Как прозвонить биполярный транзистор: Как проверить транзистор самому: способы и правила

Как проверить транзистор самому: способы и правила

Транзисторы, наряду с конденсаторами, резисторами, — одни из основных элементов на платах электроприборов, почти всегда присутствуют в схемотехнике. Эти детали от небольшого импульса управляют током, поэтому некорректный подбор, любая поломка ведет к существенному нарушению функциональности устройств, а часто из-за этого они перегорают. Опишем способы, как проверить транзистор, а это потребуется сделать при анализе неисправностей электроприборов и при подборе запчастей для сборок.

Что такое транзистор

Транзисторы вытеснили электролампы, позволили уменьшить количество реле, переключателей в устройствах. Это полупроводниковые триоды — радиоэлектронные компоненты из полупроводников, стандартно имеют 3 вывода.

Транзисторы, предназначенные для управления током, то есть основным силовым фактором электросхем, именно его удар (не напряжения) несет опасность для человека.

Элемент способен контролировать чрезвычайно высокие величины в выходных цепях при подаче слабого входного сигнала.

Транзисторы повышают, генерируют, коммутируют, преобразовывают электросигналы, это основа микроэлектроники, электроустройств.

Разновидности по принципу действия:

• биполярный транзистор из 2 типов проводников, в основе функционирования – взаимодействие на кристалле соседних p-n участков. Состоят из эмиттера/коллектора/базы (далее, эти термины будем сокращать): на последнюю идет слабый ток, вызывающий модификацию сопротивления (дальше по тексту «сопр.») в линии, состоящей из первых 2 элементов. Таким образом, протекающая величина меняется, сторона ее однонаправленности (n-p-n или p-n-p) определяется характеристиками переходов (участков) в соответствии с полярностью подключения (обратно, прямо). Управление осуществляется модулированием тока на сегменте база/эмит., вывод последнего всегда общий для сигналов управления и выхода;
• полевой. Тип проводника один — узкий канал, подпадающий под электрополе обособленного затворного прохода. Контроль основывается на модуляции количества Вольт между ним и истоком. А между последним и стоком течет электроток (2 рабочие контакты). Величина имеет силу, зависящую от сигналов, формируемых между затвором (контакт контроля) и одной из указанных частей. Есть изделия с p-n участком управления (рабочие контакты подключаются к p- или n-полупроводнику) или с обособленными затворами.

У полевиков есть варианты полярности, для управления требуется низкий вольтаж, из-за экономичности их ставят в радиосхемы с маломощными БП. Биполярные варианты активируются токами. В аналоговых сборках превалируют вторые (БТ, BJT), в цифровых (процессоры, компьютеры) — первые. Есть также гибриды — IGBT, применяются в силовых схемах.

Зачем проверять

Когда затребована проверка транзистора:

• новые элементы перед сборкой схем крайне рекомендовано перепроверить;
• при поломке электроприбора. Неполадки описываемых запчастей редкие, но их неисправности (чаще всего возникают пробои) не исключены.

Проверка биполярных типов

Ниже схема проверки npn, pnp транзисторов тестером, после нее распишем процедуру по пунктам.

Биполярный транзистор снабжен p-n линиями — условно, это диоды, а точнее, 2 таковых расположенных встречно, точка их пересечения — «база».

Один условный диод сконструирован контактами базы/коллект., иной — базы/эмит. Для анализа хватит посмотреть сопр. (прямо и обратно) указанных участков: если там нет неполадок, то деталь без изъянов.

Проверка своими руками без выпаивания биполярного pnp, npn транзистора предполагает прозвонку 3 комбинаций ножек:

Вариант p-n-p

Структуры (типы) показывает стрелка эмит. участка: p-n-p/n-p-n (к базе/от нее). Начнем с проверки первого варианта. Раскрываем p-n-p деталь подачей на базу минусового напряжения. На мультиметре селектор ставим на замеры Ом на отметку «2000», допускается также выставлять на «прозвонку».

Жила «−» (черная) — на ножку базы. Плюс (красная) — поочередно к коллект., эмит. Если участки не поврежденные, то отобразят около 500–1200 Ом.

Дальше опишем, как прозвонить обратное сопр. : «+» – на базу, «−» — на колл. и эмит. Должно отобразиться высокое сопр. на обоих p-n участках. У нас появилась «1», то есть для выставленной рамки в «2000» значение превышает 2000. Значит, 2 перехода без обрывов, изделие исправное.

Аналогично, как описано, можно прозвонить на исправность транзистор, не выпаивая из схемы. Реже есть сборки, где к переходам применено основательное шунтирование, например, резисторами. Тогда, если отобразится слишком низкое сопр., потребуется выпаивать деталь.

Структура n-p-n

Элементы n-p-n проверяются аналогично, только на базу от тестера идет щуп «+».

Признаки неисправности

Если сопр. (прямое и обратное) одного из участков (p-n) стремится к бесконечности, то есть на отметке «2000» и выше на дисплее «1», значит, данный участок имеет обрыв, транзистор не годный. Если же «0» — изделие также с изъяном, пробит участок. Прямое сопр. там должно быть 500–1200 Ом.

Где база, коллектор, эмиттер

Определяем базовую ножку (режим тот же — «2000 Ом»): «+» тестера касаемся левого контакта, «−» — остальных поочередно.

Ножки левая/средняя «1», левая/правая — 816 Ом. Пока это малоинформативно. Щупом «+» — на средний контакт, «−» — на остальные.

Результат схожий. Следующий этап: «+» на правую ножку, «−» — на среднюю и затем на левую.

Получаем по «1», то есть сопр. одинаковое на этих участках и оно идет к бесконечности. Выходит, что мы замерили обратную эту величину на обоих p-n сегментах. Итак, база — это правая ножка. Но полная процедура как проверить исправность предполагает нахождение колл. и эмит. замерами прямого сопр. Минусом касаемся базового вывода, «+» — остальных.

Ножка слева — 816 Ом, это эмит., средняя — 807 Ом, это коллект., там значение всегда ниже.

Итог такой:

• имеющийся тип — p-n-p;
• база справа, эмит. — слева; колл. — посередине.

Особенности транзисторов по мощности

Транзисторы выпускаются высоко, средне и маломощными. У первых двух коллект. напрямую связывается с корпусом и размещен между базой и эмит. (посередине). Такие изделия имеют радиаторы, они интенсивно нагреваются.

Проверка полевых транзисторов

Прозвонка, не выпаивая, полевого транзистора, схожая как для не смонтированного экземпляра. Полевики чувствительные к статике — перед мероприятием ее снимают заземлением. Достаточно прикоснуться одной рукой к запчасти, другой — к отопительным батареям. Для проверки полевых транзисторов перед процедурой определяют их цоколевку.

Метки, по которым можно определить выводы (не всегда есть, особенно на отечественной продукции): S — исток, D — сток, G — затвор. Смотрят также техдокументацию, данные есть в интернете.

Как проверить полевой транзистор:

1. Снимаем статику.
2. Ставим режим для полупроводников («прозвонка»).
3. Красный провод «+» и черный «–» вставляем в соответствующие гнезда мультиметра.
4. «+» к истоку, «−» — к стоку. Рабочее состояние — 0.5–0.7 В.
5. Меняем щупы. Если цифры идут к бесконечности — транзистор исправный.
6. «+» к затвору, «−» к истоку, происходит открытие. Последний провод не отсоединяем, первым — к стоку. Рабочий экземпляр покажет 0–800 мВ. Меняем полярность проводков — значения не должны меняться.
7. Выполняем закрытие: «−» — на затвор, «+» — на исток.

Определяют исправность полевика по его открытию/закрытию (наблюдается ли это вообще) подачей слабого вольтажа с тестера. Входная емкость в элементе большая, для разрядки требуется определенное время. Это имеет значение, так как сначала происходит открытие небольшим напряжением мультиметра (п. 4), а далее надо провести замеры в рамках короткого периода (п. 6, 7).

Процедура как проверить полевой транзистор p типа такая же, как и для n, только подсоединять надо красный щуп к «−», а черный — к «+», то есть поменять полярность.

Составные транзисторы

Чтобы проверить составной транзистор, надо его запустить. Удобно применять стрелочный тестер, установленный на анализ сопр. (1000 или 2000 Ом). Для типа n-p-n: щуп «+» — на коллект., минусовый — на эмит. Для pnp — наоборот. Стрелка будет нерушимой (в начале секции «бесконечность»), а в цифровом мультиметре «1». Если увлажнить палец и сделать замыкание, прикоснуться им к ножке базы и коллектора, то стрелка подвинется, так как деталь чуть приоткроется. Исправность транзистора подтверждена.

