Транзисторов: Эта страница ещё не существует

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров

Корпус — это часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов. Корпуса стандартизованы для упрощения технологического процесса изготовления изделий. Число стандартных корпусов исчисляется сотнями!

Ниже представлены наиболее распространенные серии корпусов импортных транзисторов и тиристоров.
Для просмотра чертежей корпусов транзисторов и тиристоров кликните на соответствующую типу корпуса картинку.

ADD-A-PAK	DIP4	ITO-220	MT-200	S6D
SC72	SC95	SC96	SOIC8	SOT23
SOT25	SOT32	SOT89	SOT343	SOT883
TO3	TO5	TO7	TO8	TO92
TO126	TO220-5	TO220FP	TO220I	TO-3P(H)IS
TO-3PFA	TO-3PFM	TO-3PH	TO-3PI	TO-3PL
TO-3PML	TO-66	TO-202	TO-247	TO-263
TO-267

Общие сведения о транзисторах | Основы электроакустики

Общие сведения о транзисторах

 

Транзисторы представляют собой электропреобразовательные полупроводниковые приборы с одним или несколькими электричес­кими переходами, пригодные для усиления мощности сигнала и име­ющие три (или более) внешних вывода. Наиболее распространенные транзисторы имеют два электронно-дырочных перехода. В двухпереходных транзисторах используют два различных типа носителей за­ряда (электроны и дырки), поэтому их называют биполярными.

Основным элементом биполярного) яв­ляется кристалл полупроводника, в котором с помощью примесей созданы три области с различной .проводимостью.» Если средняя об­ласть имеет электронную проводимость типа n, а две крайние — ды­рочную проводимость типа р, то структура такого транзистора обо­значается р-n-р в отличие от структуры n-р-n, при которой транзис­тор имеет среднюю область с дырочной, а крайние области — с электронной проводимостями.

Средняя область кристалла полупроводника , слу­жащая основой для образования электронно-дырочных переходов, называется базой, крайняя область , инжектирующая (эмигрирую­щая) носители заряда, — эмиттером, а область , собирающая ин­жектированные носители заряда, — коллектором. К каждой из двух областей припаяны соответственно эмиттерный Э, базовый Б и кол­лекторный К токоотводы, которыми транзистор включается в схему. Кристалл укрепляют на специальном кристаллодержателе и. помеща­ют в герметизированный металлический, пластмассовый или стеклян­ный корпус. Внешние токоотводы электродов проходят через изоля­торы в дне корпуса. 

Электронно-дырочный переход между эмиттером и базой называ­ется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Базовая область транзистора выполняется с очень малой толщиной (от 1 до 10 — 20 мкм). Различна степень легирования областей. Обычно концентрация примесей в эмиттере на 2 — 3 порядка выше, чем в базе. Степень легирования базы и коллектора зависит от типа прибора.

Для работы транзисторов к их электродам подключают посто­янные напряжения внешних источников энергии. Помимо постоянных напряжений к электродам подводят сигналы, подлежащие преобра­зованию. В связи с этим различают входную цепь, к которой подво­дят сигнал, и выходную, куда включают нагрузку, с которой снима­ют сигнал. В зависимости от того, какой из электродов при включе­нии транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают схемы с общей базой ОБ, общим эмиттером ОЭ и общим коллектором ОК.

• В схеме с ОБ входной цепью является цепь эмитте­ра, а выходной — цепь коллектора,
•  в схеме с ОЭ  вход­ной — цепь базы, а выходной — цепь коллектора,
• в схеме с ОК  входной — цепь базы, а выходной — цепь эмиттера.

В зависимости от полярности напряжений внешних источников, подключенных к эмиттерному и коллекторному переходам, различа­ют активный, отсечки, насыщения и инверсный режимы работы тран­зистора.

Активный режим используется при усилении слабых сигналов. В этом режиме напряжение внешнего источника к эмиттерному пе­реходу включается в прямом, а к коллекторному — в обратном на­правлении. Эмиттер инжектирует в область базы неосновные для нее носители заряда, а коллектор производит их экстракцию (выведе­ние) из базовой области.

В режиме отсечки к обоим переходам подводят обратные на­пряжения, при которых ток, проходящий через транзисторы, ничтож­но мал. »

В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся под прямым напряжением; в них происходит инжекция носителей, тран­зистор превращается в двойной диод, ток в выходной цепи макси­мален при выбранном значении нагрузки и не управляется током входной цепи; транзистор полностью открыт. В режимах отсечки и насыщения транзисторы обычно используются в схемах электронных, переключателей. .

В инверсном режиме меняются функции эмиттера и коллектора: к коллекторному переходу подключают прямое, а к эмиттерному — обратное напряжение. Однако такое включение транзистора неравноценно из-за несимметрии структуры и различия концентрации носителей в его областях.

Принцип действия транзистора в активном режиме рассмотрим с помощью схемы с ОБ При включении напряжений эмиттерного EЭб и коллекторного EКб источников изменяются потен­циальные диаграммы переходов. Напряжение EЭб снижает потенци­альный барьер эмиттерного перехода, вследствие чего через него из эмиттерной области яачнется инжекция дырок в базу, а электро­нов — наоборот, из базовой области в эмиттерную. Концентрация ос­новных носителей в эмиттерной области на 2 — 3 порядка выше, чем в базе, поэтому инжекция дырок в базу Iэр превышает поток элек-. тронов Iэn из базы в эмиттер. При этом через эмиттерный переход проходит суммарный ток эмиттера Iэ=Iэр+Iэп. Убыль дырок в эмиттере компенсируется уходом из него во внешнюю цепь такого же количества электронов.

В результате повышенной концентрации дырок в базе происхо­дит их диффузионное перемещение от эмиттерного к коллекторному переходу. На этом пути часть дырок рекомбинирует с электронами базы и создает в цепи базы небольшой рекомбинационный ток Iб. Чтобы уменьшить вероятность рекомбинации дырок в базе, толщину базы (w<0,25 мм) выбирают меньше их диффузионной длины дырок (для германия L=0,3-5-0,5 мм).

Транзисторы, в которых отсутствует электрическое поле в базе, а перемещение (дрейф) носителей тока происходит за счет диффу­зии, называют бездрейфовыми, транзисторы, в которых за счет не­равномерной концентрации примесей в базе возникает электрическое поле и перемещение носителей тока через базу происходит под дей­ствием сил этого поля, — дрейфовыми.

К коллекторному переходу напряжение внешнего источника под­ключают в непроводящем (обратном) направлении. Электрическое поле, создаваемое этим источником, будет тормозящим для основ­ных и ускоряющим для неосновных носителей тока. Под действием этого поля дырки, инжектированные в базу, будучи неосновными но-сителями тока, перемещаются из базы в коллекторную область. Из­быток дырок в коллекторе компенсируется током электронов от ис­точника Eк, в результате чего во внешней цепи коллектора прохо­дит ток Iк.

Если транзистор включен в схеме усилителя, то к входным за­жимам кроме постоянного напряжения смещения Еэ подключают переменное напряжение сигнала UBXt которое нужно усилить, а к выходным зажимам кроме напряжения источника Ек — нагрузку Rн. Прямосмещенный эмиттерный переход обладает малым сопротивле­нием, поэтому,даже незначительные изменения потенциала в цепи эмиттера ua=E9+UB]i (вследствие изменений напряжения сигналу Uвх на входе) вызовут большие изменения тока. Изменения тока эмиттера приведут к изменению тока и напряжения в выходной (кол­лекторной) цепи. При соответствующем подборе нагрузки Rн мож­но получить большое изменение выходного напряжения UВых и мощ­вости, т. е. осуществить с помощью транзистора усиление сигнала за счет энергии источника Ех. Эффективность такого усиления сигнала по напряжению оценивают отношением изменения выходного на­пряжения к вызвавшему его изменению входного напряжения, т. е Kн=ДUвых/АUвх.

Маркировка (обозначение) выводов для SMD транзисторов

 SMD компоненты стали обыденными, привычными и все в таком роде… В общем они уже везде и всюду. При этом даже радиолюбители перешли на подобный формат радиодеталей, которые применяются для реализации электрических схем. А это значит, что неплохо было бы знать, какие у SMD функциональные выводы и за что они отвечают. Речь в этой небольшой статье  пойдет о SMD транзисторах биполярных, то есть нас будут интересовать какие ножки у транзисторов являются базой, эмиттером и коллектором.
 Информация справочная, для тех, кто забыли или не знал какие же ножки за что отвечают.

Смотрим на рисунок. Из него все понятно.

Маркировка (обозначение) выводов для SMD транзисторов

Заметьте, что в зависимости от структуры, транзисторы имеют разные функциональные выводы. Картинку можно сохранить себе на компьютер и при необходимости распечатать. 

Далее картинка не о smd элементах, но мне кажется это весьма полезная информация для сравнения с другими типами корпусов.

Как определить базу коллектор и эммитер у транзистора без схемы подключения.

Не всегда подобные материалы оказываются под рукой. В этом случае приходится вычислять какой вывод есть какой с помощью мультиметра. Ставим прибор на измерение сопротивления и ищем ножку, от которой будет на две другие сопротивление порядка 600-800 Ом. Если плюс стоит на этой ножке и сопротивление появляется на двух других, то это NPN транзистор. Если на ножке стоит минус, то это PNP. Такая ножка будет базой транзистора, а остальные эмиттером и коллектором. Какой из них какой, этого уже не сказать…
 Кстати, в некоторых случая если даже перепутать коллектор с эмиттером, то все работает замечательно! Ведь по сути эти две ножки отличаются только технологическим исполнением и возможностью пропускать разные токи. Если токи не большие для транзистора, то все будет работать! Вот такая информация для справки и размышления.

АО «ФЗМТ»

АО «ФЗМТ»

Новости и объявления

АО «ФЗМТ» выпускает приборы 2ДШ2942 АЕЯР.432120.555ТУ, 2Д2943 АЕЯР.432120.556ТУ, 2Д684 АЕЯР.432120.557ТУ, 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ/Д1 в керамических корпусах типа КТ-111A,B,C-1.02 (с отверситем во фланце) и в корпусах типа КТ-111A,B,C-2.02 (без отверстия во фланце).

Функциональное назначение, электрические параметры, тепловое сопротивление кристалл-корпус, методы крепления указаенных выше приборов в корпусах типа КТ-111A,B,C-1.02 и КТ-111A,B,C-2.02 идентичны.

В целях оптимизации номенклатуры и типоразмеров выпускаемых приборов, а также сокращения сроков поставки приборов по договорам, рассматривается вопрос о снятии с производства указанных выше приборов в корпусах типа КТ-111A,B,C-1.02 (с отверситем во фланце).

Просим Вас в конкурсной документации вашего предприятия а также в договорах на поставку оприборов предусмотреть допустимую замену приборов в корпусах типа КТ-111A,B,C-1.02 (с отверситем во фланце) на приборы в корпусах типа КТ-111A,B,C-2.02 (без отверстия во фланце).

Ожидаемый срок утверждения решения о снятии с производства — 2022 г.

 Письмо исх. № 67-ТО от 14.10.2020

5 июня 2021 г.

---

В АО «ФЗМТ» открыты следующие вакансии:

– инженер-конструктор,
– инженер-технолог,
– инженер-технолог по холодной обработке металла,
– механик инструментального участка,
– слесарь-ремонтник.

Обращаться в отдел кадров по тел. +7 (496) 565-27-95.

23 марта 2021 г.

Смотреть все новости…

О заводе

История завода начинается с 1 декабря 1964 года, когда в г. Фрязино Московской области было организовано производство полупроводниковых приборов.

Первоначально завод назывался «Опытно-показательный завод полупроводниковых приборов специального назначения» (ОПЗПП), с 1973 года — «Фрязинский завод им. 50-летия СССР» и являлся головным заводом производственного объединения «Электронприбор».

Выпуск продукции заводом начался с полупроводниковых приборов — диодов. С 1966 года предприятие начало производить мощные транзисторы, а с 1968 года — кремниевые маломощные бескорпусные транзисторы. В этом же году был освоен выпуск маломощных транзисторов в пластмассовом корпусе (КТ 315), а через год — интегральные микросхемы (ИМС) серии 110. Одним из первых в электронной отрасли завод освоил производство диалоговычислительных комплексов, изделий промышленной электроники, телевизоров, светотехнической продукции на базе электронных балластов.

Завод имел в своем составе ОКБ и СКТБ, производственные подразделения по изготовлению кристаллов и корпусов для ИЭТ, по нанесению гальванических покрытий, а также машиностроительный комплекс.

АО «ФЗМТ» основано в 1996 году, выделившись в самостоятельное предприятие из производственного объединения «Электронприбор», объединило при этом в своем составе те подразделения «Электронприбор», которые были связаны с разработкой и серийным производством мощных транзисторов. Предприятие является техническим преемником «Электронприбор» по всем направлениям деятельности, относящейся к мощным транзисторам.

В настоящее время АО «ФЗМТ» специализируется на производстве изделий специального назначения: биполярных мощных транзисторов (БМТ), мощных полевых (МОП МТ) и мощных биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ). С 2013 года начат выпуск мощных диодов и сборок на их основе.

Мощные транзисторы специального назначения, выпускаемые АО «ФЗМТ», находят применение в ответственных узлах и блоках электропитания и электрооборудования различных систем Вооружений и Военной Техники (ВВТ), включая ВВТ для ВМС, ВВС, РВСН и сухопутных войск.

АО «ФЗМТ» имеет сертификат соответствия системы качества на разработку и производство полупроводниковых приборов:

• мощные переключательные и импульсные биполярные транзисторы, сборки и модули на их основе,
• мощные переключательные биполярные транзисторы с изолированным затвором, сборки и модули на их основе,
• мощные n-канальные полевые транзисторы с изолированным затвором, сборки и модули на их основе,
• мощные диоды Шоттки, сборки и модули на их основе,
• мощные импульсные диоды, сборки и модули на их основе,
• мощные комбинированные транзисторно-транзисторные и транзисторно-диодные ключи, сборки и модули на их основе,
• корпуса для полупроводниковых приборов.

Мощные транзисторы общепромышленного назначения используются в следующих областях народного хозяйства:

• телевизионная и вычислительная техника — блоки питания и строчной развертки телевизоров, мониторов компьютеров,
• автомобильная электроника — блоки электронного зажигания и регуляторы напряжения питания автомобилей,
• светотехника — блоки электронных балластов (ЭПРА) для люминесцентных ламп и электронные трансформаторы для галогенных ламп,
• преобразовательная техника — электропривод станков ЧПУ, блоки электросварки, устройства катодной защиты газотрубопроводов от коррозии, электропривод средств передвижения на городском и железнодорожном электротранспорте,
• бытовая электроника — регулируемый электропривод в стиральных машинах, холодильниках, кондиционерах, кухонном оборудовании,
• телекоммуникации и системы связи — блоки распределенного электропитания, включая источники аварийного бесперебойного питания, усилители мощности.

Введение в электронику. Транзисторы

Серия статей известного автора множества радиолюбительских публикаций  Дригалкина В.В.  для начинающих радиолюбителей

Доброго дня уважаемые радиолюбители!
Приветствую вас на сайте “Радиолюбитель“

Транзисторы

Транзистор входит в целую группу деталей, которую называют полупроводниковые приборы. Кроме транзистора, в нее входят диоды, стабилитроны и другие детали. В каждой из них использован полупроводниковый материал (полупроводник). Что это такое? Все существующие вещества можно условно поделить на три большие группы. Одни из них – медь, железо, алюминий и прочие металлы – хорошо проводят электрический ток. Это проводники. Древесина, фарфор, пластмасса совсем не проводят тока. Они – непроводники, изоляторы (диэлектрики).
Полупроводники же занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Такие материалы проводят ток только при определенных условиях.

Из полупроводниковых приборов транзистор чаще всего применяется в радиоэлектронике, особенно биполярный. Первые такие транзисторы были изготовлены на основе германия. В настоящее время их изготавливают в основном из кремния и арсенида галлия. У биполярного транзистора три вывода: база (б), эмитер (е) и коллектор (к). Назначение выводов называют цоколевкой или в народе – расПИНовкой (от английского PIN – вывод). Цоколевку транзисторов можно найти в специальной справочной литературе.

Транзистор – усилительный прибор. Условно его можно сравнить с таким известным Вам устройством, как рупор. Довольно произнести что-нибудь перед узким отверстием рупора, направив широкое отверстие в сторону приятеля, который стоит за несколько десятков метров, и голос, усиленный рупором, будет ему хорошо слышан. Если воспринять узкое отверстие как вход рупора-усилителя, а широкий – как выход, то можно сказать, что исходный сигнал в несколько раз более сильный от входных. Это и есть показатель усилительной способности рупора, его коэффициент усиления. Некоторые разновидности транзисторов и их обозначение на принципиальной схеме представлены на Рис. 1.

Если пропустить через участок база-эмитер слабый ток, он будет усилен транзистором в десятки и даже в сотни раз. Усиленный ток потечет через участок коллектор-эмитер2. В зависимости от наибольшего тока, что можно пропускать через коллектор, транзисторы разделяют на маломощные, средней и большой мощности. Кроме того, эти полупроводниковые приборы могут быть структуры р-п-р или n-p-n (на английском). Так различаются транзисторы с разным расположением пластов полупроводниковых материалов3 (если в диоде два пласта материалов, то здесь их три) . Тем не менее, не думайте, что транзисторы разной структуры имеют и разное усиление. Это совсем не обязательно. Усилительная способность транзистора определяется его так называемым статическим коэффициентом передачи тока. Для некоторых конструкций этот коэффициент важный, и его указывают в описании.
Статический коэффициент передачи тока транзистора указывает во сколько раз больший ток по участку коллектор-эмиттер способен пропустить транзистор по отношению к току база-эмиттер. Для некоторых схем этот параметр очень важен. В отечественной схемотехнике он обозначается как h31э, в зарубежной как hFE.
Приведу пример: допустим, hFE = 500, и через переход база-эмиттер проходит ток 0.1mA, тогда транзистор пропустит максимум через себя 50mA. Если в электрической цепи за транзистором стоит деталь, потребляющая 30mA, то у транзистора будет запас, и он передаст именно 30mA, но если стоит деталь, потребляющая больше 50mA (например, 80mA), то ей будет доступно всего 50mA.
В электронных конструкциях может встретится еще одна разновидность транзистора – полевой. У него чаще всего три вывода, но называют их по-другому: затвор (как база), исток (эмитер), сток (коллектор). Некоторые полевые транзисторы в металлическом корпусе имеют четыре вывода – затвор, исток, сток и корпус. Последний вывод, как Вы уже догадались, соединен с корпусом транзистора. Подбирать эти транзисторы по усилительной способности не нужно, а вот проверять исправность особенно не нового транзистора рекомендуется, т.к. “полевики” выходят из строя при самых непредвиденных обстоятельствах. В частности полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для снятие статики достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов. При хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой. Полевые транзисторы, благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, находят широкое применение в блоках питания компьютеров, мониторов, телевизоров и другой радиоэлектронной аппаратуры.

Транзисторы бывают и однопереходные. У этой детали две базы и один эмиттер. В отличии от биполярных и полевых транзисторов однопереходные представляет собой прибор с отрицательным сопротивлением. Это означает, что в определённых условиях входное напряжение или сигнал могут уменьшаться даже при возрастании выходного тока через нагрузку. Когда однопереходном транзистор находится во включённом состоянии, выключить его можно только разомкнув цепь, либо сняв входное напряжение.

По диапазону рабочих частот транзисторы делятся на низкочастотные, среднечастотные и высокочастотные.

По мощности различают транзисторы малой, средней и большой мощности. Чем мощнее транзистор – тем больше его внешний вид. Такие транзисторы имеют отверстия для крепления на радиатор – кусочек алюминия, который рассеивает тепло полупроводника, выделяемое во время его работы.

Среди транзисторов присутствуют фотоэлементы. Фототранзистор отличается от классического варианта тем, что область базы доступна для светового облучения, за счёт чего появляется возможность управлять усилением электрического тока с помощью оптического излучения. Применяют два варианта включения фототранзисторов: диодное — с использованием только двух выводов (эмиттера и коллектора) и транзисторное — с использованием трех выводов, когда на вход подают не только световой, но и электрический сигналы.

---

Перейти к следующей статье: Тиристоры

---

---

Области применения транзисторов — изобретение транзистора

Очень быстро транзисторы заменили вакуумные лампы в различных электронных устройствах. В связи с этим возросла надежность таких устройств и намного уменьшились их размеры. И по сей день, насколько бы «навороченной» не была микросхема, она все равно содержит в себе множество транзисторов (а также диодов, конденсаторов, резисторов и проч.). Только очень маленьких.

Существует два основных типа транзисторов: биполярные, и полевые. В чем же отличие между полевыми и биполярными транзисторами? Ответ заложен в самих их названиях. В биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют и электроны, и дырки («бис» — дважды). А в полевом  (он же униполярный) — или электроны, или дырки.

Также эти типы транзисторов различаются по областям применения. биполярные используются в основном в аналоговой технике, а полевые — в цифровой.

Транзисторы можно применять не только в схемах усиления сигнала. Например, благодаря тому, что они могут работать в режимах насыщения и отсечки, их используют в качестве электронных ключей. Также возможно использование транзисторов в схемах генераторов сигнала. Если они работают в ключевом режиме, то будет генерироваться прямоугольный сигнал, а если в режиме усиления — то сигнал произвольной формы, зависящий от управляющего воздействия.

 Основная область применения любых транзисторов — усиление слабого сигнала за счет дополнительного источника питания.

По виду выполняемой функции (целевому назначению) транзисторы можно разделить на усилительные, переключательные и генераторные.

Общими для расчетов усилителей на транзисторах (постоянного тока, низкой частоты, промежуточной частоты, высокой частоты и др.) являются входное и вы­ходное сопротивления каскада, соотношения, определяющие усиление, частотные свойства, режимы работы, температурная стабильность и прочие показатели.

В соответствии с назначением различают каскады предварительного усиления (напряжения, тока или мощности), предназначенные для получения максимального усиления (обычно по резисториой или трансформаторной схемам), и каскады усиле­ния мощности, обеспечивающие на заданной нагрузке необходимую (выходную) мощность при минимальных искажениях и мощности потребления от источника пи­тания.

В усилителях, имеющих хорошую температурную и режимную стабилизацию, замена транзистора на однотипный с более высоким значением h3is обычно не при­водит к значительному увеличению тока коллектора в рабочей точке.

Транзисторы некоторых типов используются в специфических классах схем и характеризуются рядом особенностей режима и условий работы. Эти специализи­рованные транзисторы образуют своеобразный класс приборов, например, транзисто­ры для схем с автоматической регулировкой усиления (АРУ), для усилителей про­межуточной частоты, для работы в микроампериом диапазоне токов, для работы в ВЧ- и СВЧ-диапазонах, лавинные транзисторы, сдвоенные, составные, двухэмиттер- Эые и т. п. Есть узлы, в которых требуются высоковольтные транзисторы. Оптимальное сочетание параметров и характеристик, удовлетворяющих различным требованиям, дает воз­можность использовать их в радиоэлектронной аппаратуре вместо некоторых уси­лительных и переключательных транзисторов (например, транзистор КТ630).

Для схем с АРУ разработаны специальные транзисторы (германиевые и крем­ниевые), обладающие регулируемым усилением при увеличении рабочего тока (пря­мая АРУ). Уменьшение усиления таких транзисторов на высокой частоте происходит вследствие снижения frp при увеличении тока эмиттера и уменьшения напряжения на коллекторе (например, КТ3128, ГТ328). В связи с этим наблюдается сильная зависимость Кур от тока. Обычно транзисторы имеют меньшую зависимость коэф­фициента усиления от электрического режима. Для зарубежных транзисторов, пред­назначенных для АРУ, часто указывается глубина регулировки усиления (отноше­ние максимального коэффициента усиления к минимальному).

Жесткие требования к экономичности радиоэлектронной аппаратуры в ряде специальных применений способствовали созданию кремниевых транзисторов, функ­ционирующих при малых токах (единицы и десятки микроампер)’, поскольку гер­маниевые транзисторы вследствие большого обратного тока коллектора для этой цели непригодны. Такие приборы (например, транзисторы КТ3102, КТ3107) имеют малые токи 1кБО и большие коэффициенты усиления. Однако при работе в микро­режиме у них ухудшаются частотные свойства, но несколько улучшаются шумо­вые характеристики. Кроме того, при малых токах обычно увеличивается зависи­мость параметров от температуры, снижается крутизна и затрудняется стабили­зация режима.

Реализация большого коэффициента усиления по мощности в высокочастот­ных усилителях связана с уменьшением паразитной обратной связи, обусловленной проходной проводимостью транзистора Yi2. Разработаны транзисторы (напри­мер, КТ339АМ), у которых для снижения емкости обратной связи в транзисторную структуру введен интегральный экран (электростатический экран Фарадея), пред­ставляющий собой сочетание диффузионного экрана и дополнительного экранирую­щего диода. Применение интегрального экрана позволяет снизить емкость между коллекторным и базовым выводами в 2,5…4 раза (емкость С120 снижается до зна­чения ие более 0,3 пФ) и обеспечить большой коэффициент усиления Кур без при­менения схем нейтрализации.

Лавинные транзисторы предназначены для работы в режиме электрического пробоя коллекторного перехода. В зависимости от схемы включения они могут иметь управляемые S-образные (со стороны коллектора или эмиттера) и N-образ- ные (со стороны базы) вольт-амперные характеристики. Использование обычных транзисторов в этом режиме принципиально возможно и встречается на практике, но при этом не обеспечиваются необходимые быстродействие, амплитуда импуль­сов, стабильность и надежность. Например, одной из причин, снижающих эффек­тивность применения обычных высокочастотных транзисторов в лавинном ре­жиме, является значительное снижение частоты frp при увеличении коллекторного тока.

 Лавинные транзи­сторы применяются в релаксационных генераторах в ждущем или автоколеба­тельном режиме.

Следует также отметить транзисторы, предназначенные для использования в инверсном включении (например, зарубежные транзисторы 2N2432, 2N2944 — 2N2946, 2N4138), которые имеют малое остаточное напряжение (менее 1 мВ) и применяются в модуляторах для стабильных усилителей постоянного тока, по­строенных по схеме модуляции — демодуляции, в схемах управления реверсивными двигателями, в логических схемах, амплитудных детекторах и других схемах. В некоторых схемах, например автомобильного зажигания и строчной развертки телевизоров, при запирании транзистор может переходить в режим инверсного включения при работе на комплексную нагрузку.

Разработаны специальные модуляторные транзисторы, в основу которых по­ложены две транзисторные структуры. Это так называемые двухэмиттерные тран­зисторы, имеющие лучшие параметры инверсного включения (например, зарубеж­ные транзисторы 3N74—3N79, 3N108 — 3N111). У отечественного транзистора КТ118 остаточное напряжение менее 0,2 мВ.

Для работы в выходных каскадах усилителя низких частот радиовещательных приемников, высококачественных магнитофонов, радио, телевизоров разработаны германиевые и кремниевые транзисторы разного типа проводимости. Они характеризуются слабой зависимостью коэффициента усиления от тока, высокой частотой fЬ21э, низким напряжением Ukb нас, что позволяет улучшить акустические показатели устройств в широком диапазоне звуковых частот. В свою очередь, это дает возможность упрощать схемы усилителей, уменьшать число применяемых транзисторов, повышать надежность и снижать себестоимость устройств. Зависимость коэффициента передачи h3ia от тока характеризуется коэффициентом линейности — отношением коэффициентов передачи при двух значениях тока эмиттера. 

Транзистор биполярный, описание транзисторов, функция транзистора, npn-транзистор, pnp-транзистор, типы транзисторов

Описание транзисторов

Описание транзисторов удобно начать с описания функции, которую они выполняют. Основная функция биполярного транзистора — усиливать ток и напряжение. Например, они могут усиливать слаботочные выходные сигналы интегральных микросхем таким образом, чтобы ими можно было управлять лампой, реле и т.д. Во многих схемах транзистор служит для преобразования изменяющегося тока в изменяющееся напряжение. Т.е. транзистор работает как усилитель напряжения.

Транзистор может работать как ключ (либо полностью открыт и через него может течь максимально возожный ток, либо полностью закрыт и ток через него не течёт) или как усилитель (всегда частично открыт)

npn-транзистор, pnp-транзистор

Существуют следующие типы транзисторов: npn и pnp с различным обозначением на схемах. Буквы, обозначающие выводы транзистора, относятся к слоям полупроводника, из которого сделан транзистор. Большинство биполярных транзисторов, используемых сегодня, являются npn-транзисторами потому, что они самые простые в производстве из кремния. Если Вы новичок в электронике, лучше всего начинать изучение с npn-транзисторов.

Пожалуй, одним из самых известных отечественных транзисторов структуры npn является транзистор КТ315, а структуры pnp — транзистор КТ361.

Выводы биполярного транзистора обозначаются следующими буквами: B — (база), C — (коллектор), E — (эмиттер), в русском варианте, соответсвенно Б, К и Э. Эти термины относятся к внутренней организации транзистора, но не помогают понять, как транзистор работает. Поэтому, просто запомните их.

В добавление к pnp-транзисторам и npn-транзисторам (имеющим общее название — транзисторы биполярные) существуют полевые транзисторы, часто называемые FETs. Они имеют другое схематическое обозначение и характеристики.

Как работают транзисторы? — Объясни, что это за штука

Криса Вудфорда. Последнее изменение: 21 сентября 2020 г.

Ваш мозг содержит около 100 миллиардов клеток, называемых нейронами, — крошечных переключателей, которые позволяют вам думать и запоминать вещи. Компьютеры содержат миллиарды миниатюрных «клеток мозга». Их называют транзисторами и они сделаны из кремния, химического элемента, обычно встречающегося в песке. Транзисторы произвели революцию в электронике с момента их появления изобретен более полувека назад Джоном Бардином, Уолтером Браттейном и Уильям Шокли.Но что это такое и как они работают?

Фото: Насекомое с тремя ногами? Нет, типичный транзистор на электронной плате. Хотя простые схемы содержат отдельные транзисторы, подобные этому, сложные схемы внутри компьютеров также содержат микрочипы, каждый из которых может иметь тысячи, миллионы или сотни миллионов транзисторов, упакованных внутри. (Технически, если вас интересуют более интересные вещи, это кремниевый транзистор усилителя PNP 5401B. Я объясню, что все это означает сейчас.)

Что на самом деле делает транзистор?

Фото: Компактные слуховые аппараты были одними из первых применений транзисторов, а этот датируется концом 1950-х или 1960-х годов. Он был размером с колоду игральных карт, поэтому его можно было носить в кармане пиджака или на нем. С другой стороны корпуса есть микрофон, который улавливает окружающие звуки. Вы можете ясно видеть четыре маленьких черных транзистора внутри, усиливающих эти звуки, а затем выстреливающих их в маленький динамик, который находится у вас в ухе.

Транзистор действительно прост — и действительно сложен. Давайте начнем с простая часть. Транзистор — это миниатюрный электронный компонент, который может выполнять две разные работы. Может работать как усилитель или как переключатель:

• Когда работает как усилитель, нужно в крошечном электрическом токе на одном конце ( входной ток) и производит гораздо больший электрический ток (выходной ток) на другом. Другими словами, это своего рода усилитель тока. Это входит действительно полезно в таких вещах, как слуховые аппараты, одна из первых вещей люди использовали транзисторы для.В слуховом аппарате есть крошечный микрофон. который улавливает звуки из окружающего вас мира и превращает их в колеблющиеся электрические токи. Они подаются на транзистор, который усиливает их и приводит в действие крошечный громкоговоритель, так что вы слышите гораздо более громкую версию окружающих вас звуков. Уильям Шокли, один из изобретателей транзистора, однажды объяснил студенту транзисторные усилители в более подробном виде. юмористический способ: «Если взять тюк сена и привязать его к хвост мула, а затем чиркнуть спичкой и поджечь тюк сена, и если вы затем сравните энергию, израсходованную вскоре после этого, мул с энергией, затраченной вами на зажигание спички, вы поймете концепцию усиления.«
Транзисторы
• также могут работать как переключатели. А крошечный электрический ток, протекающий через одну часть транзистора, может значительно увеличить ток течет через другую его часть. Другими словами, маленький ток переключается на больший. По сути, так работают все компьютерные микросхемы. Для например, микросхема памяти содержит сотни миллионов или даже миллиарды транзисторов, каждый из которых можно включать или выключать индивидуально. Поскольку каждый транзистор может находиться в двух различных состояниях, он может хранить два разных числа, ноль и единицу.С миллиардами транзисторов микросхема может хранить миллиарды нулей и единиц, и почти столько же обычных цифр и букв (или символов, как мы их называем). Подробнее об этом чуть позже.

Самое замечательное в машинах старого образца было то, что вы могли их отдельно, чтобы понять, как они работают. Это никогда не было слишком сложно, с немного толкать и тыкать, чтобы узнать, какой бит сделал что и как один вещь привела к другому. Но электроника совсем другая. Это все об использовании электронов для управления электричеством.Электрон — это минута частица внутри атома. Он такой маленький, весит чуть меньше 0.000000000000000000000000000001 кг! Самые современные транзисторы работают контролируя движения отдельных электронов, чтобы вы могли представьте, насколько они маленькие. В современном компьютерном чипе размер ноготь, вы, вероятно, найдете от 500 миллионов и два миллиарда отдельных транзисторов. Нет шанса разобрать транзистор, чтобы узнать, как он работает, поэтому мы должны понять это с помощью теории и воображения.Во-первых, это помогает, если мы знаем, из чего сделан транзистор.

Как делается транзистор?

Фото: Кремниевая пластина. Фото любезно предоставлено Исследовательским центром NASA Glenn Research Center (NASA-GRC).

Транзисторы изготовлены из кремния, химического элемента, содержащегося в песке, который обычно не проводит электричество (оно не позволяет электронам легко проходить через него). Кремний — полупроводник, а это значит, что он ни на самом деле проводник (что-то вроде металла, пропускающий электричество), ни изолятор (что-то вроде пластика, не пропускающего электричество).Если мы обрабатываем кремний примесями (процесс, известный как легирование), мы можем заставить его вести себя по-другому способ. Если мы добавим в кремний химические элементы мышьяк, фосфор, или сурьмы, кремний получает дополнительные «свободные» электроны — те, которые может проводить электрический ток, поэтому электроны будут вытекать об этом более естественно. Поскольку электроны имеют отрицательный заряд, кремний обработанный таким образом, называется n-типом (отрицательный тип). Мы также можем легировать кремний другими примесями, такими как бор, галлий и алюминий.В кремнии, обработанном таким образом, меньше таких «свободные» электроны, поэтому электроны в соседних материалах будут стремиться втекать в него. Мы называем этот кремний p-типом (положительным типом).

Вкратце, мимоходом, важно отметить, что ни кремний n-типа, ни p-типа на самом деле не имеет заряда сам по себе : оба электрически нейтральны. Это правда, что кремний n-типа имеет дополнительные «свободные» электроны, которые увеличивают его проводимость, в то время как кремний p-типа имеет меньше этих свободных электронов, что помогает увеличить его проводимость противоположным образом.В каждом случае дополнительная проводимость возникает из-за добавления нейтральных (незаряженных) атомов примесей к кремнию, что изначально было нейтральным — и мы не можем создавать электрические заряды из воздуха! Более подробное объяснение потребует от меня представления идеи под названием ленточная теория, что немного выходит за рамки данной статьи. Все, что нам нужно помнить, это то, что «лишние электроны» означают лишние свободных электронов — те, которые могут свободно перемещаться и помогать переносить электрический ток.

Кремниевые бутерброды

Теперь у нас есть два разных типа кремния. Если мы сложим их вместе слоями, делая бутерброды из материала p-типа и n-типа, мы можем сделать различные виды электронных компонентов, которые работают во всех видах способами.

Предположим, мы соединяем кусок кремния n-типа с частью p-типа кремний и поместите электрические контакты с обеих сторон. Увлекательно и полезно вещи начинают происходить на стыке двух материалы. Если мы обратимся по току, мы можем заставить электроны течь через переход от сторона n-типа к стороне p-типа и наружу через цепь.Этот происходит из-за отсутствия электронов на стороне p-типа переход притягивает электроны со стороны n-типа и наоборот. Но если мы меняем направление тока, электроны вообще не текут. Что мы сделанный здесь называется диодом (или выпрямителем). Это электронный компонент, который позволяет току течь через него только в одном направлении. Это полезно, если вы хотите превратить переменный (двусторонний) электрический ток в постоянный (односторонний) ток. Диоды тоже можно сделать так, чтобы они испускали светится, когда через них проходит электричество.Вы могли видеть эти светодиоды на карманных калькуляторах и электронных дисплеи на стереооборудовании Hi-Fi.

Как работает переходной транзистор

Фотография: Типичный кремниевый PNP-транзистор (A1048, разработанный как усилитель звуковой частоты).

Теперь предположим, что вместо этого мы используем три слоя кремния в нашем сэндвиче. из двух. Мы можем сделать бутерброд p-n-p (с ломтиком n-типа кремний в качестве заполнения между двумя пластинами p-типа) или n-p-n сэндвич (с p-типом между двумя плитами n-типа).Если мы присоединить электрические контакты ко всем трем слоям сэндвича, мы можем сделать компонент, который будет либо усиливать ток, либо включать его, либо выключен — другими словами, транзистор. Посмотрим, как это работает в случае n-p-n транзистор.

Итак, мы знаем, о чем говорим, давайте дадим имена трем электрические контакты. Мы назовем два контакта, соединенных с двумя кусочки кремния n-типа эмиттер и коллектор, и контакт соединенный с кремнием p-типа, который мы будем называть базой.Когда нет ток протекает в транзисторе, мы знаем, что кремний p-типа не хватает электроны (показаны здесь маленькими знаками плюс, обозначающими положительные зарядов) и два куска кремния n-типа имеют лишние электроны (показаны маленькими знаками минус, обозначающими отрицательные заряды).

Другой способ взглянуть на это — сказать, что в то время как n-тип имеет избыток электронов, p-тип имеет дырки, где электроны должно быть. Обычно отверстия в основании действуют как барьер, предотвращающий любые значительный ток от эмиттера к коллектору при транзистор находится в выключенном состоянии.

Транзистор работает, когда электроны и дырки начинают двигаться через два перехода между кремнием n-типа и p-типа.

Давай подключить транзистор к некоторой мощности. Допустим, мы прикрепляем небольшой положительное напряжение на базу, сделать эмиттер отрицательно заряженным и сделать коллектор положительно заряженным. Электроны вытягиваются из эмиттер в базу, а затем из базы в коллектор. А также транзистор переходит в состояние «включено»:

Малый ток, который мы включаем на базе, создает большой ток. поток между эмиттером и коллектором.Повернув небольшой вход ток в большой выходной ток, транзистор действует как усилитель. Но в то же время он действует как переключатель. Когда нет тока база, между коллектором и эмиттер. Включите базовый ток, и течет большой ток. Итак, база ток включает и выключает весь транзистор. Технически это тип транзистора называется биполярным, потому что два разных вида (или «полярностей») электрического заряда (отрицательные электроны и положительные отверстия) участвуют в протекании тока.

Мы также можем понять транзистор, представив его как пару диодов. С база положительная и эмиттер отрицательная, переход база-эмиттер похож на прямое смещение диод, с электронами, движущимися в одном направлении через переход (слева направо в диаграмму) и отверстия, идущие в противоположную сторону (справа налево). База-коллектор переход похож на диод с обратным смещением. Положительное напряжение коллектора тянет большая часть электронов проходит через внешнюю цепь (хотя некоторые электроны рекомбинируют с дырками в основании).

Как работает полевой транзистор (FET)

Все транзисторы работают, управляя движением электронов, но не все из них делают это одинаково. Подобно переходному транзистору, полевой транзистор (полевой транзистор) имеет три разных контакта, но они иметь названия источник (аналог эмиттера), сток (аналогично коллектор), и затвор (аналог цоколя). В полевом транзисторе слои Кремний n-типа и p-типа устроен несколько иначе и покрытый слоями металла и оксида.Это дает нам устройство под названием MOSFET (Металлооксидное полупроводниковое поле) Эффектный транзистор).

Хотя в истоке и стоке n-типа есть лишние электроны, они не могут перетекать от одного к другому из-за дыр в ворота p-типа между ними. Однако если приложить положительный напряжение на затвор, там создается электрическое поле, позволяющее электроны перетекают по тонкому каналу от истока к стоку. Этот «полевой эффект» позволяет току течь и включает транзистор:

Для полноты картины отметим, что полевой МОП-транзистор является однополярным. транзистор потому что только один («полярность») электрического заряда участвует в его работе.

Как работают транзисторы в калькуляторах и компьютерах?

На практике вам не нужно ничего знать об этом электроны и дыры, если вы не собираетесь разрабатывать компьютерные чипы для заработка! Все, что вам нужно знать, это то, что транзистор работает как усилитель или переключатель, используя небольшой ток включить более крупный. Но есть еще одна вещь, которую стоит знать: как все это помогает компьютерам хранить информацию и принимать решения?

Мы можем соединить несколько транзисторных ключей, чтобы что-то сделать. называется логическим вентилем, который сравнивает несколько входные токи и в результате дает другой выход.Логические ворота позволяют компьютерам создавать очень простые решения с использованием математической техники, называемой булевой алгеброй. Точно так же и ваш мозг принимает решения. Например, используя «входные данные» (то, что вы знаете) о погоде и о том, что у вас свой коридор, вы можете принять такое решение: «Если идет дождь И я есть зонтик, я пойду в магазины «. Это пример булевой алгебры, в которой используется так называемое И «оператор» (слово «оператор» — это просто математический жаргон, заставляют вещи казаться более сложными, чем они есть на самом деле).Ты можешь сделать аналогичные решения с другими операторами. «Если ветрено ИЛИ идет снег, тогда я надену пальто «- это пример использования оператора ИЛИ. Или как насчет «Если идет дождь, И я есть зонтик ИЛИ у меня есть пальто, тогда можно выйти на улицу «. Используя AND, ИЛИ и другие операторы, вызываемые Компьютеры NOR, XOR, NOT и NAND могут складывать или сравнивать двоичные числа. Эта идея является краеугольным камнем компьютерных программ: логическая серия инструкций, которые заставляют компьютеры действовать.

Обычно переходной транзистор выключен, когда нет базы. ток и переключается в положение «включено», когда течет базовый ток.Это значит требует электрического тока для включения или выключения транзистора. Но такие транзисторы можно подключить к логическим элементам, чтобы их выход соединения возвращаются на свои входы. Транзистор затем остается включенным, даже если базовый ток отключен. Каждый раз новый база ток течет, транзистор «переключается» или выключается. Остается в одном из эти стабильные состояния (включены или выключены) до тех пор, пока не появится другой ток приходит и переворачивает его в другую сторону. Такая аранжировка известен как триггер, и это превращает транзистор в простой запоминающее устройство, в котором хранится ноль (когда он выключен) или один (когда он на).Шлепанцы — это основная технология, лежащая в основе компьютерных микросхем памяти.

Кто изобрел транзистор?

Изображение: Оригинальный дизайн точечного транзистора, как изложено в Патент Джона Бардина и Уолтера Браттейна в США (2 524 035), поданный в июне 1948 г. (примерно через шесть месяцев после оригинальное открытие) и награжден 3 октября 1950 года. Это простой PN-транзистор с тонкий верхний слой германия P-типа (желтый) на нижнем слое германия N-типа (оранжевый).Три контакта: эмиттер (E, красный), коллектор (C, синий) и база (G, зеленый). Вы можете прочитать больше в оригинальном патентном документе, который указан в ссылках ниже. Изображение любезно предоставлено Управлением по патентам и товарным знакам США.

транзисторов были изобретены в Bell Laboratories в Нью-Джерси в 1947 году. трех блестящих физиков США: Джона Бардина (1908–1991), Уолтера Браттейн (1902–1987) и Уильям Шокли (1910–1989).

Команда, возглавляемая Шокли, пыталась разработать новый тип усилителя для телефонной системы США — но что собственно изобретенные они оказались гораздо более распространенными Приложения.Бардин и Браттейн создали первый практический транзистор (известный как точечный транзистор) во вторник, 16 декабря 1947 года. Хотя Шокли сыграл большую роль в этом проекте, он был разъяренный и взволнованный из-за того, что его оставили в стороне. Вскоре после этого во время остановиться в отеле на конференции по физике, единолично выяснил он теория переходного транзистора — устройство гораздо лучше, чем точечный транзистор.

В то время как Бардин ушел из Bell Labs, чтобы стать академиком (он продолжил пользуются еще большим успехом при изучении сверхпроводников в Университете Иллинойса), Браттейн остался на некоторое время, прежде чем уйти на пенсию, чтобы стать учителем.Шокли основал собственную компанию по производству транзисторов и помог вдохновить современный феномен «Силиконовая долина» (процветающий район вокруг Пало-Альто, Калифорния, где корпорации электроники собраны). Двое его сотрудников, Роберт Нойс и Гордон Мур, ушли чтобы основать Intel, крупнейшего в мире производителя микрочипов.

Бардин, Браттейн и Шокли ненадолго воссоединились несколько лет спустя, когда они поделились лучшими научными достижениями мира награда, Нобелевская премия по физике 1956 г., за их открытие.Их история захватывающий рассказ о интеллектуальный талант борется с мелкой ревностью, и это хорошо стоит прочтения больше о. Вы можете найти отличные отчеты об этом среди книг и веб-сайты, перечисленные ниже.

Что такое транзистор? — Определение с сайта WhatIs.com

К

Транзистор — это устройство, которое регулирует ток или напряжение и действует как переключатель или затвор для электронных сигналов. Транзисторы состоят из трех слоев полупроводникового материала, каждый из которых может проводить ток.

Транзистор был изобретен тремя учеными из Bell Laboratories в 1947 году, и он быстро заменил вакуумную лампу в качестве электронного регулятора сигнала. Транзистор регулирует ток или напряжение и действует как переключатель или затвор для электронных сигналов. Транзистор состоит из трех слоев полупроводникового материала, каждый из которых может проводить ток. Полупроводник — это такой материал, как германий и кремний, который проводит электричество «полуэнтузиазмом». Это что-то среднее между настоящим проводником, таким как медь, и изолятором (например, пластиком, обернутым вокруг проводов).

Особые свойства полупроводниковому материалу придает химический процесс, называемый легированием . Легирование приводит к получению материала, который либо добавляет дополнительные электроны к материалу (который затем называется N-типа для дополнительных отрицательных носителей заряда), либо создает «дыры» в кристаллической структуре материала (которая затем называется P-типа. , потому что это приводит к большему количеству носителей положительного заряда). Трехслойная структура транзистора содержит полупроводниковый слой N-типа, зажатый между слоями P-типа (конфигурация PNP) или слой P-типа между слоями N-типа (конфигурация NPN).

Небольшое изменение тока или напряжения на внутреннем полупроводниковом слое (который действует как управляющий электрод) вызывает большое и быстрое изменение тока, проходящего через весь компонент. Таким образом, компонент может действовать как переключатель, открывая и закрывая электронные ворота много раз в секунду. В современных компьютерах используются схемы, изготовленные с использованием технологии комплементарных металлооксидных полупроводников (CMOS). CMOS использует два дополнительных транзистора на затвор (один из материала N-типа, другой из материала P-типа).Когда один транзистор поддерживает логическое состояние, он почти не требует энергии.

Транзисторы — это основные элементы в интегральных схемах (ИС), которые состоят из очень большого количества транзисторов, соединенных между собой схемами и запеченных в единую кремниевую микросхему.

Последнее обновление: октябрь 2015 г.

Продолжить чтение о транзисторе

Что такое транзисторы?

МОП-транзисторы, транзисторы Дарлингтона и биполярные транзисторы

Транзистор используется для усиления и переключения электронных сигналов и электроэнергии.Они используются в различных схемах и бывают разных форм. Вы можете использовать транзистор в качестве переключателя или транзистор в качестве усилителя.

МОП-транзисторы

Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник — это тип транзистора, который обычно используется в цифровых и аналоговых схемах для усиления или переключения электронных сигналов. Трехполюсное устройство имеет исток (S), затвор (G) и сток (D) и доступно как в P-канале (PMOS), так и в N-канале (NMOS). МОП-транзисторы могут также называться полевыми транзисторами с изолированным затвором (IGFET) или полевыми транзисторами металл-диэлектрик-полупроводник (MISFET).Хотя на полевом МОП-транзисторе он похож на соединительный полевой транзистор (JFET), вход затвора электрически изолирован от основного канала, несущего схему.

MOSFET доступен в двух основных формах: с истощением и с расширением. Тип истощения подобен переключателю «Нормально замкнутый» и требует напряжения затвор-исток для выключения устройства. Тип расширения похож на «нормально открытый» переключатель и требует напряжения затвор-исток для включения устройства. Типичными типами упаковки являются ТО-252, ТО-251, ТО-247, ТО-220, ТО-92, СО-8, СПТ-23 и СОТ-223.

Конструкция и тип полевого МОП-транзистора

Серия BU: Приложения для усилителя (включая серию BUZ — BUZ77 и BUZ78)
Серия IRF: Применение усилителя (включая серии IRFP и IRFZ — IRF540 и IRFP350)

Щелкните здесь, чтобы увидеть полный список МОП-транзисторов.
Щелкните здесь, чтобы увидеть полный выбор SMD MOSFET-транзисторов.

Транзисторы Дарлингтона

Транзисторы Дарлингтона — это два стандартных биполярных транзистора NPN или PNP, соединенных вместе.Эмиттер одного транзистора соединен с базой другого, чтобы получить более чувствительный транзистор с гораздо большим коэффициентом усиления по току. Пары транзисторов Дарлингтона

могут состоять из двух по отдельности соединенных биполярных транзисторов или одного устройства, коммерчески выпускаемого в едином корпусе со стандартными соединительными выводами базы, эмиттера и коллектора, и доступны в широком диапазоне стилей корпуса и напряжения (и тока). ) рейтинги в версиях NPN и PNP.

Также известные как «пара Дарлингтона» или «супер-альфа-схема», транзисторы соединены вместе, так что ток эмиттера первого транзистора TR1 становится базовым током второго транзистора TR2.

Базовое соединение Дарлингтона
Щелкните здесь, чтобы увидеть полный ассортимент транзисторов Дарлингтона

Биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, более известный как транзистор с биполярным переходом (BJT), представляет собой тип транзистора, работа которого основана на контакте двух типов полупроводников. Они состоят из трех выводов: коллектора, базы и эмиттера, которые могут быть выполнены как усилители или переключатели. В зависимости от полярности они могут быть NPN или PNP.

Биполярные транзисторы работают как регуляторы тока с регулируемым током. Они ограничивают количество проходящего тока в соответствии с меньшим управляющим током. Они называются биполярными, потому что контролируемый ток должен проходить через два типа полупроводникового материала: P и N.

Биполярная конструкция

Нажмите здесь, чтобы увидеть биполярные переходные транзисторы
Нажмите здесь, чтобы узнать о биполярных транзисторах SMD

Другие типы транзисторов

Транзисторы общего назначения
Транзисторы общего назначения для поверхностного монтажа
JFETS
IGBTS
Transistor Arrays

диодов, транзисторов и полевых транзисторов | Renesas

Введение в электронные схемы: 2 из 3

В нашей предыдущей сессии мы рассмотрели наиболее распространенные пассивные элементы, используемые в электронных схемах.На этот раз мы рассмотрим полупроводники и некоторые важные активные элементы, сделанные из них: диоды, транзисторы и полевые транзисторы.

Полупроводник между проводниками и изоляторами

Полупроводники расположены посередине между проводниками и изоляторами. Это материалы, такие как кремний (Si) и германий (Ge), которые сопротивляются электрическому току лучше, чем металлы, такие как серебро и алюминий, но не так хорошо, как изоляторы, такие как кварц и керамика.

Удельное сопротивление материала зависит от плотности свободных электронов, которые могут легко перемещаться при приложении напряжения.В общем, эту плотность можно довести до любого желаемого значения путем добавления соответствующих примесей к однородному материалу. Это позволяет создавать полупроводники, которые обеспечивают необходимый уровень проводимости для поставленной цели.

Полупроводник может быть N-типа или P-типа, в зависимости от того, как через него протекает ток.

Как ток проходит через полупроводник

(1) Полупроводники N-типа

На рисунке 1 показана типичная структура полупроводника N-типа.Этот полупроводник состоит из кристалла кремния, легированного атомами фосфора (P). Атом фосфора имеет пять валентных электронов, четыре из которых образуют прочные ковалентные связи с соседними атомами кремния, а пятый остается свободным. При комнатной температуре свободные электроны часто меняются местами с соседними связанными электронами; или, другими словами, любой данный электрон иногда будет связан, а иногда и свободен. В результате всегда есть запас свободных подвижных электронов, способных переносить ток.Этот вид полупроводника называется «N-типом», потому что он в основном использует свои (отрицательно заряженные) электроны для переноса тока. Между тем, донорные (легирующие) атомы, отдающие электрон в этот процесс, приобретают положительный заряд.

Рисунок 1: Структура полупроводника N-типа

(2) Полупроводники P-типа

На рисунке 2 показана структура полупроводника P-типа. В этом случае кристалл кремния был легирован атомами бора (B).Опять же, каждый атом кремния имеет четыре валентных электрона; но атомы бора, которых всего три, «недостаточны». Только небольшое количество кинетической энергии необходимо, чтобы освободить электрон от соседнего атома кремния; затем этот электрон быстро «принимается» атомом бора. В атоме кремния, однако, теперь остается «дыра», которая вскоре притягивает электрон из другого ближайшего атома кремния. По мере продолжения процесса отверстия «перемещаются», производя ток. Такой полупроводник называется «P-типом», так как большая часть его тока проходит через дырки.Атомы примеси, которые принимают электрон в этом процессе, становятся отрицательно заряженными.

Рисунок 2: Структура полупроводника P-типа

Диоды: улица с односторонним движением

Полупроводниковый диод состоит из полупроводника P-типа с одной стороны и полупроводника N-типа с другой. Носители с каждой стороны диффундируют через центральную область (соединение P-N) и объединяются в пары, создавая центральную область, в которой нет носителей. Электрически заряженные примеси в этой области образуют электрическую границу, которая останавливает дальнейшую диффузию и образование пар.Эта граничная область, свободная от носителей, называется обедненным слоем.

Если положительное напряжение приложено к клемме со стороны P-типа диода и отрицательное напряжение к клемме со стороны N-типа, это «прямое» напряжение будет подталкивать больше несущих (отверстия на стороне P-типа , электроны на стороне N-типа) в обедненный слой, делая его более узким и заставляя больше носителей диффундировать через границу, образовывать пары и исчезать. Между тем, приложенное напряжение генерирует ток, который продолжает подавать больше носителей, так что ток может продолжать течь.

Если, однако, приложено напряжение обратного смещения (отрицательное на стороне P, положительное на стороне N-типа), то это напряжение будет отодвигать носители от центра к соответствующим клеммам, расширяя слой обеднения, так что текущий поток заблокирован.

Рисунок 3: Структура диода с PN-переходом

В результате диод пропускает ток только в одном направлении (называемом прямым направлением) и блокирует движение тока в другом направлении (обратном направлении).Используемый таким образом диод также называется выпрямителем: компонент, пропускающий ток только в одном направлении.

Напряжение и сила тока диода

На рисунке 4 показаны электрические характеристики диода. Обратите внимание, что никакого тока не будет вообще ― даже в прямом направлении ―, если не будет подано напряжение. Напряжение, необходимое для начала протекания тока в прямом направлении, варьируется в зависимости от материала полупроводника: от 0,7 до 0,8 В для кремниевого диода, около 0.2 В для диода с барьером Шоттки и от 2 до 5 В или более для светодиода (LED).

Для протекания тока в обратном направлении потребуется значительно более высокое напряжение; Термин «напряжение пробоя» относится к обратному напряжению, выше которого ток увеличивается очень быстро с увеличением напряжения. Поскольку это напряжение пробоя по существу не зависит от тока, эти характеристики обратного напряжения могут использоваться для реализации регуляторов напряжения и других подобных функций.

Рисунок 4: Характеристики напряжения и тока диода

Твердотельный транзистор: основной компонент, впервые запущенный в эксплуатацию

Биполярный транзистор (в отличие от полевого транзистора, описанного ниже) состоит из центра P-типа или N-типа, зажатого между внешними поверхностями N-типа или P-типа. Существует два основных типа: NPN-типа (с P-типом в центре) и PNP-типа (с N-типом в центре).

На рисунке 5 показана работа транзистора NPN.База и эмиттер, вместе взятые, имеют такую ​​же структуру, как диод. В этом примере приложение прямого напряжения (около 0,7 В) вызывает протекание базового тока (I _B ), так что много свободных электронов перемещаются из области эмиттера в область базы. Если эмиттер выкачивает больше носителей, чем может быть рекомбинировано в базовой области, избыточные свободные электроны перемещаются в область коллектора в соответствии с приложенным напряжением E ₂ . В типичном приложении количество свободных электронов, выходящих из эмиттера, будет в 10-100 раз больше количества, которое может рекомбинировать в базовой области.Таким образом, ток коллектора (I _C ) будет превышать I _B на тот же коэффициент (от 10 до 100). Если I _B равен 0, то I _C также будет 0, поскольку эмиттер не будет высвобождать несущие.

Рисунок 5: NPN-транзистор

Другими словами, прямой ток I _B между базой и эмиттером эффективно управляет током I _C между эмиттером и коллектором. Благодаря этой особенности транзисторы могут использоваться отдельно для реализации переключателей и усилителей, при этом они также являются наиболее важным компонентом в современной электронной схеме.Их можно комбинировать множеством различных способов для создания множества сложных схем.

Транзисторы как переключатели

Как объяснялось выше, транзистор может производить ток коллектора, который во много раз превышает ток его базы. Отношение тока коллектора к току базы называется коэффициентом усиления прямого тока или hFE. Это усиление может принимать значение от 100 до 700.

Как видно из схемы, показанной на Рисунке 6, подача 0 В на вывод IN приводит к нулевому току базы и, следовательно, нулевому току коллектора.Соответственно, нет тока через сопротивление нагрузки R _L , а выход на клемме OUT составляет 12 В.

Теперь, если мы подадим достаточно высокое напряжение между базой и эмиттером (обычно около 0,7 В или выше по сравнению с 0 В), это вызовет протекание базового тока, который, в свою очередь, создаст ток коллектора, который в hFE умножает на базу. Текущий; за исключением того, что фактический ток будет ограничен резистивной нагрузкой R _L до значения ((12 В — Vce-sat (напряжение насыщения)) / R _L ).Этот тип коммутационной схемы часто используется, чтобы позволить микроконтроллеру, логической ИС или подобному небольшому компоненту управлять энергоемким устройством, которое он не может управлять напрямую, например, светодиодным индикатором питания, реле или двигателем постоянного тока.

Рисунок 6: Транзистор, работающий как переключатель

Ключевой компонент интегральных схем

Существует два основных типа полевых транзисторов (полевых транзисторов): полевые МОП-транзисторы (полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник) и полевые транзисторы с переходным соединением.В частности, полевые МОП-транзисторы имеют более плоскую структуру, чем биполярные транзисторы, рассмотренные выше, могут быть размещены ближе друг к другу, не подвергаясь перекрестным помехам, и могут работать с низким энергопотреблением. Поэтому они поддерживают лучшую интеграцию и миниатюризацию и стали важными компонентами ИС и БИС. Давайте кратко рассмотрим, как работает полевой МОП-транзистор.

На рисунке 7 показан МОП-транзистор N-типа. Он имеет вывод затвора («G»), под которым находится оксидная пленка, служащая изолятором. Также имеется вывод истока («S») с одной стороны от G и вывод стока («D») с другой стороны.Когда между затвором и истоком нет напряжения, полупроводник P-типа, разделяющий исток и сток, действует как изолятор. Таким образом, ток не течет между истоком и стоком.

Рисунок 7: МОП-транзистор N-типа

Когда на затвор подается напряжение, оно притягивает и подтягивает свободные электроны, которые находятся прямо под затвором, в результате чего этих электронов становится много в области между истоком и стоком. Эти электроны образуют канал, по которому теперь может свободно течь ток.

Другими словами, напряжение затвора используется для управления током между истоком и стоком. МОП-транзисторы в основном используются в схемах переключателей и усилителей. Их также можно использовать для обеспечения постоянного тока, поскольку приложение фиксированного напряжения на затворе будет генерировать фиксированный ток между истоком и стоком.

На MOSFET N-типа канал является N-типом. На МОП-транзисторе P-типа канал является P-типом.

КМОП-полупроводники: важный элемент цифровых схем

Полупроводник CMOS (комплементарный MOS) — это набор полевых МОП-транзисторов, подключенных, как показано на рисунке 8.Когда на клемму IN подается напряжение 0 В или VCC, то один или другой из этих полевых МОП-транзисторов будет включен. Это означает, что между VCC и GND почти нет тока. Поэтому устройства CMOS хороши для создания логических схем с низким энергопотреблением. Большинство современных БИС и ИС построены по технологии CMOS.

Рисунок 8: Инвертор CMOS

На следующем занятии мы узнаем об основных ИС и операционных усилителях, используемых для усиления аналоговых сигналов.

Список модулей

1. Пассивные элементы
2. Диоды, транзисторы и полевые транзисторы
3. Операционные усилители, схема компаратора

Транзисторы — мир современных электронов | ОРЕЛ

Добро пожаловать в мир современной электроники! У нас есть самопосадочные ракетные корабли, дроны, которые доставят посылки к вашему порогу за считанные минуты, и вездеходы, прочесывающие самые дальние уголки нашей галактики.Без знаменитого транзистора ни одно из этих современных чудес никогда не было бы возможным! Миллионы этих транзисторов втиснуты в микропроцессор, питающий ваш компьютер, но что, черт возьми, они там делают?

Давай узнаем.

Просто прославленный коммутатор?

Транзистор сравнивают с простым переключателем, но не обманывайтесь; это гораздо больше. Транзистор выполняет две важные задачи, в том числе:

Усиливающий ток

Транзистор может взять небольшой ток и превратить его в огромный! Подумайте о слуховых аппаратах; они содержат миниатюрный микрофон, который улавливает звук из повседневной среды, который затем поглощается транзистором и превращается в мощный звук, который может слышать больное человеческое ухо.Мой дедушка передает привет, Транзистор.

Ой, как далеко продвинулся слуховой аппарат благодаря транзистору. (Источник изображения)

Коммутируемый ток

Транзисторы

также работают как мощный переключатель, позволяя току течь только при соблюдении определенных условий. Когда току позволяют течь, это создает состояние «включено», или 1. Когда ток не может протекать, транзистор находится в состоянии «выключено», или 0. Эта двоичная система единиц и нулей формирует строительные блоки нашего мира современной электроники.

Эта знаменитая сцена из «Матрицы» обретает новую жизнь, когда вы понимаете, как это происходит с помощью транзисторов! (Источник изображения)

Как заставить транзистор работать

Если сложить два диода, то получится транзистор! Транзисторы имеют три вывода, каждый из которых выполняет свои собственные специализированные функции. В демонстрационных целях мы сосредоточимся на транзисторе NPN. Мы объясним более подробно ниже.

• База. База отвечает за контроль того, может ли ток течь через транзистор при подаче питания.Вы можете думать о нем как о привратнике.
• Коллекционер. Когда на базу подается питание, ток коллектора может течь по направлению к эмиттеру.
• Эмиттер. Эмиттер принимает электрический ток, который может послать коллектор, для использования в других частях вашей цепи.

Простая схема, показывающая, как база позволяет току течь от эмиттера к коллектору. (Источник изображения)

Небольшое количество электрического тока, которое получает база, открывает ток от коллектора, чтобы выпустить его (больший) ток.Сбрасывает весь накопленный ток на эмиттер, запитывая другие части вашей цепи.

Но если убрать источник тока с базы, то ток не будет течь между коллектором и эмиттером. Этот процесс как управления током, так и его усиления между базой и эмиттером — вот что делает транзистор действительно единственным в своем роде компонентом.

Другой легированный компонент

Как и его младший брат диод, транзистор представляет собой еще один полупроводниковый компонент, сделанный из кремния.Что такое полупроводник? Это материал, который находится где-то посередине между проводником (материалом, через который любит течь электричество) и изолятором (материалом, которого избегает электричество). Похоже на нерешительность, правда?

Полупроводники бывают разных форм и размеров в промышленных формах, как эта интегральная схема. (Источник изображения)

Добавляя примеси в полупроводники, известные как легирование, мы можем добиться уникального поведения этих материалов.Например:

• Создание кремния N-типа. Допирование кремния химическим элементом мышьяком, фосфором или сурьмой даст нашему кремнию дополнительные электроны, позволяя ему проводить электрический ток. Это создает кремний n-типа.
• Создание кремния P-типа. Допирование кремния химическими элементами бором, галлием или алюминием лишает кремний свободных электронов, притягивая внешние электроны. Это создает кремний p-типа.
• Создание транзисторов. Когда вы соединяете эти два типа кремния, рождаются транзисторы! Они объединены в «кремниевый сэндвич», который позволяет току течь интересными способами.

Теперь у нас есть сырые ингредиенты для транзистора, кремний n-типа и кремний p-типа, но как они вместе образуют этот компонент? Есть два способа построить транзистор:

Транзисторы NPN

Эти транзисторы создаются при соединении трех слоев кремния, включая два кремния n-типа и один кремний p-типа.N-типы служат коллектором и эмиттером, а p-тип — базой. Все это вместе формирует так называемый NPN-транзистор. В этих транзисторах электроны переходят от эмиттера к коллектору после получения разрешения от базы.

Транзисторы PNP

Эти транзисторы рождаются, когда вы объединяете вместе еще три слоя кремния, только в другой комбинации. В данном случае мы имеем два силикона p-типа и один кремний n-типа.Эта комбинация создает эффект, обратный NPN-транзистору, где вместо того, чтобы посылать ток на эмиттер, коллектор посылает положительно заряженные «дыры» на коллектор. Вы можете думать об этих дырах как о пустых пространствах, в которых нет электронов.

Простой способ визуализировать, как кремний собран вместе в транзисторе.

Типы транзисторов

, с которыми вы столкнетесь

Во время своего путешествия в мир электроники вы обязательно столкнетесь с двумя основными типами транзисторов — биполярным переходным транзистором (BJT) и полевым транзистором (FET).Давайте посмотрим на каждый:

Биполярный переходной транзистор (BJT)

Это транзистор, о котором мы говорили во всех наших примерах. Он поставляется в двух версиях, NPN и PNP, и имеет три клеммы, базу, эмиттер и коллектор. Вам знаком схематический символ ниже? Если диод пришел в голову, значит вы уже близко! Три клеммы соединительных транзисторов будут помечены стрелкой, показывающей, в каком направлении будет течь ток.

Транзисторы NPN и PNP, обратите внимание, как стрелка показывает поток тока для каждого из них.

В NPN-транзисторе все, что вам нужно, — это приложить к базе напряжение около 0,7 В, чтобы получить огромный скачок тока, протекающего через коллектор к эмиттеру. Это включит транзистор, создав двоичную единицу.

Полевой транзистор (FET)

Полевой транзистор появился на свет после BJT, и, хотя у него три вывода, они названы немного по-другому.У вас есть затвор , который похож на базу, исток , который аналогичен коллектору, и, наконец, сток , который похож на эмиттер. Этот тип транзистора также включает слои кремния n-типа и p-типа, но они покрыты слоями металлов и ионов кислорода, что дало этому транзистору уникальное название MOSFET (полевой транзистор с оксидным полупроводником). Это полный рот!

Два типа полевых транзисторов, n-канальный и p-канальный.(Источник изображения)

В транзисторах этого типа подключение положительного напряжения к затвору позволяет электронам проходить через очень тонкий канал между истоком и стоком. И хотя этот процесс визуально отличается, это тот же основной принцип: небольшое количество тока позволяет протекать большему источнику тока.

Эго и рождение транзистора

Это изобретение возникло в недрах лабораторий Белла в Нью-Джерси тремя физиками: Джоном Бардином, Уолтером Браттейном и Уильямом Шокли.Команда была собрана под руководством Шокли для разработки замены ненадежной вакуумной лампе, которая использовалась для усиления сигналов в телефонной системе США.

С этим трио дела идут плохо.

Три блестящих физика работают над заменой вакуумной лампы. (Источник изображения)

Во-первых, и Бардин, и Браттейн ушли работать самостоятельно, создав то, что мы теперь знаем как первый транзистор с точечным контактом, 16 декабря 1947 года.Они намеренно исключили Шокли из всего процесса, и, возможно, по уважительной причине, поскольку он, как сообщается, был немного придурком.

Конечно, Шокли был расстроен тем, что его оставили в стороне, так что же он сделал? Он заперся в гостиничном номере на несколько дней с карандашом и бумагой, а позже изложил теорию известного теперь переходного транзистора, который был гораздо более технологичен, чем точечный транзистор.

Шокей — 1, Бардин и Браттейн — 0.

Не очень гламурный первый транзистор, созданный на пластине германия.(Источник изображения)

В конце концов, все трое этих джентльменов получили признание за изобретение транзистора. Шокли даже основал свою собственную компанию по производству полупроводников, Shockley Semiconductor Laboratory, и после серьезной ссоры с некоторыми из его сотрудников, Intel и Fairchild Semiconductor родились после компании Шокли.

Bell Labs и не только

С момента своего создания в Bell Labs транзистор имеет дикая и безумная история.Промышленные транзисторы использовались в качестве усилителей, и именно в 1952 году стали доступны первые транзисторные слуховые аппараты. Но это не совсем помогло производителям и потребителям, которые по-прежнему считали технологию электронных ламп единственным вариантом усиления.

Обратите внимание на разницу в размерах! Первый транзисторный слуховой аппарат (вверху) и ламповый слуховой аппарат (внизу). (Источник изображения)

Это восприятие вскоре изменилось, когда в радио появились транзисторы.Звуки можно было послать через микрофон, превратить в электрическую цепь и усилить с помощью транзистора, чтобы произвести довольно удивительные звуки в таком маленьком корпусе.

Настоящим гвоздем в гроб для электронных ламп стал карманный радиоприемник, разработанный Texas Instruments в 1954 году и получивший название Regency TR-1. Этому миниатюрному радиоприемнику требовалось несколько новых деталей, чтобы поместиться в таком маленьком корпусе, включая тщательно спроектированные динамики, конденсаторы и, конечно же, транзисторы.

Благо вся эта инженерия?

Texas Instruments доказала, что транзисторы могут быть массовыми и экономичными.И такие компании, как Emerson, General Electric и Raytheon, наконец, начали серьезно относиться к транзисторам.

Первое в мире карманное радио на транзисторе. (Источник изображения)

1954 ознаменовал замену кремния в качестве предпочтительного материала для производства транзисторов, который оказался более надежным и менее дорогим в производстве, чем транзисторы на основе германия. Достижения продолжались в течение 60-х годов, и в 1970-х годах появился первый полевой МОП-транзистор, основанный на успехе переходного транзистора Уильяма Шокли.

Что ждет транзисторы в будущем?

Что ж, это еще предстоит выяснить. В настоящее время ученые работают над первым в мире молекулярным транзистором, состоящим из одной молекулы бензола. Этот тип транзисторов не выделяет столько тепла, сколько наши современные кремниевые транзисторы.

Мы также пытаемся заменить кремний графеном, который может переносить электроны намного быстрее, чем кремний. Единственное зависание? Мы до сих пор не можем придумать, как надежно производить графен.Если мы сможем заставить его работать по разумной цене, графен сделает наши компьютерные процессоры в 1000 раз быстрее, чем кремний.

Роль транзисторов в вычислительной технике

Давайте вернемся в настоящее, чтобы понять, как транзисторы полностью изменили компьютеры в двух областях — логике и памяти.

Транзисторы и логика

Соединив множество транзисторов вместе, вы можете создать нечто, называемое логическим вентилем. Это позволяет вам сравнивать входящие токи и отправлять разные выходы в зависимости от вашей запрограммированной логики.

Эти логические элементы позволяют компьютеру принимать решения с помощью булевой алгебры. Если вы пробовали программировать, они должны быть вам знакомы, включая логические значения, такие как AND, OR, NOT и т. Д. Объединение всей этой логики вместе — вот что заставляет наше компьютерное программное обеспечение работать, предоставляя серию инструкций для наших компьютеров. .

Транзисторы и память Транзисторы

также используются для питания всей памяти в наших компьютерах. Подключив логические вентили по определенному шаблону, вы можете создать выходные соединения, которые обратятся к входным соединениям.Это создает своего рода схему, при которой транзисторы будут оставаться включенными даже после того, как их базовый ток будет снят, оставляя транзистор в так называемом стабильном состоянии: включено или выключено. Умножьте это на миллионы или миллиарды транзисторов со стабильным состоянием, и вскоре вы обнаружите, что постоянно включаются и отключаются транзисторы, которые могут хранить данные как в единицах, так и в виде нулей.

Они идут меньше, но где они остановятся, никто не знает!

Появившись только около 70 лет назад, транзисторы были чертовски быстры, выросли с десятков до сотен, а теперь даже миллионов и миллиардов транзисторов в наших повседневных вычислительных устройствах! Эти полупроводниковые компоненты завершают наш взгляд на увлекательный мир активных компонентов, которые играют динамическую роль в развитии наших электронных разработок.

Можем ли мы продолжать использовать все больше и больше транзисторов в наших интегральных схемах, как гласит закон Мура? Мы начинаем достигать физических пределов кремния и электронов. Похоже, пора вложить деньги в исследования и разработки графена и фотонов. Мир современной электроники ждет!

Знаете ли вы, что Autodesk EAGLE предлагает массу бесплатных библиотек транзисторов, готовых к использованию? Попробуйте Autodesk EAGLE бесплатно сегодня, чтобы начать работу!

Транзисторы

: ключ к современной электронике

Транзисторы

: ключ к современной электронике

Изобретенные в 1947 году, точечные транзисторы быстро произвели революцию в электронике, заменив громоздкие и хрупкие электронные лампы, которые сами заменили реле в 1907 году.Изобретение транзисторов открыло дорогу меньшим, более дешевым, практичным и доступным компьютерам, калькуляторам, радиоприемникам и другим устройствам. Современные компьютеры и интеллектуальные устройства содержат от сотен миллионов до миллиардов крошечных транзисторов, упакованных внутри микрочипов. Но что такое транзистор и для чего он нужен?

Назначение транзистора

Транзистор может выполнять две основные функции: действовать как усилитель или действовать как переключатель. В качестве усилителя он потребляет небольшой входной ток и производит гораздо больший выходной ток.Примером может служить набор транзисторов в слуховом аппарате. Он воспринимает относительно тихий окружающий звук и воспроизводит его через крошечный динамик на гораздо большей громкости.

В качестве переключателя небольшой электрический ток, который проходит в одну часть транзистора, включает переключатель, создавая больший ток, протекающий через другую часть транзистора. Так работают компьютерные чипы. Каждый из сотен миллионов или миллиардов транзисторов внутри микросхемы может быть индивидуально включен или выключен.Если вы думаете о выключенном состоянии как о нуле, а о включенном как о единице, вы понимаете основы двоичного кода — языка компьютеров.

Наряду с формой логики, известной как булева алгебра, в которой все переменные либо истинны, либо ложны (единица или ноль), двоичный код поддерживает все функции компьютера и интеллектуальных устройств. Все транзисторы внутри микросхемы работают в тандеме, непрерывно переключаясь между единицами и нулями (вкл. Или выкл.) Для выполнения сложных вычислений почти мгновенно.

Из чего сделаны транзисторы?

Транзисторы изготовлены из кремния, полупроводника, который является основным химическим элементом в песке.Он может быть «легирован» (обработан) определенными примесями для отрицательного заряда (n-тип) или положительного заряда (p-тип). Кремний N-типа легче теряет электроны, а кремний p-типа легче их приобретает.

От диодов к транзисторам

Присоединение кремния p-типа к кремнию p-типа и добавление электрических контактов заставляет электроны проходить через переход со стороны n-типа на сторону p-типа, а затем выходить через цепь, но изменение направления тока останавливает поток электронов все вместе.Этот тип перехода известен как диод, который позволяет току течь только в одном направлении. Его можно использовать для преобразования переменного тока в постоянный или для включения света при протекании электричества. Возможно, вы знакомы со светодиодами на электронных дисплеях.

Соединительный транзистор — это еще один шаг вперед, чем диод. Вместо простого соединения одного слоя кремния p-типа с одним слоем кремния n-типа теперь есть три слоя: n-p-n. У каждого среза есть электрические контакты.Контакты кремниевых частей n-типа являются эмиттером и коллектором, а контакты p-типа — базой. Помните, что база заряжена положительно (меньше электронов), а эмиттер и коллектор заряжены отрицательно (лишние электроны). При подаче положительного напряжения электроны перемещаются от эмиттера к базе, а затем от базы к коллектору. Таким образом, транзистор действует как переключатель (включается при подаче тока) и как усилитель (преобразует небольшой входной ток в большой выходной ток).

Полевой транзистор (FET) также имеет слои кремния n-типа и p-типа, но они устроены иначе и покрыты оксидами металлов. В этом случае кремний p-типа действует как затвор, предотвращая перемещение электронов между слоями кремния n-типа. Когда электрический заряд прикладывается к затвору, создается электрическое поле, которое обеспечивает тонкий канал непосредственно от одного слоя кремния n-типа к другому.

Вьетнамки

Транзисторы

обычно питаются от электрического тока, но их можно подключить к логическим элементам, которые возвращают их выходы на их входы.Это означает, что транзистор останется в стабильном состоянии (включен или выключен) даже после снятия тока. Он не изменит своего положения, пока новый ток не заставит его перевернуться в другую сторону. Эта схема «триггера» лежит в основе современных компьютерных микросхем памяти.

Готовы начать работу?

Здесь, в Quest Components, мы стремимся предоставить вам информацию, необходимую для того, чтобы ваш бизнес продолжал работать бесперебойно. Компания Quest Components, имеющая сертификат ISO 9001: 2015 со штаб-квартирой в промышленности, Калифорния, специализируется на пассивных и активных компонентах уровня платы.Мы также предоставляем различные услуги OEM-производителям (производителям оригинального оборудования) и CEM (контрактным производителям электроники) по всему миру. Свяжитесь с Quest Components сегодня по телефону 626-333-5858, чтобы получить все необходимые электронные компоненты!

Большой приклад. Быстрый ответ. Умные люди.

Транзисторы

Номер детали		Пакет	Образ пакета	Спецификации
SFT2369A2GW		15	0 руб.10	20		120	$ 0,50			18	500,00 $		1 000,00 долл. США	Крыло чайки		TR0045C.PDF какое-то сообщение здесь
SFT4959		18	0 руб.03	20		200	$ 0,20				1 000,00 долл. США			К-72		TR0001A.PDF какое-то сообщение здесь
SFT2805		20	0 руб.03	40		200	$ 0,50							К-77		TR0139A.PDF какое-то сообщение здесь
SFT4957A2GW		30	0 руб.03	30		165	$ 0,20							Крыло чайки		TR0077A.PDF какое-то сообщение здесь
SFT3906A2GW		40	0 руб.20	30			$ 0,60			300	250,00 $			Крыло чайки		TR0038C.PDF какое-то сообщение здесь
SFT3904A2GW		40	0 руб.20	30			$ 0,60			250	300,00 $			Крыло чайки		TR0034C.PDF какое-то сообщение здесь
SFT3	A2GW		40	0 руб.20	30			$ 0,60			300	300,00 $			Крыло чайки		TR0036C.PDF какое-то сообщение здесь
SFT3852 / 59		40	5 долларов США.00	15	50,00 $		23,00 $		715,00 $	900	20,00 $	38,00 $		TO-59 (3 контакта)		TR0085A.PDF какое-то сообщение здесь
SPT165		45	0 руб.01	10		120	$ 0,25							К-33		TR0010A.PDF какое-то сообщение здесь
SFT2222A / 18		50	0 руб.80	30			$ 0,50			300	250,00 $			К-18		TR0116C.PDF какое-то сообщение здесь
SFT2222A / 46		50	0 руб.80	30			$ 0,50			300	250,00 $			К-46		TR0116C.PDF какое-то сообщение здесь
SFT2222A2GW		50	0 руб.80	30			$ 0,66			300	250,00 $			Крыло чайки		TR0030G.PDF какое-то сообщение здесь
SFT2222A-4		50	0 руб.80	30			$ 0,50			300	250,00 $			LCC4		TR0116C.PDF какое-то сообщение здесь
SFT2907A / 46		60	0 руб.60	50			$ 0,50			300	200,00 $			К-46		TR0022C.PDF какое-то сообщение здесь
SFT85707GW		60	0 руб.60	50			$ 0,66			300	200,00 $			Крыло чайки		TR0079D.PDF какое-то сообщение здесь
SFT4399 / 3		60	30 долларов.00	5			5,00 $		1,25 долл. США	2,5				К-3		TR0141A.PDF какое-то сообщение здесь
SFT2907A2GW		60	0 руб.60	50			$ 0,66			300	200,00 $			Крыло чайки		TR0031J.PDF какое-то сообщение здесь
SFT2907A-4		60	0 руб.60	50			$ 0,50			300	200,00 $			LCC4		TR0022C.PDF какое-то сообщение здесь
SFT2907A / 18		60	0 руб.60	50			$ 0,50			300	200,00 $			К-18		TR0022C.PDF какое-то сообщение здесь
SPT35P3		60	$ 4.00	2000			60,00 $							К-3		TR0080D.PDF какое-то сообщение здесь
SFT4407S.22		60	2,00 $	20	53,00 $	80	$ 5,50		65,00 $	90	100,00 $	150,00 $		SMD.22		TR0138A.PDF какое-то сообщение здесь
SFT22907GW		60	$ 0,60	30			0 руб.66			300	200,00 $			Крыло чайки		TR0032F.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5333S.22		70	2,00 $	40	140,00 $		15,00 $		430,00 $	450	85,00 $	100,00 $		SMD.22		TR0098B.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5333A		70	2,00 $	40			15 долларов США.00			450	85,00 $			К-5		TR0054C.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5333		70	2 доллара.00	40			$ 6.60			450	85,00 $			К-5		TR0002C.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5153 / 5		80	10 долларов США.00	40			10,00 $			1500	70,00 $			К-5		TR0109E.PDF какое-то сообщение здесь
SPT5006S1		80	10 долларов США.00	20			100,00 $			2200	30,00 $			SMD1		TR0113A.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5553AJ		80	5 долларов США.00	25	35,00 $	120	20,00 $		1 500,00 долл. США	1600	40,00 $	60,00 $		К-257		TR0015H.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5152S.5		80	10,00 $	20			10,00 $			1500	60,00 $			SMD.5		TR0110C.PDF какое-то сообщение здесь
SFT6039 / 5		80	4,00 $	100	6000,00 долл. США					2700				К-5		TR0121B.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5151J		80	10,00 $	20			10 долларов США.00			1500	60,00 $			К-257		TR0109E.PDF какое-то сообщение здесь
SPT5006 / 61		80	10 долларов США.00	20			100,00 $			2200	30,00 $			TO-61 (3 контакта)		TR0113A.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5553AG		80	5 долларов США.00	25	35,00 $	120	40,00 $		1 500,00 долл. США	1600	40,00 $	60,00 $		Cerpack		TR0015H.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5152G		80	10 долларов США.00	20			10,00 $			1500	60,00 $			Cerpack		TR0110C.PDF какое-то сообщение здесь
SFT6036S.3		80	4,00 $	100	900,00 $		28,50 $		$ 1 050,00					SMD.3		TR0120B.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5001J		80	5,00 $	30			30 долларов.00			500	80,00 $			К-257		TR0099B.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5151 / 5		80	10 долларов США.00	20			10,00 $			1500	60,00 $			К-5		TR0109E.PDF какое-то сообщение здесь
SFT4373S.22		80	$ 1,50	35	76,60 $		$ 6.60		320,00 $	500	80,00 $	100,00 $		SMD.22		TR0122A.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5153S.5		80	10,00 $	40			10 долларов США.00			1500	70,00 $			SMD.5		TR0109E.PDF какое-то сообщение здесь
SPT5008M		80	10 долларов США.00	45			100,00 $			2200	40,00 $			К-254		TR0113A.PDF какое-то сообщение здесь
SFT6036J		80	$ 4.00	100	900,00 $		20,00 $		$ 1 050,00					К-257		TR0120B.PDF какое-то сообщение здесь
SFT3019-4		80	$ 1.00	50			5,00 $							LCC4		TR0024A.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5001 / 59		80	5 долларов США.00	30			30,00 $			500	80,00 $			TO-59 (3 контакта)		TR0099B.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5154S.5		80	10,00 $	40			10,00 $			1500	70,00 $			SMD.5		TR0110C.PDF какое-то сообщение здесь
SFT6039S.5		80	4,00 $	100	6000,00 долл. США		31 доллар.00			2700				SMD.5		TR0121B.PDF какое-то сообщение здесь
SFT4300		80	2 доллара.00	50			$ 6.60			1500	80,00 $			К-5		XN0029E.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5153G		80	10 долларов США.00	40			10,00 $			1500	70,00 $			Cerpack		TR0109E.PDF какое-то сообщение здесь
SPT5008 / 3		80	10 долларов США.00	45			100,00 $			2200	40,00 $			К-3		TR0113A.PDF какое-то сообщение здесь
SFT5553AJR		80	5 долларов США. Читайте также Что делать, если грудничок не спит днем: советы по налаживанию режима сна Антигистаминные препараты для новорожденных: лечение и профилактика аллергии у грудничков Методика «Цветоник» М. Лазарева для музыкального развития детей Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт