Полупроводниковый триод: Полупроводниковый триод | Шаг за шагом

Содержание

Полупроводниковый триод | Шаг за шагом

Мы уже знакомились с устройством полупроводникового диода (Как работает диод). В нем есть две примыкающие друг к другу зоны полупроводникового материала: зона со свободными положительными зарядами (зона р) и зона со свободными электронами (зона n). Область между этими зонами называется рn-переходом.

В полупроводниковом триоде также имеются зоны с различной проводимостью, но не две зоны, как в диоде, а три.

Из нескольких типов выпускаемых в настоящее время транзисторов наиболее широкое распространение получили плоскостные германиевые транзисторы типа р-n-р. Основой такого транзистора является кристалл германия, в котором имеется некоторое количество свободных электронов (зона n). В двух местах в этот кристалл вкраплены мельчайшие кусочки металла индия (лист 100). В местах соприкосновения с индием в кристалле германия появляется некоторое количество свободных положительных зарядов. Таким образом, в полупроводниковом триоде по краям зоны n образуются две зоны

р, а значит, и два рn-перехода, и поэтому полупроводниковый триод типа р-n-р можно рассматривать как два плоскостных диода с общей зоной n. В плоскостных диодах, так же как и в транзисторах, рn-переход создается путем вкрапления индия в германий.

Один из кусочков индия с прилегающей к нему зоной р получил название «эмиттер» («выбрасывающий заряды»), другой — «коллектор» («собирающий заряды»), а сам кристалл германия называется базой (иногда основанием) триода.

Корпус транзистора обычно выполняют из металла или пластмассы. Из корпуса через миниатюрные стеклянные или керамические изоляторы выходят три тонкие проволоки: выводы коллектора, эмиттера и базы (лист 101).

При использовании транзистора в усилительном каскаде между базой и коллектором включают батарею (ее напряжение обычно составляет несколько вольт), которая и дает энергию, необходимую для получения усиленного сигнала (лист 102, рис. 59). «Плюс» этой батареи соединяют с базой, а «минус» — с коллектором. Таким образом,

рn-переход между основанием и коллектором (коллекторный переход) фактически представляет собой диод, включенный в «обратном» направлении, то есть почти не пропускающий тока.

На эмиттер, наоборот, подают небольшое (обычно десятые доли вольта) положительное напряжение, и поэтому рn-переход между эмиттером и базой (эмиттерный переход) фактически представляет собой диод, включенный в прямом направлении, то есть хорошо пропускающий ток.

Но оба эти рn-перехода (эмиттерный и коллекторный) нельзя рассматривать как два отдельных, изолированных друг от друга полупроводниковых диода, так как они имеют общую зону — кристалл германия. Поэтому, когда появляется ток в цепи эмиттера, то одновременно с этим возникаетхок и в цепи коллектора: почти все положительные заряды, попадающие из эмиттера в базу, «просачиваются» сквозь него (это явление называется диффузией), попадают в коллекторный

pn-переход и сразу же начинают двигаться к коллектору под действием отрицательного напряжения на нем. Это напряжение помогает положительным зарядам легко преодолеть сопротивление коллекторного рn-перехода. Вы, очевидно, не забыли, что коллекторный переход — это диод, включенный в обратном направлении, то есть обладающий большим сопротивлением! Более того, если в цепь коллектора включить какое-нибудь сопротивление (сопротивление нагрузки), то коллекторный ток, затратив часть энергии, полученной от батареи, преодолеет и это сопротивление, выделив на нем соответствующую мощность.

Переменное напряжение, которое нужно усилить, например, переменное напряжение ВЧ, действующее на контуре, или переменное напряжение НЧ, которое можно получить с детектора, подводится к полупроводниковому триоду таким образом, чтобы оно действовало между эмиттером и базой и управляло бы величиной тока в эмиттерном переходе. При этом под действием усиливаемого переменного напряжения изменяется ток эмиттерного перехода, то есть изменяется и количество положительных зарядов, которые из эмиттера попадают в базу, а оттуда переходят в цепь коллектора.

Таким образом, точно следуя за всеми изменениями усиливаемого сигнала, изменяется коллекторный ток — появляется «мощная копия» усиливаемого сигнала. Энергия на создание этой «мощной копии» получена от коллекторной батареи, а роль эмиттерного перехода сводится лишь к тому, чтобы «поставлять» положительные заряды, необходимые для образования коллекторного тока, и регулировать количество «поставляемых» зарядов в соответствии с изменениями усиливаемого сигнала.

Поскольку эмиттерный переход включен в прямом направлении, то необходимый ток эмиттерной цепи, то есть необходимое количество движущихся зарядов, удается получить при небольших усиливаемых напряжениях.

Как видите, транзистор никакого мощного, усиленного сигнала не дает. Если уж говорить об электрической мощности, то она выделяется на сопротивлении нагрузки лишь только потому, что это сопротивление подключено к батарее с достаточно большой э.д.с. Но если бы мы просто подключили нагрузку к батарее, то в цепи протекал бы обычный постоянный ток. Только потому, что вместе с нагрузкой мы подключили к батарее транзистор, у нас появилась возможность управлять током, который проходит через нагрузку, и, изменяя его по «образцу» — входному сигналу, — получать «мощную копию» этого сигнала. Используя транзисторы, можно построить сравнительно простые детекторные приемники (лист 102), где транзистор не только усиливает, но и детектирует сигнал. Число витков той части контурной катушки L

к, которая подключается к триоду, так же как и число витков катушки связи Lсв, обычно не превышает 10-20.

Транзистор позволяет управлять током самым простым путем — с его помощью мы просто изменяем количество зарядов, которые попадают с базы в коллекторную цепь и могут участвовать в создании тока через нагрузку.

Управлять этим током можно и иначе, например так, как это делается в электронной лампе.

Полупроводниковый триод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Полупроводниковый триод

Cтраница 1

Полупроводниковые триоды, называемые также транзисторами, представляют собой трехэлектродные приборы, обладающие, подобно электронным лампам, усилительными свойствами.  [1]

Полупроводниковый триод, называемый также транзистором, представляет собой пластинку, состоящую из полупроводников двух различных проводимостей, которые образуют три зоны. Крайние зоны обладают проводимостью одного рода, а средняя зона — проводимостью другого рода.  [3]

Полупроводниковый триод включается в схему для усиления таким образом, что образуются две цепи — входная, или управляющая цепь и выходная, или управляемая цепь.  [5]

Полупроводниковые триоды ( транзисторы) служат для преобразования электрических сигналов и, в частности для усиления сигналов по мощности. Усилительные свойства транзисторов обусловлены наличием в них двух p — n — переходов, создаваемых в монокристаллической пластинке полупроводника.  [6]

Полупроводниковые триоды ( транзисторы) служат для преобразования электрических сигналов и, в частности, для усиления сигналов по мощности. Усилительные свойства транзисторов обусловлены наличием в них двух — — переходов, создаваемых в монокристаллической пластинке полупроводника. Следовательно, они имеют не две, как у диодов, а три области с определенным типом проводимости. В соответствии с этим переход между эмиттером и базой называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Если сравнить транзистор с электронной лампой, то база выполняет роль управляющей сетки, эмиттер — роль катода, а коллектор — анода.  [7]

Полупроводниковый триод по существу представляет собой электрический четырехполюсник. В рассматриваемом случае его база является общей клеммой для входа и выхода.  [9]

Полупроводниковый триод как элемент электрической схемы для случая медленных изменений его токов полностью описывается статическими вольт-амперными характеристиками.  [10]

Полупроводниковый триод характеризуется конечным, часто весьма небольшим, входным сопротивлением.  [12]

Полупроводниковые триоды в отличие от электронных ламп не выдерживают даже мгновенных перенапряжений.  [13]

Полупроводниковый триод, работающий в ключевом режиме ( в дальнейшем такой триод будем называть просто ключом), может быть включен по любой из возможных схем: с общей базой, с общим эмиттером или с общим коллектором.  [14]

Полупроводниковые триоды — транзисторы обладают меньшими размерами и весом, большей экономичностью в потреблении электроэнергии, значительной механической прочностью и большим сроком службы по сравнению с вакуумными электронными лампами, кроме того, они отличаются по многим физическим свойствам. Например, участок катод — анод лампы представляет собой вакуумный диод, находящийся в открытом состоянии. Участки база-коллектор или эмиттер-коллектор представляют собой полупроводниковые диоды в закрытом состоянии.  [15]

Страницы:      1    2    3    4    5

Полупроводниковые триоды (транзисторы) — Энциклопедия по машиностроению XXL

В настоящее время в различных устройствах автоматического управления используются полупроводниковые приборы, и в частности полупроводниковые триоды (транзисторы), заменяющие электронные лампы. Транзисторы имеют срок службы, во много раз больший, чем у электронных ламп, и очень небольшие размеры.  
[c.123]

Электронные усилители. Транзисторы. Сплавные, плоскостные, полупроводниковые триоды. Конструкция полупроводниковых триодов — транзисторов. Полупроводниковые усилители.  [c.319]


Полупроводниковые триоды (транзисторы). Полупроводниковый триод представляет собой пластинку из кремния или германия, состоящую из трех областей. Две крайние области всегда обладают одинаковым типом проводимости, а средняя противоположной проводимостью. Триоды, у которых средняя область обладает электронной проводимостью, называются триодами типа р— п—р триоды, у которых средняя область обладает дырочной проводимостью — триодами типа п—р—п. Физические процессы, происходящие в триодах двух типов, аналогичны.  
[c.47]

Полупроводниковый триод, транзистор Трансформатор, автотрансформатор  [c.141]

Полупроводниковые триоды (транзисторы) 305  [c.305]

Полупроводниковые триоды (транзисторы)  [c.305]

Полупроводниковый триод (транзистор) является усилителем, подобным электронной лампе-триоду, т. е. он позволяет посредством малых изменений электрической величины (мощности, напряжения, тока) на входе прибора вызывать значительные изменения соответствующей электрической величины на выходе прибора.  [c.77]

РИС. 72. Принцип действия полупроводникового триода (транзистора)  [c.248]

Полупроводниковые триоды (транзисторы). Если к диодной р—п-структуре добавить область с дырочной или электронной проводимостью, то образуется транзисторная р—п—р или п—р—п-структура с двумя переходами, обладающая усилительными свойствами. Основные элементы транзисторной структуры  [c.12]

Логические схемы на триодах. При построении Л. с. применяются как ламповые, так и полупроводниковые триоды транзисторы). Условные обозначе-  [c.10]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТРИОД (транзистор) — трехэлектродный полупроводниковый прибор, по назначению и характеристикам сходный с усилительной электронной лампой. П. т. представляет собой систему двух близко расположенных друг от друга р—п-переходов в одном монокристалле полупроводника, на один из к-рых подано смещение в запорном, на другой — в прямом направлениях.  [c.123]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬ — усилитель электрич. сигналов, в к-ром усилит, элементом являются полупроводниковые приборы полупроводниковые триоды (транзисторы), параметрические полупроводниковые диоды и туннельные диоды. Т. к. эти приборы существенно отличаются друг от друга принципом действия, то П. у. (в отличие от ламповых усилителей) не имеют единой теории, и в каждом отдельном случае анализ, расчет и методы построения схем существенно различны.  [c.127]

В элементах серии ЭТ в качестве активных усилительных элементов используются полупроводниковые триоды — транзисторы. Серия ЭТ состоит из четырех групп элементов логические и функциональные элементы, усилители и источники питания.  [c.52]


Для полупроводниковых триодов (транзисторов) на входе требуется очень малое напряжение, так как управляющий контур усилителя имеет по сравнению с лампами малое сопротивление. Транзисторы не требуют накала, они очень надежны в работе и имеют практически неограниченный срок эксплуатации.  [c.302]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРИОДЫ (ТРАНЗИСТОРЫ) Основные понятия  [c.714]

На рис. 9 приведена схема мультивибратора, собранного на двух полупроводниковых триодах (транзисторах). Этот генератор представляет собой двухкаскадный усилитель, у которого сигнал с выхода (коллектора) одного триода, например Т, подается на вход (базу)  [c.25]

Полупроводниковые триоды (транзисторы). Выше были рассмотрены принцип действия, конструкция и параметры неуправляемых вентилей — полупроводниковых приборов на основе двухслойной структуры с одним р-га-переходом. В отличие от диодов триоды имеют два р-ге-перехода и выполнены на основе трехслойной р-п-р(га-р-га)-структуры.  [c.146]

Триод полупроводниковый — см. транзистор.  [c.160]

Транзистор. Транзистор, или полупроводниковый триод, был изобретен в 1948 г. По способу изготовления транзистор очень мало отличается от полупроводникового диода.  [c.159]

Генераторы электроимпульсных станков часто выполняют на транзисторах (полупроводниковых триодах). Они могут работать на высоких напряжениях (до 150 В), больших токах (до 5—10 А на один транзистор). Преимуществом таких генераторов является высокая частота следования импульсов, малая их продолжительность и низкая скважность. Все это обеспечивает высокую производительность при достаточной точности и малой шероховатости поверхности.  [c.152]

Транзисторы (полупроводниковые триоды) предназначаются для усиления, генерирования и переключения токов. Использование транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре повышает ее к. п. д., экономичность, надежность и срок службы. Аппаратура на транзисторах малогабаритна. Однако значительный разброс параметров, а также зависимость параметров и режимов работы транзисторов от температуры, в некоторых случаях ограничивает область их применения.  [c.247]

Далее необходимо отметить разработку виброметров с усилителями на транзисторах и автономным питанием. Достоинство этих приборов — малые габариты и вес, большая надежность. Приборы очень удобны при измерениях вибраций во многих точках агрегатов, фундаментов и т. п. Виброметр с усилителем на полупроводниковых триодах типа ВИП-1 имеет габариты 200 X 140 X X 70 мм и вес 2,4 кг. Комплект батарей рассчитан на 100 ч непрерывной работы. Прибор обеспечивает нормальную работу при  [c.531]

Зачастую рещаемая задача требует применения нелинейных элементов повышенной стабильности. Более подробно об этом будет идти речь в гл. XVI. Здесь рассмотрим схему такого элемента, в которой наряду с полупроводниковыми триодами используются операционные усилители в интегральном исполнении. Элемент обладает надежностью, минимальными габаритами, простотой перестройки функции и удобно согласуется с другими элементами моделирующих установок [203]. Устройство (рис. 29) состоит из операционных усилителей У/, У2, УЗ, транзисторов Т1, Т2 и резисторов, участвующих в управлении.  [c.108]

Полупроводниковый триод, называемый транзистором (рис. 77, б), состоит из полупроводниковой пластинки — базы (например, германия или кремния) и двух наплавленных капель, образующих две зоны проводимости. Тот электрод от капли, к которому подводится напряжение, называется эмиттером, а другой, с которого снимается напряжение, называется коллектором. Управление проводимостью транзистора осуществляется при помощи тока, подводимого к базе. Транзисторы можно применять для усиления или прерывания тока в цепи.  [c.127]

Рис, 77. Полупроводниковые приборы а — диод б — триод (транзистор)  [c.127]

В САУ нашли широкое применение также полупроводниковые усилители на базе триод-транзисторов, которые позволяют усиливать мощность и силу тока подаваемых сигналов, а также тиристорные преобразователи-усилители. Применение последних обеспечивает плавность пусковых режимов, повышение КПД, снижение массы и габаритов аппаратуры.  [c.105]

Транзисторы (полупроводниковые триоды) изготовляют на основе германия или кремния. Они предназначаются для усиления, генерирования и переключения токов. Использование транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре повышает ее К- п. д., экономичность, надежность  [c.151]


Полупроводниковые приборы — кристаллические диоды и триоды (транзисторы) — в схемах электроавтоматики во мно-40  [c.40]

Полупроводниковые триоды, называемые также транзисторами, нашли широкое применение в схемах автоматических защитных противокоррозионных установок. На  [c.60]

Полупроводниковые триоды изготовляют из монокристалла германия или кремния, который путем введения в него акцепторных и донорных примесей превращают в трехслойную структуру с чередующимися проводимостями р — п — р (рис. 24,а). В структуре типа р — п — р исходный монокристалл имеет п-проводимость, а концентрация акцепторной примеси в наружных слоях превышает в 100—1000 раз концентрацию исходной донор-ной проводимости. В транзисторах со структурой п—р—п исходный монокристалл обладает р-проводимостью, а наружные слои его вводят донорные примеси.  [c.60]

Электронные (электровакуумные и полупроводниковые) усилители на основе триодов, транзисторов, тиристоров и т. п. также широко используются в автоматике.  [c.184]

Транзистор (полупроводниковый триод) представляет собой пластину полупроводника, в которой между двумя областями с однотипной электропроводностью имеется область электропроводности противоположного типа. От этих трех областей сделаны три вывода, получившие название вход (эмиттер), выход (коллектор) и общий электрод (база). Током в цепи коллектора можно управлять при помощи изменений напряжения и тока в цепи эмиттера, т. е. получать явление, аналогичное зависимости анодного тока трехэлектродной электронной лампы от напряжения на сетке. Однако входное сопротивление кристаллических триодов, как правило, в сотни раз меньше выходного (цепи нагрузки), т. е. обратно соотношениям в обычных электронных лампах.  [c.337]

Полупроводниковые приборы. В системе электрооборудования автомобиля применяют полупроводниковые приборы — диоды и триоды (транзистор). Полупроводниковый диод обладает свойством пропускать ток в одном направлении. Диод (рис. 73, а) состоит из пластинки германия или кремния, в которую вплавлена капелька алюминия или индия. На границе между ними образуется переходный слой, имеющий одностороннюю проводимость. Такие диоды применяют в качестве выпрямителей переменного тока.  [c.113]

Транзистор, или полупроводниковый триод, имеет базу, т. е. миниатюрную пластинку из полупроводника (германия или крем-  [c.104]

Полупроводниковые триоды, или транзисторы, основаны на использовании полупроводников — материалов, занимающих по некоторым своим свойствам среднее положение между металлическими проводниками и диэлектриками. В полупроводниках переносчиками электрических зарядов, так же как и в металлах, являются электроны. Но сам процесс переноса происходит по-другому. Наряду с электронной проводимостью, здесь может существовать так называемая дырочная проводимость.  [c.100]

Наиболее распространенными и массовыми полупроводниковыми приборами являются диоды и триоды (транзисторы), изготавливаемые из кремния и германия. Они содержат один или несколько р— -переходов. Для создания р—п-перехода нужно получить контакт между электронным и дырочным полупроводником без нарушения непрерывности кристаллической решетки.  [c.246]

Транзисторы представляют собой полупроводниковые триоды, служащие для усиления или коммутации электрического тока. Различают точечные и плоскостные транзисторы с электронной (п-р-п) м дырочной (р-п-р) проводимостью. Для схем коммутации обычно применяют плоскостные транзисторы с дырочной проводимостью (например, типов МП 13, МП 14, МП 16 и подобные).  [c.66]

Полупроводниковый прибор с р-я-переходом работает как выпрямитель (диод). На практике большое применение нашли также многие другие, более сложные полупроводниковые приборы, в том числе транзисторы (полупроводниковые триоды), которые состоят из двух участков га-Ое, между которыми расположен р-Ое, или, наоборот, из двух участков р-Ое, между которыми расположен п-Се. Обычно р-ге-переходы в полупроводниковых диодах и триодах получают внутри одного и того же монокристалла.  [c.41]

На рис. 80 показаны блок-схема и внешние характеристшси транзисторного источника питания типа АП. Работа транзисторных источников питания основана на принципе стабилизации и управления током дуги с помощью блока полупроводниковых триодов (транзисторов), включенных в сварочную цепь последовательно с вьшрямителем. Регулирование величины сварочного тока осуществляется плавно и за счет изменения тока управления триодов. Электрическая схема обеспечивает стабильность сварочного тока при колебаниях напряжения питающей сети и изменения напряжения на дуге.  [c.151]

Электросопротивление полупроводников обычно сильно зависит от температуры. К числу приборов и устройств, принципы работы которых основаны на свойствах полупроводников, относятся полупроводниковые триоды (транзисторы), многие типы выпрямителей, модуляторов, детекторов, термисторов и фотоэлементов. В этой главе мы рассмотрим главные физические свойства полупроводниковых кристаллов, в частности германия и кремния, Другихми важными кристаллами являются закись меди (СигО), селен (Se), теллурид свинца (РЬТе), сульфид свинца (PbS), карбид кремния (Si ), антимонид индия (InSb), арсенид галлия (GaAs) и графит (С).  [c.380]

Наряду с вакуумными известны преобразователи твердотельного типа — полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы), в которых ВАХ является функцией механического напряжения, приложенного к активной области кристалла р—п-переходу, каналу [3]. Практически все известные типы полупроводниковых приборов могут использоваться в этих целях. Эффект здесь достигается за счет того, что при изменении размеров активной области изменяются коицеитрация и подвижность носителей заряда, а в полевом транзисторе с изолированным затвором возникает еще и пьезоэлектрическая поляризация в изолирующем слое. Полупроводниковые МЭП этого типа имеют значительно меньший механический импеданс, чем механотрон, и могут измерять малые силы, поскольку их чувствительность высока однако  [c.204]


Полупроводниковые усилители строятся на кристаллических, германиевых и кремниевых триодах, они не требуют накала, долговечны и устойчивы к окружающей среде (кроме температуры). В отличие (уг электронных ламп полупроводниковые усилители на триодах (транзисторах) требуют очень малого напряжения (10 В для управления напряжением 100 В в цепи нагрузки), а управляющий контур имеет относительно малое сопротивление — около 100 Ом. Высокий КПД транэн сторных усилителей обусловлен малой потребляемой мощностью.  [c.164]

Источник питания малоамперной сварочной дуги, содержащий в цепи дуги полупроводниковый триод или транзистор, был впервые разработан в Институте электротехники АН УССР. В схеме использован триод в качестве регулятора силы сварочного тока. Принципиальная схема источника АП-1 с транзистором в цепи приведена на рис. 50. Этот источник питания предназначен для дуговой сварки в аргоне на силе тока 0,5—15 А.  [c.74]


Полупроводниковые триоды (транзисторы) — Справочник химика 21

    Германий используют в качестве полупроводника в таких электронных приборах, как кристаллические выпрямители (диоды) и усилители (триоды, или транзисторы). Кристаллы германия применяют также для изготовления термисторов (измерителей температуры), Б фотоэлементах с запирающим слоем и в термоэлементах. Германиевые полупроводниковые устройства с успехом заменяют электронные вакуумные лампы, отличаясь от них компактностью, надежностью в работе и долговечностью. [c.207]
    Полупроводниковый триод (транзистор) используется в преобразователе как генератор переменного напряжения, которое трансформируется в высокое напряжение с последующим умножением и выпрямлением. Преобразователь с полупроводниковым триодом (рис. 3. 14) работает следующим образом. [c.123]

    Усилители на полупроводниковых триодах (транзисторах) обладают рядом преимуществ по сравнению с усилителями на лампах. Такие усилители экономичны и долговечны, имеют малые габариты, [c.88]

    Полупроводниковые триоды (транзисторы) [c.462]

    Основным (первичным) элементом в электронном усилителе обычно является электронная лампа или полупроводниковый триод (транзистор) (рис. 47). Небольшое изменение напряжения (входной сигнал) преобразуется этими элементами в значительные изменения проходящего через них тока. [c.97]

    У большинства реле электронные усилители собирают на полупроводниковых триодах — транзисторах. В качестве выходных устройств используют электромагнитные реле с одним или несколькими контактами. [c.183]

    На рис. 153 показан принцип действия полупроводникового усилителя — транзистора полупроводникового триода). Он состоит из трех частей — двух р-проводников — эмиттера и коллектора, между которым находится очень узкая область с л-проводимостью — база. При отсутствии тока в цепи эмиттер — база ток в цепи коллектор — база не идет, так как работа р-п-перехода база-коллектор соответствует рис. 152 , 8. Пропускание тока в цепи эмиттер—база забрасывает в базу носители тока, в результате цепь коллектора становится проводящей. Током малой мощности в цепи эмиттер—база можно управлять током большой мощности в цепи коллектор-база. [c.276]

    В потенциостатах практикуется использование комбинации полупроводниковых триодов и электронных ламп. Входные цепи дифференциального усилителя в потенциостатах чаще всего выполняются на электронных лампах, включенных по балансной схеме, что обеспечивает большое сопротивление входной цепи электрода сравнения и малый дрейф нуля. Выходные каскады потенциостатов на большие токи выполняются на мощных транзисторах. Источники питания имеют устройства, ограничивающие их максимальный ток для обеспечения надежной работы транзисторов, которые легко выходят из строя при перегрузке. [c.77]

    Хотя полуметаллы, использующиеся в кристаллических триодах (транзисторах), стали применяться многими исследователями, занимающимися изучением полупроводниковых свойств веществ, окисные полупроводники используются еше более широко и не только как собственные полупроводники. Они могут быть приготовлены в самых разнообразных формах — от тонких пленок, рыхлых и спеченных порошков до монокристаллов, и так как обычно обладают высокими температурами плавления, то, как правило, стабильны при более низких температурах. Окисные полупроводники широко используются в керамической промышленности и как катализаторы в различных химических процессах. [c.180]

    Полупроводниковые триоды (рис. 47, б) имеют существенные преимущества перед лампами малые габариты и масса, высокая надежность, высокий к. п. д. Они состоят из пластинки германия (с примесью сурьмы) / (рис. 47, б) и двух приваренных к ней кусочков индия 2. Все три электрода имеют выводы. Для работы транзистора к крайним электродам нужно приложить разность потенциалов. При этом через транзистор будет протекать ток 1 . Электрод, к которому подключается отрицательный потенциал, называют коллектором (К), а другой — эмиттером (5). Средний электрод называется базой (В), [c.98]

    Прогресс, достигнутый в последнее время в области автоматики, радиоэлектроники и преобразования различных видов энергии, в большой мере обусловлен применением германия в полупроводниковой технике. Он используется для изготовления полупроводниковых элементов — диодов и триодов (транзисторов), заменяющих собой обычные вакуумные радиолампы и отличающихся от них малыми размерами, устойчивостью к вибрации, долговечностью и меньшим расходом электроэнергии. Эти полупроводниковые элементы изготавливаются десятками и сотнями миллионов штук в год [П. Германиевые выпрямители по сравнению с селеновыми имеют больший коэффициент полезного действия при меньших размерах вследствие этого они находят все большее применение. Есть силовые германиевые выпрямители, пропускающие ток в десятки тысяч ампер. Применяются германиевые датчики эффекта Холла и многие другие полупроводниковые устройства [2. В последнее время большое внимание уделяется устройствам с применением монокристаллических германиевых пленок. Из элементарного германия изготавливают линзы для приборов инфракрасной оптики (германий прозрачен для инфракрасных лучей), дозиметры ядерных частиц, анализаторы в рентгеновской спектроскопии. Германий с добавкой индия применяется для низкотемпературных термометров сопротивления, работающих при температуре жидкого гелия [2]. [c.349]

    Полупроводниковые триоды, называемые также транзисторами, нашли широкое применение в схемах автоматических защитных противокоррозионных установок. На [c.60]

    Полупроводниковые триоды изготовляют из монокристалла германия или кремния, который путем введения в него акцепторных и донорных примесей превращают в трехслойную структуру с чередующимися проводимостями р — п — р (рис. 24,а). В структуре типа р — п — р исходный монокристалл имеет п-проводимость, а концентрация акцепторной примеси в наружных слоях превышает в 100—1000 раз концентрацию исходной донор-ной проводимости. В транзисторах со структурой п—р—п исходный монокристалл обладает р-проводимостью, а наружные слои его вводят донорные примеси. [c.60]


    Транзисторные полупроводниковые триоды имеют ту особенность, что их можно поставить в ключевой режим, при котором либо транзистор заперт, либо пропускает ток при малом внутреннем сопротивлении. Используя эту их особенность, можно создать схемы генераторов высокой частоты, работающих в ключевом режиме. [c.129]

    В ядерно чистом (ультрачистом) состоянии металлический германий применяют для изготовления полупроводников, используемых в электротехнике и электронике. Электронные лампы (диоды и триоды) все чаще заменяют полупроводниковыми кристаллами — транзисторами, которые намного меньше и легче, чем электронные лампы, более устойчивы к механическим воздействиям и более долговечны. В электронных устройствах кристаллы германия служат выпрямителями (диоды с кристаллом) или усилителями (триоды с кристаллом). Один транзистор занимает тысячную часть объема соответствующей электронной лампы (диода или триода), в сто раз легче и расходует только десятую часть электрического тока, необходимого для питания лампы. Появление портативных радиоприемников стало возможным благодаря транзисторам. [c.376]

    Транзисторы или полупроводниковые триоды выполняют те же функции, что и трехэлектродная электронная лампа с управляющей сеткой. В промышленности химических волокон транзисторы применяются для усиления слабых электрических сигналов, получаемых от датчиков в различных устройствах автоматики. Работа транзистора основана на наличии в нем двух электронно-дырочных переходов. [c.27]

    Рассмотрим класс полупроводниковых приборов, называемых транзисторами. Транзистор представляет трехэлектродный полупроводниковый прибор, обладающий аналогично с вакуумным триодом способностью к усилению электрических сигналов. [c.294]

    Применение германия и его соединений. Германий — один из ценнейших полупроводниковых материалов. Его применяют в незначительных количествах во многих электронных приборах. Это германиевые кристаллические детекторы диоды как выпрямители переменного тока триоды, или транзисторы (германиевые усилители), заменяющие электронные лампы, причем срок их службы измеряется десятилетиями германиевые фотоэлементы термисторы, позволяющие определять температуры по электросопротивлению. [c.409]

    Первые попытки использовать электрохимические процессы при изготовлении полупроводниковых приборов были сделаны вскоре после создания транзисторов. Однако эти процессы не имели самостоятельного значения и их применение ограничивалось операцией травления полупроводников с целью получения р— -переходов. Толчком к широкому использованию электрохимических реакций в полупроводниковой технике послужила работа Тили и Уильямса о прецизионном струйном электролитическом травлении. Благодаря разработке этого метода стало возможным изготовление целого класса высокочастотных транзисторов со строго контролируемой толщиной базовой области (поверхностно-барьерный триод, микросплавные транзисторы с однородной и диффузионной базой и т. д.). [c.153]

    Применение элементов подгруппы германия и их соединений. Германий является одним из основных полупроводниковых материалов, используемых в современной технике. В 1948 г. Бардин, Браттайн и Шоттки на основе особо чистого монокристаллического германия разработали первый полупроводниковый триод (транзистор). С этого момента начинается развитие полупроводниковой электроники, которая, в свою очередь, стимулировала интен- [c.231]

    Применение. Г. широко применяется в полупроводниковой технике для изготовления диодов, триодов, транзисторов, кристаллических детекторов и силовых выпрямителей является компонентом многочисленных сплавов с металлами (германи-ды), особенно с V и N5, и специальных оптических стекол. Монокристаллический Г. применяется в дозиметрических приборах и устройствах для измерения напряженности постоянных и переменных магнитных полей, используется для производства детекторов инфракрасного излучения. Г. находит применение также в химической, машиностроительной промышленности, в производстве керамических изделий и эмалей. [c.399]

    Фототриод представляет собой полупроводниковый приемник, состоящий из трех чередующихся областей проводимости р и п р—п—р или п—р—п. Как и в полупроводниковом транзисторе, фототриод имеет коллектор, эмиттер и базу. База обычно служит приемной площадкой излучения. Работает фототриод по принципу обычного полупроводникового триода, в котором роль управляющего тока выполняет попадающее на базу излучение. На рис. 3. 19 [c.128]

    Простые регуляторы могут быть выполнены с применением полупроводниковых триодов. Комбинация транзисторного усилителя на входе и лампового на выходе позволяет согласовать низкоомный мост с высокоомным входом лампового усилителя и получить большой коэффициент усиления На рис. XIII.34 приведена схема, в которой чувствительный элемент (термистор КМТ-1) входит в измерительный мост, питаемый переменным током. Сигнал разбаланса усиливается двухкаскадным усилителем, выходной каскад является фазочувствительным. Режим транзистора подобран так, что при балансе моста на сетке лампы имеется смещение в 1 в. Точность регулирования температуры 0,05° С. [c.421]

    В годы второй мировой войны в связи с потребностями радиолокационной техники были разработаны детекторы из германия и кремния. Исследование этих полупроводниковых материалов привело американских ученых Бардина и Браттейна в 1948 г. к созданию транзистора, теория которого была разработана В. Шокли. С этого времени начинается промышленный выпуск многих типов полупроводниковых приборов и, в первую очередь, диодов,, усилительных триодов, мощных выпрямителей, индикаторов излучения, а также преобразователей световой и тепловой энергии в электрическую. За последние годы на основе полупроводников созданы магниточувствительные приборы, измерители механических деформаций, излучатели света и в том числе квантовые генераторы — лазеры, позволяющие получать направленный луч света высокой интенсивности. Одним из весьма перспективных направлений является использование полупроводников в качестве управляемых катализаторов химических реакций. [c.10]

    Наиболее широкое применение находит германий в радиоэлектронике. Из него изготавливают кристаллические выпрямители (диоды) и кристаллические усилители (триоды или транзисторы), обладающие рядом преимуществ по сравнению с электронными лампами значительно меньшей потребляемой мощностью, большим сроком службы, большей механической устойчивостью и значительно меньши.чи раз.мерами. Кристаллические полупроводниковые приборы с успехом применяются в сложных счетно-решающих устройствах, в телемеханике и других областях новой техники. [c.104]

    Задача была решена позднее. В 1948 г. Шокли, Браттейн и Бардин открыли транзисторный эффект и изобрели точечный транзистор на основе германия небывалой дотоле чистоты. Оказалось, что только тогда, когда концентрация активных примесей снижена до одного атома на 1 млрд. атомов германия, проводимость металла падает до такой степени, что он становится пригодным для изготовления транзисторов — кристаллических триодов. Это открытие явилось фундаментом для развития полупроводниковой техники. Благодаря малым размерам, низкому потреблению энергии и длительному сроку службы полупроводниковые приборы стали быстро вытеснять электронные лампы. [c.166]


полупроводниковый триод — это… Что такое полупроводниковый триод?

полупроводниковый триод
уст. crystal triode

Большой англо-русский и русско-английский словарь. 2001.

  • полупроводниковый транзистор
  • полупроводниковый усилитель

Смотреть что такое «полупроводниковый триод» в других словарях:

  • полупроводниковый триод — Транзистор, имеющий три вывода …   Политехнический терминологический толковый словарь

  • Триод — Запрос «Триод» перенаправляется сюда; полупроводниковый триод см. Транзистор. Схема простейшего вакуумного триода с катодом прямого накала …   Википедия

  • Электровакуумный триод — Схема простейшего вакуумного триода с катодом прямого накала Схемное обозначение вакуумного триода с катодом косвенного накала Электровакуумный триод, или просто триод,  электронная лампа, имеющая 3 электрода: термоэлектронный катод (прямого или… …   Википедия

  • Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении …   Википедия

  • Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре  прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги  выводы коллектора и эми …   Википедия

  • Ламповый транзистор — Схема простейшего вакуумного триода с катодом прямого накала Схемное обозначение вакуумного триода с катодом косвенного накала Электровакуумный триод, или просто триод,  электронная лампа, имеющая 3 электрода: термоэлектронный катод (прямого или… …   Википедия

  • ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ — устройство для усиления электрич. сигналов (тока, напряжения), а также для преобразования напряжения в ток и наоборот. По виду амплитудно частотной хар ки различают: избирательные И. у., предназначенные для усиления гармонич. сигналов определ.… …   Физическая энциклопедия

  • ППТ — плазменный предшественник тромбопластина (биол.) подборщик полотенно полупроводниковый триод пункт приёма техники …   Словарь сокращений русского языка

  • ППТ — подборщик полотенно транспортёрный транспорт Словарь: С. Фадеев. Словарь сокращений современного русского языка. С. Пб.: Политехника, 1997. 527 с. ППТ портативный пульт телемеханики телеком. ППТ первичный преобразователь температуры …   Словарь сокращений и аббревиатур

  • Унификация и модульность в телевидении — Унификацией в телевидении называется концепция, при которой несколько телевизионных заводов выпускают телевизоры одной и той же модели по одинаковым или близким схемам, что обеспечивает совместимость узлов унифицированного телевизора, выпущенного …   Википедия

  • Унификация и модульность телевизионных приёмников — Для улучшения этой статьи желательно?: Найти и оформить в виде сносок ссылки на авторитетные источники, подтверждающие написанное. Викифицировать статью. Исправить статью согласно стилистическим правил …   Википедия

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРИОДЫ (ТРАНЗИСТОРЫ) | Техника и Программы

Полупроводниковые триоды, так же как и диоды, разделяются на плоскостные (слоистые) и точечные.

Плоскостной полупроводниковый триод содержит в себе пластинку, вырезанную из монокристалла германия, состоящую из трех областей с разными типами проводимости. Две крайние области всегда обладают одинаковым типом проводимости, противоположным по отношению к средней. Так, если средняя область имеет дырочную проводимость, то обе крайние области обязательно обладают электронной проводимостью. Триоды, у которых средняя область обладает электронной проводимостью, сокращенно называются триодами р-п-р типа, а у которых средняя область обладает дырочной проводимостью, — триодами п-р-п типа. Физические процессы, происходящие в триодах п-р-п типа, аналогич: ны процессам, протекающим в триодах р-п-р типа.

Одна из возможных конструкций полупроводникового триода типа р-п-р приведена на рис. 61. К пластинке

Рис. 61. Конструкция плоскостного транзистора

] из полупроводникового материала, например германия, одного типа проводимости, в данном случае типа п, с двух сторон вплавлено по электроду 3 из полупроводника типа р, например индия.

Германиевая пластинка припаяна к кристаллодер- жателю 2, который закреплен в герметичном металлическом корпусе. От германиевой пластинки 1 и электродов сделаны выводы. Выводы от крайних электродов изолируются от корпуса транзистора с помощью стеклянных бусинок 5, а вывод германиевой пластинки приварен к корпусу транзистора, так как металлический кристаллодержатель 2 прикреплен прямо к корпусу транзистора.

В других конструкциях транзисторов ни один из выводов может не соединяться с корпусом или с корпусом может быть соединен другой электрод. Так, в мощных транзисторах типа П201 с корпусом соединен вывод коллектора. Составные части транзистора имеют специальные названия. Средняя пластинка 1 называется базой (или основанием) транзистора, меньший вплавленный электрод называется эмиттером, а больший — коллектором.

По своему назначению эмиттер транзистора можно считать подобным катоду, коллектор — аноду, а базу —

управляющей сетке трехэлек- тродной электронной лампы. Конечно, эта аналогия условная, так как пррцессы в транзисторах отличаются от процессов, происходящих при работе в радиолампах. Однако при использовании транзистора в радиотехнических схемах электроды транзистора выполняют те же функции, что и названные выше электроды радиоламп.

Чтобы транзистор мог усиливать или генерировать электрические колебания, на его электроды надо подать определенные напряжения от источника питания. Между выводами эмиттера и базой напряжение прикладывается в проводящем направлении, а между эмиттером и коллектором—в запорном. Необходимая для этого полярность источника питания показана на рис. 62.

Роль эмиттера сводится к введению в средний слой (область базы)- дырок. Эти дырки притягиваются коллектором, так как к коллектору приложено отрицательное напряжение. Движение дырок создает ток в цепи: батарея Еэ и переход база — коллектор транзистора. Чем больше положительное напряжение на эмиттере, тем больше вводится дырок и тем больше ток в цепи коллектора.

Поскольку коллектора достигают не все дырки, а часть их соединяется с электронами в области базы, то ток коллектора несколько меньше тока эмиттера. Отношение тока коллектора к току эмиттера называется коэффициентом усиления по току а. Этот коэффициент меньше единицы, и чем ближе он к единице, тем выше усилительные качества транзистора. По аналогии а электронными лампами эмиттер и база называются входными электродами, а коллектор — выходным.

В приведенной на рис. 62,а схеме база является общим электродом для входной и выходной цепи, поэтому эта схема называется схемой с общей (или, как иногда говорят, заземленной) базой. В этой схеме напряжение сигнала подается на эмиттер транзистора, а нагрузка включается в цепь коллектора. Это соответствует случаю подачи сигнала на катод для электронных ламп.

Однако почти всегда электронные лампы включают так, что напряжение сигнала подается не на катод, а на сетку. Транзистор также чаще всего включают так, что напряжение сигнала * подают на базу (рис. 62,6). Такая схема носит название схемы с общим эмиттером. Из рисунка видно, что ток в цепи базы, т. е. во входной цепи, равен разности токов эмиттера /э и коллектора /*. Так как ток эмиттера незначительно больше тока коллектора, то ток в цепи базы оказывается в десятки раз меньше тока в цепи эмиттера и коллектора. Отношение тока коллектора к току базы называется коэффициентом усиления по току в схеме с общим эмиттером и обозначается р. Коэффициент усиления Р лежит в пределах от 10—15 до 100—200. Чем больше р, тем большее усиление можно получить в каскаде усиления с транзистором.

Коэффициент р оказывается связанным с а простым соотношением:

Полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы)

| на главную | доп. материалы | физика как наука и предмет | квантовая физика атомов, молекул и твердых тел |

Организационные, контрольно-распорядительные и инженерно-технические услуги
в сфере жилой, коммерческой и иной недвижимости. Московский регион. Официально.

Односторонняя проводимость контактов двух полупроводников (или металла с полупроводником) используется для выпрямления и преобразования переменных токов. Если имеется один электронно-дырочный переход, то его действие аналогично действию двухэлектродной лампы—диода. Поэтому полупроводниковое устройство, содержащее один p-n-переход, называется полупроводниковым (кристаллическим) диодом. Полупроводниковые диоды по конструкции делятся на точечные и плоскостные.

В качестве примера рассмотрим точечный германиевый диод (рис. 339), в котором тонкая вольфрамовая проволока 1 прижимается к п-германию 2 остриём, покрытым алюминием. Если через диод в прямом направлении пропустить кратковременный импульс тока, то при этом резко повышается диффузия Аl в Gе и образуется слой германия, обогащенный алюминием и обладающий p-проводимостью. На границе этого слоя образуется p-n-переход, обладающий высоким коэффициентом выпрямления. Благодаря малой емкости контактного слоя точечные диоды применяются в каче­стве детекторов (выпрямителей) высокочастотных колебаний вплоть до сантиметрового диапазона длин волн.

Принципиальная схема плоскостного меднозакисного (купоросного) выпрямителя дана на рис. 340. На медную пластину с помощью химической обработки наращивается слой закиси меди Сu2О, который покрывается слоем серебра. Серебряный электрод служит только для включения выпрямителя в цепь. Часть слоя Сu2О, прилегающая к меди и обогащенная ею, обладает электронной проводимостью, а часть слоя Сu2О, прилегающая к Ag и обогащенная (в процессе изготовления выпрямителя) кислородом, — дырочной проводимостью. Таким образом, в толще закиси меди образуется запирающий слой с пропускным направлением тока от Сu2О к Сu (p®n).

Технология изготовления германиевого плоскостного диода уже описана нами. Распространенными являются также селеновые диоды и диоды на основе арсенида галлия и карбида кремния. Рассмотренные диоды обладают рядом преимуществ по сравнению с электронными лампами (малые габаритные размеры, высокие к.п.д. и срок службы, постоянная готовность к работе и т. д.), но они очень чувст­вительны к температуре, поэтому интервал их рабочих температур ограничен (от –70 до +120°С). p-n-Переходы обладают не только прекрасными выпрямляющими свойствами, но могут быть использованы также для усиления, а если в схему ввести обратную связь, то и для генерирования электрических колебаний. Приборы, предназначенные для этих целей, получили название полупроводниковых триодов или транзисторов (первый транзистор создан в 1949 г. американскими физиками Д. Бардином, У. Браттейном и У. Шокли; Нобелевская премия 1956 г.).

Для изготовления транзисторов используются германий и кремний, так как они характеризуются большой механической прочностью, химической устойчивостью и большей, чем в других полупроводниках, подвижностью носителей тока. Полупроводниковые триоды делятся на точечные и плоскостные. Первые значительно усиливают напряжение, но их выходные мощности малы из-за опасности перегрева (например, верхний предел рабочей температуры точечного германиевого триода лежит в пределах 50—80°С). Плоскостные триоды являются более мощными. Они могут быть типа р-п-р и типа п-р-п в зависимости от чередования областей с различной проводимостью.

Для примера рассмотрим принцип работы плоскостного триода р-п-р, т. е. триода на основе  n-полупроводника (рис. 341). Рабочие «электроды» триода, которыми явля­ются база (средняя часть транзистора), эмиттер и коллектор (прилегающие к базе с обеих сторон области с иным типом проводимости), включаются в схему с помощью невыпрямляющих контактов — металлических проводников. Между эмиттером и базой прикладывается постоянное смещающее напряжение в прямом направлении, а меж­ду базой и коллектором — постоянное смещающее напряжение в обратном направле­нии. Усиливаемое переменное напряжение подается на входное сопротивление Rвх, а усиленное — снимается с выходного сопротивления Rвых.

Протекание тока в цепи эмиттера обусловлено в основном движением дырок (они являются основными носителями тока) и сопровождается их «впрыскиванием» — инжекцией — в область базы. Проникшие в базу дырки диффундируют по направлению к коллектору, причем при небольшой толщине базы значительная часть инжектирован­ных дырок достигает коллектора. Здесь дырки захватываются полем, действующим внутри перехода (притягиваются к отрицательно заряженному коллектору), вследствие чего изменяется ток коллектора. Следовательно, всякое изменение тока в цепи эмиттера вызывает изменение тока в цепи коллектора.

Прикладывая между эмиттером и базой переменное напряжение, получим в цепи коллектора переменный ток, а на выходном сопротивлении — переменное напряжение. Величина усиления зависит от свойств р-п-переходов, нагрузочных сопротивлений и напряжения батареи Бк. Обычно Rвых>>Rвх, поэтому Uвых значительно превышает входное напряжение Uвх (усиление может достигать 10 000). Так как мощность пере­менного тока, выделяемая в Rвых, может быть больше, чем расходуемая в цепи эмиттера, то транзистор даст и усиление мощности. Эта усиленная мощность появляется за счет источника тока, включенного в цепь коллектора.

Из рассмотренного следует, что транзистор, подобно электронной лампе, дает усиление и напряжения и мощности. Если в лампе анодный ток управляется напряжением на сетке, то в транзисторе ток коллектора, соответствующий анодному току лампы, управляется напряжением на базе.

Принцип работы транзистора n-p-n-типа аналогичен рассмотренному выше, но роль дырок играют электроны. Существуют и другие типы транзисторов, так же как и другие схемы их включения. Благодаря своим преимуществам перед электронными лампами (малые габаритные размеры, большие к.п.д. и срок службы, отсутствие накаливаемого катода (поэтому потребление меньшей мощности), отсутствие необходимости в вакууме и т. д.) транзистор совершил революцию в области электронных средств связи и обеспечил создание быстродействующих ЭВМ с большим объемом памяти.


Триоды — обзор | ScienceDirect Topics

II.C.1 Пистолеты

Диапазон типов источников частиц очень широк: от простой триодной пушки с нитью накала в форме шпильки, основанной на термоэлектронной эмиссии, до источников плазмы, создающих сильноточные ионные пучки. Мы ограничимся этим описанием термоэлектронных и автоэмиссионных пушек, которые используются в электронно-оптических приборах для создания умеренных электронных токов: термоэмиссионных пушек с эмиттерами из гексаборида вольфрама или лантана, в которых электронная эмиссия вызывается нагревом нити накала, и полевой эмиссионные пушки, в которых очень сильное электрическое поле прикладывается к остроконечному наконечнику (который также может быть нагрет).Сила тока, обеспечиваемая ружьем, — не единственный интересующий параметр и часто даже не самый важный. Для микроскопов гораздо важнее знание яркости B ; эта величина является мерой качества луча. Его точное определение требует значительной осторожности, но для наших целей достаточно сказать, что это мера плотности тока на единицу телесного угла в пучке. Для данного тока яркость будет высокой для небольшой области излучения и если излучение ограничено узким телесным углом.В сканирующих устройствах скорость записи и яркость взаимосвязаны, и результирующее ограничение настолько серьезное, что сканирующий просвечивающий электронный микроскоп (STEM) появился на свет только с развитием автоэмиссионных пушек высокой яркости. Помимо изменения масштаба с ϕˆ2 / ϕˆ1 в ускоряющих структурах, яркость является сохраняющейся величиной в электронно-оптических системах (при условии, что используется соответствующее определение яркости).

Самая простая и до сих пор наиболее широко используемая электронная пушка — это триодная пушка, состоящая из нагретой нити накала или катода, анода, имеющего высокий положительный потенциал относительно катода, и, между ними, управляющего электрода, известного как венельт .Последний удерживается под небольшим отрицательным потенциалом относительно катода и служит для определения площади катода, из которой вылетают электроны. Электроны сходятся к перетяжке, известной как кроссовер, которая часто находится внутри самой пушки (рис. 9). Если j c — плотность тока в центре этого кроссовера, а α s — угловой разброс (определенный на рис. 9), то

РИСУНОК 9. Электронная пушка и формирование кроссовера.

(51) B = jc / παs2

Можно показать, что B не может превышать предел Ленгмюра B max = je ϕ / π kT , в котором j — ток плотность на нити накала, ϕ — ускоряющее напряжение, k — постоянная Больцмана (1.4 × 10 −23 Дж / К), а Тл — температура нити накала. Различные свойства пистолета значительно различаются в зависимости от размера и положения венельта и анода, а также приложенных к ним потенциалов; общее поведение было удовлетворительно объяснено в терминах довольно простой модели Рольфом Лауэром.

Кроссовер — это область, в которой плотность тока высока и часто достаточно высока, чтобы взаимодействие между электронами пучка было заметным. Следствием этого является перераспределение энергии частиц и, в частности, увеличение разброса энергии на несколько электрон-вольт.Этот эффект, обнаруженный Гансом Бёршем в 1954 году и названный в его честь, можно понять, оценив среднее взаимодействие с использованием статистических методов.

Еще одно семейство термоэлектронных пушек имеет катоды из боридов редкоземельных элементов, в частности LaB 6 . Эти пушки были представлены в попытке получить более высокую яркость, чем может обеспечить традиционная термоэлектронная пушка, и они действительно являются более яркими источниками; Однако технологически они несколько сложнее. Для них требуется немного лучший вакуум, чем для вольфрамовых триодных пушек, и в первых конструкциях стержень LaB 6 нагревали косвенно, помещая вокруг него небольшую нагревательную спираль; Впоследствии, однако, были разработаны конструкции с прямым нагревом, что сделало эти ружья более привлекательными для коммерческих целей.

Даже пистолеты LaB 6 не обладают достаточной яркостью для нужд STEM с высоким разрешением, в котором зонд диаметром всего несколько десятых нанометра сканируется в растровом формате по тонкому образцу, а прошедший луч используется для сформировать изображение (или изображения). Здесь не обойтись без автоэмиссионной пушки. Такие пушки состоят из тонкого наконечника и двух (или более) электродов, первый из которых создает очень сильное электрическое поле на наконечнике, а второй ускоряет извлеченные таким образом электроны до желаемого ускоряющего напряжения.Такие пистолеты работают удовлетворительно только при действительно очень хорошем вакууме; давление в автоэмиссионной пушке должно быть на пять-шесть порядков выше, чем в термоэмиссионной триодной пушке. Результирующая яркость заметно выше, но тока не всегда достаточно, когда требуется лишь небольшое увеличение.

Повторим, что описанные выше пушки составляют лишь один конец спектра источников частиц. У других большие плоские катоды. Многие из них необходимы для создания высоких токов и плотностей тока, и в этом случае мы говорим о потоке пространственного заряда; это пушки Пирса и PIG (ионные пушки Пирса).

шасси 22

Высоковакуумные лампы идентифицируются как диоды, триоды, тетроды и пентоды в зависимости от количества присутствующих электродов. В низковакуумных трубках содержится газ при пониженном давлении.

Диоды используются как детекторы радиосигналов и как выпрямители для преобразования переменного тока в постоянный. Они классифицируются как сигнальные или силовые диоды.

Электроны испускаются из катода вакуумной лампы в процессе термоэлектронной эмиссии.Электронная эмиссия зависит от температуры эмиттера. Излучатели могут иметь прямой или косвенный нагрев. В схемах триода возможно усиление напряжения и мощности, потому что небольшой сигнал в цепи сетки способен управлять большим током в цепи пластины. Проводимость в вакуумной трубке возникает в результате термоэлектронной эмиссии электронов с катода и притяжения электронов к положительно заряженной пластине.

Напряжение смещения лампы между управляющей сеткой и катодом определяет рабочее состояние лампы.Напряжения смещения производятся тремя способами. Усиление переменного напряжения на ламповом усилителе сопровождается инверсией фазы напряжения.

Полупроводники P- и N-типа образуются путем легирования следовыми количествами акцепторных и донорных атомов соответственно. Полупроводники N-типа — это материалы, богатые электронами. Свободные электроны являются носителями отрицательного заряда. Полупроводники P-типа содержат много дырок. Дырки действуют как носители положительного заряда.

P-N-переход действует как электрический барьер в зоне встречи противоположно легированных областей полупроводникового кристалла.Направление электрического поля через переход — от стороны N к стороне P.

Junction транзисторы состоят из двух P-N-переходов, расположенных вплотную друг к другу с тонкими P- или N-областями между ними. Они обозначаются N-P-N и P-N-P. Элементы транзистора функционально соответствуют элементам вакуумного триода.

В транзисторных схемах эмиттер имеет напряжение прямого смещения, а коллектор — обратное напряжение смещения. Используются три схемы конфигурации: общая база, общий эмиттер и общий коллектор.

Транзистор — это устройство, работающее от тока. Усилительное свойство является результатом изменений тока, которые происходят в различных областях транзистора, когда на элементы транзистора подается соответствующее напряжение. Рабочие характеристики транзистора указываются его семейством характеристических кривых. Коэффициент усиления прямого тока конфигурации с общей базой называется ее альфа-характеристикой.

Это отношение изменения тока коллектора к изменению тока эмиттера при постоянном напряжении между коллектором и базой.Текущее усиление конфигурации с общим эмиттером называется ее бета-характеристикой. Он выражается как отношение изменения тока коллектора к изменению тока базы при постоянном напряжении между коллектором и эмиттером.

Фотоэлектрический эффект может обеспечить прямое преобразование лучистой энергии в электрическую. Фотоэлектрическое воздействие — это разновидность фотоэлектрического эффекта. Солнечный элемент — это полупроводниковый диод, в котором полупроводниковый кристалл легирован особым образом.Конструкция и соединение P-N обеспечивают эффект преобразования энергии при попадании света на поверхность клетки.

СЛОВАРЬ

акцепторный элемент, усилитель, база, электронно-лучевая трубка, коллектор, отсечка смещения, диод, донор, легирование элемента, эффект Эдисона, электроника, электронная, полупроводниковая, электростатическая линза, эмитт, прямое смещение, большое количество дырок , полупроводник, транзистор NPN, полупроводник N-типа, фотоэлектрический эффект, PN переход, транзистор PNP, полупроводник P-типа, выпрямитель, обратное смещение, вторичная эмиссия, солнечный элемент, объемный заряд, термоэмиссия, транзистор, триод

Aexit 60V 80A Транзисторы 3-контактные клеммы Полупроводниковый триод MOSFET Транзисторы Транзистор 1RF1010E sareg.com

COVID-19: SAREG и SR GROUP работают над тем, чтобы предоставить вам самую свежую информацию о Covid-19 (коронавирусе). Щелкните следующую ссылку, чтобы найти обновления на английском языке.

О НАС

Когда дело доходит до открытия бизнеса во Франции, расширения вашего текущего международного бизнеса во Франции или просто инвестирования во французскую недвижимость, здесь, в SAREG, у нас есть все инструменты под рукой, чтобы предоставить вам полный спектр услуг от первоначального совета до создания компании. , годовые отчеты и налоговые декларации.

Обладая более чем 30-летним опытом работы в международном бизнесе и инвестициях, 5 офисами и командой англоговорящих сотрудников, готовых помочь со всеми вашими бухгалтерскими требованиями, наше «умение» не имеет себе равных и означает, что мы можем найти лучшее решение, соответствующее вашим потребностям, независимо от вашей ситуации. Наша фирма значительно расширилась за эти годы и стала самой инновационной бухгалтерской фирмой в этой области, тесно сотрудничая с властями, чтобы найти наиболее эффективные с точки зрения налогообложения решения для англоговорящих клиентов.

Мы обладаем большим опытом работы с британскими туроператорами и в настоящее время следим за делами более 100 таких предприятий, представляя их во французских властях, включая ежегодные аудиты и декларации по НДС. Наши клиенты варьируются от клиентов со скромным оборотом до клиентов с оборотом в несколько миллионов евро, и мы способны помочь бизнесу любого размера и помочь с расширением.

SAREG присоединяется к SR CONSEIL GROUP

SAREG недавно объединил усилия с SR Conseil Group, большой группой дипломированных бухгалтеров, аудиторов и юристов, расположенных во Французских Альпах.Наряду с нынешней командой SAREG в Верхней Савойе, команда SR будет рядом, чтобы поддержать потребности наших клиентов, и вместе мы сможем предоставить вам общие бухгалтерские и юридические услуги.

SAREG выбрал SR Conseil, поскольку они разделяют общие ценности тесных рабочих отношений со своими клиентами и сотрудниками, а также услуг, которые они предлагают своим клиентам.

Кроме того, они предлагают полный набор профессиональных услуг, которые дополняют наши собственные, включая бухгалтерский учет, право, аудит, расчет заработной платы, оценку профессиональных рисков, сопровождение профессионалов в секторе активного отдыха и налоговое управление меблированным доходом от аренды.

Их собственные клиенты относятся к различным категориям профессиональной деятельности и включают индивидуальных предпринимателей, малые предприятия, ассоциации и частных лиц.

Более подробная информация на сайте www.srconseil.fr

Триод n полупроводниковый триод также известен & n_ 钱 海 os_ 新浪 博客

также известен триод n полупроводниковый триод n

(2012-11-28, 09:31:01)
标签 :

длинный

bridesmai

А-линия

свадьба

娱乐

Первая секция = ; n-диодный полупроводник — это материал с особые свойства, он не является полностью проводящим проводником, и изолятор, который не может проводить ток, он лежит между ними, поэтому называется полупроводником.
Два самых важных элемента полупроводникового кремния (читайте Gui ) и германий (произносится) .Мы часто слышим о Кремниевой долине. Соединенных Штатов, потому что есть много производитель полупроводников.
n , А-силуэт Свадебные платья; n диод следует считать патриархом семейство полупроводниковых приборов. Давным-давно люди хотели собрать хрустальное радио, чтобы слушать радио, руда впоследствии были изготовлены кристаллические диоды.
n n ; наиболее очевидная природа диода — односторонняя проводящие свойства, то есть ток только с одной стороны в прошлое, но не может прийти с другой стороны (от положительного к отрицательный полюс).
Используем мультиметр к общему кремниевому выпрямительному диоду типа 1N4001. измерения, красный документ таблицы, связанный с отрицательным полюсом диода, черный к положительному полюсу диода, рука движение, которое может быть электропроводным; а затем черный один к минусу диода, красный документ таблицы подключен диод катод, стрелки мультиметра не работают или просто немного убогие проводимость прогиба, ты и я, описание .
(мультиметр, черная ручка, затем анод внутренней батареи) n ; n несколько общих диодов, как показано на рисунке.Включая стекло упаковка, пластиковая упаковка и несколько металлических упаковок.
Рисунок 2 — это символы схемы диода, как и его название, диод имеет два электрода, разделенных на положительные и отрицательные полюса, полярность указана на корпусе диода. разное цветное кольцо для обозначения негатива, некоторые прямо помечены — .
Диод высокой мощности в металлическом корпусе и гайке, закрепленной на радиатор в порядке .n ; n с использованием диода однонаправленного проводящие свойства, обычно используемый диодный выпрямитель, переменный ток в постоянный ток или переменный ток, только пусть положительный полупериод (или отрицательный полупериод) проходит через , затем формируя плавный конденсаторный фильтр постоянного тока.
На самом деле много электроэнергии — это один из. Также используются диоды. как детектор, высокочастотный сигнал в проверке полезного сигнала вне, винтажное радио будет иметь детектор, обычно с лампой 2AP9 типа германий.
n ; n типов диодов также есть несколько, для электронных производства, часто используют следующий диод: используется для стабилизации диод регулятора напряжения, используемый для диода переключения цифровой цепи , используемый для настройки варакторных диодов, и фотодиодов, наиболее распространенных это светоизлучающий диод.
n ; n светодиоды в быту электрические везде бытовая техника, она способна излучать красный свет зеленый и желтый, диаметром 3 мм, 5 мм и 2 × 5 мм, прямоугольные тип .
Как обычный диод, светоизлучающий диод состоит из полупроводника. материал, также обладающий однонаправленными проводящими свойствами, т.е. только полярность к свету. символ светоизлучающего диода, чем общий диод еще две стрелки, схема способная излучать свет .
Обычно светодиод, используемый в качестве цепи, указывает на рабочее состояние, он маленький энергопотребление лампочки намного ниже, но срок службы намного дольше ,свадьба дизайн одежды в Сан-Диего.Светодиодный экран электронного дисплея, а также может формироваться, биржа светодиодной точечной матрицей дисплей формируется, как раз из-за различных цветов образуются красные и зеленые, и синие светодиоды в прошлом не использовались большое количество продукции, поэтому общий электронный дисплей экран может отображать истинный цвет.
n ; n светодиодный цвет света в целом и его цвет такой же, но в последнее время появился прозрачный Цветная светоизлучающая трубка, она может излучать красный, желтый и другие цвета света, только сила знать.
Различить светодиодный отрицательный метод, экспериментальный метод и визуальный метод.Экспериментальный метод возбуждает поглядеть можно водить, купить свадьбу одевает США, если нет неправильной полярности подключения или светится повреждение трубки.
n ; n светодиод внимания — это своего рода текущий режим, хотя в его два конца подключены непосредственно к напряжению 3 В для освещения, но легко повредить, при фактическом использовании должны подключаться последовательно с токоограничивающий резистор, рабочий ток другой в зависимости от модели обычно составляет от 1 мА до 30 мА.
Кроме того, поскольку напряжение включения светодиода выше 1,7 В, поэтому батарея 1,5 В не может светоизлучающих диодов Точно так же общий мультиметр R × 1 R × 1K файл для всех файлов. не может проверить светоизлучающий диод и профиль R × 10K из-за использования батареи 15V, можно поставить немного светодиода.
n ; n глаза для наблюдения светодиода, можно найти внутри двух электродов, большого и малого. головка электрода меньше, короче анод светодиода , электродом большего размера является его отрицательный электрод.
Если вы купили новую люминесцентную трубку, длина ножки трубки является положительным моментом .n ; n второй ; триод n полупроводниковый триод также известный как кристаллический триод, можно сказать, что это самое важное устройство в электронной схеме.
Это основная функция усилителя тока и функция переключения .Триод с тремя электродами .Диод состоит из PN. структура, а транзистор состоит из двух структур PN, a общий электрод в качестве основного электрода триода (представлен буквой Б).
Два других электрода становятся коллекторными (обозначены буква C) и эмиттер (обозначается буквой E). различные комбинированные режимы, образующие триод типа NPN, другой представляет собой триод типа PNP.
n ; n типа триода много, и разные модели имеют различное использование .Триоды заключены в пластик или металл упаковка, общая фигура внешнего вида триода, большой большой, маленький маленький . Обозначения схемы триода
имеют два вида: один стрелочный электрод эмиттер, стрелка наружу — это триод типа NPN, а стрелка в сторону внутренний — PNP.На самом деле направление стрелки — это направление Текущий .
n ; n электронное производство обычно используется транзистор, имеющий Серия 90 X, включая силиконовую трубку малой мощности 9013 (NPN), 9012 ( PNP), труба с низким уровнем шума 9014 (NPN), высокочастотная труба малой мощности 9018 (NPN) и т. Д.
. Их модели обычно имеют маркировку на пластиковом корпусе и т. Д. такие же, стоит стандартный пакет ТО-92. В старом электронном продукты могут соответствовать 3DG6 (кремниевая трубка малой мощности), 3AX31 (низкая германиевые трубки малой мощности), их модели напечатаны на металлический корпус.
Китайский транзистор, имеющий набор правил наименования, электронный энтузиастам, чтобы лучше понять: n ; n первая часть 3 в виде триода. Вторая часть материала устройства и конструкции, A: PNP B: материал германия-германия NPN C: кремниевый материал типа PNP D: кремниевый материал типа NPN третий часть указанной функции, трубка фотоэлектрического переключателя U: K: X: низкая частотная трубка малой мощности G: высокочастотная трубка малой мощности D : силовой транзистор A: высокочастотная силовая трубка.
Кроме того, полевая трубка типа 3DJ, с указанием BT специальный полупроводниковый элемент .n ; n преобразование по-прежнему следует сохранение энергии, это сила энергии преобразование энергии сигнала.
Триод — важный параметр — усиление тока. фактор. Когда базовый электрод триода плюс крошечный ток, в коллекторе можно получить ток инжекции β, умноженный на ток , а именно ток коллектора.
Коллекторный ток при изменении базового тока, а базовый ток очень небольшой, изменения могут вызвать ток коллектора в значительной степени, это усилительная функция триода.№ ; № транзистор также может быть электронным переключателем, с другими компонентами также может образовывать осциллятор.
n ; n третий ; n кремниевый выпрямитель с тиристором также известный как тиристор, он состоит из четырех слоев PNPN полупроводниковые компоненты, имеет три электрода, анод и катод и управляющий электрод A, K G.
n ; n кремний, управляемый в цепи, может реализовать переменный ток бесконтактное управление, небольшой ток управления, и в отличие от реле как управление при искре, так и быстрое срабатывание, длительное срок службы, хорошая надежность.
Управление скоростью, светом, давлением, температурой и др. схема имеет свою тень .n ; n SCR делится на односторонний и двусторонний, символы также разные. Односторонний управляемый кремний PN-переход на три, самый внешний слой полюсов P и N от два электрода, которые соответственно известны как анод и катод , к середине полюса P ведет к полюсу управления.
n ; n однонаправленный тиристор имеет свои уникальные характеристики : когда анод подключен к обратному напряжению, или анод подключение прямого напряжения, но не с управляющим напряжением, это проводился, а анод и управляющий электрод соединены с положительное напряжение в то же время, он станет проводящим государственный .
Как только проводимость, управляющее напряжение потеряет контроль над ней , с управляющим напряжением или без него, независимо от полярности управляющее напряжение, было бы в проводящем состоянии .
Для выключения только анодное напряжение снижается до критического значения или наоборот, Long Bridesmaid Dresses.n ; n двунаправленное управление кремниевый штифт в основном T1, T2, G последовательно слева направо порядок (электрод булавкой вниз, лицевой стороной).
Управляющий электрод G запускает импульсы по величине или времени изменение, может изменить ток проводимости.n ; n и односторонний управляемый кремний — это разница между полюсом G. , изменена полярность двунаправленного управляемого кремниевого триггерного импульса, направление проводимости с изменением полярности, от которого контролирует нагрузку переменного тока.
В то время как кремний с односторонним управлением запускается только от анода катодной проводимости в одном направлении, поэтому один двунаправленный кремниевое контролируемое отделение .n ; n электронное производство используется в SCR, односторонний имеет MCR100, свадебный платье Канада двустороннее TLC336.
n ; n четвертая интегральная схема n IC является разновидностью использования специальный процесс, транзистор, резистор, конденсатор и другие элементы интегрированы на кремниевой подложке и формирование некоторые особенности устройства, английское сокращение — IC, также известный как чип.
Интегральной схеме шестьдесят лет, всего дюжина компонентов Интеграция. Позднее композитная степень все выше и выше, сегодня PIII .n ; n интегральная схема по разным функции для аналоговых и цифровых двух фракций, а также функция более бесчисленна, которая широко используется во всех аспектах человеческой жизни.
Интегральная схема согласно внутренней интеграции в массу в мелком масштабе в трех категориях. Упаковка также имеет множество форм . DIL и single inline являются наиболее распространенными.
Бытовая электроника с ИС мягкого корпуса, прецизионная такие продукты, как корпус микросхемы IC .n ; n для ИС типа CMOS. , особое внимание следует уделить предотвращению электростатического разряда. поломка микросхемы, лучше не использовать незаземленную электрическую паяльник, чтобы ее сердце было тоже сильный, чтобы сломать. Но человек, преданный сегменту привязанности к.
При использовании IC также следует обращать внимание на ее параметры, такие как напряжение, тепловыделение. Многоцелевой привод с цифровой ИС + 5 В Рабочее напряжение, аналоговое рабочее напряжение ИС разное. Интегрированное схемы с различными моделями, в наименовании также есть определенное правило .
Общее — это префикс, суффикс, цифры. Префикс указывает производители и категории интегральных схем, суффикс часто используется для обозначения версии формы корпусной интегральной схемы кода, например.
Обычно используемые интегральные схемы, такие как аудиоусилитель мощности LM386 из-за разных и есть много видов суффиксов .LM386N — это National Semiconductor Corporation Ns, LM — это линейная схема, N представляет собой пластиковый двухрядный.
Вот основная торговая марка компании-производителя ИС и устройство префикс номера .n ; n номер модели интегральной схемы, вдоль с развитием технологий, и иметь более мощный, Слишком полный, рано или поздно позже будет использовать !, больше интегральной интегральной схемы, чтобы появиться, Производство электронных продуктов приносит удобство.
В конструкции производства, без специальной интегральной схемы может использоваться, следует попытаться использовать широкое применение универсальных интегральная схема, с учетом интегральной схемы цена и сложность изготовления.
В производстве электроники часто используются интегрированные схемы, такие как NE555 (интегральная схема), LM324 (четыре интегрированный операционный усилитель), TDA2822 (двухканальный звук усилитель мощности), КД9300 (одиночный, музыкальная интегральная схема) , LM317 (трехконтактный регулируемый регулятор).

喜欢

0

加载 中 , 请 稍候……

  • 评论 加载 中 , 请 稍候 …

以上 网友 发言 只代表 其 个人 观点 , 不代表 新浪 网 的 观点 或 立场。

Триоды для полупроводников — Большая химическая энциклопедия

Дж. Бардин и У. Браттейн, Транзистор, полупроводниковый триод, Phys. Ред. 71, 230 (1948). Нобелевский фонд, http //nobelprize.org/educational games / Physics / Transistor / history / index.html (2007). [Стр.145]

F.M. Ванласс и К.Т. Сах, логика Nanowatt с использованием полевых металлооксидных полупроводниковых триодов, в Tech. Копать. IEEE Int. Конференция по твердотельным схемам, стр. 32 (1963). [Pg.149]

Во-первых, давайте рассмотрим отрыв частиц под действием постоянного поля, которое было установлено преобразованием низкого напряжения в высокое (в данном конкретном случае 50 кВ при токе 10 A) в преобразователь на основе полупроводникового триода типа P4B [198]. При изучении отрыва частиц в вакууме или в атмосфере определенного газа, такого как азот, мы использовали специально разработанный блок, в котором электрод и покрытая пылью поверхность помещались внутри колпака, соединенного с вакуумным насосом для удаления воздуха и к источнику газа.[Стр.221]

Условия отрыва частиц. Для изучения влияния условий отрыва частиц в высоковольтном электрическом поле на степень очистки запыленной поверхности мы установили прибор, схематически показанный на рис. X.1. Низкое напряжение было преобразовано в высокое (в данном случае 50 кВ при токе 10 «А) в преобразователе на основе полупроводникового триода типа P4B [440]. [Pg.347]

Рисунок C2.16.9 Схема сечения и подмагничивания транзистора на основе метаоксида и полупроводника.Между истоком (S) и стоком (D) при> V создается единый проводящий канал. Между затвором (G) и истоком накладывается движение. Часть (A) показывает каналы для -V, транзистор действует как триод. Источник -…
Триод состоит из двух близко расположенных pn переходов. Эти устройства также известны как транзисторы, которые представляют собой схемный элемент, который используется для усиления или переключения токов. Твердотельные транзисторы произвели революцию в электронной промышленности.Сегодня очень сложные интегральные схемы могут состоять из тысяч полупроводниковых элементов, содержащихся в очень маленьком корпусе. Такие интегральные схемы жизненно важны для компьютеров, а также для научных, телекоммуникационных и многих других предприятий. Наш век — это действительно век полупроводников … [Pg.275]
Рисунок 8-35. Схема триодной конфигурации ФИ для имплантации полупроводников.
Рис. 2. Структура триода из полимерной сетки с различными слоями.(1) и (5) — катодная и анодная (пиксельная) матрицы соответственно. Другие слои представляют собой непрерывные пленки, общие для всех PGT в массиве (2) и (4), являются полупроводниковыми слоями, поли (2-метокси-5- (2-этилгексилокси) -1,4-фениленвинилен), MEH -PPV, а (3) — обычная сетка, заполненная полупроводником (3).
Чтобы построить полностью пластиковую сетчатку, матрица улучшения изображения триода полимерной сетки должна быть изготовлена ​​непосредственно на выходной (задней) стороне матрицы фотодетекторов (например, матрицы инфракрасных детекторов) с использованием каждой выходной площадки детектора в качестве анода или катода PGT. в этом узле.Полупроводниковые слои будут последовательно отливаться из раствора и наноситься на матрицу детекторов так же, как антиотражающее покрытие. Конечный выход с усиленным контрастом будет подключен к демультиплексору путем соединения выступов, то есть путем холодной сварки индиевых выступов, расположенных взаимно на выходе матрицы PGT и на входе демультиплексора. [Стр.307]

Цифровая электроника зародилась в 1906 году, когда американский изобретатель Ли де Форест сконструировал триодную вакуумную лампу. Несмотря на свои большие, медленные и энергоемкие, электронные лампы использовались для создания первых аналоговых и цифровых электронных компьютеров.В 1947 году американский физик Уильям Шокли и его коллеги создали первый переходный полупроводниковый транзистор, который быстро превратился в более совершенные кремниево-германиевые переходные транзисторы. [Pg.1057]

Транзисторы, которые являются чрезвычайно важными полупроводниковыми устройствами в сегодняшних микроэлектронных схемах, способны выполнять два основных типа функций. Во-первых, они могут выполнять ту же операцию, что и их вакуумный предшественник, триод, то есть они могут усиливать электрический сигнал.Кроме того, они служат в качестве коммутационных устройств в компьютерах для обработки и хранения информации. Двумя основными типами являются переходной (или бимодальный) транзистор и полевой транзистор метод-оксид-полупроводник (сокращенно MOSFET). [Pg.753]


Транзисторы 15 типов Триодный трехконтактный транзистор TO-92 Полупроводниковый триод 600p с комплектом коробчатых транзисторов Промышленное электрооборудование

15 типов Триодный трехконтактный транзистор TO-92 Полупроводниковый триод 600p с комплектом коробчатых транзисторов

Комплект транзисторов, 15 типов триодный трехконтактный транзистор TO-92 полупроводниковый триод 600p с коробкой: Industrial & Scientific.Комплект транзисторов, 15 типов триодный трехконтактный транзистор TO-92 Semiconductor Triode 600p с коробкой: Industrial & Scientific. ➤ 【Материал】 Hecho de material de silicona, полупроводниковый полупроводник с потенциалом высокого качества управления. 。 ➤ 【15 типов】 2N2222, 2N3904, 2N3906, 2N5401, 2N5551, A1015, C1815, C945, S8050, S8550, S9012, S9013, S9014, S9015, S9018. 。 ➤ 【Применение】 Подходит для усиления тока, является центральной частью электронной схемы, также может использоваться как бесконтактный переключатель.。 ➤ 【Преимущества】 Эти транзисторы обладают высокой диэлектрической прочностью, высокой скоростью переключения, высокой рассеиваемой мощностью, хорошими характеристиками тока, отличным выбором для ваших электронных устройств. 。 ➤ 【Аксессуар】 Хорошо упакован и хранится в компактном ящике для хранения. 。 Описание:。 Транзистор — это базовое полупроводниковое устройство, регулирующее ток, которое также можно использовать в качестве бесконтактного переключателя. Это очень важно в электронной схеме. 。。。 Особенности:。 Изготовлен из кремниевого материала, полупроводникового устройства, контролирующего ток.。 Это один из основных компонентов полупроводника. Может усиливать ток, является основной частью электронной схемы, также может использоваться в качестве бесконтактного переключателя. Хорошо упаковано и разложено в компактном кейсе для хранения. Всего 600 транзисторов 5 типов могут удовлетворить ваши повседневные потребности. 。。 Технические характеристики: Материал: кремний。 Тип: 5 типов。 Количество: 600 шт.。 Вес: 54 г (приблизительно)。。。。。 В комплект входит: Коробка (600 шт.) X Транзисторы。。。。。。







Триодный трехконтактный транзистор 15 типов TO-92 Полупроводниковый триод 600p с комплектом коробчатых транзисторов

, и мундштук не удерживает воду.Совместим со всеми 2-контактными вилками типа Midland, обязательно подготовьте ремешок с храповым механизмом. Kamik приходит из крайностей, наш широкий выбор элегантен для бесплатной доставки и бесплатного возврата, доступны разные размеры — водные туфли разных размеров предназначены для женщин и мужчин, 15 типов триодный трехконтактный транзистор TO-92 полупроводниковый триод 600p с коробчатыми транзисторами Комплект . Подходит для всех видов активного отдыха на природе. Купить ACDelco LS180 Professional Многоцелевой патрон для лампы: косички и патроны — ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках, размер: M): шляпы и колпачки — ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках.открытый дворик или какое-то особое место. • Цвета вышитых слов — серебряная металлическая нить на синей атласной ткани. 15 типов триодный трехконтактный транзистор TO-92 полупроводниковый триод 600p с комплектом коробчатых транзисторов . а также требует больше ухода, чем новая / современная одежда. соль отмечена буквой S, а перец — буквой P. ССЫЛКА НА НАШЕ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЕ ПРОИЗВОДСТВО RAFFIA BOWS :, Этот список предназначен для гостевой книги формата A3 (420 мм H x 297 мм W) и вмещает 40-90 гостей. Если у вас есть ЧПУ или плоттер для резки винила, то это для вас, как и вы Вы можете легко вырезать обложку или чехол iphone 4S, просто используя эти очень точные конструкции. 15 типов триодный трехконтактный транзистор TO-92 полупроводниковый триод 600p с комплектом коробчатых транзисторов . Льняная пряжа 100% чистый лен 100 гр / 3. Размеры выкройки не включают поля. они служат дольше, чем парафин, а соевый воск изготавливается из соевых бобов, выращенных в U, зеленых — подарочный лук или декоративный лук для венка или домашнего декора. добавление привлекательных элементов к купальнику, Триодный трехконтактный транзистор, 15 типов TO-92, полупроводниковый триод 600p с комплектом коробчатых транзисторов . подол и манжеты, а новая флисовая подкладка на молнии обладает теплоотражающей способностью.никто не пропустит его, и вы получите множество комплиментов, оптические характеристики и размеры, отличные цены на ваши любимые домашние бренды. Рекомендуемый возраст: 3-4 года; Размер этикетки: 120; Бюст: 62 см / 24, 15 типов Триодный трехконтактный транзистор TO-92 Полупроводниковый триод 600p с комплектом коробчатых транзисторов . Подходит для бюстгальтеров разного цвета. Многие автоматические устройства имеют механизмы, которые очень близко подходят к ручке. * Легкий доступ ко всем кнопкам и портам ввода / вывода.


Триод | Hackaday

Psst… Хотите сделать диод для консервной банки? Триод теннисного мяча? Как насчет полупроводникового транзистора? Или вам просто нравится сидеть сложа руки и следить за интересным повествованием о том, что делается, собирая при этом массу предыстории, советов и зарождая всевозможные идеи? В моем случае я хотел сделать полупроводниковый диод из закиси меди, и это привело меня к H.Замечательная книга П. Фридрихса « Инструменты усиления». Он включает в себя такую ​​огромную коллекцию знаний об усилителях, и его приятно читать благодаря стилю повествования и частым практическим экспериментам.

Моя поношенная копия Instruments of Amplifications

DIY точечный полупроводниковый транзистор

Фридрихс первым написал еще одну очень популярную книгу, Голос кристалла , о создании хрустальных радиоприемников, и хотел написать вторую.Для тех, кто не знаком с кристаллическими радиоприемниками, интересно создавать радиоприемники, которые питаются исключительно от входящих радиоволн; нет батареек. Но это также означает, что громкость низкая.

Читатели этой книги предположили, что хорошим продолжением будет статья о схемах усилителя, чтобы усилить громкость кварцевого радиоприемника. Однако таких книг уже было в изобилии. Фридрихс понял, что лучшим продолжением будет обсуждение того, как создавать усиливающие компоненты с нуля, «инструменты усиления».Это было бы уникально и в духе хрустальных радиоприемников, сделанных с нуля. Так родилась книга « инструментов усиления ».

Эксперименты

Микрофонные реле, через H.P. Домашняя страница Friedrichs

Книга включает в себя достаточно исторической информации, дающей предысторию того, что такое усилитель и как они впервые появились в мире электротехники. Телеграфисты хотели посылать сигналы на все большие и большие расстояния, и решение состояло в том, чтобы использовать сочетание электроники и механики, обнаруженное в телеграфном реле.Это трамплин для его первого проекта и повествования: микрофонная эстафета.

Пример микрофонного реле, показанный справа, размещает динамик напротив микрофона; динамик — это вход с микрофоном, усиливающим выход. Он использует угольный микрофон, извлеченный из старой телефонной гарнитуры, в котором все находится в кожухе из медных колпачков для труб, стального стержня, гаек и болтов, установленных на элегантной деревянной основе. Все проекты создаются из простых деталей, с осторожностью, и в итоге они выглядят великолепно.

Читать далее «Книги, которые вам следует прочитать: инструменты усиления» →

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.