Маркировка биполярного транзистора: Устройство и маркировка биполярного транзистора — Мир Антенн

Содержание

Устройство и маркировка биполярного транзистора

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga.ru. Продолжаем знакомиться с полупроводниковыми приборами и с этой статьи начнем разбираться с транзистором. В этой части мы познакомимся с устройством и маркировкой биполярных транзисторов.

Полупроводниковые транзисторы бывают двух видов: биполярные и полевые.
В отличие от полевых транзисторов биполярные получили наиболее широкое применение в радиоэлектронике, а чтобы эти транзисторы как-то отличать друг от друга, биполярные принято называть просто — транзисторами.

1. Устройство и обозначение биполярного транзистора.

Схематично биполярный транзистор можно представить в виде пластины полупроводника с чередующимися областями разной электропроводности, которые образуют два p-n перехода. Причем обе крайние области обладают электропроводностью одного типа, а средняя область электропроводностью другого типа, и где каждая из областей имеет свой контактный вывод.

Если в крайних областях полупроводника преобладает дырочная электропроводность, а в средней области электронная, то такой полупроводниковый прибор называют транзистором структуры p-n-p.

А если в крайних областях преобладает электронная электропроводность, а в средней дырочная, то такой транзистор имеет структуру n-p-n.

А теперь возьмем схематичную часть транзистора и прикроем любую крайнюю область, например, область коллектора, и посмотрим на результат: у нас остались открытыми область базы и эмиттера, то есть получился полупроводник с одним p-n переходом или обычный полупроводниковый диод. О диодах можно почитать здесь.

Если же мы прикроем область эмиттера, то останутся открытыми области базы и коллектора — и также получается диод.

Отсюда возникает вывод, что биполярный транзистор можно представить в виде двух диодов с одной

общей областью, включенных навстречу друг другу.

При этом общая (средняя) область называется базой, а примыкающие к базе области коллектором и эмиттером. Это и есть три электрода транзистора.

Примыкающие к базе области делают неодинаковыми: одну из областей изготавливают так, чтобы из нее наиболее эффективно происходил ввод (инжекция) носителей заряда в базу, а другую область делают таким-образом, чтобы в нее эффективно осуществлялся вывод (экстракция) носителей заряда из базы.

Отсюда получается:

область транзистора, назначением которой является ввод (инжекция) носителей зарядов в базу называется эмиттером, и соответствующий p-n переход эмиттерным.

область транзистора, назначением которой является вывод (экстракция) носителей из базы, называется коллектором

, и соответствующий p-n переход коллекторным.

То есть получается, что эмиттер вводит электрические заряды в базу, а коллектор их забирает.

Различие в обозначениях транзисторов разных структур на принципиальных схемах заключается лишь в направлении стрелки эмиттера: в p-n-p транзисторах она обращена в сторону базы, а в n-p-n транзисторах – от базы.

2. Технология изготовления биполярных транзисторов.

Технология изготовления транзисторов ни чем не отличается от технологии изготовления диодов. Еще в начальный период развития транзисторной техники биполярные транзисторы делали только из германия методом вплавления примесей, и такие транзисторы называют сплавными.

Берется кристалл германия и в него вплавляются кусочки индия.
Атомы индия диффузируют (проникают) в тело кристалла германия, образуя в нем две области

p-типа – коллектор и эмиттер. Между этими областями остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника n-типа, которую именуют базой. А чтобы защитить кристалл от влияния света и механического воздействия его помещают в металлостеклянный, металлокерамический или пластмассовый корпус.

На картинке ниже показано схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора, собранного на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу диска – ее наружный проволочный вывод.

Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проводникам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Металлический колпак защищает прибор от влияния света и механических повреждений. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные германиевые транзисторы из серии МП37 — МП42.

В обозначении буква «М» говорит, что корпус транзистора холодносварной, буква «П» — это первая буква слова «плоскостной», а цифры означают порядковый заводской номер транзистора. Как правило, после заводского номера ставят буквы А, Б, В, Г и т.д., указывающие на разновидность транзистора в данной серии, например, МП42Б.

С появлением новых технологий научились обрабатывать кристаллы кремния, и уже на его основе были созданы кремниевые транзисторы, получившие наиболее широкое применение в радиотехнике и на сегодняшний день практически полностью вытеснившие германиевые приборы.

Кремниевые транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 125ºС), имеют меньшие обратные токи коллектора и эмиттера, а также более высокие пробивные напряжения.

Основным методом изготовления современных транзисторов является планарная технология, а транзисторы, выполненные по этой технологии, называют планарными. У таких транзисторов p-n переходы эмиттер-база и коллектор-база находятся в одной плоскости. Суть метода заключается в диффузии (вплавлении) в пластину исходного кремния примеси, которая может находиться в газообразной, жидкой или твердой фазе.

Как правило, коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного кремния, на поверхность которой вплавляют близко друг от друга два шарика примесных элементов. В процессе нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластину кремния.

При этом один шарик образует в пластине тонкую базовую область, а другой эмиттерную.

В результате в пластине исходного кремния образуются два p-n перехода, образующие транзистор структуры p-n-p. По такой технологии изготавливают наиболее распространенные кремниевые транзисторы.

Также для изготовления транзисторных структур широко используются комбинированные методы: сплавление и диффузия или сочетание различных вариантов диффузии (двусторонняя, двойная односторонняя). Возможный пример такого транзистора: базовая область может быть диффузионная, а коллектор и эмиттер – сплавные.

Использование той или иной технологии при создании полупроводниковых приборов диктуется различными соображениями, связанными с техническими и экономическими показателями, а также их надежностью.

3. Маркировка биполярных транзисторов.

На сегодняшний день маркировка транзисторов, согласно которой их различают и выпускают на производствах, состоит из четырех элементов.
Например: ГТ109А, ГТ328, 1Т310В, КТ203Б, КТ817А, 2Т903В.

Первый элемент — буква Г, К, А или цифра 1, 2, 3 – характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы транзистора.

1. Буква Г или цифра 1 присваивается германиевым транзисторам;
2. Буква К или цифра 2 присваивается кремниевым транзисторам;
3. Буква А или цифра 3 присваивается транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия.

Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах: германий – выше 60ºС, а кремний – выше 85ºС.

Второй элемент – буква Т от начального слова «транзистор».

Третий элемент – трехзначное число от 101 до 999 – указывает порядковый заводской номер разработки и назначение транзистора. Эти параметры даны в справочнике по транзисторам.

Четвертый элемент – буква от А до К – указывает разновидность транзисторов данной серии.

Однако до сих пор еще можно встретить транзисторы, на которых стоит более ранняя система обозначения, например, П27, П213, П401, П416, МП39 и т. д. Такие транзисторы выпускались еще в 60 — 70-х годах до введения современной маркировки полупроводниковых приборов. Пусть эти транзисторы устарели, но они все еще пользуются популярностью и применяются в радиолюбительских схемах.

В рамках этой части статьи мы рассмотрели лишь общие методы изготовления транзисторных структур, чтобы начинающему радиолюбителю было легче понять внутреннее устройство транзистора.

На этом мы закончим, а в следующей части проведем несколько опытов и на их основе сделаем практические выводы о работе биполярного транзистора.
Удачи!

Литература:

1. Борисов В.Г — Юный радиолюбитель. 1985г.
2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К — Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы» — 4-е изд. перераб. и доп. 1987г.

Транзистор. Обозначение на схемах и внешний вид транзисторов.

Внешний вид и обозначение транзистора на схемах

На фото справа вы видите первый работающий транзистор, который был создан в 1947 году тремя учёными – Уолтером Браттейном, Джоном Бардином и Уильямом Шокли.

Несмотря на то, что первый транзистор имел не очень презентабельный вид, это не помешало ему произвести революцию в радиоэлектронике.

Трудно предположить, какой бы была нынешняя цивилизация, если бы транзистор не был изобретён.

Транзистор является первым твёрдотельным устройством, способным усиливать, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Он не имеет подверженных вибрации частей, обладает компактными размерами. Это делает его очень привлекательным для применения в электронике.

Это было маленькое вступление, а теперь давайте разберёмся более подробно в том, что же представляет собой транзистор.

Сперва стоит напомнить о том, что транзисторы делятся на два больших класса. К первому относятся так называемые биполярные, а ко второму – полевые (они же униполярные). Основой как полевых, так и биполярных транзисторов является полупроводник. Основной же материал для производства полупроводников — это германий и кремний, а также соединение галлия и мышьяка — арсенид галлия (GaAs).

Стоит отметить, что наибольшее распространение получили транзисторы на основе кремния, хотя и этот факт может вскоре пошатнуться, так как развитие технологий идёт непрерывно.

Так уж случилось, но вначале развития полупроводниковой технологии лидирующее место занял биполярный транзистор. Но не многие знают, что первоначально ставка делалась на создание полевого транзистора. Он был доведён до ума уже позднее. О полевых MOSFET-транзисторах читайте здесь.

Не будем вдаваться в подробное описание устройства транзистора на физическом уровне, а сперва узнаем, как же он обозначается на принципиальных схемах. Для новичков в электронике это очень важно.

Для начала, нужно сказать, что биполярные транзисторы могут быть двух разных структур. Это структура P-N-P и N-P-N. Пока не будем вдаваться в теорию, просто запомните, что биполярный транзистор может иметь либо структуру P-N-P, либо N-P-N.

На принципиальных схемах биполярные транзисторы обозначаются вот так.

Как видим, на рисунке изображены два условных графических обозначения. Если стрелка внутри круга направлена к центральной черте, то это транзистор с P-N-P структурой. Если же стрелка направлена наружу – то он имеет структуру N-P-N.

Маленький совет.

Чтобы не запоминать условное обозначение, и сходу определять тип проводимости (p-n-p или n-p-n) биполярного транзистора, можно применять такую аналогию.

Сначала смотрим, куда указывает стрелка на условном изображении. Далее представляем, что мы идём по направлению стрелки, и, если упираемся в «стенку» – вертикальную черту – то, значит, «Прохода Нет»! «Нет» – значит p-n-p (П-Н-П ).

Ну, а если идём, и не упираемся в «стенку», то на схеме показан транзистор структуры n-p-n. Похожую аналогию можно использовать и в отношении полевых транзисторов при определении типа канала (n или p). Про обозначение разных полевых транзисторов на схеме читайте тут.

Обычно, дискретный, то есть отдельный транзистор имеет три вывода. Раньше его даже называли полупроводниковым триодом. Иногда у него может быть и четыре вывода, но четвёртый служит для подключения металлического корпуса к общему проводу. Он является экранирующим и не связан с другими выводами. Также один из выводов, обычно это коллектор (о нём речь пойдёт далее), может иметь форму фланца для крепления к охлаждающему радиатору или быть частью металлического корпуса.

Вот взгляните. На фото показаны различные транзисторы ещё советского производства, а также начала 90-ых.

А вот это уже современный импорт.

Каждый из выводов транзистора имеет своё назначение и название: база, эмиттер и коллектор. Обычно эти названия сокращают и пишут просто Б (База), Э (Эмиттер), К (Коллектор). На зарубежных схемах вывод коллектора помечают буквой C, это от слова Collector — «сборщик» (глагол Collect — «собирать»). Вывод базы помечают как B, от слова Base (от англ. Base — «основной»). Это управляющий электрод. Ну, а вывод эмиттера обозначают буквой E, от слова Emitter — «эмитент» или «источник выбросов». В данном случае эмиттер служит источником электронов, так сказать, поставщиком.

В электронную схему выводы транзисторов нужно впаивать, строго соблюдая цоколёвку. То есть вывод коллектора запаивается именно в ту часть схемы, куда он должен быть подключен. Нельзя вместо вывода базы впаять вывод коллектора или эмиттера. Иначе не будет работать схема.

Как узнать, где на принципиальной схеме у транзистора коллектор, а где эмиттер? Всё просто. Тот вывод, который со стрелкой – это всегда эмиттер. Тот, что нарисован перпендикулярно (под углом в 90⁰) к центральной черте – это вывод базы. А тот, что остался – это коллектор.

Также на принципиальных схемах транзистор помечается символом VT или Q. В старых советских книгах по электронике можно встретить обозначение в виде буквы V или T. Далее указывается порядковый номер транзистора в схеме, например, Q505 или VT33. Стоит учитывать, что буквами VT и Q обозначаются не только биполярные транзисторы, но и полевые в том числе.

Далее узнаем, как найти транзисторы на печатной плате электронного прибора.

В реальной электронике транзисторы легко спутать с другими электронными компонентами, например, симисторами, тиристорами, интегральными стабилизаторами, так как те имеют такие же корпуса. Особенно легко запутаться, когда на электронном компоненте нанесена неизвестная маркировка.

В таком случае нужно знать, что на многих печатных платах производится разметка позиционирования и указывается тип элемента. Это так называемая шелкография. Так на печатной плате рядом с деталью может быть написано Q305. Это значит, что этот элемент транзистор и его порядковый номер в принципиальной схеме – 305. Также бывает, что рядом с выводами указывается название электрода транзистора. Так, если рядом с выводом есть буква E, то это эмиттерный электрод транзистора. Таким образом, можно чисто визуально определить, что же установлено на плате – транзистор или совсем другой элемент.

Как уже говорилось, это утверждение справедливо не только для биполярных транзисторов, но и для полевых. Поэтому, после определения типа элемента, необходимо уточнять класс транзистора (биполярный или полевой) по маркировке, нанесённой на его корпус.

Полевой транзистор FR5305 на печатной плате прибора. Рядом указан тип элемента — VT

Любой транзистор имеет свой типономинал или маркировку. Пример маркировки: КТ814. По ней можно узнать все параметры элемента. Как правило, они указаны в даташите (datasheet). Он же справочный лист или техническая документация. Также могут быть транзисторы этой же серии, но чуть с другими электрическими параметрами. Тогда название содержит дополнительные символы в конце, или, реже, в начале маркировки. (например, букву А или Г).

Зачем так заморачиваться со всякими дополнительными обозначениями? Дело в том, что в процессе производства очень сложно достичь одинаковых характеристик у всех транзисторов. Всегда есть определённое, пусть и, небольшое, но отличие в параметрах. Поэтому их делят на группы (или модификации).

Строго говоря, параметры транзисторов разных партий могут довольно существенно различаться. Особенно это было заметно ранее, когда технология их массового производства только оттачивалась.

Главная &raquo Радиоэлектроника для начинающих &raquo Текущая страница

Также Вам будет интересно узнать:

Маркировка транзисторов зарубежных(в т. ч.- SMD) и отечественных.

На рисунке ниже — виды корпусов импортных транзисторов.

Первый элемент — означает число PN — переходов: 2 — транзистор
Второй элемент — буква «N» (типономинал).
Третий элемент — цифры (серийный номер).
Четвертый элемент — буква, указывающая на возможные изменения параметров (характеристик) прибора в пределах одного типономинала по EIA. Если корпус транзистора или другого полупроводникового прибора мал, то в сокращенной маркировке первая цифра и буква «N» — не ставятся.

Обозначение на корпусе	Тип транзистора
«15» на корпусе SOT-23	MMBT3960(Datasheet «Motorola»)
«1A» на корпусе SOT-23	BC846A(Datasheet «Taitron»)
«1B» на корпусе SOT-23	BC846B(Datasheet «Taitron»)
«1C» на корпусе SOT-23	MMBTA20LT(Datasheet «Motorola»)
«1D» на корпусе SOT-23	BC846(Datasheet «NXP»)
«1E» на корпусе SOT-23	BC847A(Datasheet «Taitron»)
«1F» на корпусе SOT-23	BC847B(Datasheet «Taitron»)
«1G» на корпусе SOT-23	BC847C(Datasheet «Taitron»)
«1H» на корпусе SOT-23	BC847(Datasheet «NXP»)
«1N» на корпусе SOT-416	BC847T(Datasheet «NXP»)
«1J» на корпусе SOT-23	BC848A(Datasheet «Taitron»)
«1K» на корпусе SOT-23	BC848B(Datasheet «Taitron»)
«1L» на корпусе SOT-23	BC848C(Datasheet «Taitron»)
«1M» на корпусе SOT-416	BC846T(Datasheet «NXP»)
«1M» на корпусе SOT-323	BC848W(Datasheet «NXP»)
«1M» на корпусе SOT-23	MMBTA13(Datasheet «Motorola»)
«1N» на корпусе SOT-23	MMBTA414(Datasheet «Motorola»)
«1V» на корпусе SOT-23	MMBT6427(Datasheet «Motorola»)
«1P» на корпусе SOT-23	FMMT2222A,KST2222A,MMBT2222A.
«1T» на корпусе SOT-23	MMBT3960A(Datasheet «Motorola»)
«1Y» на корпусе SOT-23	MMBT3903(Datasheet «Samsung»)
«2A» на корпусе SOT-23	FMMBT3906,KST3906,MMBT3906
«2B» на корпусе SOT-23	BC849B(Datasheet «G.S.»)
«2C» на корпусе SOT-23	BC849C(Datasheet «G.S.»)
«2E» на корпусе SOT-23	FMMTA93,KST93
«2F» на корпусе SOT-23	FMMT2907A,KST2907A,MMBT2907AT
«2G» на корпусе SOT-23	FMMTA56,KST56
«2H» на корпусе SOT-23	MMBTA55(Datasheet «Taitron»)
«2J» на корпусе SOT-23	MMBT3640(Datasheet «Fairchild»)
«2K» на корпусе SOT-23	FMMT4402(Datasheet «Zetex»)
«2M» на корпусе SOT-23	MMBT404(Datasheet «Motorola»)
«2N» на корпусе SOT-23	MMBT404A(Datasheet «Motorola»)
«2T» на корпусе SOT-23	KST4403,MMBT4403
«2V» на корпусе SOT-23	MMBTA64(Datasheet «Motorola»)
«2U» на корпусе SOT-23	MMBTA63(Datasheet «Motorola»)
«2X» на корпусе SOT-23	MMBT4401,KST4401
«3A» на корпусе SOT-23	MMBTh34(Datasheet «Motorola»)
«3B» на корпусе SOT-23	MMBT918(Datasheet «Motorola»)
«3D» на корпусе SOT-23	MMBTH81(Datasheet «Motorola»)
«3E» на корпусе SOT-23	MMBTh20(Datasheet «Motorola»)
«3F» на корпусе SOT-23	MMBT6543(Datasheet «Motorola»)
«3J-» на корпусе SOT-143B	BCV62A(Datasheet «NXP»)
«3K-» на корпусе SOT-23	BC858B(Datasheet «NXP»)
«3L-» на корпусе SOT-143B	BCV62C(Datasheet «NXP»)
«3S» на корпусе SOT-23	MMBT5551(Datasheet «Fairchild»)
«4As» на корпусе SOT-23	BC859A(Datasheet «Siemens»)
«4Bs» на корпусе SOT-23	BC859B(Datasheet «Siemens»)
«4Cs» на корпусе SOT-23	BC859C(Datasheet «Siemens»)
«4J» на корпусе SOT-23	FMMT38A(Datasheet «Zetex S.»)
«449» на корпусе SOT-23	FMMT449(Datasheet «Diodes Inc.»)
«489» на корпусе SOT-23	FMMT489(Datasheet «Diodes Inc.»)
«491» на корпусе SOT-23	FMMT491(Datasheet «Diodes Inc.»)
«493» на корпусе SOT-23	FMMT493(Datasheet «Diodes Inc.»)
«5A» на корпусе SOT-23	BC807-16(Datasheet «General Sem.»)
«5B» на корпусе SOT-23	BC807-25(Datasheet «General Sem.»)
«5C» на корпусе SOT-23	BC807-40(Datasheet «General Sem.»)
«5E» на корпусе SOT-23	BC808-16(Datasheet «General Sem.»)
«5F» на корпусе SOT-23	BC808-25(Datasheet «General Sem.»)
«5G» на корпусе SOT-23	BC808-40(Datasheet «General Sem.»)
«5J» на корпусе SOT-23	FMMT38B(Datasheet «Zetex S.»)
«549» на корпусе SOT-23	FMMT549(Datasheet «Fairchild»)
«589» на корпусе SOT-23	FMMT589(Datasheet «Fairchild»)
«591» на корпусе SOT-23	FMMT591(Datasheet «Fairchild»)
«593» на корпусе SOT-23	FMMT593(Datasheet «Fairchild»)
«6A-«,»6Ap»,»6At» на корпусе SOT-23	BC817-16(Datasheet «NXP»)
«6B-«,»6Bp»,»6Bt» на корпусе SOT-23	BC817-25(Datasheet «NXP»)
«6C-«,»6Cp»,»6Ct» на корпусе SOT-23	BC817-40(Datasheet «NXP»)
«6E-«,»6Et»,»6Et» на корпусе SOT-23	BC818-16(Datasheet «NXP»)
«6F-«,»6Ft»,»6Ft» на корпусе SOT-23	BC818-25(Datasheet «NXP»)
«6G-«,»6Gt»,»6Gt» на корпусе SOT-23	BC818-40(Datasheet «NXP»)
«7J» на корпусе SOT-23	FMMT38C(Datasheet «Zetex S.»)
«9EA» на корпусе SOT-23	BC860A(Datasheet «Fairchild»)
«9EB» на корпусе SOT-23	BC860B(Datasheet «Fairchild»)
«9EC» на корпусе SOT-23	BC860C(Datasheet «Fairchild»)
«AA» на корпусе SOT-523F	2N7002T(Datasheet «Fairchild»)
«AA» на корпусе SOT-23	BCW60A(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AB» на корпусе SOT-23	BCW60B(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AC» на корпусе SOT-23	BCW60C(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AD» на корпусе SOT-23	BCW60D(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AE» на корпусе SOT-89	BCX52(Datasheet «NXP»)
«AG» на корпусе SOT-23	BCX70G(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AH» на корпусе SOT-23	BCX70H(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AJ» на корпусе SOT-23	BCX70J(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AK» на корпусе SOT-23	BCX70K(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AL» на корпусе SOT-89	BCX53-16(Datasheet «Zetex»)
«AM» на корпусе SOT-89	BCX52-16(Datasheet «Zetex»)
«AS1» на корпусе SOT-89	BST50(Datasheet «Philips»)
«B2» на корпусе SOT-23	BSV52(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BA» на корпусе SOT-23	BCW61A(Datasheet «Fairchild»)
«BA» на корпусе SOT-23	2SA1015LT1(Datasheet «Tip»)
«BA» на корпусе SOT-23	2SA1015(Datasheet «BL Galaxy El.»)
«BB» на корпусе SOT-23	BCW61B(Datasheet «Fairchild»)
«BC» на корпусе SOT-23	BCW61C(Datasheet «Fairchild»)
«BD» на корпусе SOT-23	BCW61D(Datasheet «Fairchild»)
«BE» на корпусе SOT-89	BCX55(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BG» на корпусе SOT-89	BCX55-10(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BH» на корпусе SOT-89	BCX56(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BJ» на корпусе SOT-23	BCX71J(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BK» на корпусе SOT-23	BCX71K(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BH» на корпусе SOT-23	BCX71H(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BG» на корпусе SOT-23	BCX71G(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BR2» на корпусе SOT-89	BSR31(Datasheet «Zetex»)
«C1» на корпусе SOT-23	BCW29(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C2» на корпусе SOT-23	BCW30(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C5» на корпусе SOT-23	MMBA811C5(Datasheet «Samsung Sem.»)
«C6» на корпусе SOT-23	MMBA811C6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«C7» на корпусе SOT-23	BCF29(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C8» на корпусе SOT-23	BCF30(Datasheet «Diotec Sem.»)
«CEs» на корпусе SOT-23	BSS79B(Datasheet «Siemens»)
«CEC» на корпусе SOT-89	BC869(Datasheet «Philips»)
«CFs» на корпусе SOT-23	BSS79C(Datasheet «Siemens»)
«CHs» на корпусе SOT-23	BSS80B(Datasheet «Infenion»)
«CJs» на корпусе SOT-23	BSS80C(Datasheet «Infenion»)
«CMs» на корпусе SOT-23	BSS82C(Datasheet «Infenion»)
«CLs» на корпусе SOT-23	BSS82B(Datasheet «Infenion»)
«D1» на корпусе SOT-23	BCW31(Datasheet «KEC»)
«D2» на корпусе SOT-23	BCW32(Datasheet «KEC»)
«D3» на корпусе SOT-23	BCW33(Datasheet «KEC»)
D6″ на корпусе SOT-23	MMBC1622D6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«D7t»,»D7p» на корпусе SOT-23	BCF32(Datasheet «NXP Sem.»)
«D7» на корпусе SOT-23	BCF32(Datasheet «Diotec Sem.»)
«D8» на корпусе SOT-23	BCF33(Datasheet «Diotec Sem.»)
«DA» на корпусе SOT-23	BCW67A(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DB» на корпусе SOT-23	BCW67B(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DC» на корпусе SOT-23	BCW67C(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DF» на корпусе SOT-23	BCW67F(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DG» на корпусе SOT-23	BCW67G(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DH» на корпусе SOT-23	BCW67H(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«E2p» на корпусе SOT-23	BFS17A(Datasheet «Philips»)
«EA» на корпусе SOT-23	BCW65A(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EB» на корпусе SOT-23	BCW65B(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EC» на корпусе SOT-23	BCW65C(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EF» на корпусе SOT-23	BCW65F(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EG» на корпусе SOT-23	BCW65G(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EH» на корпусе SOT-23	BCW65H(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«F1» на корпусе SOT-23	MMBC1009F1(Datasheet «Samsung Sem.»)
«F3» на корпусе SOT-23	MMBC1009F3(Datasheet «Samsung Sem.»)
«FA» на корпусе SOT-89	BFQ17(Datasheet «Philips»)
«FDp»,»FDt»,»FDW» на корпусе SOT-23	BCV26(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FEp»,»FEt»,»FEW» на корпусе SOT-23	BCV46(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FFp»,»FFt»,»FFW» на корпусе SOT-23	BCV27(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FGp»,»FGt»,»FGW» на корпусе SOT-23	BCV47(Datasheet «Philips(NXP)»)
«GFs» на корпусе SOT-23	BFR92P(Datasheet «Infenion»)
«h2p»,»h2t»,»h2W» на корпусе SOT-23	BCV69(Datasheet «Philips(NXP)»)
«h3p»,»h3t»,»h3W» на корпусе SOT-23	BCV70(Datasheet «Philips(NXP)»)
«h4p»,»h4t» на корпусе SOT-23	BCV89(Datasheet «Philips(NXP)»)
«H7p» на корпусе SOT-23	BCF70
«K1» на корпусе SOT-23	BCW71(Datasheet «Samsung Sem.»)
«K2» на корпусе SOT-23	BCW72(Datasheet «Samsung Sem.»)
«K3p» на корпусе SOT-23	BCW81(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K1p»,»K1t» на корпусе SOT-23	BCW71(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K2p»,»K2t» на корпусе SOT-23	BCW72(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K7p»,»K7t» на корпусе SOT-23	BCV71(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K8p»,»K8t» на корпусе SOT-23	BCV72(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K9p» на корпусе SOT-23	BCF81(Datasheet » Guangdong Kexin Ind.Co.Ltd»)
«L1» на корпусе SOT-23	BSS65
«L2» на корпусе SOT-23	BSS69(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L3» на корпусе SOT-23	BSS70(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L4» на корпусе SOT-23	2SC1623L4(Datasheet «BL Galaxy El.»)
«L5» на корпусе SOT-23	BSS65R
«L6» на корпусе SOT-23	BSS69R(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L7» на корпусе SOT-23	BSS70R(Datasheet «Zetex Sem.»)
«M3» на корпусе SOT-23	MMBA812M3(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M4» на корпусе SOT-23	MMBA812M4(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M5» на корпусе SOT-23	MMBA812M5(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M6» на корпусе SOT-23	MMBA812M6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M6P» на корпусе SOT-23	BSR58(Datasheet «Philips(NXP)»)
«M7» на корпусе SOT-23	MMBA812M7(Datasheet «Samsung Sem.»)
«P1» на корпусе SOT-23	BFR92(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P2» на корпусе SOT-23	BFR92A(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P4» на корпусе SOT-23	BFR92R(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P5» на корпусе SOT-23	FMMT2369A(Datasheet «Zetex Sem.»)
«Q2» на корпусе SOT-23	MMBC1321Q2(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q3» на корпусе SOT-23	MMBC1321Q3(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q4» на корпусе SOT-23	MMBC1321Q4(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q5» на корпусе SOT-23	MMBC1321Q5(Datasheet «Motorola Sc.»)
«R1p» на корпусе SOT-23	BFR93(Datasheet «Philips(NXP)»)
«R2p» на корпусе SOT-23	BFR93A(Datasheet «Philips(NXP)»)
«s1A» на корпусах SOT-23,SOT-363,SC-74	SMBT3904(Datasheet «Infineon»)
«s1D» на корпусе SOT-23	SMBTA42(Datasheet «Infineon»)
«S2» на корпусе SOT-23	MMBA813S2(Datasheet «Motorola Sc.»)
«s2A» на корпусе SOT-23	SMBT3906(Datasheet «Infineon»)
«s2D» на корпусе SOT-23	SMBTA92(Datasheet «Siemens Sem.»)
«s2F» на корпусе SOT-23	SMBT2907A(Datasheet «Infineon»)
«S3» на корпусе SOT-23	MMBA813S3(Datasheet «Motorola Sc.»)
«S4» на корпусе SOT-23	MMBA813S4(Datasheet «Motorola Sc.»)
«T1″на корпусе SOT-23	BCX17(Datasheet «Philips(NXP)»)
«T2″на корпусе SOT-23	BCX18(Datasheet «Philips(NXP)»)
«T7″на корпусе SOT-23	BSR15(Datasheet «Diotec Sem.»)
«T8″на корпусе SOT-23	BSR16(Datasheet «Diotec Sem.»)
«U1p»,»U1t»,»U1W»на корпусе SOT-23	BCX19(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U2″на корпусе SOT-23	BCX20(Datasheet «Diotec Sem.»)
«U7p»,»U7t»,»U7W»на корпусе SOT-23	BSR13(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U8p»,»U8t»,»U8W»на корпусе SOT-23	BSR14(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U92» на корпусе SOT-23	BSR17A(Datasheet «Philips»)
«Z2V» на корпусе SOT-23	FMMTA64(Datasheet «Zetex Sem.»)
«ZD» на корпусе SOT-23	MMBT4125(Datasheet «Samsung Sem.»)

описание, типы, устройство, маркировка, применение.

В этой статье рассказывается об важно элементе радиоэлектронике — транзисторах. Про принцип действия диодов и их характеристики читайте по ссылке — http://www.radioingener.ru/diody-i-ix-primenenie/

Что такое транзистор.

Термин «транзистор» образован из двух английских слов: transfer — преобразователь и resistor — сопротивление.

