Как прозвонить полевой транзистор мультиметром: Как проверить полевой транзистор мультиметром. Часть 1. Транзистор с управляющим p-n переходом. — Интернет-журнал «Электрон» Выпуск №4

Содержание

Как проверить полевой транзистор мультиметром. Часть 1. Транзистор с управляющим p-n переходом. - Интернет-журнал "Электрон" Выпуск №4

Продолжаем рубрику проверки электрорадиоэлементов, и сегодня я представляю первую статью по проверке полевых транзисторов тестером или как сейчас принято говорить - мультиметром.

Перед началом проверки полевых транзисторов рассмотрим, какие бывают виды полевых транзисторов.

На рисунке 1 вы видите классификацию полевых транзисторов.

Из этого рисунку видно, что полевые транзисторы подразделяются на транзисторы с управляющим p-n переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором.

В зарубежной литературе полевой транзистор с управляющим p-n переходом обозначается как JFET(junction gate field-effect transistor), а транзистор с изолированным затвором - MOSFET (Metall-Oxid-Semiconductor FET).

Сегодня я вам расскажу, как проверить полевой транзистор с управляющим p-n переходом, а в следующем выпуске журнал перейдем к проверке MOSFET транзистора, так что не забываем подписываться на журнал.

Форма подписки после статьи.

Для начала кратко рассмотрим структуру транзистора и принцип его работы.

Полевые транзисторы бывают n-канальные и p-канальные. В виду того, что широкое распространение получили n-канальные полевые транзисторы, на их примере и рассмотрим принцип работы полевого транзисторы с управляющим p-n переходом.

Итак, транзистор состоит из n-полупроводника с внедренными в него высоколегированными n-областями с большой концентрацией носителей заряда – электронов. Сам полупроводник находится на подложке p-типа, которая соединена с еще одной p-областью. Вместе эти области называются затвором (gate). Таким образом, каждая высоколегированная n-область создает с p-подложкой свой p-n переход.

Та часть n-полупроводника, которая находится между p-областями (затворами) называется каналом (в частности каналом n-типа).

Если к высоколегированным n-областям подключить источник напряжение, то в канале создастся электрическое поле, под воздействием этого поля электроны из n-области, к которой подключен «минус» источника будут перемещаться в n-область, к которой подключен «плюс» источника напряжения.

Таким образом, через канал потечет электрический ток. Величина этого тока будет напрямую зависеть от электропроводности канала, которая в свою очередь зависит от площади поперечного сечения канала. Нетрудно догадаться, что площадь поперечного сечения канала зависит от ширины p-n переходов.

Та область, от которой движутся носители заряда, а в случае n-канала это электроны, называется истоком (source), а к которой движутся – стоком (drain).

Если на затвор относительно истока подать отрицательное напряжение, то p-n переход, образованный между затвором и истоком будет смещаться в обратном направлении, при этом ширина запирающего слоя будет увеличиваться, тем самым сужая размеры канала и уменьшая электропроводность.

Таким образом, изменяя напряжение между затвором и истоком, мы можем управлять током через канал полевого транзистора.

На этом об устройстве полевого транзистора все, далее в подробности углубляться я не буду, так как этого будет достаточно, что бы понять, как проверить полевой транзистор с управляющим p-n переходом.

Исходя из вышеизложенного можно составить эквивалентную схему полевого транзистора с управляющим p-n переходом, как мы делали при проверке биполярного транзистора.

При составлении схемы будем руководствоваться следующими принципами:

1. В транзисторе имеются два p-n перехода, первый между затвором и истоком, второй между затвором и стоком.

2. Канал между истоком и стоком при отсутствии отрицательного запирающего напряжения на затворе не закрыт и электропроводен, то есть имеет определенное значение сопротивления.

3. Теперь p-n переходы обозначим диодами, а электропроводность канала резистором.

Составляем эквивалентную схему полевого транзистора с управляющим p-n переходом.

 

Теперь зная эквивалентную схему полевого транзистора с управляющим p-n переходом можно построить алгоритм или схему проверки полевого транзистора.

Проверка полевого транзистора с управляющим p-n переходом и каналом n-типа.

1. Проверка сопротивления канала (на рис. R)

Для проверки сопротивления канала с помощью мультиметра необходимо на приборе установить режим измерения сопротивления, предел измерения 2000 Ом.

Измерить сопротивление между истоком и стоком транзистора при разной полярности подключения щупов мультиметра.

Значения сопротивления канала при разной полярности подключения щупов должны быть примерно одинаковыми.

2. Проверка p-n перехода исток-затвор (на рис. VD1).

Включаем мультиметр в режим проверки диодов. Красный (плюсовой ) щуп мультиметра подключаем на затвор (имеет p-проводимость), а черный на исток. Мультиметр должен показать падение напряжения на открытом p-n переходе, которое должно быть в пределах 600-700 мВ.

Меняем полярность подключения щупов (красный на исток, черный на затвор), мультиметр, в случае исправности транзистора показывает бесконечность (на дисплее «1»), то есть переход включен в обратном направлении и закрыт.

3. Проверка p-n перехода сток-затвор (на рис. VD2).

Так же проверяем исправность p-n перехода сток-затвор. То есть включаем мультиметр в режим проверки диодов. Красный (плюсовой ) щуп мультиметра подключаем на затвор (имеет p-проводимость), а черный на сток. Мультиметр должен показать падение напряжения на открытом p-n переходе затвор-сток, которое должно быть в пределах 600-700 мВ.

Меняем полярность подключения щупов (красный на сток, черный на затвор), мультиметр, в случае исправности транзистора показывает бесконечность (на дисплее «1»), то есть переход включен в обратном направлении и закрыт.

Если все три условия выполнились, то считается, что полевой транзистор исправен.

Проверка полевого транзистора с управляющим p-n переходом и каналом p-типа.

Проверка полевого транзистора с управляющим p-n переходом и каналом p-типа осуществляется по вышеизложенному алгоритму, за исключением того, что при проверке p-n переходов полярность подключения щупов мультиметра меняется на противоположную.

Для наглядности и простоты понимания процесса я записал для вас видео как проверить полевой транзистор с управляющим p-n переходом, где я проверяю транзистор с каналом p-типа.

Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра

  1. Радиоэлектроника
  2. Схемотехника
  3. Основы электроники и схемотехники
  4. Том 3 – Полупроводниковые приборы
  1. Книги / руководства / серии статей
  2. Основы электроники и схемотехники. Том 3. Полупроводниковые приборы

Добавлено 10 апреля 2018 в 13:11

Сохранить или поделиться

Тестирование полевого транзистора (JFET) с помощью мультиметра может показаться относительно простой задачей, поскольку может показаться, что в нем для проверки есть только один PN переход: измеряется либо между затвором и истоком, либо между затвором и стоком.

Оба мультиметра показывают непроводимость (высокое сопротивление) перехода затвор-каналОба мультиметра показывают проводимость (низкое сопротивление) перехода затвор-канал

Тем не менее, еще одна задача – это тестирование целостности канала сток-исток.

Помните, как упоминалось в последнем разделе, как заряд, сохраненный емкостью PN перехода затвор-канал, может удерживать полевой транзистор в закрытом состоянии без прикладывания внешнего напряжения? Это может произойти, даже когда вы держите полевой транзистор в руке, чтобы проверить его! Следовательно, любые показания мультиметра при проверке целостности этого канала будут непредсказуемыми, так как вы точно не знаете, сохранен ли на переходе затвор-канал заряд. Конечно, если вы заранее знаете, какие выводы на устройстве являются затвором, истоком и стоком, вы можете подклюить перемычку между затвором и истоком, чтобы устранить любой сохраненный заряд, а затем без проблем приступить к проверке целостности канала исток-сток. Однако, если вы не знаете, где какой вывод, непредсказуемость соединения исток-сток может запутать вас при определении назначения выводов.

Хорошей стратегией, которой следует придерживаться при тестировании полевого транзистора, является вставка выводов транзистора непосредственно перед тестированием в антистатический пенопласт (материал, используемый для доставки и хранения чувствительных электронных компонентов).

Проводимость пенопласта будет обеспечивать резистивное соединение между всеми выводами транзистора, когда они будут вставлены в него. Это соединение гарантирует, что всё остаточное напряжение на PN переходе затвор-канал будет нейтрализовано, таким образом, "открывая" канал для точной проверки мультиметром целостность соединения исток-сток.

Поскольку канал полевого транзистора представляет собой единый, непрерывный полупроводниковый материал, обычно нет разницы между выводами истока и стока. Проверка сопротивления от истока к стоку должна давать то же значение, что и проверка от стока к истоку. Это сопротивление должно быть относительно низким (максимум несколько сотен ом) при напряжении на PN переходе затвор-исток, равном нулю. При прикладывании напряжения обратного смещения между затвором и истоком закрытие канала должно быть видно по значению увеличившегося сопротивления на мультиметре.

Оригинал статьи:

Теги

PN переходМультиметрОбучениеПолевой транзисторЭлектроника

Сохранить или поделиться

На сайте работает сервис комментирования DISQUS, который позволяет вам оставлять комментарии на множестве сайтов, имея лишь один аккаунт на Disqus. com.

В случае комментирования в качестве гостя (без регистрации на disqus.com) для публикации комментария требуется время на премодерацию.


Как проверить полевой транзистор мультиметром

В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором.

Англоязычное обозначение таких транзисторов – MOSFET, что означает «управляемый полем металло-оксидный полупроводниковый транзистор». В отечественной литературе эти приборы часто называют МДП или МОП транзисторами. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными.

Особенности конструкции, хранения и монтажа

Транзистор n-канального типа состоит из кремниевой подложки с p-проводимостью, n-областей, получаемых путем добавления в подложку примесей, диэлектрика, изолирующего затвор от канала, расположенного между n-областями. К n-областям подсоединяются выводы (исток и сток). Под действием источника питания из истока в сток по транзистору может протекать ток. Величиной этого тока управляет изолированный затвор прибора.

При работе с полевыми транзисторами необходимо учитывать их чувствительность к воздействию электрического поля. Поэтому хранить их надо с закороченными фольгой выводами, а перед пайкой необходимо закоротить выводы проволочкой. Паять полевые транзисторы надо с использованием паяльной станции, которая обеспечивает защиту от статического электричества.

Прежде, чем начать проверку исправности полевого транзистора, необходимо определить его цоколевку. Часто на импортном приборе наносятся метки, определяющие соответствующие выводы транзистора. Буквой G обозначается затвор прибора, буквой S – исток, а буквой D- сток.

При отсутствии цоколевки на приборе необходимо посмотреть ее в документации на данный прибор.

Схема проверки полевого транзистора n-канального типа мультиметром

Перед тем, как проверить исправность полевого транзистора, необходимо учитывать, что в современных радиодеталях типа MOSFET между стоком и истоком есть дополнительный диод. Этот элемент обычно присутствует на схеме прибора. Его полярность зависит от типа транзистора.

Порядок проверки исправности n-канального транзистора мультиметром следующий:

  1. Снять статическое электричество с транзистора.
  2. Перевести мультиметр в режим проверки диодов.
  3. Подключить черный провод мультиметра к минусу измерительного прибора, а красный – к плюсу.
  4. Подключить красный провод к истоку, а черный – к стоку транзистора. Если транзистор исправен, то мультиметр покажет напряжение на переходе 0,5 — 0,7 В.
  5. Подключить красный провод мультиметра к стоку, а черный – к истоку транзистора. При исправном приборе мультиметр покажет единицу, что означает бесконечность.
  6. Подключить черный провод к истоку, а красный – к затвору. Таким образом, осуществляется открытие транзистора.
  7. Черный провод оставляется на истоке, а красный подсоединяется к стоку. При исправном приборе мультиметр покажет напряжение от 0 до 800 мВ.
  8. При смене полярности щупов мультиметра величина показаний не должна измениться.
  9. Подключить красный провод к истоку, а черный – к затвору. Произойдет закрытие транзистора.
  10. При этом транзистор возвратиться в состояние, соответствующее п.п.4 и 5.

По проделанным измерениям можно сделать вывод, что если полевой транзистор открывается и закрывается с помощью постоянного напряжения с мультиметра, то он исправен.

Полевой транзистор имеет большую входную емкость, которая разряжается довольно долго.
Это используется при проверке транзистора, когда вначале его открывают напряжением мультиметра (п.6), а затем в течение некоторого времени, пока не разрядилась входная емкость, проводят дополнительные измерения (п.п. 7,8).

Оценка исправности р-канального устройства

Проверка исправности р-канального полевого транзистора производится таким же образом, что и n-канального. Отличие состоит в том, что в п. 3 к минусу мультиметра надо подключить красный провод, а к плюсу мультиметра – черный провод.

Выводы:

  1. Полевые транзисторы типа MOSFET широко используются в технике и радиолюбительской практике.
  2. Проверку работоспособности таких транзисторов можно осуществить с помощью мультиметра, следуя определенной методике.
  3. Проверка p-канального полевого транзистора мультиметром осуществляется таким же образом, что и n-канального транзистора, за исключением того, что следует изменить полярность подключения проводов мультиметра на обратную.

Видео о том, как проверить полевой транзистор

мосфет или полевик, мультиметром не выпаивая, с изолированным затвором на неисправность

Использование полевых транзисторов очень распространено. Если происходит поломка необходимо найти неисправную деталь. Иногда требуется точно определить, работоспособен ли полевой транзистор. Это возможно выполнить с использованием мультиметра. Как проверить полевик — подробнее рассказывается далее.

Полевой транзистор — что это

Он включает три основных элемента — исток, затвор и сток. Для их создания используются полупроводники n-типа и p-типа. Они могут сочетаться одним из способов:

  1. Сток, исток соответствуют n-типу, а затвор — p-типу. Их называют транзисторы n-p-n типа.
  2. Такие, у которых используется полярность p-n-p. Тип проводимости у каждой части транзистора изменён на противоположный в сравнении с предыдущим вариантом.
Проверка мультиметром

Если эту деталь соединить с источником питания, то ток будет отсутствовать. Но всё будет иначе, если это сделать между истоком и затвором или стоком и затвором. Нужно, чтобы к затвору было приложено напряжение, соответствующее по знаку его типу проводимости (положительное для p-типа, отрицательное для n-типа). Тогда через эту деталь потечёт ток. Чем более высокое напряжение было подано на затвор, тем он будет сильнее.

Отличие полевого от биполярного транзистора

Транзистор станет открытым при условии, что на затвор подаётся разность потенциалов нужной полярности. В этом случае при помощи электрического поля создаётся канал между истоком и стоком, через который могут перемещаться электрические заряды. У других разновидностей транзисторов управление происходит на основе тока, а не напряжения.

Рассматриваемые электронные компоненты также называют мосфетами. Это слово происходит из аббревиатуры MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (в переводе это означает: металл-окисел-полупроводник полевой транзистор).

Разновидности полевиков

Как работает

Полевой транзистор отличается от других разновидностей особенностями своего устройства. Он может относиться к одному из двух типов:

  • с управляющим переходом;
  • с изолированным затвором.

Первые из них бывают n канальными и p канальными. Первые из них более распространены. Они используют следующий принцип действия.

В качестве основы используется полупроводник с n-проводимостью. К нему с противоположных сторон присоединены контакты истока и стока. В средней части с противоположных сторон имеются вкрапления проводника с p-проводимостью — они являются затвором. Та часть полупроводника, которая между ними — это канал.

Транзистор с управляющим переходом

Если к истоку и стоку n канального транзистора приложить разность потенциалов, то потечёт ток. Однако при подаче на затвор отрицательного напряжения по отношению к истоку, то ширина канала для перемещения электронов уменьшится. В результате сила тока станет меньше.

Таким образом, уменьшая или увеличивая ширину канала, можно регулировать силу тока между истоком и стоком или изолировать их друг от друга.

В p-канальных транзисторах принцип работы будет аналогичным.

Этот тип полевых транзисторов становится менее распространённым, а вместо него получают всё большее распространение те, в которых используется изолированный затвор. Они могут относиться к одному из двух типов: n-p-n или p-n-p. У них принцип действия является аналогичным. Здесь будет рассмотрен более подробно первый из них: n-p-n.

В этом случае в качестве основы для транзистора применяется полупроводник p-типа. В него встраиваются две параллельно расположенные полоски полупроводника с другим типом основных носителей заряда. Между ними по поверхности прокладывается изолятор, а сверху устанавливается слой проводника. Эта часть является затвором, а полоски — это исток и сток.

Устройство транзистора

Когда на затвор подаётся положительное напряжение по отношению к истоку, на пластину попадает положительный заряд, создающий электрическое поле. Оно притягивает к поверхности положительные заряды, создавая канал для протекания тока между истоком и стоком. Чем сильнее напряжение, поданное на затвор, тем более сильный ток проходит между истоком и стоком.

Для всех типов полевых транзисторов управление происходит при помощи подачи напряжения на затвор.

Транзистор открыт

Какие случаются неисправности

Полевые транзисторы могут быть перегружены током во время проведения проверки и, в результате перегрева прийти в неисправное состояние.

Важно! Они уязвимы к статическому напряжению. В процессе проведения работы нужно обеспечить, чтобы оно не попадало на проверяемую деталь.

При работе в составе схемы может произойти пробой, в результате которого полевой транзистор становится неисправным и подлежит замене. Его можно обнаружить по низкому сопротивлению p-n-переходов в обоих направлениях.

Определить то, насколько транзистор является работоспособным можно, если прозвонить его с помощью цифрового мультиметра.

Назначение выводов

Это нужно делать следующим образом (для примера используется широко распространённая модель М-831, рассматривается полевой транзистор с каналом n-типа):

  1. Мультиметр нужно переключить в режим диодной проверки. Он отмечен на панели схематическим изображением диода.
  2. К прибору присоединены два щупа: чёрный и красный. На лицевой панели имеются три гнезда. Чёрный устанавливают в нижнее, красный — в среднее. Первый из них соответствует отрицательному полюсу, второй — положительному.
  3. Нужно на тестируемом полевом транзисторе определить, какие выходы соответствуют истоку, затвору и стоку.
  4. В некоторых моделях дополнительно предусмотрен внутренний диод, защищающий деталь от перегрузки. Сначала нужно проверить то, как он работает. Для этого красный провод присоединяют к истоку, а чёрный — к стоку.
Проверка диода в прямом направлении

На индикаторе должно появиться значение, входящее в промежуток 0,5-0,7. Если провода поменять местами, то на экране будет указана единица, что означает, что ток в этом направлении не проходит.

Проверка диода в обратном направлении
  1. Дальше осуществляется проверка работоспособности транзистора.

Если присоединить щупы к истоку и стоку, то ток не будет проходить по ним. Чтобы открыть затвор. Необходимо подать положительное напряжение на затвор. Нужно учитывать, что на красный щуп подан от мультиметра положительный потенциал. Теперь достаточно его соединить с затвором, а чёрный со стоком или истоком, для того, чтобы транзистор стал пропускать ток.

Открытие канала

Теперь, если красный провод подключить к истоку, а чёрный — к стоку, то мультиметр покажет определённую величину падения напряжения, например, 60. Если подключить наоборот, то показатель будет примерно таким же.

Если на затвор подать отрицательный потенциал, то это закроет транзистор в обоих направлениях, однако будет работать встроенный диод. Если полевик закрыт не будет, то это указывает на его неисправность.

Проверка мофсета с p-каналом выполняется аналогичным образом. Отличие состоит в том, что при проверке там, где раньше использовался красный щуп, теперь используется чёрный и наоборот.

Работа полевого МДП транзистора

Способы устранения

Для того, чтобы при проверке не повредить деталь, нужно применять при проверке такие мультиметры, у которых используется рабочее напряжения не более 1,5 в.

Если в результате проверки на мультиметре было обнаружено, что полевой транзистор вышел из строя, то его необходимо заменить на новый.

Инструкция по прозвонке без выпаивания

Чтобы проверить, исправен ли полевой транзистор, нужно его выпаять и прозвонить с мультиметром. Однако могут возникать ситуации, когда нужно в схеме есть несколько таких деталей и неизвестно, какие из них исправны, а какие — нет. В этом случае полезно знать, как проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая.

Цифровой мультиметр

В этом случае применяют проверку без выпаивания. Она даёт примерный результат.

Важно! После того, как будет определён предположительно неисправный элемент, его отсоединяют и проверяют, получив точную информацию о его работоспособности. Если он функционирует нормально, его устанавливают на прежнее место.

Проверка без выпаивания выполняется следующим образом:

  1. Перед проведением прозвонки полевого транзистора цифровым мультиметром устройство отключают от электрической розетки или от аккумуляторов. Последние вынимают из устройства.
  2. Если красный щуп соединить с истоком, а чёрный — со стоком, то можно рассчитывать, что мультиметр покажет 500 мв. Если на индикаторе можно увидеть эту или превышающую её цифру, то это говорит о том, что транзистор полностью фунукционален. В том случае, если эта величина гораздо меньше — 50 или даже 5 мв, то в этом случае можно с высокой вероятностью предположить неисправность.
С управляющим p-n-переходом
  1. Если красный мультиметровый щуп переставить на затвор, а чёрный оставить на прежнем месте, то на индикаторе можно будет увидеть 1000 мв или больше, что говорит об исправности полевого транзистора. Когда разница составляет 50 мв, то это внушает опасение, что деталь испорчена.
  2. Если чёрный щуп тестера поставить на исток, а красный поместить на затвор, то для работоспособного транзистора можно ожидать на дисплее 100 мв или больше. В тех случаях, когда цифра будет меньше 50 мв, имеется высокая вероятность того, что проверяемая деталь неработоспособна.

Нужно учитывать, что выводы, получаемые без выпайки, носят вероятностный характер. Эти данные позволяют получить предварительные выводы об используемых в схеме полевых транзисторах.

Для проверки их нужно выпаять, произвести проверку и установить, если работоспособность подтверждена.

Подготовка к работе

Правила безопасной работы

Мосфеты очень уязвимы по отношению к статическому электричеству. В этом случае может произойти пробой. Для того, чтобы этого не случилось, нужно при помощи проведения тестирования его удалять.

При пайке возможна ситуация, когда тепло, попадающее на транзистор, приведёт к его порче. В этом случае нужно обеспечить теплоотвод. Для этого достаточно придерживать выводы транзистора плоскогубцами в процессе пайки.

Полевики имеют широкое распространение в современных электронных приборах. Когда происходит поломка, необходимо знать, как проверить мосфет. Выяснить, исправен ли он, возможно, если использовать для этого мультиметр.

Как проверить транзистор | Электрик



Часто в ремонте разной электронной техники возникает подозрение в неисправности биполярных или полевых (Mosfet) транзисторов. Помимо специализированных приборов и пробников для проверки транзисторов, существуют способы доступные всем, из минимума нам подойдет самый простой тестер или мультиметр.

Как мы знаем транзисторы, в основном, бывают двух разновидностей: биполярные и полевые, принцип работы их похож но способы проверки существенно отличаются, поэтому мы рассмотрим разные методы проверки для каждых транзисторов по отдельности.

Проверка биполярных транзисторов


Способы проверки биполярных транзисторов достаточно просты и для удобства нужно помнить что биполярный транзистор условно представляет из себя два диода с точкой по середине, по сути из двух p-n переходов.

Биполярные транзисторы существуют двух типов проводимости: p-n-p и  n-p-n что необходимо помнить и учитывать при проверке.

А диод как мы знаем, пропускает ток только в одну сторону, что мы и будем проверять.
Если так получится что ток проходит в обе стороны перехода то это явно указывает на то что транзистор "пробит" но это все условности, в реальности же при замере сопротивления ни в какой из позиций проверяемых переходов не должно быть "нулевого" сопротивления - поэтому это и есть самый простой способ выявления поломки транзистора.
Ну а теперь рассмотрим более достоверные способы проверки и поподробней.

И так выставляем тестер или мультиметр в режим прозвонки (проверка диодов), дальше нужно убедится в том что щупы вставлены в правильные разъемы (красный и черный), а на дисплее нет значка "разряжен". На дисплее должна быть единица а при замыкание щупов должны высветится нули (или близкие к нулям значения), также должен прозвучать звуковой сигнал. И так мы убедились в выборе правильного режима мультиметра, можем приступать к проверке.

И так поочередно проверяем все переходы транзистора:

  • База - Эмиттер - исправный переход будит вести себя как диод, то есть проводить ток только в одном направление.
  • База - Коллектор - исправный переход будит вести себя как диод, то есть проводить ток только в одном направление.
  • Эмиттер - Коллектор - в исправном состояние сопротивление перехода должно быть "бесконечное", то есть переход не должен пропускать ток или прозваниватmся ни в одном из положений полярности.

В зависимости от полярности транзистора (p-n-p или n-p-n) будит зависить лишь направление "прозвонки" переходов база-эмиттер и база-коллектор, с разной полярностью транзисторов направление будет противоположное.

Как определяется "пробитый" переход?
Если мультиметр обнаружит что какой ли бо из переходов (Б-К или Б-Э) в обоих из включений полярности имеет "нулевое" сопротивление и пищит звуковая индикация то такой переход пробит и транзистор неисправен.

Как определить обрыв p-n перехода?
Если один из переходов в обрыве - он не будит пропускать ток и прозваниватся ни в одну из сторон полярности как бы вы не меняли при этом полярность щупов.

Думаю всем понятно как проверять переходы транзистора, суть проверки такая же как у диодов, черный (минусовой) щуп ставим например на коллектор, а красный щуп (плюсовой) на базу и смотрим показания на дисплее. Затем меняем щупы тестера местами и смотрим показания снова. В исправного транзистора в одном случае должно быть какое то значение, как правило больше 100, в другом случае на дисплее должна быть единица "1" что говорит о "бесконечном" сопротивление.

Проверка транзистора стрелочным тестером


Принцип проверки все тот же, мы проверяем переходы (как диоды)
Отличие лишь в том что такие "омметры" не имеют режима прозвонки диодов и "бесконечное" сопротивление у них находится в начальном состояние стрелки, а максимальное отклонение стрелки будит уже говорить о "нулевом" сопротивление. К этому нужно просто привыкнуть и помнить о такой особенности при проверке.
Измерения лучше всего производить в режиме "1Ом" (можно пробовать и до *1000Ом пределе).

Для проверки в схеме (не выпаивая) стрелочным тестером можно даже более точно определить сопротивление перехода если он в схеме зашунтирован низкоомным резистором, например показания сопротивления в 20 Ом будет уже указывать о том что сопротивление перехода не "нулевое" а значит большая вероятность что переход исправен. С мультиметром же в режиме прозвонки диодов будит такая картина что он попросту будет показывать "кз" и пищать (тоже конечно зависит от точности прибора).

Если не известно где база, а где эмиттер и коллектор. Цоколевка транзистора?


У транзисторов средней и большой мощности вывод коллектора всегда на корпусе который переиначенный для закрепления на радиатора, так что с этим проблем не будит. А уже зная расположение коллектора, найти базу и эмиттер будит намного проще.
Ну а если транзистор малой мощности в пластмассовом корпусе где все выводы одинаковы будим применять такой способ:
Все что нам нужно - поочередно замерить все комбинации переходов прикасаясь щупами поочередно к разным выводам транзистора.

Нам нужно найти два перехода которые покажут бесконечность "1". Например: мы нашли бесконечность между правим-левим и правим-среднем, то есть по сути мы нашли и измеряли обратное сопротивления двух p-n переходов (как диодов) из этого размещение базы стает очевидным - база справа.
Дальше ищем где коллектор а где эмиттер, для этого от базы уже измеряем прямое сопротивление переходов и здесь все стает ясно так как сопротивление перехода база-Коллектор всегда меньше по сравнению с переходом база-Эмиттер.

Быстрая точная проверка транзистора


Если под руками есть мультиметр с функцией тестирования коэффициента усиления транзисторов - замечательно, проверка займет несколько секунд, здесь лишь надо будет определить правильную цоколевку (если конечно она не известна).
У таких мультиметров проверочные гнезда состоят из двух отделов p-n-p и n-p-n, а кроме того каждый отдел имеет три комбинации как можно вставить туда транзистор, то есть вместе не более 6 комбинаций, и только лишь одна правильная которая должна показать коэффициент усиления транзистора, за условий что он исправен.

Простой пробник


В данной схеме транзистор будет работать как ключ, схема очень простая и удобная если нужно часто и много проверять транзисторы.

Если транзистор рабочий - при нажатие кнопки светодиод светится, при отпускание гаснет.
Схема представлена для n-p-n транзисторов, но она универсальна, все что нужно сделать, это поставить параллельно к светодиоду еще один светодиод в обратной полярности, а при проверке p-n-p транзистора - просто менять полярность источника питания.

Если по данной методике что то идет не так, задумайтесь, а транзистор ли перед вами и случайно быть может он не биполярный, а полевой или составной.
Часто бывает путают при проверке составные транзисторы пытаясь их проверить стандартным способом, но нужно в первую очередь смотреть справочник или "даташит" со всем описанием транзистора.


Как проверить составной транзистор Чтобы проверить такой транзистор его необходимо "запустить" то есть он должен как бы работать, для создания такого условия есть простой но интересный способ.
Стрелочным тестером, выставленным в режим проверки сопротивления (предел *1000?) подключаем щупы, плюсовой на коллектор, минусовой на эмиттер - для n-p-n (для p-n-p наоборот) - стрелка тестера не двинется сместа оставаясь в начале шкалы "бесконечность" (для цифрового мультиметра "1")
Теперь если послюнявить палиц и замкнуть им прикоснувшысь к выводам базы и коллектора то стрелка сдвинется с места от того что транзистор немного приоткроется.
Таким же способом можно проверить любой транзистор даже не выпаивая з схемы.
Но следует помнить что некоторые составные транзисторы имеют в своем составе защитные диоды в переходе эмиттер-коллектор что дает им преимущество в работе с индукционной нагрузкой, например с электромагнитным реле.

Проверка полевых транзисторов

Здесь есть один отличительный момент при проверке таких транзисторов - они очень чувствительны к статическому электричеству которое способно вывести из строя транзистор если не соблюдать методы безопасности при проверке а также выпайке и перемещению. И в большей мере подвержены статике именно маломощные и малогабаритные полевые транзисторы.

Какие методы безопасности?
Транзисторы должны находится на столе на металлическом листе который подключен к заземлению. Для того чтобы снять с человека предельный статический заряд - применяют антистатический браслет который надевают на запястье.
Кроме того хранение и транспортировка особо чувствительных полевиков должна быть з закорочеными выводами, как правило выводы просто обматывают тонкой медной проволкой.

Полевой транзистор в отличие от биполярного управляется напряжением, а не током как у биполярного, поэтому прикладывая напряжение к его затвору мы его или открываем (для N-канального) или закрываем (для P-канального).

Проверить полевой транзистор можно как стрелочным тестером так и цифровым мультиметром.
Все выводы полевого транзистора должны показывать бесконечное сопротивление, независимо от полярности и напряжения на щупах.

Но если поставить положительный щуп тестера к затвору (G) транзистора N-типа, а отрицательный - к истоку (S), зарядится емкость затвора и транзистор откроется. И уже измеряя сопротивления между стоком (D) и истоком (S) прибор покажет некоторое значение сопротивления, которое зависит от ряда факторов, например емкости затвора и сопротивления перехода.

Для P-канального типа транзистора полярность щупов обратная. Также для чистоты эксперимента, перед каждой проверкой необходимо закорачивать выводы транзистора пинцетом чтобы снять заряд с затвора после чего сопротивление сток-исток должно снова стать "бесконечным" ("1") - если это не так то транзистор скорее всего неисправен.

Особенностью современных мощных полевых транзисторов (MOSFET'ов) есть то что канал сток-исток прозванивается как диод, встроенный диод в канале полевого транзистора есть особенностью мощных полевиков (явление производственного процесса).
Чтобы не посчитать такую "прозвонку" канала за неисправность просто следует помнить о диоде.

В исправном состояние переход сток-исток MOSFETа должен в одну сторону звониться как диод а в другую показывать бесконечность (в закрытом состояние - после закорачивания выводов) Если переход прозваниваеться в обе стороны с "нулевым" сопротивлением то такой транзистор "пробит" и неисправен

Наглядный способ (экспресс проверка)

  • Необходимо замкнуть выводы транзистора

  • Тестером в режиме прозвонки (диод) ставим плюсовой щуп к истоку, а минусовой к стоку (исправный покажет 0.5 - 0.7 вольта)

  • Теперь меняем щупы местами (исправный покажет "1" или по другому говоря бесконечное сопротивление)
  • Минусовой щуп ставим к истоку, а плюсовой на затвор (открываем транзистор)

  • Минусовой щуп оставляем на истоке, а плюсовой сразу ставим на сток, исправный транзистор будет открыт и покажет 0 - 800 милливольт

  • Теперь можем поменять плюсовой и минусовой щупы местами, в обратной полярности переход сток-исток должен иметь такое же сопротивление.

  • Плюсовой щуп ставим к истоку, а минусовой на затвор - транзистор закроется

  • Можем снова проверить переход сток-исток, он должен показывать снова "бесконечное" сопротивление так как транзистор уже закрыт (но помним про диод в обратной полярности)

Большая емкость затвора некоторых полевых транзисторов (особенно мощных) позволяет некоторое продолжительное время сохранять транзистор открытим, что позволяет нам открыв его проверять сопротивление сток-исток уже убрав плюсовой щуп с затвора. Но у транзисторов с малой емкостью затвора необходимо очень быстро перемещать щупы что бы зафиксировать правильную работу транзистора.


Примечание: для проверки P-канального полевого транзистора, процесс выглядит также но щупы мультиметра должны быть противоположной полярности. Для удобства можно перекинуть их местами (красный на минус, а черный на плюс) и использовать все туже описану выше инструкцию.

Проверяя транзистор по такой методике канал сток-исток можно открывать и закрывать даже пальцем, например чтобы открыть достаточно прикоснутся пальцем к затвору держась при этом второй рукой за плюс, а чтобы закрыть нужно все также прикоснутся к затвору но уже держась другим пальцем или второй рукой за минус. Интересный опыт который дает понимание того что транзистор управляется не током (как у биполярных) а напряжением.

Простая схема пробника для проверки полевых транзисторов


Можно собрать простую и эффективную схему проверки полевиков которая достаточно ясно даст понять о состояние транзистора, к тому же достаточно быстро можно перекидать транзисторы если их предстоит проверять часто и много. В некоторых схемах можно проверить транзистор даже полностью не выпаивая его с платы.

Схема универсальна как для P-канальных так и для N-канальных полевых транзисторов в ней присутствует два светодиода включенных в обратной полярности друг к другу (каждый для своего типа) и все что остается при смене типа проверяемого полевого транзистора - просто поменять полярность источника питания.

Как проверить транзистор мультиметром - картинки, рекомендации, видео

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Проверку работоспособности биполярного транзистора можно выполнить с помощью цифрового мультиметра. Этим прибором проводятся измерения постоянных и переменных токов, а также напряжение и сопротивление. Перед началом измерений прибор нужно правильно настроить. Это позволит более эффективно решить проблему, как проверить биполярный транзистор мультиметром не выпаивая.

Современные мультиметры могут работать в специальном режиме измерения, поэтому на корпусе изображается значок диода. Когда решается вопрос, как проверить биполярный транзистор тестером, устройство переключается в режим проверки полупроводников, а на дисплее должна отображаться единица. Выводы устройства подключаются так же, как и в режиме измерения сопротивления. Провод черного цвета соединяется с портом СОМ, а провод красного цвета — с выходом, измеряющим сопротивление, напряжение и частоту.

В мультиметрах старой конструкции функция проверки диодов и транзисторов может отсутствовать. В таких случаях все действия проводятся в режиме измерения сопротивления, установленном на максимум. До начала работы батарея мультиметра должна быть заряжена. Кроме того, нужно проверить исправность щупов. Для этого их кончики соединяются между собой. Писк устройства и нули, отображенные на дисплее, свидетельствуют об исправности щупов.

Проверка биполярного транзистора мультиметром выполняется в следующем порядке:

  • Прежде всего, нужно правильно соединить выводы мультиметра и транзистора. Для этого необходимо точно определить, где находятся база, коллектор и эмиттер. Чтобы определить базу, щуп черного цвета подключается к первому электроду, который предположительно считается базовым. Другой щуп красного цвета поочередно подключается вначале ко второму, а затем к третьему электроду. Щупы меняются местами до тех пор, пока прибор не определит падение напряжения. После этого окончательно проводится проверка биполярного транзистора мультиметром и определяются пары: «база-эмиттер» или «база-коллектор». Электроды эмиттера и коллектора определяются с помощью цифрового мультиметра. В большинстве случаев падение напряжения и сопротивление у эмиттерного перехода выше, чем у коллектора.
  • Определение р-п-перехода «база-коллектор»: щуп красного цвета подключен к базе, а черный — к коллектору. Такое соединение работает в режиме диода и пропускает ток лишь в одном направлении.
  • Определение р-п-перехода «база-эмиттер»: красный щуп остается подключенным к базе, а щуп черного цвета нужно подключить к эмиттеру. Так же, как и в предыдущем случае, при таком соединении ток проходит только при прямом включении. Это подтверждает проверка npn транзистора мультиметром
  • Определение р-п-перехода «эмиттер-коллектор»: в случае исправности данного перехода сопротивление на этом участке будет стремиться к бесконечности. На это указывает единица, отображенная на дисплее.
  • Подключение мультиметра осуществляется к каждой паре контактов в двух направлениях. То есть транзисторы р-п-р типа проверяются путем обратного подключения к щупам. В этом случае к базе подключается черный щуп. После измерений полученные результаты сравниваются между собой.
  • После того как проведена проверка pnp транзистора мультиметром, работоспособность биполярного транзистора подтверждается, когда при измерении одной полярности мультиметр показывает конечное сопротивление, а при замерах обратной полярности получается единица. Данная проверка не требует выпаивания детали из общей платы.

Очень многие пытаются решить вопрос, как проверить транзистор без мультиметра с помощью лампочек и других устройств. Этого делать не рекомендуется, поскольку элемент с высокой вероятностью может выйти из строя.

Полевой транзистор

Полевой транзистор — это полупроводниковый прибор, в котором ток стока (С) через полупроводниковый канал п- или р-типа управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором (З) и истоком (И).

Полевые транзисторы изготавливают:

— с управляющим затвором типа p-n-перехода для использования в высокочастотных (до 12_18 ГГц) преобразовательных устройствах. Условное их обозначение на схемах приведено на рис. 24, а, б;

— с изолированным (слоем диэлектрика) затвором для использования в устройствах, работающих с частотой до 1_2 ГГц. Их изготавливают или со встроенным каналом в виде МДП_структуры (см. их условное обозначение на рис. 24, в и г), или с индуцированным каналом в виде МОП_структуры (см. их условное обозначение на рис. 24, д, е).

Рисунок 24-Виды полевых транзисторов

Схема включения полевого транзистора с затвором типа p-n-перехода и каналом n-типа, его семейство выходных характеристик IС= f(UС), UЗ = const и стокозатворная характеристика IC= f(UЗ), UС= const изображены на рис. 25.

Рисунок 25 — Схема включения полевого транзистора и его стокозатворной характеристикой

При подключении выходов стока С и истока И к источнику питания Un по каналу n- типа протекает ток IC, так как p-n-переход не перекрывает сечение канала (рис. 25, а).

При этом электрод, из которого в канал входят носители заряда, называют истоком, а электрод, через который из канала уходят основные носители заряда, называют стоком.

Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, называют затвором. С увеличением обратного напряжения UЗ уменьшается сечение канала, его сопротивление увеличивается, и уменьшается ток стока IC.

Итак, управление током стока ICпроисходит при подаче обратного напряжения на p-n-переход затвора З. В связи с малостью обратных токов в цепи затвор-исток, мощность, необходимая для управления током стока, оказывается ничтожно малой.

При напряжении -UЗ = -UЗО, называемым напряжением отсечки, сечение канала полностью перекрывается обеднённым носителями заряда барьерным слоем, и ток стока I(ток отсечки) определяется неосновными носителями заряда p-n-перехода (см. рис. 25, б).

Схематичная структура полевого транзистора с индуцированным n-каналом представлена на рис 26. При напряжении на затворе относительно истока, равным нулю, и при наличии напряжения на стоке, ток стока оказывается ничтожно малым. Заметный ток стока появляется только при подаче на затвор напряжения положительной полярности относительно истока, больше так называемого порогового напряжения UЗПОР.

Рисунок 26-Схематичная структура полевого транзистора с индуцированным n-каналом

При этом в результате проникновения электрического поля через диэлектрический слой в полупроводник при напряжениях на затворе, больших UЗПОР, у поверхности полупроводника под затвором возникает инверсный слой, который и является каналом, соединяющим исток со стоком.

Толщина и поперечное сечение канала изменяются с изменением напряжения на затворе, соответственно будет изменяться ток стока. Так происходит управление тока стока в полевом транзисторе с индуцированным затвором. Важнейшей особенностью полевых транзисторов является высокое входное сопротивление (порядка нескольких мегаом) и малый входной ток. Одним из основных параметров полевых транзисторов является крутизна S стоко-затворной характеристики (см. рис. 25, в). Например, для полевого транзистора типа КП103Ж S = (3…5) мА/В.

  • Типы биполярных транзисторов и их диодные схемы замещения.
  • Полевые транзисторы с изолированным затвором.
  • Силовые (мощные) полевые транзисторы. IGBT-транзистор.
  • Транзисторы со статической индукцией.

Как проверить транзистор мультиметром со встроенной функцией

Начнём с того, что есть мультиметры с функцией проверки работоспособности транзистора и определения коэффициента усиления. Их можно опознать по наличию характерного блока на лицевой панели. В ней есть гнездо под установку транзистора, круглая цветная пластиковая вставка с отверстиями под ножки полупроводникового прибора. Цвет вставки может быть любым, но обычно, он выделяется.

Первым делом переводим переключатель диапазонов (большую ручку) в соответствующее положение. Опознать режим можно по надписи — hFE. Перед тем как проверить транзистор мультиметром, определяемся с типом NPN или PNP.

Мультиметр с функцией проверки транзисторов

Далее рассматриваем разъёмы, в которые надо вставлять электроды. Они подписаны латинскими буквами: E — эмиттер, B — база, C — коллектор. В соответствии с надписями, ставим выводы полупроводникового элемента в гнёзда. Через несколько мгновений на экране высвечивается результат измерений, это коэффициент усиления транзистора. Если прибор неисправен, показаний не будет, транзистор неисправен.

Как видите, проверить рабочий транзистор или нет мультиметром со встроенной функцией проверки просто. Вот только в гнёзда нормально вставляются далеко не все электроды. Удобно устанавливать транзисторы с тонкими выводами S9014, S8550, КТ3107, КТ3102. У больших, надо пинцетом или плоскогубцами менять форму выводов, ну а транзистор на плате так не проверишь. В некоторых случаях проще проверить переходы транзистора в режиме прозвонки и определить его исправность.

Основные типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов — биполярные и полевые. В первом случае выходной ток создается при участии носителей обоих знаков (дырок и электронов), а во втором случае — только одного. Определить неисправность каждого из них поможет прозвонка транзистора мультиметром.

Биполярные транзисторы по своей сути являются полупроводниковыми приборами. Они оборудованы тремя выводами и двумя р-п-переходами. Принцип действия этих устройств предполагает использование положительных и отрицательных зарядов — дырок и электронов. Управление протекающими токами выполняется с помощью специально выделенного управляющего тока. Данные устройства широко применяются в электронных и радиотехнических схемах.

Биполярные транзисторы состоят из трехслойных полупроводников двух типов — «р-п-р» и «п-р-п». Кроме того в конструкции имеется два р-п-перехода. Соединение полупроводниковых слоев с внешними выводами осуществляется через невыпрямляющие полупроводниковые контакты. Средний слой считается базой, которая подключается к соответствующему выводу. Два слоя, расположенные по краям, также подключены к выводам — эмиттеру и коллектору. На электрических схемах для обозначения эмиттера используется стрелка, показывающая направление тока, протекающего через транзистор.

В разных типах транзисторов у дырок и электронов — носителей электричества могут быть собственные функции. Более всего распространен тип п-р-п из-за лучших параметров и технических характеристик. Ведущую роль в таких устройствах играют электроны, выполняющие основные задачи по обеспечению всех электрических процессов. Они примерно в 2-3 раза более подвижные, чем дырки, поэтому и обладают повышенной активностью. Качественные улучшения приборов происходят также за счет площади перехода коллектора, которая значительно больше площади перехода эмиттера.

В каждом биполярном транзисторе имеется два р-п-перехода. Когда выполняется проверка транзистора мультиметром, это позволяет проверять работоспособность устройств, контролируя значения сопротивлений переходов при подключении к ним прямого и обратного напряжения. Для нормальной работы п-р-п-устройства на коллектор подается положительное напряжение, под действием которого открывается базовый переход. После возникновения базового тока, появляется коллекторный ток. При возникновение в базе отрицательного напряжения, транзистор закрывается и течение тока прекращается.

Базовый переход в р-п-р-устройствах открывается под действием отрицательного напряжения на коллекторе. Положительное напряжение дает толчок для закрытия транзистора. Все необходимые коллекторные характеристики на выходе можно получить, плавно изменяя значения тока и напряжения. Это позволяет эффективно проверить биполярный транзистор тестером.

Существуют электронные устройства, все процессы в которых управляются действием электрического поля, направленного перпендикулярно току. Эти приборы называются полевыми или униполярными транзисторами. Основными элементами являются три контакта — исток, сток и затвор. Конструкция полевого транзистора дополняется проводящим слоем, исполняющим роль канала, по которому течет электрический ток.

Данные устройства представлены модификациями «р» или «п»-канального типа. Каналы могут располагаться вертикально или горизонтально, а их конфигурация бывает объемной или приповерхностной. Последний вариант также разделяется на инверсионные слои, содержащие обогащенные и обедненные. Формирование всех каналов происходит под воздействием внешнего электрического поля. Устройства с приповерхностными каналами имеют структуру, в состав которой входит металл-диэлектрик-полупроводник, поэтому они называются МДП-транзисторами.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Полевые транзисторы нашли широкое применение в аудио и видеоаппаратуре, мониторах и блоках питания. От их работоспособности зависит функционирование большинства электронных схем. Поэтому в случае каких-либо неисправностей выполняется проверка этих элементов различными способами, в том числе и проверка транзисторов без выпайки из схемы мультиметром.

Типовая схема полевого транзистора представлена на рисунке. Основные выводы — затвор, сток и исток могут быть расположены по-разному, в зависимости от марки транзистора. При отсутствии маркировки, необходимо уточнить справочные данные, касающиеся той или иной модели.

Основной проблемой, возникающей при ремонте электронной аппаратуры с полевыми транзисторами, является проверка транзистора мультиметром не выпаивая. Как правило неисправности касаются полевых транзисторов с высокой мощностью, которые используются в блоках питания. Кроме того, эти устройства очень чутко реагируют на статические разряды. Поэтому перед решением вопроса, как прозвонить транзистор мультиметром на плате, следует надеть специальный антистатический браслет и ознакомиться с правилами техники безопасности при выполнении этой процедуры.

Проверка с использованием мультиметра предполагает такие же действия, как и в отношении биполярных транзисторов. Исправный полевой транзистор обладает бесконечно большим сопротивлением между выводами, независимо от тестового напряжения, приложенного к нему.

Тем не менее, решение вопроса, как прозвонить транзистор мультиметром имеет свои особенности. Если положительный щуп мультиметра приложен к затвору, а отрицательный — к истоку, то в этом случае произойдет зарядка затворной емкости и наступит открытие перехода. При замерах между стоком и истоком, прибор показывает наличие небольшого сопротивления. Иногда электротехники при отсутствии практического опыта, могут посчитать это за неисправность, что не всегда соответствует действительности

Это может быть важно при проверки строчного транзистора мультиметром. Перед началом проверки канала сток-исток рекомендуется выполнить короткое замыкание всех выводов полевого транзистора, чтобы разрядить емкости переходов

После этого их сопротивления вновь увеличатся, после чего можно повторно прозванивать транзисторы мультиметром. Если данная процедура не дала положительного результата, значит данный элемент находится в нерабочем состоянии.

В полевых транзисторах, используемых для мощных импульсных блоков питания, очень часто на переходе сток-исток устанавливаются внутренние диоды. Поэтому данный канал во время проверки проявляет свойства обычного полупроводникового диода. Поэтому чтобы исключить ошибку, перед тем как проверить исправность транзистора мультиметром, следует убедиться в присутствии внутреннего диода. После первой проверки щупы мультиметра нужно поменять местами. После этого на экране появится единица, указывающая на бесконечное сопротивление. Если подобного не случится, велика вероятность неисправности полевого транзистора. С помощью прибора можно не только проверить, но и измерить транзистор мультиметром.

Подготовка инструментов

У каждого современного радиолюбителя есть универсальный инструмент под названием цифровой мультиметр. Он позволяет измерять постоянные и переменные токи и напряжение, сопротивление элементов. Он также позволяет проверить работоспособность элементов схемы. Рядом с переключателем в режим «прозвонки», как правило, нарисован диод и динамик (см. фото на рис. 1).

Рисунок 1 – Лицевая панель мультиметра

Перед проверкой элемента необходимо убедиться в работоспособности самого мультиметра:

  1. Батарея должна быть заряжена.
  2. При переключении в режим проверки полупроводников дисплей должен отображать цифру 1.
  3. Щупы должны быть исправны, т. к. большинство приборов – китайские, и разрыв провода в них является очень частым явлением. Проверить их нужно, прислонив кончики щупов друг к другу: в этом случае на дисплее отобразятся нули и раздастся писк – прибор и щупы исправны.
  4. Щупы подключаются согласно цветовой маркировке: красный щуп — в красный разъем, черный – в черный разъем с надписью COM.

Если Вы не знаете, как использовать данный прибор, рекомендуем прочитать подробную инструкцию для чайников о том, как пользоваться мультиметром!

Советы: как проверить полевой транзистор

Чтобы диод начал пропускать ток, необходимо к аноду подключить щуп красного цвета (плюс), а щуп черного цвета (минус) подключить к катоду, после чего на мультиметре будет отражено прямое напряжение

Важно понимать, что на величину напряжения влияет тип полупроводника. Так, например, кремниевые диоды характеризуются напряжением от 650 до 800 мВ, в то время как на германиевых транзисторах от 180 до 300 мВ

Как только вы поменяете плюс и минус местами, мультиметр покажет «1», что подтверждает закрытие перехода, т.е. ток не проходит.

В целом, прозвонить биполярный транзистор можно следующим образом:

  1. Производим проверку обратного сопротивления, для чего необходимо подключить плюс к базе транзистора.
  2. Производим подключение минуса к эмиттеру, чтобы протестировать переход.
  3. Чтобы проверить коллектор, к нему нужно подключить минус.

По итогам измерительных операций на дисплее должны появляться показатели в пределах единицы, что говорит о бесконечности сопротивления. Если же ток проходит в двух направлениях, то переход «пробит» (что сопровождается характерным звуковым сигналом), а если ток не проходит вообще, то это является признаком «обрыва». В этом случае можно утверждать о неисправности транзистора. Стоит отметить, что данным способом можно проверять только транзисторы биполярного типа, а вот для полевых или составных приборов это может оказаться бесполезным.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

  • Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
  • Л – лампочка.
  • R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A – 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

  1. Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
  2. Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Цоколевка

У биполярных транзисторов средней и большой мощности цоколевка одинаковая в основном, слева направо — эмиттер, коллектор, база. У транзисторов малой мощности лучше проверять

Это важно, так как при определении работоспособности, эта информация нам понадобится

Внешний вид биполярного транзистора средней мощности и его цоколевка

То есть, если вам необходимо определить рабочий или нет биполярный транзистор, нужно искать его цоколевку. Хотите убедиться или не знаете, где «лицо», то ищите информацию в справочнике или наберите на компьютере «имя» вашего полупроводникового прибора и добавьте слово «даташит». Это транслитерация с английского Datasheet, что переводится как «технические данные». По этому запросу вам в выдаче будет перечень характеристик прибора и его цоколёвка.

Читать также: Лазерный излучатель для резки металла

Определение вывода базы (затвора)

Наиболее простой способ определить назначение выводов транзистора (цоколевку) — скачать на него документацию. Поиск ведется по маркировке на корпусе. Этот буквенно-цифровой код набирают в строке поиска и далее добавляют «даташит».

Если документацию обнаружить не удается, базу и прочие выводы биполярного транзистора распознают исходя из его особенностей:

  • p-n-p транзистор: открывается приложением к базе отрицательного напряжения;
  • n-p-n транзистор: открывается приложением к базе положительного напряжения.

Действуют так:

  1. Настраивают мультиметр: красный щуп подсоединяют к разъему со значком «V/Ω» (плюсовой потенциал), черный — к разъему COM (минусовой потенциал), а  переключатель устанавливают в режим «прозвонка» или, если такого нет, в сектор измерения сопротивления (значок «Ω») на верхнюю позицию (обычно «2000 Ом»).
  2. Определяют базу. Красный щуп подсоединяют к первому выводу транзистора, черный — поочередно к остальным. Затем красный подсоединяют ко второму выводу, черный снова по очереди к 1-му и 3-му. Признак того, что красный подсоединен к базе, — одинаковое поведение прибора при контакте черного щупа с другими выводами. Прибор оба раза пискнул или показал на дисплее некое конечное сопротивление — транзистор относится к n-p-n типу; прибор оба раза промолчал или отобразил на дисплее «1» (отсутствие проводимости) – транзистор принадлежит p-n-p типу.
  3. Распознают коллектор и эмиттер. Для этого к базе подсоединяют щуп, соответствующий типу проводимости: для n-p-n транзистора – красный, для p-n-p транзистора: черный.

Конструкция полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и канлом n-типа а) с затвором со стороны подложки; b) с диффузионным затвором

Второй щуп поочередно подсоединяют к другим выводам. При контакте с коллектором на дисплее отображается меньшее значение сопротивления, чем с эмиттером.

Выводы полевого транзистора обычно промаркированы:

  • G: затвор;
  • S: исток;
  • D: сток.

Если маркировки нет, затвор обнаруживают по той же схеме, что и у биполярного транзистора.

Полевые транзисторы чувствительны к статическому электричеству. Из-за этого их выводы при хранении закорачивают фольгой, а перед началом манипуляций надевают антистатический браслет или хотя бы касаются заземленного металлического предмета (приборный шкаф), чтобы снять статический заряд.

Оцените статью:

Как проверить полевые транзисторы. Как проверить полевой транзистор с управляющим P-N переходом

Полевые транзисторы - полупроводниковые приборы, в которых управление переходными процессами, а также величиной выходного тока осуществляется изменением величины электрического поля. Существует два вида данных устройств: с (в свою очередь делятся на транзисторы со встроенным каналом и с индукционным каналом) и с управляемым переходом. Полевые транзисторы благодаря своим уникальным характеристикам находят широкое применение в радиоэлектронной аппаратуре: блоках питания, телевизорах, компьютерах и др.

При ремонте такой техники наверняка каждый начинающий радиолюбитель сталкивался с таким вопросом: как проверить полевой транзистор? Чаще всего с проверкой таких элементов можно столкнуться при ремонте импульсных блоков питания. В этой статье мы подробно расскажем, как это правильно сделать.

Как проверить полевой транзистор омметром

В первую очередь, чтобы приступить к проверке полевого транзистора, необходимо разобраться с его «цоколевкой», то есть с расположением выводов. На сегодняшний день существует множество различных исполнений таких элементов, соответственно, расположение электродов у них отличается. Часто можно встретить полупроводниковые транзисторы с подписанными контактами. Для маркировки используют латинские литеры G, D, S. Если же подписи нет, то необходимо воспользоваться справочной литературой.

Итак, разобравшись с маркировкой контактов, рассмотрим, как проверить полевой транзистор. Следующим шагом будет принятие необходимых мер безопасности, потому что полевые приборы очень чувствительны к статическому напряжению, и чтобы предотвратить выход из строя такого элемента, необходимо организовать заземление. Чтобы снять с себя накопленный статический заряд, обычно надевают на запястье антистатический заземляющий браслет.

Не следует также забывать, что хранить полевые транзисторы необходимо с замкнутыми выводами. Сняв статическое напряжение, можно переходить к процедуре проверки. Для этого понадобится простой омметр. У исправного элемента между всеми выводами сопротивление должно стремиться к бесконечности, но при этом существуют некоторые исключения. Сейчас мы рассмотрим, как проверить полевой транзистор n-типа.

Прикладываем положительный щуп прибора к электроду затвора (G), а отрицательный щуп к контакту истока (S). В этот момент начинает заряжаться емкость затвора и элемент открывается. При измерении сопротивления между истоком и стоком (D) омметр покажет некоторую величину сопротивления. В разных типах транзисторов эта величина различна. Если закоротить выводы транзистора, то сопротивление между стоком и истоком снова будет стремиться к бесконечности. Если этого не произошло, значит, транзистор неисправен.

Если вы спросите, как проверить полевой транзистор P-типа, то ответ прост: повторяем вышеописанную процедуру, только меняем полярность. Не следует также забывать, что современные мощные полевые транзисторы между истоком и стоком имеют встроенный диод, соответственно «прозванивается» он только в одну сторону.

Проверка полевого транзистора мультиметром

При наличии прибора «мультиметра», можно проверить полевой транзистор. Для этого выставляем в режим «прозвонки» диодов и вводим полевой элемент в режим насыщения. Если транзистор N-типа, то минусовым щупом касаемся стока, а плюсовым - затвора. Исправный транзистор в таком случае открывается. Переносим плюсовой щуп, не отрывая минусового, на исток, и мультиметр показывает какое-то значение сопротивления. После этого запираем транзистор: не отрывая щупа от истока, минусовым касаемся затвора и возвращаем на сток. Транзистор заперт, и сопротивление стремится к бесконечности.


Многие радиолюбители спрашивают: «Как проверить полевой транзистор, не выпаивая?» Сразу ответим, что стопроцентного способа не существует. Для этого используют мультиметр с колодкой HFE, но этот метод часто дает сбой, и можно потратить много времени впустую.

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).


Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

  1. Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
  2. Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

  1. Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

  1. Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
  2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.


Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

  1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
  2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
  3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
  4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
  5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.


Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.


Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.


Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

  • Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
  • Л – лампочка.
  • R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A – 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

  1. Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
  2. Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.


Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

Такие полупроводниковые элементы, как транзисторы, являются неотъемлемой частью практически всех электронных схем - от радиоприемников до системных плат сверхсложных вычислительных центров. Проверка этого элемента на работоспособность - операция, которую обязан уметь выполнять любой человек, так или иначе занимающийся ремонтом электронных плат, будь он профессиональный ремонтник или любитель.

Для осуществления этой операции можно применять специальный тестер транзисторов, но если его нет под рукой, или в его надежности есть сомнения, можно воспользоваться самым обыкновенным мультиметром. Даже те модели, которые не имеют специального гнезда для проверки биполярных или полевых транзисторов, могут быть использованы для точной проверки. Для этого мультиметр выставляется в режим максимального сопротивления, либо «прозвонки», если таковой есть.

Общий алгоритм проверки

Как проверить транзистор мультиметром? В общем и целом алгоритм выглядит так:

Дальнейшие действия по проверке будут зависеть от того, какого типа элемент требуется проверить. В основном в электронике применяются полупроводниковые элементы двух видов - биполярный и полевой.

Биполярный

Как проверить биполярный транзистор мультиметром? В первую очередь нужно выяснить, к какому из двух подтипов - npn или pnp он относится. Для этого вспомним, что же вообще такое биполярный транзистор.

Это полупроводниковый элемент, в котором реализован так называемый npn или pnp переход. N-p-n - это переход «электрон — дырка — электрон», p-n-p, соответственно, наоборот, «дырка — электрон — дырка». Конструктивно он состоит из трех частей - эмиттера, коллектора и базы. Фактически биполярник - это два сопряженных обыкновенных диода, у которых база является общей точкой соединения.

На схеме pnp транзистор отличается от своего npn-собрата направлением стрелки в круге - стрелки эмиттерного перехода. У схемы p-n-p она направлена к базе, у n-p-n - наоборот.

Эту разницу нужно знать для проверки биполярного транзистора. Pnp-схема открывается приложением к базе отрицательного напряжения, npn - положительного. Но перед этим необходимо выяснить, какой из контактов проверяемого транзистора является базой, какой эмиттером, а какой коллектором.

Обратите внимание, что определить описанным ниже способом, какой из контактов - база, а какие - эмиттер и коллектор, можно только у исправного элемента. Сам по себе факт прохождения транзистором этой проверки говорит о том, что он, скорее всего, исправен.

Инструкция здесь может быть следующая:

  1. красный (плюсовой) щуп подключается к первому попавшемуся выводу, например левому, черным (минусовым) поочередно касаются центрального и правого. Фиксируют значение «1» на центральном, и 816 Ом, например, на правом;
  2. красный щуп мультиметра закорачивают с центральным контактом, черный - поочередно с боковыми. Прибор выдает «1» на левом и какое-либо значение, допустим, 807 - на правом;
  3. при контакте красного щупа мультиметра с правым выводом, а черного - с левым и центральным получаем в обоих случаях «1». Это означает, что база определена - это и есть правый контакт транзистора. А сам транзистор - pnp-типа.

В принципе, этого достаточно, чтобы сказать, что транзистор исправен. Теперь, чтобы проверить его структуру и конкретное расположение эмиттера и коллектора, закорачиваем черный (минусовой) щуп мультиметра с базой, а красный - по очереди с левым и центральным контактом.


Тот контакт, что дает меньшую величину сопротивления, будет коллекторным (в нашем случае 807 Ом). Тот, что большую - 816 Ом - является эмиттерным.

Проверка транзистора npn типа происходит так же, только к базе прикладывается плюсовой контакт.

Это способ проверки p-n переходов между базой и коллектором и базой и эмиттером. Показания мультиметра могут быть разными, в зависимости от типа транзистора, но всегда будут лежать в пределах 500-1200 Ом. Для завершения испытания коснитесь щупами эмиттера и коллектора. Исправный элемент при этом будет выдавать бесконечно большое сопротивление вне зависимости от своего типа, как бы вы ни меняли полярность. Если значение на экране отличается от «1» — один из переходов пробит, деталь непригодна к работе.

Проверка без выпаивания

Если у вас нет уверенности, что проверять нужно именно этот транзистор, измерить его параметры можно и на плате, не выпаивая. Но при этом мультиметр должен показывать значения в пределах 500-1200 Ом. Если они измеряются единицами или даже десятками Ом - схема зашунтирована низкоомными резисторами. Для точной проверки транзистор придется выпаять.

Полевой

Полевой, он же - mosfet транзистор отличается от биполярного тем, что в нем может протекать либо только положительный заряд, либо только отрицательный («дырка» или электрон). Его контакты имеют иное значение - затвор, сток, исток.


Как проверить полевой транзистор мультиметром? Методика проверки почти та же, что и в предыдущем случае, но предварительно, во избежание выхода элемента из строя, необходимо снять с себя заряд статического электричества, так как полевик очень чувствителен к статике. Используйте антистатический браслет либо просто коснитесь рукой заземленного металлического элемента, например корпуса приборного шкафа.

Полевики всегда имеют небольшую проводимость между стоком и истоком, которая выявляется на экране мультиметра как сопротивление порядка 400-700 Ом. Если поменять полярность, сопротивление незначительно изменится, возрастет или упадет на 40-60 Ом. Перед этим необходимо закоротить исток и сток между собой, чтобы «обнулить» емкости переходов.

Если при проверке с помощью мультиметра между истоком и стоком обнаруживается бесконечно большое сопротивление, полевой транзистор неисправен.
Между истоком и затвором либо стоком и затвором также будет обнаруживаться проводимость, но только в одну сторону. Плюс, приложенный к затвору, а минус - к истоку, вызовет открытие перехода и, соответственно, значение на экране в границах 400-700 Ом. Обратная схема - плюс к истоку, минус к затвору - у исправного полевика даст «1», то есть. очень большое сопротивление.

Проверка линии сток-затвор проходит аналогично. Если же линия исток-затвор или сток-затвор имеет проводимость в обе стороны, это значит, что полевой транзистор пробит.

В заключение надо сказать несколько слов о составном типе. Составной транзистор - это элемент, соединяющий в себе два обычных биполярных транзистора (иногда три и более). Проверка мультиметром производится аналогично методологии для простого «биполярника».

Инструкция

Проверить полевой транзистор, когда он впаян в электронную схему не получится, поэтому перед проверкой выпаяйте его. Осмотрите корпус. Если на корпусе есть дырка от расплавления кристалла, то проверять транзистор нет смысла. Если же корпус целый, то можно приступать к проверке.

Подавляющее большинство мощных полевых транзисторов имеют структуру MOS-FET и n-канал с изолированным затвором. Реже встречаются с p-каналом, в основном в оконечных каскадах звуковых усилителей. Разные структуры полевых транзисторов требуют разных способов их проверки.

Выпаяв транзистор, дайте ему остыть.

Положите транзистор на сухой лист бумаги. Вставьте провода омметра красный в плюсовой разъем, а черный в минусовой. Установите предел измерений на 1кОм. Сопротивление канала открытого транзистора зависит от приложенного напряжения к затвору относительно истока, поэтому в процессе работы с транзистором, вы можете установить более удобный для вас предел измерения. Подключение электродов внутри корпуса показано на фото.

Коснитесь черным щупом электрода «исток» транзистора, а красным прикоснитесь к электроду «сток». Если прибор покажет короткое замыкание, уберите щупы и соедините все три электрода плоской отверткой. Цель – разрядить емкостный переход затвора, возможно, он был заряжен. После этого повторите измерение сопротивления канала. Если прибор по-прежнему показывает короткое замыкание, значит, транзистор неисправен и подлежит замене.

Если прибор показал сопротивление близкое к бесконечности, то проверьте переход затвора. Она проверяется аналогично переходу канала. Коснитесь любым щупом электрода «исток» транзистора, а другим прикоснитесь к электроду «затвор». Сопротивление должно быть бесконечно большим. Изолированный затвор электрически не связан с каналом транзистора и любое обнаруженное сопротивление в этой цепи говорит о неисправности транзистора.

Методика проверки полностью исправного транзистора выглядит так: Прикоснитесь черным щупом омметра к электроду «исток» транзистора, коснитесь красным щупом электрода «затвор». Сопротивление должно быть бесконечно большим, затем, не замыкая «затвор» на другие электроды, коснитесь красным щупом электрода «сток». Прибор покажет маленькое сопротивление на этом участке. Величина этого сопротивления зависит от напряжения между щупами омметра. Теперь коснитесь красным щупом электрода «исток», повторите вышеописанную процедуру. Сопротивление канала будет очень большое, близкое к бесконечности. Способ проверки MOS-FET транзистора с p-каналом отличается тем, что при измерениях надо поменять между собой красный и черный щупы омметра.

Отказ системы, в которой используется одновременно множество электромагнитных реле , может быть вызван неисправностью всего одного из них. Не допустить такой ситуации можно лишь путем их регулярной проверки.

Инструкция

Независимо от способа проверки реле , на время его испытания обязательно подключите параллельно его обмотке диод типа 1N4007 в обратной полярности. Такой же диод желательно установить и в схему, где оно работает постоянно, если только по алгоритму ее работы на обмотку не подается по очереди напряжение различной полярности. Извлечение реле и установку его в устройство производите тогда, когда последнее обесточено.

Если необходимо провести проверку реле в статическом режиме, просто подавайте на его обмотку напряжение, равное минимальному напряжению срабатывания. Когда оно подано, должны гарантированно размыкаться все нормально замкнутые контакты и замыкаться все нормально разомкнутые. При снятия напряжения с обмотки ситуация должны меняться на противоположную в отношении всех контактных групп. Для проверки состояния контактов используйте обычный омметр или даже пробник с батарейкой и лампочкой.

Проверку реле в динамическом режиме осуществляйте при помощи обычного мультивибратора на двух транзисторах. Подключите его в качестве нагрузки одного из транзисторов. Меняя номиналы частотозадающих элементов, сделайте частоту срабатывания реле близкой к предельной для него (она указана в документации). Чтобы проверить ту или иную контактную группу, подайте на нее напряжение через лампочку или мощный резистор таким образом, чтобы ток через нее не превышал предельный. Параллельно группе подключите осциллограф. Убедитесь по изображению на его экране, что в срабатывании контактов отсутствуют перебои. Проверьте таким образом поочередно все группы. Не держите реле в таком режиме слишком долго, поскольку при быстром срабатывании оно изнашивается.

В случае выявления неисправности реле дальнейшие действия осуществляйте в зависимости от его типа. Если оно допускает регулировку контактов, осуществите таковую, если же нет, замените реле целиком. В случае, если неправильно функционирует только одна контактная группа, просто задействуйте вместо нее другую либо переставьте реле в такой узел, где она не задействована.

Видео по теме

Некоторые модели тестеров оснащены встроенными измерителями коэффициента усиления маломощных транзисторов . Если же вы таким прибором не обладаете, то исправность транзисторов можно проверить обычным тестером в режиме омметра, либо же при помощи цифрового тестера в режиме проверки диодов.

Инструкция

Для проверки биполярных транзисторов присоедините один щуп мультиметра подключите к базе транзистора, второй щуп подносите поочередно к эмиттеру и коллектору, потом поменяйте щупы местами повторите те же действия. Обратите внимание, что внутри электродов многих цифровых либо же мощных транзисторов могут располагаться защитные диоды между коллектором и эмиттером и встроенные резисторы между базой и эмиттером или в цепи базы, если вы этого не знаете, то по ошибке можете посчитать этот элемент неисправным.

При проверке полевых транзисторов учитывайте тот факт, что они бывают самых разнообразных видов. К примеру, проверка транзисторов , имеющих затвор на основе запорного слоя p-n-перехода, осуществляется так. Возьмите обычный стрелочный омметр или цифровой (второй более удобный).

Измерьте сопротивление между стоком и истоком, оно должно иметь небольшую величину и быть приблизительно равным в обоих направлениях. Теперь измерьте прямое и обратное сопротивление перехода, для этого подключите щупы к затвору и стоку (либо истоку). Если транзистор исправен, сопротивление будет разным в обоих направлениях.

Когда проверяете сопротивление между стоком и истоком, снимите заряд с затвора, для этого в течение пар секунд замкните его с истоком, если этого не сделать – вы получите неповторяющийся результат. Большинство маломощных полевых транзисторов крайне чувствительно к статике. Потому перед тем, как взять транзистор в руки, убедитесь, что на вашем теле не осталось зарядов. Чтобы освободиться от них, коснитесь рукой любого заземленного прибора (подойдет батарея отопления). Мощные полевые транзисторы чаще всего оснащены защитой от статики, но даже несмотря на это защита при работе с ними также не повредит.

Красивое и романтичное название полевого цветка иван-да-марья связано с древними славянскими легендами о запретной и нерушимой любви. Этот цветок собирали в числе прочих в купальскую ночь и использовали для различных обрядов.

Какой полевой цветок называют Иван-да-Марья

На самом деле этим именем называют несколько совершенно различных растений, относящихся к разным семействам. Поэтому довольно сложно сказать точно, какой именно цветок звали так наши предки. Во всяком случае, известно, что это название носит двухцветный цветок, обычно желтый с фиолетовым.

Чаще всего иваном-да-марьей называют растение, известное в ботанике как марьянник дубравный – однолетнее дикорастущее растение, отличающееся ярко-желтыми цветками с фиолетовыми прицветниками. Другие названия этого растения – иванова трава, брат с сестрой.

Иногда иваном-да-марьей зовут также фиалку трехцветную (анютины глазки) или луговой шалфей, реже – барвинок малый.

Легенды об Иване-да-Марье

Наиболее распространенная версия легенды, объясняющей название цветка, связана с именем Ивана Купалы.

Родились когда-то в одной семье близнецы – мальчик и девочка, Купала и Кострома. Когда они были еще маленькими детьми, Купалу унесла в далекие края птица Сирин. Спустя много лет молодой человек плыл по реке на лодке, странствуя в незнакомых землях. Тем часом мимо его лодки проплывал девичий венок. Купала подобрал его, а сойдя на берег, встретил и его хозяйку – красавицу Кострому. Молодые люди всем сердцем полюбили друг друга. Они поженились по славянскому обычаю. И лишь потом, придя в родную деревню, узнали о том, что приходятся друг другу родными братом и сестрой.

Согласно одной из версий легенды, боги покарали Кострому и Купалу за их запретную любовь, обратив их в цветок. По другой версии, несчастные влюбленные сами попросили об этом богов, чтобы никогда не разлучаться.

Еще один вариант предания рассказывает о том, что Кострома, не вынеся позора, пошла топиться в реке и превратилась в русалку, мару.

Самая жестокая легенда повествует о сестре, которая попыталась соблазнить своего брата, за что и была им убита. Перед смертью же она попросила посадить этот цветок на ее могиле.

Более «мягкая» история – о брате и сестре, которые жили на берегу реки. Однажды сестру заманили русалки и превратили в мару, жену водяного. Тогда ее брат собрал полынь-траву и с ее помощью одолел водяного.

Символика растения

Иван-да-марья – один из главных символов праздника Ивана Купалы, знак нерушимой любви.

Кроме того, считается, что желтый цвет символизирует огонь, а фиолетовый – воду (росу). Таким образом, иван-да-марья – символ единения противоположностей, знак огня и воды.

Видео по теме

Источники:

  • как проверить полевые транзисторы
Содержание:

В радиоэлектронике и электротехнике транзисторы относятся к одним из основных элементов, без которых не будет работать ни одна схема. Среди них, наиболее широкое распространение получили полевые транзисторы, управляемые электрическим полем. Само электрическое поле возникает под действием напряжения, следовательно, каждый полевой транзистор является полупроводниковым прибором, управляемым напряжением. Наиболее часто применяются элементы с изолированным затвором. В процессе эксплуатации радиоэлектронных устройств и оборудования довольно часто возникает необходимость проверить полевой транзистор мультиметром, не нарушая общей схемы и не выпаивая его. Кроме того, на результаты проверки оказывает влияние модификация этих устройств, которые технологически разделяются на п- или р-канальные.

Устройство и принцип действия полевых транзисторов

Полевые транзисторы относятся к категории полупроводниковых приборов. Их усиливающие свойства создаются потоком основных носителей, который протекает через проводящий канал и управляется электрическим полем. Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, для своей работы используют основные носители заряда, расположенные в полупроводнике. По своим конструктивным особенностям и технологии производства полевые транзисторы разделяются на две группы: элементы с управляющим р-п-переходом и устройства с изолированным затвором.

К первому варианту относятся элементы, затвор которых отделяется от канала р-п-переходом, смещенным в обратном направлении. Носители заряда входят в канал через электрод, называемый истоком. Выходной электрод, через который носители заряда уходят, называется стоком. Третий электрод - затвор выполняет функцию регулировки поперечного сечения канала.

Когда к истоку подключается отрицательное, а к стоку положительное напряжение, в самом канале появляется электрический ток. Он создается за счет движения от истока к стоку основных носителей заряда, то есть электронов. Еще одной характерной особенностью полевых транзисторов является движение электронов вдоль всего электронно-дырочного перехода.

Между затвором и каналом создается электрическое поле, способствующее изменению плотности носителей заряда в канале. То есть, изменяется величина протекающего тока. Поскольку управление происходит с помощью обратно смещенного р-п-перехода, сопротивление между каналом и управляющим электродом будет велико, а мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора, очень мала. За счет этого обеспечивается усиление электромагнитных колебаний не только по току и напряжению, но и по мощности.


Существуют полевые транзисторы, у которых затвор отделяется от канала слоем диэлектрика. В состав элемента с изолированным затвором входит подложка - полупроводниковая пластина, имеющая относительно высокое . В свою очередь, она состоит из двух областей с противоположными типами электропроводности. На каждую из них нанесен металлический электрод - исток и сток. Поверхность между ними покрывает тонкий слой диэлектрика. Таким образом, в полученную структуру входят металл, диэлектрик и полупроводник. Данное свойство позволяет проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая. Поэтому данный вид транзисторов сокращенно называют МДП. Они различаются наличием индуцированных или встроенных каналов.

Проверка мультиметром

Перед началом проверки на исправность полевого транзистора мультиметром, рекомендуется принять определенные меры безопасности, с целью предотвращения выхода транзистора из строя. Полевые транзисторы обладают высокой чувствительностью к статическому электричеству, поэтому перед их проверкой необходимо организовать заземление. Для снятия с себя накопленных статических зарядов, следует воспользоваться антистатическим заземляющим браслетом, надеваемым на руку. В случае отсутствия такого браслета можно просто коснуться рукой батареи отопления или других заземленных предметов.


Хранение полевых транзисторов, особенно с малой мощностью, должно осуществляться с соблюдением определенных правил. Одно из них заключается в том, что выводы транзисторов в этот период, находятся в замкнутом состоянии между собой. Конфигурация цоколей, то есть расположение выводов в различных моделях транзисторов может отличаться. Однако их маркировка остается неизменной, в соответствии с общепринятыми стандартами. Затвор по-английски означает Gate, сток - Drain, исток - Source, а для маркировки используются соответствующие буквы G, D и S. Если маркировка отсутствует необходимо воспользоваться специальным справочником или официальным документом от производителя электронных компонентов.

Проверку можно выполнить с помощью , но более удобной и эффективной будет прозвонка цифровым мультиметром, настроенным на тестирование p-n-переходов. Полученное значение сопротивления, отображаемое на дисплее, на пределе х100 численно будет соответствовать напряжению на р-п-переходе в милливольтах. После подготовки можно переходить к непосредственной проверке. Прежде всего нужно знать, что исправный транзистор обладает бесконечным сопротивлением между всеми его выводами. Прибор должен показывать такое сопротивление независимо от полярности щупов, то есть прикладываемого напряжения.


Современные мощные полевые транзисторы имеют встроенный диод, расположенный между стоком и истоком. В результате, при решении задачи, как прозвонить полевой транзистор мультиметром, канал сток-исток, ведет себя аналогично обычному диоду. Отрицательным щупом черного цвета необходимо коснуться подложки - стоку D, а положительным красным щупом - вывода истока S. Мультиметр покажет наличие прямого падения напряжения на внутреннем диоде до 500-800 милливольт. В обратном смещении, когда транзистор закрыт, прибор будет показывать бесконечно высокое сопротивление.

Далее, черный щуп остается на месте, а красный щуп касается вывода затвора G и вновь возвращается к выводу истока S. В этом случае мультиметр покажет значение, близкое к нулю, независимо от полярности приложенного напряжения. Транзистор откроется в результате прикосновения. Некоторые цифровые устройства могут показывать не нулевое значение, а 150-170 милливольт.

Если после этого, не отпуская красного щупа, коснуться черным щупом вывода затвора G, а затем возвратить его к выводу подложки стока D, то в этом случае произойдет закрытие транзистора, и мультиметр вновь отобразит падение напряжения на диоде. Такие показания характерны для большинства п-канальных устройств, используемых в видеокартах и материнских платах. Проверка р-канальных транзисторов осуществляется таким же образом, только со сменой полярности щупов мультиметра.

Как проверить полевой транзистор?

Полевые транзисторы

( FIELD EFFECT TRANSISTOR ) являются устройствами с основным носителем заряда. Устройство состоит из активного канала, по которому основные носители заряда, электроны или дырки, текут от истока к стоку. Провода истока и стока подключаются к полупроводнику через омические контакты. Проводимость канала является функцией потенциала, приложенного к клеммам затвора и истока.

Три терминала полевого транзистора являются источниками (S), через которые большинство несущих входят в канал.Обычный ток, входящий в канал в точке S, обозначается I S Drain (D), через который большинство несущих покидают канал. Обычный ток, поступающий в канал в точке D, обозначается I D . Напряжение от стока к источнику составляет В DS . Затвор (G), терминал, который модулирует проводимость канала. Подавая напряжение на G, можно управлять I D . Полевой транзистор, который имеет вывод истока S, вывод затвора G и соединение стока D.
Путь для тока - от источника до стока через полупроводниковый материал, этот путь называется каналом.В N-канальном полевом транзисторе носителями являются электроны. Источник подключен к отрицательному полюсу питания, а сток - к положительному. На канале N-типа сформированы вентили P-типа, обеспечивающие PN-переходы. Когда эти переходы получают обратное смещение, области вокруг них освобождаются от электронных носителей. Эти «области истощения» уменьшают ширину канала носителя, как в точке B. В результате происходит уменьшение прохождения носителей тока от Источника к Стоку.
Увеличение смещения приводит к расширению обедненных областей, и канал становится меньше, что еще больше снижает ток.В конце концов, ворота можно сделать настолько отрицательными, что канал будет практически закрыт. Это область отсечки, и ток практически равен нулю. Таким образом, ток от истока к стоку и через внешние элементы схемы можно контролировать, регулируя напряжение затвора. Поскольку область перехода затвор-канал имеет обратное смещение, ток затвора чрезвычайно мал, и, следовательно, входной импеданс затвора очень высок. Как правило, ток затвора незначителен.

КАК ПРОВЕРИТЬ FET В ДИОДНОМ РЕЖИМЕ?

ШАГ-1.
  • Подключите плюсовой измерительный провод цифрового мультиметра к GATE
  • .
  • …………… DMM Отрицательный измерительный провод к DRAIN На дисплее отображается 0,715 В
  • …………… DMM Отрицательный измерительный провод к ИСТОЧНИКУ = показание дисплея показывает 0,703 В
ШАГ-2.
  • Подключите цифровой мультиметр Отрицательный измерительный провод к GATE
  • .
  • ………… ..DMM положительный измерительный провод t o СЧИТЫВАНИЕ СЛИВА OL (OL означает ПЕРЕГРУЗКУ).
  • ………… ..DMM положительный измерительный провод к ИСТОЧНИКУ OL

ШАГ-3.

  • DMM положительный измерительный провод к DRAIN
  • DMM Отрицательный тестовый провод на ИСТОЧНИК ДИСПЛЕЯ ЧТЕНИЕ 0,090 В
  • DMM Отрицательный измерительный провод на DRAIN OL DMM READING (OL означает ПЕРЕГРУЗКУ)
  • DMM Положительный тестовый провод к СЧИТЫВАНИЮ ИСТОЧНИКА 0,090 В или (090 мВ)

Подключите отрицательный вывод цифрового мультиметра к экрану

  • DMM Положительный измерительный провод к GATE открыт или открыт или «1»
  • DMM положительный тестовый провод к DRAIN OL DMM READING (OL означает ПЕРЕГРУЗКУ)
  • DMM положительный тестовый провод к ИСТОЧНИКУ OL

Проверка: Если показания цифрового мультиметра показывают, что это ХОРОШО.
Проверка: Если вы получаете показания в прямом смещении как 0000 или OL или 1, и в обратном смещении как 0000 (или) низкие значения, транзистор FET может выйти из строя и нуждается в замене.

Полевой транзистор | Журнал Nuts & Volts


Необходимое устройство для современной ИС

Обычно используемый биполярный транзистор , в котором электроны или дырки проходят через два PN полупроводниковых перехода, по сути, является устройством усиления тока .Хотя напряжение может быть усилено косвенно, если используются конфигурации проводки «общий эмиттер» или «общий коллектор», все же верно, что небольшая величина входного тока всегда должна течь в базовую область транзистора для целей управления.

Другой тип полупроводникового устройства, полевой транзистор или «полевой транзистор», не так хорошо знаком многим энтузиастам электроники, возможно, потому, что его легко повредить при неправильном использовании. Полевой транзистор усиливает напряжение напрямую, а ток , необходимый для управления, настолько мал, что его нельзя измерить обычными приборами.Этот транзистор был фактически первым типом полупроводникового усилителя, теоретически предсказанным в Bell Labs еще в 1950-х годах, но он не был разработан в практическое устройство до тех пор, пока биполярный тип не стал популярным. Однако сейчас наиболее распространенным типом стали полевые транзисторы, их десятки миллионов находятся в каждой микросхеме микропроцессора.

С таким огромным количеством транзисторов, работающих в одной микросхеме, мы, конечно, не хотим, чтобы для управления каждым из них требовался большой ток - заряд батареи будет быстро израсходован, и потребуется много тепла. удаленный.Кроме того, существует множество других приложений, в которых желателен сверхнизкий входной ток. Очевидный пример - первая ступень точного вольтметра, когда мы не хотим вызывать каких-либо новых падений напряжения путем отвода тока из исследуемой цепи.

Еще одним преимуществом полевого транзистора, вероятно, менее важным, является тот факт, что его входные и выходные характеристики аналогичны характеристикам электронных ламп. Поскольку лампы используются примерно с 1910 года, у нас есть большой опыт работы с ними, и некоторые разработчики чувствуют себя более комфортно с полевыми транзисторами, чем с биполярными устройствами, особенно в усилителях звука.(Действительно ли это преимущество или нет, зависит не только от научных факторов, но и от эмоциональных факторов. Некоторые читатели могут признать автора настоящей статьи одним из первых сторонников этой активно обсуждаемой проблемы, поэтому мы не будем ее обсуждать. дальше сюда!)

В любом случае, полевой транзистор полностью реагирует на напряжение на управляющем электроде, и это можно использовать для регулирования довольно большого количества выходного тока и / или напряжения в двух других проводах.

JFET

Вместо того, чтобы делать транзистор, который проводит через оба PN перехода, когда он включен («биполярный»), один тип полевого транзистора может быть изготовлен только с одним PN переходом («однопереходный»).Поскольку он имеет переход, он называется juncFET или JFET, и упрощенная диаграмма поперечного сечения показана на , рис. 1, .

РИСУНОК 1. Упрощенное поперечное сечение полевого транзистора с рабочей схемой. Это N-канальный режим, режим истощения и обычно включен. Символ находится в правой части рисунка.


Прямоугольники, обведенные жирной линией, представляют собой твердые материалы, включая две области, которые представляют собой кремний P-типа, но не проводят заметного тока.Посередине находится область N-типа, которая может проводить весь ток. В очень простой схеме, показанной на схеме, которую читатель может легко построить, чтобы получить некоторый опыт работы с полевым транзистором, омметр выдает напряжение, а также показывает протекание тока нагрузки. Этот тип полевого транзистора обычно находится во включенном состоянии до подачи какого-либо управляющего напряжения. Если потенциометр 5K настроен так, что на «затворе» нет напряжения (перемещая его стрелку вниз, как показано на схеме), то «положительный» ток нагрузки от омметра переходит в верхний левый угол полевого транзистора, а затем вниз. в самый верхний металл, затем вниз через сплошной кремний N-типа и из транзистора через нижний металл.(Области «Бык» - изоляторы из диоксида кремния.)

Диаграмма построена не в масштабе, а прямоугольниками показаны области, размер которых на самом деле составляет всего около микрона. (Более формальное обозначение размера - «микрометр», что составляет миллионную долю метра.) Металл обычно представляет собой тонкую алюминиевую или медную пленку толщиной около микрона, и вся конфигурация иногда бывает более сложной, чем показано на этой упрощенной диаграмме. Кремний P-типа (справа, как показано здесь) в основном является просто механической опорой для небольших активных областей, которые проводят.Его часто называют «субстратом».

Чтобы выключить транзистор, настройку потенциометра 5K можно увеличить, чтобы получить отрицательное управляющее напряжение. Это заряжает область P-типа, но электричество практически не течет, потому что имеется «обратносмещенный» PN переход (отрицательное напряжение на кремнии P-типа и положительное на N). Однако этот заряд сильно отталкивает электроны от очень тонкого проводящего «канала» N-типа в середине. Здесь образуется зона обеднения, содержащая меньше электронов, поэтому кремний внутри овала, показанного пунктирной линией, становится внутренним (I-тип, как обозначено буквой I в скобках), который является изолирующим, и полевой транзистор перестает проводить.Такой тип поведения называется «режимом истощения». Поскольку управляющее действие осуществляется электрическим полем (а не носителями, текущими в базовую область), все устройство называется полевым транзистором или «полевым транзистором».

Один металлический электрод называется истоком, один - затвором, а третий - стоком, аналогично эмиттеру, базе и коллектору в биполярном транзисторе. Это «N-канальное» устройство, потому что ток проходит через кремний N-типа. Символ отображается справа от поперечного сечения.Другой тип JFET, устройство с «P-каналом», имеет полупроводниковые области P и N противоположного типа, поэтому стрелка в символе направлена ​​в сторону от канала. Этот тип ворот должен быть заряжен положительно, чтобы перекрыть канал, отталкивая дыры. Он не так распространен, как показанный здесь, но он существует и может быть полезен для специальных целей.

Диод постоянного тока

Интересным применением JFET является «диод постоянного тока». Общий эффект от этого аналогичен эффекту биполярного регулятора напряжения, за исключением того, что здесь регулируется ток вместо напряжения.Это может быть очень простая схема, как показано на Рисунок 2 , диаграмма B.

РИСУНОК 2. N-канальный JFET-транзистор, подключенный к саморегулирующемуся устройству с постоянным током, с символом, показанным рядом с ним слева. Два других символа справа относятся к источникам постоянного тока, в том числе к источникам питания, например батареям.


Если посмотреть на отрицательный ток, который течет вверх через резистор, некоторая его часть будет направлена ​​на затвор, который частично отключает полевой транзистор.Это отрицательная обратная связь, поэтому, если ток в цепи начинает расти, транзистор отключается еще больше. Таким образом, протекает меньше тока, пока не будет достигнут некоторый постоянный уровень тока. Полевой транзистор и потенциометр находятся внутри изоляционного пластикового «пакета». Все это вместе с источником питания, таким как батарея (здесь не показана), обозначено двумя перекрывающимися кругами, Рисунок 2 , диаграмма C. Иногда используется альтернативный символ со стрелкой вверх, особенно в Европе, как показано на диаграмме D.

МОП-транзистор

Другой тип полевого транзистора проиллюстрирован на рис. 3 , металл-оксид-полупроводник или «МОП-устройство».

РИСУНОК 3. Упрощенная диаграмма поперечного сечения полевого МОП-транзистора с рабочей схемой. Это N-канальный режим, режим улучшения и обычно выключен. Справа показаны два альтернативных символа.


В этом транзисторе используется изолирующий диоксид кремния для предотвращения попадания тока затвора в основной полупроводник вместо обратносмещенного перехода, который использовался в полевом транзисторе.Его иногда называют IGFET из-за изолированного затвора. Это обычно выключенное устройство, которое необходимо включить каким-либо действием, поэтому оно называется устройством «улучшенного режима». (IGFET также может быть выполнен в конфигурации режима истощения.)

На рисунке, если потенциометр понижен до нуля, то ток батареи, имеющий тенденцию проходить как через лампочку, так и через транзистор, будет остановлен одним из PN-переходов. На этой диаграмме это верхний, который имеет обратное смещение.(Изначально пунктирная линия и область N посередине отсутствуют.)

Если стрелка потенциометра поднята, и теперь к затвору приложен положительный потенциал, дырки в кремнии P-типа отталкиваются, в результате чего эта область становится N-типа (на что указывает N в скобках). Теперь нет соединения PN непосредственно на пути между верхней и нижней областями N-типа, потому что все это одна непрерывная область N-типа (нарисованная как вертикальная черта, с пунктирной линией как один край).Этот транзистор также является N-канальным, потому что электричество проходит через кремний N-типа, когда он включен.

Если читатель желает получить некоторый опыт работы с полевым МОП-транзистором, можно установить амперметр, как показано на рис. , рис. 3 , чтобы показать, что измеримый ток не течет через затвор, даже когда лампа горит. На этой схеме мультиметр был переключен на измерение тока, и он перемещен к выводу затвора. (Эта схема также может быть использована для эксперимента с полевым транзистором. Экспериментатор должен отметить, что меры предосторожности для предотвращения повреждения МОП-устройств описаны в разделе «Чувствительность к электростатическому разряду» ниже.)

Символы для полевого МОП-транзистора показаны справа. Стрелка в данном случае указывает на то, что электрод «истока» внутренне соединен с подложкой, что часто делается, если один из PN-переходов не будет использоваться.

Если бы устройство было P-каналом, исток и сток были бы P-типа, а стрелка была бы направлена ​​в сторону от подложки N-типа.

Характеристические кривые и линия нагрузки

В типичных «спецификациях» полевых транзисторов используются форматы, аналогичные форматам электронных ламп.Форма кривых почти такая же, но напряжения обычно намного ниже. На входе - V GS , на выходе - I D . В этом случае MOSFET типа 2N7000 используется в N-канальном режиме расширения.

«Линия нагрузки» показана здесь пунктирной линией. Его наклон представляет собой эффект сопротивления нагрузки (например, лампочка на рис. 4 ), и он весьма полезен как способ показать величину тока в любой ситуации.

РИСУНОК 4. Характеристические кривые для полевого МОП-транзистора 2N7000 с линией нагрузки.


В случае, показанном здесь, сопротивление нагрузки составляет 1000 Ом, а V DS составляет 20 вольт. Пунктирная линия нагрузки проведена от максимально возможного напряжения (показано здесь как B) до максимально возможного тока с этой конкретной нагрузкой, который составляет 20 В / 1 кВт = 20 мА (показано как A). Если транзистор частично включен (V GS = 3 вольта), ток стока будет около 11 мА, как показано пересечением (кружок под буквой C).

КМОП

Два МОП-транзистора противоположного типа могут быть подключены, как показано на рис. 5 , в комплементарной конфигурации МОП («КМОП»).

РИСУНОК 5. Пара транзисторов CMOS. При отсутствии входного сигнала ток очень низкий.


Когда на вход не подается сигнал, один из транзисторов всегда «выключен», поэтому практически нулевой ток может проходить от источника питания вниз через резистор, а затем через пару транзисторов.Когда сигнал поступает на вход, ток нагрузки может поступать с выходной клеммы либо при высоком (V +), либо при низком (заземление) напряжении, в зависимости от полярности входного напряжения. Однако в ситуациях, когда нет входа, общий ток практически равен нулю.

В современных интегральных схемах миллионы транзисторов подключены параллельно, поэтому, если бы через каждый неиспользуемый из них протекал только микроампер «тока утечки», от источника питания или батареи все равно потреблялся бы ампер или более.Это будет генерировать много тепла, а также слишком быстро разряжать батареи для портативных устройств. Поэтому почти все современные калькуляторы, портативные компьютеры, сотовые телефоны и т. Д. По возможности используют схемы CMOS.

Чувствительность к электростатическому разряду

МОП-транзистор особенно чувствителен к повреждению статическим электричеством, которое возникает, когда человек идет по ковру в сухую погоду. Искра, которую создает человек при прикосновении к металлической лицевой панели переключателя света, называется электростатическим разрядом , или «ESD», но полевой МОП-транзистор может быть поврежден, даже если статического электричества недостаточно, чтобы образовалась видимая искра.

Статическое электричество может разрушить очень тонкий оксид кремния, изолирующий затвор. Некоторые МОП-транзисторы защищены стабилитронами, подключенными параллельно им внутри корпусов, но большинство из них не защищены. Чтобы предотвратить повреждение, люди, работающие с IGFET, всегда должны соблюдать эти две меры предосторожности:

  1. Касайтесь только пластиковой изоляции руками, а не металлическими выводами;
  2. Используйте заземленный браслет.

Последний представляет собой пластиковую ленту (обычно черного или розового цвета), которая проводит электричество и прикрепляется к длинному проводу.Его следует закрепить на любом запястье, касаясь кожи человека, а затем другой конец провода подсоединить к надежному заземлению, например к водопроводу. NV


Список деталей

JFET N-канал
Потенциометр 5000 Ом
Силовой полевой МОП-транзистор N-канал
Колба лампы Вольфрам, 12 В, 40 мА
Аккумулятор Девять вольт
Мультиметр
Антистатический браслет

Микро полевой транзистор

как проверить.Особенности проверки транзисторным мультиметром без сбрасывания. Как проверить мультиметр на биполярных транзисторах

Содержание:

Работоспособность радиотехнических схем во многом зависит от правильной сборки, а также от тестовых действий над ее элементами. Многие радиолюбители самостоятельно собирают схемы: как проверить транзисторный мультиметр, особенно когда он уже установлен и производительность настраивается. собрал девайс? Для того, чтобы настроить радиотехнические схемы, нужно понимать, что такое транзистор и как он работает.Рассмотрим вопросы тестирования схемы и проверки транзисторов.

Типы транзисторов

Проверка транзистора у специалиста начинается с определения элемента по его типу, это действие выполняется в случае ремонтных работ, а также в процессе проверки приобретенных схем на работоспособность.

Полупроводниковый тригод, изготовленный из материала с полупроводниковыми свойствами, имеющий три выхода, когда он может управлять второстепенным входным сигналом в схеме схемы на выходе схемы, называется транзистором.Он используется в устройствах генерации энергии, в коммутирующих цепях, в усилительных устройствах для усиления электрических сигналов, а также их преобразования.

В радиотехнике часто встречаются два типа транзисторов - полевые и биполярные радиотехнические элементы.

Основные типы:

Биполярные транзисторы характеризуются созданием электротока на выходе электронов и дырок, то есть обоих носителей знаков. Полевые параметры используются для генерации тока на выходе устройства только одной среды.С помощью вызова на мультиметре можно проверить работоспособность биполярного элемента, который имеет три выхода и два p-N перехода. Работа этого элемента в схеме предусматривает использование электронных зарядов и дырок, через управляющий ток регулируется через ток транзистора. Биполярный транзистор имеет полупроводниковые слои N-P-N и P-N-P и два перехода P-N, слои соединены с помощью контактов: средний слой - база, два крайних слоя - эмиттер и коллектор.В радиотехнике вывод со стрелкой в ​​элементе на схеме обозначает эмиттер и направление протекающего тока.

Разные по типу транзисторы имеют разные функции носителей заряда, чаще встречаются N-P-N Типы, которые имеют лучшие характеристики и параметры. Благодаря подвижности электроны играют «первую роль» элементов, работа устройства улучшается и с увеличением переходной площади коллектора.

Как проверить транзисторный мультиметр

Специалистам предлагается пошаговое действие Как проверить работоспособность радиотехнического элемента:

  • определить структуру полупроводникового прибора по стрелке эмиттера;
  • если стрелка показывает базу данных, переход p-n-p;
  • когда стрелка направлена ​​из базы данных прибора - проводимость N-P-N.

Различные типы проводимости:

После определения проводимости элемента диаграммы выполняем следующие действия:

  • измеряем наличие обратного сопротивления - щупом мультиметра (+) прикладываем к контакту базы;
  • проверяем переход на эмиттер - щуп прибора (-) прикладываем к контакту эмиттера.

Результатом этих манипуляций будет значение = 1, при исправном элементе проверьте прямое сопротивление:

  • щуп мультиметра (-) переведен с эмиттера на базу;
  • положительный датчик (+) по очереди применяется к коллектору и эмитенту.

В исправном транзисторе мультиметр при этих манипуляциях должен показывать сопротивление от 500 до 1000 Ом, что говорит о целостности компонента.

Когда возникает вопрос, как мультиметром для проверки транзистора, специалисты предлагают радиолюбителям определить базу, так как часто бывает сложно определить. Для этого необходимо выполнить следующие действия:

  • черный (-) щуп подключить к первому контакту, а плюс - ко второму;
  • потом замерил - черный на первом контакте (+) на третьем контакте;
  • когда напряжение на дисплее падает, это означает, что определена пара «эмиттер - база» или «коллектор - база»;
  • следующим шагом определяем вторую пару, а общий контакт - это база.

Как можно убедиться в исправности транзистора в схеме?

Каждый раз сложно проверить работу элементов, применяя питание их по схеме, сложно, в некоторых случаях сложно сделать, по этой причине специалисты рекомендуют использовать щуп, который поможет проверить Самостоятельное функционирование транзистора.

Данное устройство представляет собой блок-генератор, проверяющий NPN транзистора - это выполнение задачи активного устройства, индикаторы в сложной схеме показаны, пробивается полупроводниковый прибор или нет.Существует множество решений по изготовлению щупов, их варианты хорошо представлены в сети. Чтобы прозвонить триод, пошагово нужно произвести следующие действия:

  1. Проверить работу щупа на исправном транзисторе, должна быть генерация, затем продолжить испытание щупа. Если генерации нет, необходимо поменять выводы обмоток местами.
  2. Обращаем внимание на L1, лампу которая работает на открытие щупа, она должна гореть, если лампа не реагирует, пробуем поменять выводы на обмотках трансформатора.
  3. Когда пробник проверен, приступаем к работе со схемой - проверяем транзистор PNP на схеме, не роняя на плату, подключаем пробник к выходам, а переключатель перехода устанавливается в один из режимов - PNP или NPN, включаем питание.

Когда горит L1, это означает, что элемент исправен, если L2 горит, то это свидетельство какой-то неисправности, возможно, одного из переходов. Если не горит ни L1, ни L2, это означает, что полупроводниковый прибор не работает.

Когда нет возможности проверить транзистор мультиметром, не стоит отчаиваться, есть щупы, не требующие предварительной настройки, у них более простая схема - это обычная батарейка и лампочка, можно использовать ВЕЛ. При поочередном прикосновении контактов транзистора к простому устройству определяется пара, в которой светодиод горит, а в другом варианте нет - элемент радиотехники (транзистор) работает. Этот метод рекомендуется для зарубки цепи на платах, где отсутствует ток питания.Можете проверить тестером.

По какой причине не работает транзистор

Наиболее вероятные причины По мнению специалистов, выход из строя триггера в схеме следующий:

  • при пропадании (обрыве) одного из переходов;
  • переход обрыв;
  • пробой на одной из секций эмиттера или коллектора;
  • потери мощности полупроводниковым прибором в работе;
  • Визуальные повреждения выводов конвейера.

Признаки, по которым можно визуально определить поломку триггера на схеме: потемнение или изменение исходного цвета полупроводникового прибора, изменение его формы «выпуклость», наличие черного пятна.

Как проверяется составной транзистор

Устройство Дарлингтона называется составным транзистором, который в своей схеме объединяет несколько биполярных полупроводниковых устройств, что позволяет схеме решать такие задачи, как двойное или большее увеличение тока. Обычно композитные транзисторы используются в схемах, в которых протекает большой ток: стабилизаторы, усилители мощности. В этих устройствах нужен высокий уровень входного импеданса, другими словами комплексное сопротивление в полном объеме. Проверить составной транзистор можно так же, как N-P-N Element - прибор-мультиметр, как обычный биполярный прибор.

Выход

Прежде чем заняться вопросом, как проверить исправность триггера, необходимо, по мнению специалистов, разобраться, как он устроен и как должен работать. На следующем этапе рекомендуется грамотно подойти к выбору методики проверки работоспособности транзисторного мультиметра. Помимо определения неисправного элемента в схеме, необходимо понять причину появления этой неисправности, для замены маленького транзистора необходимо устранить причину, которая привела его в нерабочее состояние.

Полевые транзисторы - полупроводниковые устройства, в которых осуществляется управление переходными процессами, а также величина выходного тока за счет изменения величины электрического поля. Эти устройства бывают двух типов: С (в свою очередь, делятся на транзисторы со встроенным каналом и с индукционным каналом) и с управляемым переходом. Полевые транзисторы благодаря своим уникальным характеристикам широко используются в радиоэлектронной технике: блоках питания, телевизорах, компьютерах и т. Д.

При ремонте такой техники каждый начинающий радиолюбитель сталкивался с таким вопросом: как проверить полевой эффект? транзистор? Чаще всего с проверкой таких элементов можно столкнуться при ремонте блока питания.В этой статье мы подробно расскажем, как это сделать.

как проверить полевой транзистор измерителем

Прежде всего, чтобы приступить к проверке полевого транзистора, необходимо разобраться с его «подвалом», то есть с расположением выводов. На сегодняшний день существует множество различных исполнений таких элементов, соответственно расположение электродов у них отличается. Часто можно встретить полупроводниковые транзисторы с подписанными контактами.Для маркировки латинскими списками G, D, S. Если подписи нет, то необходимо воспользоваться справочной литературой.

Итак, разбираясь с маркировкой контактов, рассмотрим, как проверить полевой транзистор. Следующим шагом будет принятие необходимых мер безопасности, т.к. полевые устройства очень чувствительны к статическому напряжению, и чтобы не допустить выхода из строя такого элемента, необходимо организовать заземление. Чтобы снять накопившийся статический заряд, обычно надевают на запястье антистатический заземляющий браслет.

Не забывайте также, что полевые транзисторы необходимо хранить с закрытыми выводами. После снятия статического напряжения можно переходить к процедуре проверки. Для этого вам понадобится простой омметр. В рабочем элементе между всеми выводами сопротивление должно стремиться к бесконечности, но есть некоторые исключения. Теперь рассмотрим, как проверить полевой транзистор N-типа.

Подключаем положительный датчик к электроду заслонки (G), а отрицательный датчик - к контакту (ам) источника.В этот момент затвор емкостный и элемент открывается. При измерении сопротивления между истоком и стоком (D) мелометр покажет некоторое сопротивление. В разных типах транзисторов это значение разное. Если сдвинуть выводы конвейера, то сопротивление между стоком и истоком снова будет стремиться к бесконечности. Если этого не произошло, значит, транзистор неисправен.

Если спросить, как проверить полевой транзистор P-типа, то ответ прост: повторяем описанную выше процедуру, только меняем полярность.Не следует забывать, что современные мощные полевые транзисторы между истоком и стоком имеют встроенный диод, соответственно «его прозвали» только односторонним.

Проверка полевого транзистора мультиметром

При наличии прибора «Мультиметр» можно проверить полевой транзистор. Для этого установите диоды в «поперечный» режим и введите полевой элемент в режим насыщения. Если транзистор N-типа, то минусовой щуп касается стока, а плюс - шторки.В этом случае открывается исправный транзистор. Носим плюсовой щуп, не отпуская минус, на исток, а мультиметр показывает какое-то значение сопротивления. После этого заблокируйте транзистор: не снимая щуп с истока, минус коснется шторки и вернется в сток. Транзистор заблокирован, а сопротивление стремится к бесконечности.

Многие радиолюбители спрашивают: «Как проверить полевой транзистор, не уронив его?» Сразу отвечу, что стопроцентного выхода нет.Для этого используйте мультиметр с подушечкой HFE, но этот способ часто дает сбой, и на это можно потратить много времени.

Содержимое:

В электронике и электротехнике транзисторы относятся к одним из основных элементов, без какой-либо схемы работать не будут. Среди них были получены наиболее распространенные полевые транзисторы, управляемые электрическим полем. Само электрическое поле возникает под действием напряжения, поэтому каждый полевой транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, управляемый напряжением.Чаще всего применяются элементы с изолированной створкой. При эксплуатации радиоэлектронных устройств и оборудования довольно часто возникает необходимость проверки полевого транзистора мультиметром, не нарушая общей схемы и не роняя ее. Кроме того, результаты проверки влияют на модификацию этих устройств, которые технологически разделены на p- или r-каналы.

Устройство и принцип действия полевых транзисторов

Полевые транзисторы относятся к категории полупроводниковых приборов.Их усиливающие свойства создаются потоком основных носителей, который течет по проводящему каналу и контролируется электрическим полем. Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, для своей работы используют базовые носители заряда, расположенные в полупроводнике. По конструктивным особенностям и технологии производства полевые транзисторы делятся на две группы: элементы с управляющим R-P переходом и устройства с изолированной заслонкой.

Первый вариант включает элементы, шторка которых отделена от канала P-P перехода, смещенного в обратном направлении.Носители заряда попадают в канал через электрод, называемый источником. Выходной электрод, через который проходят носители заряда, называется потоком. Третий электрод - заслонка выполняет функцию регулировки поперечного сечения канала.

Когда минус подключен к истоку, а на сток есть положительное напряжение, в самом канале появляется электричество. Он создается за счет движения от истока к стоку основных носителей заряда, то есть электронов.Другой характерной особенностью полевых транзисторов является движение электронов по всему электронно-дырочному переходу.

Между заслонкой и каналом создается электрическое поле, которое способствует изменению плотности носителей заряда в канале. То есть изменяется величина протекающего тока. Поскольку управление происходит при обратном смещении P-P-перехода, сопротивление между каналом и управляющим электродом будет большим, а мощность, потребляемая от источника сигнала в схеме затвора, очень мала.Благодаря этому усиление электромагнитных колебаний обеспечивается током и напряжением, а также мощностью.

Есть полевые транзисторы, в которых затвор отделен от канала диэлектрическим слоем. Элемент с изолированной заслонкой включает в себя подложку - полупроводниковую пластину, имеющую относительно высокую высоту. В свою очередь, он состоит из двух участков с противоположными типами электропроводности. К каждому из них приложен металлический электрод - исходный и запасной. Поверхность между ними покрывает тонкий слой диэлектрика.Таким образом, полученная структура включает металл, диэлектрик и полупроводник. Это свойство позволяет проверить полевой транзистор мультиметром без падения. поэтому этот вид транзисторов сокращенно называют TIR. Они различаются наличием наведенных или встроенных каналов.

Мультиметр поверочный

Перед тем, как приступить к проверке исправности полевого транзистора мультиметром, рекомендуется принять определенные меры безопасности для предотвращения выхода транзистора из строя.Полевые транзисторы обладают высокой чувствительностью к статическому электричеству, поэтому перед проверкой необходимо организовать заземление. Для снятия накопленных статических зарядов следует носить браслет с антистатическим заземлением. При отсутствии такого браслета можно просто потрогать батарею обогрева или другие заземленные предметы.

Хранение полевых транзисторов, особенно маломощных, следует проводить с соблюдением определенных правил. Одна из них заключается в том, что выводы транзисторов в этот период находятся в замкнутом состоянии друг от друга.Конфигурация подвалов, то есть расположение выводов в разных моделях транзисторов может отличаться. Однако их маркировка остается неизменной, в соответствии с общепринятыми стандартами. Затвор на английском языке означает Gate, stock - DRAIN, source - источник, а для маркировки используются соответствующие буквы G, D и S. При отсутствии маркировки использовать специальный справочник или официальный документ производителя электронных компонентов необязательно.

Проверка может выполняться с помощью, но более удобным и эффективным будет кольцо цифрового мультиметра, настроенного для проверки P-N-переходов.Результирующее значение сопротивления, отображаемое на дисплее на пределе X100, будет численно соответствовать напряжению на переходе P-P в Миллилолт. После подготовки можно переходить к непосредственной проверке. В первую очередь нужно знать, что исправный транзистор имеет бесконечное сопротивление между всеми своими выводами. Устройство должно показывать такое сопротивление независимо от полярности щупа, то есть приложенного напряжения.

Современные мощные полевые транзисторы имеют встроенный диод, расположенный между стоком и истоком.В итоге при решении задачи, как прозвонить мультиметр на полевом транзисторе, канал стокового источника ведет себя аналогично обычному диоду. К отрицательному черному щупу нужно прикоснуться к подложке - стоку D, а к положительному красному щупу - к выходу истока S. Мультиметр покажет наличие прямого падения напряжения на внутреннем диоде до 500-800 милвольт. При обратном смещении, когда транзистор закрыт, устройство будет показывать бесконечно высокое сопротивление.

Далее черный щуп остается на месте, а красный щуп прикладывается к выходу заслонки G и снова возвращается к выходу S.В этом случае мультиметр покажет значение, близкое к нулю, независимо от полярности приложенного напряжения. Транзистор появится в результате прикосновения. Некоторые цифровые устройства могут показывать не нулевое значение, а 150-170 милвольт.

Если после этого, не отпуская красный щуп, коснуться шторки Gator G, а затем вернуть ее на выход проточной подложки D, то в этом случае произойдет закрытие транзистора, и мультиметр снова покажет падение напряжения на диоде.Такие показания характерны для большинства устройств с P-каналом, используемых в видеокартах и ​​материнских платах. Поверка P-канальных транзисторов проводится аналогично, только с изменением полярности щупа мультиметра.

Exist два типа биполярных транзисторов : PNP. -Транзистор I. NPN. -транзистор.

На рисунке ниже структурная схема PNP-транзистора:

Схематическое обозначение PNP-транзистора на схеме выглядит так:

где e - эмиттер, b - база, to - коллектор.

Существует еще один вид биполярных транзисторов: NPN-транзистор. Здесь материал P заключен между двумя материалами N.


Вот его схематическое изображение на диаграммах

Так как диод состоит из одного PN перехода, но транзистора из двух, это означает . Вы можете использовать транзистор. как два диода! Эврика!


Теперь мы можем проверить транзистор, проверив эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор.Как проверить диод, вы можете прочитать.

Проверка исправного транзистора

Что ж, давайте на практике определимся с характеристиками нашего транзистора. А вот и наш пациент:


Внимательно прочтите, что написано на транзисторе: C4106. Теперь откройте поисковик и ищите документ-описание этого транзистора. По-английски он называется «Datasheet». Правильно и забейте в поисковике "C4106 Datasheet". Учтите, что импортные транзисторы пишутся английскими буквами.

Нас больше всего интересует цоколевка конвейерных конвейеров, а также ее вид: NPN или PNP. То есть нам нужно знать, какой вывод из этого следует. Для этого транзистора нужно знать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор.

А вот ругать распиновку из даташита:


Теперь мы понимаем, что первый вывод - база, второй вывод - коллектор, ну и третий - Emitter


Возврат к нашему чертежу

Из даташита мы узнали, что наш транзистор проводимости NPN.

Ставим мультиметр на звонок и начинаем проверку "диодов" транзистора. Для начала ставим «плюс» на базу, а «минус» на коллектор


Все ОК, прямой переход PN должен иметь небольшое падение напряжения. Для кремниевых транзисторов это значение составляет 0,5-0,7 вольта, а для Германии 0,3-0,4 вольта. На фото 543 Милливольта или 0,54 вольт.

Проверяем переход база-эмиттер, ставя по базе «плюс», а по эмиттеру - «минус».


Мы снова видим падение напряжения при прямом переходе PN. Все ок.

Меняем щуп местами. Ставим «минус» на базу, а «плюс» на коллектор. Теперь измеряем обратное падение напряжения на PN переходе.

Все ок, как видим единичный.

Теперь проверим обратное падение напряжения перехода база-эмиттер.


Здесь наш мультиметр тоже показывает единицу. Так можно транзистору поставить диагноз - исправен.

Проверяем неисправный транзистор

Проверяем другой транзистор. Он похож на транзистор, который мы смотрели выше. Его маринование (то есть положение и значение выводов) такое же, как у нашего первого героя. Так же ставим мультиметр на звонок и цепляемся к своей подопечной.


Нолики ... Нехорошо. Это говорит о том, что PN-переход нарушен. Такой транзистор смело можно выкинуть в мусорку.

Проверка транзистора транзистором

Очень удобно проверять транзисторы, имея


Вывод

В заключение статьи хочу добавить, что лучше всегда находить даташет на проверенных транзистор.Есть так называемые составные транзисторы. Это означает, что в одном конструктивном корпусе транзистора можно установить два и более транзистора. Также следует учитывать, что некоторые радиоэлементы имеют такой же корпус, что и транзисторы. Это могут быть тиристоры, преобразователи напряжения или даже какая-то посторонняя микросхема.

Содержимое:

В электронике и радиотехнике большое значение имеет не только правильная сборка схемы, но и последующая проверка ее работоспособности.Все устройство или его можно проверить отдельными элементами. В связи с этим довольно часто возникает вопрос, как проверить транзисторный мультиметр, не нарушая схем. Существуют различные методы, которые используются индивидуально для каждого типа элементов. Перед тем, как приступить к такой проверке и тестированию, рекомендуется изучить устройство в целом и.

Основные типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов - биполярные и полевые. В первом случае выходной ток создается с участием носителей обоих знаков (дырок и электронов), а во втором - только одного.Определить неисправность каждого из них поможет транзисторный транзисторный мультиметр.

Биполярные транзисторы - это, по сути, полупроводниковые устройства. Они оснащены тремя выводами и двумя переходами r-p. Принцип работы этих устройств предполагает использование положительных и отрицательных зарядов - дырок и электронов. Контроль протекающих токов осуществляется с помощью специально выделенного управляющего тока. Эти устройства широко используются в электронных и радиотехнических схемах.

Биполярные транзисторы состоят из трехслойных полупроводников двух типов - «Р-П-П» и «П-П-П». Кроме того, в конструкции есть два р-р-перехода. Соединение полупроводниковых слоев с внешними выводами осуществляется через не считывающие полупроводниковые контакты. Средний уровень считается базой, которая подключается к соответствующему выходу. К выпускам также подключены два слоя, расположенные по краям - эмитент и коллектор. На электрических схемах Для обозначения эмиттера используется стрелка, показывающая направление тока, протекающего через транзистор.

В разных типах транзисторов у дырок и электронов - носителей электричества могут быть свои функции. Самый распространенный вид П-П-П благодаря лучшим параметрам и техническим характеристикам. Ведущую роль в таких устройствах играют электроны, выполняющие основные задачи по обеспечению всех электрических процессов. Они примерно в 2–3 раза подвижнее дырок, поэтому обладают повышенной активностью. Качественные улучшения в устройствах также происходят за счет переходной области резервуара, которая значительно больше, чем переходная область эмиттера.

В каждом биполярном транзисторе есть два r-p перехода. Когда транзистор проверяется мультиметром, он позволяет проверять работоспособность устройств, контролируя значения переходного сопротивления при подключении постоянного и обратного напряжения. Для нормальной работы П-П-П-М-устройств На коллектор подается положительное напряжение, под действием которого открывается базовый переход. После появления базового тока появляется коллекторный ток. Когда возникает отрицательное напряжение, транзистор закрывается и прекращает ток.

Основной переход в устройствах R-P-R открывается под действием отрицательного напряжения на коллекторе. Положительное напряжение дает толчок к закрытию транзистора. Все необходимые коллекторы на выходе можно получить, плавно изменяя значения тока и напряжения. Это позволяет эффективно проверить тестер биполярных транзисторов.

Существуют электронные устройства, Все процессы в которых управляются действием электрического поля, направленного перпендикулярно току.Эти устройства называются дикими или униполярными транзисторами. Основными элементами являются три контакта - источник, сток и затвор. Конструкция полевого транзистора дополнена проводящим слоем, выполняющим роль канала, по которому протекает электрический ток.

Эти устройства представлены модификациями «П» или «П» - канального типа. Каналы могут располагаться вертикально или горизонтально, иметь объемную или приповерхностную конфигурацию. Последний вариант также делится на инверсионные слои, содержащие обогащенные и обедненные.Формирование всех каналов происходит под действием внешнего электрического поля. Устройства с приповерхностными каналами имеют структуру, которая включает металл-диэлектрик-полупроводник, поэтому они называются транзисторами TIR.

Проверить мультиметр биполярный транзистор

Проверить исправность биполярного транзистора можно с помощью цифрового мультиметра. Этот прибор предназначен для измерения постоянных и переменных токов, а также напряжения и сопротивления. Перед началом измерения прибор необходимо правильно отрегулировать.Это даст возможность более эффективно решить задачу по проверке биполярного транзистора мультиметром без падения.

Современные мультиметры могут работать в специальном режиме измерения, поэтому значок диода изображен на корпусе. Когда решается вопрос, как проверить биполярный транзистор тестером, прибор переходит в режим проверки полупроводников, и на дисплее должна отображаться единица измерения. Подключения прибора подключаются так же, как и в режиме измерения сопротивления.Черный провод подключается к COM-порту, а провод красного цвета - к выходу, измеряющему сопротивление, напряжение и частоту.

В мультиметрах старой конструкции функция проверки диодов и транзисторов может отсутствовать. В таких случаях все действия производятся в режиме измерения сопротивления, установленного на максимум. Перед началом работы аккумулятор мультиметра необходимо зарядить. Кроме того, нужно проверить исправность зонда. Для этого их наконечники соединяются друг с другом.Писк прибора и отображаемые на дисплее нули говорят о исправности щупа.

Поверка мультиметра на биполярных транзисторах выполняется в следующем порядке:

  • В первую очередь нужно правильно соединить выводы мультиметра и транзистора. Для этого необходимо точно определить, где находятся база, коллектор и эмиттер. Для определения основания к первому электроду, который предположительно считается основным, подключается шеф черного цвета.Другой короткоцветный зонд поочередно сначала подключают ко второму, а затем к третьему электроду. Щупы меняют местами, пока прибор не определит падение напряжения. После этого биполярный транзистор окончательно выявляется мультиметром и определяются пары: «база-эмиттер» или «база-коллектор». Электроды эмиттера и коллектора определяют с помощью цифрового мультиметра. В большинстве случаев падение напряжения и сопротивление эмиттерного перехода выше, чем у коллектора.
  • Определение перехода П-П-П «База-коллектор»: короткий цвет подключается к базе данных, а черный - к коллектору. Такое соединение работает в диодном режиме и пропускает ток только в одном направлении.
  • Определение перехода P-P-P «База-Эмитент»: Red Property остается подключенным к базе данных, а главный черный должен быть подключен к эмитенту. Так же, как и в предыдущем случае, при таком подключении ток проходит только при прямом включении.Это подтверждает проверка NPN-транзистора мультиметром
  • .
  • Определение перехода R-P «Излучатель-коллектор»: В случае состояния этого перехода сопротивление на этом участке будет стремиться к бесконечности. Это указывает на единицу, отображаемую на дисплее.
  • Подключение мультиметра осуществляется к каждой паре контактов в двух направлениях. То есть транзисторы r-p-p-p проверяются обратным подключением к хвостам. В этом случае база данных подключается черным зондом.После измерений полученные результаты сравниваются между собой.
  • После проверки PNP-транзистора мультиметром работоспособность биполярного транзистора подтверждается, когда мультиметр показывает конечное сопротивление при измерении той же полярности, а измерение обратной полярности является единицей измерения. Эта проверка Не требует части доли доли.

Многие пытаются решить вопрос, как проверить транзистор без мультиметра с помощью лампочек и других приборов.Это делать не рекомендуется, поскольку элемент с большой вероятностью может выйти из строя.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Полевые транзисторы широко используются в аудио- и видеоаппаратуре, мониторах и источниках питания. Функционирование большинства зависит от их работы электронных схем. Поэтому в случае каких-либо неисправностей выполняется проверка этих элементов. разными способами, в том числе проверка транзисторов без питания от схемы мультиметра.

Типовая схема полевого транзистора представлена ​​на рисунке. Основные выводы - шторка, сток и источники могут располагаться по-разному, в зависимости от марки транзистора. При отсутствии маркировки необходимо уточнить справочные данные, относящиеся к конкретной модели.

Основная проблема, возникающая при ремонте электронной техники с полевыми транзисторами, - это проверка транзистора мультиметром без падения. Как правило, неисправности касаются полевых транзисторов большой мощности, которые используются в силовых блоках.Кроме того, эти устройства очень чутко реагируют на статические разряды. Поэтому, прежде чем решать вопрос, как прозвонить транзисторный мультиметр на плате, следует надеть специальный антистатический браслет и ознакомиться с правилами техники безопасности при выполнении этой процедуры.

Проверка с помощью мультиметра предполагает те же действия, что и в отношении биполярных транзисторов. Исправный полевой транзистор имеет бесконечно большое сопротивление между выводами, независимо от приложенного к нему испытательного напряжения.

Однако решение вопроса, как прозвонить транзисторный мультиметр, имеет свои особенности. Если положительный диплом мультиметра приложен к ставне, а отрицательный - к источнику, то в этом случае емкость затвора будет заряжена и произойдет открытие перехода. При замерах между стоком и истоком прибор показывает наличие небольшого сопротивления. Иногда электротехника при отсутствии практического опыта может рассчитать это на неисправность, что не всегда верно.Это может быть важно при проверке локального транзисторного мультиметра. Перед проверкой канала штатного источника рекомендуется произвести короткое замыкание всех выводов полевого транзистора для разряда переходных баков. После этого их сопротивление снова увеличится, после чего можно будет провести повторную зарубку транзисторов мультиметром. Если данная процедура не дала положительного результата, значит этот элемент находится в нерабочем состоянии.

В полевых транзисторах, используемых для мощных импульсных источников питания, в переходе штатного источника устанавливаются внутренние диоды.Поэтому этот канал При осмотре свойства обычного полупроводникового диода. Поэтому для устранения ошибки перед проверкой самовоспроизведения транзистора мультиметром следует проверить наличие внутреннего диода. После первой проверки щуп мультиметра необходимо поменять местами. После этого на экране появляется одна, указывающая на бесконечное сопротивление. Если этого не происходит, велика вероятность неисправности полевого транзистора. С помощью прибора можно не только проверить, но и измерить транзистор мультиметром.

Как проверить составной транзисторный мультиметр

Составной транзистор или транзистор Дарлингтона - это схема, объединяющая в своем составе два или более биполярных транзистора. Это позволяет значительно увеличить коэффициент усиления. Такие транзисторы используются в схемах, рассчитанных на работу с большими токами, например, в стабилизаторах напряжения или выходных каскадах усилителей мощности. Они нужны, когда требуется обеспечить большой входной импеданс, то есть полное комплексное сопротивление.

Общие выводы составного транзистора W. То же, что и у биполярной модели. Аналогичным образом проверяется NPN-транзистор мультиметром. В этом случае применяется методика, аналогичная проверке обычного биполярного транзистора.

Структура и принцип работы полевых транзисторов

Полевой транзистор - это полупроводниковое устройство, которое использует эффект электрического поля входной цепи управления для управления током выходной цепи и названо в честь него.Поскольку проводимость электричества зависит только от основного носителя в полупроводнике, его также называют униполярным транзистором. FET на английском языке - полевой транзистор, сокращенно FET. Существует два основных типа: транзисторный полевой транзистор (JFET) и полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET).

Каталог

I Структура и принцип работы

Полевые транзисторы делятся на две категории: полевые транзисторы (JFET) и металлические оксидные полупроводниковые (полевые транзисторы) МОП-транзистор) .

В зависимости от типа материала канала и типа изолированного затвора различают транзисторы с каналом N и P с каналом;

В зависимости от режима проводимости различают тип истощения и тип улучшения. Все полевые транзисторы JFET имеют истощенные типы, а полевые МОП-транзисторы имеют как типы истощения, так и типы расширения.

1. Соединительный полевой транзистор

(1) Структура

Структура N-канального полевого транзистора показана на следующем рисунке.Это структура, в которой PN-переход изготовлен на каждой стороне полупроводниковой кремниевой пластины N-типа, образуя структуру, в которой два PN-перехода образуют между собой канал N-типа. Две области P являются затворами, один конец кремния N-типа - сток, а другой конец - исток.

Рис. 1. Структура переходного полевого транзистора

(2) Принцип работы

Рассмотрим N-канал в качестве примера, чтобы проиллюстрировать его принцип работы.

Когда VGS = 0, когда определенное напряжение приложено между стоком и истоком, основная несущая будет дрейфовать между стоком и истоком, создавая ток стока. Когда VGS <0, PN-переход смещен в обратном направлении, образуя обедненный слой. Канал между стоком и истоком сузится, а ID уменьшится. Если VGS продолжает уменьшаться, канал будет продолжать сужаться, и ID будет продолжать уменьшаться, пока не достигнет 0. Когда ID равен 0, соответствующий VGS называется напряжением отсечки VGS (выключено).

(3) Характеристическая кривая переходных полевых транзисторов

Имеются две характеристические кривые переходного полевого транзистора,

Одна из них является выходной характеристической кривой (ID = f (VDS) | VGS = константа) , второй - кривая передаточной характеристики (ID = f (VGS) | VDS = constant).

Характеристическая кривая полевого транзистора с N-канальным переходом показана на рисунке ниже.

(A) Характеристическая кривая дренажного выхода (b) Кривая передаточной характеристики

Рисунок 2.Характеристическая кривая полевого транзистора с N-канальным переходом

2. Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор

Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы делятся на:

Тип обеднения & rarr; Канал N, канал P

Тип расширения & rarr; N-канал, P-канал

(1) Структура N-канального FET типа истощения

Структура и символ N-канального режима истощения показаны на следующем рисунке (а).Изолирующий слой SiO2 под затвором легирован большим количеством положительных ионов металлов. Таким образом, когда VGS = 0, эти положительные ионы индуцировали инверсионный слой, образуя канал. Следовательно, пока есть напряжение сток-исток, существует ток стока.

Когда VGS> 0, ID будет увеличиваться. Когда VGS <0, ток стока постепенно уменьшается по мере уменьшения VGS до ID = 0. VGS, когда ID = 0, называется напряжением отсечки, иногда обозначается символом VGS (выкл.) Или VP.

Кривая передаточной характеристики N-канального обедненного режима показана на рисунке (b) ниже.

(a) Структурная диаграмма (b) Кривая передаточной характеристики

Рисунок 3. Структура и кривая передаточной характеристики в режиме обеднения N-канала

(2) Тип расширения N-канала FET

N-канальный полевой транзистор улучшенного типа имеет структуру, аналогичную структуре режима обеднения.Но когда VGS = 0 В, добавление напряжения между стоком и истоком не образует тока. При подаче напряжения на затвор, если VGS> VGS (th), образуется канал, соединяющий сток и исток. Если в это время приложено напряжение сток-исток, может быть сформирован идентификатор.

Когда VGS = 0V, ID = 0, и ток стока улучшенного типа появится только после VGS> VGS (th).

ВГС (th) - напряжение открытия или напряжение клапана;

Рисунок 4.N-канальный тип расширения FET

(3) P-канальный режим расширения и режим истощения MOSFET

Принцип работы P-канального MOSFET точно такой же, как у N-канального MOSFET, за исключением того, что токопроводящие носители и полярность питающего напряжения различны. Это похоже на типы биполярных транзисторов NPN и PNP.

3. Вольт-амперная характеристика полевого транзистора

Существует много типов характеристических кривых полевых транзисторов.Имеются четыре кривые передаточных характеристик и кривые выходной характеристики в зависимости от того, увеличены они или истощены, а также их направления напряжения и тока, соответствующие разным проводящим каналам. Если положительное направление задано равномерно, характеристические кривые будут построены в разных квадрантах. Чтобы упростить рисование, положительное направление транзистора с каналом P обратное. Соответствующие кривые показаны на рисунке ниже.

Рисунок 5.Кривая вольт-амперной характеристики полевых транзисторов

4. Сравнение различных характеристик полевых транзисторов

(a) Кривая передаточной характеристики (b) Кривая выходной характеристики

Рисунок 6. Сравнение различных характеристик полевых транзисторов

II Параметры полевого транзистора

Есть много параметров полевых транзисторов, включая параметры постоянного тока, параметры переменного тока и предельные параметры, но в целом нам нужно обратить внимание только на следующие параметры.

(1) Напряжение отсечки (UP)

Это относится к напряжению UGS, приложенному к затвору, когда ток стока / D (т. Е. Ток канала) равен нулю или меньше небольшого значения тока (например, 1 мкА. 10 мкА) при указанном напряжении стока UDS. Это важный параметр полевых МОП-транзисторов переходного или обедненного типа.

(2) Напряжение включения (UT)

Это напряжение затвора UGS, когда токопроводящий канал (между стоком и истоком) только что включен, когда напряжение стока UDS имеет определенное значение .Это важный параметр усиленного полевого транзистора. Когда напряжение затвора UGS меньше абсолютного значения напряжения включения, полевой транзистор не может быть включен.

(3) Ток утечки насыщения (DSS)

Это относится к току утечки насыщения тока стока D, вызванному определенным напряжением стока UDS (больше, чем напряжение отсечки), когда затвор и исток закорочены (UGS = 0). Он отражает проводимость исходного канала при нулевом напряжении на затворе, что является важным параметром истощенных полевых транзисторов.

(4) Низкочастотная крутизна (gm)

Когда напряжение стока UDS находится на заданном значении, отношение изменения тока стока к изменению напряжения затвора △ UGS, которое вызывает это изменение, называется крутизной , то есть:

Общая единица измерения грамма - мСм (миллисименс). gm - это параметр, который измеряет силу напряжения затвора полевого транзистора при управлении током стока, а также эффект усиления.Он аналогичен коэффициенту усиления переменного тока транзистора β и связан с рабочей площадью транзистора. Чем больше ток стока / D, тем больше gm.

(5) Напряжение пробоя истока стока (BUDS)

Это относится к максимальному напряжению стока, которое может выдержать полевой транзистор при постоянном напряжении затвора UGS. Это эквивалентно напряжению пробоя коллектор-эмиттер V (BR) ceo (т.е. BUceo) обычного кристаллического транзистора.Это предельный параметр, и рабочее напряжение, подаваемое на полевой транзистор, должно быть меньше BUDS.

(6) Максимальный ток сток-исток (DSM)

Это относится к максимальному току, допустимому между стоком и истоком, когда полевой транзистор работает нормально. Это эквивалентно рабочему току обычного кристаллического транзистора. Этот предельный параметр не должен превышаться.

(7) Максимальное рассеивание мощности (PDSM)

Это относится к максимально допустимому рассеиванию мощности стока, когда характеристики полевого транзистора не ухудшаются, что эквивалентно Pcm обычного транзистора.При использовании фактическая потребляемая мощность полевого транзистора (PD = UDS & times; / D) должна быть меньше этого предельного параметра и оставлять определенный запас.

III Полевой транзистор Метод тестирования

1. Идентификация выводов JFET

Затвор полевого транзистора эквивалентен базе транзистора, а исток и сток соответствуют эмиттер и коллектор транзистора соответственно.Установите мультиметр на «R × 1k» и используйте два измерительных провода для измерения прямого и обратного сопротивления между каждыми двумя контактами. Когда положительное и обратное сопротивление двух выводов составляют несколько тысяч Ом, тогда эти два вывода являются стоком и истоком (взаимозаменяемы), а оставшийся вывод - затвором. Для соединительных полевых транзисторов с 4 контактами другой полюс является полюсом экранирования (заземление при использовании).

2. Решение затвора

Подключите черный измерительный провод мультиметра к одному электроду транзистора, а красный измерительный провод - к двум другим электродам соответственно.Если значения сопротивления, измеренные дважды, очень велики, это означает, что они являются обратными сопротивлениями. Итак, это N-канальный полевой транзистор, и черный провод подключен к затвору.

Рис. 7. Тестовый полевой транзистор с мультиметром

В процессе производства определяется, что исток и сток полевого транзистора симметричны и могут использоваться взаимозаменяемо без нарушения нормальной работы цепи, поэтому нет необходимости их различать.Сопротивление между истоком и стоком составляет около нескольких тысяч Ом.

Обратите внимание, что этот метод не может использоваться для определения затвора полевого МОП-транзистора. Поскольку входное сопротивление полевого МОП-транзистора чрезвычайно велико, а межэлектродная емкость между затвором и истоком очень мала, до тех пор, пока во время измерения имеется небольшое количество зарядов, на межэлектродной емкости может формироваться высокое напряжение, что легко повредить транзистор.

3. Оценка усиления

Установите мультиметр на «R × 100» и подключите красный измерительный провод к источнику, а черный измерительный провод к стоку, что эквивалентно добавлению 1.Напряжение питания 5В на полевой транзистор. В это время стрелка указывает значение сопротивления между стоком и истоком.

Затем зажмите затвор пальцем, чтобы подать индуцированное напряжение человеческого тела в качестве входного сигнала на затвор. Из-за эффекта усиления транзистора изменятся как UDS, так и ID, что означает, что сопротивление между стоком и истоком также изменится, и измерительный провод сильно колеблется. Если качание небольшое, когда вы зажимаете затвор, это означает, что способность транзистора к увеличению мала; если вывод не двигается, это означает, что транзистор поврежден.

Поскольку напряжение переменного тока 50 Гц, индуцируемое человеческим телом, довольно велико, и разные полевые транзисторы могут иметь разные рабочие точки при измерении с помощью резистивного редуктора, руки могут качаться вправо или влево, когда затвор защемлен. рука. Когда RDS транзисторов уменьшается, измерительный провод поворачивается вправо, в то время как он поворачивается влево, если RDS увеличивается.

Независимо от направления движения стрелок, пока есть четкое движение, это означает, что транзистор может усиливать.

Этот метод также подходит для измерения МОП-транзисторов. Чтобы защитить полевой МОП-транзистор, необходимо удерживать изолирующую ручку и соединить затвор с помощью металлического стержня, чтобы предотвратить непосредственное добавление индуцированного телом человека заряда к затвору и повреждения транзистора.

После каждого измерения МОП-транзистора на конденсаторе перехода G-S будет небольшое количество зарядов, и будет установлено напряжение UGS. Затем, если вы продолжите тест, измерительный провод может не двигаться, и короткое замыкание цепи между полюсом G-S решит проблему.

IV Меры предосторожности

1. Для безопасного использования полевого транзистора в схемотехнике ограничивают параметры , такие как рассеиваемая мощность, максимальное напряжение сток-исток, максимальное сопротивление затвор-исток. напряжение, и максимальный ток не должен быть превышен.

2. При использовании различных типов полевых транзисторов их необходимо вставлять в схему в строгом соответствии с требуемым смещением и соблюдать полярность смещения полевого транзистора.Например, существует PN-переход между истоком и стоком затвора с полевым эффектом перехода, поэтому затвор N-канала не может иметь положительного смещения, а затвор P-канала не может иметь отрицательного смещения.

3. Из-за чрезвычайно высокого входного сопротивления полевого МОП-транзистора, выводные контакты должны быть закорочены во время транспортировки и хранения. Кроме того, следует использовать металлический экранирующий пакет, чтобы предотвратить повреждение затвора внешним наведенным потенциалом.

В частности, полевой МОП-транзистор лучше хранить в металлической коробке , а не в пластиковой. Также следует отметить влагостойкость транзистора.

4. Во избежание индукционного пробоя затвора полевого транзистора все испытательные приборы, рабочие столы, электрические утюги и сама цепь должны быть хорошо заземлены, что означает:

(1) При пайке булавки, сначала припаяйте электрод истока.

(2) Перед подключением к цепи все выводы транзистора должны быть закорочены друг с другом, а закорачивающий материал удаляется после сварки.

(3) Когда вы извлекаете транзистор из стойки для компонентов, человеческое тело должно быть заземлено соответственно, как при использовании заземляющего кольца.

(4) Если вы используете современный газонагревательный электрический паяльник, сваривать полевой транзистор удобнее, но вы должны обеспечить безопасность.

Рисунок 8. Газонагревательная пайка

(5) категорически запрещается вставлять или втягивать транзистор в схему без отключения питания.

5. При установке полевого транзистора положение установки должно быть как можно дальше от от нагревательного элемента . А чтобы не допустить вибрации транзистора, необходимо закрепить корпус транзистора. Также, когда мы сгибаем штифт, он должен быть на 5 мм выше основания, чтобы не повредить штифт и не вызвать утечку воздуха.

6. При использовании транзистора VMOS необходимо добавить соответствующий радиатор. Взяв VNF306 в качестве примера, максимальная мощность может достигать 30 Вт только после того, как транзистор оснащен 140-кратным излучателем диаметром 140 мм.

7. После параллельного соединения нескольких транзисторов высокочастотные характеристики усилителя ухудшаются из-за увеличения межэлектродной емкости и распределенной емкости , и легко вызвать высокочастотные паразитные колебания. через обратную связь. По этой причине обычно используется не более четырех параллельных составных транзисторов, и сопротивление антипаразитных колебаний должно быть подключено последовательно к базе или затвору каждого транзистора.

8. Напряжение затвор-исток переходного полевого транзистора не может быть изменено на противоположное и может сохраняться в открытом состоянии. Когда полевой МОП-транзистор не используется из-за очень высокого входного сопротивления, каждый электрод должен быть закорочен, чтобы предотвратить повреждение транзистора внешним электрическим полем.

9. Во время сварки внешняя оболочка электрического паяльника должна быть оборудована внешним заземляющим проводом , чтобы предотвратить повреждение транзистора из-за заряженного электрического утюга.Для небольшого количества пайки вы также можете отключить паяльник после его нагрева или отключить питание и припаять его. Особенно при сварке полевых МОП-транзисторов, исток-сток-затвор следует сваривать по порядку, а цепь должна быть отключена.

10. При сварке электрическим паяльником мощностью 25 Вт работа должна быть быстрой. Если вы используете электрический паяльник мощностью от 45 до 75 Вт, воспользуйтесь пинцетом, чтобы зажать основание штифта, чтобы улучшить отвод тепла. Используйте мультиметр, чтобы проверить качество полевого транзистора перехода (например, сопротивление между прямым и обратным сопротивлением каждого PN перехода и сток-исток).Однако полевой МОП-транзистор нельзя проверить мультиметром, вместо этого необходимо использовать тестер. А линию короткого замыкания каждого электрода можно удалить только после подключения тестера. При снятии мы должны сначала устранить короткое замыкание, а затем удалить его, чтобы избежать плавающего затвора.

Рис. 9. Тестер MOSFET

При высоком входном импедансе необходимо принять меры по защите от влаги, чтобы предотвратить снижение входного сопротивления полевого транзистора из-за температуры.Если используется четырехпроводной полевой транзистор, провод подложки следует заземлить. Транзистор с керамическим корпусом стоит, поэтому его следует защищать от света.

Для силовых полевых транзисторов должны быть хорошие условия рассеивания тепла . Поскольку силовой полевой транзистор используется в условиях высокой нагрузки, необходимо разработать достаточно радиаторов, чтобы температура корпуса не превышала номинальное значение, чтобы устройство могло стабильно работать в течение длительного времени.

Вкратце, чтобы гарантировать безопасное использование полевого транзистора, необходимо отметить ряд факторов, а также различные меры безопасности. Огромное количество профессионального и технического персонала, особенно энтузиасты электроники, должны принять практические меры для безопасного и эффективного использования полевых транзисторов в соответствии с их реальной ситуацией.

V Полевой эффект Transisto r VS. Транзистор

1. Исток S, затвор G и сток D полевого транзистора соответствуют эмиттеру E, базе B и коллектору C транзистора соответственно, и их функции аналогичны.

2. Полевой транзистор - это устройство , управляемое напряжением, токовое устройство для управления идентификатором с помощью VGS, и его коэффициент усиления gm, как правило, невелик, поэтому емкость полевого транзистора недостаточна. Транзистор представляет собой устройство , управляемое током, для управления IC посредством iB (или iE).

3. Затвор полевого транзистора почти не поглощает ток, в то время как база транзистора поглощает определенный ток во время работы. Следовательно, входное сопротивление полевого транзистора выше, чем у транзистора.

4. Полевой транзистор является проводящим с несущими . Транзистор может проводить электричество с большинством и неосновными носителями. Поскольку на концентрацию неосновных носителей сильно влияют температура, излучение и другие факторы, полевой транзистор имеет лучшую температурную стабильность и радиационную стойкость, чем транзистор.

Рис. 10. Мажоритарный и второстепенный поток несущей PNP-транзистора

Полевой транзистор следует использовать в условиях окружающей среды (температура и т. Д.)) сильно различаются.

5. Когда металл истока соединен с подложкой, электрод истока и электрод стока могут использоваться взаимозаменяемо , и их характеристики не сильно меняются. Однако, если коллектор и эмиттер транзистора используются взаимозаменяемо, его характеристики будут сильно отличаться, и значение β сильно уменьшится.

6. Коэффициент шума полевого транзистора очень мал, поэтому полевой транзистор следует выбирать в схеме малошумящего усилителя, где входной каскад требует высокого отношения сигнал / шум (SNR).

7. Полевые транзисторы и транзисторы могут образовывать различные и переключающие схемы, но полевой транзистор более широко используется в крупномасштабных и сверхбольших интегральных схемах из-за его простого производственного процесса, низкого энергопотребления, хорошей термостойкости. , широкий диапазон рабочего напряжения питания и другие преимущества.

8. Сопротивление в открытом состоянии транзистора велико, а сопротивление полевого транзистора невелико, всего несколько сотен миллиом. В современных электрических устройствах полевые транзисторы обычно используются в качестве переключателя из-за их высокого КПД.

Рекомендовано Артикул:

Введение в TFT-дисплеи

Обзор биполярных транзисторов

Каковы методы тестирования и типы транзисторов?

Какие методы тестирования и типы транзисторов?

Транзистор - это полупроводниковое устройство, которое обычно используется в усилителях или переключателях с электронным управлением. Это основной строительный блок, который регулирует работу компьютеров, сотовых телефонов и всех других современных электронных схем.Благодаря быстрому времени отклика и высокой точности транзисторы могут использоваться для множества цифровых и аналоговых функций, включая усиление, переключение, регулировку напряжения, модуляцию сигнала и генераторы.

Каталог

I Метод классификации транзисторов

Строго говоря, транзистор относится ко всем отдельным компонентам на основе полупроводниковых материалов, включая диоды (две клеммы), транзисторы, полевые транзисторы, тиристоры (последние три имеют три терминала).

Трехполюсные транзисторы в основном делятся на две категории: биполярные транзисторы (BJT), и полевые транзисторы (, , полевые транзисторы, , ), . Три вывода биполярного транзистора - это эмиттер, база и коллектор, состоящие из полупроводников N-типа и P-типа; Три вывода полевого транзистора - это исток, затвор и сток.

Транзисторы можно классифицировать по:

● Материал

Транзисторы можно разделить на кремниевые транзисторы и германиевые транзисторы на основе полупроводниковых материалов.И в зависимости от полярности, два типа транзисторов можно разделить на германиевый транзистор типа NPN, германиевый транзистор PNP, кремниевый транзистор типа NPN и кремниевый транзистор типа PNP.

Производственный процесс

Существуют транзисторы диффузного типа, транзисторы из сплава и транзисторы планарного типа в соответствии с процессом изготовления транзисторов.

● Допустимый ток

Транзисторы можно разделить на три группы: транзисторы малой мощности, транзисторы средней мощности и транзисторы большой мощности в зависимости от их текущей емкости.

● Рабочая частота

По рабочей частоте бывают низкочастотные транзисторы, высокочастотные транзисторы и сверхвысокочастотные транзисторы.

● Структура корпуса

В свете структуры корпуса транзисторы можно разделить на транзисторы в металлической упаковке, транзисторы в пластиковой упаковке, транзисторы в стеклянной упаковке, транзисторы для поверхностного монтажа и транзисторы в керамической упаковке.

Функции и использование

Транзисторы можно разделить на малошумящие транзисторы усилителя, средние и высокочастотные транзисторы усилителя, транзисторы усилителя низкой частоты, переключающие транзисторы, транзисторы Дарлингтона, высоковольтные транзисторы, полосовые транзисторы, демпфирующие транзисторы, микроволновые транзисторы, фототранзисторы и магнитные транзисторы.

II Типичные типы транзисторов

Полупроводниковый транзистор - это полупроводниковый прибор , который обычно содержит два PN-перехода внутри и три извлекающих электрода снаружи. Строго говоря, под транзистором понимаются все отдельные компоненты на основе полупроводниковых материалов, включая диоды (два вывода), транзисторы, полевые транзисторы, тиристоры (последние три имеют три вывода).

Трехполюсные транзисторы в основном делятся на две категории: транзисторы с биполярным переходом (BJT) и полевые транзисторы (FET).Три вывода биполярного транзистора - это эмиттер, база и коллектор, состоящие из полупроводников N-типа и P-типа; Три вывода полевого транзистора - это исток, затвор и сток. Ниже в основном обсуждаются биполярные транзисторы, полевые транзисторы и некоторые другие типичные типы транзисторов.

1. Биполярные переходные транзисторы (BJT)

Биполярные переходные транзисторы (BJT) - это устройство, которое объединяет два PN-перехода посредством определенного процесса.Здесь «биполярный» означает, что и электронных , и отверстий участвуют в движении одновременно, когда они работают. Есть две комбинированные структуры: PNP и NPN. Снаружи выведены три полюса: коллектор, эмиттер и база. Коллектор выводится из области коллектора, эмиттер выводится из области эмиттера, а база выводится из области базы (в середине).

Условное обозначение схемы PNP (a) , расположение (b), Условное обозначение схемы NPN (c) , расположение 9 (d) Эффект усиления BJT в основном зависит от передачи эмиттерного тока от области базы к области коллектора.Для обеспечения этого процесса передачи должны быть выполнены два условия:

Внутренние условия

Концентрация примеси в эмиттерной области должна быть намного больше, чем в базовой области, а толщина базовой области должна быть небольшой.

Внешние условия

Эмиттерный переход должен быть смещен в прямом направлении, а коллекторный переход - в обратном направлении.

2. Полевые транзисторы

Полевые транзисторы - это транзисторы, которые работают по принципу полевого эффекта полупроводников.Существует два основных типа полевых транзисторов: Junction FET (JFET) и Metal-Oxide Semiconductor FET (MOSFET) .

Обозначение переходной схемы полевого транзистора

Эффект поля используется для изменения направления или величины приложенного электрического поля, перпендикулярного поверхности полупроводника, чтобы контролировать плотность или тип основных носителей в проводящем слое ( канал) полупроводника. Ток в канале модулируется напряжением, а рабочие токи исходят от основных носителей заряда в полупроводнике.

В отличие от BJT, только один вид несущих (основные несущие) полевого транзистора участвует в процессе проводимости, поэтому его также называют униполярным транзистором.

Преимущества полевых транзисторов:

○ высокий входной импеданс

○ низкий уровень шума

○ высокая предельная частота

○ низкое энергопотребление

○ простой производственный процесс

○ хорошие температурные характеристики

Эти особенности сделать их широко используемыми в различных схемах усилителей, цифровых схемах, микроволновых схемах и т. д.Металлооксидно-полупроводниковые полевые транзисторы на основе кремния (MOSFET) и полевые металло-полупроводниковые транзисторы на основе GaAs (MESFET) являются двумя наиболее важными полевыми транзисторами, которые, соответственно, являются основными устройствами крупномасштабных МОП-транзисторов. интегральные схемы и сверхбыстрые интегральные схемы MES.

3. Другие типичные типы транзисторов

Гигантские транзисторы (GTR)

Гигантский транзистор - это своего рода биполярный транзистор, который может выдерживать высокое напряжение и большой ток, поэтому его также можно назвать power BJT .

Его характеристики:

○ высокое сопротивление напряжению

○ большой ток

○ хорошие коммутационные характеристики

○ сложная схема управления и большая мощность привода

Принцип работы GTR такой же, как и у обычных биполярных транзисторов. .

Фототранзисторы

Фототранзистор - это тип фотоэлектрического устройства, состоящего из трехконтактного устройства, такого как биполярный транзистор или полевой транзистор.Свет поглощается в активной области устройства, производя фотогенерируемые носители, которые усиливаются внутренним механизмом и генерируют усиление фототока. Поскольку фототранзистор работает с тремя выводами, легко добиться электрического управления или синхронизации.

Схема и чертеж фототранзистора

В основном фототранзисторы бывают двух типов: биполярные фототранзисторы и полевые фототранзисторы .Биполярные фототранзисторы обычно имеют высокий коэффициент усиления, но скорость невысока. Для биполярных фототранзисторов GaAs-GaAlAs его коэффициент усиления может быть больше 1000, а время отклика больше наносекунд. Этот вид фототранзистора часто используется для оптических детекторов или оптического усиления. Фототранзистор с полевым эффектом имеет быструю скорость отклика (около 50 пикосекунд), но его светочувствительная площадь и коэффициент усиления невелики, что часто используется в качестве высокоскоростного фотодетектора.

Время отклика планарных оптоэлектронных устройств составляет десятки пикосекунд, что делает их пригодными для оптоэлектронной интеграции.

Транзисторы статической индукции

Транзистор статической индукции (SIT) на самом деле является переходным полевым транзистором. Для маломощного SIT, используемого для обработки информации, если мы изменим его горизонтальную проводящую структуру на вертикальную проводящую структуру, он может быть преобразован в устройство SIT высокой мощности.

Рабочая частота SIT эквивалентна или даже выше, чем у силовых полевых МОП-транзисторов, а его мощность больше, чем у силовых полевых МОП-транзисторов.Следовательно, он подходит для приложений высокочастотных и высокомощных , таких как оборудование радиолокационной связи, ультразвуковое усиление мощности, усиление импульсной мощности и высокочастотный индукционный нагрев.

Однако SIT включается, когда на затвор не подается сигнал, и выключается, когда затвор применяется с отрицательным смещением, что неудобно в использовании. Кроме того, большое сопротивление SIT в открытом состоянии увеличивает потери, поэтому он не получил широкого распространения в большинстве силового электронного оборудования.

Одноэлектронные транзисторы

Одноэлектронные транзисторы могут записывать сигналы с одним или несколькими электронами.

С развитием техники травления полупроводников уровень интеграции крупномасштабных интегральных схем становится все выше и выше. В настоящее время каждая ячейка общей памяти содержит 200 000 электронов, в то время как каждая ячейка памяти одноэлектронного транзистора содержит только один или небольшое количество электронов, что может значительно снизить энергопотребление и повысить уровень интеграции интегральных схем.

Принципиальная схема одноэлектронного транзистора

В 1989 г. J.H. Ф. Скотт Томас и его партнеры обнаружили Кулоновскую блокаду в ходе эксперимента. На испытании они попытались сделать металлический электрод с небольшой площадью на двумерном электронном газе на границе раздела гетероперехода с модуляцией, чтобы можно было сформировать квантовую точку с малой емкостью (10 ~ 15 фарас). в электронном газе.При подаче напряжения через устройство не будет протекать ток, пока напряжение не станет достаточно большим, чтобы вызвать изменение заряда электрона. Следовательно, соотношение тока и напряжения не линейное, а ступенчатое. В этом эксперименте впервые в истории вручную контролировалось движение электрона, что обеспечило экспериментальную основу для производства одноэлектронных транзисторов.

Чтобы повысить рабочую температуру одноэлектронного транзистора, размер квантовой точки должен быть менее 10 нанометров, что является актуальной проблемой для лабораторий во всем мире.

III Как тестировать транзисторы

Транзисторы в схеме в основном включают кристаллические диоды, кристаллические транзисторы, тиристоры и полевые транзисторы, среди которых чаще всего используются кристаллические транзисторы и диоды. Так как же правильно судить о качестве диодов и транзисторов?

1. Обнаружение кристаллических диодов

Рабочие характеристики: хорошие или плохие

Во-первых, мы должны судить, что материал кристаллического диода - кремний или германий.Используйте один мультиметр, чтобы измерить его прямое сопротивление, и другой мультиметр, чтобы измерить падение напряжения. Обычно прямое падение напряжения германиевой трубки составляет 0,1-0,3 В, а кремниевой трубки - 0,6-0,7 В.

Кроме того, разница между прямым и обратным сопротивлением диодов должна быть как можно большей. Если прямое сопротивление кристаллического диода составляет от сотен до тысяч Ом, а обратное сопротивление составляет десятки тысяч Ом или более, то его можно рассматривать как хороший диод.

Электрод: положительный или отрицательный

Также можно одновременно определять положительный и отрицательный электроды диода. Когда измеренное сопротивление составляет несколько сотен или несколько тысяч Ом, его следует определять как прямое сопротивление диода. В это время отрицательный измерительный провод подключается к отрицательному электроду, а положительный измерительный провод подключается к положительному электроду.Кроме того, если прямое и обратное сопротивление бесконечно, это означает внутреннее отключение; если прямое и обратное сопротивление равны нулю, что указывает на короткое замыкание.

2. Метод испытания кристаллических транзисторов

Проверка способности к усилению

Кристаллический транзистор в основном используется для усиления, так как же мы оцениваем его способность к усилению?

Сначала установите шестерню мультиметра на R × 100 или R × 1K.Когда мы измеряем трубку NPN, положительный измерительный провод подключается к эмиттеру, а отрицательный измерительный провод подключается к коллектору. Измеренное сопротивление обычно должно быть больше нескольких тысяч Ом.

Затем последовательно подключите резистор 100 кОм между базой и коллектором. В это время значение сопротивления, измеренное мультиметром, должно быть значительно уменьшено. Чем больше изменение, тем сильнее усилительная способность транзистора. Если изменение небольшое или даже отсутствует, это означает, что транзистор имеет слабую способность усиления или ее отсутствие.


● Оценочные электроды

Найдите основание

Сначала подключите красный измерительный провод к любому из контактов и используйте черную измерительную ручку для измерения другого. два контакта.

Чтобы проверить, можно ли измерить два малых сопротивления , в противном случае подключите черный тестовый провод к одному контакту и соедините красный тестовый провод с другими контактами для измерения, пока не будут получены два небольших сопротивления.

Когда обнаружены два малых сопротивления, фиксированный измерительный провод, используемый в этот момент, является базой. Если фиксированная контрольная ручка черного цвета, это транзистор NPN-типа; если фиксированный измерительный провод красный, трубка представляет собой транзистор типа PNP.

Примечание: германиевая трубка измеряется с R & times; 100, а силиконовая трубка измеряется с R × 1k.

○ Определите эмиттер и коллектор

Используйте мультиметр для измерения сопротивления двух полюсов, кроме основного электрода.Замените измерительный провод и снова измерьте его.

Если это германиевая трубка, для оценки используется меньшее сопротивление. Когда достигается меньшее сопротивление, для транзистора PNP черный измерительный провод подключается к эмиттеру, а красный - к коллектору. Если это тип NPN, черный измерительный провод подключается к коллектору, а красный измерительный провод подключается к эмиттеру.

Если это кремниевый транзистор, используется большее сопротивление. Для типа PNP черный провод подключается к эмиттеру, а красный измерительный провод подключается к коллектору.Что касается NPN-транзистора, черный и красный щупы подключены соответственно к коллектору и эмиттеру.

Кроме того, мы также могли измерить прямое сопротивление двух PN-переходов по отдельности. Один с большим прямым сопротивлением - это эмиттер, а другой - коллектор.

IV Darlington T ransistor Testing Method

1. Обнаружение обычного транзистора Дарлингтона

Во внутренней структуре обычного транзистора Дарлингтона два или более коллектора транзисторов соединены вместе, и есть множественные эмиттерные переходы между базой и эмиттером.

● Проверка прямого и обратного сопротивления

Для измерения используется мультиметр R × 1 кОм или R × 10 кОм.

Обычно прямое сопротивление между коллектором и базой аналогично значению коллектора обычных кремниевых транзисторов, которое составляет 3-10 кОм, а значение обратного сопротивления бесконечно. Значение прямого сопротивления между эмиттером и базой в 2–3 раза больше, чем между коллектором и базой, а значение обратного сопротивления также бесконечно.

Теоретически положительное и отрицательное сопротивление между коллектором и эмиттером должно быть близко к бесконечности . Если значение положительного и обратного сопротивления между коллектором и эмиттером транзистора Дарлингтона близко к нулю или значение между базой и эмиттером или между базой и коллектором равно нулю, это указывает на то, что лампа сломалась. И если прямое и обратное сопротивление между базой и эмиттером или между базой и коллектором измерено как бесконечное, это означает, что имеется разомкнутая цепь.

Примечание : когда мы измеряем трубку NPN, черный измерительный провод подключается к основанию; при обнаружении трубки PNP черный измерительный провод подключается к коллектору.

Базовая конфигурация транзистора Дарлингтона

2. Обнаружение мощного транзистора Дарлингтона

На основе обычных транзисторов Дарлингтона высокомощный Дарлингтон имеет схему защиты, состоящую из диода свободного хода и спускного клапана. резистор, который может повлиять на данные измерения.

● Метод обнаружения 1

Используйте диапазон мультиметра R × 1 кОм или R × 10 кОм для измерения прямого и обратного сопротивления коллекторного перехода Дарлингтона (между коллектором и базой). В нормальных условиях, когда основание трубки NPN подсоединено к черному щупу, значение прямого сопротивления должно быть небольшим, в пределах от 1 до 10 кОм, а обратное сопротивление должно быть близким к бесконечности. Если измеренные значения прямого и обратного сопротивления очень малы или бесконечны, это означает, что трубка была замкнута накоротко или повреждена обрывом цепи.

● Метод обнаружения 2

Используйте шестерню мультиметра R × 100 Ом для измерения прямого и обратного сопротивления между эмиттером и базой. Нормальные значения составляют от нескольких сотен Ом до нескольких тысяч Ом. если измеренное сопротивление равно 0 или бесконечно, тестируемая трубка повреждена.

● Метод обнаружения 3

R × l кОм или R × 10 кОм мультиметра используется для измерения прямого и обратного сопротивления между эмиттером и коллектором.Обычно значение прямого сопротивления должно составлять 5-15 кОм, а значение обратного сопротивления должно быть бесконечным, в противном случае коллектор и эмиттер (или диоды) сломаны или имеется разрыв цепи.

Примечание : когда мы измеряем трубку NPN, черный измерительный провод подключается к эмиттеру, а красный измерительный провод подключается к коллектору; когда мы измеряем трубку PNP, черный измерительный провод подключается к коллектору, а красный измерительный провод подключается к эмиттеру.

Заключение

В этом отрывке, во-первых, мы узнали об общем методе классификации и основных типичных типах транзисторов.Затем был введен метод тестирования кристаллических диодов и кристаллических транзисторов, который включает средства оценки характеристик и определения электродов. И напоследок обсудим методы обнаружения обычных и мощных транзисторов Дарлингтона. Надеюсь, эта статья будет вам полезна!

Рекомендуется Статьи:

Введение в TFT-дисплеи

Обзор биполярных транзисторов

Структура и принцип работы полевых транзисторов

Как использовать мультиметр в этой странице

мы покажем вам, как выбрать мультиметр и как использовать его для поиска неисправностей и тестирования.

Сводка

После хорошего набора отверток мультиметр - одна из самых полезных вещей, которые вы можете добавить в свой набор инструментов. На этой странице описывается, как использовать его для ряда основных тестов.

Выбор мультиметра

Мультиметры

бывают двух видов: аналоговые (с циферблатом) и, как правило, цифровые. Лишь в нескольких случаях аналоговый мультиметр был бы лучше, а цифровой вариант в любом случае намного надежнее и, вероятно, дешевле.

Помимо мультиметра, предназначенного в основном для автоэлектрики, даже самый дешевый (менее 5 фунтов стерлингов на eBay) будет иметь большинство, если не все функции, которые вам обычно нужны.

Минимальные функции, на которые следует обратить внимание, - это напряжение постоянного тока (от 2 В до 200 В), напряжение переменного тока (500 В) и сопротивление (от 200 Ом до 2000 кОм).

Менее полезными, но очень распространенными являются диапазоны постоянного тока (от 2 мА до 200 мА).

Некоторые мультиметры имеют автоматический выбор диапазона, что означает, что они имеют только один диапазон постоянного напряжения и автоматически регулируются в зависимости от приложенного напряжения, а также для тока и сопротивления.

Очень полезна функция непрерывности. Это издает звуковой сигнал, когда щупы обнаруживают между собой путь с низким сопротивлением.

Также очень полезна функция проверки диодов. Функция проверки транзисторов является обычной (обозначена h FE ), но на практике менее полезна.

Большинство мультиметров поставляются с парой тестовых проводов с заостренными концами. Они хороши, например, для касания двух точек на печатной плате или части оборудования, но дополнительная пара с зажимами типа «крокодил» также очень полезна.Вы можете использовать их для закрепления на выводах компонента или любых других оголенных проводах или разъемах, оставляя руки свободными.

Перед тем, как начать

Многие мультиметры имеют положение «Выкл» на переключателе диапазонов, но другие имеют отдельный переключатель включения / выключения. Не забудьте выключить его после использования - если вы оставите его включенным в ящике для инструментов, вы вполне можете обнаружить, что батарея разряжена, когда она вам понадобится в следующий раз.

Часто переключатель диапазонов имеет отдельные настройки для диапазонов переменного и постоянного тока, но если есть отдельный переключатель переменного / постоянного тока, убедитесь, что он всегда находится в положении постоянного тока, кроме случаев, когда вы измеряете переменный ток, иначе вы получите неверные показания.

Проверьте, как ваш мультиметр отображает состояние вне допустимого диапазона. Это когда измеряемое значение слишком велико для количества цифр слева от десятичной точки на дисплее. Поместите его на любой из диапазонов сопротивления (Ом или Ом), не прикасайтесь ни к чему измерительными щупами. Может отображаться «OL» (перегрузка) или «1». (см. фото выше) или что-то еще, кроме правильного номера.

В диапазонах постоянного напряжения и тока необходимо поднести красный щуп к положительному полюсу, а черный - к отрицательному.Но если вы соедините их наоборот, вы просто получите отрицательное значение.

Измерение напряжения

Проверка аккумулятора

Для батарейки C, AA или AAA или кнопочного элемента (но не литиевого) установите переключатель диапазона на 2 В, для литиевой батареи или батареи PP3 или, если вы не уверены, установите его на 20 В. Подсоедините щупы красного цвета к положительной клемме.

Перезаряжаемый аккумулятор должен показывать около 1,2 В или немного выше при новой зарядке и падать до 1 В при необходимости подзарядки.Другие (включая большинство кнопочных ячеек) будут показывать около 1,5 В или немного выше в новом состоянии, постепенно снижаясь по мере использования. В зависимости от требований приложения они могут работать до 1,2 или 1,0 В.

Для других батарей, таких как все литиевые батареи и батареи PP3 9 В, вам понадобится диапазон 20 В. Таким же образом установите тестовые щупы. Литиевые батареи должны показывать от 3 до 3,7 В в зависимости от типа, за исключением батарей для ноутбуков и электроинструментов, которые содержат несколько последовательно соединенных ячеек и должны показывать около 3.6В умноженное на количество ячеек. Батарея PP3 с напряжением 9 В по окончании срока службы упадет до 6 или 7 В.

Испытательное оборудование

При использовании сетевого адаптера или зарядного устройства проверьте этикетку на устройстве, чтобы узнать, каким должен быть его выход и является ли выход переменным или постоянным током. Выберите следующий диапазон (переменного или постоянного тока), который выше номинальной выходной мощности. Дешевые нерегулируемые адаптеры могут выдавать значительно большую мощность, чем их номинальная мощность, без нагрузки.

Вы можете проверить напряжение внутри части оборудования, чтобы узнать, проходит ли питание.Никогда не используйте оборудование с питанием от сети с закрытыми крышками, если вы полностью не понимаете опасности и не можете сделать это без риска для себя или посторонних.

Для оборудования, содержащего железный сетевой трансформатор, если вы можете сделать это безопасно, вы должны иметь возможность (с осторожностью!) Измерять напряжение сети, поступающей на первичную обмотку трансформатора при 240 В переменного тока и сниженную до гораздо более низкого напряжения переменного тока на вторичный, затем выпрямляется и сглаживается до аналогичного постоянного напряжения и, наконец, возможно, регулируется до стабильного напряжения, такого как 12 В или 5 В.См. Страницу «Источники питания» для получения более подробной информации.

Импульсные источники питания (содержащие небольшой ферритовый трансформатор) сложнее тестировать.

Измерение непрерывности и сопротивления

Измерение сопротивления ваших пальцев. (Возможно, вам придется смочить кончики пальцев.)

Диапазоны сопротивления (Ом или Ом) служат для измерения сопротивления. Это показатель того, насколько легко может пройти электрический ток. Если датчики ничего не касаются, вы должны выйти за пределы допустимого диапазона.

В качестве эксперимента установите мультиметр на самый высокий диапазон Ω и удерживайте два наконечника щупа в пальцах каждой руки. Если вы не получаете показания, крепче держите наконечники зонда или смочите пальцы. Вы обнаружите, что показания уменьшаются по мере того, как вы сжимаете датчики более плотно, и сопротивление через ваше тело уменьшается. (Да, через ваше тело проходит электричество, но это не более опасно, чем обращение с батареей AA.)

Соедините наконечники щупов вместе. Вы должны получить нулевое показание на любом из диапазонов сопротивления, поскольку теперь практически нет сопротивления току между датчиками.

Самый низкий диапазон сопротивления может также быть для тестера целостности цепи, издающего звуковой сигнал, когда вы касаетесь щупами вместе. Фактически, проверка непрерывности, вероятно, является наиболее полезной функцией диапазонов сопротивления, позволяющей вам проверить, может ли ток легко течь между двумя точками A и B, такими как два конца провода.

Вы можете использовать функцию проверки целостности цепи или диапазон наименьшего сопротивления для проверки предохранителя. Коснитесь щупов на двух концах и посмотрите, не раздастся ли звуковой сигнал или нулевое (или очень низкое) показание, что свидетельствует о хорошем.Перегоревший предохранитель выдает показания вне допустимого диапазона.

Вы можете проверить лампочку накаливания (галогенную лампу или сменную лампочку для елки, но не лампочку с низким энергопотреблением) с самым низким или близким к самому низкому диапазону сопротивления. Вы должны получить показания только в десятки или сотни Ом. (Это сопротивление нити накала в холодном состоянии. При рабочей температуре сопротивление может увеличиваться в десять и более раз.)

Вы можете тестировать резисторы с диапазоном сопротивления, но, припаянные к печатной плате, путь через сам резистор может быть не единственным электрическим путем между его концами, что приведет к неверным результатам.Кроме того, существует некоторая вероятность того, что напряжение, приложенное мультиметром для измерения сопротивления, может повредить чувствительные электронные компоненты. Если вы можете одолжить другой мультиметр, подключите свои щупы, настроенные на диапазон сопротивления, к щупам другого, настроенного на низкий диапазон вольт. Если показание второго мультиметра не превышает 0,5 В с первым на любом из диапазонов сопротивления, он не может причинить никакого вреда.

Тестирование диодов и транзисторов

Источники питания обычно содержат диоды, часто в группе по 4 диода.Вы можете проверить их с помощью мультиметра на диодном тестовом диапазоне. Если пробники подключены к концам диода в одном направлении, вы должны получить показание вне диапазона, а в другом случае - около 0,7 В, а для некоторых типов - всего 0,3 В. Нулевое показание в любом направлении или показание вне диапазона в обоих направлениях указывает на неисправный диод.

Тестирование транзистора с использованием функции диода.

Вы также можете использовать функцию проверки диодов для проверки переходного транзистора (но не полевого транзистора).У них есть 3 вывода: эмиттер, база и коллектор. Хороший транзистор будет работать как диод между базой и любым из двух других выводов. Вы можете довольно легко определить, какой вывод есть, методом проб и ошибок. Вы должны получить показание около 0,7 В между базой и коллектором и немного меньше между базой и эмиттером. Это будет с красным проводом на основании для типов NPN и черным проводом для PNP. Вы должны получить показания между эмиттером и коллектором вне диапазона, при условии, что база ничего не касается.Нулевое показание означает, что транзистор определенно мертв.

Тестирование транзистора с функцией h FE .

Многие мультиметры также имеют функцию проверки транзисторов (только для соединительных транзисторов), обозначенную h FE . Транзистор h FE - это один из способов определения коэффициента усиления, на который он способен, но поскольку он может составлять от 20 или менее до 500 или более, он сам по себе не является мерой состояния транзистора. . Если он показывает ноль или выходит за пределы допустимого диапазона, вполне возможно, что вы неправильно подключили транзистор или провода не имеют надлежащего контакта.

Мультиметры обычно имеют 4 контакта для эмиттера, базы и коллектора (помечены E, B, C) с одним дублированным, просто для удобства, поскольку некоторые транзисторы имеют выводы в порядке E, B, C и другие E, C, B • Будут либо отдельные диапазоны для NPN и PNP, либо два набора по 4 контакта. Из-за различной толщины выводов и недостаточной гибкости коротких выводов на транзисторе, отпаянном от печатной платы, не всегда легко установить хороший контакт со всеми тремя выводами.

Измерение тока

Для измерения тока сам измерительный прибор должен быть частью цепи.

Вам не нужно часто измерять ток (диапазоны ампер), но когда вы это делаете, очень важно понимать, что вы должны разорвать цепь и поместить щупы через разрыв, чтобы ток прошел через мультиметр. . Если вы подключите его напрямую к источнику питания, например к клеммам батареи, он будет иметь очень небольшое сопротивление и будет течь чрезмерный ток.Если вам повезет, внутри мультиметра просто перегорит предохранитель, который вам придется заменить, но в противном случае есть вероятность повредить мультиметр или тестируемое оборудование.

Вы можете, например, проверить, какой ток потребляет радиостанция с батарейным питанием, и таким образом оценить, как долго вы можете рассчитывать на то, что батарейки прослужат. Разрыв цепи может быть немного сложным, но один из способов сделать это - приклеить полоску алюминиевой фольги к каждой стороне листа бумаги, убедившись, что нет контакта между двумя листами фольги, а затем вставить ее между двумя листами. батарейки или между одной из них и контактом батарейного отсека.Теперь вы можете прикоснуться щупами мультиметра к двум кусочкам фольги, чтобы замкнуть цепь и позволить вам включить радио. Если, например, радиоприемник потребляет 200 мА, а батареи рассчитаны на 2000 мАч (миллиампер-часы), их хватит на 10 часов.

Эта статья познакомит вас с полевыми транзисторами

.

Классификация полевых трубок:
Соединительный полевой транзистор и полевой транзистор с изолированным затвором

Обозначение цепи полевой трубки:

Три контакта полевой трубки выражаются как:
G (затвор), D (сток), S (исток)

Примечание : Полевая трубка - это элемент, управляемый напряжением, и он называется униполярным элементом за счет использования мульти-субпроводимости.Он обладает такими преимуществами, как высокое входное сопротивление, низкий уровень шума, низкое энергопотребление и отсутствие вторичного пробоя.

Преимущества полевых транзисторов:
При высоком входном сопротивлении и входном токе ниже нуля почти не пропускают ток к источнику сигнала. Ток, подаваемый в базу, напрямую влияет на ток коллектора, а выходной ток используется для управления полупроводником выходного источника питания.
Сравнение полевого транзистора и транзистора:
(1) Полевая трубка является элементом управления напряжением, а транзистор - элементом управления током.Когда от источника сигнала может поступать только меньший ток, следует использовать полевой транзистор; а когда напряжение сигнала низкое и позволяет потреблять больший ток от источника сигнала, следует использовать транзистор.
(2) Полевые транзисторы используют основные носители для проведения электричества, поэтому они называются униполярными устройствами, в то время как транзисторы имеют как основные носители, так и второстепенные носители для проведения электричества. Это называется биполярным устройством.
(3) Исток и сток некоторых полевых транзисторов могут использоваться взаимозаменяемо, а напряжение затвора также может быть положительным или отрицательным, что более гибко, чем у транзисторов.
(4) Полевая трубка может работать при очень малом токе и очень низком напряжении, а в процессе ее производства можно легко интегрировать множество полевых трубок на кремниевый кристалл, например, полевую трубку.
Качество полевого транзистора и дискриминация полярности:
Установите диапазон мультиметра на RX1K, подключите черный измерительный провод к полюсу D, а красный измерительный провод к полюсу S, прикоснитесь к полюсам G и D одновременно рукой, полевой транзистор должен находиться в состоянии мгновенной проводимости, то есть сопротивление качанию иглы невелико. Затем прикоснитесь к полюсам G и S руками, и полевой транзистор не должен реагировать, то есть рука не двигается в нулевом положении.На данный момент следует судить, что полевой транзистор хороший.
Выберите диапазон мультиметра в файле RX1K и измерьте сопротивление между тремя контактами полевой трубки. Если сопротивление между одним контактом и двумя другими контактами бесконечно, а измерительные провода поменяны местами, оно все равно бесконечно. В это время этот вывод является полюсом G, а два других контакта - полюсом S и полюсом D. Затем с помощью мультиметра снова измерьте сопротивление между полюсом S и полюсом D, а затем снова измерьте сопротивление после замены измерительных проводов.Значение сопротивления меньше один раз. Черный измерительный провод подключается к электроду S, а красный измерительный провод подключается к электроду D.

Нажмите для просмотра оригинального текста

Бесплатная загрузка полного комплекта материалов:
Следуйте vx-public-public-number: [ Embedded base
Back-Taiwan-Back-Return: [ Electric game 】 Получить информацию
Ответить 【 Programming 】 Получить
В том числе: C, C ++, C #, JAVA, Python, JavaScript, PHP, база данных, апплет WeChat, искусственный интеллект, встроенный, Linux, Unix, QT, Интернет вещей, введение в алгоритмы, большие данные и т.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *