Симистор и тиристор отличие: Симисторные и тиристорные стабилизаторы напряжения: что лучше выбрать?

Содержание

принцип работы и основные отличия

Тиристорные и симисторные стабилизаторы напряжения относятся к семейству электронных стабилизаторов. Стабилизацию напряжения реализуют ключи, собранные на полупроводниковых приборах, – тиристорах или симисторах. Назначение этих аппаратов – нормализация параметров входного тока, что позволяет защитить дорогостоящее оборудование, технику и инструмент от повреждений из-за некачественного сетевого напряжения.

Устройство и принцип работы тиристорных и симисторных стабилизаторов напряжения

В конструкцию стабилизирующих аппаратов на полупроводниковых ключах входят:

  • Входной фильтр. Предназначен для устранения помех высокой частоты и кратких скачков напряжения, негативно влияющих на работоспособность техники на электронных компонентах.
  • Схема контроля и управления. Контролирует входной сетевой ток и при его изменениях с помощью полупроводниковых ключей управляет секциями вторичной обмотки.
  • Силовой трансформатор. В его конструкции присутствует секционированная вторичная обмотка, обеспечивающая ступенчатое изменение выходных характеристик тока.
  • Силовые ключи – тиристорные или симисторные. В симисторном аппарате может присутствовать более 10 ступеней, обеспечивающих получение достаточно точных параметров тока, поступающего к потребителям.

Принцип работы трансформатора на полупроводниковых ключах:

  • При изменениях характеристик входного тока схема контроля и управления сравнивает текущие и допустимые параметры.
  • Если колебания параметров сетевого тока находятся в установленных пределах, подается сигнал на полупроводниковый ключ, который корректирует выходное напряжение.
  • При скачках входного напряжения за допустимые пределы защитная система в аварийном режиме обесточивает цепь.

В чем разница между тиристорами и симисторами

Общей характеристикой тиристоров и симисторов является тот факт, что ими управляют подачей на управляющий электрод положительного потенциала. Различия заключаются в конструкции полупроводников.

Тиристор – однонаправленный преобразователь, в структуре которого имеются анод, катод, управляющий электрод. Симистор – полупроводниковый прибор, состоящий из двух параллельно соединенных тиристоров. Благодаря такой конструкции симисторный переключатель обладает двунаправленным действием – он может проводить ток в двух направлениях.

Преимущества и недостатки стабилизаторов тиристорного типа

Преимущества тиристорных стабилизаторов:

  • достаточно высокая скорость стабилизации – до 20 мс;
  • хороший КПД;
  • защищенность от сетевых помех;
  • значительный интервал регулирования;
  • устойчивость к перегрузам;
  • надежность, долговечность.

Минусы стабилизаторов на тиристорных ключах, ограничивающих их применение:

  • низкая эффективность при работе с реактивными потребителями;
  • значительное снижение мощности при низких напряжениях на входе;
  • высокая стоимость;
  • сложность ремонтных мероприятий;
  • форма выходного напряжения, далекая от синусоиды, что делает невозможным применение этих аппаратов для обслуживания электродвигателей.

Ступенчатая стабилизация и ее недостаточная точность ограничивают использование аппаратов для питания потребителей с особой чувствительностью к качеству электропитания.

Плюсы и минусы симисторных стабилизаторов

Для симисторных аппаратов характерны следующие преимущества:

  • хорошее быстродействие и достаточно точная коррекция;
  • высокая величина КПД;
  • малый уровень шума, что принципиально при использовании в закрытых помещениях, в которых часто находятся люди;
  • широкий допустимый интервал параметров сетевого тока на входе;
  • надежность, длительный рабочий период.

К минусам относят ступенчатую стабилизацию, форму напряжения, отличную от синусоидальной, большие габариты, меньшую стойкость к перегрузкам по току, более высокую степень нагрева по сравнению с тиристорными аналогами. Симисторные аппараты отличаются низкой стойкостью при индуктивных нагрузках.

Какой стабилизатор лучше выбрать – тиристорный/симисторный или электронно-релейный

Еще один тип электронных стабилизаторов – электронно-релейный. К таким аппаратам относятся модели серии «Каскад». При их создании использовались технологии, устраняющие недостатки тиристорных и симисторных аппаратов. Обмотки трансформатора в этих моделях переключают электронные ключи, состоящие из транзистора и реле. Они устойчивы к сетевым помехам и не провоцируют их появление.

Преимущества электронно-релейных стабилизирующих аппаратов по сравнению с тиристорными/симисторными:

  • Возможность работать с перегрузками до 1000 %, для тиристорных/симисторных моделей допустимый перегруз не превышает 40 %.
  • Синусоидальная форма напряжения на выходе.
  • Наличие оригинальной схемы коррекции параметров напряжения не в силовой, а во вторичной цепи исключает вероятность замыкания трансформаторных обмоток. В аппаратах с полупроводниковыми ключами такое замыкание может произойти при импульсных помехах и грозовых разрядах.

Стабилизаторы электронно-релейного типа относятся к наиболее надежным, поскольку они эффективно защищают промышленное оборудование, технику, инструменты от аварий в электросети, помех, грозовых разрядов, коротких замыканий. При включении электронно-релейные аппараты серии «Каскад» анализируют параметры сети и тестируют защитные системы.

Тиристор и симистор.Способы и схемы управления

Тиристор и симистор.Способы и схемы управления

Тиристор - это переключающий полупроводниковый прибор, пропускающий ток в одном направлении. Симиcтop - полупроводниковый прибор, который широко используется в системах, питающихся переменным напряжением. Упрощенно он может рассматриваться как управляемый выключатель.

Тиристоры нашли широкое применение в полупроводниковых устройствах и преобразователях. Различные источники питания, частотные преобразователи, регуляторы, возбудительные устройства для синхронных двигателей и много других устройств строились на тиристорах, а в последнее время их вытесняют преобразователи на транзисторах. Основной задачей для тиристора является включение нагрузки в момент подачи управляющего сигнала. В этой статье мы рассмотрим, как управлять тиристорами и симисторами.

Определение

Тиристор (тринистор) - это полупроводниковый полууправляемый ключ. Полууправляемый - значит, что вы можете только включать тиристор, отключается он только при прерывании тока в цепи или если приложить к нему обратное напряжение.

Он, подобно диоду, проводит ток только в одном направлении. То есть для включения в цепь переменного тока для управления двумя полуволнами нужно два тиристора, для каждой по одному, хотя не всегда. Тиристор состоит из 4 областей полупроводника (p-n-p-n).

Другой подобный прибор называется симистор - двунаправленный тиристор. Его основным отличием является то, что ток он может проводить в обе стороны. Фактически он представляет собой два тиристора соединённых параллельно навстречу друг другу.

Основные характеристики              

Как и любых других электронных компонентов у тиристоров есть ряд характеристик:

1. Падение напряжения при максимальном токе анода (VT или Uос).

2. Прямое напряжение в закрытом состоянии (VD(RM) или Uзс).

3. Обратное напряжение (VR(PM) или Uобр).

4. Прямой ток (IT или Iпр) – это максимальный ток в открытом состоянии.

5. Максимально допустимый прямой ток (ITSM) — это максимальный пиковый ток в открытом состоянии.

6. Обратный ток (IR) — ток при определенном обратном напряжении.

7. Постоянный ток в закрытом состоянии при определенном прямом напряжении (ID или Iзс).

8. Постоянное отпирающее напряжение управления (VGT или UУ).

9. Ток управления (IGT).

10. Максимальный ток управления электрода IGM.

11. Максимально допустимая рассеиваемая мощность на управляющем электроде (PG или Pу)

Принцип работы

Когда на тиристор подают напряжение он не проводит ток. Есть два способа включит его – подать напряжение между анодом и катодом достаточное для открытия, тогда его работа ничем не будет отличаться от динистора.

Другой способ – это подать кратковременный импульс на управляющий электрод.

Ток открытия тиристора лежит в пределах 70-160 мА, хотя на практике эта величина, как и напряжение которое нужно приложить к тиристору зависит от конкретной модели и экземпляра полупроводникового прибора и даже от условий, в которых он работает, таких, например, как температура окружающей среды.

Кроме управляющего тока, есть такой параметр как ток удержания - это минимальный ток анода для удержания тиристора в открытом состоянии.

После открытия тиристора управляющий сигнал можно отключать, тиристор будет открыт до тех пор, пока через него протекает прямой ток и подано напряжение. То есть в цепи переменного тиристор будет открыт в течении той полуволны напряжение которой смещает тиристор в прямом направлении. Когда напряжение устремится к нулю, снизится и ток. Когда ток в цепи упадет ниже величины тока удержания тиристора - он закроется (выключится).

Полярность управляющего напряжения должна совпадать с полярностью напряжения между анодом и катодом, что вы наблюдаете на осциллограммах выше.

Управление симистором аналогично хоть и имеет некоторые особенности. Для управления симистором в цепи переменного тока нужно два импульса управляющего напряжения - на каждую полуволну синусоиды соответственно.

После подачи управляющего импульса в первой полуволне (условно положительной) синусоидального напряжения ток через симистор будет протекать до начала второй полуволны, после чего он закроется, как и обычный тиристор. После этого нужно подать еще один управляющий импульс для открытия симистора на отрицательной полуволне. Это наглядно проиллюстрировано на следующих осциллограммах.

Полярность управляющего напряжения должна соответствовать полярности приложенного напряжения между анодом и катодом. Из-за этого возникают проблемы при управлении симисторами с помощью цифровых логических схем или от выходов микроконтроллера. Но это легко решается путем установки симисторного драйвера, о чем мы поговорим позже.

Распространенные схемы управления тиристорами или симисторами

Самой распространенной схемой является симисторный или тиристорный регулятор.

Здесь тиристор открывается после того как на конденсаторе будет достаточная величина для его открытия. Момент открытия регулируется с помощью потенциометра или переменного резистора. Чем больше его сопротивление - тем медленнее заряжается конденсатор. Резистор R2 ограничивает ток через управляющий электрод.

Эта схема регулирует оба полупериода, то есть вы получаете полную регулировку мощности почти от 0% и почти до 100%. Это удалось достичь, установив регулятор в диодном мосте, таким образом регулируется одна из полуволн.

Упрощенная схема изображена ниже, здесь регулируется лишь половина периода, вторая полуволна проходит без изменения через диод VD1. Принцип работы аналогичен.

Симисторный регулятор без диодного моста позволяет управлять двумя полуволнами.

По принципу действия почти аналогична предыдущим, но построена на симисторе с её помощью регулируются уже обе полуволны. Отличия заключаются в том, что здесь импульс управления подаётся с помощью двунаправленного динистора DB3, после того как конденсатор зарядится до нужного напряжения, обычно это 28-36 Вольт.

Скорость зарядки также регулируется переменным резистором или потенциометром. Такая схема реализована в большинстве бытовых диммеров.

Интересно:

Такие схемы регулировки напряжения называется СИФУ - система импульсного фазового управления.

На рисунке выше изображен вариант управления симистором с помощью микроконтроллера, на примере популярной платформы Arduino. Симисторный драйвер состоит из оптосимистора и светодиода. Так как в выходной цепи драйвера установлен оптосимистор на управляющий электрод всегда подаётся напряжение нужной полярности, но здесь есть некоторые нюансы.

Дело в том, что для регулировки напряжения с помощью симистора или тиристора нужно подавать управляющий сигнал в определенный момент времени, так чтобы срез фазы происходил до нужной величины. Если наугад стрелять управляющими импульсами - схема работать конечно будет, но регулировок добиться не выйдет, поэтому нужно определять момент перехода полуволны через ноль.

Так как для нас не имеет значения полярность полуволны в настоящий момент времени - достаточно просто отслеживать момент перехода через ноль. Такой узел в схеме называют детектор нуля или нуль-детектор, а в англоязычных источниках "zero crossing detector circuit" или ZCD. Вариант такой схемы с детектором перехода через ноль на транзисторной оптопаре выглядит следующим образом:

Оптодрайверов для управления симисторами есть множество, типовые – это линейка MOC304x, MOC305x, MOC306X, произведенные компанией Motorola и другими. Более того – эти драйверы обеспечивают гальваническую развязку, что убережет ваш микроконтроллер в случае пробоя полупроводникового ключа, что вполне возможно и вероятно. Также это повысит безопасность работы с цепями управления, полностью разделив цепь на «силовую» и «оперативную».

Заключение

Мы рассказали базовые сведения о тиристорах и симисторах, а также управлении ими в цепях с «переменкой». Стоит отметить, что мы не затрагивали тему запираемых тиристоров, если вас интересует этот вопрос – пишите комментарии и мы рассмотрим их подробнее. Также не были рассмотрены нюансы использования и управления тиристорами в силовых индуктивных цепях. Для управления «постоянкой» лучше использовать транзисторы, поскольку в этом случае вы решаете, когда ключ откроется, а когда он закроется, повинуясь управляющему сигналу…

Ранее ЭлектроВести писали, почему в современных инверторах используют транзисторы, а не тиристоры.

По материалам electrik.info

отличия, принцип работы и критерии выбора электронных стабилизирующих устройств

Автор: Александр Старченко

Эти два типа стабилизаторов напряжения относятся к электронным приборам. В них отсутствуют любые механические и электромеханические устройства. Они собраны полностью на полупроводниковых элементах, отличаются бесшумностью, высокой скоростью реакции на изменение напряжения и надёжностью. Такие стабилизаторы широко применяются в быту и на производстве.

Содержание:

  1. Принцип работы электронных стабилизаторов
  2. Тиристорный стабилизатор
  3. Симисторный стабилизатор
  4. Мощный электронный стабилизатор

Принцип работы электронных стабилизаторов

Принцип работы электронных стабилизаторов этого типа можно сравнить с принципом работы полупроводникового стабилизатора. В основе конструкции лежит использование мощного силового трансформатора. Только роль элементов переключающих его обмотки выполняют не электромагнитные реле, а мощные полупроводниковые ключи, собранные на тиристорах или симисторах.

Большое количество тиристорных стабилизаторов представлено на сайте официального партнера компании Энергия — ВольтМаркет.ру.

Если вы хотите приобрести симисторный стабилизатор, тогда посмотрите варианты на сайте компании по этой ссылке.

Поскольку все жилые дома, а также офисы и большинство общественных учреждений питаются по двухпроводной линии, состоящей из одной фазы и нуля, то для питания различных технических устройств используется однофазный тиристорный стабилизатор напряжения. Стабилизатор напряжения состоит из следующих элементов:

  • Входной фильтр напряжения сети;
  • Плата управления и контроля;
  • Трансформатор;
  • Силовые ключи;
  • Устройство индикации.

Очень часто в линиях электропитания переменного тока могут наводиться импульсные высокочастотные помехи, а так же короткие (5-15 мск) выбросы напряжения. Всё это может привести к нарушениям в работе электронной техники, поэтому напряжение на входе стабилизатора проходит через фильтр. Он собран на дросселях, выполненных на ферритовых кольцах и конденсаторах. Такой L/C фильтр препятствует проникновению на вход стабилизатора напряжения сетевых наводок.

Силовой трансформатор имеет секционированную вторичную обмотку, что позволяет менять коэффициент трансформации в ступенчатом режиме, и, следовательно, управлять величиной выходного напряжения. Однофазный симисторный стабилизатор напряжения собран по аналогичной схеме, а вся разница между этими стабилизаторами заключается в типе полупроводниковых ключей.

Плата управления и контроля постоянно анализирует величину напряжения сети и при её отклонении в любую сторону, с помощью электронных ключей переключает секции вторичной обмотки, изменяя тем самым величину напряжения на выходе стабилизатора. Переключающими элементами являются тиристоры или симисторы.

Схема симисторного стабилизатора напряжения может иметь до 15 переключаемых ступеней, что обеспечивает высокую точность установки напряжения на выходе. Для питания платы управления и контроля в схеме стабилизатора предусмотрен дополнительный трансформатор и выпрямитель.

