Китай Пассивированный Стеклом Диод, Китай Пассивированный Стеклом Диод список товаров на ru.Made-in-China.com
Цена FOB для Справки:
10,00 $ / шт.
MOQ:
5 шт.
- Технология производства: Дискретное Устройство
- Материал: Элементарный Полупроводник
- Тип: Р-образный Полупроводник
- Пакет: СМД
- Обработка сигнала: Аналоговый Цифровой Composite и функции
- Упаковка: Carton Box Depended on Qty
-
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями
Поставщики, проверенные инспекционными службами Sailing Commercial (Tianjin) Co.
, Ltd.
- провинция: Tianjin, China
, Ltd.
| 1N4944 | 1N4944, Диод ультрабыстрый 1 А 400В [DO-41] | Подробнее |
| 1N914 | 1N914, Диод 75 мА 75В 5нс [DO-35] | Подробнее |
| 2Д707АС9 | 2Д707АС9, Кремниевый импульсный набор двух последовательно соединенных диодов [КТ-46А / SOT-23] | Подробнее |
| BA159 | BA159, Диод 1А 1000В [DO-41] | Подробнее |
| BAS28,215 | BAS28.215, 2 х диод высокоскоростной 75В 215мА 250мВт 4нс [SOT-143] | Подробнее |
| BAV199,215 | BAV199. | Подробнее |
| BAV199E6327HTSA1 | BAV199E6327HTSA1, 2 диода, 70В, 200мА, 6нс, последовательные [SOT-23] | Подробнее |
| BAV21,113 | BAV21.113, Диод 250мА 200В 50нс [DO-35] | Подробнее |
| BAV23S | BAV23S, Диод 0.2А 250В 50нс [SOT-23] | Подробнее |
| BAV70,215 | BAV70.215, Диод двойной, 100В/215мА, общий катод, (=КД704АС9), [SOT-23] | Подробнее |
| BAV70LT1G | BAV70LT1G, Диод (=КД704АС9), [SOT-23] | Подробнее |
| BAV70-TP | BAV70-TP [REEL 3000], Диод двойной, общий катод, 75В, 0.15А [SOT-23] | Подробнее |
| BAV74 | BAV74, Диод, SOT-23 SMD (КД629АС9) | Подробнее |
| BAV99,215 | BAV99. | Подробнее |
| BAV99LT1G | BAV99LT1G, Диод 6нс 100В 215мА [SOT-23] | Подробнее |
| BAV99S | BAV99S | Подробнее |
| BAV99-TP | BAV99-TP [REEL 3000], Диод двойной, общий катод/анод, 70В, 0.2A [SOT-23] | Подробнее |
| BAV99W | BAV99W, Диод, Small Signal, 0.2А 80В [SOT-323] | Подробнее |
215, 2 диода, 70В, 200мА, 6нс, последовательные [SOT-23] (JYp, JYt, JYW)
215, Диод 6нс 100В 215мА [SOT-23]Чтоб расшифровать радиодетали с первыми символами кода U1, ознакомьтесь с краткой справочной таблицей функций и технических характеристик на различные планарные диоды, инверторы, стабилитроны, микросхемы, транзисторы и другие смд детали. Более подробно ищите параметры в PDF даташитах через поиск. Если встречаются одинаковые по коду SMD радиодетали, но разные по функционалу, нужно смотреть на вид корпуса и выбирать по подходящему (ссылка под таблицей).
При расшифровке кодов учитывайте, что символы «О» и «0» (ноль и круглая буква) считаются одинаковыми.
| |||||
BYM07-300HE3/83 Vishay Semiconductor Diodes Division :: BYM07-300HE3/83 Product Parameters :: BYM07-300HE3/83 PDF Download
BYM07-300HE3/83 Vishay Semiconductor Diodes Division :: BYM07-300HE3/83 Product Parameters :: BYM07-300HE3/83 PDF Download | Hotenda.cnBYM07-300HE3/83
- Описание ：
- ДИОД БЫСТРО REC 300V 0.5A DO213AA
- Производители：
- Vishay Semiconductor Diodes Division
Информация продукции
- категория
- Диоды , выпрямители — Single
- упаковка
- Лента и Reel ( TR)
- серия
- SUPERECTIFIER®
- Диод Тип
- стандарт
- Напряжение питания — DC Обратный (Vr ) ( Max)
- 300В
- В настоящее время — средний выпрямленный (Io )
- 500mA
- Напряжение — вперед ( Vf) ( Max) @ Если
- 1,35 @ 500mA
- скорость
- Быстрое восстановление = \u003c 500ns , \u003e 200 мА (Io )
- Обратный Время восстановления ( ТИР )
- 50 нс
- Текущий — Обратный Утечка @ Vr
- 5μA @ 300V
- Емкость @ VR, F
- —
- Тепловое сопротивление
- 150 ° C / Вт Ja
- Тип установки
- для поверхностного монтажа
- Упаковка /
- DO- 213AA
- Пакет прибора поставщика
- DO- 213AA
- Рабочая температура — Junction
- -65 ° C ~ 175 ° C
Покупатели,которые купили этот товар, также приобрели
© 2002-2014 Hotenda Technology Co.
,LTD. Все права защищены и охраняются законом
Адрес: №1311, 13-этаж, район В, Здание ЦзяХэ, средний проспект ШэньНань, зона ФуТянь, город ШэньЧжэнь, Китае 518031
Тел: 86-0755-83794354, 83799939, 83799983 Факс: 86-0755-83794709
Диоды для поверхностного монтажа
Сортировать: По умолчаниюПо имени (A — Я)По имени (Я — A)По цене (возрастанию)По цене (убыванию)По модели (A — Я)По модели (Я — A) 24364896120Код товара: 44114
0
Наличие: 195
Код товара: 10062
0
Наличие: 40
0,25A 85V 6ns SOT23 код A6t.
.
Код товара: 38964
0
Наличие: 13
Код товара: 10066
0
Наличие: 240
2*0,25A 70V 6ns SOT23 код A4W.
.
Код товара: 10067
0
Наличие: 45
Код товара: 10068
0
Наличие: 383
Код товара: 10080
0
Наличие: Нет в наличии
Код товара: 22484
0
Наличие: 140
Код товара: 33368
0
Наличие: 35
Код товара: 39887
0
Наличие: 51
Код товара: 42768
0
Наличие: 14
Код товара: 42317
0
Наличие: 6
Код товара: 35917
0
Наличие: 18
Код товара: 42769
0
Наличие: 10
Код товара: 10099
0
Наличие: 84
Код товара: 21777
0
Наличие: 1
Код товара: 26052
0
Наличие: 55
Код товара: 26053
0
Наличие: 1
Код товара: 35921
0
Наличие: 10
Код товара: 36092
0
Наличие: Нет в наличии
Код товара: 41652
0
Наличие: 2
Код товара: 27074
0
Наличие: 12
Код товара: 37798
0
Наличие: 7
Код товара: 43023
0
Наличие: 5
3 Способы регулирования выходного напряжения
1.
Способы регулирования выходного напряжения: частотно-, широтно-импульсное и смешанное регулирование.
2. Основные энергетические соотношения.
3. Способы запирания тиристоров.
4.Частотно-импульсные преобразователи постоянного тока (схемы, диаграммы, основы инженерного расчета).
Рекомендуемые файлы
Сущность импульсного управления подводимой к тяговому двигателю постоянного тока энергии наглядно иллюстрируется схемой и диаграммами, представленными соответственно на рис. 3 и 4. Устройство, которое осуществляет периодические отключения и включения цепи нагрузки на напряжение источника, обычно называют ключом К. Последовательно с двигателем М включен дроссель L1 для сглаживания пульсаций тока в этой цепи, а параллельно цени нагрузки – полупроводниковый диод VD, называемый обратным, через который протекает ток двигателя в те промежутки времени, когда ключ разомкнут.
Замыкание и размыкание ключа К производятся с периодом повторения Тр (рис. 4,а). В течение промежутка tи ключ замкнут, в остальную часть периода Тр — tи – разомкнут. При замкнутом ключе к цепи нагрузки приложено напряжение, равное напряжению источника (uн=U1d). Под действием напряжения U1d в контуре “+” источника питания – ключ К – индуктивность L1 – двигатель М – “-” источника питания увеличивается ток i1d= iм. Поступающая из питающей сети энергия потребляется нагрузкой (двигателем М) и накапливается в индуктивности L1.
После размыкания ключа приток энергии от источника прекращается (i1d=0). Ток двигателя iм, поддерживаемый энергией, запасенной в индуктивности L1, замыкается через диод VD.
Поскольку в контур не поступает энергия извне, ток iм убывает. Величину прикладываемого к двигателю напряжения можно регулировать, изменяя период либо Тр (т. е. частоту замыкания ключа К), либо интервал tи (т.е. длительность нахождения ключа в замкнутом состоянии). Иллюстрирующие эти режимы диаграммы представлены на рис. 4б. Первая из них соответствует регулированию напряжения uм путем изменения периода Тр (т.е. частоты следования импульсов) при сохранении неизменным интервала tи и отражает способ частотно-импульсного регулирования. Вторая – широтно-импульсный способ. При комбинированном способе регулирования производится изменение, как частоты, так и продолжительности импульсов.
В схеме импульсного регулирования при рекуперативном торможении двигателем последовательного возбуждения (рис. 5) использованы те же элементы, что и в схеме для режима тяги, но изменено их соединение.
Дроссель L1 обеспечивает сглаживание тока в цепи двигателя, а диод VD препятствует протеканию тока из сети в генератор.
На диаграммах рис. 6а и 6б, иллюстрирующих процессы в схеме при использовании частотно- и широтно-импульсного способов регулирования, замкнутому положению ключа К соответствует интервал времени tи. В интервале Тр — tи ключ разомкнут. При замыкании ключа для тягового двигателя, работающего в генераторном режиме, образуется практически короткозамкнутый контур, в который входит сам генератор G, дроссель L1 и ключ К. Энергия, вырабатываемая генератором, за вычетом энергии, идущей на покрытие потерь в активном сопротивлении контура, накапливается в индуктивности дросселя L1, вследствие чего ток в нём возрастает. Ток i1d в этом интервале равен нулю. После размыкания ключа напряжение в цепи генератора, равное сумме UG и напряжения на дросселе L1, возрастает до величины U1d благодаря энергии, накопленной в индуктивности L1.
Замыкавшийся ранее через ключ ток будет поступать в сеть постоянного тока с напряжением U1d несмотря на то, что EG < U1d. Так как передача энергии в сеть постоянного тока связана с убылью энергии, накопленной в дросселе L1, ток i1d при этом уменьшается.
В соответствии с законом сохранения энергии существует зависимость, определяемая балансом мощностей, потребляемой от источника и поступающей в нагрузку. Если пренебречь потерями в схеме, т. е. принять к.п.д. , то соотношение между средними за период регулирования значениями напряжений и токов источника питания и двигателя
U1dI1d=UмIм (1)
Напряжение Uм на двигателе равно среднему за период значению приложенного к нему напряжения источника u1d:
Средний за период регулирования ток I1d, потребляемый из сети, и ток нагрузки Iм также определяются мгновенными значениями токов соответственно i1d и iм:
В генераторном режиме при сохранении баланса мощности напряжение UG на зажимах генератора уравновешивается средним за период значением напряжения uG:
При использовании в качестве ключа полупроводникового прибора типа тиристор возникает задача коммутации последнего.
Применяемые в настоящее время тиристоры бывают полностью управляемые и не полностью управляемые. Для отпирания последних достаточно подаю сигнал на управляющий электрод, а для запирания – специальное устройство: узел коммутации. По способу коммутации тиристорные ключи выполняются с естественной (выключаются при уменьшении питающего напряжения до 0) и искусственной (за счет применения принудительного запирающего узла на базе конденсатора, дросселя, трансформатора и т.д.). В качестве примера рассмотрим наиболее распространенную емкостную коммутацию тиристорного ключа (см. рис. 7 и 8).
При подключении к источнику питания по цепи “+”источника питания – C – L – “-” источника питания протекает ток iпит=iC=iнагр, заряжающий конденсатор С до напряжения источника питания с полярностью, указанной без скобок. После завершения процесса заряда ключ готов к работе.
При отпирании тиристора VS в момент времени t0 образуется цепь питания нагрузки и через тиристор протекает ток iпит=iнагр.
Одновременно образуется цепь разряда конденсатора С. Ток конденсатора iC, протекая по цепи “+”обкладка конденсатора С– тиристор VS – дроссель L – “-” обкладка конденсатора С, сначала разряжает последний до нуля (момент времени t1), а затем перезаряжает до противоположной полярности (момент времени t2), указанной на рисунке в скобках.
После перезаряда iC становится равным 0 и к тиристору прикладывается напряжение обратной полярности, что приводит к его выключению. Ток нагрузки, ранее протекавший через тиристор, коммутируется в цепь конденсатора С (iнаго=iC), что приводит сначала к обнулению напряжения на конденсаторе (момент времени t3), а затем – к заряду до напряжения источника питания с полярностью, указанной без скобок (момент времени t4). Интервал времени от t0 до t4 называется временем импульса tи.
После этого ключ готов к повторному циклу.
Приведенная схема обеспечивает постоянство времени проводящего состояния тиристора ключа, т. е. соответствует частотному способу регулирования. Изменения времени проводящего состояния ключа можно добиться путем запрета выключения тиристора после перезаряда коммутирующего конденсатора. Достичь этого можно схемным решением, пример которого приведен на рис. 9.
Согласно схеме после перезаряда коммутирующего конденсатора до противоположной полярности разряд его через цепь нагрузки становится возможным только после того, как произойдет отпирание тиристора VS2 (гасящего). Длительность задержки на включение гасящего тиристора не должна превышать интервала времени Δt=t5—t4, называемого временем паузы tпауз. На рис. 8 пунктирной линией показано изменение диаграммы напряжения на коммутирующем конденсаторе для некоторого времени задержки tзад1.
Соответственно изменяются диаграммы iC=f(t) и iнагр=φ(t).
Приведенная схема обеспечивает изменение времени проводящего состояния тиристора VS1 ключа (ширины импульса) при сохранении периода, т. е. соответствует широтному способу регулирования.
Это же схемное решение ключа позволяет осуществлять и комбинированное регулирование (путем изменения, как ширины импульса tи, так и периода Tр).
Емкостная коммутация тиристора в частотном ключе, питающем тяговый двигатель, может быть реализована одним из трех схемных решений, представленных на рис. 10…12. На рис. 10 коммутирующий конденсатор включен параллельно нагрузке, на рис.
11 – параллельно цепи L2 – VS, на рис. 12 – параллельно тиристору VS. При построении диаграмм, приведенных на рис. 10,11 и 12 принято, что напряжение на входе преобразователя (на конденсаторе C1) и ток в цепи тягового двигателя остаются неизменными и равными соответственно U1d и Iм.
В момент t0 (рис. 10) происходит отпирание тиристора VS. Перед отпиранием напряжение на нем было равно U1d, ток i1d=0, конденсатор C2 полностью разряжен, а в цепи тягового двигателя протекает ток, который поддерживается неизменным за счет энергии, накопленной в индуктивности дросселя L3 за тот промежуток времени, пока был открыт тиристор. Ток нагрузки iм замыкается через диод VD, поэтому iм= iVD, а uм=0.
После отпирания тиристора VS образуется цепь: верхняя обкладка конденсатора С1 – дроссель L2 – тиристор VS – дроссель L3 – тяговый двигатель (М и дроссель L4) – нижняя обкладка конденсатора С1.
Ток i1d в цепи начинает нарастать и по достижении им величины iМ (момент t1) ток в обратном диоде прекращается и начинается заряд конденсатора С2 через индуктивность L2 и тиристор VS. Так как конденсатор С2 и индуктивность L2 образуют колебательный контур, то конденсатор к моменту времени t=t3 заряжается до двойного напряжения. Зарядный ток конденсатора С2, достигнув максимального значения при t=t2, начинает спадать и к моменту t=t3 уменьшается до 0.
В момент времени t=t3 ток iVS становится равным iM, напряжение uC2 достигает максимальной величины.
После этого емкость С2 начинает разряжаться на цепь нагрузки, а ток iVS уменьшается, достигая 0 в момент времени t=t4. К тиристору VS при этом прикладывается обратное напряжение, равное разности uC – U1d. В интервале времени t4–t6 конденсатор С2 разряжается на тяговый двигатель, причем ток остается неизменным и равным iM благодаря дросселю L3. В интервале от t4 до t5, представляющем собой схемное время tсх, к тиристору VS приложено обратное напряжение и он запирается. Поэтому время выключения тиристора tвыкл не должно превышать схемное при любых сочетания величин питающего напряжения и тока мотора.
После завершения разряда конденсатора С2 (момент времени t=t6) ток нагрузки iМ начинает циркулировать через обратный диод по цепи дроссель L3 – якорь двигателя М – обмотка возбуждения L4 – диод VD.
При этом ток поддерживается энергией, накопленной в дросселе L3. При отпирании тиристора VS в момент t7 процессы в схеме
повторяются с периодом Tp= t7—t0.
Процессы в схеме рис. 11 протекают в основном аналогично. Перед отпиранием тиристора VS ток нагрузки замыкается через обратный диод VD, а емкость С2 заряжена до напряжения U1d. В момент времени t0 производится отпирание тиристора VS и через дроссель L, тиристора VS и нагрузочный контур начинает протекать ток iVS, который состоит из тока питающей сети и тока разряда емкости С1. Напряжение на емкости С2 при этом остается неизменным.
После того как ток iVS достигает величины Iм (момент времени t1), ток iVD прекращается и начинается разряд емкости С2 на дроссель L и тиристор VS.
Это вызывает увеличение напряжения uнагр. Поскольку разряд конденсатора С2 носит колебательный характер, то напряжение uC сначала снижается до нуля (момент времени t2), а затем становится отрицательным. Вследствие этого ток iVS, достигнув некоторого максимального значения, в момент t4 становится равным нулю. Оказавшийся под отрицательным напряжением тиристор VS запирается.
В дальнейшем благодаря индуктивности L3 происходит заряд емкости С2 током мотора Iм . Заряд емкости прекращается в момент t6, когда напряжение uнагр достигнет величины U1d. В интервале времени от t1 до t6 ток i1d, потребляемый преобразователем, равен току Iм.
Напряжение uнагр в цепи нагрузки остается таким же, как и в схеме рис. 10. Начиная с момента времени t6 и до момента времени t7 ток нагрузки Iмблагодаря энергии, накопленной в дросселе L3, циркулирует в контуре L3 – M –L4 –VD – L3.
Особенность процессов в схеме рис. 12 заключается в том, что после отпирания тиристора VS его ток возрастает скачкообразно, а ток iVD становится равным нулю. На диаграммах рис. 12 моменты t0 и t1 совпадают. Одновременно скачком прикладывается обратное напряжение к диоду VD. Далее через тиристор VS и дроссель L2 происходит колебательный разряд конденсатора С2, при котором напряжение на нём изменяет полярность. Благодаря этому ток iVS, представляющий собой сумму разрядного тока конденсатора С2 и тока Iм, в момент времени t4 становится равным нулю и к тиристору VS прикладывается напряжение обратной полярности. Так как после момента времени t4 происходит заряд конденсатора С2 неизменным током Iм , напряжение на дросселе L2 равно нулю, поэтому напряжение uнагр определяется разностью U1d — uC.
В момент времени t6 напряжение на конденсаторе С2 достигает величины U1d, однако заряд его в отличие от схем рис.10 и 11 не прекращается. Благодаря энергии, накопленной в дросселе L2, напряжение uC возрастает до некоторого максимального значения. Затем конденсатор С2 начинает разряжаться на источник питания, вследствие чего ток i1d изменяет направление. Начиная с момента времени t7, когда вновь отпирается тиристор VS, процессы в схеме повторяются. Для ликвидации колебаний, происходящих в интервале времени от t6 до t7, предусматривают диоды.
