ТРАНЗИСТОРЫ
В этой статье мы разберем, чем же примечателен этот маленький кусочек кремния, называемый транзистором. Транзисторы, как известно, делятся на 2 вида полевые и биполярные. Изготавливаются они из полупроводниковых материалов, в частности германия и кремния. И полевые и биполярные транзисторы имеют по 3 вывода. На приведенном ниже рисунке мы можем видеть устройство советского биполярного низкочастотного транзистора типа МП39-МП42.Транзистор в разрезе
Внешний вид советских транзисторов
Структура биполярных транзисторов
Транзистор как два диода
Золото в транзисторах СССР
Средней мощности
Большой мощности
В металлическом корпусе
На этих фото изображены выводные транзисторы, которые впаивают в отверстия в печатной плате.
Но существуют транзисторы и для поверхностного или SMD монтажа, в таком случае отверстия не сверлятся и детали припаиваются со стороны печати, один из таких транзисторов в корпусе sot-23 изображен на фотографии ниже, рядом на рисунке можно видеть его сравнительные размеры:
Фото SMD транзистор
Какие существуют схемы включения биполярных транзисторов? Прежде всего это схема (к слову сказать самая распространенная) включения с общим эмиттером. Такое включение обеспечивает большое усиление по напряжению и току: Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Схема с общей базой
Наушники для этого усилителя нужно брать высокоомные Тон–2 с сопротивлением обмотки приблизительно 2 кОм. Пример усилителя по схеме с общим эмиттером
Схема транзистора в ключевом режиме
Схематическое изображение фототранзисторов
Фототранзистор — фотография
Полевые транзисторы
Как ясно из названия, такие транзисторы управляются не током, а полем.
Электрическим полем. В следствии чего они имеют высокое входное сопротивление и не нагружают предидущий каскад. На этом рисунке изображено строение полевого транзистора:Строение полевого транзистора
Схематическое изображение полевого транзистора
Изображение на схемах полевых транзисторов с изолированным затвором
Дальше на рисунке приведено обозначение и изображен внешний вид мощного полевого Mosfet транзистора:Схематическое изображение мощного полевого транзистора
Фото SMD полевой транзистор
Устройства, созданные на основе КМОП транзисторов (полевых транзисторов) очень экономичны и имеют незначительное потребление питания. Привожу схемы включения полевых транзисторов:
С общим истоком
С общим стоком
С общим затвором
Применяются полевые транзисторы и в усилителях мощности звука, чаще всего в выходных каскадах.
Однопереходные транзисторы
Существуют так называемые Однопереходные транзисторы, второе, менее распространённое название — Двухбазовый диод. Ниже приведены схематическое изображение и фото однопереходных транзисторов.
Схематическое изображение однопереходных транзисторов
Форум по радиоэлементам
Форум по обсуждению материала ТРАНЗИСТОРЫ
Скупка транзисторов, актуальные цены, фото, содержание драгметаллов в транзисторах
Цены в каталоге действительны на 17.05.2021 г.
Под фотокаталогом находится полезная информация по разделу.
С 1990 года выпуска минус 10% от стоимости.
С 2000 года выпуска минус 20% от стоимости.
Скупка транзисторов по высоким ценам
Компания «Астрея-Радиодетали» осуществляет скупку транзисторов по самым выгодным ценам в Москве и Московской области.
Сотрудничаем с регионами РФ посредством услуг «Почты России». Отправить большой объём радиодеталей Вы можете также транспортной компанией «Деловые Линии».
Также наша компания осуществляет скупку импортных транзисторов с позолотой различных серий более 6 лет у физических лиц, надёжно и безопасно. Цена на крупные партии радиодеталей всегда выше на 5-7%, а в отдельных случаях мы готовы купить Ваши радиодетали дороже конкурентов на 10%, расчёт сразу после сделки. При работе с постоянными клиентами действует накопительная система «Бонус +3».
Покупаем на постоянной основе следующие транзисторы:
- В круглых, плоских, металлических, пластмассовых корпусах, силовые транзисторы.
- Новые, б/у и после демонтажа.
- Отечественного и импортного производства.
Также мы купим другие радиодетали в любом состоянии, которые содержат драгоценные металлы. Расчёт цены на покупаемые транзисторы производится в точной зависимости от содержания драгметаллов в транзисторах, маркировки, года выпуска и зависит от курса Лондонской биржи.
Все содержания драгоценных металлов в различных транзисторах давно изучены, поэтому наши специалисты без труда точно рассчитают стоимость при помощи цифровой маркировки, которая находится на корпусе детали.
На нашем сайте представлен наиболее объёмный каталог с фото транзисторов, которые содержат драгоценные металлы, советского и импортного производства. В нём Вы без труда найдёте цену на интересующую Вас позицию.
- При определении цены руководствуйтесь основным фактором — это внешний вид транзистора. Если у Вас транзистор другой маркировки, чем на сайте в фотокаталоге, но внешне они идентичны (одинаково выглядят), то цена будет одинаковой. Также в фотокаталоге представлены транзисторы в белом корпусе, которые мы приобретаем по выгодным ценам.
- Транзисторы советского периода покупаем на платах, перед отправкой плат с транзисторами удалите все ненужные тяжеловесные детали, пример трансформаторы, конденсаторы К50-6 и другие неподходящие радиодетали.
- Все транзисторы импортного производства перед отправкой через Почту России необходимо скусывать с плат.
Пересылка на платах импортных подходящих деталей нерентабельна, учтите этот момент.
Пересылка на платах импортных подходящих деталей нерентабельна, учтите этот момент.Остались вопросы? Можете позвонить по телефону +7 (925) 342-12-55 или отправить сообщение на нашу электронную почту. С уважением к Вам, коллектив компании «Астрея-Радиодетали».
Самый маленький в мире транзистор стал более удобным
Одноатомные транзисторы могут значительно уменьшить потребление энергии компьютерами.
Миллиарды обычных транзисторов в современных процессорах поглощают очень много энергии. (Фото: ADDRicky / Depositphotos)‹
›
Изобретение полупроводниковых транзисторов привело к цифровой революции. Современные процессоры из кремния содержат миллиарды электронных компонентов (пока что рекорд здесь – около 18 млрд транзисторов в одном процессоре).
Тем не менее у привычной технологии есть ограничения и недостатки – в том числе относительно высокая энергоемкость.
В индустриально развитых странах на компьютеры и другие электронные устройства приходится около 10% от общего потребления энергии. Сократить его могут помочь одноатомные транзисторы.
Первые опытные образцы транзисторов, в которых для управления током используются отдельные атомы, созданы еще в первой половине 2000-х. Одно из первых подобных устройств сделали инженеры под руководством Томаса Шиммеля (Thomas Schimmel) в Технологическом институте Карлсрэ: расстояние между металлическими контакты в транзисторе не превышало размера атома.
С помощью управляющего электрода в зазор сначала помещали, а затем убирали атом серебра, который служил ключом, открывающим путь для электрического тока. Одноатомный транзистор давал возможность управлять токами в 10 тысяч раз меньшими, чем позволяют полупроводниковые транзисторы. Однако прототип получился непригодным для практического применения: его контакты должны постоянно находиться в жидкости, а ведь довольно трудно представить процессор с миллиардами ячеек, заполненными жидкостью.
Недавно исследователи предприняли попытку сделать транзистор менее капризным. Вместо жидкого электролита с атомами серебра они поместили между контактами гель, который тоже содержит атомы серебра и который сделан на основе пирогенного диоксида кремния. В итоге удалось избежать протечек, которые возникали в случае с жидким наполнителем. Что же до самого геля, то производство пирогенного диоксида кремния в мире давно освоено, как отмечают в Advanced Materials авторы работы.
В дальнейшем совершенствование технологии может дать нам «вечную» электронику, которая годами будет работать от небольших батарей. А компьютеры на одноатомных транзисторах могут косвенно уменьшить выброс в атмосферу углекислого газа – за счет низкого потребления энергии.
Стоит отметить, что на привычные полупроводниковые приборы сейчас наступают с нескольких сторон, и у одноатомных транзисторов здесь есть мощные конкуренты. Так, в нескольких лабораториях – в том числе в лаборатории IBM – пытаются создать новые мощные и надежные процессоры, используя свойства графена.
Транзистор, цена в Украине, виды, фото. ЧП Неликвид
Транзисторы не сразу стали так называться, изначально их называли по аналогии с электронными лампами полупроводниковыми триодами. Нынешнее название деталь получила от двух английских слов – трансфер (передатчик или преобразователь) и резистор (сопротивление).
Таким образом, транзистор – это преобразователь сопротивления, полупроводник, который необходим, чтобы усиливать, преобразовывать и генерировать электрические колебания. Представляет собой транзистор кристалл, который помещен в специальный пластмассовый или металлический корпус, снабжен тремя выводами. Кристаллы транзистора производят из полупроводниковых материалов, эти кристаллы после определенной обработки способны изменять электропроводимость в обширных пределах.
История изобретения
Изобретение транзистора по праву считают одним из значимых. Транзисторы сменили электронные лампы, которые длительное время являлись единственными активными компонентами для всех устройств в радиоэлектронике.
Но лампы имели большую потребляемую мощность, размеры, небольшой эксплуатационный срок и малая прочность. По мере того, как электроника совершенствовалась, изменяла размеры в сторону уменьшения, недостатки ламп становились всё очевиднее.
Впервые работающий транзистор был представлен в 1947 году сотрудниками одной из американских фирм – Bell Telephone Laboratories, в 1956 году изобретатели получили премию Нобеля. Как и большинство великих изобретений, транзистор не сразу стали массово применять. Производители техники и электроники со скептицизмом отнеслись к этому маленькому приборчику, и еще почти 30 лет производители электроламп не замечали конкурента. В самом начале своей «жизни» транзистор изготавливали с использованием Германия, в качестве полупроводника, а затем, с целью уменьшения стоимости, стали применять Кремний, который более распространен в природе.
Виды изделий
Сегодня применяются такие виды транзистора, как биполярный и полевой. Биполярный транзистор появился первым, поэтому наиболее распространен.
Полевой, появившийся несколько позже и менее распространен.
Биполярный
Этот вид радиодеталей называется так потому, что электроток образуется в них при помощи электрического заряда двойной полярности – положительной/отрицательной. Носитель положительного заряда называют «дыркой», отрицательный заряд переносится при помощи электронов. В биполярных транзисторах, в качестве полупроводников используют кристаллы и из германия и из кремния. Обе разновидности транзистора имеют различные характеристики, которые необходимо учитывать при создании устройств.
Полевой
Это полупроводниковая радиодеталь, в которой ток, образованный движением дырок и электронов между двумя электродами осуществляется электрополем, создающимся при помощи напряжения третьего электрода. Два электрода, между которыми идет управляемый электроток, называются исток/сток. Исток – электрод, выдающий заряд. Управляющий электрод (третий) – затвор.
Применение
Сегодня биполярный транзистор широко применяются при создании аналоговых электронных устройств, как усилитель в дискретной цепи.
Используются вместе интегральной, аналоговой, цифровой микросхемами, для усиления слабого сигнала на выходе в интегральной схеме, которая обычно не имеет высокой мощности.
Полевые транзисторы используют в цифровой электронике, так как они более скоростные и экономичные, в процессорах, памяти компьютеров, играют роль электронного переключателя.
Наша компания может купить советские транзисторы в неограниченном количестве, так как именно в них, чтобы обеспечить надежный контакт проводимости, использовали такие драгметаллы, как золото и различные сплавы серебра и золота. На сегодняшний день, производители транзисторов стараются заменить драгоценные металлы другими, более дешевыми. Поэтому, цены на старые радиодетали намного выше, чем на современные детали.
Если вы хотите продать транзисторы в любом количестве, мы приобретем их у вас по самым привлекательным ценам в Украине. Сотрудничаем и с юридическими и с физическими лицами на договорной основе. На крупные партии деталей предлагаем наиболее выгодные условия.
Как выглядят процессоры внутри — часть №2
Продолжаем смотреть, как выглядят внутри различные процессоры и не только они. Ознакомиться с первой частью можно здесь.
Intel 4004 — первый процессор от Intel
1971 год — именно тогда Intel выпустил свой первый микропроцессор по заказу японской компании Nippon Calculating Machine, занимающейся производством калькуляторов. Особыми характеристиками он не блистал: частота всего до 740 кГц, количество транзисторов было 2300 штук, а ширина шины — всего 4 бита. Сам процессор выглядит внутри достаточно необычно — если вы помните первую часть, то там кристаллы переливались всеми цветами радуги, а тут вполне привычные «металлические» цвета — серый, медный, черный:
Причина этого проста — длина волны видимого света лежит в диапазоне от 400 до 700 нм, а техпроцесс этого процессора — 10 мкм, то есть на порядок больше, поэтому вы видим его так, как он выглядит на самом деле.
К слову, это же означает, что через обычный световой микроскоп можно рассмотреть отдельно взятый транзистор Intel 4004 — но, увы, такой фотографии в интернете я не нашел.
Микросхема 3320А — рассматриваем транзисторы
Конечно, этой микросхеме далеко до полноценного процессора — она представляет собой два логических элемента 4И-НЕ. Дабы не вдаваться глубоко в теорию — такие микросхемы в зависимости от наличия или отсутствия напряжения на определенных ножках (то есть 0 или 1) имеют или не имеют напряжение на других ножках (тоже 0 или 1), и с помощью этого можно выполнять простейшие действия. К примеру, таблица истинности для элемента 2И-НЕ выглядит так:
4И-НЕ означает, что входов 4, а наша микросхема имеет два таких элемента. И, что самое главное, ее техпроцесс — доли миллиметра, то есть можно взглянуть, как выглядят транзисторы, просто задействовав обычную лупу:
Intel Core i9-7980XE — максимум ядер на одном кристалле
Это — топовый процессор для высокопроизводительной платформы от Intel, и он имеет аж 18 полноценных ядер на одном кристалле, размер которого превышает 300 квадратных миллиметров.
Для примера — топовый 8-ядерный Core i9-9900K имеет площадь чуть меньше 200 кв мм, и это при том, что у него еще есть интегрированная графика, которой лишен 18-ядерный CPU.
И, в общем-то, фото под микроскопом подтверждают, что ядра занимают всю площадь кристалла:
Cell Broadband Engine — сердце PlayStation 3
Этот процессор имел один блок POWER Processing Element и 8 блоков Synergistic Processing Element, на частоте в 3.2 ГГц конкурировал по производительности с Intel Core 2 Quad, а максимальная рабочая частота могла быть до 5.6 ГГц — современные Intel Core достигают таких частот в лучшем случае под отличной системой водяного охлаждения, в худшем — под жидким азотом.
Увы, лучшая его фотография — только такая:
Но в интернете доступна его схема:
ST Microelectronics OS MLT 04 — сенсор оптической мыши
Да-да, это не совсем процессор и даже не микросхема, это по сути… объединение камеры с процессором:
Снаружи выглядит необычно, не правда ли? Внутри тоже:
Слева в центре, очевидно, сам фотосенсор — в данном случае он имеет разрешение 22 на 22 пикселя: да, этого более чем хватает, ибо такой «камере» нужно всего лишь улавливать движение, и делать это максимально быстро, поэтому число пикселей минимально, а сам процессор интегрирован на схеме справа.
Apple A7 — не верьте маркетинговым техпроцессам
Возьмем, к примеру, процессор Apple A7 — он создавался на заводах Samsung по 28 нм техпроцессу. Теперь посмотрим на его поперечное фото:
10 транзисторов имеют длину в 1138 нм, то есть размеры каждого транзистора… 114 нм?! Да, все именно так — сейчас производители под техпроцессом подразумевают все что угодно, только не длину затвора транзистора: к примеру, с учетом того, что транзисторы в процессорах расположены в 3D, берут площадь кристалла (то есть по сути 2D) и делят на количество транзисторов, получая при этом цифры, в разы меньше реальных размеров транзисторов. Так что когда вам со сцены говорят, что новый процессор выполнен по 7 нм техпроцессу и чуть ли не вдвое «круче» 10 нм — верить этому не стоит.
AMD Fusion — полноценный APU
В свои процессоры Intel уже второй десяток лет встраивает интегрированную графику, и она по сути играет роль эдакой графической «затычки»: интерфейс системы отрисовывает хорошо, даже видео высокой четкости декодирует, но стоит открыть игры или заняться более-менее серьезной обработкой, как сразу становится понятно, что производительность такой графики очень низкая.
AMD же пошли другим путем: ее топовые процессоры в принципе лишены интегрированной графики, зато есть процессоры слабее, которые имеют очень мощную встроенную графику, которая в разы быстрее Intel HD Graphics, и вот на такие процессоры взглянуть уже интересно.
Вот так выглядят внутри AMD Fusion:
Слева видны четыре процессорных ядра, а справа — десяток вычислительных модулей интегрированного видео. При этом, если вы вспомните фото Core i9-9900K из первой части материала, то там интегрированная графика занимала в лучшем случае четверть кристалла, а тут — добрую половину.
Процессор ARM1 — четкая логика
Архитектура ARM быстро, буквально за десяток лет, стала самой популярной в мире, оттеснив x86 на второй план. И это не удивительно — именно на ней работают все портативные устройства и различная электроника. Почему? Потому что изначально это была очень простая архитектура — так, ПО для процессора ARM1, выпущенного в 1985 году, имело всего 808 строк кода, а сам процессор выглядел очень и очень необычно:
Сравните с Intel 4004 — у него внутри, казалось бы, полная неразбериха, а у ARM1 — четко размещенные структуры и минимум пустого кремния.
И именно эта простота и экономичность в итоге позволили ARM очень серьезно развиться, в конечном итоге уже посягая на области, где исконно применяются x86 процессоры.
Вот такие получились подборки фотографий — конечно, я показал лишь самые интересные на мой взгляд кремниевые чипы изнутри, и если вы нашли еще красивые или интересные фото внутренностей кристаллов CPU или GPU — делитесь ими в комментариях.
| Серия | MODICON PREMIUM PAC |
| Тип подключения | Соединение с винтовым-/пружинным зажимом |
| Тип питающего напряжения | — |
| Подходит для функций безопасности | Нет |
Тип выход. напряжения | — |
| Дублирование | Нет |
| Тип вход. напряжения | DC (постоян.) |
| Уровень исполнения согл. EN ISO 13849-1 | — |
| SIL согл. IEC 61508 | 0 |
| Категория взрывобезопасности по пыли | — |
| Категория взрывобезопасности по газу | — |
| Категория согл. EN 954-1 | — |
| Дополнит. исполнение (EX ib) | Нет |
| Дополнит. исполннение (EX ia) | Нет |
| Напряжение питания постоян. тока (DC) | 0 |
| Конфигурируемые цифров. выходы | Нет |
| Конфигурируемые цифров. входы | Нет |
| Предельно допуст. напряжение на входе | 0 |
| Предельно допуст. напряжение на выходе | 0 |
Тип цифров. выхода | — |
| Возможна защита выходов от короткого замыкания | Нет |
| Выход. ток | 0 |
| Количество цифров. выходов | 8 |
| Количество цифров. входов | 0 |
| Ток на входе на сигнале 1 | 0 |
| Напряжение питания 60 Гц перемен. тока (AC) | 0 |
| Напряжение питания 50 Гц перемен. тока (AC) | 0 |
| Задержка при обмене сигналом | 0 |
Дисульфид молибдена назвали ключом к уменьшению двумерных транзисторов / Хабр
Международная команда исследователей заявила о создании новых двумерных транзисторов из полуметалла дисульфида молибдена.
Толщина элементов составляет от одного до нескольких атомов.
Транзисторы — радиоэлектронные компоненты из полупроводникового материала, необходимые для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов в электронике. Гонка за уменьшением размера транзисторов стала ключом в развитии современной вычислительной техники.
Двумерные транзисторы от Университета Юты. Фото: Дан ХиксонСреди всех перспективных технических изысков в последние годы оборот набирают 2D-транзисторы, которые уменьшают толщину электронных устройств. В 2016 году в Университете Юты в США прошли испытания первых двумерных транзисторов на основе монооксида олова. Использование этого полуметалла снизило стоимость схемы и уменьшило высоту транзистора до размера атома. Кроме того, новые транзисторы быстрее кремниевых и меньше нагреваются при работе.
12 мая этого года международная команда исследователей заявила о создании нового способа изготовления 2D-транзисторов из дисульфида молибдена — химического соединения серы и металла молибдена из семейства дихалькогенидов.
На стыке металлов и полупроводников появляются индуцированные металлом запрещённые зоны, приводящие к образованию барьера Шоттки. Полуметалл в сочетании с выравниванием энергии между двумя материалами устранил эту проблему.
Двумерный дисульфид молибдена снижает длину канала с 5—10 нанометров в современных передовых чипах до субнанометрового масштаба. Это ключевой параметр для минимизации электронных устройств.
Сейчас изучается множество переходных материалов из семейства дихалькогенидов, но фундаментальным исследованиям мешает проблема достижения контакта этих материалов с металлами с низким сопротивлением. Существующие методы соединения имеют высокое сопротивление, и сигналы, необходимые для отслеживания поведения электронов в материале, слишком слабые, чтобы пройти через них.
С двумерным материалом исследователи надеются обойти ограничения по минимизации транзисторов, благодаря чему уменьшится и размер готовых устройств. Они продолжают изучать полуметаллы и искать новые соединения, которые обеспечат работоспособные электрические контакты с другими типами носителей заряда.
Требуются дальнейшие исследования, чтобы понять, как масштабировать и внедрить двумерные материалы на коммерческом уровне. Но, по словам исследователей, многие области физики уже могут извлечь выгоду из открытия.
Материалы о создании транзисторов из дисульфида молибдена опубликованы в статье «Ultralow contact resistance between semimetal and monolayer semiconductors» на сайте Nature. DOI: 10.1038/s41586-021-03472-9
Фототранзистор— обзор | Темы ScienceDirect
Оптический датчик положения коленчатого вала
В достаточно чистой среде положение вала также можно определить с помощью оптических методов. Рисунок 6.17 иллюстрирует такую систему. Опять же, как и в случае с магнитной системой, диск напрямую соединен с коленчатым валом. На этот раз в диске есть отверстия, соответствующие количеству выступов на дисках магнитных систем. С каждой стороны диска смонтированы оптоволоконные световоды.Отверстие в диске позволяет передавать свет через световоды от источника светодиода (LED) к фототранзистору, используемому в качестве светового датчика.
Свет не будет передаваться от источника к датчику, когда нет отверстия, потому что твердый диск блокирует свет. С другой стороны, всякий раз, когда отверстие в диске совмещается с одной из оптоволоконных световодов, свет от светодиода проходит через диск к фототранзистору.
Рисунок 6.17. Оптический датчик углового положения.
Светоизлучающий диод, используемый в качестве источника света для этого датчика, находит все большее количество других применений в автомобильных системах, включая освещение (например.g., стоп-сигналы, указатели поворота и приборные дисплеи). Теория работы светодиода объясняется в главе 9. Светодиоды изготавливаются из различных полупроводниковых материалов и доступны в диапазоне длин волн от инфракрасного до ультрафиолетового, в зависимости от материала, изготовления и напряжения возбуждения. Есть даже сейчас светодиод белого света.
Другой важный компонент оптического датчика положения на рис. 6.17a — фототранзистор. Биполярный фототранзистор по существу имеет конфигурацию обычного транзистора, имеющего области коллектора, базы и эмиттера.
Однако вместо того, чтобы вводить неосновные носители в базовую область через электрический источник (то есть через базовый ток i b ), принятый свет выполняет эту функцию. Фототранзистор сконструирован таким образом, что свет от источника фокусируется в области перехода. Ширина запрещенной зоны в основной области Δ E g (т. Е. Щель в допустимой энергии электронов от верха валентной зоны до низа зоны проводимости — см. Главу 3) определяет длину волны света, до которой фототранзистор отвечает.
На рисунке 6.17b изображен фототранзистор NPN и его схема заземленного эмиттера. Переход коллектор – база имеет обратное смещение. Входящий свет с уровнем освещенности P фокусируется линзой на основание (b) фототранзистора. Когда фотоны входящего света поглощаются в области базы, они создают носители заряда, эквивалентные току базы обычного биполярного транзистора. Как объяснялось в главе 3, увеличение носителей в основной области приводит к увеличению тока коллектор-эмиттер.
Следовательно, ток коллектора I c изменяется линейно с P и определяется как
(48) Ic = Io + βγP
, где β = усиление тока заземленного эмиттера
γ = константа преобразования силы света в эквивалентный базовый ток.
Напряжение нагрузки В L определяется как
(49) VL = Vcc − IcRL = Vcc − RL (Io + βγP)
Каждый раз, когда отверстие в диске проходит через оптоволоконный свет путь, изображенный на рисунке 6.17а, напряжение нагрузки будет импульсом от высокого к низкому напряжению. Усилитель может быть сконфигурирован с отрицательным усилением напряжения, так что на его выходе будет положительный импульс напряжения в момент, когда любое отверстие проходит оптический путь. Эти импульсы напряжения можно использовать для определения углового положения вращающегося вала (например, коленчатого вала) аналогично магнитным датчикам положения, описанным выше.
Одна из проблем оптических датчиков заключается в том, что они должны быть защищены от грязи и масла; в противном случае оптический путь будет иметь недопустимую пропускную способность.С другой стороны, у них есть преимущества, заключающиеся в том, что они могут определять положение без работающего двигателя и что амплитуда импульсов практически постоянна при изменении скорости.
(5 шт.) Детектор / транзистор L14G1 Фото TO-18 L14 14G: Amazon.com: Industrial & Scientific
| Цена: | 10 долларов.00 (2,00 $ / Шт.) + 7,00 $ перевозки |
- Убедитесь, что это подходит
введя номер вашей модели.
- Часть NO.:L14G1
- Упаковка: TO-206AA, TO-18-3 металлическая банка
- Описание: ДЕТЕКТОР / ФОТО ТРАНЗИСТОРА ТО-18
Характеристики этого продукта
| Фирменное наименование | SICSTOCK | |
|---|---|---|
| Ean | 0345 | 5345 |
| Материал | Металл | |
| Номер модели | L14G1 | |
| Кол-во позиций | 5 | |
| Номер детали | L14G1 | |
| Код UNSPSC | 41110000 | |
| UPC | 345 | 5345 |
Основы фототранзистора
В этом уроке мы узнаем о фототранзисторах, характеристиках фототранзисторов, о том, что следует учитывать при выборе фототранзистора, и нескольких примерах схем, использующих фототранзистор в качестве датчика освещенности.
Введение
Прежде чем вдаваться в подробности фототранзисторов, позвольте нам освежить наше понимание датчиков и, в частности, оптических датчиков.
С точки зрения инженеров-электронщиков, датчик — это устройство, которое реагирует на физическое явление или свойство электрическим сигналом. Входом датчика может быть физическая величина, такая как свет, звук, температура и т. Д., Но на выходе — электрический сигнал, такой как напряжение, ток или даже заряд, который может обрабатываться, усиливаться, передаваться и изменяться электронными схемами и устройствами.
Приведенное выше определение датчика может привести к другой интерпретации датчика, то есть датчик — это преобразователь энергии, поскольку независимо от измеряемой величины входная энергия преобразуется в электрическую.
Существует много разновидностей и типов датчиков, таких как датчик температуры, датчик давления, датчик влажности и т. Д., Но наиболее интересными датчиками для данного обсуждения являются оптические датчики.
Что такое оптические датчики (датчики света)?
Оптические датчикитакже называются датчиками света или фотодатчиками.Оптический датчик — это устройство, которое измеряет интенсивность света, обычно электромагнитного излучения в диапазоне длин волн от ультрафиолетового до дальнего инфракрасного.
Поскольку атипичный датчик освещенности связан с поглощением фотона чувствительным материалом, почти все датчики света делятся на два типа. Это:
- Квантовые датчики
- Тепловые датчики
Оптические датчики, подпадающие под категорию квантовых детекторов, обычно работают в ультрафиолетовом и среднем инфракрасном диапазоне ЭМ-спектра, тогда как те, которые подпадают под тепловые детекторы, работают в среднем и дальнем инфракрасном диапазон ЭМ Спектра.
Фотоэлектрические и фотопроводящие устройства, такие как фотодиоды, фоторезисторы (также известные как светозависимые резисторы или LDR), фототранзисторы и т. Д., Являются примером твердотельных, то есть полупроводниковых датчиков света типа квантовых детекторов.
Что такое фототранзистор?
Прежде чем разбираться в фототранзисторах, давайте сначала кратко разберемся, что такое фотодиод. Проще говоря, фотодиод — это оптический чувствительный диод с PN переходом, но в состоянии обратного смещения, так что ток очень низкий.
Когда фотон с достаточной энергией (следовательно, зависит от длины волны света) попадает в фотодиод, электрон освобождается с энергией, чтобы пройти через барьер, то есть во время обратного смещения, когда свет попадает на переход, происходит увеличение в текущем.
Имея это в виду, фототранзистор — это устройство фотоперехода (то есть фотодиод), которое похоже на обычный транзистор, за исключением того, что у него есть светочувствительный базовый терминал (или, если быть точным, коллектор — базовый переход).
Другими словами, фототранзистор можно рассматривать как фотодиод с усилителем тока. Фототранзистор преобразует фотоны в заряд напрямую, как фотодиод, и в дополнение к этому фототранзистор также обеспечивает усиление по току.
Символ фототранзистора показан ниже.
Как и обычные транзисторы, фототранзисторы также имеют большой коэффициент усиления, но главное отличие заключается в размере перехода база-коллектор. В фототранзисторах размер перехода база-коллектор больше, поскольку это светочувствительная область датчика.
Больший размер перехода приводит к значительно большей емкости перехода, и в результате фототранзисторы имеют более низкую частотную характеристику, чем фотодиоды, несмотря на высокое усиление.
Принцип работы
Принцип работы фототранзистора аналогичен фотодиоду в сочетании с усилительным транзистором. Свет, падающий на базу фототранзистора, вызывает небольшой ток.
Этот ток затем усиливается нормальным действием транзистора, что приводит к значительному увеличению.Обычно по сравнению с аналогичным фотодиодом фототранзистор может обеспечивать ток, в 50-100 раз превышающий ток фотодиода.
Характеристики фототранзистора
Поскольку фототранзисторы в основном представляют собой биполярные NPN-транзисторы с большим переходом база-коллектор, характеристики фототранзистора аналогичны характеристикам простого биполярного транзистора.
Фототранзисторы бывают двух- или трехвыводными. В двухпроводном фототранзисторе клемма базы электрически недоступна, и устройство полностью зависит от света.
Клемма коллектора обычно имеет более высокий потенциал, чем эмиттер, что вызывает обратное смещение на переходе база-коллектор. Когда на фототранзистор не попадает свет, от коллектора к эмиттеру течет небольшой ток утечки, известный как темновой ток.
Когда на клемму базы падает достаточно света, вырабатывается базовый ток, который пропорционален интенсивности света.
Базовый ток запускает процесс усиления, и течет ток коллектора с высоким коэффициентом усиления.На следующем изображении показана кривая токовых характеристик коллектора.
Из приведенной выше кривой ясно, что с увеличением интенсивности света ток коллектора также увеличивается.
Как упоминалось ранее, фототранзисторы также доступны в виде трехполюсников. В этом случае использование базового терминала необязательно.
При использовании он действует как обычный BJT, а когда не используется, он действует как фототранзистор.
Свойства фототранзисторов
При выборе фототранзистора необходимо учитывать несколько вещей или свойств, чтобы фототранзистор мог использоваться наилучшим образом.
Вот некоторые из важных свойств:
- Длина волны
- Линейность
- Чувствительность
- Время отклика
- Размер
- Стоимость
Давайте немного обсудим эти соображения.
Как упоминалось ранее, только фотон определенной энергии может возбуждать электроны, а это означает, что длина волны света является важным фактором. Фототранзисторы обычно имеют определенный диапазон длин волн, который они могут воспринимать.
Еще одним важным свойством фототранзистора является линейность выхода. Насколько линейно мощность изменяется в зависимости от интенсивности света, является важным соображением.
Чувствительность фототранзистора — это отношение выходного сигнала к входной интенсивности падающего света.
Кроме того, время отклика будет зависеть от того, насколько быстро выходной сигнал реагирует на изменения интенсивности света.
Следует учитывать еще две вещи, которые не имеют ничего общего с характеристиками фототранзистора i.е. его размер и стоимость.
Примеры схем с использованием фототранзисторов
Реле со световым управлением с использованием фототранзистора
Когда на фототранзистор Q1 попадает достаточно света, он включается и подает базовый ток на транзистор Q2. В результате Q2 включается, а реле находится под напряжением.
Реле, управляемое темнотой, с использованием фототранзистора
С небольшими изменениями в схеме реле, управляемой светом, вы можете реализовать реле, управляемое темнотой.Когда темно или интенсивность света меньше, фототранзистор выключен, и это позволяет правильно смещать транзистор Q2. В результате он включается и включает реле.
Сигнализация прерывания света
Используя фототранзисторы, вы можете реализовать простую систему сигнализации, как показано выше.
Когда свет падает на фототранзистор, что является обычным случаем, он включается, и затвор SCR находится в НИЗКОМ состоянии. Следовательно, SCR остается выключенным.
Когда свет прерывается, в случае проникновения фототранзистор выключается, и это обеспечивает достаточный потенциал на затворе SCR, чтобы включить его.В результате активируется аварийный сигнал, и его можно сбросить с помощью переключателя.
Применение фототранзисторов
- Управление освещением
- Системы сигнализации
- Индикаторы уровня
- Датчики приближения
- Считыватели перфокарт
- Энкодеры
Фототранзистор | Принцип работы
СОДЕРЖАНИЕ- Что такое фототранзистор ?
- Принцип работы фототранзистора
- Используемый фототранзистор
- Обозначение фототранзистора
- Характеристики фототранзистора
- Преимущества и недостатки фототранзистора
Фототранзистор является преобразователем который способен преобразовывать световую энергию в электрическую.
Такие параметры, как длина волны, выравнивание, интерфейсы и т. Д., Должны рассматриваться как более важные при проектировании схемы.
«Фототранзистор — это полупроводниковое устройство, способное определять уровни света и изменять ток, протекающий между эмиттером и коллектором, в зависимости от уровня получаемого света».
Как следует из названия, фототранзистор — это транзистор, который может воспринимать свет и изменять токи между выводами транзистора.
Транзисторы обычно светятся. Это свойство транзисторов используется в фототранзисторах. Фототранзистор типа NPN является одним из таких типов.
Фототранзистор Здесь, в фототранзисторе свет, падающий на базу, вытесняет напряжение, фактически приложенное к базе, поэтому фототранзистор усиливает диспропорции согласно световому сигналу. Фототранзисторы могут иметь или не иметь в себе базовый вывод.
Если он присутствует, базовая область позволяет ему смещать световые воздействия фототранзистора.
- Этот тип транзистора управляется воздействием света. Это похоже на фотодиод, управляющий BJT.
- Фототранзистор может быть любого типа, например, BJT или FET.
- Транзисторы этих типов обычно покрыты пластиком, и одна из частей остается открытой или прозрачной для света.
- KDT00030TR
- PS5042
- OP506A, OP550K OP506A, OP550K TEMT1030
- SFh414-2 / 3, SFH 325 FA-Z
- QSE113E3R0
- BPW17N, BPV11F, BPW85C и т. Д.
Выход фототранзистора снимается с его вывода эмиттера; следовательно, световые лучи попадают в базовую область.
Фототранзистор может быть трех- или двухконтактным в соответствии с нашими требованиями. База фототранзистора используется только для смещения. Для транзистора NPN база сделана + ve по отношению к выводу эмиттера, а в транзисторе PNP клемма коллектора сделана отрицательной по отношению к выводу эмиттера.
Сначала световой луч входит в базовую область фототранзистора и генерирует пары электронных дырок. Этот процесс в основном происходит при обратном смещении. Активная область этого типа транзистора используется для генерации тока. Область отсечки и насыщения используются для работы конкретного транзистора в качестве переключателя.
Фототранзистор и его работа зависит от многих внутренних и внешних факторов, таких как:
- Сила фототока будет больше при более высоком усилении постоянного тока.
- Светочувствительность определяется отношением фотоэлектронных токов к падающим световым потокам.
- Если длина волны увеличивается, частота будет уменьшена.
- Если область перехода коллектор-база становится шире, амплитуда фототока, создаваемого фототранзистором, будет выше.
Здесь ось X — это V CE — обозначает напряжение, приложенное к выводу коллектор-эмиттер, а ось Y — I C — обозначает ток коллектора, который проходит через цепь в мА.
Как мы видим, кривая ясно показывает, что ток увеличивается с интенсивностью излучения, которое находится в базовой области.
Здесь ось X обозначает уровень освещенности, а по оси Y на нем нанесен базовый ток. Преимущества фототранзистора:- КПД этого типа транзистора выше, чем у фотодиода. Коэффициент усиления по току транзистора также больше по сравнению с фотодиодом; даже если падающий свет такой же, фототранзистор будет производить больше фототока.
- По сравнению с фотодиодом время отклика фототранзистора больше. Таким образом, это означает, что этот тип транзистора имеет более быстрое время отклика.
- Фототранзисторы невосприимчивы к шумовым помехам.
- Фототранзисторы дешевле.
- Схема транзистора этого типа менее сложна.
- Эффективность фототранзистора уменьшается из-за воздействия электромагнитного поля.
- На более высоких частотах фототранзисторы не работают должным образом. Из-за этой проблемы он не может эффективно преобразовывать фототок на высокой частоте.
- Электрические шипы возникают часто.
- Фототранзисторы используются в счетных системах.
- Этот тип транзисторов используется в вычислительной системе.
- Этот тип транзистора может использоваться для генерации переменного напряжения.
- Эти типы транзисторов используются в.
- Из-за высокой эффективности преобразования света в ток они широко используются в удаленных печатных машинах.
- Наиболее важным применением этого типа транзистора является его использование в качестве детектора света. Он также может обнаруживать очень мало света.
- Они также играют важную роль в изготовлении перфокарт.
- Этот тип транзисторов является важным оптоэлектронным устройством, которое также используется в оптических волокнах.
Он также может обнаруживать очень мало света.Фотодиоды подключаются с обратным смещением, чтобы уменьшить площадь зарядов и уменьшить емкость на переходах.Это позволяет увеличить пропускную способность. Свет действует как I B , поэтому в фототранзисторе NPN коллектор имеет положительное напряжение резистивной нагрузки, а эмиттер будет заземлен.
Разница между фоторезистором и фототранзистором| Характеристики | Фоторезистор | Фототранзистор |
| Более чувствителен к свету | ||
| Максимальное сопротивление в темноте | Низкое | Высокое |
| Минимальное сопротивление при ярком свете | Высокое | Низкое |
| Допустимая нагрузка по току | Высокое (почти двойное ) | Сравнительно ниже, чем фоторезистор |
| Направление | Фоторезистор чувствителен к падающему свету со всех сторон. Итак, ненаправленный фототранзистор | чувствителен к падающему свету в одном направлении и тупит в других направлениях. |
| В зависимости от температуры | Сопротивление колеблется при изменении температуры | Эффективное сопротивление меньше колеблется при колебаниях температуры. |
| Изменение сопротивления | Никаких изменений сопротивления не наблюдается для силы света независимо от приложенного напряжения i.е. он остается равным. | Эффективное сопротивление зависит от приложенного напряжения. |
| Стоимость | Сравнительно дорого | Сравнительно дешево |
Чтобы узнать больше о транзисторе, щелкните здесь
Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности.
Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.
Настройка вашего браузера для приема файлов cookie
Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно.Ниже приведены наиболее частые причины:
- В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
- Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
- Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
- Дата на вашем компьютере в прошлом.Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г.,
браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
- Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.
Почему этому сайту требуются файлы cookie?
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу.Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.
Что сохраняется в файле cookie?
Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.
Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта.
Например, сайт
не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к
остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.
| Кремниевый фототранзистор NPN, соответствует требованиям RoHS | свинцовый | К-18 | ∅ 4. 7 | 850 | От450 до 1080 | от 400 до 800 | 40 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN, соответствует требованиям RoHS | свинцовый | К-18 | ∅ 4. 7 | 850 | От450 до 1080 | 600 | 40 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | свинцовый | Т-1 | ∅ 3 | 850 | От450 до 1080 | 800 до 8000 | 25 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | свинцовый | Т-1 | ∅ 3 | 850 | От450 до 1080 | 800 до 2500 | 25 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | свинцовый | Т-1 | ∅ 3 | 850 | От450 до 1080 | от 1500 до 4000 | 25 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | свинцовый | Т-1 | ∅ 3 | 850 | От450 до 1080 | 3000 до 8000 | 25 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | чип | чип | 0. 72 х 0,72 х 0,22 | 570 | от 440 до 800 | 50 | 60 | 0,25 | |||
| Кремниевый фототранзистор NPN | чип | чип | 0. 52 х 0,52 х 0,185 | 840 | от 620 до 1000 | от 65 до 750 | 60 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | чип | Чип | 0. 39 х 0,39 х 0,185 | 910 | от 480 до 1080 | 60 | |||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | свинцовый | Т-1 | ∅ 3 | 925 | от 875 до 1000 | 3200 | 30 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN, соответствует требованиям RoHS | поверхностный монтаж | Крыло чайки обратное | 2. 5 х 2 х 2,7 | 880 | от 730 до 1000 | 7000 | 15 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN, соответствует требованиям RoHS | поверхностный монтаж | Крыло чайки | 2. 5 х 2 х 2,7 | 880 | от 730 до 1000 | 7000 | 15 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN, соответствует требованиям RoHS | поверхностный монтаж | Хомут | 2. 5 х 2 х 2,7 | 880 | от 730 до 1000 | 7000 | 15 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN, соответствует требованиям RoHS | поверхностный монтаж | Осевые выводы | 2. 5 х 2 х 2,7 | 880 | от 730 до 1000 | 7000 | 15 | ||||
| Кремниевый фототранзистор в упаковке 0805 | поверхностный монтаж | 0805 | 2 х 1. 25 х 0,85 | 870 | от 750 до 1010 | от 225 до 675 | 60 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN, соответствует требованиям RoHS | свинцовый | Вид сбоку | 3. 6 х 2,2 х 3,4 | 920 | от 850 до 980 | 2500 | 30 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | поверхностный монтаж | PLCC-2 | 3. 5 х 2,8 х 1,75 | 940 | 870 до 1050 | 500 | 60 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN, соответствует требованиям RoHS | свинцовый | Т-1 | ∅ 5 | 850 | От450 до 1080 | 10000 | 15 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN, соответствует требованиям RoHS | свинцовый | Т-1 | ∅ 5 | 930 | 900 до 980 | 9000 | 15 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN, соответствует требованиям RoHS | свинцовый | Т- | ∅ 1. 8 | 825 | 450 до 1040 | 140 | 40 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN, соответствует требованиям RoHS | свинцовый | Т- | ∅ 1. 8 | 825 | 450 до 1040 | 1000 | 12 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN, соответствует требованиям RoHS | свинцовый | К-18 | ∅ 4. 7 | 850 | От450 до 1080 | От7500 до 15000 | 10 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN, соответствует требованиям RoHS | свинцовый | К-18 | ∅ 4. 7 | 850 | От450 до 1080 | NaN | 10 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | свинцовый | Т-1 | ∅ 5 | 850 | От450 до 1080 | от 2500 до 7500 | 20 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | свинцовый | Т-1 | ∅ 5 | 850 | От450 до 1080 | 4500 до 15000 | 20 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | свинцовый | Линза бокового обзора | 5 х 2. 65 х 5 | 920 | от 850 до 980 | 4000 | 37 | ||||
| Кремниевый фототранзистор в упаковке 0805 | поверхностный монтаж | 0805 | 2 х 1. 25 х 0,85 | 850 | 470 до 1090 | от 225 до 675 | 60 | ||||
| Кремниевый фототранзистор в упаковке 0805 | поверхностный монтаж | 0805 | 2 х 1. 25 х 0,85 | 870 | от 750 до 1010 | от 225 до 675 | 60 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | поверхностный монтаж | Крыло чайки обратное | 2. 3 х 2,3 х 2,8 | 860 | от 790 до 970 | 6000 | 15 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | поверхностный монтаж | Крыло чайки обратное | 2. 3 х 2,3 х 2,55 | 860 | от 790 до 970 | 2700 | 35 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | поверхностный монтаж | Крыло чайки | 2. 3 х 2,3 х 2,8 | 860 | от 790 до 970 | 6000 | 15 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | поверхностный монтаж | Вид сбоку | 2. 3 х 2,55 х 2,3 | 860 | от 790 до 970 | 2700 | 35 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | поверхностный монтаж | Крыло чайки | 2. 3 х 2,3 х 2,55 | 860 | от 790 до 970 | 2700 | 35 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | поверхностный монтаж | Крыло чайки обратное | 2. 3 х 2,3 х 2,8 | 850 | 470 до 1090 | 6000 | 15 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | поверхностный монтаж | Крыло чайки обратное | 2. 3 х 2,3 х 2,55 | 850 | 470 до 1090 | 2700 | 35 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | поверхностный монтаж | Крыло чайки | 2.3 х 2,3 х 2,8 | 850 | 470 до 1090 | 6000 | 15 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | поверхностный монтаж | Вид сбоку | 2.3 х 2,55 х 2,3 | 850 | 470 до 1090 | 2700 | 35 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | поверхностный монтаж | Крыло чайки | 2.3 х 2,3 х 2,55 | 850 | 470 до 1090 | 2700 | 35 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | поверхностный монтаж | PLCC-2 | 3.5 х 2,8 х 1,75 | 850 | От450 до 1080 | 500 | 60 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | поверхностный монтаж | PLCC-3 | 3.5 х 2,8 х 1,75 | 850 | От450 до 1080 | 500 | 60 | ||||
| Кремниевый фототранзистор NPN | поверхностный монтаж | PLCC-3 | 3.5 х 2,8 х 1,75 | 940 | 870 до 1050 | 500 | 60 |
Электрофоточувствительный синаптический транзистор для краевых нейроморфных зрительных систем
Практическое применение оптоэлектронных искусственных синапсов в нейроморфных зрительных системах все еще затруднено из-за их ограниченной функциональности, надежности и сложности массового производства.Здесь демонстрируется электрофоточувствительный синапс на основе высоконадежного аморфного тонкопленочного транзистора InGaZnO. Мало того, что синапс реагирует на скачки электрического напряжения из-за захвата / снятия заряда, но и вес изменяется напрямую за счет стойких эффектов фототока при стимуляции ультрафиолетовым светом. Успешно продемонстрированы типичные формы синаптической пластичности, включая тормозные и возбуждающие постсинаптические токи, частотно-зависимые характеристики, переходы пластичности от кратковременного к долговременному и эффекты суммирования.В частности, оптоэлектронная синергетическая модуляция приводит к реконфигурируемому возбуждающему и тормозящему синаптическому поведению, что обеспечивает многообещающий способ достижения гомеостатической регуляции синаптических весов. Кроме того, проводимость аналогового канала со 100 состояниями используется в качестве правила обновления веса для выполнения распознавания рукописных цифр MNIST с использованием моделирования сверточной нейронной сети LeNet-5 на системном уровне. Сеть показывает высокую точность распознавания 95,99% и хорошую устойчивость к шумным входным шаблонам.Это исследование подчеркивает коммерческий потенциал зрелой технологии оптоэлектронных транзисторов InGaZnO в пограничных нейроморфных системах.
У вас есть доступ к этой статье
Подождите, пока мы загрузим ваш контент.