Полевой транзистор ардуино: Страница не найдена — Ардуино Уроки

Подключение Mosfet к Aрдуино | Технохрень

Mosfet или МОП-транзистор это такая штука для управления нагрузкой. Типа как реле, но лучше

Бывают N и P  типов. Картинка поможет:

 

Картинку надо запомнить чтобы потом не путаться в документации. Да, и N-канальные круче как правило

NPN mosfet подключение к arduino

Тут все без гемора. Вот пара вариантов подключения:

Если надо еще и плавно включать/выключать лампочку, либо не на всю мощность, а только на половину например, можно из ардуино пищать шимом, а между затвором и истоком включить еще конденсатор микрофарад на 300. Это нужно чтобы открыть мосфет на половину.. Однако это подойдет только для маломощной лампочки, потому как полуоткрытый мосфет имеет некислое внутреннее сопротивление и греется как утюг.

В эту схему подойдет к примеру мосфет  h6n03l. Но тут есть нюанс в выборе резюков. Тот, который между ардуино и gate – чем больше сопротивление, тем меньше ток на ноге ардуино и меньше вероятность что она задымится. И чем больше сопротивление тем медленнее открывается мосфет. Кароч 150 ом норм для ардуино (по закону ома I = E / R, I = 5 / 150 = 0.033 А  — это 33 миллиампера, норм). Зачем он вообще нужен? Дело в том, что затвор (gate) у полевика имеет определенную емкость и является в какой-то мере конденсатором. Так что в момент переключения через затвор проходят большие токи, которые может не выдержать ардуина. Для этого и нужен резистор между gate и пином.

А второй 10 кОм типа подтягивающий резистор – нужен чтобы держать мосфет закрытым и нагрузку выключенной пока порт ардуины в неопределенном состоянии например при загрузке (так называемое Z-состояние).

Но у этой схемы есть косяк – она медленновата. На переключение уйдет 600ns что подходит не для всех задач. Вот фронт и спад.

 

Желтая – выход с мосфета, зелено-бирюзово-светло-голубая – выход с ШИМ ардуино. Желтая не успевает. Для решения этой проблемы надо поставить парочку транзисторов как тут предлагают http://joost.damad.be/2012/09/dimming-12v-led-strip-with-mosfet-and.html

Но это нужно далеко не всегда и как правило достаточно первой схемы. И кстати есть вариант получше — про него в конце статьи.

PNP mosfet arduino

Тут чутка сложнее

Если нам надо на нагрузку подать 5 вольт:

• R1 ограничивает ток на затворе чтобы ардуинка не сломалась
• R2 подтягивает порт на землю чтобы не было ложных срабатываний
• D1 диод шотки чтобы не спалить все – он нужен только если нагрузка имеет большую индуктивность – например реле или мотор или еще что-то, где есть много намотанной проволоки. Кстати для NPN мосфета он тоже нужен. А на переменном токе не нужен, а то задымится)

Если на мотор или лампочку надо 12 вольт то все немного сложнее. Чтобы открыть мосфет нам надо подать 12 вольт на gate, а при таком варианте наш ардуино задымится. Надо еще один транзистор так:

Тут Q1 – биполярный транзистор – он то и включает 12 вольт на gate Q2, а R1 нужен чтобы ограничить ток чтобы ардуино опять таки не задымилась. Работает все так:

• подаем с ардуино high – q1 начинает проводить ток с коллектора на эмиттер и 12 вольт утекает не в gate q2, а на землю. q2 включает мотор
• подаем с ардуино low – q1 закрыт и не пропускает ток, 12 вольт через резистор подаются на gate q2, моторчик не крутится. все просто. резистор r2 нужен чтобы ограничить ток q1 и q2 чтобы он не задымились

Управлять больше чем 12 вольт можно, например 24 вольтами, если q1 выдержит. Чтобы наверняка можно добавить диод D2:

Рулим 220 вольтами с помощью мосфета

Мосфетом не совсем удобно рулить 220 вольтами. Ну всяким извращенцам это нравится Вот пример схемы:

Эта схема диммера для лампочек, с помощью ШИМ можно менять яркость. Подробнее тут http://www.learningelectronics.net/circuits/dimmer-with-mosfet.html

А для нормального управления нагрузкой в 220 вольт вместо мосфетов можно использовать:

• симисторы типа bt131. Если нужна плавная регулировка света, то нужно делать что-то вроде этого:
  
  Вкратце из за того, что напряжение переменное, надо будет с помощью прерывания отлавливать момент когда лучше всего открыть симистор, и сделать из обычной фазы что-то вроде этого:
  
  Подробнее тут http://www.cyber-place.ru/showthread.php?t=525
• транзисторы дарлингтона
• КР1182ПМ1 (не особо надежно, по отзывам дохнут они)

Подключение Mosfet к Ардуино по-хорошему

Для таких вещей люди специально придумали специальные драйверы типа этих http://voltmaster-samara.ru/catalog/drajvery-mop-i-igbt-tranzistorov

Тут уж народ издевается над МОП транзисторами как хочет

Суть в том, что драйвер нужен как раз для согласования пяти вольт с выводов ардуино (а также других микроконтроллеров) с уровнями, необходимыми для управления затворами мосфетов.

На картинке первые две схемы а) и б) не очень, так как из-за кривых рук разработчика все может задымится. Зато вторые норм.

И кстати если надо использовать ШИМ — то лучше выбрать высокоскоростной драйвер типа TC4420.

Подбор MOSFET для подключения к ардуино

Качаем даташит, например для FQP30N06. Первое на что надо обратить внимание это ток и вольты:

Второе — определить по такой вот диаграмме падение напряжения. Например если мы рулим лампочкой с потреблением 2А, а для управления используем 5 вольт на gate:

Падение напряжения будет где-то 5,4 вольта и нам лучше найти что нибудь менее нагревательное

Третье — надо если используется ШИМ — время открытия и закрытия:

Если прокосячить с частотой, дать большую чем он может вытянуть, то транзюк перегреется.

Опубликовать вашу статью на нашем сайте можно тут!

Схема и принцип работы H-моста для управления двигателями

В различных электронных схемах часто возникает необходимость менять полярность напряжения, прикладываемого к нагрузке, в процессе работы. Схемотехника таких устройств реализуется с помощью ключевых элементов. Ключи могут быть выполнены на переключателях, электромагнитных реле или полупроводниковых приборах. Н-мост на транзисторах позволяет с помощью управляющих сигналов переключать полярность напряжения поступающего на исполнительное устройство.

Что такое Н-мост

H-мост

В различных электронных игрушках, некоторых бытовых приборах и робототехнике используются коллекторные электродвигатели постоянного тока, а также двухполярные шаговые двигатели. Часто для выполнения какого-либо алгоритма нужно с помощью электрического сигнала быстро поменять полярность питающего напряжения с тем, чтобы двигатель технического устройства стал вращаться в противоположную сторону. Так робот-пылесос, наткнувшись на стену, мгновенно включает реверс и задним ходом отъезжает от препятствия. Такой режим реализуется с помощью Н-моста. Схема Н-моста позволяет так же изменять скорость вращения электродвигателя. Для этого на один из двух ключей подаются импульсы от широтно-импульсного модулятора (ШИМ).

Схемой управления режимами двигателя является h-мост. Это несложная электронная схема, которая может быть выполнена на следующих элементах:

• Биполярные транзисторы
• Полевые транзисторы
• Интегральные микросхемы

Основным элементом схемы является электронный ключ. Принципиальная схема моста напоминает латинскую букву «Н», отсюда название устройства. В схему входят 4 ключа расположенных попарно, слева и справа, а между ними включена нагрузка.

H-мост

На схеме видно, что переключатели должны включаться попарно и по диагонали. Когда включен 1 и 4 ключ, электродвигатель вращается по часовой стрелке. 2 и 3 ключи обеспечивают работу двигателя в противоположном направлении.  При включении двух ключей по вертикали слева или справа произойдёт короткое замыкание. Каждая пара по горизонтали закорачивает обмотки двигателя и вращения не произойдёт. На следующем рисунке проиллюстрировано, что происходит, когда мы меняем положение переключателей:

Схема работы H-моста

Если мы заменем в схеме переключатели на транзисторы, то получим такой вот (крайне упрощенный) вариант:

H-мост

Для того чтобы исключить возможное короткое замыкание h-мост на транзисторах дополняется входной логикой, которая исключает появление короткого замыкания. В современных электронных устройствах мостовые схемы изменения полярности дополняются устройствами, обеспечивающими плавное и медленное торможение перед включением реверсного режима.

Н-мост на биполярных транзисторах

Транзисторы в ключевых схемах работают по принципу вентилей в режиме «открыт-закрыт», поэтому большая мощность на коллекторах не рассеивается, и тип применяемых транзисторов определяется, в основном, питающим напряжением. Несложный h-мост на биполярных транзисторах можно собрать самостоятельно на кремниевых полупроводниковых приборах разной проводимости.

H-мост на биполярных транзисторах

Такое устройство позволяет управлять электродвигателем постоянного тока небольшой мощности.  Если использовать транзисторы КТ816 и КТ817 с индексом А, то напряжение питания не должно превышать 25 В. Аналогичные транзисторы с индексами Б или Г допускают работу с напряжением до 45 В и током не превышающим 3 А. Для корректной работы схемы транзисторы должны быть установлены на радиаторы. Диоды обеспечивают защиту мощных транзисторов от обратного тока. В качестве защитных диодов можно использовать КД105 или любые другие, рассчитанные на соответствующий ток.

Недостатком такой схемы является то, что нельзя подавать на оба входа высокий потенциал, так как открытие обоих ключей одновременно вызовет короткое замыкание источника питания. Для исключения этого в интегральных мостовых схемах предусматривается входная логика, полностью исключающая некорректную комбинацию входных сигналов.

Схему моста можно изменить, поставив в неё более мощные транзисторы.

Н-мост на полевых транзисторах

Кроме использования биполярных транзисторов в мостовых схемах управления питанием, можно использовать полевые (MOSFET) транзисторы. При выборе полупроводниковых элементов обычно учитывается напряжение, ток нагрузки и частота переключения ключей, при использовании широтно-импульсной модуляции. Когда полевой транзистор работает в ключевом режиме, у него присутствуют только два состояния – открыт и закрыт. Когда ключ открыт, то сопротивление канала ничтожно мало и соответствует резистору очень маленького номинала. При подборе полевых транзисторов для ключевых схем следует обращать внимание на этот параметр. Чем больше это значение, тем больше энергии теряется на транзисторе. При минимальном сопротивлении канала выше КПД моста и лучше его температурные характеристики.

Дополнительным негативным фактором является зависимость сопротивления канала от температуры. С увеличением температуры этот параметр заметно растёт, поэтому при использовании мощных полевых транзисторов следует предусмотреть соответствующие радиаторы или активные схемы охлаждения. Поскольку подбор полевых транзисторов для моста связан с определёнными сложностями, гораздо лучше использовать интегральные сборки. В каждой находится комплементарная пара из двух мощных MOSFET транзисторов, один из которых с P каналом, а другой с N каналом. Внутри корпуса также установлены демпферные диоды, предназначенные для защиты транзисторов.

В конструкции использованы следующие элементы:

• VT 1,2 – IRF7307
• DD 1 – CD4093
• R 1=R 2= 100 ком

Интегральные микросхемы с Н-мостом

В ключах Н-моста желательно использовать комплементарные пары транзисторов разной проводимости, но с одинаковыми характеристиками. Этому условию в полной мере отвечают интегральные микросхемы, включающие в себя один, два или более h-мостов. Такие устройства широко применяются в электронных игрушках и робототехнике. Одной из самых простых и доступных микросхем является L293D. Она содержит два h-моста, которые позволяют управлять двумя электродвигателями и допускают управление от ШИМ контроллера. Микросхема имеет следующие характеристики:

• Питание – + 5 В
• Напряжение питания электромотора – + 4,5-36 В
• Выходной номинальный ток – 500 мА
• Ток в импульсе – 1,2 А

Микросхема L298 так же имеет в своём составе два h-моста, но гораздо большей мощности. Максимальное напряжение питания, подаваемое на двигатель, может достигать + 46 В, а максимальный ток соответствует 4,0 А. Н-мост TB6612FNG допускает подключение двух коллекторных двигателей или одного шагового. Ключи выполнены на MOSFET транзисторах и имеют защиту по превышению температуры, перенапряжению и короткому замыканию. Номинальный рабочий ток равен 1,2 А, а максимальный пиковый – 3,2 А. Максимальная частота широтно-импульсной модуляции не должна превышать 100 кГц.

Мостовые устройства управления электродвигателями часто называют драйверами.  Драйверами так же называют микросхемы, только обеспечивающие управление мощными ключевыми каскадами. Так в схеме управления мощным электродвигателем используется драйвер HIP4082. Он обеспечивает управление ключами, собранными на дискретных элементах. В них используются MOSFET транзисторы IRF1405 с N-каналами. Компания Texas Instruments выпускает большое количество интегральных драйверов предназначенных для управления электродвигателями разных конструкций. К ним относятся:

• Драйверы для шаговых двигателей – DRV8832, DRV8812, DRV8711
• Драйверы для коллекторных двигателей – DRV8816, DRV8848, DRV8412/32
• Драйверы для бесколлекторных двигателей – DRV10963, DRV11873, DRV8332

На рынке имеется большой выбор интегральных мостовых схем для управления любыми электродвигателями. Сделать конструкцию можно и самостоятельно, применив качественные дискретные элементы.

Самодельный драйвер для мощных моторов

2016-06-16

Всі статті →

Петр

Для управления мощными моторами через Ардуино нужно выбрать один из вариантов:

• через готовый драйвер – шилд, например Монстр мото шилд
• через свою схему управления на транзисторах, если нужно иметь реверс моторов, то нужно делать Н-мост с транзисторов.
• через свою схему управления на транзисторах, если нужно иметь реверс моторов, то для этого с транзисторами можно использовать реле.

Для первого варианта нужно идеально подобрать драйвер по вашим запросам – вольтаж и ампераж моторов и обеспечить драйвер требуемым отводом тепла – поставить радиатор, а возможно и вентилятор для обдува.

Второй вариант запрашивает очень хорошее понимание электроники – нужно уметь рассчитать все элементы схемы: транзисторы n и p типа, резисторы, конденсаторы, диоды,… Кроме того при выходе из строя одного элемента вся система перестает работать и быстро заменить что то не так просто.

Третий вариант подразумевает получение ШИМ контроля оборотов мотора в одном направлении, а два реле обеспечат смену полярности питания мотора, что даст ему обратный ход. Большой плюс такого варианта в том, что можно иметь на борту несколько транзисторов (один не подключен – в запасе) и при перегрузке или сгорании основных можно на резервном транзисторе «доехать домой». И даже при поломке реле все равно можно иметь ход как минимум в одном направлении. Да и по затратам и надежности этот вариант был выбран как оптимальный.

Теперь по порядку:

Выбираем транзистор – берем полевой транзистор (мосфет). Тут есть два варианта по типу управляющего сигнала:

Логические транзисторы – управляются 5 вольтами – можно прямо с Ардуино.

Остальные транзисторы управляются напряжением от 10в (хотя практика показала что не логический полевик нормально работает и от 5 вольт). Для их использования нужно после Ардуино поднять напряжение, можно использовать готовый драйвер мосфета.

Итак, подсчитав более выгодный вариант (логические транзисторы значительно дороже) был выбран вариант с использованием драйвера мосфета в виде микросхемы ТС 4420. Она имеет 8 ножек:

1 и 5 питание +

4 и 8 питание –

2 вход (от Ардуино)

6 и 7 выход (на транзисторы)

Транзисторы нужно выбирать с запасом по напряжению и току, если углубляться в выбор сильнее, то нужно обратить внимание на сопротивление открытого транзистора, время открытия, закрытия,… В идеале транзистор должен открываться и закрываться очень быстро и тогда он не будет греться и КПД системы будет повыше.

В нашей схеме были использованы транзисторы IRF 2204, с током 210А, но поскольку были сомнения по поводу тонких ножек, то на каждый мотор стоит по 3 транзистора – в параллельном соединении (хотя 2 достаточно), один из них можно держать в запасе.

Подключаем транзистор так:

Левая ножка – управляющий сигнал с ШИМ (берем с выхода драйвера мосфета).

Средняя ножка – выход на мотор, но для удобства ее можно отломать (чтобы не мешала при пайке), а взять выход с корпуса транзистора (через отверстие корпус соединен с радиатором).

Важно не забыть на первую (левую) ножку припаять резистор примерно 10 кОм и пустить его на минус – так база транзистора всегда будет притянута к земле – чем она надежно закроет транзистор даже при обрыве управляющего провода.

Теперь выбираем по току и управляющему напряжению реле. В нашем случае реле управляется 12 вольтами – пришлось ставить еще по одному не очень мощному транзистору не логического уровня, который при сигнале с Ардуино (напрямую без драйвера) подает на реле 12 вольт и меняет положение его контактов.

Таким образом мы уже получили готовую схему для нашего силового драйвера:

 

Если интересно, то можно посмотреть схему в работе на большой робоплатформе с двумя моторами по примерно 700 Вт каждый и напряжением 12в:

Так же смотрите другие видео по созданию этого робота на канале автора: https://www.youtube.com/user/petromeb/videos

Обсудить робота и понаблюдать за прогрессом работы можно на форуме.

Дякуємо Вам за звернення! Ваш відгук з’явиться після модерації адміністратором.

Поки немає відгуків на цю статтю.

Arduino и MOSFET. Схема подключения

Порой наступает такой момент, когда пользователь хочет управлять мощным устройством с помощью Arduino. Мы все знаем, что Arduino может выдать на каждом из своих выходов 20 мА (максимум 40 мА). Хорошо, но что делать, когда мы хотим управлять, например двигателем постоянного тока.

Тестер транзисторов / ESR-метр / генератор

Многофункциональный прибор для проверки транзисторов, диодов, тиристоров…

В этом случае мы можем использовать , например, биполярный транзистор, если ток не слишком большой, мост L293D или MOSFET транзистор.

Что такое MOSFET?

В нашем проекте мы будем использовать MOSFET транзистор STP16NF06L, который имеет канал N-типа.

MOSFET — полевой транзистор, имеющий 3 ножки: исток (S), затвор (G) и сток (D). Ток протекает между истоком и стоком, по так называемому каналу. Величина протекающего тока зависит от управляющего напряжения, подаваемого на затвор — исток.

MOSFET-транзисторы являются быстродействующими по сравнению с биполярными транзисторами, так как процессы, происходящие в них являются чисто электростатическими. Основным фактором, влияющим на время переключения является наличие емкости затвора.

Подключение MOSFET к Arduino

Затвор (G) MOSFET транзистора должен быть подключен к Arduino. В целом можно сказать, что исток (S) должен быть подключен к минусу нашей схемы, а сток (D) подсоединен к минусу нашего объекта, которым мы собираемся управлять (например, лампочка, двигатель). По мимо этого, стоит подключить резистор между затвором (G) и истоком (S). Это даст нам уверенность в том, что на затворе будет низкий уровень в тот момент, когда от Arduino не будет управляющего сигнала.

Более того, в случае, если у нас произошло повреждение кабеля, у нас будет уверенность в том, что на затворе не будет неопределенного состояния, который может вызвать включение и выключение управляемого объекта.

В нашем случае для управления мы будем использовать двигатель постоянного тока. Наша схема предназначена для увеличения и уменьшения скорости вращения двигателя.

Подключаем все, как показано ниже. Кроме того, вы можете подключить внешний источник питания, незабывая массы блока питания и Arduino соединить друг с другом.

Скетч

В проекте используем готовый код, расположенный на вкладке Примеры> Basics> Fade

http://akademia.nettigo.pl

Блок питания 0…30 В / 3A

Набор для сборки регулируемого блока питания…

Что такое Транзистор?

Транзистор — один из самых распространенных полупроводниковых элементов самого широкого применения. Существуют различные виды транзисторов, но как правило данный электронный компонент имеет три вывода и, как и диод, основывается на явлении p-n перехода. Отсюда происходит его второе название – полупроводниковый триод.

Главным свойством транзистора является управление током, протекающим через него (ток эмиттер–коллектор у биполярных и ток исток–сток у полевых транзисторов), с помощью третьего вывода (база у биполярных и затвор у полевых транзисторов). Иными словами транзисторы зачастую используют как выключатель и/или регулятор силы тока и напряжения.

Биполярный транзистор

Транзисторы данного типа состоят из трех слоев полупроводников с чередующимся типом проводимости:

• Эмиттер (emitter)
• База (base) – на схемах изображается между К. и Э. под прямым углом к несущей черте
• Коллектор (collector) – на схемах обозначен стрелкой.

Таким образом, у биполярных транзисторов имеется два p-n перехода: эмиттер-база и база-коллектор. Наделение полупроводников определенным типом проводимости происходит с помощью легирования — добавления в них специальных примесей. Каждый слой легируется в разной степени.

Различают два типа биполярных транзиторов:

p-n-p, где эмиттер – полупроводник p-типа, база – n-типа, коллектор – p-типа

n-p-n, где эмиттер – полупроводник n-типа, база – p-типа, коллектор – n-типа.

Их схематичное устройство представлено представлено на иллюстрации ниже.

В основе работы биполярных транзисторов лежит следующий процесс, который рассмотрим на примере транзистора со структурой npn в нормальном активном режиме. В этом режиме переход эметтер-база смещён в прямом направлении, иначе говоря, открыт, а переход база-коллектор смещён в обратном направлении или закрыт. При переходе носителей заряда (электронов) из эмиттера через открытый p-n переход эмиттер-база, часть их рекомбинирует с носителями заряда (дырками) в базе. Однако база делается очень тонкой и слабо легированной (по сравнению с эмиттером), из-за чего большая часть электронов, перешедших (инжектированных) в базу из эмиттера, так сказать, «не находит себе в базе места» и, как следствие, диффундирует в коллектор. Сильное электрическое поле обратносмещённого коллекторного перехода захватывает неосновные носители из базы и переносит их в коллекторный слой. Таким образом, ток коллектора практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы. В случае с биполярными транзисторами структуры pnp процесс будет тем же, изменится лишь полярность и направление токов.

Полевой транзистор (униполярный)

Принцип действия полевых транзисторов основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Полевые транзисторы имеют следующие выводы:

• Исток (source) — область, из которой носители заряда уходят в канал
• Затвор (gate) – электрод, на который подается управляющее напряжение
• Сток (drain) – область, в которую носители заряда входят.

Читайте также про другие элементы электрической цепи:

Понравилась статья? Не забудь поделиться с друзьями в соц. сетях. А также подписаться на наш канал на YouTube, вступить в группу Вконтакте, в группу на Facebook.

До встречи в следующем уроке. Спасибо за внимание!

Технологии начинаются с простого!

Понравилась статья? Поделитесь ею с друзьями:

AVR-STM-C++: Как выбрать MOSFET

Не так давно мне нужно было подключить нагрузку к Arduino nano и я столкнулся проблемой силовых ключей. У меня было несколько IRF640N, по мощности они подходили, но я сомневался можно ли их открыть 5-тью вольтами.
В даташите на этот MOSFET сказано, что максимальное напряжение для начала(!) открытия составляет 4 вольта.
Я на скорую руку собрал схемку для проверки сей надписи.
Вот так все в железе — через IRF640N я запитал светодиод.

Всё заработало, чего я в принципе и ожидал. НО! Запитан светодиод, которому много тока не нужно. А как будет вести себя мосфит, если через него попробовать прокачать несколько ампер?. Давайте же разберемся с MOSFET транзисторами и посмотрим какие из них будут работать при управлении Arduino, а какие — нет.

Как выбрать MOSFET, руководствуясь даташитом.

На данный момент самые популярные и недорогие MOSFET-транзисторы — N-канальные. Поэтому речь пойдет именно о них.
Итак, при подборе MOSFET-транзистора следует учитывать несколько параметров. Я думаю, что максимальный ток и максимальное напряжение, с которым они могут работать, учитывают все. А вот некоторые нюансы в плане напряжений открытия а так же максимальной рабочей частоты (или эффективной рабочей частоты) — учитываются не всеми. Тем не менее я расскажу и про максимальные токи с напряжениями. С них и начнем.

Максимальный ток и максимальное напряжение MOSFET

В даташите они указаны на самом видном месте. Для примера можем взять тот же IRF640N. Идем в гугл, вбиваем IRF640N datasheet, качаем, открываем и смотрим.
Ищем табличку с надписью «Absolute Maximum Ratings», в ней есть фактически все необходимые нам данные.
Из этой таблички мы видим, что максимальный непрерывный ток при температуре в 25 градусов составляет 18 Ампер, при температуре 100 градусов — на пять ампер меньше, тоесть 13 A (параметр Continuous Drain Current). Отсюда мы можем так же узнать мощность рассеивания, это параметр Power Dissipation.
Теперь посмотрим максимальное напряжение, это уже будет таблица Electrical Characteristics, в ней есть параметр Drain-to-Source Breakdown Voltage, он составляет 200 вольт. Но обратите внимание на то, что это напряжение пробоя, так что не стоит надеяться что мосфит будет работать при таком напряжении, всегда нужно оставлять хотя бы треть величины про запас (на случай непредвиденного скачка напряжения в схеме, например, или чтоб ничего не сгорело через час-другой, работая на пределе).
Итак, основные максимальные параметры мы рассмотрели, давайте теперь перейдем к напряжению управления мосфитом.

Что такое Gate Threshold Voltage или можно ли открыть MOSFET логическим уровнем

Когда я включал светодиод через мосфит, я этот самый мосфит открыл логической единицей с Arduino nano, тоесть напряжением в 5 вольт. Тем не мене, открыл я его не полностью. Тоесть ток, который пошел через открытый логической единицей MOSFET составляет всего 22 мА, так как чтоб светодиод не сгорел, я ограничил ток резистором на 220 Ом. Если я попытаюсь запитать через этот транзистор нагрузку в несколько ампер, то тогда станет ясно, что он открыт не полностью. В даташите в таблице Absolute Maximum Ratings у параметра Continuous Drain Current стоит примечание V(gs)=10. Это значит, что максимальный ток будет при напряжении между Gate и Source 10 вольт, это напряжение его полного открытия.
Есть и еще один параметр: Static Drain-to-Source On-Resistance — это сопротивление полностью открытого MOSFET транзистора. У IRF640N сопротивление 0.15 Ом, тоесть меньше одного Ома. Но в условиях сказано, что для того, чтоб сопротивление было таким, нужно чтобы напряжение между Gate и Source составляло 10 вольт.
Таким образом мы из даташита узнали, что данный мосфит не может управляться логическим уровнем в 5 вольт при высоких нагрузках. Для полноценной работы ему необходимо подать на затвор 10 вольт. Где их взять? Существуют специальные драйвера для управления мосфитами, которые в таких случаях и применяются. Но что делать, если не хочется ставить драйвер? Или нет возможности, например нет времени ждать.

Есть специальные MOSFET транзисторы, которые управляются логическим уровнем. Давайте рассмотрим несколько таких мосфитов.
Первым будет IRL510. Выбор на него пал по причине наличия сего мосфита в моих закромах, плюс к тому же я с ним уже работал.
Идем в гугл, вбиваем туда IRL510 datasheet, открываем на сей мосфит даташит и смотрим. Первое различие с 640-вым — это Gate-Source Threshold Voltage, который ровно в два раза ниже. Но основной параметр не этот, нужно обратить внимание на сопротивление транзистора (Drain-Source On-State Resistance), а точнее на условие, при котором сопротивление по даташиту низкое и соответствует полностью открытому мосфиту.

Более того, отсюда мы видим, что irl510 может управляться 4-мя вольтами.
Для более глубокого понимания можно рассмотреть irlz44n и irfz44n. Первый управляется логическим уровнем, второй же — нет.
Глянем характеристики IRLZ44N из datasheet на него.
Как видим сопротивление указано и для 4 вольт и для 10-ти. Gate Threshold Voltage максимум 2 вольта. Отсюда делаем вывод, что данный полевой транзистор откроется при логической единице в 5 V.
В случае с irfz44n мы видим сопротивление только для 10-ти вольт, да и напряжение открытия у него от 2 до 4 вольт.
Отсюда вывод, что этот мосфит не сможет полностью открыться при 5-ти вольтах. Тем не менее, он откроется. Что будет, если заставить мосфит работать в полуоткрытом состоянии, я расскажу позже, а сейчас поговорим о том, что делать, если нам надо управлять MOSFET транзистором не 5-тью вольтами, а 3.3 V, подключая к STM32, например.
Первый вариант — это подбор полевого транзистора, способного работать с управляющими 3.3 V.

Давайте посмотрим как читать графики из даташитов на MOSFET-транзисторы. Берем, к примеру, IRL510. Нас интересует график Typical Transfer Characteristics, в нем приведены два параметра: Drain Current — это амперы, которые пройдут через транзистор; и Gate-to-Source Voltage — это напряжение на затворе.
Проводим через график две черты, первую вертикальную в месте примерно 3.3 вольт, вторую горизонтальную в месте пересечения первой линии с линией графика — это будут амперы, которые мы получим, открыв транзистор напряжением 3.3v

Мы видим, что получается больше 10-ти ампер, таким образом делаем вывод, что вполне возможно запитать через этот полевой транзистор нагрузку до 10-ти ампер (помним про необходимость запаса).
Теперь возьмем еще один MOSFET с управлением логическим уровнем — IRLZ44N.
Тут примерно та же картина, что и у предыдущего мосфита.
Теперь глянем два графика, один на IRF640N, второй на IRFZ44N.
Как видим, у обоих графики начинаются с 4.5 вольт, а не с 2V, как у предыдущих. Так же при 5-ти вольтах у IRF640N будет ток около одного Ампера, а учитывая, что Arduino может питаться по USB с прибора, который выдаст всего 4.5V — ток не составит и одного Ампера.

У IRFZ44N график чуть получше, при 5V он спокойно даст больше 10-ти Ампер.
Что будет если через полуоткрытый MOSFET потечет большой ток? MOSFET будет очень сильно греться, грубо говоря он станет работать как резистор, ибо его сопротивление будет высоко. Проще говоря, из ключа он превратиться в резистор. Это стоит учитывать при проектировании, стараясь подбирать полевые транзисторы таким образом, чтоб они открывались полностью. Либо запитывая через не полностью открытый полевик такой потребитель тока, который не будет брать на себя тока больше, чем половина из того, который может течь через наполовину открытый MOSFET. Это всё только в том случае, если нет возможности построить схему открытия MOSFET транзистора так, чтоб он открылся полностью. Например, как сделал я.

Это та схема, которой я запитал светодиод через IRF640N в самом начале статьи. По этой схеме можно подключать только те мосфиты, которые управляются логическим уровнем.
Как по названию MOSFET определить логическим он уровнем управляется или нет? Очень просто, я думаю вы уже заметили, что у тех, которые управляются логическим уровнем, в названии присутствует буква L.

Теперь посмотрим как правильно подключить MOSFET через биполярный транзистор. Для примера я взял всё тот же IRF640N, подключив его через MJE13005. С MJE13005 это конечно перебор, но я взял тот, что под руку попался. Вместо него можно использовать фактически любой маломощный NPN транзистор.

Правильная схема подключения полевого транзистора через биполярный должна предусматривать еще и защиту микроконтроллера на случай пробоя биполярного транзистора. Можно и пренебречь защитой, удешевив конструкцию, но я предпочитаю перестраховаться. По этой схеме MOSFET можно подключать как к Arduino, так и к STM32, либо любому микроконтроллеру AVR. Да и с PIC тоже работать будет. Вместо светодиода с резистором можно подключать любую нагрузку, какую вам захочется — мотор, например.

Есть еще один параметр, на который следует обращать внимание — это частота. Но этот параметр мы рассмотрим в следующий раз, так как эта статья и без него получилась довольно немаленькая.

Управление мощной нагрузкой постоянного тока. Часть 3.

Кроме транзисторов и сборок Дарлингтона есть еще один хороший способ рулить мощной постоянной нагрузкой — полевые МОП транзисторы.
Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. Но, в отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением.

МОП (по буржуйски MOSFET) расшифровывается как Метал-Оксид-Полупроводник из этого сокращения становится понятна структура этого транзистора.

Если на пальцах, то в нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает. Чем выше напряжение, тем больше зарядов и ниже сопротивление, в итоге, сопротивление может снизиться до мизерных значений — сотые доли ома, а если поднимать напряжение дальше, то произойдет пробой слоя оксида и транзистору хана.

Достоинство такого транзистора, по сравнению с биполярным очевидно — на затвор надо подавать напряжение, но так как там диэлектрик, то ток будет нулевым, а значит требуемая мощность на управление этим транзистором будет мизерной, по факту он потребляет только в момент переключения, когда идет заряд и разряд конденсатора.

Недостаток же вытекает из его емкостного свойства — наличие емкости на затворе требует большого зарядного тока при открытии. В теории, равного бесконечности на бесконечно малом промежутки времени. А если ток ограничить резистором, то конденсатор будет заряжаться медленно — от постоянной времени RC цепи никуда не денешься.

МОП Транзисторы бывают P и N канальные. Принцип у них один и тот же, разница лишь в полярности носителей тока в канале. Соответственно в разном направлении управляющего напряжения и включения в цепь. Очень часто транзисторы делают в виде комплиментарных пар. То есть есть две модели с совершенно одиннаковыми характеристиками, но одна из них N, а другая P канальные. Маркировка у них, как правило, отличается на одну цифру.

Нагрузка включается в цепь стока. Вообще, в теории, полевому транзистору совершенно без разницы что считать у него истоком, а что стоком — разницы между ними нет. Но на практике есть, дело в том, что для улучшения характеристик исток и сток делают разной величины и конструкции плюс ко всему, в мощных полевиках часто есть обратный диод (его еще называют паразитным, т.к. он образуется сам собой в силу особенности техпроцесса производства).

У меня самыми ходовыми МОП транзисторами являются IRF630 (n канальный) и IRF9630 (p канальный) в свое время я намутил их с полтора десятка каждого вида. Обладая не сильно габаритным корпусом TO-92 этот транзистор может лихо протащить через себя до 9А. Сопротивление в открытом состоянии у него всего 0.35 Ома.
Впрочем, это довольно старый транзистор, сейчас уже есть вещи и покруче, например IRF7314, способный протащить те же 9А, но при этом он умещается в корпус SO8 — размером с тетрадную клеточку.

Одной из проблем состыковки MOSFET транзистора и микроконтроллера (или цифровой схемы) является то, что для полноценного открытия до полного насыщения этому транзистору надо вкатить на затвор довольно больше напряжение. Обычно это около 10 вольт, а МК может выдать максимум 5.
Тут вариантов три:

• На более мелких транзисторах сорудить цепочку, подающую питалово с высоковольтной цепи на затвор, чтобы прокачать его высоким напряжением
• применить специальную микросхему драйвер, которая сама сформирует нужный управляющий сигнал и выровняет уровни между контроллером и транзистором. Типичные примеры драйверов это, например, IR2117.

  Надо только не забывать, что есть драйверы верхнего и нижнего плеча (или совмещенные, полумостовые). Выбор драйвера зависит от схемы включения нагрузки и комутирующего транзистора. Если обратишь внимание, то увидишь что с драйвером и в верхнем и нижнем плече используются N канальные транзисторы. Просто у них лучше характеристики чем у P канальных. Но тут возникает другая проблема. Для того, чтобы открыть N канальный транзистор в верхнем плече надо ему на затвор подать напряжение выше напряжения стока, а это, по сути дела, выше напряжения питания. Для этого в драйвере верхнего плеча используется накачка напряжения. Чем собственно и отличается драйвер нижнего плеча от драйвера верхнего плеча.

• Применить транзистор с малым отпирающим напряжением. Например из серии IRL630A или им подобные. У них открывающие напряжения привязаны к логическим уровням. У них правда есть один недостаток — их порой сложно достать. Если обычные мощные полевики уже не являются проблемой, то управляемые логическим уровнем бывают далеко не всегда.

Но вообще, правильней все же ставить драйвер, ведь кроме основных функций формирования управляющих сигналов он в качестве дополнительной фенечки обеспечивает и токовую защиту, защиту от пробоя, перенапряжения, оптимизирует скорость открытия на максимум, в общем, жрет свой ток не напрасно.

Выбор транзистора тоже не очень сложен, особенно если не заморачиваться на предельные режимы. В первую очередь тебя должно волновать значение тока стока — I _Drain или I_D выбираешь транзистор по максимальному току для твоей нагрузки, лучше с запасом процентов так на 10. Следующий важный для тебя параметр это V_GS — напряжение насыщения Исток-Затвор или, проще говоря, управляющее напряжение. Иногда его пишут, но чаще приходится выглядывать из графиков. Ищешь график выходной характеристики Зависимость I_D от V_DS при разных значениях V_GS. И прикидыываешь какой у тебя будет режим.

Вот, например, надо тебе запитать двигатель на 12 вольт, с током 8А. На драйвер пожмотился и имеешь только 5 вольтовый управляющий сигнал. Первое что пришло на ум после этой статьи — IRF630. По току подходит с запасом 9А против требуемых 8. Но глянем на выходную характеристику:

Видишь, на 5 вольтах на затворе и токе в 8А падение напряжения на транзисторе составит около 4.5В По закону Ома тогда выходит, что сопротивление этого транзистора в данный момент 4.5/8=0.56Ом. А теперь посчитаем потери мощности — твой движок жрет 5А. P=I*U или, если применить тот же закон Ома, P=I²R. При 8 амперах и 0.56Оме потери составят 35Вт. Больно дофига, не кажется? Вот и мне тоже кажется что слишком. Посмотрим тогда на IRL630.

При 8 амперах и 5 вольтах на Gate напряжение на транзисторе составит около 3 вольт. Что даст нам 0.37Ом и 23Вт потерь, что заметно меньше.

Если собираешься загнать на этот ключ ШИМ, то надо поинтересоваться временем открытия и закрытия транзистора, выбрать наибольшее и относительно времени посчитать предельную частоту на которую он способен. Зовется эта величина Switch Delay или t_on,t_off, в общем, как то так. Ну, а частота это 1/t. Также не лишней будет посмотреть на емкость затвора C_iss исходя из нее, а также ограничительного резистора в затворной цепи, можно рассчитать постоянную времени заряда затворной RC цепи и прикинуть быстродействие. Если постоянная времени будет больше чем период ШИМ, то транзистор будет не открыватся/закрываться, а повиснет в некотором промежуточном состоянии, так как напряжение на его затворе будет проинтегрировано этой RC цепью в постоянное напряжение.

При обращении с этими транзисторами учитывай тот факт, что статического электричества они боятся не просто сильно, а ОЧЕНЬ СИЛЬНО. Пробить затвор статическим зарядом более чем реально. Так что как купил, сразу же в фольгу и не доставай пока не будешь запаивать. Предварительно заземлись за батарею и надень шапочку из фольги :).

А в процессе проектирования схемы запомни еще одно простое правило — ни в коем случае нельзя оставлять висеть затвор полевика просто так — иначе он нажрет помех из воздуха и сам откроется. Поэтому обязательно надо поставить резистор килоом на 10 от Gate до GND для N канального или на +V для P канального, чтобы паразитный заряд стекал. Вот вроде бы все, в следующий раз накатаю про мостовые схемы для управления движков.

Arduino MOSFET Project — Tutorial45

Если вы работали с Arduino, вы, вероятно, знаете, как часто требуется использовать двигатель с ним, особенно в роботизированных проектах. В одном из наших предыдущих руководств мы узнали, как управлять маленькими двигателями с помощью транзистора, но что, если вы хотите управлять гораздо большим? Ответ на ваши потребности — полевой МОП-транзистор. Согласно Википедии, МОП-транзистор:

Тип полевого транзистора (FET). Он имеет изолированный затвор, напряжение которого определяет проводимость устройства.Эта способность изменять проводимость в зависимости от приложенного напряжения может использоваться для усиления или переключения электронных сигналов.

Другими словами, MOSFET — это просто тип транзистора, который имеет затвор вместо базы (по сравнению с биполярным транзистором), и этот затвор изолирован, поэтому его намного безопаснее использовать с Arduino. За MOSFET стоит еще кое-что, о чем мы не будем говорить в этой сессии. Мы собираемся использовать IRF44N MOSFET, действительно дешевый и популярный полевой транзистор.

Arduino Mosfet

Вот список деталей, которые нам понадобятся для этого проекта:

Вы можете использовать любой другой транзистор, просто ознакомьтесь с его распиновкой и таблицей данных, чтобы убедиться, что он может использоваться с рейтингом, необходимым для этого проекта. .

Если у вас есть все необходимые нам компоненты, вы можете соединить их вместе, используя схему ниже.

Для питания этой схемы нам понадобится внешний источник питания на 12 В, но и 9 В тоже подойдет. Вы можете подключить его к Arduino с помощью разъема постоянного тока.

Очень полезно использовать кабели с зажимами типа «крокодил» для подключения перемычек к двигателю, они надежно удержат и помогут избежать пайки.

Мы можем использовать функцию analogWrite для управления скоростью двигателя с помощью сигнала PWN.

Если вы используете реле для управления двигателем, вы не сможете управлять им с помощью сигнала ШИМ. Для таких приложений срабатывание реле будет слишком медленным.

Код увеличит скорость двигателя, замедлит ее и сделает это снова и снова.Вот код:

Как вы слышите, когда он не движется, он издает странные звуки. Это из-за тока, протекающего через катушки двигателя.

И поехали! Не стесняйтесь оставлять комментарии ниже, если вам нужна дополнительная информация об этом проекте.

Не стесняйтесь проверить другие проекты здесь.

Вам также может понравиться:

Подключение N-канального MOSFET — Arduino Project Hub

*******

Посетите https: // proteshea.com / control-dc-fan-with-n-channel-mosfet-and-arduino-uno / для получения полного списка материалов, необходимых для этого проекта.

*******

Введение

Если вы не читали наше Руководство по началу работы с Arduino Uno Rev3, прочтите его в первую очередь. В противном случае продолжайте чтение. В этом руководстве мы будем подключать N-канальный полевой МОП-транзистор для подачи тока на бесщеточный вентилятор постоянного тока. Для вентилятора требуется 200 мА при + 5 В, что превышает максимальный ток, который может выдавать вывод Arduino Uno Rev3 (Uno). Если вы обратитесь к таблице данных ATmega328, максимальный ток на вывод составляет 40 мА.Превышение максимального предела тока может повредить микроконтроллер, поэтому убедитесь, что вы определили ток нагрузки, прежде чем подключать какое-либо устройство к выводу Uno.

N-Channel MOSFET

MOSFET может использоваться для усиления или переключения сигналов — в этом примере мы будем использовать его в качестве переключателя. Он состоит из 3 клемм: затвор, исток и сток (распиновка ниже). N-канальный MOSFET — это устройство, управляемое напряжением. Существует два типа N-канальных полевых МОП-транзисторов: улучшенного и обедненного типа.МОП-транзистор улучшенного типа обычно выключен, когда напряжение затвор-исток равно 0 В, поэтому напряжение должно быть приложено к затвору для тока, протекающего через канал сток-исток. МОП-транзистор обедненного типа обычно включен, когда напряжение затвор-исток равно 0 В, и, таким образом, ток течет через канал сток-исток до тех пор, пока на затвор не будет подано положительное напряжение.

N-канальный полевой МОП-транзистор 2N7000 является усовершенствованным, поэтому мы должны установить на выходном контакте Arduino высокий уровень, чтобы обеспечить питание вентилятора постоянного тока. Максимальный ток, который может использовать полевой МОП-транзистор, варьируется, но тот, который я использую, может выдавать 200 мА.Некоторые полевые МОП-транзисторы могут обеспечивать ток до 30-50 А, и в результате их размер увеличивается, чтобы выдерживать такое количество тока.

ПРИМЕЧАНИЕ : Вам нужно добавить последовательный резистор между выходным контактом Uno и затвором полевого МОП-транзистора. Это ограничит ток на затвор, поскольку Uno может выдавать максимум 40 мА, а затвор может попытаться потянуть больше. Мы рекомендуем использовать резистор 220 Ом, чтобы ограничить ток до ~ 23 мА.

Электропроводка

Я использую макетную плату вместо Modulus, так как почти у всех есть макетные платы.Во-первых, давайте разместим N-канальный MOSFET на макетной плате — убедитесь, что каждый вывод имеет свой собственный узел. Свяжите вывод истока с GND, затвор — с выводом 2 Uno, а сток — с черным проводом на вентиляторе. Красный провод вентилятора подключается к плюсовой шине на макетной плате.

Если вы еще не установили Uno в зоне прототипирования FuelCan, сделайте это. Я поместил макетную плату в нижний отсек для хранения, чтобы ограничить длину перемычек. Нам нужно подать + 5V и GND на шины питания и заземления на макетной плате.Используйте прилагаемый банановый разъем для зажима кабелей тестовых проводов. Для крепления зажимов тестовых выводов на стороне макета вам потребуются два штыря штекера. Подключите сторону типа A кабеля USB к разъему USB1, а сторону типа B — к разъему Uno. Включите FuelCan с помощью адаптера питания переменного / постоянного тока.

Программное обеспечение

После того, как подключение завершено и FuelCan включен, мы можем загрузить эскиз в Uno. Это довольно просто по сравнению с предыдущими проектами. Все, что делает код, это переключает вывод Uno 2 с низкого на высокий с 5-секундной задержкой между ними.Когда штифт высокий, вентилятор включается, а когда штифт низкий, вентилятор выключается.

Транзисторы для робототехники: основы Arduino

Вам нужно управлять чем-то мощным с вывода Arduino? Вам нужно контролировать что-то с датчика, который просто не дает большого вывода? Хотите переключить питание взломанного устройства, заменив или увеличив физическую кнопку? Транзистор получил вашу спину. Но прежде чем мы перейдем к взлому, давайте проясним несколько вещей:

Что нужно знать

• BJT vs.(MOS) FET: Это разные типы транзисторов. Я работаю с биполярными переходными транзисторами (BJT). Полевые транзисторы (полевые транзисторы) обычно выглядят немного мощнее, со встроенным радиатором. Каждый из них имеет по три контакта, но BJT используют для них термины «коллектор , база и эмиттер », а полевые транзисторы называют их «исток , затвор и сток ».

• Коллектор: Подобно положительному полюсу светодиода, сюда поступает энергия.

• База: Это «триггерный» вывод, исходящий от вашего контроллера, датчика или чего-то еще.

• Излучатель: Как и отрицательная ветвь светодиода, это земля транзистора.

Даже транзисторы аналогичного типа могут располагать эти ножки в другом порядке, так что перепроверьте свою деталь! Самый простой способ — это поиск в Google изображений « [номер детали] распиновка «.

• Номера деталей: Убедитесь, что вы выбрали правильные транзисторы! Вы можете погуглить таблицу, чтобы быть в безопасности. На что следует обратить внимание: он должен выдерживать силу, через которую вы проталкиваетесь; перепроверьте, какой способ подключить; и это должен быть правильный тип (NPN или PNP).Используйте первые два ряда, выгравированные на транзисторе. Их бывает трудно читать; извиняюсь.

• NPN vs. PNP: NPN-транзисторы обычно «выключены» (отсоединены), если вы не подаете питание на базовый вывод. Транзисторы PNP обычно включены (позволяя току течь), если ваш сигнал не высокий.

• Транзистор и реле: Если вы переключаете что-то очень энергоемкое, подумайте об использовании вместо этого реле. Они немного медленнее, потому что используют магнит для переключения физического металлического переключателя внутри маленькой коробки.Но это также делает их немного безопаснее из-за физической изоляции между выводами. И они издают приятный легкий щелчок. Рад!

Код

Мы просто запустим скетч Arduino Blink, так как он дает отличную визуализацию того, что происходит.

Установка

В этом примере я использую двигатель постоянного тока, так как они, как правило, находятся на грани между тем, что вывод Arduino может переключаться самостоятельно, и нуждаются в небольшой помощи. Как вы можете видеть на видео выше, это практически не работает.Двигатели постоянного тока распространены в колесных роботах и ​​автомобилях с дистанционным управлением. У них есть две клеммы, одна из которых подключается к источнику питания, а другая — к земле. В зависимости от того, в какую сторону вы положите провода, двигатель будет вращаться по или против часовой стрелки.

Для начала попробуйте подключить один провод непосредственно к контакту 13, а другой — непосредственно к земле. Там мало что происходит, а? Маленькие тактильные моторы (и их близнецы, вибромоторы сотовых телефонов) прекрасно работают от небольшого источника питания. Но доведите его до стандартов небольших роботов, и вам придется подтолкнуть двигатель, чтобы он вращался, даже когда питание включено.

Теперь отключите Arduino и перенастройте схему на макетной плате: подключите один из проводов двигателя к контакту 5V на Arduino, если он есть; в противном случае переходите к следующему биту с внешней батареей. Теперь подключите транзистор:

• BASE (средняя) ножка к цифровому контакту 13

• COLLECTOR к другому проводу двигателя

Подключите Duino снова, и вуаля! Ваш маленький моторчик должен работать как сумасшедший, а потом снова и снова включаться, как и следовало ожидать.Убедитесь, что ваш двигатель готов к работе с таким высоким напряжением, и быстро отключите его, если почувствуете запах чего-то необычного.

Внешний источник питания

Хорошо, круто! Мы можем подавать питание прямо с цифрового вывода или использовать его для управления 5 В от Arduino. Следующим шагом является добавление внешнего источника — например, если вы хотите управлять светом, потребляющим 9 В или 12 В.

Главное отметить, что вы связываете оба заземления вместе: одно от источника питания и другое для управляющего сигнала встречаются, образуя «общую землю».Это позволяет сигналам питания и данных проходить через одну и ту же цепь.

Выбранный вами провод двигателя « масса » по-прежнему привязан к коллектору ; ваш цифровой управляющий штифт по-прежнему привязан к базе ; а GND все еще привязан к эмиттеру . Но на этот раз провод двигателя, обозначенный как « power », подключен к положительной клемме вашего источника 9 В, а отрицательная клемма аккумулятора также подключена к GND.

Эту схему также можно использовать для увеличения мощности для управления сверхмощным сервоприводом или с полосами NeoPixel, которые хотят работать от собственного источника питания, или чем-то подобным!

На следующей неделе мы расскажем, как двигать двигатель вперед и назад — это требует некоторых изысканий с H-образным мостом, но это неплохо!

И в нашем следующем руководстве по транзисторам мы перейдем к переключателям и переключателям (для автоматизации устройств для домашней автоматизации).Мы также займемся усилением сигнала от пьезодиска, что полезно для создания систем, реагирующих на удары, таких как носимые устройства с подсветкой!

См. Всю серию руководств по Hackster 101 на YouTube Hackster и !

Адам Мейер | Arduino + n-channel_mosfet

В конце концов вы обнаружите, что держите соленоид 12 В, двигатель или свет и задаетесь вопросом: «Как, черт возьми, я должен управлять этим с моего Arduino?» И мы уже говорили об этом раньше.Сегодня мы собираемся поговорить о другом способе сделать это, на этот раз с полевым транзистором металл-оксид-полупроводник N-Channel MOSFET , в частности, MOSFET RFP30N06LE (вы можете получить их от sparkfun). , но вы можете использовать любой N-канальный MOSFET точно так же.

Как это работает

ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ: я собираюсь упростить это, так что будьте осторожны … здесь я пытаюсь простыми словами объяснить, что происходит.

Во-первых, полевой МОП-транзистор — это транзистор особого вида.

Если вы вообще не знаете транзисторы, это 3-выводные компоненты, которые имеют 2 простые функции: переключение или усиление (в этом примере это настроено как переключатель). В основном у вас есть In , называемый Source , Out , называемый Drain , и Control , называемый Gate . Когда вы отправляете ВЫСОКИЙ сигнал на затвор (управляющий вывод), транзистор переключается и позволяет току течь от источника (вход) к стоку (выход).

Итак, мы подключаем его так, чтобы наш двигатель, соленоид или свет был подключен к V +, но не к земле (V-). Земля подключена к стоку транзистора. Когда наш arduino отправляет ВЫСОКИЙ сигнал на затвор транзистора, он переключает транзистор (соединяя сток и исток) и замыкает цепь для двигателя, соленоида или света.

Дополнительная информация

Если вы хотите узнать больше или действительно знать, что там на самом деле происходит. Пит из Sparkfun выпустил потрясающее видео, объясняющее MOSFET, за целых 20 минут.Настоятельно рекомендуется.

Подключение / Для чего нужен диод?

Схема довольно проста. Единственная деталь, которая выглядит забавно, — это резистор. Это понижающий резистор. Резистор поддерживает низкий уровень затвора, когда Arduino не отправляет высокий сигнал. Это здесь на тот случай, если Arduino отключается или плохая проводка, по умолчанию он будет отключен. Вы не хотите, чтобы эта булавка когда-либо была плавающей, так как она будет срабатывать и отключаться.

Вы можете видеть, что на 2 из 3 иллюстраций есть диод, параллельный устройству, которое мы запитываем.Каждый раз, когда вы включаете устройство с катушкой, такое как реле, соленоид или двигатель, вам нужен этот парень, и не выходите из дома без него. Что происходит, когда вы прекращаете подавать питание на катушку, обратное напряжение до нескольких сотен вольт возвращается обратно. Это длится всего несколько микросекунд, но этого достаточно, чтобы убить наш полевой МОП-транзистор. Таким образом, этот диод (пропускающий ток только в одну сторону) обычно смотрит в неправильном направлении и ничего не делает. Но когда скачки напряжения текут в противоположном направлении, диод позволяет им течь обратно к катушке, а не к транзистору.Нам понадобится диод, достаточно быстрый, чтобы реагировать на отдачу, и достаточно сильный, чтобы выдерживать нагрузку. Выпрямительный диод, такой как 1N4001 или SB560, должен справиться с этой задачей. Если вам нужна дополнительная защита, вы можете использовать оптоизолятор между Arduino и транзистором. Оптоизолятор оптически изолирует обе стороны (высокое и низкое энергопотребление) схемы, поэтому высокое напряжение не может вернуться на микроконтроллер.

Просто убедитесь, что защитный диод направлен в правильную сторону (полоса направлена ​​к V + устройства).Если он направлен в неправильном направлении, устройство, которое вы пытаетесь включить, не будет работать, поскольку диод просто позволит току обойти его.

Ограничения

Транзисторы

, такие как RFP30N06LE, действительно отлично подходят для управления мощными устройствами с вашего Arduino, но у них есть некоторые ограничения. Эта текущая конфигурация полезна только для переключения постоянного тока, поэтому не пытайтесь использовать это с источником переменного тока, также МОП-транзисторы имеют ограничение как по напряжению, так и по силе / току. RFP30N06LE может переключать напряжение до 60 В, а сила тока ограничена до 30 А (с радиатором и правильной разводкой).Для всего, что превышает несколько ампер, особенно при постоянном токе (как в двигателе), а не коротких импульсах, я бы рекомендовал использовать радиатор. Обычно я просто припаиваю согнутый кусок металла к задней части, просто чтобы помочь рассеять тепло. Просто обратите внимание, если вы используете более одного RFP30N06LE, вы не можете припаять их к тому же радиатору, поскольку задняя часть подключена к стоку полевого МОП-транзистора, а не к источнику. Если вам нужно переключить переменный ток, я бы предпочел использовать реле.

Fade it!

Вы знаете выходы ШИМ на вашем Arduino? Ага, штука, которая позволяет на записать аналог (пин, значение) .Ну, на самом деле ШИМ — это не аналоговый выход. На самом деле Arduino пульсирует (очень быстро) между 0 и 5 В, так что среднее напряжение находится где-то между 0 и 5. Из-за этого ШИМ может быть расширен через транзистор (транзистор может только включаться или выключаться, но может делайте это очень быстро), что позволяет нам гасить свет или контролировать скорость двигателя, как если бы они были подключены напрямую к Arduino. Все, что вам нужно сделать, чтобы воспользоваться этим, — это убедиться, что затвор полевого МОП-транзистора подключен к выводу ШИМ.

Для этого вам действительно не нужен код, вы просто отправляете сигнал HIGH на вывод затвора, и BAM … он работает. Но я собрал это для вас, чтобы вы могли проверить его затухание с помощью ШИМ. Этот код затухает в виде волны греха, как на видео ниже. (очевидно, полезно только для двигателя или света).

Это видео демонстрирует возможности ШИМ с RFP30N06LE. Этот светильник, хотя и выглядит как стандартный домашний светильник, на самом деле представляет собой светильник мощностью 15 Вт и 12 В постоянного тока.

FET как коммутатор | Работа полевого или полевого транзистора в качестве переключателя

В этом руководстве мы узнаем о полевых транзисторах или полевых транзисторах, их работе, областях работы и увидим работу полевого транзистора как переключателя.Мы увидим, как и JFET, и MOSFET могут использоваться в коммутационных приложениях.

Введение

Широкий спектр преимуществ, таких как высокий входной импеданс, простота изготовления, простые операции и т. Д., Делает полевые транзисторы (FET) широко используемыми в различных приложениях, особенно в системах интегральных схем.

полевые транзисторы — это 2 транзистора ^{-го поколения} после биполярных транзисторов. Их можно использовать в качестве усилителей в осциллографах, контрольно-измерительных приборах, электронных вольтметрах и т. Д.а также используется при переключении действий.

Давайте подробно рассмотрим работу полевого транзистора как переключателя. Но перед этим мы должны сначала взглянуть на основы полевого транзистора и его работы.

В начало FET — это устройство, управляемое напряжением, что означает, что, управляя напряжением между затвором и истоком, выходной ток изменяется.

Давайте рассмотрим N-канальный JFET для понимания рабочих регионов. Работа или характеристики JFET разделены на три различных области, а именно омическую область, область насыщения и область отсечки. Напряжение, приложенное к стоку, обозначается как V _DS (иногда также обозначается как V _DD ), а напряжение на затворе обозначается как V _GS или V _GG .

N-Channel JFET Режимы работы полевого транзистора

Омическая область (V _DS > 0 и V _DS P )

В этой области слой истощения каналов очень мал а полевой транзистор действует как переменный резистор.

В этом случае значение V _DS больше нуля и меньше, чем V _P , поэтому нет отсечки канала и ток I _D увеличивается. Когда мы увеличиваем напряжение затвора истока V _GS , проводимость канала падает, а сопротивление увеличивается. Следовательно, области истощения будут расширяться, образуя узкий канал. Сопротивление канала обычно изменяется от 100 Ом до 10 кОм и, очевидно, регулирует напряжение. Следовательно, в этой области транзистор действует как резистор, управляемый напряжением.

Область насыщения (V _DS > V _GS — V _P )

Эта область начинается с точки, где V _DS больше, чем V _GS минус V _P , здесь V _P — напряжение отсечки. В этой области ток стока I _D полностью зависит от V _GS , а не от V _DS . Полевой транзистор работает в этой области для усиления сигналов, а также для операций переключения.Из рисунка видно, что когда V _GS равен нулю, протекает максимальный ток I _D . Когда мы меняем V _GS на более отрицательный, то ток стока падает. При определенном значении V _GS ток стока постоянно течет через устройство. Следовательно, эту область также называют областью постоянного тока.

Область отсечки (V _GS P )

Это область, в которой ток стока I _D равен нулю и устройство выключено.При этом напряжение затвора истока V _GS меньше напряжения отсечки V _P . Это означает, что значение V _GS более отрицательное, чем значение V _P . Таким образом, канал закрывается и не пропускает ток через устройство.

НАЗАД К НАЧАЛУ

Полевой транзистор в качестве переключателя (JFET)

Из приведенного выше обсуждения ясно, что полевой транзистор можно использовать в качестве переключателя, управляя им в двух областях: области отсечки и насыщения. .Когда V _GS равен нулю, полевой транзистор работает в области насыщения, и через него протекает максимальный ток. Следовательно, это похоже на полностью включенное состояние. Точно так же, когда приложенный VGS более отрицательный, чем напряжение отсечки, полевой транзистор работает в области отсечки и не позволяет току течь через устройство. Следовательно, полевой транзистор находится в полностью выключенном состоянии. Полевой транзистор можно использовать в качестве переключателя в различных конфигурациях, некоторые из них приведены ниже.

НАЗАД В начало

Полевой транзистор, используемый в качестве шунтирующего переключателя

Давайте посмотрим на рисунок ниже, где полевой транзистор подключен параллельно нагрузке и действует как аналоговый переключатель.

• Когда примененное VGS равно нулю, полевой транзистор включается, работая в области насыщения, и его сопротивление очень мало, почти 100 Ом. Выходное напряжение на полевом транзисторе составляет V _OUT = V _in * {R _DS / (R _D + R _{DS (ON)} )}. Поскольку сопротивление R _D очень велико, выходное напряжение приблизительно считается нулевым.
• Когда мы прикладываем отрицательное напряжение, которое равно напряжению отсечки на затворе, полевой транзистор работает в области отсечки и действует как устройство с высоким сопротивлением, а выходное напряжение равно входному напряжению.

Полевой транзистор в качестве схемы параллельного переключателя

НАЗАД В НАЧАЛО

Полевой транзистор, используемый в качестве последовательного переключателя

На рисунке ниже показана другая конфигурация цепи переключателя полевого транзистора. В этой схеме полевой транзистор действует как последовательный переключатель. Он действует как замкнутый переключатель, если управляющее напряжение равно нулю, и разомкнутый переключатель, если управляющее напряжение отрицательное. Когда полевой транзистор включен, входной сигнал появляется на выходе, а когда он выключен, выход равен нулю.

FET как последовательная схема переключения

НАЗАД В НАЧАЛО

Пример N-канального JFET в качестве переключателя

На рисунке ниже показано, как N-канальный JFET используется для переключения светодиода.Светодиод подключается между клеммами питания и истока через резистор. Здесь резистор используется для ограничения тока через светодиод. Клемма затвора транзистора подключена к отрицательному питанию.

• Из приведенного выше обсуждения, нулевое напряжение на выводе затвора заставляет ток течь через светодиод, потому что полевой транзистор находится в режиме насыщения. Таким образом, светодиод загорается.
• При достаточном отрицательном напряжении на выводе затвора (около 3-4 вольт) JFET переходит в режим отсечки, поэтому светодиод гаснет.

N-канальный JFET для переключения светодиодной цепи

НАЗАД

P-канальный JFET в качестве переключателя

До сих пор мы обсуждали N-канальный JFET в качестве переключателя. Другой тип JFET — это P-канальный JFET, и работа этого полевого транзистора также аналогична N-типу, но разница только в положительном напряжении на выводе затвора.

• Когда напряжение затвора истока равно нулю, полевой транзистор работает в области насыщения, поэтому полевой транзистор включается, что, в свою очередь, заставляет ток течь от стока к истоку.
• А положительное напряжение между затвором и истоком приводит к отключению тока через полевой транзистор. Итак, полевой транзистор находится в состоянии разомкнутой цепи.

P-канальный JFET как схема переключения

ВЕРНУТЬСЯ В НАЧАЛО

Пример P-канального JFET в качестве переключателя

Подобно N-канальному светодиоду, управляемому полевым транзистором, схема коммутируемого светодиода P-канала JFET приведена ниже. . Разница между двумя схемами заключается в источнике питания на выводе затвора.

• Состояние включения остается одинаковым для обеих цепей, когда нулевое напряжение на клемме затвора заставляет светодиод светиться, когда полевой транзистор активен.
• Для переключения полевого транзистора в режим отсечки достаточное положительное напряжение (в данном случае от 3 до 4 вольт) останавливает ток через цепь. Поэтому светодиод выключен. Мы также можем использовать полевые транзисторы для включения релейных цепей, драйверов двигателей и других электронных схем управления.

P-Channel JFET для переключения светодиода

BACK TO TOP

MOSFET в качестве переключателя

Другой тип FET — это MOSFET, который также является устройством, управляемым напряжением.Уровень V _GS , при котором ток стока увеличивается или начинает течь, называется пороговым напряжением V _T . Следовательно, если мы увеличим V _GS , ток стока тоже возрастет. И если мы увеличим V _GS , оставив постоянным V _DS , то ток стока достигнет уровня насыщения, как в случае JFET.

MOSFET работает в режиме отсечки, когда V _GS ниже порогового уровня. Следовательно, в этом режиме ток стока не течет.Следовательно, действует как переключатель ОТКРЫТЬ

Для лучшего понимания рассмотрим рисунок ниже, где N-канальный полевой МОП-транзистор расширенного типа переключается на разные напряжения на выводе затвора.

• На приведенном ниже рисунке вывод затвора MOSFET подключен к V _DD , так что напряжение, подаваемое на вывод затвора, является максимальным. Это приводит к тому, что сопротивление канала становится таким маленьким и позволяет протекать максимальному току стока. Это называется режимом насыщения, и в этом режиме полевой МОП-транзистор полностью включен как замкнутый переключатель.Для MOSFET с расширением P-канала для включения потенциал затвора должен быть более отрицательным по отношению к источнику.
• В области отсечки приложенное напряжение V _GS меньше порогового уровня напряжения, поэтому ток стока равен нулю. Следовательно, полевой МОП-транзистор находится в режиме ВЫКЛ, как и разомкнутый переключатель, как показано на рисунке.

МОП-транзистор в качестве схемы переключения

НАЗАД В НАЧАЛО

Пример МОП-транзистора в качестве переключателя

Рассмотрим схему МОП-транзистора, которая управляет светодиодом, как показано на рисунке.Здесь N-канальный полевой МОП-транзистор используется для переключения светодиода с помощью простого переключателя.

• Когда переключатель находится в разомкнутом состоянии, возникает нулевое напряжение на затворе относительно земли или источника. Таким образом, полевой МОП-транзистор остается выключенным, и светодиод не светится.
• Когда переключатель нажимается, чтобы закрыть его, соответствующее положительное напряжение (в данном случае 5 В) подается на клемму затвора. Итак, полевой МОП-транзистор включен, и светодиод начнет светиться.
• Здесь это простая резистивная нагрузка, но в случае любых индуктивных нагрузок, таких как двигатели, реле, мы должны использовать свободно вращающиеся диоды через нагрузку, чтобы защитить полевой МОП-транзистор от наведенных напряжений.

MOSFET для переключения светодиода

В большинстве схем MOSFET используется в качестве переключателя по сравнению с JFET из-за его преимуществ. Мы также можем использовать схему переключения (для управления нагрузкой на определенной частоте переключения) для полевых транзисторов JFET и полевых МОП-транзисторов для получения сигналов ШИМ в зависимости от требований к нагрузке.

Мы надеемся, что эта общая информация, возможно, позволила вам понять, как мы можем переключать нагрузки с помощью полевых транзисторов с условиями переключения и необходимыми цифрами.Вы также можете написать нам о любых сомнениях или технической помощи по этой концепции в разделе комментариев ниже.

В начало

Ионно-чувствительные полевые транзисторы — это новые интегрированные устройства в микроэлектрохимической лаборатории на микросхемах. Это обычный тип химически чувствительных полевых транзисторов, и их структура такая же, как у обычных полевых транзисторов на основе оксидов металлов и полупроводников.Чувствительная область представляет собой затвор транзистора и включает в себя средства преобразования концентрации ионов в напряжение. В случае ISFET оксид металла и металлические затворы обычного MOSFET заменяются простым решением с электродами сравнения глубоко в растворах, а изолирующие слои предназначены для обнаружения конкретного аналита. Характер изолирующих слоев определяется как функциональность и чувствительность датчика ISFET.

Что такое ISFET?

Аббревиатура ISFET — ионно-чувствительный полевой транзистор.Это полевой транзистор, используемый для измерения концентрации ионных растворов. Концентрация ионов, таких как H +, изменяется как pH, а следовательно, изменяется ток через транзистор. Здесь электрод затвора представляет собой раствор, а напряжение между поверхностью оксида и подложкой обусловлено ионной оболочкой.

ISFET

Принцип работы ISFET

Принцип работы pH-электрода ISFET представляет собой замену нормального полевого транзистора, и они используются во многих схемах усилителя.В ISFET вход обычно используется как металлические ворота, которые заменяются ионно-чувствительной мембраной. Таким образом, ISFET собирает в одном устройстве чувствительную поверхность, а один усилитель дает сильноточный выход с низким импедансом и позволяет использовать соединительные кабели без ненужного экранирования. На следующей схеме показан pH-электрод ISFET.

Принцип работы ISFET

Существуют различные устройства для измерения pH от традиционного стеклянного электрода.Принцип измерения основан на контроле тока, протекающего между двумя полупроводниками — стоком и истоком. Эти два полупроводника соединены вместе с третьим электродом, и он ведет себя как вывод затвора. Клемма затвора напрямую подключается к измеряемому раствору.

Строительство ISFET

Этапы изготовления для ISFET

• Следующий пошаговый процесс показывает изготовление ISFET
• ISFET изготавливается с помощью технологии CMOS и без каких-либо этапов постобработки.
• Все производство осуществляется в лаборатории микропроизводства
• Материал должен быть 4-дюймовой кремниевой пластиной p-типа
• В ISFET вывод затвора изготовлен из материала SiO2, Si3N4, обоих материалов, рассчитываемых для COMS.
• Есть шесть шагов маскирования, которые представляют собой создание n-колодцев, n и p стоков источника, затвора, контакта и материала.
• Конструкция Si3N4 и SiO2 — это буферные растворы для травления оксидов

Следующие этапы изготовления демонстрируют стандартный процесс MOSFET до момента нанесения нитрида кремния в качестве ионно-чувствительной пленки. Осаждение нитрида кремния осуществляется с помощью метода химического осаждения из газовой фазы, усиленного плазмой.Толщина пленки измеряется эллипсометром. После нанесения нитрида процесс продолжается до контактной формы с использованием контактной маски.

Влажное химическое травление BHF используется для травления и нижележащих нитридных и оксидных пленок от области истока и стока. Обычай BHF помогает исключить дополнительную стадию травления нитрида кремния. Последний и последний шаг — это металлизация при изготовлении ISFET.Вблизи затвора ионно-чувствительный полевой транзистор не имеет металлического слоя, металлизация предусмотрена на контактах истока и стока. Простые и основные этапы изготовления ионно-чувствительных полевых транзисторов показаны на следующей диаграмме.

Датчик pH ISFET

Эти типы датчиков подходят для измерения pH, и они необходимы для более высокого уровня производительности. Размер датчика очень мал, и датчики используются для исследования медицинских приложений.Датчик pH ISFET используется в FDA и CE, которые одобряют медицинские устройства, и они также лучше всего подходят для пищевых продуктов, потому что без стекла и устанавливаются в зонды с помощью небольшого профиля, что сводит к минимуму повреждение продукции. Датчик pH ISFET применим во многих средах и промышленных условиях, которые различаются для влажных и сухих условий, а также в некоторых физических условиях, таких как давление, заставляющее обычные стеклянные pH-электроды.

Датчик pH ISFET

Характеристики ISFET pH

Общие характеристики pH ISFET следующие

• Химическая чувствительность ISFET полностью контролируется свойствами электролита
• Существуют различные типы органических материалов для датчиков pH, такие как Al2O3, Si3N4, Ta2O5, которые обладают лучшими свойствами, чем SiO2, и обладают большей чувствительностью и низким дрейфом.

Преимущества ISFET

• Ответ очень быстрый
• Простая интеграция с измерительной электроникой
• Уменьшите измерение биологии зонда.

Приложения ISFET

Основным преимуществом ISFET является то, что он может интегрироваться с MOSFET и стандартными транзисторами интегральных схем.

Недостатки ISFET

• Большой дрейф требует жесткой герметизации краев микросхемы и привязки проводов
• Несмотря на то, что усилительные свойства транзистора этого устройства очень хороши.Для чувствительных химикатов ответственность изоляционной мембраны за экологическое отравление и последующий выход из строя транзистора помешала ISFE завоевать популярность на коммерческих рынках.

В этой статье описывается принцип работы ISFET и пошаговый процесс его изготовления. Приведенная в статье информация дает основы работы с ионно-чувствительным полевым транзистором, и если у вас есть какие-либо сведения об этой статье или о производстве CMOS и NMOS, пожалуйста, прокомментируйте в разделе ниже.Вот вам вопрос, какова функция ISFET?

Фото:

10 x TIP120 TO-220 Транзисторы Дарлингтона NPN Совместимые с Arduino наборы SCM и DIY Совместимые с Arduino Компоненты SCM 10 шт. TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевые транзисторы Транзисторы Промышленные электрические restorandespina.com

10 x TIP120 TO-220 Транзисторы Дарлингтона NPN Совместимые с Arduino наборы SCM и DIY Совместимые с Arduino Компоненты SCM 10 шт. TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор

Купите кроссовки PUMA Kids ‘Basket Holiday Glitz Jr и другие кроссовки в.100% кашемир — клетчатый тартан из ткани «Ройал Стюарт» — Сделано в Шотландии, в магазине мужской одежды. Ветровки оптом унисекс из полиэстера на подкладке с капюшоном: Одежда, Bondhus 12295. Короткий шестигранный ключ 27 мм. Светодиодные водонепроницаемые рождественские сказочные огни для внутреннего использования на открытом воздухе, LED XLAMP MLE ROY BLU 455NM 4SMD, 10 x TIP120 TO-220 Транзисторы Дарлингтона NPN Совместимые с Arduino наборы SCM и DIY Совместимые с Arduino Компоненты SCM 10 шт. TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор Независимо от того, можно ли носить в помещении или на улице, если вы любите кофе с отличным вкусом во время путешествий.Купите футболку для выступлений (гранж) для девочек из Калифорнийского государственного университета в Ист-Бэй и другие рубашки и футболки для активного отдыха в. Дата, впервые указанная в списке: 20 ноября. Новогодняя годовщина и день рождения. 10 x TIP120 TO-220 Транзисторы Дарлингтона NPN Arduino Совместимые комплекты SCM и DIY Совместимые с Arduino Компоненты SCM 10 шт. TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор , украшает его интерьер и обеспечивает роскошное ощущение для пассажиров автомобиля. Эти ремни используют рычаг что делает вещи, которые переносятся, кажутся на 66 процентов легче.Это пушистое детское одеяло можно класть под малышей, пока они не спят и осматривают свое окружение. Вместе они медитативны и мистичны. Кольцо из нержавеющей стали с розовым / розовым золотом, покрытое пурпурным / фиолетовым жемчугом: Одежда. 10 x TIP120 TO-220 Транзисторы Дарлингтона NPN Arduino Совместимые наборы SCM и DIY Совместимые с Arduino Компоненты SCM 10 шт. TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор , женские плоские сандалии Demonia Spr03 / bppt, оплата должна быть произведена в течение 3 дней с момента покупки .Это чудесное этно-ожерелье автоматически привлекает тех, кто чувствует близость к Индии. Размер прихватки составляет примерно 9 x 7. ___________________________________________________. 10 x TIP120 TO-220 Транзисторы Дарлингтона NPN Arduino Совместимые наборы SCM и DIY Совместимые с Arduino Компоненты SCM 10 шт. TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор , зачем покупать дюжину роз, если они могут пахнуть одинаково, но длится на несколько месяцев дольше. Доставка по всему миру из Калифорнии по USPS.*** Убедитесь, что вы загрузили фильтр заблаговременно до мероприятия. Любит ли ваш любимый человек пить, пока он не в коме? Если вы не уверены, какой размер выбрать. 10 x TIP120 TO-220 Транзисторы Дарлингтона NPN Совместимые с Arduino наборы SCM и DIY Совместимые с Arduino Компоненты SCM 10 шт. TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор , я рекомендую избегать прямого контакта с водой, СВЯЗАТЬСЯ С НАМИ ДЛЯ ВОЗВРАТА (очень важно) , Баннер с высоким стулом украшает их детский стульчик, когда они разбивают свой первый торт на день рождения, или вы можете использовать его в качестве фона для годовалых фотографий ребенка или просто украсить комнату.

.