S4 диод характеристики: Маркировка радиодеталей, Коды SMD S4, S40, S40**, S402, S40A, S40B, S40N, S41, S41**, S412, S42, S42**, S43, S46, S48B. Даташиты 1PS76SB40, 1SS389, BAV70M, BFG11W/X, EC10QS04, LM2611AMF, LM2611BMF, LM2703MF-ADJ, LM3671LC-1.3, LM3671LC-1.6, LM3671LC-1.8, LR1120G-40-AF5-A-R, LR1120G-40-AL5-A-R, MI3446, PBSS4350X, PBSS5350X, R1162N181B5, R1162N281B5, R1162N401B, SD103AW, SN74LVC1G17DCKR, SST174, SiS402DN, SiS412DN.

Содержание

smd-код s4

Подробная информация о производителях — в GUIDE’е, о типах корпусов — здесь
код наименование функция корпус производитель примечания
S4 1PS76SB40|H диод Шоттки: 40В/120мА sod323|sod123 NXP  
S4 BAV70M 2x fast диода ОК: 100В/150мА sot883 Nexperia  
S4 BFG11W/X npn: 8В/500мА 2ГГц sot343 NXP  
S4 BFQ31A npn: 15В/100мА 600МГц sot23 Diodes  
S4 SD103AW диод Шоттки: 40В/350мА sod123 Eris  
S4 SD103AWS диод Шоттки: 40В/350 мА sod323 Diodes|Eris  
S4 SS14 диод Шоттки: 40В/1А sma Vishay  
S4 SI2304 nМОП: 30В/2,5А/65мОм sot23 MCC  
S4 SST174 p-кан. полевой: 15В/100мА/85 Ом sot23 Vishay  
S4## RP114K321D LDO: 3,2В/300мА + autodischarge dfn4 Ricoh ## — lot-код
S40 BAS40 диод Шоттки: 40В/200мА sot23 Panjit  
S42 BAS40A 2 диода Шоттки ОА: 40В/200мА sot23 Panjit  
S43 BAS40C 2 диода Шоттки ОК: 40В/200мА sot23 Panjit  
S43 PBSS4350X npn: 50В/3А LowSat sot89 NXP  
S44 BAS40S 2 тандемных диода Шоттки: 40В/200мА sot23 Panjit  
S44 PBSS4320X npn: 20В/3А LowSat sot89 NXP  
S45 PBSS5320X pnp: 20В/3А LowSat sot89 NXP  
S46 BAR46 диод Шоттки: 100В/150мА sot23 STM  
S46 PBSS5350X pnp: 50В/3А LowSat sot89 NXP  
S46A LM2623AMM повышающий dc/dc преобразователь miniso8 TI  
S46B LM2623MM повышающий dc/dc преобразователь miniso8 TI  
S48 OPA348AIDCK ОУ КМОП R2R I/O 1 МГц ind sc70-5 TI  
S48B LM2703MF повышающий dc/dc: 350 мА — драйвер белого СИД sot23-5 TI  
S49 OPA349SA микромощный ОУ КМОП R2R I/O 70 кГц sc70-5 TI  
S4B ADG702BRM/BRT/BRJ аналоговый ключ н. з.: 2 Ом/200МГц msop8/sot23-6/sot23-5 ADI  
S4B LM809M3-2.93 монитор питания на 2,93В, активный низкий уровень sot23 TI  

Маркировка радиодеталей, Коды SMD S4, S40, S40**, S402, S40A, S40B, S40N, S41, S41**, S412, S42, S42**, S43, S46, S48B. Даташиты 1PS76SB40, 1SS389, BAV70M, BFG11W/X, EC10QS04, LM2611AMF, LM2611BMF, LM2703MF-ADJ, LM3671LC-1.3, LM3671LC-1.6, LM3671LC-1.8, LR1120G-40-AF5-A-R, LR1120G-40-AL5-A-R, MI3446, PBSS4350X, PBSS5350X, R1162N181B5, R1162N281B5, R1162N401B, SD103AW, SN74LVC1G17DCKR, SST174, SiS402DN, SiS412DN.

S4 SOD-323 1PS76SB40NXPДиод Шоттки
S4 SOD-523 1SS389TIPДиод Шоттки
S4 SOT-883 BAV70MNXPПереключающие диоды
S4 SOT-343 BFG11W/XNXPNPN транзистор
S4 SMA EC10QS04NihonДиод Шоттки
S4 SOD-123 SD103AWMCCДиод Шоттки
S4 X2SON-4 0. 8×0.8 SN74LVC1G17DCKRTexas InstrumentsТриггер Шмитта
S4 SOT-23 SST174VishayP-канальный JFET
S40 USON-6 LM3671LC-1.3Texas InstrumentsПонижающий преобразователь
S40** SOT-25 LR1120G-40-AF5-A-RUTCСтабилизатор напряжения
S40** SOT-353 LR1120G-40-AL5-A-RUTCСтабилизатор напряжения
S40** SOT-25 R1162N401BRicohСтабилизатор напряжения
S402 PowerPAK 1212-8 SiS402DNVishayN-канальный MOSFET
S40A SOT-25 LM2611AMFNationalИнвертирующий преобразователь
S40B SOT-25 LM2611BMFNationalИнвертирующий преобразователь
S40N SOT-23 MI3446MegaPowerN-канальный MOSFET
S41 USON-6 LM3671LC-1. 6Texas InstrumentsПонижающий преобразователь
S41** SOT-25 R1162N181B5RicohСтабилизатор напряжения
S412 PowerPAK 1212-8 SiS412DNVishayN-канальный MOSFET
S42 USON-6 LM3671LC-1.8Texas InstrumentsПонижающий преобразователь
S42** SOT-25 R1162N281B5RicohСтабилизатор напряжения
S43 SOT-89 PBSS4350XPhilips (Now NXP)NPN транзистор
S46 SOT-89 PBSS5350XNXPPNP транзистор
S48B SOT-25 LM2703MF-ADJNationalПовышающий пребразователь

1N5819 (S4) SOD-123 | Диоды

1N5819 = диод Шотки (40В, 1А/25А), маркировка S4, корпус SOD-123

 

Извините, на данный момент, этого товара нет в наличии на складе.

Выберите аналогичный товар как «1N5819 (S4) SOD-123». Рекомендуем начать просмор сайта с главной страницы сайта магазина Dalincom, или с начала каталога Микросхемы. Кроме того, мы стараемся как можно быстрее восполнять складской запас, ожидайте поступление.

Код товара :M-152-5541
Обновление: 2018-10-25

 

 

Дополнительная информация:

Некоторые диоды одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), смотрите картинку и параметры. На нашем сайте опубликованы только основные параметры (характеристики). Полная информация о том как проверить диод 1N5819 (S4) SOD-123, чем его заменить, схема включения, аналог, Datasheet-ы и другие данные по этим диодам, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс или в справочной литературе.

 

В магазине указана розничная цена, но если вы хотите купить оптом (со скидкой), присылайте запрос на емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

Что еще купить вместе с 1N5819 (S4) SOD-123 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
Код Наименование Краткое описание Розн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
5541 1N5819 (S4) SOD-123 1N5819 = диод Шотки (40В, 1А/25А), маркировка S4, корпус SOD-123 1. 6 pyб.
5509 1N4007 (M7) smd Диоды 1N4007 (маркировка M7) — RECTIFIER STANDARD RECOVERY GPP 1.0A, 1000V, DO-214 0.8 pyб.
3440 SS34 (1N5822) Диоды SS34 (либо SK34, аналог 1N5822) — Surface Mount Schottky Barrier Rectifier, 40V, 3A 1.4 pyб.
6311 SS56 Диод Шотки SS56 (SS56B) для поверхностного монтажа — SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER, 5A, 60V, DO-214AA 2.6 pyб.
6069 SS54 (1N5824) Диоды Шоттки SS54 (аналог SR540) для поверхностного монтажа — SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER, 5A, 40V, DO-214AA 4 pyб.
2700 SS24 Диод Шоттки SS24T3G (маркировка SS24, аналог SR240) для поверхностного монтажа — SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 2A, 40V, DO-214AC 1.6 pyб.
400 1N5819 do-41 Диод Шоттки 1N5819 — SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER, 40V, 1A, DO-41 1.8 pyб.
1510 Флюс AMTECH RMA-223 (10g) Паяльный флюс AMTECH RMA-223, на канифольной основе, вес 10 грамм, упаковка — пластиковый шприц 43 pyб.
4570 SS36 Диод Шотки SS36 — Surface Mount Schottky Barrier Rectifier, 60V, 3A 1.5 pyб.
4457 SS12 (1N5817) Диод Шотки SS12 (аналог 1N5817) — SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER, 20V, 1A, корпус DO-214AC 1.6 pyб.

 

Диоды Шоттки в SMD корпусах Маркировка Характеристики Цены

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Маломощные диоды Шоттки

Цены в формате  .pdf,  .xls Купить
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодных сборок в SOT323 и по 3000 в корпусе SOT23.

Диоды Шоттки от 1 Ампера

Маркировка диода Шоттки Макс. обратное напряжение Макс. ток Имп. прямой ток Макс. прямое напряжение Максимальный обратный ток Тип корпуса диода Характеристики диода Склад Заказ
SS14 40В 30А 0,5В 0,5мА при 25°С и 50мА при 100°С SMA
SS16 60В 30А 0,7В 0,5мА при 25°С и 50мА при 100°С SMA
S100 100В 30А 0,85В 0,5мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA
MS120 200В 30А 0,9В 0,002мА при 25°С и 20мА при 125°С SMA
SR24 40В 50A 0,5В 0,5 мАпри 25°С и 20мА при 100°С SMA
SR26 60В 50A 0,7В 0,5 мАпри 25°С и 20мА при 100°С SMA
SX34 (SK34А) 40В 80А 0,5В 0,2мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA
SX36 60В 80А 0,75В 0,1мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA
SK34 40В 100А 0,5В 0,5 мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC
MB310 (SK39 PanJit) 100В 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC
MB510 (SK59 PanJit) 100В 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 10мА при 100°С SMC
SVC10120VB 120В 10А 200А 0,79В 0,010мА TO-277B
Цены в формате  . pdf,  .xls Купить
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 330 мм по 5000 диодов Шоттки в TO-277B и MELF, по 3000 в SMC. В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 1800 диодов Шоттки в SMA.

Быстрые диоды Шоттки

Цены в формате  .pdf,  .xls Купить
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодов Шоттки в SOD123FL.

Мосты на диодах Шоттки

Цены в формате  .pdf,  .xls Купить
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 1000 мостов на диодах Шоттки TS140S, TS240S.

Диоды Шоттки широко используются в низковольтных цепях вследствие малого падения на переходе структуры метал-полупроводник. Для работы в цепях с высоким напряжением созданы высоковольтные выпрямительные диоды со структурой, состоящей из двух полупроводников. Сборки из четырех диодов полупроводниковых структур позволяют изготавливать диодные мосты для работы в выпрямителях сетевых источников питания. В более высокочастотных преобразователях напряжений применяются импульсные диоды. Для защиты от перенапряжений цепей питания разработаны ограничительные диоды. Двухвыводная полупроводниковая структура способная излучать свет при включение в электрическую цепь получила название светоизлучающий диод, сокращено светодиод . Различают одноцветные светодиоды состоящие из одного полупроводникового кристалла и многоцветные из кристаллов излучающих свет различных цветов. Первые представлены в разделе LED светодиодов 0603 и 1206 вторые в разделе двухцветные и трёхцветные светодиоды. Диоды, работающие на обратном участке ВАХ, имеющие резкую зависимость тока от напряжения используются в качестве источников опорного напряжения и называются полупроводниковые стабилитроны.

Корзина

Корзина пуста

Пару слов о велосвете. Часть 1

У любого велосипедиста рано или поздно встает вопрос о том, какую велофару или фонарь приобрести для ночной езды в городе или по пересеченной местности. И все больше и больше люди склоняются к покупке велосвета именно китайского произвоства: велофары или фонарика. Брендовые фары и фонарики стоят в 2-3 раза больше при схожих технических характеристиках.

Статья будет разделена на 2 части: в первой мы остановимся на характеристиках фар\фонарей и диодов , которые в них устанавливаются, а во второй поговорим об аккумуляторах и комплектных блоках питания к велофарам.

Светодиоды и световой поток.

Самыми распостраненными светодиодами, устанавливаемыми в китайские фары и фонари является продукция компании Cree, а именно тип XM-L и его более современная версия XM-L2. Также китайцы хитрят и ставят диоды Lattice bright или вообще неизвестного производства(ниже картинки с различиями).

Все фирменные светодиоды подразделяются на бины. Бин обозначает диапазон параметра, минимальный для данной системы сортировки по параметрам. Говоря в общем и по простому, бин дает возможность определить цветовые характеристики диода и как вследствии его яркость(хотя некоторые бины могу присутствовать в различных цветовых характеристиках). Вся информация дается в технической документации на диод.

Реально же отличить смежные бины например холодного цвета очень и очень тяжело. Да и надо понимать, что бины холодного и теплых цветов отличаются по яркости.

Для понимания дадим определение люмену.

Люмен (лм) это — единица измерения светового потока в системе СИ и имеет четкие методы для своего измерения.
Ниже приведены характеристики популярных светодиодов и зависимость светового потока от тока на диода

Характеристики светодиодов
XM-L XM-L2 Lattice bright XL Lattice bright XM2
Размер 5×5 мм 5×5 мм 5×5 мм 5×5 мм
Максимальный ток драйвера 3 А 3 А 2,5 A 3 A
Максимальная мощность 10 Вт 10 Вт 7 Вт 10 Вт
Максимальная яркость, лм 1040 1052 700 1160
Светоотдача, лм/Вт 158 170 Нет данных Нет данных
Прямое напряжение 3,1В @ 1500мА 2,85В @ 700мА 2,8-3,2 @ 700мА 2,8-3,0 @ 700мА
Обратное напряжение -5 В -5 В Нет данных Нет данных
Угол рассеивания 125 градусов 125 градусов 125 градусов 125 градусов
Максимально допустимая температура 150 градусов Цельсия 150 градусов Цельсия Нет данных Нет данных
Зависимость яркости диода XM-L в люминах от тока
Тип диода 700 мА 1000 мА 1500 мА 3000 мА
XML T2 200-220 275-303 390-429 650-715
XML T3 220-240 303-330 429-468 715-780
XML T4 240-260 330-358 468-507 780-845
XML T5 260-280 358-385 507-546 845-910
XML T6 280-300 385-413 546-585 910-975
XML U2 300-320 413-440 585-624 975-1040
XML U3 320-340 440-468 624-663 1040-1105
Зависимость яркости диода XM-L2 в люминах от тока
Тип диода 700 мА 1000 мА 1500 мА 3000 мА
XML S4 186-196 256-268 360-377 612-641
XML S5 196-207 268-284 377-400 641-679
XML S6 207-227 284-313 400-439 679-746
XML T2 227-250 313-343 439-483 746-820
XML T3 250-273 343-375 483-528 820-895
XML T4 273-296 375-406 528-571 895-970
XML T5 296-318 406-438 571-615 970-1044
XML T6 318-341 438-468 615-659 1044-1119
XML U2 341-364 468-500 659-703 1119-1193

Как видно из таблиц выше световой поток зависит от бина диода и тока, который драйвер подает на этот диод. И не всегда световой поток растет пропорционально росту тока.

Теперь вернемся к китайфарам и фонарикам. Многие, наверное, обратили внимание несоответствие приведенных выше цифр светового потока рекламным «буклетикам» на велосвет. Всегда же хочется получить за свои деньги максимальную яркость.Верно же? А суть в том, что цифры то эти банальное преувеличение. НИКОГДА диод Cree XM-L не выдаст яркость 1800 люминов, а их спарка — 4000-5000 люминов. Первая причина — это физически невозможно, вторая — никто на максимальную мощность «жарить» эти диоды в фарах и фонарях не будет, поскольку их надо адекватно охлаждать и рассчитывать это охлаждение.


Посчитаем же реальный световой поток допустим на двухдионой велофары типа «Сова». Сразу оговоримся, что мы будем использовать понятие мощности диода, поскольку напряжения блока аккумуляторов, который идет в комплекте с «Совой» 8.4В, а все табличные данные относятся к напряжению 3,7-4,2 В. Итак, измеренный ток для «Совы» в режиме максимальной мощности для 2-х диодов равен 1,4 А (каждый диод потребляет по 0,7 А). Мощность при этом составит приблизительно 6 Вт. Произведя простые расчеты получаем, что максимальный световой поток 2-х диодов равен 1250 люминов (т.е 625 люминов на диод). Ясно видно, что диоды работают не на полную мощность (оно и не надо, учитывая размеры фары) и световой поток никак не может быть заявленные 4000-5000 люминов. Довольной часто в фонарях и фарах ограничивают значение тока, тем самым не давая диодам перегреваться в тесных корпусах.

Так же, хотелось бы обратить внимание, что качество света зависит не только от диода, но и от рефлектора фары\фонаря,а также от фокусировки самого луча. Да и гнаться за большим количеством диодов не стоит. Во-первых, это ухудшает качество света и делает ослепительно-ярким центральное пятно, во-вторых сильно греются сами диоды (а их еще и греют соседние), в-третьих необходимо увеличивать емкость аккумулятора или возить запасной, поскольку с увеличением количества диодов растет и общее потребление фары.


Если сравнивать однодиодную фару и двухдиодную «сову», то первая имеет, так называемый, дальний свет. Его особенностью является узкое световое пятно и широкая засветка, без засвета «под колесом». У «совы» засвет более широкий, но дальность луча меньше, а световое пятно шире. Но не стоит забывать, что заменой рефлектора у однодиодной фары можно добиться более широкого центрального светового пятна и сгладить боковую засветку.

Существуют еще, так называемые, двухзонные фары (как от Fenix, так и китайские SolarStorm), которые представляют собой двухдиодные фары, у которых рафлектор имеет различную глубину и один диод светит дальним, второй «под колесо». Удобный и практичный осветитель, цена выше приблизительно на 30-40% чем у «совы».

Фонарь или фара?

Нам часто задают вопрос — «Что купить для передного света фонарь или велофару». Однозначного ответа на этот вопрос нет. И у того и у другого варианта есть свои плюсы и минусы. Разберем по порядку.


Велофара.
    Плюсы:
  • компактность самой фары на руле
  • неплохая автономность
  • есть версии с двухзонным ближним\дальним светом
  • цена
  • в комплекте есть все необходимое:поставил и работает
  • на борту может быть 2 и более диодов
  • хороший свет
    Минусы:
  • громоздкость всей конструкции (фара компактная, но акб тоже необходимо куда-то крепить)
  • греются
  • запасные нормальные блоки акб найти непросто и цена их высокая (до 70% стоимости комплекта)
  • некоторые фары потребляют энергию даже когда находятся в выключенном режиме
Фонарь:
    Плюсы:
  • компактность
  • можно быстро снять с велосипеда и унести с собой
  • возможность возить несколько сменных аккумуляторов, при этом они не занимают много места
  • емкость аккумулятора легко подобрать под свои нужды
  • отсутствие лишний проводки
    Минусы:
  • необходимо докупить зарядное устройство и аккумуляторы
  • дороже комплекта с фарой
  • выбор фонарей, подходящих для велосипеда, невелик
  • необходимо самим предусмотреть крепление на руль или шлем
  • отсутствует индикация (на большинстве фонарей) степени заряда аккумулятора

Какие для него плюсы и минусы существенны, а какие нет каждый решает сам. И выбор только за вами. Рынок предлагает много вариантов, выбрать есть из чего.

Статья написана для сайта pridevs.ru. При использовании данного материала, ссылка на первоисточник обязательна.

Taidacent 1N4148WS IN4148 0805 0603 1206 T4 SMD коммутационный диод S4 SMD коммутационный диод высокоскоростной коммутационный диод

Порт: shenzhen
Условия оплаты: L/C,T/T,Western Union,MoneyGram
Возможности поставки: 1000 шт. за Week
Наименование: Taidacent
Толерантность: Other
Макс. обратный ток: Other
Макс. прямой ток: Other
Макс. прямое напряжение: Other
Постоянной ёмкости, универсальный конденсатор соотношение состоянии: Other
Способ Монтажа: Other
Технология: Other
Напряжение-Зенер (ном) (Vz): Other
Напряжение-вперед (Vf) (Макс) @ If: Other
Постоянной ёмкости, универсальный конденсатор соотношение: Other
Тип корпуса: Other
Сопротивление (макс) (Zzt): Other
Емкость @ Vr, F: Other
Рабочая Температура: Other
Тип упаковки: Для поверхностного монтажа
Перекрестная ссылка: None
Диод конфигурации: Other
Конфигурация: Other
Напряжение-пиковое Реверс (макс): Other
Q @ Vr, F: Не применимо
Мощность макс: Не применимо
Рассеиваемая мощность (макс): Other
Ток-Средний выпрямленный (Io): Other
品名: 1N4148WS SMD Switching Diode
Диодного типа: Switching Diode
Сопротивление @ If, F: Other
Скорость: Не применимо
Модели: 1N4148WS SMD Switching Diode
В настоящее время-макс: Other
Ток-Средний выпрямленный (Io) (на диод): Other
Доступные методы: Фото
Применение: Switch
Макс. обратное напряжение: Other
Происхождение товара: Guangdong Китай
Время обратного восстановления (trr): Other
Тип Поставщика: Оптовая продажа женское бельё
d/c: Other
Тип: Переключающий диод
Ток-обратная утечка @ Vr: Other
Обратное напряжение постоянного тока (Vr) (макс.): Other
Информация об упаковке: box
Пакет предварительного просмотра: https://sc04.alicdn.com/kf/HTB1PZAdgfImBKNjSZFlq6A43FXab.jpg_640x640. jpg

Подробные технические характеристики Samsung Galaxy S4

 Размеры 137 х 70 х 7,9 мм
Вес   130 г
Дизайн  классический
Повышенная устойчивость: нет 
Цвета  Черный,белый
Тип дисплея Super AMOLED 
Разрешение экрана:  1080 x 1920 пикселей
Число цветов:  16000000 
Диагональ экрана:   5 дюймов
Сенсорный экран:   да, емкостной
Multi-Touch:  да
Защита  Gorilla Glass 3
Датчик света:  да 
Датчик расстояния:   да
Операционная система: Android (версия 4. 2.2) 
Многозадачность:  да
Акселерометр:  да
Магнитометр:  да 
Гироскоп:   да
Активный режим ожидания:   да
Аккумулятор:  Li-Ion, 2600 мАч 
Оперативная память (ОЗУ): 2 Гб  
Внутренняя память:  16/32/64 Гб 
Слот для карт памяти:  Да, MicroSD (до 64GB) 
Процессор:  Exynos 5410 Octa-5
Графический процессор:  PowerVR SGX 544MP3 
Количество ядер и тактовая частота:  четырехъядерный процессор, 1,9 ГГц (Cortex-A15)

четырехъядерный процессор, 1,6 ГГц (Cortext-A7)
 

GPRS / EDGE:  да
3G (UMTS, W-CDMA)   да
HSDPA / HSUPA:  да
Bluetooth:  Да, версия 4.0
Wi-Fi: Wi-Fi 802.11 A / B / G / N, Wi-Fi hotspot 
NFC:  да 
USB: MicroUSB 
 Ик- порт да 
Интернет-браузер:   WebKit2
Тип карты SIM: MicroSIM 
Поддержка 2 SIM-карты:  нет 
Видео плеер:  да 
Поддерживаемые форматы видео:   H.263, MPEG4-SP & ASP, H.264
Музыкальный плеер:  да 
Поддерживаемые аудио форматы:   AAC, еААС, еААС, MP2, MP3, WMA
Эквалайзер:  да
FM-радио:   
Стерео динамики  нет
3,5 мм разъем:   да
AV-выход: да 
Встроенный приемник GPS:  да
Навигационное программное обеспечение:  Google Maps
A-GPS:   да
Камера:  Да, 13 Мп (4128 х 3096 пикселей)
Автофокусировка:   да
Подсветка:  светодиодная вспышка, 1 диод
Уменьшение эффекта красных глаз:   
Стабилизатор изображения:  
Баланс белого:  
Автоспуск:  
Визуальные эффекты:   
Сцены:  
Панорамный режим:  
Серийная съемка:   
Распознавание лиц:  
Зум:   цифровой
Запись видео:  да
Максимальное разрешение   Full HD 1080p (1920 х 1080 пикселей)
Фронтальная камера Да, 2 МП 
Просмотрщик Офисных документов:   да
PDF Viewer:  да
Комплектация: Руководство, аккумулятор, зарядное устройство, стереогарнитура, USB-кабель для передачи данных 

(PDF) Извлечение и анализ характеристических параметров асимметричного диода Шоттки с двухпозиционным соединением

n2¼1 и RA 1,5 Омм2 почти перекрываются с кривой

n2¼1,5 и RA 0Ωm2 (см. Рисунок S10p, Поддержка

Информация). Из рисунка 7 и таблицы 2–5 видно, что подгоночные кривые

хорошо совместимы с экспериментальными кривыми

, что указывает на эффективность нашего метода экстракции. Более подробная информация

показана во вспомогательной информации (Рисунок S7 – S10).

6. Выводы

Таким образом, исследованы вольт-амперные характеристики МСМ-диодов

при воздействии различных параметров. Из

исследования характеристических параметров двух последовательно соединенных контактов Шоттки

мы приводим два эмпирических вывода —

: 1) коэффициент идеальности одного диода Шоттки становится

различимым только в обнаруживаемой шкале координат. если высота барьера

этого диода Шоттки достаточно высока.2) Сопротивление серии

распознается только тогда, когда последовательное сопротивление

достаточно, чтобы управлять вольт-амперными кривыми уже в

обратном направлении исследуемых диодов, будь то первый диод

или второй.

Метод решения уравнений в течение характеристического интервала

val был предложен для извлечения параметров из кривой тока

напряжения двух последовательно соединенных контактов Шоттки.

Параметры Шоттки интерфейса MSM могут быть вычислены с помощью следующей процедуры: 1) токи насыщения должны быть

достижимыми или предполагаемыми из вольт-амперной кривой

, а также может быть получена высота барьера.Если два тока насыщения

скрыты неполной кривой или каким-либо другим физическим механизмом —

анизм, попробуйте рассматривать измеренный ток при смещении ± 0,1 В как обратный ток насыщения

и экстраполяцию прямого тока насыщения

. можно увидеть во вспомогательной информации.

2) Постройте функцию SR для выбора соответствующих интервалов тока

и напряжения. 3) Решите Систему 1, установив перекрестное сопоставление

каждой точки в интервалах тока и напряжения.4) На частотных диаграммах параметров выбрать значение

ед. Если диаграммы частот

неприменимы, повторно выберите интервалы для расчета

System 2nd. 5) Нарисуйте кривую, используя результаты расчетов, и сравните

с исходной кривой. Если есть какое-либо отклонение, выполните точную настройку кривой

в соответствии со следующим опытом: Коэффициент идеальности

n1 определяет наклон линейной части кривой в логарифмических координатах

, а последовательное сопротивление R определяет

, когда линейная часть изгибается вниз, чтобы сформировать экспоненциальную кривую.

Сравнивая стандартные кривые с нашим моделированием, можно увидеть

, что этот метод весьма осуществим. Более того, этот метод

подтвержден путем извлечения экспериментальных кривых, а кривые

из извлеченных параметров совместимы с экспериментальными кривыми

.

Дополнительная информация

Дополнительная информация доступна в онлайн-библиотеке Wiley или по телефону

автора.

Благодарности

Эта работа частично поддержана Китайским фондом постдокторантуры

(грант No.2018M643443), Национальный фонд естественных наук

Китая (грант № 51802032 и 11675029), Фонд научных исследований и технологических исследований

провинции Сычуань (грант № 2017JY0320

и 2018JY0513), а также Национальный университет инноваций и предпринимательства

программа предпрофессиональной подготовки (грант № 201810621051 и

S2011092). В эту статью 24 апреля 2020 г. были внесены поправки, исправляющие

цифру 6.

Конфликт интересов

Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

Ключевые слова

высота барьера, коэффициент идеальности, устройства Шоттки, последовательное сопротивление,

теория термоэлектронной эмиссии

Поступила: 10 декабря 2019 г.

Исправлена: 2 февраля 2020 г.

Опубликована онлайн: 26 февраля 2020 г.

[ 1] W. Tian, ​​H. Sun, L. Chen, P. Wangyang, X. Chen, J. Xiong, L. Li,

InfoMat. 2019,1, 140.

[2] К. Ян, К. Гонг, П. Ванъян, Дж. Чу, К. Ху, К. Ли, Х. Ван, X. Ду,

Т. Чжай, Ю. .Ли, Дж. Сюн, Adv. Функц. Матер. 2018,28, 1803305.

[3] К. Гонг, К. Ху, X. Ван, П. Ванъян, К. Ян, Дж. Чу, М. Ляо,

Л. Дай, Т. Чжай, К. Wang, L. Li, J. Xiong, Adv. Функц. Матер. 2018,

28, 1706559.

[4] Дж. Чу, Ф. Ван, Л. Инь, Л. Лэй, К. Ян, Ф. Ван, Ю. Вэнь, З. Ван,

К. Цзян , L. Feng, J. Xiong, Y. Li, J. He, Adv. Функц. Матер. 2017,

27, 1701342.

[5] Дж. Ван, Дж. Хан, X. Чен, X. Ван, InfoMater. 2019,1, 33.

[6] Г. Рао, Х. Ван, Ю. Ван, П. Ванъян, К. Янь, Дж. Чу, Л. Сюэ,

К. Гун, Дж. Хуанг, Дж. Сюн, Ю. Ли , InfoMater. 2019,1, 272.

[7] A. Sellai, Z. Ouennoughi, Int. J. Mod. Phys. C 2005,16, 1043.

[8] EH Rhoderick, E. Rhoderick, Metal-Semiconductor Contacts,

Clarendon Press, Oxford, UK 1978.

[9] SM Sze, KK Ng, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, Hoboken,

NJ 2006.

[10] K. Akkiliç, MEAydin, A. Türüt, Phys. Scr. 2004,70, 364.

[11] M. E. Aydin, K. Akkiliç, T. Kiliço˘

glu, Appl. Серфинг. Sci. 2006, 253, 1304.

[12] Дж. Лян, Т. Цуй, К. Вараграмян, Solid-State Electron. 2003, 47, 691.

[13] H. Norde, J. Appl. Phys. 1979,50, 5052.

[14] К. Сато, Ю. Ясумура, J. ​​Appl. Phys. 1985,58, 3655.

[15] К. Д. Лиен, Ф. С. Т. Со, М. А. Николет, IEEE Trans. Электронные устройства

1984,31, 1502.

[16] С.К.Cheung, N. W. Cheung, Appl. Phys. Lett. 1986, 49, 85.

[17] J. H. Werner, Appl. Phys. A 1988, 47, 291.

[18] Д. Доновал, М. Барус, М. Здимал, Solid-State Electron. 1991, 34, 1365.

[19] В. Обри, Ф. Мейер, J. Appl. Phys. 1994, 76, 7973.

[20] J. Osvald, E. Dobro cka, Semicond. Sci. Technol. 1996, 11, 1198.

[21] R. J. Bennett, IEEE Trans. Электронные устройства 1987,34, 935.

[22] В. Михелашвили, Г. Эйзенштейн, Р. Уздин, Твердотельная электроника.2001,

45, 143.

[23] A. Ferhat-Hamida, Z. Ouennoughi, A. Hoffmann, R. Weiss, Solid-

State Electron. 2002,46, 615.

[24] Д. Громов, В. Пугачевич, Прил. Phys. A 1994, 59, 331.

[25] Р. М. Сибилс, Р. Х. Буитраго, J. Appl. Phys. 1985, 58, 1075.

[26] K. E. Bohlin, J. Appl. Phys. 1986,60, 1223.

[27] A. Ortiz-Conde, Y. Ma, J. Thomson, E. Santos, JJ Liou,

FJG Sánchez, M. Lei, J. Finol, P. Layman, Solid -State Electron.

1999,43, 845.

www.advancedsciencenews.com www.pss-a.com

Phys. Status Solidi A 2020,217, 1

8 1

8 (8 из 9) Кианг, CH Искусственные наноструктуры на основе ДНК: изготовление, свойства и применение. Справочник по наноструктурированным биоматериалам и их применению в нанобиотехнологии. 2 , 224–246 (2005).

CAS Google ученый

  • 2.

    Уотсон, Дж. Д. и Крик, Ф. А. Структура нуклеиновой кислоты дезоксирибозы. Природа. 171 , 737–738 (1953).

    ADS CAS Статья PubMed Google ученый

  • 3.

    Порат Д., Лапидот Н. и Гомес-Херреро Дж. Транспорт заряда в устройствах на основе ДНК. In Introduction Molecular Electronics (ред. Куниберти, Г., Фагас, Г. и Рихтер, К.). 411–444 (Springer, 2006).

  • 4.

    Артес, Дж. М., Лопес-Мартинес, М., Диес-Перес, И., Санс, Ф. и Горостиза, П. Наноразмерный перенос заряда в окислительно-восстановительных белках и ДНК: На пути к биомолекулярной электронике. Электрохим. Acta. 140 , 83–95 (2014).

    Артикул Google ученый

  • 5.

    Ван Дж.Электропроводность двухцепочечной ДНК, измеренная методом импедансной спектроскопии на переменном токе. Phys. Ред. B. 78 , 245304 (2008).

    ADS Статья Google ученый

  • 6.

    Periasamy, V. et al. . Измерение электронных свойств ДНК-специфичных диодов Шоттки для обнаружения и идентификации ДНК базидиомицетов. Sci. Представитель 6 , 29879, https://doi.org/10.1038/srep29879 (2016).

    ADS CAS Статья PubMed PubMed Central Google ученый

  • 7.

    Порат, Д., Безрядин, А., Де Врис, С. и Деккер, К. Прямое измерение электрического транспорта через молекулы ДНК. Природа. 403 , 635–638 (2000).

    ADS CAS Статья PubMed Google ученый

  • 8.

    Ху К. Современные полупроводниковые приборы для интегральных схем.[Ченмин Ч., Ху (1-е изд.)]. Глава 4, 89–156 (2009).

  • 9.

    Аль-Таи, Х. М. Дж., Периасами, В. и Амин, Ю. М. Обнаружение альфа-частиц с использованием соединений ДНК / Аль-Шоттки. J. Appl. Phys. 118 , 114502 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 10.

    Занг Д. Ю. и Гроте Дж. Г. Фотоэлектрический эффект и вольт-амперные характеристики в барьерах Шоттки ДНК-металл. ШПИОН.Орг. Photonic Mater. Устройства IX. 64700A64701-64710 (2007).

  • 11.

    Аль-Таи, Х. М. Дж., Периасами, В. и Амин, Ю. М. Зависимые от влажности характеристики клеток поверхностного типа Al / ДНК / Al на основе тонкой пленки ДНК. Датчики и исполнительные механизмы. В 232 , 195–202 (2016).

    Артикул Google ученый

  • 12.

    Аль-Таи, Х. М. Дж., Периасами, В. и Амин, Ю. М. Влажность влияла на емкость и сопротивление диода Шоттки Al / ДНК / Al, облученного альфа-частицами. Sci. Отчет 6 , 25519, https://doi.org/10.1038/srep25519 (2016).

    ADS Статья PubMed PubMed Central Google ученый

  • 13.

    Аль-Таи, Х. М. Дж., Амин, Ю. М. и Периасами, В. Расчет электронных параметров диода с барьером Шоттки Al / ДНК / p-Si под действием альфа-излучения. Датчики. 15 , 4810–4822 (2015).

    Артикул PubMed PubMed Central Google ученый

  • 14.

    Аль-Таи, Х. М. Дж., Периасами, В. и Амин, Ю. М. Электронная характеристика диода металл-полупроводник-металл Au / ДНК / ITO и его применение в качестве датчика излучения. PLOS ONE ., Https://doi.org/10.1371/journal.pone.0145423 (2015).

  • 15.

    Ганджур М.А. Краткий обзор инфекционных вирусов у культурных креветок (семейство Penaeidae). Fish Aquac J. 6 , 136, https://doi.org/10.4172/2150-3508.1000136 (2015).

    Артикул Google ученый

  • 16.

    Thitamadee, S. и др. . Обзор текущих угроз болезней для культивируемых креветок пенеид в Азии. Аквакультура. 452 , 69–87 (2016).

    Артикул Google ученый

  • 17.

    Lundin, C.G. Глобальные попытки борьбы с болезнями креветок. Департамент окружающей среды Всемирного банка, Отдел земельных, водных и природных сред обитания (1996).

  • 18.

    Флегель, Т. В. Обнаружение основных вирусов креветок пенеид в Азии, историческая перспектива с акцентом на Таиланд. Аквакультура. 258 , 1–33 (2006).

    Артикул Google ученый

  • 19.

    Клейдон, К., Тахир, Р. А. Х., Саид, Х. М., Лаким, М. Х. и Тамат, В. Распространенность вирусов креветок в диких монодонах Penaeus из Брунея-Даруссалама. Аквакультура. 308 , 71–74 (2010).

    Артикул Google ученый

  • 20.

    Лайтнер, Д.В., Редман, Р. М., Пантоха, К. Р., Нобл, Б. Л. и Тран, Л. Х. Синдром ранней смертности поражает креветок в Азии. Glob. Aquacult. Адвокат 40 (январь / февраль) (2012 г.).

  • 21.

    Джоши, Дж. и др. . Вариации изолятов Vibrio parahaemolyticus на одной тайской креветочной ферме, где возникла вспышка острого гепатопанкреатического некроза (AHPND). Аквакультура. 428 , 297–302 (2014).

    Артикул Google ученый

  • 22.

    Soto-Rodriguez, SA, Gomez-Gil, B., Lozano-Olvera, R., Betancourt-Lozano, M. & Morales-Covarrubias, MS. Полевые и экспериментальные доказательства Vibrio parahaemolyticus как возбудителя острого гепатопанкреатического некроза культивированные креветки (Litopenaeus vannamei) на северо-западе Мексики. Заявл. Environ. Microbiol. 81 , 1689–1699 (2015).

    Артикул PubMed PubMed Central Google ученый

  • 23.

    Джозеф, С. В., Колвелл, Р. Р. и Капер, Дж. Б. Vibrio parahaemolyticus и родственные им галофильные вибрионы. CRC Crit Rev Microbiol. 10 , 77–124 (1982).

    CAS Статья Google ученый

  • 24.

    Картикеян К. и Судхакаран Р. Паразит микроспоридий креветок Enterocytozoon hepatopenaei (EHP): угроза для культивируемых креветок пенеид. SIJBS. 2 , 388–394 (2016).

    Артикул Google ученый

  • 25.

    Suebsing, R., Prombun, P., Srisala, J. & Kiatpathomchai, W. Петлевая изотермическая амплификация в сочетании с колориметрическим нанозолотом для обнаружения микроспоридий Enterocytozoon hepatopenaei в пенеидных креветках. J Appl Microbiol 114 , 1254–1263 (2013).

    CAS Статья PubMed Google ученый

  • 26.

    Boonyaratpalin, S. et al . Неокклюдированный бакуло-подобный вирус, возбудитель болезни желтой головы у черной тигровой креветки. Fish Pathol. 28 , 103–109 (1993).

    Артикул Google ученый

  • 27.

    Chantanachookin, C. et al . Гистология и ультраструктура выявляют новый гранулезоподобный вирус у Penaeus monodon, пораженный болезнью желтой головы. Dis. Акват. Орг. 17 , 145–157 (1993).

    Артикул Google ученый

  • 28.

    Нисибучи, М., Ishibashi, M., Takeda, Y. & Kaper, J. B. Обнаружение термостабильного прямого гена гемолизина и связанных последовательностей ДНК в Vibrio parahaemolyticus и других видах Vibrio с помощью теста гибридизации колоний ДНК. Заражение. Иммун. 49 , 481–486 (1985).

    CAS PubMed PubMed Central Google ученый

  • 29.

    Sriurairatana, S. et al . Синдром белых фекалий креветок возникает в результате трансформации, слущивания и агрегации гепатопанкреатических микроворсинок в червеобразные тела, внешне напоминающие грегарины. PloS one. 9 , e99170 (2014).

    ADS Статья PubMed PubMed Central Google ученый

  • 30.

    Николай, Дурманов Н. и др. . Селективное обнаружение немеченых вирусов с помощью новых пористых нанопленок серебра с активным SERS, изготовленных методом электронного осаждения из паровой фазы. Датчики и исполнительные механизмы, B: Chemical , https://doi.org/10.1016/j.snb.2017.10.022 (2017).

  • 31.

    Натараджан А., Шалини Деви К. С., Раджа С. и Сентил Кумар А. Элегантный анализ вируса синдрома белых пятен с использованием платформы электрохимического иммуносенсора на основе оксида графена / метиленового синего. Sci. Отчет 7 , 46169, https://doi.org/10.1038/srep46169 (2017).

    ADS CAS Статья PubMed PubMed Central Google ученый

  • 32.

    Samanman, S., Kanatharana, P., Chotigeat, W., Deachamag, P. & Thavarungkul, P. Высокочувствительный емкостной биосенсор для обнаружения вируса синдрома белых пятен в воде пруда с креветками. J. Virol. Методы. 173 , 75–84 (2011).

    CAS Статья PubMed Google ученый

  • 33.

    Wilfinger, W. W., Mackey, K. & Chomczynski, P. Влияние pH и ионной силы на спектрофотометрическую оценку чистоты нуклеиновых кислот. BioTechniques. 22 , 474–481 (1997).

    CAS PubMed Google ученый

  • 34.

    Schrader, C., Schielke, A., Ellerbroek, L. & Johne, R. Возникновение, свойства и удаление ингибиторов ПЦР. J. Appl. Microbiol. 113 , 1014–1026 (2012).

    CAS Статья PubMed Google ученый

  • 35.

    Редди, В. Р., Редди, М. С. П., Лакшми, Б. П. и Кумар, А. А. Электрические характеристики структур Au / n-GaN металл – полупроводник и Au / SiO2 / n-GaN металл – диэлектрик – полупроводник. J. Сплавы. Compd. 509 , 8001–8007 (2011).

    CAS Статья Google ученый

  • 36.

    Гупта Р. и Якуфаноглу Ф. Фотопроводящий диод Шоттки на основе Al / p-Si / SnS2 / Ag для оптических датчиков. Sol.Energy. 86 , 1539–1545 (2012).

    ADS CAS Статья Google ученый

  • 37.

    Herbert, B. Michaelson. Журнал прикладной физики. 48 , 4729–4733 (1977).

    Артикул Google ученый

  • 38.

    де Оливейра, К. Ф. и др. . Оценка четырех различных методов экстракции ДНК из коагулазонегативных клинических изолятов стафилококков. Rev Inst Med Trop Sao Paulo. 56 , 29–33 (2014).

    Артикул PubMed PubMed Central Google ученый

  • 39.

    Güllü, О., Pakma, O. & Türüt, A. Анализ плотности тока и напряжения и характеристика границ раздела в структурах Ag / ДНК / p-InP. J. Appl. Phys. 111 , 044503, https://doi.org/10.1063/1.3684989 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 40.

    Сельчук А.Б., Окак С.Б., Арас Ф.Г. и Орхан Э.О. Электрические характеристики устройства Шоттки Al / поли (метилметакрилат) / p-Si. J. Electron. Матер. 43 , 9 (2014).

    Артикул Google ученый

  • Маркировка электронных компонентов, коды SMD S4, S40, S40 **, S402, S40A, S40B, S40N, S41, S41 **, S412, S42, S42 **, S43, S46, S48B. Даташиты 1PS76SB40, 1SS389, BAV70M, BFG11W / X, EC10QS04, LM2611AMF, LM2611BMF, LM2703MF-ADJ, LM3671LC-1.3, LM3671LC-1.6, LM3671LC-1.8, LR1120G-40-AF5-A-R, LR1120G-40-AL5-A-R, MI3446, PBSS4350X, PBSS5350X, R1162N181B5, R1162N281B5, R1162N401B4.

    Главная
    Автозвук
    DVD
    Материнские платы
    Мобильные телефоны
    Мониторы
    Ноутбуки
    Принтеры
    Планшеты
    Телевизоры
    Даташиты
    Маркировка SMD
    Forum
    1. Главный
    2. Маркировка SMD
    3. S4
    Код SMD Упаковка Название устройства Производитель Данные Лист данных
    S4 СОД-323 1PS76SB40 NXP Диод Шоттки
    S4 СОД-523 1SS389 TIP Диод Шоттки
    S4 СОТ-883 BAV70M NXP Переключающие диоды
    S4 СОТ-343 BFG11W / X NXP NPN транзистор
    S4 SMA EC10QS04 Nihon Диод Шоттки
    S4 СОД-123 SD103AW MCC Диод Шоттки
    S4 Х2СОН-4 0.8×0,8 SN74LVC1G17DCKR Texas Instruments Триггер Шмитта
    S4 СОТ-23 SST174 Vishay P-канал JFET
    S40 УСОН-6 LM3671LC-1.3 Texas Instruments Понижающий преобразователь
    S40 ** СОТ-25 LR1120G-40-AF5-A-R UTC Линейный регулятор напряжения
    S40 ** СОТ-353 LR1120G-40-AL5-A-R UTC Линейный регулятор напряжения
    S40 ** СОТ-25 R1162N401B Ricoh Линейный регулятор напряжения
    S402 PowerPAK 1212-8 SiS402DN Vishay N-канальный полевой МОП-транзистор
    S40A СОТ-25 LM2611AMF National DC-DC Inverter
    S40B СОТ-25 LM2611BMF National DC-DC Inverter
    S40N СОТ-23 MI3446 MegaPower N-канальный полевой МОП-транзистор
    S41 УСОН-6 LM3671LC-1.6 Texas Instruments Понижающий преобразователь
    S41 ** СОТ-25 R1162N181B5 Ricoh Линейный регулятор напряжения
    S412 PowerPAK 1212-8 SiS412DN Vishay N-канальный полевой МОП-транзистор
    S42 УСОН-6 LM3671LC-1.8 Texas Instruments Понижающий преобразователь
    S42 ** СОТ-25 R1162N281B5 Ricoh Линейный регулятор напряжения
    S43 СОТ-89 PBSS4350X Philips (теперь NXP) NPN транзистор
    S46 СОТ-89 PBSS5350X NXP PNP транзистор
    S48B СОТ-25 LM2703MF-ADJ National Повышающий преобразователь

    Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности.Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


    Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

    Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

    • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
    • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
    • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
    • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
    • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

    Почему этому сайту требуются файлы cookie?

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


    Что сохраняется в файле cookie?

    Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

    Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

    % PDF-1.3 % 39 0 объект > эндобдж xref 39 98 0000000016 00000 н. 0000002308 00000 н. 0000002859 00000 н. 0000003066 00000 н. 0000003789 00000 н. 0000003838 00000 н. 0000003886 00000 н. 0000004370 00000 н. 0000004409 00000 н. 0000004458 00000 п. 0000004507 00000 н. 0000004556 00000 н. 0000004605 00000 н. 0000004654 00000 н. 0000005295 00000 н. 0000005725 00000 н. 0000006292 00000 н. 0000006760 00000 н. 0000012722 00000 п. 0000013221 00000 п. 0000013774 00000 п. 0000019883 00000 п. 0000020329 00000 п. 0000026772 00000 п. 0000027362 00000 п. 0000027410 00000 п. 0000027458 00000 н. 0000027507 00000 п. 0000027554 00000 п. 0000027602 00000 п. 0000027651 00000 п. 0000027699 00000 н. 0000027748 00000 н. 0000027797 00000 н. 0000027845 00000 п. 0000027867 00000 н. 0000036963 00000 п. 0000036985 00000 п. 0000045277 00000 п. 0000045346 00000 п. 0000045368 00000 п. 0000054489 00000 п. 0000054511 00000 п. 0000063371 00000 п. 0000063393 00000 п. 0000072345 00000 п. 0000072367 00000 п. 0000080473 00000 п. 0000080495 00000 п. 0000087680 00000 п. 0000087702 00000 п. 0000095526 00000 п. 0000098203 00000 п. 0000098430 00000 п. 0000098633 00000 п. 0000098710 00000 п. 0000099620 00000 н. 0000099703 00000 п. 0000099895 00000 н. 0000100058 00000 н. 0000100233 00000 н. 0000100400 00000 п 0000100603 00000 н. 0000100804 00000 н. 0000100981 00000 н. 0000101284 00000 н. 0000101620 00000 н. 0000101824 00000 н. 0000101995 00000 н. 0000102198 00000 п. 0000102533 00000 н. 0000102872 00000 н. 0000103094 00000 н. 0000103518 00000 н. 0000104273 00000 н. 0000104618 00000 п. 0000104922 00000 н. 0000105178 00000 п. 0000105428 00000 н. 0000105681 00000 п. 0000105927 00000 н. 0000106188 00000 п. 0000106443 00000 н. 0000106695 00000 н. 0000106942 00000 н. 0000107200 00000 н. 0000107390 00000 н. 0000107659 00000 н. 0000107913 00000 п. 0000108053 00000 п. 0000108229 00000 п. 0000108361 00000 п. 0000108531 00000 н. 0000108665 00000 н. 0000108839 00000 н. 0000108986 00000 п. 0000002401 00000 п. 0000002837 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 40 0 объект > эндобдж 135 0 объект > транслировать Hb«`g`L @ (( Nb $

    Полностью печатный диод на 1.6 ГГц

    Значение

    Ожидается, что печатные электронные этикетки и наклейки определят будущие аванпосты коммуникационной сети в качестве удаленных датчиков, детекторов и технологии наблюдения в рамках концепции Интернета вещей. Крайне важно сочетать такую ​​технологию со стандартными системами связи, которые обычно работают на частотах гигагерц. Для этого необходимы компоненты для выпрямления на сверхвысокой частоте, изготовленные методом низкотемпературной печати.Здесь мы сообщаем о полностью печатном диоде, работающем на частотах выше 1 ГГц, достигнутом с использованием комбинации микрочастиц Si и NbSi 2 . Диод был интегрирован с гибкой антенной и печатным электрохромным индикатором дисплея, чтобы успешно продемонстрировать удаленную передачу сигнала и мощности от стандартного телефона глобальной системы мобильной связи к полученной электронной метке.

    Abstract

    Печатная электроника рассматривается для беспроводных электронных тегов и датчиков в рамках будущей концепции Интернета вещей (IoT).Вследствие низкой подвижности носителей заряда в органических и неорганических полупроводниках, пригодных для печати, рабочая частота печатных выпрямителей недостаточно высока для обеспечения прямой связи и подачи питания между мобильными телефонами и печатными электронными бирками. Здесь мы сообщаем о полностью печатном диоде, работающем на частоте до 1,6 ГГц. Устройство, основанное на двух уложенных друг на друга слоях частиц Si 2 и NbSi, изготовлено на гибкой подложке при низкой температуре и в окружающей атмосфере. Высокая подвижность носителей заряда микрочастиц Si позволяет устройству работать в режиме с ограничением инжекции заряда.Асимметрия оксидных слоев в полученном пакете устройств приводит к выпрямлению туннельного тока. Печатные диоды были объединены с антеннами и электрохромными дисплеями, чтобы сформировать полностью печатную электронную бирку. Собранный сигнал от мобильного телефона Глобальной системы мобильной связи использовался для обновления дисплея. Наши результаты демонстрируют новый способ коммуникации для печатной электроники в приложениях IoT.

    Печатная электроника — это использование традиционных методов печати для нанесения рисунка на материалы (полупроводники, проводники, изоляторы) и изготовления электронных компонентов на широком спектре гибких и органических подложек, таких как бумага, пластиковая пленка и этикетки (1).Видение печатной электроники — предоставить электронную этикетку (e-label) для Интернета вещей (IoT). Для многих целевых приложений IoT было бы очень важно, если бы смартфон, работающий в сверхвысокочастотном (UHF) диапазоне (от 300 МГц до 3 ГГц), мог напрямую связываться с полностью напечатанными электронными этикетками или даже включать их. , и, таким образом, служить в качестве коммуникационной базы с электронными этикетками как форпостами Интернета. Для достижения этой цели желательно найти недорогие и низкотемпературные производственные процессы для электроники УВЧ, совместимые с органическими носителями, чувствительными к высокой температуре.

    Одним из ключевых электронных устройств является диод, который широко используется в различных схемах, таких как выпрямители, умножители напряжения и насосы заряда, для таких приложений, как AM-радио и другие типы приемников (2), а также для энергетики. схемы сбора для извлечения энергии из радиочастотных (RF) электромагнитных волн (3, 4). Печатные схемы и устройства, такие как диоды, способные работать в диапазоне УВЧ, будут краеугольным камнем в сопряжении мобильной телефонии и печатных функциональных объектов, т.е.е., «вещь» в IoT.

    До сих пор для печати различных диодов и транзисторов использовались органические (5⇓⇓⇓⇓ – 10) или неорганические (11⇓⇓⇓⇓⇓⇓⇓⇓⇓⇓⇓⇓ – 24) полупроводники. Органические полупроводники являются многообещающими кандидатами для печатной электроники из-за технологичности их решения, которое позволяет печатать производство устройств и схем в производственной схеме «все в линию». Подвижность носителей заряда в тонких пленках органических полупроводников напрямую связана с результирующей рабочей частотой диода (25).Высокая подвижность носителей заряда до (10) 9,0 см 2 V −1 ⋅s −1 была получена для высококристаллических органических полупроводниковых пленок, созданных методом вакуумного напыления. После демонстрации выпрямителя на основе пентацена, работающего в высокочастотном диапазоне (∼50 МГц) (25), только несколько исследований сообщили о потенциале органических диодов для УВЧ-приложений. Однако для всего этого требуются методы вакуумного напыления: органический PIN-диод с частотой среза 100 МГц (6), диод из оксида металла C 60 с частотой среза 800 МГц (5) и пентаценовый диод с частотой среза до 870 МГц. МГц (9).Значения подвижности носителей заряда выше 1 см 2 V −1 ⋅s −1 сложно достичь с помощью методов обработки решений. Использование методов печати для изготовления органических диодов приводит к множеству технических проблем, включая потерю молекулярного порядка, что является предпосылкой высокой мобильности. Современные печатные органические диоды работают на частотах ниже 10 МГц (7).

    В случае неорганических материалов частота отсечки зависит от подвижности и концентрации (11) носителей заряда.Таким образом, другой стратегией печатной электроники УВЧ будет рассмотрение обычных неорганических полупроводников, обладающих высокой подвижностью и концентрацией носителей, и изменение метода обработки, чтобы сделать его совместимым с низкотемпературной обработкой и традиционными методами печати (13). Одним из способов достижения этого является использование полупроводниковых чернил с наночастицами, способ, который успешно использовался для демонстрации полностью напечатанных ректенн, однако в настоящее время ограничен рабочей частотой 13,56 МГц (16).Благодаря достижениям в химии и нанотехнологиях, неорганические полупроводники, обработанные в растворе, теперь доступны (23, 24). Используя такие материалы, пленки, обработанные в растворе, могут быть получены с помощью процессов нанесения покрытия или печати. Однако для улучшения проводимости им обычно требуется радикальная или даже экстремальная термическая обработка (высокотемпературное спекание или лазерный отжиг), которые несовместимы с гибкими подложками, такими как полиэтилентерефталат (ПЭТ) и бумага (12, 14, 15). , 17⇓ – 19, 26). Одно из решений, предлагаемых для решения этой проблемы, состоит в том, чтобы сначала изготовить устройство на устойчивой к высоким температурам подложке, а затем перенести его на гибкую подложку.С использованием этого метода были разработаны PIN-диоды с частотой отсечки 1,9 ГГц (22) и транзисторы с частотой отсечки 2,04 ГГц (21) на гибких подложках. Однако этот метод включает несколько этапов, некоторые из которых, безусловно, слишком сложны и требуют много времени, чтобы быть осуществимыми и экономически совместимыми с процессами промышленного массового производства. Однако другой недавней стратегией, связанной с неорганическими полупроводниками, является низкотемпературный водный способ изготовления тонкопленочных транзисторов на пластике, обеспечивающий среднюю подвижность 2.6 см 2 ⋅V −1 ⋅s −1 (20). Одной из основных остающихся здесь проблем является контроль уровня легирования посредством низкотемпературного химического роста.

    Насколько нам известно, полностью печатные устройства УВЧ, такие как транзисторы и диоды, созданные на гибких подложках, до сих пор не демонстрировались. С такой технологией стала бы возможной прямая связь и питание между сотовым телефоном и напечатанными электронными этикетками.

    Здесь мы используем микрочастицы кремния (Si) (µPs) в органическом связующем в качестве полупроводникового композита для трафаретной печати, который помещается между электродами, образуя диод.Это позволяет нам напрямую получать прибыль от комбинации высокой подвижности носителей заряда в объеме кристалла Si (до 1400 см 2 V −1 s −1 для нелегированного Si) и способности использовать обычные процессы печати. Как следствие, печатный Si-диод на гибкой подложке работает на частоте до 1,6 ГГц, то есть в диапазоне УВЧ. Фактически, энергия, полученная от антенны мобильного телефона, работающего в диапазоне глобальной системы мобильной связи (GSM), при совершении звонка может быть исправлена ​​с помощью нашего печатного Si-диода для питания печатного электрохромного полимерного дисплея.Это демонстрирует первую (насколько нам известно) прямую связь между полностью напечатанной электронной этикеткой и сотовым телефоном.

    Результаты и обсуждение

    Для успешного использования печатного диода на основе Si μP в будущих приложениях Интернета вещей необходим простой и высокопроизводительный производственный процесс. Это заставляет нас рассматривать хорошо отработанные производственные технологии, в которых используются этапы производства, выполняемые при низких температурах, в атмосфере традиционной типографии и совместимые с обычными гибкими пластиковыми и бумажными носителями.Более того, для связи на очень высоких частотах для передачи энергии и сигнала кремниевый диод должен обладать очень быстрой реакцией на импульс напряжения, в то время как большой коэффициент выпрямления тока не так важен, как в таких приложениях, как активные матрицы. Следовательно, туннельные диоды и диоды Шоттки более подходят, чем p-n-диоды, из-за их преимуществ при высокоскоростной работе (27, 28).

    Мы использовали шаровую мельницу для измельчения кремниевой пластины на частицы кремния на воздухе. Из-за воздействия воздуха частицы образуют естественный слой оксидной оболочки.Пока толщина этого изолирующего слоя оболочки в диоде металл – диэлектрик – полупроводник (МДП) составляет менее 50 ÅA, устройство должно вести себя как диод Шоттки (28). Пленки, изготовленные из микрочастиц Si в органической связке, были исследованы с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Уровень ядра Si 2p был исследован для получения оценки толщины внешней оболочки SiO 2 , покрывающей микрочастицы Si, с использованием относительных интенсивностей элементов Si 2p (чистый кремний, пик с низкой энергией связи) и оксида кремния (высокий пик энергии связи), (рис.1 А ). Часть спектра Si 2p, относящаяся к чистому кремнию, показала асимметрию (небольшое плечо) на стороне с низкой энергией связи и не имела ожидаемого отчетливого спин-орбитального расщепления, которое мы приписываем эффектам зарядки, поскольку не все частицы Si в пленке принадлежат перколированной сети и, следовательно, не будут поддерживать нейтрализацию заряда во время фотоэмиссионного эксперимента. Таким образом, элемент Si 2p, принадлежащий чистому кремнию, был подогнан (с использованием фона Ширли) двумя пиками, а элемент оксида кремния — только одним.Последнее является стандартным подходом даже для пленок кристаллического кремния (29). Предполагая случайный порядок микрочастиц Si в пленке, мы можем исключить эффекты дифракции фотоэлектронов, и тогда толщина оксида d oxy будет равна 1,27 нм, следуя процедуре, описанной в [5]. 29 и с использованием эффективной длины затухания фотоэлектрона λ oxy = 2,96 нм для природного оксида кремния.

    Рис. 1.

    Характеристика микрочастиц Si. ( A ) XPS-измерения с верхней поверхности слоя Si / SU8.Пик с низкой энергией связи соответствует чистому Si, а пик с высокой энергией представляет собой SiO 2 . Сравнивая относительные интенсивности этих двух пиков и принимая во внимание длину затухания фотоэлектронов, мы оцениваем толщину оксида d oxy до 1,27 нм. ( B ) Распределение микрочастиц Si по размерам, измеренное с использованием подхода анализа изображений с использованием SEM-изображений частиц.

    При рассмотрении размера частиц Si важно помнить, что подвижность электронов значительно уменьшается с увеличением размера кристаллических доменов Si (1), поскольку волновая функция электронов рассеивается на границах раздела.Следовательно, микропроцессоры Si интегрированы в полимерное связующее (SU8), чтобы получить слой толщиной менее 5 мкм и гарантировать, что путь носителя электронного заряда между двумя электродами, охватывающий слой Si, будет проходить только через один или только несколько индивидуальных Si мкП. Измеренное распределение частиц Si по размерам представлено на рис. 1 B . Чтобы локализовать ограничение тока диода на границах раздела частица Si / электрод, мы выбрали n-легированный кристаллический Si с уровнем легирования ∼10 18 см −3 из-за его высоких характеристик подвижности и проводимости.Микрочастицы Si вводятся вдоль поверхности слоя прекурсора SU8.

    В наиболее упрощенной версии диодное устройство будет состоять из микропроцессоров n-Si, зажатых между двумя электродами (рис. 2 A , I ). По сравнению с обычным МДП-туннелем или диодом Шоттки, предложенная геометрия эквивалентна двум МДП-диодам, подключенным спереди к фронту. Если два МДП-диода идентичны, очень слабый ток должен проходить через структуру либо в прямом, либо в обратном смещении. Так обстоит дело с устройством, состоящим из частиц Si с их естественным оксидом (толщина ∼12.7 Å) в SU8, зажатой между двумя алюминиевыми электродами (рис. 2 A , I ). Измеренные ВАХ (рис. 2 B ) для этого устройства показывают низкий уровень тока около 10 −7 A и практически полное отсутствие выпрямления тока. Чтобы ввести выпрямление тока (асимметричную структуру устройства) в кривую I – V и увеличить плотность тока, мы заменили верхний электрод Al / Al 2 O 3 проводником, не содержащим оксидов.В качестве первого кандидата мы включаем проводящий уголь, который легко печатается в виде пасты для трафаретной печати (рис. 2 A , II ). Верхний контактный диод МДП включает только тонкий слой оксида кремния (толщина ∼12,7 Å), тогда как нижний контактный диод объединяет слои кремния и оксида алюминия [толщина, 10–30 Å (30, 31)], соединенные между собой. серии. Однако, поскольку углеродная паста может проникать через трещины в слое Si-in-SU8, создавая короткие замыкания, выход этого производственного процесса довольно низок (31%).Все устройства с высокими токами утечки, в которых заряды проходят по проникающему углеродному контакту непосредственно к алюминиевому нижнему контакту, имеют высокую плотность тока (> 10 9 10 50 -4 9 10 51 A) и зависимость омического тока от напряжения без какого-либо выпрямления (пунктирная кривая , Рис.2 B ). Чтобы предотвратить возможность проникновения углеродного контакта через слой Si μP-in-SU8, мы добавили второй аналогичный слой поверх первого слоя после сшивки. С этим более толстым слоем Si μP-in-SU8 эффекты короткого замыкания были значительно уменьшены, на что указывает более низкий уровень тока (III на рис.2 B ), но, к сожалению, плотность тока и коэффициент выпрямления слишком малы для практического применения. Из этих экспериментов мы пришли к выводу, что требуемый дополнительный слой должен быть проводником, не содержащим оксидов, который можно печатать поверх первого слоя Si-in-SU8. Поэтому мы обращаем внимание на силицид металлов, семейство материалов с высокой проводимостью, которые, как известно, устойчивы к окислению (32, 33). Мы измельчали ​​порошок NbSi 2 на микрочастицы, добиваясь того же среднего размера микрочастиц, что и микрочастиц Si (рис.S1), а затем напечатал слой NbSi 2 -in-SU8 (менее 5 мкм) поверх слоя Si-in-SU8. Затем устройство было завершено путем печати верхнего электрода из углеродной пасты (рис. 2 A , IV ). Только 6% этих устройств закорочены, 50% из них имеют коэффициент выпрямления ниже 10. Следовательно, 44% диодов из углерода: NbSi 2 -в-SU8: Si-в-SU8: Al имеют выпрямление. > 10, и из них все устройства показывают частоту среза выше 0,4 ГГц. Для статистического сравнения между различными структурами, показанными на рис.2 A , II IV , для каждого из них изготовлены партии по 16 устройств. Из этой статистики ясно, что структура IV имеет наилучшую доходность и производительность (см. Сводку в Таблице S1). Выпрямление измеряется при 1 В; амплитуда, необходимая для демонстрации концепции электронной этикетки в этой статье.

    Рис. 2.

    Изучение различных архитектур устройств. ( A ) Различные конструкции устройства протестированы перед проектированием окончательной конструкции устройства.( B ) I – V кривые различных структур устройства.

    Поперечное сечение окончательной конструкции устройства схематично показано на рис. 3 A . Процесс изготовления начинается с трафаретной печати сухих частиц Si поверх нанесенного струйной печатью слоя SU8, нанесенного на алюминиевую подложку. Затем частицы прижимаются ламинатором для контакта с алюминиевой подложкой через связующее. Сухие частицы NbSi 2 наносятся методом трафаретной печати с использованием аналогичного процесса.Связующее вещество SU8 сшивается в конце каждого этапа. Для окончательной доработки диода угольные и серебряные чернила затем наносятся методом трафаретной печати и отверждаются. Причина добавления углеродного контакта состоит в том, чтобы сформировать контакт для частиц NbSi 2 , в то время как дополнительный слой Ag напечатан для дальнейшего увеличения проводимости верхнего контакта. Поперечное сечение полученного устройства на сканирующем электронном микроскопе вместе с видом сверху представлено на рис. 3 B – D .

    Рис. 3.

    Структура устройства. ( A ) Схема устройства в разрезе.( B ) СЭМ-изображение поперечного сечения устройства, на котором отчетливо видны все слои, кроме алюминиевой подложки. На вставке показано поперечное сечение другого устройства, на котором виден слой алюминия. ( C и D ) Вид устройства сверху.

    Средняя кривая I – V , основанная на 16 репрезентативных образцах, показана на рис. 4 A . Пороговый ток 3 мкА определяется как предел между включенным и выключенным состояниями диода, поскольку это минимальный ток, необходимый для переключения электрохромного дисплея за достаточно короткое время (десятки секунд).Согласно этому определению, среднее напряжение включения составляет около 1 В. Случайное распределение размеров частиц и расстояний и, следовательно, толщина изолятора на пути заряда приведет к некоторому изменению характеристик устройства, давая диапазон включения. напряжения для различных устройств и очень низкая амплитуда тока для определенного процента изготовленных устройств (которые выбрасываются). Площадь поверхности образцов колеблется от 2 × 10 4 до 8 × 10 4 мкм 2 .Мы сообщаем результирующую амплитуду тока, а не плотность тока, потому что ток в устройстве не распределяется равномерно по всей площади поверхности контактов и слоев μP-in-SU8, а скорее следует динамике токовой нити. Следовательно, текущий уровень не масштабируется линейно с площадью поверхности, по крайней мере, не для небольшого изменения площадей активных устройств, которые мы используем в наших экспериментах (см. Рис. S2). При увеличении площади диодов увеличивается риск коротких замыканий из-за трещин или точечных отверстий в связующем, а также уменьшается рабочая полоса пропускания устройства, поскольку величина паразитной емкости напрямую связана с площадью поверхности.

    Рис. 4.

    Характеристики постоянного тока и АЧХ. ( A ) Средняя кривая I – V , основанная на 16 типичных устройствах. Столбики ошибок показывают SD и, таким образом, представляют диапазон напряжения, необходимый для получения определенного уровня тока. Используя порог 3 мкА, который мы определили как предел включения / выключения для устройства, для включения диода требуется среднее входное напряжение 1 В. На вставке показаны два разных механизма тока для разной толщины изолятора.( B ) Частотная характеристика устройства с входной мощностью 3 Вт.

    Средняя частотная характеристика типичного образца, измеренная при подаче входного сигнала мощностью 3 Вт, показана на рис. 4 B . Расчетная частота среза (точка половинной мощности) устройства составляет около 1,6 ГГц.

    После отбраковки устройств с низкими токовыми характеристиками или плохим коэффициентом выпрямления тока 77% оставшихся образцов показывают частоту среза выше 1 ГГц, а 33% демонстрируют частоту среза около 1.6 ГГц. Измерения характеристик постоянного тока были повторены через 2 года на партии из 30 устройств. При 2 В, когда все устройства заведомо находятся в состоянии «включено», 60% образцов сохраняют более половины своего начального тока, а 64% из них сохраняют более половины своего первоначального коэффициента выпрямления. Для дальнейшего исследования надежности устройств одно из устройств было оставлено работать с входной частотой 1 ГГц в течение 1 часа, что составляет 3,6 × 10 12 цикла. Уменьшения выходного сигнала не обнаружено. Учитывая, что эти устройства не были закрыты или инкапсулированы, приведенные выше данные свидетельствуют о высокой надежности.

    Как показано выше, рабочая частота нашего печатного диода достигает 1,6 ГГц. Выходной сигнал мобильного телефона, работающего в диапазоне GSM, захваченный антенной приемника, таким образом, в принципе может быть выпрямлен нашим диодом для создания постоянного напряжения, которое можно использовать для питания печатной электроники, такой как электрохромный индикатор дисплея. Чтобы оценить наш печатный диод в таком приложении, была изготовлена ​​простая интегральная схема. Полностью печатная схема была изготовлена ​​на подложке из полиэтилентерефталата и включает антенну из алюминиевой фольги, наш диод и электрохромный полимерный (EC) дисплей (34) на основе поли (3,4-этилендиокситиофена) полистиролсульфоната (рис.5). Антенна предназначена для захвата электромагнитного сигнала мобильного телефона, работающего в диапазоне GSM. Сигнал, передаваемый с мобильного телефона во время звонка, передается на антенну этикетки, а затем выпрямляется диодом и используется для питания переключения ЖК-дисплея. Максимальная мощность, производимая мобильным телефоном, достигает 2 Вт, но только часть излучаемой энергии может быть направлена ​​на диод из-за потерь на пути при беспроводной передаче сигнала. Несмотря на это, диод выпрямляет сигнал и вырабатывает напряжение постоянного тока, достаточное для переключения дисплея EC.Измерения постоянного тока показывают средний ток 19 мкА при прямом смещении 2 В и коэффициент выпрямления около 100 при 1 В. Частота среза наших диодов составляет около 1,6 ГГц, а частота передачи телефона GSM находится на уровне 1,8. ГГц. Несмотря на это, все еще достаточно энергии, передаваемой на антенну и выпрямленной печатным диодом, чтобы обеспечить быстрое переключение печатного элемента отображения EC. В оптимальных условиях для переключения цвета индикатора ЭК-дисплея с прозрачного на прозрачный (рис.5 A ) до темно-синего (рис. 5 C ). Полное переключение печатного электрохромного дисплея можно увидеть в Movie S1.

    Рис. 5.

    Демонстрация приложения e-label (Movie S1). ( A ) Схема антенна – диод – индикатор. ( B ) Во время вызова держите мобильный телефон близко к антенне. Дисплей начинает включаться. ( C ) Дисплей включается через 10 с.

    Полулогарифмические I – V характеристики прибора, записанные в диапазоне температур от 150 до 325 К, показаны на рис.6 А . Операция УВЧ указывает на то, что механизм выпрямления, а точнее увеличение тока выше 0,5 В при прямом смещении (рис. 6 A ), происходит из-за очень быстрого процесса инжекции или смещения заряда, возможно, туннельного (35). Обратите внимание, что ток ниже 0,7 В при прямом смещении и при всех напряжениях при обратном смещении сильно зависит от температуры. Напротив, при прямом смещении выше 0,7 В уровень тока выше и почти полностью не зависит от температуры (рис.6 А ). Это особенность, характерная для туннельного тока Фаулера – Нордхейма (ФН) (28).

    Рис. 6.

    Оценка модели. ( A ) Температурная зависимость вольт-амперных характеристик на полулогарифмическом графике. На вставке показана упрощенная зонная диаграмма контакта Al – Si. Как упоминалось в тексте, на границе раздела между изоляторами также, скорее всего, будут состояния ловушки, но они не показаны на рисунке из-за отсутствия количественной информации.( B ) Два токовых вклада (термоэлектронный и туннельный токи), а также сумма этих токовых вкладов, моделирующих экспериментальные данные при T = 300 K. ( C ) Два токовых вклада в полулогарифмическом масштабе и сумма этих вкладов тока, моделирующих экспериментальные данные при T = 300 K.

    Поскольку толщина оксида между частицами Si и частицами NbSi 2 меньше, чем между частицами Si и алюминиевым электродом, мы полагаем, что ток в первую очередь ограничивается энергетикой контакта Al – Si.Этот тип пакета MIS был изучен теоретически и экспериментально с точным контролем над процессом роста и толщиной слоя в прошлом (36⇓⇓⇓⇓⇓⇓ – 43). Однако численные значения, рассчитанные для различных параметров в предыдущих исследованиях, нельзя напрямую использовать для моделирования и сравнения здесь, потому что наше устройство имеет совершенно другую структуру, которая включает частицы случайной формы, оксидные слои с неоднородными свойствами и органическое связующее. Хотя вся теория моделирования полупроводниковых устройств основана на плоских контактах, мы полагаем, что с некоторыми упрощениями поведение устройства можно аппроксимировать с помощью классических моделей полупроводников.Из-за наличия поверхностных состояний на границе раздела Si – SiO 2 уровень Ферми Si закреплен, и высота барьера не может быть рассчитана из разницы между работой выхода металла и сродством к электрону Si [как это будет в случае плотного контакта металла с полупроводником (28)]. Схематическая иллюстрация зонной диаграммы контакта Al – Si приведена на вставке на рис. 6 A , включая значения для Si / SiO 2 и Al / Al 2 O 3 высоты барьера (3.1 и 2,8 эВ соответственно) (44, 45). Применение положительного смещения к Al снижает E F металла по сравнению с Si и, таким образом, изгибает полупроводниковые полосы вниз, вызывая уменьшение высоты барьера для зарядов. Если толщина изоляционного слоя меньше 50 ÅA, может произойти прямое туннелирование. В этом случае ток будет соответствовать модели термоэлектронной эмиссии, умноженной на коэффициент вероятности туннелирования. Мы предполагаем, что прямое туннелирование происходит при низких напряжениях в области контакта между частицами Si и мягкой пленкой Al в основном через тонкие оксидные пути, потому что ни один из других механизмов туннелирования не может создавать такие высокие уровни тока, которые мы получаем в устройстве с этим диапазоном напряжения.При более высоких напряжениях ток также может проходить через изолирующие области с немного большим расстоянием Si – Al, как показано на вставке на рис. 4 A , через другие механизмы туннелирования, в основном FN и Frenkel-Poole (FP) ( 46, 47). Более того, помимо поверхностных состояний на границе раздела между полупроводником и диэлектриком, в слоях изолятора и на границе раздела между изоляторами существуют другие состояния ловушек, которые могут влиять на ток. Однако, исходя из того факта, что ток не зависит от температуры при высоких напряжениях, мы полагаем, что туннелирование FN является доминирующим механизмом.Поэтому здесь представлена ​​упрощенная модель, основанная на прямом туннелировании при низких напряжениях плюс туннелирование FN, которое складывается при высоких напряжениях. Хотя другие механизмы, такие как FP-туннелирование, безусловно, могут быть ответственны за часть тока, особенно в промежуточном диапазоне напряжений, мы воздерживаемся от попытки модели, включающей все возможные механизмы тока, потому что количество переменных было бы слишком большим.

    Эволюция тока в зависимости от напряжения для туннелирования FN может быть выражена следующим образом (28, 48): I = C1V2exp (−C2V), [1] где C1 и C2 являются функциями эффективной массы электрона и туннельного барьера.Модель Шоттки, основанная на теории термоэлектронной эмиссии (28, 49), очень хорошо воспроизводит экспериментальные данные для низковольтной области, где ток FN пренебрежимо мал (пунктирная линия на рис. 6 B и C ), но он отклоняется от данных при увеличении напряжения. Комбинация термоэлектронной эмиссии и тока FN (пунктирная линия на рис. 6 B и C ) воспроизводит измеренную нами эволюцию I – V при высоких напряжениях.

    В модели с двумя туннельными механизмами переноса полное отношение тока к напряжению устройства может быть выражено как линейная комбинация туннельного термоэмиссионного тока (49, 50) (первый член) и туннельного тока FN (второй член). : I = α1TtI0exp (q (V − IRs) nkT) [1 − exp (−q (V − IRs) kT)] + α2C1V2exp (−C2V), [2] где α1 и α2 — константы, представляющие относительный вклад каждого механизм туннелирования до полного тока, а I 0 — обратный ток насыщения, который определяется следующим образом: I0 = AA ∗ T2exp (−qΦbkT), [3] где Φ b — высота барьера , A — площадь поверхности, а A * — эффективная постоянная Ричардсона.Эта модель полностью воспроизводит температурную эволюцию характеристик I – V в прямом смещении (графики см. На рис. S3).

    Туннельный ток прямого смещения неидеального диода с помощью термоэмиссии характеризуется последовательным сопротивлением R s и коэффициентом идеальности n ( k — постоянная Больцмана, q — электронная плата). В нашем случае этот ток нужно умножить на коэффициент вероятности туннелирования T t .Для извлечения параметров диода мы начали с определения параметров тока термоэмиссии в области низких напряжений, где туннельный ток ФН незначителен. Процедура извлечения этих параметров подробно описана в SI Text . Значения n , R s и Φ b при комнатной температуре оказались равными 2,9, 0,3 МОм и 0,21 эВ, соответственно. Коэффициент термоэмиссионной части тока T t AA * рассчитывается равным 3.88 × 10 −12 AK −2 . Высота барьера и коэффициент идеальности зависят от температуры. При повышении температуры от 150 до 325 К коэффициент идеальности уменьшается с 4,4 до 2,8, а высота барьера увеличивается с 0,15 до 0,22 эВ. Обычно в контакте Al / n-Si ожидается низкая высота барьера и высокие значения коэффициента идеальности из-за наличия оксидного слоя (51).

    Таким образом, мы продемонстрировали печатный диод с вертикальной структурой, работающий в УВЧ диапазоне.Измерения постоянного тока показывают средний ток 19 мкА при прямом смещении 2 В и коэффициент выпрямления около 100 при 1 В. Срок службы устройства составляет более 2 лет. Согласно измеренной частотной характеристике диодов, их частота среза составляет около 1,6 ГГц, но их выходная мощность все еще достаточно высока, чтобы переключать печатный органический дисплей на частоту GSM 1,8 ГГц. Эти диоды могут использоваться в простой схеме для выпрямления сигнала переменного тока и преобразования его в постоянный ток, а поскольку они могут работать на частотах GSM, можно просто использовать сигнал мобильного телефона в качестве источника входного сигнала переменного тока.Диод вместе с антенной можно использовать для переключения печатного органического дисплея с помощью сигнала обычного мобильного телефона.

    Материалы и методы

    Порошок кремния получают с использованием кремниевой пластины, легированной Sb, с удельным сопротивлением 0,01–0,02 Ом · см. Сначала 4-дюймовую пластину разбивают на мелкие кусочки с помощью молотка. Затем детали измельчаются в шаровой мельнице при 300 об / мин в течение 16 часов в планетарной шаровой мельнице RETSCH PM 100. Наиболее крупные частицы отделяются от порошка, диспергированного в ацетоне, путем осаждения под действием силы тяжести в цилиндрической трубке.После этого этапа добавляют еще ацетона, и дисперсию центрифугируют с MSE Mistral при 130 × г в течение 10 мин. Суспензия, содержащая мельчайшие частицы, отбрасывается, а донный осадок собирается. Средний размер частиц в полученном порошке составляет около 0,7 мкм, но также включает частицы размером до 5 мкм и множество мелких частиц менее 0,5 мкм; более мелкие частицы, вероятно, не влияют на ток в устройстве, но и не вызывают серьезного ухудшения характеристик.

    Для фракционирования порошка силицида ниобия первые 20 г порошка силицида ниобия (99,85% металла) смешивают с 8 г циклогексанона и измельчают в шаровой мельнице в течение 16 часов в планетарной шаровой мельнице RETSCH PM 100. После этого используются гравитационное осаждение и центрифугирование для отделения мельчайших частиц от остальной части порошка, имеющего целевой средний размер, аналогичный микропроцессорам кремния.

    Устройство напечатано поверх алюминиевого электрода на подложке из полиэтилентерефталата и соединено с другим алюминиевым электродом рядом с первым посредством проводящей углеродной пасты.Рисунок алюминиевой подложки изготовлен методом фотолитографии из алюминия толщиной 50 нм, напыленного на фольгу из ПЭТ. Фоторезист SU8 2010 разбавляют изопропанолом до 15% (вес / вес) и наносят трафаретную печать на алюминиевый электрод в качестве связующего, удерживающего частицы кремния. Затем частицы кремния наносятся трафаретной печатью поверх слоя SU8. Частицы прессуются с помощью машины для ламинирования под давлением 3 бар, чтобы обеспечить плотный контакт с алюминиевым слоем. Затем образец подвергается воздействию УФ-света в течение 1 мин и нагревается при 95 ° C в течение 2 мин для затвердевания SU8.Слой частиц NbSi 2 со средним диаметром 0,7 мкм наносится трафаретной печатью на второй слой SU8 поверх первого слоя Si таким же образом. Чтобы завершить устройство, углеродная паста наносится трафаретной печатью поверх слоя NbSi 2 -in-SU8, чтобы обеспечить перемычку к алюминиевой контактной площадке, используемой для зондирования. После отверждения образцов при 105 ° C в течение 5 минут слой пасты Ag наносится трафаретной печатью поверх угля для дальнейшего уменьшения импеданса моста. Конструкция конечного устройства представлена ​​на рис.3 C и D . Площадь напечатанного слоя Si составляет от 2 × 10 4 до 8 × 10 4 мкм 2 .

    Измерения характеристик диодов при постоянном токе выполняются с помощью анализатора полупроводниковых параметров Agilent 4155B. Для высокочастотных измерений одиночный гармонический сигнал генерируется с помощью генератора сигналов Agilent 8665B и подается на устройство с помощью зонда Cascade Microtech Air Coplanar Probe (ACP). Затем выходной сигнал устройства передается на фильтр нижних частот с помощью другого ACP.Уровень постоянного тока выходного сигнала измеряется с помощью осциллографа Tektronix TDS 3034 с нагрузкой 1 МОм, а частота входного сигнала изменяется в диапазоне от 10 МГц до 6 ГГц. Когда рабочая частота достигает диапазонов HF и UHF, система должна быть проанализирована в соответствии с теорией линий передачи. Одной из наиболее важных проблем при таком измерении является отражение сигнала в нескольких точках цепи, где импедансы двух сторон перехода не совпадают. В нашем случае основной причиной отражения сигнала является само устройство, потому что это нелинейное устройство с неизвестным и явно зависящим от частоты импедансом, тогда как остальная часть схемы (кабели и зонды) имеет импеданс 50 Ом.Следовательно, выходной сигнал колеблется с увеличением частоты. Поскольку невозможно полностью устранить отражения сигнала в широком диапазоне частот, мы повторили измерение с несколькими комбинациями аттенюаторов на 1 дБ и нагрузок RC ( R = 50 Ом и C = 100 пФ) в переходы с самыми высокими отражениями, пытаясь уменьшить отраженные сигналы. Одна из измерительных установок, используемых для высокочастотных измерений, показана на рисунке S4. Несмотря на то, что колебания V из vs.частота варьируется в зависимости от измерительной установки, все они показывают схожую тенденцию, которая интерпретируется как фактическая частотная характеристика диода с использованием метода усреднения.

    Для определения температурной зависимости тока образцы зондировали на станции криогенных датчиков и измеряли вольт-амперную характеристику с помощью системы определения характеристик полупроводников Keithley 4200.

    Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS) была проведена на образцах, приготовленных ex situ с использованием монохроматизированного Al Kα (hν = 1,486.6 эВ) рентгеновский источник и полусферический анализатор Scienta-200. Электронная пушка использовалась для нейтрализации образца во время измерений XPS из-за низкой проводимости образца. Положение эталонной энергии в спектрах XPS было пиком C 1s, где самая низкая энергия связи C 1s была установлена ​​на 284,8 эВ (52).

    Для характеристики распределения микрочастиц Si по размерам частицы диспергировали в гексаметилдисилоксане с образованием гидрофобной оболочки, предотвращающей их слипание друг с другом.Затем дисперсию отлили на подложке из алюминия и высушили. Был сделан ряд изображений SEM, и для каждого изображения был проведен анализ размера частиц с использованием онлайн-инструмента SIMAGIS live для анализа изображений. Данные о распределении размеров всех изображений были собраны для генерации окончательной статистики распределения по размерам.

    Благодарности

    Мы благодарим Ларса Петтерсона и Дункана Платта (Acreo) и профессора Роберта Форххаймера [Департамент электротехники (Institutionen för Systemteknik) Университета Линчёпинга] за помощь в высокочастотных измерениях и Анну Мальмстрём (Acreo) за помощь в лаборатории и готовим макет схемы.Мы благодарим VINNOVA (2012-01607), Европейский фонд регионального развития через Tillväxtverket (проект PEA-PPP) и Фонд Кнута и Алисы Валленберг (проект Power Paper, KAW 2011.0050). М.Б. признает Фонд Önnesjö Foundation, X.C. признает Программу расширенного функционального материала в Университете Линчёпинга и X.L. выражает благодарность Шведскому исследовательскому совету Linnaeus Grant LiLi-NFM.

    Сноски

    • Авторский вклад: Н.С., М.Р., П.C., X.W., M.S., P.A.E., P.N., D.N., H.H., L.A., X.C., I.E., M.B. и G.G. спланированное исследование; N.S., M.R., X.W., M.S., P.A.E., M.N., D.N., X.L. и M.F. проведенное исследование; X.W. приготовили порошки Si и NbSi 2 ; M.S., P.N., X.C. и I.E. курированная часть проекта; М.Б. и Г. курировал проект; Н.С., X.L., M.F., X.C. и I.E. проанализированные данные; и N.S., X.C. и I.E. написал газету.

    • Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

    • Эта статья представляет собой прямое представление PNAS.

    • См. Комментарий на стр. 11917.

    • Эта статья содержит вспомогательную информацию на сайте www.pnas.org/lookup/suppl/doi:10.1073/pnas.1401676111/-/DCSupplemental.

    % PDF-1.5 % 1 0 объект > эндобдж 4 0 obj (Абстрактный) эндобдж 5 0 obj > эндобдж 7 0 объект (Саммендраг) эндобдж 8 0 объект > эндобдж 10 0 obj (Благодарности) эндобдж 11 0 объект > эндобдж 14 0 объект (Содержание) эндобдж 15 0 объект > эндобдж 18 0 объект (Вступление) эндобдж 19 0 объект > эндобдж 22 0 объект (Теория) эндобдж 23 0 объект > эндобдж 26 0 объект (Кристаллические материалы) эндобдж 27 0 объект > эндобдж 30 0 объект (Дефекты кристалла) эндобдж 31 0 объект > эндобдж 34 0 объект (Распространение) эндобдж 35 0 объект > эндобдж 38 0 объект (Физика полупроводников) эндобдж 39 0 объект > эндобдж 42 0 объект (Электронные диапазоны энергии) эндобдж 43 0 объект > эндобдж 46 0 объект (Генерация носителя заряда) эндобдж 47 0 объект > эндобдж 50 0 объект (Концентрация носителя заряда) эндобдж 51 0 объект > эндобдж 54 0 объект (Рекомбинация и захват) эндобдж 55 0 объект > эндобдж 58 0 объект (pn-переход) эндобдж 59 0 объект > эндобдж 62 0 объект (Солнечные батареи) эндобдж 63 0 объект > эндобдж 66 0 объект (Принципы работы и спектральный отклик) эндобдж 67 0 объект > эндобдж 70 0 объект (Тандемные солнечные элементы) эндобдж 71 0 объект > эндобдж 74 0 объект (Контакты, пассивированные оксидом туннеля) эндобдж 75 0 объект > эндобдж 78 0 объект (Cu2Zn \ (Sn, Ge \) S4 для Si Tandem \ 040Applications) эндобдж 79 0 объект > эндобдж 82 0 объект (Обоснование) эндобдж 83 0 объект > эндобдж 86 0 объект (Рост пленок Cu2ZnSnS4) эндобдж 87 0 объект > эндобдж 90 0 объект (Расчет ширины запрещенной зоны по соотношению Ge / Sn) эндобдж 91 0 объект > эндобдж 94 0 объект (Монолитный тандемный солнечный элемент ЦЗТС-на-Си) эндобдж 95 0 объект > эндобдж 98 0 объект (Экспериментальные методы — изготовление) эндобдж 99 0 объект > эндобдж 102 0 объект (TOPCon по обработке Si) эндобдж 103 0 объект > эндобдж 106 0 объект (Химическое осаждение из паровой фазы) эндобдж 107 0 объект > эндобдж 110 0 объект (Осаждение атомного слоя) эндобдж 111 0 объект > эндобдж 114 0 объект (Осаждение в химической ванне) эндобдж 115 0 объект > эндобдж 118 0 объект (Физическое осаждение из паровой фазы) эндобдж 119 0 объект > эндобдж 122 0 объект (Термическое и электронно-лучевое испарение) эндобдж 123 0 объект > эндобдж 126 0 объект (Нанесение распылением) эндобдж 127 0 объект > эндобдж 130 0 объект (Экспериментальные методы — характеристика) эндобдж 131 0 объект > эндобдж 134 0 объект (Масс-спектрометрия вторичных ионов) эндобдж 135 0 объект > эндобдж 138 0 объект (Физика распыления и ионизации) эндобдж 139 0 объект > эндобдж 142 0 объект (Анализ) эндобдж 143 0 объект > эндобдж 146 0 объект (Количественная оценка) эндобдж 147 0 объект > эндобдж 150 0 объект (Приборы) эндобдж 151 0 объект > эндобдж 154 0 объект (Дифракция рентгеновского излучения) эндобдж 155 0 объект > эндобдж 158 0 объект (Оптическая эмиссия тлеющего разряда \ 040Spectroscopy) эндобдж 159 0 объект > эндобдж 162 0 объект (bold0mu mumu — Распад фотопроводимости, обнаруживаемый волнами) эндобдж 163 0 объект > эндобдж 166 0 объект (Измерения емкости и напряжения) эндобдж 167 0 объект > эндобдж 170 0 объект (Глубокоуровневая нестационарная спектроскопия) эндобдж 171 0 объект > эндобдж 174 0 объект (Принцип действия) эндобдж 175 0 объект > эндобдж 178 0 объект (Генерация спектра DLTS) эндобдж 179 0 объект > эндобдж 182 0 объект (Извлечение данных и физическая интерпретация) эндобдж 183 0 объект > эндобдж 186 0 объект (Сканирующая электронная микроскопия) эндобдж 187 0 объект > эндобдж 190 0 объект (Результаты и обсуждение) эндобдж 191 0 объект > эндобдж 194 0 объект (SIMS и GDOES как инструменты для изучения градиента Ge в CZTGS) эндобдж 195 0 объект > эндобдж 198 0 объект (Базовые приготовления) эндобдж 199 0 объект > эндобдж 202 0 объект (Результаты SIMS) эндобдж 203 0 объект > эндобдж 206 0 объект (Результаты GDOES) эндобдж 207 0 объект > эндобдж 210 0 объект (Обсуждение) эндобдж 211 0 объект > эндобдж 214 0 объект (Взаимодействие с синтезом CZTS и его влияние на производительность устройства) эндобдж 215 0 объект > эндобдж 218 0 объект (Травление CZTS и / или TiN после осаждения) эндобдж 219 0 объект > эндобдж 222 0 объект (Si с TOPCon — измерения срока службы) эндобдж 223 0 объект > эндобдж 226 0 объект (Si с TOPCon — Результаты SIMS) эндобдж 227 0 объект > эндобдж 230 0 объект (Si без TOPCon — результаты SIMS) эндобдж 231 0 объект > эндобдж 234 0 объект (Si без TOPCon — результаты DLTS) эндобдж 235 0 объект > эндобдж 238 0 объект (Изготовление монолитных тандемных солнечных элементов) эндобдж 239 0 объект > эндобдж 242 0 объект (Детали эксперимента) эндобдж 243 0 объект > эндобдж 246 0 объект (Оптимизация осаждения CZTS на Si) эндобдж 247 0 объект > эндобдж 250 0 объект (Морфология и кристалличность) эндобдж 251 0 объект > эндобдж 254 0 объект (Характеристики устройства) эндобдж 255 0 объект > эндобдж 258 0 объект (Обсуждение) эндобдж 259 0 объект > эндобдж 262 0 объект (Резюме) эндобдж 263 0 объект > эндобдж 266 0 объект (Заключение) эндобдж 267 0 объект > эндобдж 270 0 объект (Предложения по дальнейшей работе и улучшениям) эндобдж 271 0 объект > эндобдж 274 0 объект (Библиография) эндобдж 275 0 объект > эндобдж 278 0 объект (Элементы, обнаруженные с помощью SIMS) эндобдж 279 0 объект > эндобдж 282 0 объект (Синтез CZTS в тандемном производстве) эндобдж 283 0 объект > эндобдж 288 0 объект > транслировать x ڍ Tn0 + x $ pyl «EZAXԒQ; iz (t6 | oͣ ٵ VD * A (R> KukO5FK, Hv = LVqh3) W-Q% 1I2.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *