов. Для этого его можно представить эквивалентом встречного соединения двух полупроводниковых диодов.

Критериями исправности для них является:

• Низкое (сотни Ом) сопротивление при подключении источника постоянного тока в прямом направлении;
• Бесконечно большое сопротивление при подключении источника постоянного тока в обратном направлении.

Мультиметр или тестер измеряют сопротивление, используя собственный вспомогательный источник питания – батарейку. Напряжение ее невелико, но его достаточно, чтобы открыть p-n-переход. Меняя полярность подключения щупов от мультиметра к исправному полупроводниковому диоду, в одном положении мы получаем сопротивление в сотню Ом, а в другом – бесконечно большое.

Полупроводниковый диод бракуется, если

• в обоих направлениях прибор покажет обрыв или ноль;
• в обратном направлении прибор покажет любую значащую величину сопротивления, но не бесконечность;
• показания прибора будут нестабильными.

При проверке транзистора потребуется шесть измерений сопротивлений мультиметром:

• база-эмиттер прямое;
• база-коллектор прямое;
• база-эмиттер обратное;
• база-коллектор обратное;
• эмиттер-коллектор прямое;
• эмиттер-коллектор обратное.

Критерием исправности при измерении сопротивления участка коллектор-эмиттер является обрыв (бесконечность) в обоих направлениях.

Коэффициент усиления транзистора

Различают три схемы подключения транзистора в усилительные каскады:

• с общим эмиттером;
• с общим коллектором;
• с общей базой.

Все они имеют свои характеристики, а наиболее распространена схема с общим эмиттером. Любой транзистор характеризуется параметром, определяющим его усилительные свойства – коэффициент усиления. Он показывает, во сколько раз ток на выходе схемы будет больше, чем на входе. Для каждой из схем включения имеется свой коэффициент, разный для одного и того же элемента.

В справочниках приводится коэффициент h31э – коэффициент усиления для схемы с общим эмиттером.

Как проверить транзистор, измеряя коэффициент усиления

Одним из методов проверки исправности транзистора является измерение его коэффициента усиления h31э и сравнение его с паспортными данными. В справочниках дается диапазон, в котором может находиться измеренное значение для данного типа полупроводникового прибора. Если измеренное значение укладывается в диапазон, то он исправен.

Измерение коэффициента усиления производится еще и для подбора компонентов с одинаковыми параметрами. Это необходимо для построения некоторых схем усилителей и генераторов.

Для измерения коэффициента h31э мультиметр имеет специальный предел измерения, обозначенный hFE. Буква F обозначает «forward» (прямая полярность), а «Е» — схему с общим эмиттером.

Для подключения транзистора к мультиметру на его передней панели установлен универсальный разъем, контакты которого обозначены буквами «ЕВСЕ». Согласно этой маркировке подключаются выводы транзистора «эмиттер-база-коллектор» или «база-коллектор-эмиттер», в зависимости от их расположения у конкретной детали. Для определения правильного расположения выводов придется воспользоваться справочником, там же заодно можно узнать и коэффициент усиления.

Затем подключаем транзистор к разъему, выбрав предел измерения мультиметра hFE. Если его показания соответствуют справочным – проверяемый электронный компонент исправен. Если нет, или прибор показывает что-то невразумительное – транзистор вышел из строя.

Полевой транзистор

Полевой транзистор отличается от биполярного по принципу действия. Внутрь пластины кристалла одной проводимости («р» или «n») посередине внедряется участок с другой проводимостью, называемый затвором. По краям кристалла подключаются выводы, называемые истоком и стоком. При изменении потенциала на затворе изменяется величина токопроводящего канала между стоком и истоком и ток через него.

Входное сопротивление полевого транзистора очень большое, а вследствие этого он имеет большой коэффициент усиления по напряжению.

Как проверить полевой транзистор

Рассмотрим проверку на примере полевого транзистора с n-каналом. Порядок действий будет таким:

1. Переводим мультиметр на режим прозвонки диодов.
2. Плюсовой вывод от мультиметра подключаем к истоку, минусовой – к стоку. Прибор покажет 0,5-0,7 В.
3. Меняем полярность подключения на противоположную. Прибор покажет обрыв.
4. Открываем транзистор, подключив минусовой провод к истоку, а плюсовым коснувшись затвора. За счет существования входной емкости элемент остается открытым некоторое время, это свойство и используется для проверки.
5. Плюсовой провод перемещаем на сток. Мультиметр покажет 0-800 мВ.
6. Меняем полярность подключения. Показания прибора не должны измениться.
7. Закрываем полевой транзистор: плюсовой провод к истоку, минусовой – к затвору.
8. Повторяем пункты 2 и 3, ничего не должно измениться.

Давайте займемся теорией, повремените убегать. Портал ВашТехник наряду с заумными сентенциями, рассчитанными быть понятыми профи, предоставит методику пяти пальцев. Не слышали? Просто, как пять пальцев. Сначала обсудим типы транзисторов, потом расскажем, что можно сделать при помощи мультиметра. Рассмотрим штатные гнезда hFE (объясним, что это такое), методику замещения схемы через соединение нескольких диодов. Расскажем, с чего начать. Поймете, как проверить транзистор мультиметром, или… Давайте, пожалуй, без «или». Приступим, чтобы твердо отличать МОП-транзистор от мопса, растолчем теорию.

Типы, классификация транзисторов

Избегаем исследовать дебри. Знайте простое правило: в биполярных транзисторах носители обоих знаков участвуют в создании выходного тока, в полевых – одного. Определение умников. Теперь работаем пальцами:

1. Транзисторы полевого типа выступают началом. Когда Битлз выходили на сцену, на замену вакуумным триодам стали приходить полупроводники. Если говорить кратко, p-n-p транзистор — два богатых положительными носителями слоя кристалла (кремний, германий, примесной проводимости). Проводя уроки физики, учитель часто рассказывал, как V-валентный мышьяк легировал решетку кремния, образуя новый материала. Добавим, что положительные p-области, отгорожены узкой отрицательной (n-negative). Как ком в горле. Узкий перешеек, называемый базой, отказывается пускать электроны (в нашем случае скорее дырки) течь в нужном направлении. Небольшой отрицательный заряд появляется на управляющем электроде, дырки коллектора (верхняя p-область на традиционных электрических схемах) больше не могут сдерживаться, буквально рвутся в сторону приложенного напряжения. Поскольку база тонкая, используя набранную скорость носители пролетают перешеек, уносятся дальше — достигая эмиттера (нижняя p-область), здесь увлекаются разностью потенциалов, создаваемой напряжением питания. Типичное школьное объяснение. Относительно небольшое напряжение управляющего электрода способно регулировать скорость сильного потока дырок (положительных носителей), увлекаемого полем напряжения питания. На этом построена техника. Навстречу дыркам движутся электроны, транзисторы называют биполярными.
2. Полевые транзисторы снабжены каналом любого типа проводимости, разделяющим области истока и стока (см. рисунок выше). Управляющий электрод называют затвором. Причем основной материал подложки, затвора противоположен каналу, истоку и стоку. Поэтому положительное напряжение (см. рисунок) запрет ход зарядам через транзистор. Плюс оттянет (в p-область) доступные электроны. Полевые транзисторы в электронике применяются намного чаще. На рисунке затвор электрически соединен с кристаллом, структура называется управляющим p-n переходом. Бывает, область изолирована от кристалла диэлектриком, в качестве которого часто выступает оксид. Чистой воды MOSFET транзистор, по-русски – МОП.

При помощи мультиметра, в штатном режиме проверяются биполярные транзисторы. Если тестер поддерживает такую опцию, часто именуемую hFE, на лицевой панели смонтирован круглый разъем, поделенный вертикальной чертой на две части, где надписаны по 4 гнезда следующим образом:

1. B – база (англ. Base).
2. С – коллектор (англ. Collector).
3. E – эмиттер (англ. Emitter).

Гнезд для эмиттера два, чтобы учесть раскладку выводов корпуса. База может быть с края, посередине. Для удобства сделано. Нет разницы, в какое гнездо вставить ножку эмиттера биполярного транзистора. Пара слов, как пользоваться.

Проверка биполярного транзистора мультиметром в штатном режиме

Чтобы гнездо проверки биполярных транзисторов начало работать (вести измерения), переведем тестер в режим hFE. Откуда взялись буквы? h — касается категории параметров, описывающих четырехполюсник любого типа. Не важно знать, что подразумевает понятие — просто уясним: существует целая группа h-параметров, среди которых имеется один важный занимающимся электроникой. Называется коэффициентом усиления по току с общим эмиттером. Обозначается, h31 (либо строчной греческой буквой бета).

Цифровая мнемоника плохо воспринимается человеческим глазом, поэтому было решено (за рубежом, понятное дело), что F будет обозначать прямое усиление по току (forward current amplification), тогда как E говорит, что измерение велось в схеме с общим эмиттером (которая применяется учебниками физики для иллюстрации принципов работы транзисторов биполярного типа). Схем включения много, каждая обладает достоинствами, параметры можно охарактеризовать через h31 (некоторые другие, упомянутые справочниками). Считается, если коэффициент усиления в норме, радиоэлемент 100% работоспособен. Теперь читатели знают, как проверяется p-n-p транзистор или n-p-n транзистор.

h31 зависит от некоторых параметров, указываемых инструкцией мультиметра. Напряжение питания 2,8 В, ток базы 10 мА. Дальше берутся графики технической документации (data sheet) транзистора, профессионал знает, как найти остальное. При включении режима hFE, подсоединении ножек биполярного транзистора в нужные гнезда на дисплее появляется значение коэффициента усиления прибора по току. Потрудитесь сопоставить справочным данным, сделав поправку на режим измерения (если понадобится). Только звучит сложно, достаточно пару раз сделать самостоятельно, добьетесь результатов.

Проверка транзисторов мультиметром: нештатный режим

Допустим, вызывает сомнение исправность транзистора полевого типа. Известный русский вопрос в электронике присутствует. Начинают думать… м-да.

• Полевой транзистор отпирается или запирается определенным знаком напряжения. Обсуждали выше. Если помните, говорили, при прозвонке на щупах тестера небольшое постоянное напряжение. Будем использовать в наших тестах. Пока транзистор на плате, сложно сделать измерения, стоит изъять из привычного окружения, как можно применить нестандартные методики. Оказывается, если приложить на электрод отпирающее напряжение, за счет некоторой собственной емкости транзистора область зарядится, сохраняя приобретенные свойства. Допускается прозвонить электроды между истоком и стоком. Сопротивление порядка 0,5 кОм покажет: полевой транзистор работоспособен. Стоит закоротить базу с другими отводами, проводимость исчезнет. Полевой транзистор закрылся и годен.
• Биполярные транзисторы, полевые с управляющим p-n переходом проверяют гораздо проще. В первом случае применяется схема замещения элемента двумя диодами, включенными навстречу (или наоборот спинками). Подадим отпирающее напряжение (p – плюс, n – минус), получив на измерителе сопротивления номинал 500 – 700 Ом. Можно также звонить, пользуясь слухом. Недаром на шкале часто нарисован диод. Прозвонка используется для проверки работоспособности. Напряжения хватает открыть p-n-переход.

Подготовка к проверке транзистора

Временами схватишь руками составной транзистор. Внутри корпуса находиться несколько ключей. Используется для экономии места при одновременном увеличении коэффициента усиления (причем в десятки, тысячи раз, если речь шла о каскадной схеме). Устроен так транзистор Дарлингтона. В корпус зашит защитный стабилитрон, предохраняющий переход эмиттер-база от перегрузки по напряжению. Тестирование идет одним путем:

• Нужно найти подробные технические характеристика транзистора (составного элемента). При нынешнем масштабе компьютеризации не составит проблемы. Даже если изделие импортное. Обозначения на схемах понятные, термины не сложные. Параметр hFE расписали.
• Затем ведется изучение, выполняется анализ. Разбиение схемы на более простые составляющие. Если между переходами коллектора и эмиттера включен стабилитрон, логично начать проверку с него. В начальный момент транзистор заперт, ток мультиметра пойдет, минуя защитный каскад. В одном направлении стабилитрон даст сопротивление 500-700 Ом, в другом (если не пробьется) будет обрыв. Аналогично разобьем на части транзистор Дарлингтона, если имеете представление (обсуждали выше).

Режим прозвонки покажет цифры. Говорят, падение напряжения, по некоторым сведениям, номинал сопротивления. Потрудимся привести опыты, решая вопрос. Вызвонить известный по значению сопротивления, заведомо исправный резистор. Если на экране появится номинал в омах, думать нечего. В противном случае можно оценить заодно ток (разделив потенциал дисплея на номинал). Знать тоже нужно, пригодится в процессе тестирования. До начала работ рекомендуется хорошенько изучить мультиметр. Достаньте инструкцию из мусорной корзины, прочитайте.

Народ интересуется вопросом, можно ли проверить транзистор мультиметром, не выпаивая. Очевидно, многое определено схемой. Тестер просто прикладывает напряжения, оценивает возникающие токи. На основе показаний вычисляется коэффициент усиления, служа критерием годности/негодности. Попробуйте проверить полевой транзистор мультиметром из входящих в состав процессора! Отбрось надежду всяк сюда входящий. Не всегда можно прозвонить полевой транзистор мультиметром.

Разбить биполярный транзистор на диоды

Рисунок, представленный среди текста, демонстрирует схему замещения транзистора двумя диодами. Позволит рассматривать усилительный элемент, представив суммой двух независимых более простых. Не обладающих усилением, проявляющих нелинейные свойства (неодинаковость прямого/обратного включения).

Мощные транзисторы силовых цепей бессилен открыть скудными силами мультиметр. Поэтому для тестирования устройств применяются специальные схемы. Нельзя проверить биполярный транзистор мультиметром напрямую.

Проверка условных диодов, замещающих транзистор

Методик несколько. Можно попробовать измерить сопротивление стандартной шкалой Ω. Красный щуп нужно прикладывать к p-области. Тогда дисплей мультиметра покажет цифру, меньшую бесконечности. В противоположном направлении результат будет нулевым. Мультиметр покажет обрыв. Нормальные результаты прозвонки диода.

Если пользоваться специальным режимом, экран показывает размер сопротивления в прямом направлении, обрыв (стандартно единичка в левом углу ЖК-экрана) в другом. Обратите внимание – рисунок содержит поясняющие надписи, куда прислонять щуп, получая открытый p-n переход. В обратном направлении прибор показывает обрыв.

Проверить транзистор мультиметром прозвонкой на исправность: биполярный, полевой, составной

Такие полупроводниковые элементы, как транзисторы, являются неотъемлемой частью практически всех электронных схем — от радиоприемников до системных плат сверхсложных вычислительных центров. Проверка этого элемента на работоспособность — операция, которую обязан уметь выполнять любой человек, так или иначе занимающийся ремонтом электронных плат, будь он профессиональный ремонтник или любитель.

Для осуществления этой операции можно применять специальный тестер транзисторов, но если его нет под рукой, или в его надежности есть сомнения, можно воспользоваться самым обыкновенным мультиметром.

Даже те модели, которые не имеют специального гнезда для проверки биполярных или полевых транзисторов, могут быть использованы для точной проверки. Для этого мультиметр выставляется в режим максимального сопротивления, либо «прозвонки», если таковой есть.

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Цоколевка

У биполярных транзисторов средней и большой мощности цоколевка одинаковая в основном, слева направо — эмиттер, коллектор, база. У транзисторов малой мощности лучше проверять. Это важно, так как при определении работоспособности, эта информация нам понадобится.

Внешний вид биполярного транзистора средней мощности и его цоколевка

То есть, если вам необходимо определить рабочий или нет биполярный транзистор, нужно искать его цоколевку. Хотите убедиться или не знаете, где «лицо», то ищите информацию в справочнике или наберите на компьютере «имя» вашего полупроводникового прибора и добавьте слово «даташит». Это транслитерация с английского Datasheet, что переводится как «технические данные». По этому запросу вам в выдаче будет перечень характеристик прибора и его цоколёвка.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

1. Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
2. Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

1. Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

1. Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

Правила безопасной работы

Мосфеты очень уязвимы по отношению к статическому электричеству. В этом случае может произойти пробой. Для того, чтобы этого не случилось, нужно при помощи проведения тестирования его удалять.

При пайке возможна ситуация, когда тепло, попадающее на транзистор, приведёт к его порче. В этом случае нужно обеспечить теплоотвод. Для этого достаточно придерживать выводы транзистора плоскогубцами в процессе пайки.

Полевики имеют широкое распространение в современных электронных приборах. Когда происходит поломка, необходимо знать, как проверить мосфет. Выяснить, исправен ли он, возможно, если использовать для этого мультиметр.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Необходимый минимум сведений

Чтобы понять исправен биполярный транзистор или нет, нам необходимо знать хотя бы в самых общих чертах, как он устроен и работает. Это активный электронный компонент, который является полупроводниковым прибором. Есть два основных вида — NPN и PNP. Каждый из них имеет три электрода: база, эмиттер и коллектор.

Виды транзисторов и принцип работы

Коротко сформулировать принцип работы транзисторов можно таким образом, это управляемый электронный ключ. Он пропускает ток по направлению от коллектора к эмиттеру в случае NPN типа и от эмиттера к коллектору у PNP, при наличии напряжения на базе. Причём изменяя потенциал на базе, меняем степень «открытости» перехода, регулируя величину пропускаемого тока. То есть, если на базу подавать больший ток, имеем больший ток коллектор-эмиттер, уменьшим потенциал на базе, снизим ток, протекающий через транзистор.

Ещё важно знать, это то, что в обратном направлении ток течь не может. И неважно, есть потенциал на базе или нет. Он всегда течёт в направлении, на схеме указанном стрелкой. Собственно, это вся информация, которая нам нужна, чтобы знать как работает транзистор.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

• Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
• Л – лампочка.
• R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

1. Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
2. Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Основные причины неисправности

Наиболее часто встречающиеся причины выхода из рабочего состояния триодного элемента в электронной схеме следующие:

1. Обрыв перехода между составными частями.
2. Пробой одного из переходов.
3. Пробой участка коллектора или эмиттера.
4. Утечка мощности под напряжением цепи.
5. Видимое повреждение выводов.

Характерными внешними признаками такой поломки являются почернение детали, вспучивание, появление черного пятна. Поскольку эти изменения оболочки происходят только с мощными транзисторами, то вопрос диагностики маломощных остается актуальным.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Советы

1. Существует множество способов определения неисправности, но для начала нужно разобраться в строении самого элемента, и четко понимать конструкционные особенности.
2. Выбор прибора для проверки – это важный момент, касающийся качества результата. Поэтому при недостатке опыта не стоит ограничиваться подручными средствами.
3. Проводя проверку, следует четко понимать причины выхода из строя тестируемой детали, чтобы не вернуться со временем к тому же состоянию неисправности бытовой электротехники.

Как построить тестер транзисторов и как он работает?

Тестер транзисторов

Биполярные транзисторы

часто используются в различных электрических и электронных проектах в качестве основного компонента для проверки функционирования транзисторов. Основным мотивом этой схемы является проверка транзисторов NPN и PNP и их подключения. Берутся транзисторы и определяется их расположение выводов, то есть ECB и EBC. Транзисторы проверяются с их расположением контактов, и их типы наблюдаются. Создавать тестовую схему на макетной плате становится неудобно.Итак, мы разработаем простую, которая будет незамысловатой схемой, позволяющей тестировать транзисторы.

Тестер транзисторов для транзисторов PNP и NPN

В общем, тестер транзисторов используется в дорогостоящих устройствах на базе микропроцессоров и может похвастаться роскошной индикацией выводов транзисторов с использованием букв b, e и c. Тестер транзисторов — это прибор, который используется для проверки электрических характеристик транзистора или диода. Мультиметры или омметры подходят для тестирования транзисторов PNP и NPN.

Тестер транзисторов для PNP и NPN

Типы тестеров транзисторов

Тестер транзисторов — это тип прибора, используемый для проверки электрических характеристик транзисторов. Существует три типа тестеров транзисторов, каждый из которых выполняет эксклюзивную операцию:

• Устройство быстрой проверки цепи
• Тестер типа обслуживания
• Лабораторный стандартный тестер

Устройство быстрой проверки цепи

Тестер транзисторов для быстрой проверки цепи используется для проверки правильности работы транзистора в цепи.Этот тип тестера транзисторов указывает технику, работает ли транзистор или нет. Преимущество использования этого тестера заключается в том, что среди всех компонентов схемы не удаляется только транзистор.

Тестер транзисторов служебного типа

Этот тип тестера транзисторов обычно выполняет три типа тестов: усиление прямого тока, ток утечки от базы к коллектору с открытым эмиттером и короткие замыкания от коллектора к базе и эмиттеру.

Лабораторный стандартный тестер

Лабораторный стандартный тестер используется для измерения параметров транзистора в различных условиях эксплуатации.Показания, измеренные этим тестером, являются точными, и среди важных измеренных характеристик входят входное сопротивление Rin, общая база и общий эмиттер.

Процедура для тестера транзисторов

Цифровой мультиметр или цифровой мультиметр — один из наиболее распространенных и полезных элементов испытательного оборудования. Он используется для проверки PN перехода между базой и эмиттером и PN-переходом между базой и коллектором биполярного транзистора.

Процедура тестера транзисторов с использованием цифрового мультиметра

Цифровой мультиметр используется для проверки соединения базы с эмиттером и базы с коллекторным PN переходом BJT.Используя этот тест, вы также можете определить полярность неизвестного устройства. Транзисторы PNP и NPN можно проверить с помощью цифрового мультиметра.

Тестер транзисторов с использованием цифрового мультиметра

Цифровой мультиметр состоит из двух проводов: черного и красного. Подключите красный (положительный) вывод к клемме базы транзистора PNP, а черный (отрицательный) провод к эмиттеру или клемме базы транзистора. Напряжение исправного транзистора должно быть 0,7 В, а измерение на коллекторе эмиттера должно показывать 0.0V. Если измеренное напряжение составляет около 1,8 В, то транзистор не работает.

Аналогичным образом подключите черный провод (отрицательный) к клемме базы NPN-транзистора, а красный провод (положительный) к клемме эмиттера или коллектора транзистора. Напряжение исправного транзистора должно быть 0,7 В, а измерение на коллекторе эмиттера должно быть 0,0 В. Если измеренное напряжение составляет около 1,8 В, то транзистор не работает.

Схема тестера транзисторов

Эта схема тестера транзисторов, в которой используется микросхема таймера 555, подходит для тестирования транзисторов PNP и NPN.Эта схема проста по сравнению с другими тестерами транзисторов и поэтому полезна как для технических специалистов, так и для студентов. Его можно легко построить на печатной плате общего назначения. Для разработки этой схемы используются базовые электронные компоненты, такие как резисторы, диоды, светодиоды и NE5555. Используя эту схему, можно проверить различные неисправности — например, узнать, в хорошем ли состояние транзистор, открыт или закорочен, и так далее. NE 555 Timer IC — это мультивибратор, который работает в трех режимах: нестабильный, моностабильный и бистабильный.Также эта схема может работать от батареи в течение длительного времени.

Схема тестера транзисторов

Схема работы тестера транзисторов такова, что она работает на частоте 2 Гц. Выходные контакты 3 составляют схему тестера транзисторов с положительным напряжением, а затем с ненулевым напряжением. На другом конце этой цепи делитель напряжения подключен к средней точке примерно на 4,5 В, и результат будет таким:

Если к тестеру не подключен транзистор, зеленый и красный светодиоды мигают попеременно.Когда транзистор помещается на измерительный провод, оба светодиода мигают. Если мигает только один светодиод, состояние транзистора в порядке. Если напряжение будет только в одном направлении, это приведет к короткому замыканию пары светодиодов. Если ни один из светодиодов не мигает, транзистор будет закорочен, а если оба светодиода мигают — транзистор будет открыт.

Тестер транзисторов на основе светодиодов, проект

Вышеупомянутая схема представляет собой простую схему тестера транзисторов; где КМОП с входом Quad2 (комплементарный металлооксидный полупроводник), ИС затвора И-НЕ, CD4011B является сердцем схемы.В этой схеме мы использовали два светодиода для отображения состояния. Используя эту схему, мы можем проверить как транзисторы PNP, так и NPN. Внутри ИС из четырех вентилей NAND используются только три логических элемента. Эти ворота используются как ворота НЕ, закорачивая их входные клеммы.

Тестер транзисторов на основе светодиодов

Здесь резистор R1, конденсатор C1, вентили U1a и U1b образуют генератор прямоугольной формы. Частота этого генератора регулируется с помощью резистора R1, а выходной сигнал генератора инвертируется с помощью затвора U1c.Выходы инвертированного и неинвертированного генератора подключены к базе тестируемого транзистора через резисторы R2 и R3.

Тестируемый статус светодиодов указывает на состояние транзистора. Если красный светодиод горит, это означает, что транзистор NPN исправен. Если зеленый светодиод горит, это означает, что транзистор PNP исправен. Если горят оба светодиода, это означает, что тестируемый транзистор закорочен. Если оба светодиода не горят, это означает, что проверяемый транзистор открыт или неисправен.

Автоматический аварийный светильник со светодиодной подсветкой

Основная цель этого проекта — разработать схему автоматического аварийного освещения, которая может автоматически включать светодиодные фонари (питание от аккумуляторных батарей) всякий раз, когда происходит сбой питания в ночное время.

Автоматический аварийный свет со светодиодной блок-схемой от Edgefxkits.com

В этой схеме мы используем транзистор PNP в качестве переключателя, который активируется при обнаружении отсутствия сетевого питания. Преимущество этого аварийного освещения заключается в том, что мы используем его в комнате со светодиодным источником света, который питается от батарей с высокой эффективностью преобразования энергии.В этой цепи используются аккумуляторные батареи типа NiCd, NIMh или LI-Ion для увеличения срока службы.

Автоматический аварийный свет со светодиодным проектным комплектом от Edgefxkits.com

Итак, речь идет о схеме тестера транзисторов и цифровом мультиметре. Тестеры транзисторов имеют важные переключатели и элементы управления для правильной настройки тока, напряжения и сигнала. Кроме того, эти тестеры транзисторов предназначены для проверки твердотельных диодов. Также существуют предпочтительные тестеры для проверки транзисторов и выпрямителей с высоким напряжением.Кроме того, если у вас есть какие-либо вопросы по этой теме, вы можете оставить комментарий ниже в разделе комментариев.

Проверка транзисторов

На главную — Techniek — Электроника — Radiotechniek — Радиолюбительская зона — QST — Проверка транзисторов

---

Простая установка для проверки типов соединений.

В связи с тем, что новые применения транзисторов в хижинах для домашних животных появляются почти ежедневно, некоторые методы тестирования этих устройств становятся необходимыми. Чекер, описанный здесь W2TGP, прост в изготовлении и не стоит целого состояния.

Контроллер транзисторов встроен в алюминиевый корпус размером 4 × 6 × 2 дюйма. S2 находится слева, S1 в центре и гнездо транзистора справа.

По мере того, как все большее количество транзисторных электронных устройств находит свое применение в любительском исполнении, радиолюбитель сочтет необходимым дополнить свое нынешнее испытательное оборудование, чтобы облегчить обслуживание этих устройств. Одна из важнейших проблем, стоящих перед ним, — это способы проверки транзисторов. Хотя в комплекте и.Тщательное испытание переходных транзисторов может быть довольно трудным, а также потребовать обширного испытательного оборудования, приблизительные значения двух наиболее важных характеристик транзистора могут быть легко получены с помощью скромного испытательного оборудования. Используя этот факт, описанная здесь программа проверки транзисторов является чрезвычайно полезным и адаптируемым инструментом, несмотря на свою простоту.

Достаточно хрупкая природа транзистора в том, что касается рассеивания мощности, является важным фактором при рассмотрении важности устройства проверки транзисторов.При обслуживании электронного оборудования, в котором используются электронные лампы, многие техники полагались на замещающий метод определения того, была ли лампа хорошей или нет; то есть, если определенная ступень в устройстве была неработоспособной и возникло подозрение на трубку, специалист по устранению неисправностей заменит исправную трубку и проследит, восстановилась ли работа. Теперь, если случайно трубка была не неисправна, а другой компонент был неисправен, эта исправная трубка могла быть подвергнута ненормальным условиям эксплуатации. Однако природа электронной лампы такова, что многие из этих условий перегрузки в течение коротких периодов времени не повреждают лампу.После этого техник удостоверился, что трубка, вероятно, не неисправна, и необходимо тщательно изучить другие компоненты столика.

Природа транзистора такова, что многие состояния перегрузки, даже если они кратковременные, вызывают повреждение транзистора. Поэтому, прежде чем производить замену исправного транзистора в неработающей схеме, рекомендуется сначала определить, что условия эксплуатации удовлетворительны.

Двумя характеристиками или параметрами транзистора, которые обеспечивают наилучшее представление об общей производительности устройства, являются ток коллектора при открытом эмиттере (Ico) и коэффициент умножения тока (α или β).Коэффициент умножения тока дает нам показатель усиления или возможностей усиления транзистора, а ток коллектора с открытым эмиттером дает показатель, который позволяет нам определить характеристики транзистора при наличии колебаний температуры и различных условий смещения цепи.

Цепи

Коллекторный ток с открытым эмиттером иногда называют обратным током или током насыщения. Символ Igo используется довольно часто, и это обозначение, используемое на тестере транзисторов, чтобы указать положение переключателя, который обеспечивает это измерение.Этот ток измеряется аналогично подключению, показанному на рис. A. NPN-транзистор подключен к положительной клемме батареи, подключенной последовательно с микроамперметром к коллектору, а отрицательная клемма батареи возвращена в база. Транзистор P-N-P подключается аналогичным образом, за исключением того, что полярность батареи и измерителя поменяна местами. Резистор не участвует в измерении I. его цель — ограничить ток через микроамперметр при проверке неисправного транзистора.Большинство современных транзисторов имеют Ico примерно от 10 до 20 микроампер при комнатной температуре. Кроме того, Ico очень чувствителен к температуре; то есть она увеличивается примерно в два раза на каждые десять градусов повышения температуры. Многие транзисторы, измеренные на сегодняшний день, показывают тенденцию к увеличению Ico с возрастом. Величина увеличения во многом зависит от температуры, при которой были выдержаны изделия. Большинство устройств имеют характеристику сужения, так что после конечного периода достигается более или менее окончательное значение Igo.Во многих случаях это выравнивание составляло приблизительно от 20 до 30 микроампер. Так что обычно можно ожидать немного более высокого Ico от транзистора, который находился в эксплуатации год или два, чем от нового блока.

Рис. 1. Основные схемы (A) для проверки lco и (B) коэффициента α.

Рис. 2. Полная схема транзисторной проверки.

Список деталей рис. 2

M1	Микроамперметр 0-50 или 0-100 (см. Текст).
R1	Всего 4500 Ом (последовательно подключенные блоки 1200 и 3300 Ом или эквивалентные), ½ Вт.
S1	Четырехполюсный двухпозиционный переключатель, центральное положение выключено (см. Текст).
S2	Трехполюсный двухпозиционный переключатель (см. Текст).
Общая батарея	4,5 В (три пенлитовых элемента).

Коэффициент усиления a для соединения с общей базой (который также используется для определения коэффициента усиления β для соединения с общим эмиттером) оценивается с помощью конфигурации схемы, подобной показанной на рис.1Б. Схема работает следующим образом: общий ток (который является током эмиттера) составляет один миллиампер, что определяется батареей на 4,5 В и резистором 4,5 кОм. Измеритель, подключенный между базой и коллектором транзистора, обеспечивает путь для тока базы и показывает величину тока базы, необходимую для поддержания тока эмиттера в один миллиампер. Таким образом, счетчик показывает 1 — a, и вычитание этого значения из 1 дает значение a. Значение a — это часть эмиттерного тока, протекающая в цепи коллектора, и для большинства современных транзисторов находится в диапазоне от 0.95 и 0,99. Член β, который представляет собой текущий коэффициент умножения для соединения с общим эмиттером, равен и, следовательно, находится между 19 и 99. Можно видеть, что по мере приближения к единице коэффициент умножения тока соединения с общим эмиттером становится очень большим. и, следовательно, транзистор имеет высокий коэффициент усиления. В большинстве используемых сегодня схем транзистор работает с общим эмиттером.

Строительство

Устройство проверки транзисторов полностью автономно в алюминиевом шасси размером 4 × 6 × 2 дюйма.Верх корпуса служит передней частью шашки. Внутри корпуса достаточно места, чтобы разместить батарею на 4,5 В. Срок службы батареи по сути такой же, как и срок годности батареи. Принципиальная схема показана на рис. 2. Требуемых деталей не так много, и, несомненно, их получение не вызовет особых трудностей. 4-полюсный 3-позиционный рычажный переключатель используется для «тестового» переключателя; одна сторона — это положение N-P-N, другая сторона — положение P-N-P с положением выключения, расположенным в центре.Свойства транзисторов N-P-N и P-N-P аналогичны, за исключением полярности приложенного напряжения. При переключении с одного на другой необходимо поменять полярность измерителя, а также полярность батареи. Также подойдет поворотный переключатель, имеющий необходимые 4 полюса и 3 положения. 3-полюсный 2-позиционный ползунковый переключатель используется для переключения между Igo и измерениями. Здесь также можно использовать поворотный переключатель, но ползунковый переключатель более предпочтителен из-за своего небольшого размера.

В описываемом устройстве используется 0-50 мкА, он позволяет получать показания от 0,95 до 1. Для тех, кто может захотеть заменить измеритель с другой чувствительностью, вторым выбором будет 0-100 мкА. Тогда диапазон измерения будет между 0,9 и 1. Другие диапазоны измерителей были бы нежелательны, потому что более чувствительные не давали бы достаточного диапазона, а менее чувствительные не обеспечивали бы достаточной точности в области высоких значений a.

Калибровка счетчика дана списком цифр в таблице.Для показанного устройства фактическая калибровка была нанесена чернилами на лицевой стороне измерителя. Те, кто не хочет разбирать счетчик или изменять шкалу счетчика, могут получить значения a или At из списка в соответствии с показаниями микроампер счетчика.

Эксплуатация

Работа с устройством проверки транзисторов проста и понятна. Единственный момент, на который следует обратить внимание, — это состояние, которое может привести к повторной перегрузке счетчика. Если транзистор с открытым коллектором проверить на a, через измеритель будет проходить 1 миллиампер.Кроме того, если транзистор с закороченным коллектором измеряется на I,…, измеритель снова будет пропускать через него возможный 1 миллиампер. Переключатель N-P-N / P-N-P должен быть в выключенном положении, когда транзистор вставлен в гнездо, чтобы предотвратить воздействие на счетчик 1 миллиампер, если выводы транзистора будут закорочены во время этой операции.

Калибровочная карта микроамперметра

Показание счетчика (мкА)	α (Коэффициент общего тока базы)	β (Коэффициент тока общего эмиттера)
10	0.99	99
20	0,98	49
30	0,97	32_1 / 3
40	0,96

Устройство проверки транзисторов специально разработано для проверки переходных транзисторов. Проверка транзисторов точечного типа требует несколько иного подхода. Однако, поскольку в потребительской электронной аппаратуре практически не было точечных транзисторов, было сочтено, что включение проверки этих блоков в устройство проверки транзисторов не стоит затраченных усилий.

Простая схема и немногочисленные компоненты позволили получить очень полезный и ценный инструмент. Радиотехник, а также радиолюбитель и экспериментатор сочтут устройство проверки транзисторов наиболее полезным проектом.

Х.Ф. ПРИБИ-младший, W2TGP.

Конструкция из органических металлов для улучшения характеристик полевых транзисторов

Ключевым компонентом устройства в органических полевых транзисторах (OFET) является интерфейс органический полупроводник / металл, поскольку он должен обеспечивать эффективную инжекцию заряда.Традиционно в этих устройствах использовались неорганические металлы с использованием традиционных методов литографического производства. Металлы с низкой или высокой работой выхода были выбраны в зависимости от типа измеряемого полупроводника, и в некоторых случаях металл был покрыт молекулярными самоорганизующимися монослоями для настройки работы выхода, улучшения молекулярного порядка на границе раздела и уменьшения контактное сопротивление. Однако в последние несколько лет некоторые подходы были сосредоточены на использовании органических металлов в этих устройствах, которые были изготовлены с помощью методов как испарения, так и обработки в растворе.Часто наблюдались более высокие характеристики устройства, что объяснялось рядом факторов, таких как более благоприятный интерфейс органический / органический, лучшее согласование уровней энергии и / или снижение контактного сопротивления. Кроме того, в отличие от своих неорганических аналогов, органические металлы допускают химическую модификацию и, таким образом, настройку уровня Ферми. В этой перспективной статье будет выполнен обзор недавних работ, посвященных изготовлению оптических транзисторов с органическими металлами в качестве электродов.Будет показано, что в этих устройствах важно не только согласование HOMO или LUMO полупроводника с работой выхода металла, но и другие аспекты, такие как морфология интерфейса, также могут играть решающую роль. Также будут кратко описаны недавние подходы, в которых использование органических солей для переноса заряда в качестве буферных слоев на металлических контактах или на диэлектрике или в качестве легирующих добавок для органических полупроводников, которые использовались для улучшения характеристик устройства, будут кратко описаны.

Эта статья в открытом доступе

Подождите, пока мы загрузим ваш контент… Что-то пошло не так. Попробуйте снова?

Учебная серия по электричеству и электронике ВМС (NEETS), модуль 7

Модуль 7 — Введение в твердотельные устройства и источники питания

Страницы i, 1−1, 1-11, 1−21, 1−31, 1−41, 2−1, 2-11, 2−21, 2−31, 2−41, 2−51, 3−1, 3-11, 3−21, 3−31, 3−41, 3−51, С 4-1 по 4-10, 4-11, 4−21, 4−31, 4−41, 4−51, Индекс

……………… 2 ……………… Н ……………… 130 ……………… A

……………… НОМЕР ИДЕНТИФИКАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКА Первый

……………… СОЕДИНЕНИЯ …………………………. ………………….. КОЛИЧЕСТВО МОДИФИКАЦИЯ

……………… (Транзистор)

Вы также можете найти другие маркировки на транзисторах, которые не относятся к системе оценок JAN.Эта маркировка является идентификацией производителя и может не соответствовать стандартизированная система. В случае сомнений всегда заменяйте транзистор на транзистор с идентичной маркировкой. Чтобы гарантировать, что используется идентичная замена или правильный заменитель, обратитесь к руководству по оборудованию или транзистору для технические характеристики транзистора.

ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБСЛУЖИВАНИЕ транзисторов

Транзисторы очень прочные и, как ожидается, будут относительно безотказными.Инкапсуляция и конформная Применяемые в настоящее время методы нанесения покрытий обещают чрезвычайно долгий срок службы. Теоретически транзистор должен прослужить бесконечно. Однако, если транзисторы подвергаются перегрузкам по току, переходы будут повреждены или даже уничтожен. Кроме того, приложение слишком высоких рабочих напряжений может повредить или разрушить соединения. из-за дугового замыкания или чрезмерных обратных токов. Одна из самых больших опасностей для транзистора — тепло, которое вызвать чрезмерный ток и, в конечном итоге, разрушение транзистора.

Чтобы определить, является ли транзистор хорошо это или плохо, можно проверить омметром или тестером транзисторов. Во многих случаях вы можете заменить транзистор известен как хороший для сомнительного и, таким образом, определяет состояние подозреваемого транзистор. Этот метод тестирования очень точный и иногда самый быстрый, но его следует использовать только после убедитесь, что нет дефектов цепи, которые могут повредить заменяемый транзистор.Если более одного неисправный транзистор присутствует в оборудовании, в котором была локализована неисправность, этот метод тестирования становится громоздкий, так как может потребоваться замена нескольких транзисторов, прежде чем проблема будет устранена. Чтобы определить, какие каскады вышли из строя и какие транзисторы исправны, все снятые транзисторы необходимо проверить. Этот тест может производиться с помощью стандартного военно-морского омметра, тестера транзисторов или путем наблюдения за работой оборудования. правильно, поскольку каждый из удаленных транзисторов снова вставляется в оборудование.слово предостережения-неизбирательное следует избегать замены транзисторов в критических цепях.

Когда транзисторы впаяны в оборудование, замена невозможна; вообще желательно потестить эти транзисторы в своих схемах.

Q34. Перечислите три элемента информации, обычно включаемых в раздел общего описания в спецификации транзистора.

Q35.Что означает цифра «2» (перед буквой «N») указать в схеме маркировки JAN?

Q36. В чем наибольшая опасность для транзистор?

Q37. Какой метод проверки транзисторов является громоздким, если неисправно более одного транзистора в цепи?

МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ

Транзисторы, хотя, как правило, более прочны с механической точки зрения, чем электронные лампы, они подвержены повреждениям. электрические перегрузки, жара, влажность и радиация.Повреждения такого характера часто возникают при транзисторном обслуживание путем подачи напряжения неправильной полярности на цепь коллектора или чрезмерного напряжения на входе схема. Известно также, что неосторожная пайка, приводящая к перегреву транзистора, вызывает значительные повреждать. Одна из наиболее частых причин повреждения транзистора — электростатический

2-31

---

Выделение из тела человека при обращении с устройством.Вы можете избежать таких повреждений перед запуском ремонт, сняв статическое электричество с вашего тела на шасси, содержащее транзистор. Ты можешь сделать это можно сделать простым прикосновением к шасси. Таким образом, электричество будет передаваться от вашего тела к шасси. прежде чем обращаться с транзистором.

Чтобы предотвратить повреждение транзистора и избежать поражения электрическим током, вы должны соблюдайте следующие меры предосторожности при работе с транзисторным оборудованием:

1.Испытательное оборудование и паяльники должны быть проверены, чтобы убедиться в отсутствии тока утечки от источника питания. Если ток утечки следует использовать изолирующие трансформаторы.

2. Всегда подключайте заземление между проверьте оборудование и схему перед попыткой ввода или отслеживания сигнала.

3. Убедитесь, что испытательные напряжения соответствуют не превышать максимально допустимое напряжение для компонентов схемы и транзисторов.Кроме того, никогда не подключайте испытательное оборудование. выходы напрямую в транзисторную схему.

4. Диапазоны омметра, для которых требуется ток более одного миллиампер в тестовой цепи не должен использоваться для тестирования транзисторов.

5. Сливы аккумуляторных батарей не должны использоваться для питания транзисторного оборудования, потому что они плохо регулируют напряжение и, возможно, сильные пульсации напряжения.

6.Тепло, приложенное к транзистору, когда паяные соединения необходимо свести к минимуму, используя маломощный паяльник и тепловые шунты, такие как удлиненный носик. плоскогубцы на выводах транзистора.

7. Когда возникает необходимость в замене транзисторов, никогда не поддавайтесь транзисторы, чтобы отсоединить их от печатных плат.

8. Проверить все цепи на наличие дефектов. перед заменой транзистора.

9. Перед заменой устройства необходимо отключить питание от оборудования. транзистор.

10. Использование обычных испытательных щупов на оборудовании с близко расположенными частями часто вызывает случайное замыкание между соседними клеммами. Эти шорты редко вызывают повреждение электронной лампы, но могут испортить ее. транзистор. Чтобы избежать этих коротких замыканий, зонды можно покрыть изоляцией, за исключением очень короткого отрезка. советы.

ИДЕНТИФИКАЦИЯ ВЫВОДОВ

Идентификация выводов транзистора играет важную роль участие в обслуживании транзисторов; потому что, прежде чем транзистор можно будет проверить или заменить, его выводы или клеммы должны быть идентифицированы. Поскольку стандартного метода идентификации выводов транзисторов не существует, вполне возможно ошибочно принимать одно следствие за другое. Поэтому при замене транзистора следует обратить пристальное внимание на как установлен транзистор, особенно те транзисторы, которые впаяны, так что вы не делаете ошибка при установке нового транзистора.Когда вы проверяете или заменяете транзистор, если у вас любые сомнения относительно того, какой вывод есть, обратитесь к руководству по оборудованию или руководству по транзистору, которое показывает спецификации для используемого транзистора.

Однако есть некоторые типичные идентификационные данные схемы, которые будут очень полезны при поиске и устранении неисправностей транзисторов. Эти схемы показаны на рисунке 2-17. в В случае овального транзистора, показанного на виде A, вывод коллектора идентифицируется большим промежутком между ними. и основной свинец.Самый дальний от коллектора вывод на линии — это вывод эмиттера. Когда выводы равномерно с интервалом и в линию, как показано в

2-32

---

вид B, цветная точка, обычно красная, указывает на коллектора. Если транзистор круглый, как в представлении C, красная линия указывает на коллектор, а вывод эмиттера — самый короткий вывод. С точки зрения D, отведения находятся в треугольное расположение, смещенное от центра транзистора.Отведение напротив пустого квадранта в эта схема является базовым отведением. Если смотреть снизу, коллектор является первым выводом по часовой стрелке от база. Выводы на виде E расположены так же, как и на виде D, за исключением того, что для идентификации ведет. Если смотреть снизу по часовой стрелке, первый вывод, следующий за выступом, является эмиттером, за ним база и коллектор.

Рисунок 2-17.- Идентификация выводов транзистора.

В обычном силовом транзисторе, как показано на видах F и G, вывод коллектора обычно подключается к монтажная база. Для дальнейшей идентификации основной вывод на виде F закрыт зеленой оплеткой. В то время как выводы в виде G идентифицируются, если смотреть на транзистор снизу по часовой стрелке (с установкой отверстия, занимающие позиции 3 и 9 часов), вывод эмиттера будет либо на 5 часах, либо на 11 часах. позиция.Другой вывод — это основание.

ТЕСТИРОВАНИЕ транзисторов

Есть несколько разные способы проверки транзисторов. Их можно проверить, находясь в цепи, методом подстановки. упомянутого, либо с помощью тестера транзисторов или омметра.

2-33

---

Тестеры транзисторов — не что иное, как твердотельный эквивалент тестеров электронных ламп (хотя они не действуют по тому же принципу).С помощью большинства тестеров транзисторов можно проверить вход или выход транзистора. схемы.

Для практического поиска и устранения неисправностей транзисторам требуются четыре основных теста: усиление, время утечки, пробоя и переключения. Однако для обслуживания и ремонта необходима проверка двух или трех параметров. обычно достаточно для определения необходимости замены транзистора.

Так как нецелесообразно охватывают все типы тестеров транзисторов, и, поскольку каждый тестер поставляется с собственным руководством оператора, мы Перейдем к тому, что вы будете чаще использовать для проверки транзисторов — омметру.

Тестирование транзисторов с помощью омметра

Два теста, которые можно выполнить с помощью омметра: усиление и сопротивление перехода. Проверка сопротивления перехода транзистора выявит утечку, короткое замыкание и обрыв.

ТЕСТ усиления транзистора . — базовый тест усиления транзистора может быть выполнен с помощью омметра и простая тестовая схема. Схема тестирования может быть сделана всего с парой резисторов и переключателем, как показано на рисунке. 2-18.Принцип испытания заключается в том, что в транзисторе между эмиттер и коллектор до тех пор, пока переход эмиттер-база не будет смещен в прямом направлении. Единственная мера предосторожности, которую вы должны соблюдать: с омметром. В счетчике можно использовать любую внутреннюю батарею при условии, что она не превышает максимально допустимую. напряжение пробоя коллектор-эмиттер.

Рисунок 2-18. — Проверка усиления транзистора омметром.

Когда переключатель на рис. 2-18 находится в разомкнутом положении, как показано, на PNP не подается напряжение. база транзистора и переход эмиттер-база не смещены в прямом направлении. Следовательно, омметр должен показывать высокий сопротивление, указанное на измерителе. Когда переключатель замкнут, цепь эмиттер-база смещена в прямом направлении на напряжение на R1 и R2. В цепи эмиттер-коллектор течет ток, что снижает сопротивление чтение на омметре.соотношение сопротивлений 10: 1 в этом тесте между показаниями счетчика указывает на нормальное усиление. для транзистора звуковой частоты.

Чтобы проверить NPN-транзистор с использованием этой схемы, просто поменяйте местами выводы омметра и выполните процедура, описанная ранее.

2-34

---

ИСПЫТАНИЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ СОЕДИНЕНИЯ транзистора . — Омметр можно использовать для проверки транзистора на утечка (нежелательное протекание тока) при измерении база-эмиттер, база-коллектор и коллектор-эмиттер прямое и обратное сопротивление.

Для простоты рассмотрим тестируемый транзистор в каждом представлении Рисунок 2-19 (вид A, вид B и вид C) в виде двух диодов, соединенных спина к спине. Следовательно, каждый диод будет иметь низкое прямое сопротивление и высокое обратное сопротивление. Измеряя эти сопротивления омметром, как показано на По рисунку вы можете определить, пропускает ли транзистор ток через свои переходы. При создании этих измерения, избегайте использования шкалы R1 на измерителе или измерителе с высоким внутренним напряжением батареи.Либо из эти условия могут повредить маломощный транзистор.

Рисунок 2-19A. — Проверка герметичности транзистора омметром. ИСПЫТАНИЕ коллектор-эмиттер

Рисунок 2-19B. — Проверка герметичности транзистора омметром. ИСПЫТАНИЕ от базы к коллектору

2-35

---

Рисунок 2-19C.- Проверка герметичности транзистора омметром. ТЕСТ «база-эмиттер»

Теперь рассмотрим возможные проблемы с транзисторами, которые могут существовать, если показания указаны на рисунке 2-19. не получаются. Список этих проблем представлен в таблице 2-2.

Таблица 2-2. — Возможные проблемы с транзисторами по показаниям омметра

К настоящему времени вы должны понимать, что транзистор, используемый на рисунке 2-19 (вид A, вид B и вид C), PNP-транзистор.Если вы хотите проверить NPN-транзистор на утечку, процедура идентична той, что использовалась для тестирование PNP, за исключением того, что полученные показания меняются местами.

При тестировании транзисторов (PNP или NPN) вы Следует помнить, что фактические значения сопротивления зависят от шкалы омметра и напряжения аккумулятора. Типичный прямое и обратное сопротивления незначительны. Лучший индикатор, показывающий, исправен ли транзистор или Плохо соотношение прямого и обратного сопротивления.Если транзистор, который вы тестируете, показывает соотношение не менее 30 до 1, наверное, хорошо. Многие транзисторы имеют отношение 100 к 1 или больше.

Q38. Какая безопасность меры предосторожности должны быть приняты перед заменой транзистора?

Q39. Как определяется коллектор на транзистор овальной формы?

Q40. Какие два теста транзистора можно провести с помощью омметра?

В41.Когда вы проверяете усиление аудиочастотного транзистора с помощью омметра, на что указывает Соотношение сопротивлений 10: 1?

2-36

---

Q42. Когда вы используете омметр для проверки транзистора на утечку, на что указывает низкий, но не закорочено, обратное показание сопротивления?

МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

До сих пор различные полупроводники, резисторы, конденсаторы и т. Д., в наших обсуждениях были рассматриваются как отдельно упакованные компоненты, называемые DIsCRETE COMPONENTS. В этом разделе мы познакомим вас с некоторыми из более сложных устройств, которые содержат полные схемы, упакованные как один компонент. Эти устройства называемые ИНТЕГРИРОВАННЫМИ схемами и широким термином, используемым для описания использования этих устройств для миниатюризации электронное оборудование называется МИКРОЭЛЕКТРОНИКА.

С появлением транзисторов и спросом со стороны Военные для меньшего оборудования, инженеры-конструкторы намеревались миниатюризировать электронное оборудование.В начале, их усилия не увенчались успехом, потому что большинство других компонентов в цепи, таких как резисторы, конденсаторы и катушки были больше транзистора. Вскоре эти другие компоненты схемы были миниатюризированы, что подтолкнуло впереди разработка электронного оборудования меньшего размера. Наряду с миниатюрными резисторами, конденсаторами и прочим элементы схемы, производство компонентов, которые на самом деле были меньше, чем пространство, необходимое для стало возможным соединить проводку и кабели.Следующим шагом в процессе исследования было устранение этих громоздкие компоненты проводки. Это было достигнуто с помощью ПЕЧАТНОЙ ПЛАТЫ (PCB).

А печатная плата Плата представляет собой плоскую изолирующую поверхность, на которой печатная проводка и миниатюрные компоненты соединяются в заданный дизайн и прикреплены к общей базе. На Рис. 2-20 (вид A и вид B) показан типичный напечатанный печатная плата. Обратите внимание, что к плате подключены различные компоненты, а печатная проводка находится на обратной стороне. боковая сторона.При использовании этого метода вся соединительная проводка в элементе оборудования, за исключением проводов наивысшего напряжения и кабеля, сводится к линиям проводящего материала (медь, серебро, золото и т. д.), нанесенных непосредственно на поверхность изолирующей «монтажной платы». Поскольку печатные платы легко адаптируются как съемные блоки, устранение клеммных колодок, арматуры и точек крепления, не говоря уже о проводах, приводит к значительному сокращению в габаритные размеры электронного оборудования.

2-37

---

Рисунок 2-20A. — типовая печатная плата (PCB). ПЕРЕДНЯЯ СТОРОНА

Рисунок 2-20B. — типовая печатная плата (PCB). ОБРАТНАЯ СТОРОНА

2-38

---

После того, как печатные платы были усовершенствованы, были предприняты усилия по миниатюризации электронного оборудования. перешел на сборочные технологии, что привело к МОДУЛЬНОЙ СХЕМЕ.В этой технике печатные платы сложены и соединены вместе, чтобы сформировать модуль. Это увеличивает плотность упаковки компонентов схемы и приводит к значительному уменьшению размеров электронного оборудования. Поскольку модуль может быть разработан для выполняет любую электронную функцию, это также очень универсальный блок.

Однако недостаток такого подхода заключалась в том, что модули требовали значительного количества соединений, которые занимали слишком много места и увеличивали расходы.Кроме того, тесты показали, что на надежность отрицательно повлияло увеличение количества соединения.

Требовалась новая технология для повышения надежности и дальнейшего увеличения плотности упаковки. Решением были ИНТЕГРИРОВАННЫЕ ЦЕПИ.

Интегральная схема — это устройство, которое объединяет (объединяет) оба активных компонента (транзисторы, диоды, и т. д.) и пассивных компонентов (резисторы, конденсаторы и т. д.)) полной электронной схемы в одной микросхеме ( крошечный кусочек или пластина полупроводникового кристалла или изолятора).

Интегральные схемы (ИС) имеют почти исключено использование отдельных электронных компонентов (резисторов, конденсаторов, транзисторов и т. д.) в качестве здания блоки электронных схем. Вместо этого были разработаны крошечные ЧИПС, функции которых не являются функциями отдельных часть, но из десятков транзисторов, резисторов, конденсаторов и других электронных элементов, все соединенных между собой выполнить задание сложной схемы.Часто они состоят из нескольких полных традиционных схемных каскадов, таких как как многокаскадный усилитель (в одном очень маленьком компоненте). Эти микросхемы часто устанавливаются на печатных печатная плата, как показано на рисунке 2-21, которая подключается к электронному блоку.

Рисунок 2-21. — ИС на печатной плате.

Интегральные схемы имеют ряд преимуществ по сравнению с обычными проводными схемами из дискретных компонентов.Эти преимущества включают (1) резкое уменьшение размера и веса, (2) значительное повышение надежности, (3) более низкая стоимость и (4) возможное улучшение характеристик схемы. Однако интегральные схемы

2-39

№

---

состоит из частей, настолько тесно связанных друг с другом, что ремонт становится практически невозможным. В В случае неисправности вся схема заменяется как единый компонент.

В основном, есть два общих классификации интегральных схем: ГИБРИДНАЯ и МОНОЛИТНАЯ. В монолитной интегральной схеме все элементы (резисторы, транзисторы и т. д.), связанные со схемой, производятся неразрывно внутри сплошной части материал (называемый ПОДЛОЖКОЙ), обычно кремний. Монолитная интегральная схема очень похожа на одиночный транзистор. Пока одна часть кристалла легируется, образуя транзистор, другие части кристалла на них воздействуют, чтобы сформировать соответствующие резисторы и конденсаторы.Таким образом, все элементы комплектного цепи создаются в кристалле с помощью тех же процессов и за то же время, необходимое для создания одного транзистор. Это дает значительную экономию затрат по сравнению с той же схемой, сделанной из дискретных компонентов. снижение затрат на сборку.

Гибридные интегральные схемы построены несколько иначе, чем монолитные устройства. ПАССИВНЫЕ компоненты (резисторы, конденсаторы) нанесены на подложку (фундамент). из стекла, керамики или другого изоляционного материала.Тогда АКТИВНЫЕ компоненты (диоды, транзисторы) прикреплен к подложке и подключен к пассивным компонентам схемы на подложке с помощью очень тонкой (0,001 дюйм) проволока. Термин гибрид относится к тому факту, что разные процессы используются для формирования пассивного и активного компоненты устройства.

Гибридные схемы бывают двух основных типов: (1) тонкопленочные и (2) толстопленочные. «Тонкая» и «толстая» пленка относятся к относительной толщине нанесенного материала, используемого для формирования резисторов и другие пассивные компоненты.Толстопленочные устройства способны рассеивать больше энергии, но они несколько более громоздки.

Интегральные схемы используются во все более разнообразных приложениях. Небольшие размеры и вес и высокая надежность делает их идеально подходящими для использования в бортовом оборудовании, ракетных системах, компьютерах, космических кораблях, и переносное оборудование. Их часто легко узнать из-за необычных упаковок, содержащих Интегральная схема.Типичная последовательность упаковки показана на рисунке 2-22. Эти крошечные пакеты защищают и помогают рассеивать тепло, выделяемое в устройстве. Один из этих пакетов может содержать один или несколько этапов, часто с несколько сотен компонентов. Некоторые из наиболее распространенных стилей пакетов показаны на рис. 2-23.

2-40

---

—	Материя, энергия и постоянный ток
—	Переменный ток и трансформаторы
—	Защита, управление и измерение цепей
—	Электропроводники, техника электромонтажа, и схематическое чтение
—	Генераторы и двигатели
—	Электронные излучатели, трубки и источники питания
—	Твердотельные устройства и блоки питания
—	Усилители
—	Цепи генерации и формирования волн
—	Распространение волн, линии передачи и Антенны
—	Принципы СВЧ
—	Принципы модуляции
—	Введение в системы счисления и логические схемы
—	— Введение в микроэлектронику
—	Принципы синхронизаторов, сервоприводов и Гироскопы
—	Введение в испытательное оборудование
—	Принципы радиочастотной связи
—	Принципы работы радаров
—	Справочник техника, Главный глоссарий
—	Методы и практика испытаний
—	Введение в цифровые компьютеры
—	Магнитная запись
—	Введение в волоконную оптику
Примечание: Обучение электричеству и электронике военно-морского флота Содержимое серии (NEETS) — U.С. Собственность ВМФ в свободном доступе.

Тестеры транзисторов

Тестеры транзисторов

Лабораторные испытательные наборы транзисторов используются в экспериментальной работе для проверки всех характеристики транзисторов. Однако для обслуживания и ремонта в этом нет необходимости. для проверки всех параметров транзистора. Проверка двух-трех выступлений характеристик обычно достаточно, чтобы определить, нужен ли транзистор заменены.Двумя наиболее важными параметрами, используемыми для тестирования транзисторов, являются: коэффициент усиления по току транзистора (бета) и ток утечки коллектора или обратный ток (I _co ).

Набор для тестирования полупроводников (рис. 2-4) — это прочный полевой тестер, предназначенный для испытательные транзисторы и полупроводниковые диоды. Набор измеряет бета транзистора, сопротивление, возникающее на электродах, обратный ток транзистора или полупроводника диод, короткое замыкание или обрыв диода, прямая крутизна поля транзистор и состояние собственных аккумуляторов.

Рисунок 2-4. — Набор для тестирования полупроводников.

Чтобы гарантировать получение точной и полезной информации от транзистора тестера, следующие предварительные проверки тестера должны быть выполнены перед тестированием любого транзисторы.

Когда переключатель ПОЛЯРНОСТЬ (рис. 2-4) находится в положении ВЫКЛ, стрелка измерителя должна укажите ровно ноль. (При необходимости поверните регулировочный винт измерителя на передней стороне метр для выполнения этого требования.) Когда измерения фактически не производятся, Переключатель ПОЛЯРНОСТЬ должен всегда оставаться в положении ВЫКЛ, чтобы предотвратить разряд батареи.

Всегда проверяйте состояние батарей испытательного комплекта, отсоединяя испытательный комплект. шнур питания, установив переключатель POLARITY в положение PNP и поместив FUNCTION переключитесь сначала на BAT.1, затем на BAT.2. В обоих положениях BAT стрелка измерителя должна двигаться. так, чтобы указать в пределах красного диапазона BAT.

БЕТА-ИЗМЕРЕНИЯ.- Если нужно проверить транзистор вне цепи, вставьте его в тестовое гнездо, расположенное с правой стороны под измерителем, показанным на рисунке 2-4. Если транзистор должен быть проверен в схеме, обязательно, чтобы не менее 300 Ом существуют между E-B, C-B и C-E для точного измерения. Начальные настройки тестового набора элементы управления следующие:

• Переключить FUNCTION на BETA
• Переключатель ПОЛЯРНОСТИ на PNP или NPN (в зависимости от типа тестируемого транзистора)
• Переключить RANGE на X10
• Отрегулируйте НУЛЬ СЧЕТЧИКА для показания нуля счетчика (транзистор отключен)

ПРИМЕЧАНИЕ. Переключатель ПОЛЯРНОСТЬ должен оставаться ВЫКЛЮЧЕННЫМ, пока транзистор подключен к или отключен от тестового набора.Если вы определите, что значение бета-версии меньше 10, установите переключатель RANGE в положение X1 и сбросьте счетчик на ноль.

После подключения желтого щупа к эмиттеру зеленый щуп к базе, и синий измерительный провод к коллектору, подключите измерительный щуп (не показан) к разъему расположен в правом нижнем углу тестового набора. При проверке заземленного оборудования отсоедините сетевой шнур 115 В переменного тока и используйте аккумулятор. Бета-чтение достигнуто умножение показаний счетчика на положение переключателя RANGE.Обратимся к транзистору книга характеристик, поставляемая с тестером, чтобы определить, являются ли показания нормальными для тип тестируемого транзистора.

ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРОДНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ. — Подключите щупы внутрисхемного датчика к транзистор с желтым выводом к эмиттеру, зеленым выводом к базе и синим привести к коллекционеру. Установите переключатель FUNCTION в положение OHMS E-B и прочтите сопротивление между эмиттером и базовым электродом по центральной шкале измерителя.

Чтобы считать сопротивление между коллектором и базой и коллектором и эмиттером, установите переключатель FUNCTION в положение OHMS C-B и OHMS C-E. Эти внутрисхемные электродные сопротивления измерения используются для правильной интерпретации внутрисхемных бета-измерений. В точность диапазона BETA X1, X10 составляет 15 процентов только при нагрузка эмиттер-база равна или превышает 300 Ом.

I _co ИЗМЕРЕНИЯ.- Отрегулируйте ручку METER ZERO на нулевой счетчик. индикация. Вставьте проверяемый транзистор в гнездо или подключите измерительные провода к разъему. тестируемое устройство. Установите переключатель PNP / NPN в соответствие с тестируемым транзистором. Установите переключатель FUNCTION в положение I _co , а переключатель RANGE в положение X0.1, X1 или X10 как указанные в справочнике транзисторов на допустимую утечку. Прочтите количество утечки на нижнюю шкалу и при необходимости умножьте ее на значение диапазона.

ИЗМЕРЕНИЯ ДИОДОВ. — Качественные внутрисхемные измерения диодов достигаются подключение зеленого щупа к катоду, а желтого щупа к аноду. Установленный переключатель FUNCTION в положение DIODE IN / CKT, а переключатель RANGE в положение X1. (Убедитесь, что на глюкометре был правильно обнулен на этой шкале.) Если счетчик показывает меньшую шкалу, измените ПОЛЯРНОСТЬ выключатель. Если показания измерителя ниже среднего уровня, тестируемый диод либо разомкнут, либо закорочен.Сопротивление соответствующей цепи этого теста составляет менее 25 Ом.

МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ. — Транзисторы, хотя обычно механически более прочны, чем электронные лампы, чувствительны к повреждению из-за чрезмерного нагрева и электрической перегрузки. В При обслуживании транзисторного оборудования следует соблюдать следующие меры предосторожности:

Испытательное оборудование и паяльники необходимо проверить, чтобы убедиться, что нет ток утечки от источника питания.При обнаружении тока утечки изоляция трансформаторы должны использоваться. Диапазоны омметра, требующие силы тока более 1 миллиамперы в испытательной цепи не должны использоваться для проверки транзисторов. Аккумулятор элиминаторы не должны использоваться для питания транзисторного оборудования, потому что они имеют плохая регулировка напряжения и, возможно, высокие пульсации напряжения. Тепло, приложенное к транзистор, когда требуются паяные соединения, следует свести к минимуму за счет использования маломощный паяльник и тепловые шунты (например, плоскогубцы) на транзисторе ведет.Перед заменой транзистора необходимо проверить все схемы на наличие дефектов. В перед заменой транзистора или другой схемы необходимо отключить питание от оборудования. часть. При работе с оборудованием с близко расположенными деталями вы обнаружите, что обычные щупы часто становятся причиной случайных коротких замыканий между соседними клеммами. Кратковременные короткие замыкания, которые редко вызывают повреждение электронной лампы, могут испортить транзистор. Чтобы избежать случайного короткого замыкания, измерительный щуп можно покрыть изоляцией. все, кроме очень короткого кончика.

Устройства для ухода, чувствительные к электростатическому разряду (ESDS), которые чувствительны к электростатический разряд (ESD) требует особого обращения. Вы можете легко определить Устройства, чувствительные к электростатическому разряду (ESDS), обозначены символами, показанными на рисунке 2-5. Статическое электричество возникает всякий раз, когда два вещества (твердое или жидкое) трутся друг о друга или разделяются. В трение или разделение веществ вызывает перенос электронов от одного вещества к другой; тогда одно вещество становится положительно заряженным, а другое — отрицательно заряжен.Когда любое из этих заряженных веществ вступает в контакт с заземленным проводник, электрический ток течет до тех пор, пока это вещество не станет таким же электрическим потенциал как земля.

Рисунок 2-5. — Предупреждающие символы для устройств ESDS.

Вы обычно испытываете накопление статического электричества в зимние месяцы, когда идете по виниловый пол или ковровое покрытие. (Синтетика, особенно пластмасса, — отличные генераторы статическое электричество.) Если вы затем дотронетесь до дверной ручки или любого другого проводника, электрический Это может привести к замыканию дуги на землю, и вы можете получить легкий электрический ток. Чтобы вы испытали такой После удара током создаваемый электростатический потенциал должен составлять от 3500 до 4000 вольт. Меньшие напряжения, хотя присутствует и разряжается таким же образом, обычно не проявляется для вашего нервного система. Некоторые типичные измеренные статические заряды, вызванные различными воздействиями, приведены в таблице. 2-1.

Таблица 2-1. — Типичные измеренные статические заряды (в вольтах)

ПУНКТ	ОТНОСИТЕЛЬНАЯ ВЛАЖНОСТЬ
	НИЗКИЙ (10-20%)	ВЫСОКАЯ (65-90%)
ПРОГУЛКА ПО КОВРИКУ	35,000 В	1,500 В
ХОДЬБА ПО ВИНИЛОВОМУ ПОЛУ	12 000 В	250 В
РАБОЧИЙ НА СТАМЬЕ	6,000 В	100 В
КОНВЕРТЫ ДЛЯ РАБОЧЕЙ ИНСТРУКЦИИ.	7000 В	600 В
Полиэтиленовая сумка, снятая со скамейки	20,000 В	1,200 В
РАБОЧИЙ КРЕСЛО С УРЕТАНОВЫМ ФОРМОМ	18,000 В	1,500 В

Q.10 Примерно при каком минимальном потенциале напряжения вы должны почувствовать электростатический разряд?

BU406 — Силовые транзисторы NPN

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > транслировать Acrobat Distiller 9.0.0 (Windows) BroadVision, Inc.2020-09-15T11: 33: 02 + 02: 002014-11-12T13: 33: 48 + 01: 002020-09-15T11: 33: 02 + 02: 00приложение / pdf

BU406 — Силовые транзисторы NPN

ОН Полупроводник

Эти устройства представляют собой высоковольтные высокоскоростные транзисторы для выходных каскадов горизонтального отклонения телевизоров и ЭЛТ.

uuid: 13039482-96eb-4c88-8af0-e2aabc108198uuid: e4b1c938-5439-4bbc-93a6-66095fb67497 Распечатать конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > транслировать HV] OVwѮr? ²JVJlv @ S C q ڎ Q $ 3sLQp1’T2xF | l`UMw4 @ 9bEb ~ c2ofoQ2O «hМhHFwMDatDOI xcjc5 = ̵606, ESVp \ n «+ 񻺩 އ} QF> gҾK | U> gJ%.a6; #y | = ‘(֍ cI`1g ~ 6 дюймов cfi | _yZ- > _ & Q 8ѭ $ (4v` $ * A`jDKLa | i = B_A $ N3gbʢ ߡ) IS1aXvRK VL? BNF! = #] _ Ṳ S ռ RM8

+ J «‘} | .3K

Project 31 — полнофункциональный тестер транзисторов

Project 31 — полнофункциональный тестер транзисторов

Продукты Elliott Sound

пр.31

© Октябрь 1999 г., Род Эллиотт (ESP)

верхний

---

Введение

При создании усилителей или любых других силовых каскадов часто необходимо тестировать транзисторы, чтобы убедиться, что они (все еще) работают, или для некоторых эзотерических конструкций может даже потребоваться сопоставление определенных характеристик.Не думайте, что, поскольку ваш мультиметр (или небольшие «автоматические» тестеры компонентов) может тестировать транзисторы, он может тестировать силовые устройства, потому что это не так. Ток коллектора обычно ограничен максимум несколькими миллиампер, и это совершенно бесполезно для силового транзистора, который может не показывать никакого полезного усиления, пока не будет проводить где-то между 10 и 100 мА.

Представленный здесь дизайн — это именно то, что вам нужно, и дает возможность протестировать:

• Коэффициент усиления (также обозначается как h _FE или бета)
• Коэффициент усиления при различных токах коллектора до 5А
• Напряжение пробоя (с Rbe или без — выбирается значение)

Как и в случае с некоторыми другими моими проектами, это не особенно дешево в строительстве, но если у меня есть собственный блок, он прослужит много лет.(На самом деле, мой у меня был так долго, что в источнике переменного высокого напряжения использовался клапан — его только недавно заменили транзистором.) Эта конструкция на самом деле лучше, чем мой существующий блок — он имеет больший блок питания и более гибкая в эксплуатации.

В конце статьи есть пара фотографий моего устройства, так что вы можете получить некоторое представление о том, как он может выглядеть, когда закончите. Имейте в виду, что этот тестер отличается от моего (у него больше функций), поэтому не пытайтесь проводить прямое сравнение переключения.У меня (к сожалению) нет отдельных переключателей диапазонов тока базы и коллектора, поэтому он менее полезен. Может, в следующий раз мне придется сделать такое.

Предупреждение
С самого начала я должен сделать одно предостережение. Как и любое подобное коммерческое предложение, этот тестер способен взорвать транзистор так же, как и проверить его. Пользователь полностью отвечает за правильность настроек перед нажатием переключателя усиления.Автор не несет абсолютно никакой ответственности за любой ущерб, прямой или косвенный, который может быть нанесен тестируемому устройству или оператору в результате использования или невозможности использования описанного проекта. Например, если вы оставите базовый ток, установленный на 10 мА, а диапазон тока коллектора (скажем) 1 А или более, когда вы попытаетесь проверить транзистор с малым сигналом, он, вероятно, немедленно выйдет из строя. Всегда проверяйте диапазоны перед нажатием кнопки тестирования!

---

Описание

Основной метод проверки усиления транзистора показан на рисунке 1, и хотя он не идеален, его гораздо проще реализовать, чем с использованием фиксированного тока коллектора.Результаты более чем приемлемы, и из-за конструкции этого устройства можно наблюдать падение усиления и другие нежелательные явления вплоть до максимального тока.

Рисунок 1 — Базовый метод тестирования транзисторов

Переключение диапазонов последнего блока и другие функциональные блоки показаны на рисунке 2, и легко увидеть, что он почти полностью состоит из переключателей и резисторов. Печатная плата не требуется, поскольку большинство резисторов следует подключать непосредственно к переключателям или их можно установить на бирках, как это было в моем оригинальном устройстве.

Рисунок 2 — Переключение функций тестера

Диапазон измерителя простирается от максимальной чувствительности измерителя в 100 мкА с шагом декады до 1А. Максимальный диапазон был намеренно ограничен до 5А — даже при этом токе транзистор будет рассеивать до 20 Вт в худшем случае, поэтому тестируемое устройство следует установить на радиаторе, или тест должен быть очень коротким, в противном случае транзистор перегреется и может (будет) разрушен или серьезно поврежден.

Номинальная мощность резисторов

Значения номинальной мощности для различных шунтирующих резисторов измерителя важны. Резистор на 2 Ом (диапазон 5 А) лучше всего сделать из пяти параллельно включенных резисторов 10 Ом 10 Вт. Максимальное рассеивание будет около 70 Вт, но оно будет использоваться только в течение короткого времени, иначе транзистор перегреется и выйдет из строя. Установите резисторы на секции радиатора с помощью алюминиевого кронштейна, убедившись, что кронштейн и радиатор имеют хороший тепловой контакт.Используйте термопасту, чтобы отвести как можно больше тепла. Не используйте тот же радиатор, что и регулятор мощности. Дополнительное тепло от резисторов слишком сильно повысит температуру и поставит под угрозу срок службы полупроводников.

Резистор 10 Ом (диапазон 1 А) также должен быть 10 Вт, но не требует радиатора (хотя установка его с другими не повредит). Держите его подальше от других компонентов, потому что он сильно нагреется.

100 Ом (диапазон 100 мА) может быть 5-ваттным блоком и будет работать довольно прохладно (только 1.Рассеиваемая мощность 6 Вт в худшем случае), а все остальные резисторы должны быть типа 1/2 Вт. Поскольку абсолютная точность не слишком важна, допускается допуск 5%, но при желании можно использовать 1%.

Функции переключателей
Ниже перечислены различные переключатели и функции:

Рисунок 3 — Переключение NPN / PNP

На рисунке 3 показано переключение для NPN и PNP (полярность должна быть обратной), а также измеритель и его калибровочные резисторы и защитные диоды.Они будут проводить, когда напряжение на измерителе превысит 0,65 В, поэтому, если используется такое же движение измерителя (или примерно такое же), возможен максимальный ток перегрузки 170 мкА. Хотя при этом игла будет сильно качаться до упора, это не повредит движению.

Я использовал аналоговый измерительный механизм, потому что его гораздо проще реализовать, хотя обычно они несколько дороже, чем цифровой панельный измерительный прибор. Последним требуется плавающее питание, и они легко выходят из строя из-за паразитных высоких напряжений.Высокое напряжение используется для проверки напряжения пробоя транзистора и может сильно укусить, поэтому я предлагаю вам относиться к нему с большим уважением.

Движение измерителя — стандартная единица измерения 100 мкА, и я основал значения резистора на указанном сопротивлении измерителя в 3900 Ом. Если вы используете другой измеритель, вам необходимо отрегулировать резисторы 82 кОм и 15 кОм. Их цель — обеспечить сопротивление всей цепи 100 кОм. Поскольку на шунтирующих резисторах для полной шкалы вырабатывается 10 В, это означает, что 10 В и 100 кОм = 100 мкА.Конечно, вы можете использовать многооборотный триммер, чтобы измеритель можно было откалибровать, если вы захотите.

Если сложить значения, мы получим 3,9 тыс., 15 тыс. И 82 тыс., Что в сумме составит 100,9 тыс. (Лучше 1%), что более чем достаточно для этого приложения.

Резистор для измерения сопротивления 4 МОм (помечен *) может быть изготовлен с использованием 3,9 МОм последовательно с 100 кОм. Это должно быть достаточно точным, иначе показания измерителя напряжения не будут полезны. Обратите внимание, что защитные диоды счетчика отключены в режиме проверки напряжения, но остаются подключенными к остальной части коммутационной цепи счетчика.Это необходимо для гарантии того, что ток нагрузки на питании высокого напряжения не изменится при нажатии кнопки проверки напряжения. Если этого не сделать, нагрузка счетчика исчезнет, ​​и показания напряжения будут бессмысленными.

Обратите внимание, что переключатель диапазонов рассчитан на ток до 5 А. Это, вероятно, находится на самом пределе мощности переключателя (в зависимости от используемого устройства), но, поскольку ток прерывистый, он будет иметь долгую и плодотворную жизнь в любом случае. Обычно я никогда не буду эксплуатировать что-либо на пределе (или выше) его пределов, но цена альтернативы слишком ужасна, чтобы даже думать.

---

Блок питания

Блок питания несложный, но потребует некоторой изобретательности, чтобы убедиться, что напряжения соответствуют указанным. Использование второго трансформатора, как показано, не самый эффективный способ создания источника высокого напряжения / низкого тока, но, безусловно, самый простой и надежный, и именно поэтому я выбрал именно этот способ.

Основное питание вполне обычное (ну почти), а для установки напряжения используется стабилизатор 7812. Диод увеличивает его до 12.6 В (приблизительно), чтобы обеспечить точность базовых токов, и использует обходной транзистор для подачи максимального тока 5 А, на который я рассчитывал. Ограничение тока не используется, так как оно не требуется — даже с измерителем в диапазоне 5А прямое короткое замыкание может потреблять максимум около 6,3А, что вполне соответствует возможностям источника питания.

Рисунок 4 — Блок питания

Регулятор и силовой транзистор должны быть установлены на радиаторе. Хотя это не обязательно должно быть массовым (тесты, как правило, непродолжительны), я предлагаю, чтобы блок 1 ° C / ватт был идеальным.Регулятор должен быть изолирован от радиатора слюдяной шайбой, но я рекомендую устанавливать силовой транзистор непосредственно для наиболее эффективной передачи тепла. При таком расположении радиатор будет работать при напряжении около 25 В над землей, поэтому рекомендуется внутренний монтаж. Убедитесь, что имеется достаточный воздушный поток для надлежащего охлаждения.

Некоторые подходящие высоковольтные транзисторы для высоковольтного питания включают 2N6517C, KSP44TF, ZTX458 и STX83003. Они доступны с 2015 года, но, возможно, вам все равно придется их искать.Первоначально предложенные транзисторы больше не доступны. Другие подходящие устройства включают BUL310FP или 2SC3749M. Транзистору необходимо номинальное напряжение не менее 400 В, а рассеиваемая мощность в худшем случае составит около 250 мВт. Также можно использовать высоковольтный полевой МОП-транзистор (например, IRF840), но вы должны добавить стабилитрон 12 В между выводами затвора и истока, иначе он выйдет из строя — вероятно, при первом использовании!

Помните, что этот транзистор работает с максимальным напряжением более 300 В, поэтому не пытайтесь использовать какое-либо устройство с номинальным напряжением менее 350 В (минимум).Убедитесь, что он рассчитан на работу с низким током — многие сильноточные транзисторы имеют очень низкий коэффициент усиления при малых токах. Я должен признать, что BF338, который я использовал (больше не доступен), на самом деле рассчитан всего на 225 В, но одна из действительно хороших вещей в наличии такого тестера — это то, что вы можете выбирать транзисторы, которые часто значительно лучше, чем их спецификации. Даже не думайте о нем как о альтернативе предлагаемым устройствам, если вы не можете проверить его напряжение пробоя.

Последовательный резистор к линии питания HV2 — компромисс.Он должен быть достаточно высоким, чтобы предотвратить повреждение транзистора (или пользователя), но также должен быть достаточно низким, чтобы обеспечить приемлемый ток пробоя. Обычно для проверки напряжения пробоя транзистора требуется около 50–100 мкА. Если ток слишком велик, тестируемый транзистор может быть поврежден.

В источнике высокого напряжения используется второй трансформатор, и я предполагаю, что достаточно напряжения около 300 В постоянного тока. Нет никаких причин, по которым это значение нельзя увеличить (кроме поиска подходящего транзистора), но для работы со звуком в этом, как правило, нет необходимости.Имейте в виду, что высокое напряжение может убить вас, поэтому не забывайте о нем, пока строится тестер.

Все диоды в цепи должны быть 1N4007 (1000 В) и использовать мостовой выпрямитель на 10 А или 25 А. Убедитесь, что все подключения к электросети должным образом изолированы, чтобы предотвратить случайный контакт. Это включает в себя участок высокого напряжения, который по-прежнему опасен во всех точках цепи.

---

ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ

Даже в укомплектованном и собранном блоке максимальный ток составляет примерно 600 мкА — такая величина тока потенциально опасна, особенно при 300 В за ней. ОНО МОЖЕТ УБИТЬ ВАС !!!

Никогда не используйте тестер при включенном высоковольтном источнике напряжения, если он вам не нужен для тестирования пробоя, и всегда проверяйте, чтобы напряжение было установлено на минимум сразу после тестирования. Не пренебрегайте этими предупреждениями.

Выбор трансформатора для источника высокого напряжения немного сложен, поскольку трансформаторы, которые вы можете получить, будут зависеть от того, где вы живете (у меня под рукой был старый силовой трансформатор вентильного усилителя, но вам может не повезти).Схема высоковольтного выпрямителя представляет собой удвоитель напряжения, поэтому вторичное напряжение трансформатора должно составлять около 110 В переменного тока. Это обеспечит номинальное напряжение постоянного тока около 310 В, но оно может сильно варьироваться в зависимости от используемого трансформатора.

ПРИМЕЧАНИЕ — Если вы находитесь в США или другой стране с напряжением 110 В, не поддавайтесь ни малейшему искушению использовать источник питания без трансформатора. Если вы сделаете это, вы создадите невероятно опасный запас, который почти гарантированно убьет вас рано или поздно (возможно, первое!).Даже с трансформатором это питание опасно по своей природе — этого нельзя избежать, и его следует всегда использовать с большой осторожностью.

Главный трансформатор должен иметь номинальную мощность не менее 100 ВА (предпочтительно 150 ВА или около того), и для него потребуется вторичное напряжение 15 В. Чтобы выбрать второй трансформатор …

• Если в США (или вы можете достать трансформаторы на 110 В), используйте вторичную обмотку 15 В. Поскольку вторая трансмиссия работает в обратном направлении, это даст вам необходимое напряжение 110 В.
• В Европе вам понадобится трансформатор с вторичным напряжением около 30 В. Поскольку он подключен к источнику переменного тока 15 В, вторичное напряжение будет около 110 В переменного тока.
• В Австралии, Новой Зеландии и других странах, где раньше было 240 В (сейчас это в основном номинальное 230 В), вам все равно понадобится трансформатор 30 В, но выходное напряжение будет быть выше, чем должно быть. Один из способов — это поэкспериментировать с последовательным резистором в линии 15 В переменного тока, или вы можете просто смириться с более высоким напряжением.

Второй трансформатор должен иметь мощность около 10 ВА, чтобы обеспечить ток, достаточный для подачи высокого напряжения. Скорее всего, потребуются некоторые эксперименты, поскольку я не могу предсказать, что вы можете (или не можете) получить в свои руки.

Посмотрев на схему, вы увидите, что нет общего соединения между источниками низкого и высокого напряжения. Это сделано намеренно. Общее соединение выполняется в зависимости от настройки переключателя NPN / PNP, поэтому не соединяйте отрицательные стороны двух источников питания!

Хотя не показаны в предполагаемых положениях, вам следует использовать светодиоды в качестве индикаторов питания.Стандартный светодиод с параллельным диодом и последовательным резистором 2k2 (как показано в нижнем левом углу) следует использовать для индикатора основного питания (непосредственно через обмотку 15 В), а другой — через обмотку 15 В (или 30 В) второго трансформатора. как индикатор высокого напряжения.

---

Использование тестера

Поскольку он настолько всеобъемлющий, это не самый простой в использовании тестер в мире. С другой стороны, он очень гибкий и позволяет проводить полные испытания практически любого биполярного транзистора.Он не подходит для полевых МОП-транзисторов, поскольку процессы тестирования совершенно разные, но вы можете провести некоторые элементарные тесты, если напряжение на затворе 12 В в порядке. Я не делаю здесь никаких претензий — поскольку я не проводил никаких испытаний MOSFET на своем собственном устройстве (я не могу, потому что он немного отличается от этой конструкции и использует источник высокого напряжения для базового тока — это мгновенно разрушит устройство! ).

Перед тем, как начать
Всегда устанавливайте переключатель диапазона на 100 мкА при подключении транзистора.Если он подключен неправильно или закорочен, вы не нанесете никакого ущерба. Только когда вы убедитесь, что у вас есть правильные соединения и полярность, вы можете попытаться пойти дальше. При малых токах большинство транзисторов выдерживают любые злоупотребления, при при высоких токах они умирают.

Тестирование прироста
В зависимости от транзистора выберите подходящий диапазон для тока коллектора. Например, если вы выбираете 10 мА, всегда начинайте с минимального значения базового тока 1 мкА.Если вы обнаружите, что вам необходимо увеличить базовый ток до 100 мкА, показания полной шкалы на тестере покажут коэффициент усиления 100.

Для всех транзисторов всегда устанавливайте диапазон тока коллектора на значение, подходящее для устройства, и начинайте с самого низкого значения базового тока. Увеличивайте его до тех пор, пока показание измерителя не будет больше 10 мкА по шкале измерителя. Поскольку все диапазоны указаны в десятилетиях, мысленным расчетом легко определить усиление тестовой составляющей.

Например, если базовый ток составляет 10 мкА, а измеритель показывает 35 в диапазоне 10 мА (т.е.е. 3,5 мА), коэффициент усиления составляет 350. Если переключатели диапазона и базового тока установлены в минимальное положение (100 мкА и 1 мкА соответственно), полная шкала измерителя показывает коэффициент усиления 100.

Испытательное напряжение пробоя
Опять же, имейте в виду, что напряжение потенциально опасно. Установите переключатель диапазона в положение 100 мкА, а переключатель R-be в положение «Открыть». Медленно увеличивайте напряжение, наблюдая за счетчиком. Обычно вы видите постепенное увеличение тока, которое внезапно будет быстро увеличиваться. Это BVceo (напряжение пробоя, коллектор к эмиттеру при открытой базе).Нажмите кнопку «Проверка напряжения», чтобы считать напряжение (вам может потребоваться изменить диапазон — счетчик откалиброван от 0 до 100 В и от 0 до 500 В, как показано на рисунке, поэтому для диапазона x5 потребуется некоторая мысленная арифметика).

В качестве альтернативы можно использовать второе движение измерителя для измерения напряжения, или вы можете использовать мультиметр в контрольных точках эмиттера и коллектора. Это наиболее точно (но такая точность не требуется, поскольку мудрый разработчик не будет эксплуатировать устройство слишком близко к его измеренной производительности, которая в некоторых случаях может превышать спецификацию на 100% или более).

Во многих случаях напряжение пробоя транзистора может быть указано с некоторым значением сопротивления между эмиттером и базой — это BVcer (напряжение пробоя с указанным сопротивлением от эмиттера к базе). Такая конструкция допускает сопротивление от 100 кОм до 0 Ом в диапазоне декад, и я обнаружил, что этого вполне достаточно для промышленных испытаний. Когда эмиттер закорочен на базу, напряжение пробоя примерно такое же, как указанное BVcbo (напряжение пробоя, коллектор на базу, эмиттер открыт).

---

Мой тестер существующих транзисторов

На фотографиях показан мой собственный тестер, который немного отличается от представленного здесь. Он не такой исчерпывающий и не может выполнять некоторые из аккуратных вещей, включенных в новый дизайн. Верхнее изображение показывает внутреннее устройство тестера. Хорошо видны два силовых трансформатора, регулятор (крайний справа) и крышка главного фильтра. Все переключатели находятся на передней панели и состоят в основном из поворотных переключателей.Внимательный взгляд может увидеть реле, прячущееся в верхнем левом углу панели. Это было использовано, потому что я не мог достать подходящий кнопочный переключатель при сборке тестера, поэтому дополнительное переключение было получено с помощью реле. Этому подразделению уже более 40 лет, и он продолжает развиваться. Мне приходилось это исправлять пару раз, один из которых заключался в замене высоковольтного буфера клапана на транзистор, и регулятор тоже однажды вышел из строя. Вы должны полюбить идею использования клапана в тестере транзисторов, но когда он был построен, транзисторов высокого напряжения не существовало.Клапан был 12AU7 с двумя параллельными секциями, использовавшимися в качестве катодного повторителя. Переключение никогда не вызывало проблем, но, в отличие от новой конструкции, здесь для калибровки используются подстроечные головки. Они нуждаются в периодической настройке, чтобы восстановить точность, но, как видно на схемах, этого полностью удалось избежать с помощью нового дизайна (и это тоже хорошо). Опять же, когда устройство было построено, резисторы на 1% были практически недоступны, а стандартный допуск, который я имел в то время, составлял 5%. Бирка, которую я использовал для установки всех резисторов, видна вверху фотографии, но для этого требуется слишком много проводов. Новый дизайн требует совсем немного — всего несколько соединений между переключателями. На втором фото изображена передняя часть устройства, на которой вручную нанесены надписи Letraset «rub-on» и нанесен прозрачный лак. С учетом всех обстоятельств он продержался довольно хорошо. При сборке нового блока я предлагаю вам использовать гнездо для транзистора (если вы можете его получить — у меня он есть, но он модернизирован) для малых сигнальных транзисторов, а также использовать гнезда для клемм / бананов для проводов, к которым подключаются силовые устройства.Не используйте простые банановые розетки, как я — вы пожалеете об этом, потому что они причинят боль, если вы захотите использовать двухсторонние зажимы. Крепежные штыри обеспечивают большую гибкость при использовании тестера, а с помощью подвесных выводов вы сможете тестировать транзисторы, все еще установленные на радиаторе (однако они не должны оставаться подключенными к остальной части схемы — это НЕ внутрисхемный тестер).

Счастливое тестирование транзисторов.

---

---

Основной индекс Указатель проектов

Уведомление об авторских правах. Эта статья, включая, но не ограничиваясь, весь текст и диаграммы, является интеллектуальной собственностью Рода Эллиотта и © 1999. Воспроизведение или повторная публикация любыми способами, электронными, механическими или электромеханическими, строго запрещены в соответствии с Международные законы об авторском праве. Автор (Род Эллиотт) предоставляет читателю право использовать эту информацию только для личного использования, а также разрешает сделать одну (1) копию для справки при создании проекта. Читайте также Что делать, если грудничок не спит днем: советы по налаживанию режима сна Антигистаминные препараты для новорожденных: лечение и профилактика аллергии у грудничков Методика «Цветоник» М. Лазарева для музыкального развития детей Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт