Принцип работы транзисторов: простым языком для чайников, схемы — Мир Антенн

Содержание

принцип работы и как проверить

Существуют различные виды полупроводниковых приборов – тиристоры, триоды, они классифицируются по назначению и типу конструкции. Полупроводниковые биполярные транзисторы способны переносить одновременно заряды двух типов, в то время, как полевые только одного.

Конструкция и принцип работы

Ранее вместо транзисторов в электрических схемах использовались специальные малошумящие электронные лампы, но они были больших габаритов и работали за счет накаливания. Биполярный транзистор ГОСТ 18604.11-88 – это полупроводниковый электрический прибор, который является управляемым элементом и характеризуется трехслойной структурой, применяется для управления СВЧ. Может находиться в корпусе и без него. Они бывают p-n-p и n–p–n типа. В зависимости от порядка расположения слоев, базой может быть пластина p или n, на которую наплавляется определенный материал. За счет диффузии во время изготовления получается очень тонкий, но прочный слой покрытия.

Фото — мпринципиальные схемы включения

Чтобы определить, какой перед Вами транзистор, нужно найти стрелку эммитерного перехода. Если её направление идет в сторону базы, то структура pnp, если от неё – то npn. Некоторые полярные импортные аналоги (IGBT и прочие) могут иметь буквенное обозначение перехода. Помимо этого бывают еще биполярные комплементарные транзисторы. Это устройства, у которых одинаковые характеристики, но разные типы проводимости. Такая пара нашла применение в различных радиосхемах. Данную особенность нужно учитывать, если необходима замена отдельных элементов схемы.

Фото — конструкция

Область, которая находится в центре, называется базой, с двух сторон от неё располагаются эммитер и коллектор. База очень тонкая, зачастую её толщина не превышает пары 2 микрон. В теории существует такое понятие, как идеальный биполярный транзистор. Это модель, у которой расстояние между эммитерной и коллекторной областями одинаковое. Но, зачастую, эммиторный переход (область между базой и эммитером) в два раза больше коллекторного (участок между основой и коллектором).

Фото — виды биполярных триодов

По виду подключения и уровню пропускаемого питания, они делятся на:

Высокочастотные;
Низкочастотные.

По мощности на:

Маломощные;
Средней мощности;
Силовые (для управления необходим транзисторный драйвер).

Принцип работы биполярных транзисторов основан на том, что два срединных перехода расположены по отношению друг к другу в непосредственной близости. Это позволяет существенно усиливать проходящие через них электрические импульсы. Если приложить к разным участкам (областям) электрическую энергию разных потенциалов, то определенная область транзистора сместится. Этим они очень похожи на диоды.

Фото — пример

Например, при положительном открывается область p-n, а при отрицательном она закрывается. Главной особенностью действия транзисторов является то, что при смещении любой области база насыщается электронами или вакансиями (дырками), это позволяет снизить потенциал и увеличить проводимость элемента.

Существуют следующие ключевые виды работы:

Активный режим;
Отсечка;
Двойной или насыщения;
Инверсионный.

Перед тем, как определить режим работы в биполярных триодах, нужно разобраться, чем они отличаются друг от друга. Высоковольтные чаще всего работают в активном режиме (он же ключевой режим), здесь во время включения питания смещается переход эмиттера, а на коллекторном участке присутствует обратное напряжение. Инверсионный режим – это антипод активного, здесь все смещено прямо-пропорционально. Благодаря этому, электронные сигналы значительно усиливаются.

Во время отсечки исключены все типы напряжения, уровень тока транзистора сведен к нулю. В этом режиме размыкается транзисторный ключ или полевой триод с изолированным затвором, и устройство отключается. Есть еще также двойной режим или работа в насыщении, при таком виде работы транзистор не может выступать как усилитель. На основании такого принципа подключения работают схемы, где нужно не усиление сигналов, а размыкание и замыкание контактов.

Из-за разности уровней напряжения и тока в различных режимах, для их определения можно проверить биполярный транзистор мультиметром, так, например, в режиме усиления исправный транзистор n-p-n должен показывать изменение каскадов от 500 до 1200 Ом. Принцип измерения описан ниже.

Основное назначение транзисторов – это изменение определенных сигналов электрической сети в зависимости от показателей тока и напряжения. Их свойства позволяют управлять усилением посредством изменения частоты тока. Иными словами, это преобразователь сопротивления и усилитель сигналов. Используется в различной аудио- и видеоаппаратуре для управления маломощными потоками электроэнергии и в качестве УМЗЧ, трансформаторах, контроля двигателей станочного оборудования и т. д.

Видео: как работает биполярные транзисторы

Проверка

Самый простой способ измерить h31e мощных биполярных транзисторов – это прозвонить их мультиметром. Для открытия полупроводникового триода p-n-p подается отрицательное напряжение на базу. Для этого мультиметр переводится в режим омметра на -2000 Ом. Норма для колебания сопротивления от 500 до 1200 Ом.

Чтобы проверить другие участки, нужно на базу подать плюсовое сопротивление. При этой проверке индикатор должен показать большее сопротивление, в противном случае, триод неисправен.

Иногда выходные сигналы перебиваются резисторами, которые устанавливают для снижения сопротивления, но сейчас такая технология шунтирования редко используется. Для проверки характеристики сопротивления импульсных транзисторов n-p-n нужно подключать к базе плюс, а к выводам эммитера и коллектора — минус.

Технические характеристики и маркировка

Главными параметрами, по которым подбираются эти полупроводниковые элементы, является цоколевка и цветовая маркировка.

Фото — цоколевка маломощных биполярных триодовФото — цоколевка силовых

Также используется цветовая маркировка.

Фото — примеры цветовой маркировкиФото — таблица цветов

Многие отечественные современные транзисторы также обозначаются буквенным шифром, в который включается информация о группе (полевые, биполярные), типе (кремниевые и т. д.,) годе и месяце выпуска.

Фото — расшифровка

Основные свойства (параметры) триодов:

Коэффициент усиления по напряжению тока;
Входящее напряжение;
Составные частотные характеристики.

Для их выбора еще используются статические характеристики, которые включают сравнение входных и выходных ВАХ.

Необходимые параметры можно вычислить, если произвести расчет по основным характеристикам (распределение токов каскада, расчет ключевого режима). Коллекторный ток: Ik=(Ucc-Uкэнас)/Rн

Ucc – напряжение сети;
Uкэнас – насыщение;
Rн – сопротивление сети.

Потери мощности при работе:

P=Ik*Uкэнас

Купить биполярные транзисторы SMD, IGBT и другие можно в любом электротехническом магазине. Их цена варьируется от нескольких центов до десятка долларов, в зависимости от назначения и характеристик.

Биполярный транзистор, принцип работы для чайников

Что такое биполярный транзистор – элементарное полупроводниковое устройство, функциональность которого охватывает изменение либо усиление выходного сигнала от заряженных частиц.

Это один из типов транзисторов, состоящий из 3-х слоев, которые обеспечивают 2 «зарядных» или «дырочных» перехода (би — два перехода). Соответственно, данное устройство может быть представлено как два диодных элемента, включенных противоположно друг другу.

В простонародье биполярный транзистор пришел на смену морально и физически устаревшим транзисторам лампового вида, которые эксплуатировались очень длительное время в конструкциях телевизоров прошлого столетия.

Рисунок 1 – Биполярный транзистор

Как видно из изображения 1 устройства данного вида имеют 3 выхода, однако, по конструктивному исполнению внешний вид отличается друг от друга. Но в схемах электрических цепей они одинаковы во всех случаях.

В зависимости от проводимости биполярные устройства разделяются на P→N→P и N→P→N устройства, которые отличаются что переносит заряженные частицы — электроны или посредством «дырок».

Рисунок 2 – Разновидность биполярных аппаратов

Устройство биполярного транзистора

Согласно типовых схем, буквой «Б» называется «База» — внутренний слой аппарата, его фундамент, который приводит преобразование или изменение токового сигнала. Стрелка в кругу показывает движение токовых зарядов в «Э».

«Э» — «Эмиттер» — внутренняя основная составляющая транзистора, предназначенный для переноса заряженных элементарных частиц в «Б».

«К» — «Коллектор» — вторая составляющая транзисторного устройства, которая производит сбор тех же зарядов, которые проходят через «Б».

Пласт «Базы» конструктивно выполняют очень тоненьким в связи с рекомбинированием заряженных частиц, которые идут через базовый слой, с составными частицами данного пласта. В то же время пласт «Коллектора» конструируют как можно шире для качественного сбора зарядов.

Принцип работы биполярного транзистора

Принцип работы биполярного транзистора для чайников опишем на образце P→N→P транзисторного аппарата на рисунке 3. Принцип работы биполярного транзистора N→P→N вида сходен переходу в прямом направлении, только в этом случае заряды — электрические частицы движутся от «К» до «Э». Для выполнения данного условия необходимо всего на всего изменить полярность подключенного напряжения.

Рисунок 3 — Принцип работы P→N→P транзистора

При отсутствии внешних возмущений, внутри биполярника между его слоями будет существовать разность зарядов. На границах раздела будут установлены единые барьерные мосты, так как в это время доля «дырок» в коллекторе соответствует их численности в эмиттере.

Для точной работы биполярного транзистора переход в коллекторном пласте необходимо сместить в противоположном курсе, в то же время в эмиттере направленность перехода должна быть прямым. В этом случае режим функционирования будет активным.

Для выполнения вышеуказанных условий необходимо применить два питания, один из которых с положительным знаком соединяем с концом эмиттера, «минус» подключаем к базовому слою. Второй источник напряжения соединяем в следующем порядке: «плюс» к базовому концу, «минус» — к концу коллектора. Изобразим подключение на рисунке 4.

Рисунок 4 — Принципиальная схема подключения транзистора

Под воздействием напряжения Uэ, Uк через барьеры совершается переход дырок в эмиттере №1-5 и в базовом слое электрически заряженных частиц №7,8. В данном случае величина тока в эмиттере будет зависеть от количества переходов дырок, так как их больше.

Дырки, которые перешли в базовый слой собираются у барьерного перехода. Тем самым у границы с эмиттерным слоем будет собираться массовое количество дырок, в то же время у границы с «К», концентрация их существенно ниже. В связи с этим начнется диффузия дырок к «К» и близи границы произойдет их ускорение поля «Б» и переход в «К».

При перемещении через средний слой базы дырки рекомбинируют, заряженный электрон 6 замещает дырку 5. Такое перемещение будет совершаться с увеличением плюсового заряда при переходе дырок, соответственно движение зарядов в обратном направлении будет создавать ток определенной величины, а база остается электрически нейтральной.

Число дырок, которые перешли в коллектор будет меньше числа, которые покинули эмиттер. Это значит, что электрический ток «К» будет отличаться от значения тока «Э».

Обратный переход дырок из коллектора нежелателен и снижает эффективность транзистора, потому что переход осуществляется не основными, а вспомогательными носителями энергии и зависит данный переход сугубо от величины температуры. Данный ток носит название тока тепла. По значению теплового тока судят о качестве биполярного транзистора.

На рисунке 5 схематически изобразим направление движения заряженных частиц — токов транзистора.

Рисунок 5 — Направление токов в биполярном транзисторе

На основании выше изложенного напрашивается вывод: любое изменение тока в структуре слоев эмиттер — база сопровождается изменением величины тока коллектора, причем самое малое изменение «базового» тока приведет к значимой коррекции выходного коллекторного тока.

Режим работы биполярных устройств

В зависимости от величины напряжения на выводах транзистора существует 4 режима его функционирования:

отсечка — переходов дырки — электроды не происходит;
активный режим — приведен в описании;
насыщение — ток базы очень велик и ток коллектора будет иметь максимальное значение и абсолютно не зависеть от тока базы, соответственно усиления сигнала не будет;
инверсия — использование устройства с обратными ролями эмиттера и коллектора.

Достоинства и недостатки биполярных транзисторов

К достоинствам биполярных транзисторов в сравнении с аналогами относятся:

управление электрическими зарядами;
надежность в работе;
устойчивость к частотным помехам;
малые шумовые характеристики;

К недостаткам можно отнести:

обладает малым значением входного сопротивления, из-за которого ухудшаются характеристики по усилению сигналов;
резкая чувствительность к статике зарядов;
схема включения предполагает присутствие 2-х питаний;
при высоких значениях температуры возможно повреждение транзистора.

|Как работает биполярный транзистор|

Понравилась статья? Расскажите друзьям: Оцените статью, для нас это очень важно:

Проголосовавших: 5 чел.
Средний рейтинг: 3.6 из 5.

Mosfet транзисторы принцип работы

Что такое МОП-транзистор, принцип работы, типы, на схеме, преимущества недостатки

МОП-транзистор (полевой транзистор на основе оксидов металлов и полупроводников) является наиболее широко используемым типом полевых транзисторов с изолированным затвором. Они используются в различных приложениях благодаря простым рабочим явлениям и преимуществам по сравнению с другими полевыми транзисторами.

Что такое МОП-транзистор

Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor (Металлооксидные полевые транзисторы) сокращается как МОП-транзистор. Это униполярный транзистор, используемый в качестве электронного переключателя и для усиления электронных сигналов. Устройство имеет три терминала, состоящих из истока, затвора и стока. Помимо этих клемм имеется подложка, обычно называемая корпусом, которая всегда подключается к клемме источника для практических применений.

В последние годы его открытие привело к доминирующему использованию этих устройств в цифровых интегральных схемах из-за его структуры. Слой диоксида кремния (SiO2) действует как изолятор и обеспечивает электрическую изоляцию между затвором и активным каналом между истоком и стоком, что обеспечивает высокий входной импеданс, который почти бесконечен, таким образом захватывая весь входной сигнал.

Принцип работы МОП-транзистора (MOSFET)

Он изготовлен путем окисления кремниевых подложек. Он работает путем изменения ширины канала, через который происходит движение носителей заряда (электронов для N-канала и дырок для P-канала) от источника к стоку. Терминал затвора изолирован, напряжение которого регулирует проводимость устройства.

Типы МОП-транзистора (MOSFET)

На основе режима эксплуатации МОП-транзисторы можно разделить на два типа.

Режим насыщения
Режим истощения

Режим насыщения

В этом режиме отсутствует проводимость при нулевом напряжении, что означает, что оно по умолчанию закрыто или «ВЫКЛ», так как канал отсутствует. Когда напряжение затвора увеличивается больше, чем напряжение источника, носители заряда (дырки) смещаются, оставляя позади электроны, и, таким образом, устанавливается более широкий канал.

Напряжение на затворе прямо пропорционально току, то есть с увеличением напряжения на затворе ток увеличивается и наоборот.

Классификация режима насыщения МОП- транзисторов

Усовершенствованные МОП-транзисторы можно классифицировать на два типа в зависимости от типа используемого легированного субстрата (n-типа или p-типа).

N-канальный тип насыщения MOSFET
P-канальный тип насыщения MOSFET

N-канальный тип насыщения MOSFET

Слегка легированная субстрат P-типа образует корпус устройства, а исток и сток сильно легированы примесями N-типа.
N-канал имеет электроны в качестве основных носителей.
Подаваемое напряжение затвора положительно для включения устройства.
Он имеет более низкую собственную емкость и меньшую площадь соединения из-за высокой подвижности электронов, что позволяет ему работать на высоких скоростях переключения.
Он содержит положительно заряженные примеси, что делает преждевременным включение полевых МОП-транзисторов с N-каналом.
Сопротивление дренажу низкое по сравнению с P-типом.

P-канальный тип насыщения MOSFET

Слегка легированная подложка N-типа образует корпус устройства, а исток и сток сильно легированы примесями P-типа.
P-канал имеет отверстия в качестве основных носителей.
Он имеет более высокую внутреннюю емкость и малую подвижность отверстий, что делает его работающим при низкой скорости переключения по сравнению с N-типом.
Подаваемое напряжение затвора является отрицательным для включения устройства.
Водостойкость выше по сравнению с N-типом.

Режим истощения

В этом типе канал уже установлен, и очевидно, что проводимость происходит даже при нулевом напряжении, и он открыт или включен по умолчанию. В отличие от типа насыщения, здесь канал лишен носителей заряда, чтобы уменьшить ширину канала.

Напряжение на затворе обратно пропорционально току, т. Е. С увеличением напряжения на затворе ток уменьшается.

Классификация режима истощения МОП-транзисторов

Истощающие МОП-транзисторы могут быть классифицированы на два типа в зависимости от типа используемого легированного субстрата (n-типа или p-типа).

Тип истощения канала N МОП-транзистор
Тип истощения канала P МОП-транзистор

Тип истощения канала N МОП-транзистор

Полупроводник P-типа образует подложку, а исток и сток сильно легированы примесями N-типа.
Применяемое напряжение на затворе отрицательное.
Канал обеднен свободными электронами.

Тип канала истощения канала MOSFET

Полупроводник N-типа образует подложку, а исток и сток сильно легированы примесями N-типа.
Поданное напряжение затвора положительное.
Канал обеднен свободными отверстиями.

Символ на схеме разных типов МОП-транзистора (MOSFET)

Символы различных типов МОП-транзисторов изображены ниже.

Применение МОП-транзистора

Усилители MOSFET широко используются в радиочастотных приложениях.
Он действует как пассивный элемент, такой как резистор, конденсатор и индуктор.
Двигатели постоянного тока могут регулироваться силовыми полевыми МОП-транзисторами.
Высокая скорость переключения MOSFET делает его идеальным выбором при проектировании цепей прерывателей.

Преимущества МОП-транзистора

МОП-транзисторы обеспечивают большую эффективность при работе при более низких напряжениях.
Отсутствие тока затвора приводит к высокому входному импедансу и высокой скорости переключения.
Они работают при меньшей мощности и не потребляют ток.

Базовая структура MOSFET транзистора

Конструкция MOSFET (что это, рассказано в статье подробно) очень отличается от полевых. Оба типа транзисторов используют электрическое поле, создаваемое напряжением на затворе. Чтобы изменить поток носителей заряда, электронов для п-канала или отверстия для р-канала, через полупроводящий канал сток-исток. Электрод затвора помещен на вершине очень тонким изолирующим слоем, и есть пара небольших областей п-типа только под сток и исток электродов.

При помощи изолированного устройства затвора для МОП-транзистора никаких ограничений не применяется. Поэтому можно соединять с затвором полевого МОП-транзистора источник сигнала в любой полярности (положительный или отрицательной). Стоит отметить, что чаще встречаются импортные транзисторы, нежели их отечественные аналоги.

Это делает MOSFET устройства особенно ценными в качестве электронных переключателей или логических приборов, потому что без воздействия извне они, как правило, не проводят ток. И причина этому высокое входное сопротивление затвора. Следовательно, очень маленький или несущественный контроль необходим для МОП-транзисторов. Ведь они представляют собой устройства, управляемые извне напряжением.

Режим истощения МОП-транзистора

Режим истощения встречается значительно реже, нежели режимы усиления без приложения напряжения смещения к затвору. То есть, канал проводит при нулевом напряжении на затворе, следовательно, прибор «нормально закрыт». На схемах используется сплошная линия для обозначения нормально замкнутого проводящего канала.

Для п-канального МОП-транзистора истощения, отрицательное напряжение затвор-исток отрицательное, будет истощать (отсюда название) проводящий канал своих свободных электронов транзистора. Аналогично для р-канального МОП-транзистора обеднение положительного напряжения затвор-исток, будет истощать канал своих свободных дырок, переведя устройство в непроводящее состояние. А вот прозвонка транзистора не зависит от того, какой режим работы.

Другими словами, для режима истощения п-канального МОП-транзистора:

Положительное напряжение на стоке означает большее количество электронов и тока.
Отрицательное напряжение означает меньше электронов и ток.

Обратные утверждения также верны и для транзисторов р-канала. Тогда режим истощения МОП-транзистора эквивалентно «нормально разомкнутому» переключателю.

N-канальный МОП-транзистор в режиме истощения

Режим истощения МОП-транзистора построен таким же образом, как и у полевых транзисторов. Причем канал сток-исток – это проводящий слой с электронами и дырками, который присутствует в п-типа или р-типа каналах. Такое легирование канала создает проводящий путь низкого сопротивления между стоком и источника с нулевым напряжением. Используя тестер транзисторов, можно провести замеры токов и напряжений на его выходе и входе.

Режим усиления МОП-транзистора

Более распространенным у транзисторов MOSFET является режим усиления, он обратный для режима истощения. Здесь проводящий канал слаболегированный или даже нелегированный, что делает его непроводящим. Это приводит к тому, что устройство в режиме покоя не проводит ток (когда напряжение смещения затвора равно нулю). На схемах для обозначения МОП-транзисторов такого типа используют ломаную линию, чтобы обозначить нормально открытый токоизолирующий канал.

Для повышения N-канального МОП-транзистора ток стока будет течь только тогда, когда напряжение на затворе прикладывается к затвору больше, чем пороговое напряжение. При подаче положительного напряжения на затвор к п-типа MOSFET (что это, режимы работы, схемы включения, описаны в статье) привлекает большее количество электронов в направлении оксидного слоя вокруг затвора, тем самым увеличивая усиление (отсюда название) толщины канала, позволяя свободнее протекать току.

Особенности режима усиления

Увеличение положительного напряжения затвора вызовет появление сопротивления в канале. Это не покажет тестер транзисторов, он может только проверить целостность переходов. Чтобы уменьшить дальнейший рост, нужно увеличить тока стока. Другими словами, для режима усиления п-канального МОП-транзистора:

Положительный сигнал транзистор переводит в проводящий режим.
Отсутствие сигнала или же его отрицательное значение переводит в непроводящий режим транзистор. Следовательно, в режиме усиления МОП-транзистор эквивалентен «нормально разомкнутому» переключателю.

Обратные утверждения справедливы для режимов усиления р-канальных МОП-транзисторов. При нулевом напряжении устройство в режиме «Выкл» и канал открыт. Применение напряжения отрицательного значения к затвору р-типа у MOSFET увеличивает проводимость каналов, переводя его режим «Вкл». Проверить можно, используя тестер (цифровой или стрелочный). Тогда для режима усиления р-канального МОП-транзистора:

Положительный сигнал переводит транзистор «Выкл».
Отрицательный включает транзистор в режим «Вкл».

Режим усиления N-канального МОП-транзистора

В режиме усиления МОП-транзисторы имеют низкое входное сопротивление в проводящем режиме и чрезвычайно высокое в непроводящем. Также их бесконечно высокое входное сопротивление из-за их изолированного затвора. Режима усиления транзисторов используется в интегральных схемах для получения типа КМОП логических вентилей и коммутации силовых цепей в форме, как PMOS (P-канал) и NMOS (N-канал) входов. CMOS – это комплементарный МОП в том смысле, что это логическое устройство имеет как PMOS, так и NMOS в своей конструкции.

Транзистор полевой

В современной цифровой электронике, транзисторы работают, как правило — в ключевом (импульсном) режиме: открыт-закрыт. Для таких режимов оптимально подходят – полевые транзисторы. Название «полевой» происходит от «электрическое поле». Это значит, что они управляются полем, которое образует напряжение, приложенное к управляющему электроду. Другое их название – униполярный транзистор. Так подчеркивается, что используются только одного типа носители заряда (электроны или дырки), в отличии от классического биполярного транзистора. «Полевики» по типу проводимости канала и типу носителей бывают двух видов: n-канальный – носители электроны и p-канальный – носители дырки. Транзистор имеет три вывода: исток, сток, затвор.

исток (source) — электрод, из которого в канал входят (истекают) носители заряда, источник носителей. В традиционной схеме включения, цепь истока n-канального транзистора подключается к минусу питания, p-канального — к плюсу питания.

сток (drain) — электрод, через который из канала выходят (стекают) носители заряда. В традиционной схеме включения, цепь стока n-канального транзистора подключается к плюсу питания, p-канального — к минусу питания.

затвор (gate) — управляющий электрод, регулирует поперечное сечения канала и соответственно ток протекающий через канал. Управление происходит напряжением между затвором и истоком – Vgs.

Полевые транзисторы бывают двух основных видов: с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором. С изолированным затвором делятся на: с встроенным и индуцированным каналом. На рис.1 изображены типы полевых транзисторов и их обозначения на схемах.

Рис.1. Типы полевых транзисторов и их схематическое обозначение.

«Полевик» с изолированным затвором и индуцированным каналом

Нас интересуют транзисторы Q5 и Q6. Именно они используются в цифровой и силовой электронике. Это полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом. Их называют МОП (метал-оксид-полупроводник) или МДП (метал-диэлектрик-полупроводник) транзисторами. Английское название MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Таким названием подчеркивается, что затвор отделен слоем диэлектрика от проводящего канала. Жаргонные названия: «полевик», «мосфет», «ключ».

Индуцированный канал — означает, что проводимость в нем появляется, канал индуцируется носителями (открывается транзистор) только при подаче напряжения на затвор. В отличии от транзисторов Q3 и Q4 которые тоже МОП транзисторы, но со встроеным каналом, канал всегда открыт, даже при нулевом напряжении на затворе. Схематически, разница между этими двумя типами транзисторов на схемах обозначается сплошной (встроенный) или пунктирной (индуцированный) линией канала. Другое название индуцированного канала – обогащенный, встроенного – обеднённый.

Обратный диод

Технология изготовления МОП транзисторов такова, что образуются некоторые паразитные элементы, в частности биполярный транзистор, включенный параллельно силовым выводам. См. рис.2. Он оказывает негативное влияние на характеристики транзистора, поэтому технологической перемычкой замыкают вывод истока с подложкой (замыкают переход: база-эмиттер, паразитного транзистора), а оставшийся переход: коллектор-база, образует диод, включенный параллельно стоку-истоку, в направлении обратном протеканию тока (в классической схеме включения). Параметры этого диода производители уже могут контролировать, поэтому он не оказывает существенного влияния на работу транзистора. И даже наоборот, его наличие специально используется в некоторых схематических решениях.

Именно этот диод (стабилитрон) обозначается на схематическом изображении МОП транзистора, а технологическая перемычка показана стрелкой соединенной с истоком. Существуют и транзисторы без технологической перемычки, на их условном обозначения нет стрелкой.

В зависимости от модели транзистора, диод может быть, как и штатный – паразитный, низкочастотный, так и специально добавленный, с заданными характеристиками (высокочастотный или стабилитрон). Это указывается в документации к транзистору.

Рис.2. Паразитные элементы в составе полевого транзистора.

Основные преимущества MOSFET

меньшее потребление, высокий КПД. Транзисторы управляются напряжением, и в статике не потребляют ток управления.
простая схема управления. Схемы управления напряжением более просты, чем схемы управления током.
высокая скорость переключения. Отсутствуют неосновные носители. Следовательно не тратится время на их рассасывание. Частота работы сотни и тысячи килогерц
повышеная теплоустойчивость. С ростом температуры растет сопротивление канала, следовательно понижается ток, а это приводит к понижению температуры. Происходит саморегуляция.

Основные характеристики MOSFET

Vds(max) – максимальное напряжение сток-исток в закрытом состоянии транзистора
Rds(on) – активное сопротивление канала в открытом состоянии транзистора. Этот параметр указывают для определенных значений Vgs 10В или 4.5В или 2.5 В при которых сопротивление становится минимальным.
Vgs(th) – пороговое напряжение при котором транзистор начнет открываться.
Ids – максимальный постоянный ток через транзистор.
Ids(Imp) – импульсный (кратковременный) ток, который выдерживает транзистор.
Ciss, Crss, Coss – емкость затвор-исток (input), затвор-сток (reverse), сток-исток(output).
Qg – заряд который необходимо передать затвору для переключения.
Vgs(max) – максимальное допустимое напряжение затвор-исток.
t(on), t(of) – время переключения транзистора.
характеристики обратного диода сток-исток ( максимальный ток, падение напряжения, время восстановление)

Что еще нужно знать про полевой транзистор?

P-канальные транзисторы имеют хуже характеристики чем N-канальные. Меньше рабочая частота, больше сопротивление, больше площадь кристалла. Они реже используются и выпускаются в меньшем ассортименте.

МОП транзистор — потенциальный прибор и управляется напряжением (потенциалом), затвор отделен слоем диэлектрика , по сути это конденсатор и через него не протекает постоянный ток, поэтому он не потребляет ток управления в статике, но во время переключения требуется приличный ток для заряда-разряда емкости.

МОП транзистор имеет хоть и не большое, но активное сопротивление в открытом состоянии Rds. Это сопротивление уменьшается с ростом отпирающего напряжения и становится минимальным при определенном напряжении затвор-исток, 4.5В или 10В. По сути – это резистор, сопротивление которого управляется напряжением Vgs.

Vgs – управляющее напряжение, Vg-Vs. Если измерять относительно общего минуса, то: для n канального Vgs>0, для p канального Vgs<0 (красный провод вольтметра на затвор, черный на исток). У силовых транзисторов управляющее напряжение, при котором будет минимальное сопротивление – 10 вольт и больше. У низковольтных «полевиков», которые управляются логическими уровнями микросхем, оно составляет 4.5 вольт или 2.5В , для разных транзисторов. Общее правило: чем выше напряжение – тем транзистор лучше откроется, но это напряжение не должно превышать масимально допустимого Vgs(max).

Схема включения MOSFET

Традиционная, классическая схема включения «мосфет», работающего в режиме ключа (открыт-закрыт), приведена на рис 3. Это схема, с общим истоком. Она наиболее распространена, легка в реализации и имеет самый простой способ управления транзистором.

Нагрузку включают в цепь стока. Встроенный диод, оказывается включенным в обратном направлении и ток через него не протекает.

Для n-канального: исток на землю, сток через нагрузку к плюсу. Тогда для его открытия, на затвор нужно подать положительное напряжение, подтянуть к плюсу питания. При работе от ШИМ (широтно импульсный модулятор), открывать его будет положительный импульс.

Для p-канального: исток на плюс питания, сток через нагрузку на землю. Тогда для его открытия, на затвор нужно подать отрицательное напряжение, подтянуть к минусу питания (земле). При управлении от ШИМ, открывающим будет – отрицательный импульс (отсутствие импульса).

Рис. 3. Классическая схема включения MOSFET в ключевом режиме.

МОП транзистор, в открытом состоянии, будет пропускать ток как от истока к стоку, так и от стока к истоку. Также и нагрузку можно включать как в цепь стока, так и истока. Но при «нестандартном» включении, усложняется управление транзистором, так для n-канального может потребоваться, напряжение выше питания, а для p-канального – отрицательное напряжение ниже земли (двухполярное питание).

МОП транзисторы, используемые в цифровой электронике, делятся на два типа.

Мощные силовые – используются в импульсных преобразователях напряжения и в цепях питания.
Транзисторы логического уровня – используются как ключи, коммутируют различные сигналы и управляются микросхемами.

Транзисторы бывают в разных корпусах, с разным количеством выводов, часто в одном корпусе объединяют два транзистора.

Понравилась статья? Расскажите друзьям: Оцените статью, для нас это очень важно:

Проголосовавших: 1 чел.
Средний рейтинг: 5 из 5.

его виды, назначение и принципы работы

Что такое транзистор? Наверняка каждый человек хотя бы раз в жизни слышал это слово. Однако далеко не каждый знаком с его значением, а тем более с устройством и назначением транзистора. Это понятие подробно изучают студенты технических ВУЗов. При этом довольно часто технические знания пригождаются в жизни людям, не имеющим ничего общего с инженерной деятельностью. В этой статье мы рассмотрим в каких областях они применяются.

Принцип работы прибора

Транзистор — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического сигнала. Благодаря особому строению кристаллических решёток и полупроводниковым свойствам, этот прибор способен увеличивать амплитуду протекающего тока.

Полупроводники — вещества, которые способны проводить ток, а также препятствовать его прохождению. Самыми яркими их представителями являются кремний и германий. Существует два вида полупроводников:

Электронные.
Дырочные.

В полупроводниках электрический ток возникает из-за недостатка или переизбытка свободных электронов. Например, кристаллическая решётка атома состоит из трёх электронов. Однако если ввести в это вещество атом, состоящий из четырёх электронов, один будет лишним. Он является свободным электроном. Соответственно, чем больше таких электронов, тем ближе это вещество по своим свойствам к металлу. А значит, и проводимость тока больше. Такие полупроводники называются электронными.

Теперь поговорим о дырочных. Для их создания в вещество вводятся атомы другого вещества, кристаллическая решётка которого содержит больше атомов. Соответственно, в нашем полупроводнике становится меньше электронов. Образуются вакантные места для электронов. Валентные связи будут разрушаться, так как электроны будут стремиться занять эти вакантные места. Далее, мы будем называть их дырками.

Электроны постоянно стремятся занять дырку и, начиная движение, образуют новую дырку. Таким поведением обладают абсолютно все электроны. В полупроводнике происходит их движение, а значит, начинает проводиться ток. Такие полупроводники называются дырочными.

Таким образом, вводя недостаток или избыток электронов в кремний или германий, мы способствуем их движению. Получается ток. Транзисторы состоят из соединений этих полупроводников по определённому принципу. С их помощью можно управлять протекающими токами и другими параметрами электрических сигналов.

Виды транзисторов

Существует несколько видов транзисторов. Их около четырёх. Однако основные из них это:

Полевые.
Биполярные.

Остальные виды собираются из полевых и биполярных. Рассмотрим более подробно каждый вид.

Полевые

Суть этого прибора заключается в управлении параметрами электрического сигнала с помощью электрического поля. Оно появляется при подаче напряжения к какому-либо из выводов:

Затвор нужен для регулирования параметров сигнала, благодаря подаче напряжения на него.
Сток — вывод, через который из канала уходят носители заряда (дырки и электроны).
Исток — вывод, через который в канал приходят электроны и дырки.

Такой транзистор состоит из полупроводника с определённой проводимостью и двух областей, помещённых в него с противоположной проводимостью. При подаче напряжения на затвор между этими двумя областями появляется пространство, через которое протекает ток. Это пространство называется каналом. Ширина этого канала регулируется напряжением, которое мы подаём на затвор. Соответственно, можно увеличивать и уменьшать ширину канала и управлять протекающим током.

Теперь поговорим о приборе с изолированным затвором. Разница в том, что в первом случае этот переход есть всегда, даже когда на затвор не подавалось напряжение. А при его подаче, переход и токопроводящий канал менялись в зависимости от полярности и амплитуды напряжения. Металлический затвор в таких транзисторах изолирован диэлектриком от полупроводниковой области. Их входное сопротивление гораздо больше.

Существует два вида приборов с изолированным затвором:

Со встроенным каналом.
С индуцированным каналом.

Встроенный канал позволяет протекать электрическому току с определённой амплитудой. При подаче напряжения с определённой амплитудой и полярностью мы можем менять ширину канала и его проводимость. Этот канал встраивается в транзисторы на производственных предприятиях.

Индуцированный канал появляется между двумя областями, о которых мы говорили выше, только при подаче напряжения определённой полярности на затвор. То есть, когда на затвор напряжение не подаётся, ток в нем не протекает.

Все виды полевых транзисторов отличаются друг от друга по следующим параметрам:

Входное сопротивление.
Амплитуда напряжения, которое необходимо подать на затвор.
Полярность.

Каждый из этих видов полевых транзисторов необходим для сборки определённых электрических и логических схем. Так как для реализации двух разных устройств необходимо разные электрические параметры.

Биполярные

Слово «биполярные» означает две полярности. То есть, такие приборы имеют две полярности, благодаря особенностям своего строения. Особенность их строения заключается в том, что они состоят из трёх полупроводниковых областей. Типы проводимости бывают следующими:

Электронная, далее n.
Дырочная, далее p.

Соответственно, можно сделать вывод, что существует два вида биполярных транзисторов:

Разница между ними заключается в том, что для корректной работы необходимо подавать напряжение разной полярности. К каждой из трёх полупроводниковых областей подключено по одному выводу. Всего их три:

База — центральный слой. Он является самым тонким. На выводе базы находится управляющий ток с небольшой амплитудой.
Коллектор — один из крайних слоёв. Он является самым широким. На него подаётся ток с большой амплитудой.
Эмиттер — вывод, на который подаётся ток с коллектора. На его выходе амплитуда тока немного больше, чем на входе.

Существует три схемы подключения биполярных транзисторов:

С общим эмиттером — входной сигнал подаётся на базу, а выходной снимается с коллектора.
С общим коллектором — входной сигнал подаётся на базу, а снимается с эмиттера.
С общей базой — входной сигнал подаётся на эмиттер, а снимается с коллектора.

Благодаря нескольким электронно-дырочным переходам, образующимся в биполярном транзисторе, можно управлять параметрами электрического сигнала. Полярность и амплитуда подаваемого напряжения зависят от типа биполярного транзистора.

Применение транзисторов в жизни

Транзисторы применяются в очень многих технических устройствах. Самые яркие примеры:

Усилительные схемы.
Генераторы сигналов.
Электронные ключи.

Во всех устройствах связи усиление сигнала необходимо. Во-первых, электрические сигналы имеют естественное затухание. Во-вторых, довольно часто бывает, что амплитуды одного из параметров сигнала недостаточно для корректной работы устройства. Информация передаётся с помощью электрических сигналов. Чтобы доставка была гарантированной и качество информации высоким, нам необходимо усиливать сигналы.

Транзисторы способны влиять не только на амплитуду, но и на форму электрического сигнала. В зависимости от требуемой формы генерируемого сигнала в генераторе будет установлен соответствующий тип полупроводникового прибора.

Электронные ключи нужны для управления силой тока в цепи. В состав этих ключей входит множество транзисторов. Электронные ключи являются одним из важнейших элементов схем. На их основе работают компьютеры, телевизоры и другие электрические приборы, без которых в современной жизни не обойтись.

Литература по электронике

Наука, которая изучает транзисторы и другие приборы, называется электроника. Целый ее раздел посвящён полупроводниковым приборам. Если вам интересно получить больше информации о работе транзисторов, можно почитать следующие книги по этой тематике:

Цифровая схемотехника и архитектура компьютера — Дэвид М.
Операционные системы. Разработка и реализация — Эндрю Т.
Силовая электроника для любителей и профессионалов — Б. Ю. Семенов .

В этих книгах описываются различные средства программируемой электроники. Конечно же, в основе всех программируемых схем, лежат транзисторы. Благодаря этим книгам вы не только получите новые знания о транзисторах, но и навыки, которые, возможно, принесут вам доход.

Теперь вы знаете, как работают транзисторы, и где они применяются в жизни. Если вам интересна эта тема, продолжайте её изучать, ведь прогресс не стоит на месте, и все технические устройства постоянно совершенствуются. В этом деле очень важно идти в ногу со временем. Успехов вам!

Что такое транзисторы и как они работают

Рубрика: Статьи про радиодетали Опубликовано 09.06.2020 · Комментарии: 0 · На чтение: 7 мин · Просмотры:

Post Views: 159

Транзисторы – это основа всей цифровой электроники 21 века. Они выполняют самые разнообразные функции. Это правопреемники и наследники радиоламп, так называемых вакуумных триодов. В этой статье мы на простом примере рассмотрим концепцию, принцип работы и применение транзисторов в электронике.

Концепция транзисторов

Что такое концепция? Это общее представление об объекте или процессе. Например, концепция автомобиля – это четыре колеса, руль, корпус, двигатель и коробка передач. Концепция одна, а выпускаются автомобили с разной конструкцией, устройством и предназначением.

У транзисторов, как и у вакуумных триодов, очень простая концепция и принцип работы.

Триод – это та деталь, у которой три контакта.

Давайте представим бак с водой, в центре которого установлена задвижка.

Что мы можем сделать с потоком воды? Мы можем управлять им за счет задвижки.

Например, если в баке течет вода, и задвижки нет в нем, то вода проходит без препятствия.

В тоже время, если мы полностью перекроем путь задвижкой, то и вода не будет поступать во вторую условную часть бака и поток прекратится.

А еще мы можем полностью управлять потоком воды при помощи регулировки задвижки.

Получается, что при помощи небольшой задвижки можно контролировать огромный поток воды.
Небольшие колебания (перемещения) задвижки позволяют с такой же частотой пропускать большой поток воды.

И именно в этом суть транзисторов и вакуумных триодов. С их помощью можно управлять электрическим током больших значений применяя небольшие усилия.

Но в тоже время, транзисторы могут быть по разному устроены.

Полевые транзисторы

Описанный выше пример – это полевой транзистор. У самого простого полевого транзистора есть сток, исток и затвор.

Транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов. Поэтому, у них есть второе название — полупроводниковые триоды.

При помощи полупроводников можно изготовить p-n переход.

Любой транзистор состоит из p-n переходов, которые пропускают электрический ток в одном направлении. И этот переход позволят управлять электрическим током как задвижкой.

Полевые транзисторы управляются при помощи напряжения, которое подается на затвор.

Так выглядит состав полевого транзистора с каналом p – типа.

А вот так с n – типом.

Канал транзистора – это область между истоком и стоком.

Почему транзисторы бывают разными по проводимости? Транзистор с n типом управляется при помощи положительного потенциала, а с p типом наоборот, отрицательным потенциалом. Это позволяет усиливать сигналы с разными потенциалами.

Затворов у полевых транзисторов на самом деле два, но их выводы объединены в один, так как функция у них одинакова. Зачем нужно два затвора? Так транзистором проще управлять.

Подавая напряжение на затвор, мы можем регулировать электрический ток проходящий от истока к стоку.

А самое главное не это. Самое главное, что мы можем таким образом не просто включить или выключить электрический ток по цепи, но и управлять его движением.

Например, можно подать на затвор полевого транзистора переменный сигнал 5 мкВ. И он будет модулировать электрический ток, который проходит через исток и сток транзистора. Так можно получить усиленный сигнал.

Также полевые транзисторы имеют разные схемы включения, которые позволяют согласовывать сопротивления и регулировать усилительные функции.

Обозначение (УГО) полевого транзистора с каналом n типа на принципиальных схемах:

Биполярные транзисторы

Это другой тип транзисторов. Такие транзисторы управляются при помощи электрического тока. И они состоят из чередующихся p-n переходов.

Как и у полевого транзистора, у биполярного тоже три контакта. Это эмиттер, база и коллектор. База всегда по типу противоположна эмиттеру и коллектору.

А также размеры базы транзистора намного меньше, чем у коллектора или эмиттера. База только открывает транзистор. И так как через нее протекает ток, она не должна быть большой, чтобы на нее не тратилось много энергии.

Эмиттер — это большой источник основных носителей заряда. А коллектор — это самый большой контакт из этой троицы. С коллектора снимается усиленный сигнал в классической схеме, чтобы получить максимальную мощность. В транзисторах большой мощности коллектор припаян напрямую к корпусу, чтобы рассеивать тепло.

Бывают биполярные транзисторы n-p-n типа.

и p-n-p типа.

Обозначение (УГО) биполярного n-p-n транзистора на принципиальных схемах:

Отличие биполярных транзисторов от полевых

Полевые транзисторы управляются при помощи электрического поля и благодаря этому они очень энергоэффективны. Именно по этой причине они используются при производстве процессоров.

С другой стороны, у полевых транзисторов есть слабое место. Это их тонкий p-n переход. Он очень чувствителен к статическому электричеству. Кстати, именно из-за статического электричества перестают работать флешки и карты памяти, если вы их вытащили из устройства во время работы.

Схемы защиты от статического электричества не успевают сработать, и статика разрушает полевые транзисторы.

А вот биполярные транзисторы наоборот, лучше переносят статику. Но в тоже время, они потребляют больше мощности, так как для их открытия нужен электрический ток.

Схемы включения

Так как у транзисторов три контакта, то можно чередовать вход и выход. Что это даст? У каждого контакта свои особенности. Например, если мы подадим сигнал на базу и эмиттер биполярного транзистора, а снимать итоговый сигнал будем с эмиттера и коллектора, то такая схема будет называются с общим эмиттером.

Этот тип включения позволяет передать максимум мощности в нагрузку.

Прочитать подробнее про работу схемы с общим эмиттером можно в этой статье.

Аналогичным образом можно подключить схему с общим коллектором и с общей базой. По сути, общий контакт — это такой контакт, который работает и на входе и на выходе одновременно с разными контактами.

Все тоже самое справедливо и для полевых транзисторов. Есть схемы с общим стоком, истоком и затвором.

Другие типы транзисторов

А еще бывают однопереходные, комплементарные и КМОП, МДП (MOSFET) и множество других транзисторов. Они разные по своим характеристикам, выполняют разные задачи и предназначены для конкретных целей. Но в целом, принцип работы у всех одинаков. Это управление электрическим током.

Характеристики

Так как полупроводниковые триоды (транзисторы) выполнены из полупроводника, то и на их работу влияет окружающая среда. Например, при изменении температуры окружающей среды, транзистор может вносить нелинейные искажения в выходной сигнал. С этим борются при помощи термпостабидизционных схем, которые позволяют стабилизировать работу транзистора на высоких температурах.

Также у транзисторов есть ВАХ (вольт-амперные характеристики), которые в отличие от вакуумной техники, быстро переходят в насыщение.

У всех транзисторов есть следующие параметры:

Коэффициент усиления по току;
Коэффициент усиления по напряжению;
Коэффициент усиления по току;
Коэффициент обратной связи;
Коэффициент передачи по току;
Входное сопротивление;
Выходное сопротивление;
Время включения;
Максимально допустимый ток и др.

У биполярных:

Обратный ток коллектор-эмиттер;
Частота коэффициента передачи тока базы;
Обратный ток коллектора;
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером и др.

Режимы работы

В целом, можно выделить несколько режимов работы:

Номинальный режим;
Инверсный;
Насыщения;
Отсечка;
Барьерный.

Функции транзисторов

Транзисторы выполняют следующие функции:

Позволяют усиливать электрические сигналы. Транзисторы усиливают любые электрические сигналы, как высокие так и низкие частоты.
Могут работать как ключ, включать и выключать поступление электрического тока. Благодаря этому простому включению и выключению работают все современные процессоры. Транзисторы – это основа всей современной цифровой техники.
Генерируют электрические сигналы за счет положительной обратной связи. На их основе можно сделать генераторы звука и сигналов.
Могут согласовывать сопротивления электрических цепях за счет различных схем включения и работают как ограничители тока. В блоках питания транзисторы могут ограничивать ток короткого замыкания, а также работать как предохранитель.

Чем транзисторы уступают лампам

Несмотря на неоспоримые преимущества транзисторов перед лампами, ламповые триоды по прежнему имеют ряд преимуществ., среди которых:

Устойчивость к высоким электромагнитным наводкам и помехам. Это не значит, что полупроводниковая техника может выйти из строя от любых помех. Но если случится сильнейшая магнитная буря от Солнца (или мощный ЭМИ удар от ядерных бомб), то все p-n переходы в полупроводниковой технике могут выйти из строя из-за высоких токов наводки. Вакуумная техниках намного устойчивее к таким помехам.
Ламповая техника намного лучше и стабильнее работает на высоких частотах. И это уже особенности конструкции. Так как в транзисторах есть p-n переходы, то у них тоже есть своя емкость. А паразитная емкость на высоких частотах негативно влияет на усиление сигнала. Появляются нелинейные искажения. А в вакуумной технике есть такие лампы, у которых по несколько экранирующих сеток, которые позволяют снизить эффект паразитных емкостей. Пример радиолампы — это клистрон.

Нельзя прямо сказать, что транзисторы полностью искоренили лампы. У каждой детали есть свои преимущества и недостатки в разных областях. Конечно, в цифровой технике транзисторам нет ровни среди ламп. Однако на сверхвысоких частотах транзисторы по-прежнему уступают лампам.

Post Views: 159

Виды, типы, характеристики, принцип работы

Транзистор… По-моему самая сложная и очень любопытная тема во всей электронике. Ничего нигде про них толком не написано. Ну что же, дорогие читатели, попробуем пролить свет истины на самое величайшее изобретение XX века, с которого началась Великая Эра цифровой электрон ики.

Что такое транзистор?

Транзистор (от англ. transfer — переносить и resistor — сопротивление) радиоэлектронный компонент, способный усиливать слабые электрические сигналы. Все, пока на этом хватит… Дальше интереснее.

Из чего состоит транзистор?

Как вы знаете, все мы из чего-то состоим. Люди состоят из мяса, воды и костей. А некоторые состоят вообще из другого материала, поэтому не тонут в воде ))). Так и наш транзистор – он тоже из чего-то состоит. Но из чего?

Как вы все знаете, материалы делятся на проводники и диэле ктрики, а между ними находятся полупроводники. Еще раз напомню вам, что проводники прекрасно проводят электрический ток, диэлектрики не проводят электрический ток, а вот полупроводники проводят электрический ток, но очень плохо.

“И зачем нам нужен этот полупроводниковый материал?” – спросите вы. Сам по себе материал полупроводник с практической точки зрения не представляет никакого интереса, но вот когда в него добавить малюсенькую долю некоторых элементов из таблицы Менделеева, по-научному “пролегировать”, то мы получим полупроводниковый материал, но с очень странными свойствами.

Самым знаменитым полупроводником является кремний

и германий

Как вы видите, они мало чем отличаются.

Кремний составляет почти 30% (!) земной коры, германий 1.5х10^-4% . Может быть поэтому полупроводниковые радиоэлементы очень дешевые, особенно из кремния?

P и N полупроводники

Когда в кремний добавляют мышьяк, получается так, что в кремнии стает очень много свободных электронов. А материалы, в которых очень много свободных электронов, мы уже называем проводниками. Следовательно, кремний, после легирования (смешивания) с мышьяком превращается из полупроводника в очень хороший проводник. Электроны обладают отрицательным зарядом, и их в полупроводнике как песчинок в пустыне, значит такой полупроводник будем называть полупроводником N-типа. N – от англ. Negative – отрицательный.

А вот если пролегировать кремний с индием, то мы получим очень забавную вещь… В первом случае у нас появились лишние электроны, которые превратили полупроводник в проводник. Но здесь ситуация абсолютно противоположная. Представьте себе, как это бы странно не звучало, электрон с положительным зарядом. Да да, именно так. Но самое-самое интересное знаете что? Его не существует! Он как бы есть, но его как бы нет))).

Это все равно, что магнитное, электрическое или гравитационное поле. Оно существует, но мы его не видим.

Такой “электрон” мы будем называть дыркой. Так как дырка обладает положительным зарядом, то полупроводниковый материал в котором очень-очень много этих дырок, мы будем называть полупроводником P-типа. P – от англ. Positive – положительный.

По отдельности полупроводники P и N типа не представляют никакого интереса. Все самое интересное начинается тогда, когда они спаиваются с друг другом и образуется PN-переход.

PN-переход

В настоящее время PN-переход спаивается по специальной технологии, что, конечно же, увеличивает проводимость для электрического тока. Ширина этой спайки очень мала и достигает одну тысячную миллиметра.

Свойство PN-перехода

Думаю, будет излишним рассказывать как на физическом уровне работает PN переход. Это долго, муторно и непонятно. Да и вам это точно не пригодится). Самое главное свойство P-N перехода – это односторонняя проводимость! Односторонняя ЧТО? ОДНОСТОРОННЯЯ ПРОВОДИМОСТЬ. Но что означает это словосочетание?

Давайте представим себе воронку, наподобие этой:

С какой стороны нам будет удобней наливать жидкость? Думаю, что сверху, не так ли? Тем самым мы переливаем нашу жидкость далее в какой-либо сосуд.

Ну а что будет, если мы перевернем нашу воронку и будем наливать жидкость через узенькую трубочку таким же напором? Совсем малюсенькая часть жидкости попадет через узкую трубочку и окажется по ту сторону воронки. Остальная же часть тупо прольется мимо воронки.

А давайте теперь на секундочку представим, что вместо жидкости мы будем “наливать” электрический ток. С широкой стороны воронки ток прекрасно зайдет и потечет дальше через узенькую трубочку, а если перевернуть воронку совсем малюсенькая часть электрического тока протиснется на другой конец воронки, остальная же часть электрического тока “прольется” мимо воронки.

Так вот, дорогие мои читатели, P-N переход работает точно таким же способом, как и эта воронка! P – это широкая часть воронки, N – узкая часть воронки, ну то есть та самая тонкая трубочка.

Таким образом, подавая на “воронку” полупроводника P, плюс от источника питания (это может быть батарейка или блок питания ) , а к N-полупроводнику, к узкой трубочке воронки, минус, то у нас ток течет как ни в чем не бывало. Но как только мы поменяем полярность, то есть подадим на P минус, а на N плюс, то у нас ток никуда не потечет. То есть цепь будет находиться в обрыве.

Диод, как самый простой PN-переход

А вам знаком вот такой радиоэлемент? Да, это самый простой диод.

а вот его схематическое изображение

А знаете ли вы, что диод состоит из самого обычного PN-перехода? Можем даже вот так нарисовать диод:

Проведем опыт. Возьмем простой советский диод марки Д226:

Интересно, что же внутри у него? На наждаке стачиваем одну треть корпуса диода, чтобы не повредить внутренности:

Интересно, где же этот PN-переход? С помощью цифрового микроскопа Prima Expert M100 увеличиваем наш парированный диод и видим кристалл кремния.

Судя по книге Шишкова “Первые шаги в радиоэлектронике”, PN-переход находится где-то здесь:

Хотя я увидел там только одну пластинку кремния. Видать полупроводники P и N сплавлены в один бутербродик.

Итак, классика жанра… Как вы видите на этой картинке, диод имеет анод и катод. Анод – это P полупроводник, катод – это N полупроводник. Все элементарно и просто.

Односторонняя проводимость PN-перехода

Далее проведем классический опыт, который описывается во всех учебниках физики. Собираем цепь из блока питания, лампочки и нашего диода вот по такой схеме (снизу перечеркнутый кружочек – это лампочка).

Теперь собираем эту схемку в реале. Красный щуп – это плюс от блока питания, черный щуп – это минус от блока питания.

Видим, что лампочка загорелась. Это означает, что электрический ток течет через диод как ни в чем не бывало.

Теперь меняем щупы местами и собираем вот по такой схеме:

Лампочка не горит. Ну ладно, не переживайте, ведь мы для себя сейчас открыли важнейшее свойство диода, а следовательно и PN-перехода! Диод пропускает электрический ток, если подать на его анод плюс, а на катод минус. Такое включение называют прямым включением диода. А если подать на анод минус, а на катод плюс – диод не будет пропускать электрический ток.

Как проверить целостность PN-перехода

Как проверить целостность PN-перехода, а соответственно и диода? Для этого ставим крутилку на мультиметре в режим прозвонки вот на этот значок :

В этом режиме измеряется падение напряжения. Прямое падение напряжения для кремниевых диодов составляет значение от 0,5 Вольт и до 0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта.

Цепляем анод у диода к положительному щупу мультиметра (красный щуп), а катод цепляем к отрицательному щупу (черный щуп):

Итак, на дисплее мультиметра мы видим так называемое прямое падение напряжения PN-перехода. В данном случае оно равно 554 милливольта или 0,55 Вольт.

Если поменять щупы местами, то на дисплее мультиметра высветится единичка. Это значит, что падение напряжения в данном случае не влазит в диапазон измерения мультиметра в функции прозвонки. При функции “прозвонка” можно наблюдать падение напряжения только в диапазоне от 0 и до 1999 милливольт. Мультиметр же выдает 2,8-3 Вольта в этом режиме.

Зависимость падения напряжения на PN-переходе от температуры

Также у PN-перехода есть очень интересное свойство. Его прямое падение напряжения зависит от температуры.

Вот прямое падение напряжения на диоде при обычной комнатной температуре: 554 милливольта.

Начинаем жарить паяльным феном при 200 градусах по Цельсию и смотрим на дисплей мультиметра:

Опа-на, 392 милливольт, а было 554 …

А давайте охладим наш диод. Для этого используем морозильную камеру холодильника:

615 милливольт…

При повышении температуры, прямое падение напряжения на PN-переходе понижается, а при понижении температуры – повышается. Из Закона Ома вы знаете, что чем меньше сопротивление (а следовательно и падение напряжение на нем), тем лучше течет электрический ток. Может быть, именно поэтому вся современная электроника очень плохо работает на холоде, но прекрасно работает в жаре, потому как почти полностью построена на полупроводниках.

Зависимость сопротивления прямого перехода от температуры радиолюбители используют даже в своих схемах, например в схеме умного вентилятора.

Биполярный транзистор

История возникновения

На дворе стоял послевоенный 1947 год. Декабрь. Холодно, голодно, жутко… но только не в лаборатории Bell Labs! Трое ученых: Джон Бардин, Уильям Шокли и Уолтер Браттейн, бились над радиоэлементом, который перевернул весь мир с ног на голову! 16 декабря 1947 года можно назвать днем второго рождения электроники! Да, черт побери! В этот день впервые миру был продемонстрирован биполярный транзистор.

Именно биполярный транзистор сделал революцию в электронике. Обладая усилительными свойствами, он заменил собой электронные лампы, что сделало электронику намного надежнее, мобильнее и компактнее. Без такого изобретения, как транзистор, мы с вами до сих пор бы жили без компьютеров, мобильных телефонов, планшетов и других различных электронных гаджетов.

Внутреннее строение биполярного транзистора

Помните, о чем мы беседовали выше? Да-да, о полупроводниках P и N типа, а также об их совместном воздействии. В итоге у нас получился диод.

А почему бы нам не добавить еще один полупроводник с такой же проводимостью, как слева? Сказано – сделано! Ну что же, прошу любить и жаловать! Получился БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР!

Если читать слева-направо или справа-налево, из каких полупроводников он состоит, то можно узнать какой он проводимости. Значит, транзистор на рисуночке выше у нас проводимости PNP, или, как у нас говорят, прямой проводимости.

А вот у этого транзистора проводимость NPN или обратной проводимости.

Вывод со среднего полупроводникового материала называется базой, а по краям эмиттер и коллектор. Откуда такие названия? Так как транзистор придумали американцы, то и названия они дали соответствующие:

Эмиттер – на буржуйском Emitter – источник, излучатель, генератор. То есть вывод, на который что-то подается. В данном случае электрический ток.

База – Base – основа. Cамый главный вывод.

Коллектор – Collector – сборщик, собиратель, токоприемник. Он как-бы “собирает” электрический ток.

Обозначение на схеме биполярного транзистора

Как же на схемах обозначаются биполярные транзисторы? Мы разобрали, что существуют транзисторы прямой и обратной проводимости, значит и на схемах они будут обозначатся совсем по-другому.

Схемотехническое обозначение P-N-P транзистора, то есть транзистора прямой проводимости

будет выглядеть вот так:

А схемотехническое обозначение транзистора обратной проводимости или N-P-N транзистора

будет выглядеть вот так:

В старинных советских схемах транзисторы обозначались буквой T, в современных схемах они уже обозначаются буквами VT. Как нетрудно догадаться, вывод со стрелочкой – это эмиттер.

Как не путаться в проводимостях транзистора и в их схемотехнических изображениях? Тут все просто. Как вы помните, в полупроводнике P-типа у нас очень много дырок, а дырки обладают положительным зарядом, то есть они со знаком “плюс”.

Полупроводник N-типа содержит большое количество электронов, а электроны – это отрицательные частицы со знаком “минус”. Как вы помните, электрический ток течет от “плюса” к “минусу”. Стрелка эмиттера показывает направление движения электрического тока. То есть, если у нас база состоит из полупроводника P-типа, то значит ток течет от базы, следовательно, стрелка эмиттера направлена от базы, если же база из N-полупроводника, то стрелка эмиттера направлена в базу. Все просто как дважды два.

Как выглядят биполярные транзисторы

Как же в реале выглядят транзисторы? Уууу…. тут фантазиям разработчиков нет предела. Ниже фоты самых распространенных корпусов транзисторов:

Но! Имейте ввиду! Если вам попался радиоэлемент в таком корпусе – это не обязательно транзистор! Это может быть и тиристор, и диодная сборка или даже стабилизатор напряжения, или вообще что угодно. Как же тогда распознать транзистор? Читаем ниже).

Эквивалентная схема биполярного транзистора

Итак, как же нам распознать биполярный транзистор среди кучи радиоэлементов, имеющих схожий корпус? Давайте рассмотрим еще раз его внутреннюю структуру. Для транзистора прямой проводимости она будет выглядеть так:

а для транзистора обратной проводимости вот так:

А знаете что? Давайте-ка резанём серединный слой пополам… Предположим, мы взяли тонкий-тонкий ножик и разделили полупроводник базы на две части.

Итак, рисуночки у нас становятся такими:

для транзистора прямой проводимости

для транзистора обратной проводимости

Вот этот или вот этот участок транзистора вам ничего не напоминает?

Едрить-колотить! Так ведь это же диод!

Так что тогда получается? Что транзистор тупо состоит из двух диодов? Грубо говоря, так оно и есть.

Значит, схематически мы можем транзистор нарисовать как два диода. Итак, что у нас тогда получиться? Для транзистора прямой проводимости:

схема будет выглядеть вот так:

а для транзистора обратной проводимости

вот так:

Все элементарно и просто, господа! Итак, мы с вами узнали, что схематически (не физически) транзистор можно заменить как два диода, которые соединены катодами или анодами. А проверять диоды мы с вами умеем без проблем, не так ли? Кто подзабыл, читаем статью как проверить диод мультиметром.

Как проверить транзистор с помощью мультиметра

У нас имеются два транзистора. Стоп! А с чего мы взяли что это вообще транзисторы?

Внимательно смотрим на них и видим какие то буквы и цифры. КТ815Б и КТ814Б. Блин, снизу еще какие-то цифры. Во дела! Ладно, ничего страшного. Для этого открываем яндекс или гугл и вбиваем первую строчку названия транзистора. Вбиваем “КТ815Б” и рядышком пишем незамысловатое слово “даташит” или на буржуйский манер “datasheet”.

Качаем документацию на этот радиоэлемент и узнаем что это такое и что он из себя представляет. Теперь я знаю, что это транзистор NPN структуры, а также знаю расположение его выводов.

Вон сколько сразу можно узнать!

А вот и вторая страничка даташита:

Здесь мы видим уже тот же самый транзистор, но уже в другом корпусе. У нас на фото транзистор в корпусе КТ-27. Видите цифры на выводах транзистора? Смотрим в табличку и узнаем, где какой вывод. Значит, на фото у нас выводы идут таким образом:

Теперь рассмотрим другой транзистор.

Из даташита транзистора КТ815Б мы узнали, что у него есть комплиментарная пара: транзистор КТ814

Комплиментарная пара для кого-либо транзистора – это транзистор точно с такими же характеристиками и параметрами, НО у него просто-напросто другая проводимость. Это значит, что транзистор КТ815 у нас обратной проводимости, то есть NPN, а КТ814 прямой проводимости, то есть PNP .
Справедливо также и обратное: для транзистора КТ814 комплиментарной парой является транзистор КТ815 ! Короче говоря, зеркальные братья-близнецы. Также самой популярной комплиментарной парой транзисторов в Советском Союзе были транзисторы КТ315 и КТ361.

Проверка NPN-транзистора с помощью мультиметра
Берем наш знаменитый мультиметр, цепляем щупы-крокодилы и ставим на значок “прозвонка”
Будем проверять транзистор КТ815. Так как он структуры NPN, следовательно, его можно схематически заменить вот на такую диодную схему:
Вспоминаем распиновку нашего транзистора:
Как мы помним, диод пропускает постоянный ток только в одном направлении. Проверяем первый диод транзистора. Для этого ставим на базу плюс, на эмиттер – минус.
Видим падение напряжения при прямом включении на PN-переходе в милливольтах.
Меняем щупы местами. То есть на базу подаем минус, а на эмиттер – плюс:
Единичка, значит первый диод транзистора исправен.

Проверяем второй диод транзистора. Ставим на базу плюс, а на коллектор – минус:
Видим падение напряжения на PN-переходе. Все гуд.

Меняем щупы местами:
Мультиметр показывает единичку. Все в порядке. Второй диод тоже в полном здравии. Значит, транзистор в полной боевой готовности!
Проверка PNP-транзистора с помощью мультиметра
Ну что, теперь проверим комплиментарный транзистор – КТ814 ;-). Его эквивалентная схема будет выглядеть уже по другому, так как он прямой проводимости.
Здесь так же проверяем два диода. Для этого ставим минус на базу, а на эмиттер – плюс.
Падение напряжения на PN-переходе. Все ОК.
Меняем так же местами щупы:
Единичка – все ОК.
Проверяем второй диод транзистора точно так же. Для этого на базу также ставим минус, а на коллектор – плюс.
Опять видим падение напряжения при прямом включении на PN-переходе.
Меняем щупы местами.
Единичка – гуд!
КТ814 у нас тоже полностью жив и здоров!
Проверка неисправного транзистора
Также ставим мультиметр на прозвонку и цепляемся к нашему подопечному.
Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что PN-переход пробит. Можно смело выкидывать такой транзистор в мусорку.
Как проверить транзистор с помощью транзисторметра
Очень удобно проверять транзисторы, имея прибор RLC-транзисторметр
Для этого всего лишь достаточно поместить выводы транзистора в разные отверстия и нажать зеленую кнопку. Как вы видите, прибор полностью нам показал цоколевку (расположение выводов) транзистора, его коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером (об этом ниже), а также напряжение открытия, то есть напряжение, при котором он начинает открываться и пропускать ток через коллектор-эмиттер (об этом также ниже).
Принцип работы транзистора
Что такое усиление
Давайте для начала разберем, что мы вообще подразумеваем под словом “усиление”? Ну… усиление это когда мы производим какое-то действие, чтобы было лучше, качественнее, комфортнее, удобнее, безопаснее. По-моему как-то так. Усиливаем подвеску на машине, чтобы езда была комфортнее. Усиливаем фундамент под дом, загоняя туда железную арматуру, чтобы дом стоял долго и не трещал. Усиливаем армию военной техникой, чтобы обеспечить себе и своему народу безопасность, усиливаем свое тело, чтобы выглядеть уверенно и дать отпор гопникам.
Но какое слово идет рядом в паре со словом “усиление”? Мне кажется – это слово “мощность”.
Усиливаем подвеску на машине, то есть делаем ее мощнее. Усиливаем фундамент – делаем его мощнее. Усиливаем армию танками и самолетами – делаем ее мощнее :-), усиливаем свою тушку – значит делаем ее опять же мощнее.
Давайте рассмотрим на примере человека. Как же его усилить? Здесь я вижу два варианта:
Увеличить человека в размерах
Либо усилить его с помощью экзоскелета:
Тут уже даже и ежу понятно, что мощности каждого из этих персонажей хватит для того, чтобы размотать целую роту вояк в рукопашном бою. В первом случае их проще будет давить либо пяточкой, а если попадется воспитанный великан с хорошими манерами – то пальчиками :-). Во втором случае, с экзоскелетом, хуком справа и слева.
Значит, для того, чтобы сделать сигнал мощнее, мы должны либо увеличить его амплитуду, либо увеличить его… Хм… Зачем наш Тони Старк сделал себе костюм? Чтобы он защищал его тело, то есть чтобы оказывать сопротивление ударам, пулям и тд. Какая-бы пулька или удар не влетали в него, он бы стоял колом (разумеется в разумных пределах) То есть его экзоскелет защищает его от разного рода сопротивления.
Получается, для нашего сигнала какое бы сопротивление он не встретил на своем пути, он будет таким же “бодрым и энергичным”, каким был и до встречи с нагрузкой. Если Тони Старк брал энергию из своего реактора на груди, то сигнал должен брать энергию от какого-либо мощного источника. Сравнение, конечно, так себе, но думаю, суть вы уловили.
Как усиливает транзистор
Итак, представим себе нашу сборную России по футболу. Ну да, ребята частенько лажают), но суть не в этом. Для того, чтобы наши футболисты играли хорошо, надо к каждому футболисту приставить хорошего тренера, установить нормальный график труда и отдыха, кормить самой лучшей спортивной едой, пичкать допингами и тд. Как результат – команда может быть дотянет до полуфинала на чемпионате мира.
Но… есть и другой вариант. Почему бы в команду не пригласить таких футболистов, как Месси, Рональдо, Роналду, Бекхэма и других знаменитостей? То есть в этом варианте мы полностью заменили всю команду. Но для нас ведь главное – победа, и не волнует, кто играет в нашей команде. Главное, чтобы наша команда порвала всех на чемпионате.
И там и там мы усилили эти команды. Но как вы думаете, какой вариант будет лучше? Ну тут уже и ежу понятно, что второй вариант – стопроцентный! Если провести параллельную грань с электроникой, то можно сказать, что транзистор использует именно второй вариант. В нем нет ничего такого, чтобы он сам бы усиливал сигнал. Он его полностью заменяет другим сигналом. То есть усиливаемый сигнал, который выходит из транзистора, является копией входного слабенького сигнала, но это не тот же самый слабенький сигнал.
Тяжко для понимания? Ну давайте приведем тогда еще один пример.
Вернемся в детство. Вам купили маленького хомячка. Вы за ним ухаживаете, меняете водичку, убираете какашки, покупаете колесико, чтобы он бегал и радовался жизни. Через год из маленького хомячка вырастает здоровый пушистый хомяк. Вы очень рады, что у вас вырос такой здоровый хомячок. Но… как-то летом вы решили съездить в деревню к бабушке, за хомяком никто не ухаживал и он сдох. Ваши родители, конечно же, ничего вам не сказали. Они быстренько сбегали в зоомагазин и купили точно такого же хомяка! Один в один! Вы приезжаете к себе домой и продолжаете радоваться своему хомяку, даже не догадываясь, что это вообще не он))). Именно точно также ведет себя транзистор).
Транзистор не усиливает сигнал, а просто выводит усиленную копию на выходе.
Откуда берется энергия для усиления
Вспомните также в своей жизни моменты, когда вы или кто-то другой прилагали очень малую силушку, но наворотили делов.
Получается, какое-то слабенькое движение хвостиком привело к нехорошим последствиям, но энергия использовалась извне. Для мышки-норушки это будет гравитационная сила.
Тот же самый принцип заложен и в транзисторе. Он не может сам по себе усиливать. Он использует энергию извне. А для энергии извне используется источник постоянного тока.
Можно сказать, транзистор представляет из себя именно такую же систему – слабенький управляющий базовый ток управляет огромным током коллектор-эмиттер. Справа это все показано на бачке с водой. То есть чуток открыв краник, чтобы из трубки “База”(Б) полилась водичка, мы открываем клапан, который держит закрытым бачок “Коллектор” (К). Вода сразу же из бачка “Коллектор” стремится в тазик “Эмиттер” (Э). Если же мы закрываем краник “База”, то пружинка возвращает клапан и закрывает прохождение водички из бачка “Коллектор”.
Из всего выше рассказанного и показанного можно сделать некоторые выводы:
– выходной сигнал с транзистора – это усиленная копия входного сигнала
– транзистор для усиления сигнала использует энергию извне, а точнее, источник постоянного тока.
– малый управляющий базовый ток управляет намного большим коллекторным током (рисунок выше)
– независимо от схемы включения управляющий PN переход – эмиттерный, а управляемая цепь – эмиттер-коллектор
Усиление в электронике
Увеличивая амплитуду сигнала, мы меняем его напряжение, а делая сигнал “неуязвимым”, мы добавляем ему силу. Силу тока. Поэтому, увеличивая или напряжение, или силу тока, либо сразу два этих параметра, мы делаем сигнал мощнее.
Для тех, кто позабыл:
P=IU
где
P – это мощность, измеряется в Ваттах
I – сила тока, в Амперах
U – напряжение, в Вольтах
В своих электронных разработках вы должны точно решить для себя, что именно собираетесь делать с сигналом:
– увеличить его амплитуду напряжения, при этом силу тока оставить неизменной
– оставить амплитуду напряжение такой же, но прибавить мощности с помощью силы тока
– увеличить и напряжение и силу тока
В основном применяют усиление сразу по обоим параметрам. Поэтому, в электронике чаще всего используется схема с ОЭ (Общим Эмиттером), которая увеличивает сигнал и по силе тока, и по напряжению одновременно.
Для транзистора PNP проводимости подключение транзистора с ОЭ выглядит так:
А для NPN транзистора вот так:
Но вы также должны иметь ввиду, что в электронике нам не просто надо усилить сигнал, а усилить его правильно, чтобы он не потерял свой первозданный вид. Мощная копия сигнала должна пропорционально усиливаться по амплитуде. По времени мы не должны ее трогать, иначе изменится частота сигнала. Тогда это уже будет совсем другой сигнал.
На рисунке ниже мы можем увидеть входной слабенький сигнал, а на выходе усиленный сигнал после транзисторного каскада.
Как мы видим, сигнал по амплитуде изменился линейно и пропорционально, но период сигнала не изменился. То есть T1=T2. Это пример идеального усилителя.
Принцип усиления
Усилители в электронике в большинстве случаев усиливают именно напряжение. То есть на вход загоняем какой-либо маленький сигнал напряжения, а на выходе получаем точную копию сигнала, но уже бОльшего напряжения. Но как это сделать на практике?
А почему бы нам не использовать делитель напряжения, у которого один резистор будет постоянным, а другой – переменным:
Что будет, если мы на переменном резисторе будем менять сопротивление? Правильно! Будем меняться напряжение на выходе U. А теперь представьте, что мы не ручками меняли бы сопротивление, а за нас это бы делало напряжение? Чем больше меняем напряжение, тем больше меняется сопротивление. То есть сопротивление переменного резистора менялось бы прямо пропорционально напряжению. Было бы круто, так ведь?
Транзистор можно сравнить с краником? Открываем чуток – напор воды слабый, открываем больше – сильнее. Открываем полностью – вода бежит полным потоком.
В биполярном транзисторе происходят похожие процессы. Меняя значение напряжения на базе, а следовательно силу тока в цепи база-эмиттер, мы тем самым меняем сопротивление между коллектором и эмиттером 😉 Следовательно, наша схема из такого вида:
примет вот такой вид
Выглядеть должно все приблизительно так, но не совсем так… и далее вы поймете почему.
Режимы работы транзистора
Режим отсечки
Режим отсечки – это когда транзистор полностью закрытый, то есть нет напряжения смещения на базе-эмиттере 0,6-0,7. Вольт. В этом случае у нас сопротивление между коллектором и эмиттером очень большое.
Режим насыщения
Режим насыщения – это когда транзистор полностью открытый. В этом режиме смещение на базе-эмиттере более, чем 0,6-0,7 Вольт и сопротивление между коллектором и эмиттером равняется почти нулю.
В режиме отсечки и насыщения работает транзисторный ключ.
Активный режим
В активном режиме напряжение смещения более, чем 0,6-0,7 Вольт, но у нас сопротивление между коллектором и эмиттером не равняется ни нулю, ни бесконечности. В этом режиме мы можем регулировать сопротивление с помощью силы тока, проходящего между базой и эмиттером. А чтобы регулировать эту силу тока , мы можем подавать большее или меньшее напряжение на базу.
Если все объяснить заумной фразой получается так: небольшое изменение силы тока в цепи базы-эмиттер приводит к пропорциональному изменению силы тока в цепи коллектор-эмиттер.
Коэффициент, показывающий, во сколько раз увеличивается сила тока коллектор-эмиттер от силы тока базы-эмиттер называется коэффициентом усиления по току в схеме с ОЭ. Этот коэффициент часто называют h_21э или просто β.
Думаю, большинство из вас сидело за рулем авто. Может быть, вы когда-нибудь даже пользовались педалью газа)
Допустим, мы поставили первую скорость и решили проехаться по трассе. Топим педаль в пол и едем на всей первой скорости, не переключая коробку скоростей. По аналогии с транзистором – это и есть режим насыщения.
Вообще убираем ногу от педали – машина встает колом. Это режим отсечки (о понятии отсечки в самом авто мы с вами сейчас не говорим). В этом режиме мы вообще не касаемся педали.
Ну а в активном режиме мы нажимаем педаль с такой силой, которая нам нужна 😉 В этом режиме мы сами регулируем скорость. Хотим – едем быстрее, а хотим медленнее 😉 То есть мы управляем автомобилем между режимами отсечки и насыщения. Именно в этом режиме работает транзистор в режиме усиления сигналов.
Основные схемы включения транзистора
Итак, существуют три основные схемы соединения биполярного транзистора:

– с Общей Базой (ОБ)
Эта схема усиливает по напряжению. Схема с общей базой используется редко.

– с Общим Эмиттером (ОЭ)
Эта схема усиливает и по напряжению, и по току, и на практике используется наиболее часто.

– с Общим Коллектором (ОК)
Эта схема усиливает по току. Ее часто называют эмиттерный повторитель.
Здесь все просто: какой вывод является общим для входного и выходного сигнала, такая и схема включения транзистора.
Обозначение напряжений выводов транзистора
А теперь давайте поговорим об условностях, которые применяются в схемотехническом жаргоне транзистора.
Итак, если вы слышите, что напряжение на базе равно 1 Вольт, то это означает, что это напряжение между базой и общим проводником. На общий в основном садят “минус” и обозначается общий проводник вот таким значком:
Например, U_Б (напряжение на базе) транзистора VT1 замеряется как-то вот так:
Напряжение между выводами обозначается двумя индексами. Например, напряжение между базой и эмиттером обозначается как U_БЭ . Также на схемах часто можно увидеть обозначения типа U_КК (в буржуйском варианте V_CC ) – это напряжение питания коллектора, обычно положительное. Также есть и U_ЭЭ (в буржуйском варианте V_EE) – напряжение питания эмиттера, обычно отрицательное. Короче говоря, это в основном напряжение питания схемы.
Также имейте ввиду, что каждый транзистор характеризуется основными максимальными параметрами такими как:
1) I_к – ток коллектора
2) U_КЭ – напряжение между коллектором и эмиттером
3) P – мощность, которая рассеивается на транзисторе. Р = I_КU_КЭ
4) U_БЭ – напряжение между базой и эмиттером
Attention!
Превышение какого-либо параметра из списка выше приведет к неминуемой гибели транзистора!
Как усиливает транзистор?
Для того, чтобы понять принцип работы транзистора, давайте рассмотрим вот такое фото:
Условимся считать, что это самая простая модель транзистора. Направление потока воды – это направление электрического тока. Пусть у нашего “транзистора” будет проводимость NPN, то есть он будет выглядеть вот так:
С помощью краника (Базы) мы уменьшаем или увеличиваем скорость потока воды через трубу. В нашем случае вода бежит с жёлтой трубы к чёрной трубе, или по аналогии с транзистором: от коллектора к эмиттеру, потому что стрелочка эмиттера показывает направление электрического тока.
Итак, в таком положении краник полностью закрыт, следовательно поток воды не проходит через трубу:
А вот так краник полностью открыт и поток воды бежит на полной мощности через трубу:
Краник открыли, вода через трубу побежала на полной мощности:
Краник закрыли, вода не бежит:
С помощью одного только пальчика, я включал и выключал ОГРОМНЫЙ поток воды, который бы мог смыть все какашки на вашей тельняшке). То есть поток воды из трубы обладает огромнейшей силой, по сравнению с силой пальчика, которую я прикладывал к рычагу краника.
Транзистор работает аналогичным образом! Прикладывая небольшое напряжение к базе, я могу управлять огромнейшим током проходящим через коллектор и эмиттер. В данном случае я показал только два положения, краник полностью включен, или краник полностью выключен. Режим, при котором я включал и отключал краник до упора, в транзисторе называется “ключевым режимом” (о нем ниже). Не от слова “ключевой” – типа главный, важный, а от слова “ключ”. А что у нас делает ключ? Что-то отпирает и закрывает, да хотя бы те же самые двери или бабушкин комод.
Режим, когда я ЗАКРЫВАЛ краник полностью, называется в транзисторе закрытый или в простонародье “зАпертый”. В этом случае на базу ток не идет и транзистор не пропускает электрический ток между коллектором и эмиттером.
Режим, когда я полностью ОТКРЫВАЛ краник, называется в транзисторе режимом “насыщения”. В этом случае через эмиттер и коллектор ток бежит по полной. Хочу сказать, что дальнейшее открывание краника бессмысленно, так как от этого ток не увеличится между коллектором и эмиттером, то есть нет резона подавать еще большее напряжение на базу, если транзистор уже работает в режиме насыщения.
Как работает биполярный транзистор на практике
Ну что же, надо теперь все это дело проверить на реальном транзисторе. У нас в гостях всеми вами любимый транзистор КТ815Б:
Его проводимость NPN, то есть он выглядит вот так:
Мы с вами разобрали, что краник – это база, а большой поток воды должен течь с коллектора на эмиттер. Направление стрелки на эмиттере показывает направление движения электрического тока.
В транзисторе все то же самое. Давайте используем его в деле. Для этого собираем вот такую схемку:
Ну что, вроде бы все элементарно и просто. Есть батарея, есть лампочка. Электрический ток должен бежать от “плюса” к “минусу” и лампа должна гореть. Собираем схему в реале. Щупы-крокодилы идут от блока питания. Красный – плюс, черный – минус. Напряжение на них около 13,5 Вольт, лампа на такое же напряжение. Лампа не горит… В чем же дело?
Помните эту картинку?
Елки-палки, нам базу-то надо “повернуть” так, чтобы электрический ток мог бежать от коллектора к эмиттеру! Но как “повернуть” базу? Да все просто! Для этого нам надо всего-то подать на нее напряжение.
Теперь наша схема будет выглядеть вот так:
Собираем схему. Крокодилы с синими проводами идут от блока питания Bat1.
Но теперь вопрос. Какое минимальное напряжение должно быть на Bat1, чтобы “краник начал открываться”?
Помните мы с вами разбирали статью, что на PN переходе у кремниевых транзисторов (а у нас как раз кремниевый) “падает” напряжение где-то 0,5-0,7 В. А давайте выставим на Bat1 где-то 0,5 В.
Нет… лампочка не зажигается.
Кручу крутилку и выставляю 0,6 Вольт и вуаля! В простонародье говорят, что транзистор “открылся”.
Отсюда делаем вывод: для того, чтобы через коллектор-эмиттер побежал электрический ток, мы должны на базу подать напряжение более чем 0,5-0,7 В, то есть больше падения напряжения на PN-переходе данного транзистора.
Но как много мы можем подать напряжения в базу? Давайте крутанем крутилку на уровень 0,7 В.
При 0,7 В базовый ток составляет уже 20 мА.
Давайте еще чуток добавим:
При 0,8 В уже 140 мА.
А при 0,9 Вольтах:
чуть меньше пол-Ампера! Дальнейшее увеличение напряжения может привести … к полному выходу транзистора из строя!
Максимальные параметры транзистора
Каждый транзистор характеризуется основными максимальными параметрами такими как:
1) I_к – ток коллектора
2) U_КЭ – напряжение между коллектором и эмиттером
3) P – мощность, которая рассеивается на транзисторе. Р = I_КЭх U_КЭ
4) U_БЭ – напряжение между базой и эмиттером
Коэффициент бета транзистора
Итак, давайте заранее договоримся, что в своих примерах мы будем использовать схему с ОЭ (Общим Эмиттером):
Плюсы этой схемы таковы, что эта схема усиливает и по напряжению, и по току. Поэтому, это схема чаще всего используется в электронике.
Ну что же, начнем изучение усилительных свойств транзистора именно с этой схемы. Есть у этой схемки очень интересный параметр. Называется он коэффициент усиления по току в схеме с Общим Эмиттером и обозначается буквой β (бета). Этот коэффициент показывает во сколько раз коллекторный ток превышает базовый в активном режиме работы транзистора
Также частенько, особенно на мультиметрах, его обозначают как h31э или Hfe.
Находим бету на практике
Давайте соберем схемку, с помощью которой, думаю, все встанет на свои места. С помощью этой схемы мы будет приблизительно замерять коэффициент β.
Для NPN транзистора схема будет выглядеть следующим образом:
Для PNP транзистора вот так:
Так как его проводимость NPN, следовательно, будем использовать вот эту схему:
Итак, что мы тут видим? Есть транзистор, два блока питания и два амперметра. Один амперметр ставим на измерение микроампер (мкА), а второй на измерение миллиампер (мА). На блоке питания Bat 2 выставим напряжение в 9 Вольт. Блок питания Bat 1 у нас со стрелочкой. Значит его значение будем менять от 0 и до 1-ого Вольта.
Схема у нас с ОЭ. Через базу-эмиттер и далее по контуру у нас протекает базовый ток I_Б , а через коллектор-эмиттер и далее по контуру несется коллекторный ток I_К_.Для того, чтобы замерить этот ток (силу тока), мы в разрыв цепи цепанули по амперметру. Остается дело за малым. Замерить базовый ток (I_Б), замерить коллекторный ток (I_К) и потом тупо разделить ток коллектора на ток базы. И из этого отношения мы приблизительно найдем коэффициент β. Все просто).
Вот два блока питания:
Выставляем на Bat 2 напряжение в 9 Вольт:
Вся схема выглядит примерно вот так
Желтый мультиметр у нас будет замерять миллиамперы, а красный – микроамперы, поэтому на запятую на красном мультиметре не обращаем внимания.
Добавляем напряжение на Bat 1 от 0,6 Вольт и крутим крутилку до 1 Вольта, не забывая при этом фотографировать результаты. Высчитываем коэффициент β для некоторых замеров:
24,6мА/0,23мА=107
50,6мА/0,4мА=126,5
53,4мА/0,44мА=121,4
91,1мА/0,684мА=133,2
99,3мА/0,72мА=137,9
124,6мА/0,827мА=150,6
173,3мА/1,095мА=158
Находим среднее арифметическое:
β≈(107+126,5+121,4+133,2+137,9+150,6+158)/7=133
В даташите на КТ815Б коэффициент β может иметь значение в диапазоне от 50 и до 350. Наш коэффициент вполне укладывается в этот диапазон, значит транзистор жив и здоров. Усиливать будет.
Хочу добавить, что истинное значение коэффициента β измеряется чуток по другому. Для определения истинного значения надо измерять не постоянные токи, как мы это делали, а очень малые приращения этих токов, то есть производить измерения на переменном токе и малом сигнале:
При малом постоянном токе измеренное значение коэффициента бета меньше чем реальное, а при большом постоянном токе больше, чем реальное. Истина где-то посередине. Радиолюбители – народ не привередливый и в полевых условиях главное приблизительно узнать значение β.
Работа транзистора в активном режиме
В этой статье мы рассмотрим и даже посчитаем небольшой каскад, а также соберем его в реале и испытаем на практике.
Активный режим транзистора
Если вы читали прошлую статью, то наверняка помните, что транзистор в режиме усиления работает только в активном режиме. Этот активный режим находится между режимами отсечки и насыщения:
Следовательно, выходной усиленный сигнал должен находиться в области активного режима, иначе он будет сильно искажаться.
Далее вспоминаем нехитрую формулу
Коэффициент бета – это коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером (ОЭ). Ну и что все это значит? А значит это то, что в любом транзисторе в активном режиме ток коллектора в β (бета) раз больше, чем ток базы. Задав крохотную силу тока через базу, мы в бета раз можем увеличить силу тока в цепи коллектора.
Что будет, если на базу мы подадим переменный сигнал напряжения? Следовательно, в цепи базы переменный сигнал будет либо увеличивать, либо уменьшать силу тока, протекающую через базу, а переменная сила тока через базу в свою очередь будет “тащить” за собой силу тока в цепи коллектора, который будет в бета раз больше, чем базовый ток.
Если вставить резистор в цепь коллектора, то можно будет с него снимать переменное напряжение. Ну разве не замечательно? А откуда возьмется напряжение на резисторе? Дело в том, что резистор и переход коллектор-эмиттер обладают сопротивлением . Самый прикол в том, что переход коллектор-эмиттер – это управляемое сопротивление, зависящее от тока базы. Получаем простой делитель напряжения 😉
Но для того, чтобы усиливать переменный сигнал правильно, есть одно НО… И это “НО” заключается еще в одном резисторе.
Двухрезисторная схема смещения
Я хочу усилить синусоидальный сигнал и поэтому подаю его на базу транзистора. На выходе хочу получить усиленную копию.
Для того, чтобы получить красивую усиленную копию, надо чтобы эта копия не выходила за границы режима отсечки и насыщения и желательно, чтобы она располагалась посередине активной области. То есть надо этот сигнал сместить в середину активной области:
Поэтому, требуется добавить к схеме еще один резистор, чтобы получилась схема смещения.
Итак, давайте рассмотрим самую простую схему смещения и на ее примере разберемся, что к чему
Что здесь имеем?
U_пит– напряжение питания. На U_вхподаем переменный сигнал, на U_выхполучаем усиленную копию. Или более понятно:
Итак, давайте рассмотрим назначение радиоэлементов в этой схеме. Транзистор используется для усиления. Я думаю, вы это уже поняли 🙂 Резистор R2 служит для того, чтобы у нас получился делитель напряжения и потом можно будет снять с резистора это напряжение.
Конденсаторы С1 и С2 у нас пропуска ют переменный ток, а постоянный не пропускают. А нам постоянный ток на входе и на выходе не нужен. Мы ведь хотим усиливать переменный ток, не так ли?
И самый главный радиоэлемент в этой схеме считается резистор R1, который как раз и задает режим работы усилителя. Зачем он здесь нужен?
Во-первых, чтобы отпереть транзистор. Вывести его из режима отсечки в активный режим. А для этого, как вы помните, достаточно подать напряжение более, чем падение напряжения на переходе база – эмиттер, которое для кремниевых транзисторов составляет 0,6-0,7 Вольт. Поэтому, U_пит должно быть больше, чем падение напряжения на переходе база-эмиттер.
Во-вторых, задать базовый ток, так как через цепь +Uпит —-> R1—-> база —-> эмиттер —-> земля потечет ток, сила тока которого будет зависеть от того, какой резистор мы туда воткнем.
В-третьих, задавая нужный базовый ток этим резистором, мы выбираем режим работы нашего усилителя. Сейчас нас интересует режим, при котором сигнал будет “болтаться” между режимами отсечки и насыщения примерно в середине активного режима.
Как этого добиться?
Для удобства пусть у нас R1 называется R_Б(базовый резистор), а R2 назовем R_к(коллекторный резистор):
Так как мы хотим получить усиленную копию сигнала в активном (линейном) режиме транзистора, следовательно, нам надо добиться того, чтобы через базу протекала такая сила тока, чтобы напряжение на коллекторе (в узле, куда цепляется конденсатор С2) было ровнёхонько половинка от U_пит.
Не забываем, что у нас входной сигнал, подаваемый на базу, может принимать как положит
Разработка графенового транзистора с новым принципом действия
Схематическое изображение прототипа графенового транзистора.
Исследователи AIST разработали графеновый транзистор с новым принципом действия. В разработанном транзисторе два электрода и два верхних затвора помещены на графен, а графен между верхними затворами облучается пучком ионов гелия для введения кристаллических дефектов. Смещения затвора применяются к двум верхним затворам независимо, что позволяет эффективно управлять плотностями носителей в областях графена с верхним затвором.Отношение включения / выключения электрического тока примерно на четыре порядка величины было продемонстрировано при 200 К (примерно -73 ° C). Кроме того, его полярность транзистора может управляться электрически и инвертироваться, что до сих пор было невозможно для транзисторов. Эта технология может быть использована в традиционной технологии производства интегральных схем на основе кремния и, как ожидается, внесет свой вклад в реализацию электроники со сверхнизким энергопотреблением за счет снижения рабочего напряжения в будущем.
Подробная информация об этой технологии была представлена на Международной конференции по электронным устройствам 2012 года (IEDM 2012), проходившей в Сан-Франциско, США, с 10 по 12 декабря 2012 года.
В последние годы рост энергопотребления, связанный с распространением мобильных информационных терминалов и развитием ИТ-устройств, стал проблемой. Общественный спрос на сокращение мощности, потребляемой электронными информационными устройствами, растет.Хотя предпринимались попытки снизить мощность, потребляемую крупномасштабными интегральными схемами (БИС), считается, что обычная структура транзистора имеет внутренние ограничения. Между тем подвижность электронов графена, которая представляет собой легкость движения электронов, по крайней мере в 100 раз больше, чем у кремния. Также ожидается, что графен может быть использован для решения проблемы ограничений, присущих кремнию и другим материалам. Следовательно, графен может устранить препятствие на пути снижения мощности, потребляемой БИС, и ожидается, что графен будет использоваться в качестве материала для транзисторов со сверхнизким энергопотреблением посткремниевой эпохи, в которых используются новые функциональные атомные элементы. фильмы.
Рисунок 1: Принципы работы нового графенового транзистора и обычных транзисторов.
Однако, когда графен используется в переключающем транзисторе, электрический ток не может быть прерван в достаточной степени, потому что графен не имеет запрещенной зоны. Кроме того, хотя существует технология формирования запрещенной зоны, подвижность электронов уменьшается, когда формируется запрещенная зона, необходимая для переключения. Следовательно, требуется графеновый транзистор с новым принципом работы, который может эффективно выполнять операцию переключения с небольшой шириной запрещенной зоны.
Принцип работы недавно разработанного графенового транзистора показан на рисунках 1 (a) — 1 (c). Чтобы создать транспортный зазор в графене канала между двумя верхними затворами, использовался ионный микроскоп гелия для облучения ионов гелия с плотностью 6,9 · 10 ¹⁵ ионов / см ² для введения кристаллических дефектов. Энергетическая зона графена по обеим сторонам канала может модулироваться электростатическим контролем путем приложения смещений к верхним затворам. Полярность носителей в графене может быть изменена с n-типа на p-тип, в зависимости от полярности смещения, приложенного к верхним затворам.Когда полярности на обеих сторонах канала различаются, транзистор находится в выключенном состоянии (рис. 1 (b)). Когда полярности одинаковы, транзистор находится во включенном состоянии (рис. 1 (c)). Когда обычный транзистор (рис. 1 (d) — 1 (f)) находится в выключенном состоянии, транспортировка носителей блокируется барьером, сформированным на стороне истока или стока канала, имеющего транспортный зазор. Однако, как показано на рис. 1 (е), ток утечки транзистора в выключенном состоянии велик, потому что образуется только небольшой барьер.Между тем, как показано на рис. 1 (b), транспортный зазор в разработанном транзисторе работает как барьер, больший, чем у обычных транзисторов (рис. 1 (e)), и блокирует перенос заряда. В результате можно получить лучшее выключенное состояние по сравнению с обычными транзисторами.
Рисунок 3: Отношение включения / выключения электрического тока нового графенового транзистора.
В разработанном транзисторе длина канала, в котором подвижность обычно ухудшается, может быть уменьшена до длины, меньшей, чем у обычных транзисторов.Кроме того, поскольку разработанный транзистор может достигать эффективного выключенного состояния с небольшим транспортным зазором, транспортный зазор может быть меньше, чем у обычных устройств. Благодаря этим свойствам включение / выключение транзистора может выполняться быстрее, чем с обычными транзисторами, и, таким образом, считается, что БИС с более низким энергопотреблением может быть реализована за счет снижения рабочего напряжения схемы. Кроме того, транзисторы могут быть изготовлены с использованием традиционной технологии изготовления кремниевых интегральных схем, такой как литография, осаждение и легирование, а также могут быть легко произведены в масштабе пластины.
Чтобы продемонстрировать работу транзистора по новому принципу работы, транзистор был изготовлен путем формирования электродов истока и стока и пары верхних затворов на однослойном графене, изолированном от графита. Соответствующая доза ионов гелия была приложена между верхними затворами для создания канала, облученного ионами гелия (рис.2, синяя пунктирная линия), а внешний ненужный графен облучали большой дозой ионов гелия, чтобы сделать его изолятором (рис. 2, красная пунктирная линия). В результате канал транзистора имеет длину 20 нм и ширину 30 нм.
Рисунок 4: Демонстрация работы транзистора, в котором полярность транзистора была электрически инвертирована. VtgD — это напряжение затвора со стороны стока.
Включение / выключение изготовленного транзистора выполнялось при низкой температуре 200 К (примерно -73 ° С).На клеммы истока и стока подавались смещения -100 мВ и +100 мВ соответственно. Смещение затвора затвора на стороне стока было зафиксировано на уровне -2 В, а смещение затвора на стороне истока было изменено от -4 В до +4 В, и был измерен электрический ток, протекающий между электродами истока и стока. Отношение включения / выключения составляло примерно четыре порядка величины (рис. 3).
В разработанном транзисторе состояние включения или выключения регулируется в зависимости от того, одинаковы или различаются полярности напряжений, приложенных к двум верхним затворам.Следовательно, фиксируя смещение одного затвора и изменяя его полярность, можно контролировать, будет ли работа транзистора с помощью качания напряжения другого затвора n-типом или p-типом. В данном эксперименте напряжения -100 мВ и +100 мВ подавались на выводы истока и стока соответственно. Соотношение между током исток-сток и смещением затвора на стороне истока, когда напряжение затвора на стороне стока, V _tgD, фиксировано как положительное (рис. 4 (а)), показано на рис. . 4 (б).Логарифмический график тех же данных показан на рис. 4 (c). Здесь, когда напряжение затвора на стороне истока отрицательное, транзистор выключен, а когда оно положительное, транзистор включен. Таким образом, он работает как транзистор n-типа. Между тем, соотношение между током исток-сток и смещением затвора на стороне истока, когда напряжение затвора на стороне стока отрицательное (рис. 4 (d)), показано на рис. 4 (е) и 4 ( е). В этом случае, когда напряжение затвора на стороне истока отрицательное, транзистор включен, а когда положительный, транзистор выключен.Таким образом, он работает как транзистор p-типа. Другими словами, было фактически продемонстрировано, что полярность одиночного транзистора может быть изменена электростатическим контролем.
Полярность транзисторов обычных кремниевых транзисторов определяется типом иона для легирования, поэтому изменить полярность после формирования цепи невозможно. Однако, поскольку полярность разработанного транзистора может регулироваться электростатически, можно реализовать интегральную схему, структура схемы которой может быть электрически изменена.
Исследователи стремятся реализовать работу CMOS, в которой полярность транзисторов может быть изменена с помощью электрического управления. Они также стремятся создать прототип устройства с использованием крупномасштабной пластины с графеном, синтезированной методом CVD (химический метод осаждения из паровой фазы). В то же время будут предприняты усилия по получению графена более высокого качества, чтобы улучшить соотношение включения / выключения электрического тока при комнатной температуре и подвижность носителей.
Транзистор на основе графена рассматривается как кандидат на пост-CMOS-технологию
Предоставлено Передовая промышленная наука и технологии
Цитата : Разработка графенового транзистора с новым принципом действия (19 февраля 2013 г.) получено 9 января 2021 г. с https: // физ.org / news / 2013-02-graphene-transistor-Princip.html
Этот документ защищен авторским правом. За исключением честных сделок с целью частного изучения или исследования, никакие часть может быть воспроизведена без письменного разрешения. Контент предоставляется только в информационных целях.
Легированные полупроводники в электронных устройствах и основные принципы работы транзисторов
Легированные полупроводники в электронных устройствах и основные принципы работы транзисторов
1.1 Введение
В электронике транзистор — это полупроводниковое устройство, обычно используемое для усиления или переключения электронных сигналов, оно является основным строительным блоком современных электронных устройств, а также используется в радио, телефонах, компьютерах и других электронных системах. Транзистор многие считают величайшим изобретением двадцатого века или одним из величайших. Это ключевой активный компонент практически во всей современной электронике [1-2].
На этой веб-странице мы сосредоточимся на понимании нескольких типов электронных устройств, таких как P-переходы, MOSFET (полевые транзисторы металл – оксид – полупроводник), HEMT (транзисторы с высокой подвижностью электронов), предварительно определив некоторые из них. фундаментальные процессы, происходящие в легированных P- и N-полупроводниках.Для получения дополнительной информации о базовых принципах интерфейсов металл-полупроводник вы можете проверить работу, проделанную Dharma [3].
1.2 Полупроводники, легированные P и N — как они образуются?
Полупроводник P-типа получают путем проведения процесса легирования, то есть добавления в полупроводник атомов определенного типа для увеличения количества свободных носителей заряда (в данном случае положительных). Когда легирующий материал добавляется, он забирает (принимает) слабосвязанные внешние электроны у атомов полупроводника.Этот тип легирующего агента также известен как акцепторный материал, а атомы полупроводника , потерявшие электрон, известны как дырки ; цель легирования p-типа — создать множество дырок.
Аналогичным образом, полупроводник N-типа получается путем проведения процесса легирования, то есть путем добавления примеси элементов с валентной пятью к полупроводнику с четвертой валентностью, чтобы увеличить количество свободных носителей заряда (в в этом случае отрицательный). Когда легирующий материал добавлен, он отдает (отдает) слабосвязанные внешние электроны атомам полупроводника.Этот тип легирующего агента также известен как донорный материал, поскольку он отдает часть своих электронов . Целью легирования n-типа является создание большого количества подвижных или «несущих» электронов в материале.
1.3 P-N переход и обедненная область
При анализе P-N перехода нас больше всего интересует область обеднения или область пространственного заряда (SCR). Здесь и происходит все самое интересное. Электрическое поле может возникнуть из-за неоднородного легирования, как в P-N-переходе, и именно поэтому диаграмма энергетических зон для P-N-перехода имеет изгиб зон, даже когда он находится в равновесии.
Как только вы соедините область P-типа с областью N-типа, носителей начнут диффундировать из областей с высокой концентрацией в области с более низкой концентрацией. То есть дырки из P-области будут диффундировать в N-область, где не так много дырок, а электроны из N-области будут диффундировать в P-область, где не так много электронов. Некомпенсированные ионы положительны на N-стороне и отрицательны на P-стороне. Это создает электрическое поле, которое создает силу, противодействующую продолжающейся диффузии носителей заряда, как показано на следующем рисунке.Когда электрического поля достаточно, чтобы остановить дальнейший перенос дырок и электронов, обедненная область достигает своих равновесных размеров.
Область истощения или область пространственного заряда — это область вокруг перехода, где все ионизированные акцепторы и доноры были открыты и остаются. Количество ионизированных акцепторов на стороне P равно количеству ионизированных доноров на стороне N [4].
Когда равновесие достигнуто, плотность заряда приблизительно равна отображаемой ступенчатой функции.Фактически, область полностью обеднена основными носителями (оставляя плотность заряда равной чистому уровню легирования), а граница между областью пространственного заряда и нейтральной областью довольно резкая.
(1) При обратном смещении (P отрицательное по отношению к N), падение потенциала в области истощения увеличивается на . Это расширяет область обеднения, что увеличивает дрейфовую составляющую тока и уменьшает диффузионную составляющую. В этом случае чистый ток направлен влево на рисунке P-N перехода.При этом плотность носителей мала, и течет только очень небольшой обратный ток насыщения.
(2) Прямое смещение (P положительно по отношению к N) сужает область обеднения и снижает барьер для инжекции носителей . Диффузионная составляющая тока сильно увеличивается, а дрейфовая — уменьшается. В этом случае чистый ток направлен вправо на рисунке P-N перехода. Плотность носителей велика (она изменяется экспоненциально в зависимости от приложенного напряжения смещения), что делает переход проводящим и допускает большой прямой ток [5-6].
Подводя итог, как показано на следующем рисунке, при приложении отрицательного напряжения потенциал на полупроводнике увеличивается, как и ширина обедненного слоя. {V_ \ mathrm {D} / (n V_ \ mathrm {T})} \ end {align}
1.4 Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET)
Такой транзистор состоит из трех областей, обозначенных как исток , затвор и сток . Область, обозначенная как область затвора, на самом деле представляет собой «сэндвич», состоящий из нижележащего материала подложки, который представляет собой монокристалл полупроводникового материала, обычно кремния (Si), тонкий изолирующий слой, обычно диоксид кремния (Si ₂ O). и верхний металлический слой.Электрический заряд или ток может течь от истока к стоку в зависимости от заряда, приложенного к области затвора. Полупроводниковый материал в области истока и стока легирован материалом другого типа, чем в области под затвором, поэтому между областью истока и стока полевого МОП-транзистора существует структура типа N-P-N или P-N-P.
На следующем рисунке показаны поперечные сечения обоих типов полевых МОП-транзисторов. Если он легирован материалом P-типа, а подложка легирована материалом N-типа, как в первом случае, устройство будет называться MOSFET с P-каналом. Во втором случае области истока и стока легированы материалом N-типа, а подложка — материалом P-типа.Такой транзистор называется MOSFET с N-каналом.
На следующем рисунке показан N-канальный MOSFET с истоком и стоком, подключенными к источнику питания и заземлению. Подложка, или корпус устройства, также заземляется. В этом случае имеется обратносмещенный P-N переход между по крайней мере одной из N-лунок и подложкой, поэтому ток не может течь через подложку. В частности, в области канала под затвором транзистора не будет протекать ток, и, следовательно, ток не будет течь между истоком и стоком устройства. В этих условиях полевой МОП-транзистор выключен.
В правой части рисунка показан тот же N-канальный полевой МОП-транзистор с положительным зарядом, приложенным к затвору устройства. В этих условиях, , если затвор получает достаточно большой заряд, отрицательные носители заряда (электроны) будут притягиваться из массы материала подложки в область канала непосредственно под оксидом под затвором. Когда в эту область притягивается больше электронов, чем имеется положительных носителей заряда (дырок) в канале, тогда канал эффективно ведет себя как область N-типа, и между истоком и стоком может течь ток. Когда это происходит, включается полевой МОП-транзистор.
Обратите внимание, что определенный минимальный заряд должен быть приложен к затвору, чтобы преодолеть избыток дырок уже в области канала из-за легирования P-типа в подложке. Это означает, что переключатель не включается сразу, скорее, перед включением транзистора на затвор должен быть приложен некоторый минимальный заряд. Напряжение, которое должно быть приложено к затвору до того, как транзистор позволит току течь между истоком и стоком, называется «пороговым напряжением», обозначенным как V _th.
1.5 Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) и двумерный электронный газ
HEMT — это полевой транзистор, включающий переход между двумя материалами с разной шириной запрещенной зоны (т.е. гетеропереход) в качестве канала вместо легированной области, как это обычно бывает в полевых МОП-транзисторах. Обычно используемая комбинация материалов — это GaAs с AlGaAs, хотя есть большие вариации в зависимости от применения устройства [8].
Вот поперечное сечение пластины, состоящей из слоев GaAs и AlGaAs.Пластина выращивается методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МПЭ — это рост слоев материала путем выжигания пучков атомов или молекул на подходящую подложку, поэтому можно выращивать кристаллы атом за атомом с полным контролем состава), что дает почти идеальные кристаллические слои исключительной чистоты с почти атомарно резкими переходами между слоями. Для обеспечения электронов добавлено легирование азота , как показано на рисунке выше. Эти доноры становятся положительно ионизированными и обеспечивают электроны, которые собираются в соседнем GaAs, хотя они не могут уйти слишком далеко, потому что они притягиваются обратно к положительным ионам [9].
На рисунке ниже показана соответствующая зонная диаграмма, т.е. энергия зоны проводимости (электроны с наименьшей энергией могут иметь). Пунктирная линия — это энергия Ферми (примерно определяемая как максимальная энергия, которую электроны могут иметь в равновесии). Зоны проводимости GaAs и AlGaAs смещены друг от друга, и это позволяет электронам собираться в GaAs, но не в AlGaAs. Таким образом, электроны искажают зону проводимости в показанную форму, где на границе раздела имеется треугольная «яма», которая немного ниже энергии Ферми, так что электроны могут там собираться.Эта яма настолько узкая, что все электроны в ней ведут себя как квантово-механические волны с одинаковой волновой функцией в вертикальном направлении. Таким образом, единственные степени свободы для электронов находятся в плоскости границы раздела, и, таким образом, они фактически находятся в двумерном мире [9].
1.6 Заключение
Я надеюсь, что в этом исследовании я рассмотрел некоторые из фундаментальных аспектов основных принципов использования полупроводников в создании электронных устройств, таких как транзисторы, и, таким образом, мне удалось в некоторой степени объяснить, как они устройства работают.
1,7 Ссылки
1. Google Книги. 2009. [Онлайн]. Доступно по адресу: http://books.google.com/books?id=59rxoe1IkNEC&pg=PA383& ots = UC_NxASdwo & dq = transistor + great -vention & sig = Ul_-DYQxG7EhLsRvhE8QM821JEQ [по состоянию на 14 апреля 2009 г.].
2. Google Книги. 2009. http://books.google.com/books?id=q7UzNoWdGAkC&pg=PA42&dq=transistor+inventions-of-the-twentieth-century&lr=&as_brr=3&as_pt=ALLTYPES&ei=MzJbScu0GobokATlm, 1 квартал 2009 г. [Доступно, 14 апреля 2009 г.]
3. Викидот, [Интернет]. Доступно по адресу: http://electrons.wikidot.com/dharma [доступ 30 апреля 2009 г.].
4. [Онлайн]. Доступно по адресу: http://www.ece.utep.edu/courses/ee3329/ee3329/Studyguide/ToC/PNdiode/depletion.html [по состоянию на 14 апреля 2009 г.].
5. Google Книги. 2009. [Онлайн]. Доступно по адресу: http: //books.google.com/books? Id = l1XyQ7RJ36cC & pg = PA90 & dq = mos-structure + depletion-region & as_brr = 3 & sig = DgGIDCk8aBFKm6fIBYnO6R1Q5zg [доступ 14 апреля 2009 г.].
6. Википедия. 2009. [Онлайн].Доступно по адресу: http://en.wikipedia.org/wiki/Depletion_layer [Доступно 14 апреля 2009 г.].
7. Википедия. 2009. [Онлайн]. Доступно по адресу: http://en.wikipedia.org/wiki/Depletion_zone [Доступно 15 апреля 2009 г.].
8. Википедия. 2009. [Онлайн]. Доступно по адресу: http://en.wikipedia.org/wiki/HEMT [Доступно 16 апреля 2009 г.].
9. [Онлайн]. Доступно по адресу: http://www.sp.phy.cam.ac.uk/SPWeb/research/wafer.html [по состоянию на 16 апреля 2009 г.].
Учебное пособие по биполярному переходному транзистору
, БЮТ-транзистор
Биполярный электронный транзистор ( BJT ) может быть проводником, может быть проводником, который может использоваться для сдвига или усиления.На мой взгляд, обсуждение дырок и электронов выше, оставлено в отдельной главе. Здесь мне нужно изучить способ использования этих частей, а не анализировать их внутренние детали. В обучающих материалах по диодам мы часто видим, что простые диоды создаются из двух частей полупроводникового материала для создания простого PN-перехода, и что мы совместно узнали об их свойствах и характеристиках.
Основной транзистор BJT
Биполярный электронный транзистор или BJT может быть трехконтактным устройством, которое усиливает ток.это устройство, управляемое током. В биполярном электронном транзисторе электрическое явление проводится каждым свободным электроном и дыркой. Если бы это было единственным требованием, у нас могло бы не быть более комбинации последовательных диодов. Фактически, гораздо проще сделать комбинацию последовательных диодов. Ключом к созданию биполярного электронного транзистора является создание центрального слоя, основания, настолько тонкого, насколько это возможно, без замыкания поверхностных слоев, электрода и коллектора.
Транзисторы представляют собой трехконтактные активные устройства, состоящие из совершенно разных полупроводниковых материалов, которые могут действовать как диэлектрик AN или проводник за счет приложения крошечного низкого напряжения сигнала.Существует 2 стиля BJT : NPN и PNP. Сортировка NPN состоит из 2 N-областей, разделенных p-областью. Сортировка PNP состоит из 2 P-областей, разделенных N-областью An N . Целенаправленное различие между переходом PNP и транзистором NPN состоит в том, что правильное смещение переходов после срабатывания. Для любого заданного состояния работы эти направления и полярности напряжения для каждого вполне электронного транзистора прямо противоположны друг другу.
На некоторых схемах схем полупроводникового элемента кружок на изображении полупроводникового элемента опущен. Если бы нижняя область была толстой, так как во время объединения последовательных диодов все присутствующие, входящие в нижнюю часть, испускали бы нижний провод. В нашем примере полупроводникового блока NPN электроны, покидающие электрод внизу, будут смешиваться с отверстиями в основании, создавая пространство для дополнительных отверстий, которые будут созданы на (+) клемме батареи внизу, когда электроны будут выходить.
Слово «полупроводник» может быть комбинацией двух слов «Варистор передачи», которые описывают подход к их режиму работы в период развития физической науки. Существуют два основных стиля конструкции биполярных полупроводниковых элементов, PNP и NPN , которые в первую очередь описывают физическое устройство P-типа и материалы полупроводниковых элементов, из которых они созданы. Принцип действия 2-х полупроводниковых блоков сортов PNP, и NPN по площади точно такой же, единственное различие заключается в их смещении, а также полярности установки, предусмотренной для каждого вида.
Основной контролируемый ток идет от коллектора к электроду или от электрода к коллектору, в зависимости от типа полупроводникового устройства. крошечный ток, который управляет наибольшим током, идет от базы к электроду или от электрода соответствующей степени к базе, в другой раз с учетом того, какое это полупроводниковое устройство. потому что биполярное устройство полупроводник может быть трехконтактным.
, в первую очередь, существует 3 возможных способа подключения его к связанной электронной схеме с одним контактом, общим для каждого входа и выхода. такой вид полупроводниковых устройств не очень распространен из-за его исключительно высоких характеристик усиления по напряжению. Его входные характеристики соответствуют характеристикам диода с прямым смещением, тогда как выходные характеристики соответствуют характеристикам фотодиода сопутствующего света .
Устройство и принцип действия
ч.
1 Структура
2.Термический равновесие
3. встроенный потенциал
4. Вперед и обратное смещение
P-n-переход состоит из двух полупроводниковых области с противоположным типом легирования, как показано на Рисунке 1 . Область слева — тип p с акцепторной плотностью N _a, а область справа — тип n с донорной плотностью N _d. Предполагается, что легирующие примеси мелкие, так что электрон (дырка) плотность в типе n ( р типа ) область примерно равна донорной (акцепторной) плотности.
Рисунок 1:
Поперечное сечение p-n перехода
Будем считать, если не указано иное, что легированные области однородно легирован и что переход между двумя областями резкий. Мы будем называть эту структуру крутой p-n соединение.
Часто мы будем иметь дело с p-n-переходами, у которых одна сторона явно более легированный, чем другой.Мы обнаружим, что в таком В этом случае необходимо рассматривать только низколегированную область, поскольку она в первую очередь определяет характеристики устройства. Мы будем ссылаться на такая структура, как односторонний резкий p-n переход.
Спай смещен напряжением В _а как показано на Рисунке 1 . Мы будем называть переход прямосмещенным, если положительное напряжение применяется к p -допированный область и обратно смещенный, если отрицательное напряжение приложено к p — легированный область.Контакт к типу р область также называется анодом, а контакт с n-типом область называется катодом по отношению к анионам или положительным носители и катионы или отрицательные носители в каждой из этих областей.
1. Плоская диаграмма
Принцип работы будет объяснен с использованием мысленный эксперимент, эксперимент, который в принципе возможен но не обязательно исполняемый на практике. Мы представляем, что можно соедините обе полупроводниковые области вместе, выровняв оба энергии проводимости и валентной зоны каждой области.Это дает так называемая плоская диаграмма, показанная на Рисунке 2 .
Рисунок 2:
Зонная диаграмма p-n перехода (а) до и (б) после слияния областей n-типа и p-типа
Обратите внимание, что это не приводит к автоматическому выравниванию Энергии Ферми, E _Fn и E _Fp.Также обратите внимание, что эта плоская диаграмма не является диаграммой равновесия. поскольку и электроны, и дырки могут снизить свою энергию, пересекая соединение. Поэтому ожидается движение электронов и дырок. до достижения теплового равновесия. Схема представлена на рисунке 2 (б) называется плоской диаграммой. Это название относится к горизонтальному края полосы. Это также означает, что в полупроводник и бесплатно.
2. Тепловое равновесие
Для достижения теплового равновесия электроны / дырки близко к металлургическому соединению, диффузия через соединение в область p-типа / n-типа, где почти нет электронов / дырок. подарок.Этот процесс оставляет ионизированные доноры (акцепторы) позади, создание области вокруг перекрестка, в которой нет подвижных перевозчики. Мы называем эту область областью истощения, простирающейся от x пикселей. = — x _p до x = x _n. Заряд ионизированных доноров и акцепторов вызывает электрический поле, которое, в свою очередь, вызывает дрейф носителей в противоположном направлении. направление. Диффузия носителей продолжается до тех пор, пока дрейф ток уравновешивает диффузионный ток, тем самым достигая теплового равновесие, на что указывает постоянная энергия Ферми.Эта ситуация показан на рисунке 3 :
Рисунок 3:
Энергетический диапазон диаграмма p-n перехода в тепловом равновесии
В тепловом равновесии нет внешнего напряжения применяется между материалом n-типа и p-типа, есть внутренний потенциал, f _и, что вызвано разницей рабочих функций между n-типом и Полупроводники p-типа.Этот потенциал равен встроенному потенциалу, что будет более подробно описано в следующем разделе.
Обратите внимание, что это не приводит к автоматическому выравниванию энергии Ферми. Электроны (дырки) близки к металлургическим. переход рассеивается через переход в область p-типа (n-типа) где почти нет электронов (дырок). Этот процесс оставляет ионизированные доноры (акцепторы) позади, создавая область вокруг узел, на котором нет операторов мобильной связи. Мы называем этот регион область истощения, обозначенная символом w как показано на рисунке выше.Заряд от ионизированных доноров и акцепторы создают электрическое поле, которое, в свою очередь, вызывает дрейф перевозчиков в обратном направлении. Распространение носителей продолжается до тех пор, пока дрейфовый ток не уравновесит диффузионный ток, тем самым достигая равновесия. Эта ситуация показана ниже:
pnband1.gif
3 В встроенный потенциал
Встроенный потенциал в полупроводнике равен потенциалу на область обеднения в тепловом равновесии. Поскольку термический равновесие означает, что энергия Ферми постоянна на всем протяжении p-n диод, внутренний потенциал должен быть равен разности между энергии Ферми каждой области.Он также равен сумме основной части потенциалы каждой области, так как объемный потенциал количественно определяет расстояние между энергией Ферми и собственной энергией. Этот дает следующее выражение для встроенного потенциала.
(номер 8)
(1)
Пример 4.1
An резкий кремниевый p-n-переход состоит из области p-типа, содержащей 2 х 10 ¹⁶ см ^-3 акцепторов и область n-типа, содержащая также 10 ¹⁶ см ^-3 акцепторы дополнительно к 10 ¹⁷ см ^-3 доноры.
Рассчитайте тепловая равновесная плотность электронов и дырок в p-типе области, а также обеих плотностей в области n-типа.
Рассчитайте встроенный потенциал p-n перехода.
Рассчитайте встроенный потенциал p-n переход на 400 К.
Решение
тепловые равновесные плотности: В р -типа область:
п. = N _a = 2 х 10 ¹⁶ см ^-3 n = n _i ²/ p = 10 ²⁰/2 х 10 ¹⁶ = 5 х 10 ³ см ^-3
В тип n область
n = N _d — N _a = 9 х 10 ¹⁶ см ^-3 с = n _i 2/ n = 10 ²⁰ / (1 х 10 ¹⁶) = 1.11 х 10 ³ см ^-3
Встроенный потенциал получается из:
Аналогичным образом встроенный потенциал при 400 К равен:
, где собственная плотность носителей при 400 K был получен из примера 2.4.b
4. Прямое и обратное смещение
Рассмотрим теперь p-n-диод с приложенным смещением напряжение, В _a. Прямое смещение соответствует приложению положительного напряжения к анод (область p-типа) относительно катода (область n-типа).А обратное смещение соответствует отрицательному напряжению, приложенному к катод. Оба режима смещения показаны на Рисунке 4 . Приложенное напряжение пропорционально разнице между Энергия Ферми в квазинейтральных областях n-типа и p-типа.
При приложении отрицательного напряжения потенциал на полупроводник увеличивается, а вместе с ним и ширина обедненного слоя. Как приложено положительное напряжение, потенциал на полупроводнике уменьшается, а с ним и ширина обедненного слоя.Общий потенциал через полупроводник равен встроенному потенциалу минус приложенное напряжение, или:
(1)
Рисунок 4: Диаграмма энергетических зон p-n перехода при обратном и прямом направлениях смещение
Принципы убеждения
14.2 Принципы убеждения
Цель обучения
Определите и продемонстрируйте, как использовать шесть принципов убеждения.
Как лучше всего убедить ваших слушателей? Не существует одного «правильного» ответа, но многие эксперты изучали убеждение и наблюдали, что работает, а что нет. Социальный психолог Роберт Чалдини предлагает нам шесть эффективных и действенных принципов убеждения:
Взаимность
Дефицит
Полномочия
Приверженность и последовательность
Консенсус
Нравится
Вы найдете эти принципы универсальными и адаптируемыми для множества контекстов и сред.Понимание того, когда действует каждый принцип, позволит вам использовать внутренние социальные нормы и ожидания в своих интересах и улучшить свои позиции в сфере продаж.
Принцип взаимности
Взаимность — взаимное ожидание обмена ценностями или услугами. взаимное ожидание обмена ценностями или услугами. Во всех культурах, когда один человек что-то дает, получатель должен ответить взаимностью, даже если только скажет «спасибо». Есть момент, когда дающий имеет власть и влияние на принимающего, и если дающий отклоняет обмен как не имеющий отношения к делу, момент теряется.В бизнесе этот принцип имеет несколько применений. Если вы работаете в сфере обслуживания клиентов и изо всех сил стараетесь удовлетворить потребности клиента, вы апеллируете к принципу взаимности, зная, что все люди ощущают необходимость ответить взаимностью — в данном случае, увеличивая вероятность совершения покупки. от вас, потому что вы были особенно полезны. Взаимность укрепляет доверие, и отношения развиваются, укрепляя все, от личной до лояльности к бренду. Беря на себя инициативу и отдавая, вы создаете момент, когда люди будут чувствовать себя вынужденными в соответствии с социальными нормами и обычаями отдавать.
Принцип дефицита
Вы хотите того, чего не можете иметь, и это универсально. Людей естественно привлекает эксклюзивное, редкое, необычное и уникальное. Если они убеждены, что им нужно действовать сейчас или это исчезнет, у них есть мотивация к действию. Дефицит — восприятие неадекватного предложения или ограниченного ресурса. это восприятие недостаточного предложения или ограниченного ресурса. Для торгового представителя дефицит может быть ключевым аргументом в пользу продажи — конкретный автомобиль, билеты в театр или туфли, которые вы рассматриваете, могут быть проданы кому-то другому, если вы откладываете принятие решения.Напоминая клиентам не только о том, что они могут получить, но и о том, что они могут потерять, представитель увеличивает шансы того, что покупатель перейдет от размышлений к действию и решит закрыть продажу.
Принцип авторитета
Доверие играет ключевую роль при принятии решения о покупке. К кому обращается заказчик? Продавец может быть частью процесса, но одобрение со стороны властей вызывает доверие, которого никогда не сможет добиться ни один человек, имеющий личную заинтересованность.Знание продукта, области, тенденций в этой области и даже исследования могут сделать продавца более эффективным, апеллируя к принципу авторитета. Обучение клиентов может показаться лишней работой, но вам нужно раскрыть свой опыт, чтобы завоевать доверие. Мы можем заимствовать меру доверия, связав то, что эксперты указали о продукте, услуге, рынке или тенденции, а наша осведомленность о конкурирующих точках зрения позволяет нам понять, что ценно для клиента. Недостаточно прочитать руководство по продукту, чтобы получить опыт — вам нужно сделать дополнительную домашнюю работу.Главный авторитет — это ссылки на экспертов и опыт.
Принцип приверженности и последовательности
Устное общение может быть скользким в памяти. То, что мы говорили в тот или иной момент, если не записать, может быть трудно вспомнить. Даже рукопожатие, которое когда-то было символом согласия почти во всех культурах, утратило часть своего символического значения и социального значения. Во многих культурах письменное слово имеет особое значение. Если мы это запишем или что-то подпишем, у нас больше шансов выполнить.В более широком смысле, даже если покупатель не будет ничего записывать, если вы сделаете это перед ним, это может апеллировать к принципу приверженности и последовательности и принести социальную норму выполнения своего слова в момент покупки. .
Принцип консенсуса
Отзывы или отчеты от первого лица об опыте использования продукта или услуги могут быть очень убедительными. Люди часто смотрят друг на друга, принимая решение о покупке, и менталитет стада является мощной силой для всего человечества: если «все остальные» думают, что этот продукт великолепен, значит, он великолепен.Мы часто выбираем путь стада, особенно когда нам не хватает адекватной информации. Используйте отзывы клиентов, чтобы привлечь больше клиентов, сделав их частью вашей команды. Принцип консенсуса включает в себя склонность человека следовать примеру группы или сверстников.