Проверка IGBT

IGBT имеют изолированный затвор, это 3-электродные силовые полупроводниковые элементы. Тут каскадным включением соединяются 2 транз. в 1 структуре: полевик и биполярный (управляющий и силовой каналы).

Проанализировать можно транзистор на плате и выпаянный аналогичным методом. Тестер ставят на анализ полупроводников («прозвонка», значок диода) или сопр. 2000 Ом. Затем замеряют сопр. на участке эмит./затвор прямо и обратно. Так выявим замыкание, если оно есть. Далее, красный провод подключают к эмит., черным делают краткое касание затвора. Происходит заряд последнего отрицательным напряжением, транзистор останется закрытым.

Следующий пункт — надо подтвердить функциональность. Заряжают плюсовым напряжением входной участок затвор-эмит.: одновременно коротко красной жилой касаются затвора, черной — эмит.

Далее, проверяем переходную точку между колл. и эмит.: красный провод к первому, черный — к другому. Если отобразится слабое падение значения на 0.5–1.5 В и величина будет несколько сек. стабильной, то вх. емкость целая, транзистор рабочий.

Проверка мощных высоковольтных транзисторов имеет особенность. Если напряжения мультиметра не хватает, чтобы открыть IGBT, то для его зарядки на выходе используют источники на 9–15 В, например, батарейку «крону» 9 В.

Цифровые транзисторы

Цифровой транзистор — особый вид, есть особенности как правильно его проверить.

Составными частями цифровых транзисторов являются резист. (R1 и 2), их номинал одинаковый (10, 22, 47 кОм) или смешанный, разный. Внешне изделие имеет обычный вид, но при «прозвонке» возникают существенные различия.

Удобный прибор для проверки транзисторов — ампервольтметр, можно взять и multimeter. При прямонаправленности, при открытом сегменте, на тестере появится сопр. приблизительно сравнимое с базовым резист. R1. При изменении полярности щупов точка база/эмит. закрытая, ток течет через последовательно включенные резист. R1 (10 кОм) и 2 (22 кОм), на табло будет сумма их сопр., в нашем примере 32 кОм.

Сегмент база-эмит. (VD2) шунтируется резистором R2. Сопротивление там должно быть примерно в 10 раз ниже R2, а при смене полярности АВОметра — бесконечно большим.

Проверка тиристоров

Рассмотрим также как прозванивать тиристоры, они во многом напоминают рассматриваемые детали. Тут есть 3 p-n сегмента, а режим после сигнала управления не меняется — в этом и заключается разница. Структуры идут поочередно как полосы на зебре. Thyristor открыт, пока значение протекающей величины не спадет «до тока удержания». Такие детали позволяют создавать экономные схемы.

Мультиметр ставят на отметку 2000 Ом. Чтобы открыть проверяемый thyristor, черную жилу — к катоду, красную — к аноду. Деталь открывается как зарядом «+», так и «−». В двух случаях сопр. должно быть меньше «1». Деталь открытая, если величина управляющего импульса превысит рамку удержания, если меньше — ключ закрывается.

Сборка кустарного пробника

Самодельный прибор (пробник) позволит мгновенно определить исправность transistor любого типа. Приведем элементарную действенную схему.

Что потребуется (всего рабочих 3 компонента):

• основа — любой небольшой понижающий трансф. (из импульсн. БП, балласта лампочек экономок, небольших электроприборов). У нашего первичка из 24 витков со средним отводом; вторичка — 15;
• далее, 2 элемента. Светодиод подсоединяется к вторичке через резист. 100 Ом, мощность его не важная, как и полярность первого элемента, поскольку на выходе возникает переменная величина.

Есть также гнездо для вставки проверяемых деталей согласно цоколевке. Для биполярных прямопроводных типов (КТ 814…818 и так далее) база идет через резист. на один из контактов трансформ., средний вых. которого (отвод) подключен к «+» питания. Эмит. подсоединяем к «−» питания, коллект. — к свободному вых. первички. Если проводимость у детали обратная, то просто меняем «+» и «−». Аналогично с полевиками, главное — соблюсти цоколевку. Если после подачи питания появится свет, то изделие рабочее.

Пробник запитывается от 3.7–6 В, подойдет свинцовая или литий-ионная аккумуляторная батарейка.

Итог

Любой транзистор проверяется мультиметром. Надо узнать назначение его ножек (база/колл./эмит., сток/исток/затвор). Далее, тестер поставить на «прозвонку» или на отметку 2000 Ом. Затем проанализировать прямое и обратное сопр. По результату можно определить работоспособность транзистора. А также можно проанализировать коэф. усиления: на тестере есть специальное гнездо и отметка hFE.

Видео по теме

Как проверить транзистор мультиметром не выпаивая

Как проверить биполярный транзистор мультиметром

Существует множество приборов для проверки любых типов транзисторов. Ими можно проверить не только исправность транзистора, но и подобрать необходимый коэффициент усиления h31э.

Проверка транзистора

Однако для ремонта бытовой техники и электроники вполне достаточно одного мультиметра. Чтобы понять сам процесс проверки транзистора, нелишне будет знать, что такое транзистор и как он работает. Транзистор можно представить как два встречно включенных диода имеющих p-n переходы. Для p-n-p транзисторов эквивалентная схема выглядит как два диода включенных катодами друг к другу, а для n-p-n структуры диоды включены анодами друг к другу.

Эквивалентные схемы транзисторов

Так можно представить себе упрощенный эквивалентный вариант транзистора. В двух словах о принципе работы транзистора. При подаче переменного сигнала на базу транзистора (общий конец соединения диодов) меняется сопротивление переходов коллектор – база и эмиттер – база. Соответственно и общее сопротивление переходов меняется по закону входного сигнала. Постоянное напряжение источника питания, приложенное к коллектору и эмиттеру, будет также меняться по закону входного сигнала.

Но напряжение источника питания, приложенное к переходу эмиттер – коллектор транзистора значительно больше сигнала поступающего на базу. Выходной сигнал снимается с выводов эмиттера и коллектора. Так работает транзистор в режиме усиления. В ключевом режиме на базу подаётся минимальный сигнал, при котором транзистор закрыт и максимальный сигнал, который полностью открывает транзистор.

Как проверить p-n-p транзистор мультиметром

Биполярные транзисторы могут быть с прямой проводимости p-n-p и обратной проводимостью n-p-n. На схеме проводимость p-n-p переходов обозначается стрелкой по направлению к базе, а n-p-n переходы отражаются стрелкой указывающей направление от базы. Для проверки транзистора на мультиметре выбирают предел измерения сопротивления 2000 Ом или “прозвонку”.

Находим обратное сопротивление переходов

Минус мультиметра прикладывают к базе транзистора, а плюс поочередно к выводам коллектора и эмиттера. Нормальное сопротивление перехода будет в пределах 400 – 1200 Ом. Чтобы проверить переходы коллектор – база и эмиттер – база на обратное сопротивление, плюс мультиметра прикладывают к базе, а минусы к эмиттеру и коллектору по очереди.

Обратное сопротивление коллектора и эмиттера должно быть большим, и мультиметр будет показывать “1”. Чтобы проверить транзистор с обратной полярностью n-p-n, к базе прикладывают плюс мультиметра, а в остальном методика такая же, как и при проверке полярности p-n-p. Этим же методом можно проверить работоспособность транзисторов, не выпаивая с платы.

Иногда переходы транзистора в схеме могут быть шунтированы небольшим сопротивлением. Тогда лучше отпаять базу или весь транзистор, так как показания мультиметра при проверке на целостность элемента будут неверными. Если переходы транзистора в обоих направлениях показывают ноль или близкое к нему, то это указывает на пробой переходов, а показания “1” на мультиметре говорят об обрыве переходов.

Как найти цоколевку транзистора мультиметром

Расположение выводов (цоколевка) транзистора можно найти по справочнику или по типу транзистора в интернете. Определить расположение выводов можно и мультиметром. Для этого плюс мультиметра прикладывают к правому выводу транзистора, а минус к среднему и левому контакту.

Как найти эмиттер и коллектор

Допустим, что сопротивление в обоих измерениях составило бесконечность. Получается, что мы нашли обратное сопротивление двух переходов n-p-n. Таким образом, мы попали на базу. Для нахождения коллектора и эмиттера минусом становятся на базу, а плюсом касаемся двух оставшихся выводов по очереди.

На дисплее отобразились значения сопротивлений переходов 816 Ом и 807 Ом. Вывод с сопротивлением 807 Ом будет коллектором, потому что переход база – коллектор имеет меньше значение сопротивления, чем переход база – эмиттер. Существуют так же транзисторы средней и большой мощности, у них коллектор соединен с корпусом или с металлической пластиной, предназначенной для рассеивания тепла.

Как проверить мощный биполярный транзистор и его цоколевку!!!

Транзистор Дарлингтона. Как проверить и принцип работы

Составной транзистор Дарлингтона компонуется из пары стандартны транзисторов, объединённых кристаллом и общим защитным покрытием. Обычно на чертежах для отметки положения подобного транзистора не применяют никаких специальных символов, только тот, которым отмечают транзисторы стандартного типа.

К эмиттерной цепи одного из элементов присоединён нагрузочный резистор. Выводы транзистора Дарлингтона аналогичны биполярному полупроводниковому триоду:

• база;
• эмиттер;
• коллектор.

Помимо общепринятого варианта составного транзистора существует несколько его разновидностей.

Пара Шиклаи и каскодная схема

Другое название составного полупроводникового триода – пара Дарлингтона. Кроме неё существует также пара Шиклаи. Это сходная комбинация диады основных элементов, которая  отличается тем, что включает в себя разнотипные транзисторы.

Что до каскодной схемы, то это также вариант составного транзистора, в котором один полупроводниковый триод  включается по схеме с ОЭ, а другой по схеме с ОБ. Такое устройство аналогично простому транзистору, который включён в схему с ОЭ, но обладающему более хорошими показателями по частоте, высоким входным сопротивлением и большим линейным диапазоном с меньшими искажениями транслируемого сигнала.

Достоинства и недостатки составных транзисторов

Мощность и сложность транзистора Дарлингтона может регулироваться через увеличение количества включённых в него биполярных транзисторов. Существует также IGBT-транзистор, который включает в себя биполярный и полевой транзистор, используется в сфере высоковольтной электроники.

Главным достоинством составных транзисторов считается их способность давать большой коэффициент усиления по току. Дело в том, что, если коэффициент усиления у каждого из двух транзисторов будет по 60, то при их совместной работе в составном транзисторе общий коэффициент усиления будет равен произведению коэффициентов входящих в его состав транзисторов (в данном случае — 3600). Как результат — для открытия транзистора Дарлингтона потребуется довольно небольшой ток базы.

Недостатком составного транзистора считается их низкая скорость работы, что делает их пригодными для использования только в схемах работающих на низких частотах. Зачастую составные транзисторы фигурируют как компонент выходных каскадов мощных низкочастотных усилителей.

Особенности работы устройства

У составных транзисторов постепенное уменьшение напряжения вдоль проводника  на переходе база-эмиттер вдвое превышает стандартное. Уровень уменьшения напряжения на открытом транзисторе примерно равен тому падению напряжения, которое имеет диод.

По данному показателю составной транзистор сходен с понижающим трансформатором. Но относительно характеристик трансформатора транзистор Дарлингтона обладает гораздо большим усилением по мощности. Подобные транзисторы могут обслуживать работу переключателей частотой до 25 Гц.

Система промышленного  выпуска составных транзисторов налажена таким образом, что модуль полностью укомплектован и оснащён эмиттерным резистором.

Как проверить транзистор Дарлингтона

Самый простой способ проверки составного транзистора заключается в следующем:

• Эмиттер подсоединяется к «минусу» источника питания;
• Коллектор подсоединяется к одному из выводов лампочки, второй её вывод перенаправляется на «плюс» источника питания;
• Посредством резистора к базе передаётся плюсовое напряжение, лампочка светится;
• Посредством резистора к базе передаётся минусовое напряжение, лампочка не светится.

Если всё получилось так, как описано, то транзистор исправен.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

Поделиться ссылкой:

Похожее

Биполярные переходные транзисторы

(BJT) и их применение

Биполярный транзистор

был изобретен в 1948 году Уильямом Шокли, Браттейном и Джоном Бардином, который изменил не только мир электроники, но и нашу повседневную жизнь. В транзисторах с биполярным переходом используются как электронные, так и дырочные носители заряда. Безразлично, униполярные транзисторы, такие как полевые транзисторы, используют только один вид носителей заряда. Для работы BJT использует два полупроводника n-типа и p-типа между двумя переходами.Основная основная функция BJT — усиление тока, что позволит использовать BJT в качестве усилителей или переключателей для обеспечения широкого применения в электронном оборудовании, включая мобильные телефоны, промышленное управление, телевидение и радиопередатчики. Доступны два разных типа BJT: NPN и PNP.

Что такое BJT?

Транзистор с биполярным переходом — это твердотельное устройство, и в BJT ток протекает на двух выводах, эмиттер и коллектор, а величина тока регулируется третьим выводом i.е. базовый терминал. Он отличается от другого типа транзистора, то есть полевого транзистора, выходной ток которого регулируется входным напряжением. Базовый символ БЮТ n-типа и p-типа показан ниже.

Биполярные переходные транзисторы

Типы биполярных переходных транзисторов

Как мы видели, полупроводник обеспечивает меньшее сопротивление протеканию тока в одном направлении, а высокое сопротивление — в другом направлении, и мы можем назвать транзистор режимом устройства полупроводника.Транзисторы с биполярным переходом состоят из транзисторов двух типов. Который нам дал

• Точечный контакт
• Переходный транзистор

При сравнении двух транзисторов переходные транзисторы используются больше, чем точечные транзисторы. Кроме того, переходные транзисторы подразделяются на два типа, которые приведены ниже. На каждый переходный транзистор приходится по три электрода: эмиттер, коллектор и база

• Переходные транзисторы PNP
• Переходные транзисторы NPN

Переходный транзистор PNP

В транзисторах PNP эмиттер более положительный с базой, а также с респект коллекционеру.Транзистор PNP представляет собой трехконтактное устройство, изготовленное из полупроводникового материала. Три клеммы — это коллектор, база и эмиттер, а транзистор используется для коммутации и усиления. Работа транзистора PNP показана ниже.

Обычно клемма коллектора подключается к положительной клемме, а эмиттер — к отрицательной клемме питания с помощью резистора либо схемы эмиттера, либо коллектора. На клемму базы подается напряжение, и транзистор работает в состоянии ВКЛ / ВЫКЛ.Транзистор находится в выключенном состоянии, когда базовое напряжение равно напряжению эмиттера. Режим транзистора находится в состоянии ВКЛ, когда напряжение базы уменьшается по отношению к эмиттеру. Используя это свойство, транзистор может работать как с переключателем, так и с усилителем. Основная схема транзистора PNP показана ниже.

Соединительный транзистор NPN

Транзистор NPN прямо противоположен транзистору PNP. Транзистор NPN содержит три вывода, которые идентичны транзистору PNP: эмиттер, коллектор и база.Работа NPN-транзистора:

Обычно положительное питание подается на вывод коллектора, а отрицательное питание — на вывод эмиттера с помощью резистора в цепи эмиттера, коллектора или эмиттера. На клемму базы подается напряжение, и она работает как состояние ВКЛ / ВЫКЛ транзистора. Транзистор находится в выключенном состоянии, когда напряжение базы такое же, как и на эмиттере. Если напряжение базы увеличивается относительно эмиттера, то транзисторный режим находится в состоянии ВКЛ.Используя это условие, транзистор может работать как в усилителе, так и в переключателе. Основной символ и диаграмма конфигурации NPN, как показано ниже.

Соединительный транзистор PNP и NPN

Гетеро-биполярный переход

Гетеро-биполярный соединительный транзистор также является типом биполярного переходного транзистора. Он использует различные полупроводниковые материалы для эмиттерной и базовой области и создает гетеропереход. HBT может обрабатывать одиночные сигналы очень высоких частот в несколько сотен ГГц, обычно он используется в сверхбыстрых цепях и в основном используется в радиочастотах.Его приложения используются в сотовых телефонах и усилителях мощности RF.

Принцип работы BJT

Переход BE — это прямое смещение, а CB — обратное смещение. Ширина обедненной области CB-перехода больше, чем BE-перехода. Прямое смещение в BE-переходе снижает барьерный потенциал и заставляет электроны течь от эмиттера к базе, а база тонкая и слегка легированная, в ней очень мало дырок и меньше электронов от эмиттера, около 2% он рекомбинирует в базовая область с отверстиями и из базового терминала она потечет.Это инициирует ток базы из-за комбинации электронов и дырок. Оставшееся большое количество электронов пройдет через коллекторный переход обратного смещения, чтобы инициировать ток коллектора. Используя KCL, мы можем наблюдать математическое уравнение

I _E = I _B + I _C

Базовый ток намного меньше по сравнению с током эмиттера и коллектора

I _E ~ I _C

Здесь работа транзистора PNP такая же, как и у транзистора NPN, с той лишь разницей, что только дырки вместо электронов.На приведенной ниже диаграмме показан PNP-транзистор области активного режима.

Принцип работы BJT

Преимущества BJT

• Высокая управляемость
• Работа на высоких частотах
• Семейство цифровых логических схем имеет логику с эмиттерной связью, используемую в BJT в качестве цифрового переключателя

Применения BJT

Ниже приведены два разных типа приложений в BJT это

В этой статье дается информация о том, что такое биполярный переходной транзистор, типах BJT, преимуществах, применениях и характеристиках биполярных переходных транзисторов. Я надеюсь, что приведенная в статье информация будет полезна для получения хорошей информации и понимания проекта. Кроме того, если у вас есть какие-либо вопросы относительно этой статьи или проектов в области электротехники и электроники, вы можете оставить комментарий в разделе ниже. Вот вам вопрос, если транзисторы используются в цифровых схемах, они вообще работают в каком регионе?

Фото:

Как выбрать замену биполярному транзистору || AllTransistors.com

Биполярных транзисторов много, и большинство из них имеет множество аналогов, близких по своим параметрам, так что поиск замены обычно не вызывает никаких затруднений. Конечно, лучший вариант — заменить перегоревший транзистор на такой же, но если достать его нет, то с выбором аналога не возникнет никаких трудностей. Вот что нужно сделать для этого:

1. Чтобы узнать название транзистора.Если это SMD устройство — его код нужно расшифровать в разделе SMD-кодов 🔗.
2. Проанализировать схему транзистора (связка).
3. Найдите технический паспорт неисправного транзистора и введите его основные параметры в аналоговую форму поиска.
4. Просматривая паспорта предлагаемых транзисторов, выбрать наиболее подходящий по параметрам аналог, учитывая режимы его работы в устройстве.

На что обратить внимание?

Открывая PDF-Datasheet, прежде всего выясним тип транзистора — биполярный или полевой, p-n-p или n-p-n, тип корпуса, расположение распиновок.

Из числовых параметров, в первую очередь, это максимальные ток и напряжение. Максимальный ток и напряжение при замене транзистора должны быть больше или равны исходному.

Для биполярного транзистора важным параметром является коэффициент передачи тока hFE. Если транзистор находится в ключевых цепях (требует включения-выключения) hFE должен быть больше или равен требуемому коэффициенту. Если он есть в аналоговых усилителях или аналогичных устройствах, он должен быть близок к hFE. В импульсных источниках питания аналоговые транзисторы следует выбирать с близким hFE (нужно будет менять еще и рабочий транзистор, стоящий в паре).

Необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения прибора. Если транзистор чрезмерно горячий, проблема может быть как в транзисторе, так и в нерабочих элементах его связки.

Основные параметры расшифровки биполярных транзисторов

Полупроводниковый материал: большинство транзисторов будет из германия или кремния.Другие типы не используются в обычных устройствах. С учетом этого параметра будет создана связка транзисторов.

Полярность: при установке транзистора другой полярности он выходит из строя.

Pc — Максимальная мощность: необходимо убедиться, что выбранный транзистор может рассеивать достаточную мощность. Этот параметр зависит от максимальной рабочей температуры транзистора — при повышении температуры максимальная мощность снижается.Если рассеиваемая мощность недостаточна — ухудшаются другие характеристики транзистора, например, резкое увеличение тока коллектора, что приводит к еще большему нагреву и выходу транзистора из строя.

Ucb — Максимально допустимое напряжение коллектор-база, определяемое значением напряжения пробоя p-n перехода. Это зависит от тока коллектора и температуры транзистора.

Uce — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер. Для Uce необходимо на треть больше напряжения коллекторной цепи.Если в схеме требуется катушка реле, необходимо предусмотреть защиту от перенапряжения транзистора, например диодную.

Ic — Максимальный постоянный ток коллектора. Ток транзистора также берется с запасом не менее 30%. Его значение зависит от температуры транзистора или окружающей среды.

Tj — максимальная температура PN-перехода. Этот параметр важно учитывать, если транзистор работает в экстремальных условиях, например в автомобиле, где его температура может достигать 100 градусов.

ft — Граничная частота коэффициента передачи тока — частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером стремится к единице. Этот параметр важен, потому что с увеличением частоты входного сигнала коэффициент усиления уменьшается.

Cc — емкость коллекторного перехода. От этого параметра зависит скорость транзистора (поэтому чем ниже, тем лучше).

hfe — Статический коэффициент передачи тока — отношение тока коллектора Iс к току базы Ib.

Выше описаны только самые важные параметры транзистора. Производитель указывает в паспортах множество дополнительных параметров: напряжение насыщения коллектор-эмиттер, максимально допустимый импульсный ток коллектора, обратный ток эмиттера, максимально допустимый базовый ток и т. Д.

Биполярные переходные транзисторы (BJT) — Вопросы и ответы по электронике

Почему в электронике используются биполярные переходные транзисторы (BJT)?

В этом разделе вы можете изучить и попрактиковаться в вопросах по электронике на основе «Биполярных переходных транзисторов (BJT)» и улучшить свои навыки, чтобы пройти собеседование, конкурсные экзамены и различные вступительные испытания (CAT, GATE, GRE, MAT, банковский экзамен, Железнодорожный экзамен и др. ) с полной уверенностью.

Где я могу получить вопросы и ответы по электронным биполярным переходным транзисторам (BJT) с пояснениями?

IndiaBIX предоставляет вам множество полностью решенных вопросов и ответов по электронике (биполярные переходные транзисторы (BJT)) с пояснениями. Решенные примеры с подробным описанием ответов, даны пояснения, которые легко понять. Все студенты, первокурсники могут загрузить вопросы викторины по электронным биполярным транзисторам (BJT) с ответами в виде файлов PDF и электронных книг.

Где я могу получить Электронные биполярные переходные транзисторы (BJT) Вопросы и ответы на собеседовании (тип цели, множественный выбор)?

Здесь вы можете найти вопросы и ответы по биполярным переходным транзисторам (БЮТ) объективного типа для собеседований и вступительных экзаменов. Также предусмотрены вопросы с множественным выбором и вопросы истинного или ложного типа.

Как решить проблемы с электронными биполярными переходными транзисторами (BJT)?

Вы можете легко решить все вопросы по электронике, основанные на биполярных переходных транзисторах (BJT), выполнив упражнения объективного типа, приведенные ниже, а также получите быстрые методы решения проблем с электронными биполярными переходными транзисторами (BJT).

Упражнение :: Биполярные переходные транзисторы (БЮТ) — общие вопросы

---

---

---

---

---

---

---

---

% PDF-1.2 % 604 0 объект > endobj xref 604 73 0000000016 00000 н. 0000001829 00000 н. 0000002001 00000 н. 0000002141 00000 п. 0000003870 00000 н. 0000004028 00000 н. 0000004094 00000 н. 0000004188 00000 п. 0000004286 00000 п. 0000004456 00000 п. 0000004635 00000 н. 0000004757 00000 н. 0000004887 00000 н. 0000005015 00000 н. 0000005136 00000 п. 0000005284 00000 п. 0000005397 00000 н. 0000005538 00000 п 0000005699 00000 н. 0000005805 00000 н. 0000005914 00000 н. 0000006021 00000 н. 0000006129 00000 н. 0000006251 00000 н. 0000006375 00000 н. 0000006546 00000 н. 0000006740 00000 н. 0000006845 00000 н. 0000006995 00000 н. 0000007175 00000 н. 0000007284 00000 н. 0000007391 00000 н. 0000007555 00000 н. 0000007672 00000 н. 0000007778 00000 н. 0000007891 00000 н. 0000008014 00000 н. 0000008144 00000 п. 0000008274 00000 н. 0000008433 00000 н. 0000008589 00000 н. 0000008698 00000 п. 0000008807 00000 н. 0000008927 00000 н. 0000009082 00000 н. 0000009197 00000 н. 0000009311 00000 п. 0000009440 00000 н. 0000009573 00000 п. 0000009697 00000 п. 0000009831 00000 н. 0000009956 00000 н. 0000010085 00000 п. 0000010214 00000 п. 0000010341 00000 п. 0000010471 00000 п. 0000010603 00000 п. 0000010757 00000 п. 0000010886 00000 п. 0000010998 00000 п. 0000011122 00000 п. 0000011264 00000 п. 0000011408 00000 п. 0000011492 00000 п. 0000011625 00000 п. 0000011733 00000 п. 0000013059 00000 п. 0000013678 00000 п. 0000013888 00000 п. 0000015061 00000 п. 0000015174 00000 п. 0000002182 00000 п. 0000003847 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 605 0 объект > >> endobj 606 0 объект Ų ܲ k «Qd}) / U (ܒ x2CN_U`) / P -60 >> endobj 607 0 объект > endobj 675 0 объект > поток 1; 9 &! $ * X MesIX :.