Во всех рассмотренных схемах момент времени t4, когда ток iVS становится равным нулю, определяется параметрами колебательного контура С2 – L2, напряжением U1d и током Iм. Ускорить или задержать запирание тиристора VS воздействием извне практически не представляется возможным, т. е. схемы относятся к группе систем с неуправляемым запиранием вентилей.
Для всех трех схем напряжение Uм на тяговом двигателе можно найти, воспользовавшись формулой (2), в соответствии с которой оно определяется как частное от деления площади, ограниченной кривой напряжения uнагр и осью абсцисс, на период Тр (см. рис. 10 — 12). Таким образом, выходное напряжение преобразователя зависит не только от частоты включения тиристора, но и от формы кривой напряжения uнагр, на которую существенно влияет режим работы преобразователя.
Например, с уменьшением тока нагрузки Iм разряд конденсатора С2 в схеме рис. 10 и заряд ее в схемах рис. 11 и 12 в интервале от t4 до t6 будет происходить медленнее, из-за чего наклон прямолинейного участка кривой uнагр уменьшается и продолжительность интервала t4—t6 возрастает. В то же время в интервале t1 — t4 форма кривой uнагр остается неизменной.
Отключение двигателей производится прекращением подачи отпирающих импульсов на тиристоры преобразователя, после чего преобразователь может быть отключен от питающего источника без разрыва тока. Благодаря этому отпадает необходимость устанавливать на электроподвижном составе коммутирующие аппараты с дугогашением. Прекращением подачи отпирающих импульсов осуществляется также быстродействующая защита преобразователей и тяговых двигателей.
Основой для проведения инженерных расчётов преобразователей являются диаграммы мгновенных значений токов и напряжений на элементах схем.
Для всех рассмотренных схем расчёт сводится к выбору элементной базы (тиристоров, диодов, дросселей, конденсаторов) из перечня серийно выпускаемых, которые выдерживают прикладываемые к ним напряжения и протекающие через них токи во всём диапазоне рабочих частот преобразователей.
При выборе типа силового полупроводникового прибора (СПП) преобразователя необходимо определить величину максимально допустимого тока нагрузки, не вызывающего повышения температуры перехода выше допустимого значения.
Расчет температуры перехода производится по известным значениям потерь и теплового сопротивления и заключается в следующем. Реально действующие в СПП импульсы потерь энергии произвольной формы (см. рис. 13) заменяются на эквивалентные импульсы прямоугольной формы с амплитудой, равной по величине максимальной величине реального импульса, при сохранении длительности периода регулирования Тр. Полученная в результате преобразования последовательность импульсов отображает условный режим работы СПП, который может сводиться к кратковременному, повторно-кратковременному или длительному.
Для каждого из этих режимов получены интегральные выражения, позволяющие с инженерной точностью рассчитать максимально допустимую величину тока нагрузки Iнагр, протекающего через прибор. В частности, для повторно-кратковременного режима работы тиристора расчетная формула
(5)
где UVS— пороговое напряжение тиристора, rVS – дифференциальное сопротивление тиристора, [Tдоп]- допустимая температура p—n-перехода, Ta— температура окружающей среды, Tp— период регулирования, tи— время импульса, RT – переходное сопротивление p—n-переход тиристора – окружающая среда.
Тиристор выбирается по рассчитанному значению тока. Класс тиристора определяется по максимальному значению приложенного к нему напряжения прямого напряжения в закрытом состоянии с учетом того, что рабочее напряжение на нем определяется как
Uраб=kзапUкл=(0,7…0,8)Uкл.
(6)
Аналогично рассчитываются параметры диодов и симисторов.
Информация в лекции «Коммуникативные барьеры» поможет Вам.
Одним из основных условий нормальной работы тиристора является обеспечение ограничений по скорости нарастания токов di/dt и напряжений du/dt и времени его выключения tвыкл. Последнее, как упоминалось ранее, приводится в справочных данных на тиристор. Как правило, это время обеспечивается схемным решением цепей аппарата и принимается на 10…20% большим по сравнению с паспортным. В преобразователях с узлами принудительной емкостной коммутации тиристоров схемное время tсх определяется периодом разряда конденсатора от первоначальной величины напряжения до 0 (см., например, на рис. 10 временной интервал t4 – t5. Поэтому в расчетах необходимо принимать tсх=(1,1…1,2) tвыкл.
Схемное время в преобразователях с принудительной емкостной коммутацией определяется при прочих равных условиях величиной емкости конденсатора, которая достаточно просто может быть определена, например, для варианта схемного решения, приведенного на рис. 10, при допущении постоянства величины тока нагрузки как
C=Iнагр tсх /Uпит. (7)
Величина индуктивности L дросселя контура коммутации может быть определена из условия ограничения амплитуды разрядного тока iC конденсатора значением ICмакс=Iнагр—IVS . Тогда
. (8)
Yerasov DM-5 — Guitar Gear
Схема.
Эффектом Delay является задержка звука и его повторение создающиеся микросхемами U3,U4. Резистором RV1 задается длительность задержки звукового фрагмента, RV2 интенсивность (Количество повторов звукового фрагмента). RV3 Регулирует эффект ECHO (громкость) подмешиваемого обработанного сигнала. Усиленный сигнал с гитары (после U1D, U1C) поступает на вход U3 потом U4 где и происходит образование вожделенного эффекта. После чего обработанный звук подмешивается к чистому звуку.
Микросхема U2 является ключом управления чистый звук/эффект. При закрытом ключе U2 звук поступает на выход, минуя преобразования. При открытом U2 сигнал c U4 поступает на входы U1A и U1В подмешивая преобразованный сигнал к чистому сигналу и поступает на выход.
Выход Delay- задержанный звук, выход Out — чистый звук с примесью задержки. Благодаря такому подходу образуется эффект псевдо-стерео.
Вместо микросхемы U2 можно использовать отечественный аналог К561кт3А. U1 можно заменить на LM324, (или отечественный аналог К1401УД2, при его использовании ключ первой ножки должен смотреть в другую сторону).
Транзисторы можно поставить ВС547 (или отечественные аналоги).
Схему можно скачать в виде пдф-фаила.
Печатная плата.
Печатная плата размером 120х70мм. На плате указаны детали в соответствии с принципиальной схемой.
Список элементов.
Резисторы:
- 10k — 15 шт
- 100k — 7 шт
- 47k — 6 шт
- 1M -2 шт
- 220k — 2 шт
- 330 — 2 шт
- 1k2 — 1 шт
- 470k -1 шт
- 4k7 — 1 шт
- 560 — 1 шт
- 620 — 1 шт
- 1k — 1 шт
- 3k — 1 шт
Резисторы переменные:
Конденсаторы:
- 220n — 9 шт
- 47n — 5 шт
- 1n — 3 шт
- 47u — 4 шт
- 6n8 — 1 шт
- 470p — 1 шт
- 3n3 — 3 шт
- 4,7u — 2 шт
- 470n — 2 шт
- 1n5 — 2 шт
- 47p — 2 шт
- 100p — 1 шт
- 1u электролит — 3 шт
Микросхемы:
- PT2399 — 2 шт
- CD4066 — 1 шт
- TL074 — 1 шт
- 78L05 — 1 шт
Транзисторы:
Диоды:
- 1N4007 — 2 шт
- 1N4148 — 1 шт
Светодиоды:
Остальное:
- панель под микросхему 16 pin — 2 шт
- панель под микросхему 14 pin — 2 шт
- гнездо большой Jack (стерео) — 3 шт
- кнопка БЕЗ фиксации — 1 шт
- контакты под крону — 1 шт
- гнездо под БП — 1 шт
- ручки для потенциометров — 3 шт
Раздел: Эффекты Метки: delay, DM-5, pt2399, Yerasov
SMD 43 Реферат: Катушки индуктивности Силовые индукторы smd diode j 100N 1FW + 43 + smd | Оригинал | SDC2D18LD 2D18LD SMD 43 Индукторы Силовые индукторы smd диод j 100N 1FW + 43 + smd | |
SDC3D11 Аннотация: smd led smd диод j транзистор SMD 41068 smd | Оригинал | SDC3D11 smd led smd диод j транзистор SMD 41 068 smd | |
smd 356 в Аннотация: дроссель smd we 470356 AT smd транзистор SMD 24 SDC3D16 smd транзистор 560 smd диод j светодиодный smd дроссель smd 470 SMD INDUCTOR 47 | Оригинал | SDC3D16LD 3D16LD smd 356 AT индуктор smd we 470 356 AT smd транзистор SMD 24 SDC3D16 smd транзистор 560 smd диод j Светодиод smd индуктор smd 470 ИНДУКТОР SMD 47 | |
SMD d105 Аннотация: SMD a34 B34 SMD smd 028 F индукторы 25 34 SMD силовые индукторы k439 | Оригинал | SDS3012E 3012E SMD d105 SMD a34 B34 SMD smd 028 F индукторы 25 34 SMD Силовые индукторы k439 | |
к439 Аннотация: B34 SMD SMD a34 SDS301 | Оригинал | SDS3015ELD 3015ELD k439 B34 SMD SMD a34 SDS301 | |
SDC2D14 Реферат: SDC2D14-2R2N-LF Индуктор bo smd транзистор SMD 24 smd сопротивление smd led «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ SMD индуктор | Оригинал | SDC2D14 SDC2D14-2R2N-LF Индуктор bo smd транзистор SMD 24 smd сопротивление smd led «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Индуктор SMD | |
SDS2D10-4R7N-LF Аннотация: SDS2D10 smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B индуктивности 221 a32 smd | Оригинал | SDS2D10 SDS2D10-4R7N-LF smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B индукторы 221 a32 smd | |
2012 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | SDC3D28 | |
SDC2D11-100N-LF Реферат: Катушки индуктивности Силовые индукторы smd led «Power Inductors» smd 123 smd diode j 4263B SMD INDUCTOR 47 | Оригинал | SDC2D11 SDC2D11-100N-LF Индукторы Силовые индукторы smd led «Силовые индукторы» smd 123 smd диод j 4263B ИНДУКТОР SMD 47 | |
SDC2D11HP-3R3N-LF Реферат: Силовые индукторы Inductors smd led smd diode j 4263B | Оригинал | SDC2D11HP 2D11HP SDC2D11HP-3R3N-LF Силовые индукторы Индукторы smd led smd диод j 4263B | |
2012 — SDC2D14-1R5N-LF Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | SDC2D14 SDC2D14-1R5N-LF | |
A44 SMD Абстракция: smd 5630 5630 smd coilmaster smd B44 SDS4212E-100M-LF | Оригинал | SDS4212E 4212E A44 SMD smd 5630 5630 smd катушка smd B44 SDS4212E-100M-LF | |
индуктор Аннотация: smd led SDC2D14HPS-221M-LF 13dBo 100N SDC2D14HPS | Оригинал | SDC2D14HP 2D14HPS индуктор smd led SDC2D14HPS-221M-LF 13 дБо 100N SDC2D14HPS | |
2012 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | SDC2D18HP 2D18HP | |
индукторы Реферат: СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Diode smd 86 smd diode j 100N SDC2D18HP «Силовые индукторы» | Оригинал | SDC2D18HP 2D18HP индукторы СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Диод smd 86 smd диод j 100N «Силовые индукторы» | |
SMD.A40 Аннотация: a40 smd smd D10 индукторы силовые индукторы SMD A40 smd g12 | Оригинал | SDS4010E 4010E SMD .A40 a40 smd smd D10 Индукторы Силовые индукторы SMD A40 smd g12 | |
Силовые индукторы Реферат: smd диод j 100N индукторы | Оригинал | SDC3D18 Силовые индукторы smd диод j 100N Индукторы | |
2D18 Аннотация: дроссели 221 lf 1250 smd diode j SDS2D18 | Оригинал | SDS2D18 2D18 индукторы 221 lf 1250 smd диод j | |
SMD 43 Реферат: катушки индуктивности Power Inductors 3D-14 smd diode j «Power Inductors» 3D14. | Оригинал | SDC3D14 SMD 43 индукторы Силовые индукторы 3Д-14 smd диод j «Силовые индукторы» 3Д14 | |
smd 3250 Реферат: Coilmaster Electronics smd-диод j | Оригинал | SDC2D09 smd 3250 Coilmaster Electronics smd диод j | |
пгб 4220 Реферат: Siemens pmb 4220 PMB 27251 4310 SMD IC 2197-T smd 2035 82526-N SICOFI PEF 2465 DSP / pmb 4220 2705-F | OCR сканирование | 2025-N 2025-П 2026Т-П 2026T-S 20320-Н 2035-N 2035-П 2045-Н 2045-П 2046-Н пмб 4220 Сименс pmb 4220 PMB 27251 4310 SMD IC 2197-Т smd 2035 82526-Н SICOFI PEF 2465 ДСП / пмб 4220 2705-F | |
Катушки индуктивности Аннотация: Силовые индукторы 068 smd 0621 smd SMD a34 D160 SDS3015EHP-100M-LF | Оригинал | SDS3015EHP 3015EHP Индукторы Силовые индукторы 068 smd 0621 smd SMD a34 D160 SDS3015EHP-100M-LF | |
SMD 43 Реферат: Дроссели транзисторные SMD мы SDS2D12-100M-LF h22 smd 2D12 smd diode j 340 smd «Силовые индукторы» a32 smd. | Оригинал | SDS2D12 SMD 43 Индукторы транзистор SMD мы SDS2D12-100M-LF h22 smd 2D12 smd диод j 340 см «Силовые индукторы» a32 smd | |
2004 — стабилитрон SMD код маркировки 27 4F Аннотация: smd-диод код Шоттки маркировка 2F smd стабилитрон код 5F panasonic MSL level smd стабилитрон код a2 SMD стабилитрон a2 smd стабилитрон 27 2f SMD стабилитрон код 102 A2 SMD smd стабилитрон код bf | Оригинал | 2002/95 / EC) Стабилитрон SMD маркировка код 27 4F smd диод код шоттки маркировка 2F smd стабилитрон код 5F уровень panasonic MSL smd стабилитрон код a2 SMD ZENER DIODE a2 smd стабилитрон 27 2f Маркировочный код стабилитрона SMD 102 A2 SMD smd стабилитрон код bf | |
5a6 стабилитрон Аннотация: стабилитрон с двойным МОП-транзистором.2в 1вт 10в стабилитрон 5A6 smd sot23 DG9415 | Оригинал | Si4418DY 130мОм @ Si4420BDY Si6928DQ 35мОм @ Si6954ADQ 53мОм @ SiP2800 СУМ47Н10-24Л 24мОм @ Стабилитрон 5a6 двойной МОП-транзистор диод стабилитрон 6.2в 1вт ЗЕНЕР ДИОД 10В 5А6 смд сот23 DG9415 | |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»> Маркировка транзистора44 сот23 Реферат: код маркировки диода 04 Диод SMA код маркировки PD диод Шоттки 40a КОД МАРКИРОВКИ 028a сот 23 маркировка 1шт транзистора C5D на ПОЛУПРОВОДНИК МАРКИРОВКА SOT323 MOSFET P hFE-100 | Оригинал | ЦМШ2-20МЛ ЦМШ3-20М ЦМШ3-20Л ЦМШ4-20МА ЦМШ4-20Л CMSH5-20 CS20ML CS220M 200 мА CMDSH05-4 Маркировка транзистора 44 сот23 маркировка кодовый диод 04 Маркировка диода SMA, код PD диод шоттки 40а КОД МАРКИРОВКИ 028a сот 23 маркировка 1PC транзистор C5D по МАРКИРОВКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ SOT323 МОП-транзистор P hFE-100 | |
1999 — ул. 50113 Аннотация: BZX79-C6 c5v1 BZX79C6V2 philips C4V7 ST BZX79-C27AMO SOD27 bzx79-c philips STR W 6262 BZX79-B10 | Оригинал | M3D176 BZX79 ДО-35) BZX79-A) BZX79-B) BZX79-C6V8 ул. 50113 BZX79-C6 c5v1 BZX79C6V2 Philips C4V7 ST BZX79-C27AMO SOD27 bzx79-c philips STR W 6262 BZX79-B10 | |
2008 — МАРКИРОВКА EA1 sot-23 Реферат: СОТ-23 ЕА1 сот-23 МАРКИРОВКА ГУ ГУ СОТ-23 АПД0520-000 К-263ААА Маркировка маркировка ГД DMJ3952-020 ЕА1 сот-23 МАРКИРОВКА ЕА1 | Оригинал | SMP1330 ОТ-23 SMP1330-005LF SMP1330-007LF CLA4601-000 CLA4602-000 CLA4603-000 CLA4604-000 МАРКИРОВКА EA1 сот-23 СОТ-23 EA1 сот-23 МАРКИРОВКА ГУ GY SOT-23 APD0520-000 Маркировка К-263ААА маркировка GD DMJ3952-020 EA1 сот-23 МАРКИРОВКА EA1 | |
1999 — z12 smd код sot23 Аннотация: Код SMD МАРКИРОВКА 613 sot23 код smd Z70 Маркировка SMD Z4 КОД МАРКИРОВКИ SMD Z2 Y11 код smd код smd z16 smd z17 z67 маркировка smd Z58 | Оригинал | M3D088 BZX84 BZX84-A) BZX84-B) BZX84-C) BZX84-C11 BZX84-C12 BZX84-C13 BZX84-C6V8 BZX84-C15 z12 smd код sot23 Код SMD МАРКИРОВКИ 613 sot23 smd код Z70 Маркировка SMD Z4 КОД МАРКИРОВКИ SMD Z2 Y11 smd код smd код z16 smd z17 z67 smd маркировка Z58 | |
2008 — варакторный диод SPICE модель SMV1232-079LF Аннотация: SMV1236-001LF 4033 SPICE Модель устройства SMV1236-004LF SMV1231-079LF SMV1233 SMV1234-073LF SMV1234-011LF маркировка 415 sot23 122 маркировка | Оригинал | SMV1231 SMV1237: ОТ-23, ОД-323, SC-70 SC-79 J-STD-020 SMV1237 варакторный диод SPICE модель SMV1232-079LF SMV1236-001LF 4033 Модель устройства SPICE SMV1236-004LF SMV1231-079LF SMV1233 SMV1234-073LF SMV1234-011LF маркировка 415 сот23 122 маркировка | |
2002-04.242.8053.0 Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | за 10 04.242.8053.0 | |
2000 — BZT03 27 Стабилитроны стабилизатора напряжения Абстракция: BZT03 40113 BZT03C10-TR SOD-57 BZT03-C75 philips | Оригинал | M3D116 BZT03 pageBZT03-C8V2 BZT03C8V2 BZT03-C91 BZT03C9V1 BZT03-C9V1 BZT03 27 стабилитроны стабилизатора напряжения 40113 BZT03C10-TR СОД-57 BZT03-C75 Philips | |
2008 — МАРКИРОВКА 303 SOT23 Реферат: маркировка ah4 маркировка 362 sod-323 маркировка af1 маркировка AK SMV1251-011LF маркировка ek маркировка bg1 303 MARKING SOT23 | Оригинал | SMV1247 SMV1255: ОТ-23, ОД-323, SC-70 SC-79 J-STD-020 SMV1255 МАРКИРОВКА 303 SOT23 маркировка ah4 маркировка 362 дер-323 Маркировка af1 маркировка АК SMV1251-011LF маркировка эк маркировка bg1 303 МАРКИРОВКА SOT23 | |
sma маркировочный код pd Реферат: выпрямитель Шоттки СОД-123Ф с маркировкой ЦМШ2-100М CBD6 cbrhdsh2-40l CMSh2-20ML CBA с маркировкой CMSh3-100M CMSh3-20M | Оригинал | ЦМШ2-20МЛ CS20ML ЦМШ3-20М CS220M ЦМШ3-20Л CS220L ЦМШ4-20МА CS320MA ЦМШ4-20Л CU508 код маркировки sma pd выпрямитель шоттки Маркировка СОД-123Ф ЦМШ2-100М CBD6 cbrhdsh2-40l ЦМШ2-20МЛ Маркировка CBA ЦМШ3-100М ЦМШ3-20М | |
2002 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | SMV1231 SMV1237: ОТ-23, ОД-323, SC-70 SC-79 J-STD-020 SMV1237 | |
2002 — МАРКИРОВКА Dt3 Реферат: МАРКИРОВКА ДТ3 диода Маркировка дт3 сот Маркировка CC SMV1237-074LF | Оригинал | SMV1231 SMV1237: ОТ-23, ОД-323, SC-70 SC-79 J-STD-020 SMV1237 МАРКИРОВКА Dt3 МАРКИРОВКА ДТ3 диода Маркировка дт3 сот маркировка cc SMV1237-074LF | |
2002 — марком Аннотация: маркировка Z4 | Оригинал | за 10 мм2 / 16 AL / 5/10 AL / 6/10 Marcom маркировка Z4 | |
2000 — Регулятор напряжения AS-110 smd Аннотация: Код маркировки SOD87 7 BZD27C200 BZD27C36 Philips 9338123 60115 Код маркировки SOD87 BZD27-C12 c91 02 BZD27-C5V1 КОД МАРКИРОВКИ SMD 336 | Оригинал | M3D121 BZD27 BZD27-C3V6 BZD27-C7V5 -C510 BZD27-C7V Стабилизатор напряжения AS-110 smd Код маркировки SOD87 7 BZD27C200 BZD27C36 Филипс 9338123 60115 Код маркировки SOD87 BZD27-C12 c91 02 BZD27-C5V1 КОД МАРКИРОВКИ SMD 336 | |
2002 — СМВ123х Реферат: SMV1231-079LF маркировка dp маркировка hc sot SMV1236-004LF 079L SMV1235-079lf Информация о маркировке | Оригинал | SMV123x J-STD-020 200058Q SMV1231-079LF маркировка dp маркировка hc sot SMV1236-004LF 079L SMV1235-079lf Информация о маркировке | |
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | REEL13 REEL13DP REELA52 RAIL13T REEL13TDP REEL48 AMMOA52 AMMOA26 400 мм | |
2002 — TI Actual Topside Mark Аннотация: ti маркировка AB245 AB245A SN74ABT245DW sn74abt245pw ABT245A ti КОД МАРКИРОВКИ SZZA020C SN74ABT245N | Оригинал | SZZA020C Фактическая маркировка верхнего строения TI маркировка ti AB245 AB245A SN74ABT245DW sn74abt245pw ABT245A ti КОД МАРКИРОВКИ SN74ABT245N | |
2001 — ЛИНЕЙНАЯ МАРКИРОВКА Аннотация: AB245 ti маркировка опознавательная маркировка военной части TI ДВОИЧНЫЙ КОД ДАТЫ SN74ABT245DW TI Фактическая маркировка верхней части TI код даты AB245A SN7400N | Оригинал | SZZA020B SSYZ010L ЛИНЕЙНАЯ МАРКИРОВКА AB245 маркировка ti опознавательная маркировка военной части ДВОИЧНЫЙ КОД ДАТЫ TI SN74ABT245DW Фактическая маркировка верхнего строения TI Код даты TI AB245A SN7400N | |
2013 — Маркировка Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | 160 мм 200 мм Маркировка | |
2008 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | 705A / 5/10 | |
2002 — маркировка Z4 Реферат: 9705 04.856,3253,0 | Оригинал | за 10 маркировка Z4 9705 04.856.3253.0 | |
2014 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
2010 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | 160 мм 240 мм | |
2004 — Маркировка Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
2000 — КОД МАРКИРОВКИ SMD 102 Резюме: маркировка кода smd регулятор c12 маркировка smd КОД МАРКИРОВКИ SMD jtp SOD106 КОД МАРКИРОВКИ SMD 101 Маркировка регулятора smd Код маркировки стабилитрона SMD 102 КОД МАРКИРОВКИ SMD каталог КОД МАРКИРОВКИ SMD 116 | Оригинал | M3D168 BZG03 DO-214AC DO-214AC; OD106) OD106 КОД МАРКИРОВКИ SMD 102 smd код маркировки c12 регулятор smd маркировка КОД МАРКИРОВКИ SMD jtp SOD106 КОД МАРКИРОВКИ SMD 101 маркировка регулятора smd Маркировочный код стабилитрона SMD 102 Каталог SMD MARKING CODE КОД МАРКИРОВКИ SMD 116 | |
2004 — КЛТ20 Абстракция: k1648 klt22 KEL32 MC100 HEP64 LP17 KEP32 KLT21 hlt-25 | Оригинал | AND8002 / D KLT20 k1648 klt22 KEL32 MC100 HEP64 LP17 KEP32 KLT21 hlt-25 | |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>Сверхбыстрый выпрямитель питания для поверхностного монтажа
% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj / Title (MURS120T3 — сверхбыстрый выпрямитель питания для поверхностного монтажа) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > транслировать 2019-04-03T10: 08: 47-07: 00BroadVision, Inc.2020-08-11T09: 33: 04 + 02: 002020-08-11T09: 33: 04 + 02: 00 Приложение Acrobat Distiller 18.0 (Windows) / pdf
] {] S @; SK, B! E Wu & 6 * `R’͕ @ _ ~ l $ HW ـ Xe {ɜK4 # v? 847H» qrU_
| O =; BsH_ # x ލ Sh [M8
.’3mљ «Z’k% & s * rjlB0-WMt {, # ޖ Ir% (0H, 7A7hNma
‘tK2 3;) (QRMf2XCӟ! * lZU _ @ z / & dIA ܚ hmA) n’S): Uu ~ 6q = 5 {df’ZnmɔOCA-Oo, R0 !. _HЙ! XbK_m6a {f ~ Zi [uoJkA @ * & b] AGYRadTM [* xnP5Kum: 鰬 ۥ C.s TVs>)?
Купить ультрасовременный диод u1d для ваших нужд Бесплатный образец
Выбрать. диод u1d из огромной коллекции на Alibaba.com. Вы можете купить массив. диод u1d включая, помимо прочего, светодиод, микрофон, выпрямитель, лазер, стабилитрон, триггер, Шоттки, SMD, энергосберегающую диодную лампу. Вы можете выбрать. Диод u1d с широким выбором основных параметров, спецификаций и номиналов для ваших целей. Диод
u1d на Alibaba.com удобен в установке и использовании. Используемый пластик более высокого качества обеспечивает изоляцию, снижающую нагрев. Они доступны в кремнии и германии.Основные особенности. Диод u1d - это толстая медная опорная пластина, низкая утечка, высокая токовая характеристика, низкое прямое падение напряжения, легирование золотом, низкое сопротивление инкрементному скачку напряжения, отличная зажимная способность, быстрое время отклика и т. Д.Технические характеристики, предлагаемые на сайте. диод u1d имеет различные оптические и электрические характеристики, такие как максимальная мощность, напряжение, оптический выход, время обратного восстановления, рабочая температура и т.
Получите лучшее. Диод u1d предлагает на Alibaba.com различные поставщики и оптовики. Получите высшее качество. диод u1d для требований вашего проекта.
Д. Диод u1d изготавливается в соответствии со стандартными процедурами для поддержания высочайшего качества. Они соответствуют требованиям RoHS и IEEE 1394. U1D-M3 / 61T Vishay Semiconductor Diodes Division
Поделиться
У1Д-М3 / 61Т
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
- Соответствует ROHS3
- DO-214AC, SMA
- Активный
- 8 недель
Отправить запрос цен
К сожалению, нам не известны дистрибьюторы для 276872 и DILM12-01 (220V50 / 60HZ).
Сообщите нам, если у вас есть известный дистрибьютор, чтобы мы могли добавить его в нашу базу данных, или запросите расценки у одного из наших партнеров.
Отправьте запрос предложений группе дистрибьюторов, специализирующихся на поиске труднодоступных запчастей.
Технические характеристики
Vishay Semiconductor Diodes Division U1D-M3 / 61T — технические характеристики, цепочка поставок и спецификации соответствия.
- Цепочка поставок
- Срок изготовления на заводе 8 недель
- Физический
- Крепление на поверхности
- Тип крепления На поверхность
- Корпус / корпус DO-214AC, SMA
- Материал диодного элемента Технический кремнезем
- 1
- Упаковочная лента и катушка (TR)
- Код JESD-609 e3
- Состояние детали Активно
- Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без ограничений)
- Количество выводов 2
- Код ECCN EAR99
- Покрытие клемм, матовое олово ( Sn)
- Дополнительная функция БЕСПЛАТНЫЙ КОЛЕСНЫЙ ДИОД, НИЗКАЯ ПОТЕРЯ МОЩНОСТИ
- Код HTS 8541. 10.00.80
- Положение клеммы ДВОЙНОЙ
- Форма клеммы C ИЗОБРАЖЕНИЕ
- Пиковая температура оплавления (Cel) НЕ УКАЗАНО
- Код соответствия неизвестен
- Время при максимальной максимальной температуре оплавления (с) НЕ УКАЗАНО
- Количество контактов 2
- Код JESD-30 R-PDSO-C2
- Статус квалификации Не соответствует
- Рабочая температура (макс.) 150 ° C
- Количество элементов 1
- Конфигурация ОДИН
- Скорость быстрого восстановления = <500 нс,> 200 мА (Io)
- Тип диода Стандартный
- Ток — обратная утечка при Vr 5 мкА при 200 В
- Напряжение — прямое (Vf) (макс.) При 920 мВ при 1 А
- Рабочая температура — переход -55 ° C ~ 150 ° C
- Выходной ток -Макс. 1 A
- Напряжение — обратное напряжение постоянного тока (Vr) (макс.) 200 В
- Максимальное обратное напряжение (DC) 200 В
- Средний выпрямленный ток 1 A
- Время обратного восстановления 24 нс
- Емкость при Vr, F 6. 8pF @ 4V, 1MHz
10.00.80
8pF @ 4V, 1MHz- Соответствие
- Статус RoHS Соответствие ROHS3
Vishay Semiconductor Diodes Division U1D-M3 / 61T Datasheet PDF
Загрузите и просмотрите документы Vishay Semiconductor Dashedes.
- U1D-M3 / 61T — RohsStatement Vishay-company-15.pdf 5 Загрузить
- U1D-M3 / 61T — Паспорта U1B, U1C и U1D 5 Загрузить
Детали с аналогичными характеристиками
характеристики аналогичны Vishay Semiconductor Diodes Division U1D-M3 / 61T.
Упаковка / корпус
DO-214AC, SMA
Средний выпрямленный ток
1 A
Время обратного восстановления
24 нс
Статус RoHS
Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности
(MSL) Без ограничений)Средний выпрямленный ток
1,2 A
Время обратного восстановления
25 нс
Статус RoHS
Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Неограниченный)
Упаковка / корпус -214AC, SMAСредний выпрямленный ток
1 A
Время обратного восстановления
24 нс
Статус RoHS
Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Неограниченный средний)
1.
1 A
Время обратного восстановления
10 нс
Статус RoHS
Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влажности (MSL)
1 (Неограниченный)
Упаковка / корпус
DO-214AC000, SMA
Rectified Current1 A
Время обратного восстановления
24 нс
Статус RoHS
Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Неограниченный)
Анализ рынка 1D-D-D-D-
Vishay Semiconductor Анализ рыночной цены, запасов и распределения популярности в регионах.
Распределение популярности по регионам
Рейтинг популярности по регионам
<0–13 из 136 стран>
Связанные части
Продукты и модели, относящиеся к Vishay Semiconductor Diodes Division U1D-M3 / 61T.
Популярный поиск
Следующие части являются популярными запчастями для поиска в Диоды — Выпрямители — Одиночные.
U1D-M3 / 61T широко используется в производстве дискретных полупроводниковых изделий.
0 дистрибьюторов, участвующих в бизнесе Discrete Semiconductor Products на Easybom.Дистрибьюторы включают и т. Д. Начиная с 0, цена U1D-M3 / 61T выросла на 0%, максимальная цена достигла 0,5, а в настоящее время цена держится на уровне 0,5. Запасы U1D-M3 / 61T увеличились на 0%, при этом самый высокий / самый низкий уровень запасов достиг 0/0, и инвентарь оценивается как средний риск. Учитывая это, Easybom предлагает вам запастись. К наиболее продаваемым странам / регионам относятся евро, Индия, Италия и т. Д., В которых евро, Индия и Италия имеют очевидную тенденцию к росту. Аналогичные части U1D-M3 / 61T имеют S1M-13-F, US1M-13-F, BAT54HT1G и др.предоставлено соответственно Vishay / Semiconductor — Diodes Division и т. д.
U1, U1D, U1DB, U1GB, U1J
| Магазин | ||||||||||
| Страница: |
|
.
web-bcs.com/chips/u/chip_list_u2.php; создано: пт, 03 сен 2021 06:26:56 + 0000UTC от 91.63.218.78 
