Главная » Разное » Транзистор уго гост: ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые

Транзистор уго гост: ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые

| – Комментировать

Содержание

ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ

ГОСТ 2.730-73

ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ

Москва

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Единая система конструкторской документации

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ
В СХЕМАХ.
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Unified system for design documentation.


Graphical symbols in diagrams.
Semiconductor devices

ГОСТ
2.730-73

Дата введения 1974-07-01

1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.

(Измененная редакция, Изм. № 3).

2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.

Таблица 1

Наименование

Обозначение

1. (Исключен, Изм. № 2).

2. Электроды:

база с одним выводом

база с двумя выводами

Р -эмиттер с N -областью

N -эмиттер с Р-областью

несколько Р-эмиттеров с N -областью

несколько N -эмиттеров с Р-областью

коллектор с базой

несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе

3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N -области и наоборот

область собственной электропроводности ( I -область):

l) между областями с электропроводностью разного типа  PIN или NIP

2) между областями с электропроводностью одного типа  PIP или NIN

3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью  PIN или NIP

4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа  PIP или NIN

4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа

обедненного типа

5. Переход PN

6. Переход NP

7. Р-канал на подложке N -типа, обогащенный тип

8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип

9.

Затвор изолированный

10. Исток и сток

Примечание . Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например:

11. Выводы полупроводниковых приборов:

электрически, не соединенные с корпусом

электрически соединенные с корпусом

12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку

(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).

3, 4. (Исключены, Изм. № 1).

5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.

Таблица 4

Наименование

Обозначение

1. Эффект туннельный

а) прямой

б) обращенный

2. Эффект лавинного пробоя:

а) односторонний

б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2).

9. Эффект Шоттки

6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.

Таблица 5

Наименование

Обозначение

1. Диод

Общее обозначение

2. Диод туннельный

3. Диод обращенный

4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)

а) односторонний

б) двухсторонний

5. Диод теплоэлектрический

6. Варикап (диод емкостный)

7. Диод двунаправленный

8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами

8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами

9. Диод Шотки

10. Диод светоизлучающий

7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.

Таблица 6

Наименование

Обозначение

1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении

2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении

3. Тиристор диодный симметричный

4. Тиристор триодный. Общее обозначение

5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду

по катоду

6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение

запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду

запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду

7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении:

общее обозначение

с управлением по аноду

с управлением по катоду

8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак

9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении

Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.

8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р- N -переходами приведены в табл. 7.

Таблица 7

Наименование

Обозначение

1. Транзистор

а) типа PNP

б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана

2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом

3. Транзистор лавинный типа NPN

4. Транзистор однопереходный с N-базой

5. Транзистор однопереходный с Р-базой

6. Транзистор двухбазовый типа NPN

7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области

8. Транзистор двухразовый типа P NIN с выводом от I -области

9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN

Примечание. При выполнении схем допускается:

а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,

б) изображать корпус транзистора.

Таблица 8

Наименование

Обозначение

1. Транзистор полевой с каналом типа N

2. Транзистор полевой с каналом типа Р

3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки:

а) обогащенного типа с Р-каналом

б) обогащенного типа с N-каналом

в) обедненного типа с Р-каналом

г) обедненного типа с N-каналом

4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки

5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом

6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки

7. Транзистор полевой с затвором Шоттки

8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки

Примечание . Допускается изображать корпус транзисторов.

10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.

Таблица 9

Наименование

Обозначение

1. Фоторезистор:

а) общее обозначение

б) дифференциальный

2. Фотодиод

З. Фототиристор

4. Фототранзистор:

а) типа PNP

б) типа NPN

5. Фотоэлемент

6. Фотобатарея

Таблица 10

Наименование

Обозначение

1. Оптрон диодный

2. Оптрон тиристорный

3. Оптрон резисторный

4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем:

а) совмещенно

б) разнесенно

5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором:

а) с выводом от базы

б) без вывода от базы

Примечания:

1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,

например:

2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:

12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.

Таблица 11

Наименование

Обозначение

1. Датчик Холла

Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника

2. Резистор магниточувствительный

3. Магнитный разветвитель

13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.

Таблица 12

Наименование

Обозначение

1. Однофазная мостовая выпрямительная схема:

а) развернутое изображение

б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение)

Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения.

Пример применения условного графического обозначения на схеме

2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема

3. Диодная матрица (фрагмент)

Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов

14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.

Таблица 13

Наименование

Обозначение

Отпечатанное обозначение

1. Диод

2. Транзистор типа PNР

3. Транзистор типа NPN

4. Транзистор типа PNIP с выводом от I -области

5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN

Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.

15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.

(Измененная редакция, Изм. № 4).

Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4).

Наименование

Обозначение

1. Диод

2.. Тиристор диодный

3. Тиристор триодный

4. Транзистор

5. Транзистор полевой

6. Транзистор полевой с изолированным затвором

(Введено дополнительно, Изм. № 3).

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР

РАЗРАБОТЧИКИ

В. Р. Верченко, Ю. И. Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова

2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002

3 Соответствует СТ СЭВ 661-88

4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы

5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995 г. ) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)

ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые

Текст ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые

ГОСТ 2.730-73

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Издание официальное

Москва

Стандартинформ

2010

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ Приборы полупроводниковые

Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices

ГОСТ

2.730-73

МКС 01. 080.40 31.080

Дата введения 01.07.74

1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.

(Измененная редакция, Изм. № 3).

2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.

Издание официальное

★

Перепечатка воспрещена

© СТАНДАРТИНФОРМ, 2010

09

2 ГОСТ 2.ТЗО-*73

T9

(Измененная редакция, Изм. № 2,3).

3,4. (Исключены, Изм. № 1).

5. Знаки, характеризующие физические свойства иорродниковых прибор, приведены в тайл. 4.

и

О

W

* Таблицы 2,3. (Исключены, Изм. № 1).

ГОСТ 2.730

z:9

Наименование

Обозначение

Наименование

Обозначение

1. Эффект туннельный

2. Эффект лавинного пробоя:

J

а) прямой

]

а) односторонний

б) обращенный

I

б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2).

9. Эффект Шоггки

j

1

4 ГОСТ 2.ТЗО-*73

63

Наименование

Обозначение

Наименование

Обозначение

8а. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами

г

9. Диод Шотки

■ш

й

10. Диод светоизлучающий

*

*

7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.

Таблица 6

Наименование

Обозначение

Наименование

Обозначение

1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении

нн-

5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением:

по аноду

2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении

по катоду

3. Тиристор диодный симметричный

1″и J-

6. Тиристор родный выключаемый:

общее обозначение

1 1 t

4. Тиристор триодный. Общее обозначение

+

запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду

ГОСТ 2.730

64

Примечание. Допускается обозначение тиристора с упрамением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.

I Примеры построения обозначений транзисторов с М-переходами приведены в табл. 7.

6 ГОСТ 2.ТЗО-*73

£9

П р и м е ч а н и е. При выполнении схем допускается:

а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,

б) изображать корпус транзистора.

9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл. I

w

О

Nl

ГОСТ 2.730

99

Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.

10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.

8 ГОСТ 2.ТЗО-*73

2.9

ГОСТ 2.730

68

Примечания:

1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом, При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74, например:

2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:

или

ту

12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.

Ю ГОСТ 2.ТЗО-*73

69

13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.

ГОСТ 2.730-*73 С. 11

70

14. Условные графические обозначения порроводниковых приборов да схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.

ez,—oez-’z: хэол zi

TZ,

Примечание™, 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.

15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2. (Измененная редакция, Изм. № 4).

ПРИЛОЖЕНИЕ I (Исключено, Изм. № 4).

ГОСТ 2.730-*73 С. 13

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Справочное

Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений

Наименование

Обозначение

Наименование

Обозначение

1. Диод

2. Тиристор диодный

4. Транзистор

5. Транзистор полевой

3. Тиристор триодный

6. Транзистор полевой с изолированным затвором

ПРИЛОЖЕНИЕ 2. (Введено дополнительно, Изм. № 3).

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР

2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002

3. Соответствует СТ СЭВ 661—88

4. ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пн. 33 и 34 таблицы

5. ИЗДАНИЕ (апрель 2010 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (НУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91), Поправкой (НУС 3-91)

8. Транзисторы — Условные графические обозначения на электрических схемах — Компоненты — Инструкции


Транзистор (от английских слов tran(sfer) — переносить и (re)sistor — сопротивление) — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Наиболее распространены так называемые биполярные транзисторы. Электропроводность эмиттера и коллектора всегда одинаковая (р или n), базы — противоположная (n или р). Иными словами, биполярный транзистор содержит два р-n-перехода: один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой — с коллектором (коллекторный переход).

 

 Буквенный код транзисторов — латинские буквы VT. На схемах эти полупроводниковые приборы обозначают, как показано на рис. 8.1 [5]. Здесь короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Об электропроводности базы судят по символу эмиттера: если его стрелка направлена к базе (см. рис. 8.1, VT1), то это означает, что эмиттер имеет электропроводность типа р, а база— типа n; если же стрелка направлена в противоположную сторону (VT2), электропроводность эмиттера и базы обратная.

 
 Знать электропроводность эмиттера базы и коллектора необходимо для того, чтобы правильно подключить транзистор к источнику питания. В справочниках эту информацию приводят в виде структурной формулы. Транзистор, база которого имеет электропроводимость типа n, обозначают формулой р-п-р, а транзистор с базой, имеющей электропроводность типа р, обозначают формулой n-р-n. В первом случае на базу и коллектор следует подавать отрицательное по отношению к эмиттеру напряжение, во втором — положительное.    

 
 Для наглядности условное графическое обозначение дискретного транзистора обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Иногда металлический корпус соединяют с одним из выводов транзистора. На схемах это показывается точкой в месте пересечения соответствующего вывода с символом корпуса. Если же корпус снабжен отдельным выводом, линию-вывод допускается присоединять к кружку без точки (VT3 на рис. 8.1). В целях повышения информативности схем рядом с позиционным обозначением транзистора допускается указывать его тип.

 

 Линии электрической связи, идущие от эмиттера и коллектора проводят в одном из двух направлений: перпендикулярно или параллельно выводу базы (VT3—VT5). Излом вывода базы допускается лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (VT4).

 
 Транзистор может иметь несколько эмиттерных областей (эмиттеров). В этом случае символы эмиттеров обычно изображают с одной стороны символа базы, а окружность обозначения корпуса заменяют овалом (рис. 8.1, VT6).

 
 Стандарт допускает изображать транзисторы и без символа корпуса, например, при изображении бескорпусных транзисторов или когда на схеме необходимо показать транзисторы, входящие в состав сборки транзисторов или интегральной схемы.

 

 Поскольку буквенный код VT предусмотрен для обозначения транзисторов, выполненных в виде самостоятельного прибора, транзисторы сборок обозначают одним из следующих способов: либо используют код VT и присваивают им порядковые номера наряду с другими транзисторами (В этом случае на поле схемы помещают такую, например, запись: VT1-VT4 К159НТ1), либо используют код аналоговых микросхем (DA) и указывают принадлежность транзисторов в сборке в позиционном обозначении (рис. 8.2, DA1.1, DA1.2). У выводов таких транзисторов, как правило, приводят условную нумерацию, присвоенную выводам корпуса, в котором выполнена матрица.

 
 Без символа корпуса изображают на схемах и транзисторы аналоговых и цифровых микросхем (для примера на рис. 8.2 показаны транзисторы структуры п-р-п с тремя и четырьмя эмиттерами).

 

 Условные графические обозначения некоторых разновидностей биполярных транзисторов получают введением в основной символ специальных знаков. Так, чтобы изобразить лавинный транзистор, между символами эмиттера и коллектора помещают знак эффекта лавинного пробоя (см. рис. 8.3, VT1, VT2). При повороте УГО положение этого знака должно оставаться неизменным.

 
 Иначе построено УГО однопереходного транзистора: у него один р-п-переход, но два вывода базы. Символ эмиттера в УГО этого транзистора проводят к середине символа базы (рис. 8.3, VT3, VT4). Об электропроводности последней судят по символу эмиттера (направлению стрелки).

 
 На символ однопереходного транзистора похоже УГО большой группы транзисторов с p-n-переходом, получивших название полевых. Основа такого транзистора — созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью п или р-типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод — затвор. Канал изображают так же, как и базу биполярного транзистора, но помещает в середине кружка-корпуса (рис. 8.4, VT1), символы истока и стока присоединяют к нему с одной стороны, затвора — с другой стороны на продолжении линии истока. Электропроводность канала указывают стрелкой на символе затвора (на рис. 8.4 условное графическое обозначение VT1 символизирует транзистор с каналом п-типа, VT1 — с каналом p-типа).

 

 В условном графическом обозначении полевых транзисторов с изолированным затвором (его изображают черточкой, параллельной символу канала с выводом на продолжении линии истока) электропроводность канала показывают стрелкой, помещенной между символами истока и стока. Если стрелка направлена к каналу, то это значит, что изображен транзистор с каналом n-типа, а если в противоположную сторону (см. рис. 8.4, VT3) —  с каналом p-типа. Аналогично поступают при наличии вывода от подложки (VT4), а также при изображении полевого транзистора с так называемым индуцированным каналом, символ которого — три коротких штриха (см. рис. 8.4, VT5, VT6). Если подложка соединена с одним из электродов (обычно с истоком), это показывают внутри УГО без точки (VT1, VT8).

 
 В полевом транзисторе может быть несколько затворов. Изображают их более короткими черточками, причем линию-вывод первого затвора обязательно помещают на продолжении линии истока (VT9).

 
 Линии-выводы полевого транзистора допускается изг[цензура] лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (см. рис. 8.4, VT2). В некоторых типах полевых транзисторов корпус может быть соединен с одним из электродов или иметь самостоятельный вывод (например, транзисторы типа КПЗ03).

 
 Из транзисторов, управляемых внешними факторами, широкое применение находят фототранзисторы. В качестве примера на рис. 8.5 показаны условные графические обозначения фототранзисторов с выводом базы (FT1, VT2) и без него (К73). Наряду с другими полупроводниковыми приборами, действие которых основано на фотоэлектрическом эффекте, фототранзисторы могут входить в состав оптронов. УГО фототранзистора в этом случае вместе с УГО излучателя (обычно светодиода) заключают в объединяющий их символ корпуса, а знак фотоэффекта — две наклонные стрелки заменяют стрелками, перпендикулярными символу базы.

 

 

 

 Для примера на рис. 8.5 изображена одна из оптопар сдвоенного оптрона (об этом говорит позиционное обозначение U1.1), Аналогично строится У ГО оптрона с составным транзистором (U2).

 

УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СХЕМ

УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СХЕМ

2.1. Символы общего применения (ГОСТ 2.721-74)

2.2. Резисторы (ГОСТ 2. 728-74)

2.3. Конденсаторы (ГОСТ 2.728-74)

2.4. Катушки индуктивности, дроссели и трансформаторы (ГОСТ 2.723-69)

2.5. Устройства коммутации (ГОСТ 2.755-74, ГОСТ 2.756-76)

2.6. Полупроводниковые приборы (ГОСТ 2.7З0-73)

2.7. Электровакуумные приборы (ГОСТ 2.731-81)

2.8. Электроакустические приборы (ГОСТ 2.741-68*)

2.9. Пьезоэлектрические устройства, измерительные приборы, источники питания (ГОСТ 2.736-68, ГОСТ 2.729-68, ГОСТ 2.742-68, ГОСТ 2.727-68)

2.10. Электрические машины (ГОСТ 2.722-68*)

Вопросы для самопроверки

Символы общего применения (ГОСТ 2.721-74)

Для построения УГО с уточнением особенностей элементов схем используют базовые символы и различные знаки. Большое распространение в схемах радиоустройств, электротехнических изделий имеют знаки регулирования – различные стрелки, пересекающие исходный символ или входящие в него, пересекающие исходный символ под углом 45°, указывающие на переменный параметр элемента схемы (рис. 2.1, а).

Стрелка может быть дополнена знакоцифровым символом. Так, на рис. 2.1, б, в, г показан характер регулирования: линейный, ступенчатый, 8-ступенчатый. На рис. 2.1, д стрелка дополнена условием регулирования. Стрелка с изломом на рис. 2.1, е, ж, и и надпись указывают, что параметр регулирования изменяется по определенному закону. Стрелки на рис. 2.1, к, л, м указывают на подстроечное регулирование. В верхней части стрелки возможно присутствие символа, указывающего на расположение регулирующего элемента в данном из­делии: на лицевой панели, задней панели или внутри. Символы общего применения составляют знаки, указывающие направление движения: механических перемеще­ний, магнитных, световых потоков и т. д.

 

 

а б в г д е
 
ж и к л м

 

 

Рис. 2.1. Знаки регулирования

 

На рис. 2.2 показаны обозначения вращательного (рис. 2.2, а), качательного (рис. 2.2, б), сложного (рис. 2.2, в) движений, направление восприятия магнитного сигнала (рис. 2.2, г) и светового потока (рис. 2.2, д).


а б в г д

Рис. 2.2. Знаки, указывающие направление движения

 

Составной частью символов некоторых элементов явля­ется знак, указывающий на способ управления подвижными элементами схемы. На рис. 2.3 приведены обозначения руч­ного нажатия (рис. 2.3, а) или вытягивания (рис. 2.3, б), поворота (рис. 2.3, в), ножного привода (рис. 2.3, г) и фиксации движения (рис. 2.3, д).

 

а б в г д

 

Рис. 2.3. Знаки, указывающие на способ управления

 

УГО элементов электрических схем выделены в группы и сведены в таблицы для лучшего восприятия. В таблицах даны рекомендуемые размеры УГО для выполнения схем радиоустройств и электротехнических изделий. При выполнении чертежей – плакатов – в курсовом и дипломном проектировании следует обратиться к литературе [2], в которой даны построения УГО по основным фигурам А и В, показывающим пропорциональные отношения элементов.

 

Резисторы (ГОСТ 2.728-74)

Основное назначение резисторов – оказывать активное сопротивление в электрической цепи. Параметром резистора является активное сопротивление, которое измеряется в омах, килоомах (1000 Ом) и мегаомах (1000000 Ом).

Резисторы подразделяются на постоянные, переменные, подстроечные и нелинейные (табл. 2.1). По способу исполнения различают резисторы проволочные и непроволочные (металлопленочные).

Буквенно-цифровое позиционное обозначение резисторов состоит из латинской буквы R и порядкового номера по схеме.

Таблица 2.1

УГО резисторов

 

Конденсаторы (ГОСТ 2.728-74)

Конденсаторы – это радиоэлементы с сосредоточенной электрической емкостью, образуемой двумя и более электродами, разделенными диэлектриком. Различают конденсаторы постоянной емкости, переменной (регулируемые) и саморегулируемые. Конденсаторы постоянной большой емкости чаще всего оксидные и, как правило, имеют полярность подключения к электрической цепи. Емкость их измеряется в фарадах, например, 1 пФ (пикофарада) = 10–12 Ф, 1нФ (нанофарада) = 10-9Ф, 1мкФ (микрофарад) = 10-6 Ф (табл. 2.2). Буквенно-цифровое позиционное обозначение конденсаторов состоит из латинской буквы С и порядкового номера по схеме.

Таблица 2.2

УГО конденсаторов

УГО катушек индуктивности и трансформаторов

УГО устройств коммутации

Окончание табл. 2.4

 

 

 

Большое пополнение происходит и в группе полевых транзисторов, условные графические обозначения которых пока никак не отмечены в отечественных стандартах.

Транзисторы

Транзисторы – полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.

Большую группу этих приборов соста­вляют биполярные транзисторы, имеющие два р–n-перехода: один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой – с коллектором (коллекторный переход).

Транзистор, база которого имеет проводимость типа n, обозначают формулой р–n–р, а транзистор с базой типа р имеет структуру n–р–n(табл. 2.6). Несколько эмиттерных областей имеют транзисторы, входящие в интегральные сборки. Допускается изображать транзисторы по ГОСТ 2.730-73 без символа корпуса для бескорпусных транзисторов и транзисторных матриц.

Таблица 2.6

УГО транзисторов

Окончание табл. 2.6

Таблица 2.7

Электроакустическими называют приборы, преобразующие энергию звуковых или механических колебаний в электрические, и наоборот. Основ-ной буквенный код (кроме приборов сигнализации) – латинская буква В.

Таблица 2.8

Для контроля электрических и неэлектрических величин в технике используют всевозможные приборы, их буквенный код – латинская буква Р, а общее УГО приборов – кружок с двумя разнонаправленными линиями – выводами.

Таблица 2.9

Таблица 2.10

Таблица 2.11

УГО, поясняющие конструкцию электрических машин (ГОСТ 2.722-68*)

Таблица 2.12

Вопросы для самопроверки

 

УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СХЕМ

2.1. Символы общего применения (ГОСТ 2.721-74)

2.2. Резисторы (ГОСТ 2.728-74)

2.3. Конденсаторы (ГОСТ 2.728-74)

2.4. Катушки индуктивности, дроссели и трансформаторы (ГОСТ 2. 723-69)

2.5. Устройства коммутации (ГОСТ 2.755-74, ГОСТ 2.756-76)

2.6. Полупроводниковые приборы (ГОСТ 2.7З0-73)

2.7. Электровакуумные приборы (ГОСТ 2.731-81)

2.8. Электроакустические приборы (ГОСТ 2.741-68*)

2.9. Пьезоэлектрические устройства, измерительные приборы, источники питания (ГОСТ 2.736-68, ГОСТ 2.729-68, ГОСТ 2.742-68, ГОСТ 2.727-68)

2.10. Электрические машины (ГОСТ 2.722-68*)

Вопросы для самопроверки

Обозначение радиоэлементов на схемах | Практическая электроника

В этой статье мы рассмотрим обозначение радиоэлементов на схемах.

С чего начать чтение схем?

Для того, чтобы научиться читать схемы, первым делом, мы должны изучить как выглядит тот или иной радиоэлемент в схеме. В принципе ничего сложного в этом нет. Вся соль в том, что если в русской азбуке 33 буквы, то для того, чтобы выучить обозначения радиоэлементов, придется неплохо постараться. 

До сих пор весь мир не может договориться, как обозначать тот или иной радиоэлемент либо устройство. Поэтому, имейте это ввиду, когда будете собирать буржуйские схемы. В нашей статье мы будем рассматривать наш российский ГОСТ-вариант обозначения радиоэлементов

Изучаем простую схему

Ладно, ближе к делу. Давайте рассмотрим простую электрическую схему блока питания, которая раньше мелькала в любом советском бумажном издании:

Если вы не первый день держите паяльник в руках, то для вас с первого взгляда сразу все станет понятно. Но среди моих читателей есть и те, кто впервые сталкивается с подобными чертежами. Поэтому, эта статья в основном именно для них.

Ну что же, давайте ее анализировать.

В основном, все схемы читаются слева-направо, точно также, как вы читаете книгу. Всякую разную схему можно представить в виде отдельного блока, на который мы что-то подаем и с которого мы что-то снимаем. Здесь у нас схема блока питания, на который мы подаем 220 Вольт из розетки вашего дома, а выходит уже с нашего блока постоянное напряжение. То есть вы должны понимать, какую основную функцию выполняет ваша схема. Это можно прочесть в описании к ней.

Как соединяются радиоэлементы в схеме

Итак, вроде бы определились с задачей этой схемы. Прямые линии – это провода, либо печатные проводники, по которым будет бежать электрический ток. Их задача – соединять радиоэлементы.

Точка, где  соединяются три и более проводников, называется узлом. Можно сказать, в этом месте проводки спаиваются:

Если пристально вглядеться в схему, то можно заметить пересечение двух проводников

Такое пересечение будет часто мелькать в схемах. Запомните раз и навсегда: в этом месте провода не соединяются и они должны быть изолированы друг от друга. В современных схемах чаще всего можно увидеть вот такой вариант, который уже визуально показывает, что соединения между ними отсутствует:

Здесь как бы один проводок сверху огибает другой, и они никак не контактируют между собой.

Если бы между ними было соединение, то мы бы увидели вот такую картину:

Буквенное обозначение радиоэлементов в схеме

Давайте еще раз рассмотрим нашу схему.

Как вы видите, схема состоит из каких-то непонятных значков. Давайте разберем один из них. Пусть это будет значок R2.

Итак, давайте первым делом разберемся с надписями. R  – это значит резистор. Так как у нас он не единственный в схеме, то разработчик этой схемы дал ему порядковый номер “2”. В схеме их целых 7 штук.  Радиоэлементы в основном нумеруются слева-направо и сверху-вниз. Прямоугольник с чертой внутри уже явно показывает, что это постоянный резистор с мощностью рассеивания  в 0,25 Ватт. Также рядом с ним написано 10К, что означает его номинал в 10 Килоом. Ну как-то вот так…

Как же обозначаются остальные радиоэлементы?

Для обозначения радиоэлементов используются однобуквенные и многобуквенные коды. Однобуквенные коды  – это группа, к которой принадлежит тот или иной элемент. Вот основные группы радиоэлементов:

А – это различные устройства (например, усилители)

В – преобразователи неэлектрических величин в электрические и наоборот. Сюда могут относиться различные микрофоны, пьезоэлементы, динамики и тд. Генераторы и источники питания сюда не относятся.

С – конденсаторы

D – схемы интегральные и различные модули

E – разные элементы, которые не попадают ни в одну группу

F – разрядники, предохранители, защитные устройства

G – генераторы, источники питания, кварцевые генераторы

H – устройства индикации и сигнальные устройства, например, приборы звуковой и световой индикации

K – реле и пускатели

L – катушки индуктивности и дроссели

M – двигатели

Р – приборы и измерительное оборудование

Q – выключатели и разъединители в силовых цепях. То есть в цепях, где “гуляет” большое напряжение и большая сила тока

R – резисторы

S – коммутационные устройства в цепях управления, сигнализации и в цепях измерения

T – трансформаторы и автотрансформаторы

U – преобразователи электрических величин в электрические, устройства связи

V  – полупроводниковые приборы

W – линии и элементы сверхвысокой частоты, антенны

X – контактные соединения

Y – механические устройства с электромагнитным приводом

Z – оконечные устройства, фильтры, ограничители

Для уточнения элемента после однобуквенного кода идет вторая буква, которая уже обозначает вид элемента. Ниже приведены основные виды элементов вместе с буквой группы:

BD – детектор ионизирующих излучений

BE – сельсин-приемник

BL – фотоэлемент

BQ – пьезоэлемент

BR – датчик частоты вращения

BS – звукосниматель

BV – датчик скорости

BA – громкоговоритель

BB – магнитострикционный элемент

BK – тепловой датчик

BM – микрофон

BP – датчик давления

BC – сельсин датчик

DA – схема интегральная аналоговая

DD – схема интегральная цифровая, логический элемент

DS – устройство хранения информации

DT – устройство задержки

EL – лампа осветительная

EK – нагревательный элемент

FA – элемент защиты по току мгновенного действия

FP – элемент защиты по току инерционнго действия

FU – плавкий предохранитель

FV – элемент защиты по напряжению

GB – батарея

HG – символьный индикатор

HL – прибор световой сигнализации

HA – прибор звуковой сигнализации

KV – реле напряжения

KA – реле токовое

KK – реле электротепловое

KM – магнитный пускатель

KT – реле времени

PC – счетчик импульсов

PF – частотомер

PI – счетчик активной энергии

PR – омметр

PS – регистрирующий прибор

PV – вольтметр

PW – ваттметр

PA – амперметр

PK – счетчик реактивной энергии

PT – часы

QF – выключатель автоматический

QS – разъединитель

RK – терморезистор

RP – потенциометр

RS – шунт измерительный

RU – варистор

SA – выключатель или переключатель

SB – выключатель кнопочный

SF – выключатель автоматический

SK – выключатели, срабатывающие от температуры

SL – выключатели, срабатывающие от уровня

SP – выключатели, срабатывающие от давления

SQ – выключатели, срабатывающие от положения

SR – выключатели, срабатывающие от частоты вращения

TV – трансформатор напряжения

TA – трансформатор тока

UB – модулятор

UI – дискриминатор

UR – демодулятор

UZ – преобразователь частотный, инвертор, генератор частоты, выпрямитель

VD – диод, стабилитрон

VL – прибор электровакуумный

VS – тиристор

VT – транзистор

WA – антенна

WT – фазовращатель

WU – аттенюатор

XA – токосъемник, скользящий контакт

XP – штырь

XS – гнездо

XT – разборное соединение

XW – высокочастотный соединитель

YA – электромагнит

YB – тормоз с электромагнитным приводом

YC – муфта с электромагнитным приводом

YH – электромагнитная плита

ZQ – кварцевый фильтр

Графическое обозначение радиоэлементов в схеме

Постараюсь привести самые ходовые обозначения элементов, используемые в схемах:

Резисторы и их виды

а) общее обозначение

б) мощностью рассеяния 0,125 Вт

в) мощностью рассеяния 0,25 Вт

г) мощностью рассеяния 0,5 Вт

д) мощностью рассеяния 1 Вт

е) мощностью рассеяния 2 Вт

ж) мощностью рассеяния 5 Вт

з) мощностью рассеяния 10 Вт

и) мощностью рассеяния 50 Вт

Резисторы переменные

Терморезисторы

 

Тензорезисторы

 

Варисторы

Шунт

Конденсаторы

a) общее обозначение конденсатора

б) вариконд

в) полярный конденсатор

г) подстроечный конденсатор

д) переменный конденсатор

Акустика

a) головной телефон

б) громкоговоритель (динамик)

в) общее обозначение микрофона

г) электретный микрофон

Диоды

а) диодный мост

б) общее обозначение диода

в) стабилитрон

г) двусторонний стабилитрон

д) двунаправленный диод

е) диод Шоттки

ж) туннельный диод

з) обращенный диод

и) варикап

к) светодиод

л) фотодиод

м) излучающий диод в оптроне

н) принимающий излучение диод в оптроне

Измерители электрических величин

а) амперметр

б) вольтметр

в) вольтамперметр

г) омметр

д) частотомер

е) ваттметр

ж) фарадометр

з) осциллограф

Катушки индуктивности

а) катушка индуктивности без сердечника

б) катушка индуктивности с сердечником

в) подстроечная катушка индуктивности

Трансформаторы

а) общее обозначение трансформатора

б) трансформатор с выводом из обмотки

в) трансформатор тока

г) трансформатор с двумя вторичными обмотками (может быть и больше)

д) трехфазный трансформатор

Устройства коммутации

а) замыкающий

б) размыкающий

в) размыкающий с возвратом (кнопка)

г) замыкающий с возвратом (кнопка)

д) переключающий

е) геркон

 

Электромагнитное реле с разными группами контактов

Предохранители

а) общее обозначение

б) выделена сторона, которая остается под напряжением при перегорании предохранителя

в) инерционный

г) быстродействующий

д) термическая катушка

е) выключатель-разъединитель с плавким предохранителем

[quads id=1]

Тиристоры

Биполярный транзистор

Однопереходный транзистор

 

Полевой транзистор с управляющим PN-переходом

Моп-транзисторы

IGBT-транзисторы

Фото-радиоэлементы

Фоторезистор

Фотодиод

Фотоэлемент (солнечная панель)

Фототиристор

Фототранзистор

 

Оптоэлектронные приборы

Диодная оптопара

Резисторная оптопара

Транзисторная оптопара

Тиристорная оптопара

Симисторная оптопара

Кварцевый резонатор

Датчик Холла

 

Микросхема

Операционный усилитель (ОУ)

Семисегментый индикатор

Различные лампы

а) лампа накаливания

б) неоновая лампа

в) люминесцентная лампа

Соединение с корпусом (массой)

Земля

Если Вам проще по видео понять, вот можете посмотреть:

Условное графическое обозначение транзистора. Секреты зарубежных радиосхем

Первый транзистор

На фото справа вы видите первый работающий транзистор, который был создан в 1947 году тремя учёными – Уолтером Браттейном, Джоном Бардином и Уильямом Шокли.

Несмотря на то, что первый транзистор имел не очень презентабельный вид, это не помешало ему произвести революцию в радиоэлектронике.

Трудно предположить, какой бы была нынешняя цивилизация, если бы транзистор не был изобретён.

Транзистор является первым твёрдотельным устройством, способным усиливать, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Он не имеет подверженных вибрации частей, обладает компактными размерами. Это делает его очень привлекательным для применения в электронике.

Это было маленькое вступление, а теперь давайте разберёмся более подробно в том, что же представляет собой транзистор.

Сперва стоит напомнить о том, что транзисторы делятся на два больших класса. К первому относятся так называемые биполярные, а ко второму – полевые (они же униполярные). Основой как полевых, так и биполярных транзисторов является полупроводник. Основной же материал для производства полупроводников — это германий и кремний, а также соединение галлия и мышьяка — арсенид галлия (GaAs ).

Стоит отметить, что наибольшее распространение получили транзисторы на основе кремния, хотя и этот факт может вскоре пошатнуться, так как развитие технологий идёт непрерывно.

Так уж случилось, но вначале развития полупроводниковой технологии лидирующее место занял биполярный транзистор. Но не многие знают, что первоначально ставка делалась на создание полевого транзистора. Он был доведён до ума уже позднее. О полевых MOSFET-транзисторах читайте .

Не будем вдаваться в подробное описание устройства транзистора на физическом уровне, а сперва узнаем, как же он обозначается на принципиальных схемах. Для новичков в электронике это очень важно.

Для начала, нужно сказать, что биполярные транзисторы могут быть двух разных структур. Это структура P-N-P и N-P-N. Пока не будем вдаваться в теорию, просто запомните, что биполярный транзистор может иметь либо структуру P-N-P, либо N-P-N.

На принципиальных схемах биполярные транзисторы обозначаются вот так.

Как видим, на рисунке изображены два условных графических обозначения. Если стрелка внутри круга направлена к центральной черте, то это транзистор с P-N-P структурой. Если же стрелка направлена наружу – то он имеет структуру N-P-N.

Маленький совет.

Чтобы не запоминать условное обозначение, и сходу определять тип проводимости (p-n-p или n-p-n) биполярного транзистора, можно применять такую аналогию.

Сначала смотрим, куда указывает стрелка на условном изображении. Далее представляем, что мы идём по направлению стрелки, и, если упираемся в «стенку» – вертикальную черту – то, значит, «Прохода Н ет»! «Н ет» – значит p-n -p (П-Н -П ).

Ну, а если идём, и не упираемся в «стенку», то на схеме показан транзистор структуры n-p-n. Похожую аналогию можно использовать и в отношении полевых транзисторов при определении типа канала (n или p). Про обозначение разных полевых транзисторов на схеме читайте

Обычно, дискретный, то есть отдельный транзистор имеет три вывода. Раньше его даже называли полупроводниковым триодом. Иногда у него может быть и четыре вывода, но четвёртый служит для подключения металлического корпуса к общему проводу. Он является экранирующим и не связан с другими выводами. Также один из выводов, обычно это коллектор (о нём речь пойдёт далее), может иметь форму фланца для крепления к охлаждающему радиатору или быть частью металлического корпуса.

Вот взгляните. На фото показаны различные транзисторы ещё советского производства, а также начала 90-ых.

А вот это уже современный импорт.

Каждый из выводов транзистора имеет своё назначение и название: база, эмиттер и коллектор. Обычно эти названия сокращают и пишут просто Б (База ), Э (Эмиттер ), К (Коллектор ). На зарубежных схемах вывод коллектора помечают буквой C , это от слова Collector — «сборщик» (глагол Collect — «собирать»). Вывод базы помечают как B , от слова Base (от англ. Base — «основной»). Это управляющий электрод. Ну, а вывод эмиттера обозначают буквой E , от слова Emitter — «эмитент» или «источник выбросов». В данном случае эмиттер служит источником электронов, так сказать, поставщиком.

В электронную схему выводы транзисторов нужно впаивать, строго соблюдая цоколёвку. То есть вывод коллектора запаивается именно в ту часть схемы, куда он должен быть подключен. Нельзя вместо вывода базы впаять вывод коллектора или эмиттера. Иначе не будет работать схема.

Как узнать, где на принципиальной схеме у транзистора коллектор, а где эмиттер? Всё просто. Тот вывод, который со стрелкой – это всегда эмиттер. Тот, что нарисован перпендикулярно (под углом в 90 0) к центральной черте – это вывод базы. А тот, что остался – это коллектор.

Также на принципиальных схемах транзистор помечается символом VT или Q . В старых советских книгах по электронике можно встретить обозначение в виде буквы V или T . Далее указывается порядковый номер транзистора в схеме, например, Q505 или VT33. Стоит учитывать, что буквами VT и Q обозначаются не только биполярные транзисторы, но и полевые в том числе.

В реальной электронике транзисторы легко спутать с другими электронными компонентами, например, симисторами, тиристорами, интегральными стабилизаторами, так как те имеют такие же корпуса. Особенно легко запутаться, когда на электронном компоненте нанесена неизвестная маркировка.

В таком случае нужно знать, что на многих печатных платах производится разметка позиционирования и указывается тип элемента. Это так называемая шелкография. Так на печатной плате рядом с деталью может быть написано Q305. Это значит, что этот элемент транзистор и его порядковый номер в принципиальной схеме – 305. Также бывает, что рядом с выводами указывается название электрода транзистора. Так, если рядом с выводом есть буква E, то это эмиттерный электрод транзистора. Таким образом, можно чисто визуально определить, что же установлено на плате – транзистор или совсем другой элемент.

Как уже говорилось, это утверждение справедливо не только для биполярных транзисторов, но и для полевых. Поэтому, после определения типа элемента, необходимо уточнять класс транзистора (биполярный или полевой) по маркировке, нанесённой на его корпус.


Полевой транзистор FR5305 на печатной плате прибора. Рядом указан тип элемента — VT

Любой транзистор имеет свой типономинал или маркировку. Пример маркировки: КТ814. По ней можно узнать все параметры элемента. Как правило, они указаны в даташите (datasheet). Он же справочный лист или техническая документация. Также могут быть транзисторы этой же серии, но чуть с другими электрическими параметрами. Тогда название содержит дополнительные символы в конце, или, реже, в начале маркировки. (например, букву А или Г).

Зачем так заморачиваться со всякими дополнительными обозначениями? Дело в том, что в процессе производства очень сложно достичь одинаковых характеристик у всех транзисторов. Всегда есть определённое, пусть и, небольшое, но отличие в параметрах. Поэтому их делят на группы (или модификации).

Строго говоря, параметры транзисторов разных партий могут довольно существенно различаться. Особенно это было заметно ранее, когда технология их массового производства только оттачивалась.

Теперь давайте узнаем о том, какие бывают полевые транзисторы. Полевые транзисторы очень распространены как в старой схемотехнике, так и в современной. Сейчас в большей степени используются приборы с изолированным затвором, о типах полевых транзисторов и их особенностях сегодня мы и поговорим. В статье я буду проводить сравнение с биполярными транзисторами, в отдельных местах.

Определение

Полевой транзистор — это полупроводниковый полностью управляемый ключ, управляемый электрическим полем. Это главное отличие с точки зрения практики от биполярных транзисторов, которые управляются током. Электрическое поле создается напряжением, приложенным к затвору относительно истока. Полярность управляющего напряжения зависит от типа канала транзистора. Здесь прослеживается хорошая аналогия с электронными вакуумными лампами.

Другое название полевых транзисторов — униполярные. «УНО» — значит один. В полевых транзисторах в зависимости от типа канала ток осуществляется только одним типом носителей дырками или электронами. В биполярных транзисторах ток формировался из двух типов носителей зарядов — электронов и дырок, независимо от типа приборов. Полевые транзисторы в общем случае можно разделить на:

    транзисторы с управляющим p-n-переходом;

    транзисторы с изолированным затвором.

И те и другие могут быть n-канальными и p-канальными, к затвору первых нужно прикладывать положительное управляющее напряжение для открытия ключа, а для вторых — отрицательное относительно истока.

У всех типов полевых транзисторов есть три вывода (иногда 4, но редко, я встречал только на советских и он был соединен с корпусом).

1. Исток (источник носителей заряда, аналог эмиттера на биполярном).

2. Сток (приемник носителей заряда от истока, аналог коллектора биполярного транзистора).

3. Затвор (управляющий электрод, аналог сетки на лампах и базы на биполярных транзисторах).

Транзистор с управляющим pn-переходом

Транзистор состоит из таких областей:

4. Затвор.

На изображении вы видите схематическую структуру такого транзистора, выводы соединены с металлизированными участками затвора, истока и стока. На конкретной схеме (это p-канальный прибор) затвор — это n-слой, имеет меньше удельное сопротивление, чем область канала (p-слой), а область p-n-перехода в большей степени расположена в p-области по этой причине.

а — полевой транзистор n-типа, б — полевой транзистор p-типа

Чтобы легче было запомнить, вспомните обозначение диода, где стрелка указывает от p-области в n-область. Здесь также.

Первое состояние — приложим внешнее напряжение.

Если к такому транзистору приложить напряжение, к стоку плюс, а к истоку минус, через него потечет ток большой величины, он будет ограничен только сопротивлением канала, внешними сопротивлениями и внутренним сопротивлением источника питания. Можно провести аналогию с нормально-замкнутым ключом. Этот ток называется Iснач или начальный ток стока при Uзи=0.

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, без приложенного управляющего напряжения к затвору является максимально открытым.

Напряжение к стоку и истоку прикладывается таким образом:

Через исток вводятся основные носители зарядов!

Это значит, что если транзистор p-канальный, то к истоку подключают положительный вывод источника питания, т.к. основными носителями являются дырки (положительные носители зарядов) — это так называемая дырочная проводимость. Если транзистор n-канальный к истоку подключают отрицательный вывод источника питания, т. к. в нем основными носителями заряда являются электроны (отрицательные носители зарядов).

Исток — источник основных носителей заряда.

Вот результаты моделирования такой ситуации. Слева расположен p-канальный, а справа n-канальный транзистор.

Второе состояние — подаём напряжение на затвор

При подаче положительного напряжения на затвор относительно истока (Uзи) для p-канального и отрицательное для n-канального, он смещается в обратном направлении, область p-n-перехода расширяется в сторону канала. В резльтате чего ширина канала уменьшается, ток снижается. Напряжение затвора, при котором ток через ключ перестает протекать называется, напряжением отсечки.

Достигнуто напряжение отсечки, и ключ полностью закрыт. На картинке с результатами моделирования отображено такое состояние для p-канального (слева) и n-канального (справа) ключа. Кстати на английском языке такой транзистор называется JFET.

Рабочий режим транзистора при напряжение Uзи либо нулевое, либо обратное. За счет обратного напряжения можно «прикрывать транзистор», используется в усилителях класса А и прочих схемах где нужно плавное регулирование.

Режим отсечки наступает, когда Uзи=Uотсечки для каждого транзистора оно своё, но в любом случае прикладывается в обратном направлении.

Характеристики, ВАХ

Выходной характеристикой называют график, на котором изображена зависимость тока стока от Uси (приложенного к выводам стока и истока), при различных напряжениях затвора.

Можно разбить на три области. Вначале (в левой части графика) мы видим омическую область — в этом промежутке транзистор ведет себя как резистор, ток возрастает почти линейно, доходя до определенного уровня, переходит в область насыщения (в центре графика).

В правой части график мы видим, что ток опять начинает расти, это область пробоя, здесь транзистор находиться не должен. Самая верхняя ветвь изображенная на рисунке — это ток при нулевом Uзи, мы видим, что ток здесь самый большой.

Чем больше напряжение Uзи, тем меньше ток стока. Каждая из ветвей отличается на 0.5 вольта на затворе. Что мы подтвердили моделированием.

Здесь изображена стоко-затворная характеристика, т.е. зависимость тока стока от напряжения на затворе при одинаковом напряжении стока-исток (в данном примере 10В), здесь шаг сетки также 0.5В, мы опять видим что чем ближе напряжение Uзи к 0, тем больший ток стока.

В биполярных транзисторах был такой параметр как коэффициент передачи тока или коэффициент усиления, он обозначался как B или h31э или Hfe. В полевых же для отображения способности усиливать напряжение используется крутизна обозначается буквой S

То есть крутизна показывает, насколько миллиАмпер (или Ампер) растёт ток стока при увеличении напряжения затвор-исток на количество Вольт при неизменяемом напряжении сток-исток. Её можно вычислить исходя из стоко-затворной характеристики, на приведенном выше примере крутизна равняется порядка 8 мА/В.

Схемы включения

Как и у биполярных транзисторов есть три типовых схемы включения:

1. С общим истоком (а). Используется чаще всех, даёт усиление по току и мощности.

2. С общим затвором (б). Редко используется, низкое входное сопротивления, усиления нет.

3. С общим стоком (в). Усиление по напряжению близко к 1, большое входное сопротивление, а выходное низкое. Другое название — истоковый повторитель.

Особенности, преимущества, недостатки

    Главное преимущество полевого транзистора высокое входное сопротивление . Входное сопротивление это отношения тока к напряжению затвор-исток. Принцип действия лежит в управлении с помощью электрического поля, а оно образуется при приложении напряжения. То есть полевые транзисторы управляются напряжением .

  • практически не потребляет тока управления, это снижает потери управления, искажения сигнала, перегрузку по току источника сигнала…

    • В среднем частотные характеристики полевых транзисторов лучше, чем у биполярных , это связано с тем, что нужно меньше времени на «рассасывание» носителей заряда в областях биполярного транзистора. Некоторые современные биполярные транзисторы могут и превосходить полевые, это связано с использованием более совершенных технологий, уменьшения ширины базы и прочего.

    Низкий уровень шумов у полевых транзисторов обусловлен отсутствием процесса инжекции зарядов, как у биполярных.

    Стабильность при изменении температуры.

    Малое потребление мощности в проводящем состоянии — больший КПД ваших устройств.

Простейший пример использования высокого входного сопротивление — это приборы согласователи для подключения электроакустических гитар с пьезозвукоснимателями и электрогитар с электромагнитными звукоснимателями к линейным входам с низким входным сопротивлением.

Низкое входное сопротивление может вызвать просадки входного сигнала, исказив его форму в разной степени в зависимости от частоты сигнала. Это значит что нужно этого избежать, введя каскад с высоким входным сопротивлением. Вот простейшая схема такого устройства. Подойдет для подключения электрогитар в линейный вход аудио-карты компьютера. С ней звук станет ярче, а тембр богаче.

Главным недостатком является то, что такие транзисторы боятся статики. Вы можете взять наэлектризованными руками элемент, и он тут же выйдет из строя, это и есть следствие управления ключом с помощью поля. С ними рекомендуют работать в диэлектрических перчатках, подключенным через специальный браслет к заземлению, низковольтным паяльником с изолированным жалом, а выводы транзистора можно обвязать проволокой, чтобы закоротить их на время монтажа.

Современные приборы практически не боятся этого, поскольку по входу в них могут быть встроены защитные устройства типа стабилитронов, которые срабатывают при превышении напряжения.

Иногда у начинающих радиолюбителей опасения доходят до абсурда, типа надевания на голову шапочек из фольги. Всё описанное выше хоть и является обязательным к исполнению, но не соблюдение каких либо условий не гарантирует выход из строя прибора.

Полевые транзисторы с изолированным затвором

Этот вид транзисторов активно используется в качестве полупроводниковых управляемых ключей. Причем работают они чаще всего именно в ключевом режиме (два положения «вкл» и «выкл»). У них есть несколько названий:

1. МДП-транзистор (метал-диэлектрик-полупроводник).

2. МОП-транзистор (метал-окисел-полупроводник).

3. MOSFET-транзистор (metal-oxide-semiconductor).

Запомните — это лишь вариации одного названия. Диэлектрик, или как его еще называют окисел, играет роль изолятора для затвора. На схеме ниже изолятор изображен между n-областью около затвора и затвором в виде белой зоны с точками. Он выполнен из диоксида кремния.

Диэлектрик исключает электрический контакт между электродом затвора и подложкой. В отличие от управляющего p-n-перехода он работает не на принципе расширения перехода и перекрытия канала, а на принципе изменения концентрации носителей заряда в полупроводнике под действием внешнего электрического поля. МОП-транзисторы бывают двух типов:

1. Со встроенным каналом.

2. С индуцированным каналом

На схеме вы видите транзистор с встроенным каналом. Из неё уже можно догадаться, что принцип его работы напоминает полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, т.е. когда напряжение затвора равно нулю — ток протекает через ключ.

Около истока и стока созданы две области с повышенным содержанием примесных носителей заряда (n+) с повышенной проводимостью. Подложкой называется основание P-типа (в данном случае).

Обратите внимание, что кристалл (подложка) соединена с истоком, на многих условных графических обозначениях он так и рисуется. При повышении напряжения на затворе в канале возникает поперечное электрическое поле, оно отталкивает носители зарядов (электроны) и канал закрывается при достижении порогового Uзи.

При подаче отрицательного напряжения затвор-исток ток стока падает, транзистор начинает закрывать — это называется режим обеднения.

При подаче положительного напряжения на затвор-исток происходит обратный процесс — электроны притягиваются, ток возрастает. Это режим обогащения.

Всё вышесказанное справедливо для МОП-транзисторов со встроенным каналом N-типа. Если канал p-типа все слова «электроны» заменяются на «дырки», полярности напряжения изменяются на противоположные.

Согласно datasheet на этот транзистор пороговое напряжение затвор-исток у нас в районе одного вольта, а типовое его значение — 1.2 В, проверим это.

Ток стал в микроамперах. Если еще немного повысить напряжение, он исчезнет полностью.

Я выбрал транзистор наугад, и мне попался достаточно чувствительный прибор. Попробую изменить полярность напряжения, чтобы на затворе был положительный потенциал, проверим режим обогащения.

При напряжении на затворе 1В ток увеличился в четыре раза, по сравнению с тем, что был при 0В (первая картинка в этом разделе). Отсюда следует, что в отличие от предыдущего типа транзисторов и биполярных транзисторов он без дополнительной обвязки может работать как на повышение тока, так и на понижение. Это заявление весьма грубо, но в первом приближении имеет право на существование.

Здесь всё практически так же как и в транзисторе с управляющим переходом, за исключением наличия режима обогащения в выходной характеристике.

На стоко-затворной характеристике четко видно, что отрицательное напряжение вызывает режим обеднение и закрытие ключа, а положительное напряжение на затворе — обогащение и большее открытие ключа.

МОП-транзисторы с индуцированным каналом не проводят ток при отсутствии напряжения на затворе, вернее ток есть, но он крайне мал, т.к. это обратный ток между подложкой и высоколегированными участками стока и истока.

Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом аналог нормально-разомкнутого ключа, ток не протекает.

При наличии напряжения затвор-исток, т.к. мы рассматриваем n-тип индуцируемого канала то напряжение положительное, под действием поля притягиваются отрицательные носители зарядов в область затвора.

Так появляется «коридор» для электронов от истока к стоку, таким образом, появляется канал, транзистор открывается, и ток через него начинает протекать. Подложка у нас p-типа, в ней основными являются положительные носители зарядов (дырки), отрицательных носителей крайне мало, но под действием поля они отрываются от своих атомов, и начинается их движение. Отсюда отсутствие проводимости при отсутствии напряжения.

Выходная характеристика в точности повторяет такую же у предыдущих разница заключается лишь в том, что напряжения Uзи становятся положительными.

Стоко-затворная характеристика показывает то же самое, отличия опять-таки в напряжениях на затворе.

При рассмотрении вольтамперных характеристик крайне важно внимательно смотреть на величины, прописанные по осям.

На ключ подали напряжение 12 В, а на затворе у нас 0. Ток через транзистор не протекает.

Это значит, что транзистор полностью открыт, если бы его не было, ток в этой цепи составил бы 12/10=1.2 А. В дальнейшем я изучал как работает этот транзистор, и выяснил, что на 4-х вольтах он начинает открываться.

Добавляя по 0.1В, я заметил, что с каждой десятой вольта ток растёт всё больше и больше, и уже к 4.6 Вольта транзистор практически полностью открыт, разница с напряжением на затворе в 20В в токе стока всего лишь 41 мА, при 1.1 А — это чепуха.

Этот эксперимент отражает то, что транзистор с индуцированным каналом открывается только при достижении порогового напряжения, что позволяет ему отлично работать в качестве ключа в импульсных схемах. Собственно, IRF740 — один из наиболее распространенных .

Результаты измерений тока затвора показали, что действительно полевые транзисторы почти не потребляют управляющего тока. При напряжении в 4.6 вольта ток был, всего лишь, 888 нА (нано!!!).

При напряжении в 20В он составлял 3.55 мкА (микро). У биполярного транзистора он был бы порядка 10 мА, в зависимости от коэффициента усиления, что в десятки тысяч раз больше чем у полевого.

Не все ключи открываются такими напряжениями, это связано с конструкцией и особенностями схемотехники устройств где они применяются.

Разряженная ёмкость в первый момент времени требует большого зарядного тока, да и редкие управляющие устройства (шим-контроллеры и микроконтроллеры) имеют сильные выходы, поэтому используют драйверы для полевых затворов, как в полевых транзисторах, так и в (биполярный с изолированным затвором). Это такой усилитель, который преобразует входной сигнал в выходной такой величины и силы тока, достаточный для включения и выключения транзистора. Ток заряда также ограничивается последовательно соединенным с затвором резистором.

При этом некоторые затворы могут управляться и с порта микроконтроллера через резистор (тот же IRF740). Эту тему мы затрагивали .

Они напоминают полевые транзисторы с управляющим затвором, но отличаются тем, что на УГО, как и в самом транзисторе, затвор отделен от подложки, а стрелка в центре указывает на тип канала, но направлена от подложки к каналу, если это n-канальный mosfet — в сторону затвора и наоборот.

Для ключей с индуцированным каналом:

Может выглядеть так:

Обратите внимание на англоязычные названия выводов, в datasheet’ах и на схемах часто указываются они.

Для ключей со встроенным каналом:

Транзистор (от английских слов tran(sfer) — переносить и (re)sistor — сопротивление) — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Наиболее распространены так называемые биполярные транзисторы . Электропроводность эмиттера и коллектора всегда одинаковая (р или n), базы — противоположная (n или р). Иными словами, биполярный транзистор содержит два р-n-перехода: один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой — с коллектором (коллекторный переход).

Буквенный код транзисторов — латинские буквы VT. На схемах эти полупроводниковые приборы обозначают, как показано на рис. 8.1 . Здесь короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Об электропроводности базы судят по символу эмиттера: если его стрелка направлена к базе (см. рис. 8.1 , VT1), то это означает, что эмиттер имеет электропроводность типа р, а база— типа n; если же стрелка направлена в противоположную сторону (VT2), электропроводность эмиттера и базы обратная.

Знать электропроводность эмиттера базы и коллектора необходимо для того, чтобы правильно подключить транзистор к источнику питания. В справочниках эту информацию приводят в виде структурной формулы. Транзистор, база которого имеет электропроводимость типа n, обозначают формулой р-п-р, а транзистор с базой, имеющей электропроводность типа р, обозначают формулой n-р-n. В первом случае на базу и коллектор следует подавать отрицательное по отношению к эмиттеру напряжение, во втором — положительное.

Для наглядности условное графическое обозначение дискретного транзистора обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Иногда металлический корпус соединяют с одним из выводов транзистора. На схемах это показывается точкой в месте пересечения соответствующего вывода с символом корпуса. Если же корпус снабжен отдельным выводом, линию-вывод допускается присоединять к кружку без точки (VT3 на рис. 8.1 ). В целях повышения информативности схем рядом с позиционным обозначением транзистора допускается указывать его тип.

Линии электрической связи, идущие от эмиттера и коллектора проводят в одном из двух направлений: перпендикулярно или параллельно выводу базы (VT3—VT5). Излом вывода базы допускается лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (VT4).

Транзистор может иметь несколько эмиттерных областей (эмиттеров). В этом случае символы эмиттеров обычно изображают с одной стороны символа базы, а окружность обозначения корпуса заменяют овалом (рис. 8.1 , VT6).

Стандарт допускает изображать транзисторы и без символа корпуса, например, при изображении бескорпусных транзисторов или когда на схеме необходимо показать транзисторы, входящие в состав сборки транзисторов или интегральной схемы.

Поскольку буквенный код VT предусмотрен для обозначения транзисторов, выполненных в виде самостоятельного прибора, транзисторы сборок обозначают одним из следующих способов: либо используют код VT и присваивают им порядковые номера наряду с другими транзисторами (В этом случае на поле схемы помещают такую, например, запись: VT1-VT4 К159НТ1), либо используют код аналоговых микросхем (DA) и указывают принадлежность транзисторов в сборке в позиционном обозначении (рис. 8.2 , DA1.1, DA1.2). У выводов таких транзисторов, как правило, приводят условную нумерацию, присвоенную выводам корпуса, в котором выполнена матрица.

Без символа корпуса изображают на схемах и транзисторы аналоговых и цифровых микросхем (для примера на рис. 8.2 показаны транзисторы структуры п-р-п с тремя и четырьмя эмиттерами).

Условные графические обозначения некоторых разновидностей биполярных транзисторов получают введением в основной символ специальных знаков. Так, чтобы изобразить лавинный транзистор, между символами эмиттера и коллектора помещают знак эффекта лавинного пробоя (см. рис. 8.3 , VT1, VT2). При повороте УГО положение этого знака должно оставаться неизменным.

Иначе построено УГО однопереходного транзистора: у него один р-п-переход, но два вывода базы. Символ эмиттера в УГО этого транзистора проводят к середине символа базы (рис. 8.3 , VT3, VT4). Об электропроводности последней судят по символу эмиттера (направлению стрелки).

На символ однопереходного транзистора похоже УГО большой группы транзисторов с p-n-переходом, получивших название полевых . Основа такого транзистора — созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью п или р-типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод — затвор. Канал изображают так же, как и базу биполярного транзистора, но помещает в середине кружка-корпуса (рис. 8.4 , VT1), символы истока и стока присоединяют к нему с одной стороны, затвора — с другой стороны на продолжении линии истока. Электропроводность канала указывают стрелкой на символе затвора (на рис. 8.4 условное графическое обозначение VT1 символизирует транзистор с каналом п-типа, VT1 — с каналом p-типа).

В условном графическом обозначении полевых транзисторов с изолированным затвором (его изображают черточкой, параллельной символу канала с выводом на продолжении линии истока) электропроводность канала показывают стрелкой, помещенной между символами истока и стока. Если стрелка направлена к каналу, то это значит, что изображен транзистор с каналом n-типа, а если в противоположную сторону (см. рис. 8.4 , VT3) — с каналом p-типа. Аналогично поступают при наличии вывода от подложки (VT4), а также при изображении полевого транзистора с так называемым индуцированным каналом, символ которого — три коротких штриха (см. рис. 8.4 , VT5, VT6). Если подложка соединена с одним из электродов (обычно с истоком), это показывают внутри УГО без точки (VT1, VT8).

В полевом транзисторе может быть несколько затворов. Изображают их более короткими черточками, причем линию-вывод первого затвора обязательно помещают на продолжении линии истока (VT9).

Линии-выводы полевого транзистора допускается изг[цензура] лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (см. рис. 8.4 , VT2). В некоторых типах полевых транзисторов корпус может быть соединен с одним из электродов или иметь самостоятельный вывод (например, транзисторы типа КПЗ03).

Из транзисторов, управляемых внешними факторами, широкое применение находят фототранзисторы . В качестве примера на рис. 8.5 показаны условные графические обозначения фототранзисторов с выводом базы (FT1, VT2) и без него (К73). Наряду с другими полупроводниковыми приборами, действие которых основано на фотоэлектрическом эффекте, фототранзисторы могут входить в состав оптронов. УГО фототранзистора в этом случае вместе с УГО излучателя (обычно светодиода) заключают в объединяющий их символ корпуса, а знак фотоэффекта — две наклонные стрелки заменяют стрелками, перпендикулярными символу базы.

Для примера на рис. 8.5 изображена одна из оптопар сдвоенного оптрона (об этом говорит позиционное обозначение U1.1), Аналогично строится У ГО оптрона с составным транзистором (U2).

Если вы только начали разбираться в радиотехнике, я расскажу о том в этой статье, как же обозначаются радиодетали на схеме, как называются на ней, и какой имеют внешний вид .

Тут узнаете как обозначается транзистор,диод,конденсатор,микросхема,реле и т.д

Прошу жмать на подробнее.

Как обозначается биполярный транзистор

Все транзисторы имеют три вывода, и если он биполярный, то и бывет двух типов, как видно из изображения пнп-переход и нпн-переход. А три вывода имеют названия э-эмиттер, к-коллектор и б-база. Где какой вывод на самом транзисторе ищется по справочнику, или же введите в поиск название транзистор+выводы.

Внешний вид имеет транзистор следующий,и это лишь малая часть их внешнего вида,существующих номиналов полно.

Как обозначается полярный транзистор

Тут уже три вывода имеют следующие название,это з-затвор, и-исток, с-сток

Но а внешний вид визуально мало отличается,а точнее может иметь такой же цоколь.Вопрос как же узнать какой он, а это уже из справочников или интернета по обозначению написанном на цоколе.

Как обозначается конденсатор

Конденсаторы бывают как полярные так и неполярные.

Отличие их обозначение в том,что на полярном указывается один из выводов значком «+».И емкость измеряется в микрофарадах»мкф».

И имеют такой внешний вид,стоит учитывать,что если конденсатор полярный,то на цоколе с одной из сторон ножек обозначается вывод,только уже в основном знаком «-«.

Как обозначается диод и светодиод

Обозначение светодиода и диода на схеме отличается тем,что светодиод заключенчек и выходящими двух стрелок. Но роль у них разная-диод служит для выпрямления тока,и светодиод уже для испускания света.

И имеют такой внешний вид светодиоды.

И такой вид обычные выпрямительные и импульсные диоды например:

Как обозначается микросхема.

Микросхемы представляют собой уменьшенную схему,выполняющую ту или иную функцию,при этом могут иметь большое число транзисторов.

И такой внешний вид имеют они.

Обозначение реле

О них думаю впервую очередь слышали автомобилисты, особенно водители жигулей.

Так как когда не было инжекторов и транзисторы не получили широкое распространение, в автомобиле фары,прикуриватель,стартер, да все в ней почти включалось и управлялось через реле.

Такая самая простая схема реле.

Тут все просто,на электромагнитную катушку подается ток определенного напряжения,и та в свою очередь замыкает или размыкает участок цепи.

На этом статья заканчивается.

Если есть желание какие хотите увидеть радиодетали в следующей статье,пишите в комментарии.

Умение читать электросхемы – это важная составляющая, без которой невозможно стать специалистом в области электромонтажных работ. Каждый начинающий электрик обязательно должен знать, как обозначаются на проекте электропроводки розетки, выключатели, коммутационные аппараты и даже счетчик электроэнергии в соответствии с ГОСТ. Далее мы предоставим читателям сайта условные обозначения в электрических схемах, как графические, так и буквенные.

Графические

Что касается графического обозначения всех элементов, используемых на схеме, этот обзор мы предоставим в виде таблиц, в которых изделия будут сгруппированы по назначению.

В первой таблице Вы можете увидеть, как отмечены электрические коробки, щиты, шкафы и пульты на электросхемах:

Следующее, что Вы должны знать – условное обозначение питающих розеток и выключателей (в том числе проходных) на однолинейных схемах квартир и частных домов:

Что касается элементов освещения, светильники и лампы по ГОСТу указывают следующим образом:

В более сложных схемах, где применяются электродвигатели, могут указываться такие элементы, как:

Также полезно знать, как графически обозначаются трансформаторы и дроссели на принципиальных электросхемах:

Электроизмерительные приборы по ГОСТу имеют следующее графические обозначение на чертежах:

А вот, кстати, полезная для начинающих электриков таблица, в которой показано, как выглядит на плане электропроводки контур заземления, а также сама силовая линия:

Помимо этого на схемах Вы можете увидеть волнистую либо прямую линию, «+» и «-», которые указывают на род тока, напряжение и форму импульсов:

В более сложных схемах автоматизации Вы можете встретить непонятные графические обозначения, вроде контактных соединений. Запомните, как обозначаются этим устройства на электросхемах:

Помимо этого Вы должны быть в курсе, как выглядят радиоэлементы на проектах (диоды, резисторы, транзисторы и т.д.):

Вот и все условно графические обозначения в электрических схемах силовых цепей и освещения. Как уже сами убедились, составляющих довольно много и запомнить, как обозначается каждый можно только с опытом. Поэтому рекомендуем сохранить себе все эти таблицы, чтобы при чтении проекта планировки проводки дома либо квартиры Вы могли сразу же определить, что за элемент цепи находится в определенном месте.

Интересное видео

Что такое транзистор, виды транзисторов и их обозначение

Транзисторы — полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Наиболее распространены так называемые биполярные транзисторы.

Их основа — пластинка монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия), в которой с помощью особых технологических приемов созданы, как минимум, три области с разной электропроводностью: эмиттер, база и коллектор.

Электропроводность эмиттера и коллектора всегда одинаковая (р или п), базы — противоположная (п или р). Иными словами, биполярный транзистор (далее просто транзистор) содержит два р-п перехода: один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой — с коллектором (коллекторный переход).

На схемах транзисторы обозначают, как показано на рис. 1,а. Здесь короткая черточка с линией-выводом от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ней под углом 60°, — эмиттер и коллектор.

 Рис. 1. Внешний вид транзисторов, обозначение транзисторов на принципиальных схемах.

Об электропроводности базы судят по символу эмиттера: если его стрелка направлена к базе (рис. 1,а), то это означает, эмиттер имеет электропроводность типа р, а база — типа п; если же стрелка направлена в противоположную сторону (рис. 1,6), электропроводность эмиттера и базы — обратная (соответственно пир).

Поскольку, как уже отмечалось, электропроводность коллектора та же, что и эмиттера, стрелку на символе коллектора не изображают. Знать электропроводность эмиттера, базы и коллектора необходимо для того, чтобы правильно подключить транзистор к источнику питания. В справочниках эту информацию приводят в виде структурной формулы.

Транзистор, база которого имеет проводимость типа п, обозначают формулой p-n-p, а транзистор с базой, имеющей электропроводность типа P, — формулой n-p-n. В первом случае на базу и коллектор следует подавать отрицательное (по отношению к эмиттеру) напряжение, во втором — положительное.

Для наглядности условное обозначение транзистора обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Корпус нередко изготовляют из металла и соединяют с одним из выводов транзистора. На схемах это показывают точкой в месте пересечения лиши-вывода с символом корпуса (у транзистора, изображенного на рис. 1,в, с корпусом соединен вывод коллектора).

Если же корпус снабжен отдельным выводом, линию-вывод допускается присоединять к кружку без точки (рис. 1,г). С целью повышения информативности схем рядом с позиционным обозначением транзистора обычно указывают его тип.

Линии-выводы, идущие от символов эмиттера и коллектора, проводят в одном из двух направлений: перпендикулярно или параллельно линии-выводу базы (рис. 1,д). Излом этой линии допускается лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (рис. 1,е).

Транзистор может иметь несколько эмиттерных областей (эмиттеров). В этом случае символы эмиттеров обычно изображают с одной стороны символа базы, а кружок-корпус заменяют овалом (рис. 1,ж).

В некоторых случаях ГОСТ 2.730—73 допускает изображать транзисторы и без символа корпуса, например при изображении бескорпуоных транзисторов ИЛ|Ц когда на схеме необходимо показать транзисторы, входящие в так называемые транзисторные сборки или матрицы (их выпускают в тех же корпусах, что и интегральные микросхемы).

 Рис. 2. Транзисторные сборки.

Поскольку буквенный код VT предусмотрен для обозначения транзисторов, выполненных в виде самостоятельных приборов, транзисторы сборок обозначают одним из следующих способов: либо используют код VT и присваивают им порядковые номера наряду с другими транзисторами (в этом случае на поле схемы помещают такую, например, запись: VT1—VT4 К1НТ251), либо берут код аналоговых микросхем DA и указывают принадлежность транзисторов к матрице в позиционном обозначении (рис. 2,а).

У выводов таких транзисторов, как правило, приводят условные номера, присвоенные выводам корпуса, в котором выполнена сборка. Без символа корпуса изображают на схемах и транзисторы аналоговых и цифровых микросхем (для примера на рис. 1,6 показаны транзисторы структуры n-p-n с тремя и четырьмя эмиттерами).

Условные графические обозначения некоторых разновидностей биполярных транзисторов получают введением в основной символ специальных знаков. Так, чтобы изобразить лавинный транзистор, между символами эмиттера и коллектора помещают знак эффекта лавинного пробоя (рис. 3,а). При повороте условного обозначения положение этого знака должно оставаться неизменным.

 Рис. 3. Лавинный транзистор.

Иначе построено обозначение так называемого однопереходного транзистора. У него один р-п переход, но два вывода базы. Символ эмиттера в обозначении этого транзистора проводят к середине символа базы (рис. 3,6). Об электропроводности базы судят по символу эмиттера (все сказанное ранее о транзисторах с двумя р-п переходами полностью применимо и к однрпереход-ному транзистору).

На обозначение однопереходного транзистора похоже условное обозначение довольно большой группы транзисторов с р-п переходом, получивших название полевых. Основа такого транзистора — созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n-или p-типа.

Сопротивлением канала управляет третий электрод — затвор, соединенный с его средней частью р-п переходом. Канал полевого транзистора изображают так же, как и базу биполярного транзистора, но помещают в средней части кружка-корпуса , символы истока и стока присоединяют к нему с одной стороны, затвора — с другой.

Чтобы не вводить каких-либо знаков для различения символов истока и стока, затвор изображают на продолжении линии истока. Электропроводность канала указывают стрелкой на символе затвора.

В условном обозначении полевого транзистора с изолированным затворам (его изображают в виде черточки, параллельной символу канала, с выводом на продолжении линии истока) электропроводность канала показывают стрелкой, помещенной между символами истока и стока: если она направлена к символу канала, то это значит, что изображен транзистор с каналом п-типа, а если в противоположную сторону, — с каналом р-типа (рис. 4,а, б).

Рис. 4. Изображение полевых транзисторов на принципиальных схемах.

Аналогично указывают тип электропроводности канала и при наличии вывода от кристалла-подложки (рис. 4,в), а также при изображении полевого транзистора с так называемым индуцированным каналом, символ которого — три короткие штриха (рис. 4,г, д). Если подложка соединена с одним из электродов (обычно с истоком), это соединение показывают внутри символа без точки (рис. 4, е).

В палевом транзисторе может быть несколько затворов. Изображают их в этом случае короткими черточками, причем линию-вывод первого затвора обязательно помещают на продолжении линии истока (рис. 4,ж).

Линии-выводы полевого транзистора допускается изгибать лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (рис. 4,з), который может быть соединен с одним из электродов или иметь самостоятельный вывод (рис. 4,ы).

Из транзисторов, управляемых внешними факторами, в настоящее время находят применение фототранзисторы. В качестве примера на рис. 5 показаны условные обозначения фототранзжггоров с выводом базы и без него.

Наряду с другими полупроводниковыми приборами, действие которых основано на фотоэлектрическом эффекте, фототранзисторы могут входить в состав оптронов. Обозначение фототранзистора в этом случае вместе с символом излучателя света (обычно светодиода) заключают в объединяющий их символ корпуса, а знак фотоэффекта заменяют знаком оптической связи — двумя параллельными стрелками.

Рис. 5. Изображение на принципиальных схемах фототранзисторов.

Для примера на рис. 5,а изображена одна из оптопар сдвоенного оптрона К249КП1, о чем говорит позиционное обозначение U1.1. Аналогично строят условное графическое обозначение оптрона с составным транзистором (рис. 5,6).

Литература: В.В. Фролов, Язык радиосхем, Москва, 1998.

Outrage Factory

Чем разозлился Интернет в этом году?

Дерек и Дейл проводят серию, рассказывая обо всей чуши, которая была в 2020 году. Ребята рассказывают о том, что их больше всего разозлило за последний год. Дейл больше всего безумствует из-за того, что у всех усиливается двухпартийность, и это влияет на их способность смотреть на вещи объективно. Дерек обеспокоен закрытием границы между Канадой и США и невозможностью использовать экспресс-тесты в аэропортах. Оба расстроены полным фарсом, которым были выборы в США.Дейл сверился с некоторыми картами Таро, чтобы узнать, что подкаст готовит на следующий год. Ребята записывают свои новогодние решения.

2020 в обзоре:

Январь: -Пожар в Австралии -Гарри и Мэг gtfo -Первый случай роны в США в США -Кобе умер -Брексит на самом деле происходит

фев: -Импичмент Трампа оправдан -Парасит Оскарс — Осуждение Вайнштейна

Мар: — Том Хэнкс заражается коронавирусом — НБА приостанавливает сезон — Блокировка короны — Чушь китайского вируса — Граница США / Канады закрыта

апрель: — Все смотрят на короля тигров — Борис Джонстон получает ковид — Стрельба из Новой Шотландии — Пентагон публикует видео с НЛО

Май: — Обложка Post malone nirvana — Шершни-убийцы — Джордж Флойд

июнь: — Протесты BLM — Ситуация с Буббой Уоллесом -CHAZ

— Июль:

— Ghis Пара пистолетов из Сент-Луиса — Торговля детьми Wayfair

Август: — Хоккей возвращается — Эллен зла — WAP — Байден выбрал камалу

сентябрь: — RBG умирает -Cuties — Пандемический идиотизм Флориды официально объявить

Октябрь: -Социальная дилемма -Трампс получает корону -Тампа-Бэй Лайтнинг выиграет кубок Стэнли -Канон -Хантер Байден -Лейший фаворит Крис

ноябрь: -Дания норковая отбраковка -Jordan peterson publisher wins shit show президентская гонка

декабрь: — Братья Уорнер выпустят фильмы в 2021 году в кинотеатрах и будут транслировать симметрично — Вакцина против коронавируса — Харрис Байден получит человека года


Иди купи себе фабричную добычу возмущения на https: // www.redbubble.com/shop/ap/49661850

]]> Что разозлило Интернет в этом году?

Дерек и Дейл проводят серию, рассказывая обо всей чуши, которая была в 2020 году. Ребята рассказывают о том, что их больше всего разозлило за последний год. Дейл больше всего безумствует из-за того, что у всех усиливается двухпартийность, и это влияет на их способность смотреть на вещи объективно. Дерек обеспокоен закрытием границы между Канадой и США и невозможностью использовать экспресс-тесты в аэропортах. Оба расстроены полным фарсом, которым были выборы в США.Дейл сверился с некоторыми картами Таро, чтобы узнать, что подкаст готовит на следующий год. Ребята записывают свои новогодние решения.

2020 в обзоре:

Январь: -Пожар в Австралии -Гарри и Мэг gtfo -Первый случай роны в США в США -Кобе умер -Брексит на самом деле происходит

фев: -Импичмент Трампа оправдан -Парасит Оскарс — Осуждение Вайнштейна

Мар: — Том Хэнкс заражается коронавирусом — НБА приостанавливает сезон — Блокировка короны — Чушь китайского вируса — Граница США / Канады закрыта

апрель: — Все смотрят на короля тигров — Борис Джонстон получает ковид — Стрельба из Новой Шотландии — Пентагон публикует видео с НЛО

Май: — Обложка Post malone nirvana — Шершни-убийцы — Джордж Флойд

июнь: — Протесты BLM — Ситуация с Буббой Уоллесом -CHAZ

— Июль:

— Ghis Пара пистолетов из Сент-Луиса — Торговля детьми Wayfair

Август: — Хоккей возвращается — Эллен зла — WAP — Байден выбрал камалу

сентябрь: — RBG умирает -Cuties — Пандемический идиотизм Флориды официально объявить

Октябрь: -Социальная дилемма -Трампс получает корону -Тампа-Бэй Лайтнинг выиграет кубок Стэнли -Канон -Хантер Байден -Лейший фаворит Крис

ноябрь: -Дания норковая отбраковка -Jordan peterson publisher wins shit show президентская гонка

декабрь: — Братья Уорнер выпустят фильмы в 2021 году в кинотеатрах и будут транслировать симметрично — Вакцина против коронавируса — Харрис Байден получит человека года


Иди купи себе фабричную добычу возмущения на https: // www.redbubble.com/shop/ap/49661850

]]>

Полупроводниковые приборы диоды транзисторы скачать презентацию. Полупроводниковые приборы. Виды полупроводников и их проводников

Слайд 1.

Классификация и обозначение полупроводниковых приборов: Тепликов И., Сенюков Е.

Clade 2.

Введение При использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначений и стандартизации параметров используются символы. Эта система классифицирует полупроводниковые приборы по их назначению, основным физическим и электрическим параметрам, конструктивным и технологическим свойствам, виду типа полупроводника.Система условных обозначений отечественных полупроводниковых приборов основана на государственных и отраслевых стандартах. Первый ГОСТ по системе обозначений полупроводниковых приборов ГОСТ 10862-64 был введен в 1964 году. Затем, с появлением новых классификационных групп, приборы были заменены на ГОСТ 10862-72, а затем на отраслевой стандарт ОСТ 11.336.038. -77 и ОСТ 11.336.919-81 соответственно 1972, 1977, 1981 гг. При данной модификации сохранены основные элементы цифрового кода символьной системы.Эта система обозначений имеет логическую структуру и позволяет наращивать ее по мере развития элементной базы. Основные термины, определения и буквенные обозначения основных и справочных параметров полупроводниковых приборов приведены в следующих ГОСТах: 25529-82 — диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров; 19095-73 — Полевые транзисторы. Термины, определения и буквенные обозначения параметров; 20003-74 — Биполярные транзисторы. Термины, определения и буквенные обозначения параметров; 20332-84 — Тиристоры.Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

Слайд 3.

Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов. Система обозначений современных полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов установлена ​​отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81 и основана на ряде классификационных признаков этих приборов. Система обозначений основана на буквенно-цифровом коде, который состоит из 5 элементов …

Слайд 4.

Первый элемент — это первый элемент (буква или цифра), указывающий на исходный полупроводниковый материал, на основе которого создается полупроводниковый прибор.Для инструментов общего назначения используются буквы, которые являются начальными буквами в названии полупроводника или полупроводникового соединения. В приборах специального назначения вместо этих букв используются цифры. Исходный материал Условные обозначения германия или его соединения g или 1 кремний или его соединение или 2 соединения галлия (например, арсенид галлия) A или 3 соединения Индии (например, фосфид Индии) и или 4

Слайд 5.

Второй элемент — подкласс полупроводниковых приборов.Обычно буква выбирается из названия устройства, как первая буква названия подкласса инструментов. Легенда. А тиристоры являются триодными в излучающих ОЭ устройств L туннельных диодах и оптопарах.

Слайд 6.

Третий элемент. Третий элемент (цифра) в обозначении полупроводниковых приборов определяет основные функциональные возможности прибора. У разных подклассов устройств наиболее характерные рабочие параметры (функциональность) различаются. Для транзисторов это рабочая частота и рассеиваемая мощность, для выпрямительных диодов — максимальное значение постоянного тока, для стабилитонов — это напряжение стабилизации и рассеиваемая мощность, для тиристоров — значение тока в открытом состоянии.

Слайд 7.

Четвертый элемент. Четвертый элемент (2 или 3 цифры) означает порядковый номер технологической конструкции и варьируется от 01 до 999.

Слайд 8.

Пятый элемент. Пятый элемент (буква) в буквенно-цифровом коде символьной системы указывает на неупорядоченность по отдельным параметрам приборов, изготовленных по единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от A до Z, кроме s, o, h, s, sh и т. Д. I, аналогично написанию с цифрами.

Слайд 9.

Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов. За рубежом существуют различные системы для полупроводниковых приборов. Наиболее распространенной является система обозначений JEDEC, принятая Техническим советом США по электронным устройствам США. По этой системе приборы обозначаются индексом (кодом, маркировкой), в котором первая цифра соответствует количеству P-N переходов: 1 — диод, 2 — транзистор, 3 — тетрод (тиристор). Цифра из буквы N и порядковый номер, который зарегистрирован Ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA).Номер может состоять из одной или нескольких букв, указывающих на разбивку инструментов одного типа по симптомам по различным параметрам или характеристикам. Однако цифры серийного номера не определяют тип исходного материала, частотный диапазон, рассеивающую способность или объем. В Европе используется система, в которой обозначения полупроводниковых приборов присваивает Международная ассоциация Pro Electron. По этой системе широко используются бытовые приборы двухбуквенные и трехзначные.Так, в приборах широкого применения после двух букв идет трехзначный порядковый номер от 100 до 999. В приборах, применяемых в промышленном и специальном оборудовании, третий знак — буква (буквы используются в обратном алфавитном порядке: z, y, x и т. д.), за которым порядковый номер от 10 до 99.

Clade 10.

Clade 11.

Первый элемент. Первый элемент (буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого создается полупроводниковый прибор.Используются 4 латинские буквы A, B, C и D в соответствии с типом полупроводника или полупроводникового соединения. Исходный материал Ширина запрещенной зоны, Конвенции EV Германия 0,6 … 1 и кремний 1 … 1,3 В Арсенид Галлий более 1,3 с Индией Антимонид менее 1,6 D

Слайд 12.

Второй элемент (буква) указывает на подкласс полупроводниковых приборов. Третий элемент (цифра или буква) обозначает в буквенно-цифровых полупроводниковых приборах, предназначенных для прибора общего пользования (цифра) или для оборудования специального назначения (буква).В качестве буквы в последнем случае используются заглавные латинские буквы, употребляемые в обратном порядке z, y, x и т. Д. Четвертый элемент (2 цифры) означает порядковый номер технологической разработки и варьируется от 01 до 99. Например, VTX10-200 — кремниевый управляемый выпрямитель (тиристор) специального назначения с регистрационным номером 10 и напряжением 200 В.

Слайд 13.

стандартная система обозначений стандарта JIS-C-7012, разработанная в Японии (стандарт JIS-C-7012, принятый Японской ассоциацией электронной промышленности EIAJ), позволяет определить класс полупроводникового устройства (диод или транзистор), его назначение, тип проводимости полупроводника.Тип полупроводникового материала в японской системе не отражен. Условное обозначение полупроводниковых приборов по стандарту JIS-C-7012 состоит из пяти элементов. Первый элемент. Первый элемент (цифра) обозначает тип полупроводникового прибора. 3 цифры (0, 1, 2 и 3) используются в соответствии с типом прибора. Второй элемент. Второй элемент обозначается буквой S и указывает на то, что это устройство полупроводниковое. Буква S используется как начальная буква от слова полупроводник.Третий элемент. Третий элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Ниже в таблице показаны буквы, используемые для обозначения подклассов четвертого элемента. Четвертый элемент обозначает регистрационный номер технологической разработки и начинается с цифры 11. Пятый элемент. Пятый элемент отражает модификацию разработки (А и Б — первая и вторая модификация).

Слайд 14.

JEDEC JEDEC DEVICES SYSTEM (JOINT ELECTRON DEVICE ENGINEERING COUNCIL), принятая Техническим советом США по электронным устройствам США.В этой системе инструменты обозначаются индексом (кодом, маркировкой), в котором: первый элемент. Первый элемент (цифра) обозначает количество переходов P-N. 4 цифры (1, 2, 3 и 4) используются в соответствии с типом прибора: 1 — диод, 2 — транзистор, 3 — тиристор, 4 — оптопара. Второй элемент. Второй элемент состоит из буквы N и серийного номера, зарегистрированного E-Industry Association (EIA). Цифры серийного номера не определяют тип исходного материала, частотный диапазон, рассеивающую способность и объем.Третий элемент. Третий элемент — это одна или несколько букв, обозначающих разбивку приборов одного типа по симптомам по различным характеристикам. Производитель, приборы которого по своим параметрам аналогичны приборам, зарегистрированным EIA, может представлять свои приборы с обозначением, принятым через систему JEDEC. Пример: 2n2221a, 2n904.

Слайд 15.

Графические обозначения и стандарты в технической документации и специальной литературе применяют условные графические обозначения полупроводниковых приборов по ГОСТ 2.730-73 «Условные обозначения, графика в схемах. Полупроводниковые приборы».

Слайд 16.

Слайд 17.

Слайд 18.

Слайд 19.

Слайд 20.

Clade 21.

Clade 22.

Слайд 23.

Слайд 24.

Слайд 25.

Clade 26.

Слайд 30.

Триод, запираемый в обратном направлении, поворотный, с контролем аномалии катода

Слайд 31.

Определены условные обозначения электрических параметров и сравнительные справочные данные полупроводниковых приборов для полупроводниковых приборов и определены нормированные значения основных электрических параметров и предельные эксплуатационные характеристики, которые приведены в справочниках.К таким параметрам относятся: напряжение (например, UPR — постоянное постоянное напряжение диода), ток (например, Ist, Max — максимально допустимый ток при стабилизации стабилизации, мощность (например, выходная мощность биполярного транзистора), сопротивление (например, Дифференциальное сопротивление Radiff Diode), Емкость (например, CK — емкость перехода коллектора), время и частота (например, TWOS, OBR — время обратного восстановления тиристора, диода), Температура (например, Tmax — Максимальная температура окружающей среды).Количество основных электрических величин. Параметры исчисляются сотнями, и для каждого подкласса полупроводниковых приборов эти параметры будут разными. В справочных изданиях приведены значения основных электрических параметров и предельные эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов. Ниже в качестве примера эти данные приведены для типичных представителей различных типов инструментов.

Слайд 32.

Примеры знаков некоторых транзисторов: КТ604А — кремниевый биполярный, средней мощности, низкочастотный, разработка № 04, группа А 2Т920 — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, № разработки 37, группа А 2ПС202А-2 — набор маломощные кремниевые полевые транзисторы средней частоты, № Разработка 02, группа А, в применении, с гибкими выводами на кристаллодержателе.2Д921А — кремниевый импульсный диод с эффективным временем жизни бессмысленных носителей заряда менее 1НЗ, разработка №21, группа А 303г — диод арсенидогаллиевый туннельный генераторный, № разработки 3, группа G Ad103B — арсенидогаллиевый излучающий инфракрасный диод, № разработки 3, группа Б.

Слайд 33.

Основные ГОСТы: ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения ОСТ 11 336 919 -81 Приборы полупроводниковые. Система символов. ГОСТ 2.730-73 Условные графические обозначения в схемах.Полупроводниковые приборы ГОСТ 18472-82 Полупроводниковые приборы. Основные размеры ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. ГОСТ 19095-73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. ГОСТ 23448 — 79 Приборы полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

Быстрое развитие и расширение областей применения электронных устройств обусловлено совершенствованием элементной базы, в основе которой полупроводниковые устройства полупроводниковые материалы по своему удельному сопротивлению (ρ = 10-6 ÷ 1010 ОмМ) занимают промежуточное положение. место между проводниками и диэлектриками.Народно-художественные материалы



Полупроводниковые диоды — это полупроводниковый прибор с одним P-N-N-переходом и двумя выводами, работа которых основана на свойствах P-N-перехода. Основное свойство P-N-перехода — односторонняя проводимость — ток идет только в одном направлении. Условно — графическое обозначение (HTO) диода имеет форму стрелки, которая указывает направление протекания тока через прибор.Конструктивный диод состоит из заключенного в корпусе p-n-перехода (за исключением неподходящих микромодулей) и двух выводов: из P-области — анод, из N-области — катод. То есть диод — это полупроводниковый прибор, который пропускает только в одном направлении — от анода к катоду. Зависимость тока через прибор от приложенного напряжения называется вольт-амперной характеристикой прибора I = F (U).

Транзисторы Транзистор — это полупроводниковое устройство, предназначенное для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов, а также переключения электрических цепей.Отличительной особенностью транзистора является возможность увеличения напряжения и тока — действующие на входе транзистора напряжения и токи приводят к появлению на его выходе значительно большего количества напряжений и токов. Свое название транзистор получил от сокращения двух английских слов TRAN (RE) Систор — управляемый резистор. Транзистор позволяет регулировать ток в цепи от нуля до максимального значения.

Классификация транзисторов: — по принципу действия: полевые (униполярные), биполярные, комбинированные.- по величине рассеиваемой мощности: малая, средняя и большая. — по величине предельной частоты: низкая, средняя, ​​высокая и сверхчастотная. — по величине рабочего напряжения: низко- и высоковольтное. — по функциональному назначению: универсальный, усилительный, ключевой и др. — по конструктивному исполнению: малоразмерный и в корпусе с жесткими и гибкими выводами.

В зависимости от выполняемых функций транзисторы могут работать в трех режимах: 1) активный режим — используется для усиления электрических сигналов в аналоговых устройствах.Сопротивление транзистора варьируется от нуля до максимального значения — мол транзистор «открывается» или «закрывается». 2) режим насыщения — сопротивление транзистора стремится к нулю. В этом случае транзистор эквивалентен замкнутому контакту реле. 3) Режим зацепления — транзистор закрыт и имеет высокое сопротивление, то есть эквивалентен размыкающему контакту реле. Режимы насыщения и отсечки используются в цифровых, импульсных и коммутационных схемах.

Индикатор электронный Indica Á Thor Это электронный показывающий прибор, предназначенный для визуального контроля над событиями, процессами и сигналами.Электронные индикаторы устанавливаются в различное бытовое и промышленное оборудование для информирования человека об уровне или значении различных параметров, таких как напряжения, ток, температура, заряд аккумулятора и т. Д. Часто электронный индикатор ошибочно называют механическим индикатором с электронной шкалой . Электронный индикатор механического индикатора устройства


Быстрое развитие и расширение областей применения электронных устройств обусловлено совершенствованием элементной базы, в основе которой полупроводниковые приборы полупроводниковые материалы по своему удельному сопротивлению (ρ = 10-6 ÷ 1010 Ом · м) занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками.Быстрое развитие и расширение областей применения электронных устройств обусловлено совершенствованием элементной базы, в основе которой полупроводниковые приборы полупроводниковые материалы по своему удельному сопротивлению (ρ = 10-6 ÷ 1010 Ом · м) занимают промежуточное положение. место между проводниками и диэлектриками.


Для изготовления электронных устройств используются твердые полупроводники, имеющие кристаллическую структуру. Для изготовления электронных устройств используются твердые полупроводники, имеющие кристаллическую структуру.Полупроводниковыми приборами называют инструменты, действие которых основано на использовании свойств полупроводников.


Полупроводниковые диоды — это полупроводниковый прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами, работа которых основана на свойствах P-N-перехода. Основное свойство P-N-перехода — односторонняя проводимость — ток идет только в одном направлении. Условно графическое обозначение (Hugo) диода имеет вид стрелки, которая указывает направление протекания тока через прибор.Конструктивно диод состоит из заключенного в корпус P-N-перехода (за исключением неподходящих микромодулей) и двух выводов: из P-области — анод, из N-области — катод. Те. Диод — это полупроводниковый прибор, пропускающий ток только в одном направлении — от анода к катоду. Зависимость тока через устройство от приложенного напряжения называется вольт-амперной характеристикой (ВА) устройства I = F (U).


Транзисторы Транзистор — это полупроводниковое устройство, предназначенное для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов, а также переключения электрических цепей.Отличительной особенностью транзистора является возможность увеличения напряжения и тока — действующие на входе транзистора напряжения и токи приводят к появлению на его выходе значительно большего количества напряжений и токов. Свое название транзистор получил от сокращения двух английских слов TRAN (RE) Систор — управляемый резистор. Транзистор позволяет регулировать ток в цепи от нуля до максимального значения.


Классификация транзисторов: Классификация транзисторов: — по принципу действия: полевые (униполярные), биполярные, комбинированные.- по величине рассеиваемой мощности: малая, средняя и большая. — по величине предельной частоты: низкая, средняя, ​​высокая и сверхвысокая частота. — по величине рабочего напряжения: низкое и высокое напряжение. — по функциональному назначению: универсальный, усилительный, ключевой и др. — по конструктивному исполнению: малоразмерный и в корпусе с жесткими и гибкими выводами.


В зависимости от выполняемых функций транзисторы могут работать в трех режимах: В зависимости от выполняемых функций транзисторы могут работать в трех режимах: 1) активный режим — используется для усиления электрических сигналов в аналоговых устройствах.Сопротивление транзистора варьируется от нуля до максимального значения — мол транзистор «открывается» или «подкачивается». 2) режим насыщения — сопротивление транзистора стремится к нулю. В этом случае транзистор эквивалентен замкнутому контакту реле. 3) Режим заедания — транзистор закрыт и имеет высокое сопротивление, т.е. эквивалентно разомкнутому контакту реле. Режимы насыщения и отсечки используются в цифровых, импульсных и коммутационных схемах.


Индикатор Электрический индикатор представляет собой электронный показывающий прибор, предназначенный для визуального контроля событий, процессов и сигналов.Электронные индикаторы устанавливаются в различное бытовое и промышленное оборудование для информирования человека об уровне или значении различных параметров, таких как напряжения, ток, температура, заряд аккумулятора и т. Д. Часто электронный индикатор ошибочно называют механическим индикатором с электронной шкалой. .

Работа может быть использована для проведения уроков и отчетов по предмету «Физика»

Наши готовые презентации по физике превращают сложные темы урока в простые, интересные и легко понятные.Большинство изучаемых на уроках физики экспериментов невозможно провести в обычных школьных условиях, вы можете показать такие эксперименты с помощью презентаций по физике. В этом разделе сайта вы можете скачать готовые презентации по физике для 7,8,9,10,11 класса, а также Презентационные лекции и презентации-семинары по физике для студентов.

Представлена ​​презентация, которую можно использовать на уроках физики, а также в упражнениях по электротехнике и основам электроники в средних профессиональных учебных заведениях.В статье изложена тема «Полупроводниковые приборы».

Полупроводниковыми или электрическими конструкциями называются инструменты, действие которых основано на использовании полупроводников.

Полупроводники

К включают элементы Четвертой таблицы Менделеева, имеющие кристаллическую структуру. Германия, кремний, селен — самые распространенные.

К полупроводникам

К также относятся оксиды металлов — оксиды, соединения с серыми сульфидами, соединения селена — селениды.

Виды полупроводников и их проводников.Собственный полупроводник — это неподготовленный полупроводник.

Процесс возникновения свободных электронов и дырок называется генерацией носителей заряда.

Полупроводник

B — возможный процесс, обратный процесс генерации — рекомбинация. Во время рекомбинации пары зарядов зарядов происходит электронно-дырочный контроль носителей заряда, и, следовательно, электрическая проводимость в полупроводнике увеличивается с увеличением температуры. При температурах концентрация носителей заряда для чистого Ge составляет 10 13 см -3, для Si — 10 11 см -3.

Этот полупроводник имеет собственную проводимость, которая состоит из электронов и дырок в равных количествах

3 Слайд:

Виды полупроводников и их проводников

Электронные полупроводники

Электропроводность этого типа называется электронной или n-типа (от negative — отрицательная).

Примесь, дающая избыточные электроны, называется донорной (дающая электроны — основные носители заряда, а дырки не являются остовными.

Полупроводник с отверстиями

Дырка (p-тип) — это примесный полупроводник, валентность атомов примеси которого меньше валентности атомов чистого полупроводника. Например, Германий с примесью Индии. Проводимость такого полупроводника будет определяться дырками и называется дырочным или r -тип (от POSITIVE — положительный).

Примесь, дающая избыточную дырку, называется акцептором (хозяином).

Дырки — основные носители заряда, а электроны нежилые.

5 Слайд:

Полупроводниковые диоды

1. Случай отсутствия напряжения.

Область, в которой формируется двойной электрический слой и электрическое поле, называется N-P переходом электрон-дырка.

Основные носители заряда, двигаясь через Н-П — переход, создают диффузионный ток. Движение неосновных носителей заряда создает ток проводимости.

B Состояние равновесия Эти токи равны по величине и противоположны по направлению. Тогда результирующий ток через переход равен нулю.

2. Корпус постоянного напряжения.

Эта полярность называется прямой.

При постоянном напряжении внешнее поле ослабляет поле N-P — переходное поле.

Переход основных носителей заряда будет преобладать над переходом неосновных носителей заряда. Через переход пройдет постоянный ток.Этот ток велик, т.к. определяется основными носителями заряда.

3. Случай обратного напряжения.

Через N-P — переход проходят только неосновные носители заряда: дырки из N — полупроводник и электроны из P — полупроводник. Они создают во внешней цепи ток, в противоположность постоянному току — обратный ток. Это примерно в тысячу раз меньше постоянного тока, т.к. определяется неосновными носителями заряда.

8 Слайд:

Вольт-амперный диод

С увеличением обратного напряжения потоки основных носителей заряда уменьшаются, обратный ток увеличивается.

Дальнейшее увеличение u arr немного увеличивает ток, т.к. определяется потоками неосновных носителей заряда.

Главное свойство диодов: т.к. диоды хорошо проводят в прямом направлении и плохо в обратном, то они обладают свойством односторонней проводимости, являются электрическими лампами и используются в схемах выпрямителей переменного тока.

9 Слайд:

Типы диодов

Устройство плоского диода.

Диодное устройство Digid

Обозначение полупроводниковых диодов на схемах.

10 Слайд:

Опорные кремниевые диоды

Этот диод спроектирован таким образом, что увеличение обратного напряжения (приложенного к n-P. — переход) выше некоторого предела приводит к обрыву диода — быстрому увеличению обратного тока I. OBR с постоянным обратным напряжением U. обр.

Если ток через диод превысит I. мАч, это приведет к его перегреву и разрушению. Характеристики рабочей станции — участок из I. MIN BE I. Mah. , г. , который используется для стабилизации напряжения. Опорные диоды используются для стабилизации напряжения и создания опорного (опорного) напряжения. Поэтому их называют кремниевыми стабилизаторами.

Dell 1815dn Руководство по обслуживанию PDF | Электростатический разряд

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 7 по 12 не показаны в этом предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 16 по 29 не показаны в этом предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 37 по 50 не показаны в этом предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Page 61 не отображается в этом предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 65 по 70 не показаны в этом предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 74 по 83 не показаны в этом предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 87 по 97 не показаны при предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 101 по 104 не показаны в этом предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 111 по 133 не показаны при предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 140 по 146 не показаны в этом предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Стр. 150 не отображается в этом предварительном просмотре.

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 6 0 obj /Заголовок /Предмет / Автор /Режиссер / Ключевые слова / CreationDate (D: 20210623074200-00’00 ‘) / ModDate (D: 20161102222147 + 01’00 ‘) /PTEX.Fullbanner (Это pdfTeX, версия 3.14159265-2.6-1.40.17 \ (TeX Live 2016 / W32TeX \) kpathsea версии 6.2.2) / В ловушке / Ложь >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > эндобдж 23 0 объект > эндобдж 24 0 объект > эндобдж 25 0 объект > эндобдж 26 0 объект > эндобдж 27 0 объект > эндобдж 28 0 объект > эндобдж 29 0 объект > эндобдж 30 0 объект > эндобдж 31 0 объект > эндобдж 32 0 объект > эндобдж 33 0 объект > эндобдж 34 0 объект > эндобдж 35 0 объект > эндобдж 36 0 объект > эндобдж 37 0 объект > эндобдж 38 0 объект > эндобдж 39 0 объект > эндобдж 40 0 объект > эндобдж 41 0 объект > эндобдж 42 0 объект > эндобдж 43 0 объект > эндобдж 44 0 объект > эндобдж 45 0 объект > эндобдж 46 0 объект > эндобдж 47 0 объект > эндобдж 48 0 объект > эндобдж 49 0 объект > эндобдж 50 0 объект > эндобдж 51 0 объект > эндобдж 52 0 объект > эндобдж 53 0 объект > эндобдж 54 0 объект > эндобдж 55 0 объект > эндобдж 56 0 объект > эндобдж 57 0 объект > эндобдж 58 0 объект > эндобдж 59 0 объект > эндобдж 60 0 объект > эндобдж 61 0 объект > эндобдж 62 0 объект > эндобдж 63 0 объект > эндобдж 64 0 объект > эндобдж 65 0 объект > эндобдж 66 0 объект > эндобдж 67 0 объект > эндобдж 68 0 объект > эндобдж 69 0 объект > эндобдж 70 0 объект > эндобдж 71 0 объект > эндобдж 72 0 объект > эндобдж 73 0 объект > эндобдж 74 0 объект > эндобдж 75 0 объект > эндобдж 76 0 объект > эндобдж 77 0 объект > эндобдж 78 0 объект > эндобдж 79 0 объект > эндобдж 80 0 объект > эндобдж 81 0 объект > эндобдж 82 0 объект > эндобдж 83 0 объект > эндобдж 84 0 объект > эндобдж 85 0 объект > эндобдж 86 0 объект > эндобдж 87 0 объект > эндобдж 88 0 объект > эндобдж 89 0 объект > эндобдж 90 0 объект > эндобдж 91 0 объект > эндобдж 92 0 объект > эндобдж 93 0 объект > эндобдж 94 0 объект > эндобдж 95 0 объект > эндобдж 96 0 объект > эндобдж 97 0 объект > эндобдж 98 0 объект > эндобдж 99 0 объект > эндобдж 100 0 объект > эндобдж 101 0 объект > эндобдж 102 0 объект > эндобдж 103 0 объект > эндобдж 104 0 объект > эндобдж 105 0 объект > эндобдж 106 0 объект > эндобдж 107 0 объект > эндобдж 108 0 объект > эндобдж 109 0 объект > эндобдж 110 0 объект > эндобдж 111 0 объект > эндобдж 112 0 объект > эндобдж 113 0 объект > эндобдж 114 0 объект > эндобдж 115 0 объект > эндобдж 116 0 объект > эндобдж 117 0 объект > эндобдж 118 0 объект > эндобдж 119 0 объект > эндобдж 120 0 объект > эндобдж 121 0 объект > эндобдж 122 0 объект > эндобдж 123 0 объект > эндобдж 124 0 объект > эндобдж 125 0 объект > эндобдж 126 0 объект > эндобдж 127 0 объект > эндобдж 128 0 объект > эндобдж 129 0 объект > эндобдж 130 0 объект > эндобдж 131 0 объект > эндобдж 132 0 объект > эндобдж 133 0 объект > эндобдж 134 0 объект > эндобдж 135 0 объект > эндобдж 136 0 объект > эндобдж 137 0 объект > эндобдж 138 0 объект > эндобдж 139 0 объект > эндобдж 140 0 объект > эндобдж 141 0 объект > эндобдж 142 0 объект > эндобдж 143 0 объект > эндобдж 144 0 объект > эндобдж 145 0 объект > эндобдж 146 0 объект > эндобдж 147 0 объект > эндобдж 148 0 объект > эндобдж 149 0 объект > эндобдж 150 0 объект > эндобдж 151 0 объект > эндобдж 152 0 объект > эндобдж 153 0 объект > эндобдж 154 0 объект > эндобдж 155 0 объект > эндобдж 156 0 объект > эндобдж 157 0 объект > эндобдж 158 0 объект > эндобдж 159 0 объект > эндобдж 160 0 объект > эндобдж 161 0 объект > эндобдж 162 0 объект > эндобдж 163 0 объект > эндобдж 164 0 объект > эндобдж 165 0 объект > эндобдж 166 0 объект > эндобдж 167 0 объект > эндобдж 168 0 объект > эндобдж 169 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC / ImageB / ImageI] >> эндобдж 170 0 объект > поток x ڝ XɎ6 + HCm9tUŹ) R% jɔev0Ő 甧 ML_OvnF`z4ś04 _? Wc \\ / 8klV542Ic «= ЗЫ1: &! ) iUMN: oϠ; ѻhD: CA O · _0Y3gm ~ ٢% jtYW1B: F # T + G * 1X \ ftSOQ = C, Gl.b./w visible!.b%{-s @ MIoxe = 1 ί «¼QD ݘ b / 2ѫ; V ٭ ᨎ a IʰɩM

Сокращения космической эры | SpringerLink

Об этой книге

Введение

Агломерация аббревиатур — это болезнь времени, и есть наркоманы, которые по своей слабости не могут противостоять им. За последние месяцы мои сверстники не раз предупреждали меня о моей очевидной готовности использовать не только акронимы, но и аббревиатуры, иностранные измы, коды и другие загадочные символы, а не обычные, обычные американские слова.Однако многие из нас либо не получали, либо предпочитали игнорировать такой совет. Как следствие, то, что мы пишем и говорим, полно загадок и путаницы. Именно для читателя и слушателя, а также для писателя и докладчика Рета К. Мозер составил это руководство. Настоятельно рекомендуется его эффективное применение в искусстве общения. Такое использование должно помочь избежать многих ежедневных недоразумений, связанных с терминологией. Хотя такие недоразумения, безусловно, имеют решающее значение в гуманистических и социальных ситуациях, они часто имеют непосредственное значение и приводят к катастрофе в научных, технических и политических ситуациях.Приведено около 15 000 сокращений и 25 000 определений (увеличение на 50 и 47 процентов по сравнению с изданием 1964 года!), Благодаря усердию мисс Мозер при составлении компиляции и признанию того, что этот феномен аббревиатуры очень нам близок. Это издание, как и первое, несомненно, будет полезно для писателей, библиотекарей, редакторов и других лиц, которые должны определять аббревиатуры и иметь дело с ними.

Ключевые слова

средства массовой информации искусства

Библиографическая информация

  • Заголовок книги Акронимы космической эры
  • Подзаголовок книги Сокращения и обозначения
  • Авторы Рета К.Moser
  • DOI https://doi.org/10.1007/978-1-4615-9594-6
  • Информация об авторских правах Springer-Verlag, США, 1969 г.
  • Имя издателя Спрингер, Бостон, Массачусетс
  • электронные книги Архив книг Springer
  • ISBN в твердом переплете 978-0-306-65132-8
  • ISBN в мягкой обложке 978-1-4615-9596-0
  • электронная книга ISBN 978-1-4615-9594-6
  • Номер издания 1
  • Количество страниц Х, 490
  • Количество иллюстраций 0 ч / б иллюстраций, 0 иллюстраций в цвете
  • Темы Наука, гуманитарные и социальные науки, междисциплинарные
  • Купить эту книгу на сайте издателя
Индекс

оф.es / 

 Название Размер
 Android / -
 Галерея искусств/                  -
 Атаки / -
 Переполнение буфера / -
 C ++ / -
 CSS / -
 Компьютер / -
 Конференции / -
 Растрескивание / -
 Криптография / -
 Базы данных / -
 Глубокая сеть / -
 Отказ в обслуживании/            -
 Электронные книги / -
 Перечисление / -
 Эксплойт / -
 Техники неудачной атаки / -
 Судебно-медицинская экспертиза / -
 Галерея / -
 HTML / -
 Взломать / -
 Взлом-веб-сервер / -
 Взлом беспроводных сетей / -
 Взлом / -
 Генератор хешей / -
 JS / -
 Ява/                         -
 Linux / -
 Отмыкание/                  -
 Журналы / -
 Вредоносное ПО / -
 Метасплоит / -
 Разное / -
 Разное / -
 Протоколы сетевой безопасности / -
 Сеть / -
 ОПЕРАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ/                           -
 Другое / -
 PHP / -
 Perl / -
 Программирование / -
 Python / -
 RSS / -
 Rdbms / -
 Разобрать механизм с целью понять, как это работает/          -
 Рубин/                         -
 Сканирование сетей / -
 Безопасность/                     -
 Захват сеанса / -
 Снифферы / -
 Социальная инженерия/           -
 Поддерживает / -
 Системный взлом / -
 Инструменты/                        -
 Учебники / -
 UTF8 / -
 Unix / -
 Вариос-2 / -
 Варианты / -
 Видео/                       -
 Вирусы / -
 Окна / -
 Беспроводная связь / -
 Xml / -
 z0ro-Репозиторий-2 / -
 z0ro-Репозиторий-3 / -

Journal of Green Engineering

Основная цель данной исследовательской работы — сделать обзор осуществимости различных интеллектуальных методов оптимизации, применяемых в энергосистеме.Эти методы оптимизации применяются в энергосистеме для обеспечения стабильной, надежной и качественной энергии утилизаторов электроэнергии, чтобы обеспечить эффективное использование коммунальных услуг на стороне потребителя. В этой работе рассматриваются различные типы методов оптимизации, чтобы найти оптимальное решение для конкретных проблем энергосистемы, таких как достижение оптимального расположения гибридных фильтров для уменьшения гармоник, вводимых в энергосистему, удовлетворения спроса на энергию, достижения стабильности напряжения, минимизации затрат на генерация, проблемы экономической диспетчеризации, настройка различных параметров управления в контроллерах, повышение качества электроэнергии и т. д.Как известно, нелинейные нагрузки и полупроводниковые приборы являются источниками гармоник в энергосистеме. До сих пор ведутся исследования по оптимальному размещению фильтров, нестандартных устройств питания, конденсаторов, трансформаторов и т. Д. В энергосистеме. Оптимально расположенные фильтры не должны превышать точные пределы THDV и THDI в соответствии со стандартом IEEE 519-1992.
Ключевые слова: методы оптимизации, специальные устройства питания (CPD), THDV, THDI, гибридные фильтры.

[1] Масуд Фархудня, Аза Мохамед, Хуссейн Шариф1, Хади Зайандехрооди, «Комплексный обзор методов оптимизации, применяемых для размещения и определения размеров заказных силовых устройств в распределительных сетях», Electrical Review, Vol.88, № 11а, стр. 261-265, 2012.

[2] Судха Рамасами и Каса Судхир, «Повышение качества электроэнергии в интегрированной трехфазной системе возобновляемых источников энергии с контроллером ICC», Журнал экологической инженерии, том 8, № 1, стр. 71-88, 2018.

[3] Мин-Хуа Линь, Юнг-Фа Цай и Чиан-Сон Ю, «Обзор методов детерминированной оптимизации в проектировании и управлении», Математические проблемы в инженерии, том 2012, № 8, стр.15-26 , 2012.

[4] Бин Ван, Лотфолла Наджар, Нил Н.Сюн и Рунг Чинг Чен, «Стохастическая оптимизация: теория и приложения», Журнал прикладной математики, том 2013, № 13, стр. 2–6, 2013 г.

[5] Мариана Ресенер, Серхио Хаффнер, Луис А. Перейра, Панос М. Пардалос, «Методы оптимизации, применяемые к планированию систем распределения электроэнергии: библиографический обзор», Energy Systems, Vol.9, No. 11, pp. 473-509, 2018.

[6] Нареш Малла, Уджвол Тамракар, Дипеш Шреста, Чжен Ни и Рейнальдо Тонкоски, «Управление обучением в режиме онлайн для снижения гармоник на основе Преобразователи мощности с регулируемым источником напряжения », CAA Journal of Automatica Sinica, Vol.4, №3, стр. 4-8, 2017.

[7] Тарик Самад, «Интеллектуальное управление: обзор методов», Перспективы технологий управления, приложений и новых направлений, Wiley-IEEE Press, стр. 104-133, 2001.

[8] Беназир Хаджира, Ганешкумар Дейвасикамани, «Снижение гармоник с использованием шунтирующего фильтра активной мощности с ПИ-регулятором», Международный журнал научных разработок и исследований, Том 2, № 4, стр. 85-90, 2014.

[9] Nakamatsu.K, Kountchev.R, «Новые подходы в интеллектуальном управлении», методы, методологии и приложения, Springer International Publishing, 2016.

[10] G. Сатьянараяна Рао; Я. Равиндра Редди «Внедрение контроллера нечеткой логики в SHPF и TCR для качества электроэнергии», Международная конференция по электротехнике, электронике и методам оптимизации (ICEEOT), 2016.

[11] Р. Belaidia, A. Haddouche, H. Guendouz, «Трехфазный шунтирующий активный фильтр мощности на основе контроллера нечеткой логики для компенсации гармоник и реактивной мощности при несимметричных напряжениях сети», Энергетические процедуры, Том 18, № 6, стр. 560-570 , 2012.

[12] Шихонг Ву, Ганг Данг, Цзюнь Ван, Сяохуэй Ли, Чжися Чжан, Фэнли Цзян, Физические процедуры «Управление гармониками на основе нечеткой логики», том.24, Часть B, стр. 1292-1297, 2012.

[13] В.В. Аппаланаиду Менда, Б. Санкарапрасад, Котяда Кальяни, «Шунтирующий активный фильтр на основе нейронной сети для подавления гармоник: технологический обзор», Международный журнал инженерных исследований и разработок, Том 2, № 11, стр. 32-41 , 2012.

[14] Дж. Джаячандран, Р. Мурали Сачитанандам, «Контроллер на основе ИНС для трехфазного четырехполюсного шунтирующего активного фильтра для улучшения качества электроэнергии», Инженерный журнал Айн Шамс, Том 7, № 1, стр. 275-292, 2016.

[15] Н. М. Ходр, Зита, Вале, Карлос Рамос и П. Фариа1 «Методы оптимизации для планирования распределения электроэнергии с неопределенностями: сравнительное исследование», Общее собрание IEEE Power & Energy Society, 2009.

[16] Доктор Р. Бансал, «Методы оптимизации электроэнергетических систем: обзор», Международный журнал развивающихся электроэнергетических систем, Vol. 2, №1, 2005.

[17] Мариана Ресенер, Панос М. Пардалос, Сержио Хаффнер «Специальный выпуск« Оптимизация в системах распределения электроэнергии », Energy Systems, Vol.9, № 12, с. 469–471, 2018.

[18] F. Пило, Самуэль Юп, Федерико Сильвестро, Чад Абби, «Методы планирования и оптимизации для активных систем распределения», Рабочая группа C6.19, 2014.

[19] Хоссам А. Габбар, Адель Шараф, Ахмед М. Отман, Ахмед С. Элдесуки и Абделазим А. Абдельсалам, «Интеллектуальные системы управления и приложения в интеллектуальных сетях», Новые подходы в интеллектуальном управлении, часть справочника по интеллектуальным системам Серия библиотечных книг (ISRL), том 107, стр 135-163, 2016.

[20] Л. Огунволу1, О. Эро и О. Ибидапо-Обе, «Моделирование и оптимизация системы планирования сети распределения электроэнергии с использованием смешанного двоичного целочисленного программирования», Нигерийский технологический журнал, том 36, номер 2, стр. 552–562, 2017.

[21] К. Мастери и Б. Венкатеш, «Новый метод оптимизации для реконфигурации распределительной системы», 27-я Канадская конференция по электротехнике и вычислительной технике (CCECE), IEEE, 2014.

[22] Сваруп С. Гуггилам, Эмилиано Далл’Анезе, Ю. Кристин Чен, Сайрадж В.Дхопл и Георгиос Б. Гианнакис, «Масштабируемые методы оптимизации для распределительных сетей с высокой интеграцией фотоэлектрических модулей», IEEE Transactions on Smart Grid, Vol.7, No. 4, pp.1-6, 2016.

[23] Вихдат Джафара, Юсеф Амера, Санг-Хеон Лиа, «Модели и методы оптимизации в протяженных распределительных сетях: обзор» Procedure Manufacturing, Том 2, № 6, стр. 519-526, 2015.

[24] С. Сучета и Дж. Рампрабхакар «Методы оптимизации для работы и управления микросетями — обзор», Journal of Green Engineering, Vol.8, вып. 4. С. 621–644, 2018.

.

[25] Петер Кадар, «Применение методов оптимизации в управлении энергосистемой» Acta Polytechnica Hungarica, Vol.10, No. 5, pp.221-236, 2013.

[26] гл. Рамеш, д-р Р. Виджаясанти «Сравнительный анализ повышения качества электроэнергии с использованием методов оптимизации», Международный журнал перспективных исследований в области электротехники, электроники и приборостроения, том. 6, № 9, стр.6870-6876, 2017.

[27] Сухайль Хохар, Абдулла Асухайми Б.Мохд Зин, Ахмад Сафави Б. Мохтар, Махмуд Песаран, «Комплексный обзор применения методов обработки сигналов и искусственного интеллекта в классификации нарушений качества электроэнергии», Обзоры возобновляемой и устойчивой энергетики, том 51, № 6, стр. 1650- 1663, 2015.

[28] Эмад Назерян, Сина Гарабаги, Амир Сафдариан, «Оптимальная реконфигурация распределительной сети с учетом проблем качества электроэнергии», Конференция Smart Grid (SGC), том 2, номер 6, стр.1-6, 2017.

[29] Зейнеб Абдмуле, Адель Гастли, Лазар Бен-Брахим, Мохамед Хауари, Насер Ахмед аль-Эмади «Обзор методов оптимизации, применяемых для интеграции распределенной генерации из возобновляемых источников энергии», Возобновляемая энергия, Vol.113, № 8, стр. 266–280, 2017.

[30] M.R. Аль-Рашиди, М.Ф. Аль-Хаджри, А. Аль-Осман и К. Эль-Наггар, «Оптимизация роя частиц и ее применение в энергетических системах» Вычислительный интеллект в энергетике, Том 302, № 8, стр 295–324, 2010.

[31] С. Хариш Киран, Субхрансу Секхар Даш, К. Субрамани, «Эффективность двух модифицированных методов оптимизации для задач стабильности напряжения энергосистемы», Александрийский инженерный журнал, Том 55, № 3, стр. 2525–2530, 2016.

[32] Ши Чен, Хуэй Лу, Сюцзюань Лей, Юхуэй Ши, «Четверть века оптимизации роя частиц», Сложные и интеллектуальные системы, Том 1, № 3, стр. 227–239, 2018.

[33] Саптарши Сенгупта, Санчита Басак и Ричард Алан Петерс II, «Оптимизация роя частиц: обзор исторических и недавних разработок с перспективами гибридизации», Нейронные и эволюционные вычисления, Том 1, № 1, стр. 157-191 , 2018.

[34] Дэн Кристиан, Константин Барбулеску, Стефан Килиени, Василе Попеску «Методы оптимизации роя частиц.Приложения энергетических систем », 6-я Международная конференция по взаимодействию человеческих систем (HSI), 2013.

[35] Габер Эль-Саади, Эссамудин А. Эбрахим, Х.И. Абдул-Гаффар, Ю.С. Мохамед, Абу-Хашима Эль-Сайед, «Оптимизация управления роем частиц активного фильтра мощности для подавления гармоник гибридной электрической несбалансированной тяги. Система », Конгресс IEEE по эволюционным вычислениям (CEC), 2018.

[36] Кайбалья Прасад Панда, Гаядхар Панда, «Применение модифицированного алгоритма на основе оптимизации роя для селективного устранения гармоник в многоуровневом инверторе с уменьшенным числом переключателей», IET Power Electronics, Vol.11, № 8, стр.1472-1482, 2018.

[37] Кайюань Луо, «Гармонический анализ отказов энергосистемы на основе улучшенного алгоритма оптимизации роя частиц», Международная конференция по энергетике и прикладным технологиям (ESAT 2018), 2018.

[38] E. Гарсиа-Гонсало и Х. Л. Фернандес-Мартинес «Краткий исторический обзор оптимизации роя частиц (PSO)», Журнал биоинформатики и интеллектуального управления, Vol. 1, №2, стр. 3–16, 2012.

[39] Юдун Чжан, Шуйхуа Ван и Генлинь Цзи, «Комплексное исследование алгоритма оптимизации роя частиц и его приложений», «Математические проблемы в инженерии», Vol.2015, №4, стр.38, 2015.

[40] Дайан Палупи Рини, Сити Мариям Шамсуддин, Сити Софияти Юханиз, «Оптимизация роя частиц: методика, система и проблемы», Международный журнал компьютерных приложений, Vol. 14, №1, 2011.

[41] Сироте Хункитти, Невилл Р. Уотсон, Ронгрит Чаттаворн, «Улучшенный подход к оптимизации DA-PSO для решения проблемы обязательств подразделения», Энергия, Том 12, № 12, стр. 1-8, 2019.

[42] Ахмед А. А. Эсмин и Джермано Ламберт-Торрес «Применение оптимизации роя частиц к оптимальным энергетическим системам», International Журнал инновационных вычислений, информации и управления, Vol.8, No 3 (А), 2012.

[43] S.K. Раутрей, С. Чоудхури, С. Мишра, П.К. Раут, «Подход на основе оптимизации роя частиц для повышения устойчивости энергосистемы при переходных процессах с помощью TCSC», Технология процедур, том 6, номер 10, стр. 31–38, 2012 г.

[44] Адейемо И.А., Окедиран О.О., Оейли, Калифорния, «Подход оптимизации роя частиц к снижению гармоник в многоуровневом инверторе источника напряжения», Международный журнал мягких вычислений и инженерии, Том 5, № 5, С. 1-5, 2015.

[45] Брахим Бербауи, Челлали Беначайба, Мустафа Рахли, Хамза Теджини, «Эффективный алгоритм настройки параметров ПИ-регулятора для шунтирующего фильтра активной мощности с использованием оптимизации муравьиных колоний» Electrical Review, Vol.6, №4, 2011.

[46] Ни Х.Б. Абдул Кахар, Ахмед Ф. Зобаа, «Применение смешанной целочисленной оптимизации распределенных колоний муравьев для разработки незатухающих однонастроенных пассивных фильтров на основе подавления гармоник», Swarm and Evolutionary Computing, Vol.44, No. 8, pp.187- 199, 2019.

[47] М. Г. Ипполито Э. Рива Сансевенно, Ф. Вуинович, «Алгоритм поиска многоцелевых колоний муравьев для оптимального стратегического планирования системы распределения электроэнергии», Труды Конгресса 2004 г. по эволюционным вычислениям (IEEE Cat.№ 04TH8753), 2004 г.

[48] Ахилеш Кумар Тивари, Сатья Пракаш Дубей, «Гибридный фильтр активной мощности на основе оптимизации колоний муравьев для компенсации гармоник», Международная конференция по электротехнике, электронике и методам оптимизации (ICEEOT), 2016.

[49] Марко Дориго, Мауро Бираттари и Томас «Искусственные муравьи для оптимизации колоний как метод вычислительного интеллекта» IEEE Computational Intelligence Magazine, Vol.1, No. 4, pp.28-39, 2006.

[50] К.Вайсака, Л. Шринивас, «Приверженность единиц эволюционирующей колонии муравьев на основе оптимизации, Applied Soft Computing, Том 11, №2, стр.2863-2870, 2011.

[51] Мохд Розели Калил, Исмаил Мусирин, Мухаммад Муртада Осман «Методика оптимизации на основе колоний муравьев для контроля стабильности напряжения», 6-я Международная конференция WSEAS по энергетическим системам, 2006 г.

[52] Алим Ахтар, «Эволюция алгоритма оптимизации муравьиной колонии — краткий обзор литературы», Нейронные и эволюционные вычисления, Том 2, вып.4, стр. 1-8, 2019.

[53] Рашид Дехини, Слиман Сефиан, «Повышение качества электроэнергии и повышение стоимости за счет синтеза пассивных фильтров мощности с использованием алгоритма муравьиной колонии», Журнал теоретических и прикладных информационных технологий, Том 23, №. 2. С. 70-79, 2011.

.

[54] Аручами Сакхивел, П. Виджаякумар, А. Сентилкумар, Л. Лакшминарасимман, С. Парамасивам, «Экспериментальные исследования на Оптимизированный алгоритм управления PI для колоний муравьев для шунтирующего фильтра активной мощности для улучшения качества электроэнергии », Control Engineering Practice, Vol.42, № 8, стр. 153–169, 2015.

[55] Кавита Тевани, «Алгоритм оптимизации муравьиной колонии: преимущества, приложения и проблемы», Компьютерное моделирование и новые технологии, Том 21, № 2, стр. 69-70, 2017.

[56] К. Райуду, Г. Есуратнам, А. Джаялакшми, «Алгоритм оптимизации муравьиных колоний на основе оптимального распределения реактивной мощности для повышения стабильности напряжения», Международная конференция по силовым и вычислительным технологиям [ICCPCT], 2017.

[57] Дж. Соарес, Т. Соуза, З.А.Вейл, Х. Мораис, П. Фариа, «Алгоритм поиска муравьиной колонии для решения проблемы оптимального потока энергии», Общее собрание Общества энергетики и энергетики IEEE, 2011 г.

[58] Джулиан Гесури Дауд, Марике Кондой, Мухдар Патабо, «Реконфигурация распределительной сети с колонией муравьев», Международная конференция по прикладной науке и технологиям (iCAST), 2018.

[59] Фаваз Масуд Альхаддад, Мохамед Эль-Хавари, «Оптимальное размещение и размер фильтра с использованием оптимизации колоний муравьев в системе распределения электроэнергии», Конференция IEEE по электроэнергии и энергии, 2014 г.

[60] Фарзане Забихи, Бабак Насири, «Новый алгоритм искусственной пчелиной колонии, основанный на истории, для кластеризации данных», Прикладные мягкие вычисления, Том 71, № 12, стр.

[61] С. Ганапати, М. Баласинг Мозес, Дж. Барсана Бану, «Улучшенное управление гармониками на основе алгоритма искусственных пчелиных колоний для многоуровневого инвертора», «Техника управления и прикладная информатика», том 21, № 4, с. 59-70, 2019.

[62] Сома Бисвас, Амитава Чаттерджи, Свапан Кумар Госвами, «Алгоритм наименьших квадратов искусственных пчелиных семей для решения задач оценки гармоник», Прикладные мягкие вычисления, Vol.13, № 5, стр. 2343-2355, 2013.

[63] Н.М. Спенсер Пратхап Сингх и Н. Кесаван Наир, «Алгоритм искусственного пчелосемья для подавления комплексной волны инвертора при вариациях сетевой нагрузки», Труды Института измерения и контроля, Том 40, № 5, стр.1 -10, 2017.

[64] Ясин Кабалджи, Сердар Кочканат, Эрсан Кабалджи, «Модифицированный алгоритм ABC для задач оценки гармоник энергосистемы», Electric Power Systems Research, Vol.154, No. 14, pp.160-173, 2018.

[65] Раджеш Бабу Ямарти, Р.Сриниваса Рао, П. Линга Редди, «Оптимальная компенсация нагрузки с помощью шунтирующего активного силового фильтра с использованием искусственной оптимизации пчелиных семей», Международная конференция по электротехнике, электронике и методам оптимизации (ICEEOT), стр.2197-2201, 2016.

[66] Р. Картика, В. Суреш Кумар, «Шунтирующий активный фильтр на основе алгоритма искусственной пчелиной семьи для синусоидального и трапециевидного питания», Journal of Circuits, Systems and Computers Vol.27, No. 1, pp.1-21, 2018.

[67] Фахад С. Абу-Мути, Мохамед Э.Эль-Хавари, «Обзор алгоритма искусственной пчелиной колонии (ABC) и его приложений», Международная системная конференция IEEE SysCon., 2012.

[68] Эссамудин Али Эбрагим, «Устройство повышения качества электроэнергии с использованием оптимально контролируемого шунтирующего фильтра активной мощности на основе искусственных пчелиных семей», WSEAS Transactions on Systems, Vol.14, No. 2, pp.90-101, 2015

[69] Цзюнь-Хао Лян и Чинг-Хунг Ли, «Модификация алгоритма искусственной пчелиной колонии для задач оптимизации» Математические проблемы в инженерии, Vol.2015, №7, стр. 10-14, 2015.

[70] Хариш Киран, Subramani.C, Субхрансу Секхар Даш, Чандрабабу, «Применение искусственной оптимизации пчелиных семей: проблемы стабильности напряжения энергосистемы», серия лекций в серии книг по информатике LNCS, том 8947, № 10, стр. .801-808, 2015.

[71] Нооразлиза Сулейман, Джунита Мохамад-Салех и Абдул Гани Абро, «Новый усовершенствованный алгоритм искусственной пчелиной колонии (JA-ABC5) с применением для оптимизации реактивной мощности», The Scientific World Journal, Vol.2015, №10, стр. 8-11, 2014.

[72] Сердар Озён, Селай Яшар, Бурханеттин Дурмуш, Доган Айдын, «Применение алгоритма искусственных пчелиных колоний для распределения экономической мощности с запрещенной рабочей зоной», Международный симпозиум по инновациям в интеллектуальных системах и приложениях, 2012 г.

[73] Приянка Шанкья, Ашалам Парваз, Вивек Кумар Джайн, «Алгоритм искусственной пчелиной колонии для решения проблемы оптимального потока энергии», Международный журнал компьютерных приложений, Vol.178, № 49, с. 8-10, 2019.

[74] Navin.K.Paliwal, Asheesh K Singh, Navneet K Singh, Pradeep Kumar, «Оптимальный размер и работа аккумуляторной батареи для экономичной работы гибридной энергосистемы с использованием алгоритма искусственных пчелиных колоний», Международные транзакции по электроэнергетическим системам. Том 29, №1, 2019.

[75] Приянка Сен, Прабхат Ранджан Бана, Кайбалья Прасад Панда, «Генетический алгоритм с помощью Firefly для селективного устранения гармоник в многоуровневом инверторе с пониженным переключателем с фотоэлектрическим интерфейсом», Международный журнал исследований в области возобновляемых источников энергии, Vol.9, № 1, стр. 1-8, 2019.

[76] Синь-Ше Ян и Мехмет Караманоглу «Ройный интеллект и биоинженерные вычисления: обзор», Swarm Intelligence and Bio-Inspired Computing, Theory and Applications, Vol.12, No. 6, pp.3-23, 2013.

[77] Гиланг Кусума Джати, Рули Манурунг и Суянто, «Дискретный алгоритм светлячка для решения задачи коммивояжера: новое движение. Схема », Swarm Intelligence and Bio-Inspired Computing, Vol.1, No. 1, pp.1-36, 2013.

[78] Тамилсельван.Р., Падматилагам. В. «Оптимизация гармоник в каскадном многоуровневом инверторе с использованием алгоритма Firefly», Журнал теоретических и прикладных информационных технологий, Vol. 64, №3, стр. 1–12, 2014.

[79] N. Картик, Р. Арул, «Устранение гармоник в каскадных многоуровневых инверторах с использованием алгоритма Firefly», Международная конференция по схемам, мощности и вычислительным технологиям [ICCPCT-2014], стр. 838-843, 2014.

[80] Явуз Эрен, Ибрагим Б. Кукчукдемирал, Илкер У Стоглу, «Введение в оптимизацию», Оптимизация в системах возобновляемой энергии, Vol.1, № 1, с. 27-74, 2017.

[81] Сайбал К. Пал, К. С. Рай, Амрит Пал Сингх, «Сравнительное исследование алгоритма светлячков и оптимизации роя частиц для зашумленных задач нелинейной оптимизации», Международный журнал интеллектуальных систем и приложений, Том 10, № 6, стр. .50-57, 2012.

[82] Цян Фу, Чжэн Лю, Нан Тонг, Минбо Ван, Имин Чжао, «Новый алгоритм светлячка, основанный на улучшенном механизме обучения», Международная конференция по логистике, менеджменту и информатике, 2015 г.

[83] С. Балахеннайя, М. Сурьякалавати, П. Нагендра, «Решение на основе алгоритма Firefly для минимизации потерь реальной мощности в энергосистеме», журнал Ain Shams Engineering, Том 9, №11, стр.89-100, 2018.

[84] Сяньцзюнь Ду, Чжоу Лю, «Применение интеллектуального оптимизирующего фильтра частиц с алгоритмом светлячка в динамическом обнаружении гармоник в энергосистеме», Материаловедение и инженерия, том 439, № 3, стр. 1-6, 2018.

[85] Теофанис Апостолопулос и Аристидис Влахос, «Применение алгоритма Firefly для решения проблемы распределения нагрузки по экономическим выбросам», Международный журнал комбинаторики, Vol.2011, №52, сс.23-34, 2011.

[86] К. Найду, Х. Мохлиса, А. Х. А. Бакар, «Применение оптимизации на основе алгоритма Firefly (FA) в управлении частотой нагрузки для взаимосвязанной системы повторного нагрева тепловой энергии», Иорданская конференция IEEE по прикладной электротехнике и вычислительным технологиям (AEECT), 2014.

[87] Гаятри Каннан и Картик Н., «Применение алгоритма Fireflies для решения проблемы распределения экономической нагрузки», Международная конференция по экологически чистым вычислениям, коммуникациям и электротехнике (ICGCCEE), 2014 г.

[88] Сародж Падхан, Рабиндра Кумар Саху, Сидхартха Панда, «Применение алгоритма fire fly для управления частотой нагрузки в многозональной объединенной энергосистеме», Journal Electric Power Components and Systems, Vol.42, No. 13, pp. 10-16, 2014

[89] Кайбалья Прасад Панда, Прабхат Ранджан Бана и Гаядхар Панда, «Оптимизированное выборочное устранение гармоник с помощью FPA в симметричном — Асимметричный каскадный многоуровневый инвертор с редуктором », IEEE Transactions on Industry Applications, Vol.56, № 3, стр.2862-2870, 2020.

[90] С. Сринивасан, д-р Р. Ганесан, «ШИМ селективного подавления гармоник на основе алгоритма опыления цветов для одиннадцатиуровневого инвертора». Азиатский журнал исследований в области социальных и гуманитарных наук, том 6, номер 6, стр.69-84, 2016.

[91] Эйад С. Ода, Абделазим А. Абдельсалам, Мохамед Н. Абдель-Вахаб, Магди М. Эль-Саадави, «Распределенное планирование поколений с использованием алгоритма опыления цветов для повышения стабильности напряжения распределительной системы», Ain Shams Engineering Journal, Vol. .8, № 4, с. 593-603, 2017.

[92] A.Y. Абдельазиз, Э. Али, С. Абд Элазим, «Оптимальный размер и расположение конденсаторов в радиальных распределительных системах с помощью алгоритма оптимизации опыления цветов и индекса потерь мощности» Международный научно-технический журнал, Том 19, № 1, стр. 610-618, 2016 г.

[93] Януш Кацпшик, Польская академия наук, Варшава, Польша, серия книг Springer «Достижения в области интеллектуальных систем и вычислений», 2012 г.

[94] Кайбалья Прасад Панда, Прабхат Ранджан Бана, Гаядхар Панда, «Применение метода ШИМ с оптимизированным избирательным подавлением гармоник FPA в многоуровневом инверторе с уменьшенным числом переключателей» Международная конференция IEEE по силовой электронике, приводам и энергетическим системам (PEDES), 2018.

[95] Абдулла Б. Насер, Камаль З. Замли, Абдул Рахман А. Альсевари, Бестоун С. Ахмед, «Стратегии гибридного опыления цветов для генерации набора тестов t-way», Public Library of Science, Vol.13, no. 5, стр.1-24, 2018.

[96] Камалам Баласубрамани, Карнан Маркус, «Исследование алгоритма опыления цветов и его приложений», Международный журнал по применению или инновациям в инженерии и менеджменте, Том 3, № 11, стр. 1-8, 2014 г.

[97] Weijia Cui и Yuzhu He, «Алгоритм опыления биологических цветов с ортогональной стратегией обучения и механизмом эффекта сома для задач глобальной оптимизации», «Математические проблемы в инженерии», Vol.2018, №1, стр. 1-16, 2018.

[98] Венцзин Ли, Чжиминг Хе, Цзянь Чжэн, Цзянь Ху, «Улучшенный алгоритм опыления цветов и его применение для идентификации пользователей в социальных сетях», IEEE Access, Vol.7, pp. 44359 — 44371, 2019.

[99] стр. Динакара Прасад Редди, В. VeeraReddy, T. GowriManohar, «Применение алгоритма опыления цветов для оптимального размещения и определения размеров распределенной генерации в распределительных системах», Журнал электрических систем и информационных технологий, Vol.3, № 1, стр. 14-22, 2016.

[100] Сатья ДинешМадасу, МЛССай Кумар, Арун КумарСингх, «Автоматическое управление генерацией объединенной энергосистемы на основе алгоритма опыления цветов», Инженерный журнал Айн Шамс, Том 9, № 4, стр 1215-1224, 2018.

[101] Эрсин Коркмаз, Али Пайдар, «Подход к алгоритму опыления цветов для оценки спроса на транспортную энергию в Турции: разработка и применение модели», Journal Energy Sources, Vol.13, No. 12, pp.429-447, 2019.

[102] Димитриос Гонидакис, «Применение алгоритма опыления цветов к многоцелевым экологическим / экономическим отправкам», Международный журнал менеджмента и инженерного менеджмента, Vol.11, № 4, стр 213-221, 2015.

[103] Сринивасан С., Д-р Ганесан Р., «ШИМ селективного подавления гармоник на основе алгоритма опыления цветов для одиннадцатиуровневого инвертора», Азиатский журнал исследований в области социальных и гуманитарных наук, Том 6, № 6, стр.69- 84, 2016.

[104] Субхашри Чоудхури, Пракрити Рут, Аншуман Сатпати, Тара Прасанна Даш, «Применение алгоритма опыления цветов для оптимальной настройки параметров Зейглера Николса для ПИД-регулятора для повышения стабильности переходных процессов с помощью SVC», Международный журнал инженерии и передовых технологий, Vol.8, No. 6, pp. 115-126, 2019.

[105] К. Хуссейн, Пули Шридхар, «Контроллер на основе алгоритма многоцелевого опыления цветов для UPQC, включая гибридный источник энергии», Международный журнал инновационных технологий и исследований в области инженерии, Том 9, № 3, стр. 1-8,2020.

[106] Павел Копцевич, Шимон Лукасик, «Использование постоянства цветов в алгоритме опыления цветов: улучшенный алгоритм биотического опыления цветов и его экспериментальная оценка», Нейронные вычисления и приложения, Vol.5, №9, 2019.

[107] Харуна Чиромаа, Нор Лияна Мохд Шуиб, Сана Абдуллахи Муаз, Адаму И. Абубакар, Любабату Бабалле Ила, Джаафар Зубайру Майтама, «Обзор применения алгоритма биоинспекционного опыления цветов», Процедура информатики, том. 62, №4, стр. 435-441, 2015.

[108] Падмини Санкарамурти, Бхаратираджа Чоккалингам, Сандживикумар Падманабан, «Изменение графика работы генераторов с насосными гидроаккумулирующими установками для уменьшения заторов с помощью оптимизации опыления цветов», Энергия, том.12, номер 8, стр 1-5, 2019.

[109] М. Анита, Т. Джиотсна, «Повышение качества электроэнергии в системе РГ с использованием встроенного унифицированного кондиционера качества электроэнергии на основе BOA», Международный журнал инженерии и передовых технологий (IJEAT), том 9, № 2, стр. 1–6, 2019 г.

[110] Г-жа М. Анита, д-р Т. Р. Джотсна, «Повышение качества электроэнергии в распределительных системах с использованием LOA включает в себя IUPQC», Международный журнал of Advanced Science and Technology, Vol.29, No. 3, pp.5219 — 5236, 2020.

[111] Мазиар Яздани, Фариборз Йолай, «Алгоритм оптимизации Lion (LOA): метаэвристический алгоритм, вдохновленный природой», Journal of Computational Design and Engineering, Vol.3, No. 1, pp.24-36, 2016.

[112] Дипеш Шарма и Нареш Кумар Ядав, «Алгоритм Lion с обновлением Леви: схема управления частотой нагрузки для двухсистемной взаимосвязанной системы с несколькими источниками», Труды Института измерения и контроля, Том 1, № 1 , стр.

Читайте также

Что делать, если грудничок не спит днем: советы по налаживанию режима сна

Антигистаминные препараты для новорожденных: лечение и профилактика аллергии у грудничков

Методика «Цветоник» М. Лазарева для музыкального развития детей

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *