Npn транзистор: Биполярный транзистор [Амперка / Вики]

Содержание

В чем различие между PNP и NPN транзистором?

Существует два основных типа транзисторов – биполярные и полевые. Биполярные транзисторы изготавливаются из легированных материалов и могут быть двух типов – NPN и PNP. Транзистор имеет три вывода, известные как эмиттер (Э), база (Б) и коллектор (К). На рисунке, приведенном ниже, изображен NPN транзистор где, при основных режимах работы (активном, насыщении, отсечки) коллектор имеет положительный потенциал, эмиттер отрицательный, а база используется для управления состоянием транзистора.

Физика полупроводников в этой статье обсуждаться  не будет, однако, стоит упомянуть, что биполярный транзистор состоит из трех отдельных частей, разделенных двумя p-n переходами. Транзистор PNP имеет одну N область, разделенную двумя P областями:

Транзистор NPN имеет одну P область, заключенную между двумя N областями:

Сочленения между N и P областями аналогичны переходам в диодах, и они также могут быть с прямым и обратным смещением p-n перехода.

Данные устройства могут работать в разных режимах в зависимости от типа смещения:

  • Отсечка: работа в этом режиме тоже происходит при переключении. Между эмиттером и коллектором ток не протекает, практически «обрыв цепи», то еесть «контакт разомкнут».
  • Активный режим: транзистор работает в схемах усилителей. В данном режиме его характеристика практически линейна. Между эмиттером и коллектором протекает ток, величина которого зависит от значения напряжения смещения (управления) между эмиттером и базой.
  • Насыщение: работает при переключении. Между эмиттером и коллектором происходит практически «короткое замыкание» , то есть «контакт замкнут».
  • Инверсный активный режим: как и в активном, ток транзистора пропорционален базовому току, но течет в обратном направлении. Используется очень редко.

В транзисторе NPN положительное напряжение подается на коллектор для создания тока от коллектора к эмиттеру. В PNP транзисторе положительное напряжение подается на эмиттер для создания тока от эмиттера к коллектору. В NPN ток течет от коллектора (К) к эмиттеру (Э):

А в PNP ток протекает от эмиттера к коллектору:

Ясно, что направления тока и полярности напряжения в PNP и NPN всегда противоположны друг другу. Транзисторы NPN требуют питания с положительной полярностью относительно общих клемм, а PNP транзисторы требуют отрицательного питания.

PNP и NPN работают почти одинаково, но их режимы отличаются из-за полярностей. Например, чтобы перевести NPN в режим насыщения, UБ должно быть выше, чем UК и UЭ. Ниже приводится краткое описание режимов работы в зависимости от их напряжения:

Основным принципом работы любого биполярного транзистора является управление током базы для регулирования протекающего тока между эмиттером и коллектором. Принцип работы NPN и PNP транзисторов один и тот же. Единственное различие заключается в полярности напряжений, подаваемых на их N-P-N и P-N-P переходы, то есть на эмиттер-базу-коллектор.

PNP транзистор. Устройство и принцип работы, схема подключения

Стоит отметить, что транзистор, в котором один полупроводник имеет n-тип и размещен между двумя полупроводниками p-типа, называют PNP-транзистор.

Данное устройство с управлением по току. Это означает, что ток базы контролирует ток эмиттера и коллектора. Транзистор PNP имеет два кристаллических диода, соединенных друг с другом. Левая сторона диода известна как диод на основе перехода эмиттер-база, а правая сторона диода известна как диод на основе коллекторного перехода.

Дырки являются основным носителем транзисторов PNP, которые составляют ток в нем. Ток внутри транзистора формируется изменением положения дырок, а на выводах — из-за потока электронов. Транзистор PNP включается, когда через базу протекает небольшой ток. Направление тока в PNP-транзисторе от эмиттера к коллектору.

Буква транзистора PNP указывает на напряжение, требуемое эмиттером, коллектором и базой. База транзистора PNP всегда была отрицательной по отношению к эмиттеру и коллектору. В PNP-транзисторе электроны перемещаются с базы. Ток, который входит в базу, усиливается на выводах коллектора.

Обозначение на схеме PNP транзистора

Обозначение PNP-транзистора на электрических схемах показано на рисунке ниже. Стрелка внутрь показывает, что направление тока в устройстве PNP типа от эмиттера к коллектору.

Устройство PNP транзистора

Конструкция PNP-транзистора показана на рисунке ниже. Эмиттер-база соединены в прямом смещении, а коллектор-база соединены в обратном смещении. Эмиттер, который подключен в прямом смещении, притягивает электроны к базе и, следовательно, создается ток, протекающий по пути от эмиттера к коллектору.

База транзистора всегда остается положительной по отношению к коллектору, так что дырки не могут «мигрировать» от коллектора к базе. И переход база-эмиттер поддерживает ток, благодаря чему дырки из области эмиттера входят в базу, а затем в область коллектора, пересекая область истощения.

Принцип работы PNP транзистора

Переход эмиттер-база соединен в прямом смещении, благодаря чему эмиттер выталкивает дырки в базу. Дырки и составляют ток эмиттера. Когда носители перемещаются в полупроводниковый материал или основу N-типа, они объединяются с электронами. База транзистора тонкая и слаболегированная. Следовательно, только несколько дырок в сочетании с электронами движутся в направлении слоя пространственного заряда коллектора. Отсюда получается ток базы.

Область основания коллектора соединена в обратном смещении. Дырки, которые накапливаются вокруг области истощения p-n перехода при воздействии отрицательной полярности, собираются или притягиваются коллектором. Таким образом создается ток коллектора. Полный ток эмиттера протекает через ток коллектора IC.

Ключ на биполярном транзисторе. Нагрузочная прямая.

Приветствую всех снова на нашем сайте 🙂 Мы продолжаем активно погружаться в нюансы работы биполярных транзисторов и сегодня мы перейдем к практическому рассмотрению одной из схем использования БТ – схеме ключа на транзисторе!

Суть схемы довольно проста и заключается в том, что как и любой переключатель, транзистор должен находиться в одном из двух состояний – открытом (включенном) и закрытом (выключенном). То есть либо транзистор пропускает ток, либо не пропускает. Давайте разбираться!

И, первым делом, давайте саму схему и рассмотрим:

Здесь у нас используется n-p-n транзистор. А вот вариант для p-n-p:

И по нашей уже устоявшейся традиции будем разбирать все аспекты работы на примере n-p-n транзистора 🙂 Суть и основные принципы остаются неизменными и для p-n-p. Так что работаем с этой схемой (здесь мы добавили протекающие по цепи токи):

Как вы уже заметили, схема очень напоминает включение транзистора с общим эмиттером. И действительно именно схема с ОЭ чаще всего используется при построении ключей. Только здесь у нас добавились два резистора (R_б и R_к). Вот с них и начнем!

Зачем же нужен резистор в цепи базы?

Итак, нам нужно подать на переход база-эмиттер напряжение прямого смещения. Его величина указывается среди параметров конкретного транзистора и обычно составляет в районе 0.6 В. Также мы знаем, какой управляющий сигнал мы будем подавать на вход для того, чтобы открыть транзистор. Например, при использовании микроконтроллера STM32 для управления ключом, на входе цепи у нас будет либо 0 В (транзистор в данном случае закрыт), либо 3.3 В (транзистор открыт). В данной схеме сигнал на вход подается не с контроллера, а напрямую с источника напряжения E_{вх} при замыкании переключателя S_1.

Таким образом, получаем, что при 3.3 В на входе напряжение на резисторе R_б составит:

U_{R_б} = E_{вх} \medspace – \medspace U_{бэ}

А теперь вспоминаем, что управление биполярным транзистором осуществляется изменением тока базы – а как его менять? Верно – изменяя сопротивление этого самого резистора! То есть, варьируя сопротивление резистора, мы меняем ток базы и, соответственно, этим самым вносим изменения в работу выходной цепи нашей схемы. Чуть позже мы рассмотрим практический пример для конкретных номиналов и величин и посмотрим на деле, как это работает.

Мы уже несколько раз использовали термины “транзистор открыт” и “закрыт”. Понятно, что это означает наличие, либо отсутствие коллекторного тока, но давайте рассмотрим эти понятия применительно к режимам работы транзистора.

И тут все достаточно просто:

  • для того, чтобы закрыть транзистор, мы стремимся перевести его в режим отсечки
  • а чтобы открыть – в режим насыщения

То есть при проектировании ключа на биполярном транзисторе мы преследуем цель переводить транзистор то в режим отсечки, то в режим насыщения в зависимости от управляющего сигнала на входе!

Переходим к рассмотрению коллекторной цепи разбираемой схемы. В данном резистор R_к выполняет роль нагрузки, а также ограничивает ток в цепи во избежания короткого замыкания источника питания E_{вых}. И вот теперь пришло время вспомнить выходные характеристики, которые мы совсем недавно обсуждали 🙂

Но в данном случае выходные параметры схемы определяются помимо всего прочего еще и нагрузкой (то есть резистором R_к). Для коллекторной цепи мы можем записать:

U_{кэ} + I_к R_к = E_{вых}

Или:

I_к = \frac{E_{вых} \medspace – \medspace U_{кэ}}{R_к}

Этим уравнением задается так называемая нагрузочная характеристика цепи. Поскольку резистор – линейный элемент (U_R = I_R R), то характеристика представляет из себя прямую (которую так и называют –

нагрузочная прямая). Наносим ее на выходные характеристики транзистора и получаем следующее:

Рабочая точка в данной схеме будем перемещаться по нагрузочной прямой. То есть величины U_{кэ} и I_к могут принимать только те значения, которые соответствуют точкам пересечения выходной характеристики транзистора и нагрузочной прямой. Иначе быть не может 🙂

И нам нужно обеспечить, чтобы в открытом состоянии рабочая точка оказалась в положении 1. В данном случае падение напряжения U_{кэ} на транзисторе будет минимальным, то есть почти вся полезная мощность от источника окажется на нагрузке. В закрытом же состоянии рабочая точка должна быть в положении 2. Тогда почти все напряжение упадет на транзисторе, а нагрузка будет выключена.

Теперь, когда мы разобрались с теоретическими аспектами работы ключа на транзисторе, давайте рассмотрим как же на практике производятся расчеты и выбор номиналов элементов!

Расчет ключа на биполярном транзисторе.

Добавим в схему полезную нагрузку в виде светодиода. Резистор R_к при этом остается на месте, он будет ограничивать ток через нагрузку и обеспечивать необходимый режим работы:

Пусть для включения светодиода нужно подать на него напряжение 3В (U_д). При этом диод будет потреблять ток равный 50 мА (I_д). Зададим параметры транзистора (в реальных схемах эти значения берутся из документации на используемый транзистор):

  • Коэффициент усиления по току h_{21э} = 100…500 (всегда задан именно диапазон, а не конкретное значение)
  • Падение напряжения на переходе база-эмиттер, необходимое для открытия этого перехода: U_{бэ} = 0.6 \medspace В.
  • Напряжение насыщения: U_{кэ \medspace нас} = 0.1 \medspace В.

Мы берем конкретные значения для расчетов, но на практике все бывает несколько иначе. Как вы помните, параметры транзисторов зависят от многих факторов, в частности, от режима работы, а также от температуры. А температура окружающей среды, естественно, может меняться. Определить четкие значения из характеристик при этом бывает не так просто, поэтому нужно стараться обеспечить небольшой запас. К примеру, коэффициент усиления по току при расчете лучше принять равным минимальному из значений, приведенных в даташите. Ведь если коэффициент в реальности будет больше, то это не нарушит работоспособности схемы, конечно, при этом КПД будет ниже, но тем не менее схема будет работать. А если взять максимальное значение h_{21э}, то при определенных условиях может оказаться, что реальное значение оказалось меньше, и его уже недостаточно для обеспечения требуемого режима работы транзистора.

Итак, возвращаемся к примеру 🙂 Входными данными для расчета кроме прочего являются напряжения источников. В данном случае:

  • E_{вх} = 3.3\medspace В. Я выбрал типичное значение, которое встречается на практике при разработке схем на микроконтроллерах. В этом примере подача и отключение этого напряжения осуществляется переключателем S_1.
  • E_{вых} = 9\medspace В.

Первым делом нам необходимо рассчитать сопротивление резистора в цепи коллектора. Напряжения и ток выходной цепи во включенном состоянии связаны следующим образом:

U_{кэ \medspace нас} + U_{R_к} + U_д = E_{вых}

При этом по закону Ома:

U_{R_к} = I_к R_к

А ток у нас задан, поскольку мы знаем, какой ток потребляет нагрузка (в данном случае диод) во включенном состоянии. Тогда:

U_{R_к} = I_д R_к

U_{кэ \medspace нас} + I_д R_к + U_д = E_{вых}

Итак, в этой формуле нам известно все, кроме сопротивления, которое и требуется определить:

R_к = \frac{E_{вых} \medspace – \medspace U_д \medspace – \medspace U_{кэ \medspace нас}}{I_д} \enspace= \frac{9 \medspace В \medspace – \medspace 3 \medspace В \medspace – \medspace 0.1 \medspace В}{0.05 \medspace А} \medspace\approx 118 \medspace Ом.

Выбираем доступное значение сопротивления из стандартного ряда номиналов и получаем R_{к} = 120\medspace Ом. Причем важно выбирать именно бОльшее значение. Связано это с тем, что если мы берем значение чуть больше рассчитанного, то ток через нагрузку будет немного меньше. Это не приведет ни к каким сбоям в работе. Если же взять мЕньшее значение сопротивления, то это приведет к тому, что ток и напряжение на нагрузке будут превышать заданные, что уже хуже 🙂

Пересчитаем величину коллекторного тока для выбранного значения сопротивления:

I_к = \frac{U_{R_к}}{R_к} \medspace = \frac{9 \medspace В \medspace – \medspace 3 \medspace В \medspace – \medspace 0.1 \medspace В}{120 \medspace Ом} \medspace\approx\medspace 49.17 \medspace мА

Пришло время определить ток базы, для этого используем минимальное значение коэффициента усиления:

I_б = \frac{I_к}{h_{21э}} = \frac{49.17 \medspace мА}{100} = 491.7 \medspace мкА

А падение напряжения на резисторе R_б:

U_{R_б} = E_{вх} \medspace – \medspace 0.6 \medspace В = 3.3 \medspace В \medspace – \medspace 0.6 \medspace В = 2.7 \medspace В

Теперь мы можем легко определить величину сопротивления:

R_б = \frac{U_{R_б}}{I_б}\medspace = \frac{2. 7 \medspace В}{491.7 \medspace мкА} \approx 5.49 \medspace КОм

Опять обращаемся к ряду допустимых номиналов. Но теперь нам нужно выбрать значение, мЕньшее рассчитанного. Если сопротивление резистора будет больше расчетного, то ток базы будет, напротив, меньше. А это может привести к тому, что транзистор откроется не до конца, и во включенном состоянии бОльшая часть напряжения упадет на транзисторе (U_{кэ}), что, конечно, нежелательно.

Поэтому выбираем для резистора базы значение 5.1 КОм. И этот этап расчета был последним! Давайте резюмируем, наши рассчитанные номиналы составили:

  • R_{б} = 5.1\medspace КОм
  • R_{к} = 120\medspace Ом

Кстати в схеме ключа на транзисторе обычно добавляют резистор между базой и эмиттером, номиналом, например, 10 КОм. Он нужен для подтяжки базы при отсутствии сигнала на входе. В нашем примере, когда S1 разомкнут, то вход просто висит в воздухе. И под воздействием наводок транзистор будет хаотично открываться и закрываться. Поэтому и добавляется резистор подтяжки, чтобы при отсутствии входного сигнала потенциал базы был равен потенциалу эмиттеру. В этом случае транзистор будет гарантированно закрыт.

Сегодня мы прошлись по классической схеме, которой я стараюсь придерживаться, то есть – от теории к практике 🙂 Надеюсь, что материал будет полезен, а если возникнут какие-либо вопросы, пишите в комментарии, я буду рад помочь!

Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы. Справочник.

Наименование составных транзисторов выделено цветом.

Особенностью справочника является то, что импортные транзисторы взяты не из справочников, а из прайсов интернет-магазинов (т.е., с большой вероятностью доставаемые)


 Справочник предназначен для подбора компонентов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками, подбора комплементарной пары. За основу справочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные современные транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами. Справочник предназначен для разработчиков и тех, кто занимается ремонтом. Для ходовых импортных транзисторов дана ссылка на магазин, где их можно купить.
  • Справочник по отечественным мощным транзисторам.

  • Полевые транзисторы. Справочник.

  • Маломощные транзисторы. Справочник.

  • Транзисторы средней мощности. Справочник.

  • Отечественные smd транзисторы. Справочник.

  • Главная страница.

  • Показать только:
    40В 60В 70В 80В 100В 160В 200В 250В 300В 400В 500В 600В 700В
    800В 900В 1500В 2000В ВСЕ







    Отечеств. Корпус PDF Тип Imax, A Импортный Корпус
    Внешний вид корпусов ТО:  
    Транзисторы на напряжение до 40В:
    КТ668 (А-В) ТО-92 pnp 0.1 BC557
    BC857
    TO-92
    smd
    современный pnp транзистор 40В 0.1А
    КТ6111 (А-Г) ТО-92 npn 0.1 BC547
    BC847
    TO-92
    smd
    npn транзистор 40В 0.1А
    КТ6112 (А-В) ТО-92 pnp 0.1 (0.15) 2SA1266
    2SA1048
    TO-92
    TO-92
    pnp транзистор 40В 0.1А
    КТ503 А,Б ТО-92 npn 0. 15 2SC1815 TO-92 описание npn транзистора КТ503 на 40В 0.15А
    2Т3133А ТО-126 npn 0.3   npn транзистор 40В 0.3А
    КТ501 Ж,И,К ТО-92 pnp 0.3 (0.2) 2N3906 TO-92 описание транзистора биполярного кт501, характеристики и графики
    КТ645Б ТО-92 npn 0.3 (0.2) 2N3904 TO-92 npn транзистор 40В 0.3А
    КТ646Б ТО-126 npn 0.5 (0.6) 2N4401
    MMBT2222
    TO-92
    smd
    описание и характеристики npn транзистора КТ646 на 40В 0.5А
    КТ626А ТО-126 pnp 0.5 2N4403
    BC807
    TO-92
    smd
    транзистор биполярный кт626, характеристики
    КТ685 А,В ТО-92 pnp 0. 6     транзистор биполярный кт685, характеристики
    КТ686 А,Б,В ТО-92 pnp 0.8 BC327 ТО-92 характеристики транзистора кт686
    КТ660А ТО-92 npn 0.8 BC337
    BC817
    ТО-92
    smd
    npn транзистор 40В 0.8А
    КТ684А ТО-92 npn 1 BC635 TO-92 npn транзистор 40В 1А
    КТ692А ТО-39 pnp 1 BC636 TO-92 pnp транзистор 40В 1А
    КТ815А ТО-126 npn 1.5 BD135 TO-126 npn транзистор КТ815 на 40В 1.5А
    КТ639А,Б,В ТО-126 pnp 1. 5 BD136 TO-126 npn транзистор КТ639 на 40В 1.5А
    КТ814А ТО-126 pnp 1.5     pnp транзистор КТ814А на 40В 1.5А
    2Т860В ТО-39 pnp 2 2SA1020 TO-92L транзистор биполярный 2т860
    КТ852Г ТО-220 pnp 2 FMMT717 sot23 транзистор биполярный кт852 на 40В 2А
    КТ943А ТО-126 npn 2   транзистор биполярный кт943
    КТ817А,Б ТО-126 npn 3     описание транзистора кт817 на 40В 3А
    КТ816Б ТО-126 pnp 3 2SB856 TO-220 транзистор биполярный кт816
    КТ972Б
    КТ8131А
    ТО-126
    npn 4   описание составного транзистора кт972 на 40В 4А
    КТ973Б
    КТ8130А
    ТО-126
    pnp 4 2SB857 TO-220 описание транзистора кт973
    КТ835Б ТО-220 pnp 7. 5     описание транзистора кт835 на 40В 7А
    2Т837В,Е ТО-220 pnp 8     транзистор биполярный 2т837
    КТ829Г ТО-220 npn 8     описание составного транзистора кт829 на 40В 8А
    КТ853Г ТО-220 pnp 8     характеристики транзистора кт853
    КТ819А,Б ТО-220,
    ТО-3
    npn 10 TIP34 TO-247 описание транзистора кт819 на 40В 10А
    КТ818А ТО-220,
    ТО-3
    pnp 10 TIP33 TO-247 описание транзистора кт818
    КТ863А ТО-220 npn 10 (12) 2SD1062 TO-220 транзистор биполярный кт863 и импортный 2sd1062
    2Т877В ТО-3 pnp 20     составной 2Т877 на 40В 20А
    Транзисторы на напряжение до 60В:
    КТ503В,Г ТО-92 npn 0. 15 (0.1) 2SC3402
    2SC3198
    BC546
    TO-92
    TO-92
    TO-92
    описание транзистора КТ503 на 60В 0.1А
    КТ645А ТО-92 npn 0.3  
    КТ662А ТО-39 pnp 0.4 (0.1) BC556 TO-92 импортный транзистор 60В 0.1А в справочнике
    КТ646А ТО-126 npn 0.5 BD137
    BCV49
    TO-126
    smd
    описание транзистора КТ646 на 60В 0.5А
    КТ626Б ТО-126 pnp 0.5 BD138
    BCV48
    TO-126
    smd
    транзистор 60В 0.5А в справочнике
    КТ685Б,Г ТО-92 pnp 0. 6 (1) BC638 TO-92
    КТ644(А-Г) ТО-126 pnp 0.6     описание транзистора КТ644
    КТ661А
    КТ529А
    ТО-39
    TO-92

    pnp 0.6 (1) 2SA684
    MMBT2907
    TO-92L
    smd
    КТ630Д,Е
    КТ530А
    ТО-39
    TO-92

    npn 1 BC637
    BSR41
    TO-92
    smd
    транзистор на 60В 1А
    КТ683Д,Е ТО-126 npn 1 2SD1616 TO-92 транзистор на 60В 1А
    КТ659А ТО-39 npn 1.2    
    КТ961В ТО-126 npn 1. 5 BD137 TO-126
    КТ639Г,Д ТО-126 pnp 1.5 BD138 TO-126
    КТ698В ТО-92 npn 2 2SC2655
    2SD1275
    TO-92
    TO-220FP
    транзистор на 60В 2А
    2Т831Б ТО-39 npn 2    
    2Т830Б ТО-39 pnp 2    
    2Т880В ТО-39 pnp 2    
    2Т881В ТО-39 npn 2    
    КТ852В ТО-220 pnp 2     составной биполярный транзистор на 60В 2А
    2Т708Б ТО-39 pnp 2. 5    
    КТ817В ТО-126 npn 3 (4) 2N5191
    2SD1266
    ТО-126
    TO-220FP
    транзистор КТ817 на 60В 3А
    2Т836В ТО-39 pnp 3    
    КТ816В ТО-126 pnp 3 2SB1366
    2SB1015
    TO-220FP
    TO-220FP
    транзистор КТ816В на 60В 3А
    КТ972А
    КТ8131Б
    ТО-126
    npn 4 BD677 TO-126 составной отечественный транзистор на 60В 4А
    КТ973А
    КТ8130Б
    ТО-126
    pnp 4 (5) BD678
    2SA1469
    2SB1203
    TO-126
    TO-220
    smd
    описание составного транзистора КТ973А на 60В 5А
    КТ829В ТО-220 npn 8 (5) TIP120 TO-220 транзистор на 60В 5А
    КТ8116В ТО-220 npn 8     транзистор КТ8116 на 60В 8А
    КТ853В ТО-220 pnp 8     транзистор на 60В 8А
    2Т837Б,Д ТО-220 pnp 8    
    2Т709В ТО-3 pnp 10  MJE2955 TO-220 биполярный транзистор на 60В 10А
    2Т875В ТО-3 npn 10 MJE3055 TO-220 транзистор на 60В 10А
    2Т716В,В1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10    
    КТ8284А ТО-220 npn 12 (15) TIP3055 TO-218 составной транзистор на 60В 15А
    2Т825В2 ТО-220 pnp 15    
    КТ827В ТО-3 npn 20     составной транзистор КТ827 на 60В 20А
    2Т825В ТО-3 pnp 20     транзистор на 60В 20А
    2Т877Б ТО-3 pnp 20     транзистор на 60В 20А
    КТ8106Б ТО-220 npn 20     составной транзистор КТ8106 на 60В 20А
    КТ896Б ТО-220 pnp 20     составной транзистор КТ896 на 60В 20А
    КТ8111В9 ТО-218 npn 20     составной транзистор КТ8111 на 60В 20А
    Транзисторы на напряжение до 70В:
    КТ815В ТО-126 npn 1. 5 2SC5060 TO-92S на 70В 1А
    КТ814В ТО-126 pnp 1.5    
    КТ698Б ТО-92 npn 2     отечественный на 70В 2А
    2Т831В ТО-39 npn 2    
    2Т860Б ТО-39 pnp 2    
    КТ943 Б,Д ТО-126 npn 2  
    2Т837А,Г ТО-220 pnp 8     на 70В 8А
    КТ808ГМ ТО-3 npn 10    
    КТ818В ТО-220,
    ТО-3
    pnp 10     описание транзистора КТ818В на 70В 10А
    2Т876Б ТО-3 pnp 10     
    2Т875Б ТО-3 npn 10    
    Транзисторы на напряжение до 80В:
    КТ503Д ТО-92 npn 0. 15 (0.3) 2SC1627 TO-92 транзистор на 80В 0.1А
    КТ626В ТО-126 pnp 0.5 (0.7) 2SA935 TO-92L транзистор на 80В 0.5А
    КТ684Б ТО-92 npn 1   транзистор на 80В 1А
    КТ961Б ТО-126 npn 1.5   транзистор на 80В 1.5А
    2Т881Б ТО-39 npn 2 (1.5) BD139 TO-126 транзистор на 80В 2А
    2Т830В ТО-39 pnp 2 (1.5) BD140
    BCP53
    TO-126
    smd
    транзистор на 80В 2А
    2Т880Б ТО-39 pnp 2     транзистор на 80В 2А
    КТ852Б ТО-220 pnp 2     транзистор на 80В 2А
    КТ943В,Г
    КТ8131В
    ТО-126
    npn 2 (4) 2N6039 TO-126 составной транзистор на 80В 4А
    2Т836А,Б
    КТ8130В
    ТО-39
    ТО-126

    pnp 3     характеристики составного транзистора КТ8131 на 80В 4А
    КТ829Б ТО-220 npn 8 (5) BD679
    TIP121
    MJD44h21
    TO-126
    TO-220
    smd
    транзистор 80В 5А, составной транзистор на 80В 4А
    КТ8116Б ТО-220 npn 8 (10) 2SD2025
    BDX33B
    TO-220FP
    TO-220
    составной транзистор на 80В 10А
    КТ853Б ТО-220 pnp 8 (10) BDX34B TO-220 составной транзистор на 10А 80В
    2Т709Б ТО-3 pnp 10 TIP33B TO-247 транзистор на 80В 10А
    2Т876А,Г ТО-3 pnp 10    
    2Т716Б,Б1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10     транзистор на 80В 10А
    КТ808ВМ ТО-3 npn 10
    КТ819Б,В* ТО-220
    ТО-3
    npn 10 TIP34B TO-247
    2Т875А,Г ТО-3 npn 10    
    КТ8284Б ТО-220 npn 12     на 80В 12А
    2Т825Б2 ТО-220 pnp 15     транзистор на 80В 15А
    КТ827Б ТО-3 npn 20     транзистор на 80В 20А
    2Т825Б ТО-3 pnp 20     транзистор на 80В 20А
    2Т877А ТО-3 pnp 20     транзистор на 80В 20А
    КТ8111Б9 ТО-218 npn 20     составной транзистор на 80В 20А
    КТ8106А ТО-220 npn 20     составной транзистор на 80В 20А
    КТД8280А ТО-218 npn 60     составной транзистор на 80В 60А
    КДТ8281А ТО-218 pnp 60     транзистор на 80В 60А
    КТД8283А ТО-218 pnp 60    
    Транзисторы на напряжение до 100-130В:
    КТ601А,АМ ТО-126 npn 0. 03     биполярный транзистор на 100В 30мА
    КТ602А,АМ ТО-126 npn 0.075  
    КТ638А,Б ТО-92 npn 0.1 2SC2240 TO-92 биполярный транзистор на 100В 100мА
    КТ503Е ТО-92 npn 0.15    
    КТ807А,Б ТО-126 npn 0.5    
    КТ630А,Б,Г ТО-39 npn 1     биполярный транзистор на 100В 1А
    КТ684В ТО-92 npn 1 BC639 TO-92 биполярный npn транзистор на 100В 1А
    КТ683Б,В,Г ТО-126 npn 1   биполярный транзистор на 100В 1А
    КТ719А ТО-126 npn 1. 5    
    КТ815Г ТО-126 npn 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ961А ТО-126 npn 1.5   биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ814Г ТО-126 pnp 1.5 (1) 2N5400
    BC640
    2SA1358
    TO-92
    TO-92
    TO-126
    биполярный pnp транзистор на 100В 1.5А
    КТ6103А ТО-92 npn 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ6102А ТО-92 pnp 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ698А ТО-92 npn 2 BD237 TO-126 биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т831Г ТО-39 npn 2 SD1765 TO-220FP биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т881А,Г ТО-39 npn 2     биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т860А ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    2Т830Г ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    2Т880А,Г ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    КТ852А ТО-220 pnp 2     составной pnp транзистор на 100В 2А
    2Т708А ТО-39 pnp 2. 5     составной pnp транзистор на 100В 2.5А
    КТ817Г ТО-126 npn 3     транзистор 100В на 3А
    КТ816Г ТО-126 pnp 3 (5) TIP42C
    TIP127
    TO-220 pnp транзистор 100В 3А, pnp транзистор на 100В 5А
    КТ805БМ,ВМ ТО-220 npn 5     npn транзистор на 100В 5А
    КТ829А ТО-220 npn 8 (5) TIP122 TO-220 составной npn транзистор на 100В 8А
    КТ8116А ТО-220 npn 8     составной npn  транзистор на 100В 8А
    КТ853А ТО-220 pnp 8 (5)   составной pnp транзистор на 100В 8А
    КТ8115А ТО-220 pnp 8     составной pnp транзистор на 100В 8А
    2Т709А ТО-3 pnp 10  BDX34C TO-220 составной pnp транзистор на 100В 10А
    2Т716А,А1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10 BDX33C TO-220 составной npn транзистор на 100В 10А
    КТ808 АМ,БМ ТО-3 npn 10     npn транзистор на 100В 10А
    КТ819А,Г ТО-220
    ТО-3
    npn 10 TIP34C TO-247 npn транзистор на 100В 10А
    КТ818Г ТО-220
    ТО-3
    pnp 10 TIP33B
    2SA1265
    TO-247 pnp транзистор на 100В 10А
    КТ8284В ТО-220 npn 12     составной npn транзистор на 100В 12А
    КТ8246 А,Б ТО-220 npn 15     составной  npn транзистор на 100В 15А
    2Т825А2 ТО-220 pnp 15      составной pnp транзистор на 100В 15А
    ПИЛОН-3А ТО-220 npn 15      составной npn транзистор на 100В 15А
    КТ827А ТО-3 npn 20     составной  npn транзистор на 100В 20А
    2Т825А ТО-3 pnp 20     составной pnp транзистор на 100В 20А
    КТД8257А ТО-220 npn 20     составной npn транзистор на 100В 20А
    2Т935Б ТО-220 npn 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТД8278Б,В ТО-220
    ТО-263
    npn 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТ896А ТО-220 pnp 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТ8111А9 ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 100В 20А
    КТД8280Б ТО-218 npn 60     составной npn транзистор на 100В 60А
    КТД8281Б ТО-218 pnp 60     pnp транзистор на 100В 60А
    КТД8283Б ТО-218 pnp 60     pnp транзистор на 100В 60А
    Транзисторы на напряжение до 160В:
    КТ611В,Г ТО-126 npn 0. 1 2SC2230
    2SD1609
    TO-92L
    TO-126
    КТ940В ТО-126 npn 0.1  
    КТ6117 ТО-92 npn 0.6 (0.3) 2N5551 TO-92
    КТ6116 ТО-92 pnp 0.6 (0.3) 2N5401 TO-92
    КТ630В ТО-39 npn 1 2SC2383 TO-92L
    КТ683А ТО-126 npn 1  
    КТ850В ТО-220 npn 2    
    КТ8123А ТО-220 npn 2    
    КТ851В ТО-220 pnp 2 (1) 2SA940
    KSA1013
    2SA1306
    TO-220
    TO-92L
    TO-220FP
    КТ805АМ ТО-220 npn 5    
    КТ855Б,В ТО-220 pnp 5    
    КТ899А ТО-220 npn 8    
    КТ712Б ТО-220 pnp 10 2SA1186 ТО-3Р
    КТ863БС ТО-220
    ТО-263
    npn 12 2SC3907 TO-3P ?
    КТ8246В,Г ТО-220 npn 15    
    КТ8101Б ТО-218 npn 16    
    КТ8102Б ТО-218 pnp 16 2SA1216 SIP3
    КТД8257Б ТО-220 npn 20    
    ПИР-2 (КТ740А) ТО-220
    ТО-218
    npn 20    
    КТ879Б КТ-5 npn 50    
    Транзисторы на напряжение до 200В:
    КТ611А,Б ТО-126 npn 0. 1 (0.2) 2SC1473
    BFP22
    TO-92
    TO-92
    биполярный транзистор на 200В 0.1А
    КТ504Б ТО-39 npn 1     биполярный транзистор на 200В 1А
    КТ851А ТО-220 pnp 2     биполярный транзистор на 200В 2А
    КТ842Б ТО-3 pnp 5     биполярный транзистор на 200В 5А
    КТ864А ТО-3 npn 10 (7) BU406 TO-220 биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ865А ТО-3 pnp 10     биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ712А ТО-220 pnp 10      составной биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ945А ТО-3 npn 15     биполярный транзистор на 200В 15А
    КТ8101А ТО-218 npn 16     биполярный транзистор на 200В 15А
    КТ8102А ТО-218 pnp 16 2SA1294
    2SA1302
    TO-247 биполярный транзистор на 200В 16А
    КТД8257(А-Г) ТО-220 npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТД8278А ТО-220
    ТО-263
    npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТ897Б ТО-218 npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТ898Б ТО-218 npn 20     составной  транзистор на 200В 20А
    КТ867А ТО-3 npn 25     биполярный транзистор на 200В 25А
    КТ879А КТ-5 npn 50     биполярный транзистор на 200В 50А
    Транзисторы на напряжение до 250В:
    КТ605А,Б ТО-126 npn 0. 1 (0.05) BF422 TO-92
    КТ940Б ТО-126 npn 0.1  
    КТ969А ТО-126 npn 0.1  
    КТ504В ТО-39 npn 1    
    2Т882В ТО-220 npn 1    
    КТ505Б ТО-39 pnp 1    
    2Т883Б ТО-220 pnp 1 2SA1837 TO-220FP
    КТ850А,Б ТО-220 npn 2    
    КТ851Б ТО-220 pnp 2    
    КТ855А ТО-220 pnp 5    
    КТ857А ТО-220 npn 7 (8) MJE15032 TO-220
    КТ844А ТО-3 npn 10    
    2Т862А,Б ТО-3 npn 15    
    Транзисторы на напряжение до 300В:
    КТ940А ТО-126 npn 0. 1 (0.05) 2SC2482
    2SC5027
    BF820
    TO-92L
    TO-92L
    smd
    npn транзистор на 300В 0.1А
    КТ9115А ТО-126 pnp 0.1 (0.05) 2SA1091
    BF821
    TO-92
    smd
    pnp транзистор на 300В 0.1А
    КТ6105А ТО-92 npn 0.15     npn транзистор на 300В 0.1А
    КТ6104А ТО-92 pnp 0.15 2SA1371 TO-92L pnp транзистор на 300В 0.1А
    2Т882Б ТО-220 npn 1 (0.5) MJE340
    MPSA42
    TO-126
    TO-92
    npn транзистор на 300В 1А
    КТ504А ТО-39 npn 1 (1. 5) MJE13002 TO-220 npn транзистор на 300В 1А
    Т505А ТО-39 pnp 1 (0.5) MJE350 TO-126
    2Т883А ТО-220 pnp 1    
    КТ8121Б ТО-220 npn 4     npn транзистор на 300В 3А
    КТ8258Б ТО-220 npn 4     npn транзистор на 300В 4А
    КТ842А ТО-3 pnp 5     на 300В 5А
    КТ8124В ТО-220 npn 7     npn транзистор на 300В 6А
    КТ8109А,Б ТО-220 npn 7     составной npn транзистор на 300В 7А
    КТД8262(А-В) ТО-220 npn 7     составной npn транзистор на 300В 7А
    КТ8259Б ТО-220 npn 8     npn транзистор на 300В 8А
    КТ854Б ТО-220 npn 10     npn транзистор на 300В 10А
    КТД8279(А-В) ТО-220
    ТО-218
    npn 10     составной транзистор на 300В 10А
    КТ892А,В ТО-3 npn 15     npn транзистор на 300В 15А
    КТ8260А ТО-220 npn 15     npn транзистор на 300В 15А
    КТД8252(А-Г) ТО-220
    ТО-218
    npn 15     составной npn транзистор на 300В 15А
    КТ890(А-В) ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ897А ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ898А ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ8232А,Б ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ8285А
    КТ8143Ш
    ТО-218
    ТО-3

    npn 30
    80
        мощный npn транзистор КТ8143 на напряжение 300В и ток 80А
    Транзисторы на напряжение до 400В:
    2Т509А ТО-39 pnp
    npn
    npn
    0. 02 (0.5)
    0.2
    0.2
    2SA1625
    MPSA44
    MJE13001
    TO-92 npn транзистор на 400В 0.5А
    2Т882А ТО-220 npn 1 (1.5) MJE13003
    TIP50
    TO-220
    TO-220
    npn транзистор на 400В 1А
    КТ704Б,В   npn 2.5 (2) BUX84 TO-220 npn транзистор на 400В 2.5А
    КТ8121А ТО-220 npn 4     npn транзистор на 400В 3А
    КТ8258А ТО-220 npn 4 MJE13005 TO-220 npn транзистор на 400В 4А
    КТ845А ТО-3 npn 5 BUT11 TO-220 npn транзистор на 400В 5А
    КТ840А,Б ТО-3 npn 6 2SD1409 TO-220FP npn транзистор на 400В 6А
    КТ858А ТО-220 npn 7 2SC2335 TO-220 npn транзистор на 400В 7А
    КТ8124А,Б ТО-220 npn 7 2SC3039 TO-220 npn транзистор на 400В 7А
    КТ8126А ТО-220 npn 8 MJE13007 TO-220 npn транзистор на 400В 8А
    КТ8259А ТО-220 npn 8 2SC4834 TO-220FP npn транзистор на 400В 8А
    КТ8117А ТО-218 npn 10 2SC2625 TO-247 npn транзистор на 400В 9А
    КТ841Б ТО-3 npn 10 2SC3306 TO-3P npn транзистор на 400В 10А
    2Т862Г ТО-3 npn 10 2SC4138 TO-3P npn транзистор на 400В 10А
    2Т862В ТО-3 npn 10 (12) MJE13009
    2SC3042
    TO-220
    TO-3P
    биполярный транзистор на 400В 10А
    КТД8279А ТО-220
    ТО-218
    npn 10     составной транзистор на 400В 10А
    КТ834В ТО-3 npn 15     составной транзистор на 400В 15А
    КТ848А ТО-3 npn 15     транзистор на 400В 15А
    КТ892Б ТО-3 npn 15     npn транзистор на 400В 15А
    КТ8260Б ТО-220 npn 15     npn транзистор на 400В 15А
    КТ8285Б ТО-218
    ТО-3
    npn 30     npn транзистор на 400В 30А
    2Т885А ТО-3 npn 40     npn транзистор на 400В 40А
    Транзисторы на напряжение до 500В:
    КТ6107А ТО-92 npn 0. 13     npn транзистор на 500В 0.1А
    КТ6108А ТО-92 pnp 0.13    
    КТ704А   npn 2.5 (1.5) 2SC3970 TO-220FP npn транзистор на 500В 2А
    КТ8120А ТО-220 npn 3 (5) BUL310 TO-220FP npn транзистор на 500В 3А
    КТ812Б ТО-3 npn 8   npn транзистор на 500В 8А
    КТ854А ТО-220 npn 10     npn транзистор на 500В 10А
    2Т856В ТО-3 npn 10     npn транзистор на 500В 10А
    КТ8260В ТО-220 npn 15     npn транзистор на 500В 15А
    КТ834А,Б ТО-3 npn 15     npn транзистор на 500В 15А
    ПИР-1 ТО-218 npn 20     npn транзистор на 500В 20А
    КТ8285В ТО-218
    ТО-3
    npn 30     npn транзистор на 500В 30А
    2Т885Б ТО-3 npn 40     npn транзистор на 500В 40А
    Транзисторы на напряжение до 600В:
    КТ888Б ТО-39 pnp 0. 1     pnp транзистор на 600В 0.1А
    КТ506Б ТО-39 npn 2   npn транзистор на 600В 2А
    2Т884Б ТО-220 npn 2 (3) 2SC5249 TO-220FP npn транзистор на 600В 2А
    КТ887Б ТО-3 pnp 2 (1) 2SA1413 smd pnp транзистор на 600В 2А
    КТ828Б,Г ТО-3 npn 5 (6) 2SD2499
    2SD2498
    2SD1555
    TO-3PF
    TO-3PF
    TO-3PF
    строчный транзистор на 600В 5А
    КТ8286А ТО-218
    ТО-3
    npn 5 (8) 2SC5386 TO-3P ? строчный транзистор на 600В 5А
    КТ856А1,Б1 ТО-218 npn 10 ST1803 ISOW218 строчный транзистор на 600В 10А
    КТ841А,В ТО-3 npn 10 2SC5387 ISOW218 npn транзистор на 600В 10А
    КТ847А ТО-3 npn 15 (20) 2SC4706
    2SC5144
    TO-3P
    TO-247 ?
    мощный транзистор высоковольтный на 600В 15А
    КТ8144Б ТО-3 npn 25     мощный высоковольтный транзистор на 600В 25А
    КТ878В ТО-3 npn 30     мощный npn транзистор на 600В 30А
    Транзисторы на напряжение до 700В:
    КТ826(А-В) ТО-3 npn 1     npn транзистор на 700В 1А
    КТ8137А ТО-126 npn 1. 5     npn транзистор на 700В 1.5А
    КТ887А ТО-3 pnp 2     pnp транзистор на 700В 2А
    КТ8286Б ТО-218
    ТО-3
    npn 5 npn транзистор на 700В 5А
    КТ8107(А-Г) ТО-220 npn 8 npn транзистор на 700В 8А
    КТ812А ТО-3 npn 10 BUh200 TO-220 высоковольтный транзистор на 700В 10А
    2Т856Б ТО-3 npn 10     npn транзистор на 700В 10А
    Транзисторы на напряжение до 800В:
    КТ506А ТО-39 npn 2     высоковольтный npn транзистор 800В 1А
    2Т884А ТО-220 npn 2     npn транзистор на 800В 2А
    КТ859А ТО-220 npn 3 2SC3150 TO-220 npn транзистор на 800В 3А
    КТ8118А ТО-220 npn 3 npn транзистор на 800В 3А
    КТ828А,В ТО-3 npn 5     npn транзистор на 800В 4А
    КТ8286В ТО-218
    ТО-3
    npn 5     npn транзистор на 800В 5А
    КТ868Б КТ-9 npn 6 (8) 2SC5002
    2SC4923
    TO-3PF
    TO-3PML
    высоковольтный транзистор на 800В 6А
    КТ8144А ТО-3 npn 25 2SC3998 TO-3PBL высоковольтный транзистор на 800В 25А
    КТ878Б ТО-3 npn 30 высоковольтный npn транзистор на 800В 30А
    Большая часть из приведенных здесь транзисторов на напряжение свыше 600В применяются в строчных развертках телевизоров и мониторов. В справочнике они расположены по пиковому напряжению коллектор-эмиттер. Если судить по графикам, то область безопасной работы у них, за редким исключением, не более 800В, а пиковое напряжение они держат лишь при соблюдении определенных условий.?
    Транзисторы на напряжение до 900В:
    КТ888А ТО-39 pnp 0.1     транзистор высоковольтный на 900В 0.1А
    КТ868А КТ-9 npn 6 (3) 2SC3979 TO-220 npn транзисторы высоковольтные на 900В 6А
    2Т856А ТО-3 npn 10     npn транзистор высоковольтный на 900В 10А
    КТ878А ТО-3 npn 30     высоковольтный npn транзистор на 900В 30А
    Транзисторы на напряжение до 1000-1500В:
    КТ838А ТО-3 npn 5 BU508 TO-3PF биполярный транзисторы высоковольтные на 1500В 5А
    КТ846А ТО-3 npn 5 BU2506 SOT-199 современный высоковольтный строчный транзистор на 1500В 5А
    КТ872А,Б ТО-218 npn 8 BU2508
    2SC5447
    TO-3PFM
    SOT-199
    современные высоковольтные транзисторы на 1500В 8А
    КТ886Б1 ТО-218 npn 8 (10) BU1508 TO-220 современный высоковольтный биполярный транзистор на 1000В 10А
    КТ839А ТО-3 npn 10 BU2520 TO-3PML современный биполярный высоковольтный транзистор на 1500В 10А
    КТ886А1 ТО-218 npn 10 (12) 2SC5270 TO3-PF современный высоковольтный npn транзистор на 1500В 10А
          npn 25 2SC5244
    2SC3998
    TOP-3L
    ТО-3PBL
    строчный транзистор на 1500В 25А
    Транзисторы на напряжение свыше 2000В
    2Т713А ТО-3 npn 3     транзистор высоковольтный на 2000В 3А
    КТ710А ТО-3 npn 5     npn транзистор высоковольтный на 2000В 5А

    Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным. Импортные аналоги.


    На главную страницу || Карта сайта
    1. Справочник транзисторов маломощных биполярных.

    2. Справочник транзисторов средней мощности высокочастотных, биполярных.

    3. Справочник полевых транзисторов отечественных.

    4. Справочник отечественных smd транзисторов .

    5. Каталог MOSFET транзисторов .

    6. Использование справочных данных транзисторов для расчета ключевой схемы с резистивной нагрузкой.
    7. Использование справочных данных транзистора для расчета ключевой схемы с индуктивной нагрузкой.
    От составителя:

    В справочник по мощным транзисторам вошла как документация из изданных еще при СССР каталогов, так и информация из справочных листков и документация с сайтов производителей. Основой является таблица, где приведено наименование транзистора, аналоги, тип проводимости, тип корпуса, максимально допустимые ток и напряжения и коэффициент усиления, то есть основные параметры, по которым выбирается транзистор. Руководствуясь этой таблицей, можно значительно сузить область поиска. Если транзистор по этим данным подходит, можно просмотреть краткий справочный листок (только для распространенных приборов, например, КТ502, КТ503, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ825, КТ827, КТ829, КТ837, КТ838, КТ846, КТ940, КТ961, КТ972, КТ973, КТ8101, КТ8102), где приведены только основные параметры транзисторов (которых, впрочем, достаточно для грубых расчетов), фото с цоколевкой, аналоги и производители. Для более детального изучения характеристик нужно открыть datasheet, где уже есть графики зависимостей параметров и редко требующиеся характеристики.
    Фильтр параметров позволяет сформировать в справочнике списки по функциональным особенностям транзисторам

    Содержание:
    1. Раздел составных транзисторов (всего 49 штук)
    2. Раздел мощных высоковольтных транзисторов (всего 64 штук)
    3. Раздел p-n-p транзисторов (всего 56 штук)
    4. Раздел n-p-n транзисторов (всего 138 штук)
    Показать/скрыть краткое описание транзисторов
    Всего в справочнике приведено подробное описание более 140 отечественных мощных транзисторов и более 100 их импортных аналогов.
    Фильтр параметров:
    n-p-n   p-n-p   Составные транзисторы   Высоковольтные  
    Показать все
    Типы корпусов
            
    НаименованиеАналогКорпусPDFТипImax, AUmax, Вh31e max  
    КТ501(А-Е)BC212 TO-18 pnp0,330240 КТ501 предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Справочные данные транзистора КТ501 содержатся в даташит.
    КТ502(А-Е)MPSA56 TO-92

    pnp0,1590240Транзистор КТ502(А-Е) в корпусе ТО-92, предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Подробные параметры КТ502 и цоколевка приведены в даташит. Аналог КТ502 - MPSA56. Комплементарная пара КТ503.
    КТ503(А-Е)2SC2240TO-92
    npn 0,15100240Универсальный транзистор КТ503(А-Е) в корпусе TO-92, предназначен для работы в усилителях НЧ. Подробные характеристики, графики зависимостей параметров и цоколевка КТ503 приведены в datasheet. Аналог КТ503 - 2SC2240. Комплементарная пара (транзистор обратной проводимости с близкими параметрами) - КТ502.
    КТ504(А,Б,В)BSS73 TO-39 npn 1350100 КТ504(А-В) в металлическом корпусе, для применения в преобразователях. Цоколевка и характеристики КТ504 содержатся в datasheet. Импортный аналог КТ504 - BSS73.
    KТ505(А,Б)BSS76 TO-39 pnp1300100 КТ505(А,Б) в металлическом корпусе предназначен для применения в источниках вторичного электропитания (ИВЭП). Параметры и характеристики приведены в справочном листке.
    КТ506(А,Б)BUX54 TO-39npn 280030 КТ506А и КТ506Б для  переключающих устройств. Импортным аналогом КТ506 является BUX54.
    2Т509АTO-39pnp0,0245060 2Т509 для высоковольтных стабилизаторов напряжения.
    КТ520(А,Б)MPSA42 TO-92
    DPAK
    npn0.530040Высоковольтный транзистор КТ520 используется в выходных каскадах видеоусилителей и высоковольтных переключательных схемах.
    КТ521(А,Б)MPSA92TO-92 pnp0.530040Высоковольтный транзистор КТ521 является комплиментарной парой для КТ520.
    КТ529АTO-92pnp160250 КТ529, его параметры рассчитаны под схемы с низким напряжением насыщения. Комплементарная пара - КТ530.
    КТ530АTO-92npn160250 Описание транзистора КТ530. Его характеристики аналогичны КТ529, является его комплементарной парой.
    КТ538АMJE13001 TO-92 npn0.560090Высоковольтный КТ538 используется в высоковольтных переключательных схемах. Подробно параметры описаны в справочном листке.
    КТ704(А-В)MJE18002   npn 2,5500100 КТ704, предназначен для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
    ГТ705(А-Д)   npn 3,530250 ГТ705 предназначен для применения в усилителях мощности НЧ.
    2Т708(А-В)2SB678TO-39 pnp2,51001500составной транзистор 2Т708 предназначен для применения в усилителях и переключательных устройствах.
    2Т709(А-В)BDX86 TO-3 pnp101002000мощный составной транзистор 2Т709 для усилителей и переключательных устройств. Подробно характеристики описаны в справочном листке.
    КТ710А TO-3 npn 5300040 КТ710А для применения в высоковольтных стабилизаторах и переключающих устройствах.
    КТ712(А,Б)BU806 TO-220 pnp102001000мощные составные транзисторы КТ712А и КТ712Б. Характеристики заточены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах.
    2Т713А  TO-3npn 32500202Т713, параметры адаптированы для применения в высоковольтных стабилизаторах
    2Т716 (А-В)2SD472HTO-3npn 10100750 2Т716 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
    2Т716 (А1-В1)BDX33 TO-220npn10100750составной 2Т716А1 в пластиковом корпусе. Параметры аналогичны 2Т716.
    КТ719АBD139 TO-126 npn 1,512070 КТ719А для применения в линейных и переключающих схемах. Подробные характеристики и описание КТ719 приведено в справочном листке.
    КТ720АBD140  pnp1,5100
    КТ721АBD237  npn 1,5100BD237, импортный аналог КТ721А
    КТ722АBD238  pnp1,5100Справочные данные BD238, аналога КТ722А
    КТ723АMJE15028  npn 10100Справочные данные MJE15028, импортного аналога КТ723
    КТ724АMJE15029  pnp10100Справочные данные MJE15029, аналога КТ724А
    КТ7292N3771  npn 3060 Параметры 2N3771, аналога КТ729
    КТ7302N3773  npn16140Характеристики 2N3773, аналога КТ730
    КТ732АMJE4343 TO-218 npn1616015 КТ732 используется в преобразователях напряжения.
    КТ733АMJE4353 TO-218 pnp1616015 КТ733 - Комплементарная пара для КТ732, их характеристики идентичны.
    КТ738АTIP3055 TO-218 npn157070 КТ738 используется в усилителях и ключевых схемах.
    КТ739АTIP2955 TO-218 pnp157070 КТ739 - Комплементарная пара для КТ738.
    КТ740А,А1MJE4343 TO-220
    TO-218
    npn2016030 КТ740 предназначен для применения в регуляторах и преобразователях напряжения. Импортный аналог КТ740 - MJE4343
    КТ805(А-ВМ)KSD363
    BD243
    TO-220

    npn 516015 КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ в корпусе ТО-220 предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки и переключающих устройствах. Подробные характеристики транзистора КТ805 приведены в datasheet. Транзисторы КТ805А, КТ805Б с аналогичными параметрами выпускаются в металлостеклянном корпусе. Импортные аналоги для КТ805 - транзисторы BD243 и KSD363. По характеристикам в качестве комплиментарной пары для КТ805 подходит транзистор КТ837.
    КТ807(А-БМ)   npn 0,5100150 КТ807 для строчной и кадровой разверток, усилителей НЧ и ИВЭП (ИВЭП - источник вторичного электропитания)
    КТ808(А-ГМ) TO-3 npn 1013050 КТ808 для кадровой и строчной разверток
    КТ812(А-В) TO-3 npn 1070030 КТ812 для применения в импульсных устройствах. Цоколевка приведена в справочном листке.
    КТ814(А-Г)BD140
    ZTX753
    TO-126
    DPAK


    pnp1,5 100100 Транзистор КТ814. предназначен для усилителей НЧ, импульсных устройств. Подробные характеристики КТ814 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики: входной характеристики, зависимости h31e от тока эмиттера, напряжения насыщения от тока коллектора и другие. Импортный аналог КТ814 - транзистор BD140. Комплементарная
    пара для КТ814 (транзистор обратной проводимости с близкими характеристиками) - КТ815.
    КТ815(А-Г)BD139
    ZTX653
    TO-126
    DPAK


    npn 1,5100 100КТ815 является комплиментарной парой для КТ814. Транзисторы КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815 параметрами отличаются по напряжению. КТ815 предназначен для усилителей НЧ и ключевых схем. Подробные характеристики КТ815 и цоколевку см. в datasheet. Приведена входная характеристика КТ815, график зависимости h31e от тока, график для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ815 является транзистор BD139.
    КТ816(А-Г)BD238
    MJE172
    TO-126
    DPAK


    pnp380100 КТ816 в два раза мощнее по току, чем КТ814, предназначены для применения в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г отличаются по предельному напряжению. Подробные характеристики КТ816 и цоколевка приведены в datasheet. Там же график входной характеристики КТ816, зависимости усиления от тока, графики для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ816 является транзистор BD238. Комплементарная пара - КТ817.
    КТ817(А-Г)BD237
    MJE182
    TO-126
    DPAK


    npn 380 100 КТ817 в два раза мощнее по току, чем КТ815. Применяются в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817 параметрами отличаются по Uкэ(max). Подробные характеристики КТ817 и цоколевка даны в datasheet. Кроме характеристик по постоянному току приведены графики входной характеристики, зависимости параметра h31e от тока, взаимосвязи параметров Uкэнас и Iк . Аналоги КТ817Б - транзисторы BD233 и MJE180. Аналоги КТ817В - BD235 и MJE181, импортные аналоги КТ817Г - BD237 и MJE182. Комплементарная пара - КТ816.
    КТ818(А-ГМ)BDW22
    BD912
    TO-220
    TO-3


    pnp10
    15
    100100Мощный транзистор КТ818 предназначен для применения в усилителях. КТ818А, КТ818Б, КТ818В и КТ818Г в корпусе TO-220, а КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ и КТ818ГМ в металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ818 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей параметров, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ818 - BDW22 и BD912. Комплементарная пара - транзистор КТ819.
    КТ819(А-ГМ)BDW51
    BD911
    TO-220
    TO-3


    npn 10
    15
    100 100Транзистор КТ819 является комплементарной парой для КТ818 и предназначен для применения в усилителях. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г в корпусе TO-220, а КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ и КТ819ГМ в корпусе TO-3. Подробные параметры КТ819 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ819 - BDW51 и BD911.
    КТ825(Г-Е)2Т6050TO-220
    TO-3

    pnp15
    20
    10018000Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д и КТ825Е в металлическом корпусе. Подробные характеристики приведены в datasheet. Различие в параметрах по напряжению. Комплементарная пара для КТ825 - транзистор КТ827. Импортный аналог - 2T6050.
    КТ826(А-В) TO-3 npn 1700120Биполярный транзистор КТ826 для применения в преобразователях и высоковольтных стабилизаторах. Описание КТ826 и характеристики приведены в документации.
    КТ827(А-В)2N6057
    BDX87
    TO-3
    npn 2010018000Мощный составной npn транзистор КТ827 для применения в усилителях, стабилизаторах тока, устройствах автоматики. В металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ827А, КТ827Б, КТ827В приведены в даташит. Различаются параметрами по напряжению. Комплементарная пара для КТ827 - транзистор КТ825. Импортный аналог - 2N6057.
    КТ828(А-Г)BU207TO-3 npn 580015характеристики КТ828, графики и параметры см. в даташит
    КТ829(А-Г)TIP122
    2N6045
    TO-220
    npn 81003000Составной транзистор КТ829 для применения в усилителях НЧ и переключательных устройствах. Графики входных характеристик. Подробные характеристики транзисторов КТ829А, КТ829Б, КТ829В,КТ829Г в datasheet . Аналоги КТ829 - транзисторы TIP122 и 2N6045.
    2Т830(А-Г)2N5781 TO-39 pnp290160транзистор 2Т830 для применения в усилителях мощности и ИВЭП. Аналог 2Т830 - 2N5781.
    2Т831(А-В)2N4300 TO-39 npn 250200 2Т831 для усилителей НЧ и преобразователей.
    КТ834(А-В)BU323 TO-3 npn 155003000составной транзистор КТ834 для источников тока и напряжения.
    КТ835(А,Б)2N6111 TO-220 pnp7,530100транзистор КТ835 для усилителей и преобразователей. Аналог КТ835 - импортный 2N6111
    2Т836(А-В)BD180 TO-39 pnp390100 2Т836 для усилителей мощности и ИВЭП.
    КТ837(А-Ф)2N6108
    2N6111
    TO-220

    pnp870200pnp транзистор КТ837 предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый TO-220. Подробные параметры КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е-Ф указаны в файле. Аналог для КТ837 - транзистор 2N6108 с близкими характеристиками.
    КТ838А2SD1554
    BU208
    TO-3
    npn 5150014 Высоковольтный транзистор КТ838А для строчной развертки телевизоров . Характеристики КТ838А приведены в файле. Импортные аналоги - 2SD1554 и BU208.
    КТ839А2SC1172
    MJ16212
    TO-3 npn 10150012Характеристики и параметры КТ839 аналогичны транзистору КТ838, но круче по току.
    КТ840(А,Б)BUX97 TO-3 npn 6400100Биполярный транзисторы КТ840А и КТ840Б для применения в переключающих устройствах. Подробные параметры приведены в файле.
    КТ841(А-В)MJ413
    2N3442
    TO-3 npn 1060035Мощный биполярный транзистор КТ841 для применения в мощных преобразователях. Подробные параметры транзисторов КТ841А, КТ841Б, КТ841В в даташит.
    КТ842(А,Б)2SB506 TO-3 pnp530030Биполярный транзистор КТ842 для применения в мощных преобразователях и линейных стабилизаторах напряжения.
    КТ844АMJ15011 TO-3 npn 1025060 КТ844 предназначен для импульсных устройств, подробное описание приведено в datasheet
    КТ845А TO-3 npn 5400100 КТ845А разработан для применения в импульсных устройствах.
    КТ846АBU208 TO-3
    npn 5150015 Высоковольтный биполярный транзистор КТ846А, входные характеристики, графики приведены в datasheet.
    КТ847АBUX48
    2N6678
    TO-3 npn 15650100 Подробное описание КТ847А, входные и выходные характеристики. Аналогом для КТ847 является BUX48.
    КТ848АBUX37 TO-3 npn 154001000Составной транзистор КТ848А для систем электронного зажигания. Характеристики КТ848 в прикрепленном файле. Аналог КТ848 - BUX37.
    КТ850(А-В)2SD401 TO-220 npn 2250200 КТ850 заточен для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Подробное описание КТ850А, КТ850Б, КТ850В и графики  приведены в datasheet .
    КТ851(А-В)2SB546 TO-220 pnp2200200 КТ851 для усилителей НЧ и переключающих устройств. Параметры КТ851А, КТ851Б, КТ851В см. в файле pdf
    КТ852(А-Г)TIP117 TO-220 pnp21001500Составной КТ852 для усилителей и переключающих устройств. Параметры КТ852А в даташит.
    КТ853(А-Г)TIP127
    2N6042
    TO-220 pnp8100750Составной pnp транзистор КТ853. Предназначен для применения в усилительных схемах. Параметры КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г см. в pdf файле.
    КТ854(А,Б)MJE13006 TO-220 npn 1050050 КТ854 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах. Справочные данные приведены в datasheet.
    КТ855(А-В)MJE9780 TO-220 pnp5250100 КТ855 для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. Аналог с близкими характеристиками - MJE9780.
    2Т856(А-В)BUX48 TO-3 npn 1095060 2Т856 для переключательных устройств. Аналог - BUX48.
    КТ856(А1,Б1)BUV48 TO-218 npn 1060060 КТ856 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Справочные данные КТ856А1, КТ856Б1 см. в datasheet .
    КТ857АBU408 TO-220 npn 725050 КТ857 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Аналог - BU408.
    КТ858АBU406TO-220 npn 740060 транзистор КТ858 предназначен для применения в переключающих устройствах. Аналог - BU406. Подробное описание смотри в datasheet .
    КТ859АMJE13005 TO-220 npn 380060Высоковольтный КТ859 заточен для переключающих устройств. Параметры и цоколевка КТ859 приведены в datasheet. Импортный аналог с близкими характеристиками - MJE13005.
    2Т860(А-В) TO-39 pnp2901002Т860 предназначен для усилителей мощности и преобразователей.
    2Т862(А-Г) TO-3 npn 15400100 2Т862 для применения в импульсных модуляторах и переключающих устройствах.
    КТ863Б,ВD44Vh20 TO-220 npn 10160300Транзистор КТ863 предназначен для применения в преобразователях, фотовспышках. Справочные характеристики см. в datasheet. Аналог КТ863 - D44Vh20.
    КТ863БСD44Vh20 TO-220
    TO-263
    npn 12160300 КТ863БС - более свежая разработка. Модификация КТ863БС1 предназначена для поверхностного монтажа.
    КТ864А2N3442 TO-3 npn 10200100 КТ864 для применения в ИВЭП, усилителях и стабилизаторах.
    КТ865А2SA1073 TO-3 pnp1020060Область применения транзистора КТ865 та же, что и у КТ864.
    КТ867АTIP35 TO-3 npn 25200100 КТ867 для применения в ИВЭП. В описании транзистора приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока и график области максимальных режимов.
    КТ868(А,Б)BU426   pnp640060 КТ868 предназначен для применения в источниках питания телевизоров. Подробные характеристики см. в datasheet. Функциональный аналог КТ868 - BU426.
    КТ872(А-В)BU508
    MJW16212
    TO-218
    npn 870016Высоковольтный npn транзистор КТ872 для применения в строчной развертке телевизоров. Подробное описание КТ872 приведено в справочном листе. Аналоги КТ872 - транзисторы BU508 и MJV16212.
    2Т875(А-Г)2SD1940TO-3 npn10902002Т875 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
    2Т876(А-Г)MJE2955TO-3 pnp10901402Т876 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
    2Т877(А-В)2N6285TO-3 pnp208010000Составной транзистор 2Т877 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
    КТ878(А-В)BUX98 TO-3 npn 3090050 КТ878 для применения в переключающих устройствах, ИВЭП.
    КТ879 npn 5020025 КТ879 для применения в переключающих устройствах.
    2Т880(А-В)2N6730 pnp2100140 2Т880 - для усилителей и переключательных устройств.
    2Т881(А-Г)2N5150  npn 2100200 2Т881 - применение аналогично 2Т880
    2Т882(А-В) TO-220 npn 1300100 2Т882 в корпусе ТО-220 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Цоколевка и характеристики приведены в pdf.
    2Т883(А,Б) TO-220 pnp1300100 2Т883 для усилителей и переключающих устройств. Корпус ТО-220.
    2Т884(А,Б) TO-220 npn 280040 2Т884 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Подробные параметры см. в datasheet .
    2Т885(А,Б) TO-3 npn 4050012 мощный транзистор 2Т885 предназначен для применения в ИВЭП.
    КТ886(А1,Б1)MJW16212 TO-218 npn 10140025Высоковольтный транзистор КТ886 для применения в строчной развертке и ИВЭП. Характеристики см. в файле pdf. Аналог для КТ886 - MJW16212.
    КТ887 А,Б TO-3 pnp2 700 120 КТ887 для переключательных схем, стабилизаторов напряжения.
    КТ888 А,Б TO-39 pnp 0,1 900 120 Высоковольтный транзистор КТ888 для применения в преобразователях и стабилизаторах напряжения ИВЭП.
    КТ890(А-В)BU323 TO-218 npn 20350700Составной транзистор КТ890 предназначен для применения в схемах зажигания авто. Подробные характеристики КТ890А, КТ890Б и КТ890В приведены в pdf. Аналогом для КТ890 является BU323.
    КТ892(А-В)BU323A TO-3 npn15400300 мощный транзистор КТ892 предназначен для применения в схемах зажигания авто и других схемах с индуктивной нагрузкой.
    КТ896 (А,Б)BDW84TO-218 pnp208010000Составной мощный транзистор КТ896 для применения в линейных и переключающих схемах. Характеристики КТ896А и КТ896Б см. в datasheet файле. Аналог для КТ896 - BDW84.
    КТ897(А,Б)BU931ZTO-3 npn 203504000Составной транзистор КТ897 для схем зажигания авто и других схем с индуктивной нагрузкой. Аналог для КТ897 - BU931.
    КТ898 (А,Б)BU931PTO-218 npn203501500Составной транзистор КТ898 для применения в ИВЭП. Параметры оптимизированы для работы на индуктивную нагрузку. Аналог КТ898 - BU931. Подробные характеристики КТ898А и КТ898Б см. в datasheet.
    КТ899АBU806 TO-220npn 81501000Составной транзистор КТ899 для применения в усилительных и переключательных устройствах. Аналог с близкими характеристиками - BU806.
    КТ8101(А,Б)MJE4343
    2SC3281
    TO-218
    npn16200100 мощный транзистор КТ8101 предназначен для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах и преобразователях. Подробные характеристики КТ8101А и КТ8101Б см. в datasheet. Аналог для КТ8101 - транзистор MJE4343. Комплементарная пара - КТ8102.
    КТ8102(А,Б)MJE4353
    2SA1302
    TO-218
    pnp16200100Мощный транзистор КТ8102, область применения аналогична КТ8101, являющемуся его комплиментарной парой. Характеристики КТ8102А, КТ8102Б приведены в datasheet . Импортный аналог для КТ8102 - MJE4353.
    КТ8106 (А,Б)MJH6286 TO-218 npn 20803000Составной транзистор КТ8106 для применения в усилителях мощности и переключающих схемах. Аналог для КТ8106 - MJH6286.
    КТ8107(А-В)BU208 TO-218 npn 870012 КТ8107 для применения в каскадах строчной развертки, ИВЭП, высоковольтных схемах. Подробные параметры в datasheet. Импортный аналог для КТ8107 - BU208.
    КТ8109TIP151 TO-220 npn 7350150Составной транзистор КТ8109 для схем зажигания авто. Справочные данные см. в datasheet.
    КТ8110 (А-В)BUT11 npn 740030Справочные данные BUT11, импортного аналога КТ8110.
    КТ8111(А9-Б9)BDV67 TO-218 npn 20100750Составной мощный транзистор КТ8111 для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах тока и напряжения, переключателях. Аналог - BDV67.
    КТ8115(А-В)BD650
    TIP127
    TO-220
    pnp8
    5
    1001000Составной pnp транзистор КТ8115А для применения в усилительных и преобразователях напряжения. Аналог для КТ8115 - BD650. Комплементарная
    пара - КТ8116.
    КТ8116(А-В)TIP132TO-220
    DPAK

    npn 8
    5
    1001000Составной транзистор КТ8116, область применения аналогична КТ8115, являющимся его комплементарной парой.
    КТ8117АBUV48 TO-218 npn 1040010 мощный транзистор КТ8117 предназначен для ИВЭП, управления двигателями, стабилизаторов тока.
    КТ8118АMJE8503 TO-220 npn 380040 КТ8118 для высоковольтных переключательных схем, усилителей постоянного тока.
    КТ8120А TO-220npn 845010 КТ8120 для ИВЭП, схем управления электродвигателями.
    КТ8121А,Б TO-220npn 440060 КТ8121 для высоковольтных переключающих схем, преобразователей
    КТ8123А TO-220npn 2150 40 КТ8123 для схем вертикальной развертки ТВ, усилителей.
    КТ8124(А-В) TO-220npn 10400 7Справочные данные КТ8124, предназначенного для применения в горизонтальной развертке ТВ, переключательных схемах.
    КТ8126(А1,Б1)MJE13007 TO-220
    npn 840030 мощный транзистор КТ8126 для применения в горизонтальной развертке ТВ, преобразователях. Справочные данные приведены в datasheet .
    КТ8130 (А-В)BD676  pnp48015000 
    КТ8131 (А,Б)BD677  npn 48015000 
    КТ8133 (А,Б)  npn 82403000
    КТ8137АMJE13003 TO-126 npn 1,570040Для применения в строчной развертке ТВ, управления двигателями.
    КТ8141 (А-Г)   npn 8100750
    КТ8143 (А-Ш) КТ-9Мnpn 80 30015 биполярный мощный высоковольтный n-p-n транзистор с диодом КТ8143 для низковольтных источников питания бортовой аппаратуры
    КТ8144(А,Б) TO-3npn2580055 
    КТ8146(А,Б)
    КТ8154(А,Б)
    КТ8155(А-Г)
     ТО-3

    npn 15
    30
    50
    800
    600
    600
      мощный высоковольтный транзистор для применения в источниках питания
    КТ8156(А,Б)BU807 TO-220 npn82001000  КТ8156 предназначен для применения в горизонтальных развертках малогабаритных ЭЛТ.
    КТ8157(А-В) TO-218npn1515008для строчных разверток ТВ с увеличенной диагональю экрана
    КТ8158(А-В)BDV65 TO-218 npn12 1001000 КТ8158, параметры заточены для применения в усилителях НЧ, в ключевых и линейных схемах.
    КТ8159(А,Б,В)BDV64 TO-218 pnp121001000 КТ8159, Комплементарная пара для КТ8158, параметры и область применения аналогичные.
    КТ8163А  npn750040
    КТ8164(А,Б)MJE13005 TO-220 npn440060Высоковольтный транзистор КТ8164 для импульсных источников питания.
    КТ8167 (А-Г)  pnp280250
    КТ8168 (А-Г)  npn 280250
    КТ8170(А1,Б1)MJE13003 TO-126 npn1.540040Высоковольтный транзистор КТ8170 для применения в импульсных источниках питания.
    КТ8171 (А,Б)  npn 2035010000
    КТ8176(А,Б,В)TIP31 TO-220 npn310050 КТ8176 для усилителей и переключательных схем.
    КТ8177(А,Б,В)TIP32 TO-220 pnp310050КТ8177 для усилителей и переключательных схем. Комплементарная пара для КТ8176.
    КТ8192 (А-В)  ISOTOPnpn 751500 10мощный npn транзистор КТ8192 для применения в электроприводе
    КТ8196 (А-В)  npn 10350400
    КТ8212(А,Б,В)TIP41 TO-220 npn610075КТ8212 для линейных и ключевых схем.
    КТ8213(А,Б,В)TIP42 TO-220 pnp610075 Комплементарная пара для КТ8212.
    КТ8214(А,Б,В)TIP112 TO-220 npn21001000Составной транзистор КТ8214 предназначен для применения в ключевых и линейных схемах.
    КТ8215(А,Б,В)TIP117 TO-220 pnp21001000Составной транзистор КТ8215 - Комплементарная пара КТ8214.
    КТ8216 (А-Г)MJD31B npn2800275
    КТ8217 (А-Г)MJD32B pnp10100275
    КТ8218 (А-Г)  npn 4100750
    КТ8219 (А-Г)  pnp440750
    КТ8224(А,Б)BU2508 TO-218 npn87007Высоковольтный транзистор КТ8224 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Аналог - BU2508. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
    КТ8228(А,Б)BU2525 TO-218 npn1280010Высоковольтный транзистор КТ8228 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Белорусский аналог BU2525. Диод между коллектором э эмиттером, резистор между базой-эмиттером.
    КТ8229АTIP35F TO-218 npn2518075КТ8229 для линейных и ключевых схем.
    КТ8230АTIP36F TO-218 pnp2518075КТ8230 -Комплементарная пара для КТ8229.
    КТ8231АBU941 npn 15500300 datasheet на транзистор BU941
    КТ8232 (А,Б)BU941ZPTO-218npn 20350300КТ8232 для применения в переключательных и импульсных схемах, параметры оптимизированы для схем зажигания.
    КТ8246(А-Г)КТ829TO-220npn 151509000Составной транзистор КТ8246 для применения в автотракторных регуляторах напряжения.
    КТ8247АBUL45D TO-220 npn570022Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в преобразователях напряжения. Аналог - BUL45. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
    КТ8248АBU2506 TO-218 npn5150060Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в строчных развертках ТВ. Аналог - BU2506. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
    КТ8251АBDV65 TO-218npn101801000Составной npn транзистор КТ8251 для применения в линейных усилителях и ключевых преобразователях напряжения.
    КТД8252(А-Г)BU323Z TO-220
    TO-218
    npn 153502000для работы на индуктивную нагрузку
    КТ8254А  npn 280030
    КТ8255АBU407 TO-220 npn7330200 КТ8255 для применения линейных и ключевых схемах.
    КТД8257(А-В)SGSD96TO-220npn 20180 1000для применения в усилителях НЧ и переключающих устройствах.
    КТ8258(А,Б)MJE 13004 TO-220npn 440080для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, аналог транзистора 13004
    КТ8259(А,Б)MJE13007
    13007
    TO-220npn 840080для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, отечественный аналог импортного транзистора 13007
    КТ8260(А-В)MJE13008TO-220npn 1550015для ИВЭП, преобразователей, аналог транзистора 13008.
    КТ8261АBUL44TO-126 npn240020 КТ8261 для применения в преобразователях напряжения.
    КТД8262(А-В)SEC80TO-220npn 7350 300Для систем зажигания автотракторной техники
    КТ8270АMJE13001TO-126 npn0.560090 КТ8270 для использования в преобразователях напряжения. Подробные справочные данные приведены в datasheet.
    КТ8271(А,Б,В)BD136TO-126 pnp1.580250 КТ8271 для преобразователей напряжения. Подробные параметры приведены в datasheet.
    КТ8272(А,Б,В)BD135TO-126 npn1.580250 КТ8272 для линейных усилителей и преобразователей напряжения. Комплементарная
    пара для КТ8271
    КТД8278(А-В1)SGSD93STTO-220npn 201801000Для усилителей НЧ, переключательных устройств.
    КТД8279(А-В)2SD1071TO-220
    TO-218
    npn 10 350 300для работы на индуктивную нагрузку, в системах зажигания.
    КТД8280(А-В) TO-218npn 60 120 1000Составной транзистор КТД8280 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями, источников бесперебойного питания.
    КТД8281(А-В) TO-218pnp601201000Составной транзистор КТД8281 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями.
    КТ8283(А-В) TO-218pnp60120100для преобразователей, схем управления двигателями. Параметры описаны в даташит.
    КТ8284(А-В)КТ829TO-220npn 12100500для автотракторных регуляторов напряжения, линейных схем.
    КТ8285(А-В)BUF410 TO-218
    TO-3
    npn 3045040для преобразователей напряжения, ИВЭП. Характеристики описаны в даташит.
    КТ8286(А-В)2SC1413 TO-218
    TO-3
    npn 5 800 40для усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, мощных регуляторах напряжения. Подробные характеристики см. в datasheet
    КТ8290АBUh200TO-220 npn1070015Высоковольтный биполярный транзистор КТ8290 для использования в импульсных источниках питания.
    КТ8296(А-Г)KSD882TO-126 npn330400КТ8296 для использования в импульсных источниках питания, ключевых схемах и линейных усилителях.
    КТ8297(А-Г)KSD772TO-126 pnp330400КТ8297 - Комплементарная
    пара (транзистор с близкими характеристиками, но обратной проводимости) для КТ8296.
    КТ8304А,БTO-220
    D2PAK
    npn8160250КТ8304 с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения.
    ПИЛОН-3TIP122 TO-220npn 151001000для применения в переключающих схемах и преобразователях напряжения. Импортный аналог с близкими характеристиками - транзистор TIP122.
    ПИР-1BUV48 TO-218npn 204508ПИР-1 для ключевых схем с индуктивной нагрузкой и усилителей с высокой линейностью.
    ПИР-2MJE4343 TO-220
    TO-218
    npn 2016030ПИР-2 для линейных усилителей и ключевых схем.
    Справочник составлен в 2007 году, затем дополнялся и дорабатывался вплоть до 2015г. Соавторы: WWW и Ко

    Транзистор [База знаний]

    Транзистор. Определение, обозначение на схемах, принцип работы, основные характеристики

    Теория

    КОМПОНЕНТЫ
    ARDUINO
    RASPBERRY
    ИНТЕРФЕЙСЫ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ

    Транзистор — один из самых распространенных полупроводниковых элементов самого широкого применения. Существуют различные виды транзисторов, но как правило данный электронный компонент имеет три вывода и, как и диод, основывается на явлении p-n перехода. Отсюда происходит его второе название – полупроводниковый триод.

    Главным свойством транзистора является управление током, протекающим через него (ток эмиттерколлектор у биполярных и ток истоксток у полевых транзисторов), с помощью третьего вывода (база у биполярных и затвор у полевых транзисторов). Иными словами транзисторы зачастую используют как выключатель и/или регулятор силы тока и напряжения.


    Биполярный транзистор

    Транзисторы данного типа состоят из трех слоев полупроводников с чередующимся типом проводимости:
    • Эмиттер (emitter)
    • База (base) – на схемах изображается между К. и Э. под прямым углом к несущей черте
    • Коллектор (collector) – на схемах обозначен стрелкой.

     

    Таким образом, у биполярных транзисторов имеется два p-n перехода: эмиттер-база и база-коллектор. Наделение полупроводников определенным типом проводимости происходит с помощью легирования — добавления в них специальных примесей. Каждый слой легируется в разной степени.
    Различают два типа биполярных транзиторов:
    • p-n-p, где эмиттер – полупроводник p-типа, база – n-типа, коллектор – p-типа
    • n-p-n, где эмиттер – полупроводник n-типа, база – p-типа, коллектор – n-типа.

     

    Их схематичное устройство представлено представлено на иллюстрации ниже.

    Также на иллюстрации обозначено направление движения тока в биполярных транзисторах обоих типов и типичное обозначение напряжений, имеющих место между его выводами.

     

    В основе работы биполярных транзисторов лежит следующий процесс, который рассмотрим на примере транзистора со структурой npn в нормальном активном режиме. В этом режиме переход эметтер-база смещён в прямом направлении, иначе говоря, открыт, а переход база-коллектор смещён в обратном направлении или закрыт. При переходе носителей заряда (электронов) из эмиттера через открытый p-n переход эмиттер-база, часть их рекомбинирует с носителями заряда (дырками) в базе. Однако база делается очень тонкой и слабо легированной (по сравнению с эмиттером), из-за чего большая часть электронов, перешедших (инжектированных) в базу из эмиттера, так сказать, «не находит себе в базе места» и, как следствие, диффундирует в коллектор. Сильное электрическое поле обратносмещённого коллекторного перехода захватывает неосновные носители из базы и переносит их в коллекторный слой. Таким образом, ток коллектора практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы. В случае с биполярными транзисторами структуры pnp процесс будет тем же, изменится лишь полярность и направление токов.

     


    Полевой транзистор (униполярный)

    Принцип действия полевых транзисторов основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

     

    Полевые транзисторы имеют следующие выводы:
    • Исток (source) — область, из которой носители заряда уходят в канал
    • Затвор (gate) – электрод, на который подается управляющее напряжение
    • Сток (drain) – область, в которую носители заряда входят.

    Введение в транзисторы NPN - инженерные проекты

    Привет друзья! Это платформа, на которой мы будем держать вас в курсе ценной информации, связанной с разработкой и технологиями, чтобы вы время от времени возвращались. Сегодня я собираюсь раскрыть подробности о транзисторе Introduction to NPN. Это транзистор с биполярным переходом, который в основном используется для усиления и переключения и состоит из трех полупроводниковых слоев, один из которых является полупроводниковым слоем, легированным P, а два других - легированным азотом.Слой с примесью фосфора зажат между двумя слоями с примесью азота. Основная функция: Малый ток на одной клемме используется для управления большой на других клеммах. Этот процесс используется для усиления. основных носителей заряда: электронов BJT (биполярный переходный транзистор) делятся на два типа: NPN-транзистор и PNP-транзистор. Оба транзистора различаются по своему электрическому составу и конструкции, однако оба так или иначе используются для усиления и переключения.В этом руководстве мы рассмотрим транзистор NPN, его работу, принципиальную схему, кривую выходных характеристик и приложения.

    Введение в NPN-транзистор

    • NPN-транзистор - это биполярный переходной транзистор, который в основном используется для усиления и переключения. Как следует из названия, проводимость осуществляется за счет движения и носителей заряда, то есть электронов и дырок, однако электроны являются основными носителями заряда в транзисторе NPN.
    • Состоит из трех слоев i.е два слоя с примесью азота и один слой с примесью фосфора. Слой с примесью P представляет собой базу транзистора, а два других слоя представляют собой эмиттер и коллектор соответственно.
    • NPN-транзистор поставляется с тремя выводами, называемыми эмиттером, базой и коллектором, которые используются для внешнего соединения со схемами, в которых небольшой ток на стороне базы используется для управления большим током на стороне коллектора и эмиттера.
    • Все три вывода в NPN-транзисторе различаются по размеру и концентрации легирования.Вывод эмиттера сильно легирован и через устройство проходит 100% тока. В то время как основание очень тонкое и слегка легированное, что контролирует количество электронов, а коллектор умеренно легирован, который собирает количество электронов.
    • Транзистор NPN - это не что иное, как комбинация двух диодов, соединенных друг с другом.
    • NPN-транзистор имеет два перехода, называемых переходом эмиттер-база и переходом коллектор-база. Транзистор NPN переходит в рабочее состояние, когда переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении, и на клемме базы присутствует достаточный ток.Чтобы сделать переход эмиттер-база смещенным вперед, положительное напряжение прикладывается на стороне базы, а отрицательное - на стороне эмиттера.
    • Аналогичным образом, чтобы сделать переход эмиттер-база смещенным в обратном направлении, напряжение коллектора должно быть более положительным, чем напряжение базы и коллектора.
    • Этот транзистор NPN является одним из основных электронных компонентов, используемых при проектировании схем.

    Принципиальная схема

    На следующем рисунке показана принципиальная схема NPN-транзистора.
    • Как видно из схемы, на выводы транзистора подается напряжение и резистивные нагрузки.
    • Отрицательное напряжение подключено к эмиттеру, а положительное напряжение подключено к клеммам базы.
    • База более положительная по отношению к эмиттеру.
    • Резистивная нагрузка приложена к базовой клемме, которая ограничивает ток, производимый на этой клемме.
    • Положительное напряжение подается на вывод коллектора, а сопротивление нагрузки прикладывается к этому выводу, что ограничивает попадание электронов на этот вывод.

    Рабочий

    • База отвечает за инициирование действия транзистора. Когда на базу подается напряжение, она смещается и потребляет небольшой ток, который затем используется для управления большим током на стороне коллектора и эмиттера.
    • Базовое действие рассматривается как двухпозиционный клапан, который генерирует ток, когда на этот вывод подается соответствующее напряжение смещения.
    • Небольшое изменение напряжения, приложенного к клемме базы, показывает большое влияние на выходные клеммы.Фактически, база действует как вход, а коллектор действует как выход в NPN-транзисторе.
    • В случае, когда переход эмиттер-база кремниевого транзистора потребляет напряжение около 0,7 при отсутствии напряжения на выводе базы, чтобы инициировать действие электронов и перевести транзистор в рабочее состояние, напряжение базы должно быть больше 0,7 напряжения в в случае кремниевого транзистора и 0,3 в случае германиевого транзистора.
    • На стороне N транзистора, который представляет собой эмиттер, электроны действуют как основные носители заряда, которые затем диффундируют в базу, когда подходящее напряжение подается на вывод базы.Эти электроны действуют как неосновные носители заряда, когда они входят в клемму базы, где они соединяются с дырками, присутствующими в базе. Не все электроны соединяются с дырками, присутствующими на клемме основания. Некоторые из них соединяются с дырками, и образовавшаяся электронно-дырочная пара исчезает. Большая часть электронов покидает клемму базы и затем попадает в область коллектора, где они снова действуют как основные носители заряда.
    • Когда напряжение подается на клемму базы, ток базы определяется выражением;
    • Ток коллектора напрямую связан с базовым током, умноженным на постоянный коэффициент.
    • Чтобы повысить эффективность NPN-транзистора, основание сделано очень тонким, а коллектор - толстым по двум причинам: коллектор может обрабатывать больше тепла и принимать больше электронов, рассеянных через вывод базы.

    Коэффициенты усиления по току и соотношение между ними

    • Коэффициенты усиления по току играют важную роль в процессе усиления. Коэффициент усиления по току общего эмиттера - это отношение между током коллектора и током базы. Он называется бета и обозначается β.Он также известен как коэффициент усиления, который определяет величину усиливаемого тока.
    • Бета - это соотношение двух токов, поэтому в нем нет единицы измерения. Значение бета всегда больше единицы и находится в диапазоне от 20 до 1000 - 20 для транзисторов большой мощности и 1000 для транзисторов малой мощности, однако в большинстве случаев его значение принимается равным 50.
    • Аналогичным образом, коэффициент усиления по току общей базы равен еще один важный фактор - это соотношение между током коллектора и током эмиттера.Он называется альфа и обозначается α. Значение альфа находится в диапазоне от 0,95 до 0,99, однако большую часть времени его значение принимается за единицу.
    • На следующем рисунке показано соотношение между двумя коэффициентами усиления по току.
    • Значение альфа не может превышать единиц , потому что это соотношение между током коллектора и током эмиттера, т.е. ток эмиттера всегда остается больше, чем ток коллектора, потому что он показывает 100% ток транзистора и равен сумме ток коллектора и ток базы.

    Конфигурации транзистора NPN

    • Этот транзистор NPN может иметь три конфигурации: конфигурация с общим эмиттером, конфигурация с общим коллектором и конфигурация с общей базой.
    • Конфигурация с общим эмиттером в основном используется для целей усиления, где база действует как вход, коллектор действует как выход, а эмиттер действует как общая клемма между входом и выходом.
    • Эта общая конфигурация эмиттера всегда действует в линейной области, где небольшой ток на стороне базы используется для управления большим током на стороне коллектора.
    • Конфигурация общего эмиттера, используемая в электронных схемах, всегда дает инвертированный выходной сигнал, на который сильно влияют напряжение смещения и температура. Эта конфигурация является идеальным выбором для схем усиления, поскольку она имеет высокий входной импеданс и низкий выходной импеданс и обеспечивает точное напряжение и коэффициент усиления по мощности, необходимые для усиления.
    • Во время конфигурации с общим эмиттером транзистор всегда работает между областью насыщения и отсечки, что помогает в усилении отрицательного и положительного циклов входных сигналов.Если на клемму базы не подается соответствующее напряжение, будет усилена только половина сигнала.

    Кривая выходных характеристик NPN-транзистора

    На следующем рисунке показана выходная характеристическая кривая биполярного NPN-транзистора, которая построена между выходным током коллектора и напряжением коллектор-эмиттер при изменении тока базы.
    • Как описано ранее, выходной ток коллектора не будет, если приложенное напряжение на клемме базы равно нулю.Когда правильное напряжение смещения выше 0,7 В подается на клемму базы, она смещается и потребляет ток, который управляет и влияет на ток выходного коллектора.
    • Мы видим, что Vce напрямую влияет на значение выходного тока коллектора до тех пор, пока приложенное напряжение равно 1 В. Выше этого значения ток коллектора больше не остается под влиянием значения Vce. В этом случае ток коллектора сильно зависит и контролируется током базы. Небольшое изменение базового тока и напряжения смещения привело бы к сильному изменению тока коллектора.
    • Нагрузочный резистор, подключенный к клемме коллектора, регулирует величину тока, поступающего на клеммы коллектора. Принимая во внимание нагрузочный резистор и напряжение, подаваемое на выводы коллектор-эмиттер, ток коллектора определяется выражением;
    • Прямая линия нагрузки между точками A и B попадает под активную область, когда переход эмиттер-база смещен в прямом направлении и транзистор проводит ток, где электроны являются основными носителями заряда.
    • Точка Q на графике может быть определена линией нагрузки, которая фактически называется рабочей точкой транзистора.
    • Кривая выходных характеристик этого NPN-транзистора используется для описания тока коллектора, когда заданы ток базы и напряжение коллектора.
    • Для обеспечения проводимости напряжение на коллекторе должно быть более положительным, чем на базе и эмиттере.
    • Важно отметить, что, когда переход эмиттер-база не смещен в прямом направлении, Ic будет равен нулю, независимо от того, какое напряжение приложено к клеммам базы. Когда соединение эмиттер-база смещено в прямом направлении и напряжение подается на вывод базы, он потребляет небольшой ток, который затем используется для управления большим током на других выводах.

    Разница между транзисторами NPN и PNP

    • Транзисторы NPN и PNP различаются с точки зрения электрической конструкции и легирования слоев. NPN означает «отрицательно-положительно-отрицательно» и также известно как устройство источника . В то время как PNP означает «положительный-отрицательный-положительный» и также известен как , тонущее устройство .
    • В NPN база транзистора положительна по сравнению с эмиттером, а напряжение коллектора более положительно по сравнению с эмиттером и базой.Точно так же в PNP база транзистора отрицательна по сравнению с эмиттером, а напряжение эмиттера намного больше, чем напряжение коллектора.
    • Полярность напряжения и направления тока в обоих транзисторах поменяны местами.
    • Транзистор NPN проводит и инициирует действие транзистора, когда на клемму базы подается положительное напряжение. Транзистор PNP работает, когда отрицательное напряжение ниже 0,7 В (для кремния), чем напряжение эмиттера, приложено к клемме базы.
    • Транзистор NPN использует электронов в качестве основных носителей заряда для проводимости, в то время как транзистор PNP использует отверстий в качестве основных носителей заряда для процесса проводимости.
    • В транзисторе NPN ток течет от коллектора к эмиттеру, а в случае транзистора PNP ток течет от эмиттера к клемме коллектора.
    • Оба транзистора различаются по способу включения. Транзистор NPN включается, когда на клемме базы присутствует достаточного тока , в то время как транзистор PNP включается, когда на клемме базы отсутствует тока .

    Приложения

    • NPN-транзисторы в основном используются для усиления и переключения.
    • Используется в логарифмических преобразователях и высокочастотных приложениях.
    • Этот транзистор NPN используется в приложениях обработки сигналов и радиопередачи.
    • Парные схемы Дарлингтона используют этот NPN-транзистор для усиления сигналов.
    • Используется в датчике температуры.
    • Двухтактные усилительные схемы подпадают под категорию классических схем усилителя, в которых используется этот NPN-транзистор.
    • В небольших количествах транзисторы используются для создания логических схем и в схемах, где требуется усиление.Однако, когда тысячи транзисторов соединены вместе, их можно использовать для создания сложных схем, таких как процессоры, схемы памяти компьютера и несколько ИС.
    Это все на сегодня. Надеюсь, вы поняли, что такое транзистор NPN и для чего он используется. Если вы не уверены или у вас есть какие-либо вопросы, вы можете обратиться ко мне в разделе комментариев ниже, я хотел бы помочь вам в соответствии с моим опытом и знаниями. Не стесняйтесь держать нас в курсе ваших отзывов и предложений, они помогают нам предоставлять вам качественный контент, соответствующий вашим потребностям и требованиям.Спасибо, что прочитали статью.

    :

    , NPN (2N4403) [SECOS] 140 / 2N 0.625 Вт, 100 МГц - NPN (2N5400 / 2N5401) [ON Semiconductor] 2N6040, 2N6042, 2N6043, 2N6045 - 60/100 В, 8,0 А, 75 Вт, 4 МГц, TO-220 - PNP / NPN (BDX33 / 34) [ON Semiconductor] - PNP (2SC3746) [Sanyo] , 1 Вт, SOT-89 - PNP (2SC4672) [ROHM] 140196 , 10А, 100Вт - PNP (2SC5198) [Toshiba] 1 Вт - PNP (2SD1994A) [Panasonic] .. 2SC1627 - 80 В, 300 мА, 0,4 Вт - NPN (2SA817) [Toshiba] мА , 0,4 Вт - NPN (2SA1316) [Toshiba] , 20 Вт - NPN (2SA1469) [Sanyo] 2SC6 2SC , 100 мА, 7 Вт, TO-126 - NPN (2SA1546) [NEC] 1 Вт, SOT-89 - NPN (2SA1797) [Weitron] 3A, 50 Вт, TO-220 - NPN [UTC] - NPN [Toshiba] BC547, BC548 - 65/45 / 30V, 100mA, 500 мВт, TO-92 - NPN (BC556, BC557, BC558) [NXP] 30199 BD -225 - PNP (BD179) [ON Semiconductor] BD241, BD241A, BD241B, BD241C - 45/60/80 / 100V, 3A, 40W, TO-220 - NPN (BD242) [Bourns] 350/375 В, 1,0 А, 40 Вт - PNP (TIP47 / TIP48 / TIP50) [ON Semiconductor] TIP30A, TIP30B, TIP30C - 40/60/80/100 В, 1A, 30 Вт - PNP (TIP29) [Fairchild] TIP TIP TIP132, TIP137 - 80 / 100V, 8A, 70W - NPN / PNP [ON Semiconductor] [ST] NPN [Zetex]

    Лаборатория АК, 2002 г. .

    ...
    3107 3107 - 20/25/40 В, 100 мА, 300 мВт, 250 МГц, TO-92 - PNP8 [Alfa] 9019 9019 368 368, 368, 368 - 15 В, 30 мА - NPN []
    502 502 - 40/60/80/90 В, 150 мА, 350 мВт - PNP []
    503 - 40/60/80/100 В, 150 мА, 350 мВт - PNP []
    639 639 - 40/60/80 В, 1,5 А, 1 Вт, 80 МГц, TO-126 - PNP [Alfa]
    644 644 - 40/60 В, 600 мА, 1 Вт, 200 МГц, TO-126 - PNP [Alfa]
    645 645 - 40/50 В, 300 мА, 500 мВт, 250 МГц, TO-92 - NPN []
    646 645 - 40/60 В, 1000 мА, 1 Вт, 50 МГц, TO-126 - NPN []
    805 805, 805, 805 - 70/60 В, 5A, 30 Вт - NPN []
    829 829A, 829, 829, 829 - 100/80/60/45 В, 8A, 60 Вт - NPN [ ]
    837 837A...837 80/60/45 В, 7 А, 30 Вт - PNP []
    972 972 - 45/60 В, 2,0 А, 8 Вт - PNP []
    973 973 - 45/60 В, 2,0 A, 8 Вт - NPN []
    2N ...
    2N2221 2N2221, 2N2222 - 30MHz, 800mA, NPN 250 [ Central Semiconductor]
    2N2222 2N2222, 2N2222A - 30 / 40V, 500mA, 250MHz - NPN (2N2907) [Philips]
    2N290mA7 60192 90N290N0196 60192 200 МГц - PNP (2N2222) [Philips]
    2N3707 2N3707, 2N3708, 2N3709, 2N3710, 2N3711 - 30 В, 200 мА - NPN (2N4058 / 59/60/616/62191) [Центральный]
    2N3903 2N3903, 2N3904 - 40 В, 200 мА, 250 МГц - NPN (2N3905 / 2N 3906) [ON Semiconductor]
    2N3904 2N3904 - 40 В, 200 мА, 250 МГц - NPN (2N3906) [ST]
    2N3905 250N 2N3905 250N 2N3905 2 N3905 2N3905 2N3905 2 (2N3904) [Motorola]
    2N3906 2N3906 - 40 В, 200 мА, 250 МГц - PNP (2N3903 / 2N3904) [ON Semiconductor]
    2N4199 2N4199 2N4199 2N4409
    2N4403 2N4403 - 40 В, 600 мА, 250 МГц - PNP (2N4401) [SECOS]
    2N5550 600, 2N5550
    2N5879 2N5879 - 80 В, 15A, 160 Вт, 4 МГц, TO-3 - PNP [Semelab]
    2SA ...
    2SA496 2SA496, 2SA505 - 40/60 В, 1 А, 1 Вт, 100 МГц, TO-126 - PNP (2SC496, 2SC495) [Toshiba]
    2SA19509 2SA19509 , 1 Вт, 100 МГц, TO-126 - PNP (2SC495) [ISC]
    2SA684 2SA684 - 50 В, 1.0A, 1,0 Вт - PNP (2SC1384) [UTC]
    2SA733 2SA733 - 50 В, 100 мА, 190 МГц - PNP (2SC945) [NEC]
    2SA733 2SA733 (?), 50 МГц - PNP (2SC945) [Fairchild]
    2SA817 2SA817 - 80 В, 300 мА, 0,4 Вт - PNP (2SC1627) [Toshiba]
    2SA940 , 1,5 А, 25 Вт, TO-220 - PNP (2SC2073) [Mospec]
    2SA1015 2SA1015 - 50 В, 150 мА, 0.625 Вт - PNP (2SC1815) [UTC]
    2SA1025 2SA1025, 2SA1081, 2SA1082 - 60/90/120 В, 100 мА, 0,4 Вт, 90 МГц - PNP (2SC2396 / 2SC2543 / 2SCi25) [Hit194]
    2SA1081 2SA1081 - 90 В, 100 мА, 0,4 Вт, 90 МГц - PNP (2SC2543) [SECOS]
    2SA1082 2SA1081 - 90 В, 2SC, 2SA1081 - 90 В, 2SC, 2SC - 90 Вт, 2SC - 90 Вт SECOS]
    2SA1273 2SA1273 - 30V, 2A, 3W - PNP (2SC3205) [KEC]
    2SA1300 2SA1300 -.75 Вт - PNP [Toshiba]
    2SA1316 2SA1316 - 80 В, 100 мА, 0,4 Вт - PNP (2SC3329) [Toshiba]
    2SA1320 250S 0,6 мA - 0,6 мА (2SC3333) [Toshiba]
    2SA1488 2SA1488, 2SA1488A - 80/100 В, 4A, 25 Вт - PNP (2SC3851) [SanKen]
    2SA149 2SA149
    2SA1797 2SA1797 - 50 В, 2A, 1 Вт, SOT-89 - PNP (2SC4672) [GME]
    2SA1997 2SA1797
    2SA1797
    2SA1837 2SA1837 - 230 В, 1A, 20 Вт - PNP (2SC4793) [Toshiba]
    2SA1942 2SA1942 - 160 В, 12 А, 120 Вт - PNP (2SC5199) [Toshiba]
    2SA1972 2SA1972 - 400 В, 0.5A, 0,9 Вт - PNP (??) [Toshiba]
    2SA2040 2SA2040, 2SC5707 - 50 В, 8A, 15 Вт - PNP / NPN (2SC5707) [ON Semiconductor]
    2SB ...
    2SB649 2SB649, 2SB649A - 120/160 В, 1,5 A, 20 Вт, 140 МГц - NPN (2SD669) [Hitachi]
    2SB649A - 120/160 В, 1,5 A, 20 Вт, 140 МГц - NPN (2SD669) [SECOS]
    2SB798 2SB798 - 30 В, 1.5A, 2W - PNP (2SD999) [UTC]
    2SB892 2SB892 - 50V, 2.0A, 1.0W - PNP (2SD1207) [Sanyo]
    2SB201202, 2SB201202
    2SB201202 - 2 50 В, 3,0 А, 15 Вт - PNP / NPN (2SD1802) [ON Semiconductor]
    2SB1320A 2SB1320A - 50 В, 0,1 А, 0,4 Вт - PNP (2SD1991A) [Panasonic] 2SD1991A 2 2SB1321A - 50 В, 0,5 А, 0.6 Вт - PNP (2SD1992A) [Panasonic]
    2SB1322 2SB1322 - 25 В, 1,0 A, 1 Вт - PNP (2SD1994) [Panasonic]
    2SB1329A
    2SB1329A
    2SB1323 2SB1323, 2SD1997 - 30 В, 3,0 А, 1,5 Вт - PNP / NPN () [Sanyo]
    2SC495 2SC495, 2SC496 - 60/40 В, 1000 мА, 1 Вт, 50 МГц, TO-126 - NPN (2SA505, 2SA496) [Toshiba]
    2SC9 2SC 50 В, 100 мА, 250 МГц - NPN (2SA733) [NEC]
    2SC945 2SC945 - 50 В, 150 мА, 190 МГц - NPN (2SA733) [UTC]
    2SC945
    2SC945 150 мА, 200 МГц - NPN (2SA733) [SECOS]
    2SC2073 2SC2073 - 150 В, 1.5A, 25 Вт, TO-220 - NPN (2SA940) [Mospec]
    2S1384 2S1384 - 50 В, 1,0 A, 1,0 Вт - NPN (2SA684) [UTC]
    2SC199
    2SC1815 2SC1815 - 50 В, 150 мА, 0,625 Вт - NPN (2SA1015) [UTC]
    2SC2383 - 160 В, 1,0 А, 0,9 Вт - NPN [UTC]
    2SC2396 2SC2396, 2SC2543, 2SC2544 - 60/90/120 В, 100 мА, 0.4 Вт, 90 МГц - NPN (2SA1024 / 2SA1081 / 2SA1082) [Hitachi]
    2SC2625 2SC2625 - 400 В, 10 A, 80 Вт - NPN [Mospec]
    2SC3333 2SC3333 - 250 В, 50 мА, 0,6 Вт - NPN (2SA1320) [Toshiba]
    2SC379 2SC3746
    2SC3746
    2SC3851 2SC3851, 2SC3851A - 80/100 В, 4A, 25 Вт - NPN (2SA1488) [SanKen]
    2SC4002 2SC4002 - 400 В, 200 мА, 0.6 Вт, TO-92 - NPN [Sanyo]
    2SC4003 2SC4003 - 400 В, 200 мА, 10 Вт, TO-251 - NPN [Sanyo]
    2SC4004 2SC4004 30Вт, TO-220F - NPN [Panasonic]
    2SC4005 2SC4005 - 42V, 2A, 12W, TO-220M - NPN [Sanyo]
    2SC4006 2SC 12Вт, TO-220M - NPN [Sanyo]
    2SC4008 2SC4008 - 80V, 4A, 30W, TO-220F - NPN [ROHM]
    2SC4672 2SC4672
    2SC4793 2SC4793 - 230 В, 1A, 20 Вт - NPN (2SA1837) [Toshiba]
    2SC5048 2SC5048 - 600 В, 12 A, 50 Вт - NPN [Toshiba]
    2SC5129 2SC5129 - 600 В, 10 A, 50 Вт - NPN [Toshiba]
    2SC5149 50196 2SC5149 2SC5148
    2SC5198 2SC5198 - 140 В, 10 А, 100 Вт - NPN (2SA1941) [Toshiba]
    2SC5199
    2SC5199 2SC5199 NP42 - NPN 2SC5199 - 2SC5199 [Toshiba]
    2SC5552 2SC5552 - 600 В, 16 А, 65 Вт - NPN [Panasonic]
    2SC5707 2SC5707, 2SANA2040 - 50 В (2SC5707, 2SANA2040 - 50 В) ON Semiconductor]
    2SD...
    2SD667 2SD667 - 80 В, 1,0 A, 0,9 Вт, 140 МГц - NPN [UTC]
    2SD669 2SD669, 2SD669, 2SD669, 2SD669 20 Вт, 140 МГц - NPN (2SB649) [Hitachi]
    2SD669 2SD669, 2SD669A - 120/160 В, 1,5 А, 20 Вт, 140 МГц - NPN (2SB649) [SECOS] 2SD669 2SD999 - 30 В, 1,0 A, 0,5 Вт - NPN (2SB798) [WEJ]
    2SD999 2SD999 - 30 В, 1.0A, 0,5 Вт - NPN (2SB798) [HT Wang]
    2SD1207 2SD1207 - 50 В, 2,0 А, 1,0 Вт - NPN (2SB892) [ON Semiconductor]
    2 , 2SB1202 - 50 В, 3,0 A, 15 Вт - NPN / PNP (2SB1202) [ON Semiconductor]
    2SD1990 2SD1990 - 60 В, 4A, 35 Вт, TO-2 220 - NPN [Panasonic]
    2SD1991A - 50В, 0.1A, 0,4 Вт - NPN (2SB1320A) [Panasonic]
    2SD1992A 2SD1992A - 50 В, 0,5 А, 0,6 Вт - NPN (2SB1321A) [Panasonic]
    2SD199 50199
    2SD199 , 0,1A, 0,4 Вт - NPN [Panasonic]
    2SD1994A 2SD1994A - 50 В, 1,0 A, 1 Вт - NPN (2SB1322A) [Panasonic]
    2SD1997 2SD1997 2SD1997 2SD1997 , 3,0 A, 1,5 Вт - PNP / NPN () [Sanyo]
    BC...
    BC107 BC107, BC108, BC109 - 45/25 / 20V, 100mA, 300mW, TO-18 - NPN (BC177 / 178/179) [CDIL]
    BC199 BC177 - 45 В, 100 мА, 300 мВт, TO-18 - PNP (BC107) [Philips]
    BC177 BC177, BC178, BC179 - 45/25/20 В, 100 мА, 300 мВт, TO-18 - PNP (BC107 / 108/109) [CDIL]
    BC327 BC327, BC327-16, BC327-25, BC327-40 - 45 В, 800 мА, 625 мВт, TO-92 - PNP (BC337) [ON Полупроводник]
    BC337 BC337, BC337-25, BC337-40 - 45 В, 800 мА, 625 мВт, TO-92 - NPN (BC327) [ON Semiconductor]
    BC546
    BC549 BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 - 65 / 45/30 В, 100 мА, 50 0 мВт, TO-92 - NPN (BC556, BC557, BC558) [Fairchild]
    BC639 BC639, BCP56, BCX56 - 80V, 1.0A, 1W, TO-92 / SOT223 / SOT89 - NPN (BC640 / BCP53 / BCX53) [NXP]
    BC640 BC640 - 80V, 1.0A, 1W, TO-92 - PNP (BC639) [ Fairchild]
    BC640-016 BC640-016 - 80 В, 1,0 А, 1 Вт, TO-92 - PNP (BC639) [ON Semiconductor]
    BC846 BC847 - / 45 В, 100 мА, 0,2 Вт, SOT323 - NPN + PNP [Infineon]
    BCP53 BCP53 - 80 В, 1.5A, 1,5 Вт, SOT223 - PNP (BCP56) [ON Semiconductor]
    BCP56 BCP56, BCX56, BC56PA - 80 В, 1,0 A, 1 Вт, SOT223 / SOT89 / SOTCP1061 - PNX (BCP53 / ) [NXP]
    BCV61 BCV61 - 30 В, 100 мА, 0,3 Вт, SOT143 - NPN "" (BCV62) [Infineon]
    BCV62 BCV62 - , SOT143 - PNP "" (BCV61) [Infineon]
    BCX20 BCX20 [U2] - 30 В, 800 мА, 310 мВт, SOT23 - NPN [NXP]
    9019 9019..
    BD179 BD179 - 80V, 3A, 30W, TO-225 - NPN (BD180) [ON Semiconductor]
    BD180
    BD239 BD239, BD239A, BD239B, BD239C - 45/60/80 / 100V, 2A, 30W, TO-220 - NPN (BD240) ]
    BD240 BD240, BD240A, BD240B, BD240C - 45/60/80 / 100V, 2A, 30W, TO-220 - PNP (BD239) [Bourns]
    BD242 BD242, BD242C, BD242C, BD242C - 45 / BD242C 60/80/100 В, 3 А, 40 Вт, TO-220 - PNP (BD241) [Bourns]
    BD243 BD243, BD243A, BD243B, BD243C - 45/60/80/100 В /, 6.0A, 65 Вт, TO-220 - NPN (BD244) [Bourns]
    BD243 BD243, BD243A, BD243B, BD243C - 45/60/80 / 100V /, 6.0A, 65 Вт, TO-220 - NPN (BD244) [Fairchild]
    BD244 BD244, BD244A, BD244B, BD244C - 45/60/80/100 В /, 6,0 А, 65 Вт, TO-220 - PNP (BD243) [Bourns]
    BD244 BD244, BD244A, BD244B, BD244C - 45/60/80 / 100V /, 6.0A, 65W, TO-220 - PNP (BD243) [Fairchild]
    BDC BD243C, BD244C 100 В /, 6.0A, 65 Вт, TO-220 - NPN / PNP () [ST]
    MJE ...
    MJE340 MJE340, 20 300 Вт, 0,5 NPA (MJE350) [ON Semiconductor]
    MJE350 MJE350 - 300 В, 0,5 A, 20 Вт - PNP (MJE340) [ON Semiconductor]
    MJE195730
    MJE195730
    MJE5850 MJE5850, MJE5851, MJE5852 - 300/350/400 В, 8A, 80 Вт - полупроводник ]
    MJE13001 MJE13001 - 400 В, 0.2A, 0,5 Вт - NPN [UTC]
    MJE13002 MJE13002 - 300 В, 1,5 A, 40 Вт - NPN [UTC]
    MJE13003 - 400WE1300 MJE1300, MJE1300 [ON Semiconductor]
    MJE13005 MJE13005 - 400 В, 4,0 A, 75 Вт - NPN [ON Semiconductor]
    MJE13007 80196 NPT MJE13007 80196 NPN MJ
    MJE13007 MJE13007, MJF13007 - 400 В, 8 А, 80/40 Вт - NPN [Motorola]
    MJE13009 MJE13009 NPT, 100191 MJE13009, 100191 MJE13009, 400 В - 400В
    СОВЕТ...
    TIP29 TIP29, TIP29A, TIP29B, TIP29C - 40/60/80/100 В, 1 А, 30 Вт - NPN (TIP30) [Fairchild]
    TIP30
    TIP31 TIP31A, TIP31C - 60/100 В, 3A, 40 Вт, TO-220 - NPN (TIP32) [Fairchild]
    TIP32 TIP32, TIP32A, TIP32C - 40/60/100 В, 3A, 40 Вт, TO-220 - PNP (TIP31) [Fairchild]
    TIP TIP41A, TIP41B, TIP42C - 60/80 / 100V, 6A, 65W, TO-220 - NPN (TIP42) [Fairchild]
    TIP42 TIP42, TIP42C - 40 / 100V, 6A, 65W, TO-220 - PNP (TIP41) [Fairchild]
    TIP47 TIP47, TIP48, TIP50 - 250/300/400 В, 1.0A, 40 Вт, TO-220 - NPN (MJE5730 / MJE5731 / MJE5731A) [ON Semiconductor]
    TIP49 TIP47, TIP48, TIP49, TIP50 - 250/300/350/400 В, 1.0A, 40 Вт TO-220 - NPN (MJE5730 / MJE5731 / MJE5731A) [Fairchild]
    TIP130 TIP130, TIP131, TIP132, TIP135, TIP136, TIP137 - 60/80 / 100W, NPA 70/80 / 100W - Mospec]
    TIP130 TIP130, TIP131, TIP132, TIP135, TIP136, TIP137 - 60/80 / 100 В, 8A, 70 Вт - NPN / PNP [CDIL]
    TIP132 TIP132, TIP135, TIP137 - 60 / 100V, 8A, 70W - NPN / PNP
    TIP140 TIP140, TIP141, TIP142 - 60/80 / 100V, 10A, 125W - NPN [ON Semiconductor]
    TIP140 TIP140, TIP141, TIP142 - 60/80/100 В, 10 А, 125 Вт - NPN [Fairchild]
    TIP140T TIP140T, TIP141T, TIP142T - 60/80, 100chW, 10N ]
    TIP145 TIP145, TIP146, TIP147 - 60/80 / 100 В, 10 А, 125 Вт - PNP [Fairchild]
    ZT...
    ZTX552 ZTX552, ZTX553 - 80/100 В, 1,0 А, 1 Вт - PNP [Zetex]
    ZTX558 ZTX558 ZVTX - 400 мА - 200 мА
    ZTX955 ZTX955 - 140 В, 3,0 A, 1 Вт - PNP [Zetex]
    ZTX956 ZTX956 - 200 В, 2,06 Zetex, 1 Вт - PNP ZTX957 ZTX957 - 300 В, 1,0 А, 1 Вт - PNP [Zetex]
    ZTX1051A ZTX1051A - 40 В, 4,0 А, 1 Вт - NPN [Zetex]
    ZTX1051A - 40 В, 4,0 A, 1 Вт - NPN [Zetex]
    ZTX1055A ZTX1055A - 120 В, 3,0 A, 1 Вт - NPN [Zetex]
    ZTX1056A ZTX1056A
    ZTX1056A , 3,0А, 1Вт - NPN [Zetex]

    SS9014 Распиновка биполярного NPN-транзистора, аналог, характеристики и техническое описание

    SS9014 Конфигурация выводов транзистора

    Контактный №

    Имя контакта

    Описание

    1

    Излучатель

    Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей

    2

    База

    Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

    3

    Коллектор

    Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке

    Характеристики

    • Предварительный усилитель, низкоуровневый, малошумящий NPN-транзистор
    • Коэффициент усиления по току (hFE), от 60 до 1000 (хорошая линейность)
    • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 100 мА
    • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 45 В
    • Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет 50 В
    • Базовое напряжение эмиттера
    • (VBE0) составляет 5 В
    • Частота перехода 150 МГц
    • Доступен в пакете К-92

    Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных в конце этой страницы.

    Дополнительный PNP для SS9014

    SS9015

    SS9014 Эквивалентные транзисторы

    КСП06, КСП42, MPSA42, MPSW06

    Альтернативные NPN транзисторы

    BC549, BC636, BC639, BC547, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200,2N551

    Где использовать транзисторы SS9014?

    SS9014 - низкосигнальный и малошумящий NPN-транзистор с хорошим значением hfe до 1000 и высокой линейностью, что делает этот транзистор идеальным выбором для разработки усилителей звуковой частоты (AF) или предварительных усилителей.Этот NPN-транзистор также имеет встречный PNP-транзистор ( SS9015 ), который можно использовать для разработки усилителя класса B в двухтактной конфигурации. Он также имеет хорошее рассеивание коллектора (рассеиваемую мощность) 0,4 Вт для динамиков драйвера приличного номинала.

    Транзистор имеет очень низкий ток коллектора - 100 мА, поэтому его не рекомендуется использовать для коммутации или управления цепями. Я лично обнаружил, что эти транзисторы используются в беспроводных камерах наблюдения и небольших игровых консолях, где требуется предварительное усиление звука.

    Как использовать транзисторы SS9014?

    SS9014 обычно используется для создания предусилителя, но вы можете спроектировать свою схему в соответствии с вашими требованиями. Чтобы создать предварительный усилитель с использованием транзистора, нам нужно выбрать транзистор с низким сигналом и низким уровнем шума, с хорошим значением hfe и рассеянием коллектора. Похоже, что SS9014 удовлетворяет всем этим параметрам. Типичная схема предварительного усилителя с использованием SS9014 показана ниже.

    Значения резисторов R1, R2, R3 и R4 можно рассчитать, используя значения Vcc, Hfe и Ic.Некоторые полезные формулы для расчета приведены ниже

    Ib = Ic / hfe R1 = 1 / 2Vcc / 0,005 R2 = 1 / (Ic + Ib)

    Вы можете найти руководство по проектированию для создания собственной схемы по данной ссылке.

    Приложения

    • Предусилители AF
    • Используется как усилитель класса B
    • Сценическое звуковое оборудование с низким уровнем шума
    • Двухтактные схемы

    2D Модель SS9014

    Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

    Транзистор PNP | Учебное пособие по BJT-транзисторам

    Транзистор PNP

    Транзистор PNP - полная противоположность устройству NPN Transistor , которое мы рассматривали в предыдущем руководстве. По сути, в этом типе конструкции транзистора два диода перевернуты по отношению к типу NPN, что дает положительную-отрицательно-положительную конфигурацию, при этом стрелка, которая также определяет вывод эмиттера, на этот раз указывает внутрь в символе транзистора.

    Кроме того, все полярности для транзистора PNP поменяны местами, что означает, что он «втягивает» ток в свою базу, в отличие от транзистора NPN, который «истекает» током через свою базу. Основное различие между двумя типами транзисторов заключается в том, что дырки являются более важными носителями для транзисторов PNP, тогда как электроны являются важными носителями для транзисторов NPN. Затем транзисторы PNP используют небольшой базовый ток и отрицательное базовое напряжение для управления гораздо большим током эмиттер-коллектор.Другими словами, для транзистора PNP эмиттер более положительный по отношению к базе, а также по отношению к коллектору.

    Конструкция «транзистора PNP» состоит из двух полупроводниковых материалов P-типа по обе стороны от материала N-типа, как показано ниже.

    Конфигурация транзистора PNP

    (Примечание: стрелка определяет эмиттер и условный ток, «вход» для PNP-транзистора.)

    Конструкция и напряжение на клеммах NPN-транзистора показаны выше.PNP-транзистор имеет очень похожие характеристики со своими биполярными собратьями NPN, за исключением того, что полярности (или смещение) направлений тока и напряжения меняются местами для любой из трех возможных конфигураций, рассмотренных в первом руководстве, Common Base, Common Эмиттер и общий коллектор.

    Напряжение между базой и эмиттером (V BE ) теперь отрицательное на базе и положительное на эмиттере, потому что для транзистора PNP клемма базы всегда смещена отрицательно по отношению к эмиттеру.Также напряжение питания эмиттера является положительным по отношению к коллектору (V CE ). Таким образом, для PNP-транзистора эмиттер всегда более положительный по отношению как к базе, так и к коллектору.

    Источники напряжения подключены к транзистору PNP, как показано. На этот раз эмиттер подключен к источнику питания V CC с нагрузочным резистором RL, который ограничивает максимальный ток, протекающий через устройство, подключенное к клемме коллектора. Базовое напряжение V B , которое смещено отрицательно по отношению к эмиттеру и подключено к базовому резистору R B , который снова используется для ограничения максимального тока базы.

    Чтобы ток базы протекал через транзистор PNP, база должна быть более отрицательной, чем эмиттер (ток должен выходить из базы) примерно на 0,7 В для кремниевого устройства или 0,3 В для германиевого устройства с формулами, используемыми для расчета Базовый резистор, Базовый ток или Коллекторный ток такие же, как те, которые используются для эквивалентного NPN-транзистора, и обозначены как.

    Как правило, транзистор PNP может заменить транзисторы NPN в большинстве электронных схем, единственная разница заключается в полярности напряжений и направлениях тока.Транзисторы PNP также можно использовать в качестве переключающих устройств, и пример транзисторного переключателя PNP показан ниже.

    Схема транзистора PNP

    Кривые выходных характеристик для PNP-транзистора очень похожи на кривые для эквивалентного NPN-транзистора, за исключением того, что они повернуты на 180 o , чтобы учесть напряжения и токи обратной полярности (токи, текущие из базы и коллектор в транзисторе PNP отрицательны). Та же самая линия динамической нагрузки может быть нанесена на ВАХ, чтобы найти рабочие точки PNP-транзисторов.

    Согласование транзисторов

    Вы можете подумать, какой смысл иметь транзистор PNP , когда доступно множество транзисторов NPN, которые можно использовать в качестве усилителя или твердотельного переключателя ?. Что ж, наличие двух разных типов транзисторов «PNP» и «NPN» может быть большим преимуществом при разработке схем усилителя, таких как Class B Amplifier , который использует «комплементарные» или «согласованные пары» транзисторы в своем выходном каскаде или в Реверсивные схемы управления двигателем H-Bridge , в которых мы хотим равномерно контролировать поток тока в обоих направлениях.

    Пара соответствующих транзисторов NPN и PNP с почти идентичными характеристиками друг другу называется Комплементарные транзисторы , например, TIP3055 (транзистор NPN) и TIP2955 (транзистор PNP) являются хорошими примерами кремниевых силовых транзисторов с комплементарной или согласованной парой. Оба они имеют коэффициент усиления постоянного тока, бета, (Ic / Ib), согласованный с точностью до 10%, и высокий ток коллектора около 15 А, что делает их идеальными для общего управления двигателями или роботизированных приложений.

    Кроме того, усилители класса B используют дополнительные NPN и PNP в конструкции выходного каскада мощности.Транзистор NPN проводит только положительную половину сигнала, а транзистор PNP проводит отрицательную половину сигнала. Это позволяет усилителю передавать требуемую мощность через громкоговоритель нагрузки в обоих направлениях с заявленным номинальным сопротивлением и мощностью, что приводит к выходному току, который, вероятно, будет порядка нескольких ампер, равномерно распределенных между двумя комплементарными транзисторами.

    Идентификация транзистора PNP

    В первом уроке этого раздела, посвященном транзисторам, мы видели, что транзисторы в основном состоят из двух диодов , соединенных вместе.Мы можем использовать эту аналогию, чтобы определить, относится ли транзистор к типу PNP или NPN, проверив его сопротивление между тремя разными выводами: эмиттером, базой и коллектором. Тестирование каждой пары выводов транзистора в обоих направлениях с помощью мультиметра приведет в общей сложности к шести тестам с ожидаемыми значениями сопротивления в Ом, указанными ниже.

    • 1. Клеммы эмиттер-база - эмиттер-база должны работать как обычный диод и проводить только в одном направлении.
    • 2. Клеммы коллектор-база - переход коллектор-база должен действовать как обычный диод и проводить только в одном направлении.
    • 3. Клеммы эмиттер-коллектор - эмиттер-коллектор не должен вести ни в одном направлении.

    Значения сопротивления транзистора для транзистора PNP и транзистора NPN

    Между выводами транзистора PNP НПН
    Коллектор Излучатель R ВЫСОКАЯ R ВЫСОКАЯ
    Коллектор База R НИЗКИЙ R ВЫСОКАЯ
    Излучатель Коллектор R ВЫСОКАЯ R ВЫСОКАЯ
    Излучатель База R НИЗКАЯ R ВЫСОКАЯ
    База Коллектор R ВЫСОКАЯ R НИЗКАЯ
    База Излучатель R ВЫСОКАЯ R НИЗКАЯ

    Тогда мы можем определить транзистор PNP как обычно «ВЫКЛ.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *