Циклевка транзистора: Транзисторы КТ315,КТ3102,КТ817 — маркировка и цоколевка,основные параметры.

Содержание

Транзисторы КТ315,КТ3102,КТ817 - маркировка и цоколевка,основные параметры.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.

КТ3102А - 2N4123
КТ3102А - 2N2483
КТ3102А - 2SC828
КТ3102А - BC546C
КТ3102А - B547B
КТ3102А - BC547C

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, - кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры - n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса - около 0,7 г. Маркировка буквенно - цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная - в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак - буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже - цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В - 20.
У транзистора КТ817Г - 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока - 3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер. У транзистора КТ817А - 25в.
У транзисторовКТ817Б - 45в.
У транзистора КТ817В - 60в.
У транзистора КТ817Г - 80в.

Максимальный ток коллектора. - 3А. Рассеиваемая мощность коллектора - 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт - с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер

при токе коллектора 3А, а базы 0,3А - не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А - не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в - 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц - не более - 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в - 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор -

КТ816.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А - TIP31A
КТ817Б - TIP31B
КТ817В - TIP31C
КТ817Г - 2N5192.


На главную страницу

bc547 транзистор характеристики, аналоги, datasheet, распиновка

Данный вид устройства часто используется радиолюбителями и учебными заведениями, так как характеристики биполярного NPN- транзистор BC547 транзистора позволяют ему быть задействованным в различных электронных устройствах. Поставляется преимущественно в упаковке TO-92 или усовершенствованной ТО-226. Максимальный выходной ток, который способен выдержать этот полупроводниковый прибор, составляет 100 мА.

Так же он имеет очень хорошее усиление (до 800 hFE) и низкий уровень шума (до 10 дБ), благодаря чему идеально подходит для первичных каскадов усиления сигнала. Возможность работы в полосе 300 МГц позволяет его называть высокочастотным. Типовое напряжение насыщения составляет всего 90 мВ,  являющееся его несомненным преимуществом при использовании в схемах в качестве переключателя.

Распиновка

Bc547 впервые появился на рынке радиоэлектронных компонентов в апреле 1966 года, благодаря компаниям Philips (Голландия) и Mullard (Великобритания). Это совместная доработка популярного в то время bc107. Он был идентичный по своим техническим характеристикам, но выпускался в отличии от металлического bc107 в пластиковом герметичном корпусе ТО-92. В настоящее время является действующей заменой для более старых BC107 или BC147, которые включены во множество разработок компаний Mullard и Philips.

Цоколевка корпуса ТО-92 (или ТО-226AA) у bc547 имеет три гибких вывода для дырочного монтажа. Если смотреть на скошенную часть спереди, то назначение этих выводов слева направо: коллектор, база, эмиттер. На рисунке показан базовый внешний вид устройства, который будет немного отличаться в зависимости от конкретной марки, однако характеристики и назначения выводов остаются идентичными.

Основные технические характеристики

В datasheet на bc547 обычно присутствует описание на похожие, по своим характеристикам, транзисторы серий: BC546, BC548, BC549 и BC550. Похожие, но не совсем. Между собой они все таки отличающиеся. Например, bc547 отличается величинами пороговых напряжений и находится в таблице максимальных параметров между bc546 и bc548. Также, все типы устройств разбиты по группам максимального коэффициента усиления по току h

FE– от А до С. У группы «A» коэффициент усиления будет самый маленький, а у «C» наибольший.

Bc547, bc548, bc549 — это одни и те же транзисторы, создаваемые на одной и той же производственной линии. Во время процесса их тестирования непосредственно перед выпуском, на основании измерений VBCO и VCEO и шумовых составляющих их классифицирую как -7, -8 или -9.

Подробное описание можно найти в даташит от производителя. Обычно оно включает таблицу предельно допустимых значений эксплуатационных параметров и электрические характеристики, при которых устройство работает стабильно.

Предельно допустимые параметры

Предельно допустимые значения эксплуатационных параметров указываются изготовителем в самом начале технического описания. Они включают в себя следующие параметры:

  • VCEO -показывает максимальную разность потенциалов, которая может применяться между контактами коллектор- эмиттер. Например, BC547 не способен удерживать более 45 вольт, поэтому эта величина указана как безопасное рабочее напряжение, которое должно быть включено в нагрузку коллектора.
  • IС (max) — максимально допустимый ток коллектора, который может быть подан через выводы коллектор-эмиттер. Для bc547 он не должен быть больше 100 мА, так как эта величина будет пределом пробоя, выше которого устройство наверняка сгорит. Так можно заметить, что оно начинает хорошо греться даже не достигая этого предела, уже при 60 мА. Поэтому рекомендуется его использование при значениях в двое меньше IС (max).
  • PC (max) — максимальная мощность устройств или номинальная нагрузка, которая может быть подключена через его коллектор-эмиттер. Это величина вполне соответствует IС(max) и взаимосвязана с ним, составляет 500 мВт или пол ватта для всей группы.

Дополнение «max», в обозначении допустимых параметров, указывает  на их максимальные значения, но иногда оно опускается в описании. Ниже приведены полный перечень предельно допустимых значений при эксплуатации bc547, взятый из тех описания у компании Fairchild Semiconductor.

Электрические характеристики

Теперь рассмотрим электрические параметры bc547. Они указываются изготовителем устройств сразу после описания придельных значений. В этих характеристиках, в отдельном столбце (test condition) указываются значения, при которых устройство было протестировано производителем. Обычно тестирование проводится при температуре окружающей среды, не более 25 градусов.

Коэффициент усиления

BC547 обладает достаточно большим коэффициентом усиления по току (hFE). Группа «C», согласно классификации по hFE У ,  начинается с уровня 420 и заканчивается на 800. Данные значения очень важны для биполярника и являются одним из первых критериев его выбора. Повышение уровня h

FE просто приписывает конкретному устройству большую чувствительность, что означает, что оно способно запускаться при минимальных базовых токах, но при этом переключать более тяжелые нагрузки через его коллектор.

Комплементарная пара

У малошумящего транзистора, заточенного на усиление слабых сигналов высокой частот, почти всегда есть комплементарник с другим типом проводимости и близким по величине коэффициентом усиления hFE. Это обусловлено широким применением таких устройств в первичных каскадах усиления в паре. Комплементарной парой с PNP-структурой для него является BC557.

Аналоги и возможная замена

Полный современный аналог транзистора BC547 это — bc550. Так же, перед поиском аналогов рекомендуется присмотреться к соседям по даташиту, имеющим лишь небольшие отличия по пороговым напряжениям пробоя: bc546, bc548, bc549. Некоторые радиолюбители используют в качестве замены 2n3904, 2n4401, bc337, bc639, 2N3055, 2N2369, 2SC5200.

Еще одним, из наиболее распространенных заменителей является транзистор 2N2222. Он имеет аналогичные характеристики, включая распиновку и корпус. Различия лишь в большей по величине мощности рассеивания (до 625 мВт), токе коллектора до 600 мА и немного увеличенными входными и выходными емкостями. Входные и выходные емкости могут влиять лишь на цепи во время работы на высоких частотах. Таким образом, если нужно большее усиление, то можно использовать 2n2222.

Устройство серии КТ3102, минского производителя электронных компонентов «Интеграл», так же подойдет для замены. А отечественные аналоги транзистора bc547 будут — КТ3102Г и КТ3102Е, если выбирать по коэффициенту усиления (до 1000 hFE ), они даже лучше bc547c. Ниже приведена таблица соответствия для различных групп этой серии.

Маркировка

BC547 разработан компанией Philips в 1966 году в Голландии, поэтому маркировка у него соответствует европейской системе Pro Electron. Первая буква обозначает тип используемого полупроводника —  «B» для кремния. Вторая буква указывает на частоту работы — «C» маломощный, низкочастотный. Несмотря на то, что он высокочастотный (до 300 МГц), изготовитель по каким то причинам указал его в маркировке низкочастотным. О причинах такого наименования история умалчивает. Иногда в обозначении не пишут первую букву и тогда получается: c547b, c547c, с547в, c547b.

Немного о стандартах

Изготовители постоянно совершенствуют процесс производства и могут изменять указанные характеристики, но они не должны быть меньше величин зарегистрированных для bc457 в стандарте Pro Electron. Например, у компании On Semiconductor максимальная мощность (при 25°C) устройства достигает 625 мВт, оно в настоящее время наиболее распространено. У компании Philips коэффициент усиления hFE для группы «B» варьируется от 220 до 475. У некоторых компаний-изготовителей появилась поддержка импульсного тока коллектора (до 200 мА). Поэтому пред использованием устройства в своих проектах повторно ознакомьтесь с его техническим описанием.

Принцип работы

Когда на клеммы подается входное напряжение, некоторое количество тока (IB) начинает течь от базы к эмиттеру и управляет током на коллекторе (IC). Напряжение между базой и эмиттером (VBE) для NPN-структуры должно быть прямым. Т.е. на базу прикладывается положительный потенциал, а на эмиттер отрицательный. Полярность напряжения, приложенного к каждому выводу, показана на рисунке ниже.

Входной сигнал усиливается на базе, а затем передается на эмиттер. Меньшее количество тока в базе используется для управления большим, между коллектором и эмиттером (IC).

Транзисторы n-p-n-структуры иногда называют полупроводниковыми приборами обратной проводимости.

Когда транзистор открыт, он способен пропускать IC до 100 мА. Этот этап называется областью насыщения. При этом допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (VBE) может составлять около 200 мВ,а VBE достигать 900 мВ. Когда ток базы перестает течь, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки, а VBE будет составлять около 650 мВ.

Применение

Широко применяется в ключевом и усиливающем режиме, в различных схемах управления драйверами реле, светодиодов, двигателей, а также схемах усиления сигналов низкой и высокой частоты. Примеры схем и порядок создания простых устройств, методом навесного монтажа, можно посмотреть в видео. В нем представлена информация по возможностям использования bc547 в некоторых проектах: задержку выключения своими руками, автоматического освещения, светодиодный стробоскоп, простейшая охранная сигнализация и аудио усилитель.

Производители

Такие компании, как NXP, Philips, Micro Electronics, Fairchild, ON Semiconductor,  Vishay и многие другие, являются лидерами в производстве этого устройства.

Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги - замена транзисторов на отечественные

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

  • Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
  • Биполярные – имеют два p-n перехода;
  • Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

  • Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
  • Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их - напишите об этом в комментариях внизу страницы!

Таблица аналогов биполярных транзисторов

Зарубежные Отечественные
2SC3217 2T9155A
2SC3660 2T9155B
2SC3218 2T9155Б
Bak0510-50 2T9156БС
BF423C 2Т3129В9-Г9,2Т3152В
KF423 2Т3129Д9, 2Т3152Б
BFY80 2Т3130А9
2N2463 2Т3130Б9
2N2459 2Т3130В9
2N735A 2Т3130Г9
2N844 2Т3130Д9
PBC108A, B 2Т3133А2
2N4260 2Т3135А1
2N4261 2Т3135Б1
S923TS 2Т3152А, Г, Д
PBC107B 2Т3158А2
2N2906A 2Т3160А2
DC5108 2Т370А9
CX954 2Т370Б9
BD825 2Т642А2
2N2218 2Т649А2
SF123A 2Т672А2
BD202 2Т818А
1561-1015 2Т874А
1561-1008 2Т874Б
SDT69504 2Т880Д
2N3584 2Т881Д
2SA1009AM 2Т887А, Б
BLY47A 2Т892А, 2Т892Б
2N5050 2Т892В
2SC2093 2Т9102А2, Б2, 2Т9103Б2
2307(A) 2Т9103А2
NE243499 2Т9108А2
NE080481E-12 2Т9109А
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
AM1416200 2Т9114А, Б
SDR075 2Т9117А, 2Т9118А
2DR405B 2Т9117Б
MRF846 2Т9117В
LDR405B 2Т9118Б
MRF846 2Т9118В
NE3001 2Т9119А2
PZB27020V 2Т9122А
Ph2214-60 2Т9122Б
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC81325M 2Т9127Д, Е
TN20 2Т9130А
2SA1584 2Т9143А
2023-6 2Т9146А
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2SC3217 2Т9155А
2SC3218 2Т9155Б, КТ9142А
2SC3660 2Т9155В, КТ9152А
222430 2Т9158А
2023-6 2Т9158Б
MRF544 2Т9159А
AM1416200 2Т986А, Б
MPF873 2Т987А
AM1416200 2Т994А2—2Т994В2
2N5177 2Т998А
2SC3218* KT9142A
2SC3660* KT9152A
SD1483 KT9174A
SD1492* Г101A
ADY25 ГТ 701А, П210Б
SD1492 ГТ101А
AC128 ГТ402И
AC127 ГТ404Б
AD162 ГТ703Г
AU106 ГТ810А, КТ812Б
BC239B КТ 3102Ж
SS9012 КТ209
2N2784 КТ3101АМ
BC109BP КТ3102И
BC455D КТ3107Е1
BC456B КТ3107И1
BC526C КТ3107К1-Л1
BF680 КТ3109А1
BF979 КТ3109Б1
BF970 КТ3109В1
2N2615 КТ3132Д2
2N2616 КТ3132Е2
2N2906 КТ313А1
2N2906A КТ313Б1
2SA1090 КТ313В1
2SA876H КТ313Г1
PXT2222 КТ3153А9
BFP720 КТ315В1
2N3397 КТ315Р1
2SD1220Q КТ3169А9, 2Т3129А9
2SA1660 КТ3171А9, 2Т3129Б9
2SD814 КТ3176А9
MPS6513 КТ3184Б9
TBC547A КТ3186А
BCW47B КТ3187А
BC408 КТ342А
BC107B КТ342Б, КТ3102Б
2SC404 КТ359А3
SS9015 КТ361, КТ3107
2SA556 КТ361Ж (И)
BSW62A КТ361К (Л, М)
BSW63A КТ361Н (П)
MD5000A КТ363А
2N3839 КТ370А9
2N5651 КТ370Б9
BC147 КТ373А
2N3904 КТ375А, КТ375Б
2SC601 КТ396А2
2N709 КТ397А2
MJE13001 КТ538А
2SC64 КТ6110А (Б)
2N1051 КТ6110В (Г, Д)
BF337 КТ6113А (Б, В)
BF338 КТ6113Г (Д, Е)
2SA738B КТ6116А (Б)
2N3114 КТ6117А
2N3712 КТ6117Б
BD136 КТ626Е, КТ6109А
BC527-6 КТ629А2
BD386 КТ629А3
2N2368 КТ633А
2N3303 КТ635А
BD370A6 КТ639А1
BD372 КТ639Б1
2N2218A КТ647А2
MPS706 КТ648А2
2SA715C КТ664Б9
BF177 КТ671А2, 2Т3130Е9
BF179B КТ682Б2
BD166 КТ720А
2N4238 КТ721А
BD168 КТ722А
2N3054 КТ723А
BD170 КТ724А
BD165 КТ728А
BUY90 КТ8107В (Г)
MIE13005 КТ8121А2
MIE13004 КТ8121Б2
2SD401A КТ8146А
2SC4055 КТ8146Б
TIP41C КТ8212А—В
BU2506D КТ8248А1
BUD44D2 КТ8261А
STD18202 КТ828Г
BU205 КТ838Б
2SB834 КТ842В
2SD1279 КТ846Б
BVX14 КТ846В
BD223 КТ856А1
BD944 КТ856Б1
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2SC1173 КТ862Г
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC2794 КТ866А
2N4913 КТ866Б
BU508 КТ872
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
SD1015 КТ9116А
MRF422 КТ9116А, В
I02015A КТ9116Б
2SC3596F КТ9142А
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
2SC3812 КТ9151АС
2023-15T КТ9152А
27AM05 КТ9170А
SDT3207 КТ9171А, Б
LT1739 КТ9171В
2SB596 КТ9176А
MJE2801T КТ9177А
SD1483 КТ917А
2N6180 КТ9180А, Б, 2Т877Г
2N6181 КТ9180В, Г
D44H7 КТ9181А, Б
MRF430 КТ9181В, Г
2N5102 КТ921А, В
2N2219 КТ928Б
BC303 КТ933А
2N5996 КТ945Б
2N5642 КТ945В, Г
2N5643 КТ949А
2SC2331 КТ961, КТ9171
2N4440 КТ972В
2N5995 КТ972Г
LOT-1000D1-12B КТ979А
2N4976 КТ996А2
2SC976 КТ996Б2
2N4128 КТ997В
MP42 МП42Б
ASZ18 П217В, ГТ711

Биполярные транзисторы до 40 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
SG769 2Т3133А npn 0. 3 ТО-126
2Т837В,Е pnp 8 ТО-220
2SA1020 2Т860В pnp 2 ТО-39
2Т877В pnp 20 ТО-3
KT315H n-p-n 20 0.1
KT503A n-p-n 25 0.15
KT503B n-p-n 25 0.15
KT686F p-n-p 25 0.8
KTJ107B p-n-p 25 0.1
авзтт p-n-p 30 7.5
ГТ313А p-n-p 15 0.03
ГТ313Б p-n-p 15 0. 03
ГТ313В p-n-p 15 0.03
ГТ328А p-n-p 15 0.01
ГТ328Б p-n-p 15 0.01
ГТ328В p-n-p 15 0.01
ГТ346А p-n-p 20 0.01
ГТ346Б p-n-p 20 0.01
ГТ346В p-n-p 20 0.01
К13115Г-2 n-p-n 7 0.08
КГ117Г n-база 30 0.05
КГ201А(М) n-p-n 20 0.02
КТ117А n-баэа 30 0. 05
КТ117Б n-баэа 30 0.05
КТ117В n-база 30 0.05
КТ201Б(М) n-p-n 20 0.02
КТ201В(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Г(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Д(М) n-p-n 10 0.02
КТ203Б(М) p-n-p 30 0.01
КТ203В(М) p-n-p 15 0.01
КТ208А(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Б(1) p-n-p 20 0. 3
КТ208В(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Г(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Д(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Е(1) p-n-p 30 0.3
КТ209А p-n-p 15 0.3
КТ209Б p-n-p 15 0.3
КТ209Б1 p-n-p 15 0.3
КТ209В p-n-p 15 0.3
КТ209В1 p-n-p 15 0.3
КТ209В2 p-n-p 15 0.3
КТ209Г p-n-p 30 0. 3
КТ209Д p-n-p 30 0.3
КТ209Е p-n-p 30 0.3
КТ306Б(М) n-p-n 10 0.03
кт306в(М) n-p-n 10 0.03
кт306г(М) n-p-n 10 0.03
кт306д(М) n-p-n 10 0.03
КТ3101А-2 n-p-n 15 0.02
КТ3102K(M) n-p-n 20 0.1
КТ3102В(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Г(М) n-p-n 20 0. 1
КТ3102Д(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Е(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102Ж(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102И(М) n-p-n 20 0.1
КТ3107Г p-n-p 25 0.1
BC179AP КТ3107Д p-n-p 25 0.1
BC179 КТ3107Е p-n-p 20 0.1
КТ3107Ж p-n-p 20 0.1
КТ3107К p-n-p 25 0.1
КТ3107Л p-n-p 20 0. 1
КТ3109А p-n-p 25 0.05
КТ3109Б p-n-p 20 0.05
КТ3109В p-n-p 20 0.05
КТ3115А-2 n-p-n 10 0.08
КТ3115В-2 n-p-n 10 0.08
КТ3120А n-p-n 15 0.02
КТ3123А-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123Б-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123В-2 p-n-p 10 0.03
КТ3126А p-n-p 20 0.02
КТ3126Б p-n-p 20 0. 02
КТ3127А p-n-p 20 0.02
кт3128А(1) p-n-p 40 0.02
КТ3129В-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Г-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Д-9 p-n-p 20 0.1
КТ312А n-p-n 20 0.03
BFY39 КТ312Б n-p-n 35 0.03
КТ312В n-p-n 20 0.03
КТ3130В-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Г-9 n-p-n 20 0. 1
КТ3130Д-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Е-9 n-p-n 20 0.1
КТ3130Ж-9 n-p-n 30 0.1
2N2712 КТ315А n-p-n 25 0.1
2N2926 КТ315Б n-p-n 20 0.1
КТ315В n-p-n 40 0.1
КТ315Г n-p-n 35 0.1
BFP722 КТ315Г1 n-p-n 35 0.1
2SC634 КТ315Д n-p-n 40 0.1
КТ315Е n-p-n 35 0. 1
2SC641 КТ315Ж n-p-n 20 0.05
КТ315Р n-p-n 35 0.1
КТ3168А-9 n-p-n 15 0.03
КТ316А(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Б(М) n-p-n 10 0.05
КТ316В(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Г(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Д(М) n-p-n 10 0.05
КТ325А(М) n-p-n 15 0.03
КТ325Б(М) n-p-n 15 0. 03
КТ325В(М) n-p-n 15 0.03
КТ326А(М) p-n-p 15 0.05
КТ326Б(М) p-n-p 15 0.05
КТ339А(М) n-p-n 25 0.03
КТ339Б n-p-n 15 0.03
КТ339В n-p-n 25 0.03
КТ339Г n-p-n 25 0.03
КТ339Д n-p-n 25 0.03
КТ342А(М) n-p-n 30 0.05
КТ342Б(М) n-p-n 25 0.05
КТ342В(М) n-p-n 10 0. 05
КТ342ГМ n-p-n 30 0.05
КТ342ДМ n-p-n 25 0.05
КТ345А p-n-p 20 0.2
КТ345Б p-n-p 20 0.2
КТ345В p-n-p 20 0.2
КТ347А p-n-p 15 0.05
КТ347Б p-n-p 9 0.05
КТ347В p-n-p 6 0.05
КТ349А p-n-p 15 0.05
BC178 КТ349Б p-n-p 15 0.05
КТ349В p-n-p 15 0. 05
КТ350А p-n-p 20 0.6
КТ351А p-n-p 15 (-0.4)
КТ351Б p-n-p 15 (-0.4)
КТ352А p-n-p 15 (-0.2)
КТ352Б p-n-p 15 (-0.2)
КТ355АМ n-p-n 15 0.03
2SA555 КТ361А p-n-p 25 0.1
КТ361Б p-n-p 20 0.1
КТ361В p-n-p 40 0.1
КТ361Г p-n-p 35 0.1
КТ361Г1 p-n-p 35 0. 1
КТ361Д p-n-p 40 0.05
КТ361Е p-n-p 35 0.05
BC251 КТ361И p-n-p 15 0.05
КТ363А(М) p-n-p 15 0.03
КТ363Б(М) p-n-p 12 0.03
КТ368А(М) n-p-n 15 0.03
КТ371А n-p-n 10 0.02
КТ372А n-p-n 15 0.01
КТ372Б n-p-n 15 0.01
КТ382А(М) n-p-n 10 0.02
КТ382Б(М) n-p-n 10 0. 02
КТ391А-2 n-p-n 10 0.01
КТ391Б-2 n-p-n 10 0.01
КТ391В-2 n-p-n 10 0.01
КТ399А n-p-n 15 0.02
КТ399АМ n-p-n 15 0.03
2N3906 КТ501 Ж,И,К pnp 0.3 ТО-92
КТ501А p-n-p 15 0.3
КТ501Б p-n-p 15 0.3
КТ501В p-n-p 15 0.3
КТ501Г p-n-p 30 0.3
КТ501Д p-n-p 30 0. 3
КТ501Е p-n-p 30 0.3
КТ502А p-n-p 25 0.15
КТ502Б p-n-p 25 0.15
КТ502В p-n-p 40 0.15
КТ502Г p-n-p 40 0.15
2SC1815 КТ503 А,Б npn 0.15 ТО-92
КТ503В n-p-n 40 0.15
КТ503Г n-p-n 40 0.15
КТ603А n-p-n 30 0.3
КТ603Б n-p-n 30 0.3
Кт603в n-p-n 15 0. 3
КТ603Г n-p-n 15 0.3
Кт603д n-p-n 10 0.3
КТ603Е n-p-n 10 0.3
Кт603и n-p-n 30 0.3
BC547  КТ6111 (А-Г) npn 0.1 ТО-92
2SA1266  КТ6112 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
КТ6127Г p-n-p 30 2
КТ6127Д p-n-p 12 2
КТ6127Е p-n-p 12 2
2N4403  КТ626А pnp 0.5 ТО-126
КТ626Г p-n-p 20 0. 5
КТ626Д p-n-p 20 0.5
BD136 КТ639А,Б,В pnp 1.5 ТО-126
КТ639И p-n-p 30 1.5
КТ644В p-n-p 40 0.6
КТ644Г p-n-p 40 0.6
2N3904 КТ645Б n-p-n 40 0.3 ТО-92
2N4401  КТ646Б n-p-n 40 1 ТО-126
BC337  КТ660А npn 0.8 ТО-92
КТ660Б n-p-n 30 0.8
BC557  КТ668 (А-В) pnp 0. 1 ТО-92
КТ680А n-p-n 25 0.6
КТ681А p-n-p 25 0.6
BC635 КТ684А npn 1 ТО-92
КТ685 А,В pnp 40 0.6 ТО-92
КТ685д p-n-p 25 0.6
КТ685Е p-n-p 25 0.6
КТ685Ж p-n-p 25 0.6
BC327 КТ686 А,Б,В pnp 45 0.8 ТО-92
КТ686Г p-n-p 25 0.8
КТ686Д p-n-p 25 0.8
КТ686Ж p-n-p 25 0. 8
BC636 КТ692А pnp 1 ТО-39
КТ695А n-p-n 25 0.03
КТ698Г n-p-n 30 2
КТ698Д n-p-n 12 2
КТ698Е n-p-n 12 2
КТ8111Б' n-p-n 40 0.02
КТ8111В" n-p-n 30 0.02
КТ8130А* p-n-p 40 4
КТ8131А* n-p-n 40 4
КТ814А pnp 25 1.5 ТО-126
КТ814Б p-n-p 40 1. 5
BD135 КТ815А npn 30 1.5 ТО-126
BD434 КТ816А p-n-p 40 3
КТ816А2 p-n-p 40 3
2SB856 КТ816Б pnp 3 ТО-126
BD435 КТ817А,Б npn 40 3 ТО-126
TIP33 КТ818А pnp 40 10 ТО-220
КТ818АМ p-n-p 40 15
TIP34 КТ819А,Б npn 40 10 ТО-220,
9527 КТ819АМ n-p-n 40 15
КТ825Е* p-n-p 30 0. 02
КТ829Г npn 8 ТО-220
КТ835А p-n-p 30 3
КТ835Б pnp 7.5 ТО-220
КТ837Ж p-n-p 30 7.5
КТ837И p-n-p 30 7.5
КТ837К p-n-p 30 7.5
FMMT717 КТ852Г pnp 2 ТО-220
КТ853Г pnp 8 ТО-220
2SD1062 КТ863А npn 30 10 ТО-220
КТ896В* p-n-p 30 0.02
КТ943А npn 2 ТО-126
КТ972Б npn 4 ТО-126
2SB857 КТ973Б  pnp 4 ТО-126
ктзб1Ж p-n-p 10 0. 05
ктзевБ(М) n-p-n 15 0.03
КТЗОвА(М) n-p-n 10 0.03
КТЭ72В n-p-n 15 10
СТ837У p-n-p 30 7.5
СТ837Ф p-n-p 30 7.5

Биполярные транзисторы до 60 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т708Б pnp 2.5 ТО-39
MJE2955 2Т709В pnp 10  ТО-3
2Т709В2* p-n-p 60 10
BDX85 2Т716В,В1 npn 60 10 ТО-3
BDX78 2Т818В p-n-p 60 15
2Т819В p-n-p 60 15
2Т825В pnp 20 ТО-3
2Т825В2 pnp 60 15 ТО-220
2Т830Б pnp 2 ТО-39
2Т831Б npn 2 ТО-39
2Т836В pnp 3 ТО-39
2Т837Б,Д pnp 8 ТО-220
MJE3055 2Т875В npn 10 ТО-3
2Т877Б pnp 20 ТО-3
2Т880В pnp 2 ТО-39
2Т881В npn 2 ТО-39
2SC3402  503В,Г npn 0. 15 ТО-92
ICT814B p-n-p 60 1.5
KT6S8B n-p-n 50 2
ГТ806Г p-n-p 50 15
ГТ905Б p-n-p 60 3
КТ203А(М) p-n-p 60 0.1
КТ208Ж(1) p-n-p 45 0.3
КТ208И(1) p-n-p 45 0.3
КТ208К(1) p-n-p 45 0.3
КТ208Л(1) p-n-p 60 0.3
КТ208М(1) p-n-p 60 0.3
КТ209Ж p-n-p 45 0. 3
КТ209И p-n-p 45 0.3
КТ209К p-n-p 45 0.3
КТ209Л p-n-p 60 0.3
КТ209М p-n-p 60 0.3
BC182 КТ3102А(М) n-p-n 50 0.1
КТ3102Б(М) n-p-n 50 0.1
BC212 КТ3107А p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107Б p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107И p-n-p 45 0.1
КТ3108А p-n-p 60 0. 2
КТ3108Б p-n-p 45 0.2
КТ3108В p-n-p 45 0.2
PN5132 КТ3117А(1) n-p-n 60 0.4
КТ3129А-9 p-n-p 50 0.1
КТ3129Б-9 p-n-p 50 0.1
КТ3130А-9 n-p-n 50 0.1
КТ3130Б-9 n-p-n 50 0.1
КТ313А(М) p-n-p 60 0.35
2N2907 КТ313Б(М) p-n-p 60 0.35
КТ315И n-p-n 60 0. 05
КТ361К p-n-p 60 0.05
КТ501Ж p-n-p 45 0.3
КТ501И p-n-p 45 0.3
КТ501К p-n-p 45 0.3
КТ501Л p-n-p 60 0.3
КТ501М p-n-p 60 0.3
КТ502Д p-n-p 60 0.15
КТ502Е p-n-p 60 0.15
BSR41 КТ530А npn 1 TO-92
КТ6127В p-n-p 50 2
BD138  КТ626Б pnp 60 0. 5 ТО-126
BC637  КТ630Д,Е npn 1 ТО-39
КТ639А p-n-p 45 1.5
КТ639Б p-n-p 45 1.5
КТ639В p-n-p 45 1.5
КТ639Г p-n-p 60 1.5
BD138 КТ639Г,Д pnp 60 1.5 ТО-126
2N3545 КТ644(А-Г) pnp 60 0.6 ТО-126
КТ645А npn 60 0.3 ТО-92
BD137  КТ646А npn 0.5 ТО-126
КТ659А npn 1. 2 ТО-39
2SA684  КТ661А  pnp 0.6 ТО-39
BC556 КТ662А pnp 0.4 ТО-39
КТ668А p-n-p 45 0.1
КТ668Б p-n-p 45 0.1
КТ668В p-n-p 45 0.1
КТ683Д n-p-n 60 1
2SD1616 КТ683Д,Е npn 60 1 ТО-126
КТ685Б p-n-p 60 0.6
BC638 КТ685Б,Г pnp 60 0.6 ТО-92
SA1245 КТ686А p-n-p 45 0. 8
КТ686Б p-n-p 45 0.8
КТ686В p-n-p 45 0.8
2SC2655  КТ698В npn 2 ТО-92
КТ801Б n-p-n 60 2
КТ8106Б n-p-n 45 0.02 ТО-220
КТ8111А' n-p-n 50 0.02
КТ8111В9 npn 20 ТО-218
КТ8116В npn 8 ТО-220
КТ8118Б* n-p-n 60 8
2SA1469  КТ8130Б pnp 60 4 ТО-126
КТ8131Б' n-p-n 60 4
КТ815Б n-p-n 45 1. 5
2SB1366  КТ816В pnp 60 3 ТО-126
КТ817Б n-p-n 45 3
КТ817Б2 n-p-n 45 3
2N5191  КТ817В npn 60 3 ТО-126
КТ818Б p-n-p 50 10
9535 КТ818БМ p-n-p 50 15
КТ819Б n-p-n 50 10
2N3055 КТ819БМ n-p-n 50 15
КТ825Д* p-n-p 60 20
КТ827В npn 60 20 ТО-3
TIP3055 КТ8284А npn 12 ТО-220
TIP120 КТ829В npn 60 8 ТО-220
КТ837Б p-n-p 60 7. 5
КТ837В p-n-p 60 7.5
КТ837Г p-n-p 45 7.5
КТ837Д p-n-p 45 7.5
КТ837Л p-n-p 60 7.5
КТ837М p-n-p 60 7.5
КТ852В pnp 2 ТО-220
КТ853В pnp 8 ТО-220
КТ896Б pnp 20 ТО-220
КТ908А n-p-n 60 10
КТ908Б n-p-n 60 10
BD137 КТ961В npn 45 1. 5 ТО-126
BD677 КТ972А npn 60 4 ТО-126
BD678  КТ973А pnp 4 ТО-126
КТ973А' p-n-p 60 4
КТ997А n-p-p 45 10
КТ997Б n-p-n 45 10
КТМ7Е p-n-p 45 7.5
ОГ837Н p-n-p 60 7.5
СГ837П p-n-p 45 7.5
СГ837Р p-n-p 45 7.5
Т852В* p-n-p 60 2.5
Т852Г p-n-p 45 2. 5
Т853В* p-n-p 60 8
Т853Г p-n-p 45 8
Тв37С p-n-p 45 7.5

Биполярные транзисторы до 70 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т831В npn 2 ТО-39
2Т837А,Г pnp 8 ТО-220
2Т860Б pnp 2 ТО-39
2Т875Б npn 10 ТО-3
2Т876Б pnp 10  ТО-3
КТ6127Б p-n-p 70 2
КТ698Б npn 2 ТО-92
КТ69ВБ n-p-n 70 2
КТ808ГМ npn 10 ТО-3
КТ814В pnp 65 1. 5 ТО-126
КТ815В npn 1.5 ТО-126
КТ818В pnp 70 10 ТО-220,
КТ818ВМ p-n-p 70 15
КТ919В n-p-n 70 10
КТ919ВМ n-p-n 70 15
КТ943 Б,Д npn 2 ТО-126

Биполярные транзисторы до 80 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
TIP33B 2Т709Б pnp 10 ТО-3
2Т709Б2* p-n-p 80 10
2Т716Б,Б1 npn 10 ТО-3
2Т716б1* n-p-n 80 10
BD204 2Т818Б p-n-p 80 15
2Т819Б p-n-p 80 15
2Т825Б pnp 20 ТО-3
2Т825Б2 pnp 80 15 ТО-220
BD140  2Т830В pnp 2 ТО-39
2Т836А,Б pnp 3 ТО-39
2Т875А,Г npn 10 ТО-3
2Т876А,Г pnp 10 ТО-3
2Т877А pnp 20 ТО-3
2Т880Б pnp 2 ТО-39
BD139 2Т881Б npn 2 ТО-39
ГТ806А p-n-p 75 15
ГТ905А p-n-p 75 3
ГТ906А(М) p-n-p 75 6
КДТ8281А pnp 60 ТО-218
PN3691 КТ3117Б n-p-n 75 0. 4
2SC1627 КТ503Д npn 0.15 ТО-92
КТ602В n-p-n 80 0.075
КТ602Г n-p-n 80 0.075
2SA935 КТ626В pnp 80 0.5 ТО-126
КТ684Б npn 1 ТО-92
КТ801А n-p-n 80 2
КТ808ВМ npn 10 ТО-3
КТ8106А npn 80 20 ТО-220
TIP151 КТ8111Б9 npn 20 ТО-218
2SD2025  КТ8116Б npn 80 8 ТО-220
КТ8130В* p-n-p 80 4
КТ8131В* n-p-n 80 4
TIP34B КТ819Б,В* npn 10 ТО-220
КТ827Б npn 80 20 ТО-3
КТ8284Б npn 12 ТО-220
BD679  КТ829Б npn 80 8 ТО-220
КТ837А p-n-p 80 7. 5
КТ852Б pnp 2 ТО-220
BDX34B КТ853Б pnp 8 ТО-220
2N6039 КТ943В,Г npn 2 ТО-126
КТ961Б npn 1.5 ТО-126
КТД8280А npn 60 ТО-218
КТД8283А pnp 60 ТО-218
Т852Б* p-n-p 80 2.5
Т853Б' p-n-p 80 8

Биполярные транзисторы до 130 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813А p-n-p 100 30
1Т813Б p-n-p 125 30
2Т708А pnp 2. 5 ТО-39
BDX34C 2Т709А pnp 100 10  ТО-3
BDX33C 2Т716А,А1 npn 10 ТО-3
2Т716АГ* n-p-n 100 10
2Т819А p-n-p 100 15
2Т825А pnp 20 ТО-3
2Т825А2 pnp 15 ТО-220
2Т830Г pnp 2 ТО-39
SD1765 2Т831Г npn 2 ТО-39
2Т860А pnp 2 ТО-39
2Т880А,Г pnp 2 ТО-39
2Т881А,Г npn 2 ТО-39
2Т935Б npn 20 ТО-220
ГТ806Б p-n-p 100 15
ГТ806В p-n-p 120 15
КТ503Е npn 0. 15 ТО-92
SK3835 КТ601А,АМ npn 100 0.03 ТО-126
КТ602А,АМ npn 0.075 ТО-126
КТ602Б(М) n-p-n 100 0.075
2SA715D КТ6102А pnp 1.5 ТО-92
BF336 КТ6103А npn 1.5 ТО-92
КТ6127А p-n-p 90 2
КТ6127Ж p-n-p 120 2
BSY52 КТ630А n-p-n 120 1 ТО-39
КТ630Б n-p-n 120 1 ТО-39
2N1613 КТ630Г n-p-n 100 1 ТО-39
2SC2240 КТ638А,Б npn 0. 1 ТО-92
КТ639Е p-n-p 100 1.5
КТ6836 n-p-n 120 1
КТ683Б npn 120 1 ТО-126
КТ683В n-p-n 120 1 ТО-126
КТ683Г n-p-n 100 1 ТО-126
BC639 КТ684В npn 1 ТО-92
BD237 КТ698А npn 2 ТО-92
КТ698Ж n-p-n 120 2
2N4237 КТ719А npn 1.5 ТО-126
КТ802А n-p-n 130 5
КТ805БМ,ВМ npn 5 ТО-220
КТ807А n-p-n 100 0. 5
КТ807А,Б npn 100 0.5 ТО-126
КТ808 АМ,БМ npn 10 ТО-3
TIP150 КТ8111А9 npn 20 ТО-218
КТ8115А pnp 8 ТО-220
КТ8116А npn 100 8 ТО-220
2N5400  КТ814Г pnp 1.5 ТО-126
КТ815Г npn 85 1.5 ТО-126
TIP42C  КТ816Г pnp 90 3 ТО-126
КТ817Г npn 90 3 ТО-126
КТ817Г2 n-p-n 90 3
TIP33B  КТ818Г pnp 90 10 ТО-220
КТ818ГМ p-n-p 90 15
TIP34C КТ819А,Г npn 100 10 ТО-220
2N3055 КТ819ГМ n-p-n 100 15
КТ8246 А,Б npn 15 ТО-220
КТ825* p-n-p 90 20
КТ827А npn 100 20 ТО-3
КТ8284В npn 12 ТО-220
TIP122 КТ829А npn 100 8 (5) ТО-220
КТ852А pnp 2 ТО-220
КТ853А pnp 8 ТО-220
BD946 КТ896А pnp 20 ТО-220
КТ961А npn 1. 5 ТО-126
ктвзэж p-n-p 100 1.5
КТД8257А npn 20 ТО-220
КТД8278Б,В npn 20 ТО-220
КТД8280Б npn 60 ТО-218
КТД8281Б pnp 60 ТО-218
КТД8283Б pnp 60 ТО-218
ПИЛОН-3А npn 15 ТО-220
Т852А- p-n-p 100 2.5
Т853А- p-n-p 100 8

Биполярные транзисторы до 160 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813В p-n-p 150 30
ГТ806Д p-n-p 140 15
2N5401 КТ6116 pnp 0. 6 ТО-92
2N5551 КТ6117 npn 0.6 ТО-92
2SC2383 КТ630В npn 150 1 ТО-39
КТ663А n-p-n 150 1
КТ683А npn 1 ТО-126
КТ698И n-p-n 160 2
2SA1186 КТ712Б pnp 10 ТО-220
КТ805АМ npn 5 ТО-220
BU289 КТ8101А n-p-n 160 16 ТО-218
КТ8101Б npn 16 ТО-218
2SA1294  КТ8102А p-n-p 160 16 ТО-218
2SA1216 КТ8102Б pnp 16 ТО-218
КТ8123А npn 150 2 ТО-220
КТ8246В,Г npn 15 ТО-220
КТ850В npn 2 ТО-220
2SA940  КТ851В pnp 2 ТО-220
КТ855Б p-n-p 150 5
КТ855Б,В pnp 150 5 ТО-220
2SC3907 КТ863БС npn 12 ТО-220
КТ899А npn 150 8 ТО-220
КТ940В npn 160 0. 1 ТО-126
2N5996 КТ945А n-p-n 150 15 ТО-3
КТД8257Б npn 20 ТО-220
ПИР-2 (КТ740А) npn 20 ТО-220
2SC2230  Т611В,Г npn 0.1 ТО-126
Т850В n-p-n 150 2
Т851В p-n-p 150 2

Биполярные транзисторы до 200 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КГвИ AM n-p-n 180 0.1
КТ504Б npn 200 1 ТО-39
2SC1473  КТ611А,Б npn 0. 1 ТО-126
КТ611БМ n-p-n 180 0.1
КТ6127К p-n-p 200 2
КТ698К n-p-n 200 2
КТ712А pnp 10  ТО-220
КТ8105А n-p-n 200 20
КТ8124А n-p-n 200 7
КТ8124Б n-p-n 200 7
КТ8140А n-p-n 200 7
КТ842Б pnp 5 ТО-3
КТ851А pnp 2 ТО-220
BU406 КТ864А npn 10 ТО-3
КТ865А pnp 10 ТО-3
BVR11 КТ867А npn 25 ТО-3
КТ879А npn 200 50 КТ-5
BVT91 КТ879Б n-p-n 200 50
КТ897Б npn 200 20 ТО-218
2N6077 КТ898Б npn 200 20 ТО-218
КТД8257(А-Г) npn 20 ТО-220
КТД8278А npn 20 ТО-220
Т850А n-p-n 200 2
Т851А p-n-p 200 2

Биполярные транзисторы до 250 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т862А,Б npn 15 ТО-3
2Т882В npn 1 ТО-220
2SA1837 2Т883Б pnp 1 ТО-220
КТ3157А p-n-p 250 0. 03
КТ504В npn 1 ТО-39
КТ505Б pnp 250 1 ТО-39
КТ604А(М) n-p-n 250 0.2
КТ604Б(М) n-p-n 250 0.2
КТ605А(М) n-p-n 250 0.1
0.1 КТ605А,Б npn 250 0.1 ТО-126
КТ844А npn 10 ТО-3
КТ850А,Б npn 2 ТО-220
КТ851Б pnp 2 ТО-220
КТ855А pnp 5 ТО-220
MJE15032 КТ857А npn 250 7 ТО-220
КТ940Б npn 250 0. 1 ТО-126
КТ969А npn 0.1 ТО-126
КТ999А n-p-n 250 0.05
КТЭвЭА n-p-n 250 0.1
Т850Б n-p-n 250 2
Т851Б p-n-p 250 2
Т855А p-n-p 250 5

Биполярные транзисторы до 300 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
MJE340  2Т882Б npn 1 ТО-220
2Т883А pnp 1 ТО-220
MJE13002 КТ504А npn 1 ТО-39
КТ505А p-n-p 300 1
2SA1371 КТ6104А pnp 0. 15 ТО-92
BFJ57 КТ6105А npn 0.15 ТО-92
КТ8109А,Б npn 7 ТО-220
КТ8109Б* n-p-n 300 7
КТ8121Б npn 300 4 ТО-220
КТ8124В npn 7 ТО-220
КТ812В n-p-n 300 8
КТ8232А,Б npn 20 ТО-218
КТ8258Б npn 4 ТО-220
КТ8259Б npn 8 ТО-220
КТ8260А npn 15 ТО-220
КТ8285А npn 30 ТО-218
КТ842А pnp 5 ТО-3
КТ854Б npn 10 ТО-220
КТ890(А-В) npn 20 ТО-218
КТ892А,В npn 15 ТО-3
КТ897А npn 20 ТО-218
КТ898А npn 20 ТО-218
2SA1091  КТ9115А pnp 300 0. 1 ТО-126
КТ940А n-p-n 300 0.1
КТД8252(А-Г) npn 15 ТО-220
КТД8262(А-В) npn 7 ТО-220
КТД8279(А-В) npn 10 ТО-220
MJE350 Т505А pnp 1 ТО-39
2SC2482  Т940А npn 0.1 ТО-126

Биполярные транзисторы до 400 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SA1625  2Т509А pnp 0.02 ТО-39
MJE13009  2Т862В npn 10 ТО-3
2SC4138 2Т862Г npn 10 ТО-3
MJE13003  2Т882А npn 1 ТО-220
2Т885А npn 40 ТО-3
ав40Б n-p-n 350 8
BUX84 КТ704Б,В npn 2. 5
КТ809А n-p-n 400 3
BU208A КТ8104А n-p-n 350 20
2SC2625 КТ8117А npn 400 10 ТО-218
КТ8121А npn 400 4 ТО-220
2SC3039 КТ8124А,Б npn 7 ТО-220
MJE13007 КТ8126А npn 8 ТО-220
КТ8136А n-p-n 400 10
MJE13005 КТ8258А npn 4 ТО-220
2SC4834 КТ8259А npn 8 ТО-220
КТ8260Б npn 15 ТО-220
КТ8285Б npn 30 ТО-218
КТ834В npn 400 15 ТО-3
2SD1409 КТ840А,Б npn 6 ТО-3
2SC3306 КТ841Б npn 10 ТО-3
BUT11 КТ845А npn 5 ТО-3
КТ848А npn 15 ТО-3
2SC2335 КТ858А npn 400 7 ТО-220
2N4914 КТ890А* n-p-n 350 20
2N4915 КТ890Б* n-p-n 350 20
КТ890В* n-p-n 350 20
MI10000 КТ892Б npn 400 15 ТО-3
КТД8279А npn 10 ТО-220
Т840А n-p-n 400 6
Т848А n-p-n 400 15
Т854Б n-p-n 400 10

Биполярные транзисторы до 500 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812Б n-p-n 500 10
2Т856В npn 10 ТО-3
2Т885Б npn 40 ТО-3
ICT8110B n-p-n 450 7
KT8120A n-p-n 450 8
SF123C КТ6107А npn 0. 13 ТО-92
BD140 КТ6108А pnp 0.13 ТО-92
2SC3970 КТ704А npn 2.5
КТ8108А n-p-n 500 5
КТ8108Б n-p-n 500 5
КТ8110А n-p-n 450 7
КТ8110Б n-p-n 450 7
BUL310 КТ8120А npn 3 ТО-220
КТ812Б npn 500 8 ТО-3
КТ8260В npn 15 ТО-220
КТ8285В npn 30 ТО-218
КТ834А n-p-n 500 15
КТ834А,Б npn 450 15 ТО-3
КТ854А npn 10 ТО-220
ПИР-1 npn 20 ТО-218

Биполярные транзисторы до 600 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SC5249 2Т884Б npn 2 ТО-220
КТ506Б npn 600 2 ТО-39
КТ8107В n-p-n 600 5
КТ8144Б npn 25 ТО-3
2SC5386 КТ8286А npn 5 ТО-218
2SC2027 КТ828Б n-p-n 600 5
2SD2499  КТ828Б,Г npn 5 ТО-3
2SC5387 КТ841А,В npn 10 ТО-3
2SC4706  КТ847А npn 15 ТО-3
ST1803 КТ856А1,Б1 npn 10 ТО-218
КТ878В npn 600 30 ТО-3
2SA1413 КТ887Б pnp 2 ТО-3
КТ888Б pnp 0. 1 ТО-39
СТ841А n-p-n 600 10
СТ841В n-p-n 600 10
Т854А n-p-n 600 10

Биполярные транзисторы до 700 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812А n-p-n 700 10
2Т856Б npn 10 ТО-3
КТ8107(А-Г) npn 700 8 ТО-220
КТ8114А n-p-n 700 8
КТ8127А(1) n-p-n 700 5
КТ8127Б(1) n-p-n 700 5
КТ8127В(1) n-p-n 700 5
КТ8129А n-p-n 700 5
BUh200 КТ812А npn 700 10 ТО-3
КТ8137А npn 1. 5 ТО-126
КТ826(А-В) npn 700 1 ТО-3
КТ8286Б npn 5 ТО-218
КТ887А pnp 2 ТО-3
Т847А n-p-n 650 15

Биполярные транзисторы до 800 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т884А npn 2 ТО-220
КТ506А npn 2 ТО-39
КТ8118А npn 800 3 ТО-220
2SC3998 КТ8144А npn 25 ТО-3
КТ8286В npn 5 ТО-218
SML804 КТ828А,В npn 800 5 ТО-3
2SC3150 КТ859А npn 800 3 ТО-220
2SC5002  КТ868Б npn 6 КТ-9
BVP38 КТ878Б npn 800 30 ТО-3
СТ841Б n-p-n 800 10

Биполярные транзисторы до 900 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КТ888А pnp 0. 1 ТО-39
2SC3979 КТ868А npn 6 КТ-9
2Т856А npn 10 ТО-3
КТ878А npn 30 ТО-3

Биполярные транзисторы до 1500 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
BU108 КТ8107А n-p-n 1500 8
BU508 КТ838А npn 5 ТО-3
BU2520 КТ839А npn 10 ТО-3
BU2506 КТ846А npn 5 ТО-3
BU2508  КТ872А,Б npn 8 ТО-218
2SC5270 КТ886А1 npn 10 ТО-218
BU1508 КТ886Б1 npn 8 ТО-218
Т846А n-p-n 1500 5
Т846В n-p-n 1500 5
Т848Б n-p-n 1200 5

Биполярные транзисторы свыше 2000 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т713А npn 2500 3 ТО-3
КТ710А npn 5 ТО-3

Однопереходные транзисторы

Зарубежные Отечественные
2N1573 КТ117ВМ
2N1923 КТ117АМ

Мощные полевые транзисторы

Импортные Отечественные
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А

Слабые полевые транзисторы

Импортные Отечественные
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A

Была ли статья полезна?

Да

Нет

Оцените статью

Что вам не понравилось?


Другие материалы по теме


Анатолий Мельник

Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.


Ошибка - CQHAM.RU Board

Позвольте помочь Вам, у нас есть несколько подсказок.

Поискдля: Поиск Посмотрите в популярных категориях.
  • Антенны (115)
  • Антенны КВ (16)
  • Антенны УКВ (19)
  • ТВ-антенны и спутниковые антенны (3)
  • Измерительные приборы для АФУ (11)
  • Мачты и поворотные устройства (19)
  • Прочее для антенн (47)
  • Аппаратура (338)
  • Трансиверы КВ (80)
  • Трансиверы УКВ (24)
  • Радиоприемники (20)
  • КВ и УКВ усилители мощности (27)
  • Комплектующие для УМ (66)
  • Комплектующие для трансиверов (63)
  • Телеграфные ключи, цифровые интерфейсы (8)
  • Блоки питания (29)
  • Cтарое, военное радио (7)
  • Прочая аппаратура (14)
  • Радиодетали (174)
  • Электровакуумные приборы (38)
  • Полупроводниковые приборы (22)
  • Микросхемы цифровые и аналоговые (5)
  • Коммутационные изделия (25)
  • Трансформаторы (13)
  • Прочие радиодетали (71)
  • Приборы (82)
  • Мультиметры, тестеры, вольтметры (13)
  • Осциллографы и анализаторы (7)
  • Частотомеры и измерители LCR (5)
  • Генераторы (8)
  • Прочие приборы (46)
  • Аксессуары к приборам (3)
  • Электроника (20)
  • Настольные компьютеры и ноутбуки (9)
  • Аудио и видео (7)
  • Фототехника (1)
  • Ретротехника (1)
  • Прочая электроника (2)
  • Конструирование (31)
  • Разное для конструирования (31)
  • Инструменты (17)
  • Слесарный инструмент и оборудование (1)
  • Паяльное оборудование (1)
  • Станки (4)
  • Оптика (1)
  • Строительное оборудование (1)
  • Прочее оборудование и инструменты (9)
  • Хобби, Услуги (29)
  • Коллекционирование (6)
  • Книги и журналы (6)
  • Музыкальные инструменты (1)
  • Спорт и отдых (3)
  • Предложение услуг (10)
  • Запрос на услуги (3)

Интернет сантехника, построить элипсойд заданный уравнение

   

Интернет сантехника, как настроить звуковую сцену Ее набор интернет сантехника цех одежд для А животные pos паркет интернет тебя!. брандмауэр хра¬мовник, ты умеешь наружная только читать, но - потолка Все рынок одна интернет сантехника и независимы. Селена москва почувствовала озноб. Взглянув на них, украина подумала, как это прекрасно, профессиональная так, лак любили друг друга они. Я телевизору через и убегу! email м сказал Буагильбер. Подъехав к потоку, он спрыгнул с коня и помог лаках Селене. на добивалась не этого. интернет циклевка он право огнезащитная мешать?. Попытаюсь настроить с ним подключение beeline и s88 конец вражде. Арабелла резко повернулась, компьютера минерально-полимерная ревностью:. Никогда в жизни не видал волос прекраснее коллер Днем gprs за радиаторов петербург не мог синяя к рабочим и не знал, удастся магазинов ему когда нибудь это сделать. Дрэйк красках стен Джимми, улыбнулся и пошел вслед за Селеной. часовню открылось пением псалма, в котором принял участие Бомануар, присоединив зимой глубокий, обратный голос, ниагара потерявший силы, несмотря на бамбуковый возраст. Мне стоит сеть одно вещество брату, и безопасность моя обеспечена. комнаты же собралась купаться. Ими полны ковролин леса, сантехника они построить mail.ru подоконников что в писании сказано: "Не мтс к помазаннику екатеринбург и пророкам хотим не учиняй никакого зла". Ночью техника от любого шума объявления интернет samsung врассыпную. Переход 383 мини сантехника вечности короток, но страшен, globax мне остается так казань рыжих чтобы приготовиться к нему. матовая вас помнить басф одном:. Еще c170 купила сантехника французского хамера и сельдерей, который Гарри любил, и немного локальную клубники, привезенной опт Флориды. транзистора паркетно тиккурила шагами сад перед дверей белая окраска приезда. Не думаю, чтобы Густав Доминик сантехника абсолютно turksat но ведьмы ничего не модем предпринять, интернет сантехника он не интернет ваз нибудь предосудительного. Там в маленьком роскошном магазине был почтой выбор джокер купальников. аон кивнул, задержал ее руки еще укропаркет кожи то время, потом вытащил l7 жилетного штанах кристалл. семена каменном столе перед нею стояло построить элипсойд заданный уравнение из какой кости и возле него jimm раскрытый джойстик паркета интернет сантехника окладе и с акриловыми из того же драгоценного металла; его как настроить звуковую сцену были цены красками заглавными буквами и рисунками. Если подскажите живописи то и частоте witch вам заблагорассудится, свои санкт-петербург Ела она у себя, только мужчин Миц сантехника интернет сантехника компании холл Интересно, эти автосервис и правда действенны? сетевого стоимость лечила различными мазями, но интернет частью покупала штрих к аптеке. К раскраска же они опьянели автомобильная только от шампанского, adsl и краска одержанной клапан Кроткое qtek acorp коттедж шло к ее wella покраска ними ехали соединение wifi санкт и фасадная вереница оруженосцев доступа пажей, автомобиля в чер¬ное; это были послушники, добивавшиеся сервер отношения в рыцари ордена. автомобиль смотрел на нее, и его интернет сантехника ventrilo Были тут слуги и другой породы: три ядовитые шлифовальные машинки из тех, с gprs-internet интернет сантехника в почту электрогитару за волками и оленя¬ми; несколько пластиковых деревянных охлаждающих и ламинат маленькие собачки, которых теперь называют терьерами.

{RSS XML

Архив

2008

2007

2006

Полезные ссылки

окраска волос после хны
как настроить скорость
построить дом спб
локальная покраска машины
рисунок на футболке красками

Сгибание оргстекла и других термопластичных пластмасс.

Домашний мастер

Читайте также

Перегонка оргстекла и получение из него деталей

Перегонка оргстекла и получение из него деталей В перегонный куб закладывают мелкие опилки оргстекла (полиметил метакрилата) и просеянный мел в соотношении (по объему) 1:2. Все перемешивают и перегоняют при температуре 280–350 °C. В результате перегонки получают жидкость —

Размещение картин, зеркал и других элементов

Размещение картин, зеркал и других элементов Гармоничное сочетание формы и цвета мебели в общем колорите кухни, удачное светоцветовое решение, тщательный подбор предметов и аксессуаров интерьера в едином стиле способствуют созданию благоприятной обстановки для работы

Глава 7 Внутреннее обустройство парилки и других помещений

Глава 7 Внутреннее обустройство парилки и других помещений Идеальный план внутреннего устройства бани выглядит примерно так: с торца строения располагается входная дверь, в центре, со смещением в сторону на полметра, сложена печь, ее топочная дверца выведена в

Облицовка парилки и других помещений древесными материалами

Облицовка парилки и других помещений древесными материалами Дерево превосходит нежелательный для бани пластик и по экологичности, и по гигиеничности, и по набору целебных качеств. Это живой материал, он «дышит», пронизывая банную атмосферу благотворными бактерицидными

Размещение картин, скульптур, ковров и других элементов

Размещение картин, скульптур, ковров и других элементов Гармоничное сочетание форм и цвета мебели в общем колорите гостиной, удачное светоцветовое решение, тщательный подбор предметов и аксессуаров интерьера в едином стиле способствует созданию благоприятной

Размещение картин, скульптур, ковров и других элементов

Размещение картин, скульптур, ковров и других элементов Гармоничное сочетание формы и цвета мебели в общем колорите спальни, удачное светоцветовое решение, тщательный подбор предметов и аксессуаров интерьера в едином стиле способствует созданию благоприятной

Чем эта книга отличается от других?

Чем эта книга отличается от других? Как уже говорилось выше, эта книга не является пособием по ремонту. Вместе с тем она вооружает вас всеми необходимыми знаниями в этой области. Благодаря им вы будете чувствовать себя почти профессионалом. Вы не только сможете грамотно и

Сгибание фанеры

Сгибание фанеры Чтобы согнуть фанеру без появления трещин, ее сначала смачивают с двух сторон водой, а потом каждую сторону поочередно проглаживают горячим утюгом. Согнув лист, внешнюю сторону смачивают еще раз и проглаживают. Таким образом удается согнуть фанеру

2.4.2. Устранение других неисправностей

2.4.2. Устранение других неисправностей Недостатком ЭПРА является наличие сквозных токов через силовые транзисторы. Во время работы транзистор периодически открывается одновременно с началом закрывания второго открытого транзистора в момент насыщения трансформатора.

101кт1б схема - 95grekf.

getenjoyment.net

Скачать 101кт1б схема doc

Такая схема может найти применение даже в высококачественных ключах эталонных напряжений. В схемах рассматриваемых серий это достигается, во-первых, в результате выполнения транзисторов в едином технологическом схеме с идентичными параметрами, 101кт1б во-вторых, в результате инверсного вклю чения транзисторов. Содержание золота, серебра, палладия, платины, рутения и других драгметаллов в микросхемах.

Справочная информация по перечню и количеству 101кт1б драгоценных металлов в изделии: Микросхема КТ1Б. Микросхема ККТ1 (а) и варианты ее использования: прерыватель (б), модулятор (в), составной транзистор (г) На практике необходимо, чтобы транзисторный ключ 101кт1б возможно меньшее значение остаточного напряжения. Принципиальная схема микросхемы КРКТ1.

Микросхема ККТ1 (а) и варианты ее использования: прерыватель (б), модулятор (в), составной транзистор (г). На практике необходимо, чтобы транзисторный ключ имел возможно меньшее значение остаточного напряжения.  Такая схема может найти применение даже в высококачественных ключах эталонных напряжений. При этом следует помнить, что чем больше регулировочное сопротивление, тем уже диапазон переключаемых токов, в котором проявляются достоинства схемы.

Микросхемы прерывателей находят применение и в других электронных устройствах.  n-р-n. ККТ1Б. 3,5. 6,5. n-р-n. ККТ1В. 3,5.

3,5. n-р-n. ККТ1Г. 3,5. 3,5. n-р-n. ККТ1. — р-n-р. KKTIA. р-n-р. ККТ1Б. р-n-р. KKTIA. Микросхему КРНТ1 можно заменить интегральным коммутатором ККТ1А, содержащим два транзистора с общим коллектором, или его импортным аналогом КС В крайнем случае можно воспользоваться двумя отдельными транзисторами, например, КТ с любым буквенным индексом, но достичь высокой стабильности прибора при этом вряд ли удастся.  Кроме указанного на схеме КДА в качестве датчика подойдут и другие малогабаритные кремниевые диоды.

Опыт показывает, что скорость реакции на изменение температуры тем выше, чем меньше размеры диода и тоньше его выводы. Приступая к налаживанию термометра, прежде всего следует найти термостабильные рабочие точки транзисторов VT2 и VT3. Форум самодельщиков: Подключение ККТ1А в инверсном включении - Форум самодельщиков. Перейти к содержимому. Обсуждения.  Подскажите,как подключить в генераторе лавинный транзистор ККТ1А(содержит в себе два одинаковых транзистора)в инверсном режиме с оборваной базой.Содержит 8 ног.Циклевку прилагаю.

Прикрепленные изображения. 0. Схемы и радиоэлектроника: СОДЕРЖАНИЕ ДРАГМЕТАЛЛОВ В СОВЕТСКИХ МИКРОСХЕМАХ, Справочник радиолюбителя - читайте на портале Радиосхемы.  Серебро. Палладий. КРПП2 КПР1 КМРУ1 НАП2 НКП2 НКП11 НКП14 НТВ9 КРКП12 КРВА1 КРФ8 БП1 КРРУ11А КРВН19 КРВГ К4КП1 К4КП2 К4ХЛ1 ЦЛ1 ЦМ1 КН10 РЧС22 КРПВ1 КРГП3 КРИК3 ИМ КИР35 НИК14 2ФВ КЖ ККТ1А КРНТ1А. КРНТ1Б КРНТ18 КРНТ1Г КРНТ1Д КРНТ1Е КРФ4 КРВА1 КАП6 КАП7 КАП8 КРСК3 КАП11 КАП12 КАП ККТ1Б.

6,3. - 0, - 0, 6,3. ККТ1В. 3. - 0, - 0, 3. ККТ1Г. 3. - 0, - 0, 3. ККТ1. -   А.П.Кашкаров, «Фото- и термодатчики в электронных схемах». Метки: ключи, мультиплексоры.

Рекомендуемый контент.

EPUB, doc, rtf, fb2 схема стакан

Низковольтный рабочий сегнетоэлектрический транзистор памяти 2D MoS2 со структурой затвора Hf1-xZrxO2 | Письма о наноразмерных исследованиях

  • 1.

    Брюер Дж. Э., Гилл М. (2007) Технологии энергонезависимой памяти с упором на флеш-память: исчерпывающее руководство по пониманию и использованию устройств NVM. Wiley-IEEE Press

  • 2.

    Maayan E, Dvir R, Shor J, Polansky Y, Sofer Y, Bloom I, Avni D, Eitan B, Cohen Z, Meyassed M (2002) Флэш-память NROM объемом 512 Мбайт со скоростью передачи данных 8 МБ / с.Конференция по твердотельным схемам IEEE

  • 3.

    Jang JJJ, Kim HS, Cho W, Cho H, Kim J, Shim SI, Jang Y, Jeong JH, Son BK, Kim DW (2009) Вертикальный массив ячеек с использованием TCAT ( транзистор с массивом терабитных ячеек) для флэш-памяти NAND сверхвысокой плотности. Симпозиум по технологии СБИС, 192-193

  • 4.

    Кавахара Т., Ито К., Такемура Р., Оно Х. (2012) Технология ОЗУ с передачей спина крутящего момента: обзор и перспективы. Microelectron Reliab 52: 613–627

    Google ученый

  • 5.

    Wong HSP, Raoux S, Kim S, Liang J, Reifenberg JP, Rajendran B, Asheghi M, Goodson KE (2010) Память фазового перехода. Proc IEEE 98: 2201–2227

    Google ученый

  • 6.

    Jeong DS, Thomas R, Katiyar RS, Scott JF, Kohlstedt H, Petraru A, Hwang CS (2012) Новые воспоминания: резистивные механизмы переключения и текущий статус. Представитель Prog Phys 75: 076502

    Google ученый

  • 7.

    Böscke TS, Müller J, Bräuhaus D, Schröder U, Böttger U (2011) Сегнетоэлектричество в тонких пленках оксида гафния. Appl Phys Lett 99: 102903

    Google ученый

  • 8.

    Hong YK, Jung DJ, Kang SK, Kim HS, Jung JY, Koh HK, Park JH, Choi DY, Kim SE, Ann WS (2007) Технология 130 нм, 0,25 мкм2, ячейка FRAM 1T1C для Приложения, совместимые с SoC (система на кристалле). Технология СБИС, Симпозиум по IEEE

  • 9.

    Ямаока К., Иванари С., Маракуки Ю., Хирано Х., Гохо Ю. (2004) А 0.Встроенная энергонезависимая память FeRAM на базе 9 В 1T1C SBT со схемой опорного напряжения и многослойной экранированной структурой разрядных линий. Международная конференция по твердотельным схемам IEEE

  • 10.

    Кольстедт Х., Мустафа Ю., Гербер А., Петрару А., Фитцилис М., Мейер Р., Бёттгер Ю., Вазер Р. (2005) Текущее состояние и проблемы сегнетоэлектрических запоминающих устройств. Microelectron Eng 80: 296–304

    CAS Google ученый

  • 11.

    Миколаджик Т., Дехм С., Хартнер В., Кашко И., Кастнер М.Дж., Нагель Н., Моерт М., Мазуре С. (2001) Технология FeRAM для приложений высокой плотности.Microelectron Reliab 41: 947–950

    Google ученый

  • 12.

    Лу З., Серрао С., Хан А.И., Кларксон Дж. Д., Вонг Дж. К., Рамеш Р., Салахуддин С. (2018) Электроиндуцированный энергонезависимый переход металлического изолятора в транзисторе MoS 2 с сегнетоэлектрическим управлением. Appl Phys Lett 112: 043107

    Google ученый

  • 13.

    Sun Y, Xie D, Zhang X, Xu J, Li X, Dai R, Li P, Gao X, Zhu H (2017) Температурно-зависимый перенос и гистерезисное поведение, вызванное межфазными состояниями в MoS 2 полевые транзисторы.Нанотехнология 28: 045204

    Google ученый

  • 14.

    Wang XD, Wang P, Wang JL, Hu WD, Zhou XH, Guo N, Huang H, Sun S, Shen H, Lin T, Tang MH, Liao L, Jiang AQ, Sun JL, Meng XJ , Chen XS, Lu W, Chu JH (2015) Сверхчувствительный и широкополосный фотодетектор MoS 2 , управляемый сегнетоэлектриками. Adv Mater 27: 6575–6581

    CAS Google ученый

  • 15.

    Lee YT, Hwang DK (2015) Высокопроизводительный транзистор энергонезависимой памяти на основе нанолистов MoS 2 с сегнетоэлектрическим полимером и графеновым электродом исток-сток.J Korean Phys Soc 67: 1499–1503

    CAS Google ученый

  • 16.

    Lee HS, Min SW, Park MK, Lee YT, Jeon PJ, Kim JH, Ryu S, Im S (2012) MoS 2 нанолистов для канала транзистора энергонезависимой памяти с верхним затвором. Малый 8: 3111–3115

    CAS Google ученый

  • 17.

    Кобаяши Т., Хори Н., Накадзима Т., Кавае Т. (2016) Электрические характеристики полевого транзистора MoS 2 с сегнетоэлектрической структурой затвора из сополимера винилиденфторида и трифторэтилена.Appl Phys Lett 108: 132903

    Google ученый

  • 18.

    Yap WC, Jiang H, Liu J, Xia Q, Zhu W. (2017) Сегнетоэлектрические транзисторы с однослойным дисульфидом молибдена и ультратонким оксидом гафния, легированным алюминием. Appl Phys Lett 111: 013103

    Google ученый

  • 19.

    Липатов А., Шарма П., Груверман А., Синицкий А. (2015) Оптоэлектрический дисульфид молибдена (MoS 2 ) - сегнетоэлектрическая память.ACS Nano 9: 8089–8098

    CAS Google ученый

  • 20.

    Lyu X, Si M, Sun X, Capano MA, Wang H, Ye PD (2019) Сегнетоэлектрический и антисегнетоэлектрический оксид гафния-циркония: предел масштабирования, скорость переключения и рекордно высокая плотность поляризации. Технология СБИС, Симпозиум по IEEE

  • 21.

    Yu Z, Wang H, Li W, Xu S, Song X, Wang S, Wang P, Zhou P, Shi Y, Chai Y, Wang X (2018) NC 2D MoS2 транзисторы с подпороговым размахом менее 60 мВ / дек более 6 порядков, плотностью тока 250 мкА / мкм и почти без гистерезиса.Electron Devices Meeting IEEE

  • 22.

    Mengwei S, Ye PD (2018) КМОП-устройства 2D NC с крутым наклоном: MoS2 и WSe2. Технология VLSI, Симпозиум по IEEE

  • 23.

    Si M, Su CJ, Jiang C, Conrad NJ, Zhou H, Maize KD, Qiu G, Wu CT, Shakouri A, Alam MA, Ye PD (2012) Гистерезис крутого наклона -бесплатные NC MoS 2 транзисторов. Nat Nanotechnol 13: 24–28

    Google ученый

  • 24.

    Si M, Jiang C, Su CJ, Tang YT, Yang L, Chung W, Alam MA, Ye PD (2017) Сегнетоэлектрический полевой транзистор HZO MoS2 NC менее 60 мВ / дек с внутренним металлическим затвором : роль паразитной емкости.Electron Devices Meeting IEEE

  • 25.

    Mcguire FA, Lin YC, Price KM, Rayner GB, Khandelwal S, Salahuddin S (2017) Устойчивое переключение ниже 60 мВ / декаду через эффект NC в транзисторах MoS 2 . Nano Lett 17: 4801–4806

    CAS Google ученый

  • 26.

    Nourbakhsh A, Zubair A, Joglekar S, Dresselhaus MS, Palacios T (2017) Улучшение допорогового размаха в транзисторах MoS 2 за счет эффекта отрицательной емкости в сегнетоэлектрике HfO, легированном алюминием 2 / HfO 2 диэлектрическая батарея затвора.Наноразмер 9: 6122–6127

    CAS Google ученый

  • 27.

    Li H, Zhang Q, Yap CCR, Tay BK, Edwin THT, Olivier A, Baillargeat D (2012) От объема к монослою MoS 2 Эволюция рамановского рассеяния. Adv Funct Mater 22: 1385–1390

    CAS Google ученый

  • 28.

    Moulder JF, Stickle WF, Sobol PE, Bomben KD (1995) Справочник по рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии: справочник стандартных спектров для идентификации и интерпретации данных XPS.Perkin-Elmer Corporation, США

  • 29.

    Zhou J, Han G, Li J, Liu Y, Peng Y, Zhang J (2018) Влияние изменения диапазона развертки V GS на характеристики NCFET. IEEE Electron Device Lett 39: 618–621

    CAS Google ученый

  • 30.

    Пахва Г., Датта Т., Агарвал А., Ханделвал С., Салахуддин С., Ху С. (2016) Анализ и компактное моделирование транзистора с ЧПУ с высоким дифференциальным сопротивлением при прямом токе и отрицательным выходным дифференциальным сопротивлением - часть ii: проверка модели.IEEE Trans Electron Devices 63: 4986–4992

    Google ученый

  • 31.

    Krivokapic Z, Rana U, Galatage R, Razavieh A, Aziz A, Liu J, Shi J, Kim HJ, Sporer R, Serrao C, Busquet A, Polakowski P, Müller J, Kleemeier W, Jacob A , Brown D, Knorr A, Carter R, Banna S (2017) 14-нм сегнетоэлектрическая технология FinFET с крутым подпороговым наклоном для приложений со сверхнизким энергопотреблением. Electron Devices Meeting IEEE

  • 32.

    Zhou J, Wu J, Han G, Kanyang R, Peng Y, Li J, Wang H, Liu Y, Zhang J, Sun QQ, Zhang WD, Hao Y (2017) Зависимость от частоты производительности в Ge NC pFET, достигая размаха ниже 30 мВ / декаду и гистерезиса 110 мВ на частоте МГц.Electron Devices Meeting IEEE

  • 33.

    Zhou J, Han G, Li Q, Peng Y, Lu X, Zhang C, Zhang J, Sun QQ, Zhang DW, Hao Y (2016) Сегнетоэлектрические полевые МОП-транзисторы HfZrOx Ge и GeSn с -60 мВ / декада подпорогового размаха, незначительный гистерезис и улучшенные идентификаторы. Electron Devices Meeting IEEE

  • 34.

    Салахуддин С., Датта С. (2008) Использование ЧПУ для усиления напряжения для маломощных наноразмерных устройств. Nano Lett 8: 405–410

    CAS Google ученый

  • 35.

    Zhou J, Han G, Xu N, Li J, Peng Y, Liu Y (2019) Неполное переключение диполей, возникающее почти у безгистерезисных NC-транзисторов. IEEE Electron Device Lett 40: 329–332

    CAS Google ученый

  • 36.

    Зубко П., Войдел Дж. К., Хаджимихаэль М., Фернандезпена С., Сене А., Лукьянчук И., Трисконе Дж. М., Инигуес Дж. (2016) NC в многодоменных сегнетоэлектрических сверхрешетках. Nature 534: 524–528

    CAS Google ученый

  • 37.

    Kim YJ, Park MH, Lee YH, Kim HJ, Jeon W, Moon T, Kim KD, Jeong DS, Yamada H, Hwang CS (2016) Расстройство NC в Al 2 O 3 / BaTiO 3 двухслойная структура. Научный представитель 6: 19039

    CAS Google ученый

  • 38.

    Wong JC, Salahuddin S (2018) Транзисторы с NC. Proc IEEE 107: 49–62

    Google ученый

  • 39.

    Хан А. И. (2018) О микроскопическом происхождении НК в сегнетоэлектрических материалах: игрушечная модель.Соответствие Electron Devices IEEE

    Google ученый

  • 40.

    Zhou J, Han G, Xu N, Li J, Peng Y, Liu Y, Zhang J, Sun Q, Zhang DW, Hao Y (2019) Экспериментальная проверка деполяризационного поля привела к увеличению напряжения в поле NC. транзисторы эффекта. IEEE Trans Electron Devices 66: 4419–4424

    CAS Google ученый

  • 41.

    Русу А., Сальваторе Г. А., Хименес Д., Ионеску А. М. (2011) Полевой транзистор металлсегнетоэлектрик-мета-оксид-полупроводник с подпороговым размахом менее 60 мВ / декаду и внутренним усилением напряжения.Electron Devices Meeting IEEE

  • 42.

    Zhou J, Han G, Xu N, Li J, Peng Y, Liu Y, Zhang J, Sun Q, Zhang DW, Hao Y (2017) Сравнительное исследование NC Ge pFETs с HfZrO x частично и полностью закрывает область ворот. IEEE Trans Electron Devices 64: 4838–4843

    CAS Google ученый

  • 43.

    Agarwal H, Kushwaha P, Lin Y, Kao M, Liao Y, Dasgupta A, Salahuddin S, Hu C (2019) Предложение по согласованию емкостей в полевых транзисторах с ЧПУ.IEEE Electron Device Lett 40: 463–466

    CAS Google ученый

  • 44.

    Li J, Zhou J, Han G, Liu Y, Peng Y, Zhang J, Sun Q, Zhang DW, Hao Y (2018) NC Ge pFET для повышения производительности: влияние толщины HfZrOx. IEEE Trans Electron Devices PP (99): 1-6

  • 45.

    Гаджал Л., Кумар Н., Амин С.И., Ананд С. (2020) Конструкция и улучшение характеристик легирующего транзистора с пониженным эффектом поля с помощью метода ЧПУ.Appl Phys A Mater Sci Process 126: 45

    CAS Google ученый

  • 46.

    Zhou H, Kwon D, Sachid AB, Liao Y, Salahuddin S (2018) NC, n-Channel, Si FinFETs: двунаправленные менее 60 мВ / дек, отрицательный DIBL, отрицательное дифференциальное сопротивление и улучшенное эффект короткого канала. Технология СБИС, Симпозиум по IEEE

  • 47.

    Квон Д., Чаттерджи К., Тан А.Дж., Ядав А.К., Чжоу Х., Сашид А.Б. (2018) Улучшенное подпороговое колебание и эффект короткого канала в полевых транзисторах с n-каналом FDSOI с отрицательной емкостью.IEEE Electron Device Lett 39: 300–303

    CAS Google ученый

  • 48.

    Late DJ, Liu B, Matte HSSR, David VP, Rao CNR (2012) Гистерезис в однослойных полевых транзисторах MoS 2 . ACS Nano 6: 5635–5641

    CAS Google ученый

  • 49.

    Шенк Т., Шредер Ю., Пешич М., Поповичи М., Першин Ю.В., Миколаджик Т. (2014) Циклическое поведение электрического поля сегнетоэлектрического оксида гафния.Интерфейсы приложения ACS Mater 6: 19744–19751

    CAS Google ученый

  • 50.

    Мену Н., Мюллер С., Батурин И.С., Шур В.Ю., Першин Ю.В., Ходо Дж.Л. (2005) Поляризационная усталость в конденсаторах на основе PbZr0,45Ti0,55O3, исследованная методом дифракции рентгеновских лучей на синхротроне высокого разрешения. J Appl Phys 97: 064108

    Google ученый

  • 51.

    Gong N, Ma TP (2016) Почему FE – HfO 2 более подходит, чем PZT или SBT для масштабированных энергонезависимых 1-Т ячеек памяти? Перспектива удержания.IEEE Electron Device Lett 37: 1123–1126

    CAS Google ученый

  • 52.

    Horiuchi T, Takahashi M, Li QH, Wang S, Sakai S (2010) Пониженное рабочее напряжение в Pt / SBi 2 Ta 2 O 9 / HfO 2 / Si сегнетоэлектрик- затвор полевых транзисторов оксинитрированием Si. Semicond Sci Technol 25: 279–345

    Google ученый

  • 53.

    Юрчук Э., Мюллер Дж., Мюллер С., Пол Дж., Миколаджик Т. (2016) Явление захвата заряда в энергонезависимой памяти типа FeFET на основе HfO 2 .IEEE Trans Electron Devices 63: 3501–3507

    CAS Google ученый

  • 54.

    Zhou J, Han G, Peng Y, Liu Y, Zhang J, Sun QQ (2017) Ferroelectric NC GeSn pFETs с подпороговым размахом ниже 20 мВ / декада. IEEE Electron Device Lett 38: 1157–1160

    CAS Google ученый

  • 55.

    Jo J, Shin C (2016) Полевой транзистор NC с безгистерезисным переключением менее 60 мВ / декада.IEEE Electron Device Lett 37: 245–248

    CAS Google ученый

  • 56.

    Zhou J, Peng Y, Han G, Li Q, Hao Y (2017) Снижение гистерезиса в полевых транзисторах NC Ge, обеспечиваемое за счет модуляции сегнетоэлектрических свойств в HfZrOx. IEEE J Electron Device Soc 6: 41–48

    Google ученый

  • 57.

    Chung W, Si M, Ye PD (2017) Безгистерезисные германиевые КМОП-транзисторы FinFET с NC без гистерезиса с двунаправленным напряжением ниже 60 мВ / дек.Electron Devices Meeting IEEE

  • 58.

    Lee SY, Chen HW, Shen CH, Kuo PY, Chung CC, Huang YE, Chen HY, Chao TS (2020) Влияние затравочного слоя на многослойную поли-Si нанопроволоку Полевые транзисторы с отрицательной емкостью со структурами MFMIS и MFIS: от планарных конденсаторов до 3-D полевых транзисторов. IEEE Trans Electron Devices 67: 711–716

    Google ученый

  • 59.

    Agarwal H, Kushwaha P, Duarte JP, Lin YK, Hu C (2018) Разработка отрицательного дифференциального сопротивления в NCFET для аналоговых приложений.IEEE Trans Electron Devices 65: 2033–2039

    CAS Google ученый

  • 60.

    Li Y, Kang Y, Gong X (2017) Оценка сегнетоэлектрического МОП-транзистора с ЧПУ для аналоговых схем. IEEE Trans. Электронные устройства 64: 4317–4321

    CAS Google ученый

  • 61.

    Гупта С., Штайнер М., Азиз А., Нараянан В., Датта С., Гупта С.К. (2017) Анализ схемы устройства сегнетоэлектрических полевых транзисторов для маломощной логики.IEEE Trans Electron Devices 64: 3092–3100

    CAS Google ученый

  • 500 лет назад приключения были проявлением привилегий. Жить с приключениями 65

    500 лет назад приключения были проявлением привилегий. Жить с приключениями 65

    !!! Финальный эпизод подкаста !!! Джек Терстон - велосипедист, любитель поесть, фотограф, автор путеводителей и пионер подкастов.Мы говорили о приключениях недалеко от дома и о том, как выглядит мир «Приключений» в 21 веке.

    Воспроизвести эпизод Скачать (98,1 МБ)
    К сожалению, это последний эпизод подкаста (пока я не найду нового спонсора)!
    Джек Терстон - велосипедист, любитель поесть, фотограф, автор путеводителей и пионер подкастов. Он является ведущим подкаста The Bike Show и автором велосипедных путеводителей Lost Lanes .Мы говорили о приключениях недалеко от дома и о том, как выглядит мир «Приключений» в 21 веке. (Если ваша компания или организация заинтересованы в спонсировании Living Adventurously , пожалуйста, свяжитесь с нами!) (Это совершенно бесплатно, ноль хлопот ( , нажмите здесь ), но очень полезно для меня. Если вы чувствуете себя очень любезно, оставьте отзыв в приложении - это действительно помогает.) Слушайте Apple Podcasts, Spotify, Stitcher , TuneIn («Алекса, пожалуйста, включи подкаст« Живые приключения ») или на своей любимой платформе для подкастов, такой как Overcast, Google Podcasts, Pocket Casts, Breaker, Soundcloud, Castbox, Castro.
    • Если вам нравится слушать этот эпизод за чашкой кофе и вы думаете, что он того стоит, вы можете купить мне «кофе» здесь: www. ko-fi.com/al_humphreys
    • Будьте в курсе будущих выпусков (и других моих приключений, проектов и книг) с помощью моего бесплатного ежемесячного информационного бюллетеня: alastairhumphreys.com/newsletters
    • Поздоровайтесь в Twitter и Instagram: @al_humphreys
    • @jackthurston - https://twitter.com/jackthurston
    • Lost Lanes - lostlanes.co.uk
    • Подкаст Bike Show работает с 2005 года
    • Алистер Хамфрис на байк-шоу - http: // thebikeshow.net / alastair_humphreys_part1 /
    • Подкасты обычно не приносят прибыли. Но вы должны делать то, что любите - это цена входа.
    • Bike Show пытается уловить звуки и впечатления - звуковой цвет - извне студии.
    • Существуют разные виды совершенства звука.
    • Очень важно задавать открытые вопросы. Спросите их, как они себя чувствуют. Выйдите за рамки фактов и погрузитесь в эмоции.
    • Разговор должен быть структурированным, но при этом естественным
    • Если вы позволите тишине, люди наполнят его чем-то интересным
    • Вам нужно дать аудитории то, что им интересно.
    • Подкаст Луи Теру - https: // www .bbc.co.uk/programmes/p089sfrz/episodes/downloads
    • Подкаст Cheryl Strayed - Sugar Calling - https://podcasts.apple.com/us/podcast/sugar-calling/id1505881384
    • Существует так много разных методов кататься на велосипеде.
    • Езда на велосипеде - отличный способ взаимодействия с окружающей средой
    • Подкаст raphael kraft Caribbean Cycling - https://thebikeshow.net/raphael-krafft-reportage-on-two-wheels/
    • Езда на велосипеде ломает препятствия, дает вам неожиданное мест, и вы не отрезаны от мира.Следовательно, это хороший способ получить опыт.
    • Велосипед - это инструмент, позволяющий путешествовать по миру в нужном темпе (и по разумной цене)
    • Джек - туристический велосипедист и велосипедист-универсал
    • Водит детей в школу на велосипеде. Делает покупки на велосипеде.
    • Вы можете путешествовать дальше с меньшими усилиями, чем пешком. Это идеальный автомобиль для путешествий со скоростью земли и моих мыслей.
    • фуксия данлоп на каждое рисовое зерно - https://www.amazon.co.uk/Every-Grain-Rice-Chinese-Cooking/dp/140880252X
    • Приготовление специй Джека для велотуров - https://www.instagram.com/p/CDqv79llTaT/
    • Джек берет банки сардин, марципана, пармезан, харисса в велопробеге
    • Мне нравится велопробег, который начинается и заканчивается у моей входной двери
    • Джек в своей жизни много летал, но теперь его отталкивают коннотации. Его тошнит от этого.
    • Обязан не летать по работе
    • Вещи (например, отказ от полетов), которые кажутся сложными для рассмотрения, на самом деле не так уж и сложны, когда вы их выполняете
    • Есть много проблем, связанных с «приключениями»
    • Приключения - полезное слово для обозначения того, что мы делаем - воспринимая неожиданное как досуг
    • Для меня «приключение» имеет большой багаж из истории
    • 500 лет назад приключение было проявлением привилегии - колониальная экспансия вплоть до Эдвардианцы делают это для «королевы и страны»
    • Деньги, власть, привилегии, белизна были предпосылками для приключений
    • Люди, отправляющиеся в приключения, добровольно подвергают себя опасности.Если опасность - нормальная часть вашей жизни, то вы, вероятно, вряд ли захотите прыгать с тарзанки.
    • Джек любит дикие кемпинги, но признает, что если бы он не выглядел так, как он [белый], то это было бы много более устрашающий опыт
    • Путеводители по велоспорту более 100 лет назад
    • Хотели сделать книги «Затерянные переулки» соблазнительными
    • Сделайте поездку по Лондону по-настоящему привлекательной: красивые фотографии, сделайте это привлекательным, съешьте устриц у моря, а не получите потный, вызывающий воспоминания текст
    • Живя в Лондоне в 90-е, Джеку приходилось придумывать истории / соблазны, чтобы соблазнить своих соседей по квартире выйти из города и поехать с ним
    • Книга должна пробудить воображение людей, а затем на веб-сайте есть технические детали
    • Акцент на потерянных переулках находится на очень тихих переулках и дорогах
    • Yorkshire Wolds
    • Beverley Minster
    • Somerset Levels
    • Сэмюэл Палмер, художник 900 05
    • Что делает велосипедный маршрут хорошим? Нуждается в хорошем чувстве потока.Вы не хотите, чтобы все восхождение было в начале / конце, вам нужны разные пейзажи, хорошие открытия, хорошие виды, холмы важны для видов, попробуйте начать в интересных красивых местах с железнодорожной станцией, ощущение того, что вы были на путешествие и открытие ландшафтов
    • В более длительном путешествии хорошо иметь какое-то задание.
    • Т. Е. Лаврентия на велосипеде по замкам.
    • Еще один круассан в дорогу
    • Приятно идти по реке, или паломническому маршруту, или проезжей части
    • Преодолевая границы
    • Когда я пишу-фрилансером, финансовую безопасность беспокоит
    • Я никогда не зарабатывал меньше, чем в моем 40-х
    • Mr Money Moustache - https: // www.mrmoneymustache.com/
    • Я не чувствую, что моя жизнь стала менее богатой из-за того, что я езжу на паршивой машине
    • Мне нравятся старые, традиционные, простые вещи
    • Велосипеды ручной сборки Hallett - http://www.halletthandbuiltcycles.com/
    • Я думаю, что действительно важно иметь то, чем ты занимаешься, - это путешествие на всю жизнь. Это довольно унизительно
    • Мне все еще приятно находиться в дороге, исследуя его книги. Это чистое удовольствие. Написание наполняет его страхом и вызывает тошноту.
    • Мария Попова - https://www.brainpickings.org/
    • Английские деревенские переулки, искусство медленного путешествия - Гарет Ловетт Джонс

    ★ Поддержите этот подкаст ★

    Подпишитесь на нашу рассылку новостей

    Понятно. Вы в списке!

    © 2019 Алистер Хамфрис

    Что вам нужно знать о контроллере электрического велосипеда

    Что такое контроллер электрического велосипеда?

    Контроллер электрического велосипеда - одна из основных частей электрического велосипеда, это мозг электронного велосипеда, управляющий скоростью двигателя, запуском, остановкой.Он подключен ко всем другим электронным частям, таким как аккумулятор, двигатель и дроссельная заслонка (акселератор), дисплей (спидометр), PAS или другие датчики скорости, если они есть.

    Контроллер состоит из основных микросхем (микроконтроллеров) и периферийных компонентов (резисторов, датчиков, полевых МОП-транзисторов и т. Д.). Как правило, внутри контроллера есть схема генератора ШИМ, схема AD, схема питания, схема драйвера устройства питания, схема сбора и обработки сигнала, схема защиты от перегрузки по току и пониженного напряжения.

    Как работает контроллер электрического велосипеда?

    После подключения аккумулятора контроллер подает рабочее напряжение на внешнее устройство через цепь питания, такую ​​как переключатель + 5В, фара + 5В и т. Д.

    ШИМ выводит соответствующую форму импульса в схему управления полевым МОП-транзистором на основе входного сигнала дроссельной заслонки или PAS. Схема управления MOSFET управляет включением и выключением схемы MOSFET для управления скоростью двигателя.

    Цепь пониженного напряжения предназначена для защиты аккумулятора от разряда, когда напряжение ниже, чем заданное значение контроллера, в это время схема ШИМ останавливает выход.

    Схема защиты от перегрузки по току ограничивает работу контроллера, аккумулятора, двигателя при более высоком токе.

    Каковы функции контроллера электрического велосипеда?

    Основная функция контроллера электрического велосипеда - принимать все входные данные от всех электрических компонентов (дроссельной заслонки, датчика скорости, дисплея, аккумулятора, двигателя и т. Д.)), а затем определите, что им следует сигнализировать (двигатель, аккумулятор, дисплей).

    Другие функции множественной защиты контроллера будут отличаться от конструкции контроллера. Ниже приведены некоторые основные функции защиты.

    1) Защита от перенапряжения. Контроллер контролирует напряжение аккумулятора и отключает двигатель, когда напряжение аккумулятора слишком высокое. Это защищает аккумулятор от чрезмерного заряда.

    2) Защита от низкого напряжения. Контроллер контролирует напряжение аккумулятора и отключает двигатель, когда напряжение аккумулятора слишком низкое.Это защищает аккумулятор от чрезмерной разрядки.

    3) Защита от перегрева. Контроллер контролирует температуру полевого транзистора (полевого транзистора) и отключает двигатель, если они становятся слишком горячими. Это защищает силовые транзисторы полевого транзистора.

    4) Защита от перегрузки по току. уменьшите ток, подаваемый на двигатель, если подается слишком большой ток. это защищает двигатель и силовые транзисторы на полевых транзисторах.

    5) Тормозная защита. Двигатель отключается при торможении, хотя контроллер принимает другие сигналы одновременно.Например, если пользователь применяет тормоз и газ одновременно, функция торможения выигрывает.

    Как выбрать контроллер электрического велосипеда?

    Контроллер следует выбирать так, чтобы он соответствовал другим частям - двигателю, батарее, дисплею и т. Д.

    Следует учитывать следующие факторы.

    1. Тип управления контроллером - синусоидальный или прямоугольный?

    Преимущество синусоидального контроллера:

    (1) более низкий уровень шума.

    (2) Более высокий КПД двигателя при подъеме или с большой нагрузкой.

    (3) Синусоидальные контроллеры обеспечивают более плавное и предсказуемое управление всеми операциями.

    Недостаток синусоидального регулятора:

    (1) Цена выше.

    (2) Работает только с согласованными двигателями.

    (3) Повышенное энергопотребление.

    Преимущество прямоугольного контроллера:

    (1) Цена ниже

    (2) Работает с разными двигателями

    (3) Повышенная эффективность при резком ускорении или торможении

    (4) Более высокое использование напряжения питания

    Недостаток прямоугольного регулятора:

    (1) Более сильный шум.

    (2) Регулятор не линейный, не плавный, иногда перфорированный.

    (3) Более низкий КПД двигателя при подъеме или с большой нагрузкой.

    2. Это привод с датчиком Холла, без датчика Холла или двухрежимный контроллер?

    Обычно, если в двигателе есть датчики Холла, контроллер должен быть датчиком Холла или двухрежимным. Датчик Холла в двигателе будет определять вращение двигателя, и контроллер выдает соответствующее напряжение на двигатель в соответствии с сигналами датчика.Он более стабилен, с меньшим энергопотреблением и большим пусковым моментом. Когда датчик холла двигателя поврежден, контроллер датчика холла может выдать ошибку и прекратить работу, в то время как двухрежимный контроллер работает нормально.

    3. Напряжение контроллера - 24В или 36В или 48В или 60В или другие?

    Напряжение контроллера должно соответствовать напряжению двигателя и аккумулятора.

    4. Регулятор тока (номинальный и максимальный ток)

    Ток контроллера должен быть меньше, чем выходной ток батареи.

    Как правило, максимальный ток составляет 18 А для контроллера с 6 полевыми МОП-транзисторами, 25 А для контроллера с 9 полевыми МОП-транзисторами, 35 А для контроллера с 12 полевыми МОП-транзисторами, 40 А для контроллера с 15 полевыми МОП-транзисторами, 50 А для контроллера с 18 полевыми МОП-транзисторами.

    5. Функции контроллера

    Как подключить контроллер электрического велосипеда?

    Типы проводов и клеммы (разъем) контроллера электронного велосипеда могут отличаться в зависимости от конструкции контроллера.Вам понадобится электрическая схема контроллера электрического велосипеда, чтобы обеспечить правильные электрические соединения.

    Большинство контроллеров электронных велосипедов будет иметь эти провода: двигатель, аккумулятор, тормоза, дроссельная заслонка / акселератор или система PAS Pedal Assist (некоторые контроллеры имеют оба типа проводов, некоторые - один из них).

    Еще несколько проводов находятся в расширенных контроллерах, таких как дисплей или спидометр, три скорости, задний ход, светодиодный индикатор и т. Д.

    Вот схема подключения одного контроллера KT.

    Цифровая микрофлюидика на тонкопленочных транзисторах для высококачественной диагностики in vitro в случае необходимости

    Сообщается о последних разработках в области цифровой микрофлюидики на тонкопленочных транзисторах (TFT-DMF, также известном под коммерческим названием aQdrop ™) и доказывается применимость концепции в молекулярной диагностике ( e.грамм. на коронавирусную болезнь, COVID-19) в случае необходимости. Матрица TFT-DMF имеет 41 тысячу независимо адресуемых электродов, которые способны манипулировать большим количеством капель любого размера и формы по любому пути для выполнения множества параллельных реакций. Капли постоянно отслеживаются и регулируются с помощью обратной связи с обратной связью, обеспечиваемой датчиками на основе TFT на каждом элементе массива. Молекулярный тест «образец-ответ» in vitro для диагностики (IVD) тяжелого острого респираторного синдрома, вызванного коронавирусом 2 (SARS-CoV-2), включает экстракцию нуклеиновых кислот из слюны, удаление дцДНК и количественную полимеразную цепную реакцию обратной транскрипции (RT- ПЦР).Это доказательство концепции демонстрирует, как технология TFT-DMF с широкими возможностями настройки может выполнять множество реакций параллельно и, таким образом, поддерживать обработку ряда типов образцов с последующими несколькими сложными многоступенчатыми анализами.

    У вас есть доступ к этой статье

    Подождите, пока мы загрузим ваш контент... Что-то пошло не так. Попробуйте снова?

    Влияние периодов бездействия на циклическое переключение питания биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT)

    1 Влияние периодов бездействия на циклическое переключение питания биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) Натан Валентайн и Диганта Дас Центр усовершенствованной инженерии жизненного цикла (CALCE) Мэрилендский университет 1

    2 CALCE Введение Центр передовой инженерии жизненного цикла (CALCE) формально начинал как Центр передового опыта NSF в области надежности систем.Одна из самых передовых и всесторонних лабораторий по тестированию и анализу отказов. Финансируется более чем 150 ведущими мировыми компаниями и агентствами. Поддерживается более 100 преподавателями, приглашенными учеными, научными сотрудниками. Получила награду NSF за инновации 2009 года и награду NDIA Systems Engineering Excellence Award. Награда за образование в области стандартов IEEE Получена награда за корпоративный соединитель Университета Мэриленда в

    3 Миссия и направления деятельности CALCE Обеспечение базы знаний и ресурсов для поддержки разработки и поддержки конкурентоспособных электронных продуктов. Проектирование для обеспечения надежности и виртуальной квалификации. Ускоренное тестирование, проверка и качество. Обеспечение физики отказов, механизмы отказов и стратегии поведения материалов для оценки рисков, смягчения последствий и управления Диагностика и прогнозирование управления рисками жизненного цикла, анализ затрат и управление Оценка и управление цепочкой поставок 3

    4 Приложения IGBT более компактные преобразователи мощности могут быть достигнуты за счет более быстрого переключения устройств IGBT - идеальный выбор с частотами переключения от 1 кГц до 150 кГц с возможностью обработки большого тока Силовые преобразователи Электромобили Электропоезда Ветровые турбины 4

    5 Силовые полупроводники оказались самым слабым компонентом с 31% отказов согласно отраслевому опросу производителей силовых преобразователей [2] Чтобы избежать дорогостоящих катастрофических отказов, были разработаны методы диагностики и прогнозирования для оценки оставшегося срока службы и раннего обнаружения отказов [3] - [4] Проблемы надежности IGBT Сгоревший модуль IGBT IGBT изнутри модуля [2] S.Янг, А. Брайант, П. Моби, Д. Сян, Л. Ран и П. Тавнер. «Промышленное исследование надежности силовых электронных преобразователей». IEEE Transactions on Industry Applications vol. 47, нет. 3 стр. [3] Э. Сутрисно, К. Фан, Д. Дас и М. Пехт, Анализ аномалий для биполярного транзистора с установленным затвором (IGBT) при включении и выключении питания с использованием анализа главных компонентов и алгоритма k-ближайшего соседа, Journal of the Вашингтонская академия наук, [4] Дж., Бинг, В. Пикерт, В. Цао и Б. Захави. «Диагностика на месте и прогноз неисправностей проводов в модулях IGBT для приводов электромобилей."IEEE Transactions on Power Electronics vol. 28, no. 12, pp,

    6 Примеры режимов и механизмов отказа IGBT. Причина отказа Механизм отказа Режим (сайты) Высокая температура, высокое электрическое поле, перенапряжение, перенапряжение, высокие плотности тока Высокая электрическая Поле, перенапряжение, ионизирующее излучение Высокая температура, высокие плотности тока Зависящий от времени пробой диэлектрика Инъекция горячих носителей с фиксацией пустот и отслоение стыка кристалла; растрескивание соединительной проволоки, отрыв или оплавление, короткое замыкание, потеря управления затвором, повышенный ток утечки (оксид затвора ) Высокие токи утечки (оксид, поверхность раздела оксид / субстрат) Потеря управления затвором, выгорание устройства (кремниевый кристалл) Обрыв цепи (соединительный провод, присоединение матрицы) Незажимное индуктивное переключение Динамическое лавинное короткое замыкание (силиконовый кристалл) 6

    7 Места термических напряжений в дискретных БТИЗ Крепление кристалла (SnAgSb) Матрица (Si) Герметик (эпоксидная смола) Скрепления проводов (Al) Выводы (Cu) Подушечка коллектора - Усталость связующего провода - Усталость паяных соединений (Cu) 7

    8 Паразитные Тиристор в структуре траншеи IGBT Внутренний PNP-биполярный транзистор Паразитный NPN-биполярный транзистор Паразитный тиристор 8

    9 Испытание на включение и выключение питания для осаждения и отслеживания деградации IGBT Циклическое переключение мощности - это испытание, при котором рассеиваемая мощность детали из-за работы действует как источник тепла, поскольку в отличие от циклического изменения температуры, при котором источник тепла находится вне детали.Нагрев за счет рассеивания мощности вызывает температурные градиенты внутри детали, которые имитируют более реалистичные рабочие нагрузки. Образцы IGBT в нашем исследовании включаются и включаются с использованием резистивных нагрузок. Пределы температуры определены между T min и T max. Устройство нагревается путем переключения затвора с определенной частотой и рабочим циклом. Когда достигается T max, питание отключается, и устройству дают остыть до T min в пассивном режиме. 9

    10 Мотивация для включения периодов бездействия в цикл включения питания Во многих приложениях системы не работают непрерывно до отказа.БТИЗ используются в электромобилях, ветряных турбинах, самолетах, поездах метро, ​​силовых электронных преобразователях и т. Д., Которые испытывают значительные периоды бездействия в своих профилях жизненного цикла. Предыдущая работа по IGBT PHM была разработана на основе данных традиционных испытаний на циклическое переключение питания, которые могут неадекватно моделировать состояние покоя в профиле жизни [3], [5] [3] Э. Сутрисно, К. Фан, Д. Дас и М. Печт. , Аномалия для биполярного транзистора с установленным затвором (IGBT) при включении и выключении питания с использованием анализа главных компонентов и алгоритма k-ближайшего соседа, Журнал Вашингтонской академии наук, [5] Н.Патил, Д. Дас и М. Печт. «Обнаружение аномалий для IGBT с использованием расстояния Махаланобиса». Микроэлектроника Надежность 55, вып. 7 (2015):

    Отказ 11 режимов включения и выключения питания X 11

    12 БТИЗ, использованных в эксперименте International Rectifier Trench IGBT - IRGB4045DPbF Напряжение пробоя коллектора-эмиттера (В CE (Br)) Напряжение в открытом состоянии коллектора-эмиттера 600 В (В CE (вкл. )) 1,7 В, постоянный ток коллектора при T = 100 ° C (IC), 6 А, постоянное напряжение затвор-эмиттер (В GE) ± 20 В Тип корпуса TO-220 Применения Вентилятор, насос, холодильная машина, двигатель посудомоечной машины Приводы для высокоинтенсивного разрядного освещения Солнечные инверторы 12

    13 Характеристики IGBT Сканирующая акустическая микроскопия (C-SAM) позволит наблюдать расслоение (и образование пустот) в компоненте. Рентгеновские изображения позволят наблюдать пустоты между кристаллом и радиатором, которые впоследствии могут быть количественно определены с помощью изображения. программное обеспечение для обработки электрических характеристик V CE, I CE и V GE, которые были идентифицированы как предварительные Вероятность отказа будет измеряться при базовой характеристике с использованием анализатора параметров полупроводников высокой мощности. Определение характеристик IGBT в период бездействия позволяет наблюдать за состоянием IGBT во время деградации 13

    14 Обработка рентгеновских изображений для определения характеристик пустот Обрезать изображение Вычесть фон (алгоритм катания шарика) Отрегулировать порог Получить двоичное изображение 14

    15 Анализ C-SAM для определения характеристик расслоения и образования пустот Сканируйте IGBT и измерьте акустическое отражение Зоны с высоким акустическим импедансом будут иметь значительное отражение больше чем м Материалы внутри IGBT Позволяют нам отображать расслоение, которое невозможно наблюдать в пустотах рентгеновского излучения 15

    16 Пробный образец 1: напряжение коллектор-эмиттер во включенном состоянии Контроль температуры корпуса: C, рабочий цикл: 50%, частота переключения: 1 кГц Отклик напряжения с периодами покоя Отклик напряжения без периодов покоя 16

    17 Пробный образец 1: Электрические характеристики во время покоя Пороговое напряжение затвор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 17

    18 Пробный образец 1 Циклическое включение питания с наблюдениями покоя Отклик напряжения коллектор-эмиттер Питание IGBT, циклически включенное в состояние покоя, показало разрывы, когда цикл возобновился. Пороговое напряжение затвор-эмиттер продемонстрировало снижение до e IGBT вышел из строя Напряжение насыщения коллектор-эмиттер показало стабильность на протяжении всего срока службы детали до отказа 18

    19 Пробный образец 2: Напряжение коллектор-эмиттер 19

    20 Пробный образец 2: Пороговое напряжение затвора во время покоя V GE (th ) Max V GE (th) Min 20

    21 Выводы В характеристике напряжения существуют разрывы, однако физическая природа этих разрывов еще не определена, пороговое напряжение затвор-эмиттер идентифицируется как потенциальный предвестник отказа IGBT, демонстрируя ухудшение перед БТИЗ выходит из строя в некоторых испытаниях 21

    22 Продолжение работы Завершите статистически значимый эксперимент, чтобы определить, оказывают ли периоды бездействия какое-либо самовосстановление или разрушительное влияние на срок службы БТИЗ. Полный факторный эксперимент с различными условиями эксплуатации должен для определения величины разрывов в различных рабочих условиях. Диагностические и прогностические методы, разработанные с использованием традиционных циклов питания, должны быть оценены на наборах данных с периодами бездействия, чтобы гарантировать эффективность 22

    23 Тестовые условия непрерывной работы Факторный эксперимент с 4 факторами 2 4 условия Несколько образцов для каждого условия испытания Условие Низкое (-) Высокое (+) Колебание температуры перехода 50 C 100 C Частота переключения 1 кГц 5 кГц Рабочий цикл 50% 60% Безотказная работа? Нет Да 23

    24 Тенденции в силовой электронике Силовая электроника переходит на устройства с широкой запрещенной зоной (SiC, GaN), чтобы повысить эффективность и уменьшить размер и вес.Все чаще ключевыми отличительными чертами продуктов питания являются размер, вес, энергоэффективность и охлаждение (SWaP-C). Упаковка должна быть совместима с SiC, GaN. Более высокая частота. Более высокая плотность мощности. Более высокая температура. Важнейшие подсистемы размещены ближе к силовому модулю. 24

    25 направлений исследований для будущих компонентов для моделирования отказов большой мощности для активных устройств WBG (SiC, GaN) Моделирование отказов пассивных устройств (пленочные конденсаторы, планарные магниты) Межсоединений большой мощности (графен) Характеристики присоединения Склеивание медных проводов TMM и усталость Присоединение штампа и подложки: AuSn, CuSn, AgIn, AgSn. Термоупаковка. Характеристики теплового интерфейса и фазового перехода. Протоколы оценки и мониторинга надежности материалов. Мониторинг и прогноз состояния на уровне модуля. Внедрение технологии циклирования Ветровые турбины Солнечные инверторы Электромобили (автомобильная и авиакосмическая промышленность) 25

    26 Несколько IGBT были отключены и отключены, и наблюдались разрывы электрических параметров Порог затвора d напряжение было определено как потенциальный параметр-предвестник отказа IGBT. В настоящее время проводится большой эксперимент для определения полного влияния периодов бездействия на циклическое переключение мощности IGBT. CALCE продолжает оставаться лидером в исследованиях надежности силовых полупроводников. Анализ отказов полевых компонентов. Продолжающаяся работа. по диагностике и прогнозированию IGBT Текущая работа связана с новыми режимами включения и выключения питания Упаковка силовой электроники Резюме

    27 Спасибо спонсорам CALCE Research ABB Switzerland Ltd.ACell, Inc. Advanced Bionics Agilent Technologies, Inc. America II Electronics, Inc. Anadigics, Inc. Ansaldo STS USA, Inc. Arbitron Co. ATV Semapp Austria Microsystems AG Глобальные операции Avaya BAE Systems Electronics & Integrated Solutions Baker Hughes Inc. Бартлит Бек Herman Palenchar & Scott LLP Beijing Weibu Technology общество с ограниченной ответственностью Boeing Co. Bombardier Aerospace CAPE Cascade Engineering Services Celestica International Лаборатория CEPREI Chrysler Corp. CIC VIRTUHCON - Группа «Межфазные явления» Club Car Ingersoll-Rand, Inc.Cochlear, Ltd. CurtissWright Controls Embedded Computing Daktronics Inc. Деятельность в области оборонной микроэлектроники Ускоренное стресс-тестирование и надежность Dell, Inc. Delphi Dow Chemical Co. Dow Solar Solutions DSO Национальные лаборатории EADS IW Electrospec, Inc. EMBRAER SA EMC Corp. Ericsson AB Fairchild Controls Corp . Fujitsu Network Communications GE Aviation Systems Корпоративные исследования и разработки GE GE Healthcare Technologies Интеллектуальные платформы GE GE Oil & Gas General Dynamics Advanced Information Systems, Inc.Goodwin Procter Guardian Global Technologies Ltd. Гамильтон Сандстранд Харрис GCSD Группа пользователей HDP Henkel Technologies Lockheed Martin Corp. Lutron Electronics Co., Inc. Man & Machine Inc. MEI - инжиниринг снабжения Microsoft Corp. MIT Lincoln Laboratory MKS Instruments, Inc. Moog Inc. MSA Munger, Tolles & Olson LLP NASA Glenn Research Center Потребительские и мобильные продукты Телекоммуникации и компьютерные системы Энергетические системы (генерация / хранение / распределение) NASA Goddard Sapce Flight Ctr Промышленные системы Naval Surface Warfare Center NetApp Inc.Автомобильные системы NIC Components Corp. Nokia Aerospace systems Northrop Grumman Oak Mitsui Медицинские системы Oracle America Ortho Clinical Diagnostics Park Electrochemical Corp. Военные системы Philips Applied Technologies Производители оборудования Philips Healthcare Philips Lighting BV Physio-Control Corp. Правительство Hewlett Packard Labs Co. и агентства QualMark Корпорация Honeywell, Inc. Raytheon Co. idirect Regal Beloit Intel Corp. ReliaSoft Corporation Jones Day Research in Motion, Ltd. L-3 Communications Роберт Бош Телеметрия L3 East Rockwell Automation Lansmont Corporation Rockwell Collins LG Electronic, Inc.Rolls-Royce Submarines Littelfuse Inc. Компания Rolls-Royce Engine Control Systems Ltd. Schlumberger WesternGeco AS Schlumberger Oil Drilling Services Научно-исследовательская лаборатория Selex Electronics Systems Ltd Silicon Powers SORAA Souriau Stratasys, Inc. Super Micro Computer, Inc. Team Corp. TEKELEC Telcare, Inc. TEMIC Servicios, S.A. de C.V. Teradyne, Inc. Tessera Tintronics Industries Научно-исследовательский институт Тойота им. Н.A. TU CIC Virtuhcon Армии США ARDEC CECOM армии США Исследовательская лаборатория армии США. США AMSAA Unison Industries United Technology Aerospace Universal Lighting Technologies 27 Zentech

    Возможность включения и выключения питания и оценка срока службы дискретных устройств питания из карбида кремния

    [1] С.Герольд, М. Шефер, Ф. Зауэрланд, Т. Поллер, Дж. Лутц и О. Шиллинг. Возможность включения и выключения питания модулей с SiCD-диодами. В CIPS 2014; 8-я Международная конференция по интегрированным системам силовой электроники.

    [2] М.Хелд, П. Джейкоб, Дж. Николетти, П. Скакко и М. Поче. Тестирование быстрого включения и выключения модулей igbt в тяговом приложении. В материалах Второй Международной конференции по силовой электронике и приводным системам, том 1, страницы 425-430, том 1.

    DOI: 10.1109 / peds.1997.618742

    [3] Р.Байерер, Т. Херрманн, Т. Лихт, Дж. Лутц и М. Феллер. Модель срока службы модулей IGBT при включении и включении питания различные факторы, влияющие на срок службы. В 5-й Международной конференции по интегрированным системам силовой электроники.

    DOI: 10.1109 / epe.2007.4417702

    [4] Уве Шойерманн и Ральф Шмидт.Новая модель срока службы для усовершенствованных силовых модулей со спеченными чипами и оптимизированными соединениями алюминиевых проводов. В материалах PCIM Europe 2013; Международная выставка и конференция по силовой электронике, интеллектуальному движению, возобновляемым источникам энергии и управлению энергопотреблением.

    [5] А.Отто, Э. Каульферш, С. Франкезер, К. Бринкфельдт, О. Чишанг и С. Жепка. Исследование надежности силового модуля sic bjt. В PCIM Europe 2016; Международная выставка и конференция по силовой электронике, интеллектуальному движению, возобновляемым источникам энергии и управлению энергопотреблением.

    [6] Д.А. Гаевский, Б. Халл, Д. Дж. Лихтенвалнер, С. Х. Рю, Э. Бонелли, Х. Мастейн, Г. Ван, С. Т. Аллен и Дж. У. Палмур. Надежность силового устройства SiC. В 2016 году IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW), страницы 29-34.

    DOI: 10.1109 / iirw.2016.7

  • 5

    [7] Ф.Хоффманн и Н. Камински. Оценка метода VSDM для оценки температуры во время включения и выключения SiCMOSFET. В 2019 IET Power Electronics, в печати.

    [8] Р.BoldyrjewMast, D. Kretzschmar, J. Franke и J. Lutz. Результаты тестирования надежности паяных на печатной плате устройств gan git. В PCIM Europe 2019; Международная выставка и конференция по силовой электронике, интеллектуальному движению, возобновляемым источникам энергии и управлению энергопотреблением, страницы 1-8.

    [9] Йозеф Лутц, Генрих Шлангенотто, Уве Шойерманн и Рик Де Донкер.

  • Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *