Npn транзистор: Биполярный транзистор [Амперка / Вики] — Мир Антенн

Содержание

В чем различие между PNP и NPN транзистором?

Существует два основных типа транзисторов – биполярные и полевые. Биполярные транзисторы изготавливаются из легированных материалов и могут быть двух типов – NPN и PNP. Транзистор имеет три вывода, известные как эмиттер (Э), база (Б) и коллектор (К). На рисунке, приведенном ниже, изображен NPN транзистор где, при основных режимах работы (активном, насыщении, отсечки) коллектор имеет положительный потенциал, эмиттер отрицательный, а база используется для управления состоянием транзистора.

Физика полупроводников в этой статье обсуждаться не будет, однако, стоит упомянуть, что биполярный транзистор состоит из трех отдельных частей, разделенных двумя p-n переходами. Транзистор PNP имеет одну N область, разделенную двумя P областями:

Транзистор NPN имеет одну P область, заключенную между двумя N областями:

Сочленения между N и P областями аналогичны переходам в диодах, и они также могут быть с прямым и обратным смещением p-n перехода.

Данные устройства могут работать в разных режимах в зависимости от типа смещения:

Отсечка: работа в этом режиме тоже происходит при переключении. Между эмиттером и коллектором ток не протекает, практически «обрыв цепи», то еесть «контакт разомкнут».
Активный режим: транзистор работает в схемах усилителей. В данном режиме его характеристика практически линейна. Между эмиттером и коллектором протекает ток, величина которого зависит от значения напряжения смещения (управления) между эмиттером и базой.
Насыщение: работает при переключении. Между эмиттером и коллектором происходит практически «короткое замыкание» , то есть «контакт замкнут».
Инверсный активный режим: как и в активном, ток транзистора пропорционален базовому току, но течет в обратном направлении. Используется очень редко.

В транзисторе NPN положительное напряжение подается на коллектор для создания тока от коллектора к эмиттеру. В PNP транзисторе положительное напряжение подается на эмиттер для создания тока от эмиттера к коллектору. В NPN ток течет от коллектора (К) к эмиттеру (Э):

А в PNP ток протекает от эмиттера к коллектору:

Ясно, что направления тока и полярности напряжения в PNP и NPN всегда противоположны друг другу. Транзисторы NPN требуют питания с положительной полярностью относительно общих клемм, а PNP транзисторы требуют отрицательного питания.

PNP и NPN работают почти одинаково, но их режимы отличаются из-за полярностей. Например, чтобы перевести NPN в режим насыщения, U_Б должно быть выше, чем U_К и U_Э. Ниже приводится краткое описание режимов работы в зависимости от их напряжения:

Основным принципом работы любого биполярного транзистора является управление током базы для регулирования протекающего тока между эмиттером и коллектором. Принцип работы NPN и PNP транзисторов один и тот же. Единственное различие заключается в полярности напряжений, подаваемых на их N-P-N и P-N-P переходы, то есть на эмиттер-базу-коллектор.

PNP транзистор. Устройство и принцип работы, схема подключения

Стоит отметить, что транзистор, в котором один полупроводник имеет n-тип и размещен между двумя полупроводниками p-типа, называют PNP-транзистор.

Данное устройство с управлением по току. Это означает, что ток базы контролирует ток эмиттера и коллектора. Транзистор PNP имеет два кристаллических диода, соединенных друг с другом. Левая сторона диода известна как диод на основе перехода эмиттер-база, а правая сторона диода известна как диод на основе коллекторного перехода.

Дырки являются основным носителем транзисторов PNP, которые составляют ток в нем. Ток внутри транзистора формируется изменением положения дырок, а на выводах — из-за потока электронов. Транзистор PNP включается, когда через базу протекает небольшой ток. Направление тока в PNP-транзисторе

от эмиттера к коллектору.

Буква транзистора PNP указывает на напряжение, требуемое эмиттером, коллектором и базой. База транзистора PNP всегда была отрицательной по отношению к эмиттеру и коллектору. В PNP-транзисторе электроны перемещаются с базы. Ток, который входит в базу, усиливается на выводах коллектора.

Обозначение на схеме PNP транзистора

Обозначение PNP-транзистора на электрических схемах показано на рисунке ниже. Стрелка внутрь показывает, что направление тока в устройстве PNP типа от эмиттера к коллектору.

Устройство PNP транзистора

Конструкция PNP-транзистора показана на рисунке ниже. Эмиттер-база соединены в прямом смещении, а коллектор-база соединены в обратном смещении. Эмиттер, который подключен в прямом смещении, притягивает электроны к базе и, следовательно, создается ток, протекающий по пути от эмиттера к коллектору.

База транзистора всегда остается положительной по отношению к коллектору, так что дырки не могут «мигрировать» от коллектора к базе. И переход база-эмиттер поддерживает ток, благодаря чему дырки из области эмиттера входят в базу, а затем в область коллектора, пересекая область истощения.

Принцип работы PNP транзистора

Переход эмиттер-база соединен в прямом смещении, благодаря чему эмиттер выталкивает дырки в базу. Дырки и составляют ток эмиттера. Когда носители перемещаются в полупроводниковый материал или основу N-типа, они объединяются с электронами. База транзистора тонкая и слаболегированная. Следовательно, только несколько дырок в сочетании с электронами движутся в направлении слоя пространственного заряда коллектора. Отсюда получается ток базы.

Область основания коллектора соединена в обратном смещении. Дырки, которые накапливаются вокруг области истощения p-n перехода при воздействии отрицательной полярности, собираются или притягиваются коллектором. Таким образом создается ток коллектора. Полный ток эмиттера протекает через ток коллектора I_C.

Ключ на биполярном транзисторе. Нагрузочная прямая.

Приветствую всех снова на нашем сайте 🙂 Мы продолжаем активно погружаться в нюансы работы биполярных транзисторов и сегодня мы перейдем к практическому рассмотрению одной из схем использования БТ – схеме ключа на транзисторе!

Суть схемы довольно проста и заключается в том, что как и любой переключатель, транзистор должен находиться в одном из двух состояний – открытом (включенном) и закрытом (выключенном). То есть либо транзистор пропускает ток, либо не пропускает. Давайте разбираться!

И, первым делом, давайте саму схему и рассмотрим:

Здесь у нас используется n-p-n транзистор. А вот вариант для p-n-p:

И по нашей уже устоявшейся традиции будем разбирать все аспекты работы на примере n-p-n транзистора 🙂 Суть и основные принципы остаются неизменными и для p-n-p. Так что работаем с этой схемой (здесь мы добавили протекающие по цепи токи):

Как вы уже заметили, схема очень напоминает включение транзистора с общим эмиттером. И действительно именно схема с ОЭ чаще всего используется при построении ключей. Только здесь у нас добавились два резистора (R_б и R_к). Вот с них и начнем!

Зачем же нужен резистор в цепи базы?

Итак, нам нужно подать на переход база-эмиттер напряжение прямого смещения. Его величина указывается среди параметров конкретного транзистора и обычно составляет в районе 0.6 В. Также мы знаем, какой управляющий сигнал мы будем подавать на вход для того, чтобы открыть транзистор.

Например, при использовании микроконтроллера STM32 для управления ключом, на входе цепи у нас будет либо 0 В (транзистор в данном случае закрыт), либо 3.3 В (транзистор открыт). В данной схеме сигнал на вход подается не с контроллера, а напрямую с источника напряжения E_{вх} при замыкании переключателя S_1.

Таким образом, получаем, что при 3.3 В на входе напряжение на резисторе R_б составит:

U_{R_б} = E_{вх} \medspace – \medspace U_{бэ}

А теперь вспоминаем, что управление биполярным транзистором осуществляется изменением тока базы – а как его менять? Верно – изменяя сопротивление этого самого резистора! То есть, варьируя сопротивление резистора, мы меняем ток базы и, соответственно, этим самым вносим изменения в работу выходной цепи нашей схемы. Чуть позже мы рассмотрим практический пример для конкретных номиналов и величин и посмотрим на деле, как это работает.

Мы уже несколько раз использовали термины “транзистор открыт” и “закрыт”. Понятно, что это означает наличие, либо отсутствие коллекторного тока, но давайте рассмотрим эти понятия применительно к режимам работы транзистора. И тут все достаточно просто:

для того, чтобы закрыть транзистор, мы стремимся перевести его в режим отсечки
а чтобы открыть – в режим насыщения

То есть при проектировании ключа на биполярном транзисторе мы преследуем цель переводить транзистор то в режим отсечки, то в режим насыщения в зависимости от управляющего сигнала на входе!

Переходим к рассмотрению коллекторной цепи разбираемой схемы. В данном резистор R_к выполняет роль нагрузки, а также ограничивает ток в цепи во избежания короткого замыкания источника питания E_{вых}. И вот теперь пришло время вспомнить выходные характеристики, которые мы совсем недавно обсуждали 🙂

Но в данном случае выходные параметры схемы определяются помимо всего прочего еще и нагрузкой (то есть резистором R_к). Для коллекторной цепи мы можем записать:

U_{кэ} + I_к R_к = E_{вых}

Или:

I_к = \frac{E_{вых} \medspace – \medspace U_{кэ}}{R_к}

Этим уравнением задается так называемая нагрузочная характеристика цепи. Поскольку резистор – линейный элемент (U_R = I_R R), то характеристика представляет из себя прямую (которую так и называют – нагрузочная прямая). Наносим ее на выходные характеристики транзистора и получаем следующее:

Рабочая точка в данной схеме будем перемещаться по нагрузочной прямой. То есть величины U_{кэ} и I_к могут принимать только те значения, которые соответствуют точкам пересечения выходной характеристики транзистора и нагрузочной прямой. Иначе быть не может 🙂

И нам нужно обеспечить, чтобы в открытом состоянии рабочая точка оказалась в положении 1. В данном случае падение напряжения U_{кэ} на транзисторе будет минимальным, то есть почти вся полезная мощность от источника окажется на нагрузке. В закрытом же состоянии рабочая точка должна быть в положении 2. Тогда почти все напряжение упадет на транзисторе, а нагрузка будет выключена.

Теперь, когда мы разобрались с теоретическими аспектами работы ключа на транзисторе, давайте рассмотрим как же на практике производятся расчеты и выбор номиналов элементов!

Расчет ключа на биполярном транзисторе.

Добавим в схему полезную нагрузку в виде светодиода. Резистор R_к при этом остается на месте, он будет ограничивать ток через нагрузку и обеспечивать необходимый режим работы:

Пусть для включения светодиода нужно подать на него напряжение 3В (U_д). При этом диод будет потреблять ток равный 50 мА (I_д). Зададим параметры транзистора (в реальных схемах эти значения берутся из документации на используемый транзистор):

Коэффициент усиления по току h_{21э} = 100…500 (всегда задан именно диапазон, а не конкретное значение)
Падение напряжения на переходе база-эмиттер, необходимое для открытия этого перехода: U_{бэ} = 0.6 \medspace В.
Напряжение насыщения: U_{кэ \medspace нас} = 0.1 \medspace В.

Мы берем конкретные значения для расчетов, но на практике все бывает несколько иначе. Как вы помните, параметры транзисторов зависят от многих факторов, в частности, от режима работы, а также от температуры. А температура окружающей среды, естественно, может меняться. Определить четкие значения из характеристик при этом бывает не так просто, поэтому нужно стараться обеспечить небольшой запас. К примеру, коэффициент усиления по току при расчете лучше принять равным минимальному из значений, приведенных в даташите. Ведь если коэффициент в реальности будет больше, то это не нарушит работоспособности схемы, конечно, при этом КПД будет ниже, но тем не менее схема будет работать. А если взять максимальное значение h_{21э}, то при определенных условиях может оказаться, что реальное значение оказалось меньше, и его уже недостаточно для обеспечения требуемого режима работы транзистора.

Итак, возвращаемся к примеру 🙂 Входными данными для расчета кроме прочего являются напряжения источников. В данном случае:

E_{вх} = 3.3\medspace В. Я выбрал типичное значение, которое встречается на практике при разработке схем на микроконтроллерах. В этом примере подача и отключение этого напряжения осуществляется переключателем S_1.
E_{вых} = 9\medspace В.

Первым делом нам необходимо рассчитать сопротивление резистора в цепи коллектора. Напряжения и ток выходной цепи во включенном состоянии связаны следующим образом:

U_{кэ \medspace нас} + U_{R_к} + U_д = E_{вых}

При этом по закону Ома:

U_{R_к} = I_к R_к

А ток у нас задан, поскольку мы знаем, какой ток потребляет нагрузка (в данном случае диод) во включенном состоянии. Тогда:

U_{R_к} = I_д R_к

U_{кэ \medspace нас} + I_д R_к + U_д = E_{вых}

Итак, в этой формуле нам известно все, кроме сопротивления, которое и требуется определить:

R_к = \frac{E_{вых} \medspace – \medspace U_д \medspace – \medspace U_{кэ \medspace нас}}{I_д} \enspace= \frac{9 \medspace В \medspace – \medspace 3 \medspace В \medspace – \medspace 0.1 \medspace В}{0.05 \medspace А} \medspace\approx 118 \medspace Ом.

Выбираем доступное значение сопротивления из стандартного ряда номиналов и получаем R_{к} = 120\medspace Ом. Причем важно выбирать именно бОльшее значение. Связано это с тем, что если мы берем значение чуть больше рассчитанного, то ток через нагрузку будет немного меньше. Это не приведет ни к каким сбоям в работе. Если же взять мЕньшее значение сопротивления, то это приведет к тому, что ток и напряжение на нагрузке будут превышать заданные, что уже хуже 🙂

Пересчитаем величину коллекторного тока для выбранного значения сопротивления:

I_к = \frac{U_{R_к}}{R_к} \medspace = \frac{9 \medspace В \medspace – \medspace 3 \medspace В \medspace – \medspace 0.1 \medspace В}{120 \medspace Ом} \medspace\approx\medspace 49.17 \medspace мА

Пришло время определить ток базы, для этого используем минимальное значение коэффициента усиления:

I_б = \frac{I_к}{h_{21э}} = \frac{49.17 \medspace мА}{100} = 491.7 \medspace мкА

А падение напряжения на резисторе R_б:

U_{R_б} = E_{вх} \medspace – \medspace 0.6 \medspace В = 3.3 \medspace В \medspace – \medspace 0.6 \medspace В = 2.7 \medspace В

Теперь мы можем легко определить величину сопротивления:

R_б = \frac{U_{R_б}}{I_б}\medspace = \frac{2. 7 \medspace В}{491.7 \medspace мкА} \approx 5.49 \medspace КОм

Опять обращаемся к ряду допустимых номиналов. Но теперь нам нужно выбрать значение, мЕньшее рассчитанного. Если сопротивление резистора будет больше расчетного, то ток базы будет, напротив, меньше. А это может привести к тому, что транзистор откроется не до конца, и во включенном состоянии бОльшая часть напряжения упадет на транзисторе (U_{кэ}), что, конечно, нежелательно.

Поэтому выбираем для резистора базы значение 5.1 КОм. И этот этап расчета был последним! Давайте резюмируем, наши рассчитанные номиналы составили:

R_{б} = 5.1\medspace КОм
R_{к} = 120\medspace Ом

Кстати в схеме ключа на транзисторе обычно добавляют резистор между базой и эмиттером, номиналом, например, 10 КОм. Он нужен для подтяжки базы при отсутствии сигнала на входе. В нашем примере, когда S1 разомкнут, то вход просто висит в воздухе. И под воздействием наводок транзистор будет хаотично открываться и закрываться. Поэтому и добавляется резистор подтяжки, чтобы при отсутствии входного сигнала потенциал базы был равен потенциалу эмиттеру. В этом случае транзистор будет гарантированно закрыт.

Сегодня мы прошлись по классической схеме, которой я стараюсь придерживаться, то есть – от теории к практике 🙂 Надеюсь, что материал будет полезен, а если возникнут какие-либо вопросы, пишите в комментарии, я буду рад помочь!

Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы. Справочник.

Наименование составных транзисторов выделено цветом. Особенностью справочника является то, что импортные транзисторы взяты не из справочников, а из прайсов интернет-магазинов (т.е., с большой вероятностью доставаемые)							Справочник предназначен для подбора компонентов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками, подбора комплементарной пары. За основу справочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные современные транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами. Справочник предназначен для разработчиков и тех, кто занимается ремонтом. Для ходовых импортных транзисторов дана ссылка на магазин, где их можно купить. Справочник по отечественным мощным транзисторам. Полевые транзисторы. Справочник. Маломощные транзисторы. Справочник. Транзисторы средней мощности. Справочник. Отечественные smd транзисторы. Справочник. Главная страница.

Показать только: 40В 60В 70В 80В 100В 160В 200В 250В 300В 400В 500В 600В 700В 800В 900В 1500В 2000В ВСЕ

Отечеств.	Корпус	PDF	Тип	Imax, A	Импортный	Корпус
Внешний вид корпусов ТО:
Транзисторы на напряжение до 40В:
КТ668 (А-В)	ТО-92		pnp	0.1	BC557 BC857	TO-92 smd	современный pnp транзистор 40В 0.1А
КТ6111 (А-Г)	ТО-92		npn	0.1	BC547 BC847	TO-92 smd	npn транзистор 40В 0.1А
КТ6112 (А-В)	ТО-92		pnp	0.1 (0.15)	2SA1266 2SA1048	TO-92 TO-92	pnp транзистор 40В 0.1А
КТ503 А,Б	ТО-92		npn	0. 15	2SC1815	TO-92	описание npn транзистора КТ503 на 40В 0.15А
2Т3133А	ТО-126		npn	0.3			npn транзистор 40В 0.3А
КТ501 Ж,И,К	ТО-92		pnp	0.3 (0.2)	2N3906	TO-92	описание транзистора биполярного кт501, характеристики и графики
КТ645Б	ТО-92		npn	0.3 (0.2)	2N3904	TO-92	npn транзистор 40В 0.3А
КТ646Б	ТО-126		npn	0.5 (0.6)	2N4401 MMBT2222	TO-92 smd	описание и характеристики npn транзистора КТ646 на 40В 0.5А
КТ626А	ТО-126		pnp	0.5	2N4403 BC807	TO-92 smd	транзистор биполярный кт626, характеристики
КТ685 А,В	ТО-92		pnp	0. 6			транзистор биполярный кт685, характеристики
КТ686 А,Б,В	ТО-92		pnp	0.8	BC327	ТО-92	характеристики транзистора кт686
КТ660А	ТО-92		npn	0.8	BC337 BC817	ТО-92 smd	npn транзистор 40В 0.8А
КТ684А	ТО-92		npn	1	BC635	TO-92	npn транзистор 40В 1А
КТ692А	ТО-39		pnp	1	BC636	TO-92	pnp транзистор 40В 1А
КТ815А	ТО-126		npn	1.5	BD135	TO-126	npn транзистор КТ815 на 40В 1.5А
КТ639А,Б,В	ТО-126		pnp	1. 5	BD136	TO-126	npn транзистор КТ639 на 40В 1.5А
КТ814А	ТО-126		pnp	1.5			pnp транзистор КТ814А на 40В 1.5А
2Т860В	ТО-39		pnp	2	2SA1020	TO-92L	транзистор биполярный 2т860
КТ852Г	ТО-220		pnp	2	FMMT717	sot23	транзистор биполярный кт852 на 40В 2А
КТ943А	ТО-126		npn	2			транзистор биполярный кт943
КТ817А,Б	ТО-126		npn	3			описание транзистора кт817 на 40В 3А
КТ816Б	ТО-126		pnp	3	2SB856	TO-220	транзистор биполярный кт816
КТ972Б КТ8131А	ТО-126		npn	4			описание составного транзистора кт972 на 40В 4А
КТ973Б КТ8130А	ТО-126		pnp	4	2SB857	TO-220	описание транзистора кт973
КТ835Б	ТО-220		pnp	7. 5			описание транзистора кт835 на 40В 7А
2Т837В,Е	ТО-220		pnp	8			транзистор биполярный 2т837
КТ829Г	ТО-220		npn	8			описание составного транзистора кт829 на 40В 8А
КТ853Г	ТО-220		pnp	8			характеристики транзистора кт853
КТ819А,Б	ТО-220, ТО-3		npn	10	TIP34	TO-247	описание транзистора кт819 на 40В 10А
КТ818А	ТО-220, ТО-3		pnp	10	TIP33	TO-247	описание транзистора кт818
КТ863А	ТО-220		npn	10 (12)	2SD1062	TO-220	транзистор биполярный кт863 и импортный 2sd1062
2Т877В	ТО-3		pnp	20			составной 2Т877 на 40В 20А
Транзисторы на напряжение до 60В:
КТ503В,Г	ТО-92		npn	0. 15 (0.1)	2SC3402 2SC3198 BC546	TO-92 TO-92 TO-92	описание транзистора КТ503 на 60В 0.1А
КТ645А	ТО-92		npn	0.3
КТ662А	ТО-39		pnp	0.4 (0.1)	BC556	TO-92	импортный транзистор 60В 0.1А в справочнике
КТ646А	ТО-126		npn	0.5	BD137 BCV49	TO-126 smd	описание транзистора КТ646 на 60В 0.5А
КТ626Б	ТО-126		pnp	0.5	BD138 BCV48	TO-126 smd	транзистор 60В 0.5А в справочнике
КТ685Б,Г	ТО-92		pnp	0. 6 (1)	BC638	TO-92
КТ644(А-Г)	ТО-126		pnp	0.6			описание транзистора КТ644
КТ661А КТ529А	ТО-39 TO-92		pnp	0.6 (1)	2SA684 MMBT2907	TO-92L smd
КТ630Д,Е КТ530А	ТО-39 TO-92		npn	1	BC637 BSR41	TO-92 smd	транзистор на 60В 1А
КТ683Д,Е	ТО-126		npn	1	2SD1616	TO-92	транзистор на 60В 1А
КТ659А	ТО-39		npn	1.2
КТ961В	ТО-126		npn	1. 5	BD137	TO-126
КТ639Г,Д	ТО-126		pnp	1.5	BD138	TO-126
КТ698В	ТО-92		npn	2	2SC2655 2SD1275	TO-92 TO-220FP	транзистор на 60В 2А
2Т831Б	ТО-39		npn	2
2Т830Б	ТО-39		pnp	2
2Т880В	ТО-39		pnp	2
2Т881В	ТО-39		npn	2
КТ852В	ТО-220		pnp	2			составной биполярный транзистор на 60В 2А
2Т708Б	ТО-39		pnp	2. 5
КТ817В	ТО-126		npn	3 (4)	2N5191 2SD1266	ТО-126 TO-220FP	транзистор КТ817 на 60В 3А
2Т836В	ТО-39		pnp	3
КТ816В	ТО-126		pnp	3	2SB1366 2SB1015	TO-220FP TO-220FP	транзистор КТ816В на 60В 3А
КТ972А КТ8131Б	ТО-126		npn	4	BD677	TO-126	составной отечественный транзистор на 60В 4А
КТ973А КТ8130Б	ТО-126		pnp	4 (5)	BD678 2SA1469 2SB1203	TO-126 TO-220 smd	описание составного транзистора КТ973А на 60В 5А
КТ829В	ТО-220		npn	8 (5)	TIP120	TO-220	транзистор на 60В 5А
КТ8116В	ТО-220		npn	8			транзистор КТ8116 на 60В 8А
КТ853В	ТО-220		pnp	8			транзистор на 60В 8А
2Т837Б,Д	ТО-220		pnp	8
2Т709В	ТО-3		pnp	10	MJE2955	TO-220	биполярный транзистор на 60В 10А
2Т875В	ТО-3		npn	10	MJE3055	TO-220	транзистор на 60В 10А
2Т716В,В1	ТО-3 ТО-220		npn	10
КТ8284А	ТО-220		npn	12 (15)	TIP3055	TO-218	составной транзистор на 60В 15А
2Т825В2	ТО-220		pnp	15
КТ827В	ТО-3		npn	20			составной транзистор КТ827 на 60В 20А
2Т825В	ТО-3		pnp	20			транзистор на 60В 20А
2Т877Б	ТО-3		pnp	20			транзистор на 60В 20А
КТ8106Б	ТО-220		npn	20			составной транзистор КТ8106 на 60В 20А
КТ896Б	ТО-220		pnp	20			составной транзистор КТ896 на 60В 20А
КТ8111В9	ТО-218		npn	20			составной транзистор КТ8111 на 60В 20А
Транзисторы на напряжение до 70В:
КТ815В	ТО-126		npn	1. 5	2SC5060	TO-92S	на 70В 1А
КТ814В	ТО-126		pnp	1.5
КТ698Б	ТО-92		npn	2			отечественный на 70В 2А
2Т831В	ТО-39		npn	2
2Т860Б	ТО-39		pnp	2
КТ943 Б,Д	ТО-126		npn	2
2Т837А,Г	ТО-220		pnp	8			на 70В 8А
КТ808ГМ	ТО-3		npn	10
КТ818В	ТО-220, ТО-3		pnp	10			описание транзистора КТ818В на 70В 10А
2Т876Б	ТО-3		pnp	10
2Т875Б	ТО-3		npn	10
Транзисторы на напряжение до 80В:
КТ503Д	ТО-92		npn	0. 15 (0.3)	2SC1627	TO-92	транзистор на 80В 0.1А
КТ626В	ТО-126		pnp	0.5 (0.7)	2SA935	TO-92L	транзистор на 80В 0.5А
КТ684Б	ТО-92		npn	1			транзистор на 80В 1А
КТ961Б	ТО-126		npn	1.5			транзистор на 80В 1.5А
2Т881Б	ТО-39		npn	2 (1.5)	BD139	TO-126	транзистор на 80В 2А
2Т830В	ТО-39		pnp	2 (1.5)	BD140 BCP53	TO-126 smd	транзистор на 80В 2А
2Т880Б	ТО-39		pnp	2			транзистор на 80В 2А
КТ852Б	ТО-220		pnp	2			транзистор на 80В 2А
КТ943В,Г КТ8131В	ТО-126		npn	2 (4)	2N6039	TO-126	составной транзистор на 80В 4А
2Т836А,Б КТ8130В	ТО-39 ТО-126		pnp	3			характеристики составного транзистора КТ8131 на 80В 4А
КТ829Б	ТО-220		npn	8 (5)	BD679 TIP121 MJD44h21	TO-126 TO-220 smd	транзистор 80В 5А, составной транзистор на 80В 4А
КТ8116Б	ТО-220		npn	8 (10)	2SD2025 BDX33B	TO-220FP TO-220	составной транзистор на 80В 10А
КТ853Б	ТО-220		pnp	8 (10)	BDX34B	TO-220	составной транзистор на 10А 80В
2Т709Б	ТО-3		pnp	10	TIP33B	TO-247	транзистор на 80В 10А
2Т876А,Г	ТО-3		pnp	10
2Т716Б,Б1	ТО-3 ТО-220		npn	10			транзистор на 80В 10А
КТ808ВМ	ТО-3		npn	10
КТ819Б,В*	ТО-220 ТО-3		npn	10	TIP34B	TO-247
2Т875А,Г	ТО-3		npn	10
КТ8284Б	ТО-220		npn	12			на 80В 12А
2Т825Б2	ТО-220		pnp	15			транзистор на 80В 15А
КТ827Б	ТО-3		npn	20			транзистор на 80В 20А
2Т825Б	ТО-3		pnp	20			транзистор на 80В 20А
2Т877А	ТО-3		pnp	20			транзистор на 80В 20А
КТ8111Б9	ТО-218		npn	20			составной транзистор на 80В 20А
КТ8106А	ТО-220		npn	20			составной транзистор на 80В 20А
КТД8280А	ТО-218		npn	60			составной транзистор на 80В 60А
КДТ8281А	ТО-218		pnp	60			транзистор на 80В 60А
КТД8283А	ТО-218		pnp	60
Транзисторы на напряжение до 100-130В:
КТ601А,АМ	ТО-126		npn	0. 03			биполярный транзистор на 100В 30мА
КТ602А,АМ	ТО-126		npn	0.075
КТ638А,Б	ТО-92		npn	0.1	2SC2240	TO-92	биполярный транзистор на 100В 100мА
КТ503Е	ТО-92		npn	0.15
КТ807А,Б	ТО-126		npn	0.5
КТ630А,Б,Г	ТО-39		npn	1			биполярный транзистор на 100В 1А
КТ684В	ТО-92		npn	1	BC639	TO-92	биполярный npn транзистор на 100В 1А
КТ683Б,В,Г	ТО-126		npn	1			биполярный транзистор на 100В 1А
КТ719А	ТО-126		npn	1. 5
КТ815Г	ТО-126		npn	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ961А	ТО-126		npn	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ814Г	ТО-126		pnp	1.5 (1)	2N5400 BC640 2SA1358	TO-92 TO-92 TO-126	биполярный pnp транзистор на 100В 1.5А
КТ6103А	ТО-92		npn	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ6102А	ТО-92		pnp	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ698А	ТО-92		npn	2	BD237	TO-126	биполярный транзистор на 100В 2А
2Т831Г	ТО-39		npn	2	SD1765	TO-220FP	биполярный транзистор на 100В 2А
2Т881А,Г	ТО-39		npn	2			биполярный транзистор на 100В 2А
2Т860А	ТО-39		pnp	2			биполярный pnp транзистор на 100В 2А
2Т830Г	ТО-39		pnp	2			биполярный pnp транзистор на 100В 2А
2Т880А,Г	ТО-39		pnp	2			биполярный pnp транзистор на 100В 2А
КТ852А	ТО-220		pnp	2			составной pnp транзистор на 100В 2А
2Т708А	ТО-39		pnp	2. 5			составной pnp транзистор на 100В 2.5А
КТ817Г	ТО-126		npn	3			транзистор 100В на 3А
КТ816Г	ТО-126		pnp	3 (5)	TIP42C TIP127	TO-220	pnp транзистор 100В 3А, pnp транзистор на 100В 5А
КТ805БМ,ВМ	ТО-220		npn	5			npn транзистор на 100В 5А
КТ829А	ТО-220		npn	8 (5)	TIP122	TO-220	составной npn транзистор на 100В 8А
КТ8116А	ТО-220		npn	8			составной npn транзистор на 100В 8А
КТ853А	ТО-220		pnp	8 (5)			составной pnp транзистор на 100В 8А
КТ8115А	ТО-220		pnp	8			составной pnp транзистор на 100В 8А
2Т709А	ТО-3		pnp	10	BDX34C	TO-220	составной pnp транзистор на 100В 10А
2Т716А,А1	ТО-3 ТО-220		npn	10	BDX33C	TO-220	составной npn транзистор на 100В 10А
КТ808 АМ,БМ	ТО-3		npn	10			npn транзистор на 100В 10А
КТ819А,Г	ТО-220 ТО-3		npn	10	TIP34C	TO-247	npn транзистор на 100В 10А
КТ818Г	ТО-220 ТО-3		pnp	10	TIP33B 2SA1265	TO-247	pnp транзистор на 100В 10А
КТ8284В	ТО-220		npn	12			составной npn транзистор на 100В 12А
КТ8246 А,Б	ТО-220		npn	15			составной npn транзистор на 100В 15А
2Т825А2	ТО-220		pnp	15			составной pnp транзистор на 100В 15А
ПИЛОН-3А	ТО-220		npn	15			составной npn транзистор на 100В 15А
КТ827А	ТО-3		npn	20			составной npn транзистор на 100В 20А
2Т825А	ТО-3		pnp	20			составной pnp транзистор на 100В 20А
КТД8257А	ТО-220		npn	20			составной npn транзистор на 100В 20А
2Т935Б	ТО-220		npn	20			npn транзистор на 100В 20А
КТД8278Б,В	ТО-220 ТО-263		npn	20			npn транзистор на 100В 20А
КТ896А	ТО-220		pnp	20			npn транзистор на 100В 20А
КТ8111А9	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 100В 20А
КТД8280Б	ТО-218		npn	60			составной npn транзистор на 100В 60А
КТД8281Б	ТО-218		pnp	60			pnp транзистор на 100В 60А
КТД8283Б	ТО-218		pnp	60			pnp транзистор на 100В 60А
Транзисторы на напряжение до 160В:
КТ611В,Г	ТО-126		npn	0. 1	2SC2230 2SD1609	TO-92L TO-126
КТ940В	ТО-126		npn	0.1
КТ6117	ТО-92		npn	0.6 (0.3)	2N5551	TO-92
КТ6116	ТО-92		pnp	0.6 (0.3)	2N5401	TO-92
КТ630В	ТО-39		npn	1	2SC2383	TO-92L
КТ683А	ТО-126		npn	1
КТ850В	ТО-220		npn	2
КТ8123А	ТО-220		npn	2
КТ851В	ТО-220		pnp	2 (1)	2SA940 KSA1013 2SA1306	TO-220 TO-92L TO-220FP
КТ805АМ	ТО-220		npn	5
КТ855Б,В	ТО-220		pnp	5
КТ899А	ТО-220		npn	8
КТ712Б	ТО-220		pnp	10	2SA1186	ТО-3Р
КТ863БС	ТО-220 ТО-263		npn	12	2SC3907	TO-3P ?
КТ8246В,Г	ТО-220		npn	15
КТ8101Б	ТО-218		npn	16
КТ8102Б	ТО-218		pnp	16	2SA1216	SIP3
КТД8257Б	ТО-220		npn	20
ПИР-2 (КТ740А)	ТО-220 ТО-218		npn	20
КТ879Б	КТ-5		npn	50
Транзисторы на напряжение до 200В:
КТ611А,Б	ТО-126		npn	0. 1 (0.2)	2SC1473 BFP22	TO-92 TO-92	биполярный транзистор на 200В 0.1А
КТ504Б	ТО-39		npn	1			биполярный транзистор на 200В 1А
КТ851А	ТО-220		pnp	2			биполярный транзистор на 200В 2А
КТ842Б	ТО-3		pnp	5			биполярный транзистор на 200В 5А
КТ864А	ТО-3		npn	10 (7)	BU406	TO-220	биполярный транзистор на 200В 10А
КТ865А	ТО-3		pnp	10			биполярный транзистор на 200В 10А
КТ712А	ТО-220		pnp	10			составной биполярный транзистор на 200В 10А
КТ945А	ТО-3		npn	15			биполярный транзистор на 200В 15А
КТ8101А	ТО-218		npn	16			биполярный транзистор на 200В 15А
КТ8102А	ТО-218		pnp	16	2SA1294 2SA1302	TO-247	биполярный транзистор на 200В 16А
КТД8257(А-Г)	ТО-220		npn	20			составной биполярный транзистор на 200В 20А
КТД8278А	ТО-220 ТО-263		npn	20			составной биполярный транзистор на 200В 20А
КТ897Б	ТО-218		npn	20			составной биполярный транзистор на 200В 20А
КТ898Б	ТО-218		npn	20			составной транзистор на 200В 20А
КТ867А	ТО-3		npn	25			биполярный транзистор на 200В 25А
КТ879А	КТ-5		npn	50			биполярный транзистор на 200В 50А
Транзисторы на напряжение до 250В:
КТ605А,Б	ТО-126		npn	0. 1 (0.05)	BF422	TO-92
КТ940Б	ТО-126		npn	0.1
КТ969А	ТО-126		npn	0.1
КТ504В	ТО-39		npn	1
2Т882В	ТО-220		npn	1
КТ505Б	ТО-39		pnp	1
2Т883Б	ТО-220		pnp	1	2SA1837	TO-220FP
КТ850А,Б	ТО-220		npn	2
КТ851Б	ТО-220		pnp	2
КТ855А	ТО-220		pnp	5
КТ857А	ТО-220		npn	7 (8)	MJE15032	TO-220
КТ844А	ТО-3		npn	10
2Т862А,Б	ТО-3		npn	15
Транзисторы на напряжение до 300В:
КТ940А	ТО-126		npn	0. 1 (0.05)	2SC2482 2SC5027 BF820	TO-92L TO-92L smd	npn транзистор на 300В 0.1А
КТ9115А	ТО-126		pnp	0.1 (0.05)	2SA1091 BF821	TO-92 smd	pnp транзистор на 300В 0.1А
КТ6105А	ТО-92		npn	0.15			npn транзистор на 300В 0.1А
КТ6104А	ТО-92		pnp	0.15	2SA1371	TO-92L	pnp транзистор на 300В 0.1А
2Т882Б	ТО-220		npn	1 (0.5)	MJE340 MPSA42	TO-126 TO-92	npn транзистор на 300В 1А
КТ504А	ТО-39		npn	1 (1. 5)	MJE13002	TO-220	npn транзистор на 300В 1А
Т505А	ТО-39		pnp	1 (0.5)	MJE350	TO-126
2Т883А	ТО-220		pnp	1
КТ8121Б	ТО-220		npn	4			npn транзистор на 300В 3А
КТ8258Б	ТО-220		npn	4			npn транзистор на 300В 4А
КТ842А	ТО-3		pnp	5			на 300В 5А
КТ8124В	ТО-220		npn	7			npn транзистор на 300В 6А
КТ8109А,Б	ТО-220		npn	7			составной npn транзистор на 300В 7А
КТД8262(А-В)	ТО-220		npn	7			составной npn транзистор на 300В 7А
КТ8259Б	ТО-220		npn	8			npn транзистор на 300В 8А
КТ854Б	ТО-220		npn	10			npn транзистор на 300В 10А
КТД8279(А-В)	ТО-220 ТО-218		npn	10			составной транзистор на 300В 10А
КТ892А,В	ТО-3		npn	15			npn транзистор на 300В 15А
КТ8260А	ТО-220		npn	15			npn транзистор на 300В 15А
КТД8252(А-Г)	ТО-220 ТО-218		npn	15			составной npn транзистор на 300В 15А
КТ890(А-В)	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ897А	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ898А	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ8232А,Б	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ8285А КТ8143Ш	ТО-218 ТО-3		npn	30 80			мощный npn транзистор КТ8143 на напряжение 300В и ток 80А
Транзисторы на напряжение до 400В:
2Т509А	ТО-39		pnp npn npn	0. 02 (0.5) 0.2 0.2	2SA1625 MPSA44 MJE13001	TO-92	npn транзистор на 400В 0.5А
2Т882А	ТО-220		npn	1 (1.5)	MJE13003 TIP50	TO-220 TO-220	npn транзистор на 400В 1А
КТ704Б,В			npn	2.5 (2)	BUX84	TO-220	npn транзистор на 400В 2.5А
КТ8121А	ТО-220		npn	4			npn транзистор на 400В 3А
КТ8258А	ТО-220		npn	4	MJE13005	TO-220	npn транзистор на 400В 4А
КТ845А	ТО-3		npn	5	BUT11	TO-220	npn транзистор на 400В 5А
КТ840А,Б	ТО-3		npn	6	2SD1409	TO-220FP	npn транзистор на 400В 6А
КТ858А	ТО-220		npn	7	2SC2335	TO-220	npn транзистор на 400В 7А
КТ8124А,Б	ТО-220		npn	7	2SC3039	TO-220	npn транзистор на 400В 7А
КТ8126А	ТО-220		npn	8	MJE13007	TO-220	npn транзистор на 400В 8А
КТ8259А	ТО-220		npn	8	2SC4834	TO-220FP	npn транзистор на 400В 8А
КТ8117А	ТО-218		npn	10	2SC2625	TO-247	npn транзистор на 400В 9А
КТ841Б	ТО-3		npn	10	2SC3306	TO-3P	npn транзистор на 400В 10А
2Т862Г	ТО-3		npn	10	2SC4138	TO-3P	npn транзистор на 400В 10А
2Т862В	ТО-3		npn	10 (12)	MJE13009 2SC3042	TO-220 TO-3P	биполярный транзистор на 400В 10А
КТД8279А	ТО-220 ТО-218		npn	10			составной транзистор на 400В 10А
КТ834В	ТО-3		npn	15			составной транзистор на 400В 15А
КТ848А	ТО-3		npn	15			транзистор на 400В 15А
КТ892Б	ТО-3		npn	15			npn транзистор на 400В 15А
КТ8260Б	ТО-220		npn	15			npn транзистор на 400В 15А
КТ8285Б	ТО-218 ТО-3		npn	30			npn транзистор на 400В 30А
2Т885А	ТО-3		npn	40			npn транзистор на 400В 40А
Транзисторы на напряжение до 500В:
КТ6107А	ТО-92		npn	0. 13			npn транзистор на 500В 0.1А
КТ6108А	ТО-92		pnp	0.13
КТ704А			npn	2.5 (1.5)	2SC3970	TO-220FP	npn транзистор на 500В 2А
КТ8120А	ТО-220		npn	3 (5)	BUL310	TO-220FP	npn транзистор на 500В 3А
КТ812Б	ТО-3		npn	8			npn транзистор на 500В 8А
КТ854А	ТО-220		npn	10			npn транзистор на 500В 10А
2Т856В	ТО-3		npn	10			npn транзистор на 500В 10А
КТ8260В	ТО-220		npn	15			npn транзистор на 500В 15А
КТ834А,Б	ТО-3		npn	15			npn транзистор на 500В 15А
ПИР-1	ТО-218		npn	20			npn транзистор на 500В 20А
КТ8285В	ТО-218 ТО-3		npn	30			npn транзистор на 500В 30А
2Т885Б	ТО-3		npn	40			npn транзистор на 500В 40А
Транзисторы на напряжение до 600В:
КТ888Б	ТО-39		pnp	0. 1			pnp транзистор на 600В 0.1А
КТ506Б	ТО-39		npn	2			npn транзистор на 600В 2А
2Т884Б	ТО-220		npn	2 (3)	2SC5249	TO-220FP	npn транзистор на 600В 2А
КТ887Б	ТО-3		pnp	2 (1)	2SA1413	smd	pnp транзистор на 600В 2А
КТ828Б,Г	ТО-3		npn	5 (6)	2SD2499 2SD2498 2SD1555	TO-3PF TO-3PF TO-3PF	строчный транзистор на 600В 5А
КТ8286А	ТО-218 ТО-3		npn	5 (8)	2SC5386	TO-3P ?	строчный транзистор на 600В 5А
КТ856А1,Б1	ТО-218		npn	10	ST1803	ISOW218	строчный транзистор на 600В 10А
КТ841А,В	ТО-3		npn	10	2SC5387	ISOW218	npn транзистор на 600В 10А
КТ847А	ТО-3		npn	15 (20)	2SC4706 2SC5144	TO-3P TO-247 ?	мощный транзистор высоковольтный на 600В 15А
КТ8144Б	ТО-3		npn	25			мощный высоковольтный транзистор на 600В 25А
КТ878В	ТО-3		npn	30			мощный npn транзистор на 600В 30А
Транзисторы на напряжение до 700В:
КТ826(А-В)	ТО-3		npn	1			npn транзистор на 700В 1А
КТ8137А	ТО-126		npn	1. 5			npn транзистор на 700В 1.5А
КТ887А	ТО-3		pnp	2			pnp транзистор на 700В 2А
КТ8286Б	ТО-218 ТО-3		npn	5			npn транзистор на 700В 5А
КТ8107(А-Г)	ТО-220		npn	8			npn транзистор на 700В 8А
КТ812А	ТО-3		npn	10	BUh200	TO-220	высоковольтный транзистор на 700В 10А
2Т856Б	ТО-3		npn	10			npn транзистор на 700В 10А
Транзисторы на напряжение до 800В:
КТ506А	ТО-39		npn	2			высоковольтный npn транзистор 800В 1А
2Т884А	ТО-220		npn	2			npn транзистор на 800В 2А
КТ859А	ТО-220		npn	3	2SC3150	TO-220	npn транзистор на 800В 3А
КТ8118А	ТО-220		npn	3			npn транзистор на 800В 3А
КТ828А,В	ТО-3		npn	5			npn транзистор на 800В 4А
КТ8286В	ТО-218 ТО-3		npn	5			npn транзистор на 800В 5А
КТ868Б	КТ-9		npn	6 (8)	2SC5002 2SC4923	TO-3PF TO-3PML	высоковольтный транзистор на 800В 6А
КТ8144А	ТО-3		npn	25	2SC3998	TO-3PBL	высоковольтный транзистор на 800В 25А
КТ878Б	ТО-3		npn	30			высоковольтный npn транзистор на 800В 30А
Большая часть из приведенных здесь транзисторов на напряжение свыше 600В применяются в строчных развертках телевизоров и мониторов. В справочнике они расположены по пиковому напряжению коллектор-эмиттер. Если судить по графикам, то область безопасной работы у них, за редким исключением, не более 800В, а пиковое напряжение они держат лишь при соблюдении определенных условий.? Транзисторы на напряжение до 900В:
КТ888А	ТО-39		pnp	0.1			транзистор высоковольтный на 900В 0.1А
КТ868А	КТ-9		npn	6 (3)	2SC3979	TO-220	npn транзисторы высоковольтные на 900В 6А
2Т856А	ТО-3		npn	10			npn транзистор высоковольтный на 900В 10А
КТ878А	ТО-3		npn	30			высоковольтный npn транзистор на 900В 30А
Транзисторы на напряжение до 1000-1500В:
КТ838А	ТО-3		npn	5	BU508	TO-3PF	биполярный транзисторы высоковольтные на 1500В 5А
КТ846А	ТО-3		npn	5	BU2506	SOT-199	современный высоковольтный строчный транзистор на 1500В 5А
КТ872А,Б	ТО-218		npn	8	BU2508 2SC5447	TO-3PFM SOT-199	современные высоковольтные транзисторы на 1500В 8А
КТ886Б1	ТО-218		npn	8 (10)	BU1508	TO-220	современный высоковольтный биполярный транзистор на 1000В 10А
КТ839А	ТО-3		npn	10	BU2520	TO-3PML	современный биполярный высоковольтный транзистор на 1500В 10А
КТ886А1	ТО-218		npn	10 (12)	2SC5270	TO3-PF	современный высоковольтный npn транзистор на 1500В 10А
			npn	25	2SC5244 2SC3998	TOP-3L ТО-3PBL	строчный транзистор на 1500В 25А
Транзисторы на напряжение свыше 2000В
2Т713А	ТО-3		npn	3			транзистор высоковольтный на 2000В 3А
КТ710А	ТО-3		npn	5			npn транзистор высоковольтный на 2000В 5А

Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным. Импортные аналоги.

								На главную страницу \|\| Карта сайта Справочник транзисторов маломощных биполярных. Справочник транзисторов средней мощности высокочастотных, биполярных. Справочник полевых транзисторов отечественных. Справочник отечественных smd транзисторов . Каталог MOSFET транзисторов . Использование справочных данных транзисторов для расчета ключевой схемы с резистивной нагрузкой. Использование справочных данных транзистора для расчета ключевой схемы с индуктивной нагрузкой.
								От составителя: В справочник по мощным транзисторам вошла как документация из изданных еще при СССР каталогов, так и информация из справочных листков и документация с сайтов производителей. Основой является таблица, где приведено наименование транзистора, аналоги, тип проводимости, тип корпуса, максимально допустимые ток и напряжения и коэффициент усиления, то есть основные параметры, по которым выбирается транзистор. Руководствуясь этой таблицей, можно значительно сузить область поиска. Если транзистор по этим данным подходит, можно просмотреть краткий справочный листок (только для распространенных приборов, например, КТ502, КТ503, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ825, КТ827, КТ829, КТ837, КТ838, КТ846, КТ940, КТ961, КТ972, КТ973, КТ8101, КТ8102), где приведены только основные параметры транзисторов (которых, впрочем, достаточно для грубых расчетов), фото с цоколевкой, аналоги и производители. Для более детального изучения характеристик нужно открыть datasheet, где уже есть графики зависимостей параметров и редко требующиеся характеристики. Фильтр параметров позволяет сформировать в справочнике списки по функциональным особенностям транзисторам Содержание: Раздел составных транзисторов (всего 49 штук) Раздел мощных высоковольтных транзисторов (всего 64 штук) Раздел p-n-p транзисторов (всего 56 штук) Раздел n-p-n транзисторов (всего 138 штук) Показать/скрыть краткое описание транзисторов Всего в справочнике приведено подробное описание более 140 отечественных мощных транзисторов и более 100 их импортных аналогов.
Фильтр параметров: n-p-n p-n-p Составные транзисторы Высоковольтные Показать все
Типы корпусов

Наименование	Аналог	Корпус	PDF	Тип	Imax, A	Umax, В	h31e max
КТ501(А-Е)	BC212	TO-18		pnp	0,3	30	240	КТ501 предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Справочные данные транзистора КТ501 содержатся в даташит.
КТ502(А-Е)	MPSA56	TO-92		pnp	0,15	90	240	Транзистор КТ502(А-Е) в корпусе ТО-92, предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Подробные параметры КТ502 и цоколевка приведены в даташит. Аналог КТ502 — MPSA56. Комплементарная пара КТ503.
КТ503(А-Е)	2SC2240	TO-92		npn	0,15	100	240	Универсальный транзистор КТ503(А-Е) в корпусе TO-92, предназначен для работы в усилителях НЧ. Подробные характеристики, графики зависимостей параметров и цоколевка КТ503 приведены в datasheet. Аналог КТ503 — 2SC2240. Комплементарная пара (транзистор обратной проводимости с близкими параметрами) — КТ502.
КТ504(А,Б,В)	BSS73	TO-39		npn	1	350	100	КТ504(А-В) в металлическом корпусе, для применения в преобразователях. Цоколевка и характеристики КТ504 содержатся в datasheet. Импортный аналог КТ504 — BSS73.
KТ505(А,Б)	BSS76	TO-39		pnp	1	300	100	КТ505(А,Б) в металлическом корпусе предназначен для применения в источниках вторичного электропитания (ИВЭП). Параметры и характеристики приведены в справочном листке.
КТ506(А,Б)	BUX54	TO-39		npn	2	800	30	КТ506А и КТ506Б для переключающих устройств. Импортным аналогом КТ506 является BUX54.
2Т509А		TO-39		pnp	0,02	450	60	2Т509 для высоковольтных стабилизаторов напряжения.
КТ520(А,Б)	MPSA42	TO-92 DPAK		npn	0.5	300	40	Высоковольтный транзистор КТ520 используется в выходных каскадах видеоусилителей и высоковольтных переключательных схемах.
КТ521(А,Б)	MPSA92	TO-92		pnp	0.5	300	40	Высоковольтный транзистор КТ521 является комплиментарной парой для КТ520.
КТ529А		TO-92		pnp	1	60	250	КТ529, его параметры рассчитаны под схемы с низким напряжением насыщения. Комплементарная пара — КТ530.
КТ530А		TO-92		npn	1	60	250	Описание транзистора КТ530. Его характеристики аналогичны КТ529, является его комплементарной парой.
КТ538А	MJE13001	TO-92		npn	0.5	600	90	Высоковольтный КТ538 используется в высоковольтных переключательных схемах. Подробно параметры описаны в справочном листке.
КТ704(А-В)	MJE18002			npn	2,5	500	100	КТ704, предназначен для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
ГТ705(А-Д)				npn	3,5	30	250	ГТ705 предназначен для применения в усилителях мощности НЧ.
2Т708(А-В)	2SB678	TO-39		pnp	2,5	100	1500	составной транзистор 2Т708 предназначен для применения в усилителях и переключательных устройствах.
2Т709(А-В)	BDX86	TO-3		pnp	10	100	2000	мощный составной транзистор 2Т709 для усилителей и переключательных устройств. Подробно характеристики описаны в справочном листке.
КТ710А		TO-3		npn	5	3000	40	КТ710А для применения в высоковольтных стабилизаторах и переключающих устройствах.
КТ712(А,Б)	BU806	TO-220		pnp	10	200	1000	мощные составные транзисторы КТ712А и КТ712Б. Характеристики заточены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах.
2Т713А		TO-3		npn	3	2500	20	2Т713, параметры адаптированы для применения в высоковольтных стабилизаторах
2Т716 (А-В)	2SD472H	TO-3		npn	10	100	750	2Т716 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т716 (А1-В1)	BDX33	TO-220		npn	10	100	750	составной 2Т716А1 в пластиковом корпусе. Параметры аналогичны 2Т716.
КТ719А	BD139	TO-126		npn	1,5	120	70	КТ719А для применения в линейных и переключающих схемах. Подробные характеристики и описание КТ719 приведено в справочном листке.
КТ720А	BD140			pnp	1,5	100
КТ721А	BD237			npn	1,5	100		BD237, импортный аналог КТ721А
КТ722А	BD238			pnp	1,5	100		Справочные данные BD238, аналога КТ722А
КТ723А	MJE15028			npn	10	100		Справочные данные MJE15028, импортного аналога КТ723
КТ724А	MJE15029			pnp	10	100		Справочные данные MJE15029, аналога КТ724А
КТ729	2N3771			npn	30	60		Параметры 2N3771, аналога КТ729
КТ730	2N3773			npn	16	140		Характеристики 2N3773, аналога КТ730
КТ732А	MJE4343	TO-218		npn	16	160	15	КТ732 используется в преобразователях напряжения.
КТ733А	MJE4353	TO-218		pnp	16	160	15	КТ733 — Комплементарная пара для КТ732, их характеристики идентичны.
КТ738А	TIP3055	TO-218		npn	15	70	70	КТ738 используется в усилителях и ключевых схемах.
КТ739А	TIP2955	TO-218		pnp	15	70	70	КТ739 — Комплементарная пара для КТ738.
КТ740А,А1	MJE4343	TO-220 TO-218		npn	20	160	30	КТ740 предназначен для применения в регуляторах и преобразователях напряжения. Импортный аналог КТ740 — MJE4343
КТ805(А-ВМ)	KSD363 BD243	TO-220		npn	5	160	15	КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ в корпусе ТО-220 предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки и переключающих устройствах. Подробные характеристики транзистора КТ805 приведены в datasheet. Транзисторы КТ805А, КТ805Б с аналогичными параметрами выпускаются в металлостеклянном корпусе. Импортные аналоги для КТ805 — транзисторы BD243 и KSD363. По характеристикам в качестве комплиментарной пары для КТ805 подходит транзистор КТ837.
КТ807(А-БМ)				npn	0,5	100	150	КТ807 для строчной и кадровой разверток, усилителей НЧ и ИВЭП (ИВЭП — источник вторичного электропитания)
КТ808(А-ГМ)		TO-3		npn	10	130	50	КТ808 для кадровой и строчной разверток
КТ812(А-В)		TO-3		npn	10	700	30	КТ812 для применения в импульсных устройствах. Цоколевка приведена в справочном листке.
КТ814(А-Г)	BD140 ZTX753	TO-126 DPAK		pnp	1,5	100	100	Транзистор КТ814. предназначен для усилителей НЧ, импульсных устройств. Подробные характеристики КТ814 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики: входной характеристики, зависимости h31e от тока эмиттера, напряжения насыщения от тока коллектора и другие. Импортный аналог КТ814 — транзистор BD140. Комплементарная пара для КТ814 (транзистор обратной проводимости с близкими характеристиками) — КТ815.
КТ815(А-Г)	BD139 ZTX653	TO-126 DPAK		npn	1,5	100	100	КТ815 является комплиментарной парой для КТ814. Транзисторы КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815 параметрами отличаются по напряжению. КТ815 предназначен для усилителей НЧ и ключевых схем. Подробные характеристики КТ815 и цоколевку см. в datasheet. Приведена входная характеристика КТ815, график зависимости h31e от тока, график для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ815 является транзистор BD139.
КТ816(А-Г)	BD238 MJE172	TO-126 DPAK		pnp	3	80	100	КТ816 в два раза мощнее по току, чем КТ814, предназначены для применения в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г отличаются по предельному напряжению. Подробные характеристики КТ816 и цоколевка приведены в datasheet. Там же график входной характеристики КТ816, зависимости усиления от тока, графики для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ816 является транзистор BD238. Комплементарная пара — КТ817.
КТ817(А-Г)	BD237 MJE182	TO-126 DPAK		npn	3	80	100	КТ817 в два раза мощнее по току, чем КТ815. Применяются в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817 параметрами отличаются по Uкэ(max). Подробные характеристики КТ817 и цоколевка даны в datasheet. Кроме характеристик по постоянному току приведены графики входной характеристики, зависимости параметра h31e от тока, взаимосвязи параметров Uкэнас и Iк . Аналоги КТ817Б — транзисторы BD233 и MJE180. Аналоги КТ817В — BD235 и MJE181, импортные аналоги КТ817Г — BD237 и MJE182. Комплементарная пара — КТ816.
КТ818(А-ГМ)	BDW22 BD912	TO-220 TO-3		pnp	10 15	100	100	Мощный транзистор КТ818 предназначен для применения в усилителях. КТ818А, КТ818Б, КТ818В и КТ818Г в корпусе TO-220, а КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ и КТ818ГМ в металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ818 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей параметров, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ818 — BDW22 и BD912. Комплементарная пара — транзистор КТ819.
КТ819(А-ГМ)	BDW51 BD911	TO-220 TO-3		npn	10 15	100	100	Транзистор КТ819 является комплементарной парой для КТ818 и предназначен для применения в усилителях. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г в корпусе TO-220, а КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ и КТ819ГМ в корпусе TO-3. Подробные параметры КТ819 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ819 — BDW51 и BD911.
КТ825(Г-Е)	2Т6050	TO-220 TO-3		pnp	15 20	100	18000	Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д и КТ825Е в металлическом корпусе. Подробные характеристики приведены в datasheet. Различие в параметрах по напряжению. Комплементарная пара для КТ825 — транзистор КТ827. Импортный аналог — 2T6050.
КТ826(А-В)		TO-3		npn	1	700	120	Биполярный транзистор КТ826 для применения в преобразователях и высоковольтных стабилизаторах. Описание КТ826 и характеристики приведены в документации.
КТ827(А-В)	2N6057 BDX87	TO-3		npn	20	100	18000	Мощный составной npn транзистор КТ827 для применения в усилителях, стабилизаторах тока, устройствах автоматики. В металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ827А, КТ827Б, КТ827В приведены в даташит. Различаются параметрами по напряжению. Комплементарная пара для КТ827 — транзистор КТ825. Импортный аналог — 2N6057.
КТ828(А-Г)	BU207	TO-3		npn	5	800	15	характеристики КТ828, графики и параметры см. в даташит
КТ829(А-Г)	TIP122 2N6045	TO-220		npn	8	100	3000	Составной транзистор КТ829 для применения в усилителях НЧ и переключательных устройствах. Графики входных характеристик. Подробные характеристики транзисторов КТ829А, КТ829Б, КТ829В,КТ829Г в datasheet . Аналоги КТ829 — транзисторы TIP122 и 2N6045.
2Т830(А-Г)	2N5781	TO-39		pnp	2	90	160	транзистор 2Т830 для применения в усилителях мощности и ИВЭП. Аналог 2Т830 — 2N5781.
2Т831(А-В)	2N4300	TO-39		npn	2	50	200	2Т831 для усилителей НЧ и преобразователей.
КТ834(А-В)	BU323	TO-3		npn	15	500	3000	составной транзистор КТ834 для источников тока и напряжения.
КТ835(А,Б)	2N6111	TO-220		pnp	7,5	30	100	транзистор КТ835 для усилителей и преобразователей. Аналог КТ835 — импортный 2N6111
2Т836(А-В)	BD180	TO-39		pnp	3	90	100	2Т836 для усилителей мощности и ИВЭП.
КТ837(А-Ф)	2N6108 2N6111	TO-220		pnp	8	70	200	pnp транзистор КТ837 предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый TO-220. Подробные параметры КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е-Ф указаны в файле. Аналог для КТ837 — транзистор 2N6108 с близкими характеристиками.
КТ838А	2SD1554 BU208	TO-3		npn	5	1500	14	Высоковольтный транзистор КТ838А для строчной развертки телевизоров . Характеристики КТ838А приведены в файле. Импортные аналоги — 2SD1554 и BU208.
КТ839А	2SC1172 MJ16212	TO-3		npn	10	1500	12	Характеристики и параметры КТ839 аналогичны транзистору КТ838, но круче по току.
КТ840(А,Б)	BUX97	TO-3		npn	6	400	100	Биполярный транзисторы КТ840А и КТ840Б для применения в переключающих устройствах. Подробные параметры приведены в файле.
КТ841(А-В)	MJ413 2N3442	TO-3		npn	10	600	35	Мощный биполярный транзистор КТ841 для применения в мощных преобразователях. Подробные параметры транзисторов КТ841А, КТ841Б, КТ841В в даташит.
КТ842(А,Б)	2SB506	TO-3		pnp	5	300	30	Биполярный транзистор КТ842 для применения в мощных преобразователях и линейных стабилизаторах напряжения.
КТ844А	MJ15011	TO-3		npn	10	250	60	КТ844 предназначен для импульсных устройств, подробное описание приведено в datasheet
КТ845А		TO-3		npn	5	400	100	КТ845А разработан для применения в импульсных устройствах.
КТ846А	BU208	TO-3		npn	5	1500	15	Высоковольтный биполярный транзистор КТ846А, входные характеристики, графики приведены в datasheet.
КТ847А	BUX48 2N6678	TO-3		npn	15	650	100	Подробное описание КТ847А, входные и выходные характеристики. Аналогом для КТ847 является BUX48.
КТ848А	BUX37	TO-3		npn	15	400	1000	Составной транзистор КТ848А для систем электронного зажигания. Характеристики КТ848 в прикрепленном файле. Аналог КТ848 — BUX37.
КТ850(А-В)	2SD401	TO-220		npn	2	250	200	КТ850 заточен для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Подробное описание КТ850А, КТ850Б, КТ850В и графики приведены в datasheet .
КТ851(А-В)	2SB546	TO-220		pnp	2	200	200	КТ851 для усилителей НЧ и переключающих устройств. Параметры КТ851А, КТ851Б, КТ851В см. в файле pdf
КТ852(А-Г)	TIP117	TO-220		pnp	2	100	1500	Составной КТ852 для усилителей и переключающих устройств. Параметры КТ852А в даташит.
КТ853(А-Г)	TIP127 2N6042	TO-220		pnp	8	100	750	Составной pnp транзистор КТ853. Предназначен для применения в усилительных схемах. Параметры КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г см. в pdf файле.
КТ854(А,Б)	MJE13006	TO-220		npn	10	500	50	КТ854 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах. Справочные данные приведены в datasheet.
КТ855(А-В)	MJE9780	TO-220		pnp	5	250	100	КТ855 для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. Аналог с близкими характеристиками — MJE9780.
2Т856(А-В)	BUX48	TO-3		npn	10	950	60	2Т856 для переключательных устройств. Аналог — BUX48.
КТ856(А1,Б1)	BUV48	TO-218		npn	10	600	60	КТ856 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Справочные данные КТ856А1, КТ856Б1 см. в datasheet .
КТ857А	BU408	TO-220		npn	7	250	50	КТ857 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Аналог — BU408.
КТ858А	BU406	TO-220		npn	7	400	60	транзистор КТ858 предназначен для применения в переключающих устройствах. Аналог — BU406. Подробное описание смотри в datasheet .
КТ859А	MJE13005	TO-220		npn	3	800	60	Высоковольтный КТ859 заточен для переключающих устройств. Параметры и цоколевка КТ859 приведены в datasheet. Импортный аналог с близкими характеристиками — MJE13005.
2Т860(А-В)		TO-39		pnp	2	90	100	2Т860 предназначен для усилителей мощности и преобразователей.
2Т862(А-Г)		TO-3		npn	15	400	100	2Т862 для применения в импульсных модуляторах и переключающих устройствах.
КТ863Б,В	D44Vh20	TO-220		npn	10	160	300	Транзистор КТ863 предназначен для применения в преобразователях, фотовспышках. Справочные характеристики см. в datasheet. Аналог КТ863 — D44Vh20.
КТ863БС	D44Vh20	TO-220 TO-263		npn	12	160	300	КТ863БС — более свежая разработка. Модификация КТ863БС1 предназначена для поверхностного монтажа.
КТ864А	2N3442	TO-3		npn	10	200	100	КТ864 для применения в ИВЭП, усилителях и стабилизаторах.
КТ865А	2SA1073	TO-3		pnp	10	200	60	Область применения транзистора КТ865 та же, что и у КТ864.
КТ867А	TIP35	TO-3		npn	25	200	100	КТ867 для применения в ИВЭП. В описании транзистора приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока и график области максимальных режимов.
КТ868(А,Б)	BU426			pnp	6	400	60	КТ868 предназначен для применения в источниках питания телевизоров. Подробные характеристики см. в datasheet. Функциональный аналог КТ868 — BU426.
КТ872(А-В)	BU508 MJW16212	TO-218		npn	8	700	16	Высоковольтный npn транзистор КТ872 для применения в строчной развертке телевизоров. Подробное описание КТ872 приведено в справочном листе. Аналоги КТ872 — транзисторы BU508 и MJV16212.
2Т875(А-Г)	2SD1940	TO-3		npn	10	90	200	2Т875 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т876(А-Г)	MJE2955	TO-3		pnp	10	90	140	2Т876 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т877(А-В)	2N6285	TO-3		pnp	20	80	10000	Составной транзистор 2Т877 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
КТ878(А-В)	BUX98	TO-3		npn	30	900	50	КТ878 для применения в переключающих устройствах, ИВЭП.
КТ879				npn	50	200	25	КТ879 для применения в переключающих устройствах.
2Т880(А-В)	2N6730			pnp	2	100	140	2Т880 — для усилителей и переключательных устройств.
2Т881(А-Г)	2N5150			npn	2	100	200	2Т881 — применение аналогично 2Т880
2Т882(А-В)		TO-220		npn	1	300	100	2Т882 в корпусе ТО-220 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Цоколевка и характеристики приведены в pdf.
2Т883(А,Б)		TO-220		pnp	1	300	100	2Т883 для усилителей и переключающих устройств. Корпус ТО-220.
2Т884(А,Б)		TO-220		npn	2	800	40	2Т884 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Подробные параметры см. в datasheet .
2Т885(А,Б)		TO-3		npn	40	500	12	мощный транзистор 2Т885 предназначен для применения в ИВЭП.
КТ886(А1,Б1)	MJW16212	TO-218		npn	10	1400	25	Высоковольтный транзистор КТ886 для применения в строчной развертке и ИВЭП. Характеристики см. в файле pdf. Аналог для КТ886 — MJW16212.
КТ887 А,Б		TO-3		pnp	2	700	120	КТ887 для переключательных схем, стабилизаторов напряжения.
КТ888 А,Б		TO-39		pnp	0,1	900	120	Высоковольтный транзистор КТ888 для применения в преобразователях и стабилизаторах напряжения ИВЭП.
КТ890(А-В)	BU323	TO-218		npn	20	350	700	Составной транзистор КТ890 предназначен для применения в схемах зажигания авто. Подробные характеристики КТ890А, КТ890Б и КТ890В приведены в pdf. Аналогом для КТ890 является BU323.
КТ892(А-В)	BU323A	TO-3		npn	15	400	300	мощный транзистор КТ892 предназначен для применения в схемах зажигания авто и других схемах с индуктивной нагрузкой.
КТ896 (А,Б)	BDW84	TO-218		pnp	20	80	10000	Составной мощный транзистор КТ896 для применения в линейных и переключающих схемах. Характеристики КТ896А и КТ896Б см. в datasheet файле. Аналог для КТ896 — BDW84.
КТ897(А,Б)	BU931Z	TO-3		npn	20	350	4000	Составной транзистор КТ897 для схем зажигания авто и других схем с индуктивной нагрузкой. Аналог для КТ897 — BU931.
КТ898 (А,Б)	BU931P	TO-218		npn	20	350	1500	Составной транзистор КТ898 для применения в ИВЭП. Параметры оптимизированы для работы на индуктивную нагрузку. Аналог КТ898 — BU931. Подробные характеристики КТ898А и КТ898Б см. в datasheet.
КТ899А	BU806	TO-220		npn	8	150	1000	Составной транзистор КТ899 для применения в усилительных и переключательных устройствах. Аналог с близкими характеристиками — BU806.
КТ8101(А,Б)	MJE4343 2SC3281	TO-218		npn	16	200	100	мощный транзистор КТ8101 предназначен для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах и преобразователях. Подробные характеристики КТ8101А и КТ8101Б см. в datasheet. Аналог для КТ8101 — транзистор MJE4343. Комплементарная пара — КТ8102.
КТ8102(А,Б)	MJE4353 2SA1302	TO-218		pnp	16	200	100	Мощный транзистор КТ8102, область применения аналогична КТ8101, являющемуся его комплиментарной парой. Характеристики КТ8102А, КТ8102Б приведены в datasheet . Импортный аналог для КТ8102 — MJE4353.
КТ8106 (А,Б)	MJH6286	TO-218		npn	20	80	3000	Составной транзистор КТ8106 для применения в усилителях мощности и переключающих схемах. Аналог для КТ8106 — MJH6286.
КТ8107(А-В)	BU208	TO-218		npn	8	700	12	КТ8107 для применения в каскадах строчной развертки, ИВЭП, высоковольтных схемах. Подробные параметры в datasheet. Импортный аналог для КТ8107 — BU208.
КТ8109	TIP151	TO-220		npn	7	350	150	Составной транзистор КТ8109 для схем зажигания авто. Справочные данные см. в datasheet.
КТ8110 (А-В)	BUT11			npn	7	400	30	Справочные данные BUT11, импортного аналога КТ8110.
КТ8111(А9-Б9)	BDV67	TO-218		npn	20	100	750	Составной мощный транзистор КТ8111 для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах тока и напряжения, переключателях. Аналог — BDV67.
КТ8115(А-В)	BD650 TIP127	TO-220		pnp	8 5	100	1000	Составной pnp транзистор КТ8115А для применения в усилительных и преобразователях напряжения. Аналог для КТ8115 — BD650. Комплементарная пара — КТ8116.
КТ8116(А-В)	TIP132	TO-220 DPAK		npn	8 5	100	1000	Составной транзистор КТ8116, область применения аналогична КТ8115, являющимся его комплементарной парой.
КТ8117А	BUV48	TO-218		npn	10	400	10	мощный транзистор КТ8117 предназначен для ИВЭП, управления двигателями, стабилизаторов тока.
КТ8118А	MJE8503	TO-220		npn	3	800	40	КТ8118 для высоковольтных переключательных схем, усилителей постоянного тока.
КТ8120А		TO-220		npn	8	450	10	КТ8120 для ИВЭП, схем управления электродвигателями.
КТ8121А,Б		TO-220		npn	4	400	60	КТ8121 для высоковольтных переключающих схем, преобразователей
КТ8123А		TO-220		npn	2	150	40	КТ8123 для схем вертикальной развертки ТВ, усилителей.
КТ8124(А-В)		TO-220		npn	10	400	7	Справочные данные КТ8124, предназначенного для применения в горизонтальной развертке ТВ, переключательных схемах.
КТ8126(А1,Б1)	MJE13007	TO-220		npn	8	400	30	мощный транзистор КТ8126 для применения в горизонтальной развертке ТВ, преобразователях. Справочные данные приведены в datasheet .
КТ8130 (А-В)	BD676			pnp	4	80	15000
КТ8131 (А,Б)	BD677			npn	4	80	15000
КТ8133 (А,Б)				npn	8	240	3000
КТ8137А	MJE13003	TO-126		npn	1,5	700	40	Для применения в строчной развертке ТВ, управления двигателями.
КТ8141 (А-Г)				npn	8	100	750
КТ8143 (А-Ш)		КТ-9М		npn	80	300	15	биполярный мощный высоковольтный n-p-n транзистор с диодом КТ8143 для низковольтных источников питания бортовой аппаратуры
КТ8144(А,Б)		TO-3		npn	25	800	55
КТ8146(А,Б) КТ8154(А,Б) КТ8155(А-Г)		ТО-3		npn	15 30 50	800 600 600		мощный высоковольтный транзистор для применения в источниках питания
КТ8156(А,Б)	BU807	TO-220		npn	8	200	1000	КТ8156 предназначен для применения в горизонтальных развертках малогабаритных ЭЛТ.
КТ8157(А-В)		TO-218		npn	15	1500	8	для строчных разверток ТВ с увеличенной диагональю экрана
КТ8158(А-В)	BDV65	TO-218		npn	12	100	1000	КТ8158, параметры заточены для применения в усилителях НЧ, в ключевых и линейных схемах.
КТ8159(А,Б,В)	BDV64	TO-218		pnp	12	100	1000	КТ8159, Комплементарная пара для КТ8158, параметры и область применения аналогичные.
КТ8163А				npn	7	500	40
КТ8164(А,Б)	MJE13005	TO-220		npn	4	400	60	Высоковольтный транзистор КТ8164 для импульсных источников питания.
КТ8167 (А-Г)				pnp	2	80	250
КТ8168 (А-Г)				npn	2	80	250
КТ8170(А1,Б1)	MJE13003	TO-126		npn	1.5	400	40	Высоковольтный транзистор КТ8170 для применения в импульсных источниках питания.
КТ8171 (А,Б)				npn	20	350	10000
КТ8176(А,Б,В)	TIP31	TO-220		npn	3	100	50	КТ8176 для усилителей и переключательных схем.
КТ8177(А,Б,В)	TIP32	TO-220		pnp	3	100	50	КТ8177 для усилителей и переключательных схем. Комплементарная пара для КТ8176.
КТ8192 (А-В)		ISOTOP		npn	75	1500	10	мощный npn транзистор КТ8192 для применения в электроприводе
КТ8196 (А-В)				npn	10	350	400
КТ8212(А,Б,В)	TIP41	TO-220		npn	6	100	75	КТ8212 для линейных и ключевых схем.
КТ8213(А,Б,В)	TIP42	TO-220		pnp	6	100	75	Комплементарная пара для КТ8212.
КТ8214(А,Б,В)	TIP112	TO-220		npn	2	100	1000	Составной транзистор КТ8214 предназначен для применения в ключевых и линейных схемах.
КТ8215(А,Б,В)	TIP117	TO-220		pnp	2	100	1000	Составной транзистор КТ8215 — Комплементарная пара КТ8214.
КТ8216 (А-Г)	MJD31B			npn	2	800	275
КТ8217 (А-Г)	MJD32B			pnp	10	100	275
КТ8218 (А-Г)				npn	4	100	750
КТ8219 (А-Г)				pnp	4	40	750
КТ8224(А,Б)	BU2508	TO-218		npn	8	700	7	Высоковольтный транзистор КТ8224 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Аналог — BU2508. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8228(А,Б)	BU2525	TO-218		npn	12	800	10	Высоковольтный транзистор КТ8228 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Белорусский аналог BU2525. Диод между коллектором э эмиттером, резистор между базой-эмиттером.
КТ8229А	TIP35F	TO-218		npn	25	180	75	КТ8229 для линейных и ключевых схем.
КТ8230А	TIP36F	TO-218		pnp	25	180	75	КТ8230 -Комплементарная пара для КТ8229.
КТ8231А	BU941			npn	15	500	300	datasheet на транзистор BU941
КТ8232 (А,Б)	BU941ZP	TO-218		npn	20	350	300	КТ8232 для применения в переключательных и импульсных схемах, параметры оптимизированы для схем зажигания.
КТ8246(А-Г)	КТ829	TO-220		npn	15	150	9000	Составной транзистор КТ8246 для применения в автотракторных регуляторах напряжения.
КТ8247А	BUL45D	TO-220		npn	5	700	22	Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в преобразователях напряжения. Аналог — BUL45. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8248А	BU2506	TO-218		npn	5	1500	60	Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в строчных развертках ТВ. Аналог — BU2506. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8251А	BDV65	TO-218		npn	10	180	1000	Составной npn транзистор КТ8251 для применения в линейных усилителях и ключевых преобразователях напряжения.
КТД8252(А-Г)	BU323Z	TO-220 TO-218		npn	15	350	2000	для работы на индуктивную нагрузку
КТ8254А				npn	2	800	30
КТ8255А	BU407	TO-220		npn	7	330	200	КТ8255 для применения линейных и ключевых схемах.
КТД8257(А-В)	SGSD96	TO-220		npn	20	180	1000	для применения в усилителях НЧ и переключающих устройствах.
КТ8258(А,Б)	MJE 13004	TO-220		npn	4	400	80	для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, аналог транзистора 13004
КТ8259(А,Б)	MJE13007 13007	TO-220		npn	8	400	80	для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, отечественный аналог импортного транзистора 13007
КТ8260(А-В)	MJE13008	TO-220		npn	15	500	15	для ИВЭП, преобразователей, аналог транзистора 13008.
КТ8261А	BUL44	TO-126		npn	2	400	20	КТ8261 для применения в преобразователях напряжения.
КТД8262(А-В)	SEC80	TO-220		npn	7	350	300	Для систем зажигания автотракторной техники
КТ8270А	MJE13001	TO-126		npn	0.5	600	90	КТ8270 для использования в преобразователях напряжения. Подробные справочные данные приведены в datasheet.
КТ8271(А,Б,В)	BD136	TO-126		pnp	1.5	80	250	КТ8271 для преобразователей напряжения. Подробные параметры приведены в datasheet.
КТ8272(А,Б,В)	BD135	TO-126		npn	1.5	80	250	КТ8272 для линейных усилителей и преобразователей напряжения. Комплементарная пара для КТ8271
КТД8278(А-В1)	SGSD93ST	TO-220		npn	20	180	1000	Для усилителей НЧ, переключательных устройств.
КТД8279(А-В)	2SD1071	TO-220 TO-218		npn	10	350	300	для работы на индуктивную нагрузку, в системах зажигания.
КТД8280(А-В)		TO-218		npn	60	120	1000	Составной транзистор КТД8280 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями, источников бесперебойного питания.
КТД8281(А-В)		TO-218		pnp	60	120	1000	Составной транзистор КТД8281 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями.
КТ8283(А-В)		TO-218		pnp	60	120	100	для преобразователей, схем управления двигателями. Параметры описаны в даташит.
КТ8284(А-В)	КТ829	TO-220		npn	12	100	500	для автотракторных регуляторов напряжения, линейных схем.
КТ8285(А-В)	BUF410	TO-218 TO-3		npn	30	450	40	для преобразователей напряжения, ИВЭП. Характеристики описаны в даташит.
КТ8286(А-В)	2SC1413	TO-218 TO-3		npn	5	800	40	для усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, мощных регуляторах напряжения. Подробные характеристики см. в datasheet
КТ8290А	BUh200	TO-220		npn	10	700	15	Высоковольтный биполярный транзистор КТ8290 для использования в импульсных источниках питания.
КТ8296(А-Г)	KSD882	TO-126		npn	3	30	400	КТ8296 для использования в импульсных источниках питания, ключевых схемах и линейных усилителях.
КТ8297(А-Г)	KSD772	TO-126		pnp	3	30	400	КТ8297 — Комплементарная пара (транзистор с близкими характеристиками, но обратной проводимости) для КТ8296.
КТ8304А,Б		TO-220 D2PAK		npn	8	160	250	КТ8304 с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения.
ПИЛОН-3	TIP122	TO-220		npn	15	100	1000	для применения в переключающих схемах и преобразователях напряжения. Импортный аналог с близкими характеристиками — транзистор TIP122.
ПИР-1	BUV48	TO-218		npn	20	450	8	ПИР-1 для ключевых схем с индуктивной нагрузкой и усилителей с высокой линейностью.
ПИР-2	MJE4343	TO-220 TO-218		npn	20	160	30	ПИР-2 для линейных усилителей и ключевых схем.
								Справочник составлен в 2007 году, затем дополнялся и дорабатывался вплоть до 2015г. Соавторы: WWW и Ко

Транзистор [База знаний]

Транзистор. Определение, обозначение на схемах, принцип работы, основные характеристики

Теория

КОМПОНЕНТЫ

ARDUINO

RASPBERRY

ИНТЕРФЕЙСЫ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ

Транзистор — один из самых распространенных полупроводниковых элементов самого широкого применения. Существуют различные виды транзисторов, но как правило данный электронный компонент имеет три вывода и, как и диод, основывается на явлении p-n перехода. Отсюда происходит его второе название – полупроводниковый триод.

Главным свойством транзистора является управление током, протекающим через него (ток эмиттер–коллектор у биполярных и ток исток–сток у полевых транзисторов), с помощью третьего вывода (база у биполярных и затвор у полевых транзисторов). Иными словами транзисторы зачастую используют как выключатель и/или регулятор силы тока и напряжения.

Биполярный транзистор

Транзисторы данного типа состоят из трех слоев полупроводников с чередующимся типом проводимости:

Эмиттер (emitter)
База (base) – на схемах изображается между К. и Э. под прямым углом к несущей черте
Коллектор (collector) – на схемах обозначен стрелкой.

Таким образом, у биполярных транзисторов имеется два p-n перехода: эмиттер-база и база-коллектор. Наделение полупроводников определенным типом проводимости происходит с помощью легирования — добавления в них специальных примесей. Каждый слой легируется в разной степени.
Различают два типа биполярных транзиторов:

p-n-p, где эмиттер – полупроводник p-типа, база – n-типа, коллектор – p-типа
n-p-n, где эмиттер – полупроводник n-типа, база – p-типа, коллектор – n-типа.

Их схематичное устройство представлено представлено на иллюстрации ниже.

Также на иллюстрации обозначено направление движения тока в биполярных транзисторах обоих типов и типичное обозначение напряжений, имеющих место между его выводами.

В основе работы биполярных транзисторов лежит следующий процесс, который рассмотрим на примере транзистора со структурой npn в нормальном активном режиме. В этом режиме переход эметтер-база смещён в прямом направлении, иначе говоря, открыт, а переход база-коллектор смещён в обратном направлении или закрыт. При переходе носителей заряда (электронов) из эмиттера через открытый p-n переход эмиттер-база, часть их рекомбинирует с носителями заряда (дырками) в базе. Однако база делается очень тонкой и слабо легированной (по сравнению с эмиттером), из-за чего большая часть электронов, перешедших (инжектированных) в базу из эмиттера, так сказать, «не находит себе в базе места» и, как следствие, диффундирует в коллектор. Сильное электрическое поле обратносмещённого коллекторного перехода захватывает неосновные носители из базы и переносит их в коллекторный слой. Таким образом, ток коллектора практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы. В случае с биполярными транзисторами структуры pnp процесс будет тем же, изменится лишь полярность и направление токов.

Полевой транзистор (униполярный)

Принцип действия полевых транзисторов основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Полевые транзисторы имеют следующие выводы:

Исток (source) — область, из которой носители заряда уходят в канал
Затвор (gate) – электрод, на который подается управляющее напряжение
Сток (drain) – область, в которую носители заряда входят.

Введение в транзисторы NPN — инженерные проекты

Привет друзья! Это платформа, на которой мы будем держать вас в курсе ценной информации, связанной с разработкой и технологиями, чтобы вы время от времени возвращались. Сегодня я собираюсь раскрыть подробности о транзисторе Introduction to NPN. Это транзистор с биполярным переходом, который в основном используется для усиления и переключения и состоит из трех полупроводниковых слоев, один из которых является полупроводниковым слоем, легированным P, а два других — легированным азотом.Слой с примесью фосфора зажат между двумя слоями с примесью азота. Основная функция: Малый ток на одной клемме используется для управления большой на других клеммах. Этот процесс используется для усиления. основных носителей заряда: электронов BJT (биполярный переходный транзистор) делятся на два типа: NPN-транзистор и PNP-транзистор. Оба транзистора различаются по своему электрическому составу и конструкции, однако оба так или иначе используются для усиления и переключения.В этом руководстве мы рассмотрим транзистор NPN, его работу, принципиальную схему, кривую выходных характеристик и приложения.

Введение в NPN-транзистор

NPN-транзистор — это биполярный переходной транзистор, который в основном используется для усиления и переключения. Как следует из названия, проводимость осуществляется за счет движения и носителей заряда, то есть электронов и дырок, однако электроны являются основными носителями заряда в транзисторе NPN.
Состоит из трех слоев i.е два слоя с примесью азота и один слой с примесью фосфора. Слой с примесью P представляет собой базу транзистора, а два других слоя представляют собой эмиттер и коллектор соответственно.
NPN-транзистор поставляется с тремя выводами, называемыми эмиттером, базой и коллектором, которые используются для внешнего соединения со схемами, в которых небольшой ток на стороне базы используется для управления большим током на стороне коллектора и эмиттера.

Все три вывода в NPN-транзисторе различаются по размеру и концентрации легирования.Вывод эмиттера сильно легирован и через устройство проходит 100% тока. В то время как основание очень тонкое и слегка легированное, что контролирует количество электронов, а коллектор умеренно легирован, который собирает количество электронов.
Транзистор NPN — это не что иное, как комбинация двух диодов, соединенных друг с другом.

NPN-транзистор имеет два перехода, называемых переходом эмиттер-база и переходом коллектор-база. Транзистор NPN переходит в рабочее состояние, когда переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении, и на клемме базы присутствует достаточный ток.Чтобы сделать переход эмиттер-база смещенным вперед, положительное напряжение прикладывается на стороне базы, а отрицательное — на стороне эмиттера.
Аналогичным образом, чтобы сделать переход эмиттер-база смещенным в обратном направлении, напряжение коллектора должно быть более положительным, чем напряжение базы и коллектора.
Этот транзистор NPN является одним из основных электронных компонентов, используемых при проектировании схем.

Принципиальная схема

На следующем рисунке показана принципиальная схема NPN-транзистора.

Как видно из схемы, на выводы транзистора подается напряжение и резистивные нагрузки.
Отрицательное напряжение подключено к эмиттеру, а положительное напряжение подключено к клеммам базы.
База более положительная по отношению к эмиттеру.
Резистивная нагрузка приложена к базовой клемме, которая ограничивает ток, производимый на этой клемме.
Положительное напряжение подается на вывод коллектора, а сопротивление нагрузки прикладывается к этому выводу, что ограничивает попадание электронов на этот вывод.

Рабочий

База отвечает за инициирование действия транзистора. Когда на базу подается напряжение, она смещается и потребляет небольшой ток, который затем используется для управления большим током на стороне коллектора и эмиттера.
Базовое действие рассматривается как двухпозиционный клапан, который генерирует ток, когда на этот вывод подается соответствующее напряжение смещения.
Небольшое изменение напряжения, приложенного к клемме базы, показывает большое влияние на выходные клеммы.Фактически, база действует как вход, а коллектор действует как выход в NPN-транзисторе.
В случае, когда переход эмиттер-база кремниевого транзистора потребляет напряжение около 0,7 при отсутствии напряжения на выводе базы, чтобы инициировать действие электронов и перевести транзистор в рабочее состояние, напряжение базы должно быть больше 0,7 напряжения в в случае кремниевого транзистора и 0,3 в случае германиевого транзистора.
На стороне N транзистора, который представляет собой эмиттер, электроны действуют как основные носители заряда, которые затем диффундируют в базу, когда подходящее напряжение подается на вывод базы.Эти электроны действуют как неосновные носители заряда, когда они входят в клемму базы, где они соединяются с дырками, присутствующими в базе. Не все электроны соединяются с дырками, присутствующими на клемме основания. Некоторые из них соединяются с дырками, и образовавшаяся электронно-дырочная пара исчезает. Большая часть электронов покидает клемму базы и затем попадает в область коллектора, где они снова действуют как основные носители заряда.
Когда напряжение подается на клемму базы, ток базы определяется выражением;

Ток коллектора напрямую связан с базовым током, умноженным на постоянный коэффициент.
Чтобы повысить эффективность NPN-транзистора, основание сделано очень тонким, а коллектор — толстым по двум причинам: коллектор может обрабатывать больше тепла и принимать больше электронов, рассеянных через вывод базы.

Коэффициенты усиления по току и соотношение между ними

Коэффициенты усиления по току играют важную роль в процессе усиления. Коэффициент усиления по току общего эмиттера — это отношение между током коллектора и током базы. Он называется бета и обозначается β.Он также известен как коэффициент усиления, который определяет величину усиливаемого тока.
Бета — это соотношение двух токов, поэтому в нем нет единицы измерения. Значение бета всегда больше единицы и находится в диапазоне от 20 до 1000 — 20 для транзисторов большой мощности и 1000 для транзисторов малой мощности, однако в большинстве случаев его значение принимается равным 50.
Аналогичным образом, коэффициент усиления по току общей базы равен еще один важный фактор — это соотношение между током коллектора и током эмиттера.Он называется альфа и обозначается α. Значение альфа находится в диапазоне от 0,95 до 0,99, однако большую часть времени его значение принимается за единицу.
На следующем рисунке показано соотношение между двумя коэффициентами усиления по току.

Значение альфа не может превышать единиц , потому что это соотношение между током коллектора и током эмиттера, т.е. ток эмиттера всегда остается больше, чем ток коллектора, потому что он показывает 100% ток транзистора и равен сумме ток коллектора и ток базы.

Конфигурации транзистора NPN

Этот транзистор NPN может иметь три конфигурации: конфигурация с общим эмиттером, конфигурация с общим коллектором и конфигурация с общей базой.
Конфигурация с общим эмиттером в основном используется для целей усиления, где база действует как вход, коллектор действует как выход, а эмиттер действует как общая клемма между входом и выходом.
Эта общая конфигурация эмиттера всегда действует в линейной области, где небольшой ток на стороне базы используется для управления большим током на стороне коллектора.
Конфигурация общего эмиттера, используемая в электронных схемах, всегда дает инвертированный выходной сигнал, на который сильно влияют напряжение смещения и температура. Эта конфигурация является идеальным выбором для схем усиления, поскольку она имеет высокий входной импеданс и низкий выходной импеданс и обеспечивает точное напряжение и коэффициент усиления по мощности, необходимые для усиления.
Во время конфигурации с общим эмиттером транзистор всегда работает между областью насыщения и отсечки, что помогает в усилении отрицательного и положительного циклов входных сигналов.Если на клемму базы не подается соответствующее напряжение, будет усилена только половина сигнала.

Кривая выходных характеристик NPN-транзистора

На следующем рисунке показана выходная характеристическая кривая биполярного NPN-транзистора, которая построена между выходным током коллектора и напряжением коллектор-эмиттер при изменении тока базы.

Как описано ранее, выходной ток коллектора не будет, если приложенное напряжение на клемме базы равно нулю.Когда правильное напряжение смещения выше 0,7 В подается на клемму базы, она смещается и потребляет ток, который управляет и влияет на ток выходного коллектора.
Мы видим, что Vce напрямую влияет на значение выходного тока коллектора до тех пор, пока приложенное напряжение равно 1 В. Выше этого значения ток коллектора больше не остается под влиянием значения Vce. В этом случае ток коллектора сильно зависит и контролируется током базы. Небольшое изменение базового тока и напряжения смещения привело бы к сильному изменению тока коллектора.
Нагрузочный резистор, подключенный к клемме коллектора, регулирует величину тока, поступающего на клеммы коллектора. Принимая во внимание нагрузочный резистор и напряжение, подаваемое на выводы коллектор-эмиттер, ток коллектора определяется выражением;

Прямая линия нагрузки между точками A и B попадает под активную область, когда переход эмиттер-база смещен в прямом направлении и транзистор проводит ток, где электроны являются основными носителями заряда.
Точка Q на графике может быть определена линией нагрузки, которая фактически называется рабочей точкой транзистора.
Кривая выходных характеристик этого NPN-транзистора используется для описания тока коллектора, когда заданы ток базы и напряжение коллектора.
Для обеспечения проводимости напряжение на коллекторе должно быть более положительным, чем на базе и эмиттере.
Важно отметить, что, когда переход эмиттер-база не смещен в прямом направлении, Ic будет равен нулю, независимо от того, какое напряжение приложено к клеммам базы. Когда соединение эмиттер-база смещено в прямом направлении и напряжение подается на вывод базы, он потребляет небольшой ток, который затем используется для управления большим током на других выводах.

Разница между транзисторами NPN и PNP

Транзисторы NPN и PNP различаются с точки зрения электрической конструкции и легирования слоев. NPN означает «отрицательно-положительно-отрицательно» и также известно как устройство источника . В то время как PNP означает «положительный-отрицательный-положительный» и также известен как , тонущее устройство .
В NPN база транзистора положительна по сравнению с эмиттером, а напряжение коллектора более положительно по сравнению с эмиттером и базой.Точно так же в PNP база транзистора отрицательна по сравнению с эмиттером, а напряжение эмиттера намного больше, чем напряжение коллектора.
Полярность напряжения и направления тока в обоих транзисторах поменяны местами.
Транзистор NPN проводит и инициирует действие транзистора, когда на клемму базы подается положительное напряжение. Транзистор PNP работает, когда отрицательное напряжение ниже 0,7 В (для кремния), чем напряжение эмиттера, приложено к клемме базы.
Транзистор NPN использует электронов в качестве основных носителей заряда для проводимости, в то время как транзистор PNP использует отверстий в качестве основных носителей заряда для процесса проводимости.
В транзисторе NPN ток течет от коллектора к эмиттеру, а в случае транзистора PNP ток течет от эмиттера к клемме коллектора.
Оба транзистора различаются по способу включения. Транзистор NPN включается, когда на клемме базы присутствует достаточного тока , в то время как транзистор PNP включается, когда на клемме базы отсутствует тока .

Приложения

NPN-транзисторы в основном используются для усиления и переключения.
Используется в логарифмических преобразователях и высокочастотных приложениях.
Этот транзистор NPN используется в приложениях обработки сигналов и радиопередачи.
Парные схемы Дарлингтона используют этот NPN-транзистор для усиления сигналов.
Используется в датчике температуры.
Двухтактные усилительные схемы подпадают под категорию классических схем усилителя, в которых используется этот NPN-транзистор.
В небольших количествах транзисторы используются для создания логических схем и в схемах, где требуется усиление.Однако, когда тысячи транзисторов соединены вместе, их можно использовать для создания сложных схем, таких как процессоры, схемы памяти компьютера и несколько ИС.

Это все на сегодня. Надеюсь, вы поняли, что такое транзистор NPN и для чего он используется. Если вы не уверены или у вас есть какие-либо вопросы, вы можете обратиться ко мне в разделе комментариев ниже, я хотел бы помочь вам в соответствии с моим опытом и знаниями. Не стесняйтесь держать нас в курсе ваших отзывов и предложений, они помогают нам предоставлять вам качественный контент, соответствующий вашим потребностям и требованиям.Спасибо, что прочитали статью.

:

, NPN (2N4403) [SECOS] 140 / 2N 0.625 Вт, 100 МГц — NPN (2N5400 / 2N5401) [ON Semiconductor] 2N6040, 2N6042, 2N6043, 2N6045 — 60/100 В, 8,0 А, 75 Вт, 4 МГц, TO-220 — PNP / NPN (BDX33 / 34) [ON Semiconductor] — PNP (2SC3746) [Sanyo] , 1 Вт, SOT-89 — PNP (2SC4672) [ROHM] 140196 , 10А, 100Вт — PNP (2SC5198) [Toshiba] 1 Вт — PNP (2SD1994A) [Panasonic] .. 2SC1627 — 80 В, 300 мА, 0,4 Вт — NPN (2SA817) [Toshiba] мА , 0,4 Вт — NPN (2SA1316) [Toshiba] , 20 Вт — NPN (2SA1469) [Sanyo] 2SC6 2SC , 100 мА, 7 Вт, TO-126 — NPN (2SA1546) [NEC] 1 Вт, SOT-89 — NPN (2SA1797) [Weitron] 3A, 50 Вт, TO-220 — NPN [UTC] — NPN [Toshiba] BC547, BC548 — 65/45 / 30V, 100mA, 500 мВт, TO-92 — NPN (BC556, BC557, BC558) [NXP] 30199 BD -225 — PNP (BD179) [ON Semiconductor] BD241, BD241A, BD241B, BD241C — 45/60/80 / 100V, 3A, 40W, TO-220 — NPN (BD242) [Bourns] 350/375 В, 1,0 А, 40 Вт — PNP (TIP47 / TIP48 / TIP50) [ON Semiconductor] TIP30A, TIP30B, TIP30C — 40/60/80/100 В, 1A, 30 Вт — PNP (TIP29) [Fairchild] TIP TIP TIP132, TIP137 — 80 / 100V, 8A, 70W — NPN / PNP [ON Semiconductor] [ST] NPN [Zetex]

Лаборатория АК, 2002 г. .


…
3107		3107 — 20/25/40 В, 100 мА, 300 мВт, 250 МГц, TO-92 — PNP8 [Alfa] 9019 9019	368		368, 368, 368 — 15 В, 30 мА — NPN []
502		502 — 40/60/80/90 В, 150 мА, 350 мВт — PNP []
		503 — 40/60/80/100 В, 150 мА, 350 мВт — PNP []
639		639 — 40/60/80 В, 1,5 А, 1 Вт, 80 МГц, TO-126 — PNP [Alfa]
644		644 — 40/60 В, 600 мА, 1 Вт, 200 МГц, TO-126 — PNP [Alfa]
645		645 — 40/50 В, 300 мА, 500 мВт, 250 МГц, TO-92 — NPN []
646		645 — 40/60 В, 1000 мА, 1 Вт, 50 МГц, TO-126 — NPN []
805		805, 805, 805 — 70/60 В, 5A, 30 Вт — NPN []
829		829A, 829, 829, 829 — 100/80/60/45 В, 8A, 60 Вт — NPN [ ]
837		837A…837 80/60/45 В, 7 А, 30 Вт — PNP []
972		972 — 45/60 В, 2,0 А, 8 Вт — PNP []
973		973 — 45/60 В, 2,0 A, 8 Вт — NPN []

2N …
2N2221		2N2221, 2N2222 — 30MHz, 800mA, NPN 250 [ Central Semiconductor]
2N2222		2N2222, 2N2222A — 30 / 40V, 500mA, 250MHz — NPN (2N2907) [Philips]
2N290mA7	60192 90N290N0196	60192 200 МГц — PNP (2N2222) [Philips]
2N3707		2N3707, 2N3708, 2N3709, 2N3710, 2N3711 — 30 В, 200 мА — NPN (2N4058 / 59/60/616/62191) [Центральный]
2N3903		2N3903, 2N3904 — 40 В, 200 мА, 250 МГц — NPN (2N3905 / 2N 3906) [ON Semiconductor]
2N3904		2N3904 — 40 В, 200 мА, 250 МГц — NPN (2N3906) [ST]
2N3905	250N	2N3905	250N	2N3905	2 N3905	2N3905	2N3905	2 (2N3904) [Motorola]
2N3906		2N3906 — 40 В, 200 мА, 250 МГц — PNP (2N3903 / 2N3904) [ON Semiconductor]
2N4199 2N4199 2N4199 2N4409
2N4403		2N4403 — 40 В, 600 мА, 250 МГц — PNP (2N4401) [SECOS]
2N5550 600,		2N5550
2N5879		2N5879 — 80 В, 15A, 160 Вт, 4 МГц, TO-3 — PNP [Semelab]

2SA …
2SA496		2SA496, 2SA505 — 40/60 В, 1 А, 1 Вт, 100 МГц, TO-126 — PNP (2SC496, 2SC495) [Toshiba]
2SA19509 2SA19509 , 1 Вт, 100 МГц, TO-126 — PNP (2SC495) [ISC]
2SA684		2SA684 — 50 В, 1.0A, 1,0 Вт — PNP (2SC1384) [UTC]
2SA733		2SA733 — 50 В, 100 мА, 190 МГц — PNP (2SC945) [NEC]
2SA733		2SA733	(?), 50 МГц — PNP (2SC945) [Fairchild]
2SA817		2SA817 — 80 В, 300 мА, 0,4 Вт — PNP (2SC1627) [Toshiba]
2SA940 , 1,5 А, 25 Вт, TO-220 — PNP (2SC2073) [Mospec]
2SA1015		2SA1015 — 50 В, 150 мА, 0.625 Вт — PNP (2SC1815) [UTC]
2SA1025		2SA1025, 2SA1081, 2SA1082 — 60/90/120 В, 100 мА, 0,4 Вт, 90 МГц — PNP (2SC2396 / 2SC2543 / 2SCi25) [Hit194]
2SA1081		2SA1081 — 90 В, 100 мА, 0,4 Вт, 90 МГц — PNP (2SC2543) [SECOS]
2SA1082		2SA1081 — 90 В, 2SC, 2SA1081 — 90 В, 2SC, 2SC — 90 Вт, 2SC — 90 Вт SECOS]
2SA1273		2SA1273 — 30V, 2A, 3W — PNP (2SC3205) [KEC]
2SA1300		2SA1300 -.75 Вт — PNP [Toshiba]
2SA1316		2SA1316 — 80 В, 100 мА, 0,4 Вт — PNP (2SC3329) [Toshiba]
2SA1320	250S 0,6 мA — 0,6 мА (2SC3333) [Toshiba]
2SA1488		2SA1488, 2SA1488A — 80/100 В, 4A, 25 Вт — PNP (2SC3851) [SanKen]
2SA149 2SA149
2SA1797		2SA1797 — 50 В, 2A, 1 Вт, SOT-89 — PNP (2SC4672) [GME]
2SA1997 2SA1797
2SA1797
2SA1837		2SA1837 — 230 В, 1A, 20 Вт — PNP (2SC4793) [Toshiba]

2SA1942		2SA1942 — 160 В, 12 А, 120 Вт — PNP (2SC5199) [Toshiba]
2SA1972		2SA1972 — 400 В, 0.5A, 0,9 Вт — PNP (??) [Toshiba]
2SA2040		2SA2040, 2SC5707 — 50 В, 8A, 15 Вт — PNP / NPN (2SC5707) [ON Semiconductor]

2SB …
2SB649		2SB649, 2SB649A — 120/160 В, 1,5 A, 20 Вт, 140 МГц — NPN (2SD669) [Hitachi]

2SB649A — 120/160 В, 1,5 A, 20 Вт, 140 МГц — NPN (2SD669) [SECOS]
2SB798		2SB798 — 30 В, 1.5A, 2W — PNP (2SD999) [UTC]
2SB892		2SB892 — 50V, 2.0A, 1.0W — PNP (2SD1207) [Sanyo]
2SB201202, 2SB201202
2SB201202 — 2 50 В, 3,0 А, 15 Вт — PNP / NPN (2SD1802) [ON Semiconductor]
2SB1320A		2SB1320A — 50 В, 0,1 А, 0,4 Вт — PNP (2SD1991A) [Panasonic]	2SD1991A	2	2SB1321A — 50 В, 0,5 А, 0.6 Вт — PNP (2SD1992A) [Panasonic]
2SB1322		2SB1322 — 25 В, 1,0 A, 1 Вт — PNP (2SD1994) [Panasonic]
2SB1329A
2SB1329A
2SB1323		2SB1323, 2SD1997 — 30 В, 3,0 А, 1,5 Вт — PNP / NPN () [Sanyo]



2SC495		2SC495, 2SC496 — 60/40 В, 1000 мА, 1 Вт, 50 МГц, TO-126 — NPN (2SA505, 2SA496) [Toshiba]
2SC9 2SC 50 В, 100 мА, 250 МГц — NPN (2SA733) [NEC]
2SC945		2SC945 — 50 В, 150 мА, 190 МГц — NPN (2SA733) [UTC]
2SC945
2SC945	150 мА, 200 МГц — NPN (2SA733) [SECOS]
2SC2073		2SC2073 — 150 В, 1.5A, 25 Вт, TO-220 — NPN (2SA940) [Mospec]
2S1384		2S1384 — 50 В, 1,0 A, 1,0 Вт — NPN (2SA684) [UTC]
2SC199
2SC1815		2SC1815 — 50 В, 150 мА, 0,625 Вт — NPN (2SA1015) [UTC]

2SC2383 — 160 В, 1,0 А, 0,9 Вт — NPN [UTC]
2SC2396		2SC2396, 2SC2543, 2SC2544 — 60/90/120 В, 100 мА, 0.4 Вт, 90 МГц — NPN (2SA1024 / 2SA1081 / 2SA1082) [Hitachi]
2SC2625		2SC2625 — 400 В, 10 A, 80 Вт — NPN [Mospec]
2SC3333		2SC3333 — 250 В, 50 мА, 0,6 Вт — NPN (2SA1320) [Toshiba]
2SC379 2SC3746
2SC3746
2SC3851		2SC3851, 2SC3851A — 80/100 В, 4A, 25 Вт — NPN (2SA1488) [SanKen]
2SC4002		2SC4002 — 400 В, 200 мА, 0.6 Вт, TO-92 — NPN [Sanyo]
2SC4003		2SC4003 — 400 В, 200 мА, 10 Вт, TO-251 — NPN [Sanyo]
2SC4004		2SC4004		30Вт, TO-220F — NPN [Panasonic]
2SC4005		2SC4005 — 42V, 2A, 12W, TO-220M — NPN [Sanyo]
2SC4006		2SC 12Вт, TO-220M — NPN [Sanyo]
2SC4008		2SC4008 — 80V, 4A, 30W, TO-220F — NPN [ROHM]
2SC4672	2SC4672
2SC4793		2SC4793 — 230 В, 1A, 20 Вт — NPN (2SA1837) [Toshiba]
2SC5048		2SC5048 — 600 В, 12 A, 50 Вт — NPN [Toshiba]
2SC5129		2SC5129 — 600 В, 10 A, 50 Вт — NPN [Toshiba]
2SC5149 50196	2SC5149 2SC5148
2SC5198		2SC5198 — 140 В, 10 А, 100 Вт — NPN (2SA1941) [Toshiba]
2SC5199
2SC5199	2SC5199 NP42 — NPN 2SC5199 — 2SC5199 [Toshiba]
2SC5552		2SC5552 — 600 В, 16 А, 65 Вт — NPN [Panasonic]
2SC5707		2SC5707, 2SANA2040 — 50 В (2SC5707, 2SANA2040 — 50 В) ON Semiconductor]

2SD…
2SD667		2SD667 — 80 В, 1,0 A, 0,9 Вт, 140 МГц — NPN [UTC]
2SD669		2SD669, 2SD669, 2SD669, 2SD669 20 Вт, 140 МГц — NPN (2SB649) [Hitachi]
2SD669		2SD669, 2SD669A — 120/160 В, 1,5 А, 20 Вт, 140 МГц — NPN (2SB649) [SECOS] 2SD669				2SD999 — 30 В, 1,0 A, 0,5 Вт — NPN (2SB798) [WEJ]
2SD999		2SD999 — 30 В, 1.0A, 0,5 Вт — NPN (2SB798) [HT Wang]
2SD1207		2SD1207 — 50 В, 2,0 А, 1,0 Вт — NPN (2SB892) [ON Semiconductor]
2 , 2SB1202 — 50 В, 3,0 A, 15 Вт — NPN / PNP (2SB1202) [ON Semiconductor]
2SD1990		2SD1990 — 60 В, 4A, 35 Вт, TO-2 220 — NPN [Panasonic]
				2SD1991A — 50В, 0.1A, 0,4 Вт — NPN (2SB1320A) [Panasonic]
2SD1992A		2SD1992A — 50 В, 0,5 А, 0,6 Вт — NPN (2SB1321A) [Panasonic]
2SD199 50199
2SD199 , 0,1A, 0,4 Вт — NPN [Panasonic]
2SD1994A		2SD1994A — 50 В, 1,0 A, 1 Вт — NPN (2SB1322A) [Panasonic]
2SD1997	2SD1997	2SD1997	2SD1997	, 3,0 A, 1,5 Вт — PNP / NPN () [Sanyo]

BC…
BC107		BC107, BC108, BC109 — 45/25 / 20V, 100mA, 300mW, TO-18 — NPN (BC177 / 178/179) [CDIL]
BC199	BC177 — 45 В, 100 мА, 300 мВт, TO-18 — PNP (BC107) [Philips]
BC177		BC177, BC178, BC179 — 45/25/20 В, 100 мА, 300 мВт, TO-18 — PNP (BC107 / 108/109) [CDIL]
BC327		BC327, BC327-16, BC327-25, BC327-40 — 45 В, 800 мА, 625 мВт, TO-92 — PNP (BC337) [ON Полупроводник]
BC337		BC337, BC337-25, BC337-40 — 45 В, 800 мА, 625 мВт, TO-92 — NPN (BC327) [ON Semiconductor]
BC546
BC549		BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 — 65 / 45/30 В, 100 мА, 50 0 мВт, TO-92 — NPN (BC556, BC557, BC558) [Fairchild]
BC639		BC639, BCP56, BCX56 — 80V, 1.0A, 1W, TO-92 / SOT223 / SOT89 — NPN (BC640 / BCP53 / BCX53) [NXP]
BC640		BC640 — 80V, 1.0A, 1W, TO-92 — PNP (BC639) [ Fairchild]
BC640-016		BC640-016 — 80 В, 1,0 А, 1 Вт, TO-92 — PNP (BC639) [ON Semiconductor]
BC846		BC847 — / 45 В, 100 мА, 0,2 Вт, SOT323 — NPN + PNP [Infineon]
BCP53		BCP53 — 80 В, 1.5A, 1,5 Вт, SOT223 — PNP (BCP56) [ON Semiconductor]
BCP56		BCP56, BCX56, BC56PA — 80 В, 1,0 A, 1 Вт, SOT223 / SOT89 / SOTCP1061 — PNX (BCP53 / ) [NXP]
BCV61		BCV61 — 30 В, 100 мА, 0,3 Вт, SOT143 — NPN «» (BCV62) [Infineon]
BCV62		BCV62 — , SOT143 — PNP «» (BCV61) [Infineon]
BCX20		BCX20 [U2] — 30 В, 800 мА, 310 мВт, SOT23 — NPN [NXP]
		9019 9019..
BD179		BD179 — 80V, 3A, 30W, TO-225 — NPN (BD180) [ON Semiconductor]
BD180
BD239		BD239, BD239A, BD239B, BD239C — 45/60/80 / 100V, 2A, 30W, TO-220 — NPN (BD240) ]
BD240		BD240, BD240A, BD240B, BD240C — 45/60/80 / 100V, 2A, 30W, TO-220 — PNP (BD239) [Bourns]

BD242		BD242, BD242C, BD242C, BD242C — 45 / BD242C 60/80/100 В, 3 А, 40 Вт, TO-220 — PNP (BD241) [Bourns]
BD243		BD243, BD243A, BD243B, BD243C — 45/60/80/100 В /, 6.0A, 65 Вт, TO-220 — NPN (BD244) [Bourns]
BD243		BD243, BD243A, BD243B, BD243C — 45/60/80 / 100V /, 6.0A, 65 Вт, TO-220 — NPN (BD244) [Fairchild]
BD244		BD244, BD244A, BD244B, BD244C — 45/60/80/100 В /, 6,0 А, 65 Вт, TO-220 — PNP (BD243) [Bourns]
BD244		BD244, BD244A, BD244B, BD244C — 45/60/80 / 100V /, 6.0A, 65W, TO-220 — PNP (BD243) [Fairchild]
BDC	BD243C, BD244C 100 В /, 6.0A, 65 Вт, TO-220 — NPN / PNP () [ST]

MJE …
MJE340		MJE340, 20 300 Вт, 0,5 NPA (MJE350) [ON Semiconductor]
MJE350		MJE350 — 300 В, 0,5 A, 20 Вт — PNP (MJE340) [ON Semiconductor]
MJE195730
MJE195730
MJE5850		MJE5850, MJE5851, MJE5852 — 300/350/400 В, 8A, 80 Вт — полупроводник ]
MJE13001		MJE13001 — 400 В, 0.2A, 0,5 Вт — NPN [UTC]
MJE13002		MJE13002 — 300 В, 1,5 A, 40 Вт — NPN [UTC]
MJE13003		— 400WE1300 MJE1300,			MJE1300 [ON Semiconductor]
MJE13005		MJE13005 — 400 В, 4,0 A, 75 Вт — NPN [ON Semiconductor]
MJE13007	80196 NPT	MJE13007	80196 NPN	MJ
MJE13007		MJE13007, MJF13007 — 400 В, 8 А, 80/40 Вт — NPN [Motorola]
MJE13009		MJE13009		NPT, 100191	MJE13009, 100191	MJE13009, 400 В — 400В
СОВЕТ…
TIP29		TIP29, TIP29A, TIP29B, TIP29C — 40/60/80/100 В, 1 А, 30 Вт — NPN (TIP30) [Fairchild]
TIP30
TIP31		TIP31A, TIP31C — 60/100 В, 3A, 40 Вт, TO-220 — NPN (TIP32) [Fairchild]
TIP32		TIP32, TIP32A, TIP32C — 40/60/100 В, 3A, 40 Вт, TO-220 — PNP (TIP31) [Fairchild]
TIP	TIP41A, TIP41B, TIP42C — 60/80 / 100V, 6A, 65W, TO-220 — NPN (TIP42) [Fairchild]
TIP42		TIP42, TIP42C — 40 / 100V, 6A, 65W, TO-220 — PNP (TIP41) [Fairchild]
TIP47		TIP47, TIP48, TIP50 — 250/300/400 В, 1.0A, 40 Вт, TO-220 — NPN (MJE5730 / MJE5731 / MJE5731A) [ON Semiconductor]
TIP49		TIP47, TIP48, TIP49, TIP50 — 250/300/350/400 В, 1.0A, 40 Вт TO-220 — NPN (MJE5730 / MJE5731 / MJE5731A) [Fairchild]
TIP130		TIP130, TIP131, TIP132, TIP135, TIP136, TIP137 — 60/80 / 100W, NPA 70/80 / 100W — Mospec]
TIP130		TIP130, TIP131, TIP132, TIP135, TIP136, TIP137 — 60/80 / 100 В, 8A, 70 Вт — NPN / PNP [CDIL]
TIP132		TIP132, TIP135, TIP137 — 60 / 100V, 8A, 70W — NPN / PNP
TIP140		TIP140, TIP141, TIP142 — 60/80 / 100V, 10A, 125W — NPN [ON Semiconductor]
TIP140		TIP140, TIP141, TIP142 — 60/80/100 В, 10 А, 125 Вт — NPN [Fairchild]
TIP140T		TIP140T, TIP141T, TIP142T — 60/80, 100chW, 10N ]
TIP145		TIP145, TIP146, TIP147 — 60/80 / 100 В, 10 А, 125 Вт — PNP [Fairchild]

ZT…
ZTX552		ZTX552, ZTX553 — 80/100 В, 1,0 А, 1 Вт — PNP [Zetex]
ZTX558		ZTX558		ZVTX — 400 мА — 200 мА
ZTX955		ZTX955 — 140 В, 3,0 A, 1 Вт — PNP [Zetex]
ZTX956		ZTX956 — 200 В, 2,06 Zetex, 1 Вт —	PNP			ZTX957		ZTX957 — 300 В, 1,0 А, 1 Вт — PNP [Zetex]
ZTX1051A		ZTX1051A — 40 В, 4,0 А, 1 Вт — NPN [Zetex]


	ZTX1051A — 40 В, 4,0 A, 1 Вт — NPN [Zetex]
ZTX1055A		ZTX1055A — 120 В, 3,0 A, 1 Вт — NPN [Zetex]
ZTX1056A	ZTX1056A
ZTX1056A , 3,0А, 1Вт — NPN [Zetex]

SS9014 Распиновка биполярного NPN-транзистора, аналог, характеристики и техническое описание

SS9014 Конфигурация выводов транзистора

Контактный №	Имя контакта	Описание
1	Излучатель	Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей
2	База	Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора
3	Коллектор	Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке

Характеристики

Предварительный усилитель, низкоуровневый, малошумящий NPN-транзистор
Коэффициент усиления по току (hFE), от 60 до 1000 (хорошая линейность)
Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 100 мА
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 45 В
Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет 50 В
(VBE0) составляет 5 В
Частота перехода 150 МГц
Доступен в пакете К-92

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных в конце этой страницы.

Дополнительный PNP для SS9014

SS9015

SS9014 Эквивалентные транзисторы

КСП06, КСП42, MPSA42, MPSW06

Альтернативные NPN транзисторы

BC549, BC636, BC639, BC547, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200,2N551

Где использовать транзисторы SS9014?

SS9014 — низкосигнальный и малошумящий NPN-транзистор с хорошим значением hfe до 1000 и высокой линейностью, что делает этот транзистор идеальным выбором для разработки усилителей звуковой частоты (AF) или предварительных усилителей.Этот NPN-транзистор также имеет встречный PNP-транзистор ( SS9015 ), который можно использовать для разработки усилителя класса B в двухтактной конфигурации. Он также имеет хорошее рассеивание коллектора (рассеиваемую мощность) 0,4 Вт для динамиков драйвера приличного номинала.

Транзистор имеет очень низкий ток коллектора — 100 мА, поэтому его не рекомендуется использовать для коммутации или управления цепями. Я лично обнаружил, что эти транзисторы используются в беспроводных камерах наблюдения и небольших игровых консолях, где требуется предварительное усиление звука.

Как использовать транзисторы SS9014?

SS9014 обычно используется для создания предусилителя, но вы можете спроектировать свою схему в соответствии с вашими требованиями. Чтобы создать предварительный усилитель с использованием транзистора, нам нужно выбрать транзистор с низким сигналом и низким уровнем шума, с хорошим значением hfe и рассеянием коллектора. Похоже, что SS9014 удовлетворяет всем этим параметрам. Типичная схема предварительного усилителя с использованием SS9014 показана ниже.

Значения резисторов R1, R2, R3 и R4 можно рассчитать, используя значения Vcc, Hfe и Ic.Некоторые полезные формулы для расчета приведены ниже

Ib = Ic / hfe R1 = 1 / 2Vcc / 0,005 R2 = 1 / (Ic + Ib)

Вы можете найти руководство по проектированию для создания собственной схемы по данной ссылке.

Приложения

Предусилители AF
Используется как усилитель класса B
Сценическое звуковое оборудование с низким уровнем шума
Двухтактные схемы

2D Модель SS9014

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

Транзистор PNP | Учебное пособие по BJT-транзисторам

Транзистор PNP
Транзистор PNP — полная противоположность устройству NPN Transistor , которое мы рассматривали в предыдущем руководстве. По сути, в этом типе конструкции транзистора два диода перевернуты по отношению к типу NPN, что дает положительную-отрицательно-положительную конфигурацию, при этом стрелка, которая также определяет вывод эмиттера, на этот раз указывает внутрь в символе транзистора.
Кроме того, все полярности для транзистора PNP поменяны местами, что означает, что он «втягивает» ток в свою базу, в отличие от транзистора NPN, который «истекает» током через свою базу. Основное различие между двумя типами транзисторов заключается в том, что дырки являются более важными носителями для транзисторов PNP, тогда как электроны являются важными носителями для транзисторов NPN. Затем транзисторы PNP используют небольшой базовый ток и отрицательное базовое напряжение для управления гораздо большим током эмиттер-коллектор.Другими словами, для транзистора PNP эмиттер более положительный по отношению к базе, а также по отношению к коллектору.
Конструкция «транзистора PNP» состоит из двух полупроводниковых материалов P-типа по обе стороны от материала N-типа, как показано ниже.
Конфигурация транзистора PNP
(Примечание: стрелка определяет эмиттер и условный ток, «вход» для PNP-транзистора.)
Конструкция и напряжение на клеммах NPN-транзистора показаны выше.PNP-транзистор имеет очень похожие характеристики со своими биполярными собратьями NPN, за исключением того, что полярности (или смещение) направлений тока и напряжения меняются местами для любой из трех возможных конфигураций, рассмотренных в первом руководстве, Common Base, Common Эмиттер и общий коллектор.
Напряжение между базой и эмиттером (V _BE) теперь отрицательное на базе и положительное на эмиттере, потому что для транзистора PNP клемма базы всегда смещена отрицательно по отношению к эмиттеру.Также напряжение питания эмиттера является положительным по отношению к коллектору (V _CE). Таким образом, для PNP-транзистора эмиттер всегда более положительный по отношению как к базе, так и к коллектору.
Источники напряжения подключены к транзистору PNP, как показано. На этот раз эмиттер подключен к источнику питания V _CC с нагрузочным резистором RL, который ограничивает максимальный ток, протекающий через устройство, подключенное к клемме коллектора. Базовое напряжение V _B, которое смещено отрицательно по отношению к эмиттеру и подключено к базовому резистору R _B, который снова используется для ограничения максимального тока базы.
Чтобы ток базы протекал через транзистор PNP, база должна быть более отрицательной, чем эмиттер (ток должен выходить из базы) примерно на 0,7 В для кремниевого устройства или 0,3 В для германиевого устройства с формулами, используемыми для расчета Базовый резистор, Базовый ток или Коллекторный ток такие же, как те, которые используются для эквивалентного NPN-транзистора, и обозначены как.
Как правило, транзистор PNP может заменить транзисторы NPN в большинстве электронных схем, единственная разница заключается в полярности напряжений и направлениях тока.Транзисторы PNP также можно использовать в качестве переключающих устройств, и пример транзисторного переключателя PNP показан ниже.
Схема транзистора PNP
Кривые выходных характеристик для PNP-транзистора очень похожи на кривые для эквивалентного NPN-транзистора, за исключением того, что они повернуты на 180 ^o, чтобы учесть напряжения и токи обратной полярности (токи, текущие из базы и коллектор в транзисторе PNP отрицательны). Та же самая линия динамической нагрузки может быть нанесена на ВАХ, чтобы найти рабочие точки PNP-транзисторов.
Согласование транзисторов
Вы можете подумать, какой смысл иметь транзистор PNP , когда доступно множество транзисторов NPN, которые можно использовать в качестве усилителя или твердотельного переключателя ?. Что ж, наличие двух разных типов транзисторов «PNP» и «NPN» может быть большим преимуществом при разработке схем усилителя, таких как Class B Amplifier , который использует «комплементарные» или «согласованные пары» транзисторы в своем выходном каскаде или в Реверсивные схемы управления двигателем H-Bridge , в которых мы хотим равномерно контролировать поток тока в обоих направлениях.
Пара соответствующих транзисторов NPN и PNP с почти идентичными характеристиками друг другу называется Комплементарные транзисторы , например, TIP3055 (транзистор NPN) и TIP2955 (транзистор PNP) являются хорошими примерами кремниевых силовых транзисторов с комплементарной или согласованной парой. Оба они имеют коэффициент усиления постоянного тока, бета, (Ic / Ib), согласованный с точностью до 10%, и высокий ток коллектора около 15 А, что делает их идеальными для общего управления двигателями или роботизированных приложений.
Кроме того, усилители класса B используют дополнительные NPN и PNP в конструкции выходного каскада мощности.Транзистор NPN проводит только положительную половину сигнала, а транзистор PNP проводит отрицательную половину сигнала. Это позволяет усилителю передавать требуемую мощность через громкоговоритель нагрузки в обоих направлениях с заявленным номинальным сопротивлением и мощностью, что приводит к выходному току, который, вероятно, будет порядка нескольких ампер, равномерно распределенных между двумя комплементарными транзисторами.
Идентификация транзистора PNP
В первом уроке этого раздела, посвященном транзисторам, мы видели, что транзисторы в основном состоят из двух диодов , соединенных вместе.Мы можем использовать эту аналогию, чтобы определить, относится ли транзистор к типу PNP или NPN, проверив его сопротивление между тремя разными выводами: эмиттером, базой и коллектором. Тестирование каждой пары выводов транзистора в обоих направлениях с помощью мультиметра приведет в общей сложности к шести тестам с ожидаемыми значениями сопротивления в Ом, указанными ниже.
1. Клеммы эмиттер-база — эмиттер-база должны работать как обычный диод и проводить только в одном направлении.
2. Клеммы коллектор-база — переход коллектор-база должен действовать как обычный диод и проводить только в одном направлении.
3. Клеммы эмиттер-коллектор — эмиттер-коллектор не должен вести ни в одном направлении.
Значения сопротивления транзистора для транзистора PNP и транзистора NPN
Между выводами транзистора PNP НПН
Коллектор Излучатель R _{ВЫСОКАЯ} R _{ВЫСОКАЯ}
Коллектор База R _НИЗКИЙ R _{ВЫСОКАЯ}
Излучатель Коллектор R _{ВЫСОКАЯ} R _{ВЫСОКАЯ}
Излучатель База R _НИЗКАЯ R _{ВЫСОКАЯ}
База Коллектор R _{ВЫСОКАЯ} R _НИЗКАЯ
База Излучатель R _{ВЫСОКАЯ} R _НИЗКАЯ
Тогда мы можем определить транзистор PNP как обычно «ВЫКЛ.

Между выводами транзистора		PNP	НПН
Коллектор	Излучатель	R _{ВЫСОКАЯ}	R _{ВЫСОКАЯ}
Коллектор	База	R _НИЗКИЙ	R _{ВЫСОКАЯ}
Излучатель	Коллектор	R _{ВЫСОКАЯ}	R _{ВЫСОКАЯ}
Излучатель	База	R _НИЗКАЯ	R _{ВЫСОКАЯ}
База	Коллектор	R _{ВЫСОКАЯ}	R _НИЗКАЯ
База	Излучатель	R _{ВЫСОКАЯ}	R _НИЗКАЯ

В чем различие между PNP и NPN транзистором?

PNP транзистор. Устройство и принцип работы, схема подключения

Обозначение на схеме PNP транзистора

Устройство PNP транзистора

Принцип работы PNP транзистора

Ключ на биполярном транзисторе. Нагрузочная прямая.

Расчет ключа на биполярном транзисторе.<img src='/800/600/https/ae01.alicdn.com/kf/HTB1jbuNav2H8KJjy0Fcq6yDlFXag/20PCS-SS8050D-S8050-8050-TO-92-NPN-Transistor.jpg' />

Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы. Справочник.

Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным.<img src='/800/600/https/opt-467998.ssl.1c-bitrix-cdn.ru/upload/iblock/cb9/cb925f2378cd5573197458814a974684.jpg?15874167545581' /> Импортные аналоги.

На главную страницу || Карта сайта

Справочник транзисторов маломощных биполярных.

Справочник транзисторов средней мощности высокочастотных, биполярных.

Справочник полевых транзисторов отечественных.

Справочник отечественных smd транзисторов .

Каталог MOSFET транзисторов .

Использование справочных данных транзисторов для расчета ключевой схемы с резистивной нагрузкой.

Использование справочных данных транзистора для расчета ключевой схемы с индуктивной нагрузкой.

От составителя:

Содержание:

Транзистор [База знаний]

Транзистор. Определение, обозначение на схемах, принцип работы, основные характеристики

Теория

КОМПОНЕНТЫ

ARDUINO

RASPBERRY

ИНТЕРФЕЙСЫ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ

Биполярный транзистор

Полевой транзистор (униполярный)

Введение в транзисторы NPN — инженерные проекты

Введение в NPN-транзистор

Принципиальная схема

Рабочий

Коэффициенты усиления по току и соотношение между ними

Конфигурации транзистора NPN

Кривая выходных характеристик NPN-транзистора

Разница между транзисторами NPN и PNP

Приложения

:

SS9014 Распиновка биполярного NPN-транзистора, аналог, характеристики и техническое описание

SS9014 Конфигурация выводов транзистора

Характеристики

Дополнительный PNP для SS9014

SS9014 Эквивалентные транзисторы

Альтернативные NPN транзисторы

Где использовать транзисторы SS9014?

Как использовать транзисторы SS9014?

Приложения

2D Модель SS9014

Транзистор PNP | Учебное пособие по BJT-транзисторам

Конфигурация транзистора PNP

Схема транзистора PNP

Согласование транзисторов

Идентификация транзистора PNP

Значения сопротивления транзистора для транзистора PNP и транзистора NPN

Читайте также

Что делать, если грудничок не спит днем: советы по налаживанию режима сна

Антигистаминные препараты для новорожденных: лечение и профилактика аллергии у грудничков

Методика «Цветоник» М. Лазарева для музыкального развития детей

Добавить комментарий Отменить ответ

Расчет ключа на биполярном транзисторе.

Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным. Импортные аналоги.