В большую «семью» полупроводниковых приборов, называемых транзисторами, входят два вида: биполярные и полевые. Первые из них, чтобы как — то отличить их от вторых, часто называют обычными транзисторами.

Биполярный (обычный) транзистор

Биполярные транзисторы используются наиболее широко. Именно с них мы пожалуй и начнем. В упрощенном виде биполярный транзистор представляет собой пластину полупроводника с тремя (как в слоеном пироге) чередующимися областями разной электропроводности (рис. 1), которые образуют два р — n перехода.

Две крайние области обладают электропроводностью одного типа, средняя — электропроводностью другого типа. У каждой области свой контактный вывод. Если в крайних областях преобладает дырочная электропроводность, а в средней электронная (рис. 1, а), то такой прибор называют транзистором структуры p — n — р. У транзистора структуры n — p — n, наоборот, по краям расположены области с электронной электропроводностью, а между ними — область с дырочной электропроводностью (рис. 1, б).

Рис. 1 Схематическое устройство и графическое обозначение на схемах транзисторов структуры p — n — p и n — p — n.

Устройство и структура.

Если мысленно прикрыть любую из крайних областей транзисторов, изображенных схематически на (рис.1). Что получилось? Оставшиеся две области есть не что иное, как плоскостной диод. Если прикрыть другую крайнюю область, то тоже получится диод. Значит, транзистор можно представить себе как два плоскостных диода с одной общей областью, включенных навстречу друг другу.

Общую (среднюю) область транзистора называют базой, одну крайнюю область — эмиттером, вторую крайнюю область — коллектором.

Это три электрода транзистора. Во время работы эмиттер вводит (эмитирует) в базу дырки (в структуре p — n — р) или электроны (в структуре n — p — n), коллектор собирает эти электрические заряды, вводимые в базу эмиттером.

Различие в обозначениях транзисторов разных структур на схемах заключается лишь в направлении стрелки эмиттера: в p — n — р транзисторах она обращена в сторону базы, а в n — p — n — от базы.

Электронно — дырочные переходы в транзисторе могут быть получены так же, как в плоскостных диодах. Например, чтобы изготовить транзистор структуры p — n — р, берут тонкую пластину германия с электронной электропроводностью и наплавляют на ее поверхность кусочки индия. Атомы индия диффундируют (проникают) в тело пластины, образуя в ней две области типа р — эмиттер и коллектор, а между ними остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника типа n — база. Транзисторы, изготовляемые по такой технологии, называют сплавными.

Запомни наименования р — n переходов транзистора: между коллектором и базой — коллекторный, между эмиттером и базой — эмиттерный.

Схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора показаны на (рис. 2).

Изготовление транзисторов.

Прибор собран на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу — ее наружный проволочный вывод. Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проволочкам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Цельнометаллический колпак защищает прибор от механических повреждений и влияния света. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные транзисторы серий МП39, МП40, МП41, МП42 и их разновидности. Буква (М) в обозначении говорит о том, что корпус прибора холодносварной, буква (П)- первоначальная буква слов «плоскостной», а цифры — порядковые заводские номера приборов. В конце обозначения могут быть буквы А, Б, В (например, МП39Б), указывающие разницу в параметрах данной серии. Существуют другие способы изготовления, например, диффузионно — сплавной (рис. 3). Коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного полупроводника. На поверхность пластины наплавляют очень близко один от другого два маленьких шарика примесных элементов. Во время нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластинку полупроводника. При этом один шарик (на рис. 3 — правый) образует в коллекторе тонкую базовую область, а второй (на рис. 3 — левый) эмиттерную область.

Рис. 2 — Устройство и конструкция сплавного слева и диффузионно — сплавного справа транзистора структуры p — n — p.

В результате в пластине исходного полупроводника получаются два р — n перехода, образующие транзистор структуры р — n — р. По такой технологии изготовляют, в частности, наиболее массовые маломощные высокочастотные транзисторы серий П401-П403, П422, П423, ГТ308. В настоящее время действует система обозначения, по которой выпускаемые серийно приборы имеют обозначения, состоящие из четырех элементов, например: ГТ109А, КТ315В, ГТ403И.

Первый элемент этой системы обозначения — буква Г, К или А (или цифра 1, 2 и 3) — характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы прибора. Буква Г (или цифра 1) присваивается германиевым транзисторам, буква К (или цифра 2) — кремниевым, буква А (или цифра 3) — транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия. Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах (германиевый — выше 4- 60°С, кремниевый — выше +85°С).
Второй элемент — буква Т — начальная буква слова «транзистор».
Третий элемент — трехзначное число от 101 до 999 — указывает порядковый номер разработки и назначение прибора. Это число присваивается транзистору по признакам, приведенным в таблице.
Четвертый элемент обозначения — буква, указывающая разновидность прибора данной серии.

Вот некоторые примеры расшифровки обозначений по этой системе :

ГТ109А — германиевый маломощный низкочастотный транзистор, разновидность А;

ГТ404Г — германиевый средней мощности низкочастотный транзистор, разновидность Г;

КТЗ15В — кремниевый маломощный высокочастотный транзистор, разновидность В.

Применение транзисторов

Наряду с такой системой продолжает действовать и прежняя система обозначения, например П27, П401, П213, МП39 и т.д. Объясняется это тем, что такие или подобные транзисторы были разработаны до введения современной маркировки полупроводниковых приборов. Внешний вид некоторых биполярных транзисторов, наиболее широко используемых радиолюбителями, показан на (рис. 4). Маломощный низкочастотный транзистор ГТ109 (структуры р — n — р) имеет в диаметре всего 3, 4 мм. Транзисторы этой серии предназначены для миниатюрных радиовещательных приемников. Их используют также в слуховых аппаратах, в электронных медицинских приборах т.д.

Диаметр транзисторов ГТ309 (р — n — р) 7,4 мм. Такие транзисторы применяют в различных малогабаритных электронных устройствах для усиления и генерирования колебаний высокой частоты.

Транзисторы КТЗ15 (n — p — n) выпускают в пластмассовых корпусах. Эти маломощные приборы предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой частоты. Транзисторы МП39 — МП42 (р — n — р) — самые массовые среди маломощных низкочастотных транзисторов. Точно так выглядят и аналогичные им, но структуры n — p — n, транзисторы МП35 — МП38. Диаметр корпуса любого из этих транзисторов 11,5 мм. Наиболее широко их используют в усилителях звуковой частоты.

Так выглядят и маломощные высокочастотные р — n — р транзисторы серий П401 — П403, П416, П423, используемые для усиления высокочастотных сигналов как в промышленных, так и любительских радиовещательных приемниках. Транзистор ГТ402 (р — n — р) — представитель низкочастотных транзисторов средней мощности. Такую же конструкцию имеет его «близнец» ГТ404, но он структуры (n — p — n). Их, обычно используют в паре, в каскадах усиления мощности колебаний звуковой частоты.

Транзистор П213 (германиевый структуры р — n — р) — один из мощных низкочастотных транзисторов, широко используемых в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты. Диаметр этого, а также аналогичных ему транзисторов П214 — П216 и некоторых других, 24 мм. Такие транзисторы крепят на шасси или панелях при помощи фланцев. Во время работы они нагреваются, поэтому их обычно ставят на специальные теплоотводящие радиаторы, увеличивающие поверхности охлаждения.

КТ904 — сверхвысокочастотный кремниевый n — p — n транзистор большой мощности. Корпус металлокерамический с жесткими выводами и винтом М5, с помощью которого транзистор крепят на теплопроводящем радиаторе. Функцию радиатора может выполнять массивная металлическая пластина или металлическое шасси радиотехнического устройства. Высота транзистора вместе с выводами и крепежным винтом чуть больше 20 мм. Транзисторы этой серии предназначаются для генераторов и усилителей мощности радиоаппаратуры, работающей на частотах выше 100 МГц, например диапазона УКВ.

Рис. 4 Внешний вид некоторых транзисторов.

Советую просмотреть обучающий фильм:

Схемы включения и основные параметры биполярных транзисторов

Итак, биполярный транзистор, независимо от его структуры, является трехэлектродным прибором. Его электроды — эмиттер, коллектор и база. Для использования транзистора в качестве усилителя напряжения, тока или мощности входной сигнал, который надо усилить, можно подавать на два каких — либо электрода и с двух электродов снимать усиленный сигнал. При этом один из электродов обязательно будет общим. Он — то и определяет название способа включения транзистора: по схеме общего эмиттера (ОЭ), по схеме общего коллектора (ОК), по схеме общей базы (ОБ).

Включение p-n-р транзистора по схеме ОЭ показано на (рис. 5, а). Напряжение источника питания на коллекторе V подается через резистор Rк, являющийся нагрузкой, на эмиттер — через общий «заземленный» проводник, обозначаемый на схемах специальным знаком. Входной сигнал через конденсатор связи Ссв. подается к выводам базы и эмиттера, т.е. к участку база — эмиттер, а усиленный сигнал снимается с выводов эмиттера и коллектора. Эмиттер, следовательно, при таком включении является общим для входной и выходной цепей. Транзистор, по схеме с ОЭ, в зависимости от его усилительных свойств может дать 10 — 200 — кратное усиление сигнала по напряжению и 20 — 100 — кратное усиление сигнала по току. Такой способ включения по схеме с ОЭ пользуется у радиолюбителей наибольшей популярностью. Существенным недостатком усилительного каскада, включенном по такой схеме, является его сравнительно малое входное сопротивление — всего 500-1000 Ом, что усложняет согласование усилительных каскадов, транзисторы которых включают по такой же схеме. Объясняется это тем, что в данном случае эмиттерный р — n переход транзистора включен в прямом, т.е. пропускном, направлении. А сопротивление пропускного перехода, зависящее от прикладываемого к нему напряжения, всегда мало. Что же касается выходного сопротивления такого каскада, то оно достаточно большое (2-20 кОм) и зависит от сопротивления нагрузки Rк и усилительных свойств.

Включение прибора схеме ОК показано на (рис. 5, б). Входной сигнал подается на базу и эмиттер через эмиттерный резистор Rэ, который является частью коллекторной цепи. С этого же резистора, выполняющего функцию нагрузки транзистора, снимается и выходной сигнал. Таким образом, этот участок коллекторной цепи является общим для входной и выходной цепей, поэтому и название способа включения транзистора — ОК. Каскад с полупроводником, включенным по такой схеме, по напряжению дает усиление меньше единицы. Усиление же по току получается примерно такое же, как если бы транзистор был включен по схеме ОЭ. Но зато входное сопротивление такого каскада может составлять 10 — 500 кОм, что хорошо согласуется с большим выходным сопротивлением каскада на транзисторе, включенном по схеме ОЭ. По существу, каскад не дает усиления по напряжению, а лишь как бы повторяет подведенный к нему сигнал. Поэтому транзисторы, включаемые по такой схеме, называют также эмиттерными повторителями. Почему эмиттерными? Потому что выходное напряжение на эмиттере практически полностью повторяет входное напряжение. Почему каскад не усиливает напряжение? Давайте мысленно соединим резистором цепь базы с нижним (по схеме) выводом эмиттерного резистора Rэ, как показано на (рис. 5, б) штриховыми линиями. Этот резистор — эквивалент внутреннего сопротивления источника входного сигнала Rвх., например микрофона или звукоснимателя. Таким образом, эмиттерная цепь оказывается связанной через резистор Rвх. с базой. Когда на вход усилителя подается напряжение сигнала, на резисторе Rэ, являющемся нагрузкой транзистора, выделяется напряжение усиленного сигнала, которое через резистор Rвх. оказывается приложенным к базе в противофазе. При этом между эмиттерной и базовой цепями возникает очень сильная отрицательная обратная связь, сводящая на нет усиление каскада. Это по напряжению. А по току усиления получается такое же, как и при включении транзистора по схеме с ОЭ.
Теперь о включении транзистора по схеме с ОБ (рис. 5, в). В этом случае база через конденсатор Сб по переменному току заземлена, т. е. соединена с общим проводником питания. Входной сигнал через конденсатор Ссв. подают на эмиттер и базу, а усиленный сигнал снимают с коллектора и с заземленной базы. База, таким образом, является общим электродом входной и выходной цепей каскада. Такой каскад дает усиление по току меньше единицы, а по напряжению — такое же, как транзистор, включенный по схеме с ОЭ (10 — 200). Из — за очень малого входного сопротивления, БК превышающего нескольких десятковом (30-100) Ом, включение транзистора по схеме ОБ используют главным образом в генераторах электрических колебаний, в сверхгенеративных каскадах, применяемых, например, в аппаратуре радиоуправления моделями.

Чаще всего как я уже говорил применяются схемы с включением транзистора с ОЭ, реже с ОК. Но это только способы включения. А режим работы транзистора как усилителя определяется напряжениями на его электродах, токами в его цепях и, конечно, параметрами самого транзистора. Качество и усилительные свойства биполярных транзисторов оценивают по нескольким электрическим параметрам, которые измеряют с помощью специальных приборов. Вас же, с практической точки зрения, в первую очередь должны интересовать три основных параметра: обратный ток коллектора Iкбо, статический коэффициент передачи тока h313 (читают так: аш два один э) и граничная частота коэффициента передачи тока Fгр.

Обратный ток коллектора Iкбо — это неуправляемый ток через коллекторный р — n переход, создающийся неосновными носителями тока транзистора. Он характеризует качество транзистора: чем численное значение параметра Iкбо меньше, тем выше качество. У маломощных низкочастотных транзисторов, например, серий МП39 — МП42, Iкбо не должен превышать 30 мкА, а у маломощных высокочастотных 5 мкА. Транзисторы с большими значениями Iкбо в работе неустойчивы.
Статический коэффициент передачи тока h31э характеризует усилительные свойства транзистора. Статическим его называют потому, что этот параметр измеряют при неизменных напряжениях на его электродах и неизменных токах в его цепях. Буква «Э» в этом выражении указывает на то, что при измерении полупроводник включают по схеме ОЭ. Коэффициент h31э характеризуется отношением постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор — эмиттер и токе эмиттера. Чем больше численное значение коэффициента h31э, тем большее усиление сигнала может обеспечить данный прибор.
Граничная частота коэффициента передачи тока Fгр, выраженная в килогерцах или мегагерцах, позволяет судить о возможности использования транзистора для усиления колебаний тех или иных частот. Граничная частота Fгр транзистора МП39, например, 500 кГц, а транзисторов П401 — П403 — больше 30 МГц. Практически транзисторы используют для усиления частот значительно меньше граничных, так как с повышением частоты коэффициент h31э уменьшается.

При конструировании радиотехнических устройств надо учитывать и такие параметры, как максимально допустимое напряжение коллектор — эмиттер Uкэ max, максимально допустимый ток коллектора Iк.max а также максимально допустимую рассеиваемую мощность коллектора Рк.max — мощность, превращающуюся в тепло.

Полевой транзистор

В этом полупроводниковом приборе управление рабочим током осуществляется не током во входной (базовой) цепи, как в биполярном транзисторе, а воздействием на носители тока электрического поля. Отсюда и название «полевой». Схематическое устройство и конструкция полевого транзистора с р — n переходом показаны на (рис. 6). Основой такого транзистора служит пластина кремния с электропроводностью типа n, в которой имеется тонкая область с электропроводностью типа р. Пластину прибора называют затвором, а область типа р в ней — каналом. С одной стороны канал заканчивается истоком, с другой стоком — тоже областью типа р, но с повышенной концентрацией дырок. Между затвором и каналом создается р — n переход. От затвора, истока и стока сделаны контактные выводы. Если к истоку подключить положительный, а к стоку — отрицательный полюсы батареи питания (на рис. 6 — батарея GB), то в канале появится ток, создающийся движением дырок от истока к стоку. Этот ток, называемый током стока Iс, зависит не только от напряжения этой батареи, но и от напряжения, действующего между источником и затвором (на рис. 6 — элемент G).

И вот почему. Когда на затворе относительно истока действует положительное закрывающее напряжение, обедненная область р — n перехода расширяется (на рис. 6 показано штриховыми линиями). От этого канал сужается, его сопротивление увеличивается, из — за чего ток стока уменьшается. С уменьшением положительного напряжения на затворе обедненная область р — n перехода, наоборот, сужается, канал расширяется, и ток снова увеличивается. Если на затвор вместе с положительным напряжением смещения подавать низкочастотный или высокочастотный сигнал, в цепи стока возникнет пульсирующий ток, а на нагрузке, включенной в эту цепь, — напряжение усиленного сигнала. Так, в упрощенном виде устроены и работают полевые транзисторы с каналом типа р, например — КП102, КП103 (буквы К и П означают «кремниевый полевой»). Принципиально так же устроен и работает полевой транзистор с каналом типа n. Затвор транзистора такой структуры обладает дырочной электропроводностью, поэтому на него относительно истока должно подаваться отрицательное напряжение смещения, а на сток (тоже относительно истока) — положительное напряжение источника питания. На условном графическом изображении полевого транзистора с каналом типа n стрелка на линии затвора направлена в сторону истока, а не от истока, как в обозначении транзистора с каналом типа р. Полевой транзистор — тоже трехэлектродный прибор. Поэтому его, как и биполярный транзистор, включать в усилительный каскад можно тремя способами: по схеме общего стока (ОС), по схеме общего истока (ОИ) и по схеме общего затвора (ОЗ). В радиолюбительской практике применяют в основном только первые два способа включения, позволяющие с наибольшей эффективностью использовать полевые транзисторы.

Усилительный каскад на полевом транзисторе обладает очень большим, исчисляемым мегаомами, входным сопротивлением.

Это позволяет подавать на его вход высокочастотные и низкочастотные сигналы от источников с большим внутренним сопротивлением, например от пьезокерамическрго звукоснимателя, не опасаясь искажения или ухудшения усиления входного сигнала.

В этом главное преимущество полевых транзисторов по сравнению с биполярными. Усилительные свойства полевого транзистора характеризуют крутизной характеристики S — отношением изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора, включенного по схеме ОИ. Численное значение параметра S выражают в миллиамперах на вольт; для различных транзисторов оно может составлять от 0,1 — 0,2 до 10 — 15 мА/В и больше. Чем больше крутизна, тем большее усиление сигнала может дать транзистор.

Рис. 6 Конструкция и графическое изображение полевого транзистора с каналом типа (p).

Другой параметр полевого транзистора — напряжение отсечки Uзи.отс. — Это обратное напряжение на р — n переходе затвор — канал, при котором ток через этот переход уменьшается до нуля. У различных транзисторов напряжение отсечки может составлять от 0,5 до 10 В. О полевых транзисторах и их уникальных свойствах можно говорить еще много, я попытался рассказать о наиболее существенных.

Кодовая и цветовая маркировка транзисторов

Все картинки кликабельны. Вы можете нажать и сохранить их себе на ПК, чтобы в дальнейшем пользоваться. Или просто сохраните данную страницу нажав в браузере добавить в закладки.

Рис. 1

Рис. 2

Рис. 3

Рис. 4

Рис. 5 — КТ315, КТ361

И так сказать на закуску классификацию корпусов, чтобы при заказе или обозначении на схеме иметь представление о внешнем виде транзистора

Обозначение транзисторов на принципиальных схемах. Маркировка транзисторов. Классификация транзисторов.

Различают транзисторы биполярные и полевые. Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают n-p-n и p-n-p транзисторы, n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный. В биполярном транзисторе основными носителями являются и электроны, и дырки. Схематическое устройство транзистора показано на рисунке 6.
Электрод, подключённый к центральному слою, называют базой, элек-троды, подключённые к внешним слоям, называют коллектором и эмитте-ром. На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны. Главное отличие коллектора — большая площадь p-n перехода. Для работы транзистора абсолютно необходима малая толщина базы.

Рис. 6

Рис. 7
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
Полевые транзисторы имеют большое входное сопротивление. Подразделяются на полевые транзисторы 1) с управляющим p-n переходом (рис. 7а) и 2) с изолированным затвором (рис. 7б).
Полевые транзисторы с изолированным затвором в свою очередь подразделяются на транзисторы 1) со встроенным каналом и 2) с индуцированным каналом.
Транзисторы, как правило, имеют три вывода. Вывод, от которого в канал приходят основные носители заряда, называется истоком. Вывод, к которому носители заряда приходят из канала, называется стоком. Вывод, на который подается управляющее напряжение относительно истока или стока, называется затвором. Полевыми транзисторы называют потому, что управление током в выходной цепи транзистора осуществляется электрическим полем во входной цепи. Канальными транзисторы называют потому, что ток в выходной цепи транзистора протекает через его канал. Униполярными транзисторы называют потому, что в работе транзистора принимают носители одной полярности. В условных обозначениях полевых транзисторов на принципиальных схемах стрелка направлена к каналу n-типа, или от канала p-типа. Индуцированный (наведенный электрическим полем) канал, обозначается пунктиром (рис. 7в).

Рис. 8 Цветовая маркировка транзисторов

Рис. 9. Условное графическое обозначение биполярного транзистора струк-туры n-p-n

Рис. 10.Условное графическое обозначение биполярного транзистора структуры p-n-p

Рис. 11. Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом n-типа

Рис.12. Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа

Рис.13. Условное графическое обозначение полевого транзистора со встро-енным p-каналом обедненного типа.

Рис. 14. Условное графическое обозначение полевого транзистора со встро-енным n-каналом обогащенного типа.

Рис. 15. Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным p-каналом обогащенного типа.

Рис. 16 — Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным n-каналом обогащенного типа.

Рис. 17. Обозначение транзистора с барьером Шотки (транзистор Шотки).

Рис. 18. Обозначение многоэмиттерного транзистора.
Транзистор с барьером Шотки и многоэмиттерный транзистор встречаются лишь в микроэлектронике.

Рис. 19. Условное графическое обозначение фототранзистора

Как выглядит транзистор фото

Внешний вид и обозначение транзистора на схемах

Трудно предположить, какой бы была нынешняя цивилизация, если бы транзистор не был изобретён.

Сперва стоит напомнить о том, что транзисторы делятся на два больших класса. К первому относятся так называемые биполярные, а ко второму – полевые (они же униполярные). Основой как полевых, так и биполярных транзисторов является полупроводник. Основной же материал для производства полупроводников – это германий и кремний, а также соединение галлия и мышьяка – арсенид галлия (GaAs).

На принципиальных схемах биполярные транзисторы обозначаются вот так.

Маленький совет.

Вот взгляните. На фото показаны различные транзисторы ещё советского производства, а также начала 90-ых.

А вот это уже современный импорт.

Каждый из выводов транзистора имеет своё назначение и название: база, эмиттер и коллектор. Обычно эти названия сокращают и пишут просто Б (База), Э (Эмиттер), К (Коллектор). На зарубежных схемах вывод коллектора помечают буквой C, это от слова Collector – «сборщик» (глагол Collect – «собирать»). Вывод базы помечают как B, от слова Base (от англ. Base – «основной»). Это управляющий электрод. Ну, а вывод эмиттера обозначают буквой E, от слова Emitter – «эмитент» или «источник выбросов». В данном случае эмиттер служит источником электронов, так сказать, поставщиком.

Как узнать, где на принципиальной схеме у транзистора коллектор, а где эмиттер? Всё просто. Тот вывод, который со стрелкой – это всегда эмиттер. Тот, что нарисован перпендикулярно (под углом в 90 0 ) к центральной черте – это вывод базы. А тот, что остался – это коллектор.

Далее узнаем, как найти транзисторы на печатной плате электронного прибора.

Полевой транзистор FR5305 на печатной плате прибора. Рядом указан тип элемента – VT

Внешний вид и обозначение транзистора на схемах

Трудно предположить, какой бы была нынешняя цивилизация, если бы транзистор не был изобретён.

Сперва стоит напомнить о том, что транзисторы делятся на два больших класса. К первому относятся так называемые биполярные, а ко второму – полевые (они же униполярные). Основой как полевых, так и биполярных транзисторов является полупроводник. Основной же материал для производства полупроводников – это германий и кремний, а также соединение галлия и мышьяка – арсенид галлия (GaAs).

На принципиальных схемах биполярные транзисторы обозначаются вот так.

Маленький совет.

Вот взгляните. На фото показаны различные транзисторы ещё советского производства, а также начала 90-ых.

А вот это уже современный импорт.

Каждый из выводов транзистора имеет своё назначение и название: база, эмиттер и коллектор. Обычно эти названия сокращают и пишут просто Б (База), Э (Эмиттер), К (Коллектор). На зарубежных схемах вывод коллектора помечают буквой C, это от слова Collector – «сборщик» (глагол Collect – «собирать»). Вывод базы помечают как B, от слова Base (от англ. Base – «основной»). Это управляющий электрод. Ну, а вывод эмиттера обозначают буквой E, от слова Emitter – «эмитент» или «источник выбросов». В данном случае эмиттер служит источником электронов, так сказать, поставщиком.

Как узнать, где на принципиальной схеме у транзистора коллектор, а где эмиттер? Всё просто. Тот вывод, который со стрелкой – это всегда эмиттер. Тот, что нарисован перпендикулярно (под углом в 90 0 ) к центральной черте – это вывод базы. А тот, что остался – это коллектор.

Далее узнаем, как найти транзисторы на печатной плате электронного прибора.

Полевой транзистор FR5305 на печатной плате прибора. Рядом указан тип элемента – VT

В этой статье мы разберем, чем же примечателен этот маленький кусочек кремния, называемый транзистором. Транзисторы, как известно, делятся на 2 вида полевые и биполярные. Изготавливаются они из полупроводниковых материалов, в частности германия и кремния. И полевые и биполярные транзисторы имеют по 3 вывода. На приведенном ниже рисунке мы можем видеть устройство советского биполярного низкочастотного транзистора типа МП39-МП42.

Транзистор в разрезе

На следующем рисунке изображены транзисторы, также выпущенные в советское время, слева небольшой мощности, в центре и справа рассчитанные на среднюю и большую мощность:

Внешний вид советских транзисторов

Рассмотрим схематическое изображение биполярного транзистора:

Структура биполярных транзисторов

Транзисторы по своей структуре делятся на два типа, n-p-n и p-n-p. Как нам известно из предыдущей статьи, диод представляет собой полупроводниковый прибор с p-n переходом способным пропускать ток в прямом включении и не пропускающий в обратном. Транзистор же представляет собой, условно говоря, два диода соединенных либо катодами, либо анодами, что мы и можем видеть на рисунке ниже.

Транзистор как два диода

Кстати, многие отечественные транзисторы в советское время выпускали с некоторым содержанием золота, так что эту деталь можно назвать драгоценной в прямом смысле слова! Подробнее о содержании драгметаллов смотрите тут. Но для радиолюбителей ценность данного радиоэлемента заключается прежде всего в его функциях.

Золото в транзисторах СССР

Приведу ещё несколько фотографий распространённых транзисторов:

Малой мощности

На этих фото изображены выводные транзисторы, которые впаивают в отверстия в печатной плате. Но существуют транзисторы и для поверхностного или SMD монтажа, в таком случае отверстия не сверлятся и детали припаиваются со стороны печати, один из таких транзисторов в корпусе sot-23 изображен на фотографии ниже, рядом на рисунке можно видеть его сравнительные размеры:

Фото SMD транзистор

Какие существуют схемы включения биполярных транзисторов? Прежде всего это схема (к слову сказать самая распространенная) включения с общим эмиттером. Такое включение обеспечивает большое усиление по напряжению и току:

Схема включения с общим коллектором, это дает нам усиление только по току:

Схема с общим коллектором

И схема включения с общей базой, усиление только по напряжению:

Схема с общей базой

Далее приведен практический пример схемы усилителя на одном транзисторе собранного по схеме с общим эмиттером. Наушники для этого усилителя нужно брать высокоомные Тон–2 с сопротивлением обмотки приблизительно 2 кОм.

Пример усилителя по схеме с общим эмиттером

Биполярные транзисторы могут использоваться в ключевом и усилительном режимах. Выше на схеме пример работы транзистора в усилительном режиме. На приведенном ниже рисунке изображена схема включения транзистора в ключевом режиме:

Схема транзистора в ключевом режиме

Существуют транзисторы, действие которых основано на фотоэлектрическом эффекте, называются они фототранзисторы. Они могут быть в исполнении как с выводом от базы, так и без него. Его схематическое изображение на рисунке:

Схематическое изображение фототранзисторов

А так выглядит один из фототранзисторов:

Полевые транзисторы

Строение полевого транзистора

Привожу первый вариант схематического обозначения полевого транзистора:

Схематическое изображение полевого транзистора

На следующем рисунке изображено современное схематическое изображение (второй вариант) полевых транзисторов с изолированным затвором, слева с каналом n–типа и справа с каналом p-типа.

Изображение на схемах полевых транзисторов с изолированным затвором

Определяют какого типа канал следующим образом, если стрелка направлена в сторону канала, то такой транзистор с каналом n–типа, если же стрелка направлена в обратную, то p-типа. Транзисторы MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) – это английское название полевых транзисторов МДП (металл-диэлектрик-полупроводник). Дальше на рисунке приведено обозначение и изображен внешний вид мощного полевого Mosfet транзистора:

Схематическое изображение мощного полевого транзистора

Полевые транзисторы имеют высокое входное сопротивление. Они находят все большее применение в современной технике, особенно приёмо-передатчиках. Полевые транзисторы широко применяются и в аналоговых, и в цифровых схемах. Выпускаются современные полевые транзисторы, как и биполярные, в SMD исполнении:

Фото SMD полевой транзистор

Устройства, созданные на основе КМОП транзисторов (полевых транзисторов) очень экономичны и имеют незначительное потребление питания. Привожу схемы включения полевых транзисторов:

С общим истоком

Применяются полевые транзисторы и в усилителях мощности звука, чаще всего в выходных каскадах.

Однопереходные транзисторы

Схематическое изображение однопереходных транзисторов

Применяются однопереходные транзисторы, в устройствах автоматики и импульсной технике. А также находят применение в измерительных устройствах. Автор статьи – AKV.

Обсудить статью ТРАНЗИСТОРЫ

Простое акустическое реле на пьезоэлементе.

СХЕМА ЖУЧКА ДЛЯ ПРОСЛУШКИ

Простейшая схема радиожучка на одном транзисторе, для работы в паре с ФМ приёмником.

Транзистор что это? Основные параметры и характеристики, маркировка транзисторов

Транзисторы. Определение и история

Транзистор — электронный полупроводниковый прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. (tranzistors.ru)

Первыми были изобретены полевые транзисторы (1928 год), а биполярные появилсь в 1947 году в лаборатории Bell Labs. И это была, без преувеличения, революция в электронике.

Очень быстро транзисторы заменили вакуумные лампы в различных электронных устройствах. В связи с этим возросла надежность таких устройств и намного уменьшились их размеры. И по сей день, насколько бы «навороченной» не была микросхема, она все равно содержит в себе множество транзисторов (а также диодов, конденсаторов, резисторов и проч.). Только очень маленьких.

Кстати, изначально «транзисторами» называли резисторы, сопротивление которых можно было изменять с помощью величины подаваемого напряжения. Если отвлечься от физики процессов, то современный транзистор тоже можно представить как сопротивление, зависящее от подаваемого на него сигнала.

В чем же отличие между полевыми и биполярными транзисторами? Ответ заложен в самих их названиях. В биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют и электроны, и дырки («бис» — дважды). А в полевом (он же униполярный) — или электроны, или дырки.

Также эти типы транзисторов разнятся по областям применения. Биполярные используются в основном в аналоговой технике, а полевые — в цифровой.

И, напоследок: основная область применения любых транзисторов — усиление слабого сигнала за счет дополнительного источника питания.

Принцип работы транзистора

В современном значении транзистором называют полупроводниковый радиоэлемент, предназначенный для изменения параметров электрического тока и управления им. У обычного полупроводникового триода имеется три вывода: база, на которую подаются сигналы управления, эмиттер и коллектор. Существуют также составные транзисторы большой мощности.

Поражает шкала размеров полупроводниковых устройств – от нескольких нанометров (бескорпусные элементы, используемые в микросхемах), до сантиметров в диаметре мощных транзисторов, предназначенных для энергетических установок и промышленного оборудования. Обратные напряжения промышленных триодов могут достигать до 1000 В.

Виды транзисторов

Преобразователи широко применяются в производстве цифровых и аналоговых микросхем для обнуления статического потребительского тока и получения улучшенной линейности. Типы транзисторов различаются тем, что одни управляются изменением напряжения, вторые регулируются отклонением тока.

Полевые модули работают при повышенном сопротивлении постоянного тока, трансформация на высокой частоте не увеличивает энергетические затраты. Если говорить, что такое транзистор простыми словами, то это модуль с высокой границей усиления. Эта характеристика у полевых видов больше, чем у биполярных типов. У первых нет рассасывания носителей заряда , что ускоряет работу.

Полевые полупроводники применяются чаще из-за преимуществ перед биполярными видами:

мощного сопротивления на входе при постоянном токе и высокой частоте, это уменьшает потери энергии на управление;
отсутствия накопления неосновных электронов, из-за чего ускоряется работа транзистора;
переноса подвижных частиц;
стабильности при отклонениях температуры;
небольших шумов из-за отсутствия инжекции;
потребления малой мощности при работе.

Виды транзисторов и их свойства определяют назначение. Нагревание преобразователя биполярного типа увеличивает ток по пути от коллектора к эмиттеру. У них коэффициент сопротивления отрицательный, а подвижные носители текут к собирающему устройству от эмиттера. Тонкая база отделена p-n-переходами, а ток возникает только при накоплении подвижных частиц и их инжекции в базу. Некоторые носители заряда захватываются соседним p-n-переходом и ускоряются, так рассчитаны параметры транзисторов.

Полевые транзисторы имеют еще один вид преимущества, о котором нужно упомянуть для чайников. Их соединяют параллельно без выравнивания сопротивления. Резисторы для этой цели не применяются, так как показатель растет автоматически при изменении нагрузки. Для получения высокого значения коммутационного тока набирается комплекс модулей, что используется в инверторах или других устройствах.

Нельзя соединять параллельно биполярный транзистор, определение функциональных параметров ведет к тому, что выявляется тепловой пробой необратимого характера. Эти свойства связаны с техническими качествами простых p-n каналов. Модули соединяются параллельно с применением резисторов для выравнивания тока в эмиттерных цепях. В зависимости от функциональных черт и индивидуальной специфики в классификации транзисторов выделяют биполярные и полевые виды.

Биполярные транзисторы

Биполярные конструкции производятся в виде полупроводниковых приборов с тремя проводниками. В каждом из электродов предусмотрены слои с дырочной p-проводимостью или примесной n-проводимостью. Выбор комплектации слоев определяет выпуск p-n-p или n-p-n типов приборов. В момент включения устройства разнотипные заряды одновременно переносятся дырками и электронами, задействуется 2 вида частиц.

Носители движутся за счет механизма диффузии. Атомы и молекулы вещества проникают в межмолекулярную решетку соседнего материала, после чего их концентрация выравнивается по всему объему. Перенос совершается из областей с высоким уплотнением в места с низким содержанием.

Электроны распространяются и под действием силового поля вокруг частиц при неравномерном включении легирующих добавок в массе базы. Чтобы ускорить действие прибора, электрод, соединенный со средним слоем, делают тонким. Крайние проводники называют эмиттером и коллектором. Обратное напряжение, характерное для перехода, неважно.

Полевые транзисторы

Полевой транзистор управляет сопротивлением с помощью электрического поперечного поля, возникающего от приложенного напряжения. Место, из которого электроны движутся в канал, называется истоком, а сток выглядит как конечная точка вхождения зарядов. Управляющее напряжение проходит по проводнику, именуемому затвором. Устройства делят на 2 вида:

с управляющим p-n-переходом;
транзисторы МДП с изолированным затвором.

Приборы первого типа содержат в конструкции полупроводниковую пластину, подключаемую в управляемую схему с помощью электродов на противоположных сторонах (сток и исток). Место с другим видом проводимости возникает после подсоединения пластины к затвору. Вставленный во входной контур источник постоянного смещения продуцирует на переходе запирающее напряжение.

Источник усиливаемого импульса также находится во входной цепи. После перемены напряжения на входе трансформируется соответствующий показатель на p-n-переходе. Модифицируется толщина слоя и площадь поперечного сечения канального перехода в кристалле, пропускающем поток заряженных электронов. Ширина канала зависит от пространства между обедненной областью (под затвором) и подложкой. Управляющий ток в начальной и конечной точках регулируется изменением ширины обедненной области.

Транзистор МДП характеризуется тем, что его затвор отделен изоляцией от канального слоя. В полупроводниковом кристалле, называемом подложкой, создаются легированные места с противоположным знаком. На них установлены проводники — сток и исток, между которыми на расстоянии меньше микрона расположен диэлектрик. На изоляторе нанесен электрод из металла — затвор. Из-за полученной структуры, содержащей металл, диэлектрический слой и полупроводник транзисторам присвоена аббревиатура МДП.

Комбинированные

Комбинированные элементы изобретаются для того, чтобы по применению одного дискретного состояния достичь требуемых электрических параметров. Они бывают:

Биполярными с внедрёнными в их схему резисторами;
Двумя триодами одной или нескольких структур строения в единой детали;
Лямбда-диодами — сочетанием двух полевых управляющих триодов, создающих сопротивляемость со знаком «минус»;
Элементы, в которых полевые составляющие управляют биполярными.

Комбинированный транзистор

Цветовая и цифровая маркировка

Транзисторы, как и другие радиокомпоненты, маркируют с помощью цветового кода. Цветовой код состоит из изображения геометрических фигур (треугольников, квадратов, прямоугольников и др.), цветных точек и латинских букв.

Код наносится на плоских частях, крышке и других местах транзистора. По нему можно узнать тип транзистора, месяц и год изготовления. Места маркировки и расшифровка цветовых кодов некоторых типов транзисторов приведены на рис. 2…3 и в табл. 1…4. Практикуется также маркировка некоторых типов транзисторов цифровым кодом (табл. 4).

Таблица 1. Цветовая и кодовая маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.

Тип транзистора		Группы транзисторов		Месяц выпуска		Год выпуска
Обозначение	Маркировка	Обозначение	Маркировка	Обозначение	Маркировка	Обозначение	Маркировка
				ян в.	бежевая
		А	розовая	фев.	синяя	1977	бежевая
		Б	желтая	март	зеленая	1978	еалатовая
		В	синяя	апр.	красная	1979	оранжевая
		Г	бежевая	май	еалатовая	1980	электрик
		Д	оранжевая	июнь	серая	1981	бирюзовая
КТ3107	голубая	Е	электрик	июль	коричневая	1982	белая
		Ж	еалатовая	авг.	оранжевая	1983	красная
		И	зеленая	сент.	электрик	1984	коричневая
		К	красная	окт.	белая	1985	зеленая
		Л	серая	ноябр.	желтая	1986	голубая
				декаб.	голубая

Таблица 2. Цветовая маркировка транзистора КТ3107 .

Рис. 2. Места цветовой и кодовой маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов в корпусе КТ-26 (ТО-92).

Рис. 3. Места цветовой маркировки транзистора КТ3107 в корпусе КТ-26 (ТО-92).

Рис. 4. Места кодовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-27 (ТО-126).

Таблица 3. Цветовая и кодовая маркировки транзисторов.

Код	Тип
4	КТ814
5	КТ815
6	КТ816
7	КТ817
8	КТ683
9	КТ9115
12	К.У112
40	КТ940

Год выпуска	Код	Месяц выпуска	Код
1986	и	Январь	1
1987	V	Февраль	2
1988	W	Март	3
1989	X	Апрель	4
1990	А	Май	5
1991	В	Июнь	6
1992	С	Июль	7
1993	D	Август	8
1994	Е	Сентябрь	9
1995	F	Октябрь	0
1996	Н	Ноябрь	N
1997	1	Декабрь	D
1998	К	–	–
1999	L	–	–
2000	М	–	–

Таблица 4. Кодовая маркировка мощных транзисторов.

Применение транзисторов в жизни

Транзисторы применяются в очень многих технических устройствах. Самые яркие примеры:

Усилительные схемы.
Генераторы сигналов.
Электронные ключи.

Во всех устройствах связи усиление сигнала необходимо. Во-первых, электрические сигналы имеют естественное затухание. Во-вторых, довольно часто бывает, что амплитуды одного из параметров сигнала недостаточно для корректной работы устройства. Информация передаётся с помощью электрических сигналов. Чтобы доставка была гарантированной и качество информации высоким, нам необходимо усиливать сигналы.

Транзисторы способны влиять не только на амплитуду, но и на форму электрического сигнала. В зависимости от требуемой формы генерируемого сигнала в генераторе будет установлен соответствующий тип полупроводникового прибора.

Электронные ключи нужны для управления силой тока в цепи. В состав этих ключей входит множество транзисторов. Электронные ключи являются одним из важнейших элементов схем. На их основе работают компьютеры, телевизоры и другие электрические приборы, без которых в современной жизни не обойтись.

Схема подключения транзистора для чайников

Наиболее популярны следующие схемы подсоединения транзисторов в цепь: с общей базовой установкой, общими выводами инжекторного эмиттера и с общим коллекторным преобразователем для подачи напряженности.

Для усилителей с базой общего типа характерно следующее:

Низкие параметры входного сопротивления, которое не достигает даже 100 Ом;
Неплохая температура и частота триода;
Допустимое напряжение весьма большое;
Требуют два различных источника питания.

Схемы второго типа обладают:

Высокими показателями усиления электротока и напряжения;
Низкими показателями усиления мощностных характеристик;
Инверсионной разницей между входным и выходным напряжением.

Важно! Схема транзистора с электродами общего коллекторного типа требует одного источника питания.

Подключение по типу общего коллектора может обеспечить:

Низкие показатели электронапряжения по усилению;
Большая и меньшая сопротивляемость входа и выхода соответственно.

Подключение транзистора для светодиода

Таким образом, транзистор — один из самых распространенных радиоэлементов в электронике. Он позволяет изменять параметры электрического тока и регулировать его для корректной работы электроприборов. Существует несколько видов транзисторов, как и способов их соединения. Различаются они строением и целями использования.

Читаем электрические схемы с транзистором

Управление мощностью с помощью транзистора

Итак, я буду делать схему регулятора мощности свечения лампочки накаливания с помощью советского транзистора КТ815Б. Она будет выглядеть следующим образом:

На схеме мы видим лампу накаливания, транзистор и два резистора. Один из них переменный. Итак, главное правило транзистора: меняя силу тока в цепи базы, мы тем самым меняем силу тока в цепи коллектора, а следовательно, мощность свечения самой лампы.

Как в нашей схеме будет все это выглядеть? Здесь я показал две ветви. Одну синим цветом, другую красным.

Как вы видите, в синей ветке цепи последовательно друг за другом идут +12В—-R1—-R2—-база—-эмиттер—-минус питания. А как вы помните, если резисторы либо различные потребители (нагрузки) цепи идут друг за другом последовательно, то через все эти нагрузки, потребители и резисторы протекает одна и та же сила тока. Правило делителя напряжения. То есть в данный момент для удобства объяснения, я назвал эту силу тока, как ток базы Iб . Все то же самое можно сказать и о красной ветви. Ток пойдет по такому пути: +12В—-лампочка—-коллектор—-эмиттер—-минус питания. В ней будет протекать ток коллектора Iк.

Итак, для чего мы сейчас разобрали эти ветви цепи? Дело в том, что через базу и эмиттер протекает базовый ток Iб , который протекает также и через переменный резистор R1 и резистор R2. Через коллектор-эмиттер протекает ток коллектора Iк , который также течет и через лампочку накаливания.

Ну и теперь самое интересное: коллекторный ток зависит от того, какая сила тока в данный момент течет через базу-эмиттер. То есть прибавив базовый ток, мы тем самым прибавляем и коллекторный ток. А раз коллекторный ток у нас стал больше, значит и через лампочку сила тока стала больше, и лампочка загорелась еще ярче. Управляя слабым током базы, мы можем управлять большим током коллектора. Это и есть принцип работы биполярного транзистора.

Как нам теперь регулировать силу тока через базу-эмиттер? Вспоминаем закон Ома: I=U/R. Следовательно, прибавляя или убавляя значение сопротивления в цепи базы, мы тем самым можем менять силу тока базы! Ну а она уже будет регулировать силу тока в цепи коллектора. Получается, меняя значение переменного резистора, мы тем самым меняем свечение лампочки 😉

И еще один небольшой нюанс.

Как вы заметили в схеме есть резистор R2. Для чего он нужен? Дело все в том, что может случится пробой перехода база-эмиттер. Или, простым языком, он выгорит. Если бы его не было, то при изменении сопротивления на переменном резисторе R1 до нуля Ом, мы бы махом выжгли P-N переход базы-эмиттера. Поэтому, чтобы такого не было, мы должны подобрать резистор, который бы при сопротивлении на R1 в ноль Ом, ограничивал бы силу тока на базу, чтобы ее не выжечь.

Получается, мы должны подобрать такую силу тока на базу, чтобы лампочка светилась на полную яркость, но при этом переход база-эмиттер был бы целым. Если сказать языком электроники – мы должны подобрать такой резистор, который бы вогнал транзистор в границу насыщения, но не более того.

Такой резистор я подбирал с помощью магазина сопротивления. Его также можно подобрать с помощью переменного резистора. Резистор в базе часто называют токоограничительным.

Регулятор свечения лампочки на транзисторе

Ну а теперь дело за практикой. Собираем схему в реале:

Кручу переменный резистор и добиваюсь того, чтобы лампочка горела на весь накал:

Кручу еще чуток и лампочка светит в пол накала:

Выкручиваю переменный резистор до упора и лампочка тухнет:

Вместо лампочки можно взять любую другую нагрузку, например, вентилятор от компьютера. В этом случае, меняя значение переменного резистора, я могу управлять частотой вращения вентилятора, тем самым убавляя или прибавляя силу потока воздуха.

Здесь вентилятор не крутится, так как я на переменном резисторе выставил большое сопротивление:

Ну а здесь, покрутив переменный резистор, я уже могу регулировать обороты вентилятора:

Можно сказать, что получилась готовая схема, чтобы обдувать себя жарким летним деньком ;-). Стало холодно – убавил обороты, стало слишком жарко – прибавил 😉

Прошаренные чайники-электронщики могут сказать: “А зачем так сильно все было усложнять? Не проще ли было просто взять переменный резистор и соединить последовательно с нагрузкой?

Да, можно.

Но должны соблюдаться некоторые условия. Предположим у нас лампа накаливания большой мощности, а значит и сила тока в цепи тоже будет приличная. В этом случае переменный резистор должен быть большой мощности, так как при выкручивании до упора в сторону маленького сопротивления через него побежит большой ток. Вспоминаем формулу выделяемой мощности на нагрузке: P=I2R. Переменный резистор сгорит (проверено не раз на собственном опыте).

В схеме с транзистором весь груз ответственности, то бишь всю мощность рассеивания, транзистор берет на себя. В схеме с транзистором переменный резистор спалить уже будет невозможно, так как сила тока в цепи базы в десятки, а то и в сотни раз меньше (в зависимости от беты транзистора), чем сила тока через нагрузку, в нашем случае через лампочку.

Греться по-максимуму транзистор будет только тогда, когда мы регулируем мощность нагрузки наполовину. В этом случае половина отсекаемой мощности в нагрузке будет рассеиваться на транзисторе. Поэтому, если вы регулируете мощную нагрузку, то для начала поинтересуйтесь таким параметром, как мощность рассеивания транзистора и при необходимости не забывайте ставить транзисторы на радиаторы.

Два слова о каскадах

Бывает такое, что нужно увеличить выходную мощность (т.е. увеличить коллекторный ток). В этом случае используют параллельное включение необходимого числа транзисторов.

Естественно, они должны быть примерно одинаковыми по характеристикам. Но необходимо помнить, что максимальный суммарный коллекторный ток не должен превышать 1,6-1,7 от предельного тока коллектора любого из транзисторов каскада.
Тем не менее (спасибо wrewolf за замечание), в случае с биполярными транзисторами так делать не рекомендуется. Потому что два транзистора даже одного типономинала хоть немного, но отличаются друг от друга. Соответственно, при параллельном включении через них будут течь токи разной величины. Для выравнивания этих токов в эмиттерные цепи транзисторов ставят балансные резисторы.

Величину их сопротивления рассчитывают так, чтобы падение напряжения на них в интервале рабочих токов было не менее 0,7 В. Понятно, что это приводит к значительному ухудшению КПД схемы.

Может также возникнуть необходимость в транзисторе с хорошей чувствительностью и при этом с хорошим коэффициентом усиления. В таких случаях используют каскад из чувствительного, но маломощного транзистора (на рисунке — VT1), который управляет энергией питания более мощного собрата (на рисунке — VT2).

Резюме

Главное предназначение транзистора – управление большой силой тока с помощью малой силы тока, то есть с помощью маленького базового тока мы можем регулировать приличный коллекторный ток.

Есть критического значение базового тока, которые нельзя превышать, иначе сгорит переход база-эмиттер. Такая сила тока через базу возникает, если потенциал на базе будет более 5 Вольт в прямом смещении. Но лучше даже близко не приближаться к такому значению. Также не забывайте, чтобы открыть транзистор, на базе должен быть потенциал больше, чем 0,6-0,7 Вольт для кремниевого транзистора.

Резистор в базе служит для ограничения протекающего тока через базу-эмиттер. Его значение выбирают в зависимости от режима работы схемы. В основном это граница насыщения транзистора, при котором коллекторный ток начинает принимать свои максимальные значения.

При проектировании схемы не забываем, что лишняя мощность рассеивается на транзисторе. Самый щадящий режим – это режим отсечки и насыщения, то есть лампа либо вообще не горит, либо горит на всю мощность. Самая большая мощность будет выделяться на транзисторе в том случае, если лампа горит в пол накала.

Литература по электронике

Наука, которая изучает транзисторы и другие приборы, называется электроника. Целый ее раздел посвящён полупроводниковым приборам. Если вам интересно получить больше информации о работе транзисторов, можно почитать следующие книги по этой тематике:

Цифровая схемотехника и архитектура компьютера — Дэвид М.
Операционные системы. Разработка и реализация — Эндрю Т.
Силовая электроника для любителей и профессионалов — Б. Ю. Семенов .

В этих книгах описываются различные средства программируемой электроники. Конечно же, в основе всех программируемых схем, лежат транзисторы. Благодаря этим книгам вы не только получите новые знания о транзисторах, но и навыки, которые, возможно, принесут вам доход.

Теперь вы знаете, как работают транзисторы, и где они применяются в жизни. Если вам интересна эта тема, продолжайте её изучать, ведь прогресс не стоит на месте, и все технические устройства постоянно совершенствуются. В этом деле очень важно идти в ногу со временем. Успехов вам!

Источники

https://habr.com/ru/post/133136/
https://principraboty.ru/princip-raboty-tranzistora/
https://odinelectric.ru/knowledgebase/kak-rabotaet-tranzistor-i-gde-ispolzuetsya
https://rusenergetics.ru/oborudovanie/skhema-tranzistora
https://RadioStorage.net/1670-tranzistory-osnovnye-parametry-i-harakteristiki-markirovka-tranzistorov.html
https://tokar.guru/hochu-vse-znat/tranzistor-vidy-primenenie-i-principy-raboty.html
https://www.RusElectronic.com/chitaem-elektricheskie-skhemy-s-tranzistorami/

[свернуть]

Транзистор общего назначения NPN Кремний

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > поток BroadVision, Inc.2020-08-10T14: 21: 57 + 02: 002016-10-13T08: 53: 40-07: 002020-08-10T14: 21: 57 + 02: 00application / pdf

MMBT3904LT1 — Транзистор общего назначения NPN Кремний

ON Semiconductor

Кремний NPN

Acrobat Distiller 9.0.0 (Windows) uuid: 9a51116e-b14c-43dc-89fc-e05d33f641f9uuid: 868ca80c-0b01-41ac-87d5-f1bd8ae5b254 Распечатать конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > поток HVMSH ڣ (U0 = 8 @ JvRLvoӷG_ ؤ lQ ټ up! W

% PDF-1.3 % 1 0 объект > поток конечный поток эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > / Родительский 2 0 R / Содержание [12 0 R] / Тип / Страница / Ресурсы> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / Шрифт >>> / MediaBox [0 0 595.27563 841.88977] / BleedBox [0 0 595.27563 841.88977] / Аннотации [16 0 R 17 0 R] >> эндобдж 12 0 объект > поток x ڽ] K $ qWY @ ~

биполярный% 20 транзистор% 20npn% 20marking% 20diagram% 20sp6 техническое описание и примечания к приложению

Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
P6KE120A Реферат: P6KE100A 1.5CE39A 15Ce3 P6KE15CA P6KE150A p6ke30a P6KE33CA p6ke250a 1N6269A Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	DO-15 DO-201 DO-15 P6KE10A P6KE10CA P6KE11A P6KE11CA P6KE12A P6KE12CA P6KE13A P6KE120A P6KE100A 1.5CE39A 15Ce3 P6KE15CA P6KE150A p6ke30a P6KE33CA p6ke250a 1N6269A
Импульсный двигатель Nippon Аннотация: шаговый двигатель nema 23 UL1007 AWG22 JB 1010 nema 23 БИПОЛЯРНЫЙ шаговый двигатель 0280142300 300×10 PR57H-56 AWG22 шаговый nema 34 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	PR57H-56 UL1007 AWG22 Импульсный двигатель Nippon nema 23 шаговый двигатель UL1007 AWG22 JB 1010 nema 23 BIPOLAR шаговый двигатель 0 280 142 300 300×10 AWG22 шаговый nema 34
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
1997 — HP MMIC INA Аннотация: INA-10386 mmic распределенный усилитель mps 0736 mmic ina MSA-0404 малошумящий усилитель ghz MSA-0520 усилитель TRANSISTOR 12 GHZ Gaas малошумящий усилитель Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	20 ноября 1997 г. документы \ усилители \ 00 документы \ усилители \ 01 документы \ усилители \ 06 MGA-87563 документы \ усилители \ 10 документы \ усилители \ 11 HP MMIC INA INA-10386 распределенный усилитель mmic mps 0736 MMIC INA MSA-0404 малошумящий усилитель ггц MSA-0520 усилитель TRANSISTOR 12 GHZ Усилитель с низким уровнем шума GAAS
74LS200 Аннотация: 74LS189 эквивалент AmZ8036 Z8104 Am2505 74LS300 AM9511 9114B 27LS00 54S244 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	AMD-599 LM101 SN54LS01 132-й 74LS200 74LS189 эквивалент AmZ8036 Z8104 Am2505 74LS300 AM9511 9114B 27LS00 54С244
2010 — XM0830SJ Аннотация: маркировка кода smd 162 sot23-5 MARKING V14 SOT23-5 RF Transistor Selection маркировка кода smd RF ft sot23 sot-363 inf маркировка smd D3 SOT363 XM0860SH маркировка кода smd NEC RF транзистор MGA51563 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 BF770A BF771 BF775 BF799 BF799W BFP181 BFP181R BFP182 XM0830SJ маркировка smd кода 162 сот23-5 МАРКИРОВКА V14 SOT23-5 Выбор РЧ-транзистора smd кодовая маркировка рф фт сот23 сот-363 инф маркировка smd D3 SOT363 XM0860SH smd кодовая маркировка NEC RF транзистор MGA51563
2004 — P6KE47A ТВС Аннотация: P6KE15CA sa15ca p6ke68a darlington 8A 300V SA13A 1.5CE39A P6KE160A телевизоры 5.0 DO-15 P6KE350CA Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	DO-15 SA30A SA30CA SA33A SA33CA SA36A SA36CA SA40A SA40CA P6KE47A ТВС P6KE15CA sa15ca p6ke68a Дарлингтон 8A 300V SA13A 1.5CE39A P6KE160A телевизоры 5.0 ДО-15 P6KE350CA
1.5CE39A Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	DO-201 DO-201 5CE100A 5CE100CA 5CE110A 5CE110CA 5CE120A 5CE120CA 5CE130A 1.5CE39A
TL0621 Аннотация: LCD LM234 lf357 op-amp LM324 Low Power Quad Op-amp OPAMP 747 LM318 регулятор TL071 op-amp L7150 * quad darlington k 105 jfet LS4558 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	AM6012 AM6012A DAC0806 DAC0807 DAC0808 L272 / M L296 / P L387A L601 / 2/3/4 L2720 / 22/24 TL0621 ЖК-дисплей LM234 lf357 операционный усилитель LM324 Четырехместный ОУ малой мощности OPAMP 747 Регулятор LM318 TL071 операционный усилитель L7150 * четырехъядерный Дарлингтон k 105 jfet LS4558
реле спдт Аннотация: SM312FQD SM312LVQD SM312WQD SM312CV2QD SM312LV QS30EX sm312dqd SM312CV2 SM312FP Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IP69K реле spdt SM312FQD SM312LVQD SM312WQD SM312CV2QD SM312LV QS30EX sm312dqd SM312CV2 SM312FP
15Ce3 Аннотация: 1.5CE20CA 1.5CE200A TR 1N6272A 1N6271A 1N6270A 1N6269A 1N6268A 1N6267A n627 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	DO-201 1500 Вт 1N6267A 1N6268A 1N6269A 1N6270A 5CE10A 1N6271A 15Ce3 1.5CE20CA 1.5CE200A TR 1N6272A n627
nema 23 шаговый двигатель Аннотация: nema 23 БИПОЛЯРНЫЙ шаговый двигатель nema 23 шаговый двигатель nema 23 UL1007 AWG22 PR57H-76 PR57H-56 300×10 nema 23 nema 23 step Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	PR57H-56 UL1007 AWG22 300×10 PR57H-56-2008Jx 300×10-7 ПР57Н-56-2008Мх nema 23 шаговый двигатель nema 23 BIPOLAR шаговый двигатель nema 23 шаговый двигатель степпер нема 23 UL1007 AWG22 PR57H-76 300×10 нема 23 нема 23 шаг
2002 — СЛА 1003 Аннотация: SLA5073 SLA5074 SLA6012 SLA6023 sla5061 sip8pin 13002 силовой транзистор SLA * 5061 SLA6022 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	SDC07 SLA5080 STA303A STA351A STA513A STA517A STA304A STA302A SDA05 SLA5079 sla 1003 SLA5073 SLA5074 SLA6012 SLA6023 sla5061 sip8pin 13002 силовой транзистор SLA * 5061 SLA6022

Генератор ШИМ TL084 Аннотация: КОНФИГУРАЦИЯ КОНФИГУРАЦИИ LM224 TDA2320 эквивалент xxww k 105 jfet tda2320a UA741A LM319 TL082 LM358 555 pwm Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	ТШ250С * TDA8138A TDA8138B TDA8139 TDA8134 TDA8135 TDA8136 L4901A L4902A L4903 Генератор ШИМ TL084 КОНФИГУРАЦИЯ КОНТАКТОВ LM224 Эквивалент TDA2320 xxww k 105 jfet tda2320a UA741A LM319 TL082 LM358 555 шим
2006 — СП СОТ23-5 Аннотация: SPUSB1BJT Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	EC333-C SP SOT23-5 SPUSB1BJT
муА741 Аннотация: 220 В переменного тока на 12 В 10 А SMPS 220 В 5 А Автоматический регулятор напряжения Операционный усилитель LM234 220 В Автоматический регулятор напряжения 220 В переменного тока Автоматический регулятор напряжения трехконтактный регулируемый регулятор напряжения LM723 lm 471 Регулятор LM318 sgs lm723 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	AVS08 AVS10 AVS12 AVS20 C78L00CD L272D L272 / M L296 / P L297 / A L298 / N muA741 220 В переменного тока на 12 В 10 А SMPS Автоматический регулятор напряжения 220V 5A операционный усилитель LM234 Автоматический регулятор напряжения 220В AC 220V автоматический регулятор напряжения трехконтактный регулируемый регулятор напряжения LM723 лм 471 Регулятор LM318 SGS LM723
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	UL1007 AWG22 PR57H-41 PR57H-76 30 В постоянного тока PR57-56-2804MA / МБ
2005 — tde3247dp — цена: + 0 руб. Реферат: ультразвуковой датчик приближения TDE3247D TDE1798DP VN808 L6374FP tde1767dp VIPower tde1707b TDE1708 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	PowerSO-10 VN808 / CM / SR МощностьSO-36 SO-20 VN330SP VN340SP VNQ860 VN540 VN751 PowerSO-20 tde3247dp ультразвуковой датчик приближения TDE3247D TDE1798DP VN808 L6374FP tde1767dp VIPower tde1707b TDE1708
8050S РЕГУЛЯТОР Аннотация: s6707 8120S 8050s S6708 8150s 8090s S6703 Обратный преобразователь «Импульсный регулятор» Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	AMS-173-10 3002M 3004M S6703 110/120 В S6704 S6707 S6708 8033S 8050S РЕГУЛЯТОР 8050S s6707 8120S 8050-е S6708 8150-е 8090-е годы S6703 обратный преобразователь «Регулятор переключения»
2000 — Биполярные датчики на эффекте Холла Аннотация: бесщеточный двигатель шмеля 27705 GH-072-3 A3260 A3280 ugx3132 UGN3235 Переключатели Холла Датчик A3425 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
P6KE27CA Аннотация: P6KE75CA p6ke68a P6KE36A P6KE56CA datasheet P6KE33CA datasheet P6KE68CA P6KE33A транзистор c3206y P6KE27A Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	DO-201 P6KE27A 5CE27A P6KE27CA 5CE27CA P6KE30A 5CE30A P6KE30CA 5CE30CA P6KE33A P6KE27CA P6KE75CA p6ke68a P6KE36A P6KE56CA лист данных P6KE33CA лист данных P6KE68CA P6KE33A транзистор c3206y P6KE27A
биполярный PROM Аннотация: PLHS18 54175 82HS641 S4LS04 plhs18p8 82S191 54LS154 54F04 54F374 печатка Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	LM119 LM124 LM139 LM139A PLC18V8Z PLC415 PLHS18P8A PLHS473 PLHS501 PLS105 биполярный PROM PLHS18 54175 82HS641 S4LS04 plhs18p8 82С191 54LS154 54F04 54F374 печатка
1997 — 5275 Аннотация: биполярный транзистор 80 л датчик холла двигатель постоянного тока редуктор холла магнитный биполярный униполярный транзистор магнитный датчик 3144 датчик Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2005 — декодер HD15530 Аннотация: 16-4 кодировщик dip 24-контактный декодер 8-битный кодировщик данных ACT15530 CT15530 прямая замена манчестерского кодировщика MAS15530 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	ACT15530 MIL-STD-1553 Ou88-4585 SCD15530 Декодер HD15530 Падение с 16 на 4 энкодера 24-контактный декодер 8-битный кодировщик данных CT15530 прямая замена манчестерский кодировщик MAS15530

10PCS MMBT5551 NH Высоковольтный биполярный транзистор NPN 600 мА 160 В BJT SOT-23 Маркировка 3S (замена на 2N5551): Amazon.com: Industrial & Scientific

В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.

Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
Тип продукта: Транзистор NPN
Номер детали: MMBT5551
Пакет: СОТ-23
Количество включает: 10 шт.
Примечание: это только для образца, если вам нужно много этого компонента, свяжитесь с нами. Мы могли бы предложить вам лучшую цену.

]]>

Характеристики данного продукта

Фирменное наименование	УАБАН
Номер модели	MMBT5551
Номер детали	HB-SMD-Транзистор-MMBT5551-10PCS
Размер	10 шт.
Код UNSPSC	32000000

Биполярный транзистор кремния

NPN высоковольтный маркировка 4D MMBTA94 SOT-23

Свяжитесь с нами, если вам нужна более подробная информация или предложение по этому товару. [email protected]

Компания G-Resource Electronics Co., Ltd, , как предпочтительный поставщик всемирно известных предприятий, принимает строгий контроль качества как ключ к нашему успеху. Компания G-Resource Electronics Co., Ltd всегда была привержена системе управления качеством «Без дефектов», и мы создали комплексную систему управления качеством, от управления цепочкой поставок до мониторинга отдельных транзакций, от системы оценки поставщиков до процедур проверки качества.В то же время у нас также есть отличные услуги в области электроники: услуга спотовой покупки; Проекты PPV; комплектация BOM; ликвидация излишка; услуга по добавлению стоимости; комплексное обслуживание. Кроме того, мы обеспечиваем быструю доставку всех наших клиентов, у нас не только тесные отношения сотрудничества с международной экспресс-доставкой: UPS, DHL, FEDEX, TNT и т. Д., Но и отличная поддержка специальной линии региональной логистики. Удовлетворите нас, как только начнете с нами сотрудничать. Мы остаемся здесь и ждем, чтобы вы стали нашим партнером!
Пожалуйста, проверьте указанный ниже номер детали той же серии

9 0018 MMBT2907A

Тип	Упаковка	Полярность	BVCEO (V)	BVCBO (V)	BVEBO (V)	IC (mA)	hFE (Мин-Макс)	VCE (насыщ.) (В)	PCM (мВт)
MMBTA64	SOT-23	PNP	30	30	10	10	10000	5	300
MMBTA63	SOT-23	PNP	30	30	10	10	5000	5	300
MMBTA28	SOT-23	PNP	80	80	12	500	10 К	5	200
MMBTh20	SOT-23	NPN	25	30	3	50	60	10	225
MMBTA14	SOT-23	NPN	30	30	10	300	20000	5	300
MMBTA13	SOT-23	NPN	30	30	10	300	10000	5	300
MMBT2369A	SOT-23	NPN	15	40	4.5	200	-120	1	300
MMBT2369	SOT-23	NPN	15	40	4,5	200	40-120	1	300
MMBT4403	SOT-23	PNP	40	40	5	600	100-300	2	300
MMBT4401	SOT-23	NPN 900	40	60	6	600	100-300	1	300
MMBTA94	SOT-23	PNP	400	400	5	200	80 -300	10	3 50
MMBTA44	SOT-23	NPN	400	400	6	200	50-200	10	350
MMBTA92	SOT-23	PNP	300	300	5	300	100-200	10	300
MMBTA42	SOT-23	NPN	300	300	5	300	100-200	10	300
MMBTA56	SOT-23	PNP	80	80	4	500	100	1	225
MMBTA06	СОТ-23	НП N	80	80	4	500	100-200	1	300
MMBTA55	SOT-23	PNP	60	60	4	500	100	1	225
MMBTA05	SOT-23	NPN	60	60	4	500	100	1	300
MMBT5401	SOT -23	PNP	150	160	5	600	100-300	5	300
MMBT5551	SOT-23	NPN	160	180	6	600	100-300	5	300
MMBT3906	SOT-23	PNP	40	40	5	200	100-300	1	200
MMBT3904	SOT-23	NPN	40	60	6	200	100-300	1	200
MMBT2907	SOT-23	PNP	40	60	5	600	100-300	10	300
MMBT2222	SOT-23	NPN	30	60	5	600	100-300	10	300
SOT-23	PNP	60	60	5	600	100-300	10	300
MMBT2222A	SOT-23	NPN	40	75	6	600	100-300	10	300

9001 8 75

Тип	Упаковка	Полярность	BVCEO (V)	BVCBO (V)	BVEBO ( В)	IC (мА)	hFE (Мин-Макс)	VCE (насыщ.) (В)	PCM (мВт)
PXT8550	SOT-89	PNP	25	40	5	1500	85-400	1	1000
PXT8 050	SOT-89	NPN	25	40	5	1500	85-400	1	1000
PXT3906	SOT-89	PNP	40	40	6	200	100-300	1	500
PXT3904	SOT-89	NPN	40	60	6	200	100-300	1	500
PXT2907A	SOT-89	PNP	60	60	4	600	100-300	10	500
PXT2222A	SOT-89	НПН	40	6	600	100-300	10	500

Метки продукта:

Изображения маркировки 4Д ММБТА94 СОТ-23 биполярного транзистора кремния НПН высоковольтные

Транзисторы

4 .Транзисторы

Транзисторы являются активными компонентами и найдены везде в электронных схемах. Они используются как усилители и коммутационные устройств. В качестве усилителей они используются в и низкочастотные каскады, генераторы, модуляторы, детекторы и в любом схема, необходимая для выполнения функции. В цифровых схемах они используются как переключатели.

Существует большое количество производителей по всему миру, которые производят полупроводники (транзисторы членов этого семейства компонентов), так что буквально тысячи различные виды.Бывают малой, средней и высокой мощности транзисторы, для работы с высокими и низкими частотами, для работы с очень высокий ток и / или высокое напряжение. На рисунке показаны несколько различных транзисторов. 4.1.

Самый распространенный вид Транзистор называется биполярным, и они делятся на типы NPN и PNP.
Их конструкционным материалом чаще всего является кремний (их в маркировке — буква В) или германий (в маркировке — буква А). Оригинальные транзисторы были сделаны из германия, но они были очень чувствительный к температуре.Кремниевые транзисторы намного больше термостойкие и намного дешевле в производстве.

Рис. 4.1: Различные транзисторы

Рис. 4.2: Транзистор символы: а — биполярный, б — полевой транзистор, в — полевой МОП-транзистор , г — двойной затвор MOSFET,
e — MOSFET с индуктивным каналом, f — одинарное соединение транзистор

Вторая буква в маркировке транзисторов описывает их основное применение:
C — НЧ малой и средней мощности. транзистор,
D — транзистор НЧ большой мощности,
F — ВЧ малой мощности транзистор,
G — другие транзисторы,
L — высокомощный ВЧ транзисторы,
P — фототранзистор,
S — переключающий транзистор,
U — транзистор высокого напряжения.

Вот несколько примеров:
AC540 — германиевый сердечник, НЧ, малой мощности,
AF125 — германиевый сердечник, ВЧ, низкий мощность,
BC107 — кремний, НЧ, малой мощности (0,3Вт),
BD675 — кремний, НЧ, высокая мощность (40Вт),
BF199 — кремний, ВЧ (до 550 МГц),
BU208 — кремний (на напряжение до 700В),
BSY54 — кремний, коммутационный транзистор.
Есть возможность третьей буквы (R и Q — СВЧ транзисторы, или X — переключающий транзистор), но эти буквы меняются от производителя к производителю.
Число, следующее за буквой, не имеет значения для пользователей.
Американские производители транзисторов имеют разные марки, с префикс 2N, за которым следует число (например, 2N3055). Этот знак аналогичен диодным меткам с префиксом 1N (например, 1N4004).
Японский биполярный транзистор имеет префикс a: 2SA, 2SB, 2SC или 2SD и полевые транзисторы с 3S:
2SA — PNP, HF транзисторы,
2SB — Транзисторы PNP, LF,
2SC — NPN, HF транзисторы,
2SD — NPN, HF транзисторы.

На рисунке показаны несколько различных транзисторов. фото 4.1, а условные обозначения схем на 4.2. Транзисторы малой мощности заключены в небольшой пластиковый или металлические корпуса различной формы. Биполярные транзисторы имеют три вывода: для базы (B), эмиттера (E) и коллектора (C). Иногда ВЧ у транзисторов есть еще один вывод, который соединен с металлом. Корпус. Этот вывод подключается к земле цепи, чтобы защитить транзистор от возможных внешних электрических помех.Четыре отведения возникают из некоторых других типов, таких как полевые транзисторы с двумя затворами. Транзисторы большой мощности отличаются от от низкой до средней мощности, как по размеру, так и по форме.

Важно иметь каталог производителей или техническое описание, чтобы знать, какой вывод подключен к какой части транзистора. Эти документы содержат информацию о правильности компонента использование (максимальный номинальный ток, мощность, усиление и т. д.), а также схема распиновки.Размещение лидов и различные типы корпусов для некоторых часто используемых транзисторов показаны на диаграмме 4.3.

Рис. 4.3: Распиновка некоторых распространенных пакеты

Это может быть полезно запомнить распиновку для ТО-1, ТО-5, ТО-18 и ТО-72 пакеты и сравните их с рисунком 4.2 (а). Эти транзисторы те, с которыми вы часто будете сталкиваться в повседневной работе.

Корпус ТО-3, который используется для размещения мощных Транзисторы, имеет только два контакта, один для базы и один для эмиттера.В коллектор подключен к пакету, а он подключен к остальным схемы через один из винтов, которыми транзистор крепится к радиатору.

Используемые транзисторы с очень высокими частотами (например, BFR14) имеют форму штифтов по-другому.
Один из прорывов в области электронной Компоненты были изобретением схем поверхностного монтажа (SMD). Эта технология позволила производителям создавать крошечные компоненты с такими же свойствами, как и их более крупные. аналоги, и, следовательно, уменьшить размер и стоимость дизайн.Один из корпусов SMD — это корпус SOT23. Есть, однако компромисс с этим, компоненты SMD трудно припаять к плате ПК, и они обычно нужно специальное паяльное оборудование.

Как мы уже говорили, существуют буквально тысячи различных транзисторы, многие из них имеют схожие характеристики, что делает его возможность замены неисправного транзистора на другой. В характеристики и сходства можно найти в сравнительных таблицах.Если у вас нет в этих таблицах вы можете попробовать некоторые из транзисторов, которые у вас уже есть. Если схема продолжает работать исправно, все ок. Вы можете заменить только Транзистор NPN с транзистором NPN. То же самое касается транзисторов PNP или FET. Это также необходимо убедиться, что распиновка правильная, прежде чем паять его разместите и включите проект.
В качестве полезного руководства есть диаграмма. в этой главе, которая показывает список замен для некоторых часто б / у транзисторы.

4.1 Принцип работы транзистора

Транзисторы используются в аналоговых схемах усилить сигнал. Они также используются в источниках питания в качестве регулятор, и вы также найдете их используемыми в качестве переключателя в цифровых схемы.
Лучший способ изучить основы транзисторов — это экспериментирую. Ниже показана простая схема. Он использует силу транзистор для освещения земного шара. Также вам понадобится аккумулятор, небольшая лампочка. (снято с фонарика) со свойствами около 4.5В / 0,3А, линейный потенциометр (5 кОм) и резистор 470 Ом. Эти компоненты должны быть подключены, как показано на рисунке 4.4a.

Рис. 4.4: Принцип работы транзистора: потенциометр перемещается в верхнее положение — напряжение на базе увеличивается — ток через базу увеличивается — ток через коллектор увеличивается — яркость глобуса увеличивается на .

Резистор (R) на самом деле не нужен, но если вы его не используете, вы нельзя поворачивать потенциометр (горшок) в верхнее положение, потому что это может разрушить транзистор — это потому, что постоянное напряжение UBE (напряжение между базой и эмиттер), не должно быть больше 0.6В, для кремниевые транзисторы.

Поверните потенциометр в самое низкое положение. Это приводит к появлению напряжения на базе (или более правильно между базой и землей) до нуля вольт (UBE = 0). Лампочка не горит, что означает отсутствие тока, проходящего через транзистор.

Как уже упоминалось, потенциометры нижние позиция означает, что UBE равно нулю. Когда поворачиваем ручку из крайнего нижнего положения УБЭ постепенно увеличивается.Когда UBE достигает 0,6 В, ток начинает поступать транзистор и земной шар начинают светиться. Когда горшок повернут далее, напряжение на базе остается на уровне 0,6 В, но ток увеличивается, и это увеличивает ток через коллектор-эмиттер схема. Если горшок повернуть полностью, базовое напряжение увеличится. немного до 0,75 В, но ток значительно увеличится и глобус будет ярко светиться.

Если мы подключил амперметр между коллектором и лампочкой (к измерить IC), еще один амперметр между горшком и основанием (для измерение IB) и вольтметр между землей и основанием и повторить весь эксперимент, мы найдем некоторые интересные данные.Когда горшок в нижнем положении UBE равен 0V, как и токи IC и IB. Когда горшок поворачивается, эти значения начинают расти до тех пор, пока лампочка начинает светиться, когда они: UBE = 0,6 В, IB = 0,8 мА и IB = 36 мА (если ваши значения отличаются от этих значений, это потому, что 2N3055 используемый писатель не имеет тех же технических характеристик, что и вы используете, что часто бывает при работе с транзисторами).
г. Конечным результатом этого эксперимента является то, что когда ток на меняется база, меняется ток на коллекторе.

Давайте посмотрим на другой эксперимент, который расширит наши знание транзистора. Требуется транзистор BC107 (или любой другой аналогичный маломощный транзистор), источник питания (такой же, как у предыдущего эксперимент), резистор 1M, наушники и электролитический конденсатор, значение которого может варьироваться от 10u до 100F с любым рабочее напряжение.
Простой усилитель низкой частоты может быть построен из эти компоненты, как показано на схеме 4.5.

Фиг.4.5: Простой транзисторный усилитель

Следует отметить, что схема 4.5a аналогична схеме на 4.4a. Основное отличие в том, что к наушникам подключается коллектор. «Включающий» резистор — резистор на базе, 1М. Когда нет резистора, нет тока IB, и нет тока Ic. Когда резистор подключен к цепь, базовое напряжение равно 0,6 В, а базовый ток IB = 4А. Транзистор имеет усиление 250, что означает ток коллектора составит 1 мА.Поскольку оба этих токов входят в транзистор, очевидно, что эмиттер ток равен IE = IC + IB. А поскольку базовый ток в большинстве случаев незначительны по сравнению с током коллектора, считается что:

Связь между током, протекающим через коллектор, и Текущий протекающий через базу называется усилением тока транзистора. коэффициент и обозначен как hFE.В нашем примере этот коэффициент равен равно:

Наденьте наушники и приложите кончик пальца к точке 1. Вы будете слышать шум. Ваше тело принимает «сетевое» напряжение переменного тока 50 Гц. Шум слышен из наушников это напряжение, только усиленное транзистором. Давайте объясните эту схему немного подробнее. Напряжение переменного тока частотой 50 Гц составляет подключен к базе транзистора через конденсатор C. Напряжение на базе теперь равно сумме постоянного напряжения (0.6 прибл.) Через резистор R, и переменное напряжение «от» пальца. Это означает, что эта база напряжение выше 0,6 В, пятьдесят раз в секунду и пятьдесят раз немного ниже этого. Из-за этого ток на коллекторе выше 1 мА пятьдесят раз в секунду и в пятьдесят раз меньше. Этот переменный ток используется для сдвига мембраны громкоговорителей вперед пятьдесят раз в секунду и пятьдесят раз назад, что означает, что мы на выходе слышен тон 50 Гц.
Прослушивание шума 50 Гц не очень интересно, так что вы можете подключиться к точкам 1 и 2 немного ниже частотный сигнал источник (проигрыватель компакт-дисков или микрофон).

Существуют буквально тысячи различных схемы, использующие транзистор в качестве активного усилительного устройства. И все эти транзисторы работают так, как показано в наших экспериментах, которые означает, что, создавая этот пример, вы фактически создаете базовый строительный блок электроники.

4.2 Основные характеристики транзисторы

Выбор правильного транзистора для схемы исходя из следующих характеристик: максимальное номинальное напряжение между коллектором и эмиттером UCEmax, максимальный ток коллектора ICmax и максимальная номинальная мощность PCmax.
Если вы необходимо заменить неисправный транзистор, или вы чувствуете себя достаточно комфортно, чтобы Постройте новую схему, обратите внимание на эти три значения. Ваш схема не должна превышать максимальные номинальные значения транзистора.Если это не принимать во внимание, есть возможность необратимого повреждения цепи. Помимо упомянутых нами ценностей, это иногда важно знать усиление тока и максимальную частоту операция.
При наличии постоянного напряжения UCE между коллектор (C) и эмиттер (E) с коллекторным током, транзистор действует как небольшой электрический нагреватель, мощность которого выдается с помощью это уравнение:

Из-за этого транзистор нагревается и все в своем близость.Когда UCE или ICE поднимаются (или оба), транзистор может перегреться и выйти из строя. Максимальная мощность для транзистора — PCmax (находится в техническая спецификация). Это означает, что продукт UCE и IC должен не должно быть выше PCmax:

Значит, если напряжение на транзисторе увеличивается, ток должен быть уменьшен.
Например, максимум номинальные параметры транзистора BC107:
ICmax = 100 мА,
UCEmax = 45 В и
PCmax = 300 мВт
Если нам нужен Ic = 60 мА, максимальное напряжение составляет:

Для UCE = 30 В максимальный ток составляет:

Помимо других характеристик, этот транзистор имеет ток коэффициент усиления в диапазоне от hFE = 100 до 450, и он может использоваться для частот ниже 300 МГц.Согласно рекомендованным значениям данные производителем, оптимальные результаты (стабильность, низкий уровень искажений и шум, высокое усиление и т. д.) при UCE = 5 В и IC = 2 мА.
Есть поводы когда тепло, выделяемое транзистором, не может быть преодолено регулировкой напряжения и ток. В этом случае транзисторы имеют металлическую пластину с отверстием, которое используется для крепления это к радиатор, чтобы тепло передавалось на большую поверхность.

Текущий усиление важно при использовании в некоторых схемах, где есть это необходимость равного усиления двух транзисторов.Например, Транзисторы 2N3055H имеют hFE в диапазоне от 20 до 70, что означает, что есть вероятность, что у одного их 20, а у другого 70. Это означает, что в случаях, когда необходимы два одинаковых коэффициента, их следует измерить. Некоторые мультиметры имеют возможность измерения это, но большинство этого не делает. Поэтому мы предоставили простую схему (4.6) для проверки транзисторов. Все, что вам нужно, это опция на вашем мультиметр для измерения постоянного тока до 5 мА. Оба диода (1N4001, или аналогичные кремниевые диоды общего назначения) и резисторы 1 кОм используются для защитите прибор, если транзистор «поврежден».Как мы уже сказали, текущий коэффициент усиления равен hFE = IC / IB. В цепи, когда переключатель S нажата, ток течет по базе и примерно равен до IB = 10uA, поэтому, если ток коллектора отображается в миллиамперах. В прирост равен:

Например, если мультиметр показывает 2,4 мА, hFE = 2,4 * 100 = 240.

Рис. 4.6: Измерение hFE

При измерении NPN-транзисторов питание следует подключать как показано на схеме.Для транзисторов PNP аккумулятор перевернут. В таком случае, щупы также следует перевернуть, если вы используете аналоговый прибор (один иглой). Если вы используете цифровой измеритель (настоятельно рекомендуется), он не независимо от того, какой зонд куда идет, но если вы сделаете это так же, как и вы с NPN перед считанным значением будет минус, что означает этот ток течет в противоположном направлении.

4.3 Самый безопасный способ тестирования транзисторы

Другой способ проверить транзистор — вставить его в цепь. и обнаружить операцию.Следующая схема представляет собой мультивибратор. В «тестовый транзистор» — Т2. Напряжение питания может быть до 12 В. Светодиод будет мигать, когда в схему вставлен исправный транзистор.

Рис. 4.7: Генератор для проверки транзисторов

Для проверки транзисторов PNP, то же самое, только транзистор. которые необходимо будет заменить, это T1, а также батарея, светодиоды, C1 и C2. следует поменять местами.

4.4 ТУН и ТУП

Как мы уже говорили, многие электронные устройства работают отлично даже если транзистор заменить на аналогичное устройство.По этой причине многие журналы используют обозначения TUN и TUP в своих схемах. Это общие транзисторы назначения. TUN обозначает транзистор NPN общего назначения, а TUP представляет собой транзистор PNP общего назначения.

TUN = Универсальный транзистор NPN и TUP = Универсальный транзистор PNP.
Эти транзисторы имеют следующие Характеристики:

4,5 Практический пример

Наиболее распространенная роль транзистора в аналоговой схеме: как активный (усилительный) компонент.На схеме 4.8 показан простой радиоприемник. — обычно называемый «набором кристаллов с усилителем».

Переменный конденсатор C и катушка L образуют параллельно колеблющиеся схема, которая используется для выделения сигнала радиостанции множества разных сигналов разных частот. Диод, конденсатор 100 пФ и Резистор 470 кОм формирует диодный детектор, который используется для преобразовать низкочастотное напряжение в информацию (музыку, речь). Информация через резистор 470k проходит через конденсатор емкостью 1 мкФ на базу транзистора.Транзистор и связанные с ним компоненты создают усилитель низкой частоты, который усиливает сигнал.
На рисунке 4.8 есть символы для общее заземление и заземление. Новички обычно предполагают, что эти двое то же самое, что является ошибкой. На плате общая земля — это медь. дорожка, размер которой значительно шире остальных дорожек. Когда это радиоприемник построен на печатной плате, масса — медь полоса соединительных отверстий, где нижний конец конденсатора C, катушка L Припаиваются конденсатор 100 пФ и резистор 470 кОм.С другой стороны, заземление — это металлический стержень, застрявший во влажной земле (соединяющий ваши цепи точка заземления водопровода или системы отопления вашего дома также является хороший способ обосновать ваш проект).
Резистор R2 смещает транзистор. Это напряжение должно быть около 0,7 В, чтобы напряжение на коллекторе было примерно равно половина напряжения батареи.

Рис. 4.8: Детекторный приемник с простым усилителем

Что такое транзистор? Определение, символ, клеммы и условия эксплуатации

Определение: Транзистор — это полупроводниковое устройство, которое передает слабый сигнал от цепи с низким сопротивлением к цепи с высоким сопротивлением.Слова trans означают свойство передачи и istor означают свойство сопротивления , предлагаемое соединениям. Другими словами, это переключающее устройство, которое регулирует и усиливает электрический сигнал, например напряжение или ток.

Транзистор состоит из двух диодов PN, соединенных спина к спине. Он имеет три вывода: эмиттер, базу и коллектор. Основа — это средняя часть, состоящая из тонких слоев. Правая часть диода называется эмиттерным диодом, а левая часть — коллекторно-базовым диодом.Эти имена даны по общему выводу транзистора. Эмиттерный переход транзистора подключен к прямому смещению, а переход коллектор-база подключен к обратному смещению, что обеспечивает высокое сопротивление.

Символы транзисторов

Существует два типа транзисторов, а именно транзистор NPN и транзистор PNP. Транзистор, который имеет два блока из полупроводникового материала n-типа и один блок из полупроводникового материала P-типа, известен как транзистор NPN.Точно так же, если материал имеет один слой материала N-типа и два слоя материала P-типа, то он называется транзистором PNP. Символ NPN и PNP показан на рисунке ниже.

Стрелка в символе указывает направление протекания обычного тока в эмиттере с прямым смещением, приложенным к переходу эмиттер-база. Единственная разница между транзисторами NPN и PNP заключается в направлении тока.

Клеммы транзистора

Транзистор имеет три вывода: эмиттер, коллектор и базу.Клеммы диода подробно описаны ниже.

Эмиттер — Секция, которая снабжает большую часть основного носителя заряда, называется эмиттером. Эмиттер всегда подключен с прямым смещением по отношению к базе, так что он подает основной носитель заряда на базу. Переход эмиттер-база вводит большое количество основных носителей заряда в базу, потому что она сильно легирована и имеет умеренный размер.

Коллектор — Секция, которая собирает большую часть основного носителя заряда, подаваемого эмиттером, называется коллектором.Коллектор-база всегда имеет обратное смещение. Его основная функция заключается в удалении большинства зарядов из соединения с базой. Коллекторная часть транзистора умеренно легирована, но больше по размеру, так что она может собирать большую часть носителей заряда, подаваемых эмиттером.

База — Средняя часть транзистора называется базой. База образует две цепи: входную цепь с эмиттером и выходную цепь с коллектором. Цепь эмиттер-база смещена в прямом направлении и обеспечивает низкое сопротивление цепи.Коллектор-база имеет обратное смещение и обеспечивает более высокое сопротивление цепи. База транзистора слегка легирована и очень тонкая, из-за чего основной носитель заряда подается на базу.

Работа транзистора

Обычно для изготовления транзисторов используется кремний из-за их высокого напряжения, большего тока и меньшей температурной чувствительности. Участок эмиттер-база, смещенный в прямом направлении, составляет базовый ток, протекающий через базовую область.Величина базового тока очень мала. Ток базы заставляет электроны перемещаться в область коллектора или создавать дыру в области базы.

База транзистора очень тонкая и слегка легированная, из-за чего в ней меньше электронов по сравнению с эмиттером. Несколько электронов эмиттера объединяются с отверстием в базовой области, а оставшиеся электроны перемещаются к области коллектора и составляют ток коллектора.Таким образом, можно сказать, что большой ток коллектора достигается за счет изменения базовой области.

Условия эксплуатации транзистора

Когда эмиттерный переход находится в прямом смещении, а коллекторный переход находится в обратном смещении, то говорят, что он находится в активной области. Транзистор имеет два перехода, которые могут быть смещены по-разному. Различная рабочая проводимость транзистора показана в таблице ниже.

Состояние	Эмиттерный переход (EB)	Коллекторный переход (CB)	Область действия
FR	Прямое смещение	Обратное смещение	Активное
FF	Прямое смещение	Прямое смещение	Насыщенность
RR	Обратное смещение	Обратное смещение	Отсечка
RF	с обратным смещением	с прямым смещением	с обратным смещением

FR — В этом случае переход эмиттер-база подключен с прямым смещением, а переход коллектор-база подключен с обратным смещением.

Устройство и маркировка биполярного транзистора

1. Устройство и обозначение биполярного транзистора.

2. Технология изготовления биполярных транзисторов.

3. Маркировка биполярных транзисторов.

Транзистор. Обозначение на схемах и внешний вид транзисторов.

Внешний вид и обозначение транзистора на схемах

Маркировка транзисторов зарубежных(в т. ч.- SMD) и отечественных.

описание, типы, устройство, маркировка, применение.

Что такое транзистор.

Биполярный (обычный) транзистор

Устройство и структура.

Изготовление транзисторов.

Применение транзисторов

Схемы включения и основные параметры биполярных транзисторов

Полевой транзистор

Кодовая и цветовая маркировка транзисторов

Обозначение транзисторов на принципиальных схемах. Маркировка транзисторов. Классификация транзисторов.

Как выглядит транзистор фото

Внешний вид и обозначение транзистора на схемах

Внешний вид и обозначение транзистора на схемах

Полевые транзисторы

Однопереходные транзисторы

Транзистор что это? Основные параметры и характеристики, маркировка транзисторов

Транзисторы. Определение и история

Принцип работы транзистора

Виды транзисторов

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы

Комбинированные

Цветовая и цифровая маркировка

Применение транзисторов в жизни

Схема подключения транзистора для чайников

Читаем электрические схемы с транзистором

Управление мощностью с помощью транзистора

Регулятор свечения лампочки на транзисторе

Два слова о каскадах

Резюме

Литература по электронике

Транзистор общего назначения NPN Кремний

биполярный% 20 транзистор% 20npn% 20marking% 20diagram% 20sp6 техническое описание и примечания к приложению

Q2N4401

P6KE120A

Импульсный двигатель Nippon

варикап диоды

1997 — HP MMIC INA

74LS200

2010 — XM0830SJ

2004 — P6KE47A ТВС

1.5CE39A

TL0621

реле спдт

15Ce3

nema 23 шаговый двигатель

2002 — СЛА 1003

Генератор ШИМ TL084

2006 — СП СОТ23-5

муА741

Нет в наличии

2005 — tde3247dp

8050S РЕГУЛЯТОР

2000 — Биполярные датчики на эффекте Холла

P6KE27CA

биполярный PROM

1997 — 5275

2005 — декодер HD15530

10PCS MMBT5551 NH Высоковольтный биполярный транзистор NPN 600 мА 160 В BJT SOT-23 Маркировка 3S (замена на 2N5551): Amazon.com: Industrial & Scientific

Характеристики данного продукта

NPN высоковольтный маркировка 4D MMBTA94 SOT-23

Изображения маркировки 4Д ММБТА94 СОТ-23 биполярного транзистора кремния НПН высоковольтные

Транзисторы

Что такое транзистор? Определение, символ, клеммы и условия эксплуатации

Символы транзисторов

Клеммы транзистора

Работа транзистора

Условия эксплуатации транзистора

Читайте также

Что делать, если грудничок не спит днем: советы по налаживанию режима сна

Антигистаминные препараты для новорожденных: лечение и профилактика аллергии у грудничков

Методика «Цветоник» М. Лазарева для музыкального развития детей

Добавить комментарий Отменить ответ