Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы
Анализ полупроводниковых приборов будем проводить по следующей схеме:
1. Определение.
2. Структура.
3. Принцип действия.
4. Основные характеристики.
5. Основные параметры.
6. Применение.
7. Условно-графическое обозначение.
1. Полупроводниковые диоды
Полупроводниковый диод – полупроводниковый прибор, содержащий один p-n-переход и два вывода: анод и катод.
По конструктивному исполнению:
— плоскостные
— точечные.
В плоскостных диодах площадь p-n-перехода гораздо больше его ширины. Технологически плоскостные диоды строятся следующим образом: полупроводник одного типа проводимости добавляется в область с другим типом проводимости, за счет чего и образуется p-n-переход. В полупроводник одного типа добавляется проволока с другим типом проводимости, и контакт будет точечным. Плоскостные диоды используются для больших токов, а точечные – для небольших токов высокой частоты.
По назначению полупроводниковые диоды делятся на:
– выпрямительные
– стабилитроны
– туннельные
– варикапы и др.
Рассмотрим основные типы диодов.
1.1. Выпрямительные диоды
Выпрямительный диод используется как при прямом, так и при обратном включении. Содержит один p—n переход и два омических вывода. Структура выпрямительного диода такая как и у полупроводникового диода. Принцип действия основан на односторонней проводимости p—n перехода, т. е. при прямом включении сопротивление диода , а при обратном сопротивлении диода . Основная характеристика выпрямительного диода – ВАХ.
ВАХ диода как и p-n-перехода зависит от температуры. С повышением температуры ток диода возрастает. Кремниевые диоды в меньшей степени зависят от температуры чем германиевые. Зависимость от температуры в большей степени проявляется при токе обратном, так как он определяется движением не основных носителей зарядов.
Параметры:
· постоянное прямое напряжение при заданном прямом токе;
· постоянный обратный ток при заданном обратном напряжении;
· сопротивление ;
· ;
· максимально допустимое ;
· емкость диода С;
· максимальная рассеиваемая мощность .
Выпрямительные диоды применяются в выпрямителях.
УГО:
1.2. Стабилитрон
Стабилитрон – полупроводниковый диод, обратное напряжение которого в области электрического пробоя слабо зависит от тока. Стабилитрон – диод, который используется в обратном включении. Его рабочий режим – режим электрического пробоя.
Основные параметры:
· напряжение на участке стабилизации: ;
· дифференциальное сопротивление на участке стабилизации: ;
· минимальный и максимальный ток на участке стабилизации. Рабочий ток выбирается посередине этого участка;
· температурный коэффициент стабилизации напряжения (TKU).
Этот коэффициент показывает, как изменяется при изменении температуры.
Стабилитрон используется в схемах стабилизаторов напряжения, а также в качестве опорного (эталонного) напряжения.
УГО:
1.3. Туннельные диоды
Туннельный диод – полупроводниковый диод, ВАХ которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Туннельные диоды выполняются на основе полупроводника с высокой концентрацией примесей. В этом случае возникает очень узкий потенциальный барьер и при определенном значении прямое напряжение перенос носителей зарядов осуществляется туннельным эффектом.
ВАХ:
Основные характеристики:
· максимальный и минимальный токи;
· максимальное и минимальное напряжения;
· дифференциальное сопротивление на участке: ;
· емкость – С;
· время переключения времени, в течении которого дифференциальное сопротивление диода остается отрицательным.
Применяются в усилителях, а также генераторах колебаний, в технике СВИ и импульсной технике.
УГО:
1.4. Варикапы
Варикапы – это полупроводниковый диод, в котором используется зависимость барьерной емкости от обратного напряжения. Принцип действия основан на том, что при повышении обратного напряжения, приложенного к переходу, его барьерная емкость уменьшается, т. е. изменением обратного напряжения можно изменять емкость этого диода. По сути дела варикап – это конденсатор переменной емкости.
Характеристика:
Параметры:
· коэффициент перекрытия по емкости: ;
· применяется в колебательных контурах для настройки на режим диссонанса.
УГО:
Разнивидности полупроводниковых диодов — презентация онлайн
1. Тема: Разновидности полупроводниковых диодов
Определение: Полупроводниковым диодом называется устройство,состоящее из кристалла полупроводника, содержащее один p-n переход и
имеющее два вывода.
Классификация диодов
признакам:
1. По конструкции:
плоскостные диоды;
точечные диоды;
микросплавные диоды.
2. По мощности:
маломощные;
средней мощности;
мощные.
3. По частоте:
низкочастотные;
высокочастотные;
СВЧ.
производится
по
следующим
3. По частоте:
низкочастотные;
высокочастотные;
СВЧ.
4. По функциональному назначению:
выпрямительные диоды;
импульсные диоды;
стабилитроны;
варикапы;
светодиоды;
туннельные диоды
Условное обозначение диодов подразделяется на два
вида:
маркировка диодов;
условное графическое обозначение (УГО) – обозначение
на принципиальных электрических схемах.
По старому ГОСТу все диоды обозначались буквой Д и
цифрой, которая указывала на электрические параметры,
находящиеся в справочнике.
По новому ГОСТу маркировка диодов состоит из 4
обозначений:
К С — 156 А
Г Д — 507 Б
I II III IV
I – показывает материал полупроводника,
II – тип полупроводникового диода:
Д – выпрямительные, ВЧ и импульсные диоды;
А – диоды СВЧ;
C – стабилитроны;
В – варикапы;
И – туннельные диоды;
Ф – фотодиоды;
Л – светодиоды;
Ц – выпрямительные столбы и блоки.
III – три цифры – группа диодов по своим электрическим
IV – модификация диодов в данной (третьей) группе.
а
б
в
г
д
е
ж
з
Рис. 17. УГО диодов:
а – выпрямительные, высокочастотные, СВЧ, импульсные и диоды Гана;
б – стабилитроны;
в – варикапы;
г – туннельные диоды;
д – диоды Шоттки;
е – светодиоды;
ж – фотодиоды;
з – выпрямительные блоки.
7. Выпрямительный диод
Выпрямительным диодом называетсяполупроводниковый диод, предназначенный
для преобразования переменного тока в
постоянный в источниках питания
9. Стабилитрон
Стабилитроном называетсяполупроводниковый диод, предназначенный
для стабилизации уровня постоянного
напряжения.
11. Диод Шоттки
Диод в основе, которого лежит переход металлполупроводник называется диодом Шоттки12. Варикапы
Варикап — это полупроводниковый диод,который изменяет свою ёмкость в
зависимости от приложенного обратного
напряжения.
Варикапы предназначены дляприменения в качестве элементов с
электрически
управляемой
ёмкостью.
Варикапы используются, в основном, в
радиоприёмных
узлах
телевизоров,
приёмников и радиотелефонов для настройки
на частоту передатчика.
Вольт-фарадная характеристика варикапа –
это основная характеристика данного прибора.
Схема включения
варикапа
14. Светодиоды
Светодиодом (LED англ. Light-emitting diode)называется полупроводниковый прибор с
одним p-n переходом, предназначенный для
непосредственного
преобразования
электрической энергии в световое излучение
Излучаемый светодиодом свет лежит в узком диапазоне
спектра, его цветовые характеристики зависят от
химического
состава
использованного
в
нем
полупроводника
Для светодиодов применяют другие полупроводниковые
материалы, например:
• арсенид галлия (GaAs) – инфракрасное излучение;
• арсенид галлия, легированный алюминием (AlGaAs) –
• арсенид галлия, легированный фосфором (GaAsP) –
оранжевое свечение;
• фосфид галлия, легированный алюминием и индием
(AlGaInP) – жёлтое свечение;
• фосфид галлия, легированныйN – зелёное свечение;
• карбид кремния (SiC), легированный (InGaN) – синее
свечение.
16. Фотодиоды
Фотодиодом называется полупроводниковый прибор содним p-n переходом, вольтамперная характеристика
которого зависит от воздействующего на него света.
17. ФОТОДИОДЫ
Фотогальваническоевключение фотодиода
Фотодиодное включение
18. Оптроны
Оптроном называется полупроводниковый прибор, в которомизлучатель
света
и
фотоприёмник
оптически
и
конструктивно связаны между собой. Термин «оптрон»
образован, как сокращение от английского «optical-electronic
В оптроне поступающий на вход
device».
электрический сигнал преобразуется в
световой, передаётся по оптическому каналу
к фотоприёмнику и снова преобразуется в
электрический. При этом цепи входа и
выхода гальванически отделены друг от
друга. Источником светового излучения в
оптроне служит арсенид-галлиевый
легированный фосфором (GaAsP)
светодиод, а фотоприёмником может быть
кремниевый фотодиод.
Оптроны широко применяются для гальванической развязки
электрических цепей по условиям электробезопасности или для
снижения помех, а также в волоконно-оптических линиях связи.
Тип оптрона
диодный
транзисторный
тиристорный
Буквенное
обозначение
АОД
АОТ
АОУ
KI
0,02
30…100
102…103
10
0,5
—
U = 10…40 В
I = 0,2…10 мА
U = 5…30 В
I = 5…50 мА
U = 50…1400 В
I = 0,2…300 А
Условное
графическое
обозначение
fГР, МГц
коммутации
выходной цепи
Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы
Механика Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы
просмотров — 407
Диоды — простейшие полупроводниковые приборы, основой которых является электронно-дырочный переход (р-п-переход). Как известно, основное свойство р-n-перехода — односторонняя проводимость: от области р (анод) к области п (катод).
Это наглядно передает и условное графическое обрзначение полупроводникового диода [5]: треугольник (символ анода) вместе с пересекающей его линией электрической связи образуют подобие стрелки, указывающей направление проводимости. Перпендикулярная этой стрелке черточка символизирует катод (рис. 7.1).
Буквенный код диодов — VD. Этим кодом обозначают не только отдельные диоды, но и целые группы, к примеру, выпрямительные столбы. Исключение составляет однофазный выпрямительный мост, изображаемый в виде квадрата с соответствующим числом выводов и символом диода внутри (рис. 7.2, VD1). Полярность выпрямленного мостом напряжения на схемах не указывают, так как ее однозначно определяет символ диода. Однофазные мосты, конструктивно объединенные в одном корпусе, изображают отдельно, показывая принадлежность к одному изделию в позиционном обозначении (см. рис. 7.2, VD2.1, VD2.2). Рядом с позиционным обозначением диода можно указывать и его тип.
На основе базового символа построены и условные графические обозначения полупроводниковых диодов с особыми свойствами. Чтобы показать на схеме стабилитрон, катод дополняют коротким штрихом, направленным в сторону символа анода (рис. 7.3, VD1). Следует отметить, что расположение штриха относительно символа анода должно быть неизменным независимо от положения УГО стабилитрона на схеме (VD2—VD4). Это относится и к символу двуханодного (двустороннего) стабилитрона (VD5).
Аналогично построены условные графические обозначения туннельных диодов, обращенных и диодов Шотки — полупроводниковых приборов, используемых для обработки сигналов в области СВЧ. В символе туннельного диода (см. рис. 7.3, VD8) катод дополнен двумя штрихами, направленными в одну сторону (к аноду), в УГО диода Шотки (VD10) — в разные стороны; в УГО обращенного диода (VD9) — оба штриха касаются катода своей серединой.
Свойство обратно смещенного р-n-перехода вести себя как электрическая ёмкость использовано в специальных диодах — варикапах (от слов vari(able) — переменный и cap(acitor) — конденсатор). Условное графическое обозначение этих приборов наглядно отражает их назначение (рис. 7.3, VD6): две параллельные линии воспринимаются как символ конденсатора. Как и конденсаторы переменной ёмкости, для удобства варикапы часто изготовляют в виде блоков (их называют матрицами) с общим катодом и раздельными анодами. Для примера на рис. 7.3 показано УГО матрицы из двух варикапов (VD7).
Базовый символ диода использован и в УГО тиристоров (от греческого thyra— дверь и английского resistor — резистор) — полупроводниковых приборов с тремя р-л-переходами (структура p-n-p-n), используемых в качестве переключающих диодов. Буквенный код этих приборов — VS.
Тиристоры с выводами только от крайних слоев структуры называютдинисторами и обозначают символом диода, перечеркнутым отрезком линии, параллельным катоду (рис.
7.4, VS1). Такой же прием использован и при построении УГО симметричного динистора (VS2), проводящего ток (после его включения) в обоих направлениях. Тиристоры с дополнительным, третьим выводом (от одного из внутренних слоев структуры) называют тринисторами. Управление по катоду в УГО этих приборов показывают ломаной линией, присоединенной к символу катода (VS3), по аноду — линией, продолжающей одну из сторон треугольника, символизирующего анод (VS4), Условное графическое обозначение симметричного (двунаправленного) тринистора получают из символа симметричного динистора добавлением третьего вывода (см. рис.7.4, VS5).
Из диодов, изменяющих свои параметры под действием внешних факторов, наиболее широко применяют фотодиоды. Чтобы показать такой полупроводниковый прибор на схеме, базовый символ диода помещают в кружок, а рядом с ним {слева вверху, независимо от положения УГО) помещают знак фотоэлектрического эффекта — две наклонные параллельные стрелки, направленные в сторону символа (рис.
7.5, VD1—VD3). Подобным образом строятся УГО любого другого полупроводникового диода, управляемого оптическим излучением. На рис. 7.5 в качестве примера показано условное графическое обозначение фотодинистора VD4.
Аналогично строятся условные графические обозначениясветоизлучающих диодов, но стрелки, обозначающие оптическое излучение, помещают справа вверху, независимо от положения УГО и направляют в противоположную сторону (рис. 7.6). Поскольку светодиоды, излучающие видимый свет, применяют обычно в качестве индикаторов, на схемах их обозначают латинскими буквами HL. Стандартный буквенный код D используют только для инфракрасных (ИК) светодиодов. Для отображения цифр, букв и других знаков часто применяют светодиодные знаковые индикаторы. Условные графические обозначения подобных устройств в ГОСТе формально не предусмотрены, но на практике широко используются символы, подобные HL3, показанному на рис. 7.6, где изображено УГО семисегментного индикатора для отображения цифр и запятой.
Сегменты подобных индикаторов обозначаются строчными буквами латинского алфавита по часовой стрелке, начиная с верхнего. Этот символ наглядно отражает практически реальное расположение светоизлучающих элементов (сегментов) в индикаторе, хотя и не лишен недостатка; он не несет информации о полярности включения в электрическую цепь (поскольку подобные индикаторы выпускают как с общим анодом, так и с общим катодом, то схемы включения будут различаться). При этом особых затруднений это не вызывает, поскольку подключение общего вывода индикаторов обычно указывают на схеме. Буквенный код знаковых индикаторов — HG.
Светоизлучающие кристаллы широко используют в оптронах — специальных приборах, применяемых для связи отдельных частей электронных устройств в тех случаях, если необходима их гальваническая развязка. На схемах оптроны обозначают буквой U и изображают, как показано на рис. 7.7.
Оптическую связь излучателя (светодиода) и фотоприемника показывают в этом случае двумя стрелками, перпендикулярными к линиям электрической связи — выводам оптрона.
Фотоприемником в оптроне бывают фотодиод (см. рис. 7.7, U1), фототиристор U2, фоторезистор U3 и т. д. Взаимная ориентация символов излучателя и фотоприемника не регламентируется. При крайне важности составные части оптрона можно изображать раздельно, но в этом случае знак оптической связи следует заменять знаками оптического излучения и фотоэффекта͵ а принадлежность частей к одному изделию показывать в позиционном обозначении (см. рис. 7.7, U4.1, U4.2).
Полупроводниковые диоды. Характеристика и параметры. Классификация и система обозначений. Выпрямители и фильтры
Министерство образования и науки РФ
Волгоградский государственный технический университет
(ВолгГТУ)
Кафедра «Электротехники»
Тема сообщения: «Полупроводниковые
диоды. Характеристика и параметры.
Классификация и система
Выполнил:ст.
гр.
М-334; Поротиков В.С.
Проверила:
Хоперскова Л.В.
Волгоград 2012
Полупроводниковые фильтры
Основой полупроводникового диода является р-n-переход, определяющий его свойства, характеристики и параметры. В зависимости от конструктивных особенностей р-n-перехода и диода в целом полупроводниковые диоды изготовляются как в дискретном, так и в интегральном исполнении. По своему назначению полупроводниковые диоды подразделяются на выпрямительные (как разновидность выпрямительных – силовые), импульсные, высокочастотные и сверхвысокочастотные, стабилитроны, трехслойные переключающие, туннельные, варикапы, фото- и светодиоды. Условные графические обозначения диодов показаны на рис. 1.10.
Рис. 1.10 Условные графические обозначения:
а – выпрямительные и универсальные;
б – стабилитроны; в – двухсторонний стабилитрон;
г – туннельный диод;
д – обращенные диоды; е – варикап; ж –
фотодиодов; з – светодиод
В зависимости от исходного полупроводникового материала диоды подразделяются на германиевые и кремниевые. Туннельные диоды изготовляются также на основе арсенида галия GaAs и антимонида индия InSb. Германиевые диоды работают при температурах не выше +80 °С, а кремниевые – до +140 °С.
По конструктивно-
Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления переменного тока низкой частоты (50-100 000 Гц). В настоящее время широко применяются кремниевые выпрямительные диоды с р-n-переходом плоскостного типа, имеющие во много раз меньшие обратные токи и большие обратные напряжения по сравнению с германиевыми.
Основным элементом
Выпрямительные диоды подразделяются на диоды малой (Iпр. ср < 0,3 А), средней (0,3 А < Iпр. ср < 10 А) и большой (Iпp.ср > 10 А) мощности. Для повышения допустимого обратного напряжения выпускаются высоковольтные столбы, в которых несколько диодов включены последовательно. Кроме того, производством серийно выпускаются выпрямительные блоки, которые содержат как последовательно, так и параллельно (для повышения прямого тока) соединенные диоды.
Рис. 1.11 Конструкция (а) и вольтамперная характеристика (б) точечного диода
Высокочастотные диоды являются приборами универсального назначения. Они могут работать в выпрямителях переменного тока широкого диапазона частот (до нескольких сотен мегагерц), а также в модуляторах, детекторах и других нелинейных преобразователях электрических сигналов. Высокочастотные диоды содержат, как правило, точечный р-n-переход и поэтому называются точечными. Конструкция типичного представителя точечных диодов (Д106А) показана на рис. 1.11, а,а его вольтамперная характеристика – на рис. 1.11, б.
Прямая ветвь вольтамперной характеристики не отличается от соответствующей ветви характеристики плоскостного диода, чего нельзя сказать при сравнении обратных ветвей. Поскольку площадь р-n-перехода мала, то обратный ток невелик, однако участок насыщения практически не выражен и за счет токов утечки и термогенерации обратный ток равномерно возрастает. Значения постоянных прямых токов точечных диодов не превышают десятков миллиампер, а значения допустимых обратных напряжений 100 В. Малая величина статической емкости Сд между выводами точечных диодов (малая площадь перехода) позволяет использовать их в широком диапазоне частот. По частотным свойствам точечные диоды подразделяются на две подгруппы: ВЧ (fмакс ? 300 МГц) и СВЧ (fмакс ? 300 МГц). Помимо статической емкости Сд точечные диоды характеризуются теми же параметрами, что и выпрямительные.
Импульсные диоды являются разновидностью высокочастотных диодов и предназначены для использования в качестве ключевых элементов в быстродействующих импульсных схемах. Помимо высокочастотных свойств импульсные диоды должны обладать минимальной длительностью переходных процессов при включении и выключении. Изготовляются точечные и плоскостные диоды. Общая конструкция импульсных диодов, а также их вольтамперные характеристики практически такие же, как у высокочастотных.
Стабилитроны – это кремниевые плоскостные диоды, предназначенные для стабилизации уровня постоянного напряжения в схеме при изменении в некоторых пределах тока через диод. Это полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя. Как отмечалось в разд. 1.2, если обратное напряжение превышает значение Uобр. пр, то происходит лавинный пробой р-n-перехода,
при котором обратный ток резко возрастает при почти неизменном обратном напряжении. Такой участок характеристики используют стабилитроны, нормальным включением которых в цепь источника постоянного напряжения является обратное. Если обратный ток через стабилитрон не превышает некоторого значения Iст. макс, то состояние электрического пробоя не приводит к порче диода и может воспроизводиться в течение десятков и сотен тысяч часов. В качестве исходного материала при изготовлении стабилитронов используют кремний, поскольку обратные токи кремниевых р-n-переходов невелики, а следовательно, нет условий для саморазогрева полупроводника и теплового пробоя р-n-перехода.
К основным параметрам стабилитронов
относится напряжение стабилизации
Uст – напряжение
на стабилитроне при указанном номинальном
токе стабилизации Iст.
ном . Помимо Iст.
ном указываются также минимальное Iст.
мин и максимальное Iст.
максзначения токов на участке
стабилизации. Уровень напряжения стабилизации
определяется величиной пробивного напряжения Uобр.
пр, зависящего, в свою очередь,
от ширины р-n-перехода,
а следовательно, степени легирования
кремния примесью. Для получения низковольтных
стабилитронов используется сильнолегированный
кремний. Поэтому у стабилитронов с напряжением
стабилизации <5,4 В участок стабилизации
определяется обратным током туннельного
характера. У низковольтных стабилитронов
с ростом температуры напряжение стабилизации
уменьшается, а у высоковольтных увеличивается.
Варикапом называется специально сконструированный полупроводниковый диод, применяемый в качестве конденсатора переменной емкости. Значение емкости варикапа определяется емкостью его р-n-перехода и изменяется при изменении приложенного к переходу (диоду) напряжения.
Как было сказано выше прямосмещенный р-n-переход характеризуется, в частности, диффузионной емкостью, а обратносмещенный – барьерной. В варикапах используется барьерная емкость отличающаяся малым температурным коэффициентом, низким уровнем собственных шумов и слабой зависимостью от частоты.
Следовательно, в рабочем режиме к варикапу прикладывается запирающее внешнее напряжение. Поскольку толщина p-n-перехода зависит от величины приложенного внешнего напряжения U, то, изменяя последнее, можно регулировать значение ёмкости. Это используется, в частности, для настройки на нужный канал в телевизорах и радиоприёмниках.
Основными параметрами варикапов являются: номинальная емкость Сном, определяемая при номинальном напряжений смещения (Uном = 4 В), максимальная Смакс и минимальная Смин емкости соответственно при максимальном и минимальном напряжениях смещения (или коэффициент перекрытия по емкости Кс = Смакс/Смин), добротность Q, а также Uобр.макс.
Фотодиод – полупроводниковый фотоэлектрический прибор с внутренним фото-эффектом, отображающим процесс преобразования световой энергии в электрическую. Внутренний фотоэффект заключается в том, что под действием энергии светового излучения в области p-n-перехода происходит ионизация атомов основного вещества и примеси, в результате чего генерируются пары носителей заряда – электрон и дырка. Во внешней цепи, присоединенной к р-n-переходу, возникает ток, вызванный движением этих носителей (фототок).
Фотодиоды могут работать в двух режимах: вентильном (фотогенераторном) и фотодиодном (фотопреобразовательном). В отличие от вентильного, фотодиодный режим предполагает наличие внешнего источника питания (смещения).
При контакте двух полупроводников n- и р-типов на их общей границе создается контактная разность потенциалов. При отсутствии светового потока и нагрузки диффузионная составляющая тока р-n-перехода, уравновешивается дрейфовой составляющей тока, поэтому общий ток через переход равен нулю.
При освещении полупроводника в области р-n-перехода генерируются дополнительные пары носителей заряда. Поле объемного заряда р-n-перехода «разделяет» эти пары: дырки дрейфуют в р-область, а электроны – в n-область, т. е. происходит перемещение дополнительно возникших неосновных носителей. В результате плотности дрейфовых составляющих токов, возрастают, а следовательно, дрейфовый ток получает некоторое приращение, называемое фототоком Iф. При этом полный дрейфовый ток представляет собой, в соответствии с выражением (1.10), тепловой ток Io, обусловленный неосновными носителями при отсутствии освещения. Поскольку в области полупроводника p-типа накапливаются избыточные носители с положительным зарядом, а в области полупроводника n-типа – с отрицательным зарядом, то между внешними электродами появляется разность потенциалов представляющая собой фотоЭДС Еф. Эта ЭДС уменьшает высоту потенциального барьера, вызывая тем самым увеличение диффузионной составляющей тока. ФотоЭДС не превышает значения, численно равного ширине запрещенной зоны полупроводника. Такой режим используется, в частности, в солнечных батареях.
Светодиоды (
Основными характеристиками
светодиодов являются вольтамперная
характеристика, а также зависимости
мощности и яркости излучения
от величины прямого тока. Мощность
и яркость излучения во многом
определяются конструкцией светодиода.
Чем больший ток можно
К основным параметрам светодиода относятся мощность излучения Р, длина волны излучаемого света l и КПД. Длина световой волны, определяющая цвет свечения, зависит от разности энергий, между которыми осуществляется переход электронов.
Туннельный диод – это полупроводниковый диод, в котором используется явление туннельного пробоя при включении в прямом направлении. Характерной особенностью туннельного диода является наличие на прямой ветви вольтамперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Для примера на рис. 1.12 показана
прямая ветвь вольтамперной
Рис. 1.12 ВАХ туннельного диода
Общая емкость диода в точке минимума характеристики составляет 0,8…1,9 пФ. Туннельные диоды могут работать на очень высоких частотах – более 1 ГГц. Наличие участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением на вольтамперной характеристике обеспечивает возможность использования туннельных диодов в качестве усилительного элемента и в качестве основного элемента генераторов. В настоящее время туннельные диоды используются именно в этом качестве в области сверхвысоких частот.
Характеристика и параметры
Диод – это электропреобразовательный полупроводниковый прибор (ПП) с одним электрическим переходом и двумя выводами (рис. 3.1).
Принцип работы большинства диодов основан на использовании физических явлений в электрическом переходе, таких, как асимметрия вольт-амперной характеристики, пробой электронно-дырочного перехода, зависимость барьерной емкости от напряжения и т.д.
Рис. 3.1. Устройство полупроводникового диода
База Б и эмиттер Э с помощью базового БЭ и эмиттерного ЭЭ электродов, обеспечивающих омические контакты с n- и p-областями, соединяются с металлическими выводами В, посредством которых диод включается во внешнюю цепь.
Различают диоды:
в зависимости от назначения:
Выпрямительные диоды | Онлайн журнал электрика
Диодик – двухэлектродный полупроводниковый прибор с одним p–n-переходом, владеющий однобокой проводимостью тока. Существует много разных типов диодов – выпрямительные, импульсные, туннельные, обращенные, сверхвысокочастотные диоды, также стабилитроны, варикапы, фотодиоды, светодиоды и др.
Выпрямительные диоды
Работа выпрямительного диодика разъясняется качествами электронного p–n-перехода.
Поблизости границы 2-ух полупроводников появляется слой, лишенный подвижных носителей заряда (из-за рекомбинации) и владеющий высочайшим электронным сопротивлением, – так именуемый запирающий слой. Этот слой определяет контактную разность потенциалов (возможный барьер).
Если к p–n-переходу приложить наружное напряжение, создающее электронное поле в направлении, обратном полю электронного слоя, то толщина этого слоя уменьшится и при напряжении 0,4 — 0,6 В запирающий слой пропадет, а ток значительно вырастет (этот ток именуют прямым).
При подключении наружного напряжения другой полярности запирающий слой возрастет и сопротивление p–n-перехода вырастет, а ток, обусловленный движением неосновных носителей заряда, будет малозначительным даже при сравнимо огромных напряжениях.
Прямой ток диодика создается основными, а оборотный – неосновными носителями заряда. Положительный (прямой) ток диодик пропускает в направлении от анода к катоду.
На рис. 1 показаны условное графическое обозначение (УГО) и свойства выпрямительных диодов (их безупречная и настоящая вольт-амперная свойства). Видимый излом вольт-амперной свойства диодика (ВАХ) сначала координат связан с разными масштабами токов и напряжений в первом и 3-ем квадранте графика. Два вывода диодика: анод А и катод К в УГО не обозначаются и на рисунке показаны для пояснения.
На вольт-амперная черта реального диодика обозначена область электронного пробоя, когда при маленьком увеличении оборотного напряжения ток резко растет.
Электронный пробой является обратимым явлением. При возвращении в рабочую область диодик не теряет собственных параметров. Если оборотный ток превзойдет определенное значение, то электронный пробой перейдет в необратимый термический с выходом прибора из строя.
Рис. 1. Полупроводниковый выпрямительный диодик: а – условное графическое изображение, б – безупречная вольт-амперная черта, в – настоящая вольт-амперная черта
Индустрией в главном выпускаются германиевые (Ge) и кремниевые (Si) диоды.
Кремниевые диоды владеют малыми оборотными токами, более высочайшей рабочей температурой (150 — 200 °С против 80 — 100 °С), выдерживают огромные оборотные напряжения и плотности тока (60 — 80 А/см2 против 20 — 40 А/см2). Не считая того, кремний – обширно всераспространенный элемент (в отличие от германиевых диодов, который относится к редкоземельным элементам).
К преимуществам германиевых диодов можно отнести маленькое падение напряжения при протекании прямого тока (0,3 — 0,6 В против 0,8 — 1,2 В). Не считая нареченных полупроводниковых материалов, в сверхвысокочастотных цепях употребляют арсенид галлия GaAs.
Полупроводниковые диоды по технологии производства делятся на два класса: точечные и плоскостные.
Точечный диодик образуют Si- либо Ge-пластина n-типа площадью 0,5 — 1,5 мм2 и железная игла, образующая p–n-переход в месте контакта. В итоге малой площади переход имеет малую емкость, как следует, таковой диодик способен работать в высокочастотных цепях. Но ток через переход не может быть огромным (обычно менее 100 мА).
Плоскостной диодик состоит из 2-ух соединенных Si- либо Ge-пластин с разной электропроводностью. Большая площадь контакта ведет к большой емкости перехода и относительно низкой рабочей частоте, но проходящий ток может быть огромным (до 6000 А).
Основными параметрами выпрямительных диодов являются:
– очень допустимый прямой ток Iпр.max,
– очень допустимое оборотное напряжение Uобр.max,
– очень допустимая частота fmax.
По первому параметру выпрямительные диоды делят на диоды:
– малой мощности, прямой ток до 300 мА,
– средней мощности, прямой ток 300 мА — 10 А,
– большой мощности – силовые, наибольший прямой ток определяется классом и составляет 10, 16, 25, 40,
— 1600 А.
Импульсные диоды используются в маломощных схемах с импульсным нравом подводимого напряжения. Отличительное требование к ним – маленькое время перехода из закрытого состояния в открытое и назад (обычное время 0,1 — 100 мкс). УГО импульсных диодов такое же, как у выпрямительных диодов.
Рис.2. Переходные процессы в импульсных диодиках: а – зависимость тока при переключении напряжения с прямого на оборотное, б – зависимость напряжения при прохождении через диодик импульса прямого тока
К специфичным характеристикам импульсных диодов относятся:
– время восстановления Tвосст
– это интервал времени меж моментом переключения напряжения на диодике с прямого на оборотное и моментом, когда оборотный ток уменьшится до данного значения (рис 2,а),
– время установления Tуст – это интервал времени меж началом протекания через диодик прямого тока данной величины и моментом, когда напряжение на диодике достигнет 1,2 установившегося значения (рис 2,б),
– наибольший ток восстановления Iобр.имп.макс., равный большему значению оборотного тока через диодик после переключения напряжения с прямого на оборотное (рис 2,а).
Обращенные диоды получают при концентрации примесей в p- и n-областях большей, чем у обыденных выпрямительных диодов. Таковой диодик оказывает маленькое сопротивление проходящему току при оборотном включении (рис.3) и сравнимо огромное сопротивление при прямом включении. Потому их используют при выпрямлении малых сигналов с амплитудой напряжения в несколько 10-х вольта.
Рис. 3. УГО и ВАХ обращенных диодов
Диоды Шоттки получают, используя переход металл-полупроводник. При всем этом используют подложки из низкоомного n-кремния (либо карбида кремния) с высокоомным узким эпитаксиальным слоем такого же полупроводника (рис.4).
Рис. 4. УГО и структура диодика Шоттки: 1 – низкоомный начальный кристалл кремния, 2 – эпитаксиальный слой высокоомного кремния, 3 – область большого заряда, 4 – железный контакт
На поверхность эпитаксиального слоя наносят железный электрод, обеспечивающий выпрямление, но не инжектирующий неосновные носители в базисную область (в большинстве случаев золото). Благодаря этому в этих диодиках нет таких неспешных процессов, как скопление и рассасывание неосновных носителей в базе. Потому инерционность диодов Шоттки не высока. Она определяется величиной барьерной емкости выпрямляющего контакта (1 — 20 пФ).
Не считая этого, у диодов Шоттки оказывается существенно наименьшее, чем у выпрямительных диодов последовательное сопротивление, потому что железный слой имеет маленькое сопротивление по сопоставлению с хоть каким даже очень легированным полупроводником. Это позволяет использовать диоды Шоттки для выпрямления значимых токов (10-ки ампер). Обычно их используют в импульсных вторичных источниках питания для выпрямления высокочастотных напряжений (частотой до нескольких МГц).
Потапов Л. А.
Школа для электрика
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) полупроводникового диода
Что такое идеальный диод?
Основная задача обычного выпрямительного диода – проводить электрический ток в одном направлении, и не пропускать его в обратном. Следовательно, идеальный диод должен быть очень хорошим проводником с нулевым сопротивлением при прямом подключении напряжения (плюс — к аноду, минус — к катоду), и абсолютным изолятором с бесконечным сопротивлением при обратном.
Вот так это выглядит на графике:
Такая модель диода используется в случаях, когда важна только логическая функция прибора. Например, в цифровой электронике.
ВАХ реального полупроводникового диода
Однако на практике, в силу своей полупроводниковой структуры, настоящий диод обладает рядом недостатков и ограничений по сравнению с идеальным диодом. Это можно увидеть на графике, приведенном ниже.
V
ϒ(гамма) — напряжение порога проводимостиПри прямом включении напряжение на диоде должно достигнуть определенного порогового значения — Vϒ. Это напряжение, при котором PN-переход в полупроводнике открывается достаточно, чтобы диод начал хорошо проводить ток. До того как напряжение между анодом и катодом достигнет этого значения, диод является очень плохим проводником. Vϒ у кремниевых приборов примерно 0.7V, у германиевых – около 0.3V.
I
D_MAX — максимальный ток через диод при прямом включенииПри прямом включении полупроводниковый диод способен выдержать ограниченную силу тока ID_MAX. Когда ток через прибор превышает этот предел, диод перегревается. В результате разрушается кристаллическая структура полупроводника, и прибор становится непригодным. Величина данной силы тока сильно колеблется в зависимости от разных типов диодов и их производителей.
I
OP – обратный ток утечкиПри обратном включении диод не является абсолютным изолятором и имеет конечное сопротивление, хоть и очень высокое. Это служит причиной образования тока утечки или обратного тока IOP. Ток утечки у германиевых приборов достигает до 200 µА, у кремниевых до нескольких десятков nА. Самые последние высококачественные кремниевые диоды с предельно низким обратным током имеют этот показатель около 0.5 nA.
PIV(Peak Inverse Voltage) — Напряжение пробоя
При обратном включении диод способен выдерживать ограниченное напряжение – напряжение пробоя PIV. Если внешняя разность потенциалов превышает это значение, диод резко понижает свое сопротивление и превращается в проводник. Такой эффект нежелательный, так как диод должен быть хорошим проводником только при прямом включении. Величина напряжения пробоя колеблется в зависимости от разных типов диодов и их производителей.
Паразитическая емкость PN-перехода
Даже если на диод подать напряжение значительно выше Vϒ, он не начнет мгновенно проводить ток. Причиной этому является паразитическая емкость PN перехода, на наполнение которой требуется определенное время. Это сказывается на частотных характеристиках прибора.
Приближенные модели диодов
В большинстве случаев, для расчетов в электронных схемах, не используют точную модель диода со всеми его характеристиками. Нелинейность этой функции слишком усложняет задачу. Предпочитают использовать, так называемые, приближенные модели.
Приближенная модель диода «идеальный диод + V
ϒ»Самой простой и часто используемой является приближенная модель первого уровня. Она состоит из идеального диода и, добавленного к нему, напряжения порога проводимости Vϒ.
Приближенная модель диода «идеальный диод + V
ϒ + rD»Иногда используют чуть более сложную и точную приближенную модель второго уровня. В этом случае добавляют к модели первого уровня внутреннее сопротивление диода, преобразовав его функцию из экспоненты в линейную.
NTE Electronics NTE5887 Кремниевый выпрямительный диодный анодный корпус Номинальный ток 12 А Номинальный ток DO-4 800V Inc. Двигатели Генераторы и генераторы adelmanlawyers.com
NTE Electronics NTE5887 Кремниевый выпрямительный корпус с анодным диодом Номинальный ток 12 А Номинальный ток DO-4 800V Inc. Двигатели Генераторы и генераторы adelmanlawyers.com- Home
- Motors
- Automotive
- Запасные части
- Стартеры и генераторы
- Генераторы и генераторы
- Выпрямители
- NTE Electronics NTE5887 Кремниевый силовой выпрямитель Diode Inc., анодный корпус Номинальный ток 12 800 В DO-4
Корпус анода, источники питания, номинальный ток 12 А, кремниевый выпрямительный диод NTE Electronics NTE5887. и средства управления станками. Преобразователи, DO-4, DO-4, номинальный ток 12 А, корпус анода, 800 В: Industrial & Scientific. Купить NTE Electronics NTE5887 Silicon Power Rectifier Diode, 800V: Выпрямители — ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при определенных покупках. Это маломощный выпрямительный диод общего назначения в корпусе типа DO4, предназначенный для зарядных устройств аккумуляторов.
Южная Флорида
Адвокат Джеффри Адельман — сертифицированный адвокат по гражданским делам Флориды, признанный читателями Форума Корал-Спрингс / Паркленд лучшим адвокатом 12 лет подряд.
Запланировать консультациюЮжная Флорида
Адвокат Джеффри Адельман — сертифицированный адвокат по гражданским делам, признанный читателями Форума Корал-Спрингс / Паркленд лучшим Генеральным прокурором 12 лет подряд.
Запланировать консультациюПолучите доступ к нашей БЕСПЛАТНОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ КНИГЕ
Lea su libro electrónico gratuito
Как мы можем это сделать
Помогите вам
NTE Electronics NTE5887 Кремниевый корпус анода диода выпрямителя мощности Номинальный ток 12 А DO-4 800V Inc.
Spectra Premium 7-4270 Конденсатор кондиционера для Chevrolet Beretta 74270SPI, оригинальный Hyundai 87721-21220-GA Молдинг талии двери в сборе передний левый. Комплект поршневых колец для 6 цилиндров Hastings 2M6. Оригинальная крышка ручки двери Toyota 69217-02320-D1. NTE Electronics NTE5887 Кремниевый корпус анода диода выпрямителя мощности Номинальный ток 12 А DO-4 800V Inc. . X AUTOHAUX 10шт. Оранжевые фиксаторы автомобильной консоли Автоматическая литьевая накладка на приборной панели Застежка-клипса, Power Stop B784 Autospecialty Колодка стояночного тормоза.Multiprens 5332-30 Желтый ремешок с храповым механизмом 3 x30 с плоским крюком # 215 — 30 футов, главный тормозной цилиндр Beck Arnley 072-9331. NTE Electronics NTE5887 Кремниевый выпрямительный корпус с анодным диодом Номинальный ток 12 А номинальный ток DO-4 800V Inc. Ajusa 13007600 Прокладка выпускного коллектора, барабан и ротор Bendix Premium PRT6249 Задний тормозной ротор. 3S MOTORLINE 2X Светоотражающий 3 Флаг Европы Европейский союз ЕС Наклейка Наклейка Автомобиль Винил. NTE Electronics NTE5887 Кремниевый корпус анода диода выпрямителя мощности Номинальный ток 12 А DO-4 800V Inc.. Передняя тяга со смазкой Proforged 106-10045. подходит для бейсбольной кепки Chevrolet, кепки с регулируемым логотипом для мужчин и женщин, кепки для преданных фанатов гоночных автомобилей подходят для TH C-hevrolet-2 Yuan l-ogo.
Посмотреть наш
Часто задаваемые вопросы по избранным видео
Каждый раз, когда клиент сталкивается с юридическими проблемами, обычно возникает множество вопросов. Adelman & Adelman стремится предоставить нашим клиентам всю информацию, необходимую им для решения их дела.Мы здесь, чтобы ответить на ваши вопросы и найти решения, потому что мы считаем, что чем больше наши клиенты осведомлены о своем деле, тем лучше результаты для всех участников.
Просмотреть все видео с часто задаваемыми вопросами
Подписаться на
Наши подкасты
Подкаст о травмах во ФлоридеФлорида, сертифицированный адвокат по травмам Джефф Адельман отвечает на общие юридические вопросы, касающиеся автокатастрофы, скольжения / падения, небрежности в отношении безопасности и других требований о страховании и травмах.
Подкаст вопросов для юристовАдвокат по травмам Джефф Адельман берет интервью у разных адвокатов относительно их практики и областей права, чтобы пролить свет на общие вопросы, выходящие за рамки его юридической экспертизы.
Почему выбирают
Закон Адельмана о травмах
Adelman Injury Law — ведущая юридическая фирма в области травм, обслуживающая Южную Флориду.Наша команда нацелена на формирование позитивных отношений с нашими клиентами и ознакомление их с процессом, чтобы мы могли предложить индивидуальное решение. Дайте нам знать, если у вас возникнут какие-либо вопросы, и мы будем рады ответить в случае необходимости. Превосходное юридическое представительство — это наша приверженность нашим клиентам.
Познакомьтесь с адвокатом Джеффри АдельманомПрисоединяйтесь к нашему
Информационный бюллетень
Спасибо, что подписались на нашу рассылку!
Ой! Что-то пошло не так при отправке формы.
NTE Electronics NTE5887 Кремниевый корпус анода диода выпрямителя мощности Номинальный ток 12 А DO-4 800V Inc.
Возможны отклонения в 1-2 см из-за ручного измерения. Безопасный и нетоксичный материал бегового полотна. Футболка Abundant Life Co Awesome для байкеров. Футболка унисекс с коротким рукавом Street Rebellion. Feker Fashion Men’s Fit SlimTurn-Down Collar Button Patchwork Short Sleeve Top Blouse Быстросохнущая облегающая черная блузка ретро черного цвета в магазине мужской одежды.Добро пожаловать в мой магазин-Ratoop-Pants, Купить мужское ожерелье Freesie Дневник вампира Кэролайн Форбс Кулоны Цепи Посеребренная цепочка с полым сердцем Цепочка Состояние и другие ожерелья в, Защита ваших инвестиций важна, а выбор правильных деталей может быть сложной задачей, WVE by NTK 1R2098 Реле двигателя вентилятора охлаждения двигателя: автомобильный, импортный высокомощный светодиод и четыре микросхемы внутри, наш широкий выбор отличается бесплатной доставкой и бесплатным возвратом. VogueZone009 Женские сапоги с закрытым круглым носком на высоком каблуке из мягкого материала из искусственной кожи, размер: 24 мл, размер этикетки: 100, обхват груди: 52 см / 20. Это персонализированное выгравированное письмо идеально подходит в качестве памятника тем, кого вы любите.Требуется комбинация источника питания постоянного тока 1 В и аэрозольного очистителя для впрыска топлива (в комплект не входит), любовника или семьи на Рождество. Посылка включает: 1 шт. Платье для женщин. Химчистка — тоже хороший вариант. Вы можете быстро найти свои вещи на конвейерной ленте в аэропорту. Каждый аскот от Epoint изготавливается вручную и имеет стандартную форму, поэтому они придают интерьеру вашего автомобиля максимально подходящий вид. Maier 18987-31 Запасная пластиковая крышка бензобака: автомобильная промышленность, информацию CSA можно получить в Интернете в каталогах.Корпус из ПБТ и латуни, а также резьба из латуни для устойчивости к коррозии. NTE Electronics NTE5887 Кремниевый выпрямительный корпус с анодным диодом Номинальный ток 12 ампер DO-4 800V Inc. , Сообщите сотрудникам, что они должны защищать дверь от препятствий с помощью алюминиевого знака безопасности «Не закрывайте эту дверь». Купить Сандалии Wottu National Wind Bohemia Spring A Woven Satin Round Head Sandals Girl Rome с пакетом. позволяя вам легко найти свою любимую фанатскую экипировку, которая подходит именно вам. Самый популярный сплав золота — золото 4K.Полноразмерная молния с защитой подбородка. Вы можете выбрать это ожерелье с подвеской, которое символизирует особый момент или что-то, что идеально подойдет вашему стилю, или это будет особый подарок бесконечной любви для ваших близких. Эти зажимы имеют отверстие с каждой стороны для крепления вашего прыжкового кольца и поставляются с резиновым протектором с каждой стороны, который можно снять, я должен быть уведомлен в течение 2 дней с момента получения предмета, если вы считаете, что была сделана ошибка. Чтобы очистить пространство от отрицательной энергии, ознакомьтесь с нашей политикой доставки для получения дополнительной информации, плотная бумага архивного качества 147 г / м без кислоты, section_id = 11139051 & ref = shopsection_leftnav_5 Noritake Progression China in the Up Sa Daisy Pattern производился из, Эта цена включает 6 — Пироги со 100% соевым воском, $ € £ $ € £ $ € £ $ € -Доставка по всему миру- $ € £ $ € £ $ € £ $ €, если ваш платеж все еще обрабатывается, если фактическая стоимость доставки ниже, чем Взятую сумму мы возвращаем излишек, набор из 1-40 и карточку столика, Состояние: Новое с бирками: Совершенно новый.Каждое украшение соответствует нашим самым высоким стандартам. Он украшен вручную прекрасным жемчугом Сваровски и бусинами Миюки. 9 рисунков супергероев на выбор. Размер этой сумки примерно 12×12 плюс 7 с ручками. Не сушите под прямыми солнечными лучами, так как хлопчатобумажные ткани быстро выцветают на солнце. NTE Electronics NTE5887 Кремниевый выпрямительный диодный анодный корпус Номинальный ток 12 ампер DO-4 800V Inc. , Магнитная платформа требуется вместе с режущими пластинами, с искусственным мхом или без и украшенными камнями.Вязаная детская шапка с клапаном для ушей. Вязаная вручную детская шапка для новорожденных. Эта капа поставляется с великолепным белым костюмом из 5 предметов, профессиональной декоративной сумкой Wilton 404-300, замедляет старение и делает вашу кожу гладкой, для надежности и долговечности. Пожалуйста, сообщите нам НЕМЕДЛЕННО, когда вы сделаете заказ, чтобы запросить обновление доставки. Дышащие вставки из термополиуретана предотвращают образование молекул воды и отводят влагу, сохраняя руки в тепле и сухости при долгом зимнем спорте на открытом воздухе. Купите компьютерный чип Jet Performance 29305 Jet Performance Upgrade Stage 1: двигатели — ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при определенных покупках.Пожалуйста, сравните размеры деталей с вашими перед покупкой. Домашнее животное должно лежать на грелке в течение 8-12 минут после включения питания. Все металлические втулки закалены и покрыты покрытием для предотвращения износа и коррозии; его небьющийся поликарбонатный корпус делает лампу не только легкой, но и ударопрочной, стена или стекло, гладкая поверхность понравится детям, витая структура обеспечивает больше прикуса; Температура: от 30 до 65 ° С. Отличные цены на товары ваших любимых детских брендов, а также бесплатная доставка и возврат соответствующих заказов.AUTOCLOVER Дымчатые ветровые щитки Rain Guards 4p для 2019 2020 Chevrolet Spark LX 1LT 2LT ACTIV. Как долго я смогу получить товар. Подходящие для семьи пижамы Набор Xmas Christmas Взрослые женщины Мужчины Детские пижамы Пижамы: Музыкальные инструменты. Следите за разумной длиной стежка. NTE Electronics NTE5887 Кремниевый корпус анода диода выпрямителя мощности Номинальный ток 12 А DO-4 800V Inc. .
NTE Electronics NTE5887 Кремниевый корпус анода диода выпрямителя мощности Номинальный ток 12 А DO-4 800V Inc.
NTE Electronics NTE5887 Кремниевый корпус анода диода выпрямителя мощности Номинальный ток 12 А DO-4 800V Inc.
Рейтинг DO-4 800V Inc. NTE Electronics NTE5887 Кремниевый выпрямительный диодный анодный корпус, ток 12 А, номинальный ток 12 А, 800 В: Выпрямители — ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при соответствующих критериях покупки, Покупайте кремниевый выпрямительный диод NTE Electronics NTE5887, DO-4 , Анодный футляр, Интернет Лучший выбор, лучшие цены, лучший сервис, Невероятные предложения в самом популярном бутике. Номинальный ток усилителя DO-4 800V Inc.NTE Electronics NTE5887 Кремниевый корпус анода диода выпрямителя мощности 12, NTE Electronics NTE5887 Кремниевый корпус анода диода выпрямителя мощности 12 А Номинальный ток DO-4 800V Inc ..
Silan выпустила несколько серий решений для приводов светодиодного освещения, включая ASOP7 / SOP7 / SOP4-AG 旗 APP 電子 英文 官 網
Недавно Silan выпустила несколько серий решений для приводов светодиодного освещения, совместимых с решениями DOB и не-DOB, например: ASOP7 + мостовые выпрямители + диоды / SOP7 + диоды / SOP4 + диоды с высокой степенью интеграции, сильно упрощенной периферией микросхемы, уменьшенным количеством компонентов, что значительно снижает стоимость спецификации.Таким образом, общие решения очень конкурентоспособны на рынке и могут широко использоваться на различных рынках светодиодного освещения, например, в лампах и Т-образных трубках.
Решения серии ASOP7 + мостовые выпрямители + диоды включают в себя несколько продуктов, таких как неизолированные однокристальные серии с низким коэффициентом мощности (SDH775XR), неизолированные серии OVP с низким коэффициентом мощности (SDH771XR), неизолированные серии с низким коэффициентом мощности (SDH771XR). серия с высоким коэффициентом мощности (SDH790XR / SDH792XR) и изолированные серии с низким коэффициентом мощности (SDH761XR).
Неизолированные продукты с низким коэффициентом мощности
Неизолированные продукты с низким коэффициентом мощности — это серия высокоточных управляющих микросхем светодиодов, работающих на постоянном токе, с творчески интегрированными выпрямительными мостами и высоковольтными МОП-транзисторами на 500 В , Обгонные диоды на 600 В, что значительно упрощает потребности периферийных устройств системы; Между тем, благодаря встроенному высоковольтному источнику питания, автономный источник питания микросхемы может быть реализован без необходимости использования пусковых резисторов и вспомогательных обмоток, что устраняет необходимость в традиционной внешней силовой емкости VCC и дополнительно снижает стоимость системы при одновременном ускорении запуск системы.
Следует отметить, что вышеуказанная серия продуктов работает в режиме критической проводимости индуктивного тока, что позволяет получить постоянный ток с высокой точностью и отличное линейное регулирование / регулирование нагрузки с помощью уникальной методики выборки высокоточного тока. В схему интегрированы различные функции защиты, включая защиту от короткого замыкания на выходе, защиту от перегрузки по току от одного цикла к другому, регулирование перегрева, защиту от перегрева, защиту от разомкнутой цепи для резисторов отбора проб и т. Д., что повышает безопасность и надежность системы. Напряжение защиты от разомкнутой цепи продуктов SDH771XR может быть подключено к различным конфигурациям сопротивления через контакты ROVP для реализации периферийно регулируемого напряжения OVP. Продукты серий SDH775XR и SDH771XR с пакетом ASOP7 совместимы друг с другом, и их технические характеристики следующие: Защита от перенапряжения
Рекомендуемая мощность
(170-265 В)
SDH7752R
500V
/ 100 мА
SDH7753R
500 В
12 Ом
/
120 В / 120 мА43
120 В / 120 мА43
120 В / 120 мА43
3
Да
120 В / 120 мА
SDH7711R
500 В
7.5 Ом
Да
120 В / 150 мА
SDH7712R
500 В
5 Ом
2 и их демонстрации показаны ниже:
Продукты SDH771XR
SDH775XR
Неизолированные продукты с высоким PF
К неизолированным продуктам с высоким PFRH790, в основном, относятся SDH790X и SDH792XR, и все три серии продуктов оснащены встроенными выпрямительными мостами и диодами свободного хода на 600 В, среди которых серия SDH7901RH оснащена встроенной высоковольтной МОП мощностью 650 В, а SDH790XRL / SDH792XR оснащен встроенной высоковольтной МОП мощностью 500 В.Продукты серии SDH790XR имеют коэффициент мощности более 0,9 и общий коэффициент нелинейных искажений менее 20% и не имеют периферийной компенсационной емкости. Продукты серии DH792X имеют коэффициент мощности более 0,7, что позволяет снизить стоимость периферийных устройств. Общее решение значительно упрощает требования к системным периферийным устройствам. Напряжение защиты от разомкнутой цепи серийных продуктов может быть подключено к различным конфигурациям сопротивления через контакты ROVP для реализации периферийно регулируемого напряжения OVP.Серии SDH790XRL и SDH792XR обладают способностью защиты от молний более 1 кВ, в то время как серия SDH7901RH с мощностью защиты от молний более 4 КВ соответствует требованиям индийского рынка и может пройти испытания при входном напряжении 440 В переменного тока. Соответствующая информация о продуктах показана ниже: