Электроэнергия фото: D1 8d d0 bb d0 b5 d0 ba d1 82 d1 80 d0 be d1 8d d0 bd d0 b5 d1 80 d0 b3 d0 b8 d1 8f картинки, стоковые фото D1 8d d0 bb d0 b5 d0 ba d1 82 d1 80 d0 be d1 8d d0 bd d0 b5 d1 80 d0 b3 d0 b8 d1 8f

{{=it.highlight(param.top.name, it.query)}}

сеть отелей

{{=it.highlight(param.top.name, it.query)}} {{? param.top.geo_type == 20}} (город){{?}}

{{=param.top.name}} {{=param.top.country_name}}

{{=it.highlight(param.top.name, it.query)}} (регион)

{{=param.top.name}} {{=param.top.country_name}}

{{=it.highlight(param.top.name, it.query)}} (страна)

{{=param.top.name}} {{=param.top.name}}

{{=param.top.country_name}}

Китай сдает позиции в майнинге биткоинов. Казахстан уже третий

16 июля 2021

Автор фото, Getty Images

Внутри китайской майнинг-фермы

Китай, где еще недавно добывалось три четверти всех биткоинов, постепенно уменьшает свою долю в мировом майнинге и теперь майнит меньше половины. Причем снижение произошло еще до новых запретительных мер, введенных властями КНР в июне нынешнего года.

Доля Казахстана в мировой добыче биткоинов напротив выросла, и страна вышла на третье место в майнинге после Китая и США, показал отчет о мировом майнинге биткоинов за период с сентября 2019-го по апрель 2021 года Центра альтернативных финансов Кембриджского университета.

• Доля Китая за этот период сократилась с 75,5% до 46%. Вместе с тем заметно увеличились доли других игроков.
• Второе место в мире по объему майнинга занимают США, нарастившие свою долю более чем в четыре раза — с 4,1% до 16,8%.

• На третье место вышел Казахстан, показавший вовсе фантастический рост — с 1,4% до 8,6%.

По мнению экспертов, это произошло во многом благодаря миграции майнеров из соседнего Китая, где политика по отношению к ним постоянно ужесточается.

• На четвертом месте Россия (5,9% — 6,5%), на пятом Иран (1,7% — 4,7%).

Крупными производителями биткоинов являются также Малайзия, Германия, Ирландия и Канада. На долю остальных стран приходятся 6% мировой добычи.

Исследование проводилось по сложной метдике, разработанной в 2017 году программистом Марком Бевандом.

Пекин против биткоина

Заявленная цель состояла в уменьшении финансовых рисков из-за высокой волатильности биткоина.

После этого, как сообщают кембриджские аналитики, все китайские предприятия по производству биткоинов «исчезли за одну ночь».

Известный противник биткоина, автор книги «Нападение 50-футового блокчейна» Дэвид Джерард предполагает, что «майнеры пакуют контейнеры» и вывозят оборудование куда-то за пределы КНР.

Китайские майнеры мигрировали и прежде — туда, где доступна дешевая электроэнергия. В сухое время года они концентрировались в «угольном» Синьцзяне, а в сезон дождей в богатой гидроэнергией Сычуани.

Опасения экологов

Британских экспертов занимает не столько экономическая сторона вопроса, сколько последствия для окружающей среды.

Майнинг криптовалюты состоит в том, что занимающиеся им люди при помощи своих компьютеров проверяют все мировые транзакции с ней за вознаграждение в биткоинах.

Автор фото, Getty Images

Электроэнергия в Казахстане вырабатывается в основном от угольных и газовых станций.

Чтобы существенно зарабатывать на этом, требуются огромные компьютерные мощности, целые «фабрики» из сотен устройств, которые ежегодно потребляют свыше семи тераватт электричества. Это сопоставимо с выработкой семи средних АЭС или 21,8 миллиона солнечных панелей и с потреблением таких стран, как Аргентина и Колумбия.

Значительную часть его производят тепловые электростанции. В Казахстане 87% всей вырабатываемой энергии дает сжигание органического топлива, в том числе 70% — особенно вредного для природы угля.

Дэвид Джерард возмущается, что «такие ресурсы уходят фактически на лотерею», имея в виду стремление спекулянтов извлечь выгоду из скачков курса биткоина.

Владелец Tesla Илон Маск в этом году объявил о плане инвестировать в производство оборудования для майнинга на основе «чистой» энергии, но все равно подвергся критике со стороны борцов с глобальным потеплением. Чуть позже в мае Маск сказал, что его автомобильная компания больше не будет принимать биткоин в качестве средства оплаты продукции, поскольку для производства криптовалюты требуется большое количество электроэнергии — и это вредит окружающей среде.

В то же время экологи признают, что не работающие, но не отключенные от сети устройства в одних США потребляют впустую примерно столько же энергии, сколько мировой майнинг.

COVID-19 и низкоуглеродная электроэнергия: уроки на будущее

Рис. 4. Воздействие на цены на электроэнергию в среднем в 2020 году до и после введения режима изоляции в отдельных государствах относительно 2019 года. (Графика: Харим Юнг)

Что касается еще более долгосрочной перспективы, то несмотря на то, что производители и операторы систем успешно отреагировали на кризис, наблюдающееся снижение генерации за счет органического топлива привлекает внимание к задачам обеспечения дополнительной стабильности сетей, которые, вероятно, возникнут в дальнейшем в процессе перехода к экологически чистой энергии. Тяжелые вращающиеся паровые и газовые турбины обеспечивают механическую инерцию в электроэнергетической системе, тем самым поддерживая ее в сбалансированном состоянии. Замена этих мощностей возобновляемыми источниками энергии с переменным характером генерации может привести к большей нестабильности, ухудшению качества электроэнергии и увеличению частоты отключений электроэнергии.  Крупные АЭС наряду с другими технологиями могут взять на себя эту роль, уменьшая риск перебоев с поставками в полностью безуглеродных системах электроснабжения. 

Проблемы, созданные COVID-19, также высветили необходимость обеспечения встроенной устойчивости будущих энергетических систем к более широкому спектру внешних потрясений, в том числе к более переменчивым и экстремальным погодным условиям, связанным с изменением климата.

Успехи ядерной энергетики во время кризиса служат своевременным напоминанием о ее текущем значении и будущем потенциале с точки зрения создания более устойчивой, надежной и низкоуглеродной энергетической системы.

Источники данных о спросе на электроэнергию, ее производстве и ценах: Европейская сеть операторов систем передачи электроэнергии (Европа), Национальная энергетическая компания «Укрэнерго» (Украина), Корпорация по эксплуатации энергосистемы (Индия), Корейская энергетическая биржа (Южная Корея), Национальный оператор энергосистемы (Бразилия), Независимый оператор энергосистемы (Онтарио, Канада), АЭИ (США). Данные охватывают период с 1 января по май/июнь.

Фотограф снимает на пленку для создания ярких автопортретов

Используя нетрадиционную технику, фотограф Кейт Миллер-Уилсон создала серию пронзительных автопортретов, в которых исследуется ее борьба с тревогой. Шокируя широкоформатную пленку статическим электричеством, она создает на фотографиях случайные точки света и в то же время имитирует непредсказуемый характер тревоги.

Миллер-Уилсон — мать аутичного ребенка, которая всю жизнь страдала от тревог.Теперь, с Static , она обуздала эти чувства в визуальном выражении и тем самым надеется дать возможность большему количеству креативщиков рисковать.

Первоначальная концепция Static возникла, когда Миллер-Уилсон увидела фотографию со случайным следом статического электричества и была заинтригована тем, как она могла превратить это в нечто художественное.

«Я знаю, что статическое электричество может испортить отличную пленочную фотографию, но я также увидел в этом потенциал», — рассказывает фотограф My Modern Met.«Возможно, статика может показать эмоции или сделать невидимое на фотографии видимым. Статика непредсказуема, и я знал, что если бы я смог найти способ использовать ее с портретами, он мог бы предложить некоторую магию или выразить нюансы, которые иначе было бы трудно показать ».

Путем проб и ошибок Миллер-Уилсон создал потрясающую серию автопортретов. Процесс прошел не без труда, как из-за неконтролируемого характера статического электричества, так и из-за присущих фотографии автопортретов сложностей.Несколько снимков были потеряны из-за статических отметок в неправильной части кадра или отметок настолько ярких, что они стерли всю фотографию. Однако настойчивость Миллер-Уилсон окупилась, так как в конечном итоге она смогла создать несколько невероятных двойных экспозиций, оказывающих эмоциональное воздействие.

Рискованная серия позволяет Миллер-Уилсон противостоять своим личным тревогам, одновременно расширяя свои творческие возможности. Она надеется, что другие будут поощрять делать то же самое после просмотра работы. «Как только вы дойдете до той точки в своем ремесле, где вы знаете правила и знаете, как создавать хорошие фотографии, пора сделать большой шаг за пределы этой пресловутой рамки.Сделайте действительно плохие фотографии. Крушите какой-нибудь совершенно хороший фильм. Фильм может быть дорогим, но он не драгоценный или святой. Это просто кисть, которую мы используем для рисования светом. Реальный риск — это эмоциональный риск, на который мы идем, когда знаем, что можем потерпеть неудачу ».

Эти мощные автопортреты использовали статическое электричество для выражения чувства тревоги.

Кейт Миллер-Уилсон: Веб-сайт | Instagram

Статьи по теме:

Новая техника фотографии отражает тревогу

Фотограф изучает собственное тревожное расстройство с помощью автопортретов

Фотограф рассказывает, как она запечатлела сюрреалистический автопортрет «Бабочки в моем животе»

Интервью: фотограф исследует собственную депрессию с помощью сюрреалистических автопортретов

Фотоэлектричество — обзор | ScienceDirect Topics

Транзисторные формирователи изображений со статической индукцией

Фотоэлектрический преобразователь, в котором реализованы принципы работы транзистора со статической индукцией, описан в US-A-4427990 (Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai, Japan, 24.01.84). Когда свет падает на транзистор статической индукции, электронно-дырочные пары генерируются в области канала, и, по крайней мере, часть образовавшихся дырок сохраняется в области затвора, вызывая повышение потенциала затвора. Напряжение стока изменяется в зависимости от величины потенциала затвора, создаваемого в результате излучения света. Также представлены двухмерные формирователи изображения, использующие фотоэлектрический преобразователь.

Рис. 1.3.1. (US-A-4427990 рис. 7a)

рис.1.3.2. (US-A-4427990 рис. 7b)

На рисунках выше показан одиночный элемент захвата изображения. На подложке 21 p-типа сформирована область 23 стока n ⁺ , окруженная эпитаксиальным слоем 24 типа n ^— . Область 25 затвора p ⁺ и n ⁺ . Источники 26 -типа формируются внутри эпитаксиального слоя. Электрод 27 сформирован в области истока. Поверхность эпитаксиального слоя покрыта прозрачным изолирующим слоем 28.Электрод 29 затвора сформирован через изолирующий слой над частью области затвора. Концентрация примесей в области 24 типа n ^— выбрана достаточно низкой, чтобы при приложении обратного смещения между электродом истока и электродом затвора область канала становилась достаточно ограниченной для создания потенциального барьера. , и что высотой этого потенциального барьера можно также управлять путем приложения напряжения стока. Толщина изолирующего слоя выбирается так, чтобы емкость, которая формируется МДП-структурой, была значительной по сравнению с емкостью между областью затвора и областью истока.

Во время работы положительное напряжение прикладывается к электроду затвора, при этом как область стока, так и область истока поддерживают одинаковый потенциал. Таким образом, область 25 затвора типа p ⁺ смещена в прямом направлении, и если в ней хранится чрезмерное количество электронов, они вытесняются за пределы области затвора, так что область затвора приводится в заранее определенное состояние. Затем отрицательное напряжение прикладывается к электроду 29 затвора или положительное напряжение прикладывается к электроду 27 истока и / или к области 23 стока, чтобы тем самым смещать область затвора в обратном направлении.В это время область затвора и область 24 типа n ^— составляют диод с обратным смещением. Когда электронно-дырочные пары генерируются светом, падающим на диод, дырки перетекают в область затвора 5, где они хранятся. Из-за накопленного электрического заряда потенциал области затвора будет изменяться. Затем, когда на электрод стока подается положительное напряжение относительно потенциала истока, течет ток стока, который зависит от потенциала затвора.

Фиг.1.3.3. (US-A-4427990 рис. 8)

На рисунке выше показана схематическая диаграмма формирователя изображения, в котором элементы приема изображения расположены в матрице. Источники подключаются к строкам a ₁ , a ₂ ,…, стоки подключаются к линиям столбцов b ₁ , b ₂ ,…, а электроды затвора подключаются к чистым линиям c ₁ , c ₂ ,…, которые расположены параллельно линиям столбцов. При считывании положительное напряжение прикладывается к строкам строк a ₂ , a ₃ ,…, при этом поддерживая нулевое напряжение на строке строк a ₁ , а импульс положительного напряжения прикладывается последовательно к столбцу. линии b ₁ , b ₂ ,… и обнаруживается ток, протекающий через строку строки a ₁ .Затем стирающий импульс положительного напряжения прикладывается к чистым линиям c ₁ , c ₂ ,…, чтобы очистить считанные элементы. Операция повторяется для следующего ряда.

Рис. 1.3.4. (US-A-4427990 рис. 9)

Другой вариант осуществления содержит подложку 21 p-типа, область 23 стока n ⁺ , окруженную областью 22 типа n ^— , n ^— — область 24 канала типа n ⁺ область 26 истока, электрод 27 истока и электрод 29 затвора, который сформирован на изолирующем слое 28.Периферийные части области канала утоплены. За счет того, что изолирующий слой, расположенный под электродом затвора, имеет отрицательный электрический заряд, на поверхности формируется инверсионный слой.

Рис. 1.3.5. (US-A-4427990 рис. 11a)

Рис. 1.3.6. (US-A-4427990 рис. 11b)

Рис. 1.3.7. (US-A-4427990, рис. 11d)

В другом варианте осуществления в качестве переключающего транзистора используется транзистор с изолированным затвором. Область 23 стока типа n ⁺ в форме полосы сформирована на подложке 21 p-типа.На нем выращивают эпитаксиальный слой 24 типа n ^—. Область 25 затвора типа p ⁺ сформирована в области типа n ^— и окружает область канала 14. Другая область 32 типа p ⁺ сформирована в области типа n ^—. Область 26 истока типа n ⁺ формируется в области канала. Области 25 и 32 типа p ⁺ и промежуточная область 36 типа n ^— составляют пару областей токового электрода и область 36 канала транзистора с изолированным затвором.Сформированы электрод истока 27 фототранзистора и электрод стока 34 переключающего транзистора. Электрод 33 затвора сформирован на изолирующем слое 28 над областью канала переключающего транзистора. Также раскрыт вариант осуществления, в котором биполярный транзистор используется в качестве переключающего транзистора вместо изолирующего транзистора с затвором.

Полупроводниковый материал, используемый в вариантах осуществления, представляет собой кремний. Однако упоминается, что вместо него можно использовать HgCdTe.

*

В документе EP-A-0038697 (Semiconductor Research Фонд, Япония, 28.10,81).

Рис. 1.3.8. (EP-A-0038697 рис. 1a)

Рис. 1.3.9. (EP-A-0038697 рис. 1b)

Устройство формирования изображения содержит шину слов 1, которая подключена к электроду затвора 1 ‘n-канального транзистора Q1 считывания MISSIT, битовую линию 2, которая подключена к область 11 истока типа n ⁺ транзистора Q1, электрод затвора 3 ‘p-канального транзистора восстановления MISSIT Q2 и прозрачный электрод 4, который смещен напряжением источника питания Vs (+) и который подключен к региону типа n ⁺ 5.Область 8 типа n ⁺ служит стоком транзистора Q1 и областью, из которой электроны вытекают в ответ на вход света и заряжаются положительно, сохраняя в ней информацию о свете в виде напряжения. Отверстия, оптически сформированные в области 6 обнаружения фотографий, сохраняются в области 7 p, которая служит областью истока транзистора восстановления. Область 10 p и область 9 n, которые покрыты изолирующими пленками 10 ″ и 9 ″, являются областями каналов транзисторов Q1 и Q2 соответственно.Область 13 типа p ⁺ и область 14 типа n ⁺ являются скрытыми областями, предусмотренными для ограничения толщины обедненных слоев в областях канала, чтобы избежать изменения информации о напряжении, хранящейся в n ^+. -тип области 8 и p-области 7 под влиянием альфа-лучей и т.п., и для достижения нормально выключенной характеристики с короткоканальной структурой затвора MOS. Транзисторы разделены областями изоляции 15. Накопительный конденсатор Cs и линия заземления не показаны на виде в разрезе формирователя изображения.Для обнаружения инфракрасного света HgCdTe выращивают гетерогенно или осаждают путем распыления, испарения или метода CVD на поверхности фотодетектирующей части.

Напряжение источника питания Vs (+) полностью истощает область 6. Оптически генерируемые электроны и дырки поглощаются в области 5 и сохраняются в p-области 7 соответственно. Накопленные дырки заряжают p-область 7 положительно. Высота потенциального барьера для электронов в области 8 типа n ⁺ снижается, позволяя электронам течь из области 8 типа n ⁺ через p-область 7 к подложке.В результате область 8 типа n ⁺ , которая удерживается плавающей относительно линии земли через конденсатор Cs, истощается, и ее потенциал увеличивается. Потенциал считывается неразрушающим образом в линию вывода сигнала (разрядную шину) 2 транзистором Q1 считывания. Показано, что потенциал на линии вывода сигнала зависит от емкости перехода между областью 7 p и областью 8 типа n ⁺ , но не зависит от накопительной емкости Cs и емкости линии вывода сигнала.Кроме того, когда размер детекторного элемента уменьшается и перед принимающей оптической входной поверхностью предоставляется линза, которая имеет достаточно большую разрешающую способность, чтобы в достаточной мере улавливать падающий свет, выходное напряжение увеличивается.

В заявке на патент раскрыто несколько вариантов осуществления. В одном из вариантов осуществления транзистор восстановления исключен.

*

Тепловизор по EP-A-0038697, показанный выше, имеет сложную структуру и, следовательно, труден в изготовлении.В EP-A-0042218 (Фонд исследований полупроводников, Япония, 23.12.81) представлена ​​упрощенная структура. Во всех вариантах реализации транзистор восстановления, присутствующий в большинстве вариантов реализации EP-A-0038697, исключен.

Рис. 1.3.10. (EP-A-0042218 рис. 5a)

Рис. 1.3.11. (EP-A-0042218 рис. 5b)

Крючковатая структура образована структурой соединения n ⁺ 64, p 63, p ^— 62 и n ⁺ 61. Считываемый MISSIT-транзистор Q1 сформирован с истоком, каналом и стоком, образованными областью 64 типа n ⁺ , областью 65 p и областью 66 типа n ⁺ .Область 66 типа n ⁺ подключена к линии 75 считывания сигнала. Область 72 затвора транзистора считывания подключена через контактное отверстие 79 к шине 78 адресации сигнала. Изолирующий слой 67 сформирован между областью 63 p и областью 65 p-канала и областью 66 стока типа n ⁺ . 68, 69, 73 и 75 обозначают изолирующие области и слои. Область 71 служит изолирующей пленкой затвора считывающего транзистора. Адресная линия 78 сигнала и переходное отверстие 79 являются общими для двух соседних ячеек.

С помощью импульсного напряжения Φs, подключенного к прозрачному электроду 60, на область 61 подложки подается напряжение Vs (+) в период интегрирования света. В период обновления напряжение Φs становится 0 В или слегка отрицательным, выполняя операцию вытягивания отверстий, которые являются избыточными основными носителями, хранящимися в качестве оптической информации в области 63 p.

Инфракрасный формирователь изображения формируется путем формирования n ⁺ область 61 -типа, область 62 p ^— и p-слой 63 HgCdTe, образуя изолирующий слой ZnS на p-слое 63 в заданном положении, выращивая на нем поликремний методом CVD, оставляя поликремний на заданное положение и добавление желаемой примеси путем ионной имплантации.Относительно хороший монокристаллический поликремний может быть получен с использованием технологии лазерного отжига.

*

В EP-A-0094973 (Фонд исследований полупроводников, Япония, 30.11.83) накопительный конденсатор подключен либо к затвору, либо к истоку, либо к стоку транзистора статической индукции.

Рис. 1.3.12. (EP-A-0094973 рис. 14a)

Рис. 1.3.13. (EP-A-0094973 рис. 14b)

Рис. 1.3.14. (EP-A-0094973 рис. 18a)

Слой 61 типа n ^— сформирован на подложке 60 типа n ⁺ .Формируются области 62 затвора типа P ⁺ и область 63 истока типа n ⁺ . Области затвора, металлические электроды 66 и промежуточный изолирующий слой 65 образуют накопительный конденсатор. 67 и 68 обозначают металлические электроды истока и стока соответственно, а 66 обозначает пленку для защиты поверхности. В других вариантах осуществления конденсатор для хранения сигнала подключен к истоку или стоку. Устройство формирования изображения формируется путем размещения множества транзисторов с накопительными конденсаторами в двух измерениях.Устройство может быть выполнено из HgCdTe.

*

Структуры формирователей изображений в EP-A-0094974 (Фонд исследований полупроводников, Япония, 30.11.83) представлены в EP-A-0094973, который был показан выше. Однако атомы, которые образуют примесный слой, который возбуждается светом, длина волны которого превышает длину волны света, соответствующую ширине запрещенной зоны в области канала, принимающего свет, добавляются в область канала. Формирователи изображений могут быть изготовлены из HgCdTe.

*

Представление невидимых объектов: Электричество :: Секреты цифровых фотографий

Лично я считаю, что невидимые объекты обладают одним из лучших творческих потенциалов.Понятно, что сфотографировать что-то невидимое — непростая задача. Погодите, а как вообще можно сфотографировать что-то невидимое? Читай дальше что бы узнать.

Очевидно, невозможно буквально сфотографировать невидимое. То есть, если вы не занимаетесь фотографией призраков и не чувствуете — как это делают многие люди, — что ваша камера может фотографировать духовные вещи, которые не видны вашим глазам. Но это совсем другое обсуждение. Сегодня мы собирались поговорить о фотографировании концепции или идеи — то есть чего-то, что может быть невидимым, но, как мы знаем, действительно существует.Хороший тому пример — электричество.

Обычно мы не видим электричество. Мы можем видеть объекты, которые получают энергию от электричества, мы можем видеть линии электропередач, которые переносят электричество из одной части мира в другую, мы можем видеть результат электричества (например, горящую лампочку), но мы не всегда можем увидеть само электричество. Так как же фотографировать то, чего не видно буквально? Это требует творческого мышления.

Во-первых, электричество не всегда невидимо, или, по крайней мере, есть видимые элементы электричества, которые люди могут универсально идентифицировать.Одна из этих видимых граней электричества — молния. Молния — это внезапный электростатический разряд, возникающий во время грозы. Мы можем видеть это своими глазами, а значит, его можно сфотографировать.

Как сфотографировать молнию

Фотографирование молний, ​​конечно же, связано не только с удачей, но и с умением. Чтобы получить хорошие фотографии молний, ​​вы должны сначала оказаться в нужном месте в нужное время — рядом с грозой. Затем вам нужно, чтобы ваша камера была направлена ​​в правильном направлении, и вам нужно, чтобы затвор был открыт, когда происходит одна из этих ударов молнии или вспышек.

Теперь я сначала хочу предупредить вас, что вам нужно проявлять особую осторожность при фотографировании молнии. Молния может быть очень опасной, и вы не хотите быть самой высокой точкой в ​​поле, когда пытаетесь запечатлеть грозу на камеру. Вместо этого попробуйте стрелять из дома в открытое окно. Или найдите другое убежище, например, в машине. Учтите, конечно, что если идет дождь, вам также необходимо защитить камеру от непогоды — дождевик — отличное вложение для любой фотографии в сырую погоду.

• Никон D3100
• 200
• f / 16,0
• 15,1
• 18 мм