Транзистор распиновка: Как определить выводы транзистора – где у транзистора база, эмиттер, коллектор, обозначение выводов

Содержание

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров

Корпус — это часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов. Корпуса стандартизованы для упрощения технологического процесса изготовления изделий. Число стандартных корпусов исчисляется сотнями!

Ниже представлены наиболее распространенные серии корпусов импортных транзисторов и тиристоров.
Для просмотра чертежей корпусов транзисторов и тиристоров кликните на соответствующую типу корпуса картинку.

ADD-A-PAK

DIP4

ITO-220

MT-200

S6D

SC72

SC95

SC96

SOIC8

SOT23

SOT25

SOT32

SOT89

SOT343

SOT883

TO3

TO5

TO7

TO8

TO92

TO126

TO220-5

TO220FP

TO220I

TO-3P(H)IS

TO-3PFA

TO-3PFM

TO-3PH

TO-3PI

TO-3PL

TO-3PML

TO-66

TO-202

TO-247

TO-263

TO-267

 

Схема подключения транзистора для чайников

Кремниевые транзисторы в свое время полностью вытеснили лампы. Когда же появились интегральные схемы, где транзисторов иногда насчитывалось до миллиарда штук, эти радиоэлементы стали незаменимы. В этом материале будет рассказано, как подключить биполярный транзистор и какие схемы включения транзисторов для чайников существуют.

Что это такое

Транзистор — это особый элемент электроцепи полупроводникового типа, который служит для изменения основных электрических параметров электротока и для регулирования этих параметров. В стандартном полупроводниковом триоде есть всего 3 вывода: коллектор, инжектор зарядов и базовый элемент, на который собственно и направляются электроны от управления. Также имеются комбинированные транзисторы с большой мощностью. Если обычные элементы, используемые в интегральных схемах, могут быть размером в несколько нанометров, то производственные транзисторы для промышленных предприятий имеют корпус и составляют до 1 сантиметра в ширину. Напряжение обратного типа производственных управляющих триодов достигает 1 тысячи Вольт.

2SD1710 для импульсных блоков питания

Конструкция триода сделана на основе слоев полупроводника, заключенных в корпусе элемента. В качестве полупроводников выступают материалы, в основу которых входит кремний, германий, галлий и некоторые другие химические элементы. В настоящее время проводится множество исследований, которые предлагают в качестве материалов различные виды полимеров и углеродных нанотрубок.

Важно! Когда-то кристаллы полупроводников располагали в металлических отсеках в виде шляп с тремя выводами. Такое строение было характерно для точечных элементов транзисторного типа.

Различные виды рассматриваемых радиоэлементов

На сегодняшний день строение практически всех плоских и кремниевых транзисторов основано на легированном монокристалле. Они находятся в пластмассовых, металлических или стеклянных корпусах. У многих из них есть выступающие выводы, позволяющие отвести тепло при сильном нагреве от электричества.

Кремниевый биполярный транзистор 2SA1286

Выводы современных транзисторов расположены, как правило, в один ряд. Это удобно, так как плату собирают роботы, и это экономит ресурсы. Выводные контакты также не маркируются на корпусе элемента. Вид вывода определяют по инструкции эксплуатации или после тестовых замеров.

Важно! Для транзисторов применяют сплавы полупроводникового типа с разным строением: PNP или NPN. Их различие заключается в разных знаках напряженности на выводах.

Если брать схематически, то описать этот радиоэлемент можно так: два полупроводника, разделенные дополнительным слоем, который управляет проводимостью триода.

Схема устройства полевых радиоэлементов

Область применения и основной принципы функционирования

В состоянии покоя между коллекторами транзистора нет электрического тока. Его прохождению мешает сопротивляемость переходника, которая возникает из-за одновременной работы двух слоев транзистора. Включить элемент просто: необходимо подать любое напряжение на него. Управление базой и ее токами будет напрямую переключать режимы работы транзистора с «включенного» на «выключенный».

Если же направить сигнал от аналогового источника, то он будет взаимодействовать с выходными токами путем передачи им своей амплитуды. Иначе говоря, электрический сигнал, который поступил на выходы, будет усилен. Полупроводниковые управляющие триоды вполне могут активно работать как электронные ключи или усилители электронных сигналов входа.

Простейшие схемы подключения транзисторов

Обозначение на электросхемах

У транзистора есть принятое обозначение: «ВТ» или «Q». После букв нужно указать индекс позиции. Например, ВТ 2. На старых чертежах можно найти условные обозначения: «Т», «ПП» или «ПТ», которые более не используются. Транзистор рисуют в виде неких отрезков, обозначающих контакты электродов. Иногда их обводят кругом. Направление электротока в области эмиттера указывает специальная стрелка.

Схема работы простейшего радиоэлемента

По принципу действия и строению различают следующие полупроводниковые триоды:

  • Полевого типа;
  • Биполярного;
  • Комбинированного.

Все они обладают схожим функционалом и отличаются по технологии работы.

Полевые

Такие триоды ещё называют униполярными, из-за их электрических свойств — у них происходит течение тока только одной полярности. Такой тип также подразделяется на некоторые виды по своему строению и типу регулировки:

  • Транзисторы с PN переходом управления;
  • Элементы с затвором изолированного типа;
  • Такие же транзисторы другой структуры (металл-диэлектрик-проводник).

Важно! Изолированный затвор обладает одной отличительной особенностью — наличием диэлектрического слоя между ним и каналом.

Схема элемента с затвором изолированного типа

Еще одна особенность полевых транзисторов — низкое потребление электроэнергии. Например, такой элемент может функционировать больше одного года на одной батарейке. Полевые радиоэлементы довольно независимы: они потребляют крайне мало электроэнергии. Такой прибор может годами работать на пальчиковой батарейке или небольшом аккумуляторе. Именно это и обусловило их широкое применение в электросхемах и приборах.

Электронно-дырочный переход

Биполярные

Свое название эти элементы получили за то, что они способны пропускать электрические заряды плюса и минуса через один проходной канал. Также они обладают низким входным сопротивлением. Такие приспособления работают как усилители сигнала и коммутаторы. Благодаря им в электроцепь можно подключить довольно сильную нагрузку и понизить действие ее сопротивления. Биполярники являются наиболее популярными полупроводниковыми приборами активного типа.

Принцип работы биполярного транзистора в схеме

Комбинированные

Комбинированные элементы изобретаются для того, чтобы по применению одного дискретного состояния достичь требуемых электрических параметров. Они бывают:

  • Биполярными с внедрёнными в их схему резисторами;
  • Двумя триодами одной или нескольких структур строения в единой детали;
  • Лямбда-диодами — сочетанием двух полевых управляющих триодов, создающих сопротивляемость со знаком «минус»;
  • Элементы, в которых полевые составляющие управляют биполярными.
Комбинированный транзистор

Схема подключения транзистора для чайников

Наиболее популярны следующие схемы подсоединения транзисторов в цепь: с общей базовой установкой, общими выводами инжекторного эмиттера и с общим коллекторным преобразователем для подачи напряженности.

Для усилителей с базой общего типа характерно следующее:

  • Низкие параметры входного сопротивления, которое не достигает даже 100 Ом;
  • Неплохая температура и частота триода;
  • Допустимое напряжение весьма большое;
  • Требуют два различных источника питания.

Схемы второго типа обладают:

  • Высокими показателями усиления электротока и напряжения;
  • Низкими показателями усиления мощностных характеристик;
  • Инверсионной разницей между входным и выходным напряжением.

Важно! Схема транзистора с электродами общего коллекторного типа требует одного источника питания.

Подключение по типу общего коллектора может обеспечить:

  • Низкие показатели электронапряжения по усилению;
  • Большая и меньшая сопротивляемость входа и выхода соответственно.
Подключение транзистора для светодиода

Таким образом, транзистор — один из самых распространенных радиоэлементов в электронике. Он позволяет изменять параметры электрического тока и регулировать его для корректной работы электроприборов. Существует несколько видов транзисторов, как и способов их соединения. Различаются они строением и целями использования.

Цоколевки Отечественных Транзисторов


При подборе аналогов деталей по схемам, всегда возникает вопрос правильного их монтажа на печатной плате. Цоколевка (распиновка) транзисторов. Вот сейчас хочу описать и выложить на одной странице цоколевки (распиновки) всех отечественных  транзисторов, чтобы Вас вопрос расположения ножек транзисторов не вводило в заблуждение

.

2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2, 2Т716А1, 2Т716Б1, 2Т716В1, КТ812А, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ, КТ805ИМ, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ835А, КТ835Б, КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф



КТ858А, КТ859А, КТ812А, КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г, КТ850А, КТ850Б, КТ850В, КТ851А, КТ851Б, КТ851В, КТ852А, КТ852Б, КТ852В, КТ852Г, КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г, КТ854А, КТ854Б, КТ855А, КТ855Б, КТ855В, КТ857А, КТ863А, КТ899А, КТ8108А, КТ8108Б, КТ8109А, КТ8109Б, КТ8110А, КТ8110Б, КТ8110В, КТ8140А, КТ8116А, КТ8116Б, КТ8116В, КТ8118А, КТ8120А, КТ8121А, КТ8121Б, КТ8123А, КТ8124А, КТ8124Б, КТ8124В



КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г



КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ203А, КТ203Б, КТ203В, КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К, КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В, КТ3117А, КТ3117Б, КТ3127А, КТ3128А, КТ313А, КТ313Б, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ347А, КТ347Б, КТ347В, КТ349А(исполнение1), КТ349Б(исполнение1), КТ349В(исполнение1), КТ363А, КТ363Б



КТ208А, КТ208Б , КТ208В , КТ208Г , КТ208Д , КТ208Е , КТ208Ж , КТ208И , КТ208К , КТ208Л , КТ208М , КТ339А , КТ339Б , КТ339В , КТ339Г , КТ339Д , КТ501А , КТ501Б , КТ501В , КТ501Г , КТ501Д , КТ501Е , КТ501Ж , КТ501И , КТ501К , КТ501Л , КТ501М



КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ, КТ208А1, КТ208Б1, КТ208В1, КТ208Г1, КТ208Д1, КТ208Е1, КТ208Ж1, КТ208И1, КТ208К1, КТ208Л1, КТ208М1, КТ209А, КТ209Б, КТ209Б1, КТ209В, КТ209В1, КТ209В2, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М, КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е, КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е, КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ, КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ГМ, КТ3102ДМ, КТ3102ЕМ, КТ3102ЖМ, КТ3102ИМ, КТ3102КМ, КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л, КТ3117А1, КТ3126А, КТ3126Б, КТ3128А1, КТ313АМ, КТ313БМ, КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ, КТ349А(исполнение2), КТ349Б(исполнение2), КТ349В(исполнение2), КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ, КТ342ГМ, КТ342ДМ, КТ345А, КТ345Б, КТ345В, КТ350А, КТ351А, КТ351Б, КТ352А, КТ352Б, КТ355АМ, КТ363АМ, КТ363БМ, КТ368АМ, КТ368БМ



КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д



КТ601АМ, КТ601АМ, КТ602АМ, КТ602БМ, КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г, КТ816А, КТ816А2, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г, КТ817А, КТ817Б, КТ817Б2, КТ817В, КТ817Г, КТ817Г2, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ8130А, КТ8130Б, КТ8130В, КТ8131А, КТ8131Б, КТ8131В, КТ940А, КТ940Б, КТ940В, КТ961А, КТ961Б, КТ961В, КТ969А, КТ972А, КТ972Б, КТ973А, КТ973Б, КТ997А, КТ997Б, КТ9115А



КТ3101А-2, КТ3115А-2, КТ3115В-2, КТ3115Г-2, КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2, КТ372А, КТ372Б, КТ372В, КТ391А-2, КТ391Б-2, КТ391В-2



КТ3109А, КТ3109Б, КТ3109В



КТ312А, КТ312Б, КТ312В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В



КТ3120А, КТ371А, КТ382А, КТ382АМ, КТ382Б, КТ382БМ



КТ3129А-9, КТ3129Б-9, КТ3129В-9, КТ3129Г-9, КТ3129Д-9, КТ3130А-9, КТ3130Б-9, КТ3130В-9, КТ3130Г-9, КТ3130Д-9, КТ3130Е-9, КТ3130Ж-9, КТ3168А-9



КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Г1, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Н, КТ315Р, КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Г1, КТ361Д, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К



КТ3157А, КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ, КТ339АМ



КТ368А, КТ368Б, КТ399А, КТ399АМ



КТ504А, КТ504Б, КТ504В, КТ505А, КТ505Б, КТ506А, КТ506Б



КТ601А



КТ602А, КТ602Б, КТ602В, КТ602Г, КТ801А, КТ801Б



КТ807А, КТ807Б



КТ872А, КТ872Б, КТ872В, КТ8111А, КТ8111Б, КТ8111В, КТ8114А, КТ8114Б, КТ8114В



КТ879А, КТ879Б



КТ886А1, КТ886Б1, КТ8127А1, КТ8127Б1, КТ8127В1



КТ890А, КТ890Б, КТ890В, КТ896А, КТ896Б, КТ896В, КТ898А, КТ898Б, КТ8101А, КТ8101Б, КТ8102А, КТ8102Б, КТ8106А, КТ8106Б, КТ8117А



КТ898А1, КТ898Б1



КТ999А



ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В



ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В, ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В



ГТ906А



ГТ905А, ГТ905Б, ГТ906АМ



2Т713А, КТ812Б, КТ812В, 2Т812А, 2Т812Б, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, КТ710А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ, КТ812Б, КТ812В, 2Т812А, 2Т812Б, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, КТ826А, КТ826Б, КТ826В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В, КТ828А, КТ828Б, КТ834А, КТ834Б, КТ834В, КТ838А, КТ839А, КТ840А, КТ840Б, КТ841А, КТ841Б, КТ841В, КТ846А, КТ846Б, КТ846В, КТ847А, КТ848А, КТ8127А, КТ8127Б, КТ8127В, КТ878А, КТ878Б, КТ878В, КТ892А, КТ892Б, КТ892В, КТ897А, КТ897Б, КТ8104А, КТ8105А, КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В, КТ8129А, КТ945А

Если все же у меня получился не полный список цоколевки (распиновки) транзисторов, то прошу это указать в комментариях к данному посту, или если вы заметите какие-либо ошибки, отклонения описания цоколевки (распиновки) транзисторов.

Определение Цоколевки Транзистора

 


Вашему вниманию предоставляется легкий способ определения выводов транзисторов, т.е. как можно самостоятельно определить цоколевку (распиновку) транзистора независимо p-n-p или n-p-n проводимости. Все действия по определению цоколевки (распиновки) транзистора следует выполнять строго по пунктам

:

1) Взять тестер, установить на нем режим для определения направления движения тока в диодах -|>|— или -|<|- (для устаревших моделей (стрелочных) тестеров, необходимо использовать режим измерения сопротивления резисторов со шкалой в 1000 Ом).


2) Первоначально определяем БАЗУ транзистора. БАЗА (Б) n-p-n транзистора при подключении к ней «+» положительного щупа «прозванивается» отрицательным «-» щупом на ЭМИТЕРЕ (Э) и КОЛЛЕКРОРЕ (К). Т.е. на предполагаемую БАЗУ крепим положительный щуп и поочередно касаемся отрицательным щупом остальных ножек транзистора (если предполагаемая БАЗА оказалась настоящей БАЗОЙ, то на тестере должны появиться минимальные значения сопротивления при касании отрицательным щупом и ЭМИТЕРА, и КОЛЛЕКТОРА). Для определения БАЗЫ на p-n-p транзисторах проделываем туже операцию, только к БАЗЕ крепим отрицательный щуп, а позваниваем – положительным. Этим способом и определяется p-n-p или n-p-n проводимость транзистора.


3) Для окончательного определения цоколевки (распиновки) транзистора осталось найти ЭМИТЕР и КОЛЛЕКТОР. Для этого тестер переключаем в режим измерения максимального сопротивления и крепим щупы на предполагаемом ЭМИТЕРЕ и КОЛЛЕКТОРЕ. Уменьшение сопротивления (n-p-n типа транзистора) тестер покажет при подключении положительного «+» щупа КОЛЛЕКТОРУ и замыкании его с БАЗОЙ. Уменьшение сопротивления должно произойти до нескольких кОм, по сравнению с замыканием ЭМИТЕРА с БАЗОЙ. Аналогичная процедура проделывается для определения цоколевки (распиновки) транзистора p-n-p типа, только вместо положительного, используют отрицательный щуп.

 

Страницы:

Как определить выводы транзистора, цоколевка

Как определить выводы транзистора мультиметром

Иногда бывают ситуации, когда необходимо определить выводы транзистора, где  находится база, коллектор и эмиттер, а справочной информации об этом под рукой нет. Но здесь нет ничего  сложного если под рукой есть мультиметр или тестер.

Итак, как определить выводы у транзистора, базу, коллектор и эмиттер мультиметром?

В первую очередь, нужно определить вывод базы. Для этого плюсовым (красным) щупом мультиметра касаемся, одного из выводов транзистора, например левого, а минусовым (черным)  касаемся остальных выводов.  При этом смотрим, какую величину сопротивления показывает мультиметр. Затем касаемся плюсовым среднего вывода, а минусовым левого и правого. Продолжаем менять местами щупы до тех пор пока не найдем такое положение щупов, при котором касаясь щупом одного из выводов, а другим двух остальных, мультиметр будет показывать некоторое сопротивление.


Например на фотографии видно, что касаясь плюсовым щупом среднего вывода, а минусовым левого и правого, мультиметр показывает сопротивление переходов.

Отсюда делаем вывод, от то базой данного транзистора является средний вывод.

Теперь анализируя значение сопротивлений переходов нетрудно определить где у транзистора находится эмиттер. Дело в том, что значения сопротивлений база — эмиттер и база — коллектор неодинаковое. У перехода база — эмиттер это значение будет больше. На фотографии видно, что между базой (средний вывод) и правым выводом сопротивление перехода больше, значит это и есть эмиттер.

У транзисторов имеющих теплоотвод для установки на радиатор, вывод коллектора напрямую связан с корпусом и находится в середине между базой и эмиттером. Зная расположение коллектора, базу и эмиттер определить будет и вовсе легко.

Отсюда можно определить, что это за транзистор (его структуру), p-n-p (прямой) или n-p-n (обратный). База определилась плюсовым выводом

n-p-n обратный транзистор

(красным), это соответствует n-p-n обратному транзистору.

p-n-p прямой транзистор

Если база определилась минусовым щупом, то это p-n-p транзистор. Рис. выше.

Урок 2.5 — Транзисторы и микросхемы

Транзистор

Я очень долго думал, как объяснить простыми человеческими словами, что же такое транзистор. Даже если рассказывать о транзисторе очень-очень поверхностно, мне придётся написать не менее пяти листов, используя заумные термины.

Потом меня осенило: ведь главная цель моего обзора – не дать академические знания (за ними пожалуйте в университет или хотя бы в Википедию), а научить начинающего радиолюбителя хотя бы отличать транзистор от конденсатора и резистора, чтобы успешно собрать свои первые конструкции (например, наборы Мастер Кит).

Поэтому лучше всего сказать так: транзисторы – это радиодетальки с тремя выводами, предназначенные для усиления и преобразования сигналов. Так они могут выглядеть в жизни:

 

 

Так обозначается транзистор на схеме:

У транзистора, как мы уже поняли, три вывода: база (B), коллектор (C), эмиттер (E).
На базу обычно подаётся входной сигнал, с коллектора — снимается усиленный сигнал, а эмиттер является общим проводом схемы. Конечно, это очень примитивное описание принципов работы транзистора, и вообще есть очень много нюансов, но мы уже договорились, что я не буду мучить вас чтением многостраничного труда.


На самой радиодетали выводы никак не маркированы. Какого-либо стандарта расположения выводов тоже нет. Так как же определить, где какой вывод?
Придётся воспользоваться справочной информацией: на каждый транзистор имеется так называемый даташит, или, иными словами, паспорт радиодетали. В даташите приводится вся информация по транзистору: максимально допустимые ток и напряжение, коэффициент усиления, расположение выводов и многое-многое другое. Даташиты проще всего искать в сети Интернет, также основные параметры транзисторов можно найти в радиолюбительской литературе.

 

Взаимозаменяемость транзисторов

Так как транзистор имеет гораздо более сложное устройство и больше значащих параметров, чем резистор, конденсатор или диод, подобрать допустимую замену отсутствующему компоненту непросто. Как минимум, у заменяемого транзистора должен быть такой же тип корпуса и цоколёвка (расположение выводов). Новый транзистор должен иметь такую же структуру: NPN или PNP. Кроме того, необходимо учитывать электрические параметры: допустимые токи, напряжения, в некоторых случаях – граничную частоту и т.п.
Иногда разработчик схемы делает этот труд за вас, предлагая возможные аналоги транзистора. В сети Интернет и в радиолюбительской литературе также имеются справочные таблицы с информацией о возможных аналогах транзисторов.
В наборы Мастер Кит также иногда вкладываются вместо оригинальных (временно отсутствующих на складе) транзисторов их аналоги, и такая замена не ухудшает качества работы готовой конструкции.

 

Установка транзистора на печатную плату

 Вообще же, для успешной сборки набора Мастер Кит необязательно знать, где какой вывод у транзистора. Достаточно совместить «ключи» на транзисторе и на печатной плате – и выводы транзистора «автоматически» установятся так, как положено.

Посмотрите на рисунок. У транзистора есть «ключ» — при взгляде на него сверху явно видно, что корпус полукруглый. Такой же «ключ» имеется на печатной плате. Для корректной установки транзистора достаточно совместить «ключи» на транзисторе и на печатной плате:

 

Микросхема


Микросхема – это уже почти готовое устройство, или, образно говоря, электронный полуфабрикат.

Микросхема содержит в себе электронную схему, выполняющую определённую функцию: это может быть логическое устройство, преобразователь уровней, стабилизатор, усилитель. Внутри микросхемы размером с ноготь могут содержаться десятки (а иногда и сотни, миллионы и миллиарды) резисторов, диодов, транзисторов и конденсаторов.

Микросхемы выпускаются в различных корпусах и имеют разное количество выводов. Вот некоторые примеры микросхем, с которыми может работать начинающий радиолюбитель:

 


Цоколёвка микросхемы

Выводы нумеруются против часовой стрелки начиная с левого верхнего. Первый вывод определяется с помощью «ключа» — выемки на краю корпуса или точки в виде углубления.


Взаимозаменяемость микросхем

Микросхема – это узкоспецифическая готовая электронная схема, содержащая в себе огромное количество элементов, и в общем случае каждая микросхема уникальна.
Но всё же в некоторых случаях можно подобрать замену. Разные производители могут выпускать одинаковые микросхемы. Проблема только в том, что не существует никакой унификации в названии (иногда, но не обязательно, могут совпадать цифры наименований). Например, MA709CH, MC1709G, LM 1709L SN72710L, К153УД1А/Б — это одна и та же микросхема разных фирм-производителей.

В некоторых случаях в наборы Мастер Кит также могут входить аналоги микросхем. Это нормально, и не ухудшает характеристик готовой схемы.


Микросхемы — стабилизаторы напряжения

Микросхемы стабилизаторов напряжения имеют три вывода, поэтому их легко можно перепутать с транзистором. Но в корпусе этого маленького компонента могут содержаться десятки транзисторов, резисторов и диодов. Например, на рисунке ниже представлена микросхема 78L05. Вы можете подавать на её вход напряжение от 5 до 30В, на выходе же микросхемы будет присутствовать неизменное напряжение 5В, при этом нагрузочная способность микросхемы – 100 мА. Подобный стабилизатор выпускается и в более мощной версии – до 1А нагрузочной способности, называется он 7805 и имеет более крупный корпус.

 

 

 

Установка микросхемы на печатную плату

На микросхеме и на печатной плате имеются «ключи», и при установке микросхемы на плату обязательно требуется их совмещать, как показано на рисунке ниже:

 

Скачать урок в формате PDF

Распиновка, схемы, аналоги и спецификации

Конфигурация контактов

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Коллектор

Ток протекает через коллектор

2

База

Управляет смещением транзистора

3

Излучатель

Ток утечки через эмиттер

Характеристики транзистора

BC547

  • Биполярный NPN-транзистор
  • Коэффициент усиления постоянного тока (h FE ) не более 800
  • Постоянный ток коллектора (I C ) составляет 100 мА
  • Базовое напряжение эмиттера (В BE ) составляет 6 В
  • Базовый ток (I B ) не более 5 мА
  • Доступен в пакете To-92

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных в конце этой страницы.

Эквивалентные транзисторы BC547

BC549, BC636, BC639, 2N2222 TO-92 , 2N2222 TO-18, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200

Краткое описание BC547

BC547 — это NPN-транзистор , поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (с обратным смещением), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (с прямым смещением), когда на базовый вывод подается сигнал.BC547 имеет значение усиления от 110 до 800, это значение определяет усилительную способность транзистора. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 100 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 100 мА, с помощью этого транзистора. Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (I B ) должен быть ограничен до 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать максимум 100 мА через коллектор и эмиттер.Эта стадия называется Область насыщения , и типичное допустимое напряжение на коллектор-эмиттер (V CE ) или база-эмиттер (V BE ) может составлять 200 и 900 мВ соответственно. Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот каскад называется областью отсечки , и напряжение на базе эмиттера может составлять около 660 мВ.

BC547 в качестве коммутатора

Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в области насыщения и отсечки , как описано выше.Как обсуждалось, транзистор будет действовать как открытый переключатель во время прямого смещения и как замкнутый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи необходимого количества тока на базовый вывод. Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что превышает 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом. Номинал этого резистора (R B ) можно рассчитать по формулам ниже.

R B = V BE / I B

Где значение V BE должно быть 5 В для BC547 и тока базы (I B зависит от тока коллектора (I C ).Значение I B не должно превышать мА.

BC547 в качестве усилителя

Транзисторы

A действуют как усилители при работе в активной области . Он может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях.

Некоторые из конфигураций, используемых в схемах усилителя:

  1. Усилитель с общим эмиттером
  2. Усилитель с общим коллектором
  3. Усилитель с общей базой

Из вышеперечисленных типов наиболее распространенной и наиболее часто используемой конфигурацией является тип эмиттера.При использовании в качестве усилителя коэффициент усиления по постоянному току транзистора может быть рассчитан с использованием следующих формул

Коэффициент усиления постоянного тока = ток коллектора (I C ) / базовый ток (I B )

Приложения

  • Драйверные модули, такие как драйвер реле, светодиодный драйвер и т. Д.
  • Модули усилителей, такие как усилители звука, усилители сигнала и т. Д.
  • Дарлингтон пара

2D модель детали

Если вы разрабатываете плату PCD или Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

Распиновка транзистора

S8550, техническое описание, характеристики и образец схемы

Конфигурация выводов S8550

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Излучатель

Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей

2

База

Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

3

Коллектор

Ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке

Характеристики

  • Низкое напряжение, сильноточный транзистор PNP
  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 500 мА
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) -25 В
  • Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет -40 В
  • Базовое напряжение эмиттера (VBE0) составляет -5 В
  • Коэффициент усиления по току (hFE), от 85 до 300
  • Обычно используются как двухтактные транзисторы класса B
  • Доступен в пакете To-92

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных транзистора S8550 , приведенной в конце этой статьи.

Дополнительный транзистор NPN для S8550

S8050

Транзистор, эквивалентный S8550

BC527, KSA708, MPS750

Альтернативные транзисторы PNP

BC557, 2N3906, A1015, 2SA1943, BD140

Краткое описание транзистора S8550

S8550 — это транзистор PNP , поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (обратное смещение), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут замкнуты (прямое смещение), когда сигнал подается на базовый вывод.Он имеет максимальное значение усиления 300; это значение определяет усилительную способность транзистора обычно S8550. Поскольку он очень высокий, его обычно используют для усиления.

Когда этот транзистор полностью смещен, через коллектор и эмиттер может протекать максимум 700 мА. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 20 В и 30 В соответственно. Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется зоной отсечки.

S8550 в двухтактной конфигурации

Как упоминалось в характеристиках , транзистор S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.

Двухтактный усилитель, широко известный как усилитель класса B, представляет собой тип многокаскадного усилителя, обычно используемого для усиления звука в громкоговорителях. Он очень прост в сборке и требует работы двух идентичных дополнительных транзисторов.Под дополнительным значением это означает, что нам нужен транзистор NPN и эквивалентный ему транзистор PNP. Как и здесь, NPN-транзистор будет S8050, а его эквивалентный PNP-транзистор будет S8550. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.

Приложения

  • Схемы усиления звука
  • Усилители класса B
  • Двухтактные Транзисторы
  • Схемы, где требуется высокий коэффициент усиления
  • Приложения с низким уровнем сигнала

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из S8550 Datasheet будет полезен, чтобы узнать его тип корпуса и размеры.

2N3904 Распиновка транзистора, эквивалент, характеристики и техническое описание

2N3904 Конфигурация контактов:

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Излучатель

Ток утечки через эмиттер

2

База

Управляет смещением транзистора

3

Коллектор

Ток протекает через коллектор

Характеристики:

  • Биполярный NPN-транзистор
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) не более 300
  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 200 мА
  • Напряжение базового эмиттера (VBE) 6 В
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) 40V
  • Напряжение коллектор-база (VCB) 60 В
  • Доступен в пакете To-92

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных 2N3904 , приведенной в конце этой страницы.

2N3904 эквивалентные NPN транзисторы:

BC549, BC636, BC639, 2N2222 TO-92, 2N2222 TO-18, 2N2369, 2N3055, 2N3906, 2SC5200

Краткое описание 2N3904:

2N3904 — это NPN-транзистор , поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (обратное смещение), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут замкнуты (прямое смещение), когда сигнал подается на базовый вывод.2N3904 имеет значение усиления 300; это значение определяет усилительную способность транзистора. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 200 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 200 мА, с помощью этого транзистора. Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен до 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, через коллектор и эмиттер может протекать максимум 200 мА. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 40 В и 60 В соответственно.Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется областью отсечки, и напряжение на базе эмиттера может составлять около 600 мВ.

2N3904 как коммутатор:

Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в области насыщения и отсечки, как описано выше. Как уже говорилось, транзистор будет действовать как разомкнутый переключатель во время прямого смещения и как замкнутый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи необходимого количества тока на базовый вывод.Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что превышает 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом. Значение этого резистора (RB) можно рассчитать по формулам ниже.

РБ = VBE / IB

Где значение VBE должно быть 5 В для 2N3904 и тока базы (IB зависит от тока коллектора (IC). Значение IB не должно превышать мА.

2N3904 в качестве усилителя:

A Транзисторы действуют как усилители при работе в активной области. Он может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях.

Некоторые из конфигураций, используемых в схемах усилителя:

  1. Усилитель с общим эмиттером
  2. Усилитель с общим коллектором
  3. Усилитель с общей базой

Из вышеперечисленных типов наиболее распространенной и наиболее часто используемой конфигурацией является тип эмиттера.При использовании в качестве усилителя коэффициент усиления по постоянному току транзистора может быть рассчитан с использованием следующих формул

Коэффициент усиления постоянного тока = ток коллектора (IC) / базовый ток (IB)

Заявки:

  • Драйверные модули, такие как драйвер реле, драйвер светодиода и т. Д.
  • Модули усилителя, такие как усилители звука, усилители сигнала и т. Д.
  • VCB и VBE имеют высокий уровень, поэтому могут использоваться для управления нагрузками напряжением до 40 В
  • Обычно используется в телевизорах и другой бытовой технике

2D модель детали:

Если вы разрабатываете печатную или перфорированную плату с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы транзистора 2N3904 будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

Распиновка транзистора

BC547, эквивалент, применение, особенности и применение

В этом посте вы найдете распиновку транзистора BC547, эквиваленты, использование, особенности, приложения, подробности о том, где и как использовать этот транзистор в электронной схеме.

Характеристики / технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-92
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (I C ): 100 мА
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 45 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 50 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 В
  • Макс.рассеиваемая мощность коллектора (шт.): 500 милВт
  • Максимальная частота перехода (fT): 300 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 110-800
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -65 до +150 по Цельсию

PNP Дополнительный:

PNP Дополнительным к BC547 является BC557

Аналог:

2N2222, 2N3904, 2N4401, BC337 (Конфигурация выводов некоторых транзисторов отличается от BC547, проверьте конфигурацию выводов перед заменой в цепи)

BC547 Транзистор объяснен / Описание:

BC547 — это транзистор BJT NPN общего назначения, который в основном используется любителями электроники и образовательными электронными проектами.Помимо этих применений, он также может использоваться в коммерческих схемах. Он поставляется в упаковке TO-92, и максимальный выходной ток, который может выдержать этот транзистор, составляет 100 мА. Транзистор имеет очень хорошее усиление по постоянному току и низкий уровень шума, что делает его идеальным для использования в каскадах усиления сигнала. Типичное напряжение насыщения составляет всего 90 милливольт, что также является хорошим знаком для использования его в качестве переключателя.

Где и как использовать:

BC547 — широко используемый транзистор, и его можно использовать в любом приложении общего назначения, он также может использоваться в качестве замены и замены многих транзисторов, поэтому его можно использовать в различных электронных схемах, например, переключать небольшую нагрузку на очень низкое входное напряжение и ток, а также при усилении небольших звуковых и других сигналов.Максимальная переходная частота транзистора составляет 300 МГц, поэтому он также будет хорошо работать в ВЧ-цепях с частотой ниже 300 МГц.

Приложения:

Цепи датчика

Цепи звукового предусилителя

Ступени усилителя звука

Коммутационная нагрузка до 100 мА

Пары транзисторов Дарлингтона

Радиочастотные цепи

Как безопасно продолжать работу в цепи:

При длительной работе в цепи важно не увеличивать нагрузку на нее более чем на 100 мА и не превышать напряжение на этом транзисторе до 45 В постоянного тока.Всегда используйте подходящий базовый резистор, чтобы обеспечить требуемый ток для насыщения. Не используйте и не храните его при температуре выше +150 по Цельсию и ниже -65 по Цельсию. Перед включением цепи всегда проверяйте выводы эмиттера и базы коллектора. Если вы случайно вставили неправильную схему в цепь, проверьте ее работоспособность еще раз, потому что размещение неправильных контактов иногда приводит к ожогу внутренней схемы транзистора или его ослаблению.

2N2222 Распиновка транзистора, эквивалент, особенности, применение и применение

Распиновка транзистора

2N2222, аналог, особенности, применение, применение, описание транзистора и информация о том, как и где его использовать.

Характеристики / технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-92
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (I C ): 600 мА
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 40 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 75V
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 В
  • Макс.рассеиваемая мощность коллектора (шт.): 625 милливатт
  • Максимальная частота перехода (fT): 300 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 35-300
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

PNP Дополнительный:

PNP Дополнением к 2N2222 является 2N2907

Аналог:

2N2219, 2N1613, 2N2218, 2N2792, NTE123A, 2N3904 (конфигурация контактов НЕКОТОРЫХ транзисторов отличается от 2N2222, проверьте конфигурацию контактов перед заменой в цепи)

2N2222 Транзистор объяснено / Описание:

2N2222 также является одним из широко используемых транзисторов в коммерческих приборах, образовательных и хобби-проектах.Транзистор содержит одни из лучших функций в своем маленьком корпусе. Например, ток коллектора транзистора составляет 600 мА, что неплохо для использования его в качестве переключателя для одновременного управления множеством нагрузок в электронной схеме. Максимальное рассеивание коллектора транзистора составляет 625 мВт, что делает этот транзистор идеальным для использования в каскадах аудиоусилителя и в качестве выходного усилителя для управления небольшим аудио динамиком. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер транзистора составляет 40 В, поэтому пользователь может использовать его в любой цепи, работающей под напряжением 40 В постоянного тока.

Где и как использовать:

Благодаря своим хорошим характеристикам 2N2222 может использоваться в самых разных электронных проектах, большой ток коллектора 600 мА делает этот транзистор идеальным для использования в ваших электронных проектах для управления реле, светодиодами высокой мощности, другими мощными транзисторами и ИС одновременно. время. 2N2222 также может использоваться для усиления аудиосигналов, например, его можно использовать в каскадах предусилителя звука, а также в каскадах аудиоусилителя.Его также можно использовать в качестве небольшого аудиоусилителя или для управления небольшим динамиком в электронных проектах.

Приложения:

Предварительные усилители звука

Ступени усилителя звука

Коммутация множества нагрузок одновременно (благодаря выходу 600 мА в небольшом корпусе TO-92)

Пары Дарлингтона

RF схемы

Цепи датчика

Как безопасно продолжать работу в цепи:

Чтобы получить максимальную производительность с транзистором 2N2222, пользователь не должен устанавливать нагрузку более 600 мА, напряжение коллектор-эмиттер транзистора должно быть ниже 40 В.Используйте подходящий базовый резистор, который обеспечивает требуемый ток на базе транзистора. Не храните и не используйте транзистор ниже -55 и выше +150 по Цельсию.

Распиновка транзистора

S8050, эквивалент, применение, особенности и применение

В этом сообщении описывается распиновка транзистора S8050, эквивалент, использование, функции и приложения, а также другая полезная информация об этом транзисторе.

Характеристики / технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-92
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (I C ): 0.7 А или 700 мА
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 20 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 30 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VBE): 5 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 1 Вт
  • Максимальная частота перехода (fT): 100 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 40 — 400
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации Должна быть: от -65 до +150 по Цельсию

PNP Дополнительный:

PNP Дополнительным к S8050 является S8550

Аналог:

9013, 9014 и 2N5551 являются прямой заменой штифта S8050

S8050 Транзистор объяснено / Описание:

S8050 — обычно используемый транзистор NPN.Этот транзистор разработан для усиления звука и широкого спектра применений общего назначения в электронных схемах, например, для коммутации. Его ток коллектора составляет 0,7 А или 700 мА, поэтому он может пропускать максимальный ток 700 мА через контакты коллектора и эмиттера. Следовательно, мы можем управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 700 мА. Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропускать через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В, поэтому вы можете использовать этот транзистор только в схемах, работающих под напряжением ниже 20 В. Нормальное значение усиления транзистора составляет 110, а максимальное значение усиления — 400.Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое вы можете получить от транзистора в электронной схеме.

Где и как использовать:
Транзистор

S8050 — транзистор общего назначения, это идеальный транзистор для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных схемах для включения нагрузок до 700 мА. 700 мА достаточно для работы с различными нагрузками, например, реле, светодиоды, лампы и т. Д.Его также можно использовать как усилитель в небольших каскадах усиления или как отдельный усилитель небольшого сигнала.

Приложения:

Усилители класса B

Двухтактные контуры

Переключатель малых нагрузок

Усиление сигналов с низким усилением до высокого усиления

Как безопасно долго работать в цепи:

Чтобы безопасно использовать этот транзистор в вашей схеме или электронных проектах, не используйте этот транзистор при напряжении выше 20 В и не используйте нагрузку более 700 мА или 0.7А. Используйте подходящий базовый резистор, который ограничит базовый ток до требуемого уровня. Не подвергайте его воздействию тепла выше 150 и ниже -60 по Цельсию.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.