Для удобства пользователей, стабилизаторы напряжения оборудованы светодиодной индикацией режимов работы:

  • «Сеть»;
  • «Нагрузка»;
  • «Перегрузка»;
  • «U вх. min»;
  • «U вх.max».

Кроме этого стабилизатор может иметь цифровой дисплей, на который выводятся данные о напряжении на входе, на выходе и частота сети переменного тока.

Большое количество тиристорных стабилизаторов представлено на сайте официального партнера компании Энергия — ВольтМаркет. ру.

Если вы хотите приобрести симисторный стабилизатор, тогда посмотрите варианты на сайте компании по этой ссылке.

Тиристорный стабилизатор

Тиристорный стабилизатор напряжения представляет собой трансформаторное устройство, в котором выравнивание напряжения осуществляется с помощью переключения обмоток силового трансформатора с помощью электронных ключей. Тиристор – это полупроводниковый прибор являющийся аналогом электромагнитного реле. Он имеет анод, катод и управляющий электрод.

Поскольку тиристор проводит ток только в одном направлении, то для работы в цепях переменного тока применяется встречно-параллельное соединение тиристоров. Следовательно, один ключ, подключающий часть обмотки трансформатора, будет состоять из двух тиристоров.

Тиристорный стабилизатор может обеспечить достаточно большую точность установки напряжения. Это достигается увеличением числа переключающих ступеней. Практические схемы электронных стабилизаторов на тиристорах могут обеспечить точность стабилизации порядка 3-5%.

Стабилизатор такого типа обладает следующими положительными качествами:

  • Высокая скорость стабилизации;
  • Хорошая защита от внешних помех;
  • Большой диапазон регулировки;
  • Высокая надёжность устройства.

При своих достоинствах, тиристорный стабилизатор напряжения имеет определённые недостатки, которые заметно ограничивают его сферу применения.

Большой выбор тиристорных стабилизаторов напряжения отечественного производства смотрите на сайте официального представителя компании Энергия по этой ссылке.

Отрицательные стороны:

  • Ограничение работы с реактивными нагрузками;
  • Потеря мощности при заниженных входных напряжениях;
  • Высокая стоимость;
  • Сложный ремонт.

Дело в том, что стабилизаторы напряжения собранные на тиристорах выдают на выходе форму напряжения далёкую от синусоидальной. Она может иметь форму трапеции или меандра. Питание электродвигателей от такого стабилизатора, особенно асинхронного типа, может привести к выходу мотора из строя. Существуют модели стабилизаторов, которые выдают нормальную форму напряжения на выходе, но такие устройства имеют сложную электронную схему и стоят заметно дороже. В связи с этим сфера применения данных стабилизаторов уже ограничивается, их нельзя будет использовать в качестве стабилизаторов для циркуляционных насосов в системах отопления, скважинах, и т. д.

Тиристорный стабилизатор напряжения при работе сам является источником помех, поэтому к нему не рекомендуется подключать измерительную аппаратуру высокой точности.

Симисторный стабилизатор

В этом устройстве в качестве электронных ключей, управляющих переключением секций силового трансформатора, используются симисторы. Это полупроводниковые приборы, объединяющие в одном корпусе два тиристора. Симистор, или симметричный тиристор, проводит ток в двух направлениях, поэтому силовой ключ выполнен на одном полупроводниковом приборе.

Симисторный стабилизатор напряжения имеет ряд недостатков по сравнению с тиристорными устройствами. Стабилизатор очень критичен к выбросам напряжения при работе с индуктивной нагрузкой. Вместе с тем он обеспечивает высокую точность регулирования.

Если вы хотите приобрести симисторный стабилизатор, тогда посмотрите варианты на сайте  официального представителя компании Энергия по этой ссылке.

В отличие от электромагнитных реле, симисторы переключаются за короткий промежуток времени, а отсутствие контактов и других механических элементов делает такие стабилизаторы очень надёжными. Мощные электронные ключи сильно нагреваются в процессе работы, поэтому симисторы монтируются на радиаторы, что увеличивает габариты прибора. Для лучшего охлаждения электронных компонентов симисторный стабилизатор напряжения оборудуется вентилятором.

Мощный электронный стабилизатор

Одним из лидеров в производстве энергетических систем является компания «Энергия», она применяет в своих разработках инновационные технологии, что позволяет свести до минимума некоторые недостатки тиристорных стабилизаторов напряжения.

Однофазный тиристорный стабилизатор «Энергия Classic 12 000» представляет собой современное и надёжное устройство с высокими параметрами. Устройство работает в интервале входных напряжений от 125 до 254 вольт. Предельно допустимые величины могут составлять 60 вольт по минимуму и 265 вольт по максимуму. Стабилизатор имеет переключающую схему на 12 ступеней, выполненную на мощных тиристорах. Время переключения не превышает 20 мс.

Этот, и большое количество других тиристорных стабилизаторов представлено на сайте официального партнера компании Энергия — ВольтМаркет.ру.

Если вы хотите приобрести симисторный стабилизатор, тогда посмотрите варианты на сайте компании по этой ссылке.

Стабилизатор имеет защиту от пониженного напряжения, повышенного напряжения и перегрузки. При температуре силового  трансформатора свыше 120°C так же срабатывает защита и стабилизатор отключается. Допустимая кратковременная перегрузка до 180%, может составлять 0,3 секунды. Входной фильтр подавляет все виды высокочастотных и импульсных помех. При питании нагрузки с нормальным напряжением сети используется система «байпас». Данный стабилизатор компании Энергия рассчитан на эксплуатацию в отапливаемом помещении с уровнем влажности не более 80%.

С этим читают:

Понравилась статья? Поделись с друзьями в соц сетях!

Разница между тиристором и транзистором (со сравнительной таблицей)

Тиристор - это полупроводниковое устройство, которое обладает высокими номинальными значениями напряжения и тока, а также способно выдерживать большую мощность. Напротив, транзистор не может обрабатывать большую мощность, эквивалентную той, которую обеспечивает тиристор. Кроме того, ток и напряжение транзисторов также довольно низки. Таким образом, мощность отличает оба этих устройства.

Несмотря на то, что тиристор и транзистор являются ключевыми устройствами для коммутационных приложений, тем не менее, из-за различий в характеристиках у них есть свои области применения.

Еще одно различие между тиристором и транзистором, которое проявляется в его конструктивной особенности, состоит в том, что тиристор образован четырьмя слоями материала P-типа и N-типа, расположенными альтернативным образом. С другой стороны, транзистор формируется путем размещения слоя полупроводникового материала P-типа или N-типа между слоями материала N-типа и P-типа соответственно.

Теперь вы, должно быть, получили общее представление о различиях между тиристором и транзистором . Но на этом различия не заканчиваются; Между вышеупомянутым четырехслойным и трехслойным устройством есть еще много другого различия. Мы обсудим все это с помощью диаграммы сравнение .

Но прежде, чем я займусь сравнительной таблицей, давайте кратко рассмотрим дорожную карту в этой статье.

Содержание: тиристор против транзистора

  1. Сравнительная таблица
  2. Определение
  3. Ключевые отличия
  4. Заключение


Таблица сравнения

Параметры Тиристор Транзистор
Определение Тиристор - это четырехслойное полупроводниковое устройство, которое используется для выпрямления и переключения. Транзистор представляет собой трехслойное полупроводниковое устройство, которое используется в основном для усиления и переключения.
Допустимая мощность Больше по сравнению с транзистором. Меньше по сравнению с тиристорами.
Номинальный ток и напряжение Максимальный ток и напряжение. Низкий ток и номинальное напряжение
Внутренние потери Меньше по сравнению с транзисторами. Больше по сравнению с тиристорами.
Время включения и выключения Требуется больше времени на включение и выключение. На включение и выключение требуется меньше времени.
Стоимость Стоит дорого. Это дешево и, следовательно, экономично для использования в нескольких приложениях.
Вес Он громоздкий. Он легкий.
Процедура срабатывания Для переключения в состояние проводимости требуется всего один импульс. Ему необходим постоянный ток, чтобы поддерживать его в проводящем состоянии.
Высокочастотное приложение Не подходит. Подходит
Применение с высокой мощностью Подходит для приложений с высокой мощностью. Не подходит для применения с высокой мощностью.


Определение

Транзистор

Транзистор представляет собой полупроводниковое устройство, состоящее из трех выводов, которые являются эмиттером, базой и коллектором.Его можно использовать как усилитель или переключатель в зависимости от смещения перехода транзистора. Эмиттер и база составляют перехода эмиттер-база , а коллектор и база составляют перехода коллектор-база.

Вывод эмиттера сильно легирован и поэтому состоит из большого количества носителей заряда. Эти носители текут к коллектору через базовую область, и благодаря этому ток течет в транзисторе. Транзистор работает в трех областях: активная область, область насыщения и область отсечки .

Характеристики активной области транзисторов используются для усиления слабого сигнала, в то время как характеристики области насыщения и отсечки транзисторов используются в коммутационных приложениях.

Тиристор

Тиристор образован четырьмя слоями полупроводникового материала. Он состоит из трех выводов: катод , анод и вывод затвора . Вывод затвора тиристора используется в качестве управляющего вывода.Тиристор переключается в состояние ВКЛ. путем подачи начального тока на транзистор, после чего он остается в состоянии ВКЛ.

Это похоже на два транзистора PNP и NPN, соединенных вместе через клемму база-коллектор. Коллектор PNP подключен к базе NPN, и, таким образом, транзистор NPN переключится в состояние ON, а коллектор NPN подключен к базе транзистора PNP. Таким образом, оба транзистора будут оставаться включенными при первоначальном запуске, подаваемом на транзистор PNP.

Ключевые различия между тиристором и транзистором

  1. Номинальные значения высокого напряжения и тока: Важнейшим свойством, которое создает существенную разницу между тиристором и транзистором, являются номинальные значения напряжения и тока. Номинальные значения напряжения и тока тиристора высоки из-за его конструкции и конструкции, в то время как номинальное напряжение и ток транзистора низкие по сравнению с тиристором.
  2. Допустимая мощность: Допустимая мощность тиристора и транзистора отличается друг от друга.Тиристоры обладают большей мощностью, чем транзисторы. Номинальная мощность тиристоров всегда составляет кВт (киловатт) , в то время как мощность транзистора всегда составляет Вт (ватт).
  3. Конструкция: Тиристор и транзистор имеют разную конструкцию. Тиристор образован четырьмя слоями полупроводникового материала, в котором материал P-типа и материал N-типа соединены альтернативным способом, в то время как транзистор образован путем соединения трех слоев полупроводников.
  4. Клемма: Тиристор и транзистор имеют по три вывода, но три вывода транзисторов - это эмиттер, база и коллектор, а три вывода тиристоров - это катод, анод и вывод затвора. Тиристор состоит из управляющего терминала, то есть терминала затвора, в то время как транзисторы не требуют управляющего терминала.
  5. Внутренние потери: Тиристоры обладают меньшими внутренними потерями по сравнению с транзисторами. Внутренние потери в устройстве снижают его эффективность.Таким образом, тиристоры считаются гораздо более эффективными, чем транзисторы, в случае применения с высокой мощностью.
  6. Размер схемы: Размеры тиристорной и транзисторной схемы также отличаются друг от друга. Схема тиристора более громоздкая, чем схема транзистора. Таким образом, если вам нужна небольшая схема для высокочастотного приложения, вам необходимо использовать силовые транзисторы, потому что силовые транзисторы малы по размеру.
  7. Стоимость схемы: Силовые транзисторы небольшие и дешевые.Таким образом, схемы, в которых используется силовой транзистор, будут дешевле, чем схемы, использующие тиристоры.
  8. Требование схемы коммутации: Схема коммутации не требуется в случае транзистора, но требуется в случае тиристора, что делает тиристорную схему громоздкой.
  9. Время включения и выключения : Транзистор можно выключить немедленно, но тиристор нельзя выключить мгновенно. Таким образом, тиристоры обладают большим временем выключения, что не подходит для высокочастотных приложений.Более того, транзистор может включаться быстрее, чем тиристор. Поэтому транзисторы предпочтительнее тиристоров для высокочастотного переключения.
  10. High Power Application: Тиристоры из-за своей высокой допустимой мощности считаются лучшими для приложений высокой мощности. Напротив, транзистор используется для приложений с низким энергопотреблением.
  11. Запуск: Запуск, необходимый для тиристора, представляет собой одиночный импульс, и после подачи питания он остается в состоянии проводимости.Напротив, транзисторам требуется постоянная подача тока, чтобы поддерживать их в состоянии проводимости.


Заключение

Тиристор и транзистор, оба являются переключающими устройствами, но тиристор не подходит для высокочастотного применения, а транзистор не подходит для применения с высокой мощностью. В высокочастотном применении мы должны использовать транзистор из-за его небольшого времени включения , и выключения. Но в приложениях большой мощности следует использовать тиристоры из-за их высокой пропускной способности по току.

Что делать, если вы будете использовать тиристор для высокочастотного переключателя? Это приведет к снижению эффективности полученной схемы. Следовательно, мы можем использовать устройства в соответствующем приложении, только когда мы ознакомимся с различиями между ними.

Поставщики и ресурсы беспроводной связи RF

О мире беспроводной связи RF

Веб-сайт RF Wireless World является домом для поставщиков и ресурсов радиочастотной и беспроводной связи. На сайте представлены статьи, руководства, поставщики, терминология, исходный код (VHDL, Verilog, MATLAB, Labview), тестирование и измерения, калькуляторы, новости, книги, загрузки и многое другое.

Сайт RF Wireless World охватывает ресурсы по различным темам, таким как RF, беспроводная связь, vsat, спутник, радар, волоконная оптика, микроволновая печь, wimax, wlan, zigbee, LTE, 5G NR, GSM, GPRS, GPS, WCDMA, UMTS, TDSCDMA, bluetooth, Lightwave RF, z-wave, Интернет вещей (IoT), M2M, Ethernet и т. Д. Эти ресурсы основаны на стандартах IEEE и 3GPP. В них также есть академический раздел, который охватывает колледжи и университеты по инженерным дисциплинам и MBA.

Статьи о системах на основе Интернета вещей

Система обнаружения падений для пожилых людей на основе Интернета вещей : В статье рассматривается архитектура системы обнаружения падений, используемой для пожилых людей.В нем упоминаются преимущества или преимущества системы обнаружения падений Интернета вещей. Читать дальше➤
Также обратитесь к другим статьям о системах на основе Интернета вещей следующим образом:
• Система чистоты туалетов самолета. • Система измерения столкновения • Система отслеживания скоропортящихся продуктов и овощей • Система помощи водителю • Система умной торговли • Система мониторинга качества воды. • Система Smart Grid • Система умного освещения на базе Zigbee • Система интеллектуальной парковки на основе Zigbee. • Система интеллектуальной парковки на основе LoRaWAN


Статьи о беспроводной радиосвязи

В этом разделе статей представлены статьи о физическом уровне (PHY), уровне MAC, стеке протоколов и сетевой архитектуре на основе WLAN, WiMAX, zigbee, GSM, GPRS, TD-SCDMA, LTE, 5G NR, VSAT, Gigabit Ethernet на основе IEEE / 3GPP и т. Д. .стандарты. Он также охватывает статьи, относящиеся к испытаниям и измерениям, по тестированию на соответствие, используемым для испытаний устройств на соответствие RF / PHY. УКАЗАТЕЛЬ СТАТЬИ ДЛЯ ССЫЛКИ >>.


Физический уровень 5G NR : Обработка физического уровня для канала 5G NR PDSCH и канала 5G NR PUSCH рассмотрена поэтапно. Это описание физического уровня 5G соответствует спецификациям физического уровня 3GPP. Читать дальше➤


Основы повторителей и типы повторителей : В нем объясняются функции различных типов ретрансляторов, используемых в беспроводных технологиях.Читать дальше➤


Основы и типы замирания : В этой статье описываются мелкомасштабные замирания, крупномасштабные замирания, медленные, быстрые и т. Д., Используемые в беспроводной связи. Читать дальше➤


Архитектура сотового телефона 5G : В этой статье рассматривается блок-схема сотового телефона 5G с внутренними модулями 5G Архитектура сотового телефона. Читать дальше➤


Основы помех и типы помех: В этой статье рассматриваются помехи в соседнем канале, помехи в одном канале, ЭМ помехи, ICI, ISI, световые помехи, звуковые помехи и т. Д.Читать дальше➤


5G NR Раздел

В этом разделе рассматриваются функции 5G NR (New Radio), нумерология, диапазоны, архитектура, развертывание, стек протоколов (PHY, MAC, RLC, PDCP, RRC) и т. Д. 5G NR Краткий указатель ссылок >>
• Мини-слот 5G NR • Часть полосы пропускания 5G NR • 5G NR CORESET • Форматы DCI 5G NR • 5G NR UCI • Форматы слотов 5G NR • IE 5G NR RRC • 5G NR SSB, SS, PBCH • 5G NR PRACH • 5G NR PDCCH • 5G NR PUCCH • Эталонные сигналы 5G NR • 5G NR m-последовательность • Золотая последовательность 5G NR • 5G NR Zadoff Chu Sequence • Физический уровень 5G NR • Уровень MAC 5G NR • Уровень 5G NR RLC • Уровень 5G NR PDCP


Учебные пособия по беспроводным технологиям

В этом разделе рассматриваются учебные пособия по радиочастотам и беспроводной связи. Он охватывает учебные пособия по таким темам, как сотовая связь, WLAN (11ac, 11ad), wimax, bluetooth, zigbee, zwave, LTE, DSP, GSM, GPRS, GPS, UMTS, CDMA, UWB, RFID, радар, VSAT, спутник, WLAN, волновод, антенна, фемтосота, тестирование и измерения, IoT и т. Д. См. УКАЗАТЕЛЬ Учебников >>


Учебное пособие по 5G - Это руководство по 5G также охватывает следующие подтемы по технологии 5G:
Учебное пособие по основам 5G Полосы частот руководство по миллиметровым волнам Волновая рамка 5G мм Зондирование волнового канала 5G мм 4G против 5G Тестовое оборудование 5G Сетевая архитектура 5G Сетевые интерфейсы 5G NR канальное зондирование Типы каналов 5G FDD против TDD Разделение сети 5G NR Что такое 5G NR Режимы развертывания 5G NR Что такое 5G TF


В этом руководстве GSM рассматриваются основы GSM, сетевая архитектура, сетевые элементы, системные спецификации, приложения, Типы пакетов GSM, структура кадров GSM или иерархия кадров, логические каналы, физические каналы, Физический уровень GSM или обработка речи, вход в сеть мобильного телефона GSM, установка вызова или процедура включения питания, MO-вызов, MT-вызов, VAMOS, AMR, MSK, модуляция GMSK, физический уровень, стек протоколов, основы мобильного телефона, Планирование RF, нисходящая линия связи PS и восходящая линия связи PS.
➤Подробнее.

LTE Tutorial , охватывающий архитектуру системы LTE, охватывающий основы LTE EUTRAN и LTE Evolved Packet Core (EPC). Он обеспечивает связь с обзором системы LTE, радиоинтерфейсом LTE, терминологией LTE, категориями LTE UE, структурой кадра LTE, физическим уровнем LTE, Стек протоколов LTE, каналы LTE (логические, транспортные, физические), пропускная способность LTE, агрегация несущих LTE, передача голоса по LTE, расширенный LTE, Поставщики LTE и LTE vs LTE продвинутые.➤Подробнее.


RF Technology Stuff

Эта страница мира беспроводной радиосвязи описывает пошаговое проектирование преобразователя частоты RF на примере преобразователя RF UP от 70 МГц до диапазона C. для микрополосковой платы с использованием дискретных радиочастотных компонентов, а именно. Смесители, гетеродин, MMIC, синтезатор, опорный генератор OCXO, колодки аттенюатора. ➤Подробнее.
➤Проектирование и разработка радиочастотных трансиверов ➤Конструкция RF фильтра ➤VSAT Система ➤Типы и основы микрополосковой печати ➤Основы волновода


Секция испытаний и измерений

В этом разделе рассматриваются контрольно-измерительные ресурсы, испытательное и измерительное оборудование для тестирования DUT на основе Стандарты WLAN, WiMAX, Zigbee, Bluetooth, GSM, UMTS, LTE. ИНДЕКС испытаний и измерений >>
➤ Система PXI для T&M. ➤ Генерация и анализ сигналов ➤Измерения слоя PHY ➤Тест устройства на соответствие WiMAX ➤ Тест на соответствие Zigbee ➤ Тест на соответствие LTE UE ➤Тест на соответствие TD-SCDMA


Волоконно-оптическая технология

Оптоволоконный компонент , основы, включая детектор, оптический соединитель, изолятор, циркулятор, переключатели, усилитель, фильтр, эквалайзер, мультиплексор, разъемы, демультиплексор и т. д.Эти компоненты используются в волоконно-оптической связи. Оптические компоненты INDEX >>
➤Учебник по оптоволоконной связи ➤APS в SDH ➤SONET основы ➤SDH Рамочная конструкция ➤SONET против SDH


Поставщики, производители радиочастотных беспроводных устройств

Сайт RF Wireless World охватывает производителей и поставщиков различных компонентов, систем и подсистем RF для ярких приложений, см. ИНДЕКС поставщиков >>.

Поставщики радиочастотных компонентов, включая радиочастотный изолятор, радиочастотный циркулятор, радиочастотный смеситель, радиочастотный усилитель, радиочастотный адаптер, радиочастотный разъем, радиочастотный модулятор, радиочастотный трансивер, PLL, VCO, синтезатор, антенну, генератор, делитель мощности, сумматор мощности, фильтр, аттенюатор, диплексор, дуплексер, микросхема резистора, микросхема конденсатора, индуктор микросхемы, ответвитель, оборудование ЭМС, программное обеспечение для проектирования радиочастот, диэлектрический материал, диод и т. д.Производители RF компонентов >>
➤Базовая станция LTE ➤RF Циркулятор ➤RF Изолятор ➤Кристаллический осциллятор


MATLAB, Labview, встроенные исходные коды

Раздел исходного кода RF Wireless World охватывает коды, связанные с языками программирования MATLAB, VHDL, VERILOG и LABVIEW. Эти коды полезны для новичков в этих языках. ИНДЕКС ИСХОДНОГО КОДА >>
➤3-8 декодер кода VHDL ➤Код MATLAB для дескремблера ➤32-битный код ALU Verilog ➤T, D, JK, SR триггеры labview коды


* Общая информация о здоровье населения *

Выполните эти пять простых действий, чтобы остановить коронавирус (COVID-19).
СДЕЛАЙТЕ ПЯТЬ
1. РУКИ: Часто мойте их.
2. КОЛЕНО: Откашляйтесь
3. ЛИЦО: Не трогай его
4. НОГИ: держитесь на расстоянии более 3 футов (1 м) друг от друга
5. ЧУВСТВОВАТЬ: Болен? Оставайся дома

Используйте технологию отслеживания контактов >>, соблюдайте >> рекомендации по социальному дистанцированию и установить систему видеонаблюдения >> чтобы спасти сотни жизней. Использование концепции телемедицины стало очень популярным в таким странам, как США и Китай, чтобы остановить распространение COVID-19, поскольку это заразное заболевание.


RF Беспроводные калькуляторы и преобразователи

Раздел «Калькуляторы и преобразователи» охватывает ВЧ-калькуляторы, беспроводные калькуляторы, а также преобразователи единиц. Сюда входят беспроводные технологии, такие как GSM, UMTS, LTE, 5G NR и т. Д. СПРАВОЧНЫЕ КАЛЬКУЛЯТОРЫ Указатель >>.
➤ Калькулятор пропускной способности 5G NR ➤5G NR ARFCN против преобразования частоты ➤Калькулятор скорости передачи данных LoRa ➤LTE EARFCN для преобразования частоты ➤ Калькулятор антенны Яги ➤ Калькулятор времени выборки 5G NR


IoT-Интернет вещей Беспроводные технологии

Раздел IoT охватывает беспроводные технологии Интернета вещей, такие как WLAN, WiMAX, Zigbee, Z-wave, UMTS, LTE, GSM, GPRS, THREAD, EnOcean, LoRa, SIGFOX, WHDI, Ethernet, 6LoWPAN, RF4CE, Bluetooth, Bluetooth Low Power (BLE), NFC, RFID, INSTEON, X10, KNX, ANT +, Wavenis, Dash7, HomePlug и другие. Он также охватывает датчики Интернета вещей, компоненты Интернета вещей и компании Интернета вещей.
См. Главную страницу IoT >> и следующие ссылки.
➤ НИТЬ ➤EnOcean ➤Учебник по LoRa ➤Учебник по SIGFOX ➤WHDI ➤6LoWPAN ➤Zigbee RF4CE ➤NFC ➤Lonworks ➤CEBus ➤UPB



СВЯЗАННЫЕ ЗАПИСИ


RF Wireless Учебники



Различные типы датчиков


Поделиться страницей

Перевести

Общие сведения о технических характеристиках симистора и параметрах таблицы данных »Примечания по электронике

Существует множество различных симисторов, от маленьких до больших, которые можно использовать в схемах - выбор правильного является ключом к успешной работе симистора.


Triac, Diac, SCR Учебное пособие Включает:
Основы тиристоров Конструкция тиристорного устройства Работа тиристора Затвор отключающий тиристор, ГТО Характеристики тиристора Что такое симистор Технические характеристики симистора Обзор Diac


При выборе симистора для конкретной схемы применения, важно выбрать тот, который будет в состоянии работать требуемым образом и выдерживать напряжения и токи, которые ему необходимы.

Ключом к выбору правильного симистора является понимание технических характеристик и параметров, содержащихся в таблицах данных. Таким образом, можно узнать, какие цифры обозначают цифры, и, следовательно, выбрать лучшее устройство для схемы.

Технические характеристики симистора

: основные характеристики

Как и следовало ожидать, характеристики симистора

и тиристоров имеют много общего, но одно из основных различий состоит в том, что симисторы работают на обеих половинах цикла формы сигнала переменного тока.

В результате, спецификации симистора должны учитывать это, и часто спецификации симистора включают количество квадрантов, в которых они работают.


Общие технические характеристики симистора и параметры паспорта
Спецификация Технические характеристики симистора / подробные сведения о параметрах
V DRM / V RRM Повторяющееся пиковое напряжение в закрытом состоянии Этот параметр представляет собой максимальное пиковое напряжение, допустимое на TRIAC. Этот параметр нельзя превышать даже мгновенно, иначе устройство может выйти из строя. Также всегда хорошо оставлять достаточный запас, чтобы учесть переходные процессы. Этот параметр указан для условий вплоть до максимальной температуры перехода. Также токи утечки (I DRM / I RRM ) также обычно определяются в этой спецификации.
I T (RMS) Действующий ток в открытом состоянии Эта спецификация симистора представляет собой максимально допустимый среднеквадратичный ток через устройство.Он указан для данной температуры. В различных технических характеристиках может быть указана температура окружающей среды, T a , температура корпуса, T c , или даже температура свинца, T l . Метод, используемый для определения температуры, обычно зависит от типа корпуса симистора.
dI / dt Максимальное повышение тока в открытом состоянии Существует спецификация максимальной скорости нарастания тока в открытом состоянии во время включения симистора. Если этот показатель превышен, устройство может быть повреждено.
I 2 т Максимальная токовая защита Параметр I 2 t указывает предохранитель, необходимый для защиты симистора и его цепи. Обычно это время перегрузки по току 10 мс, но это будет указано в таблице данных.
I T (AV) Средний ток в открытом состоянии Этот параметр отличается от среднеквадратичного тока, поскольку он определяет средний ток, а не среднеквадратичное значение.Среднеквадратичное значение даст истинный нагревательный эффект тока.
I TSM Неповторяющийся импульсный ток в открытом состоянии Как следует из названия, этот параметр из таблицы данных для тиристоров определяет максимальный пиковый ток в устройстве в импульсных условиях. Необходимо посмотреть точные условия для рассматриваемого производителя, но они часто определяются для полусинусоидальной волны. Длительность указана для 50 Гц (продолжительность 10 мс) и 60 Гц (8.Длительность 3 мс). Это необходимо, поскольку превышение максимального значения импульсного тока может вызвать отказ устройства.
I GT Ток срабатывания затвора Этот параметр представляет собой ток, требуемый в цепи затвора симистора, чтобы позволить симистору запускаться и фиксироваться во включенном состоянии при условии, что анодно-катодный ток достаточен для поддержания протекания тока.
I GM Пиковый ток затвора Этот параметр спецификации представляет собой максимальный уровень тока затвора для симистора.
В GT Напряжение срабатывания затвора Эта спецификация отражает напряжение, которое необходимо приложить к затвору симистора, чтобы обеспечить достижение тока срабатывания затвора и срабатывание устройства.

Это некоторые из основных характеристик или параметров, которые включены в таблицы данных симистора. Они помогают выбрать лучший симистор для любой конкретной схемы.

Другие электронные компоненты:
Резисторы Конденсаторы Индукторы Кристаллы кварца Диоды Транзистор Фототранзистор Полевой транзистор Типы памяти Тиристор Разъемы Разъемы RF Клапаны / трубки Аккумуляторы Переключатели Реле
Вернуться в меню «Компоненты».. .

Разница между диодом и тиристором (со сравнительной таблицей)

Одно из важнейших различий между диодом и тиристором состоит в том, что диод представляет собой двухконтактное устройство, используемое для выпрямления и переключения. В отличие от тиристора, это трехконтактное устройство, используемое для коммутации. Это создает основную разницу в их работе.

Мы знаем, что и диод, и тиристор являются полупроводниковыми устройствами, образованными комбинацией полупроводникового материала p- и n-типа.Однако существуют различные факторы, которые различают их.

Содержание: диод против тиристора

    1. Сравнительная таблица
    2. Определение
    3. Ключевые отличия
    4. Заключение

Сравнительная таблица

Основа для сравнения Диод Тиристор (SCR)
Символ
Тип устройства Неконтролируемое выпрямительное устройство (поскольку запускающий импульс не требуется). Управляемое устройство включения (при необходимости запускающего импульса).
Количество слоев 2 4
Количество переходов 1 3
Количество выводов 2 (анод и катод) 3 (анод, катод и затвор)
Мощность передачи Хорошо Лучше
Рабочее напряжение Низкое Сравнительно высокое
Стоимость Дешевле Дороже
Вес Легкий Сравнительно тяжелый

Определение диода

Диод - это устройство с двумя выводами, образованное комбинацией полупроводникового материала p- и n-типа, которое допускает проводимость только в одном направлении. На практике говорят, что диод допускает проводимость только при прямом смещении и ограничивает прохождение тока при обратном смещении.

На приведенном ниже рисунке показан диод с прямым смещением p-n-перехода:

Первоначально, когда внешний потенциал отсутствует, тогда также основные носители обеих областей дрейфуют через соединение, чтобы объединиться. По прошествии определенного времени неподвижные ионы осаждаются по обе стороны от перехода, тем самым образуя обедненную область.

После образования обедненного слоя дальнейшее движение носителей заряда будет происходить только тогда, когда будет обеспечено внешнее смещение. Таким образом, при прямом смещении дырки и электроны со стороны p и n соответственно отталкиваются положительной и отрицательной клеммами батареи. Это уменьшает ширину обедненной области и дрейф носителей через переход под действием внешнего потенциала.

Это движение носителей генерирует электрический ток через устройство, и направление потока тока будет противоположным направлению потока электронов.

На приведенном ниже рисунке показано состояние обратного смещения диода p-n-перехода:

Здесь мы можем ясно видеть, что область p подключена к отрицательной клемме, а область n подключена к положительной клемме батареи.

Итак, теперь большинство носителей заряда обоих регионов испытывают силу притяжения от клеммы аккумулятора. Это приводит к уширению обедненной области и, следовательно, к увеличению барьерного потенциала.Таким образом, это не вызовет дальнейшего протекания тока через устройство.

Определение тиристора

Тиристор - это 4-х слойное устройство, образованное альтернативными комбинациями полупроводниковых материалов p- и n-типа. Это устройство, используемое для выпрямления и переключения. SCR - наиболее часто используемый член семейства тиристоров, и это название обычно используется, когда мы говорим о тиристорах. SCR также позволяет протекать току в одном направлении, и его действие контролируется внешним запускающим импульсом, подаваемым на его вывод затвора.

В основном SCR - это 4-х слойное устройство в конфигурации P-N-P-N . Эта конфигурация создает 3 перехода в структуре тринистора. Давайте теперь вкратце разберемся, как в основном работает SCR:

Как мы уже обсуждали, работа тиристора во многом зависит от приложенного внешнего потенциала на выводе затвора. Итак, давайте разберемся в случае, когда на выводе затвора отсутствует какой-либо внешний потенциал, но между анодом и катодом приложено прямое напряжение.

Следовательно, как мы можем видеть на рисунке, показанном выше, между анодом и катодом прикладывается прямое напряжение, которое вызывает прямое смещение перехода J 1 и J 3 . Но при этом переход J 2 будет обратносмещенным. Это приведет к образованию области истощения около J 2 . Следовательно, через устройство не будет протекать прямой ток, и через него будет протекать только незначительно небольшой ток утечки. Это состояние называется , практически выключенным состоянием тиристора (SCR).

Теперь предположим, что никакой внешний потенциал затвора не применяется, но между анодом и катодом применяется обратный потенциал. Это смещающее устройство смещает в обратном направлении разветвление J 1 и J 3 , но смещает в прямом направлении разветвление J 2 . Тем не менее, через устройство будет протекать только ток утечки.

Следовательно, мы можем сказать, что без потенциала затвора, тиристор не будет проводить ни в прямом, ни в обратном смещенном состоянии. Рассмотрим теперь случай, когда клемма затвора срабатывает прямым потенциалом.Также между катодом и анодом имеется прямое напряжение.

Итак, в этом случае электроны, присутствующие в области n, испытывают отталкивание от отрицательной клеммы батареи. Это движение генерирует ток затвора через устройство. Также отверстия в p-области отталкиваются от положительного полюса батареи и дрейфуют через переход J 2 , тем самым вызывая анодный ток.

Это регенеративное действие позволяет SCR вести тяжелую работу.Однако здесь следует отметить, что как только SCR начинает проводить, потенциал затвора больше не играет никакой роли в проводимости. И устройство продолжает находиться во включенном состоянии.

Ключевые различия между диодом и тиристором

  1. Диод представляет собой двухслойное -слойное устройство , имеющее p- и n-области. А тиристор - это четырехслойный полупроводниковый прибор, образованный чередованием материалов p- и n-типа.
  2. Из-за 2 слоев в диоде существует один переход в случае диода.А за счет 4-х слоев тиристор имеет 3 перехода.
  3. Диод - это 2 клеммы , а именно анод и катод. Но тиристор - это устройство с 3 контактами, из 3 контактов 2 являются анодом и катодом, а другой - затвором, который используется для внешнего запуска схемы.
  4. Энергетическая способность тиристоров сравнительно лучше, чем диодов.
  5. Диоды
  6. демонстрируют низкое рабочее напряжение почти около 5000 В.В то время как рабочее напряжение составляет около 7000 В в случае тиристоров, что сравнительно выше, чем у диодов.
  7. Диод
  8. - это такое устройство, которому не требуется внешних запускающих импульсов для инициирования проводимости. А тиристору для работы схемы необходим внешний запускающий импульс.
  9. Диоды на меньше дорогие на по сравнению с тиристорами.
  10. Тиристоры на больше, чем на диоды.

Заключение

Итак, из приведенного выше обсуждения мы можем сказать, что хотя и диод, и тиристор являются полупроводниковыми приборами.Но работа этих двух устройств совершенно разная, поэтому они находят применение в разных областях.

Также диоды широко используются в выпрямительных схемах, ограничителях и фиксаторах, логических вентилях и в схемах умножителей напряжения. В то время как тиристоры широко используются в двигателях большой мощности, инверторах, в схемах управляемого выпрямления, синхронизации и схемах защиты от перенапряжения.

Разница между транзистором и тиристором (со сравнительной таблицей)

И транзистор, и тиристор относятся к типу полупроводниковых устройств.Но существуют некоторые факторы, которые различают их. Ключевое различие между транзистором и тиристором заключается в том, что транзистор представляет собой трехслойное устройство, которому требуется регулярный импульс тока для обеспечения проводимости.

Напротив, тиристор - это четырехслойное устройство, которому требуется только один запускающий импульс для инициирования и поддержания проводимости.

И транзистор, и тиристор представляют собой 3 оконечные устройства. Но три контакта транзистора - это эмиттер, база и коллектор, а у тиристора - анод, катод и затвор.

В следующем разделе этой статьи вы получите представление о других важных различиях между ними. Но перед этим ознакомьтесь с содержанием, которое будет обсуждаться здесь.

Содержание: Транзистор против тиристора

  1. Сравнительная таблица
  2. Определение
  3. Ключевые отличия
  4. Заключение

Сравнительная таблица

Параметр Транзистор Тиристор
Basic Это трехслойное устройство, используемое для усиления. Это 4-х слойное устройство, используемое для ректификации.
Кол-во стыковок Имеет 2 стыка. Состоит из 3 узлов.
Срабатывание устройства Для обеспечения правильной проводимости устройства на него должен подаваться постоянный импульс тока. Для запуска и поддержания проводимости требуется одиночный запускающий импульс в исходном состоянии.
Номинальная мощность Номинальная мощность указывается в ваттах. Его рейтинг в киловаттах.
Стоимость Низкая стоимость Достаточно дороже транзистора.
Размер Маленький по размеру и менее громоздкий. Он имеет сравнительно больший размер, поэтому больше, чем транзистор.
Текущий рейтинг Обладает низким рейтингом тока. Номинальный ток для тиристора сравнительно высокий.
Время включения Включается быстрее тиристора. Этому устройству требуется больше времени для включения.
Коммутационная цепь Не требуется Требуется
Потери мощности Показывает большие потери мощности. Потери мощности у тиристора сравнительно меньше, чем у транзистора.
Пригодность для приложений Подходит для высокочастотных приложений, но не для приложений с большой мощностью Подходит для приложений с высокой мощностью, но не для высокочастотных приложений.

Определение транзистора

Транзистор - это устройство из полупроводникового материала, состоящее из 3 слоев и 3 выводов. Слово транзистор представляет собой слияние двух разных слов: tran sfer и re sistor . Это просто определяет работу транзистора. Это устройство, которое передает сопротивление из одной области в другую, чтобы обеспечить проводимость, тем самым усиливая сигнал.

В основном, кремний и германий являются полупроводниковыми материалами, которые используются для изготовления транзисторов.

Здесь мы можем увидеть символическое изображение транзистора:

Транзисторы в основном классифицируются как транзисторы NPN и PNP. Эта классификация полностью зависит от типа используемого материала и связанных с ним основных носителей заряда, ответственных за проводимость.

На рисунке ниже представлен NPN-транзистор со смещением:

Здесь мы ясно видим, что транзистор представляет собой устройство с 2 pn переходом. Три вывода транзистора - это эмиттер, база и коллектор.

Когда к устройству подается надлежащее смещение, тогда большинство носителей заряда перетекают от одного конца к другому, что в результате вызывает проводимость.

Поскольку мы рассмотрели здесь NPN-транзистор, то основными носителями заряда, ответственными за протекание тока здесь, являются электроны.

Итак, когда прямое напряжение прикладывается к переходу эмиттер-база транзистора, электроны из области эмиттера дрейфуют через область базы после преодоления барьерного потенциала этого перехода.

Достигнув тонкой базовой области, где основными носителями являются дырки, только часть электронов объединяется с дырками, а остальные перемещаются к области коллектора. Затем большинство носителей заряда собираются на коллекторе.

Благодаря этому движение проходит через устройство, и ток течет от коллектора к эмиттеру (противоположно направлению потока электронов) через транзистор.

Определение тиристора

Тиристор - это полупроводниковый прибор, состоящий из 4 слоев и 3 выводов.Тиристор представляет собой объединение слов tyr atron и trans istor . Поскольку он выполняет выпрямление как тиратрон и управляет как транзистор.

По сути, это альтернативное расположение полупроводниковых материалов p- и n-типа; это ясно показано на рисунке ниже:

Также на рисунке ниже показано символическое изображение тиристора:

Тиристор - это устройство, которое начинает проводить ток только тогда, когда на его вывод подается импульс запуска затвора.Когда прямое или обратное напряжение подается на устройство без какого-либо импульса запуска строба, устройство не проводит.

Необходимо подать напряжение прямого затвора для запуска и поддержания проводимости через тиристор.

На рисунке ниже представлена ​​схема смещения тиристора:

Здесь прямое напряжение подается на анод относительно катода. Кроме того, вывод затвора смещен вперед относительно катода.

Это вызывает прямое смещение всех трех переходов, так что основные носители начинают дрейфовать от эмиттера к области коллектора.Если потенциал затвора не приложен, то промежуточный переход останется в состоянии обратного смещения и блокирует поток носителей.

Как только приложенный потенциал затвора смещает вперед средний переход, это позволяет непрерывно протекать ток. Даже после снятия импульса запуска затвора устройство продолжает вести себя за счет кумулятивного действия.

Ключевые различия между транзистором и тиристором

  1. Транзистор может выдерживать только небольшую выходную мощность , следовательно, он измеряется в ваттах.В то время как тиристор демонстрирует лучшую способность управлять большой мощностью, чем транзистор, он оценивается в киловаттах.
  2. Транзистор состоит из 3 слоев, а именно npn или pnp, а тиристор состоит из 4 слоев, то есть pnpn.
  3. Когда в электронных схемах используются силовые транзисторы, это снижает общую стоимость системы на . Тогда как использование тиристора в схемах увеличивает стоимость. Тем самым делая это дорого.
  4. Транзистор
  5. не имеет характеристики пропускной способности по импульсному току. , таким образом, способен выдерживать только небольшую скорость изменения тока.В отличие от этого, тиристор демонстрирует характеристики импульсного тока и, следовательно, может выдерживать сравнительно высокую скорость изменения тока, чем транзистор.
  6. Транзистор включается быстро, поэтому время включения у него меньше, чем у тиристора.
  7. Схема транзистора
  8. не требует схемы коммутации . Однако в случае тиристорной коммутации схема не требуется.
  9. Внутренние потери мощности в случае, если транзистор больше по сравнению с тиристором.
  10. Транзисторы
  11. подходят для высокочастотных приложений, но не для приложений с высокой мощностью. Напротив, тиристоры подходят для приложений с большой мощностью, но не для высокочастотных приложений.

Заключение

Итак, из приведенного выше обсуждения мы можем сделать вывод, что и транзистор, и тиристор имеют свои собственные преимущества в своих соответствующих приложениях. Но тиристор в некоторой степени демонстрирует лучшую надежность, чем транзистор.

Разница между слушанием и судебным разбирательством (со сравнительной таблицей)

Последнее обновление Surbhi S

При возникновении инцидента, запрещенного или наказуемого законом, например гражданского разногласия между сторонами в споре или преступной деятельности, дело передается в суд по закону суд. В Уголовно-процессуальном кодексе перечислены правила ареста, заключения под стражу и предания суду уголовного дела. В судебном процессе стороны спора собираются вместе, чтобы представить факты и доказательства в суде.

Согласно уголовному законодательству, все правонарушения должны быть расследованы, расследованы и судимы согласно соответствующим положениям. Судебное разбирательство не совсем то же самое, что слушание, которое представляет собой судебное разбирательство в суде или любом судебном органе для сбора фактов по делу / проблеме. Отрывок из статьи проливает свет на разницу между судом и слушанием, так что прочтите.

Содержание: слушание против судебного разбирательства

  1. Сравнительная таблица
  2. Определение
  3. Ключевые отличия
  4. Заключение

Сравнительная таблица

Основа для сравнения Слушание Испытание
Значение Слушание описывается как юридическое собрание в суде, на котором судья обсуждает и принимает решение по делу в присутствии конкурирующих сторон. Под судом понимается судебное разбирательство, в ходе которого исследуются факты и доказательства с целью установления виновности или невиновности обвиняемого.
Возглавляет Судья Судья или жюри
Объект Чтобы выяснить, стоит ли взимать плату за наложенные платежи. Для установления вины или невиновности обвиняемого.
Формально Меньше Сравнительно больше
Продолжительность Короткая Сравнительно большая

Определение слуха

По закону слушание подразумевает общую оценку дела судьей, по которой судья принимает предварительное решение относительно того, следует ли рассматривать дело или нет.Это устные аргументы в поддержку дела, чтобы урегулировать его, вынести решение или решить соответствующие аспекты дела, чтобы выяснить, как будет проходить судебное разбирательство. Он может быть проведен по любому гражданскому, уголовному или административному делу.

В судебном заседании адвокаты обеих сторон, то есть обвинение и ответчик, представляют судье материалы, факты, информацию и доказательства по делу. После этого судья принимает решение о привлечении обвиняемого к суду на основании представленных доказательств.

Определение судебного разбирательства

Под судебным процессом можно понимать судебное разбирательство, в котором доказательства и свидетели принимаются к присяге и устанавливаются вина или невиновность обвиняемого. Он имеет тенденцию выяснять причину происшествия / правонарушения и заканчивается осуждением или оправданием заключенного.

Судебное разбирательство - это официальное слушание иска в суде для проверки фактов и доказательств и выяснения юридических претензий, по которым было вынесено решение, через состязательную систему.Противодействующая система опирается на обвинительный метод, при котором прокурор обвиняет другую сторону, то есть подсудимого, в совершении преступления. Обвиняемый считается невиновным, если предъявленные ему обвинения не доказаны вне разумных сомнений.

Ключевые различия между слушанием и судебным разбирательством

Разницу между слушанием и судом можно четко провести по следующим основаниям:

  1. С юридической точки зрения слушание можно понимать как юридическое собрание, на котором обсуждение и решение по иску принимаются в присутствии противоборствующих сторон.С другой стороны, судебное разбирательство означает судебное разбирательство, в котором факты и доказательства в пользу / против ответчика рассматриваются в суде для определения его / ее вины или невиновности.
  2. Пока слушание проходит под председательством судьи, судебное разбирательство возглавляет судья, коллегия судей, то есть присяжные, магистрат и т. Д.
  3. Основная цель слушания - проверить, имеют ли обвинения, предъявленные ответчику, определенную основу или нет? А также стоит ли заниматься этим делом? И наоборот, суд должен доказать вину или невиновность подсудимого.
  4. Что касается юридических формальностей, судебные процессы более формальны по сравнению с судебными слушаниями.
  5. Срок судебного заседания сравнительно короче, чем судебного разбирательства.

Заключение

Согласно Уголовно-процессуальному кодексу, уголовное дело делится на три стадии: расследование, дознание и судебное разбирательство, при этом дознание и судебное разбирательство являются судебным процессом. Слушания и судебные процессы похожи друг на друга в том смысле, что они проводятся публично и в них участвуют конкурирующие стороны.

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *