Переменный транзистор: простым языком для чайников, схемы

простым языком для чайников, схемы

Принцип полупроводникового управления электрическим током был известен ещё в начале ХХ века. Несмотря на то, что инженеры, работающие в областях радиоэлектроники, знали как работает транзистор, они продолжали конструировать устройства на основе вакуумных ламп. Причиной такого недоверия к полупроводниковым триодам было несовершенство первых точечных транзисторов. Семейство германиевых транзисторов не отличались стабильностью характеристик и сильно зависели от температурных режимов.

Серьёзную конкуренцию электронным лампам составили монолитные кремниевые транзисторы лишь в конце 50-х годов. С этого времени электронная промышленность начала бурно развиваться, а компактные полупроводниковые триоды активно вытесняли энергоёмкие лампы со схем электронных приборов. С появлением интегральных микросхем, где количество транзисторов может достигать миллиардов штук, полупроводниковая электроника одержала убедительную победу в борьбе за миниатюризацию устройств.

Что такое транзистор?

В современном значении транзистором называют полупроводниковый радиоэлемент, предназначенный для изменения параметров электрического тока и управления им. У обычного полупроводникового триода имеется три вывода: база, на которую подаются сигналы управления, эмиттер и коллектор. Существуют также составные транзисторы большой мощности.

Поражает шкала размеров полупроводниковых устройств – от нескольких нанометров (бескорпусные элементы, используемые в микросхемах), до сантиметров в диаметре мощных транзисторов, предназначенных для энергетических установок и промышленного оборудования. Обратные напряжения промышленных триодов могут достигать до 1000 В.

Устройство

Конструктивно триод состоит из полупроводниковых слоев, заключённых в корпусе. Полупроводниками служат материалы на основе кремния, германия, арсенида галлия и других химических элементов. Сегодня проводятся исследования, готовящие на роль полупроводниковых материалов некоторые виды полимеров, и даже углеродных нанотрубок.

Видимо в скором будущем мы узнаем о новых свойствах графеновых полевых транзисторов.

Раньше кристаллы полупроводника располагались в металлических корпусах в виде шляпок с тремя ножками. Такая конструкция была характерна для точечных транзисторов.

Сегодня конструкции большинства плоских, в т. ч. кремниевых полупроводниковых приборов выполнены на основе легированного в определённых частях монокристалла. Они впрессованы в пластмассовые, металлостеклянные или металлокерамические корпуса. У некоторых из них имеются выступающие металлические пластины для отвода тепла, которые крепятся на радиаторы.

Электроды современных транзисторов расположены в один ряд. Такое расположение ножек удобно для автоматической сборки плат. Выводы не маркируются на корпусах. Тип электрода определяется по справочникам или путём измерений.

Для транзисторов используют кристаллы полупроводников с разными структурами, типа p-n-p либо n-p-n. Они отличаются полярностью напряжения на электродах.

Схематически строение транзистора можно представить в виде двух полупроводниковых диодов, разделённых дополнительным слоем. (Смотри рисунок 1). Именно наличие этого слоя позволяет управлять проводимостью полупроводникового триода.

Рис. 1. Строение транзисторов

На рисунке 1 схематически изображено строение биполярных триодов. Существуют ещё класс полевых транзисторов, о которых речь пойдёт ниже.

Базовый принцип работы

В состоянии покоя между коллектором и эмиттером биполярного триода ток не протекает. Электрическому току препятствует сопротивление эмиттерного перехода, которое возникает в результате взаимодействия слоёв. Для включения транзистора требуется подать незначительное напряжение на его базу.

На рисунке 2 показана схема, объясняющая принцип работы триода.

Рис. 2. Принцип работы

Управляя токами базы можно включать и выключать устройство. Если на базу подать аналоговый сигнал, то он изменит амплитуду выходных токов. При этом выходной сигнал точно повторит частоту колебаний на базовом электроде. Другими словами, произойдёт усиление поступившего на вход электрического сигнала.

Таким образом, полупроводниковые триоды могут работать в режиме электронных ключей или в режиме усиления входных сигналов.

Работу устройства в режиме электронного ключа можно понять из рисунка 3.

Рис. 3. Триод в режиме ключа

Обозначение на схемах

Общепринятое обозначение: «VT» или «Q», после которых указывается позиционный индекс. Например, VT 3. На более ранних схемах можно встретить вышедшие из употребления обозначения: «Т», «ПП» или «ПТ». Транзистор изображается в виде символических линий обозначающих соответствующие электроды, обведённые кружком или без такового. Направление тока в эмиттере указывает стрелка.

На рисунке 4 показана схема УНЧ, на которой транзисторы обозначены новым способом, а на рисунке 5 – схематические изображения разных типов полевых транзисторов.

Рис. 4. Пример схемы УНЧ на триодах

Виды транзисторов

По принципу действия и строению различают полупроводниковые триоды:

• полевые;
• биполярные;
• комбинированные.

Эти транзисторы выполняют одинаковые функции, однако существуют различия в принципе их работы.

Полевые

Данный вид триодов ещё называют униполярным, из-за электрических свойств – у них протекает ток только одной полярности. По строению и типу управления эти устройства подразделяются на 3 вида:

1. Транзисторы с управляющим p-n переходом (рис. 6).
2. С изолированным затвором (бывают со встроенным либо с индуцированным каналом).
3. МДП, со структурой: металл-диэлектрик-проводник.

Отличительная черта изолированного затвора – наличие диэлектрика между ним и каналом.

Детали очень чувствительны к статическому электричеству.

Схемы полевых триодов показано на рисунке 5.

Рис. 5. Полевые транзисторыРис. 6. Фото реального полевого триода

Обратите внимание на название электродов: сток, исток и затвор.

Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п.

Биполярные

Об этом виде транзисторов много сказано в подразделе «Базовый принцип работы». Отметим лишь, что название «Биполярный» устройство получило из-за способности пропускать заряды противоположных знаков через один канал. Их особенностью является низкое выходное сопротивление.

Транзисторы усиливают сигналы, работают как коммутационные устройства. В цепь коллектора можно включать достаточно мощную нагрузку. Благодаря большому току коллектора можно понизить сопротивление нагрузки.

Более детально о строении и принципе работы рассмотрим ниже.

Комбинированные

С целью достижения определённых электрических параметров от применения одного дискретного элемента разработчики транзисторов изобретают комбинированные конструкции. Среди них можно выделить:

• биполярные транзисторы с внедрёнными и их схему резисторами;
• комбинации из двух триодов (одинаковых или разных структур) в одном корпусе;
• лямбда-диоды – сочетание двух полевых триодов, образующих участок с отрицательным сопротивлением;
• конструкции, в которых полевой триод с изолированным затвором управляет биполярным триодом (применяются для управления электромоторами).

Комбинированные транзисторы – это, по сути, элементарная микросхема в одном корпусе.

Как работает биполярный транзистор? Инструкция для чайников

Работа биполярных транзисторов основана на свойствах полупроводников и их сочетаний. Чтобы понять принцип действия триодов, разберёмся с поведением полупроводников в электрических цепях.

Полупроводники.

Некоторые кристаллы, такие как кремний, германий и др., являются диэлектриками. Но у них есть одна особенность – если добавить определённые примеси, то они становятся проводниками с особыми свойствами.

Одни добавки (доноры) приводят к появлению свободных электронов, а другие (акцепторы) – образуют «дырки».

Если, например, кремний легировать фосфором (донор), то получим полупроводник с избытком электронов (структура n-Si). При добавлении бора (акцептор) легированный кремний станет полупроводником с дырочной проводимостью (p-Si), то есть в его структуре будут преобладать положительно заряженные ионы.

Односторонняя проводимость.

Проведём мысленный эксперимент: соединим два разнотипных полупроводника с источником питания и подведём ток к нашей конструкции. Произойдёт нечто неожиданное. Если соединить отрицательный провод с кристаллом n-типа, то цепь замкнётся. Однако, когда мы поменяем полярность, то электричества в цепи не будет. Почему так происходит?

В результате соединения кристаллов с разными типами проводимости, между ними образуется область с p-n переходом. Часть электронов (носителей зарядов) из кристалла n-типа перетечёт в кристалл с дырочной проводимостью и рекомбинирует дырки в зоне контакта.

В результате возникают некомпенсированные заряды: в области n-типа – из отрицательных ионов, а в области p-типа из положительных. Разница потенциалов достигает величины от 0,3 до 0,6 В.

Связь между напряжением и концентрацией примесей можно выразить формулой:

φ= V_T * ln (N_n * N_p)/n²_i, где

V_T – величина термодинамического напряжения, N_n и N_p – концентрация соответственно электронов и дырок, а n_i обозначает собственную концентрацию.

При подсоединении плюса к p-проводнику, а минуса к полупроводнику n-типа, электрические заряды преодолеют барьер, так как их движение будет направлено против электрического поля внутри p-n перехода. В данном случае переход открыт. Но если полюса поменять местами, то переход будет закрыт. Отсюда вывод: p-n переход образует одностороннюю проводимость. Это свойство используется в конструкции диодов.

От диода к транзистору.

Усложним эксперимент. Добавим ещё одну прослойку между двумя полупроводниками с одноименными структурами. Например, между кремниевыми пластинами  p-типа вставим прослойку проводимости (n-Si). Не трудно догадаться, что произойдёт в зонах соприкосновения. По аналогии с вышеописанным процессом образуются области с p-n переходами, которые заблокируют движение электрических зарядов между эмиттером и коллектором, причём независимо от полярности тока.

Самое интересное произойдёт тогда, когда мы приложим незначительное напряжение к прослойке (базе). В нашем случае, подадим ток с отрицательным знаком. Как и в случае с диодом, образуется цепь эмиттер-база, по которой потечёт ток. Одновременно прослойка начнёт насыщаться дырками, что приведёт к дырочной проводимости между эмиттером и коллектором.

Посмотрите на рисунок 7. На нём видно, что положительные ионы заполнили всё пространство нашей условной конструкции и теперь ничто не мешает проводимости тока. Мы получили наглядную модель биполярного транзистора структуры p-n-p.

Рис. 7. Принцип ра

Трёхмерные транзисторы. 22нм / Блог компании Intel / Хабр

   На днях компания Intel совершила очередной прорыв в процессоростроении, а точнее, в эволюции транзисторов — логических элементах современных процессоров. Если последние 50 лет в электронике использовались исключительно планарные структуры, то отныне в массовом производстве применяемая структура станет трехмерной. Технология, позволившая и дальше следовать закону Мура, получила название Tri-Gate. По значимости этот шаг сопоставим, разве что, с изобретением интегральной схемы транзисторов.

   Еще совсем недавно процессор можно было представить в виде листа бумаги, производительность которого зависела от количества ячеек-транзисторов, уместившихся на его площади. Чем больше транзисторов-ячеек на таком листе умещалось, тем выше была производительность. Понятное дело, что бесконечно уменьшать размеры транзисторов нельзя – об этом я даже как-то писал отдельную статью, которая «хорошо пошла». Однако в ближайшие годы полупроводниковая промышленность может вздохнуть спокойно и продолжить развитие прежними темпами — сейчас ячейки «можно» располагать в несколько рядов, то есть производительность процессоров будет расти вглубь (ну или ввысь, как в случае с небоскрёбами) и, честно сказать, я даже теряюсь в догадках, почему до этого додумались только сейчас. Впрочем, додумались-то до этого еще в далеком 2002, но именно сегодня речь пошла о массовом воплощении технологии в жизнь.

   Ученые давно признают преимущества 3D-структур — в случае с транзисторами, такой подход позволит следовать закону Мура еще достаточно долгое время. Суть новой технологии очевидна (глаз вооружен):

Транзистор, 32-нм

Транзистор Tri-Gate, 22-нм

   В традиционной планарной структуре транзистора электрический ток может протекать только по узкой поверхности проводника под затвором. В то время как в трёхмерных транзисторах ток распространяется в толще кремниевого выступа, «прорезающего» затвор.

   Результатом такого конструкторского решения является снижение сопротивления транзистора в открытом состоянии, увеличение сопротивления в закрытом и более быстрое переключение между этими состояниями. Вместе с этим стало возможным снижение рабочего напряжения и уменьшение токов утечки. Как следствие — новый уровень энергоэффективности и солидный прирост производительности в сравнении с существующими аналогами.

Транзисторы Tri-Gate (изготовленные по технологии 22-нм) демонстрируют почти 40-процентный прирост быстродействия в сравнении с обычными (изготовленными по технологии 32-нм).

Это при том, что новые чипы будут потреблять почти вдвое меньше энергии (с той же производительностью), чем их 32-нанометровые братья с двухмерной структурой.

1 нм (нанометр) = одна миллиардная метра (1/1 000 000 000м), %username%

А ведь можно сделать, например, вот так:

   «Изобретение транзисторов Tri-Gate и внедрение новой технологии в 22-нм чипы меняют правила игры, — по секрету рассказал мне Пол Отеллини, президент компании Intel. — В сочетании с материалами, обладающими особой диэлектрической проницаемостью, элементами с металлическими затворами, 3D-транзисторы помогут Intel значительно снизить потребление энергии, стоимость чипа в расчете на один транзистор и существенно поднять производительность. Intel продолжит создавать лучшие в мире продукты во всех областях — от мобильных телефонов до суперкомпьютеров»

   Марк Бор, старший почетный исследователь компании: — Новое изобретение не только позволяет впредь следовать закону Мура. Это больше, чем просто переход с одного технологического процесса на другой — новое открытие позволяет конструировать совершенно новые устройства.

   Переход на новые трёхмерные транзисторы будет осуществлен вместе с переходом на новую 22-нанометровую технологическую норму, отражающую размер структур интегральных схем. Первым в мире микропроцессором, изготовленным по этой норме, стал чип под кодовым названием Ivy Bridge, предназначенный в первую очередь для настольных компьютеров. Соответственно, процессоры Intel Core под этим кодовым названием станут первыми массовыми чипами с транзисторами Tri-Gate – их массовое серийное производство планируется начать в конце 2011 года. По крайней мере, в плане технического оснащения к этому почти все готово – ведь чипы могут изготавливаться на обычном литографическом оборудовании.

Что касается мобильных устройств, то для них данную технологию также можно (и нужно) адаптировать – возможно, именно этот шаг начнет серьезно укреплять позиции компании в карманах пользователей.

В качестве бонуса:

Успехов!

Все своими руками Транзисторный ключ переменного тока

Опубликовал admin | Дата 22 октября, 2014

     

     Для коммутации нагрузок в цепях переменного тока в последнее время все чаще стали применяться схемы с использованием мощных полевых транзисторов. Этот класс приборов представлен двумя группами. К первой отнесены биполярные транзисторы с изолированным затвором – БТИЗ. Западная аббревиатура – IGBT.

Во вторую, самую многочисленную вошли традиционные полевые (канальные) транзисторы. К этой группе относятся и транзисторы КП707 (см. таблицу 1), на которых и собран коммутатор нагрузки для сети 220 вольт.

Первична сеть переменного тока очень опасная вещь во всех отношениях. Поэтому существует много схемных решений, позволяющих избежать управления нагрузками в сети напрямую. Ранее для этих целей использовались разделительные трансформаторы, в настоящее время им на смену пришли разнообразные оптроны.

     Схема, ставшая уже типовой, показана на рисунке 1.

Данная схема позволяет гальванически развязать управляющие цепи и цепь первичной сети 220 вольт. В качестве развязывающего элемента применен оптрон TLP521. Можно применить и другие импортные или отечественные транзисторные оптроны. Схема простая и работает следующим образом. Кода напряжение на входных клеммах равно нулю, светодиод оптрона не светится, транзистор оптрона закрыт и не шунтирует затвор мощных коммутирующих транзисторов. Таким образом, на их затворах присутствует открывающее напряжение, равное напряжению стабилизации стабилитрона VD1. В этом случае транзисторы открыты и работают по очереди, в зависимости от полярности напряжения в данный момент времени. Допусти, на выходном выводе схемы 4 присутствует плюс, а на клемме 3 – минус. Тогда ток нагрузки потечет от клеммы 3 к клемме 5, через нагрузку к клемме 6, далее через внутренний защитный диод транзистора VT2, через открытый транзистор VT1 к клемме 4. При смене полярности питающего напряжения, ток нагрузки потечет уже через диод транзистора VT1 и открытый транзистор VT2. Элементы схемы R3, R3, C1 и VD1 не что иное, как безтрансформаторный источник питания. Номинал резистора R1 соответствует входному напряжению пять вольт и может быть изменен при необходимости.

Вся схема выполнена в виде функционально законченного блочка. Элементы схемы установлены на небольшой П-образной печатной плате, показанной на рисунке 2.

Сама плата одним винтом крепится к пластине из алюминия с размерами 56×43х6 мм, являющейся первичным теплоотводом. К ней же через теплопроводную пасту и слюдяные изолирующие прокладки с помощью винтов с втулками крепятся и мощные транзисторы VT1 и VT2. Угловые отверстия сверятся и в плате и в пластине и служат, при необходимости, для крепления блока к другому более мощному теплоотводу.

Скачать рисунок печатной платы.

Скачать “Транзисторный ключ переменного тока” Klych_707.rar – Загружено 1362 раза – 9 КБ

Обсудить эту статью на — форуме «Радиоэлектроника, вопросы и ответы».

Просмотров:17 287

Транзисторы. Общие сведения.

Что такое транзистор?

Транзистор – электронный полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Если быть точнее, то транзистор позволяет регулировать силу электрического тока подобно тому, как водяной кран регулирует поток воды. Отсюда следуют две основные функции прибора в электрической цепи — это усилитель и переключатель.

Существует бесконечное множество разных типов транзисторов – от огромных усилителей высокой мощности размером с кулак, до миниатюрных переключателей на кристалле процессора размером в считанные десятки нанометров (в одном метре 10⁹ нанометров).

Что значит слово «транзистор» и как это связано с его работой?

Слово «транзистор» происходит от двух английских слов — «transfer» (переносить) и «resistor» (сопротивление). Что можно буквально перевести, как «переходное сопротивление». Однако, лучше всего для описания работы этого прибора, подойдет название «переменное сопротивление». Поскольку в электронной цепи, транзистор ведет себя именно как переменное сопротивление. Только если у таких переменных резисторов, как потенциометр и обычный выключатель, нужно менять сопротивление с помощью механического воздействия, то у транзистора его меняют посредством напряжения, которое подается на один из электродов прибора.

Обозначения и типы транзисторов.

Устройство и обозначение транзисторов разделяют на две большие группы. Первая – это биполярные транзисторы (БТ) (международный термин – BJT, Bipolar Junction Transistor). Вторая группа – это униполярные транзисторы, еще их называют полевыми (ПТ) (международный термин – FET, Field Effect Transistor).

Полевые, в свою очередь, делятся на транзисторы с PN-переходом (JFET — Junction FET) и с изолированным затвором (MOSFET- Metal-Oxide-Semiconductor FET) .

Применение биполярных транзисторов.

На сегодняшний день биполярные транзисторы получили самое широкое распространение в аналоговой электронике. Если быть точнее, то чаще всего их используют в качестве усилителей в дискретных цепях (схемах, состоящих из отдельных электронных компонентов).

Также нередко отдельные БТ используются совместно с интегральными (состоящими из многих компонентов на одном кристалле полупроводника) а налоговыми и цифровыми микросхемами. В этом возникает необходимость, например, когда нужно усилить слабый сигнал на выходе из интегральной схемы, обычно не располагающей высокой мощностью.

Применение полевых транзисторов.

В области цифровой электроники, полевые транзисторы, а именно полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET), практически полностью вытеснили биполярные благодаря многократному превосходству в скорости и экономичности. Внутри архитектуры логики процессоров, памяти, и других различных цифровых микросхем, находятся сотни миллионов, и даже миллиарды MOSFET, играющих роль электронных переключателей.

Что такое транзистор? (принцип действия, назначение и применение, как выглядит)

Радиоэлектронный элемент из полупроводникового материала с помощью входного сигнала создает, усиливает, изменяет импульсы в интегральных микросхемах и системах для хранения, обработки и передачи информации. Транзистор — это сопротивление, функции которого регулируются напряжением между эмиттером и базой или истоком и затвором в зависимости от типа модуля.

Виды транзисторов

Преобразователи широко применяются в производстве цифровых и аналоговых микросхем для обнуления статического потребительского тока и получения улучшенной линейности. Типы транзисторов различаются тем, что одни управляются изменением напряжения, вторые регулируются отклонением тока.

Полевые модули работают при повышенном сопротивлении постоянного тока, трансформация на высокой частоте не увеличивает энергетические затраты. Если говорить, что такое транзистор простыми словами, то это модуль с высокой границей усиления. Эта характеристика у полевых видов больше, чем у биполярных типов. У первых нет рассасывания носителей заряда , что ускоряет работу.

Полевые полупроводники применяются чаще из-за преимуществ перед биполярными видами:

• мощного сопротивления на входе при постоянном токе и высокой частоте, это уменьшает потери энергии на управление;
• отсутствия накопления неосновных электронов, из-за чего ускоряется работа транзистора;
• переноса подвижных частиц;
• стабильности при отклонениях температуры;
• небольших шумов из-за отсутствия инжекции;
• потребления малой мощности при работе.

Виды транзисторов и их свойства определяют назначение. Нагревание преобразователя биполярного типа увеличивает ток по пути от коллектора к эмиттеру. У них коэффициент сопротивления отрицательный, а подвижные носители текут к собирающему устройству от эмиттера. Тонкая база отделена p-n-переходами, а ток возникает только при накоплении подвижных частиц и их инжекции в базу. Некоторые носители заряда захватываются соседним p-n-переходом и ускоряются, так рассчитаны параметры транзисторов.

Полевые транзисторы имеют еще один вид преимущества, о котором нужно упомянуть для чайников. Их соединяют параллельно без выравнивания сопротивления. Резисторы для этой цели не применяются, так как показатель растет автоматически при изменении нагрузки. Для получения высокого значения коммутационного тока набирается комплекс модулей, что используется в инверторах или других устройствах.

Нельзя соединять параллельно биполярный транзистор, определение функциональных параметров ведет к тому, что выявляется тепловой пробой необратимого характера. Эти свойства связаны с техническими качествами простых p-n каналов. Модули соединяются параллельно с применением резисторов для выравнивания тока в эмиттерных цепях. В зависимости от функциональных черт и индивидуальной специфики в классификации транзисторов выделяют биполярные и полевые виды.

Биполярные транзисторы

Биполярные конструкции производятся в виде полупроводниковых приборов с тремя проводниками. В каждом из электродов предусмотрены слои с дырочной p-проводимостью или примесной n-проводимостью. Выбор комплектации слоев определяет выпуск p-n-p или n-p-n типов приборов. В момент включения устройства разнотипные заряды одновременно переносятся дырками и электронами, задействуется 2 вида частиц.

Носители движутся за счет механизма диффузии. Атомы и молекулы вещества проникают в межмолекулярную решетку соседнего материала, после чего их концентрация выравнивается по всему объему. Перенос совершается из областей с высоким уплотнением в места с низким содержанием.

Электроны распространяются и под действием силового поля вокруг частиц при неравномерном включении легирующих добавок в массе базы. Чтобы ускорить действие прибора, электрод, соединенный со средним слоем, делают тонким. Крайние проводники называют эмиттером и коллектором. Обратное напряжение, характерное для перехода, неважно.

Полевые транзисторы

Полевой транзистор управляет сопротивлением с помощью электрического поперечного поля, возникающего от приложенного напряжения. Место, из которого электроны движутся в канал, называется истоком, а сток выглядит как конечная точка вхождения зарядов. Управляющее напряжение проходит по проводнику, именуемому затвором. Устройства делят на 2 вида:

• с управляющим p-n-переходом;
• транзисторы МДП с изолированным затвором.

Приборы первого типа содержат в конструкции полупроводниковую пластину, подключаемую в управляемую схему с помощью электродов на противоположных сторонах (сток и исток). Место с другим видом проводимости возникает после подсоединения пластины к затвору. Вставленный во входной контур источник постоянного смещения продуцирует на переходе запирающее напряжение.

Источник усиливаемого импульса также находится во входной цепи. После перемены напряжения на входе трансформируется соответствующий показатель на p-n-переходе. Модифицируется толщина слоя и площадь поперечного сечения канального перехода в кристалле, пропускающем поток заряженных электронов. Ширина канала зависит от пространства между обедненной областью (под затвором) и подложкой. Управляющий ток в начальной и конечной точках регулируется изменением ширины обедненной области.

Транзистор МДП характеризуется тем, что его затвор отделен изоляцией от канального слоя. В полупроводниковом кристалле, называемом подложкой, создаются легированные места с противоположным знаком. На них установлены проводники — сток и исток, между которыми на расстоянии меньше микрона расположен диэлектрик. На изоляторе нанесен электрод из металла — затвор. Из-за полученной структуры, содержащей металл, диэлектрический слой и полупроводник транзисторам присвоена аббревиатура МДП.

Устройство и принцип работы для начинающих

Технологии оперируют не только зарядом электричества, но и магнитным полем, световыми квантами и фотонами. Принцип действия транзистора заключается в состояниях, между которыми переключается устройство. Противоположный малый и большой сигнал, открытое и закрытое состояние — в этом заключается двойная работа приборов.

Вместе с полупроводниковым материалом в составе, используемого в виде монокристалла, легированного в некоторых местах, транзистор имеет в конструкции:

• выводы из металла;
• диэлектрические изоляторы;
• корпус транзисторов из стекла, металла, пластика, металлокерамики.

До изобретения биполярных или полярных устройств использовались электронные вакуумные лампы в виде активных элементов. Схемы, разработанные для них, после модификации применяются при производстве полупроводниковых устройств. Их можно было подключить как транзистор и применять, т. к. многие функциональные характеристики ламп годятся при описании работы полевых видов.

Преимущества и недостатки замены ламп транзисторами

Изобретение транзисторов является стимулирующим фактором для внедрения инновационных технологий в электронике. В сети используются современные полупроводниковые элементы, по сравнению со старыми ламповыми схемами такие разработки имеют преимущества:

• небольшие габариты и малый вес, что важно для миниатюрной электроники;
• возможность применить автоматизированные процессы в производстве приборов и сгруппировать этапы, что снижает себестоимость;
• использование малогабаритных источников тока из-за потребности в низком напряжении;
• мгновенное включение, разогревание катода не требуется;
• повышенная энергетическая эффективность из-за снижения рассеиваемой мощности;
• прочность и надежность;
• слаженное взаимодействие с дополнительными элементами в сети;
• стойкость к вибрации и ударам.

Недостатки проявляются в следующих положениях:

• кремниевые транзисторы не функционируют при напряжении больше 1 кВт, лампы эффективны при показателях свыше 1-2 кВт;
• при использовании транзисторов в мощных сетях радиовещания или передатчиках СВЧ требуется согласование маломощных усилителей, подключенных параллельно;
• уязвимость полупроводниковых элементов к воздействию электромагнитного сигнала;
• чувствительная реакция на космические лучи и радиацию, требующая разработки стойких в этом плане радиационных микросхем.

Схемы включения

Чтобы работать в единой цепи транзистору требуется 2 вывода на входе и выходе. Почти все виды полупроводниковых приборов имеют только 3 места подсоединения. Чтобы выйти из трудного положения, один из концов назначается общим. Отсюда вытекают 3 распространенные схемы подключения:

• для биполярного транзистора;
• полярного устройства;
• с открытым стоком (коллектором).

Биполярный модуль подключается с общим эмиттером для усиления как по напряжению, так и по току (ОЭ). В других случаях он согласовывает выводы цифровой микросхемы, когда существует большой вольтаж между внешним контуром и внутренним планом подключения. Так работает подсоединение с общим коллектором, и наблюдается только рост тока (ОК). Если нужно повышение напряжения, то элемент вводится с общей базой (ОБ). Вариант хорошо работает в составных каскадных схемах, но в однотранзисторных проектах ставится редко.

Полевые полупроводниковые приборы разновидностей МДП и с использованием p-n-перехода включаются в контур:

• с общим эмиттером (ОИ) — соединение, аналогичное ОЭ модуля биполярного типа
• с единым выходом (ОС) — план по типу ОК;
• с совместным затвором (ОЗ) — похожее описание ОБ.

В планах с открытым стоком транзистор включается с общим эмиттером в составе микросхемы. Коллекторный вывод не подсоединяется к другим деталям модуля, а нагрузка уходит на наружный разъем. Выбор интенсивности вольтажа и силы тока коллектора производится после монтажа проекта. Приборы с открытым стоком работают в контурах с мощными выходными каскадами, шинных драйверах, логических схемах ТТЛ.

Для чего нужны транзисторы?

Область применение разграничена в зависимости от типа прибора — биполярный модуль или полевой. Зачем нужны транзисторы? Если необходима малая сила тока, например, в цифровых планах, используют полевые виды. Аналоговые схемы достигают показателей высокой линейности усиления при различном диапазоне питающего вольтажа и выходных параметров.

Областями установки биполярных транзисторов являются усилители, их сочетания, детекторы, модуляторы, схемы транзисторной логистики и инверторы логического типа.

Места применения транзисторов зависят от их характеристик. Они работают в 2 режимах:

• в усилительном порядке, изменяя выходной импульс при небольших отклонениях управляющего сигнала;
• в ключевом регламенте, управляя питанием нагрузок при слабом входном токе, транзистор полностью закрыт или открыт.

Вид полупроводникового модуля не изменяет условия его работы. Источник подсоединяется к нагрузке, например, переключатель, усилитель звука, осветительный прибор, это может быть электронный датчик или мощный соседний транзистор. С помощью тока начинается работа нагрузочного прибора, а транзистор подсоединяется в цепь между установкой и источником. Полупроводниковый модуль ограничивает силу энергии, поступающей к агрегату.

Сопротивление на выходе транзистора трансформируется в зависимости от вольтажа на управляющем проводнике. Сила тока и напряжение в начале и конечной точке цепи изменяются и увеличиваются или уменьшаются и зависят от типа транзистора и способа его подсоединения. Контроль управляемого источника питания ведет к усилению тока, импульса мощности или увеличению напряжения.

Транзисторы обоих видов используются в следующих случаях:

1. В цифровом регламенте. Разработаны экспериментальные проекты цифровых усилительных схем на основе цифроаналоговых преобразователей (ЦАП).
2. В генераторах импульсов. В зависимости от типа агрегата транзистор работает в ключевом или линейном порядке для воспроизведения прямоугольных или произвольных сигналов, соответственно.
3. В электронных аппаратных приборах. Для защиты сведений и программ от воровства, нелегального взлома и использования. Работа проходит в ключевом режиме, сила тока управляется в аналоговом виде и регулируется с помощью ширины импульса. Транзисторы ставят в приводы электрических двигателей, импульсные стабилизаторы напряжения.

Монокристаллические полупроводники и модули для размыкания и замыкания контура увеличивают мощность, но функционируют только как переключатели. В цифровых устройствах применяют транзисторы полевого типа в качестве экономичных модулей. Технологии изготовления в концепции интегральных экспериментов предусматривают производство транзисторов на едином чипе из кремния.

Миниатюризация кристаллов ведет к ускорению действия компьютеров, снижению количества энергии и уменьшению выделения тепла.

Что такое транзистор и для чего нужен транзистор

До сих пор мы изучали радиоэлектронные компоненты, которые имеют только два вывода, такие как резисторы, конденсаторы, аккумуляторы, светодиоды и переключатели и так далее.

Транзисторы же имеют в своем составе три вывода. Транзисторы бывают разных типов, форм и размеров. По большей части, все они работают одинаково, лишь с небольшими отличиями в зависимости от типа.

Большую же часть всех транзисторов составляют биполярные  и полевые транзисторы. В данной статье, для объяснения, того что такое транзистор и для чего нужен транзистор, в качестве примера мы будет использовать полевой (FET) транзистор, поскольку его работа  более понятна и это знание более полезно. Почти все, что вы узнаете здесь, так же с успехом можно применить к биполярным транзисторам.

Условное обозначение транзисторов и внешний вид транзисторов

Ниже приведено условное обозначение транзистора на схеме, и несколько примеров того, как выглядит транзистор:

Тестер транзисторов / ESR-метр / генератор

Многофункциональный прибор для проверки транзисторов, диодов, тиристоров…

Цифровой мультиметр AN8009

Большой ЖК-дисплей с подсветкой, 9999 отсчетов, измерение TrueRMS. ..

Мультиметр MT8206 — обновленная версия

MUSTOOL MT8206 акцентирует внимание на функциональной комбинац…

Полевой транзистор (FET)	Внешний вид транзисторов

Обратите внимание, что три вывода на схеме обозначены как  G (Gate) — Затвор , S (Source) – Исток  и D (Drain) — Сток.

Корпус транзисторов

На рисунке выше, изображены три разных типа корпуса транзисторов. Тип корпуса слева обозначается как ТО-92 , корпус посередине ТО-220 , и корпус справа именуется как транзистор в металлическом корпусе.

Что касается металлического корпуса, то он практически больше не применяется. Транзисторы малой и средней мощности выпускаются в корпусе ТО-92, в то время как мощные изготавливаются в ТО-220.

Ниже представлено наиболее распространенные сопоставления выводов полевого транзистора в корпусах  ТО-92 и ТО-220.

Корпус ТО-92	Корпус ТО-220

Транзистор в качестве переключателя

Транзисторы можно рассматривать как электронные коммутаторы. Транзистор используется для включения различных устройств, таких как двигатели, фонари и так далее. Так же, как и выключатель света в комнате, транзистор может включать и выключать лампочку накаливания.

Это достаточно удобно, так как небольшой источник напряжения может быть использован для коммутации большого источника напряжения. Давайте рассмотрим это на простом примере с использованием обычной лампочкой.

На рисунке выше  мы имеем транзистор, подключенный к лампочке и к двум различным источникам питания. Давайте сперва посмотрим на левую половину схемы:

• Минус низковольтной батареи  подсоединен к истоку транзистора.
• Плюс низковольтной батареи  подсоединен к затвору транзистора.

В этой конфигурации  транзистор открыт. Вы можете видеть, как небольшой ток протекает через транзистор от затвора к истоку. Теперь давайте посмотрим на правую половину схемы:

• Минус высоковольтной батареи  подсоединен к истоку транзистора.
• Плюс высоковольтной батареи подключен к одному из выводов лампочки.

Другой вывод лампочки подключен к стоку транзистора.

Поскольку транзистор открыт, то больший ток  протекает через лампочку, далее через транзистор от стока к истоку. Если вы отключите низковольтную батарею от транзистора, то транзистор закроется, а лампочка погаснет.

Обратите внимание, что транзистор здесь работает в качестве ключа, включая и выключая лампочку под действием низковольтного напряжения.

Данная схема не особо полезна на практике. Однако, когда мы заменим низковольтную батарею другим источником напряжения, то транзисторный ключ становится намного интереснее.

Вместо того чтобы переключать транзистор с помощью низковольтной батареи, мы можем включать его и выключать с помощью других источников напряжения.  В качестве примера приведем несколько источников сигнала, способных влиять на переключения транзистора:

• Микрофон, создающий переменный электрический сигнал в зависимости от уровня звука.
• Солнечная батарея, вырабатывающая постоянное напряжение при освещении ее поверхности.
• Датчик влажности.

Обратите внимание, что все перечисленные выше датчики реагирует на различные источники сигнала. Используя их слабое выходное напряжение   можно управлять гораздо более мощным устройством.

Следующий пример применения транзистора

В данном примере мы имеем микрофон, соединенный с затвором полевого транзистора и лампу накаливания, подключенную к транзистору и повышенному источнику питания. Теперь при улавливании звука микрофоном, лампочка будет загораться. И чем громче будет звук, тем ярче будет светиться лампа.

Это происходит потому, что микрофон создает напряжение, поступающее на затвор полевого транзистора. При появлении сигнала на затворе происходит отпирание транзистора, в результате чего через транзистор начинает течь ток от стока к истоку.

Фактически, в этой схеме полевой транзистор играет роль усилителя сигнала. Для еще большего усиления можно использовать еще один транзистор.

Примечание: в этой схеме мы  использовали громкоговоритель в качестве микрофона, так как динамик  генерирует более сильное напряжение по сравнению с Электродинамическим микрофоном.

Данная схема аналогична предыдущей, только теперь вместо лампы подключен электродвигатель. Это позволяет  управлять скоростью вращения электродвигателя силой звука поступающего в динамик.

 

Чем громче вы кричите в микрофон, тем быстрее двигатель будет вращаться.

Транзистор в режиме инвертора

До сих пор все наши примеры были основаны на включении нагрузки при подаче напряжения на затвор транзистора. Транзистор так же может работать и в инверсном режиме, это когда он проводит ток при отсутствии входного напряжения на затворе.

Рассмотрим данный режим работы транзистора на примере простой охранной сигнализации, издающей звук при обрыве тонкого провода охранного шлейфа.

Сперва, мы должны с типами полевых транзисторов. Все транзисторы бывают двух разных типов проводимости: P-канальный  и N-канальный.

N-канальный	P-канальный
Транзистор открыт при подаче напряжения   на затвор	Транзистор заперт  при подаче напряжения на затвор

Единственная разница в символьном обозначении является направление стрелки затвора.

До сих пор все наши примеры были связаны с полевым транзистором N-канальным. Транзисторы данного типа доминируют в радиоэлектронных схемах, поскольку они дешевле в производстве. Тем не менее, в следующем примере   мы используем   Р-канальный полевой транзистор.

Помните, что Р-канальный полевой транзистор находится в закрытом состоянии в тот момент, когда на его затворе находится управляющее напряжение. Поэтому, как видно из вышеприведенной схемы, звуковой генератор (buzzer) будет в выключенном состоянии до тех пор, пока провод цел. Как только провод будет разорван, напряжение на затворе   пропадет,  и транзистор начнет пропускать ток, и активирует звуковой генератор.

Пока охранный шлейф не оборван, основная аккумуляторная батарея бездействует и тем самым сохраняет свой заряд. В тоже время, для обеспечения напряжения на затворе транзистора необходимо ничтожно малый ток малой батареи, и ее хватит на очень длительный срок.

Мы так же можем   оптимизировать данную схему и использовать всего один источник питания. Все, что мы должны сделать, это подключить охранный шлейф к затвору и плюсу большой батареи и исключить малую батарею.

перевод: http://efundies.com/

Транзистор

— Википедия

Dieser Artikel beschreibt das elektronische Bauelement Transistor . Zum gleichnamigen Computerspiel siehe Transistor (Computerspiel). Auswahl an diskreten Transistoren in verschiedenen THT-Gehäuseformen

Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme. Er ist der weitaus wichtigste «aktive» Bestandteil elektronischer Schaltungen, der beispielsweise in der Nachrichtentechnik, der Leistungselektronik и в Computersystemen eingesetzt wird.Besondere Bedeutung haben Transistoren — zumeist als Ein / Aus-Schalter — в interierten Schaltkreisen был die weit verbreitete Mikroelektronik ermöglicht.

Die Bezeichnung «Transistor» ist ein Kofferwort des englischen trans fer res istor , ^{[1] [2]} был в Funktion einem durch eine angelegte elektrische stannung elektrischen eine entspricht. Die Wirkungsweise ähnelt der einer entsprechenden Elektronenröhre, nämlich der Triode.

Nachbau des ersten Transistors von Shockley, Bardeen und Brattain von 1947/48 im Nixdorf-Museum Джон Бардин, Уильям Шокли и Уолтер Браттейн, 1948 год. Nahaufnahme eines Germaniumtransistors aus den 1960er Jahren mit zentraler Germaniumscheibe und in der Mitte die «Indiumpille» als Kontakt

Die ersten Patente auf das Prinzip des Transistors meldete Julius Edgar Lilienfeld im Jahr 1925 an. ^[3] Lilienfeld beschreibt in seiner Arbeit ein elektronisches Bauelement, das Eigenschaften einer Elektronenröhre aufweist und im weitesten Sinne mit dem heute als Feldeffekttransistor (FET) bezeichneten Bauelement.Zu dieser Zeit war es technisch noch nicht möglich, Feldeffekttransistoren praktisch zu realisieren. ^[4]

Im Jahr 1934 Лицо физика Оскара Хайль ден Aufbau Eines Feldeffekttransistor патент, bei dem es sich um einen Halbleiter-FET mit изолирующая ручка ворот. ^[5] Die ersten praktisch realisierten Sperrschicht-Feldeffekttransistoren JFETs mit einem p-n-Übergang (positiv-negativ) и einem Gate als Steuerelektrode gehen auf Herbert F. Mataré, Heinrich und Welazker sowie parallel.Brattain aus dem Jahr 1945 zurück. ^[6] Der Feldeffekttransistor wurde somit Historisch vor dem Bipolartransistor realisiert, konnte sich damals aber noch nicht praktisch durchsetzen. Damals wurden diese Bauelemente noch nicht als Transistor bezeichnet; den Begriff «Transistor» prägte John R. Pierce im Jahr 1948. ^[2]

Ab 1942 Experimentierte Herbert Mataré bei Telefunken mit dem von ihm als Duodiode (Doppelspitzendiode) bezeichneten BauelemewDefeelement im Rahppüngen der Система (РАДАР).Die von Mataré dazu aufgebauten Duodioden waren Punktkontakt-Dioden auf Halbleiterbasis mit zwei sehr nahe beieinander stehenden Metallkontakten auf dem Halbleitersubstrat. Mataré Experimentierte dabei mit polykristallinem Silizium (kurz: Polysilizium), das er von Karl Seiler aus dem Telefunken-Labor в Breslau bezog, und mit Germanium, das er von einem Forschungsteam der Luftwaffe bei au Münhielkente (in Dem. Bei den Experimenten mit Germanium entdeckte er Effekte, die sich nicht als zwei unabhängig arbeitende Dioden erklären ließen: Die Spannung an der einen Diode konnte den Strom durch die andere Diode beeinflussen.Diese Beobachtung bildete die Grundidee für die späteren Spitzentransistoren, eine frühe Bauform des Bipolartransistors.

In den Bell Laboratories in den Vereinigten Staaten entwickelte die Gruppe um John Bardeen, William Shockley und Walter Brattain den ersten funktionierenden Bipolartransistor in Form eines Spitzentransistors, der am 23 декабря 1947 года. ^{[7] [8] [9]} Für die Erfindung des Bipolartransistors erhielten John Bardeen, William Shockley und Walter Brattain 1956 den Nobelpreis für Physik.Da Shockley mit seinem Team einen Bipolartransistor realisiert hatten, welcher nicht auf dem Funktionsprinzip eines Feldeffekttransistors basiert, finden sich in dem US-Patent auch keine Referenzen auf die Theoretischen Vorarbeiten von He Lilienfeld den 1920. ^{[10] [11]}

Unabhängig von den Arbeiten in den USA entwickelten die beiden Wissenschaftler Herbert Mataré und Heinrich Welker во Франкрайхе обеспечивает функционирование биполартранзистора.Sie waren einige Monate später erfolgreich und meldeten dafür am 13. Август 1948 г. в Париже ein Patent an. ^{[12] [13] [14]} Am 18. Май 1949 г. мы наблюдали за искусственным искусством «Transistron» дер Öffentlichkeit vorgestellt, der neue Begriff «Transistron» поклонялись в Folge keine wesentliche Verbreitung. ^[15]

In den Folgejahren folgen weitere, technologische Verbesserungen. Таким образом, группа компаний Гордон Тил, Морган Спаркс и Уильям Шокли в лабораториях Белла в Яре в 1951 году подает заявку на использование флехентранзисторов, работает над улучшением «Кристалла».Bis dahin waren Bipolartransistoren als Spitzentransistoren aufgebaut. ^[16]

In den 1950er-Jahren gab es einen Wettlauf zwischen der Elektronenröhre und den damals üblichen Bipolartransistoren, in dem die Chancen des Bipolartransistors wegen der vergleichsweefredenterigen Transiturienterigen. Die geringe Größe, der geringe Energiebedarf und später die zunehmenden Transitfrequenzen der Transistoren führten jedoch dazu, dass in den 1960er Jahren die Elektronenröhren als Signalverstärker auf fast allen technischen Gebieten abgelö.

Feldeffekttransistoren spielten im praktischen Einsatz, im Gegensatz zu den ersten Bipolartransistoren, in den 1950er bis in die späten 1960er Jahre noch kaum eine Rolle, obwohl deren theorytischen Grundannt länger bek. Feldeffekttransistoren ließen sich mit den damaligen Kenntnissen nicht wirtschaftlich fertigen und waren wegen der Durchschlagsgefahr des Gates durch unbeabsichtigte elektrostatische Entladung umständlich zu handhaben. Zur Lösung der bei bipolaren Transistoren auftretenden Probleme wie Leistungsbedarf und Anforderungen für integrierte Schaltungen beschäftigten sich Entwickler ab etwa 1955 eingehender mit den Halbleiteroberflächen und fanden Fertigungsverfahrenderefahrenik.

Die ersten handelsüblichen Bipolartransistoren wurden aus dem Halbleitermaterial Germanium hergestellt und ähnlich wie Elektronenröhren in winzige Glasröhrchen eingeschmolzen. Die verschieden dotierten Zonen entstanden mit einem zentralen Germaniumplättchen, in das von beiden Seiten «Indiumpillen» anlegiert waren. ^{[17] [18]} Letztere drangen damit tief in das Grundmaterial ein, in der Mitte blieb aber eine Basisstrecke gewünschter Dicke frei. Im Jahr 1954 kamen Bipolartransistoren aus Silizium auf den Markt (Gordon Teal bei Texas Instruments und Morris Tanenbaum an den Bell Labs).Dieses Grundmaterial war einfacher verfügbar und preisgünstiger. Seit den späten 1960er Jahren kamen großteils Metall- oder Kunststoffgehäuse zur Anwendung. Einsatzbereiche lagen zunächst in der analogen Schaltungstechnik wie den damals aufkommenden Transistorradios. Das Basismaterial Germanium wurde in Folge verstärkt durch das technisch vorteilhaftere Silizium ersetzt, das einen größeren Arbeitstemperaturbereich bei wesentlich geringeren Restströmen abdeckte und durch die Siliziumdioxid-German elektriskendenendennensektungendensektungen.

Der erste auf Galliumarsenid basierende Feldeffekttransistor, sogenannte MESFET, wurde 1966 von Carver Mead entwickelt. ^[19] Dünnschichttransistoren (англ. тонкопленочный транзистор , abgekürzt TFT ) wurden bereits 1962 von P. Weimer entwickelt, konnten aber erst rund 30 Jahre später im Bereich heute üblicherden Discovery. ^[20]

Werden alle Transistoren in sämtlichen bislang hergestellten Schaltkreisen wie Arbeitsspeicher, Prozessoren usw., zusammengezählt, ist der Transistor inzwischen diejenige technische Funktionseinheit, die von der Menschheit in den höchsten Gesamtstückzahlen produziert wurde und wird. Moderne integrierte Schaltungen, wie die in Personal Computern eingesetzten Mikroprozessoren, bestehen aus vielen Millionen bis Milliarden Transistoren.

Es gibt zwei wichtige Gruppen von Transistoren, nämlich Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren (FET), die sich durch die Art der Ansteuerung voneinander unterscheiden.Eine Liste mit einer groben Einordnung bzw. Gruppierung der Transistoren sowie weiteren Transistorenvarianten findet sich unter Liste elektrischer Bauelemente.

Биполярный транзистор [Bearbeiten | Quelltext Bearbeiten]

Schaltsymbole des Bipolartransistors

нпн

пнп

Схема eines npn-Transistors, der im Verstärkungsbereich betrieben wird. Im Halbleiterkristall wird elektrischer Strom durch Löcher und Elektronen übertragen.

Bei bipolaren Transistoren tragen sowohl bewegliche negative Ladungsträger, die Elektronen, als auch positive Ladungsträger, sogenannte Defektelektronen, zur Funktion bzw. zum Ladungstransport bei. Defektelektronen, auch als Löcher bezeichnet, sind unbesetzte Zustände im Valenzband, die sich durch Generation und Rekombination von Elektronen im Kristall bewegen. Zu den bipolaren Transistoren gehören unter anderem der IGBT und der HJBT. Der wichtigste Vertreter ist jedoch der Bipolartransistor (англ.: биполярный переходной транзистор, BJT).

Биполярный транзистор wird durch einen elektrischen Strom angesteuert. Die Anschlüsse werden mit Basis , Emitter , Kollektor bezeichnet (im Schaltbild abgekürzt durch die Buchstaben B, E, C). Ein kleiner Steuerstrom auf der Basis-Emitter-Strecke führt zu Veränderungen der Raumladungszonen im Innern des Bipolartransistors und kann dadurch einen großen Strom auf der Kollektor-Emitter-Strecke steuern. Je nach Dotierungsfolge im Aufbau unterscheidet man zwischen npn — (negativ-positiv-negativ) и pnp -Transistoren (positiv-negativ-positiv).Dotierung bedeutet in diesem Zusammenhang das Einbringen von Fremdatomen bei dem Herstellungsprozess in eine Schicht des hochreinen Halbleitermaterials, um die Kristallstruktur zu verändern. Bipolartransistoren sind grundsätzlich immer selbstsperrend : Ohne Ansteuerung mittels eines kleinen Stromes durch die Basis-Emitter-Strecke sperrt der Transistor auf der Kollektor-Emitter-Strecke.

Im Schaltsymbol ist der Anschluss Emitter (E) in beiden Fällen mit einem kleinen Pfeil versehen: Bei einem npn-Transistor zeigt dieser vom Bauelement weg, beim pnp-Transistor weg. ^[21] Der Pfeil beschreibt die technische Stromrichtung (Bewegung gedachter positiver Ladungsträger) am Emitter . В frühen Jahren wurde в Schaltplänen bei den damals oft eingesetzten diskreten Transistoren zur Kennzeichnung des Transistorgehäuses ein Kreis um das jeweilige Symbol gezeichnet. Die Kreissymbole sind durch den heutigen vorherrschenden Einsatz integrierter Schaltungen unüblich geworden.

Die Verknüpfung zweier Bipolartransistoren mit Vor- und Hauptverstärkung zu einer Einheit wird als Darlington-Transistor или Darlington-Schaltung bezeichnet.Durch diese Verschaltung kann eine deutlich höhere Stromverstärkung erreicht werden als mit einem einzelnen Transistor. Weitere Details zu den Besonderheiten und Ansteuerungen finden sich in dem eigenen Artikel über Bipolartransistoren und in der Mathematischen Beschreibung des Bipolartransistors. Einfache Schaltungsbeispiele finden sich in dem Artikel über Transistorgrundschaltungen und bei den Ersatzschaltungen des Bipolartransistors.

Транзистор Feldeffekt [Bearbeiten | Quelltext Bearbeiten]

Feldeffekttransistoren, abgekürzt FET, oder auch als unipolare Transistoren bezeichnet, werden durch eine Spannung gesteuert.Besonders für FETs ist ein sehr hoher Eingangswiderstand im statischen Betrieb und die daher fast leistungslose Ansteuerung typisch.

Die 3 Anschlüsse werden als Gate (dt. Tor, Gatter), das ist der Steueranschluss, Drain (dt. Senke, Abfluss) и Source (dt. Quelle, Zufluss) bezeichnet. Bei MOSFETs (Metalloxidschicht) kommt noch ein weiterer Anschluss, das Bulk или Body (dt. Substrat) hinzu, das meist mit dem Source -Anschluss verbunden wird.Der Widerstand und somit der Strom der Drain-Source-Strecke wird durch die Spannung zwischen Gate und Source und das dadurch entstehende elektrische Feld gesteuert. Die Steuerung ist im statischen Fall fast stromlos. Der gesteuerte Strom im Drain-Source-Kanal kann, im Gegensatz zum Kollektorstrom von Bipolartransistoren, in beiden Richtungen fließen.

Класс защиты транзисторов в полевых транзисторах (JFET) и полевых транзисторах, между ними, изолятор, получаемый затвором (MISFET, MOSFET), лучше всего.Unterschieden wird bei Feldeffekttransistoren darüber hinaus je nach Dotierung des Halbleiters zwischen n- und p-FETs, die sich bei den MOSFETs weiter in selbstleitende und selbstsperrende Typen aufteilen.

Bei den Unipolartransistoren ist immer nur eine Ladungsträgerart, negativ geladene Elektronen или positiv geladene Defektelektronen, am Ladungsträgertransport durch den Transistor beteiligt.

Транзистор Sperrschicht-Feldeffekt [Bearbeiten | Quelltext Bearbeiten]

Символика JFET

н-канал

п-канал

Bei Sperrschicht-FETs (англ. junction FET , JFET) wird die elektrisch isolierende Schicht zum Gate durch eine in Sperrrichtung betriebene Diode und deren unterschiedlich große Raumladungszone gebildet. Sperrschicht-FET sind in der Grundform immer selbstleitende Transistoren: Ohne Spannung am Gate sind sie zwischen Source und Drain leitend. Durch das Anlegen einer Gate -Spannung geeigneter Polarität wird die Leitfähigkeit zwischen Source und Drain reduziert.Es gibt allerdings auch spezielle Varianten, die Ohne Gate-Spannung keinen Source-Drain-Strom aufweisen (selbstsperrende JFET, англ. Normal-off JFET). ^[22]

Полевые транзисторы Auch в zwei Arten: n-Kanal и p-Kanal. Im Schaltsymbol wird bei einem n-Kanal der Pfeil zu dem Transistor gezeichnet und auf dem Gate-Anschluss eingezeichnet, wie in nebenstehender Abbildung dargestellt. Beim p-Kanal-Typ ist die Pfeilrichtung umgekehrt. Sperrschicht-FETs finden wegen der etwas komplizierteren Ansteuerung nur in speziellen Anwendungen, wie beispielsweise Mikrofonverstärkern, Anwendung.

Транзистор Металл-Оксид-Гальблейтера-Фельдеффекта [Bearbeiten | Quelltext Bearbeiten]

Схема схемы полевых МОП-транзисторов Prinzipieller Aufbau eines n-Kanal-MOSFETs im Querschnitt

Der Überbegriff MISFET leitet sich von der englischen Bezeichnung металлический изолятор полупроводниковый полевой транзистор (Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ab. Sie stellen die andere große Gruppe, die Feldeffekttransistoren mit einem durch einen Isolator getrennten Gate (англ .: полевой транзистор с изолированным затвором, IGFET), дар.Aus Historischen Gründen wird statt MISFET или IGFET meist die Bezeichnung MOSFET синоним verwendet. MOSFET — полевой полупроводниковый металлооксидный транзистор (транзистор Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) и работает на Ursprünge der Halbleitertechnik zurück; damals wurde als Gate-Material Aluminium и Isolator Siliziumdioxid verwendet.

Wie der Name schon andeutet, ist ein MOSFET im Wesentlichen durch den Aufbau des Gate-Schichtstapels Definiert. Dabei ist ein «Metallisches» Gate durch ein Oxid (Isolator) vom stromführenden Kanal (Halbleiter) zwischen Source und Drain elektrisch isoliert.Mit Technologiestand im Jahr 2008 wurde vornehmlich hochdotiertes Polysilizium as Gate-Material eingesetzt, womit die Bezeichnung MISFET bzw. MOSFET nicht исправление ист. In Verbindung mit dem Substratmaterial Silizium bietet sich Siliziumdioxid als Isolationsmaterial an, da es sich technologisch einfach in den Herstellungsprozess integrieren lässt und gute elektrische Eigenschaften aufweist. Eine Ausnahme stellt die High-k + Metal-Gate-Technik dar, bei der ein metallisches Gate в Verbindung mit High-k-Materialien aus Metalloxiden eingesetzt wird.

Ein Vorteil der MOSFET-Technik ist, dass durch den Einsatz eines Isolators im Betrieb keine Raumladungszone als Trennschicht, wie beim Sperrschicht-FET mit entsprechender Ansteuerungspolarität, gebildet werden. Der Gate -Anschluss kann somit in bestimmten Bereichen mit sowohl positiven als auch negativen Spannungen gegen den Source -Anschluss beaufschlagt werden.

Je nach Dotierung des Grundmaterials lassen sich sowohl nals auch p-Kanal-MOSFETs herstellen.Diese können auch в форме selbstleitender oder selbstsperrender Typen im Rahmen der Herstellungsprozesse konfiguriert werden. Die Schaltsymbole umfassen damit vier mögliche Variationen wie in nebenstehender Abbildung dargestellt. Dabei ist erkennbar, dass die selbstleitenden MOSFETs, auch als Verarmungstyp bezeichnet, eine durchgezogen Linie zwischen den Anschlüssen Drain und Source aufweisen. Diese Linie ist bei den selbstsperrenden Typen, auch als Anreicherungstyp bezeichnet, unterbrochen.Der Pfeil wird bei diesen Transistoren am Bulk -Anschluss eingezeichnet und bei einem n-Kanal-Typ zu dem Transistorsymbol orientiert, bei einem p-Kanal vom Transistor weg gezeichnet. Der Bulk -Anschluss ist of fest mit dem Source -Anschluss direkt am Halbleiter verbunden.

Wegen der größeren Vielfalt und der leichteren elektrischen Steuerbarkeit sind MOSFETs die heute mit großem Abstand am meisten produzierten Transistoren. Компания Möglich использует кристаллы для всех CMOS-технологий, помимо p-MOSFET kombiniert werden.Erst der Einsatz dieser Technologie erlaubte die Realisierung hochkomplexer, integrierter Schaltungen mit einer deutlich reduzierten Leistungsaufnahme, die mit anderen Transistortypen nicht möglich wäre.

Spezielle Transistortypen [Bearbeiten | Quelltext Bearbeiten]

Источник переменного тока

с транзистором

Схема регулируемого блока питания с транзистором представляет собой адаптер с регулируемым выходным напряжением от 0 вольт до +15 вольт постоянного тока. Стабилизаторы напряжения, используемые в схеме переменного питания с транзисторами. Это стабилитрон, резисторы делителя напряжения и транзистор усилителя тока.Схема регулируемого источника питания на транзисторах имеет возможность обеспечить источник напряжения с максимальным током 1 Ампер. На возможность тока стока 1 А влияет используемый транзистор Q1, если он хочет повысить максимальный ток, например, транзистор Q1 5 А можно заменить на более крупный тип, такой как 2N3055, и заменить понижающий трансформатор, который может обеспечить максимум ток 5А. Схема переменного источника питания на транзисторах довольно проста и может быть изготовлена ​​быстро, компоненты, используемые для сборки схемы переменного источника питания на транзисторах, также легко доступны на рынке.Принципиальные схемы и компоненты, используемые для создания схемы регулируемого источника питания с транзисторами , можно увидеть на следующем рисунке.

Схема блока питания переменного тока

на транзисторе

Список компонентов переменного блока питания с транзистором

• R1 = 56 Ом 2 Вт
• R2 = Потензиометр 330 Ом
• C1 = 2200 мкФ 35 В
• C2 = 100 мкФ 35 В
• C3 = 10 мкФ 25 В
• C4 = 220 мкФ 25 В
• C5 = 100 нФ 100 В
• D1 = стабилитрон 18 В 1.5 Вт
• GR1 = 4 X 1N4007
• Q1 = D313
• T1 = 220 В 18 В 1,5 А

Схема переменного источника питания с транзистором на изображении выше может обеспечивать выходное напряжение от 0 до +15 вольт постоянного тока, где установить диапазон уровня выходного напряжения переменного источника питания с транзисторами можно путем регулировки положения рычага потенциометра. R2. Для простоты установки выходного напряжения на выходе схемы следует регулируемый блок питания с установленным на транзисторах вольтметром для определения выходного напряжения в момент установки положения потенциометра R2.Транзистор Q1 в цепи переменного источника питания с транзисторами будет выделять тепло во время работы, поэтому на транзисторе Q1 необходимо установить охлаждение (теплоотвод) для отвода тепла, выделяемого в транзисторе Q1 в схеме переменного источника питания с транзистором .

Схема простого тестера транзисторов для биполярных транзисторов

Транзисторы с биполярным переходом часто используются в физических лабораториях и в различных электрических и электронных проектах для различных целей.Иногда во время экспериментов или проектов они требуются для проверки работы транзисторов. Как правило, тестер транзисторов выполняется с использованием дорогостоящих устройств на базе микропроцессоров и может похвастаться роскошной индикацией выводов транзисторов с использованием букв b, e и c. Тестер транзисторов — это инструмент, который используется для проверки электрических характеристик транзистора или диода. Мультиметры подходят для тестирования транзисторов как PNP, так и NPN.

Тестер транзисторов

Тестер транзисторов

Тестер транзисторов — это тип прибора, который используется для проверки электрических характеристик транзисторов.Существует три типа тестеров транзисторов, каждый из которых выполняет отдельную операцию:

• Quick Check in Circuit Checker
• Service Type Tester
• Лабораторный стандартный тестер

Quick Check in Circuit Checker

Быстрая проверка цепи транзистора Тестер используется для проверки правильности работы транзистора в цепи. Этот тип тестера транзисторов указывает технику, работает ли транзистор или нет.Преимущество использования этого тестера состоит в том, что среди всех компонентов схемы не удаляется только транзистор.

Сервисный тестер транзисторов

Этот тип тестера транзисторов обычно выполняет три типа тестов: усиление прямого тока, ток утечки от базы к коллектору с открытым эмиттером и короткое замыкание от коллектора к базе и эмиттеру.

Лабораторный стандартный тестер

Лабораторный стандартный тестер используется для измерения параметров транзистора в различных рабочих условиях.Показания, измеренные этим тестером, являются точными, и среди важных измеренных характеристик входят входное сопротивление Rin, общая база и общий эмиттер.

Тестер транзисторов Процедура

Цифровой мультиметр или цифровой мультиметр — один из наиболее распространенных и полезных элементов испытательного оборудования. Он используется для проверки PN перехода база-эмиттер и база-коллектор BJT.

Процедура тестера транзисторов с использованием цифрового мультиметра

Тестер транзисторов с использованием цифрового мультиметра

Цифровой мультиметр используется для проверки PN перехода база-эмиттер и база-коллектор BJT.Используя этот тест, вы также можете определить полярность неизвестного устройства. Транзисторы PNP и NPN можно проверить с помощью цифрового мультиметра.

Цифровой мультиметр состоит из двух проводов: черного и красного. Подключите красный (положительный) вывод к клемме базы транзистора PNP, а черный (отрицательный) провод к клемме эмиттера или базы транзистора. Напряжение исправного транзистора должно составлять 0,7 В, а измерение на коллекторе эмиттера должно быть 0,0 В. Если измеренное напряжение около 1.8В, то транзистор сдохнет.

Аналогичным образом подключите черный провод (отрицательный) к клемме базы NPN-транзистора, а красный провод (положительный) к клемме эмиттера или коллектора транзистора. Напряжение исправного транзистора должно составлять 0,7 В, а измерение на коллекторе эмиттера должно быть 0,0 В. Если измеренное напряжение составляет около 1,8 В, то транзистор не работает.

Схема тестера транзисторов

Эта схема тестера транзисторов, в которой используется микросхема таймера 555, подходит для тестирования транзисторов PNP и NPN.Эта схема проста по сравнению с другими тестерами транзисторов и поэтому полезна как для технических специалистов, так и для студентов. Его можно легко установить на печатную плату общего назначения. Для разработки этой схемы используются основные электронные компоненты, такие как резисторы, диоды, светодиоды и NE5555. Используя эту схему, можно проверить различные неисправности — например, узнать, в хорошем ли состояние транзистор, открыт или закорочен, и так далее. NE 555 Timer IC — это мультивибратор, который работает в трех режимах: нестабильный, моностабильный и бистабильный.Также эта схема может работать от батареи в течение длительного времени.

Схема тестера транзисторов

Схема работы этой схемы тестера транзисторов такова, что она работает на частоте 2 Гц. Выходные контакты 3 замыкают цепь тестера транзисторов с положительным напряжением, а затем с ненулевым напряжением. На другом конце этой цепи делитель напряжения подключен к средней точке примерно на 4,5 В, и результат будет таким:

Если к тестеру не подключен транзистор, зеленый и красный светодиоды мигают попеременно.Когда транзистор вставлен в измерительный провод, оба светодиода мигают. Если мигает только один светодиод, состояние транзистора в порядке. Если напряжение будет только в одном направлении, это приведет к короткому замыканию пары светодиодов. Если ни один из светодиодов не мигает, транзистор будет закорочен, а если оба светодиода мигают — транзистор будет открыт.

Проект тестера транзисторов на основе светодиодов

Проект

Тестер транзисторов на основе светодиодов

Вышеупомянутая схема представляет собой простую схему тестера транзисторов; где КМОП с входом Quad2, ИС логического элемента И-НЕ, CD4011B является сердцем схемы.В этой схеме мы использовали два светодиода для отображения состояния. Используя эту схему, мы можем проверить как транзисторы PNP, так и NPN. Внутри ИС из четырех вентилей NAND используются только три логических элемента. Эти ворота используются как ворота НЕ, закорачивая их входные клеммы. Здесь резистор R1, конденсатор C1, вентили U1a и U1b формируют генератор прямоугольной формы. Частота этого генератора регулируется с помощью резистора R1, а выходной сигнал генератора инвертируется с помощью затвора U1c. Выходы инвертированного и неинвертированного генератора подключены к базе тестируемого транзистора через резисторы R2 и R3.

Во время тестирования состояние светоизлучающих диодов указывает на состояние транзистора. Если красный светодиод горит, это означает, что транзистор NPN исправен. Если зеленый светодиод горит, это означает, что транзистор PNP исправен. Если оба светодиода горят, это означает, что тестируемый транзистор закорочен. Если оба светодиода выключены, это означает, что проверяемый транзистор открыт или неисправен.

Итак, речь идет о схеме тестера транзисторов и цифровом мультиметре. Тестеры транзисторов имеют важные переключатели и элементы управления для правильной настройки тока, напряжения и сигнала.Кроме того, эти тестеры транзисторов предназначены для проверки твердотельных диодов. Также существуют предпочтительные тестеры для проверки транзисторов и выпрямителей с высоким напряжением. Кроме того, если у вас есть какие-либо вопросы по этой теме, вы можете оставить комментарий ниже в разделе комментариев.

Фото:

Основы транзисторов

Основы транзисторов

НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ ДЛЯ УКАЗАНИЯ СТРАНИЦЫ

ТРАНЗИСТОРЫ

В.Райан 2002 — 09

ФАЙЛ PDF — НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ ДЛЯ ПЕЧАТНОЙ ВЕРСИИ РАБОЧАЯ ТАБЛИЦА НА ОСНОВЕ УПРАЖНЕНИЯ НИЖЕ
Транзисторы можно рассматривать как разновидность переключателя, так как может много электронных компонентов. Они используются в различных схемах и вы обнаружите, что схема, построенная в школе, Технологический отдел не содержит хотя бы одного транзистора.Они есть центральный в электронике и бывает двух основных типов; НПН и ПНП. Наиболее схемы обычно используют NPN. Есть сотни работающих транзисторов. при разных напряжениях, но все они попадают в эти две категории.
			ДВА ПРИМЕРА РАЗЛИЧНЫЕ ФОРМЫ ТРАНЗИСТОРА
Транзисторы производятся разной формы, но у них есть три отведения (ножки). BASE — вывод, отвечающий за активацию транзистора. КОЛЛЕКТОР — это положительный вывод. EMITTER — отрицательный провод. На схеме ниже показан символ транзистора NPN . Они не всегда располагайте так, как показано на схемах слева и справа, хотя вкладка типа, показанного слева, обычно находится рядом с эмиттер.
Отведения на транзистор не всегда может быть в таком расположении. При покупке транзистора, направления обычно четко указывают, какой вывод является БАЗА, ЭМИТТЕР или КОЛЛЕКТОР.
ПРОСТОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРА
ДИАГРАММА ‘A’	ДИАГРАММА ‘B’
На схеме A показан NPN-транзистор, часто используется как переключатель.Небольшой ток или напряжение на база позволяет большему напряжению проходить через два других вывода (с коллектора на эмиттер ). Схема, показанная на диаграмме B , основана на транзисторе NPN. При нажатии переключателя ток проходит через резистор в база транзистора. Затем транзистор позволяет току течет с +9 вольт на 0вс, и лампа загорается. Транзистор должен получить напряжение на своей базе и до тех пор, пока такое бывает, лампа не горит. Резистор присутствует для защиты транзистора, так как они могут быть повреждены легко из-за слишком высокого напряжения / тока. Транзисторы необходимы компонент во многих схемах и иногда используется для усиления сигнала.
БОЛЬШЕ НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ ТРАНЗИСТОРЫ (ПАРЫ ДАРЛИНГТОНА)
НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ ДЛЯ УКАЗАНИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ СТР.

Perbedaan jenis Transistor Final Power, Jengkolan Sanken, Toshiba, Mjl, NJW, дан TIP

Ada bermacam merk dan varian dari transistor yang cocok sebagai penguat akhir atau final untuk power audio янь banyak dijual ditoko elektronika.Hal ini tentu saja sangat bagus bagi kita para perakit audio, sehingga kita bisa mudah menyesuaikan dengan kebutuhan akan amp kita. Dipasaran ada tersedia berbagai merk dan type, misalnya Thosiba, Sanken, MOSPEC, MJL, jengkolan, MEXICO, TIP, NJW, dsb. Апа ян мембедакан диантара семуанья?…. secara prinsip kerja transistor sama saja, namun hal utama yang paling mempengaruhi terhadap kebutuhan audio kita adalah voltasenya, disipasi daya, dan tentu saja harga dari masing-masing transistor tersebut.

Baca juga: Kerusakan Umum pada Driver Усилитель мощности OCL 150 Вт

Untuk itu anda perlu melihat kebutuhan Anda terlebih dahulu sebelum memilih diantara masing-masing type transistor, sehingga nantinya nggak akan ada hal yang sia-sia.

Misalnya sebagai contoh: Anda saat ini sudah memiliki sebuah trafo berukuran 5 ампер; dengan tegangan выход максимум 32вольт…. Нет, dengan adanya trafo yang sebesar itu, maka anda hanya akan sia-sia jika memilih транзистор конечный sanken 2SC3264 дан pasangannya 2SA1295; Хал Ини Карена транзисторный тип tersebut selain cukup mahal, juga memiliki spesifikasi yang tinggi, yaitu 230v, 17 ampere, dengan daa maksimal 200watt.

Kenapa saya bilang sia-sia? . Sia-sianya karena trafo yang anda miliki kurang mencukupi Untuk kebutuhan supply arus (kurang ampere) Untuk tr final tersebut, sehingga daya outputnya pun tidak akan bisa maksimal; артинья анда ханья буанг-буанг дуит саджа. Транзистор Yang sesuai dengan trafo anda adalah TIP 3055 / TIP2955 atau jengkolan 2N3055 и pasangannya yaitu MJ2955. Tapi kalau trafo Anda adalah produk 5 amper besar / 5A murni, maka 1 set sanken 2SC2922 — 2SA1216 mungkin masih sesuai. Paham khan maksud saya?… Hehe Lain hal nya jika Anda memiliki trafo 10amper, yang mampu menyuplai tegangan hingga 60VDC, maka Anda bisa memilih final type 2SC3264 dan pasangannya 2SA1295 supaya Максимальный усилитель мощности Стерео усилитель мощности. Apakah hal itu sudah tidak sia-sia?…. Тидак, Карена Дая Келуаран Максимал Джуга Тергантунг Дари Фактор Спикерня Джуга, Мака спикер Анда Харусня Мампу Менампунг Дайа 400 Вт dengan Impedansi 4ohm. Anda bisa menggunakan 2 buah динамик 8 0hm 200 ватт ян дипаралель.Бару иту наманйа тидак сиа-сиа. Segitu saja basa-poolya, sekarang marilah kita mengenal berbagai, транзисторный оконечный усилитель.

Baca juga: Penyebab dan cara mengatasi Suara Mendengung Усилитель Rakitan

Berikut mengenai perbedaan berbagai TR конечный аудиоусилитель ян баньяк дигунакан олех перакит атау penggemar audio

Транзистор выпускной аудиосистемы Sanken 2SC2922 — 2SA1216

Сепасанг TR окончательный тип дари продукт санкен Ини каякня янь палинг menjadi primadona diantara para penggemar audio.Selain mudah dijumpai dipasaran, тип транзистора sanken ini harganya relatif terjangkau, максимальное напряжение cukup yaitu hingga 180V дан куат arus maksimal 17 ампер, mampu mengeluarkan daya hingga 200watt.

Тип ини джуга биса ди гунакан для усилителя мощности Луар Руанган Ян Бердая бесар Рибуан ватт, Джуга Багус Дигунакан для аудио румахан. Bagaimana caranya jika akan kita digunakan Untuk Power Audio Lapangan Berdaya Ribuan Watt?… Tentu saja tegangan dan kuat arus (ampere) trafo supply perlu ditingkatkan, namun kita juga perlu menggunakan beberapa set sanken de l’AnkenDea 2SC2922 — источник питания sanken-de-2SC2922-Sedangkan kalau Untuk kebutuhan audio ruangan, maka 1 set TR final ini dengan 10 amper trafo sudah sangat baik.

Masih ada beberapa type varian TR penguat akhir produk dari sanken yang tentunya tersedia dalam bermacam spsifikasi yaitu termasuk: Sanken 2SC3858 — 2SA1494 => 200 Вт, 200 В, 17 ампер. 2SC3264 — 2SA1295 => 200 Вт, 230 В, 17 ампер.

Транзистор выпускной аудиосистемы TOSHIBA 2SC5200 dan 2SA1943

Beda dengan SANKEN 2SC2922 дан 2SA1216, TOSHIBA 2SC5200 дан 2SA1943 memiliki bentu fisik yang lebih kecil.Транзистор jenis ini juga banyak dipilih oleh penggemar audio Untuk menggetarkan lingkungan sekitarnya.

Лист данных Menurut, тип TR final ini mampu menerima tegangan maksimal 230V dengan kuat arus hingga 15 ампер. Намун денган дайа максимальная ханья 150 Вт, максимальная дайа Тошиба 2SC5200 дан 2SA1943 lebih kecil daripada sanken 2SC2922 дан 2SA1216. Namun meskipun lebih kecil dari sanken 2SC2922 дан 2SA1216, TOSHIBA 2SC5200 дан 2SA1943 bisa menerima arus listrik hingga sebesar 230V.

Dengan demikian, транзистор вначале меню позволяет получить доступ к дипакайи TR final Untuk power audio skala besar; dengan asumsi mampu menerima strum yang jauh lebih tinggi yang artinya akan lebih tahan panas.

Транзистор выпускной аудиосистемы NJW0302 — NJW 0281

Тип транзистора NJW lebih kecil lagi daripada Thosiba, namun memiliki tegangan maksimal yang besar hampir setara dengan THOSIBA 2SC5200 дан 2SA1943 yaitu Voltase maksimal 250V, 15 Amper, dan daa max 150watt.Jika Anda memilih NJW, artinya Anda akanmbangun power amp dengan daya yang tinggi. Karena tegangannya tinggi, maka jenis type ini bisa dipakai untuk класс водителя H. Alasannya class h memakai steper yang menggunakan tegangan versi high sebesar 120V — транзистор Artinya NJW lebih dingin daripada jika pakai sanken untuk class H.

Транзистор выпускной аудиосистемы MOTOROLA MJ15003-15004 dan MJ15024-15025 (jengkolan)

MJ15003-15004 дан MJ15024-15025 транзистор янь дибуат для оконечного усилителя ян бердайа сангат бесар, яиту унтук 1 сетня мампу memberikan дайа усилитель себесар максимум 240 ватт.Транзистор ini berbentuk jengkolan . TR final buatan Motorola ini sama-sama mampu menghasilkan daya hingga 240 ватт. Cukup besar bukan?… .. Lalu apa yang memedakan?…. Тегангання максимальня-лах янь мембедакання. Kalau MJ15003-15004 mampu menerima tegangan hingga 140V 20A, sedangkan MJ15024-15025 hingga 400V 16 ампер. Сехингга акан лебих дингин джика дибандингкан денган санкен джика менгунакан теганган ян сама мисальнйа 90 вольт — артинья тентулах лебих авет… .Лха вонг харганья саджа беда джаух.. хехе

Nah anda pilih yang mana?…. Sesuaikan saja dengan kebutuhan anda ,,,

Транзистор выпускной аудиосистемы MJL21193 — MJL21194

Transistor ini memiliki kemampuan menerima tegangan hingga 250v 16 ampere, dan keluaran daya maksimal hingga 200 ватт. Sepertinya setara dengan Sanken 2SC3264 — 2SA1295, дан янь мембуат pilihan diantara keduanya adalah harganya. Тапи менурут сая, калау мазинг-масинг адалах продукт асли дан букан К.В., мака кедуанйа акан сама-сама мантаб унтук ПА Анда.

Jengkolan 2N3055 — MJ2955 и TIP TIP3055-TIP2955

Конечный транзисторный усилитель Kedua jenis ini memiliki datasheet ян сама яиту 100 вольт 15 ампер дан 150 ватт. Kalau saya mendingan memilih yang TIP, karena lebih mudah dipasang pada pendingin, :). Ханья саджа, карена тело jengkolan адалах логам, мака панас ян дихасилкан lebih cepat ди salurkan ke радиатор sehingga тида cepat mengalamipenurunan дайа дан berpeluang lebih awet. Kalau Anda memilih jenis transistor ini maka Anda hanya akanmbuat sebuah audio ruangan yang sedikit lebih menendang.Намун секали лаги, халини джуга перлу дисесуайкан денган кебутухан.

Masih banyak lagi merk dan type dari TRansistor final audio yang beredar dipasaran, termasuk:

2SA1103 — 2SC2578; spek datasheet = 100 вольт, 7 ампер, 70 ватт

============

2SA1105 — 2SC2577; spek datasheet = 120 вольт, 9 ампер, 90 ватт

============

2SA1106 — 2SC2851; Таблица данных spek = 140 вольт, 10 ампер, 100 ватт

============

2SC2580 — 2SA1105; spek datasheet = 120 вольт, 9 ампер, 90 ватт

============

2SC2581- 2SA1106; spek datasheet = 140 вольт, 10 ампер, 100 ватт

============

JENGKOLAN 2N3773 — 2N6609; spek datasheet = 160 вольт, 16 ампер, 160 ватт

===========

SANKEN 2SA1295 -2SC3264; Таблица данных spek = 200 вольт, 17 ампер, 200 ватт

===========

SANKEN 2SA1494-2SC3858; Таблица данных spek = 200 вольт, 17 ампер, 200 ватт

============

TOSHIBA 2SA1095 — 2SC2565; spek datasheet = 160 вольт, 15 ампер, 150 ватт

============

Кататан:

• техническое описание V misalnya 160V atau 250V adalah tegangan C дан E, jadi bukan berarti power ampi bisa disuply dengan tegangan secara langsung sebesar itu.
• Spesifikasi W (misalnya 200W) adalah disipasi daya, bukan keluaran dalam output. Дисипаси дайа биса меруджук кепада операси аман атау безопасная операционная дари компонен краткий — джади артинья компонен краткий мампу беропераси хингга батас иту. Misalnya disipasi daya final sanken adalah 200W, maka bisa diartikan bahwa tr final sanken itu mampu atau aman mengeluarkan daya выходной усилитель hingga sebesar 200W puncak. Jadi bukan berarti kita menggunakan 1set final sanken dengan disipasi daya 200W, maka outputnya pasti 200watt rms.Тидак сеперти иту, карена дайа терджади карена П = V.I. Baca juga: усилитель мощности Cara menghitung дайа келуаран.

Baca juga: динамик Cara Membuat Box PLANAR, Skema & kelebihannya

Demikian sekilas pembahasan tentang Perbedaan dari berbagai type Transistor Final Untuk Power Amplifier, yaitu TR final jenis Jengkolan, merk Sanken, Toshiba, type Mjl, NJW, Mexico, mospec, dan TIP. Хал Ини bertujuan Untuk Menambah Wawasan Pengetahuan Mengenai Macam транзисторный конечный усилитель Ян Умум Бередар Дипасаран Ян Биса Кита manfaatkan sesuai dengan kebutuhan звуковой системы.

Транзистор

, транзистор постоянного тока смещения Dan Aliran Arus Transistor

Транзистор adalah dioda dengan dua sambungan (переход ). Этот элементарный транзистор PNP maupun NPN. Ujung-ujung оконечный транзистор berturut-turut с дисбалансом эмиттера, базовый дан колектор. Далам конструкции аслиня, урутан пин транзисторный тидак селалу эмиттер, базовый колектор. Akan tetapi tergantung tipe транзистор краткий.

Транзистор биполярный

Транзистор представляет собой биполярный транзистор, имеющий структуру и имеющий решающее значение, если требуется, чтобы он был отрицательным.би = 2 дан полярный = кутуп. Адала Уильям Шокли пада тахун 1951 ян пертама кали менемукан транзисторный биполярный.

Симбол Транзистор биполярный

Транзистор NPN и PNP

Биполярный транзистор постоянного тока смещения

Транзистор биполярный memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan penggabungan 2 buah dioda.

Emiter-Base adalah satu junction и Base-Kolektor junction lainnya. Seperti pada dioda, arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif, yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada material N ( смещение вперед, ).

Pada gambar ilustrasi транзистор NPN berikut ini, переход база-эмиттер diberi bias positif sedangkan base-colector mendapat bias negatif ( обратное смещение ).

Arus Elektron Транзистор NPN

Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda, elektron mengalir dari emiter menuju base. Колектор пада рангкаян Ини Лебих Позицион Себаб Мендапат Теганган Позитиф. Карена kolektor ini lebih positif, aliran elektron bergerak menuju kutup ini.Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda. Тетапи карена лебар база ян сангат типи, ханья себагиан электрон ян дапат бергабунг денган отверстие ян ада пада база.

Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor, karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron. Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik ( reverse bias ), maka tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor.

Jika pelan-pelan ‘keran’ base diberi bias maju ( forward bias ), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base янь диберикан. Dengan kata lain, arus base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emiter menuju kolektor. Ини ян динамакан эфек пингватан транзистор, карена арус база ян кесил менгасилкан ар эмиттер-коллектор ян лебих бесар.

Istilah усилитель (Penguatan) Menjadi Salah Kaprah, Karena dengan Penjelasan di Atas Sebenarnya Yang Terjadi Bukan Penguatan, Melainkan Arus Yang Lebih Kecil Mengontrol Aliran Arus Yang Lebih Besar.Juga dapat dijelaskan bahwa base mengaturmbuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor ( включить / выключить ) .