Таблица диодов: Выпрямительные диоды малой, средней и большой и мощности, справочник — Мир Антенн

Содержание

Выпрямительные диоды малой, средней и большой и мощности, справочник

Приведены электрические характеристики выпрямительных диодов отечественного производства. Рассмотрены выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Справочник по отечественным полупроводниковым диодам.

Используемые в таблицах сокращения:

Uобр.макс. — максимально-допустимое постоянное обратное напряжение диода;
Uобр.и.макс. — максимально-допустимое импульсное обратное напряжение диода;
Iпр.макс. — максимальный средний прямой ток за период;
Iпр.и.макс. — максимальный импульсный прямой ток за период;
Iпрг. — ток перегрузки выпрямительного диода;
fмакс. — максимально-допустимая частота переключения диода;
fраб. — рабочая частота переключения диода;
Uпр при Iпр — постоянное прямое напряжения диода при токе Iпр;
Iобр. — постоянный обратный ток диода;
Тк.макс. — максимально-допустимая температура корпуса диода;
Тп.макс. — максимально-допустимая температура перехода диода.

Диоды малой мощности

Рис. 1. Выпрямительные отечественные диоды малой мощности.

В таблице приведены справочные данные по отечественными выпрямительным диодам малой мощности.

Тип прибора	Предельные значения параметров при Т=25С			Значения параметров при Т=25С				Тк.мах (Тп.) С
Тип прибора	Uобр.макс. (Uобр.и.мак.) B	Iпр.макс. (Iпр.и.мак.) mA	Iпрг. A	fраб. (fмакс.) мГц	Uпр. B	при Iпр. mA	Iобр. mkA	Тк.мах (Тп.) С
1	2	3	4	5	6	7	8	9
Д2Б	10 (30)	16	—	150	1,0	5,0	100	60
Д2В	30 (40)	25	—	150	1,0	9,0	250	60
Д2Г	50 (75)	16	—	150	1,0	2,0	250	60
Д2Д	50 (75)	16	—	150	1,0	4,5	250	60
Д2Е	100 (100)	16	—	150	1,0	4,5	250	60
Д2Ж	150 (150)	8	—	150	1,0	2,0	250	60
Д2И	100 (100)	16	—	150	1,0	2,0	250	60
МД3	15	12 (15)	—	—	1,0	5,0	100	70
Д7А	(50)	300	1,0	—	0,5	300	100	70
Д7Б	(100)	300	1,0	0,0024	0,5	300	100	70
Д7В	(150)	300	1,0	0,0024	0,5	300	100	70
Д7Г	(200)	300	1,0	0,0024	0,5	300	100	70
Д7Д	(300)	300	1,0	0,0024	0,5	300	100	70
Д7Е	(350)	300	1,0	0,0024	0,5	300	100	70
Д7Ж	(400)	300	1,0	0,0024	0,5	300	100	70
Д9Б	(10)	40	—	40	1,0	90	250	70
Д9В	(30)	20	—	40	1,0	10	250	70
Д9Г	(30)	30	—	40	1,0	30	250	70
Д9Д	(30)	30	—	40	1,0	60	250	70
Д9Е	(50)	20	—	40	1,0	30	250	70
Д9Ж	(100)	15	—	40	1,0	10	250	70
Д9И	(30)	30	—	40	1,0	30	120	70
Д9К	(50)	30	—	40	1,0	60	60	70
Д9Л	(100)	15	—	40	1,0	30	250	70
Д10	10 (10)	16	—	150	—	—	100	70
Д10А	10 (10)	16	—	150	—	—	200	70
Д10Б	10 (10)	16	—	150	—	—	200	70
Д11	30 (40)	20	—	150	1,0	100	250	70
Д12	50 (75)	20	—	150	1,0	50	250	70
Д12А	50 (75)	20	—	150	1,0	100	250	70
Д13	75 (100)	20	—	150	1,0	100	250	70
Д14	100 (125)	20	—	150	1,0	50	250	70
Д14А	100 (125)	20	—	150	1,0	100	250	70
Д101	75 (75)	30	—	200	2,0	2,0	10	125
Д101А	75 (75)	30	—	200	1,0	1,0	10	125
Д102	50 (50)	30	—	200	2,0	2,0	10	125
Д102А	50 (50)	30	—	200	1,0	1,0	10	125
Д103	30 (30)	30	—	200	2,0	2,0	30	125
Д103А	30 (30)	30	—	200	1,0	1,0	30	125
Д104	100 (100)	30	—	600	2,0	2,0	5,0	125
Д104А	100 (100)	30	—	600	1,0	1,0	5,0	125
Д105	75 (75)	30	—	600	2,0	2,0	5,0	125
Д105А	75 (75)	30	—	600	1,0	1,0	5,0	125
Д106	30 (30)	30	—	600	2,0	2,0	30	125
Д106А	30 (30)	30	—	600	1,0	1,

Диоды Шотки отечественного производства — справочник, таблица

Справочная таблица по характеристикам диодов Шотки отечественного производства, где применяются.

В настоящее время очень популярны импульсные источники питания, так называемые DC-DC или AC-DCконверторы. В выпрямителе вторичного напряжения в них обычно используются диоды Шотки.

Особенности диодов Шотки

Диод Шотки отличается тем, что в нем переход образован контактом полупроводника и металла. Полупроводник — кремний или арсенид галия, а металлический электрод на эпитаксиальный слой полупроводника наносится методом вакуумного испарения.

Диоды Шотки названы в честь немецкого физика В. Шотки, исследовавшего такие структуры в 30-х годах прошлого века.

Преимущества диодов Шотки перед диодами с р-п переходом:

Лучшее выпрямление высокочастотного напряжения.
Значительно меньшее прямое напряжение падения, вследствие чего, меньшая мощность теряется на диоде.
Конструкция позволяет лучше обеспечить отвод тепла от полупроводникового кристалла.
Допускают значительно большую плотность прямого тока.
Практически идеальная прямая ветвь ВАХ, что позволяет использовать диоды Шотки в качестве быстродействующих логарифмических элементов.

Еще одно важное качество диодов Шотки — у них нет эффекта накопления избыточного заряда, нет необходимости и в его рассасывании.

В результате быстродействие диода Шотки значительно выше быстродействия диода на р-п переходе, отсутствует инверсный ток рассасывания. Соответственно снижаются шумы и увеличивается КПД.

Свойство низкого прямого напряжения падения наиболее выражено у относительно низковольтных диодов Шотки, с допустимым обратным напряжением до 40V, при работе на частоте до 500 кГц.

У диодов с большим допустимым обратным напряжением данный эффект выражен хуже, и у диодов с допустимым обратным напряжением более 100V он практически исчезает.

Отрицательной чертой диода Шотки является относительно большой обратный ток, а так же, высокая чувствительность к превышению допустимого обратного напряжения.

Таблица параметров отечественных диодов Шотки

В таблице приведены основные параметры некоторых отечественных диодов Шотки.

Іпр — прямой ток,
Unp — прямое напряжение падения,
Іобр — обратный ток,
Uo6p — обратное напряжение.

Данные диоды могут быть исполнены в виде сборок по два диода в одном корпусе с общим катодом. В таком случае, после основной маркировки еще буква «С».

Тип	Іпр. (А)	Uo6p (V)	Unp. (V)	Іобр. (mA)
КД238А	7,5	25	0,65	1
КД238Б	7,5	35	0,65	1
КД238В	7,5	45	0,65	1
КД238Г	7,5	50	0,7	1
КД238Д	7,5	60	0,75	1
КД268А	3	25	0,65	1
КД268Б	3	50	0,75	1
КД268В	3	75	0,85	1
КД268Г	3	100	0,85	1
КД268Д	3	150	0,9	1
КД268Е	3	200	0,9	2
КД268Ж	3	250	0,95	2
КД268И	3	300	0,95	2
КД268К	3	350	1	2
КД268Л	3	400	1,1	3
КД269А	5	25	0,65	1
КД269Б	5	50	0,75	1
КД269В	5	75	0,85	1
КД269Г	5	100	0,85	1
КД269Д	5	150	0,9	1
КД269Е	5	200	0,9	2
КД269Ж	5	250	0,95	2
КД269И	5	300	0,95	2
КД269К	5	350	1	3
КД269Л	5	400	1,1	3
КД270А	7,5	25	0,65	1
КД270Б	7,5	50	0,75	1
КД270В	7,5	75	0,85	1
КД270Г	7,5	100	0,85	1
КД270Д	7,5	150	0,9	1
КД270Е	7,5	200	0,9	2
КД270Ж	7,5	250	0,95	2
КД270И	7,5	300	0,95	2
КД270К	7,5	350	1	3
КД270Л	7,5	400	1,1	3
КД271А	10	25	0,65	1
КД271Б	10	50	0,75	1
КД271В	10	75	0,85	1
КД271Г	10	100	0,85	1
КД271Д	10	150	0,9	1
КД271Е	10	200	0,9	2
КД271Ж	10	250	0,95	2
КД271И	10	300	0,95	2
КД271К	10	350	1	3
КД271Л	10	400	1	3
КД272А	15	25	0,65	1
КД272Б	15	50	0,75	1
КД272В	15	75	0,85	1
КД272Г	15	100	0,85	1
КД272Д	15	150	0,9	1
КД272Е	15	200	0,9	2
КД272Ж	15	250	0,95	2
КД272И	15	300	0,95	5
КД272К	15	350	1	5
КД272Л	15	400	1	5
КД 273А	20	25	0,65	1
КД273Б	20	50	0,75	1
КД273В	20	75	0,85	1
КД273Г	20	100	0,85	1
КД273Д	20	150	0,9	1
КД273Е	20	200	0,9	2
КД273Ж	20	250	0,95	2
КД273И	20	300	0,95	5
КД273К	20	350	1	5
КД273Л	20	400	1	5

СПРАВОЧНИК ПО ИМПОРТНЫМ ДИОДАМ

Основные параметры современных импортных диодов собраны в общий справочник, что поможет быстро сориентироваться по удобной таблице данных электронных компонентов. Собрана большая информация по основным характеристикам импортных диодов — кремниевых, германиевых, варикапов и Шоттки.

1N1022 GE-D 380V 0.3A       1N1023 GE-D 380V 0.35A
1N1024 GE-D 380V 0.4A       1N1028 SI-D 50V 0.5A 
1N1029 SI-D 100V 0.5A       1N1030 SI-D 150V 0.5A 
1N1031 SI-D 200V 0.5A       1N1032 SI-D 300V 0.5A 
1N1033 SI-D 400V 0.5A       1N1034 SI-D 50V 1A 
1N1035 SI-D 100V 1A       1N1036 SI-D 150V 1A 
1N1037 SI-D 200V 1A       1N1038 SI-D 300V 1A 
1N1039 SI-D 400V 1A       1N1040 SI-D 50V 1A 
1N1041 SI-D 100V 1A       1N1042 SI-D 150V 1A 
1N1043 SI-D 200V 1A       1N1044 SI-D 300V 1A 
1N1045 SI-D 400V 1A       1N1046 SI-D 50V 1A 
1N1047 SI-D 100V 1A       1N1048 SI-D 150V 1A 
1N1049 SI-D 200V 1A       1N1050 SI-D 300V 1A 
1N1051 SI-D 400V 1A       1N1052 SI-D 50V 1.5A 
1N1053 SI-D 100V 1.5A       1N1054 SI-D 150V 1.5A 
1N1055 SI-D 200V 1.5A       1N1056 SI-D 300V 1.5A 
1N1057 SI-D 400V 1.5A       1N1058 SI-D 50V 5A 
1N1059 SI-D 100V 5A       1N1060 SI-D 150V 5A 
1N1061 SI-D 200V 5A       1N1062 SI-D 300V 5A 
1N1063 SI-D 400V 5A       1N1064 SI-D 50V 5A 
1N1065 SI-D 100V 5A       1N1066 SI-D 150V 5A 
1N1067 SI-D 200V 5A       1N1068 SI-D 300V 5A 
1N1069 SI-D 400V 5A       1N1070 SI-D 50V 5A 
1N1071 SI-D 100V 5A       1N1072 SI-D 150V 5A 
1N1073 SI-D 200V 5A       1N1074 SI-D 300V 5A 
1N1075 SI-D 400V 5A       1N1076 SI-D 50V 15A 
1N1077 SI-D 100V 15A       1N1078 SI-D 150V 15A 
1N1079 SI-D 200V 15A       1N1080 SI-D 300V 15A 
1N1081(A) SI-D 100V 0. 5..0.75A       1N1082(A) SI-D 200V 0.5..0.75A 
1N1083(A) SI-D 300V 0.5..0.75A       1N1084(A) SI-D 400V 0.5..0.75A 
1N1085(A) SI-D 100V 1.5..2A       1N1086(A) SI-D 200V 1.5..2A 
1N1087(A) SI-D 300V 1.5..2A       1N1088(A) SI-D 400V 1.5..2A 
1N1089(A) SI-D 100V 5A       1N1090(A) SI-D 200V 5A 
1N1091(A) SI-D 300V 5A       1N1092(A) SI-D 400V 5A 
1N1093 GE-D 15V 500ns       1N1095 SI-D 500V 0.75A
1N1096 SI-D 600V 0.75A       1N1100 SI-D 100V 0.75A
1N1101 SI-D 200V 0.75A       1N1102 SI-D 300V 0.75A
1N1103 SI-D 400V 0.75A       1N1104 SI-D 500V 0.75A
1N1105 SI-D 600V 0.75A       1N1108 SI-D 800V 0.45A
1N1109 SI-D 1200V 0.43A       1N1110 SI-D 1600V 0.4A
1N1111 SI-D 2000V 0.38A       1N1112 SI-D 2400V 0.35A 
1N1113 SI-D 2800V 0.33A       1N1115 SI-D 100V 1.5A 
1N1116 SI-D 200V 1.5A       1N1117 SI-D 300V 1.5A 
1N1118 SI-D 400V 1.5A       1N1119 SI-D 500V 1.5A 
1N1120 SI-D 600V 1.5A       1N1124(A) SI-D 200V 3..3.3A 
1N1125(A) SI-D 300V 3..3.3A       1N1126(A) SI-D 400V 3..3.3A 
1N1127(A) SI-D 500V 3. .3.3A       1N1128(A) SI-D 600V 3..3.3A 
1N1130 SI-D 1500V 0.3A       1N1131 SI-D 1500V 0.3A
1N1133 SI-D 1.5KV 0.075A       1N1134 SI-D 1.5KV 0.1A
1N1135 SI-D 1.8KV 0.065A       1N1136 SI-D 1.8KV 0.085A 
1N1137 SI-D 2.4KV 0.05A       1N1138 SI-D 2.4KV 0.06A 
1N1139 SI-D 3.6KV 0.065A       1N1140 SI-D 3.6KV 0.065A 
1N1141 SI-D 4.8KV 0.06A       1N1142 SI-D 4.8KV 0.05A 
1N1143 SI-D 6KV 0.05A       1N1143A SI-D 6KV 0.065A
1N1144 SI-D 7.2KV 0.05A       1N1145 SI-D 7.2KV 0.06A 
1N1146 SI-D 8KV 0.045A       1N1147 SI-D 12KV 0.045A 
1N1148 SI-D 14KV 0.05A       1N1149 SI-D 16KV 0.045A 
1N1150(A) SI-D 1.6KV 0.75A       1N1157 SI-D 50V 20A 
1N1158 SI-D 100V 20A       1N1159 SI-D 200V 20A 
1N1160 SI-D 300V 20A       1N1161 SI-D 50V 35A 
1N1162 SI-D 100V 35A       1N1163 SI-D 200V 35A 
1N1164 SI-D 300V 35A       1N1169(A) SI-D 400V 0.79A
1N1170 GE-D 50V       1N1171 SI-D =1N1157 
1N1172 SI-D =1N1158       1N1173 SI-D =1N1159 
1N1174 SI-D =1N1160       1N1175 SI-D =1N1161 
1N1176 SI-D =1N1162       1N1177 SI-D =1N1163 
1N1178 SI-D =1N1164       1N1183 SI-D 50V 35A/480Ap 
1N1184 SI-D 100V 35A/480Ap       1N1185 SI-D 150V 35A/480Ap 
1N1186 SI-D 200V 35A/480Ap       1N1187 SI-D 300V 35A/480Ap 
1N1188 SI-D 400V 35A/480Ap       1N1189 SI-D 500V 35A/480Ap 
1N1190 SI-D 600V 35A/480Ap       1N1183A. .90A SI-D =1N1183..1190 40A 
1N1183R..90R SI-D =1N1183..1190 revers       1N1183T..90T SI-D =1N1183..1190 
1N1191(A) SI-D 50V 20A       1N1192(A) SI-D 100V 20A 
1N1193(A) SI-D 150V 20A       1N1194(A) SI-D 200V 20A 
1N1195(A) SI-D 300V 20A       1N1196(A) SI-D 400V 20A 
1N1197(A) SI-D 500V 20A       1N1198(A) SI-D 600V 20A 
1N1191R..98R SI-D =1N1191..1198       1N1199(A,B,C) SI-D 50V 12A 
1N1200(A,B,C) SI-D 100V 12A       1N1201(A,B,C) SI-D 150V 12A 
1N1202(A,B,C) SI-D 200V 12A       1N1203(A,B,C) SI-D 300V 12A 
1N1204(A,B,C) SI-D 400V 12A       1N1205(A,B,C) SI-D 500V 12A 
1N1206(A,B,C) SI-D 600V 12A       1N1217 SI-D 50V 1.6A 
1N1218 SI-D 100V 1.6A       1N1219 SI-D 150V 1.6A 
1N1220 SI-D 200V 1.6A       1N1221 SI-D 300V 1.6A 
1N1222 SI-D 400V 1.6A       1N1223 SI-D 500V 1.6A 
1N1224 SI-D 600V 1.6A       1N1225 SI-D 700V 1.6A 
1N1226 SI-D 800V 1.6A       1N1227 SI-D 50V 1.6A 
1N1228 SI-D 100V 1.6A       1N1229 SI-D 150V 1.6A 
1N1230 SI-D 200V 1.6A       1N1231 SI-D 300V 1.6A 
1N1232 SI-D 400V 1. 6A       1N1233 SI-D 500V 1.6A 
1N1234 SI-D 600V 1.6A       1N1235 SI-D 700V 1.6A 
1N1236 SI-D 800V 1.6A       1N1237 2xSI-D 1600V 0.75A 
1N1238 2xSI-D 1600V 0.75A       1N1239 2xSI-D 2800V 0.5A 
1N1240..1250 SI-D =1N1251..1261       1N1251 SI-D 50V 0.5A 
1N1252 SI-D 100V 0.5A       1N1253 SI-D 200V 0.5A 
1N1254 SI-D 300V 0.5A       1N1255 SI-D 400V 0.5A 
1N1256 SI-D 500V 0.32A       1N1257 SI-D 600V 0.3A 
1N1258 SI-D 700V 0.28A       1N1259 SI-D 800V 0.27A
1N1260 SI-D 900V 0.25A       1N1261 SI-D 1000V 0.24A 
1N1262 SI-D 4.5KV 0.25A       1N1301 SI-D 50V 37A 
1N1302 SI-D 100V 37A       1N1304 SI-D 200V 37A 
1N1306 SI-D 300V 37A       1N1329 SI-D 1500V 0.1A
1N1341(A,B,C) SI-D 50V 6A       1N1342(A,B,C) SI-D 100V 6A 
1N1343(A,B,C) SI-D 150V 6A       1N1344(A,B,C) SI-D 200V 6A 
1N1345(A,B,C) SI-D 300V 6A       1N1346(A,B,C) SI-D 400V 6A 
1N1347(A,B,C) SI-D 500V 6A       1N1348(A,B,C) SI-D 600V 6A 
1N1396 SI-D 50V 70A       1N1397 SI-D 100V 70A 
1N1398 SI-D 150V 70A       1N1399 SI-D 200V 70A 
1N1400 SI-D 300V 70A       1N1401 SI-D 400V 70A 
1N1402 SI-D 500V 70A       1N1403 SI-D 600V 70A 
1N1406 SI-D 600V 0. 125A       1N1407 SI-D 800V 0.125A 
1N1408 SI-D 1000V 0.125A       1N1409 SI-D 1200V 0.125A 
1N1410 SI-D 1500V 0.125A       1N1411 SI-D 1800V 0.125A 
1N1412 SI-D 2000V 0.125A       1N1413 SI-D 2400V 0.125A 
1N1414 SI-D 400V 10A       1N1415 SI-D 400V 1A 
1N1434 SI-D 50V 30A       1N1435 SI-D 100V 30A 
1N1436 SI-D 200V 30A       1N1437 SI-D 400V 30A 
1N1438 SI-D 600V 30A       1N1439 SI-D 100V 0.75A
1N1440 SI-D 200V 0.75A       1N1441 SI-D 300V 0.75A
1N1442 SI-D 400V 0.75A       1N1443(A,B) SI-D 1000V 0.95..1.6A 
1N1444(A,B) SI-D 1000V 0.95..1.6A       1N1445 SI-D 300V 0.2A 
1N1446 SI-D 100V 1.5A       1N1447 SI-D 200V 1.5A 
1N1448 SI-D 300V 1.5A       1N1449 SI-D 400V 1.5A 
1N1450 SI-D 100V 1.5A       1N1451 SI-D 200V 1.5A 
1N1452 SI-D 300V 1.5A       1N1453 SI-D 400V 1.5A 
1N1454 SI-D 100V 25A       1N1455 SI-D 200V 25A 
1N1456 SI-D 300V 25A       1N1457 SI-D 400V 25A 
1N1458 SI-D 100V 35A       1N1459 SI-D 200V 35A 
1N1460 SI-D 300V 35A       1N1461 SI-D 400V 35A 
1N1462 SI-D 100V 50A       1N1463 SI-D 200V 50A 
1N1464 SI-D 300V 50A       1N1465 SI-D 400V 50A 
1N1466 SI-D 100V 75A       1N1467 SI-D 200V 75A 
1N1468 SI-D 300V 75A       1N1469 SI-D 400V 75A 
1N1486 SI-D 500V 0. 78A       1N1487 SI-D 100V 0.75A
1N1488 SI-D 200V 0.75A       1N1489 SI-D 300V 0.75A
1N1490 SI-D 400V 0.75A       1N1491 SI-D 500V 0.75A
1N1492 SI-D 600V 0.75A       1N1537 SI-D 50V 1.6A 
1N1538 SI-D 100V 1.6A       1N1539 SI-D 150V 1.6A 
1N1540 SI-D 200V 1.6A       1N1541 SI-D 300V 1.6A 
1N1542 SI-D 400V 1.6A       1N1543 SI-D 500V 1.6A 
1N1544 SI-D 600V 1.6A       1N1551 SI-D 100V 1A 
1N1552 SI-D 200V 1A       1N1553 SI-D 300V 1A 
1N1554 SI-D 400V 1A       1N1555 SI-D 500V 1A 
1N1556 SI-D 100V 0.75A       1N1557 SI-D 200V 0.75A
1N1558 SI-D 300V 0.75A       1N1559 SI-D 400V 0.75A
1N1560 SI-D 500V 0.75A       1N1563(A) SI-D 100V 1.5A 
1N1564(A) SI-D 200V 1.5A       1N1565(A) SI-D 300V 1.5A 
1N1566(A) SI-D 400V 1.5A       1N1567(A) SI-D 500V 1.5A 
1N1568(A) SI-D 600V 1.5A       1N1569 SI-D 100V 1A 
1N1570 SI-D 200V 1A       1N1571 SI-D 300V 1A 
1N1572 SI-D 400V 1A       1N1573 SI-D 500V 1A 
1N1574 SI-D 600V 1A       1N1575 SI-D 100V 3.5A 
1N1576 SI-D 200V 3.5A       1N1577 SI-D 300V 3.5A 
1N1578 SI-D 400V 3. 5A       1N1579 SI-D 500V 3.5A 
1N1580 SI-D 600V 3.5A       1N1581 SI-D 50V 10A 
1N1582 SI-D 100V 10A       1N1583 SI-D 200V 10A 
1N1584 SI-D 300V 10A       1N1585 SI-D 400V 10A 
1N1586 SI-D 500V 10A       1N1587 SI-D 600V 10A 
1N1612(A) SI-D 50V 15A       1N1613(A) SI-D 100V 15A 
1N1614(A) SI-D 200V 15A       1N1615(A) SI-D 400V 15A 
1N1616(A) SI-D 600V 15A       1N1617 SI-D 100V 1.5A 
1N1618 SI-D 200V 1.5A       1N1619 SI-D 300V 1.5A 
1N1620 SI-D 400V 1.5A       1N1621 SI-D 100V 10A 
1N1622 SI-D 200V 10A       1N1623 SI-D 300V 10A 
1N1624 SI-D 400V 10A       1N1644 SI-D 50V 0.75A 
1N1645 SI-D 100V 0.75A       1N1646 SI-D 150V 0.75A
1N1647 SI-D 200V 0.75A       1N1648 SI-D 250V 0.75A
1N1649 SI-D 300V 0.75A       1N1650 SI-D 350V 0.75A
1N1651 SI-D 400V 0.75A       1N1652 SI-D 500V 0.75A
1N1653 SI-D 600V 0.75A       1N1680 SI-D 150V 50A 
1N1681 SI-D 250V 50A       1N1682 SI-D 300V 50A 
1N1683 SI-D 350V 50A       1N1684 SI-D 400V 50A 
1N1685 SI-D 450V 50A       1N1686 SI-D 500V 50A 
1N1687 SI-D 600V 50A       1N1688 SI-D 700V 50A 
1N1689 SI-D 800V 50A       1N1690 SI-D 900V 50A 
1N1691 SI-D 1000V 50A       1N1692 SI-D 100V 0. 75A
1N1693 SI-D 200V 0.75A       1N1694 SI-D 300V 0.75A
1N1695 SI-D 400V 0.75A       1N1696 SI-D 500V 0.75A
1N1697 SI-D 600V 0.75A       1N1698 SI-D 6.6KV 0.062A 
1N1699 SI-D 10KV 0.058A       1N1700 SI-D 12KV 0.05A
1N1701 SI-D 50V 0.3A       1N1702 SI-D 100V 0.3A 
1N1703 SI-D 200V 0.3A       1N1704 SI-D 300V 0.3A 
1N1705 SI-D 400V 0.3A       1N1706 SI-D 500V 0.3A 
1N1707 SI-D 50V 0.5A       1N1708 SI-D 100V 0.3A 
1N1709 SI-D 200V 0.3A       1N1710 SI-D 300V 0.3A 
1N1711 SI-D 400V 0.3A       1N1712 SI-D 500V 0.3A 
1N1730 SI-D 1KV 0.2A       1N1730A SI-D 1KV 0.35A 
1N1731 SI-D 1.5KV 0.2A       1N1731A SI-D 1.5KV 0.35A 
1N1732 SI-D 2KV 0.2A       1N1732A SI-D 2KV 0.35A 
1N1733 SI-D 3KV 0.2A       1N1733A SI-D 3KV 0.35A 
1N1734 SI-D 5KV 0.2A       1N1734A SI-D 5KV 0.35A 
1N1745 SI-D 1.5KV 0.38A       1N1746 SI-D 1.5KV 0.44A 
1N1747 SI-D 1.8KV 0.36A       1N1748 SI-D 1.8KV 0.42A 
1N1749 SI-D 2.4KV 0.23A       1N1750 SI-D 2.4KV 0.38A 
1N1751 SI-D 3.6KV 0.37A       1N1752 SI-D 3.6KV 0.36A 
1N1753 SI-D 4. 8KV 0.33A       1N1754 SI-D 4.8KV 0.32A 
1N1755 SI-D 6KV 0.29A       1N1756 SI-D 6KV 0.36A 
1N1757 SI-D 7.2KV 0.29A       1N1758 SI-D 7.2KV 0.33A 
1N1759 SI-D 8KV 0.25A       1N1760 SI-D 12KV 0.25A
1N1761 SI-D 14KV 0.3A       1N1762 SI-D 16KV 0.25A
1N1763 SI-D 400V 0.5..1A       1N1764 SI-D 500V 0.5..1A 
1N1907 SI-D 50V 1.5A       1N1908 SI-D 100V 1.5A 
1N1909 SI-D 200V 1.5A       1N1910 SI-D 300V 1.5A 
1N1911 SI-D 400V 1.5A       1N1912 SI-D 500V 1.5A 
1N1913 SI-D 600V 1.5A       1N1914 SI-D 700V 1.5A 
1N1915 SI-D 800V 1.5A       1N1916 SI-D 900V 1.5A 
1N1917 SI-D 50V 4A       1N1918 SI-D 100V 4A 
1N1919 SI-D 200V 4A       1N1920 SI-D 300V 4A 
1N1921 SI-D 400V 4A       1N1922 SI-D 500V 4A 
1N1923 SI-D 600V 4A       1N1924 SI-D 700V 4A 
1N1925 SI-D 800V 4A       1N1926 SI-D 900V 4A 
1N2013 SI-D 50V 0.2A       1N2014 SI-D 100V 0.2A 
1N2015 SI-D 150V 0.2A       1N2016 SI-D 200V 0.2A 
1N2017 SI-D 250V 0.2A       1N2018 SI-D 300V 0.2A 
1N2019 SI-D 350V 0.2A       1N2020 SI-D 400V 0.2A 
1N2021 SI-D 150V 10A       1N2022 SI-D 250V 10A 
1N2023 SI-D 300V 10A       1N2024 SI-D 350V 10A 
1N2025 SI-D 400V 10A       1N2026 SI-D 50V 1A 
1N2027 SI-D 200V 1A       1N2028 SI-D 300V 1A 
1N2029 SI-D 400V 1A       1N2030 SI-D 500V 1A 
1N2031 SI-D 600V 1A       1N2069(A) SI-D 200V 0. 75A
1N2070(A) SI-D 400V 0.75A       1N2071(A) SI-D 600V 0.75A
1N2072 SI-D 50V 0.75A       1N2073 SI-D 100V 0.75A
1N2074 SI-D 150V 0.75A       1N2075 SI-D 200V 0.75A
1N2076 SI-D 250V 0.75A       1N2077 SI-D 300V 0.75A
1N2078 SI-D 400V 0.75A       1N2079 SI-D 500V 0.75A
1N2080 SI-D 50V 0.5A       1N2081 SI-D 100V 0.5A 
1N2082 SI-D 200V 0.5A       1N2083 SI-D 300V 0.5A 
1N2084 SI-D 400V 0.5A       1N2085 SI-D 500V 0.5A 
1N2086 SI-D 600V 0.5A       1N2088 SI-D 500V 0.75A
1N2089 SI-D 600V 0.75A       1N2090 SI-D 50V 0.75A 
1N2091 SI-D 100V 0.75A       1N2092 SI-D 200V 0.75A
1N2093 SI-D 300V 0.75A       1N2094 SI-D 400V 0.75A
1N2095 SI-D 500V 0.75A       1N2096 SI-D 600V 0.75A
1N2103 SI-D 50V 0.75A       1N2104 SI-D 100V 0.75A
1N2105 SI-D 200V 0.75A       1N2106 SI-D 300V 0.75A
1N2107 SI-D 400V 0.75A       1N2108 SI-D 500V 0.75A
1N2109 SI-D 50V 2A       1N2110 SI-D 100V 2A 
1N2111 SI-D 200V 2A       1N2112 SI-D 300V 2A 
1N2113 SI-D 400V 2A       1N2114 SI-D 500V 2A 
1N2115 SI-D 365V 0.3A       1N2116 SI-D 400V 0. 75A
1N2117 SI-D 720V 0.75A       1N2128 SI-D 50V 60A 
1N2129 SI-D 100V 60A       1N2130 SI-D 150V 60A 
1N2131 SI-D 200V 60A       1N2132 SI-D 250V 60A 
1N2133 SI-D 300V 60A       1N2134 SI-D 350V 60A 
1N2135 SI-D 400V 60A       1N2136 SI-D 450V 60A 
1N2137 SI-D 500V 60A       1N2138 SI-D 600V 60A 
1N2139 SI-D 20KV 0.045A       1N2146 SI-D 120V <50ns
1N2147(A) SI-D 50V 6A       1N2148(A) SI-D 100V 6A 
1N2149(A) SI-D 200V 6A       1N2150(A) SI-D 300V 6A 
1N2151(A) SI-D 400V 6A       1N2152(A) SI-D 500V 6A 
1N2153(A) SI-D 600V 6A       1N2154 SI-D 50V 25A 
1N2155 SI-D 100V 25A       1N2156 SI-D 200V 25A 
1N2157 SI-D 300V 25A       1N2158 SI-D 400V 25A 
1N2159 SI-D 500V 25A       1N2160 SI-D 600V 25A 
1N2172 SI-D 50V 50A       1N2173 SI-D 100V 50A 
1N2174 SI-D 200V 50A       1N2176 SI-D 50V 3A 
1N2177 SI-D 100V 3A       1N2178 SI-D 200V 3A 
1N2179 SI-D 300V 3A       1N2180 SI-D 400V 3A 
1N2181 SI-D 500V 3A       1N2182 SI-D 600V 3A 
1N2183 SI-D 100V 3A       1N2184 SI-D 50V 3A 
1N2185 SI-D 100V 3A       1N2186 SI-D 150V 3A 
1N2187 SI-D 200V 3A       1N2188 SI-D 300V 3A 
1N2189 SI-D 400V 3A       1N2190 SI-D 500V 3A 
1N2191 SI-D 600V 3A       1N2192 SI-D 800V 3A 
1N2193 SI-D 1000V 3A       1N2194 SI-D 50V 6A 
1N2195 SI-D 100V 6A       1N2196 SI-D 150V 6A 
1N2197 SI-D 200V 6A       1N2198 SI-D 300V 6A 
1N2199 SI-D 400V 6A       1N2200 SI-D 500V 6A 
1N2201 SI-D 600V 6A       1N2202 SI-D 800V 6A 
1N2203 SI-D 1000V 6A       1N2204 SI-D 50V 12A 
1N2205 SI-D 100V 12A       1N2206 SI-D 150V 12A 
1N2207 SI-D 200V 12A       1N2208 SI-D 300V 12A 
1N2209 SI-D 400V 12A       1N2210 SI-D 500V 12A 
1N2211 SI-D 600V 12A       1N2212 SI-D 800V 12A 
1N2213 SI-D 1000V 12A       1N2216(A) SI-D 50V 1. 5A 
1N2217(A) SI-D 50V 1.5A ISO       1N2218(A) SI-D 500V 1.5A 
1N2219(A) SI-D 500V 1.5A ISO       1N2220(A) SI-D 600V 1.5A 
1N2221(A) SI-D 600V 1.5A ISO       1N2222(A) SI-D 800V 1A 
1N2223(A) SI-D 800V 1A ISO       1N2224(A) SI-D 1000V 1A 
1N2225(A) SI-D 1000V 1A ISO       1N2226(A) SI-D 1200V 1A 
1N2227(A) SI-D 1200V 1A ISO       1N2228(A) SI-D 50V 5A 
1N2229(A) SI-D 50V 5A ISO       1N2230(A) SI-D 200V 5A 
1N2231(A) SI-D 200V 5A ISO       1N2232(A) SI-D 300V 5A 
1N2233(A) SI-D 300V 5A ISO       1N2234(A) SI-D 400V 5A 
1N2235(A) SI-D 400V 5A ISO       1N2236(A) SI-D 500V 5A 
1N2237(A) SI-D 500V 5A ISO       1N2238(A) SI-D 600V 5A 
1N2239(A) SI-D 600V 5A ISO       1N2240(A) SI-D 800V 5A 
1N2241(A) SI-D 800V 5A ISO       1N2242(A) SI-D 1000V 5A 
1N2243(A) SI-D 1000V 5A ISO       1N2244(A) SI-D 1200V 5A 
1N2245(A) SI-D 1200V 5A ISO       1N2246(A) SI-D 50V 10A 
1N2247(A) SI-D 50V 10A ISO       1N2248(A) SI-D 100V 10A 
1N2249(A) SI-D 100V 10A ISO       1N2250(A) SI-D 200V 10A 
1N2251(A) SI-D 200V 10A ISO       1N2252(A) SI-D 300V 10A 
1N2253(A) SI-D 300V 10A ISO       1N2254(A) SI-D 400V 10A 
1N2255(A) SI-D 400V 10A ISO       1N2256(A) SI-D 500V 10A 
1N2257(A) SI-D 500V 10A ISO       1N2258(A) SI-D 600V 10A 
1N2259(A) SI-D 600V 10A ISO       1N2260(A) SI-D 800V 10A 
1N2261(A) SI-D 800V 10A ISO       1N2262(A) SI-D 1000V 10A 
1N2263(A) SI-D 1000V 10A ISO       1N2264(A) SI-D 1200V 10A 
1N2265(A) SI-D 1200V 10A ISO       1N2266 SI-D 50V 1A 
1N2267 SI-D 50V 1A ISO       1N2268 SI-D 500V 1A 
1N2269 SI-D 500V 1A ISO       1N2270 SI-D 600V 1A 
1N2271 SI-D 600V 1A ISO       1N2272 SI-D 50V 6A 
1N2273 SI-D 100V 6A       1N2274 SI-D 200V 6A 
1N2275 SI-D 300V 6A       1N2276 SI-D 400V 6A 
1N2277 SI-D 500V 6A       1N2278 SI-D 600V 6A 
1N2279 SI-D 800V 6A       1N2280 SI-D 1000V 6A 
1N2281 SI-D 1200V 6A       1N2282 SI-D 300V 20A 
1N2283 SI-D 400V 20A       1N2284 SI-D 500V 20A 
1N2285 SI-D 600V 20A       1N2286 SI-D 800V 20A 
1N2287 SI-D 1000V 20A       1N2288 SI-D 1200V 20A 
1N2289. .2293 SI-D =1N2289A..2293A       1N2289A SI-D 100V 1.5A 
1N2290A SI-D 100V 5A       1N2291A SI-D 200V 1.5A 
1N2292A SI-D 300V 1.5A       1N2293A SI-D 400V 1.5A 
1N2294 SI-D 50V 22A       1N2295 SI-D 100V 22A 
1N2296 SI-D 150V 22A       1N2297 SI-D 200V 22A 
1N2298 SI-D 250V 22A       1N2299 SI-D 300V 22A 
1N2300 SI-D 350V 22A       1N2301 SI-D 400V 22A 
1N2302 SI-D 50V 22A       1N2303 SI-D 100V 22A 
1N2304 SI-D 150V 22A       1N2305 SI-D 200V 22A 
1N2306 SI-D 250V 22A       1N2307 SI-D 300V 22A 
1N2308 SI-D 350V 22A       1N2309 SI-D 400V 22A 
1N2310 SI-D 50V 35A       1N2311 SI-D 100V 35A 
1N2312 SI-D 150V 35A       1N2313 SI-D 200V 35A 
1N2314 SI-D 250V 35A       1N2315 SI-D 300V 35A 
1N2316 SI-D 350V 35A       1N2317 SI-D 400V 35A 
1N2318 SI-D 50V 35A       1N2319 SI-D 100V 35A 
1N2320 SI-D 150V 35A       1N2321 SI-D 200V 35A 
1N2322 SI-D 250V 35A       1N2323 SI-D 300V 35A 
1N2324 SI-D 350V 35A       1N2325 SI-D 400V 35A 
1N2327 SI-D 1100V 0.4A       1N2328 SI-D 2200V 0.4A
1N2348 SI-D 50V 3A       1N2349 SI-D 100V 3A 
1N2350 SI-D 150V 3A       1N2357 SI-D 1400V 0. 4A
1N2358 SI-D 1500V 0.4A       1N2359 SI-D 1600V 0.4A
1N2360 SI-D 1800V 0.4A       1N2361 SI-D 2000V 0.4A
1N2362 SI-D 1400V 1A       1N2363 SI-D 1400V 1A ISO 
1N2364 SI-D 1500V 1A       1N2365 SI-D 1500V 1A ISO 
1N2366 SI-D 1600V 1A       1N2367 SI-D 1600V 1A ISO 
1N2368 SI-D 1800V 1A       1N2369 SI-D 1800V 1A ISO 
1N2370 SI-D 2000V 1A       1N2371 SI-D 2000V 1A ISO 
1N2362A..71A SI-D =1N2362..71 5A       1N2362B..71B SI-D =1N2362..71 10A 
1N2372 SI-D 1000V 0.2A       1N2373 SI-D 600V 0.25A
1N2374 SI-D 1000V 0.25A       1N2375 SI-D 1500V 0.2A
1N2376 SI-D 2000V 0.2A       1N2377 SI-D 2400V 0.15A 
1N2378 SI-D 3000V 0.15A       1N2379 SI-D 4000V 0.15A 
1N2380 SI-D 6000V 0.1A       1N2381 SI-D 10000V 0.075A 
1N2382 SI-D 4KV 0.15A       1N2382A SI-D 4KV 0.35A 
1N2383 SI-D 6KV 0.1A       1N2383A SI-D 6KV 0.35A 
1N2384 SI-D 8KV 0.07A       1N2384A SI-D 8KV 0.275A
1N2385 SI-D 10KV 0.07A       1N2385A SI-D 10KV 0.2A 
1N2389 2xSI-D 1600V 0.6A       1N2390(A) SI-D 50V 1.5A 
1N2391(A) SI-D 100V 1. 5A       1N2392(A) SI-D 200V 1.5A 
1N2393(A) SI-D 300V 1.5A       1N2394(A) SI-D 400V 1.5A 
1N2395(A) SI-D 500V 1.5A       1N2396(A) SI-D 600V 1.5A 
1N2397(A) SI-D 700V 1.5A       1N2398(A) SI-D 800V 1.5A 
1N2399(A) SI-D 50V 1.5A       1N2400(A) SI-D 100V 1.5A 
1N2401(A) SI-D 200V 1.5A       1N2402(A) SI-D 300V 1.5A 
1N2403(A) SI-D 400V 1.5A       1N2404(A) SI-D 500V 1.5A 
1N2405(A) SI-D 600V 1.5A       1N2406(A) SI-D 700V 1.5A 
1N2407(A) SI-D 800V 1.5A       1N2408(A) SI-D 50V 1.5A 
1N2409(A) SI-D 100V 1.5A       1N2410(A) SI-D 200V 1.5A 
1N2411(A) SI-D 300V 1.5A       1N2412(A) SI-D 400V 1.5A 
1N2413(A) SI-D 500V 1.5A       1N2414(A) SI-D 600V 1.5A 
1N2415(A) SI-D 700V 1.5A       1N2416(A) SI-D 800V 1.5A 
1N2417(A) SI-D 50V 1.5A       1N2418(A) SI-D 100V 1.5A 
1N2419(A) SI-D 200V 1.5A       1N2420(A) SI-D 300V 1.5A 
1N2421(A) SI-D 400V 1.5A       1N2422(A) SI-D 500V 1.5A 
1N2423(A) SI-D 600V 1.5A       1N2424(A) SI-D 700V 1.5A 
1N2425(A) SI-D 800V 1.5A       1N2446 SI-D 50V 45A 
1N2447 SI-D 100V 45A       1N2448 SI-D 150V 45A 
1N2449 SI-D 200V 45A       1N2450 SI-D 250V 45A 
1N2451 SI-D 300V 45A       1N2452 SI-D 350V 45A 
1N2453 SI-D 400V 45A       1N2454 SI-D 500V 45A 
1N2455 SI-D 600V 45A       1N2456 SI-D 700V 45A 
1N2457 SI-D 800V 45A       1N2458 SI-D 50V 60A 
1N2459 SI-D 100V 60A       1N2460 SI-D 150V 60A 
1N2461 SI-D 200V 60A       1N2462 SI-D 250V 60A 
1N2463 SI-D 300V 60A       1N2464 SI-D 350V 60A 
1N2465 SI-D 400V 60A       1N2466 SI-D 500V 60A 
1N2467 SI-D 600V 60A       1N2468 SI-D 700V 60A 
1N2469 SI-D 800V 60A       1N2482 SI-D 200V 0. 75A
1N2483 SI-D 400V 0.75A       1N2484 SI-D 600V 0.75A
1N2485 SI-D 200V 0.75A       1N2486 SI-D 300V 0.75A
1N2487 SI-D 400V 0.75A       1N2488 SI-D 500V 0.75A
1N2489 SI-D 600V 0.75A       1N2490 2xSI-D 1600V 0.5A 
1N2491 SI-D 50V 6A       1N2492 SI-D 100V 6A 
1N2493 SI-D 200V 6A       1N2494 SI-D 300V 6A 
1N2495 SI-D 400V 6A       1N2496 SI-D 500V 6A 
1N2497 SI-D 600V 6A       1N2501 SI-D 800V 0.15A
1N2502 SI-D 1000V 0.15A       1N2503 SI-D 1200V 0.15A 
1N2504 SI-D 1500V 0.15A       1N2505 SI-D 800V 0.3A 
1N2506 SI-D 1000V 0.3A       1N2507 SI-D 1200V 0.3A
1N2508 SI-D 1500V 0.3A       1N2512 SI-D 100V 4A 
1N2513 SI-D 200V 4A       1N2514 SI-D 300V 4A 
1N2515 SI-D 400V 4A       1N2516 SI-D 500V 4A 
1N2517 SI-D 600V 4A       1N2518 SI-D 100V 4A ISO 
1N2519 SI-D 200V 4A ISO       1N2520 SI-D 300V 4A ISO 
1N2521 SI-D 400V 4A ISO       1N2522 SI-D 500V 4A ISO 
1N2523 SI-D 600V 4A ISO       1N2524 SI-D 50V 2.5A 
1N2525 SI-D 100V 2.5A       1N2526 SI-D 200V 2.5A 
1N2527 SI-D 300V 2.5A       1N2528 SI-D 400V 2. 5A 
1N2529 SI-D 500V 2.5A       1N2530 SI-D 600V 2.5A 
1N2531 SI-D 700V 2.5A       1N2532 SI-D 800V 2.5A 
1N2533 SI-D 900V 2.5A       1N2534 SI-D 1000V 2.5A
1N2535 SI-D 50V 2.5A       1N2536 SI-D 100V 2.5A 
1N2537 SI-D 200V 2.5A       1N2538 SI-D 300V 2.5A 
1N2539 SI-D 400V 2.5A       1N2540 SI-D 500V 2.5A 
1N2541 SI-D 600V 2.5A       1N2542 SI-D 700V 2.5A 
1N2543 SI-D 800V 2.5A       1N2544 SI-D 900V 2.5A 
1N2545 SI-D 1000V 2.5A       1N2546 SI-D 50V 2.5A 
1N2547 SI-D 100V 2.5A       1N2548 SI-D 200V 2.5A 
1N2549 SI-D 300V 2.5A       1N2550 SI-D 400V 2.5A 
1N2551 SI-D 500V 2.5A       1N2552 SI-D 600V 2.5A 
1N2553 SI-D 700V 2.5A       1N2554 SI-D 800V 2.5A 
1N2555 SI-D 900V 2.5A       1N2556 SI-D 1000V 2.5A
1N2557 SI-D 700V 6A       1N2558 SI-D 800V 6A 
1N2559 SI-D 900V 6A       1N2560 SI-D 1000V 6A 
1N2561 SI-D 700V 6A       1N2562 SI-D 800V 6A 
1N2563 SI-D 900V 6A       1N2564 SI-D 1000V 6A 
1N2565 SI-D 50V 6A       1N2566 SI-D 100V 6A 
1N2567 SI-D 200V 6A       1N2568 SI-D 300V 6A 
1N2569 SI-D 400V 6A       1N2570 SI-D 500V 6A 
1N2571 SI-D 600V 6A       1N2572 SI-D 700V 6A 
1N2573 SI-D 800V 6A       1N2574 SI-D 900V 6A 
1N2575 SI-D 1000V 6A       1N2576 SI-D 50V 12A 
1N2577 SI-D 100V 12A       1N2578 SI-D 200V 12A 
1N2579 SI-D 300V 12A       1N2580 SI-D 400V 12A 
1N2581 SI-D 500V 12A       1N2582 SI-D 600V 12A 
1N2583 SI-D 700V 12A       1N2584 SI-D 800V 12A 
1N2585 SI-D 900V 12A       1N2586 SI-D 1000V 12A 
1N2587 SI-D 50V 12A       1N2588 SI-D 100V 12A 
1N2589 SI-D 200V 12A       1N2590 SI-D 300V 12A 
1N2591 SI-D 400V 12A       1N2592 SI-D 500V 12A 
1N2593 SI-D 600V 12A       1N2594 SI-D 700V 12A 
1N2595 SI-D 800V 12A       1N2596 SI-D 900V 12A 
1N2597 SI-D 1000V 12A       1N2598 SI-D 50V 12A 
1N2599 SI-D 100V 12A       1N2600 SI-D 200V 12A 
1N2601 SI-D 300V 12A       1N2602 SI-D 400V 12A 
1N2603 SI-D 500V 12A       1N2604 SI-D 600V 12A 
1N2605 SI-D 700V 12A       1N2606 SI-D 800V 12A 
1N2607 SI-D 900V 12A       1N2608 SI-D 1000V 12A 
1N2609 SI-D 50V 0. 75A       1N2610 SI-D 100V 0.75A
1N2611 SI-D 200V 0.75A       1N2612 SI-D 300V 0.75A
1N2613 SI-D 400V 0.75A       1N2614 SI-D 500V 0.75A
1N2615 SI-D 600V 0.75A       1N2616 SI-D 800V 0.75A
1N2617 SI-D 1000V 0.75A       1N2618 SI-D 1200V 0.75A 
1N2619 SI-D 1500V 0.75A       1N2627 GE-D UHF-tunung 5V 
1N2628 GE-D UHF-tunung 5V       1N2629 GE-D UHF 5V 
1N2630 2xSI-D 1500V 0.085A       1N2631 2xSI-D 1600V 0.6A 
1N2632 2xSI-D 2800V 0.2A       1N2633 2xSI-D 1600V 0.6A 
1N2634 2xSI-D 1600V 0.6A       1N2635 2xSI-D 1500V 0.085A 
1N2636 2xSI-D 1500V 0.085A       1N2637 2xSI-D 10KV 0.25A 
1N2638 SI-D 100V 1.5A       1N2641 SI-D 200V 1.5A 
1N2644 SI-D 300V 1.5A       1N2647 SI-D 400V 1.5A 
1N2650 SI-D 600V 1.5A       1N2653 SI-D 800V 1.5A 
1N2656 SI-D 1200V 1.5A       1N2659 SI-D 1600V 1.5A
1N2662 SI-D 2000V 1.5A       1N2664 SI-D 2400V 1.5A
1N2666 SI-D 3200V 1.5A       1N2667 SI-D 4000V 1.5A
1N2668 SI-D 4800V 1.5A       1N2669 SI-D 100V 3.6A 
1N2673 SI-D 200V 3.6A       1N2677 SI-D 300V 3.6A 
1N2681 SI-D 400V 3. 6A       1N2685 SI-D 600V 3.6A 
1N2687 SI-D 800V 3.6A       1N2689 SI-D 900V 3.6A 
1N2690 SI-D 1200V 3.6A       1N2691 SI-D 1600V 3.6A
1N2692 SI-D 100V 7.2A       1N2694 SI-D 200V 7.2A 
1N2696 SI-D 300V 7.2A       1N2698 SI-D 400V 7.2A 
1N2700 SI-D 600V 7.2A       1N2701 SI-D 800V 7.2A 
1N2702 SI-D 100V 3A       1N2705 SI-D 200V 3A 
1N2708 SI-D 300V 3A       1N2711 SI-D 400V 3A 
1N2714 SI-D 600V 3A       1N2717 SI-D 800V 3A 
1N2720 SI-D 1200V 3A       1N2722 SI-D 1600V 3A 
1N2723 SI-D 2000V 3A       1N2724 SI-D 2400V 3A 
1N2725 SI-D 100V 3A       1N2728 SI-D 200V 3A 
1N2731 SI-D 300V 3A       1N2734 SI-D 400V 3A 
1N2737 SI-D 600V 3A       1N2738 SI-D 800V 3A 
1N2739 SI-D 1200V 3A       1N2740 SI-D 100V 3.6A 
1N2742 SI-D 200V 3.6A       1N2744 SI-D 300V 3.6A 
1N2746 SI-D 400V 3.6A       1N2748 SI-D 600V 3.6A 
1N2749 SI-D 800V 3.6A       1N2750 SI-D 100V 3A 
1N2753 SI-D 200V 3A       1N2756 SI-D 300V 3A 
1N2759 SI-D 400V 3A       1N2762 SI-D 600V 3A 
1N2763 SI-D 800V 3A       1N2764 SI-D 1200V 3A 
1N2772 SI-D 700V 0. 75A       1N2773 SI-D 800V 0.75A
1N2774 SI-D 900V 0.75A       1N2775 SI-D 1000V 0.75A 
1N2776 SI-D 1100V 0.75A       1N2777 SI-D 1200V 0.75A 
1N2778 SI-D 1300V 0.75A       1N2779 SI-D 1400V 0.75A 
1N2780 SI-D 1500V 0.75A       1N2781 SI-D 1600V 0.75A 
1N2784 SI-D 200V 22A       1N2785 SI-D 400V 22A 
1N2786 SI-D 200V 10A       1N2787 SI-D 400V 10A 
1N2788 SI-D 200V 50A       1N2789 SI-D 400V 50A 
1N2792(A,B) GE-D UHF-M 70GHz       1N2793 SI-D 50V 8.5A 
1N2794 SI-D 100V 8.5A       1N2795 SI-D 150V 8.5A 
1N2796 SI-D 200V 8.5A       1N2797 SI-D 250V 8.5A 
1N2798 SI-D 300V 8.5A       1N2799 SI-D 350V 8.5A 
1N2800 SI-D 400V 8.5A       1N2801 GE-D 20V <500ns
1N2847(A) SI-D 100V 1.5A       1N2848(A) SI-D 200V 1.5A 
1N2849(A) SI-D 300V 1.5A       1N2850(A) SI-D 400V 1.5A 
1N2851(A) SI-D 500V 1.5A       1N2852(A) SI-D 600V 1.5A 
1N2858(A) SI-D 50V 0.75..1A       1N2859(A) SI-D 100V 0.75..1A 
1N2860(A) SI-D 200V 0.75..1A       1N2861(A) SI-D 300V 0.75..1A 
1N2862(A) SI-D 400V 0.75..1A       1N2863(A) SI-D 500V 0. 75..1A 
1N2864(A) SI-D 600V 0.75..1A       1N2865 SI-D 1000V 0.7A
1N2866 SI-D 1500V 0.7A       1N2867 SI-D 1000V 0.7A
1N2868 SI-D 1500V 0.7A       1N2878 SI-D 700V 0.25A
1N2879 SI-D 1000V 0.25A       1N2880 SI-D 1000V 0.25A 
1N2881 SI-D 1000V 0.25A       1N2882 SI-D 1000V 0.25A 
1N2883 SI-D 1000V 0.25A       1N2884 SI-D 1400V 0.25A 
1N2885 SI-D 1400V 0.25A       1N2886 SI-D 1500V 0.25A 
1N2887 SI-D 1500V 0.25A       1N2888 SI-D 1700V 0.25A 
1N2889 SI-D 1700V 0.25A       1N2890 SI-D 2000V 0.25A 
1N2891 SI-D 2000V 0.25A       1N2892 SI-D 2100V 0.25A 
1N2893 SI-D 2100V 0.25A       1N2894 SI-D 2400V 0.25A 
1N2895 SI-D 2400V 0.25A       1N2896 SI-D 2500V 0.25A 
1N2897 SI-D 2500V 0.25A       1N2898 SI-D 2800V 0.25A 
1N2899 SI-D 2800V 0.25A       1N2900 SI-D 3000V 0.25A 
1N2901 SI-D 3000V 0.25A       1N2902 SI-D 3100V 0.25A 
1N2903 SI-D 3100V 0.25A       1N2904 SI-D 3500V 0.25A 
1N2905 SI-D 3500V 0.25A       1N2906 SI-D 3500V 0.25A 
1N2907 SI-D 3500V 0.25A       1N2908 SI-D 3800V 0.25A 
1N2909 SI-D 3800V 0. 25A       1N2910 SI-D 4000V 0.25A 
1N2911 SI-D 4000V 0.25A       1N2912 SI-D 4200V 0.25A 
1N2913 SI-D 4200V 0.25A       1N2914 SI-D 4500V 0.25A 
1N2915 SI-D 4500V 0.25A       1N2916 SI-D 4500V 0.25A 
1N2917 SI-D 4500V 0.25A       1N2918 SI-D 5000V 0.25A 
1N2919 SI-D 5000V 0.25A       1N2920 SI-D 5500V 0.25A 
1N2921 SI-D 5500V 0.25A       1N2922 SI-D 6000V 0.25A 
1N2923 SI-D 6000V 0.25A       1N2924 SI-D 6500V 0.25A 
1N2925 SI-D 6500V 0.25A       1N2927(A) SI-D Tunnel diode 
1N2928(A) SI-D Tunnel diode       1N2929(A) SI-D Tunnel diode 
1N2930(A) SI-D Tunnel diode       1N2931(A) SI-D Tunnel diode 
1N2932(A) SI-D Tunnel diode       1N2933(A) SI-D Tunnel diode 
1N2934(A) SI-D Tunnel diode       1N2939(A) GE-D Tunnel diode 
1N2940(A) GE-D Tunnel diode       1N2941(A) GE-D Tunnel diode 
1N2969(A) GE-D Tunnel diode       1N3052 SI-D 12KV 0.1A 
1N3053 SI-D 14KV 0.1A       1N3054 SI-D 16KV 0.1A 
1N3055 SI-D 18KV 0.1A       1N3056 SI-D 20KV 0.1A 
1N3057 SI-D 22KV 0.1A       1N3058 SI-D 24KV 0.1A 
1N3059 SI-D 26KV 0. 1A       1N3060 SI-D 28KV 0.1A 
1N3061 SI-D 30KV 0.1A       1N3062 SI-D 50V 0.075A <4ns 
1N3063 SI-D 50V 0.075A <4ns       1N3064 SI-D 50V 0.075A <4ns 
1N3065 SI-D 50V 0.115A <4ns       1N3066 SI-D 50V 0.115A <2ns 
1N3067 SI-D 30V 0.115A <4ns       1N3068 SI-D 30V 0.075A <50ns 
1N3069 SI-D 65V 0.225A <50ns       1N3070 SI-D 200V 0.15A <50ns 
1N3071 SI-D 200V 0.225A <50ns       1N3072 SI-D 50V 0.2A 
1N3073 SI-D 100V 0.2A       1N3074 SI-D 150V 0.2A 
1N3075 SI-D 200V 0.2A       1N3076 SI-D 250V 0.2A 
1N3077 SI-D 300V 0.2A       1N3078 SI-D 350V 0.2A 
1N3079 SI-D 400V 0.2A       1N3080 SI-D 500V 0.2A 
1N3081 SI-D 600V 0.2A       1N3082 SI-D 200V 0.5A 
1N3083 SI-D 400V 0.5A       1N3084 SI-D 600V 0.5A 
1N3097 GE-D 30V 0.05A <500ns       1N3106 SI-D 800V 0.75A
1N3107 SI-D 1200V 0.5A       1N3108 SI-D 800V 1.5A 
1N3109 SI-D 1200V 0.7A       1N3110 GE-D 12V 0.05A 
1N3113 GaAs-D tunnel diode       1N3114 GaAs-D tunnel diode 
1N3115 GaAs-D tunnel diode       1N3116 GaAs-D tunnel diode 
1N3117 GaAs-D tunnel diode       1N3118 GaAs-D tunnel diode 
1N3119 GaAs-D tunnel diode       1N3120 GaAs-D tunnel diode 
1N3121 GE-D 50V 0. 11A <500ns       1N3122 GE-D 20V 0.18A <3500ns 
1N3123 SI-D 40V 0.05A <4ns       1N3124 SI-D 40V 0.05A <4ns 
1N3125 GE-D 55V 300ns       1N3128 GE-D tunnel diode 
1N3129 GE-D tunnel diode       1N3130 GE-D tunnel diode 
1N3138 GaAs-D tunnel diode       1N3139 SI-D 50V 70A 
1N3140 SI-D 100V 70A       1N3141 SI-D 150V 70A 
1N3142 SI-D 200V 70A       1N3144 GE-D 20V 500ns 
1N3145 GE-D 65V       1N3146 GE-D 25V <2ns 
1N3149(A) GE-D tunnel diode       1N3150 GE-D tunnel diode 
1N3151 SI-D 7.2KV 0.1A       1N3152 SI-D UHF 36GHz 
1N3153 SI-D UHF 36GHz       1N3159 GE-D 15V 0.08A <300ns 
1N3160 GE-D 60V 0.03A       1N3179 SI-D 240V Uni 
1N3180 SI-D 130V Uni       1N3182 SI-D VHF-tunung
1N3189 SI-D 200V 1A       1N3190 SI-D 400V 1A 
1N3191 SI-D 600V 1A       1N3193 SI-D 200V 0.75A
1N3194 SI-D 400V 0.75A       1N3195 SI-D 600V 0.75A
1N3196 SI-D 800V 0.75A       1N3197 GE-D 30V 0.08A <300ns 
1N3203 GE-D 25V 0.06A 300ns       1N3204 GE-D 60V 0.06A 300ns 
1N3206 SI-D 100V 0.075A <4ns       1N3207 SI-D 60V <6ns 
1N3208 SI-D 50V 15A       1N3209 SI-D 100V 15A 
1N3210 SI-D 200V 15A       1N3211 SI-D 300V 15A 
1N3212 SI-D 400V 15A       1N3213 SI-D 500V 15A 
1N3214 SI-D 600V 15A       1N3215 SI-D 60V <250ns
1N3217 GE-D tunnel diode       1N3218 GE-D tunnel diode 
1N3219 GE-D tunnel diode       1N3220 GE-D tunnel diode 
1N3221 GE-D tunnel diode       1N3222 GE-D tunnel diode 
1N3225 GE-D 40V 0. 03A <500ns       1N3227 SI-D 100V 0.5A 
1N3228 SI-D 200V 0.5A       1N3229 SI-D 400V 0.5A 
1N3230 SI-D 600V 0.5A       1N3231 SI-D 800V 0.5A 
1N3232 SI-D 1000V 0.5A       1N3233 SI-D 1200V 0.5A
1N3234 SI-D 1500V 0.5A       1N3235 SI-D 1800V 0.5A
1N3236 SI-D 2000V 0.5A       1N3237 SI-D 50V 0.75A 
1N3238 SI-D 100V 0.75A       1N3239 SI-D 200V 0.75A
1N3240 SI-D 400V 0.75A       1N3241 SI-D 600V 0.75A
1N3242 SI-D 800V 0.75A       1N3243 SI-D 1000V 0.75A 
1N3244 SI-D 1200V 0.75A       1N3245 SI-D 1500V 0.75A 
1N3246 SI-D 50V 1A       1N3247 SI-D 100V 1A 
1N3248 SI-D 200V 1A       1N3249 SI-D 400V 1A 
1N3250 SI-D 600V 1A       1N3251 SI-D 800V 1A 
1N3252 SI-D 1000V 1A       1N3253 SI-D =1N3193 ISO 
1N3254 SI-D =1N3194 ISO       1N3255 SI-D =1N3195 ISO 
1N3256 SI-D =1N3196 ISO       1N3257 SI-D 80V <3ns 
1N3258 SI-D 80V <4ns       1N3277 SI-D 200V 0.75A
1N3278 SI-D 400V 0.75A       1N3279 SI-D 600V 0.75A
1N3280 SI-D 800V 0.75A       1N3281 SI-D 1000V 0.75A 
1N3282 SI-D 1000V 0.1A       1N3283 SI-D 1500V 0. 1A
1N3284 SI-D 2000V 0.1A       1N3285 SI-D 2500V 0.1A
1N3286 SI-D 3000V 0.1A       1N3298 SI-D 60V 0.3A 
1N3298A SI-D 70V 0.3A       1N3354 SI-D 10V 3A 
1N3355 SI-D 15V 3A       1N3356 SI-D 25V 3A 
1N3357 SI-D 50V 3A       1N3358 SI-D 75V 3A 
1N3359 SI-D 100V 3A       1N3360 SI-D 150V 3A 
1N3361 SI-D 200V 3A       1N3362 SI-D 300V 3A 
1N3363 SI-D 400V 3A       1N3364 SI-D 500V 3A 
1N3365 SI-D 600V 3A       1N3366 SI-D 700V 3A 
1N3367 SI-D 800V 3A       1N3368 SI-D 900V 3A 
1N3369 SI-D 1000V 3A       1N3370 SI-D 1200V 3A 
1N3371 SI-D 1500V 3A       1N3372 SI-D 10V 20A 
1N3373 SI-D 25V 20A       1N3374 SI-D 50V 20A 
1N3375 SI-D 100V 20A       1N3376 SI-D 150V 20A 
1N3377 SI-D 200V 20A       1N3378 SI-D 300V 20A 
1N3379 SI-D 400V 20A       1N3380 SI-D 500V 20A 
1N3464 SI-D 12KV 0.06A       1N3465 GE-D 60V 75mA Uni 
1N3466 GE-D 40V 75mA Uni       1N3467 GE-D 18V <2ns 
1N3468 GE-D 18V <2ns       1N3469 GE-D 35V 85mA 
1N3470 GE-D 35V 85mA       1N3471 SI-D 40V 0.04A <2ns 
1N3485 SI-D 175V <50ns       1N3486 SI-D 1000V 0. 4A
1N3487 SI-D 1200V 0.4A       1N3488 SI-D VHF-tuning
1N3491 SI-D 50V 25A       1N3492 SI-D 100V 25A 
1N3493 SI-D 200V 25A       1N3494 SI-D 300V 25A 
1N3495 SI-D 400V 25A       1N3544 SI-D 100V 0.6A 
1N3545 SI-D 200V 0.6A       1N3546 SI-D 300V 0.6A 
1N3547 SI-D 400V 0.6A       1N3548 SI-D 500V 0.6A 
1N3549 SI-D 600V 0.6A       1N3550 SI-D 180V 0.08A <1.5us 
1N3551 SI-D VHF-tuning       1N3552(A) SI-D VHF-tuning
1N3554 SI-D VHF-tuning       1N3555 SI-D VHF-tuning
1N3556 SI-D VHF-tuning       1N3557 SI-D VHF-tuning
1N3560 GE-D tunnel diode       1N3561 GE-D tunnel diode 
1N3562 GE-D tunnel diode       1N3563 SI-D 1000V 0.4A
1N3566 SI-D 800V 1A       1N3567 SI-D 75V 0.06A <2ns 
1N3568 SI-D 80V <4ns       1N3569 SI-D 100V 3.5A 
1N3570 SI-D 200V 3.5A       1N3571 SI-D 300V 3.5A 
1N3572 SI-D 400V 3.5A       1N3573 SI-D 500V 3.5A 
1N3574 SI-D 600V 3.5A       1N3575 SI-D 60V 0.15A 
1N3576 SI-D 125V 0.15A       1N3577 SI-D 175V 0.15A
1N3578 SI-D 225V 0.15A       1N3579 SI-D 275V 0.15A
1N3592 GE-D 30V 0. 05A <70ns       1N3593 SI-D 40V 0.05A 10ns 
1N3594 SI-D 60V 6ns       1N3595 SI-D 150V 0.1A <3us 
1N3596 SI-D 20V 0.075A <4ns       1N3597 SI-D 200V 0.275A <300ns 
1N3598 SI-D 50V 0.075A <4ns       1N3599 SI-D 150V <50ns
1N3600 SI-D 50V 0.2A <4ns       1N3601 SI-D 75V <5ns 
1N3602 SI-D 75V 0.115A <5ns       1N3603 SI-D 45V 0.115A <5ns 
1N3604 SI-D =1N4151       1N3605 SI-D =1N4152 
1N3606 SI-D =1N4153       1N3607 SI-D =1N4151 Min 
1N3608 SI-D =1N4152 Min       1N3609 SI-D =1N4153 Min 
1N3611(GP) SI-D 200V 1A       1N3612(GP) SI-D 400V 1A 
1N3613(GP) SI-D 600V 1A       1N3614(GP) SI-D 800V 1A 
1N3615 SI-D 50V 16A       1N3616 SI-D 100V 16A 
1N3617 SI-D 150V 16A       1N3618 SI-D 200V 16A 
1N3619 SI-D 300V 16A       1N3620 SI-D 400V 16A 
1N3621 SI-D 500V 16A       1N3622 SI-D 600V 16A 
1N3623 SI-D 800V 16A       1N3624 SI-D 1000V 16A 
1N3625 SI-D 200V 0.15A       1N3626 GE-D 50V Uni 
1N3627 SI-D VHF-tuning       1N3628 SI-D VHF-tuning
1N3629 SI-D 100V 0.75A       1N3630 SI-D 200V 0. 75A
1N3631 SI-D 300V 0.75A       1N3632 SI-D 400V 0.75A
1N3633 SI-D 500V 0.75A       1N3634 SI-D 600V 0.75A
1N3635 SI-D 700V 0.75A       1N3636 SI-D 800V 0.75A
1N3637 SI-D 900V 0.75A       1N3638 SI-D 1000V 0.75A 
1N3639 SI-D 200V 0.75A       1N3640 SI-D 400V 0.75A
1N3641 SI-D 600V 0.75A       1N3642 SI-D 800V 0.75A
1N3643 SI-D 1000V 0.25A       1N3644 SI-D 1500V 0.25A 
1N3645 SI-D 2000V 0.25A       1N3646 SI-D 2500V 0.25A 
1N3647 SI-D 3000V 0.25A       1N3648 SI-D 10KV 0.35A
1N3649 SI-D 800V 3.3A       1N3650 SI-D 1000V 3.3A
1N3653 SI-D 100V <4ns       1N3654 SI-D 100V <4ns 
1N3656 SI-D 200V 0.75A       1N3657 SI-D 400V 0.75A
1N3658 SI-D 600V 0.75A       1N3659 SI-D 50V 30A 
1N3660 SI-D 100V 30A       1N3661 SI-D 200V 30A 
1N3662 SI-D 300V 30A       1N3663 SI-D 400V 30A 
1N3664 SI-D 500V 30A       1N3665 SI-D 600V 30A 
1N3666 GE-D 80V 0.07A <300ns       1N3667 SI-D 500V 1.5A 
1N3668 SI-D 30V 0.075A <150ns       1N3669 SI-D 70V 0.4A <200ns 
1N3670(A) SI-D 700V 12A       1N3671(A) SI-D 800V 12A 
1N3672(A) SI-D 900V 12A       1N3673(A) SI-D 1000V 12A 
1N3711 SI-D 6KV 0. 15A       1N3712 GE-D tunnel diode 
1N3713 GE-D tunnel diode       1N3714 GE-D tunnel diode 
1N3715 GE-D tunnel diode       1N3716 GE-D tunnel diode 
1N3717 GE-D tunnel diode       1N3718 GE-D tunnel diode 
1N3719 GE-D tunnel diode       1N3720 GE-D tunnel diode 
1N3721 GE-D tunnel diode       1N3723 SI-D 1000V 0.75A 
1N3724 SI-D 1200V 0.75A       1N3725 SI-D 1400V 0.75A 
1N3726 SI-D 1600V 0.75A       1N3727 SI-D 1800V 0.75A 
1N3728 SI-D 550V 0.2A       1N3729 SI-D 600V <500ns 
1N3730 SI-D 80V <15ns       1N3731 SI-D 100V 0.175A <3ns 
1N3748 SI-D 200V 0.5A       1N3749 SI-D 400V 0.5A 
1N3750 SI-D 600V 0.5A       1N3751 SI-D 800V 0.5A 
1N3752 SI-D 1000V 0.5A       1N3754 SI-D 100V 0.125A 
1N3755 SI-D 200V 0.125A       1N3756 SI-D 400V 0.125A 
1N3757 SI-D 200V 1A       1N3758 SI-D 400V 1A 
1N3759 SI-D 600V 1A       1N3760 SI-D 800V 1A 
1N3761 SI-D 1000V 1A       1N3762 SI-D 7.5KV 0.065A 
1N3764 SI-D 3KV 0.4A       1N3765 SI-D 700V 35A 
1N3766 SI-D 800V 35A       1N3767 SI-D 900V 35A 
1N3768 SI-D 1000V 35A       1N3769 GE-D 90V Uni 
1N3770 SI-D UHF-tuning       1N3773 GE-D 25V <40ns 
1N3775 SI-D 1500V 3. 3A       1N3777 SI-D 800V 35A 
1N3847 GE-D tunnel diode       1N3848 GE-D tunnel diode 
1N3849 GE-D tunnel diode       1N3850 GE-D tunnel diode 
1N3851 GE-D tunnel diode       1N3852 GE-D tunnel diode 
1N3853 GE-D tunnel diode       1N3854 GE-D tunnel diode 
1N3855 GE-D tunnel diode       1N3856 GE-D tunnel diode 
1N3857 GE-D tunnel diode       1N3858 GE-D tunnel diode 
1N3859 GE-D tunnel diode       1N3860 GE-D tunnel diode 
1N3861 GE-D tunnel diode       1N3862 GE-D tunnel diode 
1N3863 GE-D tunnel diode       1N3864 SI-D 125V <900ns 
1N3865 GE-D 80V Uni       1N3866 SI-D 200V 1A 
1N3867 SI-D 400V 1A       1N3868 SI-D 600V 1A 
1N3869 SI-D 1000V 0.5A       1N3870 SI-D 1500V 0.5A
1N3871 SI-D 2000V 0.25A       1N3872 SI-D 90V <15ns 
1N3873 SI-D 90V 0.15A <4ns       1N3874 SI-D =1N3879 ISO 
1N3875 SI-D =1N3880 ISO       1N3876 SI-D =1N3881 ISO 
1N3877 SI-D =1N3882 ISO       1N3878 SI-D =1N3883 ISO 
1N3879(A) SI-D 50V 6A <200ns       1N3880(A) SI-D 100V 6A <200ns 
1N3881(A) SI-D 200V 6A <200ns       1N3882(A) SI-D 300V 6A <200ns 
1N3883(A) SI-D 400V 6A <200ns       1N3884 SI-D =1N3889 ISO 
1N3885 SI-D =1N3890 ISO       1N3886 SI-D =1N3891 ISO 
1N3887 SI-D =1N3892 ISO       1N3888 SI-D =1N3893 ISO 
1N3889(A) SI-D 50V 12A <200ns       1N3890(A) SI-D 100V 12A <200ns 
1N3891(A) SI-D 200V 12A <200ns       1N3892(A) SI-D 300V 12A <200ns 
1N3893(A) SI-D 400V 12A <200ns       1N3894 SI-D 400V 0. 4A 
1N3895 SI-D 350V 0.4A       1N3899 SI-D 50V 20A <200ns 
1N3900 SI-D 100V 20A <200ns       1N3901 SI-D 200V 20A <200ns 
1N3902 SI-D 300V 20A <200ns       1N3903 SI-D 400V 20A <200ns 
1N3904 SI-D 50V 20A <200ns ISO       1N3905 SI-D 100V 20A <200ns ISO 
1N3906 SI-D 200V 20A <200ns ISO       1N3907 SI-D 300V 20A <200ns ISO 
1N3908 SI-D 400V 20A <200ns ISO       1N3909 SI-D 50V 30A <200ns 
1N3910 SI-D 100V 30A <200ns       1N3911 SI-D 200V 30A <200ns 
1N3912 SI-D 300V 30A <200ns       1N3913 SI-D 400V 30A <200ns 
1N3914 SI-D 50V 30A <200ns ISO       1N3915 SI-D 100V 30A <200ns ISO 
1N3916 SI-D 200V 30A <200ns ISO       1N3917 SI-D 300V 30A <200ns ISO 
1N3918 SI-D 400V 30A <200ns ISO       1N3919 SI-D 1000V 5A 
1N3920 SI-D 1500V 5A       1N3921 SI-D 2000V 5A 
1N3922 SI-D 2500V 5A       1N3923 SI-D 3000V 5A 
1N3924 SI-D 1000V 10A       1N3925 SI-D 1500V 10A 
1N3926 SI-D 2000V 10A       1N3927 SI-D 2500V 10A 
1N3928 SI-D 3000V 10A       1N3929 SI-D 1000V 1A 
1N3930 SI-D 1500V 1A       1N3931 SI-D 2000V 1A 
1N3932 SI-D 2500V 1A       1N3933 SI-D 3000V 1A 
1N3934 SI-D 1200V 10A       1N3938 SI-D 200V 2A 
1N3939 SI-D 400V 2A       1N3940 SI-D 600V 2A 
1N3941 SI-D 800V 2A       1N3942 SI-D 100V 2A/30Ap 
1N3944 GE-D 15V <12ns       1N3945 SI-D VHF-tuning
1N3946 SI-D VHF-tuning       1N3947 SI-D VHF-tuning
1N3948 SI-D Tunnel diode       1N3952 SI-D 130V 0. 2A 
1N3953 GE-D 40V <300ns       1N3954 SI-D 50V <4ns 
1N3955 SI-D 100V 70A       1N3956 SI-D 30V 2ns 
1N3957(GP) SI-D 1000V 1A       1N3958(C) SI-D 100V 3.5A 
1N3959(C) SI-D 200V 3.5A       1N3960(C) SI-D 300V 3.5A 
1N3961(C) SI-D 400V 3.5A       1N3962(C) SI-D 500V 3.5A 
1N3963(C) SI-D 600V 3.5A       1N3964 SI-D 200V 22A 
1N3965 SI-D 400V 22A       1N3966 SI-D 600V 22A 
1N3967 SI-D 800V 22A       1N3968 SI-D 200V 50A 
1N3969 SI-D 400V 50A       1N3970 SI-D 600V 50A 
1N3971 SI-D 800V 50A       1N3981 SI-D 200V 3A 
1N3982 SI-D 400V 3A       1N3983 SI-D 600V 3A 
1N3987 SI-D 700V 6A       1N3988 SI-D 800V 6A 
1N3989 SI-D 900V 6A       1N3990 SI-D 1000V 6A

Продолжение таблицы…

Обозначение в таблице:

SI-D — кремниевый диод
SI-D-S — кремниевый диод Шоттки
GE-D — германиевый диод
C-D — варикап

Другие используемые в таблицах сокращения:

Uобр. макс. — максимально-допустимое постоянное обратное напряжение диода;
Uобр.и.макс. — максимально-допустимое импульсное обратное напряжение диода;
Iпр.макс. — максимальный средний прямой ток за период;
Iпр.и.макс. — максимальный импульсный прямой ток за период;
Iпрг. — ток перегрузки выпрямительного диода;
fмакс. — максимально-допустимая частота переключения диода;
fраб. — рабочая частота переключения диода;
Uпр при Iпр — постоянное прямое напряжения диода при токе Iпр;
Iобр. — постоянный обратный ток диода;
Тк.макс. — максимально-допустимая температура корпуса диода;
Тп.макс. — максимально-допустимая температура перехода диода.

Типоразмеры корпусов диодов

Цветовая маркировка планарных чип диодов

Скачать справочник по импортным диодам в PDF формате можно тут.

2.6.2. Полупроводниковые диоды | Техническая библиотека lib.qrz.ru

2.6.2. Полупроводниковые диоды

Полупроводниковым диодом называется прибор, основой конструкции которого является один р-n переход. Условное обозначение диода (прил. 1) сохранилось от первых электровакуумных диодов. В изображении черта означает катод, а треугольник анод. Чтобы это запомнить, достаточно представить, что катод испускает электроны, и они выходят из него расходящимся пучком, образуя треугольник. Если считать проводимость диода направленной от плюса к минусу, то она будет соответствовать стрелке, образованной вершиной треугольника.

Параметры некоторых выпрямительных диодов показаны в табл.2.11,

Таблица 2.11 ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

где Iпр ср — прямой средний ток: среднее за период значение тока через диод;

Uобр,и,п — обратное импульсное повторяющееся напряжение: наибольшее мгновенное значение обратного напряжения;

Uобр. макс — максимальное допустимое постоянное обратное напряжение;

Iобр, и — импульсный обратный ток: наибольшее мгновенное значение обратного тока, обусловленное импульсным обратным напряжением;

Iобр — постоянный обратный ток, обусловленный постоянным обратным напряжением;

Iобр, ср — средний обратный ток: среднее за период значение обратного тока.

Примеры маркировки диодов цветными метками приведены в табл. 2.12.

Таблица 2.12 МАРКИРОВКА ДИОДОВ ЦВЕТНЫМИ МЕТКАМИ

Универсальные и импульсные диоды — полупроводниковые диоды, имеющие малую длительность переходных процессов включения и выключения и предназначенные для применения в импульсных режимах работы.

Стабилитрон — полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики этого диода является почти прямой линией (рис. 2.2), поэтому при изменении тока, проходящего через прибор, напряжение на нем практически не меняется.

Рис. 2.2. Схемы применения полупроводниковых диодов:

а) выпрямление переменного тока с помощью выпрямительного диода. Rнагр — сопротивление нагрузки; 6) стабилизация напряжения с помощью стабилитрона. Uвх — входное напряжение, Uвых — выходное напряжение;

в), г) вольт-амперные характеристики. iпр, Unp, iобр.Uобр ~ прямые и обратные токи и напряжения, Uст — стабилизированное напряжение.

Параметры некоторых стабилитронов приведены в табл. 2.13, где Uст — напряжение стабилизации, Iст — ток стабилизации: значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации, Pст.макс — максимально допустимая мощность стабилизации.

Варикап — полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости его емкости от величины обратного напряжения. Он применяется как элемент с электрически управляемой емкостью: Основные параметры некоторых варикалов приведены в табл. 2.14, где Св — емкость варикапа, Qв — добротность варикапа: отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданной емкости или обратном напряжении.

Таблица 2.13 СТАБИЛИТРОНЫ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ

Таблица 2.14 ВАРИКАПЫ

Таблица диапазонов идентификаторов цветов диодов

Эта таблица представляет собой информацию, используемую большинством производителей диодов, использующих цветовую полосу на диодах. Большинство производителей штампуют идентификатор прямо на диоде, но некоторые используют цветовую полосу в качестве метода идентификации. Для юстировки сторона с любой цветной полосой, ближайшая к любой стороне диода, эквивалентна левой стороне этой таблицы. Три примера в таблице, связанные со значениями в нижней таблице, обозначаются как 1N64E для верхнего диода, 1N452G для среднего диода и 1N4762 для нижнего диода.


Цвет	Значение	Суффиксная буква
Черный	0	–
коричневый	1	А
Красный	2	B
Оранжевый	3	С
желтый	4	D
зеленый	5	E
Синий	6	F
фиолетовый	7	G
Серый	8	H
Белый	9	Дж
Серебро	–	–
Золото	–	–
Нет	–	–

Обновлено 8.

17.11

Используемые физические модели> Фотоэлектрический модуль

Чтобы описать работу фотоэлектрического модуля, мы используем простую модель «одного диода» Шокли, описанную, например, в. Эта модель основана на следующей эквивалентной схеме для описания PV cvell:

Модель изначально разрабатывалась для одиночной ячейки. Его обобщение на весь модуль означает, что все клетки считаются строго идентичными.

Более сложная модель, подразумевающая 2 разных диода, иногда предлагается для очень точного моделирования одной ячейки. Но в PVsyst мы думаем, что небольшие расхождения в параметрах ячейки, вызывающие внутреннее несоответствие, а также умеренная точность наших основных входных параметров (обычно от производителя) не имеют смысла его использовать. В модели с одним диодом два диода считаются идентичными, а гамма-фактор — теоретически варьирующийся от 1 до 2 — определяет их сочетание.

Эта модель хорошо подходит для описания любой технологии Si-кристаллических модулей, но требует некоторых адаптаций для воспроизведения поведения модуля тонкопленочной технологии. Мы заметили, что технология CIS довольно хорошо подчиняется этой стандартной модели.

Основное уравнение при стандартных условиях

Основное выражение, описывающее общую модель «одного диода» для данного набора стандартных условий (обычно STC: 1000 Вт / м2, 25 ° C, AM = 1,5), записывается как:

I = Iphref — IoRef [exp (q · (V + I · Rs) / (Ncs · Gamma · k · Tc)) — 1] — (V + I · Rs) / Rsh

с:

I = Ток, подаваемый модулем [A].

В = напряжение на клеммах модуля [В].

IphRef = Фототок [A]

IoRef = обратный ток насыщения диода [A]

Rs = Последовательное сопротивление [Ом].

Rsh = Сопротивление шунта [Ом].

Гамма = коэффициент качества диода, теоретически от 1 до 2, часто меньше

q = Заряд электрона = 1. 602 · E-19 Кулон

k = постоянная Больцмана = 1.381 E-23 Дж / К.

Ncs = количество ячеек в серии.

Tc = Эффективная температура ячеек [Кельвин]

В этом уравнении у нас есть 2 неизвестных (синим цветом), пять параметров, которые необходимо определить (зеленым цветом) и некоторые физические константы.

Определение 5 параметров описано в следующем разделе. Он включает данные STC, обычно указываемые производителем.

После получения значений 5 параметров, мы можем решить уравнение для получения кривой ВАХ, т.е.e любая точка I = f (V) или V = f (I). Поскольку уравнение является неявным, это требует использования подхода последовательных приближений.

Расширение для различных условий окружающей среды

В зависимости от энергетической освещенности

Модель с одним диодом предполагает, что фототок Iph полностью пропорционален освещенности.

Существует также небольшая зависимость от температуры: положительное линейное увеличение согласно параметру muISC порядка +0,05% / ° C.

Следовательно, для любых условий Iph будет определяться относительно значений, указанных для стандартных условий (Греф, Треф):

Iph = (G / Gref) · [Iph ref + muISC (Tc — Tc ref)]

, где G и Греф = эффективная и эталонная энергетическая освещенность [Вт / м²].

Tc и Tc ref = эффективная и эталонная температура ячейки [° K].

muISC = температурный коэффициент тока короткого замыкания [A / ° C]

В зависимости от температуры

Предполагается, что обратный ток насыщения диода зависит от температуры в соответствии с выражением:

Io = Io ref (Tc / Tc ref) 3 · exp [(q · EGap / Gamma · k) · (1 / Tc ref — 1 / Tc)]

где	EGap = энергия зазора материала (1.12 эВ для кристаллического Si, 1,03 эВ для CIS, 1,7 эВ для аморфного кремния, 1,5 эВ для CdTe).

Это уравнение получено из фундаментальной физики твердого тела: оно было предложено «изобретателями» первых фотоэлементов в 1950 году и вполне применимо к реальности.

Она меняется очень быстро в зависимости от куба и экспоненты изменения температуры.

В зависимости от спектрального содержания

Спектральная коррекция не включена в базовую модель с одним диодом.

В PVsyst применяется по-разному в зависимости от технологий:

— Для аморфных модулей у нас есть параметризованная коррекция как функция Kt и воздушной массы

— Для кристаллов и CIS зависимость крайне слабая. Это заброшено.

— Для модулей CdTe исправление было предложено основным производителем. Он реализован, но без каких-либо гарантий с точки зрения PVsyst.

Что такое фотодиод? Работа, характеристики, применение

Что такое фотодиод?

Это форма легкого датчика, преобразующего энергию света в электрическое напряжение или ток.Фотодиод — это полупроводниковый прибор с PN переходом. Между слоями p (положительный) и n (отрицательный) присутствует внутренний слой. Фотодиод принимает световую энергию в качестве входа для выработки электрического тока.

Его также называют фотодетектором, фотодатчиком или детектором света. Фотодиод работает в режиме обратного смещения, т.е. сторона p фотодиода соединена с отрицательной клеммой батареи (или источника питания), а сторона n — с положительной клеммой батареи.

Типичными материалами для фотодиодов являются кремний, германий, арсенид индия, галлия, фосфид и арсенид индия, галлия.

Внутри фотодиода есть оптические фильтры, встроенная линза и площадь поверхности. Увеличение площади поверхности фотодиода приводит к увеличению времени отклика. Немногие фотодиоды будут похожи на светоизлучающие диоды (LED). Он имеет два терминала, как показано ниже. Меньший вывод действует как катод, а более длинный вывод действует как анод.

Символ фотодиода аналогичен символу светодиода, но стрелки на светодиодах указывают внутрь, а не наружу.На следующем изображении показан символ фотодиода.

Работа фотодиода

Обычно, когда свет освещает PN-переход, ковалентные связи ионизируются. Это порождает дырочные и электронные пары. Фототоки возникают за счет генерации электронно-дырочных пар. Электронно-дырочные пары образуются, когда фотоны с энергией более 1,1 эВ попадают в диод. Когда фотон попадает в область истощения диода, он ударяет по атому с высокой энергией. Это приводит к высвобождению электрона из структуры атома.После выхода электрона образуются свободные электроны и дырка.

В общем, электрон будет иметь отрицательный заряд, а дырки — положительный. Энергия истощения будет построена в электрическом поле. Из-за этого электрического поля электронно-дырочные пары удаляются от перехода. Следовательно, дырки перемещаются к аноду, а электроны перемещаются к катоду, создавая фототок. Интенсивность поглощения фотона и энергия фотона прямо пропорциональны друг другу.Когда энергия фотографий меньше, поглощение будет больше. Весь этот процесс известен как внутренний фотоэлектрический эффект.

Внутреннее возбуждение и внешнее возбуждение — это два метода, посредством которых происходит возбуждение фотонов. Процесс собственного возбуждения происходит, когда электрон в валентной зоне возбуждается фотоном в зону проводимости.

Также прочтите « Различные типы датчиков »

Режимы работы фотодиода

Фотодиод

работает в трех различных режимах, а именно в фотоэлектрическом режиме, в режиме фотопроводимости и в режиме лавинного диода.

Фотоэлектрический режим

Это иначе называется режимом нулевого смещения. Этот режим является предпочтительным, когда фотодиод работает с низкочастотными приложениями и сверхвысоким светом. Когда фотодиод освещается вспышкой света, возникает напряжение. Создаваемое напряжение будет в очень маленьком динамическом диапазоне и имеет нелинейную характеристику. Когда фотодиод настроен с OP-AMP в этом режиме, будет очень меньше изменений с температурой.

Фотопроводящая мода

В этом режиме фотодиод будет работать в режиме обратного смещения.Катод будет положительным, а анод — отрицательным. Когда обратное напряжение увеличивается, ширина обедненного слоя также увеличивается. Благодаря этому время отклика и емкость перехода будут уменьшены. Для сравнения, этот режим работы быстр и производит электронный шум.

Трансимпедансные усилители используются в качестве предварительных усилителей для фотодиодов. Режимы таких усилителей поддерживают постоянное напряжение, чтобы фотодиод работал в режиме фотопроводимости .

Режим лавинного диода

В этом режиме лавинный диод работает в условиях высокого обратного смещения. Это позволяет увеличить лавинный пробой каждой фотоэлектронно-дырочной пары. Следовательно, это приводит к внутреннему усилению фотодиода. Внутреннее усиление увеличивает отклик устройства.

Подключение фотодиода к внешней цепи

Фотодиод работает в цепи обратного смещения. Анод подключен к земле цепи, а катод — к положительному напряжению питания схемы.При освещении светом ток течет от катода к аноду.

Когда фотодиоды используются с внешними цепями, они подключаются к источнику питания в цепи. Сила тока, производимого фотодиодом, будет очень небольшой. Этого значения тока будет недостаточно для управления электронным устройством. Поэтому, когда они подключены к внешнему источнику питания, он подает больший ток в схему. Итак, в качестве источника питания используется аккумулятор. Источник батареи помогает увеличить значение тока, что помогает внешним устройствам работать лучше

V-I Характеристики фотодиода

Фотодиод работает в режиме обратного смещения.Обратные напряжения отложены по оси X в вольтах, а обратные токи отложены по оси Y в микроамперах. Обратный ток не зависит от обратного напряжения. Когда нет подсветки, обратный ток будет почти нулевым. Минимальное количество присутствующего тока называется темновым током. Один раз при увеличении освещенности обратный ток также линейно увеличивается.

Применение фотодиода

В простых повседневных приложениях используются фотодиоды. Причина их использования — линейный отклик фотодиода на световое излучение. Когда на датчик попадает больше света, он производит большой ток. Увеличение тока будет отображаться на гальванометре, подключенном к цепи.
Фотодиоды помогают обеспечить электрическую изоляцию с помощью оптронов. Когда две изолированные цепи освещаются светом, используются оптопары для оптического соединения цепи. Но цепи будут электрически изолированы.По сравнению с обычными устройствами оптопары работают быстрее.
Фотодиоды применяются в электронике безопасности, например, в датчиках огня и дыма. Он также используется в телевизионных установках.
При использовании в камерах они действуют как фотодатчики. Он используется в сцинтилляторах устройств с зарядовой связью, фотопроводниках и фотоумножителях.
также широко используются во многих медицинских приложениях, таких как инструменты для анализа проб, детекторы для компьютерной томографии, а также используются в мониторах газов крови.

T Стол | T Таблица

Ниже приводится таблица Т (также известная как таблицы Т-распределения или Т-таблица Стьюдента). Таблица T, приведенная ниже, содержит как одностороннее T-распределение, так и двустороннее T-распределение, df до 1000 и уровень достоверности до 99,9%

Отказ от ответственности за бесплатное использование: Вы можете свободно использовать и публиковать приведенные выше изображения T-Table при условии, что вы указали ссылку на наш сайт, указав ссылку на https: // www.tdistributiontable.com

Как пользоваться Т-столом

Шаг 1: Чтобы вычислить оценку для распределения T, найдите « df », которое является «степенями свободы». Определить df легко, поскольку все, что вам нужно сделать, это вычесть единицу из размера выборки, и вы получите свою df или степени свободы.

Шаг 2: Для использования приведенной выше таблицы найдите df в левой части соответствующей одно- или двусторонней T-таблицы. Затем найдите столбец под вашим альфа-уровнем, который вам обычно предоставляется.

Когда используется T-распределение?

Т-распределение используется, когда у вас небольшой размер выборки, потому что в остальном Т-распределение почти идентично нормальному распределению с той лишь разницей, что кривая Т-распределения короче и толще, чем кривая нормального распределения

Формула статистики T или формула T Score

T-статистика = (среднее выборочное — предполагаемое среднее) / стандартная ошибка выборки

Следовательно, мы можем видеть, что насколько велика или мала T-статистика, зависит от того, насколько близко или далеко среднее значение выборки от предполагаемого среднего.Если выборочное среднее значение близко к предполагаемому среднему, мы получим T-статистику, близкую к нулю. Принимая во внимание, что если среднее значение выборки далеко от предполагаемого среднего, мы получим большую статистику T.

Почему T-таблица называется T-таблицей студента или T-распределением студента?

Термин «студент» не имеет ничего общего с буквальным термином студент, используемым в английском языке как таковым. Но скорее от Уильяма Сили Госсета, которому приписывают Т-образное распределение. Псевдоним Уильяма Сили Госсета «Студент» был использован в 1908 году для первой публикации дистрибутива в 1908 году в газете Biometrika.T-распределение Стьюдента также первоначально называлось «Z-критерием Стьюдента» и «критерием статистической значимости Стьюдента», прежде чем его стали называть t-распределением Стьюдента, как оно известно сегодня.

Что такое один хвост против двух?

Давайте сначала разберемся, что такое «хвост», когда дело доходит до t-распределения, а затем давайте выясним, когда использовать односторонний t-критерий или двусторонний t-критерий.

Одностороннее распределение Двустороннее распределение

«Хвост» в терминах любого распределения относится к концу распределения тестовой статистики. Как вы можете видеть на изображении рядом, черные заштрихованные области распределений — это хвосты. На изображении, где оба конца распределения заштрихованы, оно называется двусторонним, а там, где заштрихован только один конец распределения, оно одностороннее. Обычно модели распределения, такие как t-распределения и z-распределения, двусторонние. В то время как асимметричные распределения, такие как распределения хи-квадрат и F-распределение, будут иметь только один хвост. Односторонние тесты также известны как направленные тесты, тогда как двусторонние тесты также известны как ненаправленные тесты.

Итак как вы выбираете, хотите ли вы использовать односторонний t-критерий или двусторонний t-критерий? Простой способ определить это — проверить, вы хотите использовать как отрицательный, так и положительный конец распределение (используйте два хвоста) или если вы хотите использовать только один направленное сравнение (использовать одноблочный)

Для пример, если вы хотите проверить, выше ли Группа A и короче, чем группа B, то вы должны использовать двусторонний тест. Тогда как если вы хотите только увидеть, выше ли группа A, чем группа B, но без какого-либо интереса к проверке, если Группа A короче, чем Группа B, затем используйте односторонний тест.

Но если вы сомневаетесь и не уверены, следует ли использовать односторонний или двусторонний тест, тогда лучше вообще использовать двусторонний тест.

Таблица T vs Таблица Z vs Таблица хи-квадрат

T-распределение, Z-распределение и распределение хи-квадрат — некоторые из наиболее часто используемых моделей распределения вероятностей, и важно знать различия между ними и то, когда использовать какой шаблон распределения

Обычно Z-таблица используется, когда известны стандартное отклонение генеральной совокупности и среднее значение.Тогда как T-таблица используется, когда T-балл рассчитывается без знания среднего и стандартного отклонения совокупности. Как правило, T-таблица также предпочтительнее, чем Z-таблица для использования, когда размер выборки небольшой (N <30)

С другой стороны, распределение хи-квадрат с k степенями свободы представляет собой распределение суммы квадратов k независимых стандартных нормальных переменных.

И используется в тесте на независимость двух переменных в таблице непредвиденных обстоятельств и в тестах на соответствие наблюдаемых данных, чтобы убедиться, что они соответствуют теоретическим.

История T Таблица

Фридрих Хельмерт

И t-статистика, и t-распределение были открыты примерно в 19, ^, веке. Т-распределение было впервые предложено Хельмертом и Люротом в 1876 году. Фридрих Хельмерт, родившийся в 1843 году в Королевстве Саксония, написал книгу «Математические унд физикалистские теории», которая легла в основу современной геодезии.

Якоб Люрот

Якоб Люрот, родившийся в 1844 году в Германии, был математиком, известным тем, что доказал теорему Люрота, представил квартики Люрота и свою диссертацию по теореме Паскаля.Хотя открытие Т-распределения приписывают Уильяму Сили Госсету, считается, что Хельмерт и Люрот сыграли ключевую роль и первыми его вывели. T-распределение также встречается в работе Карла Пирсона 1895 г., но в очень общей форме, известной тогда как тип IV Пирсона.

Уильям Сили Госсет

Однако t-статистика названа в честь Уильяма Сили Госсета и приписывается ему. Госсет родился в 1876 году, был главным пивоваром в Guinness и считается отцом современной британской статистики.T-статистика была введена Уильямом Госсетом в 1908 году под его псевдонимом «Студент».

Распространение было впервые опубликовано в 1908 году в газете Biometrika под псевдонимом «Студент». Следовательно, t-распределение Стьюдента получило свое название от его псевдонима «Студент» и не имеет ничего общего с буквальным термином «студент», используемым в английском языке. T-распределение Стьюдента также первоначально называлось «Z-критерием Стьюдента» и «критерием статистической значимости Стьюдента», прежде чем его стали называть t-распределением Стьюдента, как оно известно сегодня.

Теги: T-таблица, t-таблица распределения, t-распределение, t-диаграмма, t-таблица, калькулятор t-оценок, таблица t-оценок, статистика t, оценка t, таблица t-теста, значение t, таблица значений t, статистика таблицы t, t табличный калькулятор, таблица t-распределения, t-распределение, t-статистика, t-диаграмма, таблицы, t-таблицы, статистика t-диаграммы, статистика t-диаграммы, t-критическое значение, t-таблица оценок, t-таблица критических значений, таблица t студентов, полная таблица распределения t, значение t, таблица t-теста, t-таблица студента, t-таблица, t-тест, t-критерий студента,

Туннельные диоды — TekWiki

Туннельные диоды используются в различных схемах в ПРА Tektronix, выпускаемом с начала 1960-х до 1980-х годов.

Приложения

Туннельные диоды были использованы там, где это было желательно иметь быстрое и чистое переключение между двумя состояниями. Они использовались в

триггерные схемы как триггеры Шмитта,
схемы развертки и синхронизации как триггеры,
генераторы импульсов для преобразования сигналов с медленным нарастанием в импульсы с быстрым нарастанием,
цепей обратного отсчета / синхронизации

Проблемы дрейфа и сбоев

Характеристики туннельного диода (пиковые и минимальные напряжения и токи) имеют тенденцию к дрейфу.Обычно с этим можно справиться путем регулировки окружающего контура. Иногда полностью выходят из строя туннельные диоды. Замена обычно связана с удалением аналогичного туннельного диода из другого устройства. В сообществе Tek есть люди, у которых могут быть туннельные диоды, которые они могут продать. Германиевые туннельные диоды чрезвычайно чувствительны к перегреву, особенно при паяльных работах. Помните и используйте легкоплавкий припой и соответствующий инструмент для защиты корпуса от перегрева!

Соответствующие отличительные параметры

Было изготовлено много различных типов туннельных диодов.Основным параметром, который описывает один, является пиковый ток, то есть ток на вершине холма на кривой ВАХ. Два других важных электрических параметра — это емкость диода и то, сделан ли он из GaAs или Ge. В некоторых схемах другую модель туннельного диода можно заменить с незначительными изменениями в окружающей цепи. Стэн Гриффитс описывает такую модификацию здесь:

Эмуляция с использованием общих частей

Распространенный вопрос заключается в том, можно ли сделать электрический эквивалент туннельного диода из современных, доступные части.Имитировать ВАХ несложно, но нет известной схемы, которая могла бы быть сделана из доступных частей с правильной ВАХ и высокой скоростью переключения реального диода.

Тестирование туннельного диода

Прежде чем сделать вывод о том, что туннельный диод неисправен, важно убедиться, что он был правильно измерен. Высокое сопротивление цифрового мультиметра указывает на неисправность диода. Низкое сопротивление цифрового мультиметра и низкое напряжение на тестере диодов являются нормальными при измерении туннельного диода.Более тщательный тест туннельного диода заключается в пропускании его через резистор с источником линейно нарастающего напряжения, наблюдая за напряжением на туннельном диоде. Резистор должен быть рассчитан так, чтобы пиковый ток просто превышал пиковый ток, на который рассчитан туннельный диод. Конечно, если доступен измеритель кривой, он отлично подходит для измерения ВАХ диода (обратите внимание, что часть кривой с отрицательным сопротивлением может не отображаться из-за быстрого прохождения).

Короткая статья в Service Scope 49, апрель 1968 г. описывает установку быстрой проверки, которая аппроксимирует трассировщик кривой с использованием выходного сигнала X пилообразного сигнала осциллографа (см. Раздел фотографий ниже).

Туннельный диод 10 мА Tektronix 571.

Туннельный диод 10 мА, установленный в приспособлении для измерения кривой Tektronix 571.

Моделирование

Быстрое переключение туннельного диода можно понять, смоделировав его как нелинейный источник тока, управляемый напряжением (VCCS), параллельно с небольшим паразитным конденсатором. Нелинейный VCCS управляется напряжением на выводах диода и отвечает за S-образную кривую ВАХ. (Альтернативно и эквивалентно его можно смоделировать как нелинейное сопротивление.Тем не менее, нелинейная модель VCCS может быть предпочтительнее, поскольку она позволяет избежать сбивающее с толку понятие отрицательного сопротивления.) Рассмотрим туннельный диод, смещенный источником постоянного тока, который медленно повышается от нуля до тока, всего на несколько микроампер меньше, чем пиковый ток диода. Напряжение покоя будет чуть меньше пикового напряжения. Обратите внимание, что кривая ВАХ в этой точке почти горизонтальна, и поэтому инкрементное сопротивление диода в этой точке очень велико. Для простоты мы можем предположить, что в этой точке покоя добавочное сопротивление бесконечно.

Оценка скорости переключения

Теперь, когда мы установили начальные условия смещения, давайте посмотрим на событие, когда туннельный диод переключается в состояние. Предположим, что сигнал запуска подается на туннельный диод через резистор. Ток через резистор добавляется к току от источника постоянного тока. Поскольку мы предполагаем, что инкрементное сопротивление диода бесконечно в начальной точке смещения, весь ток, связанный с сигналом запуска, течет в емкость диода и из нее.Если добавлено достаточно заряда, мгновенное напряжение на диоде будет во второй области, где наклон функции VCCS отрицательный.

Когда диод входит во вторую область, увеличение напряжения на диоде вызывает уменьшение тока диода. Применяя закон Кирхгофа по току в узле, где диод встречается с источником постоянного тока, мы можем увидеть, что ток, входящий в паразитный конденсатор в любой момент, представляет собой разницу между источником постоянного тока и нелинейным током VCCS при этом мгновенном напряжении. Мы можем использовать этот факт для оценки времени переключения туннельного диода. (Форма перехода также может быть оценена.)

В качестве примера возьмем случай туннельного диода с пиковым током 10 мА и емкостью 5 пФ. Первоначальную оценку времени переключения можно сделать, предположив, что для перехода от V ₁ — V ₂, необходимо добавить определенное количество заряда к паразитной емкости диода.

Из Q = C * V мы знаем, что ∆ Q = C * ∆ V, что составляет ∆ Q = C * (V ₂ — V ₁)

С V ₁ = 65 мВ и V ₂ = 465 мВ, ∆ Q = 5 * 10 ^-12 F * 0.4 В = 2 пикокулоны.

Теперь мы смело предполагаем, что зарядный ток во время перехода постоянен и составляет половину пикового тока. 5 мА — это 5 милликулонов в секунду.

t = (2 * 10 ^-12 C) / (5 * 10 ^-3 A) = 0,4 нс

Туннельные диоды, используемые в Tektronix Instruments

STD615 (152-01-02-00) — Ge, 10 мА, 28 пФ
TD1081 (152-0099-00) — Ge, 50 мА, 6 пФ
TD253 (152-0154-00) — Ge, 10 мА, 9 пФ
TD3A (152-0125-xx) — Ge, 4. 7 мА, 18 пФ
1N3129 — Ge, 20 мА, 20 пФ
1N3130 — Ge, 50 мА, 6 пФ
1N3712 — Ge, 1 мА ± 10%, 10 пФ
1N3713 — Ge, 1 мА ± 2,5%, 5 пФ
1N3714 — Ge, 2,2 мА ± 10%, 25 пФ
1N3715 — Ge, 2,2 мА ± 2,5%, 10 пФ
1N3716 — Ge, 4,7 мА ± 5%, 50 пФ
1N3717 — Ge, 4,7 мА ± 2,5%, 25 пФ
1N3718 / TD4 — Ge, 10 мА ± 10%, 90 пФ
1N3719 — Ge, 10 мА ± 2,5%, 25 пФ
1N3720 — Ge, 22 мА ± 10%, 150 пФ
1N3721 — Ge, 22 мА ± 2.5%, 100 пФ
152-0140-01 — Ge (?), 10 мА, 8 пФ
152-0177-00 / -01 / -02 — Ge, 10 мА, 4,7 пФ
152-0181-00 — Ge (?), 1 мА, 5 пФ
152-0182-00 — Ge (?), 10 мА, 50 пФ
152-0254-01 — Ge, 100 мА, 6 пФ
152-0329-00 — Ge (?), 19 мА, 1,5 пФ
152-0379-00 — Ge (?), 20 мА, 10 пФ
152-0383-00-50 мА, t _r 31 пс
152-0386-00 — Ge (?), 10 мА, 25 пФ
152-0402-00 — 2,2 мА 25 пФ
152-0489-00 — Ge (?), 21 мА, 1. 5 пФ
153-0040-00-50 мА малой емкости
153-0400-00-50 мА малой емкости

Чтение

Учебники и справочники

Перекрестная ссылка

General Electric

RCA

Другие производители

Изображения

Проверка туннельного диода на 575
Проверка туннельного диода с аудиогенератором и 7D20 в режиме X-Y
Пример быстрой проверки туннельного диода с использованием метода из Service Scope 49, апрель 1968 г.Правый луч масштабируется с задержкой по времени, чтобы показать скорость шага.
Устройство трассировки кривых Tektronix 571, I-V-график германиевого туннельного диода 10 мА
TD 253 Туннельный диод от Tek 547
Туннельные диоды TD253 и TD3A в секции запуска и развертки Tek 547)
1D2 Туннельный диод (2,2 мА) в датчике задержки Tek 547

Диоды

Диод образован PN-переходом со стороной p, называемой анодом , и Русская сторона называется катодом . В связи с тем, что существует несколько свободно перемещаемых носителями заряда в обедненной области вокруг PN-перехода, проводимость очень плохо. Однако, когда внешнее напряжение подается на два конца материала, проводимость может меняться в зависимости от полярности нанесенного вольтаж.

Прямое смещение (положительный на P-тип, отрицательный на N-тип)
Положительное напряжение, приложенное к P-типу, будет тянуть электроны в N-типе. и отталкивать дыры в P-типе так, чтобы оба носителя двигались к PN-переход.По мере того, как обедненная область становится тоньше, проводимость увеличивается из-за дрейфа тока через PN-переход от сторона P к стороне N, образованная основными носителями заряда (оба электроны и дырки) под действием приложенного напряжения. Проводимость увеличивается по мере увеличения приложенного напряжения.
Обратное смещение (отрицательное для P-типа, положительное для N-типа)
Отрицательное напряжение, приложенное к P-типу, отталкивает электроны в N-типе. и притягивать дыры в P-типе так, чтобы оба носителя уходили от PN-переход.Поскольку обедненная область становится толще, чем раньше, нет тока через PN-переход со стороны P на сторону N. Однако существует очень небольшой ток, называемый обратный ток насыщения , за счет миноритарных перевозчиков. Скорость носителя увеличивается по мере увеличения приложенного напряжения. Однако при дальнейшем увеличении напряжения скорость достигнет максимальный уровень называется скорость насыщения .

Нелинейная зависимость напряжения от тока PN-перехода описывается формулой

или

(2)

где

— это обратный ток насыщения , крошечный ток, который течет в обратном направлении, когда из-за меньшинства перевозчики.Поскольку этот ток ограничен доступными неосновными носителями, когда все они вносят свой вклад в этот ток, более высокое напряжение не приводит к увеличению тока, т. е. ток насыщается. около A для Si и A для Ge.
— тепловое напряжение, где Джоуль / Кельвин — это Постоянная Больцмана, кулон — заряд электрона, а — температура в градусах К. При комнатной температуре ( ), .
— коэффициент идеальности, который варьируется от 1 до 2, в зависимости от о процессе изготовления и полупроводниковом материале.Во многих случаях можно считать примерно равным 1.

В частности,

Напряжение на диоде является функцией тока через диод. В диапазоне от 5 мА до 20 мА составляет около 0,7 В:

(3)

Сопротивление электрического устройства определяется как . Для диода, поскольку это не линейная функция, сопротивление можно найти как

(4)

Приближение связано с тем, что , я.е., . Мы предполагаем , , сопротивление диода не постоянная, а функция тока, т. е. диод не является линейным элементом:

(5)

Моделей диодов:

В общем, когда прямое напряжение, приложенное к диоду, превышает 0,6 до 0,7 В для кремния (или от 0,1 до 0,2 В для германия), диод предполагается проводящим с низким сопротивлением.

Пример: В схеме однополупериодного выпрямителя, показанной ниже, « — кремниевый диод.Найдите текущий через и напряжение поперек.

Диоды обычно используются в качестве выпрямителей, которые преобразуют переменное напряжение / ток. в DC, как показано в следующем примере.

Пример 2: Разработка преобразователя (адаптера), преобразующего мощность переменного тока. подача 115 В и 60 Гц к источнику постоянного напряжения 14 В. При нагрузке , изменение (пульсация) выходного постоянного напряжения должно быть 5% или меньше.

Это приближение, основанное на предположении, что ток нагрузки равен постоянная, так как падение напряжения невелико.В противном случае экспоненциальное убывание должно использоваться напряжение на конденсаторе, а ток равен:

(7)

Дополнительные схемы диодного выпрямления показаны ниже: